JP6371602B2 - Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、露光装置、露光方法、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method for manufacturing an article.

液晶パネルや有機ELパネル等のフラットパネルや、半導体デバイスの製造には、マスクなどの原版のパターンを、レジストが塗布されたガラスプレートやウェハなどの基板に転写する露光装置が用いられる。このような露光装置では、原版のパターン領域と基板上のショット領域とを高精度に位置合わせすることが重要である。   For manufacturing a flat panel such as a liquid crystal panel or an organic EL panel or a semiconductor device, an exposure apparatus that transfers an original pattern such as a mask to a substrate such as a glass plate or a wafer coated with a resist is used. In such an exposure apparatus, it is important to align the pattern area of the original plate and the shot area on the substrate with high accuracy.

特許文献1には、オフアクシス方式の検出部を用いて基板上に形成された複数のマークを検出し、その検出結果およびベースライン量を用いて原版と基板との位置合わせを行う方法が提案されている。特許文献1において、ベースライン量は、投影光学系の光軸とオフアクシス方式の検出部の光軸との間の距離として定義されており、投影光学系に生じる熱の影響などによって時間の経過とともに変化しうる。そのため、特許文献1では、ベースライン量の経時的な変動を表す関数を用いて、次に露光を行う際のベースライン量を推定している。   Patent Document 1 proposes a method of detecting a plurality of marks formed on a substrate using an off-axis detection unit, and aligning the original and the substrate using the detection result and the baseline amount. Has been. In Patent Document 1, the baseline amount is defined as the distance between the optical axis of the projection optical system and the optical axis of the off-axis detection unit, and the time elapses due to the influence of heat generated in the projection optical system. It can change with. Therefore, in Patent Document 1, a baseline amount for the next exposure is estimated using a function that represents a change in baseline amount over time.

特開2003−17399号公報JP 2003-17399 A

特許文献1に記載されている露光装置では、関数を用いてベースライン量を推定しているに過ぎない。そのため、意図しない外乱が生じた場合に、原版と基板とを高精度に位置合わせすることが不十分になりうる。また、特許文献1には、原版と基板との位置合わせの際に、TTL(Through The Lens)方式の検出部とオフアクシス方式の検出部とを併用して、基板上の各ショット領域に設けられた複数のマークを検出することについては記載されていない。   In the exposure apparatus described in Patent Document 1, the baseline amount is merely estimated using a function. Therefore, when an unintended disturbance occurs, it may be insufficient to align the original and the substrate with high accuracy. Further, in Patent Document 1, a TTL (Through The Lens) type detection unit and an off-axis type detection unit are used in combination for alignment between the original plate and the substrate in each shot area on the substrate. There is no description about detecting a plurality of marks.

そこで、本発明は、原版と基板とを高精度に位置合わせする上で有利な技術を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a technique advantageous in aligning an original and a substrate with high accuracy.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、原版のパターンを投影光学系を介して基板上のショット領域に転写する露光装置であって、前記ショット領域に設けられた複数のマークのうち、第1マーク群の位置を、前記原版および前記投影光学系を介して検出する第1検出部と、前記複数のマークのうち、前記第1マーク群とは異なる第2マーク群の位置を、前記投影光学系を介さずに検出する第2検出部と、前記第1検出部による検出結果、前記第2検出部による検出結果、およびベースライン量に関する情報基づいて前記原版と前記ショット領域との位置合わせを制御する制御部と、を含み、前記ベースライン量は、前記第1検出部による基板上の検出位置と前記第2検出部による前記基板上の検出位置との位置関係を示し、前記制御部は、前記位置合わせにおいて前記第1検出部で検出された前記第1マーク群に含まれる少なくとも2つの第1マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第1情報を求め、前記位置合わせにおいて前記第2検出部で検出された前記第2マーク群に含まれる少なくとも2つの第2マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第2情報を求め、前記第1情報と前記第2情報とに基づいて前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする。 To achieve the above object, an exposure apparatus according to one aspect of the present invention is an exposure apparatus for transferring the shot area on the substrate through a pattern of an original projection optical system, provided in the shot area Among the plurality of marks, a first detection unit that detects the position of the first mark group via the original plate and the projection optical system, and among the plurality of marks, a second mark different from the first mark group the position of the group, and the second detection unit for detecting not through the projection optical system, a detection result by the first detection unit, the detection result by the second detection unit, and based on the information about the baseline amount, the A control unit that controls alignment between the original plate and the shot area, and the baseline amount is a detection position on the substrate by the first detection unit and a detection position on the substrate by the second detection unit. Place of Shows the relationship, the control unit based on the position of the at least two first marks contained in said first mark group detected by the first detecting portion in the alignment of the shot region in the substrate First information indicating an arrangement is obtained, and based on positions of at least two second marks included in the second mark group detected by the second detection unit in the alignment, the shot area on the substrate is determined. It obtains a second information indicating an arrangement, based on the first information and the second information, to correct the information on the baseline value, characterized in that.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、原版と基板とを高精度に位置合わせする上で有利な技術を提供することができる。   According to the present invention, for example, a technique advantageous in aligning an original plate and a substrate with high accuracy can be provided.

第1実施形態の露光装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the exposure apparatus of 1st Embodiment. アライメント検出部とオフアクシス検出部との位置関係、原版におけるマークの位置、および基板におけるマークの位置を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of an alignment detection part and an off-axis detection part, the position of the mark in an original, and the position of the mark in a board | substrate. 第1実施形態の露光装置における露光処理のフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart of the exposure process in the exposure apparatus of 1st Embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member thru | or element, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

<第1実施形態>
本発明の第1実施形態の露光装置100における装置構成と位置合わせ方法について説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。第1実施形態の露光装置100は、原版3aのパターンを投影光学系4を介して基板上における複数のショット領域の各々に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。露光装置100は、例えば、照明光学系1と、アライメント検出部2(第1検出部)と、マスクステージ3bと、投影光学系4と、オフアクシス検出部91および92(第2検出部)と、基板ステージ5bと、定盤6と、制御部8とを含みうる。制御部8は、例えばCPUやメモリなどを有し、露光装置100の各部を制御する(基板5aの露光処理を制御する)。
<First Embodiment>
An apparatus configuration and an alignment method in the exposure apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an exposure apparatus 100 according to the first embodiment. The exposure apparatus 100 according to the first embodiment is a step-and-scan exposure apparatus that transfers a pattern of an original 3a to each of a plurality of shot areas on a substrate via a projection optical system 4. The exposure apparatus 100 includes, for example, an illumination optical system 1, an alignment detection unit 2 (first detection unit), a mask stage 3b, a projection optical system 4, and off-axis detection units 91 and 92 (second detection unit). The substrate stage 5b, the surface plate 6, and the control unit 8 can be included. The control unit 8 includes, for example, a CPU and a memory, and controls each unit of the exposure apparatus 100 (controls the exposure processing of the substrate 5a).

光源(不図示)から射出された光は、照明光学系1に入射し、例えばX方向に長い帯状または円弧状の露光領域を原版3a(マスク)上に形成する。原版3aおよび基板5a(例えばガラスプレート)は、原版ステージ3bおよび基板ステージ5bによってそれぞれ保持されており、投影光学系4を介して光学系にほぼ共役な位置(投影光学系4の物体面および像面)に配置される。投影光学系4は、例えば、複数のミラーによって構成されたミラープロジェクション方式の投影光学系であり、所定の投影倍率(例えば1倍や1/2倍)を有し、原版3aに形成されたパターンを基板5aに投影する。原版ステージ3bおよび基板ステージ5bは、投影光学系4の光軸方向(Z方向)に直交する方向(第1実施形態ではY方向)に、互いに同期しながら、投影光学系4の投影倍率に応じた速度比で走査する。これにより、原版3aに形成されたパターンを、基板上におけるショット領域に転写することができる。そして、このような走査露光を、基板ステージ5bをステップ移動させながら、基板上における複数のショット領域の各々について順次繰り返すことにより、1枚の基板5aにおける露光処理を完了することができる。   Light emitted from a light source (not shown) enters the illumination optical system 1, and forms, for example, a strip-shaped or arc-shaped exposure region long in the X direction on the original 3a (mask). The original 3a and the substrate 5a (for example, a glass plate) are held by the original stage 3b and the substrate stage 5b, respectively, and are positioned almost conjugate to the optical system via the projection optical system 4 (object plane and image of the projection optical system 4). Surface). The projection optical system 4 is, for example, a mirror projection type projection optical system constituted by a plurality of mirrors, has a predetermined projection magnification (for example, 1 × or 1/2 ×), and is a pattern formed on the original 3a. Is projected onto the substrate 5a. The original stage 3b and the substrate stage 5b correspond to the projection magnification of the projection optical system 4 while being synchronized with each other in a direction (Y direction in the first embodiment) orthogonal to the optical axis direction (Z direction) of the projection optical system 4. Scan at a different speed ratio. Thereby, the pattern formed on the original 3a can be transferred to the shot area on the substrate. Such scanning exposure is sequentially repeated for each of a plurality of shot areas on the substrate while stepping the substrate stage 5b, whereby the exposure processing on one substrate 5a can be completed.

このように基板上の各ショット領域に原版3aのパターンを転写する際には、パターンが形成された原版3aの領域(パターン領域31)と当該ショット領域とのアライメント(位置合わせ)が行われる。第1実施形態の露光装置100は、アライメント検出部2とオフアクシス検出部91および92とを併用することによって各ショット領域に設けられた複数のマークの検出を行う。これにより、アライメント検出部2のみを用いて複数のマークの検出を行っていた従来の露光装置に比べて、スループットを向上させることができる。   In this way, when the pattern of the original 3a is transferred to each shot area on the substrate, alignment (positioning) between the area of the original 3a (pattern area 31) on which the pattern is formed and the shot area is performed. The exposure apparatus 100 of the first embodiment detects a plurality of marks provided in each shot area by using the alignment detection unit 2 and off-axis detection units 91 and 92 in combination. Thereby, the throughput can be improved as compared with the conventional exposure apparatus in which a plurality of marks are detected using only the alignment detection unit 2.

アライメント検出部2は、照明光学系1と原版3a(原版ステージ3b)との間に配置されており、少なくとも1つのアライメントスコープを含みうる。第1実施形態のアライメント検出部2は、2つのアライメントスコープ2aおよび2bを含む。そして、アライメント検出部2は、基板上の各ショット領域に設けられたマークを、アライメントスコープ2aおよび2bによって原版3aに設けられたマークと投影光学系4とを介して検出する。これにより、制御部8は、アライメント検出部2による検出結果に基づいて、ショット領域に設けられたマークの原版3aに対する位置を求めることができる。ここで、アライメント検出部2は、基板5aを露光する際に用いられる光とは波長の異なる光(非露光光)を用いてマークを検出するように構成されるとよい。また、アライメント検出部2によって検出される基板上のマークを、以下では第1マークと称する
オフアクシス検出部91および92は、投影光学系4と基板5a(基板ステージ5b)との間に配置されており、少なくとも1つのオフアクシススコープをそれぞれ含みうる。第1実施形態のオフアクシス検出部91は、オフアクシススコープ91aおよび91bを含み、オフアクシス検出部92は、オフアクシススコープ92aおよび92bを含む。そして、オフアクシス検出部91および92は、基板上に設けられたマークを、オフアクシススコープ91a〜92bによって原版3aに設けられたマークと投影光学系4とを介さずに検出する。これにより、制御部8は、オフアクシス検出部91および92による検出結果とベースライン量に関する情報(ベースライン情報)とに基づいて、ショット領域に設けられたマークのアライメント検出部2に対する位置を求めることができる。ベースライン量は、アライメント検出部2とオフアクシス検出部91または92との位置関係を表し、例えば、アライメント検出部2による基板上の検出位置とオフアクシス検出部91または92による基板上の検出位置との距離を示す。ここで、オフアクシス検出部91および92は、基板5aを露光する際に用いられる光とは波長の異なる光(非露光光)を用いてマークを検出するように構成されるとよい。また、オフアクシス検出部91および92によって検出される基板上のマークを以下では第2マークと称し、ベースライン量に関する情報をベースライン情報と称する。
The alignment detection unit 2 is disposed between the illumination optical system 1 and the original 3a (original stage 3b), and may include at least one alignment scope. The alignment detection unit 2 of the first embodiment includes two alignment scopes 2a and 2b. Then, the alignment detection unit 2 detects the mark provided in each shot area on the substrate via the alignment optical 2a and 2b and the mark provided on the original 3a and the projection optical system 4. Accordingly, the control unit 8 can obtain the position of the mark provided in the shot area with respect to the original 3a based on the detection result by the alignment detection unit 2. Here, the alignment detection unit 2 may be configured to detect the mark using light (non-exposure light) having a wavelength different from that of the light used when exposing the substrate 5a. A mark on the substrate detected by the alignment detection unit 2 is hereinafter referred to as a first mark. The off-axis detection units 91 and 92 are disposed between the projection optical system 4 and the substrate 5a (substrate stage 5b). Each of which may include at least one off-axis scope. The off-axis detection unit 91 of the first embodiment includes off-axis scopes 91a and 91b, and the off-axis detection unit 92 includes off-axis scopes 92a and 92b. The off-axis detection units 91 and 92 detect the marks provided on the substrate without using the marks provided on the original 3a and the projection optical system 4 by the off-axis scopes 91a to 92b. Thereby, the control unit 8 obtains the position of the mark provided in the shot area with respect to the alignment detection unit 2 based on the detection results by the off-axis detection units 91 and 92 and the information on the baseline amount (baseline information). be able to. The baseline amount represents the positional relationship between the alignment detection unit 2 and the off-axis detection unit 91 or 92. For example, the detection position on the substrate by the alignment detection unit 2 and the detection position on the substrate by the off-axis detection unit 91 or 92 And the distance. Here, the off-axis detection units 91 and 92 may be configured to detect marks using light (non-exposure light) having a wavelength different from that of light used when exposing the substrate 5a. In addition, a mark on the substrate detected by the off-axis detection units 91 and 92 is hereinafter referred to as a second mark, and information regarding the baseline amount is referred to as baseline information.

例えば、図2に示すように、原版3aおよび基板5aの各ショット領域に6つのマークがそれぞれ設けられている場合を想定する。図2は、アライメント検出部2とオフアクシス検出部91および92との位置関係、原版3aにおけるマークの位置、および基板5aにおけるマークの位置を示す図である。図2(a)は、アライメント検出部2におけるアライメントスコープ2aおよび2bと、オフアクシス検出部91および92におけるオフアクシススコープ91a〜92bとの位置関係を示す図である。図2(b)は、原版上に配置されたマークの位置を示す図であり、図2(c)は、基板上に配置されたマークの位置を示す図である。原版3aは、図2(b)に示すように、基板上の各ショット領域に転写するためのパターンが形成された領域(パターン領域31)を含み、パターン領域31に対して6つのマーク311〜316が設けられているものとする。基板5aは、図2(c)に示すように、4つのショット領域51〜54を含み、原版3aに設けられた6つのマークに対応するように各ショット領域51〜54に対して6つのマークが設けられているものとする。ショット領域51に対してはマーク511〜516が、ショット領域52に対してはマーク521〜526が、ショット領域53に対してはマーク531〜536が、およびショット領域54に対してはマーク541〜546が設けられているものとする。また、アライメント検出部2は2つのアライメントスコープ2aおよび2bを含み、オフアクシス検出部91および92はそれぞれ2つのオフアクシススコープ91a〜92bを含むものとする。そして、各アライメントスコープおよび各オフアクシススコープは、基板上における1つのショット領域に設けられた複数のマークのうち互いに異なるマークをそれぞれ並行して検出できるように配置されている。   For example, as shown in FIG. 2, it is assumed that six marks are provided in each shot area of the original 3a and the substrate 5a. FIG. 2 is a diagram illustrating a positional relationship between the alignment detection unit 2 and the off-axis detection units 91 and 92, a mark position on the original 3a, and a mark position on the substrate 5a. FIG. 2A is a diagram illustrating a positional relationship between the alignment scopes 2a and 2b in the alignment detection unit 2 and the off-axis scopes 91a to 92b in the off-axis detection units 91 and 92. FIG. 2B is a diagram showing the positions of the marks arranged on the original plate, and FIG. 2C is a diagram showing the positions of the marks arranged on the substrate. As shown in FIG. 2B, the original plate 3 a includes a region (pattern region 31) on which a pattern to be transferred to each shot region on the substrate is formed. It is assumed that 316 is provided. As shown in FIG. 2C, the substrate 5a includes four shot areas 51 to 54, and six marks for each of the shot areas 51 to 54 so as to correspond to the six marks provided on the original 3a. Is provided. Marks 511 to 516 for the shot area 51, marks 521 to 526 for the shot area 52, marks 531 to 536 for the shot area 53, and marks 541 to 536 for the shot area 54 546 is provided. The alignment detection unit 2 includes two alignment scopes 2a and 2b, and the off-axis detection units 91 and 92 include two off-axis scopes 91a to 92b, respectively. Each alignment scope and each off-axis scope are arranged so that different marks among a plurality of marks provided in one shot area on the substrate can be detected in parallel.

この場合、アライメント検出部2における各アライメントスコープ2aおよび2bは、原版上のマークと投影光学系4とを介して各ショット領域の第1マークを検出する。例えば、アライメントスコープ2aは、ショット領域51の第1マーク512を原版上のマーク312と投影光学系4とを介して検出する。また、アライメントスコープ2bは、ショット領域51の第1マーク515を原版上のマーク315と投影光学系4とを介して検出する。これにより、制御部8は、アライメント検出部2による検出結果に基づいて、第1マーク512および515の原版3aに対する位置を求めることができる。一方で、オフアクシス検出部91および92における各オフアクシススコープ91a〜92bは、原版上のマークと投影光学系4を介さずに各ショット領域の第2マークを検出する。例えば、オフアクシススコープ91aはショット領域51のマーク513を、オフアクシススコープ91bはショット領域51のマーク516をそれぞれ検出する。また、オフアクシススコープ92aはショット領域51のマーク511を、オフアクシススコープ92bはショット領域51のマーク514をそれぞれ検出する。これにより、制御部8は、オフアクシス検出部91および92による検出結果とベースライン情報とに基づいて、第2マークのアライメント検出部2に対する位置を求めることができる。   In this case, the alignment scopes 2 a and 2 b in the alignment detection unit 2 detect the first mark in each shot area via the mark on the original plate and the projection optical system 4. For example, the alignment scope 2 a detects the first mark 512 in the shot area 51 via the mark 312 on the original plate and the projection optical system 4. Further, the alignment scope 2 b detects the first mark 515 in the shot area 51 via the mark 315 on the original plate and the projection optical system 4. Accordingly, the control unit 8 can obtain the positions of the first marks 512 and 515 relative to the original 3a based on the detection result by the alignment detection unit 2. On the other hand, each of the off-axis scopes 91 a to 92 b in the off-axis detection units 91 and 92 detects the second mark in each shot area without using the mark on the original plate and the projection optical system 4. For example, the off-axis scope 91a detects the mark 513 in the shot area 51, and the off-axis scope 91b detects the mark 516 in the shot area 51. The off-axis scope 92a detects the mark 511 in the shot area 51, and the off-axis scope 92b detects the mark 514 in the shot area 51. Accordingly, the control unit 8 can obtain the position of the second mark with respect to the alignment detection unit 2 based on the detection results by the off-axis detection units 91 and 92 and the baseline information.

制御部8は、アライメント検出部2による検出結果から求めた第1マークの位置とオフアクシス検出部91および92による検出結果から求めた第2マークの位置とに基づいて原版上のパターン領域31と基板上のショット領域とを位置合わせし走査露光を行う。このとき、制御部8は、例えば、原版上のマークとショット領域上のマークとが互いに重なり合うように走査露光を行う。走査露光においては、例えば、原版ステージ3bや基板ステージ5bの移動速度、投影光学系4の投影倍率などが制御部8によって制御されうる。この工程を各ショット領域について行うことにより、基板上に形成された複数のショット領域の各々に原版3aのパターンを転写することができる。   Based on the position of the first mark obtained from the detection result by the alignment detection unit 2 and the position of the second mark obtained from the detection result by the off-axis detection units 91 and 92, the control unit 8 Scanning exposure is performed by aligning the shot area on the substrate. At this time, for example, the control unit 8 performs scanning exposure so that the mark on the original plate and the mark on the shot area overlap each other. In the scanning exposure, for example, the moving speed of the original stage 3b and the substrate stage 5b, the projection magnification of the projection optical system 4, and the like can be controlled by the control unit 8. By performing this process for each shot region, the pattern of the original 3a can be transferred to each of a plurality of shot regions formed on the substrate.

ここで、ベースライン情報を取得する方法(ベースライン量を計測する方法)について説明する。制御部8は、アライメント検出部2とオフアクシス検出部91および92とに基板上の同一のマークを検出させる。そして、制御部8は、アライメント検出部2による検出結果から求められる当該同一のマークの基板上における位置と、オフアクシス検出部91および92による検出結果から求められる当該同一のマークの基板上における位置との差を求める。このように求められた当該差がベースライン量となるため、制御部8は、当該差によってベースライン情報を取得することができる。例えば、制御部8は、アライメント検出部2に第1マーク(マーク512および515)を検出させ、第1マークの基板上における位置を求める。また、制御部8は、基板ステージ5bを移動させた後、オフアクシス検出部91に当該第1マークを検出させ、第1マークの基板上における位置を求める。この場合、アライメント検出部2による検出結果およびオフアライメント検出部91による検出結果からそれぞれ求められた第1マークの基板上における位置の差がベースライン量となる。   Here, a method of acquiring baseline information (a method of measuring a baseline amount) will be described. The control unit 8 causes the alignment detection unit 2 and the off-axis detection units 91 and 92 to detect the same mark on the substrate. Then, the control unit 8 determines the position of the same mark obtained from the detection result by the alignment detection unit 2 on the substrate and the position of the same mark obtained from the detection result by the off-axis detection units 91 and 92 on the substrate. Find the difference between Since the difference thus obtained becomes the baseline amount, the control unit 8 can acquire the baseline information based on the difference. For example, the control unit 8 causes the alignment detection unit 2 to detect the first mark (marks 512 and 515) and obtains the position of the first mark on the substrate. Further, after moving the substrate stage 5b, the control unit 8 causes the off-axis detection unit 91 to detect the first mark and obtains the position of the first mark on the substrate. In this case, the difference in position on the substrate of the first mark obtained from the detection result by the alignment detection unit 2 and the detection result by the off-alignment detection unit 91 is the baseline amount.

また、制御部8は、アライメント検出部2とオフアクシス検出部91および92とに基板上の同一のマークを検出させた際における基板5aの移動量(基板ステージ5bの移動量)をベースライン量とすることもできる。例えば、制御部8は、アライメント検出部2(アライメントスコープ2aおよび2b)の視野の中心に第1マークが配置されるように基板ステージ5bを制御する。そして、制御部8は、オフアクシス検出部91(オフアクシススコープ91aおよび91b)の視野の中心に当該第1マークが配置されるように基板ステージ5bを制御する。この際における基板5aの移動量(基板ステージ5bの移動量)がベースライン量となるため、制御部8は、当該移動量によってベースライン情報を取得することができる。   Further, the control unit 8 sets the amount of movement of the substrate 5a (the amount of movement of the substrate stage 5b) when the alignment detection unit 2 and the off-axis detection units 91 and 92 detect the same mark on the substrate as the baseline amount. It can also be. For example, the control unit 8 controls the substrate stage 5b so that the first mark is arranged at the center of the visual field of the alignment detection unit 2 (alignment scopes 2a and 2b). Then, the control unit 8 controls the substrate stage 5b so that the first mark is arranged at the center of the field of view of the off-axis detection unit 91 (off-axis scopes 91a and 91b). Since the amount of movement of the substrate 5a (the amount of movement of the substrate stage 5b) at this time is the baseline amount, the control unit 8 can acquire baseline information based on the amount of movement.

このように構成された露光装置100では、アライメント検出部2による基板上の第1マークの検出とオフアクシス検出部91および92による基板上の第2マークの検出とが並行に行われる。このとき、アライメント検出部2は原版3aのマークと投影光学系4とを介して基板上の第1マークを検出するため、制御部8は、第1マークの原版3aに対する位置を求めることができる。一方で、オフアクシス検出部91および92は原版3aのマークと投影光学系4とを介さずに基板上の第2マークを検出するが、制御部8は、ベースライン情報を用いることにより第2マークのアライメント検出部2に対する位置を求めることができる。これにより、露光装置100は、原版上のパターン領域31と基板上の各ショット領域とを高精度に位置合わせすることができるとともに、アライメント検出部2で基板上の全てのマークを検出する場合と比べてスループットを向上させることができる。   In the exposure apparatus 100 configured in this way, the detection of the first mark on the substrate by the alignment detection unit 2 and the detection of the second mark on the substrate by the off-axis detection units 91 and 92 are performed in parallel. At this time, since the alignment detection unit 2 detects the first mark on the substrate via the mark of the original 3a and the projection optical system 4, the control unit 8 can obtain the position of the first mark with respect to the original 3a. . On the other hand, the off-axis detection units 91 and 92 detect the second mark on the substrate without passing through the mark on the original 3a and the projection optical system 4, but the control unit 8 uses the baseline information to detect the second mark. The position of the mark with respect to the alignment detection unit 2 can be obtained. As a result, the exposure apparatus 100 can align the pattern area 31 on the original plate and each shot area on the substrate with high accuracy, and the alignment detection unit 2 detects all marks on the substrate. Compared with this, throughput can be improved.

しかしながら、このような露光装置100では、投影光学系4に生じる熱やオフアクシス検出部と投影光学系との相対位置のずれなどの影響によってベースライン量が変動することがある。このようにベースライン量の変動が生じてしまうと、オフアクシス検出部による検出結果およびベースライン情報に基づいて求められた基板上の第2マークの位置に誤差が含まれうる。その結果、原版3aと基板5aとの位置合わせ精度(アライメント精度)が低下してしまうこととなる。また、基板5aに対する露光処理が終了する度に、上述の方法でベースライン量を逐次計測したのではスループットが低下してしまうため好ましくない。そこで、第1実施形態の露光装置100は、原版3aと基板5aとの位置合わせにおいて得られた各ショット領域の第1マークの位置および各ショット領域の第2マークの位置から、基板上における各ショット領域の格子情報を求める。そして、露光装置100は、各ショット領域の第1マークの位置から求められた格子情報と各ショット領域の第2マークの位置から求められた格子情報との間における格子のずれ量に基づいて、ベースライン情報を補正する。これにより、第1実施形態の露光装置100は、第2マークのアライメント検出部2に対する位置を精度よく求めることができるため、原版3aと基板5aとの位置合わせを高精度に行うことができる。   However, in such an exposure apparatus 100, the baseline amount may fluctuate due to the influence of heat generated in the projection optical system 4 or a relative position shift between the off-axis detection unit and the projection optical system. When the baseline amount fluctuates as described above, an error may be included in the position of the second mark on the substrate obtained based on the detection result by the off-axis detection unit and the baseline information. As a result, the alignment accuracy (alignment accuracy) between the original 3a and the substrate 5a is lowered. In addition, it is not preferable that the baseline amount is sequentially measured by the above-described method every time the exposure processing on the substrate 5a is completed, because the throughput decreases. Therefore, the exposure apparatus 100 according to the first embodiment determines each position on the substrate from the position of the first mark in each shot area and the position of the second mark in each shot area obtained in the alignment of the original 3a and the substrate 5a. Find the lattice information of the shot area. Then, the exposure apparatus 100 is based on the amount of deviation of the lattice between the lattice information obtained from the position of the first mark in each shot region and the lattice information obtained from the position of the second mark in each shot region. Correct baseline information. Thereby, since the exposure apparatus 100 of 1st Embodiment can obtain | require the position with respect to the alignment detection part 2 of a 2nd mark accurately, it can align the original 3a and the board | substrate 5a with high precision.

次に、第1実施形態の露光装置100における露光処理について、図3を参照しながら説明する。図3は、第1実施形態の露光装置100における露光処理のフローチャートを示す図である。S101では、制御部8は、基板搬送部(不図示)を制御することにより基板5aを基板ステージ5b上に搭載する。S102では、制御部8は、露光処理を行う対象ショット領域の第1マークがアライメント検出部2によって、対象ショット領域の第2マークがオフアクシス検出部91および92によってそれぞれ検出されるように基板ステージ5bを制御する。このとき、制御部8は、基板上の第1マークに対応する原版上のマークがアライメント検出部2によって検出されるように原版ステージ3bを制御する。S103では、制御部8は、アライメント検出部2に第1マークを、オフアクシス検出部91および92に第2マークをそれぞれ検出させ、第1マークの原版3aに対する位置と第2マークのアライメント検出部2に対する位置とをそれぞれ求める。S104では、制御部8は、S103において求めた第1マークの位置と第2マークの位置とに基づいて原版上のパターン領域31と対象ショット領域とを位置合わせし、原版3aのパターンの対象ショット領域への転写(露光処理)を行う。S105では、制御部8は、基板上に次に露光処理を行うショット領域(次のショット領域)があるか否かを判断する。次のショット領域がある場合はS102に進み、次のショット領域に対して露光処理を行う。一方で、次のショット領域がない場合はS106に進む。   Next, exposure processing in the exposure apparatus 100 of the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a view showing a flowchart of the exposure processing in the exposure apparatus 100 of the first embodiment. In S101, the control unit 8 mounts the substrate 5a on the substrate stage 5b by controlling the substrate transport unit (not shown). In S102, the control unit 8 determines that the first mark of the target shot area to be exposed is detected by the alignment detection unit 2 and the second mark of the target shot area is detected by the off-axis detection units 91 and 92, respectively. 5b is controlled. At this time, the control unit 8 controls the original stage 3 b so that the alignment detection unit 2 detects a mark on the original corresponding to the first mark on the substrate. In S103, the control unit 8 causes the alignment detection unit 2 to detect the first mark and the off-axis detection units 91 and 92 to detect the second mark, and the position of the first mark relative to the original 3a and the second mark alignment detection unit. 2 with respect to each position. In S104, the control unit 8 aligns the pattern area 31 on the original and the target shot area based on the position of the first mark and the position of the second mark obtained in S103, and the target shot of the pattern on the original 3a. Transfer (exposure processing) to the area is performed. In S105, the control unit 8 determines whether or not there is a shot area (next shot area) to be subjected to an exposure process next on the substrate. If there is a next shot area, the process proceeds to S102 and exposure processing is performed on the next shot area. On the other hand, if there is no next shot area, the process proceeds to S106.

S106では、制御部8は、ベースライン情報を新たに取得するか否か、即ち、ベースライン量を再度計測するか否かを判断する。例えば、制御部8は、ジョブの開始時における1枚目の基板に対して露光処理が行われた場合や、1つのロットにおける1枚目の基板に対して露光処理が行われた場合などに、ベースライン情報を新たに取得する。また、制御部8は、ベースライン情報を取得してから露光処理を行った基板の枚数が所定枚数に達した場合や、ベースライン情報を取得してから経過した時間が所定時間に達した場合などに、ベースライン情報を新たに取得してもよい。ベースライン情報を新たに取得する場合はS107に進み、新たに取得しない場合はS108に進む。S107では、制御部8は、上述の方法によってベースライン量を計測し、ベースライン情報を新たに取得する。   In S106, the control unit 8 determines whether or not to newly acquire baseline information, that is, whether or not to measure the baseline amount again. For example, when the exposure process is performed on the first substrate at the start of the job, or when the exposure process is performed on the first substrate in one lot, etc. Get new baseline information. In addition, the control unit 8 is configured when the number of substrates subjected to exposure processing after acquiring the baseline information reaches a predetermined number, or when the time elapsed after acquiring the baseline information reaches a predetermined time. For example, baseline information may be newly acquired. If new baseline information is acquired, the process proceeds to S107, and if not newly acquired, the process proceeds to S108. In S107, the control unit 8 measures the baseline amount by the above-described method, and newly acquires baseline information.

S108では、制御部8は、全てのショット領域に対して露光処理が行われた基板5aにおける各ショット領域の第1マークの位置から、当該基板上における各ショット領域の格子情報を求める。S109では、制御部8は、全てのショット領域に対して露光処理が行われた基板における各ショット領域の第2マークの位置から、当該基板上における各ショット領域の格子情報を求める。S108およびS109によってそれぞれ求められる格子情報は、例えば、基板上における各ショット領域の配置(格子)を示す情報を含みうる。そして、基板上における各ショット領域の配置(格子)は、例えば、シフト成分、倍率成分および回転成分の少なくとも1つを含みうる。   In S108, the control unit 8 obtains lattice information of each shot area on the substrate from the position of the first mark of each shot area on the substrate 5a in which the exposure processing has been performed on all shot areas. In S109, the control unit 8 obtains lattice information of each shot area on the substrate from the position of the second mark of each shot area on the substrate on which exposure processing has been performed on all shot areas. The lattice information obtained by S108 and S109 can include, for example, information indicating the arrangement (lattice) of each shot region on the substrate. The arrangement (lattice) of each shot region on the substrate can include at least one of a shift component, a magnification component, and a rotation component, for example.

例えば、アライメント検出部2による検出結果から求められた、各ショット領域のX方向における第1マークの位置をPasijx、各ショット領域のY方向における第1マークの位置をPasijyとする。そして、各ショット領域における第1マークの位置から求められる格子β1におけるシフト成分(X方向)をX1、シフト成分(Y方向)をY1、倍率成分をM1、回転成分をR1とする。iは基板上におけるショット領域の番号を表し、jは各ショット領域上におけるマークの番号を表している。このとき、各ショット領域の第1マークの位置d1と格子β1との関係は、式(1)によって表される。よって、制御部8は、式(2)を用いて格子β1を求めることができる。ここで、式(1)および式(2)におけるα1は、各ショット領域のマークの目標位置を表す行列である。 For example, P as ijx is the position of the first mark in the X direction of each shot area and P as ijy is the position of the first mark in the Y direction of each shot area, which is obtained from the detection result by the alignment detection unit 2. A shift component (X direction) in the lattice β1 obtained from the position of the first mark in each shot area is X1, a shift component (Y direction) is Y1, a magnification component is M1, and a rotation component is R1. i represents the number of the shot area on the substrate, and j represents the number of the mark on each shot area. At this time, the relationship between the position d1 of the first mark in each shot region and the lattice β1 is expressed by Expression (1). Therefore, the control unit 8 can obtain the lattice β1 using Expression (2). Here, α1 in the expressions (1) and (2) is a matrix representing the target position of the mark in each shot area.

Figure 0006371602
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Figure 0006371602
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また、オフアクシス検出部91および92による検出結果およびベースライン情報から求められた、各ショット領域のX方向における第2マークの位置をPoasijx、各ショット領域のY方向における第2マークの位置をPoasijyとする。そして、各ショット領域における第2マークの位置から求められる格子β2におけるシフト成分(X方向)をX2、シフト成分(Y方向)をY2、倍率成分をM2、回転成分をR2とする。このとき、各ショット領域の第2マークの位置d2と格子β2との関係は、式(3)によって表される。よって、制御部8は、式(4)を用いて格子β2を求めることができる。ここで、式(3)および式(4)におけるα2は、各ショット領域のマークの目標位置を表す行列である。 Further, the position of the second mark in the X direction of each shot area obtained from the detection results and the baseline information by the off-axis detection units 91 and 92 is P oas ijx, and the position of the second mark in the Y direction of each shot area Is P oas ijy. Then, the shift component (X direction) in the lattice β2 obtained from the position of the second mark in each shot area is X2, the shift component (Y direction) is Y2, the magnification component is M2, and the rotation component is R2. At this time, the relationship between the position d2 of the second mark in each shot region and the lattice β2 is expressed by Expression (3). Therefore, the control unit 8 can obtain the lattice β2 using Expression (4). Here, α2 in the equations (3) and (4) is a matrix representing the target position of the mark in each shot area.

Figure 0006371602
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Figure 0006371602
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S110では、制御部8は、各ショット領域の第1マークの位置から求められた格子情報と各ショット領域の第2マークの位置から求められた格子情報との間における格子のずれ量を求める。例えば、制御部8は、第1マークの位置から求められる格子β1と第2マークの位置から求められる格子β2との差を、格子のずれ量として求める。S111では、制御部8は、S110で求められた格子のずれ量を用いて、ベースライン情報を補正する。例えば、制御部8は、ベースライン情報を取得したとき(ベースライン量を計測したとき)における格子のずれ量を取得し、S110で求められた格子のずれ量と、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量との差を求める。このように求められた差が、ベースライン情報を取得したときから格子のずれ量が変動した量(変動量)となる。制御部8は、上述の方法で得られた変動量をベースライン情報に含まれるベースライン量に補正値として加算することによって、ベースライン情報の補正を行う。ここで、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量は、当該情報の取得が行われた基板を用いて求められうる。即ち、当該基板における各ショット領域の第1マークの位置から求められた格子情報と、各ショット領域の第2マークの位置から求められた格子情報との差が、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量となる。S112では、制御部8は、次に露光処理を行う基板(次の基板)があるか否かを判断する。次の基板がある場合はS101に進み、新たな基板が基板ステージ5bに搭載される。一方で、次の基板がない場合は終了する。   In S110, the control unit 8 obtains the amount of lattice shift between the lattice information obtained from the position of the first mark in each shot region and the lattice information obtained from the position of the second mark in each shot region. For example, the control unit 8 obtains the difference between the lattice β1 obtained from the position of the first mark and the lattice β2 obtained from the position of the second mark as the amount of deviation of the lattice. In S111, the control unit 8 corrects the baseline information using the lattice shift amount obtained in S110. For example, when the control unit 8 acquires the baseline deviation information (when the baseline amount is measured), the control unit 8 acquires the lattice deviation amount and the baseline information obtained in S110. Find the difference from the amount of shift of the lattice at. The difference thus obtained is an amount (amount of variation) in which the amount of shift of the lattice has changed since the baseline information was acquired. The control unit 8 corrects the baseline information by adding the fluctuation amount obtained by the above method as a correction value to the baseline amount included in the baseline information. Here, the amount of shift of the lattice when the baseline information is acquired can be obtained using the substrate on which the information is acquired. That is, the difference between the lattice information obtained from the position of the first mark in each shot region on the substrate and the lattice information obtained from the position of the second mark in each shot region is obtained when the baseline information is acquired. This is the amount of shift of the lattice. In S112, the control unit 8 determines whether or not there is a substrate (next substrate) to be subjected to exposure processing next. If there is a next substrate, the process proceeds to S101, and a new substrate is mounted on the substrate stage 5b. On the other hand, if there is no next substrate, the process ends.

上述したように、第1実施形態の露光装置100は、原版3aと基板5aとの位置合わせにおいて得られた各ショット領域の第1マークの位置および第2マークの位置からそれぞれ求められた格子情報に基づいて、ベースライン情報を補正する。これにより、露光装置100は、基板5aに対する露光処理が終了する度にベースライン量を逐次計測する必要が生じないため、スループットが低下することを抑制しつつ、原版3aと基板5aとを高精度に位置合わせを行うことができる。   As described above, the exposure apparatus 100 according to the first embodiment uses the lattice information obtained from the position of the first mark and the position of the second mark in each shot area obtained in the alignment of the original 3a and the substrate 5a. Based on the above, the baseline information is corrected. As a result, the exposure apparatus 100 does not need to sequentially measure the baseline amount every time the exposure process on the substrate 5a is completed, and thus the original plate 3a and the substrate 5a are highly accurately controlled while suppressing a decrease in throughput. Can be aligned.

ここで、制御部8は、例えば、S110で求められた格子のずれ量が閾値以上であったときにベースライン情報の補正を行うように構成されてもよいし、格子のずれ量についての変動量が閾値以上であったときに当該補正を行うように構成されてもよい。また、ベースライン情報は、オフアクシス検出部91および92におけるオフアクシススコープ91a〜92bごとに取得されうる。そのため、制御部8は、オフアクシススコープ91a〜92bごとにベースライン情報を補正してもよい。これにより、原版3aと基板5aとを更に高精度に位置合わせすることができる。   Here, for example, the control unit 8 may be configured to correct the baseline information when the lattice shift amount obtained in S110 is greater than or equal to the threshold value, or may vary the lattice shift amount. The correction may be performed when the amount is equal to or greater than a threshold value. The baseline information can be acquired for each of the off-axis scopes 91a to 92b in the off-axis detection units 91 and 92. Therefore, the control unit 8 may correct the baseline information for each of the off-axis scopes 91a to 92b. Thereby, the original plate 3a and the substrate 5a can be aligned with higher accuracy.

<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等の電子デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment of Method for Manufacturing Article>
The method for manufacturing an article in the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as an electronic device such as a semiconductor device or an element having a fine structure. In the method for manufacturing an article according to the present embodiment, a latent image pattern is formed on the photosensitive agent applied to the substrate using the above-described exposure apparatus (a step of exposing the substrate), and the latent image pattern is formed in this step. Developing the substrate. Further, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like). The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

1:照明光学系、2:アライメント検出部(第1検出部)、3a:原版、3b:原版ステージ、4:投影光学系、5a:基板、5b:基板ステージ、8:制御部、91および92:オフアクシス検出部(第2検出部)、100:露光装置 1: illumination optical system, 2: alignment detection unit (first detection unit), 3a: original plate, 3b: original plate stage, 4: projection optical system, 5a: substrate, 5b: substrate stage, 8: control unit, 91 and 92 : Off-axis detection unit (second detection unit), 100: exposure apparatus

Claims (15)

原版のパターンを投影光学系を介して基板上のショット領域に転写する露光装置であって、
前記ショット領域に設けられた複数のマークのうち、第1マーク群の位置を、前記原版および前記投影光学系を介して検出する第1検出部と、
前記複数のマークのうち、前記第1マーク群とは異なる第2マーク群の位置を、前記投影光学系を介さずに検出する第2検出部と、
前記第1検出部による検出結果、前記第2検出部による検出結果、およびベースライン量に関する情報基づいて前記原版と前記ショット領域との位置合わせを制御する制御部と、
を含み、
前記ベースライン量は、前記第1検出部による基板上の検出位置と前記第2検出部による前記基板上の検出位置との位置関係を示し、
前記制御部は、
前記位置合わせにおいて前記第1検出部で検出された前記第1マーク群に含まれる少なくとも2つの第1マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第1情報を求め、
前記位置合わせにおいて前記第2検出部で検出された前記第2マーク群に含まれる少なくとも2つの第2マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第2情報を求め、
前記第1情報と前記第2情報とに基づいて前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus for transferring an original pattern to a shot area on a substrate via a projection optical system,
A first detection unit that detects a position of a first mark group among the plurality of marks provided in the shot region via the original and the projection optical system;
A second detection unit that detects a position of a second mark group different from the first mark group among the plurality of marks without using the projection optical system ;
The first detection unit detection result by the second detection section detection result by, and on the basis of information about the baseline amount, the control unit for controlling the alignment between the original and the shot area,
Including
The baseline amount indicates a positional relationship between a detection position on the substrate by the first detection unit and a detection position on the substrate by the second detection unit,
The controller is
First information indicating an arrangement of the shot area on the substrate is obtained based on positions of at least two first marks included in the first mark group detected by the first detection unit in the alignment.
Based on the positions of at least two second marks included in the second mark group detected by the second detection unit in the alignment, second information indicating the arrangement of the shot regions on the substrate is obtained.
On the basis of the second information and the first information, to correct the information relating to the baseline amount, the exposure apparatus characterized by.
前記制御部は、前記第1情報と前記第2情報との差分に基づいて前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 Wherein the control unit, wherein the first information based on the difference between the second information, to correct the information relating to the baseline amount, that the exposure apparatus according to claim 1, wherein the. 前記制御部は、前記ベースライン量に関する情報が取得されたときからの前記差分変動量が閾値以上であるときに前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 The said control part correct | amends the information regarding the said baseline amount, when the variation | change_quantity of the said difference from the time when the information regarding the said baseline amount is acquired is more than a threshold value. Exposure equipment. 前記制御部は、前記差分が閾値以上であるときに前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein the control unit corrects information related to the baseline amount when the difference is equal to or greater than a threshold value. 前記第2検出部は、互いに異なる前記第2マーク並行して検出可能な複数のスコープを含み、
前記制御部は、前記第2検出部のスコープごとに前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。
The second detection unit includes a plurality of scopes capable of detecting different second marks in parallel,
5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the control unit corrects information related to the baseline amount for each scope of the second detection unit. 6.
前記ベースライン量は、前記第1検出部による基板上の検出位置と前記第2検出部による基板上の検出位置との距離である、ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の露光装置。   6. The baseline amount according to claim 1, wherein the baseline amount is a distance between a detection position on the substrate by the first detection unit and a detection position on the substrate by the second detection unit. The exposure apparatus according to item. 前記第1情報および前記第2情報はそれぞれ、各ショット領域のシフト成分、倍率成分および回転成分の少なくとも1つを示す情報を含む、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の露光装置。 The first information and the second information each include information indicating at least one of a shift component, a magnification component, and a rotation component of each shot region. The exposure apparatus described in 1. 前記制御部は、前記第1検出部と前記第2検出部とに基板上の同一のマークを検出させ、前記第1検出部で検出された当該同一のマーク位置と前記第2検出部で検出された当該同一のマーク位置との差に基づいて前記ベースライン量に関する情報を事前に取得する、ことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置。 Wherein, the first to detect the same marks on the substrate and the a detector second detector in position and the second detecting portion of the first the same marks detected by the detection unit based on the difference between the detected position of the same mark, the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7 wherein the pre-acquires information about the baseline value, characterized in that. 前記制御部は、前記第1検出部と前記第2検出部とに基板上の同一のマークを検出させ、前記第1検出部で当該同一のマークの位置を検出したときの前記基板の位置と、前記第2検出部で当該同一のマークの位置を検出したときの前記基板の位置との差に基づいて前記ベースライン量に関する情報を事前に取得する、ことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置。 The control unit causes the first detection unit and the second detection unit to detect the same mark on the substrate, and the position of the substrate when the first detection unit detects the position of the same mark. , on the basis of the difference between the position of the substrate when it detects the position of the same mark in the second detector, to obtain information about the base line amount in advance, 1 to claim, characterized in that The exposure apparatus according to any one of 7. 前記制御部は、前記基板に対する前記原版のパターンの転写処理を開始する前に、前記ベースライン量に関する情報を取得する、ことを特徴とする請求項8又は9に記載の露光装置。10. The exposure apparatus according to claim 8, wherein the control unit acquires information on the baseline amount before starting the transfer process of the pattern of the original on the substrate. 前記制御部は、前記基板上の複数のショット領域の各々について前記第1検出部で検出された前記少なくとも2つの第1マークの位置に基づいて前記第1情報を求め、前記複数のショット領域の各々について前記第2検出部で検出された前記少なくとも2つの第2マークの位置に基づいて前記第2情報を求める、ことを特徴とする請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の露光装置。The control unit obtains the first information based on positions of the at least two first marks detected by the first detection unit for each of a plurality of shot regions on the substrate, and 11. The exposure according to claim 1, wherein the second information is obtained based on positions of the at least two second marks detected by the second detection unit for each. 11. apparatus. 前記第1検出部および前記第2検出部は、前記第1検出部による前記第1マークの位置の検出と前記第2検出部による前記第2マークの位置の検出とを並行して行うことができるように配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の露光装置。The first detection unit and the second detection unit may perform the detection of the position of the first mark by the first detection unit and the detection of the position of the second mark by the second detection unit in parallel. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is arranged so as to be able to perform. 前記第2検出部は、前記投影光学系と前記基板との間に配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至12のうちいずれか1項に記載の露光装置。 The second detection unit, an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 12, characterized in that is disposed between the substrate and the projection optical system. 請求項1乃至13のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
A step of exposing a substrate using an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 13,
Developing the substrate exposed in the step;
A method for producing an article comprising:
原版のパターンを投影光学系を介して基板上のショット領域に転写する露光装置における露光方法であって、
前記露光装置は、
前記ショット領域に設けられた複数のマークのうち、第1マーク群の位置を、前記原版および前記投影光学系を介して検出する第1検出と、
前記複数のマークのうち、前記第1マーク群とは異なる第2マーク群の位置を、前記投影光学系を介さずに検出する第2検出部と、を含み、
前記露光方法は、
前記第1検出部による基板上の検出位置と前記第2検出部による前記基板上の検出位置との位置関係を示すベースライン量に関する情報を取得する取得工程と、
前記第1検出部による検出結果、前記第2検出部による検出結果、およびベースライン量に関する情報基づいて、前記原版と前記ショット領域との位置合わせを行い、前記原版のパターンを前記ショット領域に転写する転写工程と、
前記転写工程において前記第1検出部で検出された前記第1マーク群に含まれる少なくとも2つの第1マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第1情報を生成する第1生成工程と、
前記転写工程において前記第2検出部で検出された前記第2マーク群に含まれる少なくとも2つの第2マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第2情報を生成する第2生成工程と、
前記第1情報と前記第2情報とに基づいて、前記ベースライン量に関する情報を補正する補正工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
An exposure method in an exposure apparatus that transfers a pattern of an original to a shot area on a substrate via a projection optical system,
The exposure apparatus includes:
A first detection unit that detects a position of a first mark group among the plurality of marks provided in the shot region via the original and the projection optical system;
A second detection unit that detects a position of a second mark group different from the first mark group among the plurality of marks without using the projection optical system ;
The exposure method is:
An acquisition step of acquiring information on a baseline amount indicating a positional relationship between a detection position on the substrate by the first detection unit and a detection position on the substrate by the second detection unit;
The first detection unit detecting result by the second detection section detection result by, and on the basis of information about the baseline amount, have rows aligned between the master and the shot area, the shot area pattern of the original A transfer process for transferring to
Based on the positions of at least two first marks included in the first mark group detected by the first detection unit in the transfer step, first information indicating the arrangement of the shot areas on the substrate is generated. A first generation step;
Based on the positions of at least two second marks included in the second mark group detected by the second detection unit in the transfer step, second information indicating the arrangement of the shot areas on the substrate is generated. A second generation step;
A correction step of correcting information related to the baseline amount based on the first information and the second information ;
An exposure method comprising :
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