JP6415532B2 - 閾値を監視する条件付きリセットイメージセンサ - Google Patents
閾値を監視する条件付きリセットイメージセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6415532B2 JP6415532B2 JP2016502895A JP2016502895A JP6415532B2 JP 6415532 B2 JP6415532 B2 JP 6415532B2 JP 2016502895 A JP2016502895 A JP 2016502895A JP 2016502895 A JP2016502895 A JP 2016502895A JP 6415532 B2 JP6415532 B2 JP 6415532B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- row
- interval
- column
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 116
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 87
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 46
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 39
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 22
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 16
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 26
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 164
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 71
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 47
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 28
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 24
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 20
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 17
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 14
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000003491 array Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 101100328886 Caenorhabditis elegans col-2 gene Proteins 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 7
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 7
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 101100328884 Caenorhabditis elegans sqt-3 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 3
- 206010042953 Systemic sclerosis Diseases 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 210000003813 thumb Anatomy 0.000 description 2
- MSJLMQTXVKCUCD-UHFFFAOYSA-M 2-dodecylisoquinolin-2-ium;bromide Chemical compound [Br-].C1=CC=CC2=C[N+](CCCCCCCCCCCC)=CC=C21 MSJLMQTXVKCUCD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007476 Maximum Likelihood Methods 0.000 description 1
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229940049595 antibody-drug conjugate Drugs 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 description 1
- 238000005316 response function Methods 0.000 description 1
- 230000007561 response to light intensity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
幾つかのイメージセンサでは、光子応答を表し、ピクセル領域に入射した光から生じる電気情報(本明細書では「ピクセル信号」と呼ばれる)は、リード回路によってデジタルイメージデータ値に変換される。リード回路は、イメージセンサ内に存在することもでき、又はイメージセンサ外部に配置することもできる。幾つかの手法では、リード回路はイメージセンサ内に配置されて、リード回路に隣接するか、又はその近傍の1つ又は複数のピクセル領域がリード回路を使用することができる。イメージセンサ外部に配置されるリード回路の場合、リード回路に関連付けられた1つ又は複数のピクセル領域のピクセル信号をピクセル領域からリード回路に転送することができる。
図1は、一実施形態で有用なイメージセンサ25の部分断面を示す。イメージセンサ25では、マイクロレンズアレイ10及びカラーフィルタアレイ12(カラー撮像に有用)を通る光は、イメージセンサのシリコンセクション20に入射する。マイクロレンズ(又は他の集束光学系)及びカラーフィルタの使用は、任意選択的であり、本明細書では、例示目的のためだけに示される。シリコン20はフォトダイオード(図示せず)を含み、フォトダイオードは、シリコンによって吸収される光子によって生成される電荷を収集し、フォトダイオードを動作させるトランジスタ(これも図示せず)にアクセスする。ピクセルアレイIC配線14は、信号及び供給電圧をアレイ内でルーティングするのに使用される接続を提供する。示されるように、イメージセンサ25は背面照射型(BSI)センサである。これは集積回路における配線層及び主に能動的な回路構成とは逆側から光がシリコンに入るためである。任意選択的に、ピクセルアレイIC配線14は、前面照射型(FSI)の場合、カラーフィルタアレイ12とシリコン20との間に配置することができる(主な能動回路構成が、図1の向きでシリコンの「上部」内にある)。
図3は、一実施形態によりピクセル信号をマルチビットデジタル変換に変換するように構成されるイメージセンサリード回路の一例を示す。図3の実施形態は、IP100、IPメモリ116、及びリード回路110を示し、リード回路はADC/コンパレータ回路112(以下、「ADC/コンパレータ」)及び加算器114を含む。他の実施形態では、図3の方法が追加、より少数、及び/又は異なる構成要素を含むことが可能なことに留意されたい。例えば、ADC/コンパレータは、別個の構成要素として実施することができ、加算器はリード回路外部に配置することができる。
図2に示される3トランジスタ(3T)ピクセルアーキテクチャは、多くの用途に適するが、フォトダイオードとソースフォロアとの間(すなわち、感光素子65のノード「VDET」と図2の要素74との間)に配置される「転送ゲート」を有する4トランジスタ(4T)設計は、幾つかの利点を提供する。第1に、ソースフォロアのゲートでのここでは絶縁された浮動拡散は、フォトダイオードの電荷状態を妨げずにリセットする(例えば、VDDに結合する)ことができ、それにより、相関二重サンプリング(CDS)動作が可能になり、この動作では、浮動拡散のノイズフロアが、電荷積分前にサンプリングされ、次に、フォトダイオード電位の続くサンプリングから減算され、ノイズを相殺し、SNRを大幅に改善する。別の利点は、直観に反して、よりコンパクトなピクセル設計であり、その理由は、フォトダイオードとソースフォロアとの切り替えられた接続(すなわち、転送ゲートを介する)により、ソースフォロア、リセットトランジスタ、及びアクセストランジスタを複数のフォトダイオード間で共有できるためである。例えば、共有されるソースフォロア、リセットトランジスタ、及びアクセストランジスタを有する4つの「4T」ピクセルセット(すなわち、4つの転送ゲートに、3つの共有トランジスタを加えたもの)の実施に必要なトランジスタは、7つのみであり、したがって、ピクセル当たり平均でトランジスタ1.75個である(1.75T).
図15A〜図15Cは、上述した例示的なプログレッシブ読み出しピクセルに関連して利用し得る代替の列読み出し回路実施形態を示す。図15Aは、例えば、サンプルホールドバンク351と、アナログ/デジタル変換器(ADC)353と、センスアンプ355と、ADCイネーブルゲート357とによって形成される列読み出し回路350を示す。サンプルホールド(S/H)バンク351は、スイッチ素子及びアナログ記憶素子(例えば、容量性素子)を含み、リセット状態制御信号及び信号状態制御信号のアサートに応答して、選択されたピクセル(列「Vout」線によって送られる)のリセット状態及び信号状態をサンプリングし、保持できるようにする。一実施形態では、ピクセルリセット状態信号及び信号状態信号は、S/Hバンク351から差動的に出力され(例えば、信号状態−リセット状態)、したがって、センスアンプ355及びADC353は、可変(すなわち、ノイズの多い)リセットレベル未満の浮動拡散器の状態を反映した測定信号を受信することができる。示される実施形態では、センスアンプ355及びADC353は、閾値超え検出動作及びADC動作のそれぞれで印加される別個の参照信号(「SA Ref」及び「ADC Ref」を受信する。より具体的には、比較ストローブ信号(「Compare」)がパルスされる場合、閾値比較がセンスアンプ353内でトリガーされ、S/H信号出力(ひいてはノイズ補正ピクセル信号状態)がセンスアンプ参照信号(すなわち、上述したような溢れ閾値又は条件付きリセット閾値)を超えるか否かに従って、論理ハイ又は論理ロー比較結果を生成する。比較結果は、上述した条件付きリセット信号としてピクセル列にフィードバックされるとともに、論理ゲート357にも供給されて、ADC353内のアナログ/デジタル変換動作を選択的にイネーブルする。すなわち、センスアンプ355が閾値超え条件(この例では、論理「1」比較結果)を通知する場合、続く変換ストローブパルス(「Convert」)がイネーブルされて、論理ANDゲート357を通過して(すなわち、ハイセンスアンプ出力により)ADC353の変換イネーブル入力に渡され、それにより、ADC動作をトリガーする。一実施形態では、バッファ359が提供されて、結果として生成されるNビットADC値(例えば、幾つかの実施形態では8ビット〜12ビットの値であるが、より高い又はより低い解像度を全ての事例で適用し得る)及びセンサアンプ355からの比較結果を記憶し、比較結果は、有効データ又は非有効データを含むものとしてバッファ359内のADC内容を見なす有効性ビット「V」を形成する。したがって、検出可能な溢れが、読み出し中のピクセル内で発生しなかった場合、論理ロー比較結果は、ADC動作を抑制するのみならず(節電)、読み出しバッファの内容の有効性を指定し、それにより、出力データストリームの圧縮を可能にする。この結果は、破線ADSデータ送信−ピクセル測定値が溢れ閾値(V=1)を超える場合のみでのADCデータの生成及び送信を示す−により360においてタイミング波形内に示される。
本明細書に記載される幾つかの条件付きリセットイメージセンサ実施形態は、最高イメージ解像度に満たない解像度を生成するデシメーションモードで動作可能である。例えば、一実施形態では、静止画モードで8MP(8メガピクセル)出力を生成可能なイメージセンサは、デシメーション高精細(HD)ビデオモード、4:1デシメーション比で2MP出力を生成する(各モードでより高い又はより低い解像度を適用し得、代替の実施形態では、他のデシメーションモード及び比率を達成し得、また、静止及びビデオフレームアスペクト比が異なる場合、センサの幾つかのエリアは、何れかのモードで全く使用されないことがある)。
図19及び図20に関連して概説したように、部分読み出し動作及び完全読み出し動作中に異なる利得を適用し得る。すなわち、部分読み出し中の溢れ電荷は、かなり小さいことがある(すなわち、電荷積分レベルが条件付きリセット閾値を超えることは希である)ため、部分詠み出し中により高い利得を適用することが有利であり得る。逆に、完全読み出しは、最小電荷積分レベル〜最大電荷積分レベルの範囲であり得るため、かなり低い利得を適用して、それらの電荷レベルを最小ADC出力値及び最大ADC出力値に正規化し得る。したがって、本明細書での幾つかの実施形態(図19〜図24を参照して上述された実施形態を含む)では、部分読み出し動作中及び完全読み出し動作中、列読み出し回路は異なる利得を適用する。
図28は、上部読み出し回路732.1と下部読み出し回路732.2との間に配置されるピクセルアレイ731を有するイメージセンサの一実施形態を示す。読み出し回路は、アレイ内のピクセル行のそれぞれ半分に結合され、並列に動作可能であり、それにより、ピクセルアレイの行全体を通してスキャンするのに必要な時間を半減する。一実施形態では、ピクセル行は、ピクセル行が存在するピクセルアレイの物理的な半分に従って、上部読み出し回路及び下部読み出し回路のいずれかに割り振られる。例えば、全ての上部ピクセル行(すなわち、物理的中間点よりも上のピクセル行)は、上部読み出し回路に結合し得、全ての下部ピクセル行は、下部読み出し回路に結合し得、それにより、全体の列ライン長を低減する(Vout及びリセットフィードバック(TGc)線のそれぞれに関して、キャパシタンス、ノイズ、必要とされる駆動電力等を低減する)。他の実施形態では、上部及び下部読み出し回路へのピクセル行相互接続は、ピクセルアレイの行にわたりインタリーブし得、接続は、ピクセルブロックの連続行毎(例えば、図21に示される4×1クワッドピクセルブロックで埋められるピクセルアレイ内の4行毎、図16及び図17に示される2×2クワッドピクセルブロックによって埋められるピクセルアレイ内の2行毎、又は専用Vout相互接続を有するピクセルによって埋められるピクセルアレイ内の1行毎)に、上部読み出し回路と下部読み出し回路とで交互になる。示される実施形態では、各読み出し回路(732.1及び732.2)は、サンプルホールドバンク733(例えば、上述したように、列毎の容量性記憶素子と、切り換え素子とを含む)と、列毎のセンスアンプ回路(又はラッチ)及びリセットフィードバック論理を含むセンスアンプバンク735と、列毎のADCバンク737と、デジタルラインメモリ739とを含む。列毎のADCを適用して、部分読み出しサンプルをデジタル化する実施形態では、センスアンプバンク735を省き得、デジタル比較器を備えた列毎のADCバンクが、リセットフィードバック信号(すなわち、条件付きリセット信号TGc)を生成し得る。また、サンプルホールドバンクは、図23を参照して説明した横断切り換え素子を含み、電圧ビニング動作をサポートし得る。より一般的には、上部及び下部読み出し回路の様々な回路ブロックは、上述したように動作し、且つ/又は構成して、様々なデシメーションモード及び読み出しオプションをサポートし得る。特に示されていないが、上部及び下部デジタルラインメモリ739は、例えば、ピクセルアレイの左又は右に配置され、デジタルラインメモリのそれぞれから並列にデータを受信するように結合される供給物理出力ドライバ(PHY)を供給し得る。代替的には、2つのデジタルラインメモリに別個のPHYを提供し得、PHYは、例えば、イメージセンサICの両縁部に配置される。さらに、上部及び下部読み出し回路は、ピクセルアレイ731と同じ物理的ダイ上(例えば、(ピクセルアレイを挟む)ダイの周縁又はピクセルアレイの各半分間のダイの中央に実装し得るが、読み出し回路は代替的に、別のダイに配置してもよい(例えば、他のイメージング関連ダイを更に含み得る積層構成でピクセルアレイダイに結合される)。
本明細書では、線形光表現を統合露光シーケンスから再構築するために、2つの主な方法が使用される。第1の方法はサムアンドルックアップ(sum-and-lookup)であり、第2の方法は加重平均である。図31は、初期計算後の両手法の露光値(EV)とルクス単位の光強度の対数−対数プロットを含む。両方とも同様のダイナミックレンジを示し、低光範囲では略線形であるが、サムアンドルックアップ手法は、高強度でショルダを有し、加重平均手法は、ダイナミックレンジの上部に達するまで線形のままである。
である。ポアソン分布ノイズの場合、重みwiは1に設定される。ガウス優勢ノイズの場合、重みはTiに設定することができる。その他の重みを所望に応じて選択することができる。第2の計算では、2つ以上の飽和サンプルがある場合、強度推定値は、この露光持続時間での予測値(
推定値に既に含まれるサンプルに基づく)がSmax未満である場合、最短持続時間Tkを有する飽和サンプルを包含するように更新される。予測値は、
を含む幾つかの方法で計算し評価し得る。この更新プロセスは、2番目に最短の持続時間のサンプルで、2つ以上の飽和サンプルがある場合等、最後のそのようなサンプルに達するまで、又は上記式がもはや満たされなくなるまで繰り返すことができる。飽和サンプルしかない場合、強度の最良推定値が、最短持続時間Tkでの飽和サンプルからとられる。
幾つかの実施形態では、センサでのデータ記憶は、サブフレームよりもはるかに小さい容量に制限され、サブフレーム動作レートは、ADC変換レートと、センサと取り付けられる処理/記憶システムとの間で利用可能なチャネルレートとのうちの少なくとも一方によって制限される。図32〜図39は、そのような実施形態でサポートすることができる異なる条件付き/無条件読み出しモードタイミング図の集まりを示す。各図のフォーマットは、無条件リセット動作、条件付き読み出し/リセット動作、及び無条件読み出し動作を行数及び時間の関数としてプロットする。
に調整されるべきである。飽和ピクセルを考慮する方程式も同様に調整される。加えて、異なるISOでの読み出しノイズの変化を計上するように、重みを調整し得る。サムアンドルックアップ再構築手法の場合、合算前に値をISOによってスケーリングすべきである。
幾つかの実施形態では、追加のセンサデータレートが、1つ又は複数の方法で利用可能な幾つかのモードで存在する。図40は、最大行レートがフレーム毎に概ね4.5アレイスキャンをサポートするのに十分に高速なそのような一例でのタイミング図を示す。センサは選択的に、幾つかの行を選び、各フレームで第5のサブ間隔SE5を受け取り、この場合、合計露光時間は0.25ms(サブ間隔SE1の露光時間1/4)である。
条件付きリセットイメージャの別の潜在的なモードは、積分又は外部フラッシュに同期するストローブモードである。ストローブモードでは、サブ露光のうちの1つ(この場合、SE6)は、同期サブ露光として示される。同期露光は、全ての行が積分され、行が読み出されないか、又はリセットされないストローブウィンドウを含む。イメージャ及びストローブは、ストローブウィンドウ中、ストローブが発光するように同期される。
静止モードは一般に、同様の光レベルで対応するビデオモードを追跡するが、幾つかの静止モードをはるかに長い露光に使用することができ、保存されるフレームはかなり多くの行及び列を有し得る。レート制限スキャンの場合、追加の露光モードは、タイル化された「A」及び「B」ブロックを異なる露光タイミングを用いて取り扱い、更に多様なサブ露光時間が得られる。デモザイク処理中、A及びBブロックを一緒に使用して、ダイナミックレンジブレンドイメージが生成される。
露光最適化は、信号対雑音比、帯域幅、スキャン毎の閾値超えピクセル、スキャン毎の非飽和ピクセル等の1つ又は複数のパラメータを最適化しようとする。本明細書では、各サブ露光間隔が異なるヒストグラムを有することが認識される。図46の例示的なヒストグラムシーケンスでは、SE1(短間隔)は、90%の閾値未満ピクセル、8%の範囲内ピクセル、及び2%の飽和ピクセルを有し、SE2(より長い間隔)は、50%の閾値未満ピクセル、20%の飽和ピクセル、及び30%の範囲内ピクセルを有し、SE3(更に長い間隔)は、15%の閾値未満ピクセル、20%の飽和ピクセル、及び65%の範囲内ピクセルを有し、SE4(無条件読み出しのより長い間隔)は、閾値未満のピクセルを有さず、50%の飽和ピクセル及び50%の範囲内のピクセルを有する。
本明細書に開示される様々な回路が、コンピュータ支援設計ツールを使用して記述し、挙動、レジスタ転送、論理構成要素、トランジスタ、レイアウトジオメトリ、及び/又は他の特徴に関して様々なコンピュータ可読媒体で具現されるデータ及び/又は命令として表現する(又は表す)ことができることに留意されたい。そのような回路表現を実施することができるファイル及び他のオブジェクトのフォーマットとしては、C、Verilog、及びVHDL等の挙動言語をサポートするフォーマット、RTLのようなレジスタレベル記述言語をサポートするフォーマット、GDSII、GDSIII、GDSIV、CIF、MEBES等のジオメトリ記述言語をサポートするフォーマット、並びに任意の他の適するフォーマット及び言語が挙げられるが、これらに限定されない。そのようなフォーマットデータ及び/又は命令を具現することができるコンピュータ可読媒体としては、様々な形態のコンピュータ記憶媒体(例えば、そのように独立して分散するか、それともオペレーティングシステムの「原位置」に記憶されるかに関係なく、光学、磁気、又は半導体記憶媒体)が挙げられるが、これに限定されない。
Claims (40)
- 集積回路イメージセンサであって、
入射光に応答して電荷を蓄積する複数の感光素子と、
前記感光素子のそれぞれの読み出しを可能にする共有浮動拡散器と、
前記感光素子の各行に関連付けられる行ライン及び前記感光素子の各列に関連付けられる列ラインであって、前記行ラインのうちの選択された1つのアクティブ化及び前記列ラインのうちの選択された1つのアクティブ化により、前記共有浮動拡散器を前記感光素子のそれぞれ1つに切り換え可能に結合する、行ライン及び列ラインと、
制御回路と、
を含み、
前記制御回路は、2つの連続する積分フェーズの間で、(i)第1の間隔中に複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することであって、それにより、部分読み出し動作で、少なくとも4つの感光素子のグループのうちの2つ以上のサブグループ内に蓄積される電荷のレベルを特定する、第1の間隔中に複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化すること、及び、(ii)前記部分読み出し動作の結果に基づいて条件付きで、第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することであって、それにより、完全読み出し動作で、前記感光素子のサブグループ内に蓄積される電荷の総合レベルを表すデジタル値の生成を可能にする、第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することを実行する、集積回路イメージセンサ。 - 複数の切り換え回路を更に含み、各切り換え回路は、前記感光素子のそれぞれ1つを前記共有浮動拡散器に切り換え可能に結合し、各切り換え回路は、前記列ラインのそれぞれ1つに結合される列入力と、前記行ラインのそれぞれ1つに結合される行入力とを有する、請求項1に記載の集積回路イメージセンサ。
- 第1のモードで動作可能であり、前記行ラインのそれぞれを順次アクティブ化して、前記感光素子の前記行の読み出しをそれぞれ連続した間隔で可能にする行論理を更に含む、請求項1に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記行論理は、第2のモードで更に動作可能であり、前記行ラインのうちの2つ以上を同時にアクティブ化して、前記感光素子の前記行のうちの2つ以上の同時読み出しを可能にする、請求項3に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記共有浮動拡散器の電荷レベルに対応する信号を読み出し、前記共有浮動拡散器の前記電荷レベルが閾値を超える場合、前記列ラインのうちの1つ又は複数をアクティブ化する読み出し回路を更に含む、請求項1に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記複数の感光素子は、前記集積回路イメージセンサ内の感光素子のサブグループを含み、前記サブグループは、2行及び2列に配置される少なくとも4つの感光素子を含む、請求項1に記載の集積回路イメージセンサ。
- 集積回路イメージセンサ内の動作方法であって、
複数の行ラインのうちの選択された行ラインをアクティブ化することであって、前記行ラインのそれぞれには、ピクセルグループ内の感光素子の各行が関連付けられ、前記ピクセルグループは共有浮動拡散器を有する、選択された行ラインをアクティブ化すること、
複数の列ラインのうちの選択された列ラインをアクティブ化することであって、前記列ラインのそれぞれには、前記ピクセルグループ内の感光素子の各列が関連付けられる、選択された列ラインをアクティブ化すること、及び、
前記選択された行ラインに関連付けられた前記感光素子の行内に含まれるとともに、前記選択された列ラインに関連付けられた前記感光素子の列内に含まれる第1の感光素子を前記共有浮動拡散器に切り替え可能に結合すること、
を含み、
2つの連続する積分フェーズの間で、(i)第1の間隔中に複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することであって、それにより、部分読み出し動作で、少なくとも4つの感光素子のグループのうちの2つ以上のサブグループ内に蓄積される電荷のレベルを特定する、第1の間隔中に複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化すること、及び、(ii)前記部分読み出し動作の結果に基づいて条件付きで、第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することであって、それにより、完全読み出し動作で、前記感光素子のサブグループ内に蓄積される電荷の総合レベルを表すデジタル値の生成を可能にする、第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することを実行することを更に含む、方法。 - 前記選択された列ラインをアクティブ化することは、第1の間隔中、前記選択された列ラインをアクティブ化することを含み、前記方法は、
前記選択された行ライン及び前記選択された列ラインをアクティブ化した後、前記共有浮動拡散器の電荷レベルに対応する信号を読み出すこと、及び、
前記信号により、前記共有浮動拡散器の前記電荷レベルが読み出し閾値を超えることが示される場合、第2の間隔中、前記選択された列ラインをアクティブ化すること、
を更に含む、請求項7に記載の方法。 - 前記選択された行ラインをアクティブ化することは、前記第1の間隔中、前記選択された行ラインに第1の電圧レベルを印加し、前記第2の間隔中に前記選択された行ラインに第2の電圧を印加することを含み、前記第2の電圧は前記第1の電圧よりも高い、請求項8に記載の方法。
- 前記第1の間隔中に前記選択された行ラインに前記第1の電圧を印加することにより、前記第1の感光素子の電荷レベルが電荷閾値を超える場合、電荷を前記第1の感光素子から前記共有浮動拡散器に流すことができる、請求項9に記載の方法。
- 前記第2の間隔中に前記選択された行ラインに前記第2の電圧を印加することにより、追加の電荷を前記第1の感光素子から前記共有浮動拡散器に流すことができる、請求項10に記載の方法。
- 前記ピクセルグループは、前記行ラインのそれぞれに関連付けられた少なくとも2つの感光素子と、前記列ラインのそれぞれに関連付けられた少なくとも2つの感光素子とを含む、少なくとも4つの感光素子を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記選択された行ラインは、第1の選択された行ラインを含み、前記方法は、前記第1の選択された行ラインのアクティブ化と同時に第2の選択された行ラインをアクティブ化して、前記第2の選択された行ラインに関連付けられた感光素子の行内に含まれる第2の感光素子を前記共有浮動拡散器に切り換え可能に結合することを更に含む、請求項7に記載の方法。
- 集積回路イメージセンサ内の動作方法であって、
第1の間隔中に複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することであって、それにより、部分読み出し動作で、少なくとも4つの感光素子のグループのうちの2つ以上のサブグループ内に蓄積される電荷のレベルを特定する、第1の間隔中に複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化すること、及び、
前記部分読み出し動作の結果に基づいて条件付きで、第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することであって、それにより、完全読み出し動作で、前記感光素子のサブグループ内に蓄積される電荷の総合レベルを表すデジタル値の生成を可能にする、第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化すること、
を含む、方法。 - 前記感光素子のグループの前記少なくとも4つの感光素子は、共有浮動拡散器に切り替え可能に結合され、前記第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することにより、前記サブグループ内の前記感光素子のそれぞれから前記共有浮動拡散器に電荷を転送することができる、請求項14に記載の方法。
- 前記第1の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することは、各組み合わせの前記行ラインに第1の電圧を印加することを含み、前記第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせを条件付きでアクティブ化することは、各組み合わせの前記行ラインに第2の電圧を印加することを含み、前記第2の電圧は前記第1の電圧よりも高い、請求項14に記載の方法。
- 前記第1の電圧は閾値電荷レベルに対応し、前記第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することは、前記サブグループのうちの前記1つ又は複数の感光素子内に蓄積される電荷のレベルが、前記閾値電荷レベルを検出可能に超えるか否かに従って、前記第2の間隔中に各組み合わせの前記列ラインを条件付きでアクティブ化することを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記感光素子のグループは、第1の浮動拡散器に切り替え可能に結合される少なく2つの感光素子の第1の組と、第2の浮動拡散器に切り換え可能に結合される少なくとも2つの感光素子の第2の組とを含み、前記方法は、前記第2の間隔中、電荷を前記第1の組の感光素子のうちの少なくとも1つから前記第1の浮動拡散器に転送すること、及び、前記第2の間隔中、電荷を前記第2の組の感光素子のうちの少なくとも1つから前記第2の浮動拡散器に転送することを更に含む、請求項14に記載の方法。
- 共有サンプルホールド記憶素子内に、前記第1及び第2の浮動拡散器内の電荷レベルの和を表すアナログ信号レベルを記憶すること、及び、
前記サンプルホールド記憶素子内に記憶される前記アナログ信号に少なくとも部分的に基づいて、前記デジタル値を生成すること、
を更に含む、請求項18に記載の方法。 - 前記アナログ信号レベルを前記共有サンプルホールド記憶素子内に記憶することは、第1及び第2の列読み出し線を前記共有サンプルホールド記憶素子に同時に切り替え可能に結合することを含む、請求項19に記載の方法。
- 集積回路イメージセンサであって、
感光素子のアレイと、
前記感光素子の各行に関連付けられた行ライン及び前記感光素子の各列に関連付けられた列ラインと、
制御回路と、
を含み、
前記制御回路は、(i)第1の間隔中に複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することであって、それにより、部分読み出し動作で、少なくとも4つの感光素子のグループのうちの2つ以上のサブグループ内に蓄積される電荷のレベルを特定する、第1の間隔中に複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化すること、及び、(ii)前記部分読み出し動作の結果に基づいて条件付きで、第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することであって、それにより、完全読み出し動作で、前記感光素子のサブグループ内に蓄積される電荷の総合レベルを表すデジタル値の生成を可能にする、第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化することを実行する、集積回路イメージセンサ。 - 前記感光素子のアレイ内に配置される複数の共有浮動拡散領域を更に含み、前記感光素子のグループのうちの少なくとも4つの感光素子は、前記複数の共有浮動拡散領域の第1の浮動拡散領域に切り替え可能に結合される、請求項21に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせを条件付きでアクティブ化する制御論理は、前記サブグループ内の前記少なくとも4つの感光素子と前記第1の浮動拡散領域との間に配置される素子を導通状態に切り換えて、前記サブグループに属する前記少なくとも4つの感光素子のそれぞれから前記第1の浮動拡散領域に電荷を転送できるようにすることを含む、請求項22に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記第1の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化し、前記第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせを条件付きでアクティブ化する制御回路は、前記第1の間隔中に各組み合わせの前記行ラインに第1の電圧を印加し、前記第2の間隔中に各組み合わせの前記行ラインに第2の電圧を印加する行論理を含み、前記第2の電圧は前記第1の電圧よりも高い、請求項21に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記第1の電圧は閾値電荷レベルに対応し、前記第2の間隔中に前記複数の行ライン−列ライン組み合わせをアクティブ化する制御回路は、前記サブグループのうちの前記1つ又は複数の感光素子内に蓄積される電荷のレベルが、前記閾値電荷レベルを検出可能に超えるか否かに従って、前記第2の間隔中に各組み合わせの前記列ラインを条件付きでアクティブ化する列論理を含む、請求項24に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記感光素子のアレイ内に配置される複数の共有浮動拡散領域を更に含み、前記感光素子のグループは、前記複数の共有浮動拡散領域のうちの第1の浮動拡散領域に切り替え可能に結合される少なく2つの感光素子の第1の組と、前記複数の共有浮動拡散領域のうちの第2の浮動拡散領域に切り替え可能に結合される少なくとも2つの感光素子の第2の組とを含む、請求項21に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記制御回路は、前記第2の間隔中、電荷を前記第1の組の感光素子のうちの少なくとも1つから前記第1の浮動拡散に転送できるようにし、前記第2の間隔中、電荷を前記第2の組の感光素子のうちの少なくとも1つから前記第2の浮動拡散に転送できるようにする論理を含む、請求項26に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記制御回路は、サンプルホールド記憶素子のバンクと、前記バンクのうちの第1のサンプルホールド記憶素子内に、前記第1及び第2の浮動拡散内の電荷レベルの和を表すアナログ信号レベルを記憶する論理とを更に含む、請求項27に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記制御回路は、前記第1のサンプルホールド記憶素子内に記憶される前記アナログ信号に少なくとも部分的に基づいて、前記デジタル値を生成するアナログ/デジタル変換器を更に含む、請求項28に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記アナログ信号レベルを前記第1のサンプルホールド記憶素子内に記憶することは、第1及び第2の列読み出し線を前記第1のサンプルホールド記憶素子に同時に切り替え可能に結合することを含む、請求項28に記載の集積回路イメージセンサ。
- 集積回路イメージセンサ内の動作方法であって、第1のピクセル読み出し動作中、第1の増幅器をピクセルに切り替え可能に結合すること、及び、第2のピクセル読み出し動作中、第2の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合することを含み、前記第2の増幅
器は前記第1の増幅器と異なる利得をもたらすものであり、
第1の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合することは、前記第1の増幅器を前記ピクセルの感光素子に切り替え可能に結合することを含み、前記第2の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合することは、前記第2の増幅器を前記ピクセルの前記感光素子に切り替え可能に結合することを含む、方法。 - 前記第1のピクセル読み出し動作中の前記ピクセルの信号読み出しが閾値を超えるか否かを判断することを更に含み、前記第2のピクセル読み出し動作中、前記第2の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合することは、前記第1のピクセル読み出し動作中の前記第1のピクセルの前記信号読み出しが前記閾値を超える場合、前記第2の増幅器を前記ピクセルの浮動拡散ノードに切り替え可能に結合することを含む、請求項31に記載の方法。
- 前記第1のピクセル読み出し動作は前記第2のピクセル読み出し動作に先行し、前記第2の増幅器によってもたらされる利得は、前記第1の増幅器によってもたらされる利得よりも低い、請求項31に記載の方法。
- 前記第1の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合することは、前記第1の増幅器を前記ピクセルの浮動拡散ノードに切り替え可能に結合することを含み、前記第2の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合することは、前記第2の増幅器を前記ピクセルの前記浮動拡散ノードに切り替え可能に結合することを含む、請求項31に記載の方法。
- 前記第1及び第2の増幅器はそれぞれ、前記ピクセル内に同じトランジスタを含む、請求項31に記載の方法。
- 集積回路イメージセンサであって、
ピクセルと、
第1の増幅器及び第2の増幅器と、
制御回路と、
を含み、
前記制御回路は、第1のピクセル読み出し動作中、前記第1の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合し、第2のピクセル読み出し動作中、前記第2の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合し、前記第2の増幅器は、前記第1の増幅器と異なる利得をもたらすものであり、
前記ピクセルは感光素子を含み、前記第1の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合する制御回路は、前記第1の増幅器を前記感光素子に切り替え可能に結合する回路を含み、前記第2の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合する制御回路は、前記第2の増幅器を前記感光素子に切り替え可能に結合する回路を含む、集積回路イメージセンサ。 - 前記ピクセルは浮動拡散ノードを含み、前記制御回路は、前記第1のピクセル読み出し動作中の前記ピクセルの信号読み出しが閾値を超えるか否かを判断する論理を含み、前記第2のピクセル読み出し動作中に前記第2の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合する制御回路は、前記第1のピクセル読み出し動作中の前記第1のピクセルの前記信号読み出しが前記閾値を超える場合、前記第2の増幅器を前記ピクセルの浮動拡散ノードに切り替え可能に結合する回路を含む、請求項36に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記第1のピクセル読み出し動作は前記第2のピクセル読み出し動作に先行し、前記第2の増幅器によってもたらされる利得は、前記第1の増幅器によってもたらされる利得よりも低い、請求項36に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記ピクセルは浮動拡散ノードを含み、前記第1の増幅器を前記ピクセルに切り替え可能に結合する制御回路は、前記第1の増幅器を前記浮動拡散ノードに切り替え可能に結合する回路を含む、前記第2の増幅器を前記ピクセルに切り換え可能に結合する制御回路は、前記第2の増幅器を前記浮動拡散ノードに切り替え可能に結合する回路を含む、請求項36に記載の集積回路イメージセンサ。
- 前記ピクセルは複数のトランジスタを含み、前記第1及び第2の増幅器はそれぞれ、前記ピクセル内に前記複数のトランジスタのうちの同じ少なくとも1つのトランジスタを含む、請求項36に記載の集積回路イメージセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361790368P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
US61/790,368 | 2013-03-15 | ||
PCT/US2014/028780 WO2014144391A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | Threshold-monitoring, conditional-reset image sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016513942A JP2016513942A (ja) | 2016-05-16 |
JP6415532B2 true JP6415532B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=50792537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016502895A Expired - Fee Related JP6415532B2 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | 閾値を監視する条件付きリセットイメージセンサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10136090B2 (ja) |
EP (1) | EP2974280B1 (ja) |
JP (1) | JP6415532B2 (ja) |
CN (2) | CN105144699B (ja) |
WO (1) | WO2014144391A1 (ja) |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9036065B1 (en) * | 2012-08-16 | 2015-05-19 | Rambus Inc. | Shared-counter image sensor |
US9276031B2 (en) | 2013-03-04 | 2016-03-01 | Apple Inc. | Photodiode with different electric potential regions for image sensors |
US9741754B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors |
JP6230260B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-11-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
GB2520726A (en) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | St Microelectronics Res & Dev | Read-out circuitry for an image sensor |
US9979918B2 (en) * | 2014-01-30 | 2018-05-22 | Shanghai Ic R&D Center Co., Ltd | Image sensor and data tranmission method thereof |
US10285626B1 (en) | 2014-02-14 | 2019-05-14 | Apple Inc. | Activity identification using an optical heart rate monitor |
US9686485B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Pixel binning in an image sensor |
US9386240B1 (en) * | 2015-03-12 | 2016-07-05 | Omnivision Technologies, Inc. | Compensation for dual conversion gain high dynamic range sensor |
US10257448B1 (en) * | 2015-08-18 | 2019-04-09 | Sri International | Extended dynamic range imaging sensor and operating mode of the same |
US10827139B2 (en) | 2015-08-18 | 2020-11-03 | Sri International | Multiple window, multiple mode image sensor |
US11297258B2 (en) | 2015-10-01 | 2022-04-05 | Qualcomm Incorporated | High dynamic range solid state image sensor and camera system |
CN105554419B (zh) * | 2015-12-18 | 2018-04-10 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 图像传感器及具有其的终端 |
CN105578005B (zh) * | 2015-12-18 | 2018-01-19 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 图像传感器的成像方法、成像装置和电子装置 |
CN105472266A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-06 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 高动态范围图像的生成方法、拍照装置和终端 |
CN105611122B (zh) | 2015-12-18 | 2019-03-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像传感器及输出方法、相位对焦方法、成像装置和终端 |
CN105516695B (zh) * | 2015-12-18 | 2018-06-15 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 图像传感器和具有其的终端 |
CN105611198B (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-27 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 图像传感器及具有其的终端 |
JP6732468B2 (ja) * | 2016-02-16 | 2020-07-29 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
WO2017145816A1 (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | ソニー株式会社 | 光学測定器、フローサイトメータ、および放射線計数器 |
JP6669246B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2020-03-18 | 株式会社リコー | 光電変換装置、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6943875B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2021-10-06 | プロフジー | サンプルホールドに基づく時間コントラスト視覚センサ |
WO2018023065A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Intevac, Inc. | Adaptive xdr via reset and mean signal values |
US10240910B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-03-26 | Board Of Trustees Of Southern Illinois University On Behalf Of Southern Illinois University Carbondale | Systems and methods for compressive image sensor techniques utilizing sparse measurement matrices |
JP6818875B2 (ja) | 2016-09-23 | 2021-01-20 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | 積層背面照射型spadアレイ |
US10110840B2 (en) * | 2016-10-25 | 2018-10-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor pixels with overflow capabilities |
JP6665754B2 (ja) * | 2016-10-26 | 2020-03-13 | 株式会社デンソー | 撮像装置 |
DE102016125646A1 (de) * | 2016-12-23 | 2018-06-28 | Wipotec Wiege- Und Positioniersysteme Gmbh | Mess- und/oder Sensorvorrichtung mit einer Kamera |
US10690448B2 (en) * | 2017-01-20 | 2020-06-23 | Raytheon Company | Method and apparatus for variable time pulse sampling |
TWI748035B (zh) * | 2017-01-20 | 2021-12-01 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 顯示系統及電子裝置 |
CN110235024B (zh) | 2017-01-25 | 2022-10-28 | 苹果公司 | 具有调制灵敏度的spad检测器 |
US10656251B1 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Signal acquisition in a SPAD detector |
US10962628B1 (en) | 2017-01-26 | 2021-03-30 | Apple Inc. | Spatial temporal weighting in a SPAD detector |
EP3296954A1 (en) * | 2017-01-27 | 2018-03-21 | Sick IVP AB | Method and arrangements for identifying a pixel as a local extreme point |
JP2018186398A (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
JP6909050B2 (ja) * | 2017-05-18 | 2021-07-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
US10686996B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-06-16 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
US10917589B2 (en) * | 2017-06-26 | 2021-02-09 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
EP3654636B1 (en) * | 2017-07-13 | 2022-06-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and camera |
US10622538B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-04-14 | Apple Inc. | Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body |
US10598546B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Detecting high intensity light in photo sensor |
US10440301B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
WO2019066056A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
WO2019065393A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP7091052B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2022-06-27 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
US10672098B1 (en) * | 2018-04-05 | 2020-06-02 | Xilinx, Inc. | Synchronizing access to buffered data in a shared buffer |
CN108680587B (zh) * | 2018-05-09 | 2020-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种检测电路、信号处理方法和平板探测器 |
US10630897B2 (en) * | 2018-06-01 | 2020-04-21 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with charge overflow capabilities |
US11906353B2 (en) * | 2018-06-11 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
KR102612718B1 (ko) * | 2018-06-27 | 2023-12-19 | 프로페시 | 복수의 슈퍼-픽셀(super-pixel)들을 포함하는 이미지 센서 |
US10897586B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-01-19 | Facebook Technologies, Llc | Global shutter image sensor |
US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
US10848693B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Image flare detection using asymmetric pixels |
CN112514370B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-07-28 | 富士胶片株式会社 | 图像处理装置、摄像装置、图像处理方法及记录介质 |
JP2020118339A (ja) * | 2019-01-23 | 2020-08-06 | 日立グローバルライフソリューションズ株式会社 | 2つの基板を含む回路及びこれを有する機器 |
US11102422B2 (en) | 2019-06-05 | 2021-08-24 | Omnivision Technologies, Inc. | High-dynamic range image sensor and image-capture method |
US11943561B2 (en) | 2019-06-13 | 2024-03-26 | Meta Platforms Technologies, Llc | Non-linear quantization at pixel sensor |
SE543376C2 (en) * | 2019-06-19 | 2020-12-22 | Tobii Ab | Method for controlling read-out from a digital image sensor |
CN112449125B (zh) * | 2019-08-29 | 2022-06-17 | 天津大学青岛海洋技术研究院 | 一种基于自适应阈值调整的图像传感器读出电路 |
US11936998B1 (en) | 2019-10-17 | 2024-03-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having extended dynamic range |
KR20210112949A (ko) * | 2020-03-06 | 2021-09-15 | 삼성전자주식회사 | 데이터 버스, 그것의 데이터 처리 방법 및 데이터 처리 장치 |
DE102020203113A1 (de) * | 2020-03-11 | 2021-09-16 | Siemens Healthcare Gmbh | Paketbasiertes Multicast-Kommunikationssystem |
US11902685B1 (en) | 2020-04-28 | 2024-02-13 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having hierarchical memory |
US11258971B2 (en) | 2020-05-28 | 2022-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Multi-function transfer gate electrode for a photodetector and methods of operating the same |
US11563910B2 (en) | 2020-08-04 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
KR20220020457A (ko) * | 2020-08-11 | 2022-02-21 | 삼성전자주식회사 | 멀티 카메라 모듈을 포함하는 모바일 전자 장치 |
US11956560B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having reduced quantization operation |
KR20220085156A (ko) | 2020-12-15 | 2022-06-22 | 삼성전자주식회사 | 디지털 픽셀 센서 및 아날로그 디지털 변환기 |
WO2022133498A1 (en) | 2020-12-17 | 2022-06-23 | Ecoatm, Llc | Systems and methods for vending and/or purchasing mobile phones and other electronic devices |
US11652492B2 (en) | 2020-12-30 | 2023-05-16 | Analog Devices International Unlimited Company | Signal chain with embedded power management |
CN113014837B (zh) * | 2021-02-20 | 2023-04-18 | 北京大学深圳研究生院 | 一种光电式的传感像素电路 |
US11546532B1 (en) | 2021-03-16 | 2023-01-03 | Apple Inc. | Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors |
US11483502B1 (en) * | 2021-06-04 | 2022-10-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Bitline control supporting binning mode for pixel arrays with phase detection autofocus and image sensing photodiodes |
CN113709390B (zh) * | 2021-08-25 | 2022-06-10 | 豪威芯仑传感器(上海)有限公司 | 一种扫描器电路及图像传感器 |
US11942960B2 (en) | 2022-01-31 | 2024-03-26 | Analog Devices, Inc. | ADC with precision reference power saving mode |
CN117249898B (zh) * | 2023-08-31 | 2024-04-09 | 北京融合未来技术有限公司 | 探测器的像素电路、探测器和设备 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6469740B1 (en) * | 1997-02-04 | 2002-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Physical quantity distribution sensor and method for driving the same |
JP4311181B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2009-08-12 | ソニー株式会社 | 半導体装置の制御方法および信号処理方法並びに半導体装置および電子機器 |
CN101213829A (zh) * | 2005-06-01 | 2008-07-02 | 伊斯曼柯达公司 | 具有可选择装仓的cmos图像传感器像素 |
JP4599258B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2010-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
EP2022256A2 (en) | 2006-05-24 | 2009-02-11 | Thomson Licensing | Circuit and method for reading out and resetting pixels of an image sensor |
EP2092322B1 (en) * | 2006-12-14 | 2016-02-17 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays |
US7616243B2 (en) | 2007-03-07 | 2009-11-10 | Altasens, Inc. | Method and apparatus for improving and controlling dynamic range in an image sensor |
JP2010538561A (ja) | 2007-09-05 | 2010-12-09 | ナム タイ,ヒョク | 広ダイナミックレンジcmos画像センサ |
US7920193B2 (en) * | 2007-10-23 | 2011-04-05 | Aptina Imaging Corporation | Methods, systems and apparatuses using barrier self-calibration for high dynamic range imagers |
KR101437912B1 (ko) * | 2007-11-19 | 2014-09-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 구동 방법 |
GB2454744A (en) * | 2007-11-19 | 2009-05-20 | Selex Sensors & Airborne Sys | Imaging device and method |
EP2071825A1 (en) | 2007-12-13 | 2009-06-17 | St Microelectronics S.A. | Pixel read circuitry |
US8134624B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-03-13 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing multiple exposure high dynamic range sensor |
US8179460B2 (en) | 2008-09-22 | 2012-05-15 | Aptina Imaging Corporation | System, method, and apparatus for variable rate pixel data transfer and storage |
JP5029624B2 (ja) | 2009-01-15 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US8144223B2 (en) | 2009-01-28 | 2012-03-27 | Gentex Corporation | Imaging device |
US8144215B2 (en) | 2009-05-11 | 2012-03-27 | Himax Imaging, Inc. | Method and apparatus of using processor with analog-to-digital converter within image sensor to achieve high dynamic range of image sensor |
KR101597785B1 (ko) * | 2009-07-14 | 2016-02-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 영상 처리 방법 |
US20120176393A1 (en) * | 2009-09-16 | 2012-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Memory device, display device equipped with memory device, drive method for memory device, and drive method for display device |
JP2011229120A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-11-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法、及び、電子機器 |
JP5511541B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP2012195734A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の駆動方法 |
US9001231B2 (en) | 2011-06-03 | 2015-04-07 | Rambus Inc. | Image acquisition using oversampled one-bit poisson statistics |
US10090349B2 (en) * | 2012-08-09 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same |
FR2992813A1 (fr) * | 2012-07-02 | 2014-01-03 | St Microelectronics Grenoble 2 | Procede de commande d'un pixel cmos |
US9426395B2 (en) * | 2014-03-25 | 2016-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of calibrating knee-point and logarithmic slope in linear-logarithmic image sensors |
-
2014
- 2014-03-14 CN CN201480015633.8A patent/CN105144699B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-14 WO PCT/US2014/028780 patent/WO2014144391A1/en active Application Filing
- 2014-03-14 JP JP2016502895A patent/JP6415532B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-14 EP EP14726239.8A patent/EP2974280B1/en active Active
- 2014-03-14 CN CN201910127643.5A patent/CN110753192B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-14 US US14/772,311 patent/US10136090B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160028985A1 (en) | 2016-01-28 |
CN105144699A (zh) | 2015-12-09 |
EP2974280B1 (en) | 2021-11-24 |
EP2974280A1 (en) | 2016-01-20 |
US10136090B2 (en) | 2018-11-20 |
JP2016513942A (ja) | 2016-05-16 |
CN105144699B (zh) | 2019-03-15 |
CN110753192B (zh) | 2022-04-08 |
WO2014144391A1 (en) | 2014-09-18 |
CN110753192A (zh) | 2020-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6415532B2 (ja) | 閾値を監視する条件付きリセットイメージセンサ | |
US10594973B2 (en) | Conditional-reset, multi-bit read-out image sensor | |
KR102212100B1 (ko) | 분할-게이트 조건부-재설정 이미지 센서 | |
US9681071B2 (en) | Image sensor with exception-coded output compression | |
EP2832090B1 (en) | Cmos image sensors implementing full frame digital correlated double sampling with global shutter | |
JP6267348B2 (ja) | 複数の短時間露出を使用してデジタル画像をキャプチャするためのシステムおよび方法 | |
US20120235021A1 (en) | Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic appliance, and method of driving the solid-state imaging device | |
JP2009177797A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
WO2013070932A1 (en) | Conditional-reset, temporally oversampled image sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171211 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6415532 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |