JP2016009767A - Exposure device and method of manufacturing article - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide technique that is advantageous to alignment between an original edition and a substrate.SOLUTION: An exposure device for transferring a pattern of an original edition to each of plural shot regions on a substrate through a projection optical system has a first detector for detecting a first mark formed in each shot region on the substrate through the projection optical system, a second detector for detecting a second mark formed in each shot region on the substrate, and a controller for performing the alignment between the original edition and each shot region on the basis of the position of the first mark with respect to the original edition which is determined from a detection result of the first detector, information on a base line amount representing the position relationship between the first detector and the second detector, and the position of the second mark with respect to the first detector which is determined from a detection result of the second detector. The controller corrects the information on the basis of lattice information of each shot region on the substrate which is determined from the position of the first mark of each shot region and the position of the second mark of each shot region.

Description

本発明は、露光装置、および物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus and a method for manufacturing an article.

液晶パネルや有機ＥＬパネル等のフラットパネルや、半導体デバイスの製造には、マスクなどの原版のパターンを、レジストが塗布されたガラスプレートやウェハなどの基板に転写する露光装置が用いられる。このような露光装置では、原版のパターン領域と基板上のショット領域とを高精度に位置合わせすることが重要である。   For manufacturing a flat panel such as a liquid crystal panel or an organic EL panel or a semiconductor device, an exposure apparatus that transfers an original pattern such as a mask to a substrate such as a glass plate or a wafer coated with a resist is used. In such an exposure apparatus, it is important to align the pattern area of the original plate and the shot area on the substrate with high accuracy.

特許文献１には、オフアクシス方式の検出部を用いて基板上に形成された複数のマークを検出し、その検出結果およびベースライン量を用いて原版と基板との位置合わせを行う方法が提案されている。特許文献１において、ベースライン量は、投影光学系の光軸とオフアクシス方式の検出部の光軸との間の距離として定義されており、投影光学系に生じる熱の影響などによって時間の経過とともに変化しうる。そのため、特許文献１では、ベースライン量の経時的な変動を表す関数を用いて、次に露光を行う際のベースライン量を推定している。   Patent Document 1 proposes a method of detecting a plurality of marks formed on a substrate using an off-axis detection unit, and aligning the original and the substrate using the detection result and the baseline amount. Has been. In Patent Document 1, the baseline amount is defined as the distance between the optical axis of the projection optical system and the optical axis of the off-axis detection unit, and the time elapses due to the influence of heat generated in the projection optical system. It can change with. Therefore, in Patent Document 1, a baseline amount for the next exposure is estimated using a function that represents a change in baseline amount over time.

特開２００３−１７３９９号公報JP 2003-17399 A

特許文献１に記載されている露光装置では、関数を用いてベースライン量を推定しているに過ぎない。そのため、意図しない外乱が生じた場合に、原版と基板とを高精度に位置合わせすることが不十分になりうる。また、特許文献１には、原版と基板との位置合わせの際に、ＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）方式の検出部とオフアクシス方式の検出部とを併用して、基板上の各ショット領域に設けられた複数のマークを検出することについては記載されていない。   In the exposure apparatus described in Patent Document 1, the baseline amount is merely estimated using a function. Therefore, when an unintended disturbance occurs, it may be insufficient to align the original and the substrate with high accuracy. Further, in Patent Document 1, a TTL (Through The Lens) type detection unit and an off-axis type detection unit are used in combination for alignment between the original plate and the substrate in each shot area on the substrate. There is no description about detecting a plurality of marks.

そこで、本発明は、原版と基板とを高精度に位置合わせする上で有利な技術を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a technique advantageous in aligning an original and a substrate with high accuracy.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、原版のパターンを投影光学系を介して基板上における複数のショット領域の各々に転写する露光装置であって、前記基板上の各ショット領域に形成された第１マークを前記投影光学系を介して検出する第１検出部と、前記第１検出部による前記第１マークの検出と並行して、前記基板上の各ショット領域に形成された第２マークを検出する第２検出部と、前記第１検出部による検出結果から求められる前記第１マークの前記原版に対する位置と、前記第１検出部と前記第２検出部との位置関係を表すベースライン量に関する情報および前記第２検出部による検出結果から求められる前記第２マークの前記第１検出部に対する位置とに基づいて前記原版と各ショット領域とを位置合わせし、前記転写を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記位置合わせにおいて得られた各ショット領域の前記第１マークの位置および各ショット領域の前記第２マークの位置からそれぞれ求められた前記基板上における各ショット領域の格子情報に基づいて前記情報を補正する、ことを特徴とする。   In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to one aspect of the present invention is an exposure apparatus that transfers a pattern of an original to each of a plurality of shot areas on a substrate via a projection optical system, A first detection unit that detects the first mark formed in each shot region via the projection optical system, and each shot on the substrate in parallel with the detection of the first mark by the first detection unit. A second detector for detecting a second mark formed in the region; a position of the first mark obtained from a detection result by the first detector with respect to the original; the first detector; and the second detector. And the position of the original plate and each shot area based on the information on the baseline amount representing the positional relationship between the second mark and the position of the second mark obtained from the detection result of the second detection unit with respect to the first detection unit. And a controller for controlling the transfer, the controller from the position of the first mark of each shot area and the position of the second mark of each shot area obtained in the alignment, respectively. The information is corrected based on the obtained lattice information of each shot area on the substrate.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、原版と基板とを高精度に位置合わせする上で有利な技術を提供することができる。   According to the present invention, for example, a technique advantageous in aligning an original plate and a substrate with high accuracy can be provided.

第１実施形態の露光装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the exposure apparatus of 1st Embodiment. アライメント検出部とオフアクシス検出部との位置関係、原版におけるマークの位置、および基板におけるマークの位置を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of an alignment detection part and an off-axis detection part, the position of the mark in an original, and the position of the mark in a board | substrate. 第１実施形態の露光装置における露光処理のフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart of the exposure process in the exposure apparatus of 1st Embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member thru | or element, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の露光装置１００における装置構成と位置合わせ方法について説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１００の構成を示す概略図である。第１実施形態の露光装置１００は、原版３ａのパターンを投影光学系４を介して基板上における複数のショット領域の各々に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。露光装置１００は、例えば、照明光学系１と、アライメント検出部２（第１検出部）と、マスクステージ３ｂと、投影光学系４と、オフアクシス検出部９１および９２（第２検出部）と、基板ステージ５ｂと、定盤６と、制御部８とを含みうる。制御部８は、例えばＣＰＵやメモリなどを有し、露光装置１００の各部を制御する（基板５ａの露光処理を制御する）。 <First Embodiment>
An apparatus configuration and an alignment method in the exposure apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an exposure apparatus 100 according to the first embodiment. The exposure apparatus 100 according to the first embodiment is a step-and-scan exposure apparatus that transfers a pattern of an original 3a to each of a plurality of shot areas on a substrate via a projection optical system 4. The exposure apparatus 100 includes, for example, an illumination optical system 1, an alignment detection unit 2 (first detection unit), a mask stage 3b, a projection optical system 4, and off-axis detection units 91 and 92 (second detection unit). The substrate stage 5b, the surface plate 6, and the control unit 8 can be included. The control unit 8 includes, for example, a CPU and a memory, and controls each unit of the exposure apparatus 100 (controls the exposure processing of the substrate 5a).

光源（不図示）から射出された光は、照明光学系１に入射し、例えばＸ方向に長い帯状または円弧状の露光領域を原版３ａ（マスク）上に形成する。原版３ａおよび基板５ａ（例えばガラスプレート）は、原版ステージ３ｂおよび基板ステージ５ｂによってそれぞれ保持されており、投影光学系４を介して光学系にほぼ共役な位置（投影光学系４の物体面および像面）に配置される。投影光学系４は、例えば、複数のミラーによって構成されたミラープロジェクション方式の投影光学系であり、所定の投影倍率（例えば１倍や１／２倍）を有し、原版３ａに形成されたパターンを基板５ａに投影する。原版ステージ３ｂおよび基板ステージ５ｂは、投影光学系４の光軸方向（Ｚ方向）に直交する方向（第１実施形態ではＹ方向）に、互いに同期しながら、投影光学系４の投影倍率に応じた速度比で走査する。これにより、原版３ａに形成されたパターンを、基板上におけるショット領域に転写することができる。そして、このような走査露光を、基板ステージ５ｂをステップ移動させながら、基板上における複数のショット領域の各々について順次繰り返すことにより、１枚の基板５ａにおける露光処理を完了することができる。   Light emitted from a light source (not shown) enters the illumination optical system 1, and forms, for example, a strip-shaped or arc-shaped exposure region long in the X direction on the original 3a (mask). The original 3a and the substrate 5a (for example, a glass plate) are held by the original stage 3b and the substrate stage 5b, respectively, and are positioned almost conjugate to the optical system via the projection optical system 4 (object plane and image of the projection optical system 4). Surface). The projection optical system 4 is, for example, a mirror projection type projection optical system constituted by a plurality of mirrors, has a predetermined projection magnification (for example, 1 × or 1/2 ×), and is a pattern formed on the original 3a. Is projected onto the substrate 5a. The original stage 3b and the substrate stage 5b correspond to the projection magnification of the projection optical system 4 while being synchronized with each other in a direction (Y direction in the first embodiment) orthogonal to the optical axis direction (Z direction) of the projection optical system 4. Scan at a different speed ratio. Thereby, the pattern formed on the original 3a can be transferred to the shot area on the substrate. Such scanning exposure is sequentially repeated for each of a plurality of shot areas on the substrate while stepping the substrate stage 5b, whereby the exposure processing on one substrate 5a can be completed.

このように基板上の各ショット領域に原版３ａのパターンを転写する際には、パターンが形成された原版３ａの領域（パターン領域３１）と当該ショット領域とのアライメント（位置合わせ）が行われる。第１実施形態の露光装置１００は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１および９２とを併用することによって各ショット領域に設けられた複数のマークの検出を行う。これにより、アライメント検出部２のみを用いて複数のマークの検出を行っていた従来の露光装置に比べて、スループットを向上させることができる。   In this way, when the pattern of the original 3a is transferred to each shot area on the substrate, alignment (positioning) between the area of the original 3a (pattern area 31) on which the pattern is formed and the shot area is performed. The exposure apparatus 100 of the first embodiment detects a plurality of marks provided in each shot area by using the alignment detection unit 2 and off-axis detection units 91 and 92 in combination. Thereby, the throughput can be improved as compared with the conventional exposure apparatus in which a plurality of marks are detected using only the alignment detection unit 2.

アライメント検出部２は、照明光学系１と原版３ａ（原版ステージ３ｂ）との間に配置されており、少なくとも１つのアライメントスコープを含みうる。第１実施形態のアライメント検出部２は、２つのアライメントスコープ２ａおよび２ｂを含む。そして、アライメント検出部２は、基板上の各ショット領域に設けられたマークを、アライメントスコープ２ａおよび２ｂによって原版３ａに設けられたマークと投影光学系４とを介して検出する。これにより、制御部８は、アライメント検出部２による検出結果に基づいて、ショット領域に設けられたマークの原版３ａに対する位置を求めることができる。ここで、アライメント検出部２は、基板５ａを露光する際に用いられる光とは波長の異なる光（非露光光）を用いてマークを検出するように構成されるとよい。また、アライメント検出部２によって検出される基板上のマークを、以下では第１マークと称する
オフアクシス検出部９１および９２は、投影光学系４と基板５ａ（基板ステージ５ｂ）との間に配置されており、少なくとも１つのオフアクシススコープをそれぞれ含みうる。第１実施形態のオフアクシス検出部９１は、オフアクシススコープ９１ａおよび９１ｂを含み、オフアクシス検出部９２は、オフアクシススコープ９２ａおよび９２ｂを含む。そして、オフアクシス検出部９１および９２は、基板上に設けられたマークを、オフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂによって原版３ａに設けられたマークと投影光学系４とを介さずに検出する。これにより、制御部８は、オフアクシス検出部９１および９２による検出結果とベースライン量に関する情報（ベースライン情報）とに基づいて、ショット領域に設けられたマークのアライメント検出部２に対する位置を求めることができる。ベースライン量は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１または９２との位置関係を表し、例えば、アライメント検出部２による基板上の検出位置とオフアクシス検出部９１または９２による基板上の検出位置との距離を示す。ここで、オフアクシス検出部９１および９２は、基板５ａを露光する際に用いられる光とは波長の異なる光（非露光光）を用いてマークを検出するように構成されるとよい。また、オフアクシス検出部９１および９２によって検出される基板上のマークを以下では第２マークと称し、ベースライン量に関する情報をベースライン情報と称する。 The alignment detection unit 2 is disposed between the illumination optical system 1 and the original 3a (original stage 3b), and may include at least one alignment scope. The alignment detection unit 2 of the first embodiment includes two alignment scopes 2a and 2b. Then, the alignment detection unit 2 detects the mark provided in each shot area on the substrate via the alignment optical 2a and 2b and the mark provided on the original 3a and the projection optical system 4. Accordingly, the control unit 8 can obtain the position of the mark provided in the shot area with respect to the original 3a based on the detection result by the alignment detection unit 2. Here, the alignment detection unit 2 may be configured to detect the mark using light (non-exposure light) having a wavelength different from that of the light used when exposing the substrate 5a. A mark on the substrate detected by the alignment detection unit 2 is hereinafter referred to as a first mark. The off-axis detection units 91 and 92 are disposed between the projection optical system 4 and the substrate 5a (substrate stage 5b). Each of which may include at least one off-axis scope. The off-axis detection unit 91 of the first embodiment includes off-axis scopes 91a and 91b, and the off-axis detection unit 92 includes off-axis scopes 92a and 92b. The off-axis detection units 91 and 92 detect the marks provided on the substrate without using the marks provided on the original 3a and the projection optical system 4 by the off-axis scopes 91a to 92b. Thereby, the control unit 8 obtains the position of the mark provided in the shot area with respect to the alignment detection unit 2 based on the detection results by the off-axis detection units 91 and 92 and the information on the baseline amount (baseline information). be able to. The baseline amount represents the positional relationship between the alignment detection unit 2 and the off-axis detection unit 91 or 92. For example, the detection position on the substrate by the alignment detection unit 2 and the detection position on the substrate by the off-axis detection unit 91 or 92 And the distance. Here, the off-axis detection units 91 and 92 may be configured to detect marks using light (non-exposure light) having a wavelength different from that of light used when exposing the substrate 5a. In addition, a mark on the substrate detected by the off-axis detection units 91 and 92 is hereinafter referred to as a second mark, and information regarding the baseline amount is referred to as baseline information.

例えば、図２に示すように、原版３ａおよび基板５ａの各ショット領域に６つのマークがそれぞれ設けられている場合を想定する。図２は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１および９２との位置関係、原版３ａにおけるマークの位置、および基板５ａにおけるマークの位置を示す図である。図２（ａ）は、アライメント検出部２におけるアライメントスコープ２ａおよび２ｂと、オフアクシス検出部９１および９２におけるオフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂとの位置関係を示す図である。図２（ｂ）は、原版上に配置されたマークの位置を示す図であり、図２（ｃ）は、基板上に配置されたマークの位置を示す図である。原版３ａは、図２（ｂ）に示すように、基板上の各ショット領域に転写するためのパターンが形成された領域（パターン領域３１）を含み、パターン領域３１に対して６つのマーク３１１〜３１６が設けられているものとする。基板５ａは、図２（ｃ）に示すように、４つのショット領域５１〜５４を含み、原版３ａに設けられた６つのマークに対応するように各ショット領域５１〜５４に対して６つのマークが設けられているものとする。ショット領域５１に対してはマーク５１１〜５１６が、ショット領域５２に対してはマーク５２１〜５２６が、ショット領域５３に対してはマーク５３１〜５３６が、およびショット領域５４に対してはマーク５４１〜５４６が設けられているものとする。また、アライメント検出部２は２つのアライメントスコープ２ａおよび２ｂを含み、オフアクシス検出部９１および９２はそれぞれ２つのオフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂを含むものとする。そして、各アライメントスコープおよび各オフアクシススコープは、基板上における１つのショット領域に設けられた複数のマークのうち互いに異なるマークをそれぞれ並行して検出できるように配置されている。   For example, as shown in FIG. 2, it is assumed that six marks are provided in each shot area of the original 3a and the substrate 5a. FIG. 2 is a diagram illustrating a positional relationship between the alignment detection unit 2 and the off-axis detection units 91 and 92, a mark position on the original 3a, and a mark position on the substrate 5a. FIG. 2A is a diagram illustrating a positional relationship between the alignment scopes 2a and 2b in the alignment detection unit 2 and the off-axis scopes 91a to 92b in the off-axis detection units 91 and 92. FIG. 2B is a diagram showing the positions of the marks arranged on the original plate, and FIG. 2C is a diagram showing the positions of the marks arranged on the substrate. As shown in FIG. 2B, the original plate 3 a includes a region (pattern region 31) on which a pattern to be transferred to each shot region on the substrate is formed. It is assumed that 316 is provided. As shown in FIG. 2C, the substrate 5a includes four shot areas 51 to 54, and six marks for each of the shot areas 51 to 54 so as to correspond to the six marks provided on the original 3a. Is provided. Marks 511 to 516 for the shot area 51, marks 521 to 526 for the shot area 52, marks 531 to 536 for the shot area 53, and marks 541 to 536 for the shot area 54 546 is provided. The alignment detection unit 2 includes two alignment scopes 2a and 2b, and the off-axis detection units 91 and 92 include two off-axis scopes 91a to 92b, respectively. Each alignment scope and each off-axis scope are arranged so that different marks among a plurality of marks provided in one shot area on the substrate can be detected in parallel.

この場合、アライメント検出部２における各アライメントスコープ２ａおよび２ｂは、原版上のマークと投影光学系４とを介して各ショット領域の第１マークを検出する。例えば、アライメントスコープ２ａは、ショット領域５１の第１マーク５１２を原版上のマーク３１２と投影光学系４とを介して検出する。また、アライメントスコープ２ｂは、ショット領域５１の第１マーク５１５を原版上のマーク３１５と投影光学系４とを介して検出する。これにより、制御部８は、アライメント検出部２による検出結果に基づいて、第１マーク５１２および５１５の原版３ａに対する位置を求めることができる。一方で、オフアクシス検出部９１および９２における各オフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂは、原版上のマークと投影光学系４を介さずに各ショット領域の第２マークを検出する。例えば、オフアクシススコープ９１ａはショット領域５１のマーク５１３を、オフアクシススコープ９１ｂはショット領域５１のマーク５１６をそれぞれ検出する。また、オフアクシススコープ９２ａはショット領域５１のマーク５１１を、オフアクシススコープ９２ｂはショット領域５１のマーク５１４をそれぞれ検出する。これにより、制御部８は、オフアクシス検出部９１および９２による検出結果とベースライン情報とに基づいて、第２マークのアライメント検出部２に対する位置を求めることができる。   In this case, the alignment scopes 2 a and 2 b in the alignment detection unit 2 detect the first mark in each shot area via the mark on the original plate and the projection optical system 4. For example, the alignment scope 2 a detects the first mark 512 in the shot area 51 via the mark 312 on the original plate and the projection optical system 4. Further, the alignment scope 2 b detects the first mark 515 in the shot area 51 via the mark 315 on the original plate and the projection optical system 4. Accordingly, the control unit 8 can obtain the positions of the first marks 512 and 515 relative to the original 3a based on the detection result by the alignment detection unit 2. On the other hand, each of the off-axis scopes 91 a to 92 b in the off-axis detection units 91 and 92 detects the second mark in each shot area without using the mark on the original plate and the projection optical system 4. For example, the off-axis scope 91a detects the mark 513 in the shot area 51, and the off-axis scope 91b detects the mark 516 in the shot area 51. The off-axis scope 92a detects the mark 511 in the shot area 51, and the off-axis scope 92b detects the mark 514 in the shot area 51. Accordingly, the control unit 8 can obtain the position of the second mark with respect to the alignment detection unit 2 based on the detection results by the off-axis detection units 91 and 92 and the baseline information.

制御部８は、アライメント検出部２による検出結果から求めた第１マークの位置とオフアクシス検出部９１および９２による検出結果から求めた第２マークの位置とに基づいて原版上のパターン領域３１と基板上のショット領域とを位置合わせし走査露光を行う。このとき、制御部８は、例えば、原版上のマークとショット領域上のマークとが互いに重なり合うように走査露光を行う。走査露光においては、例えば、原版ステージ３ｂや基板ステージ５ｂの移動速度、投影光学系４の投影倍率などが制御部８によって制御されうる。この工程を各ショット領域について行うことにより、基板上に形成された複数のショット領域の各々に原版３ａのパターンを転写することができる。   Based on the position of the first mark obtained from the detection result by the alignment detection unit 2 and the position of the second mark obtained from the detection result by the off-axis detection units 91 and 92, the control unit 8 Scanning exposure is performed by aligning the shot area on the substrate. At this time, for example, the control unit 8 performs scanning exposure so that the mark on the original plate and the mark on the shot area overlap each other. In the scanning exposure, for example, the moving speed of the original stage 3b and the substrate stage 5b, the projection magnification of the projection optical system 4, and the like can be controlled by the control unit 8. By performing this process for each shot region, the pattern of the original 3a can be transferred to each of a plurality of shot regions formed on the substrate.

ここで、ベースライン情報を取得する方法（ベースライン量を計測する方法）について説明する。制御部８は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１および９２とに基板上の同一のマークを検出させる。そして、制御部８は、アライメント検出部２による検出結果から求められる当該同一のマークの基板上における位置と、オフアクシス検出部９１および９２による検出結果から求められる当該同一のマークの基板上における位置との差を求める。このように求められた当該差がベースライン量となるため、制御部８は、当該差によってベースライン情報を取得することができる。例えば、制御部８は、アライメント検出部２に第１マーク（マーク５１２および５１５）を検出させ、第１マークの基板上における位置を求める。また、制御部８は、基板ステージ５ｂを移動させた後、オフアクシス検出部９１に当該第１マークを検出させ、第１マークの基板上における位置を求める。この場合、アライメント検出部２による検出結果およびオフアライメント検出部９１による検出結果からそれぞれ求められた第１マークの基板上における位置の差がベースライン量となる。   Here, a method of acquiring baseline information (a method of measuring a baseline amount) will be described. The control unit 8 causes the alignment detection unit 2 and the off-axis detection units 91 and 92 to detect the same mark on the substrate. Then, the control unit 8 determines the position of the same mark obtained from the detection result by the alignment detection unit 2 on the substrate and the position of the same mark obtained from the detection result by the off-axis detection units 91 and 92 on the substrate. Find the difference between Since the difference thus obtained becomes the baseline amount, the control unit 8 can acquire the baseline information based on the difference. For example, the control unit 8 causes the alignment detection unit 2 to detect the first mark (marks 512 and 515) and obtains the position of the first mark on the substrate. Further, after moving the substrate stage 5b, the control unit 8 causes the off-axis detection unit 91 to detect the first mark and obtains the position of the first mark on the substrate. In this case, the difference in position on the substrate of the first mark obtained from the detection result by the alignment detection unit 2 and the detection result by the off-alignment detection unit 91 is the baseline amount.

また、制御部８は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１および９２とに基板上の同一のマークを検出させた際における基板５ａの移動量（基板ステージ５ｂの移動量）をベースライン量とすることもできる。例えば、制御部８は、アライメント検出部２（アライメントスコープ２ａおよび２ｂ）の視野の中心に第１マークが配置されるように基板ステージ５ｂを制御する。そして、制御部８は、オフアクシス検出部９１（オフアクシススコープ９１ａおよび９１ｂ）の視野の中心に当該第１マークが配置されるように基板ステージ５ｂを制御する。この際における基板５ａの移動量（基板ステージ５ｂの移動量）がベースライン量となるため、制御部８は、当該移動量によってベースライン情報を取得することができる。   Further, the control unit 8 sets the amount of movement of the substrate 5a (the amount of movement of the substrate stage 5b) when the alignment detection unit 2 and the off-axis detection units 91 and 92 detect the same mark on the substrate as the baseline amount. It can also be. For example, the control unit 8 controls the substrate stage 5b so that the first mark is arranged at the center of the visual field of the alignment detection unit 2 (alignment scopes 2a and 2b). Then, the control unit 8 controls the substrate stage 5b so that the first mark is arranged at the center of the field of view of the off-axis detection unit 91 (off-axis scopes 91a and 91b). Since the amount of movement of the substrate 5a (the amount of movement of the substrate stage 5b) at this time is the baseline amount, the control unit 8 can acquire baseline information based on the amount of movement.

このように構成された露光装置１００では、アライメント検出部２による基板上の第１マークの検出とオフアクシス検出部９１および９２による基板上の第２マークの検出とが並行に行われる。このとき、アライメント検出部２は原版３ａのマークと投影光学系４とを介して基板上の第１マークを検出するため、制御部８は、第１マークの原版３ａに対する位置を求めることができる。一方で、オフアクシス検出部９１および９２は原版３ａのマークと投影光学系４とを介さずに基板上の第２マークを検出するが、制御部８は、ベースライン情報を用いることにより第２マークのアライメント検出部２に対する位置を求めることができる。これにより、露光装置１００は、原版上のパターン領域３１と基板上の各ショット領域とを高精度に位置合わせすることができるとともに、アライメント検出部２で基板上の全てのマークを検出する場合と比べてスループットを向上させることができる。   In the exposure apparatus 100 configured in this way, the detection of the first mark on the substrate by the alignment detection unit 2 and the detection of the second mark on the substrate by the off-axis detection units 91 and 92 are performed in parallel. At this time, since the alignment detection unit 2 detects the first mark on the substrate via the mark of the original 3a and the projection optical system 4, the control unit 8 can obtain the position of the first mark with respect to the original 3a. . On the other hand, the off-axis detection units 91 and 92 detect the second mark on the substrate without passing through the mark on the original 3a and the projection optical system 4, but the control unit 8 uses the baseline information to detect the second mark. The position of the mark with respect to the alignment detection unit 2 can be obtained. As a result, the exposure apparatus 100 can align the pattern area 31 on the original plate and each shot area on the substrate with high accuracy, and the alignment detection unit 2 detects all marks on the substrate. Compared with this, throughput can be improved.

しかしながら、このような露光装置１００では、投影光学系４に生じる熱やオフアクシス検出部と投影光学系との相対位置のずれなどの影響によってベースライン量が変動することがある。このようにベースライン量の変動が生じてしまうと、オフアクシス検出部による検出結果およびベースライン情報に基づいて求められた基板上の第２マークの位置に誤差が含まれうる。その結果、原版３ａと基板５ａとの位置合わせ精度（アライメント精度）が低下してしまうこととなる。また、基板５ａに対する露光処理が終了する度に、上述の方法でベースライン量を逐次計測したのではスループットが低下してしまうため好ましくない。そこで、第１実施形態の露光装置１００は、原版３ａと基板５ａとの位置合わせにおいて得られた各ショット領域の第１マークの位置および各ショット領域の第２マークの位置から、基板上における各ショット領域の格子情報を求める。そして、露光装置１００は、各ショット領域の第１マークの位置から求められた格子情報と各ショット領域の第２マークの位置から求められた格子情報との間における格子のずれ量に基づいて、ベースライン情報を補正する。これにより、第１実施形態の露光装置１００は、第２マークのアライメント検出部２に対する位置を精度よく求めることができるため、原版３ａと基板５ａとの位置合わせを高精度に行うことができる。   However, in such an exposure apparatus 100, the baseline amount may fluctuate due to the influence of heat generated in the projection optical system 4 or a relative position shift between the off-axis detection unit and the projection optical system. When the baseline amount fluctuates as described above, an error may be included in the position of the second mark on the substrate obtained based on the detection result by the off-axis detection unit and the baseline information. As a result, the alignment accuracy (alignment accuracy) between the original 3a and the substrate 5a is lowered. In addition, it is not preferable that the baseline amount is sequentially measured by the above-described method every time the exposure processing on the substrate 5a is completed, because the throughput decreases. Therefore, the exposure apparatus 100 according to the first embodiment determines each position on the substrate from the position of the first mark in each shot area and the position of the second mark in each shot area obtained in the alignment of the original 3a and the substrate 5a. Find the lattice information of the shot area. Then, the exposure apparatus 100 is based on the amount of deviation of the lattice between the lattice information obtained from the position of the first mark in each shot region and the lattice information obtained from the position of the second mark in each shot region. Correct baseline information. Thereby, since the exposure apparatus 100 of 1st Embodiment can obtain | require the position with respect to the alignment detection part 2 of a 2nd mark accurately, it can align the original 3a and the board | substrate 5a with high precision.

次に、第１実施形態の露光装置１００における露光処理について、図３を参照しながら説明する。図３は、第１実施形態の露光装置１００における露光処理のフローチャートを示す図である。Ｓ１０１では、制御部８は、基板搬送部（不図示）を制御することにより基板５ａを基板ステージ５ｂ上に搭載する。Ｓ１０２では、制御部８は、露光処理を行う対象ショット領域の第１マークがアライメント検出部２によって、対象ショット領域の第２マークがオフアクシス検出部９１および９２によってそれぞれ検出されるように基板ステージ５ｂを制御する。このとき、制御部８は、基板上の第１マークに対応する原版上のマークがアライメント検出部２によって検出されるように原版ステージ３ｂを制御する。Ｓ１０３では、制御部８は、アライメント検出部２に第１マークを、オフアクシス検出部９１および９２に第２マークをそれぞれ検出させ、第１マークの原版３ａに対する位置と第２マークのアライメント検出部２に対する位置とをそれぞれ求める。Ｓ１０４では、制御部８は、Ｓ１０３において求めた第１マークの位置と第２マークの位置とに基づいて原版上のパターン領域３１と対象ショット領域とを位置合わせし、原版３ａのパターンの対象ショット領域への転写（露光処理）を行う。Ｓ１０５では、制御部８は、基板上に次に露光処理を行うショット領域（次のショット領域）があるか否かを判断する。次のショット領域がある場合はＳ１０２に進み、次のショット領域に対して露光処理を行う。一方で、次のショット領域がない場合はＳ１０６に進む。   Next, exposure processing in the exposure apparatus 100 of the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a view showing a flowchart of the exposure processing in the exposure apparatus 100 of the first embodiment. In S101, the control unit 8 mounts the substrate 5a on the substrate stage 5b by controlling the substrate transport unit (not shown). In S102, the control unit 8 determines that the first mark of the target shot area to be exposed is detected by the alignment detection unit 2 and the second mark of the target shot area is detected by the off-axis detection units 91 and 92, respectively. 5b is controlled. At this time, the control unit 8 controls the original stage 3 b so that the alignment detection unit 2 detects a mark on the original corresponding to the first mark on the substrate. In S103, the control unit 8 causes the alignment detection unit 2 to detect the first mark and the off-axis detection units 91 and 92 to detect the second mark, and the position of the first mark relative to the original 3a and the second mark alignment detection unit. 2 with respect to each position. In S104, the control unit 8 aligns the pattern area 31 on the original and the target shot area based on the position of the first mark and the position of the second mark obtained in S103, and the target shot of the pattern on the original 3a. Transfer (exposure processing) to the area is performed. In S105, the control unit 8 determines whether or not there is a shot area (next shot area) to be subjected to an exposure process next on the substrate. If there is a next shot area, the process proceeds to S102 and exposure processing is performed on the next shot area. On the other hand, if there is no next shot area, the process proceeds to S106.

Ｓ１０６では、制御部８は、ベースライン情報を新たに取得するか否か、即ち、ベースライン量を再度計測するか否かを判断する。例えば、制御部８は、ジョブの開始時における１枚目の基板に対して露光処理が行われた場合や、１つのロットにおける１枚目の基板に対して露光処理が行われた場合などに、ベースライン情報を新たに取得する。また、制御部８は、ベースライン情報を取得してから露光処理を行った基板の枚数が所定枚数に達した場合や、ベースライン情報を取得してから経過した時間が所定時間に達した場合などに、ベースライン情報を新たに取得してもよい。ベースライン情報を新たに取得する場合はＳ１０７に進み、新たに取得しない場合はＳ１０８に進む。Ｓ１０７では、制御部８は、上述の方法によってベースライン量を計測し、ベースライン情報を新たに取得する。   In S106, the control unit 8 determines whether or not to newly acquire baseline information, that is, whether or not to measure the baseline amount again. For example, when the exposure process is performed on the first substrate at the start of the job, or when the exposure process is performed on the first substrate in one lot, etc. Get new baseline information. In addition, the control unit 8 is configured when the number of substrates subjected to exposure processing after acquiring the baseline information reaches a predetermined number, or when the time elapsed after acquiring the baseline information reaches a predetermined time. For example, baseline information may be newly acquired. If new baseline information is acquired, the process proceeds to S107, and if not newly acquired, the process proceeds to S108. In S107, the control unit 8 measures the baseline amount by the above-described method, and newly acquires baseline information.

Ｓ１０８では、制御部８は、全てのショット領域に対して露光処理が行われた基板５ａにおける各ショット領域の第１マークの位置から、当該基板上における各ショット領域の格子情報を求める。Ｓ１０９では、制御部８は、全てのショット領域に対して露光処理が行われた基板における各ショット領域の第２マークの位置から、当該基板上における各ショット領域の格子情報を求める。Ｓ１０８およびＳ１０９によってそれぞれ求められる格子情報は、例えば、基板上における各ショット領域の配置（格子）を示す情報を含みうる。そして、基板上における各ショット領域の配置（格子）は、例えば、シフト成分、倍率成分および回転成分の少なくとも１つを含みうる。   In S108, the control unit 8 obtains lattice information of each shot area on the substrate from the position of the first mark of each shot area on the substrate 5a in which the exposure processing has been performed on all shot areas. In S109, the control unit 8 obtains lattice information of each shot area on the substrate from the position of the second mark of each shot area on the substrate on which exposure processing has been performed on all shot areas. The lattice information obtained by S108 and S109 can include, for example, information indicating the arrangement (lattice) of each shot region on the substrate. The arrangement (lattice) of each shot region on the substrate can include at least one of a shift component, a magnification component, and a rotation component, for example.

例えば、アライメント検出部２による検出結果から求められた、各ショット領域のＸ方向における第１マークの位置をＰａｓｉｊｘ、各ショット領域のＹ方向における第１マークの位置をＰａｓｉｊｙとする。そして、各ショット領域における第１マークの位置から求められる格子β１におけるシフト成分（Ｘ方向）をＸ１、シフト成分（Ｙ方向）をＹ１、倍率成分をＭ１、回転成分をＲ１とする。ｉは基板上におけるショット領域の番号を表し、ｊは各ショット領域上におけるマークの番号を表している。このとき、各ショット領域の第１マークの位置ｄ１と格子β１との関係は、式（１）によって表される。よって、制御部８は、式（２）を用いて格子β１を求めることができる。ここで、式（１）および式（２）におけるα１は、各ショット領域のマークの目標位置を表す行列である。 For example, P as ijx is the position of the first mark in the X direction of each shot area and P as ijy is the position of the first mark in the Y direction of each shot area, which is obtained from the detection result by the alignment detection unit 2. A shift component (X direction) in the lattice β1 obtained from the position of the first mark in each shot area is X1, a shift component (Y direction) is Y1, a magnification component is M1, and a rotation component is R1. i represents the number of the shot area on the substrate, and j represents the number of the mark on each shot area. At this time, the relationship between the position d1 of the first mark in each shot region and the lattice β1 is expressed by Expression (1). Therefore, the control unit 8 can obtain the lattice β1 using Expression (2). Here, α1 in the expressions (1) and (2) is a matrix representing the target position of the mark in each shot area.

Figure 2016009767
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Figure 2016009767
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また、オフアクシス検出部９１および９２による検出結果およびベースライン情報から求められた、各ショット領域のＸ方向における第２マークの位置をＰｏａｓｉｊｘ、各ショット領域のＹ方向における第２マークの位置をＰｏａｓｉｊｙとする。そして、各ショット領域における第２マークの位置から求められる格子β２におけるシフト成分（Ｘ方向）をＸ２、シフト成分（Ｙ方向）をＹ２、倍率成分をＭ２、回転成分をＲ２とする。このとき、各ショット領域の第２マークの位置ｄ２と格子β２との関係は、式（３）によって表される。よって、制御部８は、式（４）を用いて格子β２を求めることができる。ここで、式（３）および式（４）におけるα２は、各ショット領域のマークの目標位置を表す行列である。 Further, the position of the second mark in the X direction of each shot area obtained from the detection results and the baseline information by the off-axis detection units 91 and 92 is P oas ijx, and the position of the second mark in the Y direction of each shot area Is P oas ijy. Then, the shift component (X direction) in the lattice β2 obtained from the position of the second mark in each shot area is X2, the shift component (Y direction) is Y2, the magnification component is M2, and the rotation component is R2. At this time, the relationship between the position d2 of the second mark in each shot region and the lattice β2 is expressed by Expression (3). Therefore, the control unit 8 can obtain the lattice β2 using Expression (4). Here, α2 in the equations (3) and (4) is a matrix representing the target position of the mark in each shot area.

Figure 2016009767
Figure 2016009767

Figure 2016009767
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Ｓ１１０では、制御部８は、各ショット領域の第１マークの位置から求められた格子情報と各ショット領域の第２マークの位置から求められた格子情報との間における格子のずれ量を求める。例えば、制御部８は、第１マークの位置から求められる格子β１と第２マークの位置から求められる格子β２との差を、格子のずれ量として求める。Ｓ１１１では、制御部８は、Ｓ１１０で求められた格子のずれ量を用いて、ベースライン情報を補正する。例えば、制御部８は、ベースライン情報を取得したとき（ベースライン量を計測したとき）における格子のずれ量を取得し、Ｓ１１０で求められた格子のずれ量と、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量との差を求める。このように求められた差が、ベースライン情報を取得したときから格子のずれ量が変動した量（変動量）となる。制御部８は、上述の方法で得られた変動量をベースライン情報に含まれるベースライン量に補正値として加算することによって、ベースライン情報の補正を行う。ここで、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量は、当該情報の取得が行われた基板を用いて求められうる。即ち、当該基板における各ショット領域の第１マークの位置から求められた格子情報と、各ショット領域の第２マークの位置から求められた格子情報との差が、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量となる。Ｓ１１２では、制御部８は、次に露光処理を行う基板（次の基板）があるか否かを判断する。次の基板がある場合はＳ１０１に進み、新たな基板が基板ステージ５ｂに搭載される。一方で、次の基板がない場合は終了する。   In S110, the control unit 8 obtains the amount of lattice shift between the lattice information obtained from the position of the first mark in each shot region and the lattice information obtained from the position of the second mark in each shot region. For example, the control unit 8 obtains the difference between the lattice β1 obtained from the position of the first mark and the lattice β2 obtained from the position of the second mark as the amount of deviation of the lattice. In S111, the control unit 8 corrects the baseline information using the lattice shift amount obtained in S110. For example, when the control unit 8 acquires the baseline deviation information (when the baseline amount is measured), the control unit 8 acquires the lattice deviation amount and the baseline information obtained in S110. Find the difference from the amount of shift of the lattice at. The difference thus obtained is an amount (amount of variation) in which the amount of shift of the lattice has changed since the baseline information was acquired. The control unit 8 corrects the baseline information by adding the fluctuation amount obtained by the above method as a correction value to the baseline amount included in the baseline information. Here, the amount of shift of the lattice when the baseline information is acquired can be obtained using the substrate on which the information is acquired. That is, the difference between the lattice information obtained from the position of the first mark in each shot region on the substrate and the lattice information obtained from the position of the second mark in each shot region is obtained when the baseline information is acquired. This is the amount of shift of the lattice. In S112, the control unit 8 determines whether or not there is a substrate (next substrate) to be subjected to exposure processing next. If there is a next substrate, the process proceeds to S101, and a new substrate is mounted on the substrate stage 5b. On the other hand, if there is no next substrate, the process ends.

上述したように、第１実施形態の露光装置１００は、原版３ａと基板５ａとの位置合わせにおいて得られた各ショット領域の第１マークの位置および第２マークの位置からそれぞれ求められた格子情報に基づいて、ベースライン情報を補正する。これにより、露光装置１００は、基板５ａに対する露光処理が終了する度にベースライン量を逐次計測する必要が生じないため、スループットが低下することを抑制しつつ、原版３ａと基板５ａとを高精度に位置合わせを行うことができる。   As described above, the exposure apparatus 100 according to the first embodiment uses the lattice information obtained from the position of the first mark and the position of the second mark in each shot area obtained in the alignment of the original 3a and the substrate 5a. Based on the above, the baseline information is corrected. As a result, the exposure apparatus 100 does not need to sequentially measure the baseline amount every time the exposure process on the substrate 5a is completed, and thus the original plate 3a and the substrate 5a are highly accurately controlled while suppressing a decrease in throughput. Can be aligned.

ここで、制御部８は、例えば、Ｓ１１０で求められた格子のずれ量が閾値以上であったときにベースライン情報の補正を行うように構成されてもよいし、格子のずれ量についての変動量が閾値以上であったときに当該補正を行うように構成されてもよい。また、ベースライン情報は、オフアクシス検出部９１および９２におけるオフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂごとに取得されうる。そのため、制御部８は、オフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂごとにベースライン情報を補正してもよい。これにより、原版３ａと基板５ａとを更に高精度に位置合わせすることができる。   Here, for example, the control unit 8 may be configured to correct the baseline information when the lattice shift amount obtained in S110 is greater than or equal to the threshold value, or may vary the lattice shift amount. The correction may be performed when the amount is equal to or greater than a threshold value. The baseline information can be acquired for each of the off-axis scopes 91a to 92b in the off-axis detection units 91 and 92. Therefore, the control unit 8 may correct the baseline information for each of the off-axis scopes 91a to 92b. Thereby, the original plate 3a and the substrate 5a can be aligned with higher accuracy.

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等の電子デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。 <Embodiment of Method for Manufacturing Article>
The method for manufacturing an article in the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as an electronic device such as a semiconductor device or an element having a fine structure. In the method for manufacturing an article according to the present embodiment, a latent image pattern is formed on the photosensitive agent applied to the substrate using the above-described exposure apparatus (a step of exposing the substrate), and the latent image pattern is formed in this step. Developing the substrate. Further, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like). The method for manufacturing an article according to this embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

１：照明光学系、２：アライメント検出部（第１検出部）、３ａ：原版、３ｂ：原版ステージ、４：投影光学系、５ａ：基板、５ｂ：基板ステージ、８：制御部、９１および９２：オフアクシス検出部（第２検出部）、１００：露光装置 1: illumination optical system, 2: alignment detection unit (first detection unit), 3a: original plate, 3b: original plate stage, 4: projection optical system, 5a: substrate, 5b: substrate stage, 8: control unit, 91 and 92 : Off-axis detection unit (second detection unit), 100: exposure apparatus

Claims (13)

原版のパターンを投影光学系を介して基板上における複数のショット領域の各々に転写する露光装置であって、
前記基板上の各ショット領域に形成された第１マークを前記投影光学系を介して検出する第１検出部と、
前記第１検出部による前記第１マークの検出と並行して、前記基板上の各ショット領域に形成された第２マークを検出する第２検出部と、
前記第１検出部による検出結果から求められる前記第１マークの前記原版に対する位置と、前記第１検出部と前記第２検出部との位置関係を表すベースライン量に関する情報および前記第２検出部による検出結果から求められる前記第２マークの前記第１検出部に対する位置とに基づいて前記原版と各ショット領域とを位置合わせし、前記転写を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記位置合わせにおいて得られた各ショット領域の前記第１マークの位置および各ショット領域の前記第２マークの位置からそれぞれ求められた前記基板上における各ショット領域の格子情報に基づいて前記情報を補正する、ことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that transfers a pattern of an original to each of a plurality of shot regions on a substrate via a projection optical system,
A first detector for detecting a first mark formed in each shot region on the substrate via the projection optical system;
In parallel with the detection of the first mark by the first detection unit, a second detection unit that detects a second mark formed in each shot region on the substrate;
The position of the first mark obtained from the detection result by the first detector with respect to the original plate, information on the baseline amount indicating the positional relationship between the first detector and the second detector, and the second detector A control unit that controls the transfer by aligning the original plate and each shot area based on the position of the second mark obtained from the detection result by the first detection unit with respect to the first detection unit;
Including
The control unit is based on lattice information of each shot area on the substrate obtained from the position of the first mark of each shot area and the position of the second mark of each shot area obtained in the alignment. And correcting the information. 前記制御部は、各ショット領域の前記第１マークの位置から求められた格子情報と各ショット領域の前記第２マークの位置から求められた格子情報との間における格子のずれ量が前記情報を取得したときから変動した量を用いて、前記情報を補正する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。   The control unit is configured such that a lattice shift amount between the lattice information obtained from the position of the first mark in each shot region and the lattice information obtained from the position of the second mark in each shot region represents the information. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the information is corrected using an amount that has changed since the acquisition. 前記制御部は、前記変動した量が閾値以上であるときに前記情報の補正を行う、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein the control unit corrects the information when the changed amount is equal to or greater than a threshold value. 前記制御部は、前記ずれ量が閾値以上であるときに前記情報の補正を行う、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein the control unit corrects the information when the deviation amount is equal to or greater than a threshold value. 前記制御部は、前記情報の取得が行われた基板における第１マークの位置および第２マークの位置からそれぞれ求められた格子情報の間における格子のずれ量を用いて前記変動した量を求める、ことを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置。   The control unit obtains the fluctuating amount using a lattice shift amount between lattice information obtained from the position of the first mark and the position of the second mark on the substrate from which the information has been obtained, The exposure apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein the exposure apparatus is characterized in that: 前記第２検出部は、複数の前記第２マークの各々を並行して検出する複数のスコープを含み、
前記制御部は、前記第２検出部のスコープごとに前記情報を補正する、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置。 The second detection unit includes a plurality of scopes that detect each of the plurality of second marks in parallel,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the control unit corrects the information for each scope of the second detection unit. 前記ベースライン量は、前記第１検出部による基板上の検出位置と前記第２検出部による基板上の検出位置との距離である、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。   The baseline amount is a distance between a detection position on the substrate by the first detection unit and a detection position on the substrate by the second detection unit. The exposure apparatus according to item. 前記格子情報は、前記複数のショット領域の配置を示す情報を含む、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the lattice information includes information indicating an arrangement of the plurality of shot areas. 前記制御部は、前記第１検出部と前記第２検出部とに基板上の同一のマークを検出させ、前記第１検出部による検出結果から求められた当該同一のマークの基板上における位置と前記第２検出部による検出結果から求められた当該同一のマークの基板上における位置との差を前記ベースライン量として前記情報を取得する、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。   The control unit causes the first detection unit and the second detection unit to detect the same mark on the substrate, and the position of the same mark obtained from the detection result by the first detection unit on the substrate 9. The information according to claim 1, wherein the information is acquired by using a difference from a position on the substrate of the same mark obtained from a detection result by the second detection unit as the baseline amount. 2. The exposure apparatus according to item 1. 前記制御部は、前記第１検出部と前記第２検出部とに基板上の同一のマークを検出させ、その際における前記基板の移動量を前記ベースライン量として前記情報を取得する、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。   The control unit causes the first detection unit and the second detection unit to detect the same mark on the substrate, and acquires the information using the movement amount of the substrate at that time as the baseline amount. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is characterized in that: 前記第２検出部は、前記投影光学系と前記基板との間に配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the second detection unit is disposed between the projection optical system and the substrate. 請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 A step of exposing a substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 11,
Developing the substrate exposed in the step;
A method for producing an article comprising: 原版のパターンを投影光学系を介して基板上における複数のショット領域の各々に転写する露光装置における前記原版と前記基板との位置合わせ方法であって、
第１検出部によって前記基板上の各ショット領域に形成された第１マークを前記投影光学系を介して検出する第１検出工程と、
前記第１検出工程における前記第１マークの検出と並行して、第２検出部によって前記基板上の各ショット領域に形成された第２マークを検出する第２検出工程と、
前記第１検出工程における検出結果から求められる前記第１マークの位置と、前記第１検出部と前記第２検出部との位置関係を表すベースライン量に関する情報および前記第２検出工程における検出結果から求められる前記第２マークの位置とに基づいて、前記原版と各ショット領域との位置合わせを制御し、前記転写を行う制御工程と、
前記位置合わせにおいて得られた各ショット領域の前記第１マークの位置および各ショット領域の前記第２マークの位置からそれぞれ求められた前記基板上における各ショット領域の格子情報に基づいて前記情報を補正する補正工程と、
を含むことを特徴とする位置合わせ方法。 A method for aligning the original and the substrate in an exposure apparatus that transfers the pattern of the original to each of a plurality of shot regions on the substrate via a projection optical system,
A first detection step of detecting a first mark formed in each shot region on the substrate by the first detection unit via the projection optical system;
In parallel with the detection of the first mark in the first detection step, a second detection step of detecting a second mark formed in each shot region on the substrate by a second detection unit;
Information about the position of the first mark obtained from the detection result in the first detection step, information on the baseline amount representing the positional relationship between the first detection unit and the second detection unit, and the detection result in the second detection step A step of controlling the alignment between the original plate and each shot area based on the position of the second mark obtained from
The information is corrected based on the lattice information of each shot area on the substrate obtained from the position of the first mark of each shot area and the position of the second mark of each shot area obtained in the alignment. A correction process to
A registration method characterized by comprising:
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