JP6424550B2 - Antireflective articles and art objects - Google Patents

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JP6424550B2 JP2014200992A JP2014200992A JP6424550B2 JP 6424550 B2 JP6424550 B2 JP 6424550B2 JP 2014200992 A JP2014200992 A JP 2014200992A JP 2014200992 A JP2014200992 A JP 2014200992A JP 6424550 B2 JP6424550 B2 JP 6424550B2
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本発明は、反射防止物品及び美術品展示体に関するものである。   The present invention relates to an antireflective article and an art display.

近年、フィルム形状の反射防止物品である反射防止フィルムに関して、透明基材(透明フィルム)の表面に多数の微小突起を密接して配置することにより、反射防止を図る方法が提案されている(例えば特許文献1〜3)。この方法は、いわゆるモスアイ(moth eye(蛾の目))構造の原理を利用したものであり、入射光に対する屈折率を基板の厚み方向に連続的に変化させ、これにより屈折率の不連続界面を消失させて反射防止を図るものである。   In recent years, with regard to an anti-reflection film which is a film-shaped anti-reflection article, there has been proposed a method for achieving anti-reflection by closely arranging a large number of minute projections on the surface of a transparent substrate (transparent film) (for example, Patent documents 1 to 3). This method utilizes the principle of a so-called moth eye structure, in which the refractive index for incident light is continuously changed in the thickness direction of the substrate, thereby making the discontinuous interface of the refractive index To eliminate reflection and to prevent reflection.

このようなモスアイ構造を有数反射防止物品は、一般的に、アルミの陽極酸化とエッチングを繰り返して作成されるナノレベルの微細な穴を有する金型を用い、光硬化反応によるナノインプリントプロセスによって作成されている(例えば特許文献4)。   Such a moth-eye structure as a number one antireflective article is generally produced by a nanoimprint process by a photo-curing reaction using a mold having nano-level fine holes which are produced by repeating anodic oxidation and etching of aluminum. (E.g., Patent Document 4).

かかる反射防止物品には各種用途が提案されており、例えば、各種画像表示装置の情報表示部や、美術品、商品等の展示物を保護するためのショーケースの表面に配置し、日光や室内灯等の外光反射を低減して視認性を向上すること等が提案されている。   Various uses have been proposed for such an antireflective article, and for example, it is disposed on the surface of a display case for protecting an information display unit of various image display devices or exhibits such as works of art, goods, etc. It has been proposed to improve the visibility by reducing the reflection of external light such as a lamp.

しかし、このようなモスアイ構造を有する反射防止物品は、反射防止物品を作製する際の光硬化反応時の樹脂や光重合開始剤の分解、及びトリアセチルセルロースフィルム等の透明基材に用いられる材料等に起因したアウトガスの発生が問題となっている。反射防止物品を展示物のショーケース等に用いる場合には、展示物の劣化や変質等の促進が懸念される点から、アルデヒド類や有機酸といった成分を含むアウトガスの発生が特に問題となる。
従来の反射防止物品では、アウトガスによる問題を防止するために、例えば反射防止物品を清浄な空気環境下で一定期間、例えば数ヶ月間静置してアウトガスを放出させるいわゆる枯らしを行ってから、反射防止物品を使用している。
However, an antireflective article having such a moth-eye structure is a material used for decomposition of a resin or a photopolymerization initiator during a photocuring reaction when producing an antireflective article, and a transparent base material such as a triacetyl cellulose film. Outgassing caused by the problem is a problem. When the antireflective article is used in a showcase or the like of a display, generation of outgassing containing a component such as an aldehyde or an organic acid is particularly problematic since there is a concern that the deterioration of the display, deterioration of the display, etc. may be promoted.
In conventional antireflective articles, in order to prevent problems due to outgassing, for example, the antireflective articles are allowed to stand for a certain period of time in a clean air environment, for example, for several months to release outgassing, and then to We use prevention article.

特開昭50−70040号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-70040 特表2003−531962号公報Japanese Patent Publication No. 2003-531962 特許第4632589号公報Patent No. 4632589 国際公開第2010/087139号パンフレットWO 2010/087139 pamphlet

しかしながら、反射防止物品にいわゆる枯らしを行う場合、反射防止物品を作製後すぐに使用することができないという問題がある。また、後述する比較例2の評価結果からわかるように、反射防止物品の枯らしを行っても、アウトガスの発生を十分に抑制することは困難である。   However, when the antireflective article is subjected to so-called drying, there is a problem that the antireflective article can not be used immediately after preparation. Further, as can be seen from the evaluation results of Comparative Example 2 described later, it is difficult to sufficiently suppress the generation of outgassing even if the antireflective article is withered.

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、アウトガスの発生が抑制され、反射防止性に優れる反射防止物品、及びアウトガスによる美術品への影響が抑制され、視認性に優れた美術展示体を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to suppress the generation of outgassing, to suppress the influence of the outgassing on an antireflective article having excellent antireflectivity, and to an art object by the outgassing, and to exhibit art with excellent visibility. Intended to provide the body.

本発明に係る反射防止物品は、透明基材の少なくとも一方の面に、複数の微小突起が密接して配置されてなる微小突起群を備えた微細凹凸形状を表面に有し、樹脂組成物の硬化物からなる微細凹凸層を備えた反射防止物品であって、
前記透明基材が、ポリエステル系樹脂を含有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの平均値をdAVGとしたときに、
AVG≦Λmin
なる関係を有し、
前記樹脂組成物が、(メタ)アクリレート系電離放射線硬化性樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種を含有する電離放射線硬化性樹脂組成物であり、エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジアクリレート及びエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレートの少なくとも1種を、前記樹脂組成物に含まれる全固形分に対して合計で60〜90質量%含有し、カルボジイミド基を有する化合物を、前記樹脂組成物に含まれる全固形分に対して0.1〜5.0質量%含有し、更に、トリデシルアクリレート及びドデシルアクリレートの少なくとも1種を含有し、トリデシルアクリレート及びドデシルアクリレート以外の単官能(メタ)アクリレートを含有しないことを特徴とする。
The antireflective article according to the present invention has on its surface a fine uneven shape provided with a microprojection group in which a plurality of microprotrusions are closely arranged on at least one surface of a transparent substrate, and the resin composition An antireflective article comprising a fine uneven layer made of a cured product, comprising:
The transparent substrate contains a polyester resin,
The microprotrusions have a shortest wavelength in a wavelength band of light for reflection prevention as Λ min and an average value of the spacing d between adjacent projections of the microprotrusions as d AVG .
d AVG Λ min
Have the relationship
The resin composition is an ionizing radiation curable resin composition containing at least one selected from the group consisting of (meth) acrylate ionizing radiation curable resins, and ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate and ethylene oxide modified trimethylol Based on the total solids contained in the resin composition, a compound having a total of 60 to 90% by mass based on the total solids contained in the resin composition and having at least one propane triacrylate and having a carbodiimide group To 0.1% to 5.0% by mass , further containing at least one of tridecyl acrylate and dodecyl acrylate, and containing no monofunctional (meth) acrylate other than tridecyl acrylate and dodecyl acrylate I assume.

本発明に係る反射防止物品は、前記トリデシルアクリレート及びドデシルアクリレートの合計の含有割合が、前記エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジアクリレート及びエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレートの合計100質量部に対して、5〜20質量部であることが好ましい。 In the antireflective article according to the present invention, the total content ratio of the tridecyl acrylate and the dodecyl acrylate is 5 with respect to a total of 100 parts by mass of the ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate and the ethylene oxide modified trimethylolpropane triacrylate. It is preferable that it is -20 mass parts.

本発明に係る美術品展示体は、前記本発明に係る反射防止物品と、美術品とを備え、前記反射防止物品は、前記微細凹凸形状を有する面が前記美術品側を向くように配置されてなることを特徴とする。   The art exhibit according to the present invention includes the antireflective article according to the present invention and an art, and the antireflective article is arranged such that the surface having the fine concavo-convex shape faces the side of the art It is characterized by

本発明によれば、アウトガスの発生が抑制され、反射防止性に優れる反射防止物品、及びアウトガスによる美術品への影響が抑制され、視認性に優れた美術展示体を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, generation | occurrence | production of outgas is suppressed, the influence on the artwork by the antireflective article which is excellent in antireflection property, and outgas is suppressed, and the art exhibit body excellent in visibility can be provided.

本発明に係る反射防止物品の一例を模式的に示す断面図である。It is a sectional view showing typically an example of the antireflection article concerning the present invention. 頂点を複数有する多峰性微小突起の説明に供する断面図(図2(a))、斜視図(図2(b))、平面図(図2(c))である。It is sectional drawing (FIG. 2 (a)), a perspective view (FIG. 2 (b)), and a top view (FIG. 2 (c)) which are provided to description of the multimodal microprotrusion which has multiple vertices. 複数の微小突起によって構成される凸状突起群の斜視図(図3(a))及び平面図(図3(b))である。It is a perspective view (FIG. 3 (a)) and a top view (FIG. 3 (b)) of the convex-projections group comprised by several micro protrusion. 微細凹凸層の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows an example of a fine concavo-convex layer. 本発明に係る反射防止物品の製造方法の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the manufacturing method of the reflection preventing article concerning this invention. 本発明に係る美術展示体の一例を模式的に示す断面図である。It is a sectional view showing typically an example of the art exhibition object concerning the present invention. 本発明に係る美術展示体の別の一例を模式的に示す断面図である。It is a sectional view showing typically another example of the art exhibition object concerning the present invention. 不規則配置された微小突起を有する微細凹凸面の説明の用に供する、原子間力顕微鏡により求められた、本発明に係る反射防止物品の微細凹凸層の一例を示す拡大写真である。It is an enlarged photograph which shows an example of the fine concavo-convex layer of the antireflection article concerning the present invention which was used for explanation of the fine concavo-convex field which has irregularly arranged microprotrusion determined by atomic force microscope. 図8の微細凹凸層の例における、微小突起の極大点を示す図である。It is a figure which shows the local maximum of microprotrusion in the example of the micro uneven | corrugated layer of FIG. 図8の微細凹凸層の例における、ドロネー図を示す図である。It is a figure which shows the Delaunay figure in the example of the fine concavo-convex layer of FIG. 図10のドロネー図から作成した隣接極大点間距離の度数分布のヒストグラムである。It is a histogram of frequency distribution of distance between adjacent maximum points created from the Delaunay diagram of FIG. 図8の微細凹凸層の例における、微小突起高さの度数分布のヒストグラムである。It is a histogram of frequency distribution of micro protrusion height in the example of the fine concavo-convex layer of FIG. 微小突起高さに関する、低高度領域、中高度領域、高高度領域についての説明の用に供する、微小突起高さの度数分布の模式的なヒストグラムである。It is a schematic histogram of the frequency distribution of microprotrusion heights, which serves as an explanation for low elevation area, middle elevation area, and high elevation area regarding microprojection height. 金型の製造工程の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing process of a metal mold | die. 図14の金型の製造工程により形成される微細穴の形成過程を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the formation process of the fine hole formed of the manufacturing process of the metal mold | die of FIG. 図14の金型の製造工程において、深さの異なる微細穴が形成される過程の説明に供する模式図である。FIG. 15 is a schematic view for explaining a process of forming micro holes of different depths in the manufacturing process of the mold of FIG. 14; 小形チャンバー法によるアウトガス濃度分析におけるサンプリング方法の概略図である。It is the schematic of the sampling method in outgassing concentration analysis by a small chamber method. 本発明に係る反射防止物品の微小突起高さHの度数分布の一例を示すヒストグラムである。It is a histogram which shows an example of frequency distribution of micro protrusion height H of the reflection preventing article concerning the present invention. 本発明に係る反射防止物品の微小突起高さHの度数分布の別の一例を示すヒストグラムである。It is a histogram which shows another example of frequency distribution of microprotrusion height H of the reflection preventing article concerning the present invention. 多峰性微小突起の一例を示す平面視拡大写真である。It is a planar view enlarged photograph which shows an example of a multimodal microprotrusion. 微小突起の形状の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the shape of a microprotrusion. 図21の例に示される微小突起の、平面図、正面図、及び側面図である。22 is a plan view, a front view, and a side view of the microprotrusion shown in the example of FIG. 21. FIG. 図21の微小突起とは別の微小突起の形状の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the shape of a microprotrusion different from the microprotrusion of FIG. 図23の例に示される微小突起の、平面図、正面図、及び側面図である。FIG. 24 is a plan view, front view, and side view of the microprotrusion shown in the example of FIG. 23; 図21及び図23の微小突起とは別の微小突起の形状の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the shape of a microprotrusion different from the microprotrusion of FIG.21 and FIG.23. 図25の例に示される微小突起の、正面図、及び側面図である。FIG. 26 is a front view and a side view of the microprotrusion shown in the example of FIG. 25.

以下、本発明に係る反射防止物品、及び美術品展示体について、順に詳細に説明する。
なお、本明細書において「物品」は、「板」、「シート」、「フィルム」等の態様を含む概念である。
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
本発明において(メタ)アクリルとは、アクリル又はメタアクリルの各々を表し、(メタ)アクリレートとは、アクリレート又はメタクリレートの各々を表し、(メタ)アクリロイルとは、アクリロイル又はメタクリロイルの各々を表す。
また、本発明において樹脂組成物の硬化物とは、反応を経て又は経ないで固化したものをいう。
Hereinafter, the antireflective article and the art exhibit according to the present invention will be described in detail in order.
In the present specification, the term "article" is a concept including aspects such as "plate", "sheet", and "film".
Furthermore, as used herein, the terms such as “parallel”, “orthogonal”, “identical”, values of length and angle, etc., which specify the shape and geometrical conditions and their degree, etc. Without being bound by the meaning, it shall be interpreted including the extent to which the same function can be expected.
In the present invention, (meth) acrylic represents each of acrylic or methacrylic, (meth) acrylate represents each of acrylate or methacrylate, and (meth) acryloyl represents each of acryloyl or methacryloyl.
Moreover, the hardened | cured material of a resin composition in this invention means what was solidified through reaction without passing through.

[反射防止物品]
本発明に係る反射防止物品は、透明基材の少なくとも一方の面に、複数の微小突起が密接して配置されてなる微小突起群を備えた微細凹凸形状を表面に有し、樹脂組成物の硬化物からなる微細凹凸層を備えた反射防止物品であって、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの平均値をdAVGとしたときに、
AVG≦Λmin
なる関係を有し、
前記樹脂組成物が、カルボジイミド基を有する化合物を、前記樹脂組成物に含まれる全固形分に対して0.1〜5.0質量%含有することを特徴とする。
[Anti-reflection article]
The antireflective article according to the present invention has on its surface a fine uneven shape provided with a microprojection group in which a plurality of microprotrusions are closely arranged on at least one surface of a transparent substrate, and the resin composition An antireflective article comprising a fine uneven layer made of a cured product, comprising:
The microprotrusions have a shortest wavelength in a wavelength band of light for reflection prevention as Λ min and an average value of the spacing d between adjacent projections of the microprotrusions as d AVG .
d AVG Λ min
Have the relationship
The said resin composition is characterized by containing the compound which has a carbodiimide group 0.1-5.0 mass% with respect to the total solid contained in the said resin composition.

前記本発明に係る反射防止物品について図を参照して説明する。図1は、本発明に係る反射防止物品の一例を模式的に示す断面図である。図1に例示される反射防止物品10は、透明基材1の一面側に、微細凹凸形状を有する微細凹凸層2を有する。
前記微細凹凸層2の表面は、微小突起3が集合してなる微小突起群を備えた微細凹凸面2aであり、前記微小突起3は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起3の隣接突起間隔d(図1)の平均値をdAVGとしたときに、dAVG≦Λminなる関係を有することにより、Λmin以上の波長を有する光の反射防止を図ることができる。
The antireflective article according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the antireflective article according to the present invention. The antireflective article 10 illustrated in FIG. 1 has a fine uneven layer 2 having a fine uneven shape on one surface side of the transparent substrate 1.
Wherein the surface of the fine uneven layer 2 is a fine uneven surface 2a having a fine projection group fine projections 3 will be set, the microprojections 3, the shortest wavelength in the wavelength band of light to improve the anti-reflection lambda min , an average value of the adjacent projections spacing of the microprotrusions 3 d (FIG. 1) is taken as d AVG, by having a d AVG ≦ Λ min the relationship, achieving antireflection of light having a wavelength greater than or equal to lambda min be able to.

本発明に係る反射防止物品は、微細凹凸層に用いられる樹脂組成物がカルボジイミド基を有する化合物を特定量含むことにより、アウトガスの発生が抑制される。
これは、カルボジイミド基を有する化合物が、アウトガスとなり得る有機酸と反応して脱水縮合することにより、有機酸がアウトガスとして発生することが抑制され、有機酸の発生が抑制されることにより、平衡反応からアルデヒド類の酸化が進み、アルデヒド類がアウトガスとして発生することも抑制されるからであると推定される。
In the antireflective article according to the present invention, the generation of outgassing is suppressed by the resin composition used for the fine uneven layer containing a specific amount of a compound having a carbodiimide group.
This is because the compound having a carbodiimide group reacts with an organic acid that can serve as an outgas to be dehydrated and condensed, thereby suppressing the generation of the organic acid as an outgas and suppressing the generation of the organic acid, thereby achieving an equilibrium reaction. It is presumed that the oxidation of aldehydes proceeds from this, and the generation of aldehydes as outgas is also suppressed.

<微細凹凸層>
本発明に係る反射防止物品が備える微細凹凸層は、複数の微小突起が密接して配置されてなる微小突起群を備えた微細凹凸形状を表面に有し、樹脂組成物の硬化物からなる。
<Fine unevenness layer>
The micro-relief layer included in the antireflective article according to the present invention has a micro-relief shape provided with a micro-projection group in which a plurality of micro-protrusions are closely arranged, and is made of a cured product of a resin composition.

[樹脂組成物]
微細凹凸層用の樹脂組成物は、少なくとも樹脂及びカルボジイミド基を有する化合物を含有し、必要に応じて重合開始剤等その他の成分を含有する。ここで、本発明においてカルボジイミド基を有する化合物とは、カルボジイミド基を含む化合物の総称を表し、1分子中にカルボジイミド基を1つのみ含むモノカルボジイミド化合物、及び1分子中にカルボジイミド基を2つ以上含むポリカルボジイミド化合物を含む。
本発明においては、微細凹凸層用の樹脂組成物にカルボジイミド基を有する化合物を含有することから、微細凹凸層を形成している樹脂組成物の硬化物には、カルボジイミド基を有する化合物、及び、カルボジイミド基を有する化合物由来の成分(例えば、有機酸との反応生成物や分解物等)のうち少なくとも一種が含まれる。
[Resin composition]
The resin composition for the fine asperity layer contains at least a resin and a compound having a carbodiimide group, and optionally contains other components such as a polymerization initiator. Here, in the present invention, a compound having a carbodiimide group represents a generic term for compounds containing a carbodiimide group, a monocarbodiimide compound containing only one carbodiimide group in one molecule, and two or more carbodiimide groups in one molecule. Containing polycarbodiimide compounds.
In the present invention, since the resin composition for the fine asperity layer contains a compound having a carbodiimide group, the cured product of the resin composition forming the fine asperity layer has a compound having a carbodiimide group, At least one of the components derived from the compound having a carbodiimide group (for example, a reaction product or a decomposition product with an organic acid) is included.

前記モノカルボジイミド化合物としては、例えば、N,N’−ジ−o−トルイルカルボジイミド、N,N’−ジフェニルカルボジイミド、N,N’−ジ−2,6−ジメチルフェニルカルボジイミド、N,N’−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)カルボジイミド、N,N’−ジオクチルデシルカルボジイミド、N−トリイル−N’−シクロヘキシルカルボジイミド、N,N’−ジ−2,2−ジ−t−ブチルフェニルカルボジイミド、N−トリイル−N’−フェニルカルボジイミド、N,N’−ジ−p−ニトロフェニルカルボジイミド、N,N’−ジ−p−アミノフェニルカルボジイミド、N,N’−ジ−p−ヒドロキシフェニルカルボジイミド、N,N’−ジシクロヘキシルカルボジイミド、N,N’−ジ−p−トルイルカルボジイミド、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド、1−[3−(ジメチルアミノ)プロピル]−3−エチルカルボジイミド、N,N'−ジイソプロピルカルボジイミド、N−シクロヘキシル−N'(2−モルホリノエチル)−カルボジイミド、ジメチルカルボジイミド、、ジイソブチルカルボジイミド、ジオクチルカルボジイミド、t−ブチルイソプロピルカルボジイミド、ジ−t−ブチルカルボジイミド、ジ−β−ナフチルカルボジイミド等を挙げることができる。   Examples of the monocarbodiimide compound include N, N′-di-o-toluylcarbodiimide, N, N′-diphenylcarbodiimide, N, N′-di-2,6-dimethylphenylcarbodiimide, N, N′-bis (2,6-diisopropylphenyl) carbodiimide, N, N'-dioctyldecylcarbodiimide, N-triyl-N'-cyclohexylcarbodiimide, N, N'-di-2,2-di-t-butylphenylcarbodiimide, N- Triyl-N'-phenylcarbodiimide, N, N'-di-p-nitrophenylcarbodiimide, N, N'-di-p-aminophenylcarbodiimide, N, N'-di-p-hydroxyphenylcarbodiimide, N, N '-Dicyclohexylcarbodiimide, N, N'-di-p-toluyl carbodiimide 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide, 1- [3- (dimethylamino) propyl] -3-ethyl carbodiimide, N, N'-diisopropyl carbodiimide, N-cyclohexyl-N '(2- Examples include morpholinoethyl) -carbodiimide, dimethyl carbodiimide, diisobutyl carbodiimide, dioctyl carbodiimide, t-butyl isopropyl carbodiimide, di-t-butyl carbodiimide, di-β-naphthyl carbodiimide and the like.

前記ポリカルボジイミド化合物としては、従来公知の方法により製造したものを用いることができ、特に限定はされないが、例えばジイソシアネート化合物の脱二酸化炭素縮合反応により合成することができる。
前記ジイソシアネート化合物としては、例えば、芳香族、脂肪族及び脂環式のジイソシアネートを挙げることができ、具体的には例えば、トリレンジイソシアネート、キシレンジイシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート及びジシクロヘキシルジイソシアネート等を挙げることができ、より具体的には、例えば、特公昭47−33279号公報及び特開平9−235508号公報等に記載されるジイソシアネート化合物等が挙げられる。
また、前記ポリカルボジイミド化合物の製造方法としては、例えば、特公昭47−33279号公報及び特開平9−235508号公報に記載される方法等を用いることができる。
As the polycarbodiimide compound, those produced by a conventionally known method can be used, and there is no particular limitation. For example, the polycarbodiimide compound can be synthesized by decarbon dioxide condensation reaction of a diisocyanate compound.
Examples of the diisocyanate compound include aromatic, aliphatic and alicyclic diisocyanates. Specific examples thereof include tolylene diisocyanate, xylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, cyclohexane diisocyanate and isophorone. Diisocyanate and dicyclohexyl diisocyanate can be mentioned, and more specifically, for example, diisocyanate compounds described in JP-B-47-33279 and JP-A-9-235508 can be mentioned.
Moreover, as a method for producing the polycarbodiimide compound, for example, methods described in JP-B-47-33279 and JP-A-9-235508 can be used.

また、前記カルボジイミド基を有する化合物としては、市販品を用いることもできる。
前記モノカルボジイミド化合物の市販品としては、例えば、和光純薬工業(株)製の各種カルボジイミド系縮合剤等を挙げることができる。
前記ポリカルボジイミド化合物の市販品としては、例えば、日清紡ケミカル(株)製のカルボジライトシリーズ等を挙げることができる。
Moreover, a commercial item can also be used as a compound which has the said carbodiimide group.
As a commercial item of the said monocarbodiimide compound, Wako Pure Chemical Industries Ltd. various carbodiimide type condensing agent etc. can be mentioned, for example.
As a commercial item of the polycarbodiimide compound, for example, Carbodilite series manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd. can be mentioned.

本発明においては、中でも、ブリードアウトが抑制され、反射防止性物品の長期保存安定性に優れる点から、前記カルボジイミド基を含む化合物としては、ポリカルボジイミド化合物を用いることが好ましい。   In the present invention, among them, a polycarbodiimide compound is preferably used as the compound containing a carbodiimide group, from the viewpoint that bleeding out is suppressed and the storage stability of the antireflective article is excellent.

前記カルボジイミド基を有する化合物の含有量は、アウトガスの発生が抑制され且つ反射防止性に優れた微細凹凸層を形成可能な点から、前記樹脂組成物に含まれる全固形分に対して0.1〜5.0質量%である。また、前記カルボジイミド基を有する化合物の含有量は、アウトガスの発生をさらに抑制する点から、0.5質量%以上であることが好ましく、微細凹凸層の成形性に優れ、長期保存安定性に優れる点から、3.0質量%以下であることが好ましい。
なお、本発明において固形分とは、溶剤を除いたすべての成分を表す。
The content of the compound having a carbodiimide group is 0.1 with respect to the total solid content contained in the resin composition, from the viewpoint of being able to form a fine uneven layer having excellent antireflective properties while suppressing the generation of outgassing. It is -5.0 mass%. In addition, the content of the compound having a carbodiimide group is preferably 0.5% by mass or more from the viewpoint of further suppressing the generation of outgassing, excellent in the formability of the fine uneven layer, and excellent in long-term storage stability It is preferable that it is 3.0 mass% or less from a point.
In addition, in this invention, solid content represents all the components except a solvent.

前記カルボジイミド基を有する化合物は、カルボジイミド基を有する化合物の総量に含まれるイソシアネート基含有量が、10質量%以下であることが好ましく、5質量%以下であることが、アウトガスの発生をさらに抑制する点から好ましい。   The compound having a carbodiimide group preferably has an isocyanate group content of 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less, in the total amount of the compounds having a carbodiimide group. It is preferable from the point of view.

本発明に用いられる微細凹凸層用の樹脂組成物に含まれる樹脂としては、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電離放射線硬化性樹脂、(メタ)アクリレート系、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂、(メタ)アクリレート系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系等の熱可塑性樹脂等の各種材料及び各種硬化形態の賦型用樹脂等が挙げられる。なお、電離放射線とは、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波または荷電粒子を意味し、例えば、すべての紫外線(UV−A、UV−B、UV−C)、可視光線、ガンマー線、X線、電子線等が挙げられる。   The resin contained in the resin composition for the fine asperity layer used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include ionizing radiation curable resins such as (meth) acrylates, epoxys and polyesters, and (meth) acrylates. Of various materials such as thermosetting resin such as urethane resin, urethane resin, epoxy resin and polysiloxane resin, thermoplastic resin such as (meth) acrylate resin, polyester resin, polycarbonate resin, polyethylene resin and polypropylene resin, and various curing forms Mold resin etc. are mentioned. In addition, ionizing radiation means electromagnetic waves or charged particles having energy capable of polymerizing and curing molecules, for example, all ultraviolet rays (UV-A, UV-B, UV-C), visible light, gamma rays , X-rays, electron beams and the like.

前記樹脂としては、中でも微細凹凸形状の成形性及び機械的強度に優れる点から電離放射線硬化性樹脂が好ましく用いられる。電離放射線硬化性樹脂とは、分子中にラジカル重合性及び/又はカチオン重合性結合を有する単量体、低重合度の重合体、反応性重合体を適宜混合したものであり、重合開始剤によって硬化されるものである。なお、非反応性重合体を含有してもよい。
前記樹脂としては、特に、(メタ)アクリレート系電離放射線硬化性樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。
以下、特に好ましく用いられる(メタ)アクリレート系電離放射線硬化性樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種を含有する電離放射線硬化性樹脂組成物を例にとって、具体的に説明する。
Among the above resins, ionizing radiation curable resins are preferably used in view of their excellent formability of fine concavo-convex shape and mechanical strength. The ionizing radiation curable resin is a mixture of a monomer having a radical polymerizable property and / or a cationic polymerizable bond in the molecule, a polymer having a low polymerization degree, and a reactive polymer, and the polymerization initiator It is to be cured. In addition, you may contain a non-reactive polymer.
The resin preferably contains at least one selected from the group consisting of (meth) acrylate ionizing radiation curable resins.
Hereinafter, the ionizing radiation curable resin composition containing at least one selected from the group consisting of (meth) acrylate ionizing radiation curable resins which are particularly preferably used will be specifically described by way of example.

(1)(メタ)アクリレート
(メタ)アクリレートは、(メタ)アクリロイル基を1分子中に1個有する単官能(メタ)アクリレートであっても、(メタ)アクリロイル基を1分子中に2個以上有する多官能(メタ)アクリレートであってもよく、単官能(メタ)アクリレートと多官能(メタ)アクリレートとを併用するものであってもよい。
中でも、微小突起が柔軟性と弾性復元性を両立する点からは、単官能(メタ)アクリレートと多官能(メタ)アクリレートとを併用することが好ましい。
(1) (Meth) Acrylate Even if it is a monofunctional (meth) acrylate having one (meth) acryloyl group in one molecule, two or more (meth) acryloyl groups in one molecule It may be a multifunctional (meth) acrylate which has, or may be a combination of a monofunctional (meth) acrylate and a multifunctional (meth) acrylate.
Among them, it is preferable to use a monofunctional (meth) acrylate and a multifunctional (meth) acrylate in combination, from the viewpoint that the microprotrusion achieves both flexibility and elastic recovery.

単官能(メタ)アクリレートの具体例としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、アリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、イソボニル(メタ)アクリレート、イソデキシル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、ビフェニロキシエチルアクリレート、ビスフェノールAジグリシジル(メタ)アクリレート、ビフェニリロキシエチル(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性(EO変性)ビフェニリロキシエチル(メタ)アクリレート、ビスフェノールAエポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。中でも、硬化物表面の防汚性が向上し、微小突起が柔軟性に優れる点から、炭素数10以上の長鎖アルキル基を有する単官能(メタ)アクリレートが好ましく、中でも、炭素数12以上であることがより好ましく、トリデシル(メタ)アクリレート、及びドデシル(メタ)アクリレートの少なくとも1種を含むことが更により好ましい。これらの単官能(メタ)アクリル酸エステルは、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Specific examples of monofunctional (meth) acrylates include, for example, methyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, allyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate , Butoxy ethylene glycol (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate ) Acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, isobonyl (meth) acrylate, isodexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, lauryl (meth) a Lilate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, methoxyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, biphenyloxyethyl acrylate, bisphenol A diglycidyl (meth) acrylate, biphenyl yloxy ethyl (meth) acrylate, ethylene oxide modified (EO modified) biphenyl yloxy ethyl (meth) acrylate, bisphenol A epoxy (meth) acrylate etc. are mentioned. Among them, a monofunctional (meth) acrylate having a long-chain alkyl group having 10 or more carbon atoms is preferable from the viewpoint that the antifouling property of the surface of the cured product is improved and the fine projections are excellent in flexibility. It is even more preferable to include at least one of tridecyl (meth) acrylate and dodecyl (meth) acrylate. These monofunctional (meth) acrylic acid esters can be used alone or in combination of two or more.

単官能(メタ)アクリレートを用いる場合の単官能(メタ)アクリレートの含有量は、電離放射線硬化性樹脂組成物の全固形分に対して、5〜40質量%であることが好ましく、10〜30質量%であることがより好ましい。   When monofunctional (meth) acrylate is used, the content of monofunctional (meth) acrylate is preferably 5 to 40% by mass with respect to the total solid content of the ionizing radiation curable resin composition, and 10 to 30 More preferably, it is mass%.

また、多官能(メタ)アクリレートの具体例としては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレンジ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、テトラブロモビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールSジ(メタ)アクリレート、ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、フタル酸ジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性(EO変性)ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ウレタントリ(メタ)アクリレート、エステルトリ(メタ)アクリレート、ウレタンヘキサ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性(EO変性)トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート等が挙げられる。中でも、微小突起が柔軟性及び復元性に優れる点から、アルキレンオキサイドを含む多官能(メタ)アクリレートを用いることが好ましく、エチレンオキサイド変性多官能(メタ)アクリレートを用いることがより好ましく、エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、及び、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートの少なくとも1種を含むことが更により好ましい。また、上記多官能(メタ)アクリレートとしては、アウトガスの発生が低減される点からは、芳香族環を有するものが好ましく、具体的には、エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレートが好ましく用いられる。   Moreover, as specific examples of the polyfunctional (meth) acrylate, for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, propylene di (meth) acrylate, hexanediol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di ( (Meth) acrylate, bisphenol A di (meth) acrylate, tetrabromobisphenol A di (meth) acrylate, bisphenol S di (meth) acrylate, butanediol di (meth) acrylate, phthalic acid di (meth) acrylate, ethylene oxide modified ( EO modified) bisphenol A di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) Acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, urethane tri (meth) acrylate, ester tri (meth) acrylate, urethane hexa (meth) acrylate, ethylene Oxide-modified (EO-modified) trimethylolpropane tri (meth) acrylate and the like can be mentioned. Among them, it is preferable to use a multifunctional (meth) acrylate containing an alkylene oxide, and more preferable to use an ethylene oxide-modified polyfunctional (meth) acrylate, from the viewpoint that the microprotrusions are excellent in flexibility and recovery. It is even more preferable to include at least one of bisphenol A di (meth) acrylate, ethylene oxide modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and polyethylene glycol di (meth) acrylate. Moreover, as said polyfunctional (meth) acrylate, what has an aromatic ring is preferable from the point by which generation | occurrence | production of outgas is reduced, and, specifically, ethylene oxide modified | denatured bisphenol A di (meth) acrylate is used preferably. Be

上記多官能(メタ)アクリレートの含有量は、電離放射線硬化性樹脂組成物の全固形分に対して、10〜90質量%であることが好ましく、15〜85質量%であることがより好ましい。   The content of the polyfunctional (meth) acrylate is preferably 10 to 90% by mass, and more preferably 15 to 85% by mass, with respect to the total solid content of the ionizing radiation curable resin composition.

本発明において好ましく用いられる電離放射線硬化性樹脂組成物は、アルキレンオキサイドを含む多官能(メタ)アクリレートが含まれる組成物である。中でも、当該アルキレンオキサイドを含む多官能(メタ)アクリレートの含有量は、電離放射線硬化性樹脂組成物の全固形分に対して、60〜90質量%であることが好ましく、70〜85質量%であることがより好ましい。また、当該アルキレンオキサイドを含む多官能(メタ)アクリレートの含有量は、使用される全(メタ)アクリレート化合物中に80〜98質量%であることが好ましく、85〜95質量%であることがより好ましい。   The ionizing radiation curable resin composition preferably used in the present invention is a composition containing a multifunctional (meth) acrylate containing an alkylene oxide. Among them, the content of the polyfunctional (meth) acrylate containing the alkylene oxide is preferably 60 to 90% by mass, preferably 70 to 85% by mass, with respect to the total solid content of the ionizing radiation curable resin composition. It is more preferable that In addition, the content of the polyfunctional (meth) acrylate containing the alkylene oxide is preferably 80 to 98% by mass in the total (meth) acrylate compound to be used, and more preferably 85 to 95% by mass. preferable.

また、硬化物の微小突起が柔軟性と弾性復元性を両立しやすく、優れた拭取り性と防汚性を得る点からは、本発明の電離放射線硬化性樹脂組成物は、少なくとも、炭素数10以上の長鎖アルキル基を有する(メタ)アクリレートと、アルキレンオキサイドを含む多官能(メタ)アクリレートとを含有することが好ましい。中でも、炭素数10以上の長鎖アルキル基を有する(メタ)アクリレートの含有割合が、アルキレンオキサイドを含む多官能(メタ)アクリレート100質量部に対して、5〜20質量部であることが好ましく、10〜15質量部であることがより好ましい。   In addition, the ionizing radiation curable resin composition of the present invention has at least a carbon number, from the viewpoint that microprotrusions of a cured product are easily compatible with flexibility and elastic recovery, and excellent wipeability and stain resistance are obtained. It is preferable to contain a (meth) acrylate having 10 or more long chain alkyl groups and a polyfunctional (meth) acrylate containing an alkylene oxide. Among them, the content ratio of (meth) acrylate having a long-chain alkyl group having 10 or more carbon atoms is preferably 5 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of polyfunctional (meth) acrylate containing alkylene oxide, More preferably, it is 10 to 15 parts by mass.

(2)光重合開始剤
上記(メタ)アクリレートの硬化反応を開始又は促進させるために、必要に応じて光重合開始剤を適宜選択して用いても良い。光重合開始剤の具体例としては、例えば、ビスアシルフォスフィノキサイド、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−ケトン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、フェニルビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フォスフィンオキサイド、フェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)ホスフィン酸エチル等が挙げられる。これらは、単独あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
(2) Photopolymerization Initiator In order to initiate or accelerate the curing reaction of the (meth) acrylate, a photopolymerization initiator may be appropriately selected and used as necessary. Specific examples of the photopolymerization initiator include, for example, bisacyl phosphinxide, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2,2-dimethoxy-1 , 2-Diphenylethan-1-one, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-methyl-1- [4-] (Methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl -Propane-1-ketone, 2,4,6-trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide, phenyl bis (2,4,6- trimethyl ben Benzoyl) - phosphine oxide, phenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) ethyl phosphinic acid and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

光重合開始剤を用いる場合、当該光重合開始剤の含有量は、通常、電離放射線硬化性樹脂組成物の全固形分に対して0.8〜20質量%であり、0.9〜10質量%であることが好ましい。   When using a photoinitiator, the content of the said photoinitiator is 0.8 to 20 mass% normally with respect to the total solid of an ionizing radiation curable resin composition, and 0.9 to 10 mass. % Is preferred.

(3)帯電防止剤
本発明においては、前記樹脂組成物中に帯電防止剤を含有することが好ましい。帯電防止剤を含有することにより、微細凹凸層表面に汚れが付着することを抑制することができ、また、拭取り時に汚れが落ちやすい。
帯電防止剤は、従来公知のものの中から適宜選択して用いることができる。帯電防止剤の具体例としては、例えば、4級アンモニウム塩、ピリジニウム塩、1級〜3級アミノ基等のカチオン性基を有する各種のカチオン性化合物、スルホン酸塩基、硫酸エステル塩基、リン酸エステル塩基、ホスホン酸塩基等のアニオン性基を有するアニオン性化合物、アミノ酸系、アミノ硫酸エステル系等の両性化合物、アミノアルコール系、グリセリン系、ポリエチレングリコール系等のノニオン性化合物、スズおよびチタンのアルコキシドのような有機金属化合物およびそれらのアセチルアセトナート塩のような金属キレート化合物等が挙げられる。中でも、カチオン性化合物が好ましく、3級アミノ基を有するカチオン性化合物がより好ましく、N,N−ジオクチル−1−オクタンアミン等のトリアルキルアミンであることが更により好ましい。
(3) Antistatic Agent In the present invention, the resin composition preferably contains an antistatic agent. By containing the antistatic agent, it is possible to suppress the adhesion of stains on the surface of the fine uneven layer, and the stains are easily removed at the time of wiping.
The antistatic agent can be appropriately selected and used from conventionally known ones. Specific examples of the antistatic agent include, for example, quaternary ammonium salts, pyridinium salts, various cationic compounds having cationic groups such as primary to tertiary amino groups, sulfonic acid bases, sulfuric acid ester bases, phosphoric acid esters Base, anionic compound having an anionic group such as phosphonate group, amphoteric compound such as amino acid type, amino sulfate ester type, nonionic compound such as amino alcohol type, glycerin type, polyethylene glycol type etc, alkoxide of tin and titanium And such organic metal compounds and metal chelate compounds such as their acetylacetonate salts. Among them, cationic compounds are preferable, cationic compounds having a tertiary amino group are more preferable, and trialkylamines such as N, N-dioctyl-1-octaneamine are even more preferable.

帯電防止剤を用いる場合、当該帯電防止剤の含有量は、通常、電離放射線硬化性樹脂組成物の全固形分に対して1〜20質量%であり、2〜10質量%であることが好ましい。なお本発明において固形分とは、溶剤を除いたすべての成分を表す。   When an antistatic agent is used, the content of the antistatic agent is usually 1 to 20% by mass, preferably 2 to 10% by mass, based on the total solid content of the ionizing radiation curable resin composition. . In the present invention, solid content refers to all components excluding the solvent.

(4)溶剤
本発明において樹脂組成物は、塗工性などを付与する点から溶剤を用いてもよい。溶剤を用いる場合、当該溶剤は、組成物中の各成分とは反応せず、当該各成分を溶解乃至分散可能な溶剤の中から適宜選択して用いることができる。このような溶剤の具体例としては、例えば、ベンゼン、ヘキサン等の炭化水素系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタン、プロピレングリコールモノエチルエーテル(PGME)等のエーテル系溶剤、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化アルキル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶剤、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶剤、およびジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤、シクロヘキサン等のアノン系溶剤、メタノール、エタノール、およびプロパノール等のアルコール系溶剤を例示することができるが、これらに限られるものではない。また、樹脂組成物に用いられる溶剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上の溶剤の混合溶剤でもよい。
(4) Solvent In the present invention, the resin composition may use a solvent from the viewpoint of imparting coating properties and the like. When a solvent is used, the solvent does not react with each component in the composition, and can be appropriately selected from solvents in which the components can be dissolved or dispersed. Specific examples of such solvents include, for example, hydrocarbon solvents such as benzene and hexane, ketone solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, tetrahydrofuran, 1,2-dimethoxyethane, propylene glycol monoethyl ether ( Ether solvents such as PGME), halogenated alkyl solvents such as chloroform and dichloromethane, ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, amide solvents such as N, N-dimethylformamide And sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide, anone solvents such as cyclohexane, and alcohol solvents such as methanol, ethanol, and propanol, but the invention is not limited thereto. Not to. Moreover, the solvent used for a resin composition may be used individually by 1 type, and the mixed solvent of 2 or more types of solvents may be sufficient.

樹脂組成物全量に対する、固形分の割合は20〜70質量%であることが好ましく、30〜60質量%であることがより好ましい。   It is preferable that it is 20-70 mass%, and, as for the ratio of solid content with respect to resin composition whole quantity, it is more preferable that it is 30-60 mass%.

(5)その他の成分
本発明において用いられる微細凹凸層用の樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、更にその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、シリコーン系化合物、フッ素系化合物、濡れ性調整のための界面活性剤、安定化剤、消泡剤、ハジキ防止剤、酸化防止剤、凝集防止剤、粘度調整剤、離型剤等が挙げられる。
前記微細凹凸層用の樹脂組成物は、シリコーン系化合物を含むことが、微細凹凸層形成用原版からの離型性に優れる点から好ましい。ここで、シリコーン系化合物とは、シロキサン結合(Si−O−Si)を有し、且つ少なくとも炭素を含む有機基を有する化合物をいい、微細凹凸層の微細凹凸面に偏在し易くなる点から、シリコーンオイルが好適に用いられる。
シリコーンオイルとしては、特に限定されないが、例えば、ジメチルポリシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン、メチルハイドロジェンポリシロキサン、アルコキシ基含有シリコーンオイル、シラノール基含有シリコーンオイル、ビニル基含有シリコーンオイル、デカメチルシクロペンタシロキサン等が挙げられる。
なお、前記シリコーン系化合物は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
(5) Other components The resin composition for the fine uneven layer used in the present invention may further contain other components as long as the effects of the present invention are not impaired. Other components include, for example, silicone compounds, fluorine compounds, surfactants for adjusting wettability, stabilizers, antifoaming agents, anti-repelling agents, antioxidants, aggregation inhibitors, viscosity modifiers, A mold release agent etc. are mentioned.
The resin composition for the fine asperity layer preferably contains a silicone compound from the viewpoint of excellent releasability from the original plate for forming fine asperity layer. Here, the silicone-based compound is a compound having a siloxane bond (Si-O-Si) and having an organic group containing at least carbon, and from the point of being easily unevenly distributed on the fine uneven surface of the fine uneven layer, Silicone oil is preferably used.
The silicone oil is not particularly limited. For example, dimethylpolysiloxane, methylphenylpolysiloxane, methylhydrogenpolysiloxane, alkoxy group-containing silicone oil, silanol group-containing silicone oil, vinyl group-containing silicone oil, decamethylcyclopentasiloxane Etc.
In addition, the said silicone type compound may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.

前記シリコーン系化合物の含有量は、微細凹凸層用樹脂組成物の全固形分に対して、0.05〜3質量%であることが好ましく、0.1〜2質量%であることがより好ましい。シリコーン系化合物の含有量が前記下限値以上であることにより、微細凹凸層用樹脂組成物の微細凹凸層形成用原版からの離型性が向上し、前記上限値以下であることにより、微細凹凸層用樹脂組成物の成形性が向上するため、所望の微細凹凸形状を得ることが容易になる。   It is preferable that it is 0.05-3 mass% with respect to the total solid of the resin composition for fine concavo-convex layers, and, as for content of the said silicone type compound, it is more preferable that it is 0.1-2 mass%. . When the content of the silicone-based compound is not less than the lower limit value, the releasability of the resin composition for forming fine asperity layers from the original plate for forming fine asperity layers is improved, and when it is not more than the upper limit value, fine asperities are obtained. Since the moldability of the layer resin composition is improved, it becomes easy to obtain a desired fine uneven shape.

[微細凹凸形状]
微細凹凸層は、複数の微小突起が密接して配置されてなる微小突起群を備えた微細凹凸形状を表面に有する。微小突起の形状は、反射防止性能に優れる点から、前記微小突起の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微小突起を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微小突起の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する構造を有していることが、好ましい。このような微小突起の形状の具体例としては、半円状、半楕円状、三角形状、放物線状、釣鐘状等の垂直断面形状を有するものが挙げられる。複数ある微小突起は同一の形状を有していても異なる形状を有していてもよい。微小突起が上記の形状を有することにより、微細凹凸等の深さ方向に屈折率が連続的に変化するため、反射防止性能が向上する。
[Fine unevenness shape]
The micro-relief layer has on its surface a micro-relief shape provided with a micro-projection group in which a plurality of micro-protrusions are closely arranged. The shape of the microprotrusions is the cross-sectional area ratio of the material portion forming the microprotrusions in the horizontal cross section when it is assumed that the microprotrusions are cut along a horizontal plane orthogonal to the depth direction of the microprotrusions. However, it is preferable to have a structure that gradually and continuously increases as it approaches from the top to the deepest part of the microprotrusions. As a specific example of the shape of such a microprotrusion, what has perpendicular | vertical cross-sectional shapes, such as semicircle shape, semi-elliptical shape, triangle shape, parabolic shape, a bell shape, etc. is mentioned. The plurality of microprotrusions may have the same shape or different shapes. When the minute projections have the above-mentioned shape, the refractive index is continuously changed in the depth direction of the fine asperities and the like, so that the antireflection performance is improved.

本発明において微細凹凸層は、微小突起として頂点を複数有するもの(以下、「多峰性微小突起」と称する場合がある。)を更に有することが反射防止物品の耐擦傷性が向上する点から好ましい。なお、多峰性微小突起との対比により、頂点が1つのみの微小突起を「単峰性微小突起」と称する場合がある。多峰性微小突起は、単峰性微小突起に比して、頂点近傍の寸法に対する裾の部分の太さが相対的に太く、さらに、外力をより多くの頂点で分散して受ける為、各頂点に加わる外力を低減し、微小突起を損傷し難いようにすることができると考えられる。よって、本発明においては、前記微小突起群の中に多峰性の微小突起を含むことにより、機械的強度及び耐擦傷性がさらに向上する。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷箇所の面積を低減することができ、これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。更に、多峰性の微小突起の半分程度は、最高峰高さ(麓が同じ微小突起に属する最も高い峰の高さ)が突起高さの平均値HAVG以上の微小突起に生じる為、外力を先ず各峰部分が受止めて犠牲的に損傷することによって、該微小突起の峰より低い本体部分、及び該多峰性の微小突起よりも高さの低い微小突起の損耗を防ぐ。これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。
また、本発明に係る反射防止物品は、微小突起として多峰性微小突起を有することにより、拭取り性が向上する。これは、多峰性微小突起を設けた場合には、微小突起の付け根側に汚れが深くもぐり込まないことによるものと考えられる。
なお、本発明において、多峰性微小突起、単峰性微小突起に係る各頂部を形成する各凸部を、適宜、「峰」と称する。
In the present invention, the fine asperity layer further includes one having a plurality of apexes as microprotrusions (hereinafter, may be referred to as "multimodal microprotrusions") from the viewpoint of improving the scratch resistance of the antireflective article. preferable. In addition, the microprotrusions with only one vertex may be referred to as “unimodal microprotrusions” in contrast to multimodal microprotrusions. The multimodal microprotrusions are relatively thicker at the bottom with respect to the dimensions near the apex compared to the unimodal microprotrusions, and furthermore, the external force is dispersed and received at more vertices. It is believed that the external force applied to the apex can be reduced to make the microprotrusion less likely to be damaged. Therefore, in the present invention, mechanical strength and scratch resistance are further improved by including multimodal microprotrusions in the microprotrusions. Further, even if the microprotrusions are damaged, the area of the damaged portion can be reduced, which also reduces the local deterioration of the antireflective function and can further reduce the occurrence of appearance defects. Furthermore, about half of the multimodal microprotrusions occur because the highest peak height (height of the highest peak belonging to the same microprotrusions of the same height) is generated on microprotrusions with an average value H AVG of projection height or more. First, each peak portion receives and sacrifices damage, thereby preventing wear of the body portion lower than the peaks of the microprojections and the microprojections whose height is lower than that of the multimodal microprojections. This also can reduce local deterioration of the antireflective function and can further reduce the occurrence of appearance defects.
Moreover, the antireflective article according to the present invention has the multimodal microprotrusions as the microprotrusions, whereby the wiping properties are improved. It is considered that this is because when the multimodal microprotrusions are provided, the dirt does not go deep into the root side of the microprotrusions.
In the present invention, each convex part which forms each peak part concerning a multimodal microprotrusion and a unimodal microprotrusion is suitably called "peak".

図2は、この頂点を複数有する多峰性微小突起の説明に供する断面図(図2(a))、斜視図(図2(b))、平面図(図2(c))である。なおこの図2は、理解を容易にするために模式的に示す図であり、図2(a)は、連続する微小突起の頂点を結ぶ折れ線により断面を取って示す図である。この図2(b)及び(c)において、xy方向は、透明基材1の面内方向であり、z方向は微小突起の高さ方向である。反射防止物品10において、多くの微小突起5は、透明基材1より離れて頂点に向かうに従って徐々に断面積(高さ方向に直交する面(図2においてXY平面と平行な面)で切断した場合の断面積)が小さくなって、1つの頂点が形成されている。一方、多峰性微小突起としては、例えば、複数の微小突起が結合したかのように、先端部分に溝gが形成され、頂点が2つになったもの(5A)、頂点が3つになったもの(5B)、さらには頂点が4つ以上のもの(図示略)等が挙げられる。なお単峰性微小突起5の形状は、概略、回転放物面の様な頂部の丸い形状、或いは円錐の様な頂点の尖った形状で近似することができる。一方、多峰性微小突起5A、5Bの形状は、概略、単峰性微小突起5の頂部近傍に溝状の凹部を切り込んで、頂部を複数の峰に分割したような形状で近似される。多峰性微小突起5A、5Bの主切断面形状は、極大点を複数個含み各極大点近傍が上に凸の曲線になる代数曲線Z=a+a+・・+a2n2n+・・で近似されるような形状である。 FIG. 2 is a cross-sectional view (FIG. 2 (a)), a perspective view (FIG. 2 (b)), and a plan view (FIG. 2 (c)) for explaining the multimodal microprotrusion having a plurality of apexes. In addition, this FIG. 2 is a figure typically shown in order to make an understanding easy, and FIG. 2 (a) is a figure which takes and shows a cross section by the broken line which connects the vertex of continuous micro protrusion. In FIGS. 2B and 2C, the xy direction is the in-plane direction of the transparent substrate 1, and the z direction is the height direction of the microprotrusions. In the anti-reflection article 10, many microprotrusions 5 were cut at a cross-sectional area (a plane perpendicular to the height direction (a plane parallel to the XY plane in FIG. 2) gradually away from the transparent substrate 1 toward the apex. The cross-sectional area of the case is reduced to form one vertex. On the other hand, as multimodal microprotrusions, for example, grooves g are formed in the tip portion as if a plurality of microprotrusions are joined, and the number of apexes is two (5A), the number of apexes is three. And those having four or more vertices (not shown), and the like. The shape of the monomodal microprotrusions 5 can be roughly approximated by a round shape at the top like a paraboloid of revolution or a pointed shape at the top like a cone. On the other hand, the shape of the multimodal microprotrusions 5A and 5B is roughly approximated by a shape in which a groove-like concave portion is cut in the vicinity of the top of the unimodal microprotrusion 5 and the top is divided into a plurality of peaks. The main cutting surface shapes of the multimodal microprotrusions 5A and 5B are algebraic curves Z = a 2 X 2 + a 4 X 4 + · · · + a 2n where a plurality of maximum points are included and the vicinity of each maximum point is a convex curve. The shape is approximated by X 2 n + ···.

また、図20〜図26に、多峰性微小突起の一例をそれぞれ示す。
図20は、多峰性微小突起の一例を示す平面視拡大写真である。
図21は、微小突起の形状の一例を示す斜視図であり、図22は、図21の例に示される微小突起の、平面図(図22(a))、正面図(図22(b))、及び側面図(図22(c))である。これら図21及び図22は、等高線図である。この図21及び図22による微小突起においては、高さの大きく異なる3つの峰が合体して1つの微小突起が形成されており、ほぼ中央より外方に向かって形成された3本の放射状の溝(沢状の極小部)によりこの3つの峰に係る領域に分割されて微小突起が作製されている。なおこの図21及び図22は、AFMによる計測結果によるデータを部分的に選択して詳細に示したものである。またこの図21及び図22における数字の単位はnmである。X座標及びY座標は、所定の基準位置からの座標値である。
Moreover, an example of a multimodal microprotrusion is shown in FIGS. 20-26, respectively.
FIG. 20 is an enlarged plan view photograph showing an example of multimodal microprotrusions.
FIG. 21 is a perspective view showing an example of the shape of a microprotrusion, and FIG. 22 is a plan view (FIG. 22A) and a front view (FIG. 22B) of the microprotrusion shown in the example of FIG. And a side view (FIG. 22 (c)). 21 and 22 are contour maps. In the microprotrusions shown in FIGS. 21 and 22, three peaks having different heights are combined to form one microprotrusion, and three radial projections formed outward from about the center are formed. The microprotrusions are produced by dividing into the regions related to these three peaks by the ditch (local minimum portion). Note that FIGS. 21 and 22 partially show the data based on the measurement results by the AFM and show them in detail. The unit of numerals in FIGS. 21 and 22 is nm. The X coordinate and the Y coordinate are coordinate values from a predetermined reference position.

図23は、図21の微小突起とは別の微小突起の形状の一例を示す斜視図であり、図24は、図23の例に示される微小突起の、平面図(図24(a))、正面図(図24(b))、及び側面図(図24(c))である。この図23及び図24の微小突起においては、ほぼ高さの等しい3つの峰が合体して1つの微小突起が作製され、該3つの峰は、頂部のほぼ中央部より外方に向かって延びた3本の放射状の溝によって区角されている。   FIG. 23 is a perspective view showing an example of the shape of a microprojection different from that of FIG. 21. FIG. 24 is a plan view of the microprojection shown in the example of FIG. 23 (FIG. 24A). They are a front view (FIG. 24 (b)), and a side view (FIG. 24 (c)). In the microprotrusions shown in FIGS. 23 and 24, three peaks having substantially the same height are combined to create one microprotrusion, and the three peaks extend outward from the substantially central portion of the top. It is divided by three radial grooves.

図25は、図21及び図23の微小突起とは別の微小突起の形状の一例を示す斜視図であり、図26は、図25の例に示される微小突起の、正面図(図26(a))、及び側面図(図26(b))である。この図25及び図26の微小突起においては、横に一列に並んだ複数の微小突起が結合したかのような形状により形成され、この並び方向と、並び方向と直交する方向とでアスペクト比が異なるように作製されている。このような方向によってアスペクト比が異なる微小突起により反射防止物品は、その反射防止特性に方向性を持たせることができる。尚、此の微小突起に於いては、各峰間の溝は該並び方向と直行する方向に伸びている。   FIG. 25 is a perspective view showing an example of the shape of a microprotrusion different from the microprotrusions of FIGS. 21 and 23, and FIG. 26 is a front view of the microprotrusion shown in the example of FIG. a)) and a side view (FIG. 26 (b)). The microprotrusions shown in FIGS. 25 and 26 are formed as if a plurality of microprotrusions arranged side by side in a row are joined, and the aspect ratio is in this arrangement direction and in the direction orthogonal to the arrangement direction. It is made to be different. The antireflective article can be made to have directivity in its antireflective characteristics by the microprojections having different aspect ratios depending on such directions. In the case of the microprotrusions of the eyebrows, the grooves between the ridges extend in the direction orthogonal to the arranging direction.

なおこのようにして観察される結果によれば、多峰性微小突起における各峰の内側においては、各峰の外側に比して表面の粗さが荒いように観察され、多峰性微小突起は、このように峰の内側と外側との粗さの相違により、賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起との相違を見て取ることができる。なおこれらの斜視図等において、等高線が表されていない箇所は、計測の都合上、データが得られていない箇所である。   According to the results observed in this way, it is observed that the roughness of the surface is rougher than the outer side of each peak on the inner side of each peak in the multimodal microprojection, and the multimodal microprojection is Thus, due to the difference in roughness between the inside and the outside of the peak, it is possible to observe the difference from the multimodal microprotrusions caused by the resin filling failure during the shaping process. In these perspective views and the like, locations where contour lines are not represented are locations where data are not obtained for the convenience of measurement.

なお、これら多峰性微小突起の特徴は、後述するような、賦型用金型の対応する形状を備えた微細穴により作製される多峰性微小突起の固有の特徴であり、特開2012−037670号公報に開示の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起によっては得ることができない特徴である。すなわち樹脂の充填不良による多峰性微小突起は、本来、単峰性微小突起として作製される微細穴に十分に樹脂が充填されないことにより作製されるものであるので、頂点間の間隔が極めて微小であり、これにより耐擦傷性を十分に向上することが困難であり、また上述したような光学特性の向上も困難である。   The characteristic of these multimodal microprotrusions is an inherent characteristic of multimodal microprotrusions produced by microholes provided with the corresponding shape of the forming mold, as will be described later. This is a feature that can not be obtained by the multimodal microprotrusions that are generated due to the filling failure of the resin disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 0337670. That is, since the multimodal microprotrusions due to the resin filling failure are originally manufactured by the resin being not sufficiently filled in the micropores manufactured as unimodal microprotrusions, the distance between the apexes is extremely small. Thus, it is difficult to sufficiently improve the scratch resistance, and it is also difficult to improve the optical characteristics as described above.

また、充填不良による多峰性微小突起にあっては、再現性が乏しく、これにより均一な製品を量産できない欠点もあり、これに対して、この実施形態に係る多峰性微小突起は、いわゆる金型により高い再現性を確保することができる。また、後述するように、多峰性微小突起の高さ分布について制御できるのに対し、充填不良の多峰性微小突起については、このような制御が困難である。   In addition, multimodal microprotrusions due to poor filling have poor reproducibility and thus can not mass produce uniform products, whereas the multimodal microprotrusions according to this embodiment are so-called High reproducibility can be ensured by the mold. Also, as described later, while control can be performed on the height distribution of the multimodal microprotrusions, such control is difficult for multimodal microprotrusions having poor filling.

また、各微小突起の高さに高低差の有る微小突起群は、反射防止性能が広帯域化され、白色光のような多波長の混在する光、あるいは広帯域スペクトルを持つ光に対して、全スペクトル帯域で低反射率を実現するのに有利である。これは、かかる微小突起群によって良好な反射防止性能を発現し得る波長帯域が、隣接突起間距離dの他に、突起高さにも依存する為である。   In addition, the microprojection group having a height difference between the heights of the respective microprojections is broadened in anti-reflection performance, and the entire spectrum is provided for light with mixed wavelengths such as white light or light having a broadband spectrum. It is advantageous to realize low reflectance in the band. This is because the wavelength band in which good antireflective performance can be exhibited by such a microprojection group depends not only on the distance between adjacent projections d but also on the height of the projections.

また、多峰性微小突起が混在する場合には、単峰性微小突起のみによる場合に比して反射防止の性能を向上することができるのは、図2に示すような多峰性微小突起5A、5B等は、隣接突起間距離が同じ場合であっても、また突起高さが同じ場合であっても、単峰性微小突起と比べて、より光の反射率が低減するからであり、多峰性微小突起5A、5B等は、頂部より下(中腹及び麓)の形状が同じ単峰性微小突起よりも、頂部近傍における有効屈折率の高さ方向の変化率が小さくなる為である。   In addition, when multimodal microprotrusions are mixed, it is possible to improve the anti-reflection performance as compared with the case of using only monomodal microprotrusions, as shown in FIG. In 5A, 5B, etc., even when the distance between adjacent protrusions is the same or when the height of the protrusions is the same, the light reflectance is further reduced as compared with the unimodal micro protrusions. The multimodal microprotrusions 5A, 5B, etc. have a smaller rate of change in the effective refractive index in the height direction in the vicinity of the top than in the monomodal microprotrusions having the same shape below (intermediate and heel) below the top. is there.

なお多峰性微小突起は、前記効果を発揮する点からは、表面に存在する全微小突起中における多峰性微小突起の個数の比率は10%以上90%以下であることが好ましく、20%以上85%以下であることがより好ましく、30%以上80%以下とすることが更により好ましい。   The ratio of the number of multimodal microprotrusions in all the microprotrusions present on the surface is preferably 10% or more and 90% or less, from the viewpoint of exhibiting the above-mentioned effects. It is more preferably 85% or less, and still more preferably 30% to 80%.

また、前記微細凹凸層を構成する微小突起群は、少なくともその一部が、頂部微小突起と、該頂部微小突起の周囲に隣接して形成されており該頂部微小突起よりも高さが低い複数の周辺微小突起とからなる一群の微小突起の集合(本発明において「凸状突起群」と称する。)を構成していても良い。当該微小突起の集合を有することにより、反射防止性能が向上し、微小突起の強度も向上する。
図3に、複数の微小突起によって構成される凸状突起群の斜視図(図3(a))及び平面図(図3(b))を示す。図3に示す凸状突起群24は、相対的に高さの高い頂部微小突起3Cと、その周囲に隣接して配置された相対的に高さの低い複数の周辺微小突起3Dからなる。尚、図3(a)及び図3(b)は、理解を容易にするために模式的に示す図であり、xy方向は、基材の面内方向であり、z方向は微小突起の高さ方向である。
なお、本発明において、前記頂部微小突起は、前記周辺微小突起よりも相対的に高さが高く、高さの差が10nm以上のものをいい、当該高さの差は、20nm以上であることが好ましい。また、前記高さの差は、微細凹凸層表面のざらつき感を抑える観点から、50nm以下であることが好ましい。
Moreover, at least a part of the microprotrusions constituting the micro-concave / convex layer is formed adjacent to the top microprotrusions and the periphery of the top microprotrusions, and a plurality of the microprotrusions are lower in height than the top microprotrusions. A group of microprotrusions consisting of peripheral microprotrusions (hereinafter referred to as “convex-protrusion group” in the present invention) may be formed. By having the set of the microprotrusions, the antireflection performance is improved, and the strength of the microprotrusions is also improved.
FIG. 3 shows a perspective view (FIG. 3 (a)) and a plan view (FIG. 3 (b)) of a convex projection group constituted by a plurality of minute projections. The convex-projections group 24 shown in FIG. 3 includes a top micro-protrusion 3C having a relatively high height and a plurality of peripheral micro-protrusions 3D having a relatively low height disposed adjacent to the periphery thereof. 3 (a) and 3 (b) are schematic views for facilitating understanding, the xy direction is the in-plane direction of the base material, and the z direction is the height of the micro-protrusions. It is
In the present invention, the top micro-protrusions are relatively higher in height than the peripheral micro-protrusions, and have a height difference of 10 nm or more, and the height difference is 20 nm or more. Is preferred. The difference in height is preferably 50 nm or less from the viewpoint of suppressing the feeling of roughness on the surface of the fine uneven layer.

前記微細凹凸層においては、特に限定されないが、反射防止性能がさらに向上する点から、凸状突起群の周辺に配置される微小突起が、頂部微小突起から離れるに連れて、順次高さが低くなっていくように配置されていることが好ましい。   The fine asperity layer is not particularly limited, but from the viewpoint of further improving the anti-reflection performance, the fine protrusions arranged around the convex protrusion group gradually decrease in height as they move away from the top fine protrusions. It is preferable to arrange so that it may become.

前記微細凹凸層表面に存在する全微小突起中における前記凸状突起群を構成する微小突起の個数の比率は、特に限定されないが、前記効果を発揮する点からは、10%以上90%以下であることが好ましく、より好ましくは30%以上85%以下、更に好ましくは50%以上80%以下である。
なお、前記凸状突起群には、前記周辺微小突起にのみ隣接し、且つ前記頂部微小突起よりも高さが低い微小突起は含まれない。また、凸状突起群同士が隣接して形成される場合において、周辺微小突起が互いに隣接する凸状突起群に共有される場合がある。
前記凸状突起群を構成する微小突起の個数の比率は、例えば、前記微細凹凸層の表面をSEM等により観察し、画像解析により存在を確認できた微小突起の個数のうち、凸状突起群を構成する微小突起の個数の割合を算出することにより、求めることができる。
The ratio of the number of micro-protrusions constituting the group of convex projections in all the micro-protrusions present on the surface of the micro-relief layer is not particularly limited, but from 10% to 90% in terms of exerting the effect. It is preferably 30% or more and 85% or less, more preferably 50% or more and 80% or less.
The convex projections do not include microprojections that are adjacent only to the peripheral microprojections and whose height is lower than that of the top microprojections. Further, when the convex projections are formed adjacent to each other, the peripheral microprotrusions may be shared by the adjacent convex projections.
The ratio of the number of microprotrusions constituting the group of convex projections is, for example, the number of microprotrusions among the number of microprotrusions of which the presence can be confirmed by observing the surface of the micro-relief layer by SEM or the like. It can obtain | require by calculating the ratio of the number of objects of the micro protrusion which comprises these.

微細凹凸層の各微小突起は規則的に配置されていてもよく、不規則に配置されていてもよい。微小突起が不規則に配置されている場合の隣接突起間距離及び突起高さの測定や定義、並びにこれらの設計指針について、図8〜図12を用いて説明する。図8は、微小突起を有する微細凹凸面の説明の用に供する、原子間力顕微鏡により求められた、本発明に係る反射防止物品の微細凹凸層の一例を示す拡大写真である。微小突起が規則的に配置されている場合、その微小突起間隔dは、突起の繰り返し周期Pにより規定することができる。一方、図8の例に示されるように微小突起が不規則に配置されている場合には、隣接する微小突起間隔dはばらつきを有することになる。このような場合、微小突起間隔dは、以下のように算定される。   The microprotrusions of the microrelief layer may be regularly or irregularly arranged. The measurement and definition of the distance between adjacent protrusions and the height of protrusions when the micro protrusions are irregularly arranged, and the design guidelines thereof will be described with reference to FIGS. 8 to 12. FIG. 8 is an enlarged photograph showing an example of the fine uneven layer of the antireflective article according to the present invention, which is obtained by an atomic force microscope, which is used to explain the fine uneven surface having the fine protrusions. When the microprotrusions are regularly arranged, the microprotrusion distance d can be defined by the repetition period P of the projections. On the other hand, as shown in the example of FIG. 8, when microprotrusions are irregularly arranged, adjacent microprotrusion intervals d have variations. In such a case, the microprojection interval d is calculated as follows.

(1)すなわち先ず、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope(以下、AFMと呼ぶ))又は走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope(以下、SEMと呼ぶ))を用いて突起の面内配列(突起配列の平面視形状)を検出する。なお、AFMのデータは微細凹凸層の高さの面内分布データを有し、図8の写真は輝度により高さの面内分布を示している。   (1) First, the in-plane arrangement of projections (projection arrangement) using an atomic force microscope (hereinafter referred to as AFM) or a scanning electron microscope (hereinafter referred to as SEM) Plane shape) of the The data of AFM has in-plane distribution data of the height of the fine uneven layer, and the photograph of FIG. 8 shows the in-plane distribution of the height by the luminance.

(2)続いてこの求められた面内配列から各突起の高さの極大点(以下、単に極大点と呼ぶ)を検出する。極大点とは、高さが、其の近傍周辺の何れの点と比べても大(極大値)となる点を意味する。なお極大点を求める方法としては、平面視形状と対応する断面形状の拡大写真とを逐次対比して極大点を求める方法、平面視拡大写真の画像処理によって極大点を求める方法等、種々の手法を適用することができる。図9は、図8の微細凹凸層の例における、微小突起の極大点を示す図である。図9において黒点により示す個所がそれぞれ各突起の極大点である。各極大点は、図8の画像データを処理することにより検出することができる。なおこの処理では4.5×4.5画素のガウシアン特性によるローパスフィルタにより事前に画像データを処理し、これによりノイズによる極大点の誤検出を防止した。また8画素×8画素による最大値検出用のフィルタを順次スキャンすることにより1nm(=1画素)単位で極大点を求めた。   (2) Subsequently, the maximum point (hereinafter simply referred to as a maximum point) of the height of each protrusion is detected from the in-plane arrangement thus determined. The maximum point means a point where the height is larger (maximum value) than any point around the vicinity of the eyebrow. In addition, as a method of obtaining the maximum point, various methods such as a method of obtaining the maximum point by sequentially comparing the planar view shape with the enlarged photograph of the corresponding cross-sectional shape, obtaining the maximum point by image processing of the planar view enlarged photograph, Can be applied. FIG. 9 is a view showing the maximum points of the microprotrusions in the example of the microrelief layer of FIG. The points shown by black dots in FIG. 9 are the maximum points of the respective projections. Each local maximum can be detected by processing the image data of FIG. In this process, the image data is processed in advance by a low pass filter with a Gaussian characteristic of 4.5 × 4.5 pixels, thereby preventing erroneous detection of the maximum point due to noise. Further, the local maximum point was determined in units of 1 nm (= 1 pixel) by sequentially scanning a filter for maximum value detection by 8 pixels × 8 pixels.

(3)次に検出した極大点を母点とするドロネー図(Delaunary Diagram)を作成する。ここでドロネー図とは、各極大点を母点としてボロノイ分割を行った場合に、ボロノイ領域が隣接する母点同士を隣接母点と定義し、各隣接母点同士を線分で結んで得られる3角形の集合体からなる網状図形である。各3角形は、ドロネー3角形と呼ばれ、各3角形の辺(隣接母点同士を結ぶ線分)は、ドロネー線と呼ばれる。図10は、図8の微細凹凸層の例における、ドロネー図を示す図である。ドロネー図は、ボロノイ図(Voronoi diagram)と双対の関係に有る。またボロノイ分割とは、各隣接母点間を結ぶ線分(ドロネー線)の垂直2等分線同士によって画成される閉多角形の集合体からなる網状図形で平面を分割することを言う。ボロノイ分割により得られる網状図形がボロノイ図であり、各閉領域がボロノイ領域である。   (3) Next, create a Delaunay diagram (Delaunary Diagram) using the detected maximum point as a mother point. Here, with the Delaunay diagram, when Voronoi division is performed with each local maximum point as a generatrix, the mother points adjacent to each other in the Voronoi region are defined as adjacent mother points, and the adjacent mother points are obtained by connecting them with line segments. It is a netlike figure consisting of a set of triangles. Each triangle is called a Delaunay triangle, and a side of each triangle (a line connecting adjacent generation points) is called a Delaunay line. FIG. 10 is a view showing a Delaunay diagram in the example of the fine uneven layer of FIG. Delaunay diagrams are in a dual relationship with Voronoi diagrams. Further, Voronoi division refers to division of a plane by a net-like figure formed of a collection of closed polygons defined by vertical bisectors of line segments (Delaunay lines) connecting between adjacent mother points. A net-like figure obtained by Voronoi division is a Voronoi diagram, and each closed region is a Voronoi region.

(4)次に、各ドロネー線の線分長の度数分布、すなわち隣接する極大点間距離(隣接突起間距離)の度数分布を求める。図11は、図10のドロネー図から作成した隣接極大点間距離の度数分布のヒストグラムである。なお、図9の5Bに示されるように、突起の頂部に溝状等の凹部が存在したり、あるいは頂部が複数の峰に分裂している場合は、求めた度数分布から、このような突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している微細構造に起因するデータを除去し、突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を作成する。   (4) Next, the frequency distribution of the line segment length of each Delaunay line, that is, the frequency distribution of the distance between adjacent maximum points (the distance between adjacent protrusions) is determined. FIG. 11 is a histogram of frequency distribution of distances between adjacent local maximum points created from the Delaunay diagram of FIG. In addition, as shown in 5B of FIG. 9, when there is a recess such as a groove at the top of the protrusion or when the top is divided into a plurality of peaks, such a protrusion is obtained from the obtained frequency distribution. The data resulting from the microstructure having a recess at the top and the microstructure having a top divided into a plurality of peaks is removed, and only the data of the protrusion itself is selected to create a frequency distribution.

具体的には、突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している多峰性微小突起に係る微細構造においては、このような微細構造を備えていない単峰性微小突起の場合の数値範囲から、隣接する極大点間の距離が明らかに大きく異なることになる。この特徴を利用して対応するデータを除去することにより突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を検出する。より具体的には、例えば図8に示すような微小突起(群)の平面視の拡大写真から、5〜20個程度の互いに隣接する単峰性微小突起を選んで、その隣接極大点間距離の値を標本抽出し、この標本抽出して求められる数値範囲から明らかに小さい方向に外れる値(通常、標本抽出して求められる隣接極大点間距離平均値に対して、値が1/2以下のデータ)を除外して度数分布を検出する。図11の例では、隣接極大点間距離が56nm以下のデータ(矢印Aにより示す左端の小山)を除外する。なお図11は、このような除外する処理を行う前の度数分布を示すものである。因みに上述の極大点検用のフィルタの設定により、このような除外する処理を実行してもよい。   Specifically, in a microstructure having a recess at the top of a protrusion, and a microstructure relating to a multimodal microprojection in which the top is divided into a plurality of peaks, a unimodal not having such a microstructure From the numerical range in the case of microprotrusions, the distance between adjacent local maxima will be significantly different. By removing the corresponding data using this feature, only the data of the projection itself is selected to detect the frequency distribution. More specifically, for example, about 5 to 20 unimodal microprotrusions adjacent to each other are selected from an enlarged photograph of a planar view of the microprotrusions (group) as shown in FIG. (A value which is 1/2 or less of the average value of the distance between adjacent local maximum points determined by sampling normally) The data of (1) is excluded and the frequency distribution is detected. In the example of FIG. 11, data with a distance between adjacent maximum points of 56 nm or less (a small mountain at the left end indicated by arrow A) is excluded. FIG. 11 shows the frequency distribution before such exclusion processing. Incidentally, such exclusion processing may be executed by the setting of the above-mentioned filter for maximum inspection.

(5)このようにして求めた隣接突起間距離dの度数分布を正規分布とみなして平均値dAVG及び標準偏差σを求める。本発明においては、隣接突起間距離dの最大値dmaxをdmax=dAVG+2σと定義して算出する。図11の例では、平均値dAVG=158nm、標準偏差σ=38nmとなる。これにより隣接突起間距離dの最大値dmax=234nmと算出される。 (5) The frequency distribution of the distance d between adjacent protrusions obtained in this manner is regarded as a normal distribution to obtain an average value d AVG and a standard deviation σ d . In the present invention, the maximum value d max of the distance d between adjacent protrusions is calculated as d max = d AVG + 2σ d . In the example of FIG. 11, the average value d AVG = 158 nm and the standard deviation σ d = 38 nm. Thus, the maximum value d max of the distance d between adjacent projections d is calculated to be 234 nm.

同様の手法を適用して突起の高さを定義する。この場合、上述の(2)により求められる極大点から、特定の基準位置からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化する。このヒストグラムによる度数分布から突起高さの平均値HAVG、標準偏差σを求める。なお多峰性微小突起が含まれる場合は、1つの微小突起が頂点を複数有していることにより、1つの突起に対してこれら複数のデータが突起高さHのヒストグラムにおいて混在することになる。そこでこの場合は麓部が同一の微小突起に属するそれぞれ複数の頂点の中から高さの最も高い頂点を、当該微小突起の突起高さとして採用して度数分布を求める。
図12は、図8の微細凹凸層の例における、微小突起の高さHの度数分布のヒストグラムである。図12の例では、微小突起の付け根位置を基準(高さ0)とする。図12の例では、平均値HAVG=178nm、標準偏差σ=30nmとなる。これによりこの例では、突起の高さは平均値HAVG=178nmとなる。
A similar approach is applied to define the height of the protrusions. In this case, the difference in relative height of each local maximum point position from the specific reference position is acquired from the local maximum points determined by the above (2), and a histogram is formed. From the frequency distribution using this histogram, the average value H AVG of the projection heights and the standard deviation σ H are determined. When multimodal microprotrusions are included, one microprotrusion has a plurality of apexes, so that a plurality of these data are mixed in the histogram of the projection height H for one protuberance. . Therefore, in this case, the highest point among the plurality of apexes whose ridges belong to the same minute projection is adopted as the projection height of the minute projection to obtain the frequency distribution.
FIG. 12 is a histogram of the frequency distribution of height H of the microprotrusions in the example of the microrelief layer of FIG. In the example of FIG. 12, the root position of the microprotrusions is used as a reference (height 0). In the example of FIG. 12, the average value H AVG = 178 nm and the standard deviation σ = 30 nm. As a result, in this example, the heights of the protrusions become the average value H AVG = 178 nm.

なお、微小突起の高さを測る際の基準位置は、突起付け根位置、すなわち隣接する微小突起の間の谷底(高さの極小点)を高さ0の基準とする。但し、係る谷底の高さ自体が場所によって異なる場合、例えば、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が、微小突起の隣接突起間距離に比べて大きな周期でうねった凹凸形状を有する場合(例えば、図4の例に示されるように、谷底の高さが微小突起の隣接突起間距離に比べて大きな周期でウネリを有する場合)等は、(1)先ず、微細凹凸層30の微小突起表面31とは反対側の面から測った各谷底の高さの平均値を、該平均値が収束するに足る面積の中で算出する。(2)次いで、該平均値の高さを有し、且つ微細凹凸層30の微小突起面31とは反対側の面と平行な面を基準面として考える。(3)その後、該基準面を改めて高さ0として、該基準面からの各微小突起の高さを算出する。   In addition, the reference position in measuring the height of the microprotrusions is based on the position of the projection root, that is, the valley bottom (minimum point of the height) between the adjacent microprotrusions as the reference of the height 0. However, when the height itself of the valley bottom differs depending on the location, for example, the envelope having a series of valley bottoms between the microprotrusions has a convex-concave shape with a larger period than the distance between adjacent protrusions of the microprotrusions ( For example, as shown in the example of FIG. 4, in the case where the height of the valley bottom has an undulation with a large cycle compared to the distance between adjacent protrusions of the microprotrusors, etc.) (1) First, the microprotrusions of the micro uneven layer 30 The average value of the height of each valley bottom measured from the surface opposite to the surface 31 is calculated in an area sufficient for the average value to converge. (2) Next, a plane having the height of the average value and parallel to the surface on the opposite side of the minute projection surface 31 of the minute concavo-convex layer 30 is considered as a reference plane. (3) Thereafter, the height of each of the microprotrusions from the reference surface is calculated, with the reference surface again having a height of 0.

隣接する微小突起32の間の谷底の高さ自体が場所によって異なる場合、例えば図4に示すように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が、可視光線帯域の最長波長λMAX以上の周期D(すなわちD>λMAXである)でうねることもある。該周期的なうねりは、透明基材の表裏面に平行な平面(図4におけるXY平面)における1方向(例えばX方向)のみでこれと直交する方向(例えばY方向)には一定高さであっても良いし、或いは透明基材の表裏面に平行な平面(図4におけるXY平面)における2方向(X方向及びY方向)共にうねりを有していても良い。D>λMAXを満たす周期Dでうねった凹凸面33が多数の微小突起32からなる微細凹凸層30の表面31に重畳することによって、当該微細凹凸層表面31で完全に反射防止し切れずに残った反射光を散乱させ、反射防止性を一段と向上させることができる。 If the height of the valley bottom between adjacent microprotrusions 32 differs depending on the location, for example, as shown in FIG. 4, the envelope connecting the valley bottoms between the microprojections is longer than the longest wavelength λ MAX of the visible light band. In some cases, undulation occurs with a period D (that is, D> λ MAX ). The periodical waviness is at a constant height only in one direction (for example, X direction) in a plane (XY plane in FIG. 4) parallel to the front and back surfaces of the transparent substrate and in a direction (for example, Y direction) orthogonal thereto. Alternatively, the two substrates (X and Y directions) may have undulations in a plane (XY plane in FIG. 4) parallel to the front and back surfaces of the transparent substrate. By superimposing the uneven surface 33 having a period D satisfying D> λ MAX on the surface 31 of the fine uneven layer 30 composed of a large number of fine projections 32, the anti-reflection on the fine uneven layer surface 31 can not be completely prevented. The remaining reflected light can be scattered to further improve the antireflective property.

尚、係るうねりによる凹凸面33の周期Dが全面に渡って一定では無く分布を有する場合は、該凹凸面33について凸部間距離の度数分布を求め、その平均値をDAVG、標準偏差をΣとしたときの、
min=DAVG―2Σ
として定義する最小隣接突起間距離Dminを以って周期Dの代わりとして設計する。即ち、微細凹凸層30の表面31の残留反射光の散乱効果を十分奏し得る条件は、
min>λMAX
である。通常、D又はDminは1〜500μm、好ましくは10〜100μmとされる。
In addition, when the period D of the uneven surface 33 due to the waviness is not constant over the entire surface but has a distribution, the frequency distribution of the distance between the convexes is obtained for the uneven surface 33, and the average value is D AVG and the standard deviation When Σ,
D min = D AVG-2 Σ
Design as a substitute for the period D with the minimum adjacent projection distance D min defined as That is, conditions that can sufficiently exhibit the scattering effect of residual reflected light on the surface 31 of the fine uneven layer 30 are as follows:
D min > λ MAX
It is. Usually, D or D min is 1 to 500 μm, preferably 10 to 100 μm.

また、反射防止物品10の良好な平滑性を確保する場合には、前記周期Dでうねった凹凸面33の高低差(図4中のh)は、10nm以下であることが好ましく、1nm〜5nmの範囲内であることがより好ましい。一方、うねりの幾何光学的散乱を積極的に反射防止に利用する場合には、前記周期Dでうねった凹凸面33の高低差は、0.78μm以上であることが好ましく、1μm〜10μmの範囲内であることがより好ましい。なお、前記凹凸面33により形成される凹凸面の高低差は、例えば500nm以上離れた微小突起32の谷底部の位置の高低差を測定することにより求めることができる。微小突起32の谷底部の位置は、反射防止物品10を、厚み方向に切断した垂直断面のTEM写真又はSEM写真を用いて観察することにより求めることができる。   Moreover, in order to ensure good smoothness of the antireflective article 10, the height difference (h in FIG. 4) of the uneven surface 33 which is undulated in the period D is preferably 10 nm or less, and 1 nm to 5 nm. It is more preferable to be in the range of On the other hand, when geometric optical scattering of undulations is positively used for reflection prevention, the height difference of the uneven surface 33 undulated by the period D is preferably 0.78 μm or more, and in the range of 1 μm to 10 μm. It is more preferable that it is inside. The height difference of the uneven surface formed by the uneven surface 33 can be obtained by measuring the height difference of the positions of the valley bottoms of the minute projections 32 separated by, for example, 500 nm or more. The position of the valley bottom of the microprotrusions 32 can be determined by observing the antireflective article 10 using a TEM photograph or a SEM photograph of a vertical cross section cut in the thickness direction.

前記微小突起群中の各微小突起が同一の高さHを有し、当該微小突起が一定周期で規則正しく配置されている場合、隣接突起間隔dは、微小突起配列の周期pと一致するため、dAVG=pとなる。よって、反射防止効果を奏し得る条件は、dAVG=p≦Λminであり、微小突起配列の周期p以上の波長を有する光に対して反射防止効果を奏することができる(例えば、特開昭50−70040号公報、特許第4632589号公報、特許第4270806号公報を参照することができる)。従って、例えば、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を得るためには、可視光線帯域の最短波長を380nmとした場合、微小突起配列の周期を380nm以下とすればよい。また、微小突起の高さHは、反射防止効果を得ようとする波長のうち最長波長Λmaxの0.2倍以上であることが好ましい(H≧0.2×Λmax)。従って、例えば可視光線帯域の全波長に対して優れた反射防止効果を得ようとするためには、可視光線帯域の最長波長を780nmとした場合、H≧0.2×780nm=156nmであることが好ましい。 When the microprotrusions in the microprotrusions have the same height H and the microprotrusions are regularly arranged in a constant cycle, the adjacent projection interval d matches the cycle p of the microprotrusion arrangement: d AVG = p. Therefore, the condition that can exhibit the anti-reflection effect is d AVG = p ≦ Λ min , and the anti-reflection effect can be exerted on light having a wavelength of the periodicity p of the micro-projection array or more (for example, 50-70040, Japanese Patent No. 4632589, and Japanese Patent No. 4270806 can be referred to). Therefore, for example, in order to obtain the anti-reflection effect for all wavelengths in the visible light band, when the shortest wavelength in the visible light band is 380 nm, the period of the microprojections array may be 380 nm or less. In addition, the height H of the microprotrusions is preferably 0.2 times or more of the longest wavelength Λ max among the wavelengths to obtain the anti-reflection effect (H 0.2 0.2 × Λ max ). Therefore, for example, in order to obtain an excellent antireflection effect for all wavelengths in the visible light band, HH0.2 × 780 nm = 156 nm, assuming that the longest wavelength in the visible light band is 780 nm. Is preferred.

突起が不規則に配置されている場合には、上述のようにして求めた隣接突起間距離dの平均値dAVGが、dAVG≦Λminを満たすことが必要であり、最大値dmax=dAVG+2σが、dmax≦Λminを満たすことが好ましい。微小突起の高さHの平均値HAVGが、HAVG≧0.2×Λmaxを満たすことが好ましい。例えば、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得るためには、dAVG≦380nmとすればよく、dmax=dAVG+2σ≦380nmとすることが好ましい。可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、dAVG≦300nmであり、更に好ましい条件は、dmax≦300nmであり、より更に好ましい条件は、dAVG≦200nmであり、特に好ましい条件は、dmax≦200nmである。また反射防止効果の発現及び反射率の等方性(低角度依存性)の確保等の理由から、通常、dAVG≧50nmであり、好ましくは、dAVG≧100nmとされる。また突起高さHについては、十分な反射防止効果を発現する為には、反射防止を図る光の波長帯域の最長波長をΛmaxとしたときに、HAVG≧0.2×Λmaxとなることが好ましく、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得るためにはHAVG≧0.2×780nm=156nmであることが好ましく、HAVG≧170nmとすることがより好ましい。突起の高さHAVGは、反射防止効果の点から、通常350nm以下とされる。また、突起の高さの分布は、通常50〜350nmである。 When the protrusions are irregularly arranged, it is necessary that the average value d AVG of the distance d between adjacent protrusions obtained as described above satisfies d AVG Λ min , and the maximum value d max = It is preferable that d AVG + 2σ d satisfy d max ≦ Λ min . Preferably, the average value H AVG of the height H of the microprotrusions satisfies H AVG 0.20.2 × Λ max . For example, in order to be able to exert an antireflective effect on all wavelengths in the visible light band, d AVG ≦ 380 nm may be satisfied, and d max = d AVG + 2σ d ≦ 380 nm is preferable. Preferred conditions that can more reliably achieve the antireflective effect for all wavelengths in the visible light band are d AVG ≦ 300 nm, more preferred conditions are d max ≦ 300 nm, and even more preferred conditions are d AVG ≦ 200 nm Particularly preferred conditions are d max ≦ 200 nm. Further, for reasons such as expression of the anti-reflection effect and securing isotropy (low angle dependency) of the reflectance, normally, d AVG 50 50 nm, preferably, d AVG 100 100 nm. With respect to the projection height H, in order to express a sufficient anti-reflection effect, H AVG波長 0.2 × Λ max , where 光max is the longest wavelength of the light wavelength band for anti-reflection It is preferable that H AVG 0.20.2 × 780 nm = 156 nm, and more preferably H AVG 170170 nm, in order to exhibit the anti-reflection effect for all wavelengths in the visible light band. The height H AVG of the protrusions is usually 350 nm or less in terms of the anti-reflection effect. Moreover, the distribution of the heights of the protrusions is usually 50 to 350 nm.

図8に示される反射防止物品の一形態を上述の例により説明するとdAVG=158nm≦Λmax=780nmとなり、dAVG≦Λmaxの条件を満足して十分に反射防止効果を奏し得ることが判る。また可視光線帯域の最短波長λminが380nmであることから、可視光線の全波長帯域において反射防止効果を発現する十分条件dAVG≦λminも満たすことが判る。また平均突起高さHAVG=178nmであって、平均突起高さHAVG≧0.2×λmax=156nmを満たすことから(可視光波長帯域の最長波長λmax=780nmとして)、十分な反射防止効果を実現するための突起の高さに関する条件も満足していることが判る。なお標準偏差σ=30nmであることから、HAVG−σ=148nm<0.2×λmax=156nmとの関係式が成立することから、統計学上、全突起の50%以上、84%以下が、突起の高さに係る条件(178nm以上)の条件を満足していることが判る。 One form of anti-reflective article shown in Figure 8 will be described by example above d AVG = 158nm ≦ Λ max = 780nm , and the can can achieve sufficiently antireflection effect satisfies the condition of d AVG ≦ lambda max I understand. In addition, since the shortest wavelength λ min of the visible light band is 380 nm, it is understood that the sufficient condition d AVG ≦ λ min for achieving the anti-reflection effect in the entire wavelength band of visible light is also satisfied. Also an average projection height H AVG = 178 nm, since it meets the average projection height H AVG ≧ 0.2 × λ max = 156nm ( as the longest wavelength lambda max = 780 nm in the visible light wavelength range), sufficient reflection It can be seen that the conditions regarding the height of the projections for achieving the prevention effect are also satisfied. Note that, since the standard deviation σ = 30 nm, the relational expression of H AVG −σ = 148 nm <0.2 × λ max = 156 nm holds, and statistically, 50% or more and 84% or less of all projections are It can be seen that the condition concerning the height of the protrusion (178 nm or more) is satisfied.

図8の例に示される実施形態のように、単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させる場合には、アスペクト比の異なる単峰性微小突起を混在させた場合と同様に、広い波長帯域で低い反射率を確保することができる点で好ましい。
尚、アスペクト比とは、微小突起の高さHを谷底に於ける径W(幅乃至太さと言う事も出来る)で除した比、H/Wとして定義される。此処で、谷底に於ける径とは、微小突起の谷底近傍の形状が円柱であれば、該円柱の(底面の)直径と一致する。微小突起の谷底近傍形状が円柱では無く、谷底を連ねた仮想的平面と微小突起とが交差して得られる底面の径の大きさが面内方向によって異なる場合は、その最大値を該微小突起の径とする。例えば、微小突起の底面形状が楕円の場合は、径は其の長径となる。又、微小突起の底面形状が多角形の場合は、径はその最大の対角線長となる。又、谷底部(高さの極小点からなる領域)の幅が径に比べて小さく2割以下の場合には、各微小突起のアスペクト比H/Wの平均値(H/W)aveは、設計上は実質、平均突起高さHAVG/平均隣接突起間隔dAVGとみなすことができる。
When monomodal microprotrusions and multimodal microprotrusions are mixed as in the embodiment shown in the example of FIG. 8, as in the case where monomodal microprotrusions having different aspect ratios are mixed, It is preferable in that low reflectance can be secured in a wide wavelength band.
The aspect ratio is defined as H / W, which is the ratio of the height H of the microprotrusions divided by the diameter W (or width or thickness) at the bottom of the valley. Here, the diameter at the valley bottom corresponds to the (bottom surface) diameter of the cylinder if the shape near the valley bottom of the microprotrusions is a cylinder. If the shape of the bottom of the microprotrusions near the bottom of the microprotrusions is not a cylinder, but the size of the diameter of the bottom surface obtained by crossing the imaginary plane connecting the valley bottoms and the microprotrusions varies depending on the in-plane direction, the maximum value is the microprotrusion And the diameter of For example, when the bottom surface shape of the microprotrusions is an ellipse, the diameter is the major axis of the ridge. In addition, when the bottom shape of the microprotrusions is a polygon, the diameter is the maximum diagonal length. In addition, when the width of the valley bottom (region formed by the minimum point of height) is smaller than the diameter and smaller than 20%, the average value (H / W) ave of the aspect ratio H / W of each microprotrusion is In terms of design, it can be regarded as average protrusion height H AVG / average adjacent protrusion distance d AVG .

本発明に係る反射防止物品は、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより賦型用金型を作製し、この賦型用金型を使用した賦型処理により作製することができる。ここで、陽極酸化処理により微細穴を作製する場合、特開2003−43203号公報等で既に知られている様に、隣接微細穴間距離(一定値で分布の無い場合はピッチに相当)と深さとは比例する関係になる。そのため、作製される単峰性微小突起は、付け根部分の幅と高さとの比であるアスペクト比がほぼ一定に保持される。   The antireflective article according to the present invention can be produced by forming a mold for molding by repeating anodizing treatment and etching treatment, and carrying out a molding process using this mold for molding. Here, in the case of producing micro holes by anodizing treatment, as already known in JP-A-2003-43203 etc., the distance between adjacent micro holes (corresponding to the pitch when there is no distribution at a constant value) There is a proportional relationship with depth. Therefore, the aspect ratio which is the ratio of the width to the height of the root portion is kept approximately constant in the monomodal microprotrusions to be produced.

反射防止物品の反射防止機能は、微小突起間隔だけでなく、アスペクト比にも依存し、アスペクト比が一定である場合、例えば可視光域では十分に小さな反射率を確保できる場合でも、紫外線域ではdAVGがΛminに近付く為、可視光域に比して反射率が増大して反射防止機能が不足する。なお隣接突起間距離を一段と小さくして紫外線域で十分な反射防止機能を確保できるように設定すると、今度は、HAVGがΛmaxに近付く為、赤外線域で反射防止機能が低下することになる。 The anti-reflection function of the anti-reflection article depends not only on the micro-protrusion distance but also on the aspect ratio, and when the aspect ratio is constant, for example, in the visible light range, a sufficiently small reflectance can be ensured. d Since AVG approaches Λ min , the reflectance increases and the anti-reflection function is insufficient compared to the visible light range. Note Setting to ensure adequate antireflection function between adjacent protrusions distance further reduced to an ultraviolet region, in turn, since the H AVG approaches lambda max, so that the antireflection function in the infrared region is lowered .

しかしながら多峰性微小突起を含む微小突起群では、同一微小突起の頂部近傍に存在する峰間距離が隣接突起間距離(通常100〜200nm程度)よりも小さい(通常10〜50nm程度)。斯かる峰間距離の寄与によって、同一隣接突起間距離の単峰性微小突起のみからなる微小突起群に比べて、実効的な隣接突起間間隔を低下させた反射防止機能を確保することができ、これにより多峰性微小突起と単峰性微小突起との混在により広い波長帯域で低い反射率を確保することができる。なお可視光域を中心にした広い波長帯域で十分に小さな反射率を確保する場合、可視光域に係る波長480〜660nm帯域の光に対する反射防止性能に寄与する隣接突起間間隔、即ち、d≦400nm、好ましくはd≦300nmとなる微小突起において、多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させることが好ましい。   However, in a microprojection group including multimodal microprotrusions, the inter-peak distance present in the vicinity of the top of the same microprotrusion is smaller than the interproximal projection distance (usually about 100 to 200 nm) (usually about 10 to 50 nm). By the contribution of such an inter-peak distance, it is possible to secure an anti-reflection function in which the distance between adjacent adjacent projections is effectively reduced compared to a micro-projection group consisting only of unimodal micro-projections of the same adjacent inter-projection distance. Thus, by combining the multimodal microprotrusions and the unimodal microprotrusions, low reflectance can be secured in a wide wavelength band. When a sufficiently small reflectance is secured in a wide wavelength band centered on the visible light area, the distance between adjacent projections contributing to the antireflection performance for light in the wavelength 480 to 660 nm band related to the visible light area, that is, d ≦ In the microprotrusions where 400 nm, preferably d ≦ 300 nm, it is preferable to mix multimodal microprotrusions and unimodal microprotrusions.

反射防止物品において形成される多峰性微小突起は、上述の可視光域に係る入射光に対する反射防止機能及び耐擦傷性を向上させるために、以下の条件を満たすようにして形成されることが好ましい。
図13は、微小突起高さに関する、低高度領域、中高度領域、高高度領域についての説明の用に供する、微小突起高さの度数分布の模式的なヒストグラムである。図13に示すように、微小突起の高さHの度数分布における高さの平均値をHAVEとし、標準偏差をσとし、H<HAVE−σの領域を微小突起の低高度領域とし、HAVE−σ≦H≦HAVE+σの領域を中高度領域とし、HAVE+σ<Hの領域を高高度領域とした場合に、各領域内の多峰性微小突起の数Nmと、度数分布全体における多峰性微小突起及び単峰性微小突起の総数Ntとの比率が、以下の(a)、(b)の関係を満たすことが好ましい。
(a)中高度領域のNm/Nt>低高度領域のNm/Nt
(b)中高度領域のNm/Nt>高高度領域のNm/Nt
上記関係を満たすことにより、可視光域に係る入射光に対する反射率を低減することができ、反射防止物品の反射防止機能の広帯域化をより具体的に図ることができ、更に微細凹凸面の耐擦傷性を向上することができる。
The multimodal microprotrusions formed in the antireflective article may be formed to satisfy the following conditions in order to improve the antireflective function and scratch resistance to incident light in the visible light range described above. preferable.
FIG. 13 is a schematic histogram of the frequency distribution of microprotrusion heights, which serves as an explanation for the low altitude region, the middle altitude region, and the high altitude region with respect to the microprojection height. As shown in FIG. 13, the average value of the height in the frequency distribution of the height H of the microprotrusions is H AVE , the standard deviation is σ H, and the region of H <H AVEH is the low elevation region of the microprotrusions. If the region of H AVE −σ H ≦ H ≦ H AVE + σ H is the middle altitude region and the region of H AVE + σ H <H is the high altitude region, the number of multimodal microprotrusions in each region It is preferable that the ratio of Nm to the total number Nt of multimodal microprotrusions and unimodal microprotrusions in the entire frequency distribution satisfy the following relationship (a) or (b).
(A) Nm / Nt in medium altitude region> Nm / Nt in low altitude region
(B) Nm / Nt in medium altitude region> Nm / Nt in high altitude region
By satisfying the above relationship, the reflectance for incident light in the visible light range can be reduced, the reflection preventing function of the reflection preventing article can be more specifically broadened, and further, the resistance to the fine uneven surface is further improved. Scratch resistance can be improved.

図18に、本発明に係る反射防止物品の微小突起高さHの度数分布の一例のヒストグラムを示す。図18に示す例においては、微小突起の高さの平均値がHAVE=145.7nmであり、その標準偏差がσ=22.1nmである。
ここで、微小突起の高さHの度数分布において、低高度領域は、H<HAVE−σ=123.6nmとなり、中高度領域は、HAVE−σ=123.6nm≦H≦HAVE+σ=167.8nmとなり、高高度領域は、H>HAVE+σ=167.8nmとなる。
度数分布全体の微小突起の総数Ntは、263個であり、その中で、中高度領域の多峰性微小突起の数Nmは、23個であるので、中高度領域のNm/Ntは、0.087となる。低高度領域の多峰性微小突起の数Nmは、2個であるので、低高度領域のNm/Ntは、0.008となる。高高度領域の多峰性微小突起の数Nmは、5個であるので、高高度領域のNm/Ntは、0.019となる。
従って、図18に示す例の反射防止物品は、上述の(a)、(b)の関係、すなわち、
(a)中高度領域のNm/Nt=0.087>低高度領域のNm/Nt=0.008
(b)中高度領域のNm/Nt=0.087>高高度領域のNm/Nt=0.019
を満足する。
FIG. 18 shows a histogram of an example of the frequency distribution of the microprojection height H of the antireflective article according to the present invention. In the example shown in FIG. 18, the average value of the heights of the microprotrusions is H AVE = 145.7 nm, and the standard deviation thereof is σ H = 22.1 nm.
Here, in the frequency distribution of the height H of the microprotrusions, the low altitude region is H <H AVE −σ H = 123.6 nm, and the middle altitude region is H AVE −σ H = 123.6 nm ≦ H ≦ H AVE + σ H = 167.8 nm, and in the high altitude region, H> H AVE + σ H = 167.8 nm.
Since the total number Nt of microprotrusions in the entire frequency distribution is 263, among which the number Nm of multimodal microprotrusions in the middle altitude region is 23, Nm / Nt in the middle altitude region is 0 It will be .087. Since the number Nm of multimodal microprotrusions in the low altitude region is two, the Nm / Nt in the low altitude region is 0.008. Since the number Nm of multimodal microprotrusions in the high altitude region is five, Nm / Nt in the high altitude region is 0.019.
Accordingly, the antireflective article of the example shown in FIG. 18 has the relationship of (a), (b) described above, ie,
(A) Nm / Nt = 0.008> Nm / Nt = 0.008 in the low altitude region
(B) Nm / Nt in the middle altitude region = 0.087> Nm / Nt in the high altitude region = 0.019
Satisfy.

更に本発明の反射防止物品においては、前記微小突起の高さHの度数分布が2つの分布による双峰性であり、2つの分布の境界となる高さをhsとし、hs未満の分布における前記微小突起の高さHの平均値をm1とし、
H<m1−σ1の領域を低高度領域とし、
m1−σ1≦H≦m1+σ1の領域を中高度領域とし、
m1+σ1<H<hsの領域を高高度領域とした場合に、
hs未満の分布における各領域内の前記多峰性微小突起の数Nm1と、前記度数分布全体における前記微小突起の総数Ntとの比率が、以下の(c)、(d)の関係を満たし、
(c)中高度領域のNm1/Nt>低高度領域のNm1/Nt
(d)中高度領域のNm1/Nt>高高度領域のNm1/Nt
且つ、hs以上の分布における前記微小突起の高さhの平均値をm2とし、標準偏差をσ2とし、
hs<H<m2−σ2の領域を低高度領域とし、
m2−σ2≦H≦m2+σ2の領域を中高度領域とし、
m2+σ2<Hの領域を高高度領域とした場合に、
hs以上の分布における各領域内の前記多峰性微小突起の数Nm2と、前記度数分布全体における前記微小突起の総数Ntとの比率が、以下の(e)、(f)の関係を満たすことがより好ましい。
(e)中高度領域のNm2/Nt>低高度領域のNm2/Nt
(f)中高度領域のNm2/Nt>高高度領域のNm2/Nt
上記関係を満たすことにより、可視光域に係る入射光に対する反射率をより低減することができ、反射防止物品の反射防止機能の広帯域化を更により具体的に図ることができ、微細凹凸面の耐擦傷性を更に向上することができる。
Furthermore, in the antireflective article of the present invention, the frequency distribution of the height H of the microprotrusions is bimodal by two distributions, and the height at the boundary of the two distributions is hs, and the distribution in the distribution less than hs. The average value of height H of the microprotrusions is m1,
Let the region of H <m1-σ1 be the low altitude region,
Let the region of m1-σ1 ≦ H ≦ m1 + σ1 be the middle altitude region,
When the area of m1 + σ1 <H <hs is a high altitude area,
The ratio of the number Nm1 of multimodal microprotrusions in each region in the distribution less than hs to the total number Nt of microprotrusions in the entire frequency distribution satisfies the following relationship (c), (d):
(C) Nm1 / Nt in the medium altitude region> Nm1 / Nt in the low altitude region
(D) Nm1 / Nt in the medium altitude region> Nm1 / Nt in the high altitude region
And, the average value of the height h of the microprotrusions in the distribution of hs or more is m2, and the standard deviation is σ2.
Let the region of hs <H <m2-σ2 be the low altitude region,
Let the region of m 2 −σ 2 ≦ H ≦ m 2 + σ 2 be the middle altitude region,
When the area of m2 + σ2 <H is a high altitude area,
The ratio between the number Nm2 of multimodal microprotrusions in each region in the distribution of hs or more and the total number Nt of microprotrusions in the entire frequency distribution satisfies the following relationship (e) or (f): Is more preferred.
(E) Nm2 / Nt in the medium altitude region> Nm2 / Nt in the low altitude region
(F) Nm2 / Nt in medium altitude region> Nm2 / Nt in high altitude region
By satisfying the above relationship, the reflectance for incident light in the visible light range can be further reduced, and the broadbanding of the antireflection function of the antireflection article can be further specifically realized, and the fine asperity surface can be obtained. Scratch resistance can be further improved.

図19に、本発明に係る反射防止物品の微小突起高さHの度数分布の一例のヒストグラムを示す。なお図19においては、微小突起の高さHをhと、平均突起高さをHAVGをmと、標準偏差をσをσとそれぞれ記載する。図19に示す例においては、高さの高い側と低い側とに分布のピークを有する、微小突起の高さ分布が離散的、すなわち、双峰性を持つ分布を示しており、各分布の峰に対応して多峰性微小突起の分布が形成される。図19に示す例においては、度数分布全体の微小突起の高さの平均値がm=195.7nmであり、標準偏差がσ=57.2nmである。
また、図19に示す例においては、微小突起の高さhの度数分布において、低高度領域は、h<m−σ=138.5nmとなり、中高度領域は、m−σ=138.5nm≦h≦m+σ=254.7nmとなり、高高度領域は、h>m+σ=254.7nmとなる。
度数分布全体の微小突起の総数Ntは、131個である。また、中高度領域の多峰性微小突起の数Nmは、21個であるので、中高度領域のNm/Ntは、0.160となる。低高度領域の多峰性微小突起の数Nmは、3個であるので、低高度領域のNm/Ntは、0.023となる。高高度領域の多峰性微小突起の数Nmは、0個であるので、高高度領域のNm/Ntは、0となる。
従って、図19に示す例においては、上述の(a)、(b)の関係、すなわち、
(a)中高度領域のNm/Nt=0.160>低高度領域のNm/Nt=0.023
(b)中高度領域のNm/Nt=0.160>高高度領域のNm/Nt=0
を満足する。
FIG. 19 shows a histogram of an example of the frequency distribution of the microprojection height H of the antireflective article according to the present invention. In FIG. 19, the microprojection height H and h, and the the H AVG average projection height m, describes respectively the standard deviation sigma H sigma. In the example shown in FIG. 19, the height distribution of microprotrusions having a distribution peak on the high side and the low side is discrete, that is, a bimodal distribution, and A distribution of multimodal microprojections is formed corresponding to the peaks. In the example shown in FIG. 19, the average value of the heights of the microprotrusions in the entire frequency distribution is m = 195.7 nm, and the standard deviation is σ = 57.2 nm.
Further, in the example shown in FIG. 19, in the frequency distribution of height h of the microprotrusions, the low altitude region is h <m−σ = 138.5 nm, and the mid altitude region is m−σ = 138.5 nm ≦ h ≦ m + σ = 254.7 nm, and in the high altitude region, h> m + σ = 254.7 nm.
The total number Nt of microprotrusions in the entire frequency distribution is 131. Further, since the number Nm of multimodal microprotrusions in the middle altitude region is 21, the Nm / Nt in the middle altitude region is 0.160. Since the number Nm of multimodal microprotrusions in the low altitude region is 3, Nm / Nt in the low altitude region is 0.023. Since the number Nm of multimodal microprotrusions in the high altitude region is zero, Nm / Nt in the high altitude region is zero.
Therefore, in the example shown in FIG. 19, the relationship between (a) and (b) described above, ie,
(A) Nm / Nt = 0.160 in the middle altitude region> Nm / Nt = 0.023 in the low altitude region
(B) Nm / Nt = 0.160 in the middle altitude region> Nm / Nt = 0 in the high altitude region
Satisfy.

また、図19に示す微小突起の高さhの度数分布は、上述したように、双峰性、すなわち2つの分布の峰が存在する。各峰間の境界となる高さをhsとしたとき、hs未満(高さが低い側)の分布における微小突起の高さhの平均値がm1=52.9nmであり、標準偏差がσ1=24.8nmである。各分布の境界は、度数分布の高さのデータを統計的に処理することによってhs=100nmと求められる。
そのため、hs未満の分布の低高度領域は、h<m1−σ1=28.1nmとなり、中高度領域は、m1−σ1=28.1nm≦h≦m1+σ1=77.7nmとなり、高高度領域は、m1+σ1=77.7nm<h<hs=100nmとなる。
また、中高度領域の多峰性微小突起の数Nm1は、2個であるので、中高度領域のNm1/Ntは、0.015となる。低高度領域の多峰性微小突起の数Nm1は、0個であるので、低高度領域のNm1/Ntは、0となる。高高度領域の多峰性微小突起の数Nm1は、0個であるので、高高度領域のNm1/Ntは、0となる。
従って、図19に示す例の反射防止物品は、hs未満の分布において、上記(c)、(d)の関係、すなわち、
(c) 中高度領域のNm1/Nt=0.015>低高度領域のNm1/Nt=0
(d) 中高度領域のNm1/Nt=0.015>高高度領域のNm1/Nt=0
の関係を満たす。
Further, as described above, the frequency distribution of the height h of the microprotrusions shown in FIG. 19 is bimodal, that is, has two distribution peaks. When the height between the peaks is hs, the average value of the height h of the microprotrusions in the distribution less than hs (on the lower side) is m1 = 52.9 nm, and the standard deviation is σ1 = It is 24.8 nm. The boundary of each distribution is determined as hs = 100 nm by statistically processing the data of the height of the frequency distribution.
Therefore, the low altitude region of the distribution less than hs is h <m1−σ1 = 28.1 nm, the medium altitude region is m1−σ1 = 28.1 nm ≦ h ≦ m1 + σ1 = 77.7 nm, and the high altitude region is It becomes m1 + σ1 = 77.7 nm <h <hs = 100 nm.
Further, since the number Nm1 of multimodal microprotrusions in the middle altitude region is two, Nm1 / Nt in the middle altitude region is 0.015. Since the number Nm1 of multimodal microprotrusions in the low altitude region is zero, Nm1 / Nt in the low altitude region is zero. Since the number Nm1 of multimodal microprotrusions in the high altitude region is zero, Nm1 / Nt in the high altitude region is zero.
Accordingly, the antireflective article of the example shown in FIG. 19 has the relationship of (c) and (d) above in the distribution of less than hs, that is,
(C) Nm1 / Nt = 0.015> Nm1 / Nt = 0 in the low altitude region
(D) Nm1 / Nt = 0.015> Nm1 / Nt = 0 in the high altitude region
Meet the relationship.

また、hs以上(高さが高い側)の分布の微小突起については、高さhの平均値がm2=209.2nmであり、標準偏差がσ2=39.4nmである。
そのため、hs以上の分布の低高度領域は、hs=100nm≦h<m2−σ2=169.9nmとなり、中高度領域は、m2−σ2=169.9nm≦h≦m2+σ2=248.7nmとなり、高高度領域は、m+σ=248.7nm<hとなる。
また、中高度領域の多峰性微小突起の数Nm2は、19個であるので、中高度領域のNm2/Ntは、0.145となる。低高度領域の多峰性微小突起の数Nm2は、3個であるので、低高度領域のNm2/Ntは、0.023となる。高高度領域の多峰性微小突起の数Nm2は、0個であるので、高高度領域のNm2/Ntは、0となる。
従って、図19に示す例の反射防止物品は、hs以上の分布においても、上記(e)、(f)の関係、すなわち、
(e) 中高度領域のNm2/Nt=0.145>低高度領域のNm2/Nt=0.023
(f) 中高度領域のNm2/Nt=0.145>高高度領域のNm2/Nt=0
の関係を満たす。
In addition, for the microprotrusions having a distribution of hs or higher (higher height side), the average value of the height h is m2 = 209.2 nm and the standard deviation is σ2 = 39.4 nm.
Therefore, hs = 100 nm ≦ h <m2-σ2 = 169.9 nm in the low altitude region of the distribution of hs or more, and m2−σ2 = 169.9 nm ≦ h ≦ m2 + σ2 = 248.7 nm in the medium altitude region. The altitude region is m + σ = 248.7 nm <h.
In addition, since the number Nm2 of multimodal microprotrusions in the middle altitude region is 19, the Nm2 / Nt in the middle altitude region is 0.145. Since the number Nm2 of multimodal microprotrusions in the low altitude region is three, Nm2 / Nt in the low altitude region is 0.023. Since the number Nm2 of multimodal microprotrusions in the high altitude region is zero, Nm2 / Nt in the high altitude region is zero.
Accordingly, the antireflective article of the example shown in FIG. 19 has the relationship of the above (e) and (f) even in the distribution of hs or more, ie,
(E) Nm2 / Nt = 0.145 in the medium altitude region> Nm2 / Nt = 0.023 in the low altitude region
(F) Nm2 / Nt = 0.145 in the middle altitude region> Nm2 / Nt = 0 in the high altitude region
Meet the relationship.

微細突起のアスペクト比(平均突起高さHAVG/平均隣接突起間隔dAVG)は0.8〜5.0とすることができ、中でも、反射防止性能の観点から、0.8〜2.5であることが好ましく、更に、1.0〜2.1であることがより好ましい。 The aspect ratio (average protrusion height H AVG / average adjacent protrusion distance d AVG ) of the fine protrusions can be 0.8 to 5.0, and in particular, from the viewpoint of the antireflection performance, 0.8 to 2.5 Is preferably, and more preferably 1.0 to 2.1.

本発明において、前記微細凹凸層の厚みは、適宜調整すればよい。微細凹凸層2の厚み(図1におけるT)は、透明基材1の表面に前記微細凹凸形状を形成可能な最低限の厚みにて各種性能を発現可能である。しかしながら後述の賦型プロセスでの生産性を考慮すると、厚みが薄い場合は異物による外観欠陥が発生しやすく、厚みが厚いと賦型速度が低下したりカールの懸念が高くなるため、3μm〜30μmであることが好ましく、5μm〜10μmであることがより好ましい。なお、微細凹凸層の厚みとは、微細凹凸層の透明基材側の界面から、最も高さの高い微小突起の頂部の高さまでの基材平面に対する垂線方向の距離を意味する。   In the present invention, the thickness of the fine uneven layer may be appropriately adjusted. The thickness (T in FIG. 1) of the fine uneven layer 2 can exhibit various performances with the minimum thickness that can form the fine uneven shape on the surface of the transparent substrate 1. However, considering the productivity in the forming process described later, when the thickness is thin, appearance defects due to foreign matter are easily generated, and when the thickness is thick, the forming speed decreases and the concern of curling increases, so 3 μm to 30 μm Is preferably, and more preferably 5 μm to 10 μm. In addition, the thickness of a fine concavo-convex layer means the distance of the perpendicular direction to the substrate plane from the interface by the side of the transparent substrate of a fine concavo-convex layer to the height of the top of the highest microprotrusions.

<透明基材>
本発明に係る反射防止物品は、支持体として透明基材を含む。本発明に用いられる透明基材は、反射防止物品に用いられる公知の透明基材の中から用途に応じて適宜選択して用いることができる。透明基材に用いられる材料の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等の透明樹脂や、ソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン(PLZT)等のセラミックス、石英、蛍石等の透明無機材料等が挙げられる。
中でも、アウトガスの発生が低減される点から、前記透明基材は、主成分としてポリエステル系樹脂を含むものであることが好ましく、前記ポリエステル系樹脂としては中でもポリエチレンテレフタレートが好ましい。なおここで、主成分とは、基材全体の50質量%以上を占める成分のことをいう。また、前記透明基材は、ポリエステル系樹脂を基材全体の80質量%以上含有することがより好ましく、90質量%以上含有することが更により好ましく、前記ポリエステル系樹脂としては中でもポリエチレンテレフタレートが好ましい。
<Transparent base material>
The antireflective article according to the present invention comprises a transparent substrate as a support. The transparent substrate used in the present invention can be appropriately selected and used according to the application from known transparent substrates used for the antireflective article. Specific examples of the material used for the transparent substrate include polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, olefin resins such as polyethylene and polymethylpentene, polyurethane resins, polyether sulfone, polycarbonate, polysulfone, and poly Transparent resin such as ether, polyether ketone, acrylonitrile, methacrylonitrile, cycloolefin polymer, cycloolefin copolymer, glass such as soda glass, potassium glass, lead glass, ceramics such as lead zirconate titanate (PLZT), Transparent inorganic materials such as quartz and fluorite can be mentioned.
Among them, it is preferable that the transparent base material contains a polyester resin as a main component from the viewpoint that generation of outgas is reduced, and among the polyester resins, polyethylene terephthalate is preferable. Here, the main component means a component that occupies 50% by mass or more of the entire base material. The transparent substrate preferably contains a polyester resin in an amount of 80% by mass or more of the entire substrate, more preferably 90% by mass or more, and the polyester resin is preferably polyethylene terephthalate. .

前記透明基材は、視認性の点から、可視光領域における透過率が80%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましい。ここで、透明基材の透過率は、JIS K7361−1(プラスチック−透明材料の全光透過率の試験方法)により測定することができる。   The transparent substrate preferably has a transmittance of 80% or more, more preferably 90% or more, in the visible light region, from the viewpoint of visibility. Here, the transmittance of the transparent substrate can be measured in accordance with JIS K7361-1 (Plastic-Test Method of Total Light Transmittance of Transparent Material).

前記透明基材の厚みは、本発明の反射防止物品の用途に応じて適宜設定することができ、ロールの形で供給されるもの、巻き取れるほどには曲がらないが負荷をかけることによって湾曲するもの、完全に曲がらないもののいずれであってもよく、特に限定されないが、通常10〜5000μmである。   The thickness of the transparent substrate can be appropriately set according to the application of the antireflective article of the present invention, and is supplied in the form of a roll, it does not bend to such an extent that it can be wound, but it bends by applying a load. Although it may be any of those which do not completely bend, and is not particularly limited, it is usually 10 to 5000 μm.

本発明に用いられる透明基材の構成は、単一の層からなる構成に限られるものではなく、複数の層が積層された構成を有してもよい。複数の層が積層された構成を有する場合は、同一組成の層が積層されてもよく、また、異なった組成を有する複数の層が積層されてもよい。
また、透明基材と微細凹凸層との密着性を向上させ、ひいては耐摩耗性(耐傷性)を向上させるためのプライマー層を透明基材上に形成してもよい。このプライマー層は、透明基材と、当該透明基材とプライマー層を介して隣接する微細凹凸層に密着性を有し、可視光を透過するものが好ましい。また透明基材と微細凹凸層の屈折率差により干渉ムラが出る場合にはプライマー層の屈折率を透明基材と微細凹凸層の中間の値に調整することでムラ軽減が可能である。
The structure of the transparent substrate used in the present invention is not limited to the structure consisting of a single layer, and may have a structure in which a plurality of layers are laminated. When a plurality of layers are stacked, layers of the same composition may be stacked, or a plurality of layers having different compositions may be stacked.
In addition, a primer layer may be formed on the transparent substrate to improve the adhesion between the transparent substrate and the fine uneven layer and to improve the abrasion resistance (scratch resistance). The primer layer preferably has adhesiveness to the transparent base material and the fine uneven layer adjacent to the transparent base material via the primer layer, and preferably transmits visible light. When interference unevenness occurs due to the difference in refractive index between the transparent base and the fine uneven layer, unevenness can be reduced by adjusting the refractive index of the primer layer to a value intermediate between the transparent base and the fine uneven layer.

本発明に係る反射防止物品の反射率は、特に限定はされないが、0.15%以下であることが好ましく、0.10%以下であることがより好ましい。
本発明において反射防止物品の光の反射率は、黒アクリル板に粘着剤を介して、測定対象となる反射防止性物品の透明基材側を貼合し、紫外可視分光光度計(例えば日本分光社製の商品名「V−7100」等)を用いて、JIS Z8701−1999に準拠して、2度視野(D65光源)により、反射防止物品表面への5°正反射率を測定することにより、求めることができる。
The reflectance of the antireflective article according to the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.15% or less, and more preferably 0.10% or less.
In the present invention, the light reflectance of the antireflective article is obtained by bonding the transparent substrate side of the antireflective article to be measured to a black acrylic plate via an adhesive, and using a UV-visible spectrophotometer (for example, JASCO Corporation By measuring 5 ° regular reflectance on the surface of the antireflective article using a two-degree field of view (D65 light source) according to JIS Z8701-1999, using a trade name of “V-7100”, etc. , You can ask.

[反射防止物品の製造方法]
本発明の反射防止物品は、透明基材上に樹脂組成物を用いて微細凹凸層を形成すればよく、従来公知の方法の中から適宜選択して形成することができる。
本発明に係る反射防止物品の製造方法は、例えば、前記透明基材上に、前記微細凹凸層用の樹脂組成物を塗布し、微細凹凸層形成用原版の微細凹凸形状を、前記樹脂組成物の塗膜に賦型した後、前記樹脂組成物を硬化させることにより微細凹凸層を形成し、前記微細凹凸層形成用原版から剥離する方法等が挙げられる。
[Method of manufacturing antireflective article]
The antireflective article of the present invention may be formed of a resin composition on a transparent substrate using a resin composition, and may be appropriately selected from conventionally known methods.
In the method for producing an antireflective article according to the present invention, for example, the resin composition for the fine asperity layer is applied on the transparent substrate, and the fine asperity shape of the original plate for forming the fine asperity layer is the resin composition. After forming in the coating film of this, the fine uneven | corrugated layer is formed by hardening the said resin composition, The method of peeling from the said original plate for fine uneven | corrugated layer formation, etc. are mentioned.

前記微細凹凸層形成用原版としては、繰り返し使用した際に変形および摩耗するものでなければ、特に限定されるものではなく、金属製であっても良く、樹脂製、セラミックス製等であっても良いが、通常、金属製が好適に用いられる。耐変形性および耐摩耗性に優れているからである。尚、金属製、非金属製何れの場合も、以降、金型と呼称する。
前記微細凹凸層形成用原版の微細凹凸形状を有する面は、特に限定されないが、酸化されやすく、陽極酸化による加工が容易である点から、アルミニウムからなることが好ましい。
前記微細凹凸層形成用原版は、具体的には、例えば、ステンレス鋼、銅、アルミニウム等の金属製の母材の表面に、直接に又は他の層を介して、スパッタリング等により純度の高いアルミニウム層が設けられ、当該アルミニウム層に微細凹凸形状を形成したものが挙げられる。前記母材は、前記アルミニウム層を設ける前に、電解溶出作用と、砥粒による擦過作用の複合による電解複合研磨法によって母材の表面を超鏡面化しても良い。アルミニウム純度は、通常、99重量%以上の物が用いられる。
また、前記微細凹凸層形成用原版の形状としては、所望の形状を賦型することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、平板状であっても良く、ロール(中空円筒又は中実円柱)状であっても良いが、前記微細凹凸層形成用原版は、生産性向上の観点からは、ロール状の金型(以下、「ロール金型」と称する場合がある。)を用いることが好ましい。
本発明において用いられるロール金型としては、例えば、母材として、円筒形状の金属材料を用い、当該母材の周側面に、直接に又は各種の中間層を介して設けられたアルミニウム層に、上述したように、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにより、微細な凹凸形状が作製されたものが挙げられる。
前記微細凹凸層形成用原版に微細凹凸形状を形成する方法としては、例えば、陽極酸化法によって前記アルミニウム層の表面に複数の微細穴を形成する陽極酸化工程と、前記アルミニウム層をエッチングすることにより前記微細穴の開口部にテーパー形状を形成する第1エッチング工程と、前記アルミニウム層を前記第1エッチング工程のエッチングレートよりも高いエッチングレートでエッチングすることにより前記微細穴の穴径を拡大する第2エッチング工程とを順次繰り返し実施することによって形成することができる。即ち、図14に示すように、陽極酸化工程A1、…、AN、エッチング工程E1、…、ENを交互に繰り返して母材を処理し、ロール金型を作製する。
微細凹凸形状を形成する際には、アルミニウム層の純度(不純物量)や結晶粒径、陽極酸化処理及び/又はエッチング処理の諸条件を適宜調整することによって、所望の形状とすることができる。前記陽極酸化処理において、より具体的には、液温、印加する電圧、陽極酸化に供する時間等の管理により、微細な穴をそれぞれ目的とする深さ及び微小突起形状に対応する形状に作製することができる。
このようにして、前記微細凹凸層形成用原版は、深さ方向に徐々に穴径が小さくなる多数の微細穴が密に作製される。当該微細凹凸層形成用原版を用いて製造される微細凹凸層には、前記微細穴に対応して、頂部に近付くに従って徐々に径が小さくなる微小突起群を備えた微細凹凸が形成され、すなわち、当該微細凹凸の深さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における当該微細凹凸を形成する材料部分の断面積占有率が、当該微細凹凸の頂部から最深部方向に近づくに従い連続的に漸次増加する微細凹凸形状が形成される。
The original plate for forming the fine concavo-convex layer is not particularly limited as long as it is not deformed and worn when used repeatedly, and may be metal, resin, ceramic or the like. Although it is good, usually, metal is preferably used. It is because it is excellent in deformation resistance and abrasion resistance. In the case of metal or non-metal, hereinafter, it is referred to as a mold.
The surface having the fine concavo-convex shape of the fine concavo-convex layer forming original plate is not particularly limited, but is preferably made of aluminum from the viewpoint of easy oxidation and easy processing by anodic oxidation.
Specifically, the original plate for forming a fine uneven layer is, for example, aluminum having high purity by sputtering or the like directly or through another layer on the surface of a metal base material such as stainless steel, copper, aluminum or the like. A layer is provided, and what formed fine concavo-convex shape in the aluminum layer concerned is mentioned. The surface of the base material may be ultra-mirror-polished by an electrolytic composite polishing method using a combination of an electrolytic elution action and an abrasion action by abrasives before providing the aluminum layer. The purity of aluminum is usually 99% by weight or more.
Further, the shape of the fine concavo-convex layer forming original plate is not particularly limited as long as it can form a desired shape, and may be, for example, a flat plate, and a roll (hollow cylinder Although it may be in the form of a solid cylinder, the original plate for forming a fine uneven layer may be a roll-shaped mold (hereinafter may be referred to as a "roll mold") from the viewpoint of productivity improvement. It is preferable to use
As a roll mold used in the present invention, for example, a cylindrical metal material is used as a base material, and an aluminum layer provided directly or via various intermediate layers on the circumferential side surface of the base material, As mentioned above, what the fine uneven | corrugated shape was produced by repetition of anodizing treatment and an etching process is mentioned.
As a method of forming a fine concavo-convex shape on the original plate for fine concavo-convex layer formation, for example, an anodic oxidation step of forming a plurality of fine holes on the surface of the aluminum layer by an anodic oxidation method, and etching the aluminum layer The first etching step of forming a tapered shape at the opening of the microhole, and the diameter of the microhole is enlarged by etching the aluminum layer at an etching rate higher than the etching rate of the first etching step. It can form by repeatedly performing 2 etching processes one by one. That is, as shown in FIG. 14, the base material is treated alternately by repeating the anodic oxidation steps A1,..., AN, and the etching steps E1,.
When forming the fine concavo-convex shape, it is possible to obtain a desired shape by appropriately adjusting the purity (amount of impurities) of the aluminum layer, the crystal grain diameter, and various conditions of the anodizing treatment and / or the etching treatment. More specifically, in the anodizing treatment, the minute holes are fabricated to have the shapes corresponding to the intended depth and the shape of the minute projections, respectively, by controlling the liquid temperature, the applied voltage, the time for anodizing, etc. be able to.
In this manner, in the micro-relief layer forming original plate, a large number of micro holes are formed densely in which the hole diameter gradually decreases in the depth direction. In the fine concavo-convex layer manufactured using the fine concavo-convex layer forming original plate, the fine concavities and convexities provided with fine protrusions having a diameter gradually decreasing toward the top are formed corresponding to the fine holes, ie, The cross-sectional area occupancy of the material portion forming the micro-concavity and convexity in the horizontal cross section when it is assumed that the micro-concave is cut along a horizontal plane orthogonal to the depth direction of the micro-concavity and convexity approaches the deepest direction from the top of the micro-concavity and convexity In accordance with the above, a micro-concave / convex shape that gradually and continuously increases is formed.

(微小突起を形成する微細穴の形成過程)
次に、多峰性微小突起を形成し、また、微小突起の高さの分布が制御された微細な穴が形成される方法について説明する。上述したように、賦型用金型(ロール版)に形成される微細穴は、陽極酸化処理及びエッチング処理の交互の繰り返しによって形成されるが、この繰り返しの陽極酸化処理における印加電圧を可変することによって、微細穴の深さ(微小突起の高さ分布)を制御することができる。ここで、陽極酸化処理における印加電圧と、形成される微細穴の間隔(ピッチ)とは、比例する関係にあるため、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにおいて、陽極酸化処理の印加電圧を可変すれば、深さ方向に掘り進める時間が相違する微細穴を混在させてその比率を制御することができる。
(Formation process of micro holes forming micro projections)
Next, a method of forming multimodal microprotrusions and forming minute holes in which the distribution of the heights of the microprotrusions is controlled will be described. As described above, the fine holes formed in the molding die (roll plate) are formed by alternately repeating the anodizing treatment and the etching treatment, but the voltage applied in the repetitive anodizing treatment is varied. Thereby, the depth of the micropores (height distribution of microprotrusions) can be controlled. Here, since the applied voltage in the anodizing treatment is in proportion to the interval (pitch) of the micro holes to be formed, the applied voltage of the anodizing treatment can be varied in repetition of the anodizing treatment and the etching treatment. For example, it is possible to control the ratio by mixing fine holes having different time to dig in the depth direction.

また、このように陽極酸化処理における印加電圧を可変する場合にあっては、太さ(径)の太い微細穴の底面に、複数の微細穴を作成して多峰性微小突起に係る微細穴とすることができる。この太さの太い微細穴の高さの制御等により、多峰性微小突起についても、高さ分布を制御することができる。   In addition, in the case of varying the applied voltage in the anodizing treatment as described above, a plurality of fine holes are formed on the bottom of a thick fine hole having a large diameter (diameter), and the fine holes pertaining to multimodal fine protrusions are created. It can be done. The height distribution of the multimodal microprotrusions can also be controlled by controlling the height of the thick micropores.

図15は、図14の金型の製造工程により形成される微細穴の形成過程を示す模式図であって、高さ分布の制御の説明に供する模式図である。
上述したように、陽極酸化処理における印加電圧と、微細穴のピッチとの関係は比例関係であるが、実際上、処理に供するアルミニウムの粒界等により微細穴のピッチにはばらつきが生じる。しかし、図15においては、このばらつきが存在しないものとして、微細穴が規則正しい配列により作製されるものとして説明する。なお、図15(a)〜図15(e)において、左側の図は、ロール金型の表面の拡大図を示し、右側の図は、左側の図におけるa−a断面図を示す。
FIG. 15 is a schematic view showing a process of forming the fine holes formed by the manufacturing process of the mold of FIG. 14, and is a schematic view serving to explain control of the height distribution.
As described above, although the relationship between the applied voltage in the anodizing treatment and the pitch of the fine holes is a proportional relation, practically, the pitch of the fine holes varies due to the grain boundary of aluminum to be subjected to the treatment. However, in FIG. 15, it is assumed that the fine holes are produced by the regular arrangement, assuming that this variation does not exist. In Drawing 15 (a)-Drawing 15 (e), the figure on the left shows the enlarged drawing of the surface of a roll metallic mold, and the figure on the right shows aa cross section in the figure on the left.

(第1の工程)
図15(a)に示すように、まず、賦型用金型の表面のアルミニウム層に、電圧V1を印加して陽極酸化工程A1を実行した後に、エッチング工程E1を実行し、微細穴f1を形成する。ここで、陽極酸化工程A1は、アルミニウムのフラット面に後続する陽極酸化処理のきっかけを作製するものである。なお、この場合、エッチング工程を適宜省略してもよい。
(First step)
As shown in FIG. 15 (a), first, an anodic oxidation step A1 is performed by applying a voltage V1 to the aluminum layer on the surface of the forming mold, and then an etching step E1 is performed to make fine holes f1. Form. Here, the anodizing step A1 is for producing a trigger for anodizing treatment subsequent to the flat surface of aluminum. In this case, the etching process may be omitted as appropriate.

(第2の工程)
次に、電圧V1よりも高い電圧V2(V2>V1)を印加して陽極酸化工程A2を実行した後に、エッチング工程E2を実行する。これにより、陽極酸化工程A2では、図15(b)に示すように、先の陽極酸化工程A1により形成された微細穴f1のうち、陽極酸化工程A2に対応する間隔の微細穴f1を更に掘り下げる。
本実施形態では、陽極酸化工程A2によって、先の陽極酸化工程A1で形成された微細穴f1を二つ置きに掘り進める処理が行われる。従って、賦型用金型の表面には、二つ置きに広くかつ深く掘り下げられた微細穴f2が形成され、ロール版13の表面には、微細穴f1と微細穴f2とが混在する状態となる。
(Second step)
Next, after an anodic oxidation step A2 is performed by applying a voltage V2 (V2> V1) higher than the voltage V1, an etching step E2 is performed. Thereby, in the anodizing step A2, as shown in FIG. 15 (b), among the fine holes f1 formed in the previous anodizing step A1, the fine holes f1 at the intervals corresponding to the anodizing step A2 are further dug down .
In the present embodiment, in the anodizing step A2, a process of digging every other fine hole f1 formed in the previous anodizing step A1 is performed. Therefore, on the surface of the forming mold, fine holes f2 are formed widely and deeply dug down every other two, and on the surface of the roll plate 13, the fine holes f1 and the fine holes f2 are mixed. Become.

(第3の工程)
続いて、電圧V2よりも高い電圧V3(V3>V2)を印加して陽極酸化工程A3を実行した後に、エッチング工程E3を実行する。この工程では、ピッチの異なる微細穴を作製する。具体的には、印加する電圧を、電圧V2から電圧V3へ徐々に上昇させ、この印加電圧の上昇を離散的(段階的)に実行すると、微小突起の高さ分布(微細穴の深さ分布)を離散的に作製することができ、この印加電圧の上昇を連続的に実行すると、微小突起の高さ分布を正規分布に設定することができる。そのため、本実施形態では、陽極酸化工程A3における印加電圧の印加時間、エッチング工程の処理時間を上述の第1の工程、第2の工程よりも長く設定することにより、図15(c)に示すように、最初の陽極酸化工程A1において形成された微細穴f1が二つ、一つに纏まるように広くかつ深く掘り進められ、また、その一つに纏められた微細穴f3の底面が略平坦に形成される(平坦微細穴形成工程)。ここで、略平坦とは、微細穴の底面が平坦な状態だけでなく、その底面が大きい曲率半径で湾曲している状態をも含む状態をいう。
(Third step)
Subsequently, after an anodic oxidation step A3 is performed by applying a voltage V3 (V3> V2) higher than the voltage V2, an etching step E3 is performed. In this process, fine holes with different pitches are produced. Specifically, when the voltage to be applied is gradually raised from the voltage V2 to the voltage V3 and this rise in the applied voltage is performed discretely (stepwisely), the height distribution of the microprotrusions (the distribution of the depths of the micro holes) Can be discretely produced, and the elevation of the microprotrusions can be set to a normal distribution by continuously executing the increase of the applied voltage. Therefore, in the present embodiment, the application time of the applied voltage in the anodizing step A3 and the processing time of the etching step are set longer than the first step and the second step described above, as shown in FIG. As such, the fine holes f1 formed in the first anodizing step A1 are dug widely and deeply so as to be two and one, and the bottom of the fine holes f3 collected in one is substantially flat. (Flat micro hole forming step). Here, substantially flat refers to a state including not only the state in which the bottom of the microhole is flat but also the state in which the bottom is curved with a large radius of curvature.

(第4の工程)
続いて、電圧V3よりも高い電圧V4(V4>V3)を印加して陽極酸化工程A4を実行した後に、エッチング工程E4を実行する。この工程では、目的とする突起間間隔によるピッチにより微細穴を作成する。この陽極酸化工程A4においても、印加電圧は、電圧V3から電圧V4へ徐々に上昇させる。これにより、上記第3の工程により掘り進められた微細穴f3の一部が更に掘り進められ、その結果、図15(d)に示すように、微細穴f4となり、この微細穴f4が高さの高い単峰性微小突起を形成する。
(4th step)
Subsequently, after an anodic oxidation step A4 is performed by applying a voltage V4 (V4> V3) higher than the voltage V3, an etching step E4 is performed. In this process, a minute hole is created by the pitch according to the target inter-projection distance. Also in the anodic oxidation step A4, the applied voltage is gradually raised from the voltage V3 to the voltage V4. As a result, a part of the micro holes f3 excavated in the third step is further excavated, and as a result, as shown in FIG. 15 (d), the micro holes f4 are formed, and the micro holes f4 have a height Form high unimodal microprojections.

(第5の工程)
続いて、印加電圧を上記第1の工程における電圧V1に変更して陽極酸化工程A5を実行した後に、エッチング工程E5を実行する。この工程では、陽極酸化工程A3において形成された微細穴f3であって、第4の工程の陽極酸化工程A4の影響を受けていない微細穴f3の底面に、図15(e)に示すように、微細穴を複数個形成し、多峰性微小突起に対応する微細穴f5を形成する(多峰突起用微細穴形成工程)。ここで、印加する電圧V1の大きさを調整することによって、微細穴f5の底面に形成される微細穴の数を増減したり、その微細穴の間隔を調整したりすることができる。
(Fifth step)
Subsequently, after the anodic oxidation step A5 is performed by changing the applied voltage to the voltage V1 in the first step, the etching step E5 is performed. In this step, as shown in FIG. 15 (e), the bottom surface of the fine hole f3 which is the fine hole f3 formed in the anodizing step A3 and which is not affected by the anodizing step A4 in the fourth step. And forming a plurality of micro holes to form micro holes f5 corresponding to the multimodal micro projections (multi-hole projection micro hole forming step). Here, by adjusting the magnitude of the voltage V1 to be applied, it is possible to increase or decrease the number of fine holes formed on the bottom of the fine hole f5, or to adjust the distance between the fine holes.

以上より、賦型用金型の表面には、高さの異なる微小突起を形成する微細穴f1、f2、f4や、多峰性微小突起を形成する微細穴f5が形成される。
ここで、この一連の工程では、第1の工程及び第2の工程により作製された深さの異なる微細穴f1、f2を、第3の工程で掘り進めて底面の略平坦な微細穴f3を作製し、第4の工程において、この微細穴f3を掘り進めて単峰性微小突起に係る微細穴f4を作製し、また、第5の工程において、この微細穴f3の底面を加工して多峰性微小突起に係る微細穴f5を作製している。ここで、第1の工程から第4の工程に係る陽極酸化工程の印加時間、処理時間、エッチング工程の処理時間等を制御して、各工程で作製される微細穴の深さを制御することにより、微小突起の高さの分布や、多峰性微小突起の高さの分布を制御することができる。なお、上述の第1の工程〜第5の工程は、必要に応じて回数を省略したり、繰り返したり、工程を一体化したりすることができる。
From the above, on the surface of the forming mold, micro holes f1, f2, f4 forming micro projections different in height, and micro holes f5 forming multimodal micro projections are formed.
Here, in this series of steps, the minute holes f1 and f2 having different depths produced in the first step and the second step are excavated in the third step to form substantially flat minute holes f3 on the bottom surface. In the fourth step, the minute holes f3 are dug-advanced to prepare the minute holes f4 associated with the unimodal microprotrusions, and in the fifth step, the bottom of the minute holes f3 is processed to form many holes. The micro hole f5 which concerns on a peak microprotrusion is produced. Here, controlling the application time, the processing time, the processing time of the etching process, etc. of the anodizing process according to the first to fourth processes, and controlling the depth of the micro holes produced in each process Thus, it is possible to control the distribution of the heights of the microprojections and the distribution of the heights of the multimodal microprojections. In the first to fifth steps described above, the number of times may be omitted, repeated, or the steps may be integrated as necessary.

図16は、図14の金型の製造工程において、微小突起の高さ分布の制御に係る深さの異なる微細穴が形成される過程の説明に供する模式図である。   FIG. 16 is a schematic view for explaining a process of forming micro holes of different depths involved in the control of the height distribution of the micro protrusions in the manufacturing process of the mold of FIG.

(第1の工程)
ここで図16(a)に示すように、第1の工程において、先ず、賦型用金型の表面のアルミニウム層に、電圧V1を印加して陽極酸化工程A1を実行した後に、エッチング工程E1を実行し、微細な穴f1を形成する。ここで、陽極酸化工程A1は、アルミニウムのフラット面に後続する陽極酸化処理のきっかけを作製するものである。なお、この場合、エッチング工程を適宜省略してもよい。
(First step)
Here, as shown in FIG. 16A, in the first step, first, the voltage V1 is applied to the aluminum layer on the surface of the molding die to perform the anodic oxidation step A1, and then the etching step E1. To form fine holes f1. Here, the anodizing step A1 is for producing a trigger for anodizing treatment subsequent to the flat surface of aluminum. In this case, the etching process may be omitted as appropriate.

(第2の工程)
次に、電圧V1よりも高い電圧V2(V2>V1)を印加して陽極酸化工程A2を実行した後に、エッチング工程E2を実行する。これにより、陽極酸化工程A2では、図16(b)に示すように、先の陽極酸化工程A1により形成された微細な穴f1のうち、陽極酸化工程A2に対応する間隔の微細な穴f1を更に掘り下げる。
(Second step)
Next, after an anodic oxidation step A2 is performed by applying a voltage V2 (V2> V1) higher than the voltage V1, an etching step E2 is performed. Thereby, in the anodizing step A2, as shown in FIG. 16 (b), among the fine holes f1 formed in the previous anodizing step A1, the fine holes f1 corresponding to the anodizing step A2 are Dig deeper.

ここで印加電圧V2をV2=2×V1に設定すると、陽極酸化工程A2によって、先の陽極酸化工程A1で形成された微細な穴f1を一つ置きに掘り進める処理が行われる。従って、賦型用金型の表面には、一つ置きに広くかつ深く掘り下げられた微細な穴f2が形成され、成形型の表面には、微細な穴f1と微細な穴2とが混在する状態となる。   Here, when the applied voltage V2 is set to V2 = 2 × V1, in the anodic oxidation step A2, a process of digging every other fine hole f1 formed in the previous anodic oxidation step A1 is performed. Therefore, on the surface of the forming mold, fine holes f2 which are widely and deeply dug down are alternately formed, and the fine holes f1 and the fine holes 2 are mixed on the surface of the mold. It becomes a state.

(第3の工程)
続いて、電圧V1と電圧V2の間の電圧V3(V2>V3>V1)を印加して陽極酸化工程A3を実行した後に、エッチング工程E3を実行する。この工程では、ピッチの異なる微細な穴を作製する。具体的には、印加する電圧を、電圧V3として、縦横に面内に配列した微細な穴f2の間に存在する図示の如くの特定の微細な穴f1を一つ置きに広く且つ深く掘り下げる。ここで印加電圧V3をV3=(V1)1/2に設定すると、陽極酸化工程A3における印加電圧の印加時間、エッチング工程の処理時間を上述の第1の工程よりも長く設定することにより、図16(c)に示すように、最初の陽極酸化工程A1において形成された微細な穴f1のうち、4個の微細な穴f2で囲まれる最小の四角形の中心に位置する微細な穴f1が選択的に深く掘り下げられる。且つ同時に、第2の陽極酸化工程A2形成された微細な穴f2のうちで図16(c)で図示される位置関係に有る一部のものが更に掘り下げられ、微細な穴f3となる。
(Third step)
Subsequently, a voltage V3 (V2>V3> V1) between the voltage V1 and the voltage V2 is applied to perform the anodic oxidation step A3, and then the etching step E3 is performed. In this process, fine holes with different pitches are produced. Specifically, the voltage to be applied is a voltage V3, and a specific fine hole f1 as shown in the drawing is dug widely and deeply every other fine hole f1 as shown between the fine holes f2 arranged in the longitudinal and lateral directions. Here, when the applied voltage V3 is set to V3 = (V1) 1/2 , the application time of the applied voltage in the anodic oxidation step A3 and the processing time of the etching step are set longer than the first step described above. As shown in FIG. 16 (c), among the fine holes f1 formed in the first anodic oxidation step A1, the fine hole f1 located at the center of the smallest square surrounded by the four fine holes f2 is selected. Deeply in depth. At the same time, among the fine holes f2 formed in the second anodic oxidation step A2, part of the fine holes f2 shown in FIG. 16 (c) are further dug down to form fine holes f3.

その結果、図16(c)に示すように、微細な穴f1(これが最も高さの低い微小突起に対応する穴となる)の周囲をf1よりも深い微細な穴f2及びf3(それぞれ中程度及び高程度の高さの微小突起に対応する穴となる)によって周囲を包囲された穴群が面内に配列した表面構造を有する成形型が得られる。   As a result, as shown in FIG. 16 (c), the fine holes f2 and f3 (medium) respectively deeper than f1 are present around the fine holes f1 (which will be the holes corresponding to the lowest micro protrusions). And, a mold having a surface structure in which holes surrounded in the plane are arranged in the plane by the holes corresponding to the microprotrusions of a high height) is obtained.

このように複数回の陽極酸化処理における印加電圧の切り替えにより掘り進める微細穴が異なることにより、微細穴の深さを大きく異ならせることができ、これにより意図する分布により微小突起の高さを制御することができる。   As described above, since the micro holes to be excavated differ depending on the switching of the applied voltage in a plurality of times of anodizing treatment, the depth of the micro holes can be largely different, and thereby the height of the micro projections is controlled by the intended distribution. can do.

図5に、微細凹凸層形成用の樹脂組成物として光硬化性樹脂組成物を用い、微細凹凸層形成用原版としてロール金型を用いた場合に、透明基材上に微細凹凸層を形成する方法の一例を示す。
図5に示す方法では、樹脂供給工程において、帯状フィルム形態の透明基材45に、ダイ41により微細凹凸層形成用の樹脂組成物を塗布し、微小突起形状を受容する受容層46を形成する。樹脂組成物の塗布方法については、ダイ41による場合に限らず、各種の手法を適用することができる。続いて、押圧ローラ43により、微細凹凸層形成用原版であるロール金型42の周側面に透明基材を加圧押圧し、これにより透明基材に受容層46を密着させると共に、ロール金型42の周側面に作製された微細な凹凸形状の凹部に、受容層46を構成する樹脂組成物を充分に充填する。この状態で、紫外線の照射により樹脂組成物を硬化させ、これにより透明基材表面に微細凹凸層を作製する。続いて剥離ローラ44を介してロール金型42から、硬化した微細凹凸層と一体に透明基材を剥離する。必要に応じてこの透明基材に粘着層等を作製した後、所望の大きさに切断して反射防止物品10が得られる。これにより反射防止物品は、ロール材による長尺の透明基材45に、微細凹凸層形成用原版であるロール金型42の周側面に作製された微細凹凸形状を順次賦型して、効率良く大量生産される。
When a photocurable resin composition is used as the resin composition for forming the fine asperity layer in FIG. 5 and a roll mold is used as the original plate for forming the fine asperity layer, the fine asperity layer is formed on the transparent substrate. An example of the method is shown.
In the method shown in FIG. 5, in the resin supplying step, the resin composition for forming the fine uneven layer is applied to the transparent substrate 45 in the form of a belt-like film by the die 41 to form the receiving layer 46 that receives the microprojection shape. . The application method of the resin composition is not limited to the case using the die 41, and various methods can be applied. Subsequently, the transparent substrate is pressed against the peripheral side surface of the roll mold 42, which is a fine concavo-convex layer forming original plate, by the pressure roller 43, thereby closely adhering the receptive layer 46 to the transparent base material. The resin composition which comprises the receiving layer 46 is fully filled in the recessed part of the fine uneven | corrugated shape produced on the 42nd circumferential side. In this state, the resin composition is cured by irradiation of ultraviolet rays, thereby producing a fine uneven layer on the surface of the transparent substrate. Subsequently, the transparent base material is peeled off integrally with the hardened fine asperity layer from the roll mold 42 through the peeling roller 44. After preparing a pressure-sensitive adhesive layer or the like on this transparent base material as necessary, it is cut into a desired size to obtain an antireflective article 10. In this way, the antireflective article sequentially forms the fine concavo-convex shape produced on the circumferential side surface of the roll mold 42, which is a fine concavo-convex layer forming original, on the long transparent base material 45 of the roll material, efficiently Mass produced.

また上述の実施形態では、ロール金型を使用した賦型処理によりフィルム形状の反射防止物品を生産する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて、例えば平板、特定の曲面形状による賦型用金型を使用した枚葉の処理により反射防止物品を作成する場合等、賦型処理に係る工程、微細凹凸層形成用原版は、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて適宜変更することができる。   Moreover, although the above-mentioned embodiment described the case where the film-shaped antireflection article is produced by the forming process using a roll mold, the present invention is not limited to this, and a transparent substrate according to the shape of the antireflection article Depending on the shape of the flat plate, for example, in the case of creating an antireflective article by processing a sheet using a molding die with a specific curved surface shape, a process relating to the molding process, an original plate for forming a micro uneven layer According to the shape of the transparent base material which concerns on the shape of a reflection preventing article, it can change suitably.

<反射防止物品の用途>
本発明の反射防止物品は、後述する美術品展示体用途のほか、種々の用途に適用することができる。本発明の反射防止物品は、各用途において、反射防止物品に起因するアウトガスの発生を抑制しながら、光反射を防止して視認性を向上することができる。そのため、本発明の反射防止物品は、アウトガスの発生が問題となりやすい用途に特に好適に用いられる。本発明の反射防止物品の用途としては、具体的には、例えば、店舗のショウウインドウや商品展示箱、美術館の展示物の展示窓や展示箱等に特に適しており、使用する透明板の裏面(商品又は展示物側面)或いは裏面及び表面(外界側)の両面に配置するようにしても良い。なおこの場合、反射防止物品に起因するアウトガスの発生を抑制して、商品や美術品等の展示物に対するアウトガスの影響を抑制しながら、該硝子板表面の光反射防止による商品、美術品等の顧客や観客に対する視認性を向上することができる。
<Applications of Antireflection Products>
The antireflective article of the present invention can be applied to various applications in addition to the art display application described later. In each application, the antireflective article of the present invention can prevent light reflection and improve visibility while suppressing the generation of outgassing caused by the antireflective article. Therefore, the antireflective article of the present invention is particularly suitably used in applications where outgas generation tends to be a problem. Specifically, the application of the antireflective article of the present invention is, for example, particularly suitable for, for example, a show window of a store, a product display box, a display window of an exhibition of a museum, an display box, etc. It may be arranged on both the (product or display side) or the back and front (outside side). In this case, while suppressing the generation of outgassing caused by the antireflective article, and suppressing the influence of the outgassing on the exhibits such as goods or works of art, products, works of art, etc. by light reflection prevention of the glass plate surface. It can improve visibility to customers and spectators.

本発明の反射防止物品は、またさらに、自動車、鉄道車両、船舶、航空機等の乗物の操縦室(運転室、操舵室)の窓の室内側、室外側、あるいはその両側の表面に配置して窓における室内外光を反射防止して、操縦者(運転者、操舵者)の外界視認性を向上する用途;防犯等の監視、銃砲の照準、天体観測等に用いる暗視装置のレンズないしは窓材表面に配置して、夜間、暗闇での視認性を向上する用途;住宅、店舗、事務所、学校、病院等の建築物の窓、扉、間仕切、壁面等を構成する透明基板(窓硝子等)の表面(室内側、室外側、あいはその両側)の表面に配置して、外界の視認性、あるいは採光効率を向上する用途;温室、農業用ビニールハウスの透明シート、ないしは透明板(窓材)の表面に配置して、太陽光の採光効率を向上する用途;太陽電池表面に配置して、太陽光の利用効率(発電効率)を向上する用途;画像表示パネルの画面上に間隙を介して設置されるタッチパネル、各種の窓材、各種光学フィルタ等による表面側部材の裏面(画像表示パネル側)に配置して、画像表示パネルと表面側部材との間の光の干渉によるニュートンリング等の干渉縞の発生の防止、画像表示パネルの出光面と表面側部材の入光面側との間の多重反射によるゴースト像の防止、さらには画面から出光されてこれら表面側部材に入光する画像光について、反射損失の低減をする用途;眼鏡、望遠鏡、写真機、ビデオカメラ、銃砲の照準鏡(狙撃用スコープ)、双眼鏡、潜望鏡等の各種光学機器に用いるレンズ又はプリズムの表面に配置して、レンズ又はプリズム表面の光反射防止による視認性を向上する用途;書籍の印刷部(文字、写真、図等)表面に配置する場合にも適用して、文字等の表面の光反射を防止し、文字等の視認性向上する用途;看板、ポスター、其の他各種店頭、街頭、外壁等における各種表示(道案内、地図、或いは禁煙、入口、非常口、立入禁止等)の表面に配置して、これらの視認性を向上する用途;白熱電球、発光ダイオード、蛍光燈、水銀燈、EL(電場発光)等を用いた照明器具の窓材(場合によっては、拡散板、集光レンズ、光学フィルタ等も兼ねる)の入光面側に配置するようにして、窓材入光面の光反射を防止し、光源光の反射損失を低減し、光利用効率を向上する用途;時計、其の他各種計測機器の表示窓表面(表示観察者側)に配置して、これら表示窓表面の光反射を防止し、視認性を向上する用途等に用いることもできる。本発明の反射防止物品は、このように各用途において視認性を向上し、且つ、反射防止物品に起因するアウトガスの発生を抑制するため、反射防止物品周囲の環境へのアウトガスによる影響を抑制する。   The antireflective article of the present invention may be further disposed on the indoor side, the outdoor side, or both sides of the window of the cockpit (driver's cab, steering cab) of a vehicle such as a car, railway vehicle, ship or aircraft. Applications that improve outdoor visibility of the driver (driver, steerer) by preventing reflection of indoor and outdoor light at the window; surveillance of crime prevention etc., aiming of guns, lenses or windows of night vision devices used for celestial observation etc. Material used to improve visibility at night and in the dark by arranging it on the surface of wood; Transparent substrates that make up windows, doors, partitions, wall surfaces, etc. of buildings such as houses, stores, offices, schools, and hospitals (window glass Etc.) Placed on the surface (indoor side, outdoor side, both sides of the room) to improve the visibility of the outside world or the light collection efficiency; transparent sheets of greenhouses, greenhouses for agriculture, or transparent plates Arranged on the surface of the window material to improve the light collection efficiency of sunlight Application: Application on solar cell surface to improve utilization efficiency of solar light (power generation efficiency); Touch panel installed on the screen of image display panel with a gap, various window materials, various optical filters, etc. It is disposed on the back side of the front side member (on the image display panel side) to prevent the generation of interference fringes such as a Newton ring due to the interference of light between the image display panel and the front side member. Application to reduce the reflection loss for the prevention of ghost images due to multiple reflections with the light entrance surface side of the side members, and for the image light emitted from the screen and entering the front side members; glasses, telescopes, It is placed on the surface of a lens or prism used for various optical devices such as a camera, video camera, gun aiming mirror (sniper scope), binoculars, periscope, etc. Applications that improve the visibility; It is also applied to the case where it is placed on the surface of the printed part (letters, photographs, figures, etc.) of a book, and uses that prevent light reflection of the surface such as letters and improve the visibility of letters etc. Applications that improve visibility of these signs by placing them on the surface of signboards, posters, bags and other various stores, street and outer walls etc. (route guidance, maps or smoking cessation, entrance, emergency exit, no entry etc.); Arranged on the light entrance surface side of the window material of lighting fixtures using incandescent bulbs, light emitting diodes, fluorescent lamps, mercury lamps, EL (electric field emission) and so on (in some cases, it also serves as a diffusion plate, condenser lens, optical filter etc.) Application to prevent light reflection of the light entrance surface of the window material, reduce reflection loss of light from the light source, and improve light utilization efficiency; Side to prevent light reflection on the surface of these It can also be used in applications such as the above. The antireflective article of the present invention thus improves the visibility in each application, and suppresses the occurrence of outgassing due to the antireflective article, thereby suppressing the influence of the outgassing on the environment around the antireflective article. .

[美術品展示体]
本発明に係る美術品展示体は、前記本発明に係る反射防止物品と、美術品とを備え、前記反射防止物品は、前記微細凹凸形状を有する面が前記美術品側を向くように配置されてなることを特徴とする。
[Art Exhibit]
The art exhibit according to the present invention includes the antireflective article according to the present invention and an art, and the antireflective article is arranged such that the surface having the fine concavo-convex shape faces the side of the art It is characterized by

本発明に係る美術品展示体は、前記本発明に係る反射防止物品を、微細凹凸層の微細凹凸面が美術品側を向くように配置して備える。本発明に係る反射防止物品は、上述したように、アウトガスの発生を抑制し、且つ反射防止性に優れるため、本発明に係る美術品展示体は、美術品へのアウトガスによる影響を抑制しながら、視認性に優れる。   The art exhibit according to the present invention is provided with the antireflective article according to the present invention, with the fine asperity surface of the fine asperity layer disposed so as to face the side of the art. Since the antireflective article according to the present invention suppresses the generation of outgassing and has excellent antireflective properties as described above, the art display object according to the present invention suppresses the influence of outgassing on works of art , Excellent in visibility.

図6及び図7は、本発明に係る美術展示体の一例を模式的に示す断面図である。図6に示す美術品展示体50は、本発明に係る反射防止物品10と美術品51とを備え、反射防止物品10の微細凹凸面2aが美術品51側を向くように配置されている。図7に示す美術品展示体50は、本発明に係る反射防止物品10を2つと、美術品51とを備え、2つのうちの一方の反射防止物品10は、微細凹凸面2aが美術品51側を向くように配置され、2つのうちもう一方の反射防止物品10は、微細凹凸面2aが美術品51側とは反対側を向くように配置されている。
本発明に係る美術品展示体は、図6及び図7に示す美術品展示体50のように、美術品51を収納するための収納体52を備えていても良い。また、本発明に係る美術品展示体は、例えば図6に示す美術品展示体50のように、透明保護板53を備えていても良いし、例えば図7に示すように、本発明に係る反射防止物品10が、美術品の透明保護板として機能するものであっても良い。
6 and 7 are sectional views schematically showing an example of the art display according to the present invention. The art display 50 shown in FIG. 6 includes the anti-reflection article 10 and the art 51 according to the present invention, and is arranged so that the fine uneven surface 2 a of the anti-reflection article 10 faces the art 51 side. An art display 50 shown in FIG. 7 includes two anti-reflection articles 10 according to the present invention and an art item 51. Of the two anti-reflection articles 10, the fine uneven surface 2a is an art item 51. It is disposed to face the side, and the other of the two anti-reflection articles 10 is disposed such that the fine uneven surface 2 a faces the side opposite to the art work 51 side.
The art exhibit according to the present invention may be provided with a storage body 52 for storing the art 51, like the art display 50 shown in FIG. 6 and FIG. Further, the art display object according to the present invention may be provided with a transparent protective plate 53 like an art display object 50 shown in FIG. 6, for example, and as shown in FIG. 7, for example, according to the present invention. The antireflective article 10 may function as a transparent protective plate of a work of art.

また、本発明に係る美術品展示体は、図6に示すように、本発明に係る反射防止物品を1つのみ備えるものであってもよいし、図7に示すように、本発明に係る反射防止物品を2つ備えるものであってもよいし、図示はしないが、本発明に係る反射防止物品を3つ以上備えるものであってもよい。また、図示はしないが、本発明に係る美術品展示体は、透明保護板の両面に、本発明に係る反射防止物品を備えるものであってもよい。中でも、アウトガスによる美術品への影響が抑制され、視認性を更に向上する点からは、例えば図7に示すように、微細凹凸面2aが美術品51側を向くように配置された反射防止物品10と、微細凹凸面2aが美術品51側とは反対側、すなわち外光の入射側を向くように配置された反射防止物品10を備えることが、アウトガスによる美術品への影響が抑制され、且つ視認性が更に向上する点から好ましい。
本発明に係る美術品展示体が、2つ以上の反射防止物品を備える場合、少なくとも1つの反射防止物品が、本発明に係る反射防止物品であり且つ微細凹凸面2aが美術品51側を向くように配置されてなるものであればよく、その他の反射防止物品としては、本発明に係る反射防止物品を用いてもよいし、本発明に係る反射防止物品とは異なる従来の反射防止物品を用いてもよい。
In addition, the artwork display according to the present invention may be provided with only one antireflective article according to the present invention as shown in FIG. 6, or according to the present invention as shown in FIG. Two antireflective articles may be provided, and although not shown, three or more antireflective articles according to the present invention may be provided. Moreover, although not shown in the drawings, the art exhibit according to the present invention may be provided with the antireflective article according to the present invention on both sides of the transparent protective plate. Among them, from the viewpoint of suppressing the influence of outgassing on works of art and further improving the visibility, for example, as shown in FIG. 7, an antireflective article in which fine uneven surface 2a is arranged to face art work 51 10, including the anti-reflection article 10 disposed so that the fine uneven surface 2a is on the opposite side to the art work 51 side, that is, the incident side of the external light, the influence of the outgassing on the art work is suppressed. And it is preferable from the point which visibility further improves.
When the art exhibit according to the present invention comprises two or more anti-reflection articles, at least one anti-reflection article is the anti-reflection article according to the present invention and the fine uneven surface 2a faces the art 51 The other antireflective article may be the antireflective article according to the present invention, or a conventional antireflective article different from the antireflective article according to the present invention. You may use.

本発明に係る美術品展示体に用いられる美術品としては、特に限定はされないが、例えば、絵画、書道、彫刻、工芸、写真等が挙げられる。中でも、アウトガスによる影響が比較的大きい絵画を美術品として備える場合に、本発明に係る美術品展示体は好適に用いられる。   There is no particular limitation on the works of art used in the art display according to the present invention, and examples include paintings, calligraphy, sculptures, crafts, photographs and the like. Above all, the art object display according to the present invention is suitably used when a picture having a relatively large influence by outgassing is provided as an art item.

本発明に係る美術品展示体に用いられる収納体52としては、美術品の収納体として従来用いられているものを用いることができ、特に限定はされないが、例えば、額縁、筐体、枠体等が挙げられる。
前記収納体の材料としては、特に限定はされず、ガラス、樹脂、金属、木材等が挙げられる。
本発明に係る美術品展示体に用いられる透明保護板53としては、特に限定はされないが、例えば、本発明に係る反射防止物品に用いられる透明基材と同じものを挙げることができる。
本発明に係る美術品展示体は、密閉性が高く、発生したアウトガスが当該美術品展示体内から放出され難いものにおいて、特に好適に用いられる。
As the storage body 52 used for the artwork display body according to the present invention, any one that is conventionally used as a storage body for works of art can be used, and although not particularly limited, for example, a frame, a housing, a frame Etc.
The material of the storage body is not particularly limited, and examples thereof include glass, resin, metal, wood and the like.
There is no particular limitation on the transparent protective plate 53 used for the art exhibit according to the present invention, but, for example, the same transparent base as that used for the antireflective article according to the present invention can be mentioned.
The art exhibit according to the present invention is particularly preferably used in the case where the airtightness is high and the generated outgas is unlikely to be released from the art exhibit.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has the substantially same constitution as the technical idea described in the claims of the present invention, and the same effects can be exhibited by any invention. It is included in the technical scope of

(微細凹凸層形成用原版の作製)
純度99.50%の圧延されたアルミニウム板を、その表面が、十点平均粗さRz30nm、且つ周期1μmの凹凸形状となるように研磨後、0.02Mシュウ酸水溶液の電解液中で、印加電圧40V、20℃の条件にて160秒間、陽極酸化工程A1を実施した。次に、濃度1.8mol/L(18wt%)のリン酸水溶液で35℃の条件で900秒間エッチング工程E1を行い、第1の工程とした。次に、第2の工程として、印加電圧45V、20℃の条件にて120秒間、陽極酸化工程A2を実施した後、濃度1.8mol/L(18wt%)のリン酸水溶液で35℃の条件で700秒間エッチング工程E2を行った。続いて、第3の工程として、印加電圧50V、20℃の条件にて90秒間、陽極酸化工程A3を実施した後、濃度1.8mol/L(18wt%)のリン酸水溶液で35℃の条件で600秒間エッチング工程E3を行った。続いて、第4の工程として、印加電圧55V、20℃の条件にて60秒間、陽極酸化工程A4を実施した後、濃度1.8mol/L(18wt%)のリン酸水溶液で35℃の条件で300秒間エッチング工程E4を行った。続いて、第5の工程として、印加電圧60V、20℃の条件にて60秒間、陽極酸化工程A5を実施した後、濃度1.8mol/L(18wt%)のリン酸水溶液で35℃の条件で300秒間エッチング工程E5を行った。最後に、フッ素系離型剤を塗布し、余分な離型剤を洗浄することで、微細凹凸層形成用原版を得た。
(Fabrication of original plate for fine asperity layer formation)
After polishing a rolled aluminum plate with a purity of 99.50% so that the surface has an uneven shape with a ten-point average roughness Rz of 30 nm and a period of 1 μm, application is performed in an electrolyte of 0.02 M oxalic acid aqueous solution Anodizing step A1 was performed under the conditions of a voltage of 40 V and a temperature of 20 ° C. for 160 seconds. Next, the etching step E1 was performed for 900 seconds under the condition of 35 ° C. with a phosphoric acid aqueous solution having a concentration of 1.8 mol / L (18 wt%), and was made a first step. Next, as the second step, the anodic oxidation step A2 is performed under the conditions of an applied voltage of 45 V and 20 ° C. for 120 seconds, and then the condition of 35 ° C. with a phosphoric acid aqueous solution having a concentration of 1.8 mol / L (18 wt%) Etching step E2 was performed for 700 seconds. Subsequently, as the third step, the anodic oxidation step A3 is performed under the conditions of an applied voltage of 50 V and 20 ° C. for 90 seconds, and then the condition of 35 ° C. with a phosphoric acid aqueous solution having a concentration of 1.8 mol / L (18 wt%) Etching step E3 was performed for 600 seconds. Subsequently, as the fourth step, the anodic oxidation step A4 is carried out under the conditions of an applied voltage of 55 V and 20 ° C. for 60 seconds, and then the condition of 35 ° C. with a phosphoric acid aqueous solution having a concentration of 1.8 mol / L (18 wt%) Etching step E4 was performed for 300 seconds. Subsequently, as the fifth step, the anodic oxidation step A5 is performed under the conditions of an applied voltage of 60 V and 20 ° C. for 60 seconds, and then the condition of 35 ° C. with a phosphoric acid aqueous solution having a concentration of 1.8 mol / L (18 wt%) Etching step E5 was performed for 300 seconds. Finally, a fluorine-based release agent was applied, and the excess release agent was washed to obtain an original plate for forming a fine uneven layer.

(微細凹凸層用樹脂組成物A〜F及び比較微細凹凸層用樹脂組成物G、Hの調製)
下記成分を各々混合し、希釈溶剤として、メチルエチルケトン及びメチルイソブチルケトンを用いて、固形分45質量%の微細凹凸層用樹脂組成物A〜F及び比較微細凹凸層用樹脂組成物G、Hを調製した。
(Preparation of resin compositions A to F for fine asperity layer and resin compositions G and H for comparative fine asperity layer)
The following components were mixed, and methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone were used as dilution solvents to prepare resin compositions A to F for fine asperity layer with solid content of 45% by mass and resin compositions G, H for comparative fine asperity layer did.

<微細凹凸層用樹脂組成物A>
EO変性ビスフェノールAジアクリレート 50質量%
EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート 34質量%
トリデシルアクリレート 5質量%
ドデシルアクリレート 5質量%
光開始剤(ルシリンTPO、BASF社製) 3質量%
ジメチルポリシロキサン(信越化学工業(株)製) 2質量%
N,N'−ジシクロヘキシルカルボジイミド(和光純薬(株)製)」 1質量%
<Resin composition A for fine asperity layer>
EO modified bisphenol A diacrylate 50 mass%
EO modified trimethylolpropane triacrylate 34 mass%
5% by mass of tridecyl acrylate
Dodecyl acrylate 5% by mass
Photoinitiator (Lucillin TPO, manufactured by BASF) 3% by mass
Dimethylpolysiloxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product) 2 mass%
N, N'-dicyclohexylcarbodiimide (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 1% by mass

<微細凹凸層用樹脂組成物B>
EO変性ビスフェノールAジアクリレート 50質量%
EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート 34質量%
ドデシルアクリレート 5質量%
トリデシルアクリレート 5質量%
光開始剤(ルシリンTPO、BASF社製) 3質量%
ジメチルポリシロキサン(信越化学工業(株)製) 2質量%
カルボジライトV−03(日清紡ケミカル(株)製、ポリカルボジイミド化合物、固形分濃度50質量%、固形分中NCO基含有量0質量%) 1質量%
<Resin composition B for fine asperity layer>
EO modified bisphenol A diacrylate 50 mass%
EO modified trimethylolpropane triacrylate 34 mass%
Dodecyl acrylate 5% by mass
5% by mass of tridecyl acrylate
Photoinitiator (Lucillin TPO, manufactured by BASF) 3% by mass
Dimethylpolysiloxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product) 2 mass%
Carbodilite V-03 (manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., polycarbodiimide compound, solid content concentration 50% by mass, NCO group content in solid content 0% by mass) 1% by mass

<微細凹凸層用樹脂組成物C>
EO変性ビスフェノールAジアクリレート 50質量%
EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート 34.5質量%
ドデシルアクリレート 5質量%
トリデシルアクリレート 5質量%
光開始剤(ルシリンTPO、BASF社製) 3質量%
ジメチルポリシロキサン(信越化学工業(株)製) 2質量%
カルボジライトV−03(日清紡ケミカル(株)製、ポリカルボジイミド化合物、固形分濃度50質量%、固形分中NCO基含有量0質量%) 0.5質量%
<Resin composition C for fine asperity layer>
EO modified bisphenol A diacrylate 50 mass%
EO modified trimethylolpropane triacrylate 34.5 mass%
Dodecyl acrylate 5% by mass
5% by mass of tridecyl acrylate
Photoinitiator (Lucillin TPO, manufactured by BASF) 3% by mass
Dimethylpolysiloxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product) 2 mass%
Carbodilite V-03 (manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., polycarbodiimide compound, solid content concentration 50% by mass, NCO group content in solid content 0% by mass) 0.5% by mass

<微細凹凸層用樹脂組成物D>
EO変性ビスフェノールAジアクリレート 50質量%
EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート 34質量%
トリデシルアクリレート 5質量%
ドデシルアクリレート 5質量%
光開始剤(ルシリンTPO、BASF社製) 3質量%
ジメチルポリシロキサン(信越化学工業(株)製) 2質量%
カルボジライトV−07(日清紡ケミカル(株)製、ポリカルボジイミド化合物、固形分濃度50質量%、固形分中NCO基含有量0.5質量%) 1質量%
<Resin composition D for fine asperity layer>
EO modified bisphenol A diacrylate 50 mass%
EO modified trimethylolpropane triacrylate 34 mass%
5% by mass of tridecyl acrylate
Dodecyl acrylate 5% by mass
Photoinitiator (Lucillin TPO, manufactured by BASF) 3% by mass
Dimethylpolysiloxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product) 2 mass%
Carbodilight V-07 (manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., polycarbodiimide compound, solid content concentration 50% by mass, NCO group content 0.5% by mass in solid content) 1% by mass

<微細凹凸層用樹脂組成物E>
EO変性ビスフェノールAジアクリレート 50質量%
EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート 33質量%
トリデシルアクリレート 5質量%
ドデシルアクリレート 5質量%
光開始剤(ルシリンTPO、BASF社製) 3質量%
ジメチルポリシロキサン(信越化学工業(株)製) 2質量%
カルボジライトV−07(日清紡ケミカル(株)製、ポリカルボジイミド化合物、固形分濃度50質量%、固形分中NCO基含有量0.5質量%) 2質量%
<Resin composition E for fine asperity layer>
EO modified bisphenol A diacrylate 50 mass%
EO modified trimethylolpropane triacrylate 33% by mass
5% by mass of tridecyl acrylate
Dodecyl acrylate 5% by mass
Photoinitiator (Lucillin TPO, manufactured by BASF) 3% by mass
Dimethylpolysiloxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product) 2 mass%
Carbodilite V-07 (Nisshinbo Chemical Co., Ltd. product, polycarbodiimide compound, solid content concentration 50 mass%, NCO group content 0.5 mass% in solid content) 2 mass%

<微細凹凸層用樹脂組成物F>
EO変性ビスフェノールAジアクリレート 50質量%
EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート 30質量%
トリデシルアクリレート 5質量%
ドデシルアクリレート 5質量%
光開始剤(ルシリンTPO、BASF社製) 3質量%
ジメチルポリシロキサン(信越化学工業(株)製) 2質量%
カルボジライトV−05(日清紡ケミカル(株)製、ポリカルボジイミド化合物、固形分濃度100質量%、固形分中NCO基含有量8.2質量%) 5質量%
<Resin composition F for fine asperity layer>
EO modified bisphenol A diacrylate 50 mass%
EO modified trimethylolpropane triacrylate 30 mass%
5% by mass of tridecyl acrylate
Dodecyl acrylate 5% by mass
Photoinitiator (Lucillin TPO, manufactured by BASF) 3% by mass
Dimethylpolysiloxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product) 2 mass%
Carbodilight V-05 (manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., polycarbodiimide compound, solid content concentration 100% by mass, NCO group content in solid content 8.2% by mass) 5% by mass

<比較微細凹凸層用樹脂組成物G>
EO変性ビスフェノールAジアクリレート 50質量%
EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート 35質量%
トリデシルアクリレート 5質量%
ドデシルアクリレート 5質量%
光開始剤(ルシリンTPO、BASF社製) 3質量%
ジメチルポリシロキサン(信越化学工業(株)製) 2質量%
<Resin composition G for comparison fine uneven layer>
EO modified bisphenol A diacrylate 50 mass%
EO modified trimethylolpropane triacrylate 35 mass%
5% by mass of tridecyl acrylate
Dodecyl acrylate 5% by mass
Photoinitiator (Lucillin TPO, manufactured by BASF) 3% by mass
Dimethylpolysiloxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product) 2 mass%

<比較微細凹凸層用樹脂組成物H>
EO変性ビスフェノールAジアクリレート 50質量%
EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート 25質量%
トリデシルアクリレート 5質量%
ドデシルアクリレート 5質量%
光開始剤(ルシリンTPO、BASF社製) 3質量%
ジメチルポリシロキサン(信越化学工業(株)製) 2質量%
カルボジライトV−05(日清紡ケミカル(株)製、ポリカルボジイミド化合物、固形分濃度100質量%、固形分中NCO基含有量8.2質量%) 10質量%
<Resin composition H for comparison fine uneven layer>
EO modified bisphenol A diacrylate 50 mass%
EO modified trimethylolpropane triacrylate 25 mass%
5% by mass of tridecyl acrylate
Dodecyl acrylate 5% by mass
Photoinitiator (Lucillin TPO, manufactured by BASF) 3% by mass
Dimethylpolysiloxane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product) 2 mass%
Carbodilight V-05 (manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., polycarbodiimide compound, solid content concentration 100% by mass, NCO group content in solid content 8.2% by mass) 10% by mass

[実施例1]
ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東レ(株)製、U40、厚さ75μm)にウレタンアクリレート(東亜合成社製、商品名M−1100)とメタクリル酸メチルを含有したプライマー層用組成物を、硬化後の厚さが1μmとなるように塗布した。
微細凹凸層用樹脂組成物Aを、微細凹凸層形成用原版の微細凹凸面が覆われ、硬化後の微細凹凸層の厚さが3μmとなるように塗布、充填し、その上に、前記透明基材のプライマー層側の面を、斜めから貼り合わせた後、貼り合わせられた貼合体をゴムローラーで10N/cmの加重で圧着した。原版全体に均一な組成物が塗布されたことを確認し、透明基材側から2000mJ/cmのエネルギーで紫外線を照射して、プライマー層用組成物及び微細凹凸層形成用樹脂組成物を硬化させた。その後、原版より剥離し、微細凹凸層を形成することにより、実施例1の反射防止物品を得た。当該微細凹凸層の微細凹凸形状は、微小突起の平均高さHAVGが250nmの先細り形状の微小突起が、隣接突起間隔の平均dAVGが170nmで密に配置されてなるものであり、単峰性微小突起と多峰性微小突起とが混在するものであった。
Example 1
After curing the composition for primer layer containing urethane acrylate (trade name M-1100, manufactured by Toagosei Co., Ltd., trade name M-1100) and polyethylene terephthalate in polyethylene terephthalate (PET) film (Toray Industries, Inc., U40, thickness 75 μm) To a thickness of 1 μm.
The resin composition A for fine asperity layer is coated and filled so that the fine asperity surface of the original plate for forming asperity layer is covered, and the thickness of the asperity layer after curing is 3 μm, The surface on the primer layer side of the substrate was obliquely bonded, and then the bonded united body was crimped with a rubber roller under a load of 10 N / cm 2 . Confirm that the uniform composition is applied to the whole original plate, and irradiate ultraviolet rays with energy of 2000 mJ / cm 2 from the transparent substrate side to cure the composition for primer layer and the resin composition for forming micro uneven layer I did. Then, the antireflective article of Example 1 was obtained by peeling from the original plate and forming a fine uneven layer. The fine concavo-convex shape of the fine concavo-convex layer is obtained by closely arranging minute protrusions having a tapered shape with an average height H AVG of fine protrusions of 250 nm and an average d AVG of adjacent protrusion intervals of 170 nm. Mixed with multimodal microprotrusions.

[実施例2]
実施例1において、微細凹凸層用樹脂組成物Aに代えて、微細凹凸層用樹脂組成物Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2の反射防止物品を得た。
Example 2
In Example 1, the antireflective article of Example 2 was obtained in the same manner as Example 1, except that the resin composition B for fine asperity layer was used in place of the resin composition A for fine asperity layer. .

[実施例3]
実施例1において、微細凹凸層用樹脂組成物Aに代えて、微細凹凸層用樹脂組成物Cを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3の反射防止物品を得た。
[Example 3]
In Example 1, an antireflective article of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the resin composition C for fine asperity layer was used in place of the resin composition A for fine asperity layer. .

[実施例4]
実施例1において、微細凹凸層用樹脂組成物Aに代えて、微細凹凸層用樹脂組成物Dを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例4の反射防止物品を得た。
Example 4
In Example 1, the antireflective article of Example 4 was obtained in the same manner as Example 1, except that the resin composition D for fine asperity layer was used instead of the resin composition A for fine asperity layer. .

[実施例5]
実施例1において、微細凹凸層用樹脂組成物Aに代えて、微細凹凸層用樹脂組成物Eを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例5の反射防止物品を得た。
[Example 5]
In Example 1, an antireflective article of Example 5 was obtained in the same manner as Example 1, except that the resin composition E for fine asperity layer was used in place of the resin composition A for fine asperity layer. .

[実施例6]
実施例1において、微細凹凸層用樹脂組成物Aに代えて、微細凹凸層用樹脂組成物Fを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例6の反射防止物品を得た。
[Example 6]
In Example 1, an antireflective article of Example 6 was obtained in the same manner as Example 1, except that the resin composition F for fine asperity layer was used in place of the resin composition A for fine asperity layer. .

[比較例1]
実施例1において、微細凹凸層用樹脂組成物Aに代えて、比較微細凹凸層用樹脂組成物Gを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1の反射防止物品を得た。
Comparative Example 1
An antireflective article of Comparative Example 1 is obtained in the same manner as in Example 1 except that, in Example 1, a resin composition G for comparative fine asperity layer is used in place of the resin composition A for fine asperity layer. The

[比較例2]
比較例1で得られた反射防止物品を1カ月間、自然放置(23℃、50%RH)することにより、比較例2の反射防止物品とした。
Comparative Example 2
The antireflective article obtained in Comparative Example 1 was left to stand naturally (23 ° C., 50% RH) for one month to form an antireflective article of Comparative Example 2.

[比較例3]
実施例1において、微細凹凸層用樹脂組成物Aに代えて、比較微細凹凸層用樹脂組成物Hを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例3の反射防止物品を得た。
比較例3で得られた反射防止物品は所望の微細凹凸層が賦型されず、反射防止機能を発現しなかった。
Comparative Example 3
An antireflective article of Comparative Example 3 is obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin composition H for comparison fine asperity layer is used instead of the resin composition A for fine asperity layer in Example 1. The
In the antireflective article obtained in Comparative Example 3, the desired fine uneven layer was not formed, and the antireflective function was not exhibited.

[評価]
1.小形チャンバー法(JISA1901)によるアウトガス濃度分析
実施例1、2及び比較例1、2で得られた反射防止物品について、それぞれ0.210m×0.243mの大きさに切断したものを試験体として、小形チャンバー法(JISA1901)によるアウトガス濃度分析により、以下の方法で、アルデヒド類並びに有機酸及びアンモニアを測定した。
測定は、温度28℃、相対湿度50%RH、換気回数0.5回/hの条件下において行い、評価面積1.53m、試料負荷率76.5m/mとし、容積20Lのステンレス製チャンバーを用いて、試験体30枚について測定した。測定結果を表1に示す。なお、試料負荷率とは、単位容積内(m)あたりに単位面積フィルム表面から拡散したアウトガス濃度を求める際の負荷率(m/m)をいい、本実施例における試料負荷率は、下記式により求めた。
試料負荷率(m/m)=(0.210m×0.243m)×30/0.020(m
[Evaluation]
1. Outgassing concentration analysis by the small chamber method (JISA 1901) The antireflective articles obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were respectively cut into 0.210 m × 0.243 m in size, and used as test bodies. Aldehydes and an organic acid and ammonia were measured by the following method by outgas concentration analysis by a small chamber method (JISA 1901).
The measurement is performed under the conditions of a temperature of 28 ° C., a relative humidity of 50% RH, and a ventilation frequency of 0.5 times / h, an evaluation area of 1.53 m 2 , a sample loading rate of 76.5 m 2 / m 3 , and a 20 L stainless steel volume It measured about 30 test bodies using the chamber made. The measurement results are shown in Table 1. The sample loading rate refers to the loading rate (m 2 / m 3 ) when determining the outgas concentration diffused from the unit area film surface per unit volume (m 3 ), and the sample loading rate in this example is , It calculated | required by the following formula.
Sample loading rate (m 2 / m 3 ) = (0.210 m × 0.243 m) × 30 / 0.020 (m 3 )

(アルデヒド類の測定)
試験体30枚を容積20Lのステンレス製チャンバーに設置し、上記条件のもと高純度空気を通気させ、1日後の試料から発生したアルデヒド類をDNPH(2,4−ジニトロフェニルヒドラジン)カートリッジに捕集した。DNPHカートリッジはアセトニトリルで溶出を行い、高速液体クロマトグラフ(HPLC)で測定した。サンプリング方法の概略図を図17に示す。
(Measurement of aldehydes)
Thirty test pieces were placed in a 20 L stainless steel chamber, and high purity air was bubbled under the above conditions, and aldehydes generated from the sample one day later were captured on a DNPH (2,4-dinitrophenylhydrazine) cartridge. Gathered. The DNPH cartridge was eluted with acetonitrile and measured by high performance liquid chromatograph (HPLC). A schematic diagram of the sampling method is shown in FIG.

(有機酸、アンモニアの測定)
試験体30枚を容積20Lのステンレス製チャンバーに設置し、上記条件のもと高純度空気を通気させ、1日後の試料から発生したガスを、吸収液を充填したインピンジャーに捕集した。サンプリング後の吸収液はイオンクロマトグラフ(IC)で測定した。サンプリング方法の概略図を図17に示す。
(Measurement of organic acid, ammonia)
Thirty test pieces were placed in a 20 L stainless steel chamber, high purity air was vented under the above conditions, and gas generated from a sample one day later was collected on an impinger filled with an absorbing solution. The absorption liquid after sampling was measured by ion chromatography (IC). A schematic diagram of the sampling method is shown in FIG.

(分析値算出方法)
前記で測定したアウトガス中のホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ギ酸、酢酸及びアンモニアについて、気中濃度(volppb)を以下の式により算出した。
気中濃度(volppb)=(気中濃度(g/m)×((273+サンプリング時温度(℃))/273)×22.4)/分子量
なお、気中濃度(g/m)は、以下の式により算出した。
・アルデヒド類:
気中濃度(g/m)=液中濃度(g/mL)×溶出量(5mL)/捕集量(m
・有機酸、アンモニア:
気中濃度(g/m)=吸収液中の目的成分濃度(g/mL)× 吸収液量(mL)/捕集量(m
各成分の気中濃度の定量には標品を用いた。なお、定量下限値はホルムアルデヒド1.1volppb、アセトアルデヒド0.71volppb、ギ酸6volppb、酢酸5volppb、アンモニア14volppbとした。表1において、定量下限値未満の成分については「<定量下限値」と示した。
また、IC測定で検出されたギ酸イオン(HCOO)をギ酸、酢酸イオン(CHCOO)を酢酸、アンモニウムイオン(NH4+)をアンモニアに換算し、算出した。
(Analytical value calculation method)
With respect to formaldehyde, acetaldehyde, formic acid, acetic acid and ammonia in the outgas measured above, the air concentration (volppb) was calculated by the following equation.
Airborne concentration (volppb) = (Airborne concentration (g / m 3 ) x ((273 + sampling temperature (° C)) / 273) x 22.4) / molecular weight Note that the atmospheric concentration (g / m 3 ) is , Calculated by the following equation.
・ Aldehydes:
Concentration in air (g / m 3 ) = Concentration in liquid (g / mL) × elution amount (5 mL) / collection amount (m 3 )
Organic acids, ammonia:
Concentration in air (g / m 3 ) = Concentration of target component in absorbing solution (g / mL) × amount of absorbing solution (mL) / amount collected (m 3 )
A standard was used to determine the airborne concentration of each component. The lower limit of quantification was 1.1 volppb of formaldehyde, 0.71 volppb of acetaldehyde, 6 volppb of formic acid, 5 volppb of acetic acid, and 14 volppb of ammonia. In Table 1, components below the lower limit of quantification were shown as “<lower limit of quantification”.
Moreover, IC measured at the detected formate ion (HCOO -) formic acid, acetic acid ion (CH 3 COO -) was converted acetic acid, ammonium ions (NH 4+) in ammonia was calculated.

2.ガス検知管による有機酸の濃度分析
各実施例及び各比較例で得られた反射防止物品について、前記小形チャンバー法よりも簡易に測定可能な以下の方法により有機酸濃度を測定した。なお、当該方法は、前記小形チャンバー法と相関がよく、信頼できることが、例えば、佐野千絵、外2名、「展示ケース内有機酸の低減対策の評価法」、保存科学、東京文化財研究所、平成25年度、第53号、p.33〜43に記載されている。
ガス検知管による有機酸の濃度分析では、北川式ガス検知管(光明理化学工業(株)製,美術館博物館用有機酸、No.910)を用いて、デシケータ(37.2L)内に試料負荷率3.3(m/m)となるように反射防止物品をセットし、有機酸濃度を測定した。吸引流量0.2L/分、60分間吸引とし、10ppb以上を計測値とした。測定結果を表2に示す。
2. Concentration Analysis of Organic Acid by Gas Detector Tube The antireflective article obtained in each of the examples and the comparative examples was measured for the concentration of organic acid by the following method which can be measured more simply than the small chamber method. It should be noted that the method has good correlation with the small chamber method and can be relied upon, for example, Chie Sano, 2 others, "evaluation method of reduction measure of organic acid in display case", Conservation Science, Tokyo National Research Institute for Cultural Properties , 2013, No. 53, p. 33-43.
In concentration analysis of organic acid by gas detection tube, sample load factor in desiccator (37.2 L) using Kitagawa type gas detection tube (Koiteiri Chemical Industry Co., Ltd. product, organic acid for art museum, No. 910) The antireflective article was set to 3.3 (m 2 / m 3 ), and the organic acid concentration was measured. The suction flow rate was 0.2 L / min for 60 minutes, and the measurement value was 10 ppb or more. The measurement results are shown in Table 2.

3.反射率の測定
各実施例及び比較例で得られた反射防止物品の裏面(基材側の面)に、黒色テープを貼り付け、紫外可視分光光度計(日本分光社製、商品名「V−7100」)を用いて、JIS Z8701−1999に準拠して2度視野(D65光源)により、反射防止物品表面への5°正反射率を測定した。測定結果を表2に示す。
3. Measurement of Reflectivity A black tape is attached to the back surface (surface on the substrate side) of the antireflective article obtained in each Example and Comparative Example, and an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO, trade name "V- The regular reflectance of 5 ° to the surface of the antireflective article was measured using a 7100 ′ ′) according to JIS Z8701-1999 with a 2 ° field of view (D65 light source). The measurement results are shown in Table 2.

(結果のまとめ)
実施例1〜6で得られた反射防止物品は、本発明で特定する微細凹凸形状を表面に有し、且つ特定量のカルボジイミド基を有する化合物を含有する微細凹凸層を備えるものであったため、アウトガスの発生が抑制され、反射防止性に優れていた。
一方で、比較例1で得られた反射防止物品は、微細凹凸層がカルボジイミド基を有する化合物を含有しないものであったため、アウトガスの発生を抑制する効果に劣っていた。
また、比較例2で得られた反射防止物品は、いわゆる枯らしを行ったため、比較例1で得られた反射防止物品と比べると、アウトガスの発生は抑制されていたものの、微細凹凸層がカルボジイミド基を有する化合物を含有しないものであったため、実施例1〜6に比べると、アウトガスの発生を抑制する効果に劣っていた。
比較例3で得られた反射防止物品は、微細凹凸層の形成に用いられた樹脂組成物が賦型性に劣っており、微細凹凸層に本発明で特定する微細凹凸形状を形成することができなかったため、反射率が高く、反射防止性能に劣っていた。
(Summary of results)
The antireflective articles obtained in Examples 1 to 6 each have the microrelief layer having the microrelief shape specified in the present invention on the surface and containing a specific amount of a compound having a carbodiimide group, Outgassing was suppressed and the anti-reflective property was excellent.
On the other hand, the antireflective article obtained in Comparative Example 1 was inferior in the effect of suppressing the generation of outgassing because the fine uneven layer did not contain the compound having a carbodiimide group.
Further, although the antireflective article obtained in Comparative Example 2 was subjected to so-called drying, compared with the antireflective article obtained in Comparative Example 1, although the occurrence of outgassing was suppressed, the fine uneven layer had a carbodiimide group. Since it did not contain the compound which has, compared with Examples 1-6, it was inferior to the effect which suppresses generation | occurrence | production of outgassing.
In the antireflective article obtained in Comparative Example 3, the resin composition used for the formation of the fine asperity layer is inferior in formability, and the fine asperity shape specified in the present invention may be formed in the fine asperity layer. Because it could not be done, the reflectance was high and it was inferior to the anti-reflection performance.

1 透明基材
2 微細凹凸層
2a 微細凹凸面
3 微小突起
3C 頂部微小突起
3D 周辺微小突起
5、5A、5B 微小突起
10 反射防止物品
24 凸状突起群
30 微細凹凸層
31 微細凹凸層表面
32 微小突起
33 うねりによる凹凸面
41 ダイ
42 ロール金型(原版)
43 押圧ローラ
44 剥離ローラ
45 透明基材
46 受容層
50 美術品展示体
51 美術品
52 収納体
53 透明保護板
g 溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent base material 2 micro uneven | corrugated layer 2a fine uneven | corrugated surface 3 micro protrusion 3C top micro protrusion 3D peripheral micro protrusion 5, 5A, 5B micro protrusion 10 anti-reflective article 24 convex-convex group 30 fine uneven layer 31 fine uneven layer surface 32 micro Protrusions 33 Uneven surface 41 due to waviness Die 42 Roll mold (original plate)
43 Pressure roller 44 Peeling roller 45 Transparent substrate 46 Receptive layer 50 Fine art display 51 Fine art 52 Storage body 53 Transparent protective plate g Groove

Claims (3)

透明基材の少なくとも一方の面に、複数の微小突起が密接して配置されてなる微小突起群を備えた微細凹凸形状を表面に有し、樹脂組成物の硬化物からなる微細凹凸層を備えた反射防止物品であって、
前記透明基材が、ポリエステル系樹脂を含有し、
前記微小突起は、反射防止を図る光の波長帯域の最短波長をΛmin、当該微小突起の隣接突起間隔dの平均値をdAVGとしたときに、
AVG≦Λmin
なる関係を有し、
前記樹脂組成物が、(メタ)アクリレート系電離放射線硬化性樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種を含有する電離放射線硬化性樹脂組成物であり、エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジアクリレート及びエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレートの少なくとも1種を、前記樹脂組成物に含まれる全固形分に対して合計で60〜90質量%含有し、カルボジイミド基を有する化合物を、前記樹脂組成物に含まれる全固形分に対して0.1〜5.0質量%含有し、更に、トリデシルアクリレート及びドデシルアクリレートの少なくとも1種を含有し、トリデシルアクリレート及びドデシルアクリレート以外の単官能(メタ)アクリレートを含有しないことを特徴とする、反射防止物品。
It has a fine concavo-convex shape provided on its surface with a microprotrusion group in which a plurality of microprotrusions are closely arranged on at least one surface of a transparent substrate, and a fine concavo-convex layer made of a cured product of a resin composition is provided. Anti-reflective articles,
The transparent substrate contains a polyester resin,
The microprotrusions have a shortest wavelength in a wavelength band of light for reflection prevention as Λ min and an average value of the spacing d between adjacent projections of the microprotrusions as d AVG .
d AVG Λ min
Have the relationship
The resin composition is an ionizing radiation curable resin composition containing at least one selected from the group consisting of (meth) acrylate ionizing radiation curable resins, and ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate and ethylene oxide modified trimethylol Based on the total solids contained in the resin composition, a compound having a total of 60 to 90% by mass based on the total solids contained in the resin composition and having at least one propane triacrylate and having a carbodiimide group To 0.1% to 5.0% by mass , further containing at least one of tridecyl acrylate and dodecyl acrylate, and containing no monofunctional (meth) acrylate other than tridecyl acrylate and dodecyl acrylate And anti-reflective articles.
前記トリデシルアクリレート及びドデシルアクリレートの合計の含有割合が、前記エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジアクリレート及びエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレートの合計100質量部に対して、5〜20質量部である、請求項に記載の反射防止物品。 The total content of tridecyl acrylate and dodecyl acrylate is 5 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total of ethylene oxide-modified bisphenol A diacrylate and ethylene oxide-modified trimethylolpropane triacrylate. The antireflective article according to 1. 前記請求項1又は2に記載される反射防止物品と、美術品とを備え、
前記反射防止物品は、前記微細凹凸形状を有する面が前記美術品側を向くように配置された、美術品展示体。
An antireflective article according to claim 1 or 2 , and an art item,
The art display object, wherein the anti-reflection article is disposed such that the surface having the fine concavo-convex shape faces the art work side.
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