JP6379950B2 - 近接センサ及び遊技機 - Google Patents
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Description
τ1 = C1*R1 (1)
で示される。
τ2 = C2*R2 (2)
で示される。第2遅延回路24の時定数τ2が第1遅延回路23の時定数τ1よりも大きくなるように、第1コンデンサ40及び第2コンデンサの容量C1及びC2並びに第1抵抗素子41及び第2抵抗素子51の抵抗値R1及びR2のそれぞれが定められる。
V3=Vcc*exp(−t/τ1) (3)
と示される。また、このときの第2電圧V4の立下り波形は、第2時定数τ2、電源電圧Vcc及びダイオード60のカットイン電圧Vzから、
V4=(Vcc−Vz)*exp(−t/τ2) (4)
と示される。第2電圧V4の立下り波形は、第1電圧V3の立下り波形に対して定常項がダイオード60のカットイン電圧Vzの分だけ低い第1電圧V3の立下り波形に対応した波形となる。
V3=R1*Io{1−exp(−t/τ1)} (5)
で示される。一方、第1トランジスタ32からの検知電流Ioの供給が開始され、ダイオード60がオフしている間は、第2遅延回路24に検知電流Ioは供給されず、第2電圧V4は式(4)に従って下降し続けている。
V3=R1//R2*(Io+Vz/R2)*Io{1−exp(−t/τ3)} (6)
と示される。ここで、IoはVz/R2よりも非常に大きいので、
V3≒R1//R2*Io{1−exp(−t/τ3)} (7)
と近似される。R1//R2は第1抵抗素子41及び第2抵抗素子51の合成抵抗であり、
R1//R2=R1*R2/(R1+R2) (8)
で示される。また、τ3はダイオード60がオンしたときの第3時定数であり、
τ3=(C1+C2)*(R1//R2) (9)
で示される。第3時定数τ3は、第1コンデンサ40及び第2コンデンサ50の容量を加算した値(C1+C2)を、第1抵抗素子41及び第2抵抗素子51の合成抵抗(R1//R2)の積なので、第1時定数τ1よりも大きい値になる。ダイオード60がオンしているとき、第2電圧V4は第1電圧V3よりもダイオード60のカットイン電圧Vzだけ小さくなり、第2電圧V4の立上り波形は、
V4≒R1//R2*Io{1−exp(−t/τ3)}−Vz (10)
と示される。ダイオード60がオンした後の第1電圧V3及び第2電圧V4は、第1時定数τよりも大きい第3時定数τ3に応じて立ち上がる。第2電圧V4の立上り波形は、第1電圧V3の立上り波形に対して定常項がダイオード60のカットイン電圧Vzの分だけ低い第1電圧V3の立上り波形に対応した波形となる。
図5は、第2実施形態に係る近接センサの回路ブロック図である。
図7は、第3実施形態に係る近接センサの回路ブロック図である。
Vout1=VZD1+(VS−VZD1)*R9/(R9+RL) (11)
で示される。ここで、VZD1はツェナーダイオード80のツェナー電圧であり、R9は第9抵抗素子37の抵抗値であり、RLは負荷抵抗素子107の抵抗値である。一方、遊技球が検出コイルに近接しているときの近接センサ12の出力電圧Vout2は、
Vout2=Vs−RL*I9 (12)
で示される。ここで、RLは負荷抵抗素子107の抵抗値であり、I9は負荷抵抗素子107を流れる第9電流である。第9電流I9は、定電圧回路36の流入する第6電流I6と第2トランジスタ75のエミッタ電流である第7電流I7とから、
I9=I6+I7 (13)
と示される。また、第6電流I6は、発振回路30に流入する第1電流I1、検波回路31に流入する第2電流I2、第1トランジスタ32のエミッタ電流である第3電流I3、コンパレータ70に流入する第4電流I4及び第5抵抗素子74に流入する第5電流I5から、
I6=I1+I2+I3+I4+I5 (14)
と示される。遊技球が検出コイルに近接しているとき、発振回路30は発振を停止し、第1トランジスタ32はオフするため、第1電流I1及び第3電流I3は略ゼロである。また、第2電流I2、第4電流I4、第5電流I5及び第7電流I7は、遊技球が検出コイル21に近接している間は略一定の値になる。このため、近接センサ12は、遊技球が検出コイルに近接している間、近接センサ12の出力電圧Vout2を略一定値に維持することができる。
7 入賞口
10〜12 近接センサ
21 検出コイル
22 検知部
23 第1遅延回路
24 第2遅延回路
25 接続切替部
26 判定回路
Claims (5)
- 金属体の通過に応じて磁束が変化する検出コイルと、
前記磁束の変化に応じて出力する検知電流の大きさを変化させる検知部と、
前記検知部に接続された第1端子を有し、前記検知部から入力される前記検知電流に応じて前記第1端子の第1電圧を金属体の検出を示す検出レベルと金属体の非検出を示す非検出レベルとの間で遷移させるときに第1時定数に応じた遅延時間で遅延させる第1遅延回路と、
前記第1遅延回路に並列接続され且つ第2端子を有し、前記検知部から入力される前記検知電流に応じて前記第2端子の第2電圧を前記検出レベルに対応する電圧と前記非検出レベルに対応する電圧との間で遷移させるときに前記第1時定数よりも大きい第2時定数に応じた遅延時間で遅延させる第2遅延回路と、
前記第1端子と前記第2端子との間に配置され、前記第1電圧が前記第2電圧以上であるときに、前記第1端子と前記第2端子との間を接続する接続切替部と、
前記第1電圧の電圧レベルに応じて金属体を検出したか否かを示す出力信号を出力する判定回路と、
を有することを特徴とする近接センサ。 - 接続切替部は、アノードが前記第1端子に接続され且つカソードが前記第2端子に接続されたダイオードを有し、前記ダイオードは、前記第1電圧が前記第2電圧としきい値電圧とを加算した電圧以上になったときに前記第1端子から前記第2端子に電流を流す、請求項1に記載の近接センサ。
- 接続切替部は、前記第1電圧と、前記第2電圧とを比較するコンパレータと、
前記コンパレータにて前記第1電圧が前記第2電圧以上であると判定したときに、前記第1端子から前記第2端子に電流を流す電流経路を形成する電流経路形成素子と、を有する、請求項1に記載の近接センサ。 - 前記第1遅延回路は、前記第1端子に接続された第1コンデンサと、前記第1コンデンサに接続された第1抵抗素子とを有し、前記第1時定数は、前記第1コンデンサの容量及び前記第1抵抗素子の抵抗値により規定され、
前記第2遅延回路は、前記第1コンデンサに並列接続された第2コンデンサと、前記第2コンデンサに接続された第2抵抗素子とを有し、前記第2時定数は、前記第2コンデンサの容量及び前記第2抵抗素子の抵抗値により規定される、請求項1〜3の何れか一項に記載の近接センサ。 - 遊技球が通過する入賞口装置と、
前記入賞口装置に配置され、前記入賞口装置を通過した遊技球を検出したことを示す出力信号を出力する近接センサと、
前記近接センサに接続され、前記近接センサから入力される出力信号に応じて、所定個数の遊技球を払い出す制御装置と、を有し、
前記近接センサは、
金属体の通過に応じて磁束が変化する検出コイルと、
前記磁束の変化に応じて出力する検知電流の大きさを変化させる検知部と、
前記検知部に接続された第1端子を有し、前記検知部から入力される前記検知電流に応じて前記第1端子の第1電圧を金属体の検出を示す検出レベルと金属体の非検出を示す非検出レベルとの間で遷移させるときに第1時定数に応じた遅延時間で遅延させる第1遅延回路と、
前記第1遅延回路に並列接続され且つ第2端子を有し、前記検知部から入力される前記検知電流に応じて前記第2端子の第2電圧を前記検出レベルに対応する電圧と前記非検出レベルに対応する電圧との間で遷移させるときに前記第1時定数よりも大きい第2時定数に応じた遅延時間で遅延させる第2遅延回路と、
前記第1端子と前記第2端子との間に配置され、前記第1電圧が前記第2電圧以上であるときに、前記第1端子と前記第2端子との間を接続する接続切替部と、
前記第1電圧の電圧レベルに応じて金属体を検出したか否かを示す出力信号を出力する判定回路と、を有することを特徴とする遊技機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014202575A JP6379950B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 近接センサ及び遊技機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014202575A JP6379950B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 近接センサ及び遊技機 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2016072908A JP2016072908A (ja) | 2016-05-09 |
JP6379950B2 true JP6379950B2 (ja) | 2018-08-29 |
Family
ID=55865063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014202575A Active JP6379950B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 近接センサ及び遊技機 |
Country Status (1)
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- 2014-09-30 JP JP2014202575A patent/JP6379950B2/ja active Active
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