JP6390221B2 - Dnaチップ及びその製造方法 - Google Patents
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これに対し、シリコン基板上に形成され、アミノ基を含み正電荷を有する膜を有するDNAチップが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
本発明のDNAチップは、シリコン基板を備え、
前記シリコン基板上に、珪素と、窒素及び/又は炭素と、を元素として含み、前記元素の共有結合を含有する反応性膜を有し、
前記反応性膜は、正電荷を帯電していることを特徴とする。
この構成によれば、分析対象の核酸と、反応性膜とを、アミド結合、ペプチド結合、又はカルボキシル結合、並びに、イオン結合させることができ、高感度に核酸を検出することができる。
前記反応性膜に正電荷を帯電させる工程と、を含むことを特徴とする。
これによれば、分析対象の核酸と、反応性膜とを、アミド結合、ペプチド結合、又はカルボキシル結合、並びに、イオン結合させることができ、高感度に生体物質を検出することができるDNAチップを製造することができる。
図1は、本発明の一実施形態にかかるDNAチップを示す模式図である。
図1に示すように、本実施形態のDNAチップ1は、シリコン基板2を備えている。そして、シリコン基板1上に、反応性膜3が形成されている。この反応性膜3は、珪素と、窒素及び/又は炭素と(珪素、窒素、炭素、あるいは、珪素、窒素、あるいは、珪素、炭素)を元素として含み、これら元素の共有結合を含有するものである。そして、反応性膜3は、正電荷を帯電している。
また、本発明のDNAチップは、シリコン基板を用いているため、大口径化により、高スループット化が可能である。さらに、シリコン基板は、高平坦度が可能であるという点から光学的検出に適しており、また、電子デバイスとの融合が可能になり、電気的検出にも適している。
反応性膜3を、Si−N結合を含むSiN膜とすることにより、分析対象の核酸とアミド結合やペプチド結合する反応性膜3とすることができ、これらは強固な結合であるため、高感度に核酸を検出することができる。
また、反応性膜3を、Si−C結合を含むSiC膜とすることにより、分析対象の核酸とアミド結合、ペプチド結合、又はカルボキシル結合する反応性膜3とすることができ、これらは強固な結合であるため、高感度に核酸を検出することができる。
さらに、反応性膜3を、Si−N結合とSi−C結合との両方を含むSiNC膜とすることにより、より一層、分析対象の核酸とアミド結合、ペプチド結合、又はカルボキシル結合をし易い反応性膜3とすることができ、特に高感度に核酸を検出することができる。
すなわち、シリコン基板2の抵抗率を1×103Ω・cm以上とすることにより、反応性膜3の正の電荷がシリコン基板の裏面へと移動するのを抑制して、反応性膜3と核酸とをイオン結合させる効果を確保することができ、また、シリコン基板2にドープされた(例えばボロンやリン等の)ドーパントが、反応性膜3に混入して、上記アミド結合、ペプチド結合、又はカルボキシル結合を阻害してしまうのを抑制することができるからである。なお、シリコン結晶の特性上、製造可能なシリコン基板2の抵抗率は2.3×105Ω・cmが限界である。
また、シリコン基板2の炭素濃度(ASTM F123−1981)は、1×1016atoms/cm3以下とすることが好ましい。1×1016atoms/cm3以下とすることにより、抵抗率変動の原因となる酸素ドナーの発生を抑制することができるからである。
1μm以上とすることにより、シリコン基板2にドープされた(例えばボロンやリン等の)ドーパントが、反応性膜3の表面付近にまで混入して、上記アミド結合、ペプチド結合、又はカルボキシル結合を阻害してしまうのを抑制することができるからである。また、分析対象の核酸と反応させる目的からは膜厚は、さほど厚くする必要はなく、10μm以下で十分だからである。
ここでいう、GBIRは、シリコン基板の裏面を完全に吸着したと仮定した場合におけるシリコン基板の裏面を基準として、シリコンウェーハ全体の最大変位と最小変位との差を算出することにより求められる。
図2は、本発明の一実施形態にかかるDNAチップの製造方法のフロー図である。
図2に示すように、本実施形態では、まず、シリコン基板2を用意する(ステップS101)。ここで用意するシリコン基板2は、上述した理由により、抵抗率が、1×103Ω・cm〜2.3×105Ω・cmであることが好ましい。また、シリコン基板2の酸素濃度は、6×1017atoms/cm3以下とすることが好ましく、炭素濃度は、1×1016atoms/cm3以下とすることが好ましく、窒素濃度は、1×1013atoms/cm3以下とすることが好ましい。
このようなシリコン基板は、既知の手法で作製することができ、例えば、炭素や窒素などの不純物をドープしない、酸素濃度が6×1017atoms/cm3以下のシリコン単結晶をチョクラルスキー法に引き上げたシリコン単結晶インゴットをスライスすることにより作製することができる。
これにより、ドーパント濃度を調整することによって抵抗率を上記の範囲に制御して高抵抗のシリコン基板としつつも、酸素ドナーの発生を抑制して抵抗率変動を抑制することができる。
また、シリコン基板の平坦度(GBIR)は、0.5μm以下であることが好ましい。
上述したように、反応性膜3は、具体的には、SiN膜、SiC膜、SiNC膜とすることが好ましく、SiNC膜とすることが特に好ましい。
特に、SiN膜、SiC膜、SiNC膜を形成する場合には、特には限定しないが、例えばプラズマCVD法を用いて反応性膜3を形成することができる。
SiN膜を形成する場合には、例えば原料ガスとして、トリメチルシランを40〜60sccm、窒素を100〜150sccmの流量で流入させ、また、SiC膜を形成する場合には、例えば原料ガスとして、トリメチルシランを20〜30sccm、メタンを100〜150sccmの流量で流入させ、SiNC膜を形成する場合には、例えば原料ガスとして、トリメチルシランを20〜30sccm、窒素を100〜150sccm、及びメタンを5〜15sccmの流量で流入させることができる。
そして、高周波電圧を印加して、プラズマ処理を行い、水素イオンを反応性膜3に注入することができる。このときの処理温度は、80〜150℃とすることが好ましく、処理時間は、1〜5分とすることが好ましい。
本発明の効果を確かめるため、以下のように、シリコン基板上に、正電荷を帯電したSiNC膜、正電荷を帯電したSiN膜、正電荷を帯電したSiC膜、正電荷を有しないDLC膜、正電荷を有しないSiN膜、正電荷を有しないSiC膜をそれぞれ形成した、DNAチップを作製して、DNAの検出精度を評価する試験を行った。
各DNAチップにおける、ガス種及びその流量は、以下の表1に示している。なお、表1において、水素は反応性膜に正電荷を帯電させる次工程での流量を意味する。
その後、高周波電圧を印加し、成膜温度150℃処理時間50分で、抵抗率1×105Ω・cmの各反応性膜を5μm形成した。
次いで、純水洗浄により、未反応のタンパク質を除去するクリーニング処理を行った。
次いで、クリーニング処理を行った各DNAチップの表面に、DNA(日立ソフトウェアエンジニアリング社製:SPBIO2000)を塗布し、検出用DNAと反応させた。
次いで、純水洗浄により、未反応のDNAを除去した。
そして、蛍光スキャナー(富士フィルム社製:蛍光スキャナーFLA8000)を用いて、DNAチップと反応したDNAを蛍光画像により検出した。
特に、正電荷を付与したSiNC膜を用いた発明例は、正電荷を付与したSiN膜や正電荷を付与したSiC膜を用いた他の発明例よりもさらに高感度の検出ができたことがわかる。
2 シリコン基板
3 反応性膜
Claims (10)
- 1×10 3 Ω・cm〜2.3×10 5 Ω・cmの抵抗率のシリコン基板を備え、
前記シリコン基板の表面上に、分析対象の核酸と結合する、SiNC膜、SiN膜、及びSiC膜のいずれかからなる単層の反応性膜を有し、
前記反応性膜は、正電荷を帯電していることを特徴とする、DNAチップ。 - 前記反応性膜は、SiNC膜である、請求項1に記載のDNAチップ。
- 前記反応性膜は、SiN膜である、請求項1に記載のDNAチップ。
- 前記反応性膜は、SiC膜である、請求項1に記載のDNAチップ。
- 1×10 3 Ω・cm〜2.3×10 5 Ω・cmの抵抗率のシリコン基板の表面上に、分析対象の核酸と結合する、SiNC膜、SiN膜、及びSiC膜のいずれかからなる単層の反応性膜を形成する工程と、
前記反応性膜に正電荷を帯電させる工程と、を含む、DNAチップの製造方法。 - 前記反応性膜は、SiNC膜である、請求項5に記載のDNAチップの製造方法。
- 前記反応性膜は、SiN膜である、請求項5に記載のDNAチップの製造方法。
- 前記反応性膜は、SiC膜である、請求項5に記載のDNAチップの製造方法。
- 水素イオン、ヘリウムイオン、ネオンイオン、アルゴンイオン、クリプトンイオン、キセノンイオン、ラドンイオンのうちいずれか一種以上を、前記反応性膜に注入又は照射することにより、前記反応性膜に正電荷を帯電させる、請求項5〜8のいずれか一項に記載のDNAチップの製造方法。
- 水素イオンを前記反応性膜に注入又は照射することにより、前記反応性膜に正電荷を帯電させる、請求項5〜9のいずれか一項に記載のDNAチップの製造方法。
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