JP6408798B2

JP6408798B2 - 同軸フィードでのｒｆ接続のための方法

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Publication number: JP6408798B2
Application number: JP2014130058A
Authority: JP
Inventors: ショーン・ディー・ロジャース; ジェームズ・マーティン・アームフィールド; クレイグ・エイ・バン; トビ・ストール
Original assignee: Honeywell International Inc
Current assignee: Honeywell International Inc
Priority date: 2013-08-26
Filing date: 2014-06-25
Publication date: 2018-10-17
Anticipated expiration: 2034-06-25
Also published as: CA2854696A1; US9300044B2; EP2843756A1; EP2843756B1; JP2015062272A; US20150054596A1

Description

米国政府のライセンス権
[0001]米国政府は、米国政府によりＮｏｒｔｈｒｏｐＧｒｕｍｍａｎに授与された契約番号Ｈ９４００３−０４−Ｄ−０００５のもとで本発明の権利を有し得る。

[0002]用途によっては、レンズまたは反射アンテナに対して照射する（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅ）のに二重帯域同軸フィードまたは二重偏波同軸フィードが有利である。これらのタイプのアンテナでは、両方の周波数帯または両方の偏波で系焦点（ｓｙｓｔｅｍｆｏｃａｌｐｏｉｎｔ）が共有されるように同軸フィードが使用される。高性能の場合、同軸フィードを形成する内側導電性チューブおよび外側導電性チューブは、同軸フィードのベース付近の領域で互いに良好に電気接続されることを必要とする（電気的短絡）。高周波数では、フィード部品が小さい場合、一貫性を有するようにこのような重要な電気接続を形成することが困難である。製造の点から、電気接続が堅固ではなく、再現可能ではない場合、フィードが良くないリターンロス（ｐｏｏｒｒｅｔｕｒｎｌｏｓｓ）を有することになり、それにより不整合損失が増大することおよびアンテナ利得が低下する。

[0003]本出願は同軸フィードに関する。同軸フィードが、以下のステップ：外側導電性チューブを構成するステップ；内側導電性チューブを構成するステップ；および、ベースのところで内側導電性チューブに接触させるように外側電動チューブを配置するステップであって、外側導電性チューブおよび内側導電性チューブが中心軸に共に位置合わせされる、ステップ、を含むプロセスにより、内側導電性チューブから外側導電性チューブへのベースのところで電気接続される外側導電性チューブを有する。外側導電性チューブが：サイドポートと、第１の縁部表面と、第１の縁部表面と縁部を共有しかつ第１の縁部表面に対して垂直である第１の内部表面と；第２の縁部表面と；第２の縁部表面と縁部を共有しかつ第２の縁部表面に対して垂直である第２の内部表面と、を有するように構成される。内側導電性チューブが：内側導電性チューブのベース端部のところにあるベースであって、ベースが、第１の表面および第２の表面に対してそれぞれ直交して突出する第１のリップおよび第２のリップ、ならびに、中心軸上の中心に置かれて中心軸に平行である中心ポートを有する、ベースと；ベースから軸方向に延在するメインボディと、を有するように構成される。

[0004]図１Ａは、本出願の一実施形態による同軸フィードを示す、互いに反対方向の斜視図である。図１Ｂは、本出願の一実施形態による同軸フィードを示す反対方向の斜視図である。 [0005]図１Ａおよび１Ｂの同軸フィードの内側導電性チューブを示す図である。 [0006]図３Ａは、図１Ａおよび１Ｂの同軸フィードの外側導電性チューブを示す図である。図３Ｂは、図１Ａおよび１Ｂの同軸フィードの外側導電性チューブを示す図である。 [0007]図１Ａおよび１Ｂの同軸フィードの内側導電性チューブと外側導電性チューブとの間のインターフェースを示す分解図である。 [0008]図１Ａおよび１Ｂの同軸フィードを示す上面図である。 [0009]図５の同軸フィードを示す断面図である。 [0010]本出願による同軸フィードを形成する方法を示す流れ図である。 [0011]本出願の一実施形態による同軸フィードの一実施形態の内側導電性チューブと外側導電性チューブとの間のインターフェースを示す分解図である。 [0012]本出願の一実施形態による同軸フィードの一実施形態の内側導電性チューブと外側導電性チューブとの間のインターフェースを示す分解図である。 [0013]図１０Ａは、本出願の一実施形態による同軸フィードを示す反対方向の斜視図である。図１０Ｂは、本出願の一実施形態による同軸フィードを示す反対方向の斜視図である。 [0014]図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィードの内側導電性チューブを示す図である。図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィードの内側導電性チューブを示す図である。 [0015]図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィードの外側導電性チューブを示す図である。図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィードの外側導電性チューブを示す図である。 [0016]図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィードの内側導電性チューブと外側導電性チューブとの間のインターフェースを示す分解図である。 [0017]図１０および１０Ｂの同軸フィードを形成するために内側導電性チューブに対合される外側導電性チューブを示す図である。 [0018]図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィードの構成要素を示す分解図である。 [0019]図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィードを示す上面図である。 [0020]図１８の同軸フィードを示す断面図である。 [0021]図１０Ａおよび１０Ｂの複数の同軸フィードを備える二重帯域スイッチツリー（ｄｕａｌ−ｂａｎｄｓｗｉｔｃｈｔｒｅｅ）を示す図である。

[0022]一般的な慣例に従い、種々の説明される特徴は正確な縮尺で描かれず、本発明に関連する特徴を強調するように描かれる。図および本文を通して同様の参照符号は同様の要素を示す。

[0023]以下の詳細な説明では、本発明を実施することができる特定の説明的な実施形態を例示として示す、以下の詳細な説明の一部を構成する添付図面を参照する。これらの実施形態は当業者が本発明を実施するのを可能にするくらいに十分に詳細に説明される。別の実施形態が利用され得ること、ならびに、本発明の範囲から逸脱することなく論理的変更、機械的変更および電気的変更がなされ得ることを理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は限定的な意味で解釈されない。

[0024]本出願は二重帯域および／または二重偏波の同軸フィードで安定して高い性能を達成するのに必要となる種々の幾何形状および接続手法を説明する。同軸フィードは、軸方向に位置合わせされしたがって当技術分野で「同軸フィード」とも称される内側導電性チューブおよび外側導電性チューブから構成される。二重帯域および／または二重偏波の同軸フィードは、しばしば、無線周波数（ＲＦ：ｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）のスペクトル範囲のために設計される。その場合、同軸フィードは同軸ＲＦフィードと称される。

[0025]同軸フィードが、金属または金属合金から形成される内側導電性チューブおよび外側導電性チューブである２つの導体を有する。１つの電磁波が内側チューブの内部の円形導波管内を伝搬する。別の電磁波が、内側導体の外側表面および外側導体の内側表面によって形成されて境界を画定される同軸導波管内を伝搬する。同軸導波管は、一貫して等しい、同軸フィードのベースのところで内側導電性チューブと外側導電性チューブとの間に電気伝導接続部を必要とする。内側導電性チューブを外側導電性チューブに伝導的に取り付けるための製造プロセスが再現可能ではない場合、同軸フィードの同軸部分のインピーダンスマッチングは一貫して等しいというわけではない。例えば、内側導電性チューブと外側導電性チューブとの間の接続部ポイントのところの空隙がインピーダンスを変化させ、同軸フィードは良くないリターンロスを有する。同軸フィードの接続部の製造が堅固ではなく、再現可能ではない場合、得られるアンテナ利得が最適ではなくなる。本明細書で説明される同軸ＲＦフィードの実施形態は、マルチビームアンテナを形成するのに使用される複数の同軸フィードの間の変化を低減または排除する。本出願の電気接続部の対象範囲が同軸フィードの同軸領域であることを理解されたい。この場合、同軸フィードは同軸フィードの同軸領域である。

[0026]図１Ａ〜６に第１の実施形態が示される。図１Ａおよび１Ｂは、本出願の一実施形態による同軸フィード１００の反対方向の斜視図である。図２は、図１Ａおよび１Ｂの同軸フィード１００の内側導電性チューブ１１０の図である。図３Ａおよび３Ｂは、図１Ａおよび１Ｂの同軸フィードの外側導電性チューブ１２０の図である。図４は、図１Ａおよび１Ｂの同軸フィード１００の内側導電性チューブ１１０と外側導電性チューブ１２０との間のインターフェースの分解図である。図５は、図１Ａおよび１Ｂの同軸フィード１００の上面図である。図６は、図５の同軸フィードの断面図である。図６の断面図で採用される平面は図５に示される断面線６−６で示される。図７は、本出願による同軸フィード１００を形成する方法７００の流れ図である。「外側導電性チューブ」は本明細書では「外側チューブ」とも称される。「内側導電性チューブ」は本明細書では「内側チューブ」とも称される。

[0027]同軸フィード１００が外側導電性チューブ１２０（図３Ａおよび３Ｂ）ならびに内側導電性チューブ１１０（図２）を有する。図３Ｂおよび４に示されるように、外側導電性チューブ１２０が、サイドポート１２１と、第１の縁部表面１２３と、第１の内部表面１３３と、第２の縁部表面１２４と、第２の内部表面１３４と、第３の縁部表面１２５と、第３の内部表面１３５とを有する。第１の内部表面１３３が第１の縁部表面１２３と縁部１４３を共有し、第１の縁部表面１２３に対して垂直である。第２の内部表面１３４が第２の縁部表面１２４と縁部１４４を共有し、第２の縁部表面１２４に対して垂直である。第３の内部表面１３５が第３の縁部表面１２５と縁部１４５（図３Ｂ）を共有し、第３の縁部表面１２５に対して垂直である。

[0028]内側導電性チューブ１１０が、内側導電性チューブ１１０のベース端部１０２（図１Ａ、１Ｂおよび２）のところにあるベース１１５と、ベース１１５から軸方向に延在するメインボディ１１７とを有する。ベース１１５が、第１の表面１５１（図２および４）に対して直交して突出する第１のリップ１４１を有する。ベース１１５が、第２の表面１５２（図２および４）に対して直交して突出する第２のリップ１４２を有する。ベース１１５がまた、第３の表面１５３（図２）に対して直交して突出する第３のリップ１４７を有する。本明細書で定義されるリップは表面から突出する突出縁部またはリムである。ベース１１５がまた、＋Ｚ方向で位置合わせされる中心軸１０５上の中心に置かれる中心ポート１１１（図１Ａおよび４）を有する。軸方向は中心軸１０５に位置合わせされる。ベース１１５およびメインボディ１１７は金属または金属合金から形成される。図４、５および６に示されるように、突起部１１８はサイドポート１２１に隣接するように配置され、サイドポート１２１内には突出しない。突起部１１８の形状はポート１２１のインピーダンスマッチングを改善するように設計される。

[0029]外側導電性チューブ１２０が、図６の同軸フィード１００の断面図で示されるように外側導電性チューブ１２０と内側導電性チューブ１１０との間のすべての接触ポイントにおいて内側導電性チューブ１１０のベース１１５に電気接続される。接合されるべき２つのチューブの最も重要な領域が破線円１７６で示される（図４および６）。図４および６の断面図のみで示される同軸フィード１００のこの領域１７６はサイドポート１２１の反対側にある。重要な領域１７６が外側導電性チューブ１２０および内側導電性チューブ１１０の円筒の半直径（ｈａｌｆｄｉａｍｅｔｅｒ）に沿って延在することに留意されたい。図４は同軸フィード１００の領域１７６およびサイドポート１２１の拡大分解断面図を示す。図４は、外側導電性チューブ１２０および内側導電性チューブ１１０の種々の表面を明瞭に示すための分解図である。

[0030]図４に示される表面１５４はしばしば「ショート（ｓｈｏｒｔ）」と称される。その理由は、重量な領域１７６内に隙間がない場合、内側導体メインボディ１１７と外側導体１２０との間に短絡を形成するからである。良好な導体であるこの表面１５４はその表面上にある接線方向の電界をゼロにする（または、ほぼゼロにする）。したがって、表面１５４（図２および４）上の電界のｘ成分およびｙ成分はゼロである。図２に示されるように、短絡表面１５４が内側チューブ１１０のベース領域１１５の下半分を覆い、突起部１１８の反対側にあることに留意されたい。ショート１５４のｚ方向における位置および突起部１１８の寸法は、ポート１２１に向かってのインピーダンスマッチを最良するように最適化される。これは、通常、ＡｎｓｙｓＨＦＳＳ（商標）（ＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎｃｙＳｔｒｕｃｔｕｒｅＳｉｍｕｌａｔｏｒ）またはＣＳＴ（ＣｏｍｐｕｔｅｒＳｉｍｕｌａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）ＭｉｃｒｏｗａｖｅＳｔｕｄｉｏ（登録商標）などの市販のフルウェーブ電磁界コンピュータシミュレーションソフトウェアを使用して行われる。

[0031]図４および６に示されるように、誘電材料１０６は（任意選択で）内側導電性チューブ１１０内に配置される。

[0032]サイドポート１２１がＸ−Ｚ平面において一表面にわたって広がる（図１Ａ、５および６）。中心ポート１１１が中心軸１０５に対して直交するＸ−Ｙ平面に広がる（図１Ａ、５および６）。中心ポート１１１を介して同軸フィード１００内に伝搬する電磁波は、概して、内側導電性チューブ１１０内を中心軸１０５に平行なＺ方向に伝搬する。サイドポート１２１を介して同軸フィード１００内に伝搬する電磁波は、まず、概してＹ方向に伝搬し、内側導電性チューブ１１０と外側導電性チューブ１２０との間の空間内をＺ方向に伝搬するために外側導電性チューブ１２０に結合される。この実施形態の一実装形態では、第１の周波数範囲内（または、第１の偏波）のエネルギーが同軸フィード１００のサイドポート１２１に結合され、同軸フィード１００の同軸領域を通って伝搬する。第２の周波数範囲内の（または、第１の偏波に対して直交する第２の偏波）エネルギーが中心ポート１１１に結合され、同軸フィード１００の中心を通って伝搬する。

[0033]同軸フィード１００は図７に示される流れ図に従って製造される。ブロック７０２で、外側導電性チューブ１２０が、サイドポート２１と、第１の縁部表面１２３と、第１の縁部表面１２３と縁部１４３を共有して第１の縁部表面１２３に対して垂直である第１の内部表面１３３と、第２の縁部表面と、第２の縁部表面１２４と縁部１４４を共有して第２の縁部表面１２４に対して垂直である第２の内部表面１２４（図４）とを有するように構成される。図１Ａ〜６に示される実施形態の場合、ブロック７０２で、外側導電性チューブ１２０がまた、第３の縁部表面１２５と、第３の縁部表面１２５と縁部１４５（図３Ｂ）を共有して第３の縁部表面１２５に対して垂直である第３の内部表面１３５とを有するように構成される。この実施形態の一実装形態では、外側導電性チューブ１２０がアルミニウムチューブまたはアルミニウムブロックから機械加工される。

[0034]ブロック７０４で、内側導電性チューブ１１０が、ベース１１５と、ベース１１５から軸方向に延在するメインボディ１１７とを有するように構成される。ベース１１５は内側導電性チューブ１１０のベース端部１０２のところにあり、ベース１１１の中心軸１０５上の中心に置かれる中心ポート１１１を有するように形成される。具体的には、ベース１１５は、第１の表面１５１および第２の表面１５２に対してそれぞれ直交して突出する第１のリップ１４１および第２のリップ１４２を有するように形成される。図１Ａ〜６に示される実施形態の場合、ブロック７０４で、内側導電性チューブ１１０のベース１１５がまた、第３の表面１５３に対して直交して突出する第３のリップ１４７を有するように構成される。内側導電性チューブ１１０が機械加工された後または内側導電性チューブ１１０が外側導電性チューブ１２０に取り付けられた後、誘電材料１０６が任意選択で内側導電性チューブ１１０内に配置される。

[0035]ベース１１５およびメインボディ１１７は金属から形成される。この実施形態の一実装形態では、ベース１１５およびメインボディ１１７は金属の単一のチューブまたはブロックから機械加工される。この実施形態の一実装形態では、ベース１１５およびメインボディ１１７は２つの別個のチューブまたはブロックから機械加工され、次いで、ベース１１５およびメインボディ１１７が溶接により互いに取り付けられる。

[0036]ブロック７０６で、外側導電性チューブ１２０がベース１１５のところで内側導電性チューブ１１０に接触するように配置され、外側導電性チューブ１２０および内側導電性チューブ１１０が中心軸１０５に対して共に位置合わせされる。図３Ｂに示されるように、第２の縁部表面１２４および第３の縁部表面１２５が、外側導電性チューブ１２０を形成する円筒の、概して１２２で示されるカットアウト領域を形成する。外側導電性チューブ１２０と内側導電性チューブ１１０との間のシーム１７５（図１Ａおよび１Ｂ）が、内側導電性チューブ１１０のベース１１５が外側導電性チューブ１２０内のカットアウト領域１２２に一致することを明瞭に示す。

[0037]図１Ａ、１Ｂおよび４〜６に示されるように、外側導電性チューブ１２０が内側導電性チューブ１１０にインターロックされるように配置される。外側導電性チューブ１２０の第１の縁部表面１２３がベースの第１の表面１５１に隣接し、外側導電性チューブ１２０の第２の縁部表面１２４がベースの第２の表面１５２に隣接し、外側導電性チューブ１２０の第３の縁部表面１２５がベース１１５の第３の表面１５３に隣接する。第１の内部表面１３３が第１のリップ１４１に隣接するように配置され、第２の内部表面１３４が第２のリップ１４２に隣接するように配置され、第３の内部表面１３５が第３のリップ１４７に隣接するように配置される。本明細書で定義される２つの隣接する表面は接触するか（少なくとも部分的に）またはそれらの間に小さい隙間を有する。

[0038]同軸フィード１００の一実施形態では、構成要素部品は、上述したように外側チューブ１２０を内側チューブ１１０上でインターロック位置まで摺動させるために公差に適合するように機械加工される。このような状況は機械加工の当業者には「すべり嵌め」として知られる。この実施形態では、外側導電性チューブ１２０を内側導電性チューブ１１０にすべり嵌めするために、内側チューブの公差および外側チューブの公差は、外側チューブ１２０の第２の縁部表面１２４と内側チューブ１１０の第２の表面１５２との物理的接触、さらにはそれによりそれらの電気接触を保証するように、画定される。公差により、残りの外側チューブ縁部表面１２３および１２５がそれらのぞれぞれの対応する内側チューブ表面１５１および１５３に非常に密に近接し、必須ではないが電気的に接触する。外側チューブ１２０の内部表面１３３、１３４、１３５がそれぞれの内側チューブリップ表面１４１、１４２、１４７に非常に密に近接し、予測できない隙間の領域および予測できない物理的接触の領域が存在する。しかし、これらの領域および隙間は対象の信号の波長と比較して小さいことから、これらが同軸フィード１００の性能を低下させることはない。さらに、電磁場の点から、外側導電性チューブ１２０の第２の縁部表面１２４および内側チューブ１１０の第２の表面１５２の接続部が連続する金属として存在する。この構成により、ポート１２１に向かって良好なインピーダンスマッチングが行われる。

[0039]同軸フィード１００の別の実施形態では、外側チューブ１２０の内部表面１３３、１３４、１３５の寸法がそれぞれの内側チューブリップ表面１４１、１４２、１４７よりわずかに大きい。この実施形態では、これらの部品が接続されるとき、内側チューブ１１０が外側チューブ１２０によって占有される空間にわずかに干渉することから、プレスフィットまたは摩擦嵌合としても知られる締まり嵌めが存在する。外側チューブ１２０を内側チューブ１１０上に押し込むには小さくはない力が必要となる。この場合、外側導電性チューブ１２０が内側導電性チューブ１１０に接触するとき、外側導電性チューブ１２０が内側導電性チューブ１１０に堅固に固定される。外側チューブ１２０の内部表面１３３、１３４、１３５およびそれぞれの内側チューブリップ表面１４１、１４２、１４７が効果的に結合され、これらの領域が電磁場の点から連続する金属として存在する。

[0040]この実施形態の別の実装形態では、上述したように摺動嵌合させた後、外側導電性チューブ１２０が内側導電性チューブ１１０にレーザ溶接され、それにより外側導電性チューブ１２０が内側導電性チューブ１１０に堅固に取り付けられる。このような実施形態では、レーザ溶接は図１Ａおよび１Ｂに示されるシーム１７５のところで行われ、それにより、同軸フィード１００の外部表面に沿って隙間が存在しないように材料が一体に融着される。レーザ溶接は内側導電性チューブ１１０を外側導電性チューブ１２０に接続する技術として非常に良好に作用する。得られる結合部はＲＦの点から優良であり、また、堅固な機械的接続部も形成する。しかし、レーザ溶接は、可能性として、シームの下方に金属がない場合に、接合されることが所望される領域内に大きい隙間または孔（「ブローアウト（ｂｌｏｗｏｕｔ）」とも称される）を形成する場合がある。同軸フィード１００のこの構成は、第１のリップ１４１、第２のリップ１４２および第３のリップ１４３がレーザ溶接シーム１７５のための裏当てとして機能してブローアウトの可能性を排除するレッジを形成することから、レーザ溶接にとって有利である。

[0041]レーザ溶接プロセスは非常に正確で、機械的に再現可能であることから、同軸フィード１００は良好な再現可能ＲＦ性能を有するように製造され得る。レーザ溶接の当業者には既知であるように、良好なレーザ溶接のためには類似しない金属合金が望ましい。内側導電性チューブ１１０を外側導電性チューブ１２０に堅固に取り付けるのにレーザ溶接が使用される場合、内側導電性チューブ１１０および外側導電性チューブ１２０は異なる金属合金から形成される。この実施形態の一実装形態では、内側導電性チューブ１１０はアルミニウム合金６０６１から形成され、外側導電性チューブ１２０はアルミニウム合金４０４７から形成される。

[0042]図８は、本出願の一実施形態による同軸フィード２００の一実施形態の内側導電性チューブ１１０’と外側導電性チューブ１２０との間のインターフェースの分解図である。同軸フィード２００は、内側導電性チューブ１１０’の第２のリップ１４２内に溝４５１が形成され、電気伝導性ガスケット４５０が溝４５１に挿入されるという点が同軸フィード１００とは異なる。内側導電性チューブ２２０は同軸フィード１００内の内側導電性チューブ１２０と構造および機能が同じである。図８に示されるこの実施形態では、外側導電性チューブ１２０が内側導電性チューブ１１０’に接触するように配置されるとき、第２の内部表面１３４が第２のリップ１４２に隣接するように配置され、溝４５１内の電気伝導性ガスケット４５０が第２の内部表面１３４に接触する。したがって、第２の内部表面１３４と第２のリップ１４２との間に隙間が存在する場合でも、電気伝導性ガスケット４５０が、サイドポート１２１の反対側の同軸フィード２００の重要な領域１７６（図４および６）のところの、第２の内部表面１３４と第２のリップ１４２との間に電気接触（電気的短絡）を形成する。

[0043]電気伝導性ガスケット４５０は、エラストマまたは別の重合体材料が電気伝導性を有するように微細な銀粒子（または、別の金属粒子）を注入されたエラストマまたは別の重合体から形成される。電気伝導性ガスケット４５０は、本明細書では、「エラストマガスケット４５０」、「ＲＦガスケット４５０」および「ガスケット４５０」とも称される。同軸フィード２００が組み立てられると、電気伝導性ガスケット４５０を同軸フィード２００の外側から見ることはできない。電気伝導性ガスケットはＰａｒｋｅｒＨａｎｎｉｆｉｎＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ’ｓＣｈｏｍｅｒｉｃｓＤｉｖｉｓｉｏｎまたはＬａｉｒｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．から市販されている。本出願で説明される電気伝導性ガスケットは、電子部品の金属エンクロージャ内のＥＭＩ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）（電磁干渉）を低減するためにこれらのガスケットを使用するような従来技術の用途とは異なる機能で使用される。

[0044]同軸フィード２００は、図７の方法７００に示されるステップに加えて、製造にいくつかの追加のステップを必要とする。図８に示されるようにトラフまたは溝４５１が内側導電性チューブ１１０’のベース１１５’の第２のリップ１４２の少なくとも一部分に切り込まれる。次いで、電気伝導性ガスケット４５０が溝４５１に挿入される。ガスケット４５０が定位置にある状態で、外側導電性チューブ１２０が内側導電性チューブ１１０’上を摺動する。

[0045]図９は、本出願の一実施形態による同軸フィード３００の一実施形態の内側導電性チューブ１１０と外側導電性チューブ１２０との間のインターフェースの分解図である。同軸フィード３００は、内側導電性チューブ１１０の第２の表面１５２と外側導電性チューブ１２０の第２の縁部表面１２４との間に電気伝導性ガスケット４５０が挿入されるという点が同軸フィード１００とは異なる。外側導電性チューブ１２０の第２の縁部表面１２４が電気伝導性ガスケット４５０を介してベース１１５の第２の表面１５２に電気接触する。

[0046]この実施形態の一実装形態では、内側導電性チューブ１１０および外側導電性チューブ１２０は同軸フィード１００の場合と同じである。この実施形態の別の実装形態では、外側導電性チューブ１２０内のカットアウト領域１２２（図３Ｂに示される）の長さがわずかに大きく、それにより、内側導電性チューブ１１０の第２の表面１５２と外側導電性チューブ１２０の第２の縁部表面１２４との間に挿入される電気伝導性ガスケット４５０の追加の厚さのためにオフセットされる。この実施形態では、同軸フィード３００が組み立てられると、導電性エラストマガスケット４５０を同軸フィード３００の外側から見ることができる。

[0047]同軸フィード３００は、図７に示されるステップに加えて、製造に追加のステップを必要とする。外側導電性チューブ１２０と内側導電性チューブ１１０との間の接触（ブロック７０６）を完了させる前、外側導電性チューブ１２０が内側導電性チューブ１１０上を摺動するとき、電気伝導性ガスケット４５０が、第２のリップ１４２および内側導電性チューブ１１０の第２の表面１５２によって形成される角部内に配置される。

[0048]同軸フィードの別の実施形態では、外側導電性チューブ１２０内のカットアウト領域１２２（図３Ｂに示される）が相対的に小さいタブとなるように縮小され、内側導電性チューブのベースがタブを受け入れるための対合窪みを有するように形作られる。タブおよび窪みは内側導電性チューブと外側導電性チューブとを位置合わせすることを目的とする。この実施形態の一実施例が図１０Ａ〜１９に示される。

[0049]図１０Ａおよび１０Ｂは、本出願の一実施形態による同軸フィード６００の反対方向の斜視図である。図１１および１２は、図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィード６００の内側導電性チューブ６１０の図である。図１３および１４は、図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィード６００の外側導電性チューブ６２０の図である。図１５は、図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィード６００の内側導電性チューブ６１０と外側導電性チューブ６２０との間のインターフェースの分解図である。図１６は、図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィード６００を形成するために内側導電性チューブ６１０に対合される外側導電性チューブ６２０の図である。図１７は、図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィード６００の構成要素６１０、６２０、１０６および６０６の分解図である。図１８は、図１０Ａおよび１０Ｂの同軸フィード６００の上面図である。図１９は、図１８の同軸フィード６００の断面図である。同軸フィード６００は上述した同軸フィード１００、２００および３００と同じ機能を有する。

[0050]同軸フィード６００が外側導電性チューブ６２０に対して電気的に短絡される内側導電性チューブ６１０を有する。図１１に示されるように、内側導電性チューブ６１０が、同軸フィード１００の中心ポート１１１と構造および機能が類似する中心ポート６１１を有する。図１３および１４に示されるように、外側導電性チューブ６２０が、同軸フィード１００のサイドポート６２１と構造および機能が類似するサイドポート６２１を有する。

[0051]窪み６２８が内側導電性チューブ６１０のベース６１５（図１１）内に形成される。この実施形態では、第１のリップ６４１は窪み６２８の内部表面６４１（図１５）であり、第１の表面６５１が、中に中心ポート６１１が形成される平坦外部ベース表面６５１（図１１および１５）である。溝４５１（図１１、１２および１５）がベース６１５内に形成される。ベース６１５が突起部６１８を有し、外側導電性チューブ６２０と内側導電性チューブ６１０との間のインピーダンスマッチングを改善するように設計される。窪み６２８および溝４５１を除いて、ベース６１５も同軸フィード１００および３００の上で参照した実施形態のベース１１５と構造が類似する。窪み６２８を除いて、ベース６１５は図８に示される同軸フィード２００の実施形態のベース１１５’と構造が類似する。

[0052]外側導電性チューブ６２０が図１３、１４および１６に示されるタブ６２７を有し、これはＺ軸方向に沿って比較的寸法が小さい。したがって、外側導電性チューブ１２０のカットアウト１２２が軸方向に沿ってタブ６２７の長さまでサイズが縮小される。

[0053]この実施形態では、電気伝導性ガスケット４５０がベース６１５の溝４５１に挿入される。外側導電性チューブ６２０が内側導電性チューブ６１０に接触するように配置されると、タブ６２７が窪み６２８内に嵌合される。外側導電性チューブ６２０の第１の内部表面６３３（図１５）がベース６１５内の窪み６２８の内部表面６４１（図１５）に隣接するように配置される。外側導電性チューブ６２０の第２の縁部表面６２４がベース６１５の第２の表面６５２に接触する。第２の内部表面６３４が第２のリップ６４２に隣接するように配置され、溝４５１内の電気伝導性ガスケット４５０に接触する。第２のリップ６４２は図４に示されるリップ１４２を延長したものである。

[0054]構成要素６０６（図１７）は、同軸フィード６００の放射端部（ｒａｄｉａｔｉｎｇｅｎｄ）のところに配置される誘電性プラグ６０６である。放射端部は同軸フィード６００のベース端部６０２（図１０Ａ、１０Ｂ、１１、１２、１５および１７）の反対側にある。同軸フィード６００の放射端部のところに配置される誘電性プラグ６０６は、同軸フィード６００の同心性を維持するように、および、必要である場合に外部環境からのシールを形成するように機能する。誘電性プラグ６０６がない場合、ＲＦガスケット４５０が内側導電性チューブ１１０を中心からずらすような力を作用させることから、内側導電性チューブ６１０および外側導電性チューブ６２０が放射端部のところでほとんど接触しそうになる。したがって、誘電性プラグ６０６は図８に示される同軸フィード２００の実施形態では有用である。一部のアンテナフィードのデザインでは、誘電性プラグ６０６を排除することが好適である。このようなアンテナフィードでは、チューブの同心性を維持するためには、摺動嵌合組立体をレーザ溶接することまたは締まり嵌めを適用することが必要となる。

[0055]同軸フィード６００は、図７の方法７００に示されるステップに加えて、製造にいくつかの追加のステップを必要とする。内側導電性チューブ６１０を構成することの一部として、窪み６２８がベース６１５内に形成され、溝４５１がベース６１５内に形成される。この場合、第１のリップ６４１が窪み６２８の内部表面６４１であり、第１の表面６５１が、中に中心ポート６１１が形成される平坦外部ベース表面６５１である。

[0056]外側導電性チューブ６２０が内側導電性チューブ６１０に接触するように配置される前に、電気伝導性ガスケット４５０が溝４５１に挿入される。外側導電性チューブ６２０が内側導電性チューブ６１０に接触するように配置されるとき（図７のブロック７０６中）、第２の内部表面６３４が第２のリップ６４２に隣接するように配置され、溝４５１内の電気伝導性ガスケット４５０が第２の内部表面６３４に接触する。この接続により、電磁場の点から、接続された領域が確実に連続する金属部片となり、サイドポート６２１の反対側の同軸フィード６００の図１５に示される重要な領域１７６を原因とするポート６２１のインピーダンスミスマッチが解消される。

[0057]本明細書で説明される同軸フィードの実施形態は、外側導電性チューブ１２０（６２０）および内側導電性チューブ１１０（６１０）に結合される電磁場を誘導するのに使用される。第１の周波数帯の電磁場がベース１１５（６１５）内の中心ポート１１１（６１１）を介して結合され、中心軸１０５に沿って内側導電性チューブ１１０（６１０）内の円形導波管を通って伝搬する。第２の周波数帯の電磁場が中心軸１０５に対して垂直なサイドポート１２１（６２１）を介して結合され、外側導電性チューブ１２０（６２０）の内部および内側導電性チューブ１１０（６１０）の外部によって形成される同軸導波管を通って＋Ｚ方向に伝搬する。

[0058]別法として、円形導波管および同軸導波管の両方が、直交する偏波を有するが同じ周波数帯の信号のために使用されてもよい。例えば、円形導波管が垂直偏波を伝搬するのに使用されてよく、同軸導波管が水平偏波を伝搬するのに使用されてよい。それらの説明は本特許出願の範囲を超えるが、偏波器が同軸フィード内に含まれてもよい。その場合は、一方の偏波は右側円形偏波（ＲＨＣＰ：ｒｉｇｈｔｈａｎｄｃｉｒｃｕｌａｒｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）であってよく、もう一方は左側円形偏波（ＬＨＣＰ：ｌｅｆｔｈａｎｄｃｉｒｃｕｌａｒｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）であってよい。

[0059]二重帯域同軸アンテナフィード１００、２００、３００または６００は、図２０に示されるように二重帯域スイッチツリー５０にインターフェース接続されるように構成される。図２０は、図１０Ａおよび１０Ｂの複数の同軸フィード６００（−１〜−５）を備える二重帯域スイッチツリー５０の図である。図２０に示されるように、同軸フィード６００−３が二重帯域スイッチツリー５０のポート５１−３に挿入されるように配置され、同軸フィード６００−１、６００−２、６００−４および６００−５がそれぞれ二重帯域スイッチツリー５０のポート５０−１、５０−２、５０−４および５０−５内に動作可能に配置される。別の実施形態では、マルチプルスイッチツリー５０に複数の同軸フィード１００、２００または３００が載荷され、それにより当技術分野で既知のマルチビームアンテナが形成される。マルチプルスイッチツリー５０内の複数の同軸フィード１００、２００、３００または６００はレンズに対して供給するように動作し、レンズが通信のために所望される方向にパワーを発する。

[0060]実施例

[0061]実施例１は、サイドポートと、第１の縁部表面と、第１の縁部表面と縁部を共有しかつ第１の縁部表面に対して垂直である第１の内部表面と、第２の縁部表面と、第２の縁部表面と縁部を共有しかつ第２の縁部表面に対して垂直である第２の内部表面と、を有するように外側導電性チューブを構成するステップと、内側導電性チューブのベース端部のところにあるベースであって、第１の表面および第２の表面に対してそれぞれ直交して突出する第１のリップおよび第２のリップ、ならびに、中心軸上の中心に置かれて中心軸に平行である中心ポートを有する、ベースと、ベースから軸方向に延在するメインボディと、を有するように内側導電性チューブを構成するステップと、ベースのところで外側導電性チューブを内側導電性チューブに接触させるように外側導電性チューブを配置するステップであって、外側導電性チューブおよび内側導電性チューブが中心軸に共に位置合わせされる、ステップと、を含むプロセスにより、内側導電性チューブのベースから外側導電性チューブへのベースのところで電気接続される外側導電性チューブを有する同軸フィードを含む。

[0062]実施例２は実施例１の同軸フィードを含み、プロセスが、第３の縁部表面と、第３の縁部表面と縁部を共有しかつ第３の縁部表面に対して垂直である第３の内部表面と、をさらに有するように外側導電性チューブを構成するステップと、ベース上にあり、第３の表面に対して直交して突出する第３のリップをさらに有するように内側導電性チューブを構成するステップと、をさらに含む。

[0063]実施例３は実施例２の同軸フィードを含み、プロセスが、第２のリップ内の溝を形成するステップと、溝に電気伝導性ガスケットを挿入するステップと、をさらに含み、ここでは、内側導電性チューブに接触させるように外側導電性チューブを配置するプロセスが、外側導電性チューブの第１の縁部表面をベースの第１の表面に接触させることと、第１のリップに隣接するように第１の内部表面を配置することと、外側導電性チューブの第２の縁部表面をベースの第２の表面に接触させることと、溝内の電気伝導性ガスケットを第２の内部表面に接触させるために第２の内部表面を第２のリップに隣接するように配置することと、外側導電性チューブの第３の縁部表面をベースの第３の表面に接触させることと、第３のリップに隣接するように第３の内部表面を配置することと、を含む。

[0064]実施例４は実施例２〜３のいずれかの同軸フィードを含み、ここでは、内側導電性チューブに接触させるように外側導電性チューブを配置するプロセスが、外側導電性チューブの第１の縁部表面をベースの第１の表面に接触させることと、第１のリップに隣接するように第１の内部表面を配置することと、外側導電性チューブの第２の縁部表面をベースの第２の表面に接触させることと、第２のリップに隣接するように第２の内部表面を配置することと、外側導電性チューブの第３の縁部表面をベースの第３の表面に接触させることと、第３のリップに隣接するように第３の内部表面を配置することと、を含む。

[0065]実施例５は実施例２〜４のいずれかの同軸フィードを含み、プロセスが、内側導電性チューブの第２の表面と外側導電性チューブの第２の縁部表面との間に電気伝導性ガスケットを挿入するステップをさらに含み、内側導電性チューブに接触させるように外側導電性チューブを配置するプロセスが、外側導電性チューブの第１の縁部表面をベースの第１の表面に接触させることと、第１のリップに隣接するように第１の内部表面を配置することと、電気伝導性ガスケットを介して外側導電性チューブの第２の縁部表面をベースの第２の表面に接触させることと、第２のリップに隣接するように第２の内部表面を配置することと、外側導電性チューブの第３の縁部表面をベースの第３の表面に接触させることと、第３のリップに隣接するように第３の内部表面を配置することと、をさらに含む。

[0066]実施例６は実施例１〜５のいずれかの同軸フィードを含み、ここでは、内側導電性チューブを構成することが、ベース内に窪みを形成するステップであって、第１のリップが窪みの内部表面であり、第１の表面が中に中心ポートが形成される平坦外部ベース表面である、ステップと、ベース内に溝を形成するステップと、をさらに含み、ここでは、内側導電性チューブに接触させるように外側導電性チューブを配置することが、ベースの溝に電気伝導性ガスケットを挿入するステップと、ベース内の窪みの内部表面に隣接するように外側導電性チューブの第１の内部表面を配置するステップと、外側導電性チューブの第２の縁部表面をベースの第２の表面に接触させるステップと、溝内の電気伝導性ガスケットを第２の内部表面に接触させるために第２のリップに隣接するように第２の内部表面を配置するステップと、をさらに含む。

[0067]実施例７は実施例１〜６のいずれかの同軸フィードを含み、内側導電性チューブ内に誘電材料を配置するステップをさらに含む。

[0068]実施例８は実施例１〜７のいずれかの同軸フィードを含み、プロセスが、外側導電性チューブを内側導電性チューブに摺動嵌合させるステップをさらに含む。

[0069]実施例９は実施例１〜８のいずれかの同軸フィードを含み、プロセスが、外側導電性チューブを内側導電性チューブにレーザ溶接するステップをさらに含む。

[0070]実施例１０は、サイドポートと、第１の縁部表面と、第１の縁部表面と縁部を共有しかつ第１の縁部表面に対して垂直である第１の内部表面と、第２の縁部表面と、第２の縁部表面と縁部を共有しかつ第２の縁部表面に対して垂直である第２の内部表面と、を有する外側導電性チューブと；内側導電性チューブのベース端部のところにあるベースであって、ベースが、第１の表面および第２の表面に対してそれぞれ直交して突出する第１のリップおよび第２のリップ、ならびに、中心軸上の中心に置かれる中心ポートを有する、ベースと、ベースから軸方向に延在するメインボディと、を有する内側導電性チューブとを備える同軸フィードを含み、ここでは、外側導電性チューブがベースのところで内側導電性チューブに接触し、外側導電性チューブおよび内側導電性チューブが中心軸に対して共に位置合わせされる。

[0071]実施例１１は実施例１０の同軸フィードを含み、外側導電性チューブが、第３の縁部表面と、第３の縁部表面と縁部を共有しかつ第３の縁部表面に対して垂直である第３の内部表面と、をさらに備え、内側導電性チューブが、第３の表面に直交して突出する、ベース上にある第３のリップをさらに備える。

[0072]実施例１２は実施例１１の同軸フィードを含み、内側導電性チューブが、第２のリップ内に形成される溝と、溝に挿入される電気伝導性ガスケットとをさらに備え、外側導電性チューブの第１の縁部表面がベースの第１の表面に接触し、第１の内部表面が第１のリップに接触するように配置され、外側導電性チューブの第２の縁部表面がベースの第２の表面に接触し、第２の内部表面が、溝内の電気伝導性ガスケットを第２の内部表面に接触させるために第２のリップに隣接するように配置され、外側導電性チューブの第３の縁部表面がベースの第３の表面に接触し、第３の内部表面が第３のリップに隣接するように配置される。

[0073]実施例１３は実施例１１〜１２のいずれかの同軸フィードを含み、外側導電性チューブの第１の縁部表面がベースの第１の表面に接触し、第１の内部表面が第１のリップに隣接するように配置され、外側導電性チューブの第２の縁部表面がベースの第２の表面に接触し、第２の内部表面が第２のリップに隣接するように配置され、外側導電性チューブの第３の縁部表面がベースの第３の表面に接触し、第３の内部表面が第３のリップに隣接するように配置される。

[0074]実施例１４は実施例１１〜１３のいずれかの同軸フィードを含み、内側導電性チューブの第２の表面と外側導電性チューブの第２の縁部表面との間に挿入される電気伝導性ガスケットをさらに備え、外側導電性チューブの第１の縁部表面がベースの第１の表面に接触し、第１の内部表面が第１のリップに隣接するように配置され、外側導電性チューブの第２の縁部表面が電気伝導性ガスケットを介してベースの第２の表面に接触し、第２の内部表面が第２のリップに隣接するように配置され、外側導電性チューブの第３の縁部表面がベースの第３の表面に接触し、第３の内部表面が第３のリップに隣接するように配置される。

[0075]実施例１５は実施例１０〜１４のいずれかの同軸フィードを含み、内側導電性チューブが、ベース内に形成される窪みであって、第１のリップが窪みの内部表面であり、第１の表面が平坦外部ベース表面である、窪みと、ベース内に形成される溝と、ベースの溝に挿入される電気伝導性ガスケットと、をさらに備え、外側導電性チューブの第１の内部表面がベース内の窪みの内部表面に隣接するように配置され、外側導電性チューブの第２の縁部表面がベースの第２の表面に接触し、第２の内部表面が、溝内の電気伝導性ガスケットを第２の内部表面に接触させるために第２のリップに隣接するように配置される。

[0076]実施例１６は、内側導電性チューブのベースに電気接続される外側導電性チューブを有する同軸フィードを形成するプロセスを含み、プロセスが、サイドポートと、第１の縁部表面と、第１の縁部表面と縁部を共有しかつ第１の縁部表面に対して垂直である第１の内部表面と、第２の縁部表面と、第２の縁部表面と縁部を共有しかつ第２の縁部表面に対して垂直である第２の内部表面と、を有する外側導電性チューブを構成することと；内側導電性チューブのベース端部のところにあるベースであって、ベースが、第１の表面および第２の表面に対してそれぞれ直交して突出する第１のリップおよび第２のリップ、ならびに、中心軸上の中心に置かれる中心ポートを有する、ベースと、ベースから軸方向に延在するメインボディと、を有するように内側導電性チューブを構成することと；ベースのところで内側導電性チューブに接触させるために外側導電性チューブを配置することであって、外側導電性チューブおよび内側導電性チューブが中心軸に対して共に位置合わせされる、ことと、を含む。

[0077]実施例１７は実施例１６のプロセスを含み、第３の縁部表面と、第３の縁部表面と縁部を共有しかつ第３の縁部表面に対して垂直である第３の内部表面と、をさらに有するように外側導電性チューブを構成することと、第３の表面に対して直交して突出する、ベース上にある第３のリップをさらに有するように内側導電性チューブを構成することと、をさらに含む。

[0078]実施例１８は実施例１６〜１７のいずれかのプロセスを含み、第２のリップ内に窪みを形成することと、溝に電気伝導性ガスケットを挿入することと、をさらに含み、内側導電性チューブに接触させるように外側導電性チューブを配置するプロセスが、外側導電性チューブの第１の縁部表面をベースの第１の表面に接触させることと、第１のリップに隣接するように第１の内部表面を配置することと、外側導電性チューブの第２の縁部表面をベースの第２の表面に接触させることと、溝内の電気伝導性ガスケットを第２の表面に接触させるために第２のリップに隣接するように第２の内部表面を配置することと、外側導電性チューブの第３の縁部表面をベースの第３の表面に接触させることと、第３のリップに隣接するように第３の内部表面を配置することと、を含む。

[0079]実施例１９は実施例１６〜１８のいずれかの同軸フィードを含み、内側導電性チューブを構成することが、ベース内に窪みを形成するステップであって、第１のリップが窪みの内部表面であり、第１の表面が中に中心ポートが形成される平坦外部ベース表面である、ステップと、ベース内に溝を形成するステップと、をさらに含み、ここでは、内側導電性チューブに接触させるように外側導電性チューブを配置することが、ベースの溝に電気伝導性ガスケットを挿入するステップと、ベース内の窪みの内部表面に隣接するように外側導電性チューブの第１の内部表面を配置するステップと、外側導電性チューブの第２の縁部表面をベースの第２の表面に接触させるステップと、溝内の電気伝導性ガスケットを第２の内部表面に接触させるために第２のリップに隣接するように第２の内部表面を配置するステップと、をさらに含む。

[0080]実施例２０は実施例１６〜１９のいずれかの同軸フィードを含み、プロセスが、外側導電性チューブを内側導電性チューブにレーザ溶接するステップをさらに含む。

[0081]本明細書では特定の実施形態を示して説明してきたが、示される特定の実施形態に対して、同じ目的を達成するために計算される任意の構成が代用され得ることを当業者であれば認識するであろう。本出願は本発明の任意の調整または変更を含むことを意図される。したがって、本発明は特許請求の範囲およびその均等物のみによって限定されることを明確に意図される。

１００同軸フィード
１０２ベース端部
１０５中心軸
１０６誘電材料
１１０内側導電性チューブ
１１０’ 内側導電性チューブ
１１１中心ポート
１１５ベース
１１７メインボディ
１１８突起部
１２０外側導電性チューブ
１２１サイドポート
１２２カットアウト領域
１２３第１の縁部表面
１２４第２の縁部表面
１２５第３の縁部表面
１３３第１の内部表面
１３４第２の内部表面
１３５第３の内部表面
１４１第１のリップ
１４２第２のリップ
１４３縁部
１４４縁部
１４５縁部
１４７第３のリップ
１５１第１の表面
１５２第２の表面
１５３第３の表面
１５４表面
１７５シーム
１７６重要な領域
２００同軸フィード
２２０内側導電性チューブ
３００同軸フィード
４５０電気伝導性ガスケット
４５１溝
６００同軸フィード
６０２ベース端部
６０６誘電性プラグ
６１０内側導電性チューブ
６１１中心ポート
６１５ベース
６１８突起部
６２０外側導電性チューブ
６２１サイドポート
６２７タブ
６２８窪み
６３３第２の内部表面
６３４第２の内部表面
６４１内部表面
６４２第２のリップ
６５１第１の表面
６５２第２の表面
７００方法
７０２ブロック
７０４ブロック
７０６ブロック

Claims

同軸フィード（１００）であって、
外側導電性チューブ（１２０）であって、
サイドポート（１２１）と、
第１の縁部表面（１２３）と、
前記第１の縁部表面と縁部（１４３）を共有しかつ前記第１の縁部表面に対して垂直である第１の内部表面（１３３）と、
第２の縁部表面（１２４）と、
前記第２の縁部表面と縁部（１４４）を共有しかつ前記第２の縁部表面に対して垂直である第２の内部表面（１３４）と、
を備える外側導電性チューブ（１２０）と、
内側導電性チューブ（１１０）であって、
前記内側導電性チューブのベース端部（１０２）のところにあるベース（１１５）であって、前記ベースが第１の表面（１５１）および第２の表面（１５２）に対してそれぞれ直交して突出する第１のリップ（１４１）および第２のリップ（１４２）と、中心軸（１０５）上の中心に置かれる中心ポート（１１１）とを有する、ベース（１１５）と、
前記ベースから軸方向（Ｚ）に延在するメインボディ（１１７）であって、前記外側導電性チューブが前記ベースのところで前記内側導電に接触し、前記外側導電性チューブおよび前記内側導電性チューブが前記中心軸に対して共に位置合わせされる、メインボディ（１１７）と、
を備える内側導電性チューブ（１１０）と、
を備える同軸フィード（１００）
前記外側導電性チューブ（１２０）が
第３の縁部表面（１２５）と、
前記第３の縁部表面と縁部（１４５）を共有しかつ前記第３の縁部表面に対して垂直である第３の内部表面（１３５）と
をさらに備え、
前記内側導電性チューブ（１１０）が
第３の表面（１５３）に対して直交して突出する、前記ベース（１１５）上にある第３のリップ（１４７）
をさらに備える
請求項１に記載の同軸フィード（１００）。
前記内側導電性チューブ（６１０）が
前記ベース（１１５）内に形成される窪み（６２８）であって、前記第１のリップ（６４１）が前記窪みの内部表面（６４１）であって、前記第１の表面（６５１）が平坦外部ベース表面（６５１）である、窪み（６２８）と、
前記ベース（６１５）内に形成される溝（４５１）と、
前記ベースの前記溝に挿入される電気伝導性ガスケット（４５０）と、
をさらに備え、
前記外側導電性チューブの前記第１の内部表面（６３３）が前記ベース内の前記窪みの前記内部表面（６４１）に隣接するように配置され、
前記外側導電性チューブの前記第２の縁部表面（６２４）が前記ベースの前記第２の表面（６５２）に接触し、
前記第２の内部表面（６３４）が、前記溝内の前記電気伝導性ガスケットを前記第２の内部表面（６３４）に接触させるために前記第２のリップ（６４２）に隣接するように配置される
請求項１に記載の同軸フィード（６００）。