JP6407620B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージングに関する。

ＭＲＩは、静磁場中に置かれた被検体の原子核スピンをラーモア周波数のＲＦパルスで磁気的に励起し、この励起に伴って発生するＭＲ信号から画像を再構成する撮像法である。なお、上記ＭＲＩは磁気共鳴イメージング(Magnetic Resonance Imaging)の意味であり、ＲＦパルスは高周波パルス(radio frequency pulse)の意味であり、ＭＲ信号は核磁気共鳴信号(nuclear magnetic resonance signal)の意味である。

ＭＲＩでは、空間的位置情報を得るために、互いに直交する傾斜磁場を静磁場に重畳して印加する。従って、ＭＲＩ装置の傾斜磁場発生システムは、被検体が置かれる撮像空間内で傾斜磁場を印加することで、ＭＲ信号に空間的な位置情報を付与する傾斜磁場コイルを備える。

ＭＲＩの画質劣化の要因の１つとして、上記の傾斜磁場分布の歪みが知られている。スライス選択方向、位相エンコード方向、周波数エンコード方向の各傾斜磁場強度は、例えば、印加方向に沿った位置に応じて直線的に変化するのが理想である。しかしながら実際には、傾斜磁場コイルにパルス電流を供給すると渦電流が発生し、渦電流による磁場が傾斜磁場に加わって傾斜磁場分布が歪む。

傾斜磁場分布の歪みは、一般に、磁場中心から離れるほど大きくなる。従って、オフセンターを撮像領域とする場合、傾斜磁場分布の歪みに伴う画質劣化が発生する。

なお、本明細書でのオフセンターとは、ＤＳＶ外となる程度に、磁場中心から離れた領域の意味である。
また、上記ＤＳＶ(Diameter Spherical Volume)は、静磁場磁石の幾何学的中心である磁場中心を中心とする球状の領域であって、所定の磁場均一性を有する領域を指す。

特開２０１２−４０３６２号公報

一般に、ＭＲＩ装置の天板は、天板上の被検体の撮像領域が磁場中心近くとなるように、その長手方向に沿って水平移動する。従って、頭部などの被検体のほぼ体軸上の領域を撮像領域とする場合、天板の幅方向の中央に被検体を乗せれば、天板移動によってＤＳＶ内に撮像領域を収め易い。

しかし、ＤＳＶの直径が例えば約５０ｃｍであり、両手などの体軸から離れた部分を撮像領域とする場合、撮像領域の少なくとも一部がＤＳＶ外となり易い。そして、撮像領域から磁場中心から離れるほど、上述の理由で画質が劣化し易い。

このため、ＭＲＩにおいて、磁場中心から離れた撮像領域において画質を向上させるための新たな技術が要望されていた。

一実施形態では、ＭＲＩ装置は、入力部と、撮像条件設定部とを有する。
入力部は、磁気共鳴イメージングのパルスシーケンスの条件の入力を受け付ける。

撮像条件設定部は、入力部を介して入力された条件に応じてパルスシーケンスの条件を設定後、励起ＲＦパルスと同時に印加されるスライス選択方向の第１傾斜磁場パルスの振幅と、再収束ＲＦパルスと同時に印加されるスライス選択方向の第２傾斜磁場パルスの振幅とを撮像領域と磁場中心との位置関係に応じて互いに近づけるようにパルスシーケンスの条件を変更後、パルスシーケンスの条件を確定する。

本実施形態のＭＲＩ装置の全体構成の一例を示すブロック図。 ＭＲ信号を検出する装着型のＲＦコイル装置の一例として、腕用ＲＦコイル装置の構成の一例を示す平面模式図。 ＳＥ法のパルスシーケンスの一例を示す模式的タイミング図。 ＦＳＥ法のパルスシーケンスの一例を図３と同様の表記で示す模式的タイミング図。 スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅が異なる場合に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を上げることで両者の振幅を揃える方法の一例を示す模式的タイミング図。 スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅が異なる場合に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を下げることで両者の振幅を揃える方法の一例を示す模式的タイミング図。 Ｚ軸方向をスライス選択方向と仮定した場合に、図５のようにスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える効果を概念的に示す模式図。 撮像領域との位置関係でアネファクトアーチファクトの要因の一例を示すガントリ内の平面模式図。 アネファクトアーチファクトの発生の可能性がある場合に、通知部及び表示装置によって実行される警告表示の一例を示す模式図。 ＳＥ法のパルスシーケンスを設定する場合のＭＲＩ装置の処理の流れの一例を示すフローチャート。 ＦＳＥ法のパルスシーケンスを設定する場合のＭＲＩ装置の処理の流れの一例を示すフローチャート。

以下、ＭＲＩ装置及びＭＲＩ方法の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。図１、図２ではＭＲＩ装置のハードウェア的構成について説明し、図３〜図９（特に図５及び図７）で本実施形態の原理を説明し、図１０及び図１１ではＭＲＩ装置の動作例を流れ図で説明する。なお、各図において同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

＜本実施形態の構成＞
図１は、本実施形態のＭＲＩ装置１０の全体構成の一例を示すブロック図である。ここでは一例として、ＭＲＩ装置１０の構成要素を寝台装置２０、ガントリ３０、制御装置４０の３つに分けて説明する。

第１に、寝台装置２０は、支持台２１と、天板２２と、支持台２１内に配置される天板移動機構２３とを有する。

天板２２の上面には、被検体Ｐが載置される。また、天板２２の上面には、被検体Ｐに装着されるＲＦコイル装置が接続される接続ポート２５が複数配置される。
ここでは一例として、ＭＲ信号を検出する腕用ＲＦコイル装置１００が被検体Ｐに装着されている。

支持台２１は、天板２２を水平方向（装置座標系のＺ軸方向）に移動可能に支持する。
天板移動機構２３は、天板２２がガントリ３０外に位置する場合に、支持台２１の高さを調整することで、天板２２の鉛直方向の位置を調整する。また、天板移動機構２３は、天板２２を水平方向に移動させることで天板２２をガントリ３０内に入れ、撮像後には天板２２をガントリ３０外に出す。

第２に、ガントリ３０は、例えば円筒状に構成され、撮像室に設置される。ガントリ３０は、静磁場磁石３１と、シムコイルユニット３２と、傾斜磁場コイルユニット３３と、ＲＦコイルユニット３４とを有する。

静磁場磁石３１は、例えば超伝導コイルであり、円筒状に構成される。静磁場磁石３１は、後述の制御装置４０の静磁場電源４２から供給される電流により、撮像空間に静磁場を形成する。撮像空間とは例えば、被検体Ｐが置かれて、静磁場が印加されるガントリ３０内の空間を意味する。なお、静磁場電源４２を設けずに、静磁場磁石３１を永久磁石で構成してもよい。

シムコイルユニット３２は、例えば円筒状に構成され、静磁場磁石３１の内側において、静磁場磁石３１と軸を同じにして配置される。シムコイルユニット３２は、後述の制御装置４０のシムコイル電源４４から供給される電流により、静磁場を均一化するオフセット磁場を形成する。

傾斜磁場コイルユニット３３は、例えば円筒状に構成され、シムコイルユニット３２の内側に配置される。傾斜磁場コイルユニット３３は、Ｘ軸傾斜磁場コイル３３ｘと、Ｙ軸傾斜磁場コイル３３ｙと、Ｚ軸傾斜磁場コイル３３ｚとを有する。

本明細書では、特に断りのない限り、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は装置座標系であるものとする。ここでは一例として、装置座標系のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を以下のように定義する。
まず、鉛直方向をＹ軸方向とし、天板２２は、その上面の法線方向がＹ軸方向となるように配置される。
また、天板２２の水平移動方向をＺ軸方向とし、ガントリ３０は、その軸方向がＺ軸方向となるように配置される。
Ｘ軸方向は、これらＹ軸方向、Ｚ軸方向に直交する方向であり、図１の例では天板２２の幅方向である。

また、ここでは一例として、装置座標系の原点は磁場中心に設定されるものとする。
磁場中心とは、例えば、静磁場磁石３１の幾何学的な中心位置である。

Ｘ軸傾斜磁場コイル３３ｘは、後述のＸ軸傾斜磁場電源４６ｘから供給される電流に応じたＸ軸方向の傾斜磁場Ｇｘを撮像領域に形成する。同様に、Ｙ軸傾斜磁場コイル３３ｙは、後述のＹ軸傾斜磁場電源４６ｙから供給される電流に応じたＹ軸方向の傾斜磁場Ｇｙを撮像領域に形成する。同様に、Ｚ軸傾斜磁場コイル３３ｚは、後述のＺ軸傾斜磁場電源４６ｚから供給される電流に応じたＺ軸方向の傾斜磁場Ｇｚを撮像領域に形成する。

そして、スライス選択方向傾斜磁場Ｇｓｓ、位相エンコード方向傾斜磁場Ｇｐｅ、及び、読み出し方向（周波数エンコード方向）傾斜磁場Ｇｒｏは、装置座標系の３軸方向の傾斜磁場Ｇｘ、Ｇｙ、Ｇｚの合成により、任意の方向に設定可能である。

上記撮像領域は、例えば、１画像又は１セットの画像の生成に用いられるＭＲ信号の収集範囲の少なくとも一部であって、画像となる領域である。撮像領域は例えば、撮像空間の一部として装置座標系で３次元的に規定される。例えば折り返しアーチファクトを防止するために、画像化される領域よりも広範囲でＭＲ信号が収集される場合、撮像領域はＭＲ信号の収集範囲の一部である。一方、ＭＲ信号の収集範囲の全てが画像となり、ＭＲ信号の収集範囲と撮像領域とが合致する場合もある。

また、上記「１セットの画像」は、例えばマルチスライス撮像などのように、１のパルスシーケンスで複数画像のＭＲ信号が一括的に収集される場合の複数画像である。ここでは一例として、撮像領域は、厚さの薄い領域であればスライスと称し、ある程度の厚みのある領域であればスラブと称する。

ＲＦコイルユニット３４は、例えば円筒状に構成され、傾斜磁場コイルユニット３３の内側に配置される。ＲＦコイルユニット３４は、例えば、ＲＦパルスの送信及びＭＲ信号の受信を兼用する全身用コイルを含む。

第３に、制御装置４０は、静磁場電源４２と、シムコイル電源４４と、傾斜磁場電源４６と、ＲＦ送信器４８と、ＲＦ受信器５０と、シーケンスコントローラ５８と、演算装置６０と、入力装置７２と、表示装置７４と、記憶装置７６とを有する。

傾斜磁場電源４６は、Ｘ軸傾斜磁場電源４６ｘと、Ｙ軸傾斜磁場電源４６ｙと、Ｚ軸傾斜磁場電源４６ｚとを有する。Ｘ軸傾斜磁場電源４６ｘ、Ｙ軸傾斜磁場電源４６ｙ、Ｚ軸傾斜磁場電源４６ｚは、傾斜磁場Ｇｘ，Ｇｙ，Ｇｚを形成するための各電流を、Ｘ軸傾斜磁場コイル３３ｘ、Ｙ軸傾斜磁場コイル３３ｙ、Ｚ軸傾斜磁場コイル３３ｚにそれぞれ供給する。

ＲＦ送信器４８は、シーケンスコントローラ５８から入力される制御情報に基づいて、核磁気共鳴を起こすラーモア周波数のＲＦ電流パルスを生成し、これをＲＦコイルユニット３４に送信する。このＲＦ電流パルスに応じたＲＦパルスが、ＲＦコイルユニット３４から被検体Ｐに送信される。

ＲＦコイルユニット３４の全身用コイルや、被検体Ｐに装着される腕用ＲＦコイル装置１００は、被検体Ｐ内の原子核スピンがＲＦパルスによって励起されることで発生したＭＲ信号を検出し、検出されたＭＲ信号は、ＲＦ受信器５０に入力される。

ＲＦ受信器５０は、受信したＭＲ信号に所定の信号処理を施した後、Ａ／Ｄ(analog to digital)変換を施すことで、デジタル化されたＭＲ信号の複素データである生データを生成する。ＲＦ受信器５０は、ＭＲ信号の生データを演算装置６０（の画像再構成部６２）に入力する。

シーケンスコントローラ５８は、演算装置６０の指令に従って、傾斜磁場電源４６、ＲＦ送信器４８及びＲＦ受信器５０の駆動に必要な制御情報を記憶する。ここでの制御情報とは、例えば、傾斜磁場電源４６に印加すべきパルス電流の強度や印加時間、印加タイミング等の動作制御情報を記述したシーケンス情報である。

シーケンスコントローラ５８は、記憶した所定のシーケンスに従って傾斜磁場電源４６、ＲＦ送信器４８及びＲＦ受信器５０を駆動させることで、傾斜磁場Ｇｘ、Ｇｙ、Ｇｚ及びＲＦパルスを発生させる。

演算装置６０は、システム制御部６１と、システムバスＳＢと、画像再構成部６２と、画像データベース６３と、画像処理部６４と、安全基準判定部６５と、通知部６６とを有する。

システム制御部６１は、本スキャンの撮像条件の設定を行う撮像条件設定部として機能する。また、システム制御部６１は、撮像動作及び撮像後の画像表示において、システムバスＳＢ等の配線を介してＭＲＩ装置１０全体のシステム制御を行う。

上記撮像条件とは例えば、どの種類のパルスシーケンスにより、どのような条件でＲＦパルス等を送信し、どのような条件で被検体ＰからＭＲ信号を収集するかを意味する。撮像条件の例としては、撮像空間内の位置的情報としての撮像領域、フリップ角、繰り返し時間ＴＲ(Repetition Time)、スライス数、撮像部位、スピンエコー法やパラレルイメージング等のパルスシーケンスの種類などが挙げられる。

上記撮像部位とは、例えば、頭部、胸部、腹部などの被検体Ｐのどの部分を撮像領域として画像化するかを意味する。

上記本スキャンは、Ｔ１強調画像などの、目的とする診断画像の撮像のためのスキャンであって、位置決め画像用のＭＲ信号収集のスキャンや、較正スキャンを含まないものとする。
スキャンとは、ＭＲ信号の収集動作を指し、画像再構成を含まないものとする。

較正スキャンとは例えば、本スキャンの撮像条件の内の未確定のものや、画像再構成処理や画像再構成後の補正処理に用いられる条件やデータを決定するために、本スキャンとは別に行われるスキャンを指す。較正スキャンの例としては、本スキャンでのＲＦパルスの中心周波数を算出するシーケンスなどがある。プレスキャンとは、較正スキャンの内、本スキャン前に行われるものを指す。

また、システム制御部６１は、撮像条件の設定画面情報を表示装置７４に表示させ、入力装置７２からの指示情報に基づいて撮像条件を設定し、設定した撮像条件をシーケンスコントローラ５８に入力する。また、システム制御部６１は、撮像後には、生成された表示用画像データが示す画像を表示装置７４に表示させる。

入力装置７２は、撮像条件や画像処理条件を設定する機能をユーザに提供する。
画像再構成部６２は、位相エンコードステップ数及び周波数エンコードステップ数に応じて、ＲＦ受信器５０から入力されるＭＲ信号の生データをｋ空間データとして配置及び保存する。ｋ空間とは、周波数空間の意味である。

画像再構成部６２は、ｋ空間データに２次元又は３次元のフーリエ変換を含む画像再構成処理を施すことで、被検体Ｐの画像データを生成する。画像再構成部６２は、生成した画像データを画像データベース６３に保存する。

画像処理部６４は、画像データベース６３から画像データを取り込み、これに所定の画像処理を施し、画像処理後の画像データを表示用画像データとして記憶装置７６に保存する。

記憶装置７６は、上記の表示用画像データに対し、その表示用画像データの生成に用いた撮像条件や被検体Ｐの情報（患者情報）等を付帯情報として付属させて記憶する。

安全基準判定部６５は、システム制御部６１が本スキャンのパルスシーケンスの全条件を設定する都度、当該パルスシーケンスが安全基準を満たすか否かを判定する。具体的には、安全基準判定部６５は、当該パルスシーケンスの磁場時間変化率（以下、ｄＢ／ｄｔ値という）及びＳＡＲを算出する。

なお、上記ＳＡＲは、生体組織１ｋｇに吸収されるＲＦパルスのエネルギーとしての比吸収率(Specific Absorption Ratio)の意味である。例えば任意の１０秒間、６分間のＳＡＲがそれぞれ第１又は第２の上限値を超えないように安全基準が定められており、全身、頭部等の部位によっても上限値は異なる。

通知部６６は、本スキャンの撮像領域の設定後、アネファクトアーチファクトが発生する可能性がある旨を本スキャンの実行前に通知する。

なお、演算装置６０、入力装置７２、表示装置７４、記憶装置７６の４つを１つのコンピュータとして構成し、例えば制御室に設置してもよい。

また、上記説明では、ＭＲＩ装置１０の構成要素をガントリ３０、寝台装置２０、制御装置４０の３つに分類したが、これは一解釈例にすぎない。
例えば、天板移動機構２３は、制御装置４０の一部として捉えてもよい。

或いは、ＲＦ受信器５０は、ガントリ３０外ではなく、ガントリ３０内に配置されてもよい。この場合、例えばＲＦ受信器５０に相当する電子回路基盤がガントリ３０内に配設される。そして、ＲＦコイル装置等によって電磁波からアナログの電気信号に変換されたＭＲ信号は、当該電子回路基盤内のプリアンプで増幅され、デジタル信号としてガントリ３０外に出力され、画像再構成部６２に入力される。ガントリ３０外への出力に際しては、例えば光通信ケーブルを用いて光デジタル信号として送信すれば、外部ノイズの影響が軽減されるので望ましい。

図２は、ＭＲ信号を検出する装着型のＲＦコイル装置の一例として、腕用ＲＦコイル装置１００の構成の一例を示す平面模式図である。図２に示すように、腕用ＲＦコイル装置１００は、カバー部材１１０と、ケーブル１１２と、コネクタ１１４とを有する。

カバー部材１１０は、可撓性を有する材料によって折り曲げ等の変形が可能に形成されている。このように変形可能な材料としては、例えば特開２００７−２２９００４号公報に記載の可撓性を有する回路基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）などを用いることができる。

カバー部材１１０内には、被検体Ｐの肩から手先まで対応した例えば８個の要素コイル１２０が配設されている。また、腕用ＲＦコイル装置１００は、制御回路（図示せず）と、腕用ＲＦコイル装置１００の識別情報を記憶した記憶素子（図示せず）とをカバー部材１１０内に有する。

コネクタ１１４が天板２２上の接続ポート２５に接続された場合、腕用ＲＦコイル装置１００の識別情報は、この制御回路からＭＲＩ装置１０内の配線を介してシステム制御部６１に入力される。

＜本実施形態の原理＞
以下、本実施形態の原理を説明するが、その説明に先立って、本実施形態のパルスシーケンス修正アルゴリズムが適用されるＳＥ(Spin Echo: スピンエコー)法及びＦＳＥ(Fast Spin Echo)法のパルスシーケンスについて簡単に説明する。

図３は、ＳＥ法のパルスシーケンスの一例を示す模式的タイミング図である。
図３において、各横軸は経過時間ｔに対応し、上段のＲＦはＲＦパルス、その下のＧｓｓはスライス選択方向傾斜磁場をそれぞれ示す（後述の図４〜図６も同様）。

また、Ｇｓｓの下のＧｐｅは位相エンコード方向傾斜磁場、その下のＧｒｏは読み出し方向（周波数エンコード方向）傾斜磁場、最下段のＳＩＧＮＡＬは発生するＭＲ信号をそれぞれ示す。

図３の縦の２本の破線の間は、位相エンコードステップ１つ分のＭＲ信号の収集（１サイクル）である。各サイクルの始めには、例えば、脂肪抑制プレパルスなどのプレパルスが送信される。

次に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの印加と同時に、フリップ角が例えば９０°の励起ＲＦパルスが撮像領域に送信される。但し、前述のプレパルスは必須ではなく、その場合にはスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの印加と励起ＲＦパルスの送信が始めに実行される。

次に、位相エンコード方向傾斜磁場パルスが印加された後、読み出し方向傾斜磁場パルスが印加される。
次に、励起ＲＦパルスの送信タイミングから、エコー時間ＴＥの半分が経過するタイミングにおいて、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加と同時に、フリップ角が１８０°の再収束ＲＦパルスが撮像領域に送信される。

この後、励起ＲＦパルスの送信タイミングから、エコー時間ＴＥが経過するタイミングにおいて、読み出し方向傾斜磁場パルスの印加の下でＭＲ信号が検出される。

ここまでが位相エンコードステップ１つ分のＭＲ信号の収集（１サイクル）である。この１サイクルが位相エンコードステップの数と同数だけ繰り返されることで、１画像分のＭＲ信号が収集される。

図４は、ＦＳＥ法のパルスシーケンスの一例を図３と同様の表記で示す模式的タイミング図である。ここでは一例として、位相エンコードステップ数及び周波数エンコードステップ数が共に２５６であり、位相エンコードステップ４つ分のＭＲ信号が収集される１セットが６４回繰り返されることで、１画像分のＭＲ信号が収集されるものとする。

この場合、各セットの始めには、例えば脂肪抑制プレパルスなどのプレパルスが送信される。
次に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの印加と同時に、フリップ角が例えば９０°の励起ＲＦパルスが撮像領域に送信される。但し、プレパルスは必須ではなく、その場合にはスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの印加と励起ＲＦパルスの送信が始めに実行される。

次に、ＭＲ信号の検出時に印加される読み出し方向傾斜磁場パルスの半分の印加時間幅で、読み出し方向傾斜磁場パルスが印加される。
次に、励起ＲＦパルスの送信タイミングから、エコー時間ＴＥの半分が経過するタイミングにおいて、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加と同時に、フリップ角が１８０°の再収束ＲＦパルスが撮像領域に送信される。

次に、位相エンコード方向傾斜磁場パルスが印加される。
次に、読み出し方向傾斜磁場パルスの印加の下で、ＭＲ信号が検出される。

そして、各サイクルの終わりには、各サイクルで先に印加された位相エンコード方向傾斜磁場パルスとは極性が反転された補償傾斜磁場が位相エンコード方向に印加される。

これにより、位相エンコード方向傾斜磁場の影響が、次のＭＲ信号の収集サイクルの前に消去される。
ここまでが位相エンコードステップ１つ分のＭＲ信号の収集である。

この後、プレパルス及び励起ＲＦパルスが印加されない点を除いて、同様の動作が３回繰り返され、さらに位相エンコードステップ３つ分のＭＲ信号が収集される。
ここまでが１セットのＭＲ信号の収集であり、プレパルス及び励起ＲＦパルスは、各セットの始めのみ印加される。

図５は、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅が異なる場合に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を上げることで両者の振幅を揃える方法の一例を示す模式的タイミング図である。
図５の上段は波形の変形前を示し、図５の下段は波形の変形後を示す。

後述の図７でより詳細に説明するが、オフセンターでの撮像では、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を等しくすることが望ましい。オフセンターでは、傾斜磁場の線形性が劣化するところ、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えることで両者の非線形性な傾斜磁場強度分布を互いに近づける方が、画質が劣化しにくいからである。

そこで、本実施形態では、撮像領域の少なくとも一部がＤＳＶ外となる場合、再収束ＲＦパルス及びこれと同時に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの波形を変形することで、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える。

なお、両者の振幅を揃えるためには、励起ＲＦパルス及びこれと同時に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの波形を変形することも考えられる。しかし、原則的には、再収束ＲＦパルス及びこれと同時に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの波形を変形する方が望ましい。

より詳細には、最初の励起ＲＦパルスにより、ケミカルシフトなどの諸特性が決まってくるので、パルスシーケンスは、最初の励起ＲＦパルスを基準に設定されている場合が多い。従って、最初の励起ＲＦパルスの波形を変更すると、パルスシーケンスそのものを全て再設定することになり、煩雑となるからである。

但し、再収束ＲＦパルス及びスライス選択向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの条件を変えずに、励起ＲＦパルス及びスライス選択向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの波形を変えることで、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える場合も、本実施形態の技術思想の範囲内である。

図５は、ＳＥ法やＦＳＥ法において、励起ＲＦパルスと同時に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅の方が、再収束ＲＦパルスと同時に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅よりも高い場合である。

この場合、システム制御部６１は、傾斜磁場強度の絶対値の時間積分値が変わらないように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅をスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅まで上げる。傾斜磁場強度の絶対値の時間積分値が変わらないようにすることは、図５の上段と下段とで、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの各斜線領域の面積が等しいことを意味する。

傾斜磁場強度の時間積分値が変わらないように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を上げると、その印加時間幅は短くなる。従って、システム制御部６１は、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時間幅に適合するように、これと同時に送信される再収束ＲＦパルスの送信時間幅は短くする。

但し、再収束ＲＦパルスの変形も、パルス強度の絶対値の時間積分値が変わらないように実行される。従って、再収束ＲＦパルスは、印加時間幅が短くなる分、振幅が大きくなる。なお、以下の説明で「傾斜磁場の強度」、「パルス強度」と言う場合には、「傾斜磁場の強度の絶対値」、「パルス強度の絶対値」を指し、強度は全てプラスの値で考えるものとする。

図５のように、再収束ＲＦパルスと同時のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を上げる場合、その印加時間幅が短くなるので、エコー時間ＴＥは波形の変形前後で変わらない。

しかし、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅が上がることで、その立ち上がり傾き(Rising Gradient)及び立ち下がりの勾配(Falling Gradient)が大きくなるので、ｄＢ／ｄｔ値は大きくなる。また、再収束ＲＦパルスの振幅が大きくなるので、ＳＡＲは大きくなる。

従って、波形の変形後において、ＳＡＲ，ｄＢ／ｄｔ値の２つの観点から安全基準を満たさなくなる可能性がある。その場合には、安全基準を満たすようにパルスシーケンスが再設定される（後述の図１０のステップＳ９〜Ｓ１１、図１１のステップＳ２９、Ｓ３０参照）

図６は、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅が異なる場合に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を下げることで両者の振幅を揃える方法の一例を示す模式的タイミング図である。
図６の上段は波形の変形前を示し、図６の下段は波形の変形後を示す。

図６は、ＳＥ法やＦＳＥ法において、励起ＲＦパルスと同時に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅の方が、再収束ＲＦパルスと同時に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅よりも低い場合である。

この場合、傾斜磁場強度の時間積分値が変わらないように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅をスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅まで下げる処理が考えられる。これにより、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時間幅は長くなる。

その場合、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時間幅に適合するように、これと同時に送信される再収束ＲＦパルスの送信時間幅は長くされる。再収束ＲＦパルスの変形も、パルス強度の時間積分値が変わらないように実行されるので、印加時間幅が長くなる分、振幅が小さくなる。

図６のように、再収束ＲＦパルスと同時のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を下げる場合、その立ち上がり及び立ち下がりの勾配が緩やかになるので、ｄＢ／ｄｔ値が小さくなる。また、再収束ＲＦパルスの振幅が小さくなるのでＳＡＲが小さくなる。従って、波形の変形後において、ＳＡＲ及びｄＢ／ｄｔ値の２つの観点から安全基準を満たさなくなるおそれはない。

しかし、再収束ＲＦパルス及びスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時間幅が長くなる分だけ（図６の例では２α）、波形の変形後のエコー時間は、図６に示すように長くなる。

これは、励起ＲＦパルスの振幅がピークのタイミングと、再収束ＲＦパルスの振幅がピークのタイミングとの間隔がエコー時間の半分に該当するところ、励起ＲＦパルスの送信終了後、再収束ＲＦパルスの送信開始前の時間幅（図中のTune Time）は、原則的には固定されるからである。また、波形の変形後にエコー時間が長くなることは、原則的には望ましくない。所望のコントラストが変わる事や、パルスシーケンスの実行に要する時間が長くなる等の問題が生じるからである。

従って、本実施形態では一例として、先に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅の方が、その後のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅よりも低い場合、システム制御部６１は、図６のような波形変形を実行せずに、励起ＲＦパルスの振幅を上げる。

即ち、励起ＲＦパルスの強度の時間積分値が変わらないように、印加時間幅を短くする。具体的には例えば、システム制御部６１は、振幅がピーク時の時刻を基準に非対称な波形のＲＦパルスなどを使うことができる。この場合、基準となる励起ＲＦパルスの条件が変わるので、システム制御部６１は、本スキャンのパルスシーケンス全体を再設定することになる。

図７は、Ｚ軸方向をスライス選択方向と仮定した場合に、図５のようにスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える効果を概念的に示す模式図である。

図７の上段は、ガントリ３０における磁場中心ＭＦＣ及びＤＳＶの位置を示す模式図である。図７の中段は、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅が異なる場合の磁場強度分布の一例である。図７の下段は、本実施形態のようにスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える場合の磁場強度分布の一例である。

図７の上段に示すように、ガントリ３０内（静磁場磁石３１内）において、磁場中心ＭＦＣは、幾何学的中心に位置する。即ち、Ｚ軸方向のガントリ長をＧＬとすれば、ガントリ３０内の円筒状のボアの軸上において、ガントリの３０の入口側からも奥側からもＧＬ／２の位置に磁場中心ＭＦＣが位置する。そして、磁場中心ＭＦＣを中心とする所定半径の球状の領域がＤＳＶとなる。

図７の中段及び下段では、縦軸は磁場強度をそれぞれ示し、横軸はＺ軸方向の位置をそれぞれ示し、図７の上段から下段まで縦に引かれた２本の破線の間は、ＤＳＶの領域の磁場強度分布をそれぞれ示す。
図７の中段及び下段に示すように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えるか否かに拘らず、ＤＳＶ内では傾斜磁場印加時の磁場強度分布の線形性がほぼ確保される。

ここでは一例として、図７の中段は、図５の上段のように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの方がスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒよりも振幅が大きい場合を示し、ＤＳＶ内においてスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの方が直線の傾きが急峻となる。
しかし、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えるか否かに拘らず、オフセンターでは、傾斜磁場印加時の磁場強度分布は非線形となる。

ここで、図７の中段のように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅が異なる場合、ＤＳＶ外の領域の磁場強度分布は、両パルスの各印加時で互いに異なる非線形性を示す。

より詳細には、例えばＤＳＶ内の撮像では、励起ＲＦパルスも再収束ＲＦパルスも、中心周波数が例えば磁場中心のラーモア周波数になるように、プレスキャン後に共通に設定される。このラーモア周波数は磁場強度に比例するので、Ｚ軸方向に直線変化する傾斜磁場を静磁場に重畳印加すると、Ｚ軸方向に沿ってラーモア周波数が直線変化する。

図７の中段の磁場強度Ｌａｈは、ＲＦパルスの中心周波数をラーモア周波数にする磁場強度を意味する。従って、磁場強度Ｌａｈとなる位置は、撮像領域（スライス又はスラブ）の厚さ方向の中心に位置する。ここでは一例として、磁場強度Ｌａｈ−βから、磁場強度Ｌａｈ＋βの範囲がＲＦパルスにより励起（選択）されるものとする。

図７の中段のように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各印加時において、オフセンターの傾斜磁場分布が互いに異なる非線形性を示す場合、次の問題が生じる。

即ち、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの印加時に励起ＲＦパルスにより励起される領域（図７の中段の縦の２本の一点鎖線間の領域）と、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時に再収束ＲＦパルスにより励起される領域（図７の中段の縦の２本の破線間の領域）とが、傾斜磁場の線形性の良くない領域では磁場モーメント上の不整合を生じる。この磁場モーメントズレが、オフセンターでの画質劣化の主な要因となる。

これに対し本実施形態では、図７の下段のように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えるので、オフセンターの磁場強度分布は、両パルスの各印加時でほぼ同じ非線形性を示す。従って、励起ＲＦパルスの送信時と、再収束ＲＦパルスの送信時とで、励起される領域はほぼ同じとなるので、上記の画質劣化の問題が生じにくくなる。

図８は、撮像領域との位置関係でアネファクトアーチファクトの要因の一例を示すガントリ３０内の平面模式図である。図８は、腕用ＲＦコイル装置１００の装着により、被検体Ｐの右手が撮像領域（平面的にはＦＯＶ：Field Of View）として選択されている例を示す。

図９は、アネファクトアーチファクトの発生の可能性がある場合に、通知部６６及び表示装置７４によって実行される警告表示の一例を示す模式図である。
以下、図８及び図９を参照しながら、アネファクトアーチファクトに対する本実施形態の対処方法について説明する。

アネファクトアーチファクトは、撮像領域と磁場中心との位置関係、要素コイルの配置などの諸条件に依存して、撮像領域外において磁気共鳴した物体からのＭＲ信号が画像に混入するものである。

より詳細には、スライス選択方向傾斜磁場の強度は、スライス選択方向に沿って直線的に上昇し、スライス選択方向では同じ磁場強度の領域が存在しないのが理想である。しかし、オフセンターでは前述のように磁場強度分布が非線形となる。そうすると、スライス選択方向に磁場中心から位置Ｓｓ１までは非線形ながらも磁場強度が上昇しても、位置Ｓｓ１よりもさらに磁場中心から離れるほど、磁場強度が下がる。

従って、例えばＺ軸方向がスライス選択方向の場合、ガントリ３０の端などの磁場中心から相当離れた位置Ｓｓ２において、撮像領域と同じ磁場強度との領域が存在しうる。オフされていない要素コイルが当該位置Ｓｓ２に存在すると、それがラーモア周波数で共鳴してＭＲ信号を発生し、このＭＲ信号がアネファクトアーチファクトとして画像に混入しうる。

ここで、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えずにオフセンターを撮像する場合のアネファクトアーチファクトを考える。この場合、前述のように、励起ＲＦパルスの送信時と再収束ＲＦパルスの送信時とで、オフセンターの傾斜磁場分布が互いに異なるので、励起ＲＦパルスで励起される領域と、再収束ＲＦパルスで励起される領域とがずれる結果、アネファクトアーチファクトも劣化する。

しかし、本実施形態のように、オフセンターの撮像においてスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える場合、励起ＲＦパルスの送信時と再収束ＲＦパルスの送信時とで、オフセンターの傾斜磁場分布がほぼ同じになる。そうすると、励起ＲＦパルスで励起される領域と、再収束ＲＦパルスで励起される領域とがずれないので、アネファクトアーチファクトも劣化することなく、大きく表れてしまう。

対処方法としては、撮像領域からのＭＲ信号の検出に不要な要素コイル１２０をオフにすれば、オフにされた要素コイル１２０は、ＭＲ信号の検出時に共振することはなく、アネファクトアーチファクトの要因とはならない。ここでの「オフにする」とは、例えば、要素コイル１２０の電流経路のループを遮断することで、ＭＲ信号を検出する機能をオフにすることである。

図８のケースでは、例えば、ＦＯＶ外の破線で示す６つの要素コイル１２０をオフにし、ＦＯＶ内の要素コイル１２０のみでＭＲ信号を検出することで、アネファクトアーチファクトを回避できる。

本スキャンとして設定された多数の撮像領域の中に、ＤＳＶ外の領域が含まれると共に当該撮像領域外の要素コイルが選択されているスライス又はスラブが存在する場合、通知部６６は、例えば図９のような警告表示（通知）を実行する。本実施形態では、ＤＳＶ外の領域を含むスライス又はスラブの撮像では、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えるので、前述のようにアネファクトアーチファクトが大きく表れやすいからである。

警告表示は、例えば表示装置７４にその旨を文字情報的に表示するなどの手法で行われる。図９の例では、手の撮像においてＦＯＶがＤＳＶ外の領域を含むので、ＦＯＶ外の要素コイルのＭＲ信号の検出機能をオフする旨が表示される。

＜本実施形態の動作説明＞
例えば脊椎用ＲＦコイル装置を用いた検査の場合、天板２２をずらしながら、頭部、胸部、腹部の各位置決め画像を順次撮像し、頭部、胸部、腹部の各撮像領域（平面的にはＦＯＶ）を先に決定してもよい。

この場合、頭部、胸部、腹部の各撮像領域の決定後、ＳＡＲ及びｄＢ／ｄｔ値の安全基準が満たされるように、全本スキャンのパルスシーケンスが上記本実施形態のアルゴリズムで決定される。その後、頭部撮像用の位置に天板を戻してから、頭部の本スキャン、胸部の本スキャン、腹部の本スキャンが順次実行される。

上記のように、位置決め画像の撮像及び撮像領域の決定を本スキャン前に一括して実行する順序でもよいが、頭部、胸部、腹部の撮像領域毎に、位置決め画像の撮像から本スキャンの実行までの一連の撮像動作を実行してもよい。

即ち、ＭＲＩ装置１０は、頭部の位置決め画像を撮像して頭部の撮像領域を決定してから、ＳＡＲ等の安全基準を満たすように頭部の本スキャンのパルスシーケンスを本実施形態のアルゴリズムで決定後、頭部の本スキャンを実行する。次に、ＭＲＩ装置１０は、胸部について位置決め画像の撮像から本スキャンまでの一連の動作を実行後、腹部について位置決め画像の撮像から本スキャンまでの一連の動作を実行する。

脊椎用ＲＦコイル装置を用いたほぼ体軸上の撮像の場合、前述のように、天板２２の移動によってＤＳＶ内に撮像領域を収め易い。その場合、励起ＲＦパルスの送信時と、再収束ＲＦパルスの送信時とでスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える上記アルゴリズムを適用しなくとも良好な画質が得られるので、上記アルゴリズムを適用する必要はない。

そこで、以下の図１０及び図１１のフローチャートでは一例として、片腕の検査の場合について説明する。この場合、例えば手が体軸から離れ、Ｘ軸方向にＤＳＶ外となり易いので、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える本実施形態のアルゴリズムが適用される可能性が高い。

なお、全スライス又はスラブの内、一部のスライス又はスラブのみがＤＳＶ外となる領域を含む場合、本実施形態では、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えるシーケンス変更を全スライス共通に実行する。この方が望ましい理由は、以下の通りである。

即ち、スライス１枚だけスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えると、他のスライスのＭＲ信号の収集時とは、渦電流による磁場の発生の仕方が異なる。そうすると、例えば渦電流による磁場を補償する補正がスライス１枚だけ異なり、画質が他のスライスと揃わないといった問題が生じるからである。

但し、本実施形態は、上記態様に限定されるものではない。全スライス又はスラブの内、一部のスライス（スラブ）の少なくとも一部がＤＳＶ外となる場合、ＤＳＶ外の領域を含むスライス（スラブ）に対してのみ、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃え、ＤＳＶ内のスライス（スラブ）のＭＲ信号の収集では両パルスの各振幅を揃えなくてもよい。

図１０は、ＳＥ法のパルスシーケンスを設定する場合のＭＲＩ装置１０の処理の流れの一例を示すフローチャートである。
以下、前述した各図を適宜参照しながら、図１０に示すステップ番号に従って、ＳＥ法を実行する場合のＭＲＩ装置１０の動作を説明する。

［ステップＳ１］システム制御部６１（図１参照）は、入力装置７２を介してＭＲＩ装置１０に対して入力された撮像条件を取得し、取得した撮像条件に基づいて、本スキャンの撮像条件（片腕に対するＳＥ法のパルスシーケンスの条件を含む）の一部を設定する。また、プレスキャンなどによってＲＦパルスの中心周波数等が設定される。この後、ステップＳ２に進む。

［ステップＳ２］ＭＲＩ装置１０は、位置決め画像を撮像する。具体的には、天板２２に被検体Ｐが載置され、静磁場電源４２により励磁された静磁場磁石３１によって撮像空間に静磁場が形成される。また、シムコイル電源４４からシムコイルユニット３２に電流が供給されて、撮像空間に形成された静磁場が均一化される。

そして、入力装置７２からシステム制御部６１に撮像開始指示が入力されると、システム制御部６１は、パルスシーケンスを含む撮像条件をシーケンスコントローラ５８に入力する。シーケンスコントローラ５８は、入力されたパルスシーケンスに従って傾斜磁場電源４６、ＲＦ送信器４８及びＲＦ受信器５０を駆動させることで、被検体Ｐの撮像部位が含まれる撮像領域に傾斜磁場を形成させると共に、ＲＦコイルユニット３４からＲＦパルスを発生させる。

このため、被検体Ｐ内の核磁気共鳴により生じたＭＲ信号が腕用ＲＦコイル装置１００（図２参照）により検出されて、ＲＦ受信器５０に入力される。ＲＦ受信器５０は、ＭＲ信号に前述の処理を施すことでＭＲ信号の生データを生成し、これら生データを画像再構成部６２に入力する。

画像再構成部６２は、ＭＲ信号の生データをｋ空間データとして配置及び保存する。
画像再構成部６２は、ｋ空間データにフーリエ変換を含む画像再構成処理を施すことで画像データを再構成し、得られた画像データを画像データベース６３に保存する。

画像処理部６４は、画像データベース６３から画像データを取り込み、これに所定の画像処理を施すことで、位置決め画像の表示用画像データを生成し、この表示用画像データを記憶装置７６に保存する。システム制御部６１は、表示用画像データが示す位置決め画像を表示装置７４に表示させる。

この後、表示装置７４に表示される位置決め画像を参照しながら、ユーザにより本スキャンの撮像領域（平面的にはＦＯＶ）が決定される。
本スキャンの撮像領域が決定された後、ステップＳ３に進む。なお、ここでは説明の簡単化のため、ステップＳ２で決定された本スキャンの撮像領域は、以降のステップにおいて変更されないものとする。

［ステップＳ３］システム制御部６１は、ステップＳ２で決定された本スキャンの撮像領域に基づいて、ＳＡＲやｄＢ／ｄｔ値などの安全基準を満たすように、ＳＥ法のパルスシーケンスの全条件を暫定的に設定する。

なお、システム制御部６１は、決定された本スキャンの全撮像領域がＤＳＶ内であるか否かを判定後、判定結果が肯定的である場合には以下のようにパルスシーケンスを設定してもよい。

具体的には、ＤＳＶ内の撮像なら、再収束ＲＦパルスの送信時のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅と、励起ＲＦパルスの送信時のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅とが離れていても、十分良好な画質が得られる。さらに、両パルスの振幅が離れている方が、アネファクトアーチファクトが生じにくい。

従って、システム制御部６１は、ＤＳＶ内の撮像でもアネファクトアーチファクトが出易いと推定される場合、励起ＲＦパルスの振幅と、再収束ＲＦパルスの振幅との差を意図的に大きくすることで、アネファクトアーチファクトを防止する。

ＤＳＶ内であって、アネファクトアーチファクトが出易いと推定される場合としては、以下のような状況が考えられる。
例えば被検体Ｐの全身にＲＦコイル装置を装着し、天板２２を移動しながら、被検体Ｐの体軸上の領域（両腕を含まない）を頭部から足まで順次撮像する場合を考える。この場合、全要素コイルがオン状態に設定されていると、例えば腹部や胸部の撮像において、足の近辺のＭＲ信号がアネファクトアーチファクトとして混入しうる。

なお、全撮像領域がＤＳＶ内の場合に上記のようにアネファクトアーチファクトを回避するシーケンス設定方法は、あくまでオプションであり、必須ではない。
この後、ステップＳ４に進む。

［ステップＳ４］システム制御部６１は、ステップＳ３までに決定された本スキャンの撮像領域の中に、ＤＳＶ外の領域を含むスライス又はスラブがあるか否かを判定する。
ＤＳＶ外の領域を含むスライス又はスラブが存在する場合、ステップＳ５に進む。

ＤＳＶ外の領域を含むスライス又はスラブがない場合、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えなくとも良好な画質が得られるので、ステップＳ１３に進む。

［ステップＳ５］システム制御部６１は、再収束ＲＦパルスの送信時のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を励起ＲＦパルスの送信時のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅に等しくしても、変更前後でエコー時間を維持できるか否かを判定する。

即ち、図５のように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅の方が、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅よりも低い場合、変更前後においてエコー時間を等しくできるので、ステップＳ８に進む。

一方、図６のように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅の方が、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅よりも高い場合、ステップＳ６に進む。この場合、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅をスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅまで下げると、エコー時間が長くなってしまうからである。

なお、ステップＳ３で設定されたパルスシーケンスの条件において、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅が既に同じになっている場合、ステップＳ８に進み、ステップＳ８ではパルスシーケンスの実質的な変更が実行されずに、ステップＳ９に進むものとする。

［ステップＳ６］システム制御部６１は、励起ＲＦパルスの強度の時間積分値が変わらないように、励起ＲＦパルスの送信時間幅を短くすると共に振幅を上げることで、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える。

この場合、システム制御部６１は例えば、強度がピーク時の時刻を基準に非対称の波形のＲＦパルスなどを使うことで、強度の時間積分値を維持しつつ、振幅を上げることができる。
この後、ステップＳ７に進む。

［ステップＳ７］システム制御部６１は、ステップＳ６で変更した励起ＲＦパルスの条件と、ステップＳ２で決定された撮像領域とに基づいて、本スキャンのＳＥ法のパルスシーケンス全体を再設定する。
この後、ステップＳ９に進む。

［ステップＳ８］システム制御部６１は、傾斜磁場強度の時間積分値が変わらないように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅をスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅まで上げる。これにより、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時間幅は短くなる（図５参照）。

従って、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時間幅に適合するように、これと同時に送信される再収束ＲＦパルスの送信時間幅は短くされる。このとき、パルス強度の時間積分値が変わらないよう、システム制御部６１は、再収束ＲＦパルスの振幅を上げる。

システム制御部６１は、以上のようにパルスシーケンスにおける再収束ＲＦパルス及びスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの条件のみを変更後、ステップＳ９に進む。

［ステップＳ９］安全基準判定部６５は、ステップＳ８又はステップＳ７で変更後の本スキャンのパルスシーケンスの条件に基づいてＳＡＲ推定値を算出することで、変更後の本スキャンのパルスシーケンスがＳＡＲの安全基準を満たすか否かを判定する。

同様に、安全基準判定部６５は、変更後の本スキャンのパルスシーケンスの条件に基づいてｄＢ／ｄｔ値の推定値を算出することで、変更後の本スキャンのパルスシーケンスがｄＢ／ｄｔ値の安全基準を満たすか否かを判定する。

変更後の本スキャンのパルスシーケンスがＳＡＲ及びｄＢ／ｄｔ値の双方において安全基準を満たす場合、ステップＳ１２に進む。
それ以外の場合、安全基準を満たすようにパルスシーケンスの条件を変更するため、ステップＳ１０に進む。

［ステップＳ１０］システム制御部６１は、励起ＲＦパルスの強度の時間積分値が変わらないように励起ＲＦパルスの送信時間幅を長くし、その振幅を下げる事で、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える。
この後、ステップＳ１１に進む。

［ステップＳ１１］システム制御部６１は、ステップＳ１０で変更した励起ＲＦパルスの条件と、ステップＳ２で決定された撮像領域とに基づいて、本スキャンのＳＥ法のパルスシーケンス全体を再設定する。

この再設定に際して、システム制御部６１は、特にオフセンターのスライス又はスラブに対するＭＲ信号の収集において撮像領域から離れた要素コイル１２０をオフにすることで、アネファクトアーチファクトを抑制する（図８及び図９参照）。

具体的には、システム制御部６１は、当該撮像領域から離れた要素コイル１２０によるＭＲ信号の検出機能をオフさせる制御信号を、シーケンスコントローラ５８から接続ポート２５経由で腕用ＲＦコイル装置に入力させる。
この後、ステップＳ５に戻る。

［ステップＳ１２］ステップＳ６又はステップＳ８においてスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒ，Ｇｓｓｅの各振幅を揃える変更処理が実行され、ステップＳ９において安全基準を満たすと判定された場合のみ、このステップＳ１２に到達する。

換言すれば、このステップＳ１２に到達する場合、撮像領域にＤＳＶ外の領域が含まれ、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える補正も実行されているので、アネファクトアーチファクトが発生し易い。従って、ステップＳ１１において、オフセンターのスライス又はスラブに対しては、撮像領域から離れた要素コイル１２０がオフにされている。

このため、通知部６６は、図９で述べたように、警告表示を実行する。即ち、通知部６６は、アネファクトアーチファクトが発生し易いので、ＤＳＶ外の領域が含まれるスライス又はスラブに対して、その要因となりうる要素コイルをオフにした旨を表示装置７４に表示させる。

そして、システム制御部６１は、現在暫定的に設定されている条件（ステップＳ８で変更された最新の条件）で、本スキャンのパルスシーケンスの条件を決定（確定）する。
この後、ステップＳ１４に進む。

［ステップＳ１３］撮像領域にＤＳＶ外の領域が含まれない場合のみ、このステップＳ１３に到達する。この場合、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える補正をしなくとも良好な画質が得られる。従って、システム制御部６１は、ステップＳ３で設定された条件で、本スキャンのパルスシーケンスを決定（確定）する。
この後、ステップＳ１４に進む。

［ステップＳ１４］決定された本スキャンのパルスシーケンスの条件に従って、撮像領域からのＭＲ信号の収集が実行される。ＭＲ信号の収集動作は、位置決め画像の場合と同様である。この後、位置決め画像の場合と同様に、本スキャンで収集されたＭＲ信号に基づいて画像再構成処理が実行されて本スキャンの画像データが生成され、かかる画像データに基づいて本スキャンの画像が表示装置７４に表示される。
以上がＳＥ法の場合のフローの一例の説明である。

図１１は、ＦＳＥ法のパルスシーケンスを設定する場合のＭＲＩ装置１０の処理の流れの一例を示すフローチャートである。
以下、前述した各図を適宜参照しながら、図１１に示すステップ番号に従って、ＦＳＥ法を実行する場合のＭＲＩ装置１０の動作を説明する。

［ステップＳ２１〜Ｓ２４］パルスシーケンスの条件としてＦＳＥ法の条件が入力される点を除き、図１０のステップＳ１〜Ｓ４の処理と同様である。この後、ステップＳ２５に進む。

［ステップＳ２５］システム制御部６１は、再収束ＲＦパルスの送信時のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅を励起ＲＦパルスの送信時のスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅に等しくしても、エコートレイン間隔を維持できるか否かを判定する。

なお、ＦＳＥ法のエコートレイン間隔は、例えば、図４の１セットのＭＲ信号の収集内において、再収束ＲＦパルスの強度がピークのタイミングと、次の再収束ＲＦパルスの強度がピークのタイミングとの時間間隔である。

図５のように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅の方が、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅よりも低い場合、変更前後でエコー時間を等しくできるので、変更前後でエコートレイン間隔も等しくできる（図４のＦＳＥ法のパルスシーケンス参照）。この場合、ステップＳ２８に進む。

一方、図６のように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅の方が、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅よりも高い場合、変更後にエコー時間が長くなるので、変更後にエコートレイン間隔も長くなってしまう。この場合、ステップＳ２６に進む。

なお、ステップＳ２３で設定されたパルスシーケンスの条件において、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅が既に同じになっている場合、ステップＳ２８に進み、ステップＳ２８ではパルスシーケンスの変更が実行されずに、ステップＳ２９に進むものとする。

［ステップＳ２６］システム制御部６１は、前述同様に、励起ＲＦパルスの強度の時間積分値が変わらないように、励起ＲＦパルスの送信時間幅を短くすることで、その振幅を少しだけ上げる。この後、ステップＳ２７に進む。

［ステップＳ２７］システム制御部６１は、ステップＳ２６で変更した励起ＲＦパルスの条件と、ステップＳ２２で決定された撮像領域とに基づいて、本スキャンのＦＳＥ法のパルスシーケンス全体を再設定する。

ここでは一例として、システム制御部６１は、エコートレイン間隔を変えずにパルスシーケンスを再設定する。ここで、再収束ＲＦパルスと、次の再収束ＲＦパルスとの間に挿入される位相エンコード傾斜磁場パルス、及び、これとは極性が反転された位相エンコード方向の補償傾斜磁場パルスの各印加時間幅は、ほぼ決まっている。

このため、再収束ＲＦパルスの送信終了後、次の再収束ＲＦパルスの送信開始までの時間間隔から、上記２つの位相エンコード方向の傾斜磁場パルスの印加時間を差し引くと、残りがＭＲ信号を検出可能な時間幅となる。

従って、エコートレイン間隔により、サンプリング時間の上限値（ＭＲ信号検出時の読み出し方向傾斜磁場パルスの印加時間幅の上限値）と、再収束ＲＦパルスの送信時間幅の上限値との組み合わせのパターン（トレードオフ条件）が決まる。サンプリング時間の上限値と、再収束ＲＦパルスの送信時間幅の上限値とは、トレードオフの関係となるからである。即ち、サンプリング時間を長くすると、再収束ＲＦパルスの送信時間幅及びスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時間幅は短くなる。

システム制御部６１は、エコートレイン間隔により決まるサンプリング時間の上限値と、再収束ＲＦパルスの送信時間幅の上限値とのトレードオフ条件を満たすように、パルスシーケンスを再設定する。
この後、ステップＳ２５に戻る。

［ステップＳ２８］システム制御部６１は、傾斜磁場強度の時間積分値が変わらないように、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの振幅をスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの振幅まで上げる。システム制御部６１は、これにより短くなるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時間幅に適合するように、同時に送信される再収束ＲＦパルスの送信時間幅を短くする。このとき、システム制御部６１は、パルス強度の時間積分値が変わらないよう、再収束ＲＦパルスの振幅を増加する。

システム制御部６１は、以上のようにパルスシーケンスにおける再収束ＲＦパルス及びスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの条件のみを変更してから、ステップＳ２９に進む。

［ステップＳ２９］安全基準判定部６５は、ステップＳ２８で変更後の本スキャンのパルスシーケンスが、ＳＡＲ，ｄＢ／ｄｔ値の安全基準を全て満たすか否かを図１０のステップＳ９と同様に判定する。

変更後の本スキャンのパルスシーケンスがＳＡＲ及びｄＢ／ｄｔ値の双方において安全基準を満たす場合、ステップＳ３１に進み、それ以外の場合、ステップＳ３０に進む。

［ステップＳ３０］システム制御部６１は、まず、以下の第１変更処理、第２変更処理いずれか１つを実行する。

第１変更処理では、図１０のステップＳ１０と同様に、励起ＲＦパルスの強度の時間積分値が変わらないように励起ＲＦパルスの送信時間幅を長くすることで、その振幅を少しだけ下げる。

ここでは一例として、ステップＳ２９の判定において、ｄＢ／ｄｔ値が安全基準を満たさない場合、第１変更処理が選択されるものとする。励起ＲＦパルスの送信時間幅を長くすれば、同時に印加されるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの印加時間幅が長くなる分、その立ち上がり及び立ち下がりの勾配が緩やかになり、ｄＢ／ｄｔ値が下がるからである。

第２変更処理は、エコートレイン間隔を長くする処理である。ここでは一例として、ｄＢ／ｄｔ値が安全基準を満たす一方でＳＡＲが安全基準を満たさず、且つ、パルスシーケンス全体の実行時間を延長可能な場合のみ、第２変更処理が選択されうるものとする。ＦＳＥ法では、エコートレイン間隔を延ばすことでＳＡＲが下がるからである。

次に、システム制御部６１は、第１又は第２変更処理で変更された励起ＲＦパルスの条件又はエコートレイン間隔と、ステップＳ２２で決定された撮像領域とに基づいて、本スキャンのＦＳＥ法のパルスシーケンス全体を再設定する。

この再設定に際して、システム制御部６１は、図１０のステップＳ１１と同様に、特にオフセンターのスライス又はスラブに対するＭＲ信号の収集において撮像領域から離れた要素コイル１２０をオフにすることで、アネファクトアーチファクトを抑制する（図８及び図９参照）。

また、この再設定に際して、システム制御部６１は、エコートレイン間隔によって決まるサンプリング時間の上限値と、再収束ＲＦパルスの送信時間幅の上限値との組み合わせのパターン（トレードオフ条件）を満たすように、パルスシーケンスを再設定する。
この後、ステップＳ２５に戻る。

［ステップＳ３１］ステップＳ３１に到達する場合、撮像領域にＤＳＶ外の領域が含まれ、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える補正が実行されているので、アネファクトアーチファクトが発生し易い。
このため、通知部６６は、図１０のステップＳ１２と同様に、警告表示を実行する。

また、システム制御部６１は、現在暫定的に設定されている条件（ステップＳ２９で変安全と判定された最新の条件）で、本スキャンのパルスシーケンスの条件を決定（確定）する。
この後、ステップＳ３３に進む。

［ステップＳ３２］ステップＳ３２に到達する場合、撮像領域にＤＳＶ外の領域が含まれないので、システム制御部６１は、ステップＳ２３で設定された条件で本スキャンのパルスシーケンスを決定（確定）する。この後、ステップＳ３３に進む。

［ステップＳ３３］決定された本スキャンのパルスシーケンスの条件に従って、前述のように本スキャンが実行された後、画像再構成処理及び本スキャンの画像表示が実行される。
以上が本実施形態のＭＲＩ装置１０の動作説明である。

＜本実施形態の効果＞
本実施形態は、撮像領域の少なくとも一部がＤＳＶ外となる場合に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えることで、両パルスの各印加時にオフセンターの磁場強度分布をほぼ同様にするという、極めて画期的な技術思想に基づく（図５、図７参照）。

このため、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅの印加時に励起ＲＦパルスで励起される領域と、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒの印加時に再収束ＲＦパルスで励起される領域とは、殆どずれない。従って、オフセンターの撮像において、スライス選択が良好に実行されるので、従来よりも画質を向上できる。

この結果、オフセンターの撮像後に画像品質が悪く、ユーザが手動で撮像条件を変更して撮像し直すといった時間のロスがなくなる。

ここで、励起ＲＦパルスで励起される領域と、再収束ＲＦパルスで励起される領域とがオフセンターにおいてあまりズレなくなる本実施形態の効果の反面、アネファクトアーチファクトが発生し易くなる。

そこで、本実施形態では、アネファクトアーチファクトが発生し易い場合には、図９のように警告表示が実行される。さらに、本実施形態では、ＦＯＶの外に位置すると共にアネファクトアーチファクトの要因となりうる要素コイル１２０をオフにするので、アネファクトアーチファクトを回避できる。

このように本実施形態では、ＭＲＩ装置１０により撮像条件が自動的に最適化されるので、アネファクトアーチファクトを抑制しつつ、オフセンターでも十分が画質が得られる。この結果、ユーザ自身が手動で最適な撮像条件を模索する必要はなくなり、ユーザの利便性が大いに向上する

以上説明した実施形態によれば、従来とは異なるＭＲＩの技術により、磁場中心から離れた撮像領域において画質を向上できる。

＜本実施形態の補足事項＞
以下、上記実施形態の変形例及び補足点を説明する。
［１］上記実施形態では、ＳＥ法及びＦＳＥ法において、励起ＲＦパルスの送信時と再収束ＲＦパルスの送信時とでスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える例を述べた。本発明の実施形態は、かかる態様に限定されるものではない。
上記のパルスシーケンス変更アルゴリズムは、スピンエコー系のシングルショットのＥＰＩ(Echo Planar Imaging)や、スピンエコー系のマルチショットＥＰＩなどのスピンエコー系の他のパルスシーケンスにも適用可能である。

［２］上記実施形態では、励起ＲＦパルスの送信時と再収束ＲＦパルスの送信時とで、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を完全に等しくする例を述べた。本発明の実施形態は、かかる態様に限定されるものではない。両パルスの振幅を完全に等しくしなくてもよい。

効果的に言及すれば、従来よりも画質が向上する程度に、オフセンターの撮像領域近辺において、励起ＲＦパルスの送信時のスライス選択方向傾斜磁場分布と、再収束ＲＦパルスの送信時のスライス選択方向傾斜磁場分布とを互いに近づければよい。即ち、従来よりも画質が向上する程度に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を互いに近づけるシーケンス変更を実行する場合も、本実施形態の技術思想の範囲内である。

［３］１つのスライス又は１つのスラブの少なくとも一部がＤＳＶ外となる場合に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える例を述べた。本発明の実施形態は、かかる態様に限定されるものではない。

一部がＤＳＶ外となるスライス又はスラブが存在しても、それが診断上問題とはならない領域であれば、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えることで画質を向上させなくてもよいからである。

従って、例えば、撮像領域としての多数のスライス又はスラブの内、全体がＤＳＶ外となるスライス又はスラブが１つでも含まれる場合に、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃えてもよい。

或いは、図１０のステップＳ４、図１１のＳ２４の各判定後、ＹＥＳとしてステップＳ５、ステップＳ２５に進む条件として、以下のように入力装置７２、表示装置７４、システム制御部６１を構成してもよい。

即ち、表示装置７４は、ＤＳＶ外の領域を含むスライス又はスラブの画像外縁を位置決め画像上に重畳表示する。この後、スライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅ，Ｇｓｓｒの各振幅を揃える処理をユーザが入力装置７２を介して選択した場合に、システム制御部６１はステップＳ５、ステップＳ２５に処理を進める。

以上説明した少なくとも一つの実施形態のＭＲＩ装置及びＭＲＩ方法によれば、磁場中心から離れた撮像領域において画質を向上させることができる。

［４］請求項の用語と実施形態との対応関係を説明する。なお、以下に示す対応関係は、参考のために示した一解釈であり、本発明を限定するものではない。
ガントリ３０内の各構成要素、及び、制御装置４０の全体（図１参照）が、傾斜磁場及びＲＦパルスの印加を伴った撮像により被検体ＰからＭＲ信号を収集する機能は、請求項記載の信号収集部の一例である。

パルスシーケンスの条件を設定するシステム制御部６１は、請求項記載の撮像条件設定部の一例である。
パルスシーケンスの条件の入力を受け付け、入力された条件をシステム制御部６１に伝達する入力装置７２は、請求項記載の入力部の一例である。

図５、図６におけるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｅは、請求項記載の第１傾斜磁場パルスの一例である。
図５、図６におけるスライス選択方向傾斜磁場パルスＧｓｓｒは、請求項記載の第２傾斜磁場パルスの一例である。
ＤＳＶは、請求項記載の磁場中心から所定の半径の領域の一例である。

［５］本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０：ＭＲＩ装置，
２０：寝台装置，２２：天板，３０：ガントリ，
３１：静磁場磁石，３２：シムコイルユニット，３３：傾斜磁場コイルユニット，
３４：ＲＦコイルユニット，４０：制御装置，６０：演算装置
６１：システム制御部，６５：安全基準安定部，６６：通知部，７２：入力装置

Claims (9)

1. 撮像領域の少なくとも一部が所定の磁場均一性を有する領域の外となる場合に、励起ＲＦパルスと同時に印加されるスライス選択方向の第１傾斜磁場パルスの振幅と、再収束ＲＦパルスと同時に印加されるスライス選択方向の第２傾斜磁場パルスの振幅とを近づけるように磁気共鳴イメージングのパルスシーケンスの条件を変更する撮像条件設定部
   を備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
2. 請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置において、
   前記撮像条件設定部は、前記パルスシーケンスがスピンエコー系である場合に、前記第１傾斜磁場パルスの振幅と、前記第２傾斜磁場パルスの振幅とを近づけるように前記パルスシーケンスの条件を変更する
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
3. 請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置において、
   前記撮像条件設定部は、前記所定の磁場均一性を有する領域を、磁場中心から所定の半径の領域とする
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
4. 請求項３記載の磁気共鳴イメージング装置において、
   前記第２傾斜磁場パルスの振幅が前記第１傾斜磁場パルスの振幅よりも低い場合、前記撮像条件設定部は、前記再収束ＲＦパルスの強度の時間積分値及び前記第２傾斜磁場パルスの強度の時間積分値が変わらないように、前記再収束ＲＦパルス及び前記第２傾斜磁場パルスの各印加時間をそれぞれ短くすると共に、前記再収束ＲＦパルス及び前記第２傾斜磁場パルスの各振幅をそれぞれ上げる波形変更処理を実行することで、前記第２傾斜磁場パルスの振幅を前記第１傾斜磁場パルスの振幅に揃える
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
5. 請求項４記載の磁気共鳴イメージング装置において、
   前記波形変更処理の実行後に、磁場時間変化率又はＳＡＲの安全基準を前記パルスシーケンスが満たさない場合、前記撮像条件設定部は、前記励起ＲＦパルスの強度の時間積分値が変わらないように前記励起ＲＦパルスの振幅を下げる振幅下降処理を実行後、前記第１傾斜磁場パルス及び前記第２傾斜磁場パルスの各振幅が揃うように、前記再収束ＲＦパルス及び前記第２傾斜磁場パルスの条件を再設定する
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
6. 請求項５記載の磁気共鳴イメージング装置において、
   前記パルスシーケンスがＦＳＥ(Fast Spin Echo)法であり、前記波形変更処理の実行後に、ＳＡＲの安全基準を前記パルスシーケンスが満たさない場合、前記撮像条件設定部は、エコートレイン間隔を延長してから、前記第１傾斜磁場パルス及び前記第２傾斜磁場パルスの各振幅が揃うように、前記再収束ＲＦパルス及び前記第２傾斜磁場パルスの条件を再設定する
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
7. 請求項３記載の磁気共鳴イメージング装置において、
   前記第２傾斜磁場パルスの振幅が前記第１傾斜磁場パルスの振幅よりも高い場合、前記撮像条件設定部は、前記再収束ＲＦパルスの強度の時間積分値及び前記第２傾斜磁場パルスの強度の時間積分値が変わらないように、前記再収束ＲＦパルス及び前記第２傾斜磁場パルスの各印加時間をそれぞれ長くすると共に、前記再収束ＲＦパルス及び前記第２傾斜磁場パルスの各振幅をそれぞれ下げることで、前記第２傾斜磁場パルスの振幅を前記第１傾斜磁場パルスの振幅に揃える
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
8. 請求項３乃至請求項７のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
   前記第１傾斜磁場パルス及び前記第２傾斜磁場パルスの各振幅を近づけるように前記撮像条件設定部が前記パルスシーケンスの条件を変更する場合に、アネファクトアーチファクトが発生しうる旨を通知する通知部をさらに備える
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
9. 請求項３乃至請求項７のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
   被検体に装着されると共に複数の要素コイルが内蔵されたＲＦコイル装置により検出された核磁気共鳴信号を収集する信号収集部をさらに備え、
   前記撮像条件設定部は、前記撮像領域の少なくとも一部が前記磁場中心から所定の半径の領域外となる場合、アネファクトアーチファクトの発生源となりうることが推定される少なくとも１つの前記要素コイルによる前記核磁気共鳴信号の検出機能をオフさせる制御信号を前記信号収集部から前記ＲＦコイル装置に送信させる
   ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。

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