JP6415398B2 - 弾性表面波デバイス及びフィルタ - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波デバイス及びフィルタに関する。

弾性波を利用した弾性波デバイスとして、圧電基板上に設けられた１組の櫛型電極からなるＩＤＴ（Interdigital Transducer）を含む弾性表面波デバイスが知られている。弾性表面波デバイスは、例えば携帯電話に代表される４５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数帯の無線信号を処理する各種回路におけるフィルタに用いられている。

近年、携帯電話などの通信機器の高性能化（例えばマルチバンド化、マルチモード化）に伴い、通信機器の受信感度の向上及び消費電力の削減などのために、フィルタの低損失化が検討されている。例えば、電極指の先端とバスバー又はダミー電極指の先端との間に絶縁体を埋め込むことが提案されている（例えば、特許文献１）。

特開２００９−２７８４２９号公報

しかしながら、従来の弾性表面波デバイスでは、低損失化の点で未だ改善の余地が残されている。本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、低損失化が可能な弾性表面波デバイス及びフィルタを提供することを目的とする。

本発明は、圧電基板上に設けられ、互いに複数の電極指と複数のダミー電極指とを含み、互いの前記複数の電極指と前記複数のダミー電極指とが向かい合って配置された１組の櫛型電極と、前記１組の櫛型電極のうちの一方の櫛型電極の前記複数の電極指の先端と他方の櫛型電極の前記複数のダミー電極指の先端との間の複数の隙間それぞれにそれぞれ設けられ、前記複数の隙間それぞれを覆う複数の付加膜と、を備え、前記複数の付加膜は、前記複数の電極指及び前記複数のダミー電極指のうち前記複数の電極指が延在する第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向で前記複数の隙間の側方に位置する電極指及びダミー電極指の少なくとも一部と重なっていて、前記１組の櫛型電極で励振される弾性波の波長をλ、前記複数の付加膜の材料の密度をρ１、酸化アルミニウムの密度をρ２とした場合に、前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間隔Ｇは、０＜Ｇ≦１．０λであり、前記複数の付加膜の膜厚ｈは、０＜ｈ／λ≦０．１４６Ｇ×ρ２／ρ１であることを特徴とする弾性表面波デバイスである。

上記構成において、前記複数の付加膜は、前記第１方向で前記複数の隙間の側方に位置する前記電極指及び前記ダミー電極指の少なくとも一方と重なり、前記第２方向で前記複数の隙間の側方に位置する前記電極指とは重ならない構成とすることができる。

本発明は、圧電基板上に設けられ、互いに複数の電極指と前記複数の電極指が接続されるバスバーとを含み、互いの前記複数の電極指と前記バスバーとが向かい合って配置された１組の櫛型電極と、前記１組の櫛型電極のうちの一方の櫛型電極の前記複数の電極指の先端と他方の櫛型電極の前記バスバーとの間の複数の隙間それぞれにそれぞれ設けられ、前記複数の隙間それぞれを覆う複数の付加膜と、を備え、前記複数の付加膜は、前記複数の電極指及び前記バスバーのうち前記複数の電極指が延在する第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向で前記複数の隙間の側方に位置する電極指及びバスバーの少なくとも一部と重なっていて、前記１組の櫛型電極で励振される弾性波の波長をλ、前記複数の付加膜の材料の密度をρ１、酸化アルミニウムの密度をρ２とした場合に、前記複数の電極指の先端と前記バスバーとの間隔Ｇは、０＜Ｇ≦１．０λであり、前記複数の付加膜の膜厚ｈは、０＜ｈ／λ≦０．１４６Ｇ×ρ２／ρ１であることを特徴とする弾性表面波デバイスである。

上記構成において、前記複数の付加膜は、前記第１方向で前記複数の隙間の側方に位置する前記電極指及び前記バスバーの少なくとも一方と重なり、前記第２方向で前記複数の隙間の側方に位置する前記電極指とは重ならない構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の付加膜は、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜、又は酸化シリコン膜である構成とすることができる。

上記構成において、前記１組の櫛型電極は、アルミニウム膜からなる構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記１組の櫛型電極を覆う保護膜を備え、前記複数の付加膜は、前記保護膜上に設けられている構成とすることができる。

本発明は、上記のいずれかに記載の弾性表面波デバイスを含むことを特徴とするフィルタである。

本発明によれば、Ｑ値を改善でき、低損失化を実現できる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性表面波デバイスの上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図２（ａ）は、隙間付近を拡大した断面図、図２（ｂ）は、隙間付近を拡大した上面図である。 図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図５は、実施例１の弾性表面波デバイスのＱ特性のシミュレーション結果を示す図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、付加膜の膜厚とＱ値との関係を調査したシミュレーション結果を示す図（その１）である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、付加膜の膜厚とＱ値との関係を調査したシミュレーション結果を示す図（その２）である。 図８は、付加膜の膜厚とＱ値との関係を調査したシミュレーション結果を示す図（その３）である。 図９は、図６（ａ）から図８のシミュレーション結果から得られた、Ｑ値が改善する付加膜の膜厚範囲を示す図である。 図１０（ａ）から図１０（ｆ）は、付加膜の他の例を示す上面図である 図１１は、実施例２に係る弾性表面波デバイスの上面図である。 図１２（ａ）は、実施例３に係る弾性表面波デバイスの上面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図１３は、付加膜の他の例を示す上面図である。 図１４は、実施例４に係るラダー型フィルタを示す図である。 図１５は、実施例５に係る分波器を示すブロック図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性表面波デバイス１００の上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。なお、図１（ａ）においては、保護膜１４を透視して図示している。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の弾性表面波デバイス１００は、圧電基板１０上に、ＩＤＴ２０と反射器１２とが形成されている。ＩＤＴ２０は、圧電基板１０内又は表面に弾性波を励振する。反射器１２は、弾性波を反射する。圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板である。ＩＤＴ２０及び反射器１２は、例えばアルミニウム膜からなる。

ＩＤＴ２０は、１組の櫛型電極２２を含む。１組の櫛型電極２２それぞれは、複数の電極指２４と、複数のダミー電極指２６と、複数の電極指２４及び複数のダミー電極指２６が接続されるバスバー２８と、を含む。１組の櫛型電極２２それぞれにおいて、複数の電極指２４と複数のダミー電極指２６とは交互に配置されている。１組の櫛型電極２２のうちの一方の櫛型電極の複数の電極指２４と他方の櫛型電極の複数の電極指２４とは、互い違いに配置されている。

バスバー２８の一部を除き、ＩＤＴ２０及び反射器１２を覆って保護膜１４が形成されている。保護膜１４は、例えば酸化シリコン膜などの誘電体膜である。保護膜１４の厚さは、例えばＩＤＴ２０の厚さの１／１０程度である。保護膜１４で覆われていないバスバー２８上には、金属膜１６が形成されている。

１組の櫛型電極２２は、互いの複数の電極指２４と複数のダミー電極指２６とが向かい合って配置されている。これにより、複数の電極指２４の先端と複数のダミー電極指２６の先端との間には、複数の隙間３０が形成されている。ＩＤＴ２０を覆う保護膜１４は、複数の隙間３０にも埋め込まれている。

保護膜１４上であって、複数の隙間３０それぞれに複数の付加膜１８がそれぞれ設けられている。複数の付加膜１８それぞれは、複数の隙間３０それぞれを覆っている。複数の付加膜１８は、例えば矩形形状をしている。ここで、複数の電極指２４が延在する方向を第１方向、第１方向に交差する方向（すなわち、複数の電極指２４が並んで配置された方向）を第２方向とする。複数の付加膜１８は、例えば第１方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４及びダミー電極指２６と重なっていて、第２方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４とは重なっていない。付加膜１８は、例えば酸化アルミニウム膜である。

図２（ａ）は、隙間３０付近を拡大した断面図、図２（ｂ）は、隙間３０付近を拡大した上面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）のように、付加膜１８の厚さをｈとする。第１方向で隙間３０の側方に位置する電極指２４の先端とダミー電極指２６の先端との間の間隔を、隙間３０の間隔Ｇとする。第１方向で隙間３０の側方に位置する電極指２４及びダミー電極指２６に対する付加膜１８の被覆量をオーバーラップ量Ｙとする。第１方向で隙間３０の側方に位置する電極指２４及びダミー電極指２６の側面から第２方向への付加膜１８のはみ出し量をオフセット量Ｘとする。

次に、実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法について説明する。図３（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性表面波デバイス１００の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）のように、圧電基板１０上に金属膜を形成した後、当該金属膜を所望の形状にパターニングする。これにより、圧電基板１０上に、複数の電極指２４、複数のダミー電極指２６、及びバスバー２８を有する１組の櫛型電極２２からなるＩＤＴ２０と反射器１２とが形成される。複数の電極指２４と複数のダミー電極指２６の間には、複数の隙間３０が形成される。金属膜の形成は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いることができる。金属膜のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることができる。

図３（ｂ）のように、圧電基板１０上の全面に保護膜１４を形成する。保護膜１４は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、又はＣＶＤ法を用いて形成することができる。

図３（ｃ）のように、バスバー２８上であって、金属膜１６が形成されるべき領域に形成された保護膜１４を除去する。保護膜１４の除去は、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることができる。

図３（ｄ）のように、圧電基板１０上の全面にレジスト膜３２を塗布した後、付加膜１８を形成すべき領域のレジスト膜３２を除去して開口を形成する。

図４（ａ）のように、圧電基板１０上の全面に付加膜１８を形成する。付加膜１８は、レジスト膜３２に形成された開口内にも形成される。付加膜１８は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、又はＣＶＤ法を用いて形成することができる。

図４（ｂ）のように、レジスト膜３２をリフトオフ法によって除去して、付加膜１８をパターニングする。これにより、複数の電極指２４と複数のダミー電極指２６との間の複数の隙間３０それぞれに複数の付加膜１８それぞれが形成される。複数の付加膜１８をフォトリソグラフィ技術に基づく工程によって形成するため、付加膜１８と隙間３０とを例えば０．１μｍ以下の精度で位置合わせすることができる。よって、第１方向で隙間３０の側方に位置する電極指２４及びダミー電極指２６に対する付加膜１８のオーバーラップ量Ｙを管理値内に制御することができる。また、第１方向で隙間３０の側方に位置する電極指２４及びダミー電極指２６の側面から第２方向への付加膜１８のオフセット量Ｘを管理値内に制御することができる。

図４（ｃ）のように、バスバー２８上であって、保護膜１４が除去された領域に、金属膜１６を形成する。金属膜１６は、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて形成することができる。以上の工程を含んで、実施例１の弾性表面波デバイス１００が形成される。

次に、発明者が行ったシミュレーションについて説明する。発明者は、実施例１の弾性表面波デバイス１００に対してＱ特性のシミュレーションを行った。シミュレーションに用いた弾性表面波デバイスの各パラメータを表１に示す。

表１のように、シミュレーションを行った弾性表面波デバイスは、圧電基板１０を４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板とした。ＩＤＴ２０及び反射器１２を厚さ１８０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜とした。付加膜１８を厚さ６０ｎｍの酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）膜とした。ＩＤＴ２０で励振される弾性波の波長λを２μｍとした。ＩＤＴ２０の複数の電極指２４の対数を１１６対とし、反射器１２の電極指の本数を４０本とした。電極指２４及びダミー電極指２６のデューティ比を５０％とした。ダミー電極指２６の長さを２．０λ（λは弾性波の波長、以下同じ）とした。隙間３０の間隔Ｇを０．１７５λとした。付加膜１８のオーバーラップ量Ｙを０．１λとし、オフセット量Ｘを０とした。なお、シミュレーションでは、保護膜１４及び金属膜１６は設けられていないとした。

図５は、実施例１の弾性表面波デバイス１００のＱ特性のシミュレーション結果を示す図である。実施例１の弾性表面波デバイス１００のシミュレーション結果を実線で示している。また、比較のために、付加膜１８が設けられていない点以外は実施例１と同じ構成をした比較例１の弾性表面波デバイスに対してもＱ特性のシミュレーションを行い、シミュレーション結果を破線で示している。図５のように、実施例１は、比較例１に比べて、共振周波数ｆｒ付近のＱ値が改善される結果となった。このシミュレーション結果から、付加膜１８を設けることで、弾性波を閉じ込める効果が得られ、Ｑ値が改善されることが分かった。

次に、発明者は、付加膜１８の膜厚がＱ値の改善効果にどのような影響を及ぼすかを検討した。ここで、発明者は、図５のように、Ｑ値の最大値の前後の周波数区間ＷでのＱ値の積分値を用いてＱ値が改善されたかどうかを判断することとした。具体的には、付加膜１８を設けてもＱ値がほとんど改善されなくなる周波数の間を周波数区間Ｗとした。ここでは、周波数区間Ｗの下限値を１９２５ＭＨｚ、上限値を反共振周波数ｆａ（２０３５ＭＨｚ）とした。このように、Ｑ値の積分値を用いて改善効果を判断するのは、シミュレーションでは周波数によって改善具合が異なるためである。

付加膜１８の膜厚とＱ値の改善効果との関係を調べるシミュレーションは、隙間３０の間隔Ｇと付加膜１８の膜厚とを振り、その他のパラメータは表１の値として行った。図６（ａ）から図８は、付加膜１８の膜厚とＱ値との関係を調査したシミュレーション結果を示す図である。横軸は、付加膜１８の膜厚ｈを弾性波の波長λで規格化した規格化膜厚ｈ／λである。縦軸は、周波数区間Ｗでの実施例１の弾性表面波デバイスのＱ値の積分値を比較例１の弾性表面波デバイスのＱ値の積分値で規格化したＱ規格化積分値（実施例１のＱ積分値／比較例１のＱ積分値）である。したがって、Ｑ規格化積分値が１より大きい場合、実施例１は比較例１に比べてＱ値が改善されていることになる。また、シミュレーションによる計算値を黒丸で示すとともに、Ｑ規格化積分値が１より小さくなった場合の不図示の計算値を含んだ計算値を結んだ曲線も示している。

図６（ａ）は、隙間３０の間隔Ｇが０．０５λの場合のシミュレーション結果である。付加膜１８の膜厚ｈが０＜ｈ≦０．０１７λの範囲において、Ｑ値の改善効果が得られることが分かった。

図６（ｂ）は、隙間３０の間隔Ｇが０．１λの場合のシミュレーション結果である。付加膜１８の膜厚ｈが０＜ｈ≦０．０３１λの範囲において、Ｑ値の改善効果が得られることが分かった。

図７（ａ）は、隙間３０の間隔Ｇが０．１７５λの場合のシミュレーション結果である。付加膜１８の膜厚ｈが０＜ｈ≦０．０４８λの範囲において、Ｑ値の改善効果が得られることが分かった。

図７（ｂ）は、隙間３０の間隔Ｇが０．５λの場合のシミュレーション結果である。付加膜１８の膜厚ｈが０＜ｈ≦０．０９１λの範囲において、Ｑ値の改善効果が得られることが分かった。

図８は、隙間３０の間隔Ｇが１．０λの場合のシミュレーション結果である。付加膜１８の膜厚ｈが０＜ｈ≦０．１４６λの範囲において、Ｑ値の改善効果が得られることが分かった。

図９は、図６（ａ）から図８のシミュレーション結果から得られた、Ｑ値が改善する付加膜１８の膜厚範囲を示す図である。横軸は、隙間３０の間隔Ｇ（λ）である。縦軸は、付加膜１８の規格化膜厚ｈ／λである。図６（ａ）から図８で得られた、Ｑ値が改善する付加膜１８の規格化膜厚の範囲を破線で示し、Ｑ規格化積分値が最大値となる膜厚を黒丸で示している。また、Ｑ値が改善する付加膜１８の規格化膜厚の最大値の内側を通るように求めた近似曲線を実線で示している。図９のように、隙間３０の間隔Ｇが大きくなるほど、Ｑ値の改善効果が得られる付加膜１８の膜厚範囲が広がることが分かった。隙間３０の間隔Ｇが０＜Ｇ≦１．０λの範囲内である場合に、付加膜１８の膜厚ｈが０＜ｈ／λ≦０．１４６Ｇ＋０．６９４０７６を満たせば、Ｑ値の改善効果が得られることが分かった。

なお、図９は、付加膜１８が酸化アルミニウム膜からなる場合のシミュレーション結果である。付加膜１８の材料が変われば密度も変わるため、Ｑ値の改善効果が得られる膜厚範囲も変わる。したがって、付加膜１８が酸化アルミニウム以外の材料からなる場合は、その材料の密度に応じた膜厚範囲とすればよい。すなわち、付加膜１８の材料の密度をρ１、酸化アルミニウムの密度をρ２とした場合に、付加膜１８の膜厚ｈが０＜ｈ／λ≦（０．１４６Ｇ＋０．６９４０７６）×ρ２／ρ１を満たせば、Ｑ値の改善効果が得られる。

以上説明してきたように、複数の隙間３０それぞれにそれぞれ設けられた複数の付加膜１８の膜厚ｈが、複数の隙間３０の間隔Ｇが０＜Ｇ≦１．０λの範囲である場合に、０＜ｈ／λ≦（０．１４６Ｇ＋０．６９４０７６）×ρ２／ρ１を満たすことで、Ｑ値を改善することができ、低損失化を実現できる。

なお、実施例１では、図１のように、複数の付加膜１８は、第１方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４及びダミー電極指２６と重なり、第２方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４とは重ならない場合を例に示したが、これに限られるわけではない。図１０（ａ）から図１０（ｆ）は、付加膜１８の他の例を示す上面図である。図１０（ａ）のように、付加膜１８は、第２方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４と重なってもよい。この場合、付加膜１８は、電極指２４の幅の中央よりも手前の範囲で、電極指２４と重なる。図１０（ｂ）のように、付加膜１８は、第１方向で隙間３０の側方に位置する電極指２４と隙間３０との境界に接し且つダミー電極指２６と重なってもよい。図１０（ｃ）のように、付加膜１８は、第１方向で隙間３０の側方に位置する電極指２４と間隔を開け且つダミー電極指２６と重なってもよい。図１０（ｄ）のように、付加膜１８は、第１方向で隙間３０の側方に位置するダミー電極指２６と隙間３０との境界に接し且つ電極指２４と重なってもよい。図１０（ｅ）のように、付加膜１８は、第１方向で隙間３０の側方に位置するダミー電極指２６と間隔を開け且つ電極指２４と重なってもよい。図１０（ｆ）のように、付加膜１８は、第１方向で隙間３０の側方に位置する電極指２４及びダミー電極指２６と重なり、且つ電極指２４及びダミー電極指２６の側面から第２方向にはみ出してもよい。このように、複数の付加膜１８は、第１方向及び第２方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４及びダミー電極指２６の少なくとも一部と重なっていればよい。これにより、付加膜１８を形成する際の位置合わせ精度が緩和され、付加膜１８を容易に形成できる効果も得られる。

なお、実施例１では、圧電基板１０はタンタル酸リチウム基板の場合に限られず、ニオブ酸リチウム基板などの他の圧電基板の場合でもよい。ＩＤＴ２０及び反射器１２はアルミニウム膜である場合に限られず、銅膜又は銅が添加されたアルミニウム膜などの金属膜の場合でもよい。付加膜１８は、酸化アルミニウム膜以外にも、酸化タンタル膜又は酸化シリコン膜などの誘電体膜の場合でもよいし、金属膜の場合でもよい。

図１１は、実施例２に係る弾性表面波デバイス２００の上面図である。なお、図１１においても、実施例１と同様に、保護膜１４を透視して図示している。図１１のように、実施例２の弾性表面波デバイス２００は、１組の櫛型電極２２それぞれにおいて、長さの異なる複数の電極指２４が繰り返し設けられ、且つ長さの異なる複数のダミー電極指２６が繰り返し設けられている。これにより、複数の隙間３０は、第１方向で異なる位置に形成されている。その他の構成は、実施例１と同一又は同等であるため説明を省略する。

実施例２のように、複数の隙間３０が第１方向で異なる位置に形成されている場合でもよい。この場合でも、複数の付加膜１８の膜厚ｈが、複数の隙間３０の間隔Ｇが０＜Ｇ≦１．０λの範囲である場合に、０＜ｈ／λ≦（０．１４６Ｇ＋０．６９４０７６）×ρ２／ρ１を満たすことで、Ｑ値を改善することができる。

なお、実施例２においても、複数の付加膜１８は、図１０（ａ）から図１０（ｆ）で説明したような形状とすることができる。

図１２（ａ）は、実施例３に係る弾性表面波デバイス３００の上面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。なお、図１２（ａ）においても、実施例１と同様に、保護膜１４を透視して図示している。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）のように、実施例３の弾性表面波デバイス３００では、複数の電極指２４の間に複数のダミー電極指２６が設けられてない。１組の櫛型電極２２は、互いの複数の電極指２４とバスバー２８とが向かい合って配置されている。これにより、複数の電極指２４の先端とバスバー２８の前記複数の電極指２４の先端に相対する端との間に複数の隙間３０が形成されている。複数の隙間３０それぞれに複数の付加膜１８がそれぞれ設けられている。複数の付加膜１８は、第１方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４及びバスバー２８と重なっていて、第２方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４とは重なっていない。その他の構成は、実施例１と同一又は同等であるため説明を省略する。

実施例３のように、複数の付加膜１８が、複数の隙間３０を覆い、且つ、第１方向及び第２方向で複数の隙間３０の側方に位置する電極指２４及びバスバー２８の少なくとも一部と重なっている場合でもよい。この場合でも、複数の付加膜１８の膜厚ｈが、複数の隙間３０の間隔Ｇが０＜Ｇ≦１．０λの範囲である場合に、０＜ｈ／λ≦（０．１４６Ｇ＋０．６９４０７６）×ρ２／ρ１を満たすことで、Ｑ値を改善することができる。

なお、実施例３においても、複数の付加膜１８は、図１０（ａ）から図１０（ｆ）で説明したような形状とすることができる。

なお、実施例１から実施例３では、付加膜１８は矩形形状をしている場合を例に示したが、これに限られず、円形形状などの他の形状をしている場合でもよい。図１３は、付加膜１８の他の例を示す上面図である。図１３のように、付加膜１８は、楕円形形状をしている場合でもよい。

なお、実施例１から実施例３において、複数の付加膜１８は、弾性波エネルギーの漏れを抑制する観点から、複数の隙間３０の全てに設けられている場合が好ましいが、複数の隙間３０の一部に設けられていない場合であってもよい。

図１４は、実施例４に係るラダー型フィルタ４００を示す図である。図１４のように、実施例４のラダー型フィルタ４００は、入力端子Ｉｎと出力端子Ｏｕｔとの間に、１又は複数の直列共振器Ｓ１〜Ｓ４が直列に接続され、１又は複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２が並列に接続されている。直列共振器Ｓ１〜Ｓ４及び並列共振器Ｐ１、Ｐ２のうちの少なくとも１つを、実施例１から実施例３の弾性表面波デバイスとすることができる。

実施例１から実施例３の弾性表面波デバイスをラダー型フィルタに用いることで、挿入損失を改善することができる。また、付加膜１８を設けた場合でも、共振器の電気機械結合係数はあまり低下しないため、通過特性及び通過帯域外の抑圧特性はほぼ同一特性に維持される。このため、付加膜１８を設けていない状態で既に設計が完了している構造に対し、設計変更することなしに、ただ付加膜１８を設けるだけで挿入損失を改善できる効果が得られる。

なお、実施例４では、ラダー型フィルタの場合を例に示したが、多重モード型フィルタなど、その他の弾性波フィルタの場合でもよい。

図１５は、実施例５に係る分波器５００を示すブロック図である。図１５のように、実施例５の分波器５００は、送信フィルタ４０と受信フィルタ４２を備える。送信フィルタ４０は、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘの間に接続されている。受信フィルタ４２は、送信フィルタ４０と共通のアンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘの間に接続されている。

送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナ端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、アンテナ端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信帯域と受信帯域は周波数が異なっている。なお、送信フィルタ４０を通過した送信信号が受信フィルタ４２に漏れずにアンテナ端子Ａｎｔから出力されるようにインピーダンスを整合させる整合回路を備えていてもよい。

実施例５の分波器５００に備わる送信フィルタ４０及び受信フィルタ４２の少なくとも一方を、実施例４で説明した弾性波フィルタとすることができる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 圧電基板
１２ 反射器
１４ 保護膜
１６ 金属膜
１８ 付加膜
２０ ＩＤＴ
２２ 櫛型電極
２４ 電極指
２６ ダミー電極指
２８ バスバー
３０ 隙間
３２ レジスト膜
４０ 送信フィルタ
４２ 受信フィルタ
Ｓ１〜Ｓ４ 直列共振器
Ｐ１、Ｐ２ 並列共振器
１００〜３００ 弾性表面波デバイス
４００ ラダー型フィルタ
５００ 分波器

Claims (9)

1. 圧電基板上に設けられ、互いに複数の電極指と複数のダミー電極指とを含み、互いの前記複数の電極指と前記複数のダミー電極指とが向かい合って配置された１組の櫛型電極と、
   前記１組の櫛型電極のうちの一方の櫛型電極の前記複数の電極指の先端と他方の櫛型電極の前記複数のダミー電極指の先端との間の複数の隙間それぞれにそれぞれ設けられ、前記複数の隙間それぞれを覆う複数の付加膜と、を備え、
   前記複数の付加膜は、前記複数の電極指及び前記複数のダミー電極指のうち前記複数の電極指が延在する第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向で前記複数の隙間の側方に位置する電極指及びダミー電極指の少なくとも一部と重なっていて、
   前記１組の櫛型電極で励振される弾性波の波長をλ、前記複数の付加膜の材料の密度をρ１、酸化アルミニウムの密度をρ２とした場合に、前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間隔Ｇは、０＜Ｇ≦１．０λであり、前記複数の付加膜の膜厚ｈは、０＜ｈ／λ≦０．１４６Ｇ×ρ２／ρ１であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
2. 前記複数の付加膜は、前記第１方向で前記複数の隙間の側方に位置する前記電極指及び前記ダミー電極指の少なくとも一方と重なり、前記第２方向で前記複数の隙間の側方に位置する前記電極指とは重ならないことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
3. 圧電基板上に設けられ、互いに複数の電極指と前記複数の電極指が接続されるバスバーとを含み、互いの前記複数の電極指と前記バスバーとが向かい合って配置された１組の櫛型電極と、
   前記１組の櫛型電極のうちの一方の櫛型電極の前記複数の電極指の先端と他方の櫛型電極の前記バスバーとの間の複数の隙間それぞれにそれぞれ設けられ、前記複数の隙間それぞれを覆う複数の付加膜と、を備え、
   前記複数の付加膜は、前記複数の電極指及び前記バスバーのうち前記複数の電極指が延在する第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向で前記複数の隙間の側方に位置する電極指及びバスバーの少なくとも一部と重なっていて、
   前記１組の櫛型電極で励振される弾性波の波長をλ、前記複数の付加膜の材料の密度をρ１、酸化アルミニウムの密度をρ２とした場合に、前記複数の電極指の先端と前記バスバーとの間隔Ｇは、０＜Ｇ≦１．０λであり、前記複数の付加膜の膜厚ｈは、０＜ｈ／λ≦０．１４６Ｇ×ρ２／ρ１であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
4. 前記複数の付加膜は、前記第１方向で前記複数の隙間の側方に位置する前記電極指及び前記バスバーの少なくとも一方と重なり、前記第２方向で前記複数の隙間の側方に位置する前記電極指とは重ならないことを特徴とする請求項３記載の弾性表面波デバイス。
5. 前記複数の付加膜は、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜、又は酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
6. 前記１組の櫛型電極は、アルミニウム膜からなることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
7. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
8. 前記１組の櫛型電極を覆う保護膜を備え、
   前記複数の付加膜は、前記保護膜上に設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
9. 請求項１から８のいずれか一項記載の弾性表面波デバイスを含むことを特徴とするフィルタ。

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