JP6419474B2 - 太陽電池パネル、太陽電池パネルの製造方法及び太陽電池パネル付き建屋 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 68
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 26
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 244000144972 livestock Species 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 31
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000032823 cell division Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
また本発明は、前記した太陽電池パネルが装着された建屋に関するものである。さらに本発明は、前記した太陽電池パネルの製造方法に関するものである。
この構想を実現する建屋は、多くの場合、建屋の屋根や外壁に太陽電池パネルが設置される。
また発電を行うと共に、光の一部を建屋内に取り入れることができる太陽電池パネルが特許文献1に開示されている。
特許文献1に開示された太陽電池パネル100は、積層型の太陽電池パネルであり、透光性基板101に透明電極膜102、光起電力素子103及び裏面電極105が順に積層されている。
即ち特許文献1に開示された太陽電池パネル100は、透光性基板101に透明電極膜102が積層されている。そして積層された透明電極膜102がレーザ等を使用してパターン化されている。即ち図17の様に、透明電極膜102に透明電極分離溝110が形成されている。
そしてパターン化された光起電力素子103に重ねて裏面電極105が成膜されている。その結果、連通溝111内に裏面電極105の一部が侵入し、透明電極膜102と裏面電極105とを電気的に接続している。
即ち分離線112の本来の機能は、裏面電極105を複数の区画に分割し、単体セルを形成させるものである。そのため分離線112は、両側の区画と間の絶縁が確保される限度において細い方が望ましい。そのため、特許文献1では、分離線112の幅は極めて細い。特許文献1では、分離線112の幅は、少なくとも透明電極分離溝110よりも細い。また特許文献1では、分離線112の幅は、連通溝111と同等である。
そこで特許文献1の請求項2以下に記載の発明では、分離線112とは別の部位に溝部120を設けている。特許文献1(請求項2以下)では、溝部120は、裏面電極及び光起電力素子103が除去された部分である。
特許文献1の第二実施例以降は、分離線112とは別に裏面電極105及び光起電力素子103に溝部120を設けた構成であるが、図18乃至図20の様に、溝部120の総面積は、分離線112の総面積よりも大きい。
特許文献1(請求項2以降)に開示された太陽電池パネル100は、建屋内に取り入れる光量を増大することができる効果があるが、発電効率が予想以上に悪いという問題がある。
即ち特許文献1に開示された太陽電池パネル100は、分離線112以外の部位に溝部120を設けている。そして当該溝部120は、「積層体の裏面電極105及び光起電力素子103に電気的不連続部を生じさせない(請求項2)」ものである。
そのため溝部120は、発電に寄与しないものの、他の発電可能領域に悪影響は与えないはずである。
しかしながら、本発明者らの実験によると、特許文献1に開示された太陽電池パネル100は、溝部120によって欠落した発電可能面積による損失を越えて、発電量が低下することが判明した。
以下、この理由を説明する。
(1)光起電力素子103又は/及び裏面電極105の一部が切れ残る(切れ残り現象)。
(2)図13に示すようにセル分離溝112の底の透明電極102がダメージを受けて薄くなったり、変質して高抵抗になる(透明電極のダメージ現象)。
(3)図13に示すように光起電力素子103と裏面電極105が露出する壁面123に、レーザーで溶けて再固化した残渣125が付着する(残渣付着現象)。
(4)壁面123付近の光起電力素子103がダメージを受ける(壁面ダメージ現象)。
切れ残り現象が発生すると、単位セル間がショートしてしまい、シャント抵抗を減少させて曲線因子(F.F.)が低下し、発電効率(Eff.)が減少する。
透明電極のダメージ現象が発生すると、太陽電池の電圧電流特性の直列抵抗を増加させるので曲線因子(F.F.)が低下し、発電効率が減少する。
また、残渣125は、透明電極が溶けて再度固化したものが主成分と考えられ、残渣付着現象が発生すると、壁面123に沿って低抵抗の電流パスができて、透明電極102と裏面電極105の間にリーク電流が流れて、太陽電池の電圧電流特性のシャント抵抗を低下させるので、曲線因子(F.F.)を低下させ、発電効率が減少する。
壁面ダメージ現象は、直列抵抗の増加、シャント抵抗の低下いずれの不具合も発生しうる。
特に残渣付着現象と壁面ダメージ現象は、壁面123の総面積が大きいほど発生確率が高くなると考えられる。
そのため、特許文献1に開示された太陽電池パネルは、予想以上に発電効率が悪いものであった。
本発明は、入光側透明基板と裏面側透明封止層を有し、前記入光側透明基板と裏面側透明封止層との間に少なくとも透明電極層と光電変換層及び裏面電極層を有する太陽電池積層体が積層され、前記透明電極層には透明電極分離溝が設けられていて複数の区画に分割されており、前記光電変換層には連通溝が形成されていると共に当該連通溝内に裏面電極層の一部が侵入して透明電極層と裏面電極層とが電気的に接続され、さらに前記裏面電極層から光電変換層に跨がる深さのセル分割溝が設けられていて前記透明電極分離溝と前記セル分割溝によって前記太陽電池積層体が複数の単体セルに分割されていると共に、複数の単体セルが前記連通溝内に侵入した裏面電極層によって電気的に直列に接続された太陽電池パネルにおいて、前記セル分割溝の溝幅が、前記透明電極分離溝の溝幅及び連通溝の溝幅の2倍以上である太陽電池パネルに関連する。
即ち特許文献1の発明は、単に分離線112から光を取り込むことができることを開示するだけであり、分離線112の幅は旧来と同じであり、この幅を広げるという思想は無い。特許文献1の発明は、分離線112だけでは、光の透過量に限界があるから、分離線112以外の部位に溝部120を設けている。
これに対して本願発明は、分離線(セル分割溝)の幅を極端に広くして、十分な光を室内等に取り込もうとしている。
即ち本願発明は、セル分割溝の溝幅が、透明電極分離溝の溝幅及び連通溝の溝幅の2倍以上であり、従来技術に比べて極端に広い。
前記した様にセル分割溝(分離線)の本来の機能は、裏面電極105を複数の区画に分割し、単体セルを形成させるものである。そのため分離線112は、両側の区画と絶縁が確保される限度において細い方が望ましい。そのため、特許文献1では、分離線112の幅は極めて細い。特許文献1では、分離線112の幅は、少なくとも透明電極分離溝110よりも細い。また特許文献1では、分離線112の幅は、連通溝111と同等に設定されている。
これに対して本願発明では、セル分割溝(分離線)の幅は、本来の機能を果たすための幅をはるかに超えている。
また本願発明では、セル分割溝(分離線)の幅は極端に広いが、セル分割溝(分離線)の本数は、特許文献1の図1と同じであり、光電変換層6(光起電力素子)及び裏面電極層7(裏面電極)が露出する壁面123の面積は図15の様に特許文献1の図12と同じである。即ち本願発明の構造によると、光を透過する開口面積を増加しても、レーザスクライブ等によって露出する光電変換層6(光起電力素子)の面積は変わらない。
そのため、光電変換層6(光起電力素子)等に与えるがダメージが小さく、発電効率の低下を来さない。
本実施形態の太陽電池パネル1の層構成は、図2の通りであり、入光側透明基板2と裏面側透明封止基板(裏面側透明封止層)3を有し、両者の間に太陽電池積層体15が設けられたものである。太陽電池積層体15は入光側透明基板2に積層されたものであり、透明電極層5と光電変換層6及び裏面電極層7を有している。
また裏面電極層7と裏面側透明封止基板3の間には封止材8が介在されている。
ガラス板としては、大面積な板が安価に入手可能で、透明性・絶縁性が高い二酸化珪素(SiO2 )、酸化ナトリウム(Na2 O)及び酸化カルシウム(CaO)を主成分とする両主面が平滑なフロート板ガラスを用いることができる。
詳細な層構成は、図4の通りであり、下部側光電変換膜6aと、上部側光電変換膜6bが積層されたものである。また下部側光電変換膜6aと上部側光電変換膜6bとの間に中間層10が設けられている。
中間層10は、反射層として機能するものであり、シリコンオキサイド(SiO)が代表的に用いられる。
下部側光電変換膜6aは、p型シリコン系半導体層、i型シリコン系半導体層、及びn型シリコン系半導体層が一組となって構成される光電変換膜である。また上部側光電変換膜6bは同じくp型シリコン系半導体層、i型シリコン系半導体層、反射層(SiO層)11及びn型シリコン系半導体層が一組となって構成される光電変換膜である。
下部光電変換膜6aの厚みは例えば0.1〜0.5μm(マイクロメートル)であり、上部光電変換膜6bの厚みは例えば1〜3umである。これに対して、SiO等の反射層11の厚みは、例えば50〜800オングストロームである。
また前記した光電変換層6には連通溝21が形成されていると共に当該連通溝21内に裏面電極層7の一部が侵入して透明電極層5と裏面電極層7とが電気的に接続されている。
さらに本実施形態の太陽電池パネル1では、裏面電極層7から光電変換層6に跨がる深さであって、裏面電極層7と光電変換層6を除去されたセル分割溝22が設けられている。
そして前記した透明電極分離溝20と前記セル分割溝22によって太陽電池積層体15が複数の単体セル25に分割されていると共に、複数の単体セル25が前記した連通溝21内に侵入した裏面電極層7によって電気的に直列に接続されている。
本実施形態の太陽電池パネル1に特有の構成として、セル分割溝22の溝幅Waが従来に比べて極端に広い。
なおセル分割溝22をレーザスクライブによって形成する場合には、図16の様に開口面30が波うった形状となるから、溝幅Waは平均値をとることとなる。
溝幅Waは、平均値が150乃至1500μm(マイクロメートル)であることが望ましく、より望ましくは、200乃至450μm(マイクロメートル)である。
より望ましいは溝幅Waは、200乃至250マイクロメートルである。
Wa/WbおよびWa/Wcを3倍以上にすると透過光の量が明確に増加して明るくなり、4倍以上になるとさらに明確に明るくなる。また、Wa/WbおよびWa/Wcが4倍以上になると、セル分割溝の中に封止材が入って直接透明電極に接する面積が大きくなり、封止材の密着性が向上するので高温高湿耐性などの耐候性が向上する。
またWa/Wbを27倍以下とすることにより、適度な光透過と遮光を兼ね備え、まぶしくなく、かつ明るいこもれびのような好ましい明るさが得られる。
また、太陽電池パネル1をベランダの手すり等に適用した場合、明かりを取るとともに、外からの目隠しも兼用する。
また、後述する実施例のように9%以上の比較的高い発電効率を得ることができる。また、Wa/Wbを9倍以下とすることにより、まぶしさをより抑えた明かりが得られ、また、目隠しの効果も高くなる。また、Wa/Wbを9倍以下とすることにより、遮熱効果が高くなる。さらに、後述する実施例のように10%以上の高い発電効率を得ることができる。
より望ましくは、1/50以上1/20以下である。
なお透明電極分離溝20同士の中心間距離Lは、一般に8mmから25mm程度であり、10mmから20mm程度のものが多い。
即ち光電変換層6で発生した電流は、透明電極層5側から裏面電極層7側に向かって流れるが、裏面電極層7の一部が連通溝21を介して透明電極層5と接しており、最初の単体セル25で発生した電流が隣の単体セル25の透明電極層5に流れる。そのため電圧が順次加算されてゆく。
本発明の実施形態の光電変換装置の製造方法では、最初の工程として図5(a)の様にガラス等の入光側透明基板2の上に、ITO又は酸化亜鉛(ZnO)の透明電極層5を成膜する。
レーザスクライブを行うレーザ加工機は、レーザ発生装置と光学系(いずれも図示せず)によって構成され、レーザー光線は、透明電極層5側または入光側透明基板2側から照射される。
レーザスクライブは、レーザー光線を透明電極層5に照射しつつレーザ光線の照射位置を相対的に直線移動させる直線的レーザスクライブであり、透明電極層5を除去する。
連通溝21については、レーザー装置は公知のYAG、YVO 4 、YLFなどのレーザー発生装置を用い、第二高調波の532nmの波長を用いる。レーザー光線は、透明電極層5側または入光側透明基板2側から照射される。
セル分割溝22は、直線的レーザスクライブを複数回繰り返すことによって行う。即ち図5(f)の様に、直線的レーザスクライブを実施し、レーザー光線を太陽電池積層体15に照射して最初に細いセル分割溝22aを形成する。
その後、レーザ光線の照射位置をセル分割溝22aの幅方向にわずかにずらした状態で再度直線的レーザスクライブを実施し、溝幅を広げる。この工程を3から10回程度繰り返し、セル分割溝22aの幅を前記した幅に広げる(図5(g))。
なお封止材8は、透光性を有するものであり、例えばエチレン・酢酸ビニル共重合体樹脂(eva樹脂)やアイオノマー樹脂である。
裏面側透明封止基板3としては、ガラス、透明樹脂が用いられる。透明封止樹脂としては、対候性のあるものが望ましく、PET、PEN、透明フッ素樹脂などが用いられる。
裏面電極層7は、封止材8の接着力によって他の部材と接合されている。また封止材8の一部はセル分割溝22の中に入り、透明電極層5と接する。
また本実施形態の太陽電池パネル1は、光電変換層6等のレーザスクライブによって露出する面積が少ないので、光電変換層6に与えるダメージが小さく、発電効率の低下等を来さない。
比較例1として、図17の断面形状で、図22の平面形状を有する太陽電池パネルを試作した。透明電極分離溝20の溝幅は50μm(マイクロメートル)、連通溝の溝幅21は50μm(マイクロメートル)、セル分割溝22の溝幅は70μm(マイクロメートル)とした。
比較例1では、複数の単位セルを形成している。単位セルの幅Lは、透明電極分離溝20と、それに隣接する別の透明電極分離溝20の中心間距離で定義され、比較例1では9.0mmとした。
開口率は、セル分割溝22の総面積(平均の溝幅×長さ)を、単位セル25の総面積(幅×長さ)で割ったものとして定義され、比較例1の開口率は0.78%であった。
このとき開口率は、それぞれ2.33%、3.89%、5.00%、7.00%、10.00%、15.00%である。また、実施例のセル分割溝22の幅は、透明電極分離溝20の溝幅および連通溝21の溝幅に対して、それぞれ3倍、4.2倍、7倍、9倍、12.6倍、18倍、27倍であった。
比較例1と実施例の発電効率(Eff.)、短絡電流密度(Jsc)、開放電圧(Voc)、曲線因子(F.F.)を測定した。測定にはソーラーシミュレータを用い、AM1.5、100mW/cm2の模擬太陽光を照射して、電圧電流測定を行った。
図6に示す開口率に対する発電効率(Eff.)のグラフより、比較例1に対して開口率を増加していくと、実施例は比較例2に比べて発電効率(Eff.)の低下が緩やかで、開口率を増加しても比較的高い発電効率を維持している。
開口率が5%の場合、実施例は10.2%の10%以上の高い発電効率を維持しているが、比較例2は9.7%に過ぎず、発電効率が10%未満になっている。開口率15%の場合、実施例は9.0%の比較的高い発電効率を維持しているが、比較例2は7.8%と低下し、実施例との差が大きくなっている。
これに対して、比較例2は、切れ残り現象の発生は比較例1と同程度であり、透明電極のダメージ現象による抵抗増加は実施例と同程度であるが、光電変換層6および裏面電極層7の壁面の面積が比較例1に対して増加するので、残渣付着現象の影響が大きくなり、リーク電流が増えてシャント抵抗が減少するので、曲線因子(F.F.)の低下が大きくなり、発電効率(Eff.)を低下させる。
あるいは、壁面ダメージ現象による光電変換層6へのダメージも大きくなり、シャント抵抗の低下、直列抵抗の増加をおこし、曲線因子(F.F.)が低下して、発電効率(Eff.)を低下させる。
この結果から、本発明の太陽電池パネル1は、発電効率等の低下を過度に来さないことが判る。
図10は、温室ハウスであり、内部の温度や湿度を調節するため、屋根の棟の部分がモータ等の動力によって開閉することができる構造となっている。例えば屋根の棟の部分に本発明の太陽電池パネル1を採用すれば、開閉に要する電力を賄うことができる。図10に示す温室ハウスは、人又は家畜が入る空間を有する建屋の一つであり、建屋の外壁の一部に太陽電池パネル1が装着され、入光側透明基板2が建屋の外に露出し、太陽電池パネル1の裏面(裏面側透明封止基板3)が建屋の空間に露出している。
(1)光電変換層6に与えるダメージが小さく発電効率等が高い。
(2)レーザスクライブによって透明電極層5が剥き出しになる部分の総面積は変わらないが、剥き出しになる部位の個数が減少し、一か所の面積が大きい。そのためセル分割溝22内に封止材8が入り込みやすく、封止材8と太陽電池積層体15との接着強度が向上する。そのため太陽電池積層体15の封止力が高まり、経年による封止力の低下を来しにくい。
(3)セル分割溝22の幅が広いので、ショートが起きにくい。
2 入光側透明基板
3 裏面側透明封止基板(裏面側透明封止層)
5 透明電極層
6 光電変換層
7 裏面電極層
8 封止材
21 連通溝
15 太陽電池積層体
20 透明電極分離溝
22 セル分割溝
Claims (6)
- 入光側透明基板と裏面側透明封止層を有し、前記入光側透明基板と裏面側透明封止層との間に少なくとも透明電極層と光電変換層及び裏面電極層を有する太陽電池積層体が積層され、
前記透明電極層には透明電極分離溝が設けられていて複数の区画に分割されており、前記光電変換層には連通溝が形成されていると共に当該連通溝内に裏面電極層の一部が侵入して透明電極層と裏面電極層とが電気的に接続され、さらに前記裏面電極層から前記透明電極層に跨がる深さのセル分割溝が設けられていて前記透明電極分離溝と前記セル分割溝によって前記太陽電池積層体が複数の単体セルに分割されていると共に、複数の単体セルが前記連通溝内に侵入した裏面電極層によって電気的に直列に接続された太陽電池パネルにおいて、
前記裏面側透明封止層と前記裏面電極層の間には、封止材が介在されており、
前記裏面側透明封止層は、前記封止材によって前記裏面電極層に接着されており、
前記封止材の一部は、前記セル分割溝の中に入って前記透明電極層と直接接しており、
前記セル分割溝の溝幅が、前記透明電極分離溝の溝幅及び連通溝の溝幅の2倍以上である断面を有することを特徴とする太陽電池パネル。 - 前記セル分割溝の溝幅は、前記透明電極分離溝とそれに最近接の別の透明電極分離溝との中心間距離の1/50以上1/20以下であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池パネル。
- 前記セル分割溝の溝幅は、平均値が200乃至450マイクロメートルであることを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池パネル。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池パネルを製造する方法において、前記セル分割溝は、レーザ光線を太陽電池積層体に照射しつつレーザ光線の照射位置を相対的に直線移動させて前記裏面電極層と光電変換層を除去する直線的レーザスクライブによって行われ、レーザ光線の照射位置をセル分割溝の幅方向にわずかにずらした状態で複数回直線的レーザスクライブを実施することを特徴とする太陽電池パネルの製造方法。
- 人又は家畜が入る空間を有する建屋であり、当該建屋の外壁の一部または屋根の一部に請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池パネルが装着され、入光側透明基板が建屋の外に露出し、太陽電池パネルの裏面が建屋の前記空間に露出していることを特徴とする太陽電池パネル付き建屋。
- 居住空間に連続し人が立つ床面を有するベランダを有する建屋において、ベランダにはフェンスが設けられ、当該フェンスの一部または全部に請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池パネルが装着され、入光側透明基板が建屋の外に露出し、太陽電池パネルの裏面が居住空間側に向いていることを特徴とする太陽電池パネル付き建屋。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014149103A JP6419474B2 (ja) | 2014-07-22 | 2014-07-22 | 太陽電池パネル、太陽電池パネルの製造方法及び太陽電池パネル付き建屋 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2014149103A JP6419474B2 (ja) | 2014-07-22 | 2014-07-22 | 太陽電池パネル、太陽電池パネルの製造方法及び太陽電池パネル付き建屋 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016025248A JP2016025248A (ja) | 2016-02-08 |
JP6419474B2 true JP6419474B2 (ja) | 2018-11-07 |
Family
ID=55271759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014149103A Active JP6419474B2 (ja) | 2014-07-22 | 2014-07-22 | 太陽電池パネル、太陽電池パネルの製造方法及び太陽電池パネル付き建屋 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6419474B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018141309A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池パネル付屋根 |
WO2019158024A1 (en) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | (Cnbm) Bengbu Design & Research Institute For Glass Industry Co., Ltd | Method for producing a thin-film solar module |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001102603A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2003305577A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-28 | Sharp Corp | レーザ加工装置、それを用いた半導体素子の製造方法およびそれを用いた太陽電池素子の製造方法 |
JP2004087743A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sekisui Jushi Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池装置 |
CN201766902U (zh) * | 2010-07-07 | 2011-03-23 | 威升开发股份有限公司 | 温室用太阳能模块 |
KR20130107115A (ko) * | 2012-03-21 | 2013-10-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
2014
- 2014-07-22 JP JP2014149103A patent/JP6419474B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016025248A (ja) | 2016-02-08 |
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