JP6364383B2 - Wiring board and thermal head - Google Patents
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Description
本発明は、配線基板、およびサーマルヘッドに関する。 The present invention relates to a wiring board and a thermal head.
近年、配線基板の小型、軽量化が強く要望されている。配線基板の小型、軽量化を図るためには、高密度な配線の実現が重要であるが、配線電極におけるマイグレーションの問題がある。なお、マイグレーション(エレクトロケミカルマイグレーション)とは、狭い間隔の電極間で電界が印加される際、金属イオンが陰極側に析出し、それが枝状に陽極側まで延びて導体回路間がショートする現象をいう。 In recent years, there has been a strong demand for miniaturization and weight reduction of wiring boards. In order to reduce the size and weight of the wiring board, it is important to realize high-density wiring, but there is a problem of migration in the wiring electrode. Migration (electrochemical migration) is a phenomenon in which metal ions are deposited on the cathode side when an electric field is applied between narrowly spaced electrodes, which extend to the anode side in a branch shape and short-circuit between conductor circuits. Say.
従来、配線電極のマイグレーションを抑えることができ、配線電極パターンのショートによる基板の不良を防ぐための技術が提案されている(特許文献1参照)。特許文献1には、セラミック基板に、厚膜の導電層を形成した後、低軟化点のガラスをセラミック基板に被覆することにより、厚膜焼成時のガラス被覆表面への汚れの付着を防止して、マイグレーションの発生を抑える厚膜配線グレーズ基板が記載されている。
Conventionally, a technique has been proposed that can suppress migration of wiring electrodes and prevent a substrate from being defective due to a short circuit of wiring electrode patterns (see Patent Document 1). In
しかしながら、上記特許文献1に記載のグレーズ基板は、厚膜配線上へのガラス被覆を行っており、ガラス被覆がなされている部分では、導電層にワイヤボンディングすることができないといった問題がある。
However, the glaze substrate described in
(1)請求項1に記載の配線基板は、絶縁性の基板と、前記基板上の少なくとも一部に設けられたガラス層と、前記基板上の前記ガラス層上および前記ガラス層上以外の部分に設けられた導電層とを備え、前記ガラス層上の前記導電層は、側面の少なくとも一部が前記ガラス層によって覆われ、上面の少なくとも一部が前記ガラス層から露出している。
(2)請求項10に記載のサーマルヘッドは、基板上に設けられたグレーズ層と、前記グレーズ層上に設けられた共通電極および複数の個別電極と、前記共通電極および前記個別電極により電流が流されるようにけられた発熱抵抗体と、前記共通電極、および前記複数の個別電極の一部、および前記発熱抵抗体を覆うように設けられた絶縁性の保護膜と、前記個別電極に電流を流すドライバICと、前記保護膜で覆われていない前記個別電極の電極端子と前記ドライバICとを接続するワイヤと、前記個別電極の電極端子を構成する導電層と前記グレーズ層との間に配置されるガラス層を備え、前記個別電極の電極端子を構成する導電層の側面のうちの少なくとも一部が、前記ガラス層の一部によって覆われ、前記電極端子を構成する導電層の上面のうちの少なくとも一部は、前記ガラス層で覆われず前記ワイヤが接続されている。
(1) The wiring board according to
(2) In the thermal head of the tenth aspect, the glaze layer provided on the substrate, the common electrode and the plurality of individual electrodes provided on the glaze layer, the current is generated by the common electrode and the individual electrodes. A heating resistor arranged to flow, an insulating protective film provided to cover the common electrode, a part of the plurality of individual electrodes, and the heating resistor; and a current to the individual electrodes A driver IC that flows the electrode, a wire that connects the electrode terminal of the individual electrode that is not covered with the protective film and the driver IC, and a conductive layer that constitutes the electrode terminal of the individual electrode, and the glaze layer A conductive layer comprising a glass layer to be disposed, wherein at least a part of a side surface of the conductive layer constituting the electrode terminal of the individual electrode is covered with a part of the glass layer, and constitutes the electrode terminal At least a portion of the top surface, the wires are connected not covered with the glass layer.
本発明によれば、マイグレーションの発生を抑制するとともに、ワイヤボンディングが可能な配線基板を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a wiring board capable of suppressing occurrence of migration and capable of wire bonding.
図1は、サーマルヘッド100の構成を示す断面模式図である。図2は、サーマルヘッド100の要部を示す模式図である。図2(a)はサーマルヘッド100の要部平面模式図であり、図2(b)はサーマルヘッド100の要部断面模式図である。なお、図2(a)の平面模式図では、説明の便宜上、図2(b)において各構成の断面を表すハッチングを対応する構成に対して付している。図1に示すように、サーマルヘッド100は、支持板32上に固定された配線基板50およびプリント配線板30を備える。プリント配線板30上には、ドライバIC11と、印刷制御等を行う外部機器にサーマルヘッド100を接続するためのコネクタ19が設けられている。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the
配線基板50について詳細に説明する。配線基板50は、絶縁基板12上に配線、電極が形成されているものである。絶縁基板12は、電気的絶縁性を有するセラミックなどによって形成される。絶縁基板12の上面全体には、ガラス等からなるグレーズ層13が形成されている。グレーズ層13は、後述の発熱抵抗体6の温度を上昇させるのに必要な時間を短縮して、サーマルヘッド100の熱応答特性を高める蓄熱層としての役割を担っている。
The
グレーズ層13の上面には、共通電極5および複数の個別電極8が形成されている。図2(a)に示すように、共通電極5は、平面視矩形状の電極面5aと、この電極面5aから感熱紙(不図示)の搬送方向(図2(a)に示すx方向)に沿って延びる複数の帯状電極5bを備えた櫛歯状とされている。複数の個別電極8は、それぞれ搬送方向xに沿って延びる帯状とされている。複数の帯状電極5bと複数の個別電極8は、搬送方向xに直交するy方向に交互に配置されている。
A
共通電極5および複数の個別電極8の上には、厚膜印刷などにより、直線状の発熱抵抗体6が形成されている。発熱抵抗体6は、複数の帯状電極5bと複数の個別電極8を跨がるように、y方向に沿って延びている。発熱抵抗体6は、たとえば、酸化ルテニウム(RuO2)等からなる。
A
図1に示すように、各個別電極8の一端は、金ワイヤ10を介してドライバIC11に接続されている。金ワイヤ10およびドライバIC11は、エポキシ樹脂材からなる封止樹脂16によりモールドされている。ドライバIC11のドライバ回路(不図示)は、共通電極5から発熱抵抗体6を介して各個別電極8に電流を流す。図2(a)に示すように、共通電極5における帯状電極5bと個別電極8との間にある発熱抵抗体6に電流が流れると、その部分が発熱する。この熱が感熱紙(不図示)に伝わると、感熱紙が発色し、感熱紙に所定の印刷画像が形成される。
As shown in FIG. 1, one end of each
図2に示すように、サーマルヘッド100には、共通電極5、および各個別電極8の一部、および発熱抵抗体6を覆うように、絶縁基板12の表面に絶縁性保護膜7が形成されている。絶縁性保護膜7は、たとえば、電気的絶縁性を有するPbO−SiO2−ZrO2系のガラス材料からなる。発熱抵抗体6が絶縁性保護膜7によって覆われているので、感熱紙(不図示)には、絶縁性保護膜7を介して発熱抵抗体6の熱が伝達される。
As shown in FIG. 2, in the
図3および図4を参照して、ワイヤボンディング部9の構成について詳細に説明する。図3は図2のワイヤボンディング部9を拡大して示す模式図であり、図4は図3のIV−IV線断面模式図である。本明細書では、絶縁性保護膜7で覆われていない個別電極8の露出部である電極端子および配線をワイヤボンディング部9と呼ぶ。図3および図4に示すように、ワイヤボンディング部9では、グレーズ層13上にガラス層15が設けられ、ガラス層15上に個別電極8を構成する導電層14が形成されている。ワイヤボンディング部9を構成する導電層14上には、絶縁性保護膜7が形成されておらず、導電層14の上面が露出しており、この露出面に金ワイヤ10が接続される。すなわちワイヤボンディング部9の上面は、ワイヤボンディングされる電極端子面とされている。
With reference to FIG. 3 and FIG. 4, the structure of the
図4に示すように、本実施の形態では、3つのワイヤボンディング部9がy方向に隣接して配列されており、導電層14の側面がガラス層15によって被覆されている。このように、導電層14の側面がガラス層15で覆われているので導電層14の側面からデンドライトが進行し、マイグレーションが発生することを防止できる。
As shown in FIG. 4, in this embodiment, three
このようなワイヤボンディング部9の形成方法について、図5〜図8を参照して説明する。なお、図5〜図8では、説明をわかりやすくするために、単純な形状で説明する。図5〜図8では、グレーズ層については図示を省略する。
A method for forming the
(ガラス層および導電層形成工程)
図5(a)はエッチング処理前の配線基板の平面模式図である。図5(b)はエッチング処理前の配線基板の断面模式図であり、図5(a)のvb−vb線断面を示している。図5に示すように、矩形平板状の絶縁基板1の上に、低軟化点のガラスからなるペースト状組成物(ガラスペースト)を矩形状のパターンで印刷を行い、絶縁基板1の焼成を行うことでガラス層3を形成する。その後、主材が銀であり、かつ、銀の含有率が20重量%以上であるペースト状組成物(銀ペースト)を、絶縁基板1よりも一回り小さいサイズの矩形状のパターンで印刷を行い、絶縁基板1の焼成を行うことで導電層2を形成する。
(Glass layer and conductive layer forming step)
FIG. 5A is a schematic plan view of the wiring board before the etching process. FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the wiring board before the etching process, and shows a cross section taken along the line vb-vb in FIG. As shown in FIG. 5, a paste-like composition (glass paste) made of glass with a low softening point is printed on a rectangular flat insulating
(フォトリソ・エッチング工程)
図5(a)において一点鎖線で示すような略H字状のエッチングレジストパターンをフォトリソグラフィ法により形成する。その後、ウエットエッチング処理を施すことにより、すなわち配線基板をエッチング液に浸漬させることにより、図5(a)に示す一点鎖線で囲まれる部分(略H字状のレジストパターン)以外の導電層2を溶解除去する。
(Photolithographic etching process)
A substantially H-shaped etching resist pattern as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 5A is formed by photolithography. Thereafter, by conducting wet etching treatment, that is, by immersing the wiring board in the etching solution, the
(追加焼成工程)
図6(a)はエッチング後、焼成前の配線基板の平面模式図である。図6(b)はエッチング後、焼成前の配線基板の断面模式図であり、図6(a)のvib−vib線断面を示している。図7(a)は図6(a)のVII部を示す部分拡大図であり、図7(b)は図7(a)のviib−viib線断面模式図である。
(Additional firing process)
FIG. 6A is a schematic plan view of a wiring board after etching and before firing. FIG. 6B is a schematic cross-sectional view of the wiring board after etching and before firing, and shows a cross section taken along the line vib-vib in FIG. FIG. 7A is a partially enlarged view showing a VII portion in FIG. 6A, and FIG. 7B is a schematic cross-sectional view taken along line viib-viib in FIG. 7A.
図6および図7に示すように、エッチング処理が終了すると、一対の略H字状部の間にガラス層3が露出する。なお、エッチング処理を行うと、図7に示すように、一対の略H字状部の間の溝の底面、すなわちガラス層3の上面には、エッチング処理の際に発生した銀の残渣4が残っている場合がある。
As shown in FIGS. 6 and 7, when the etching process is completed, the
エッチング処理終了後、本実施の形態では、配線基板に対して追加の焼成を行う。追加で行う焼成温度は、550〜850℃の範囲内である。ガラス層3は、軟化点が導電層2の焼成温度よりも低いものが選定される。なお、銀ペーストには、銀粉末を含むペースト(たとえば銀の含有率が60重量%程度のペースト状組成物)や、レジネート銀ペースト(たとえば銀の含有率が25重量%程度のペースト状組成物)を用いることができる。なお、レジネートペースト(有機金属ペーストまたはメタルオーガニックペーストともいう)とは、金属原子と有機分子とを結合させた化合物である。
In the present embodiment, after the etching process is completed, additional baking is performed on the wiring board. The additional firing temperature is in the range of 550-850 ° C. The
図8(a)は焼成後の配線基板の平面模式図である。図8(b)は焼成後の配線基板の断面模式図であり、図8(a)のviiib−viiib線断面を示している。追加の焼成の際、その焼成温度がガラス層3の軟化点を超えると、ガラス層3が軟化し、変形を開始する。軟化、溶融したガラスは、図8に示すように、表面張力によって導電層2の側面に沿って這い上がり、導電層2の側面を覆う。隣り合う導電層2間のガラス層3は凹形状とされ、凹面の中央の底部から導電層2の上端に向かって傾斜するガラスの隅肉(以下、ガラスフィレット31と記す)が形成されている。また、ガラスが導電層2内に浸潤する現象が生じる。図8では、模式的に浸潤領域33を図示している。
FIG. 8A is a schematic plan view of the wiring board after firing. FIG. 8B is a schematic cross-sectional view of the wiring substrate after firing, and shows a cross section taken along the line viii-viib in FIG. During the additional firing, if the firing temperature exceeds the softening point of the
なお、上述では、フォトリソグラフィ法によりエッチングレジストを形成し、エッチング処理を行った後、絶縁基板1を追加焼成する方法に説明したが、これに代えて、印刷法を採用してもよい。すなわち、スクリーン印刷でエッチングレジストを形成し、エッチング処理を行った後、絶縁基板1を追加焼成する方法を採用してもよい。その他、蒸着やスパッタリングなどの薄膜形成法により、導体パターンを形成した後、絶縁基板1を焼成してもよい。
In the above description, the etching resist is formed by the photolithography method, the etching process is performed, and then the insulating
上述したエッチング処理の他、印刷や蒸着、スパッタリングなどの際、銀の残渣4が隣り合う導電層2間に残ってしまう場合がある(図7参照)。隣り合う導電層2の対向する側面間に残渣4が存在していると、導電層2の側面から進展したデンドライトが残渣4を介して成長することがある。
In addition to the etching process described above,
本実施の形態では、ガラス層3が軟化、溶融することで、前工程(エッチング工程、蒸着工程、印刷工程等)の際に発生した銀の残渣4をガラス層3内に閉じ込めることができる。これにより、残渣4を介したデンドライトの成長を抑制することができる。
In the present embodiment, the
図9および図10を参照して、本実施の形態の配線基板のマイグレーションの抑制効果について、比較例と比較して説明する。図9および図10は、配線基板のマイグレーション耐性についての実験結果を示すグラフおよび表である。実験に用いた配線基板には、電極長30mm、電極間を100μmとしたパターンを形成した。環境条件は、85℃,85%RHとした。この環境下で、直流32Vの電圧を印加し、連続して通電することにより、絶縁抵抗値が判定基準値である10MΩ以下になるまでの時間を計測した。 With reference to FIG. 9 and FIG. 10, the effect of suppressing the migration of the wiring board of the present embodiment will be described in comparison with a comparative example. FIG. 9 and FIG. 10 are a graph and a table showing experimental results on the migration resistance of the wiring board. On the wiring board used in the experiment, a pattern having an electrode length of 30 mm and a distance of 100 μm was formed. The environmental conditions were 85 ° C. and 85% RH. Under this environment, a voltage of DC 32V was applied and energized continuously to measure the time until the insulation resistance value became 10 MΩ or less, which is a determination reference value.
導電層2の下層のガラス層3の軟化点が875℃であり、導電層2の形成後の追加焼成における焼成温度を805℃として形成した配線基板を比較例とする。つまり、比較例では、ガラス層3の軟化点が焼成温度よりも高い。本実施の形態の配線基板は、2種類準備し、それぞれ実験を行った。本実施の形態の第1の配線基板は、導電層2の下層のガラス層3の軟化点が765℃であり、導電層2の形成後の追加焼成における焼成温度を805℃として形成したものである。本実施の形態の第2の配線基板は、導電層2の下層のガラス層3の軟化点が550℃であり、導電層2の形成後の追加焼成における焼成温度を805℃として形成したものである。つまり、本実施の形態の第1および第2の配線基板では、ガラス層3の軟化点が追加の焼成温度よりも低い。
The softening point of the
図9および図10に示すように、比較例では、連続通電時間が50時間までは、絶縁抵抗値の低下はほとんどみられなかったが、連続通電時間が75時間では、絶縁抵抗値が10MΩ(判定基準値)以下となった。 As shown in FIGS. 9 and 10, in the comparative example, the insulation resistance value hardly decreased until the continuous energization time was 50 hours. However, when the continuous energization time was 75 hours, the insulation resistance value was 10 MΩ ( Judgment standard value) or less.
図9および図10に示すように、本実施の形態の第1の配線基板では、連続通電時間が400時間までは高い絶縁抵抗値を維持できる結果を得た。第1の配線基板では、比較例に比べて、マイグレーション耐性が大きく向上していることが確認できた。さらに、本実施の形態の第2の配線基板では、連続通電時間が900時間を超えても絶縁抵抗値の低下はほとんどみられず、高いマイグレーション耐性を得ることができることがわかった。この実験結果により、焼成温度と軟化点との温度差が大きいほど、マイグレーション耐性を高めることができることがわかった。つまり、焼成温度と軟化点との温度差を変えることで、マイグレーションの抑制の度合いを必要に応じて調整することができる。 As shown in FIGS. 9 and 10, in the first wiring board of the present embodiment, it was possible to maintain a high insulation resistance value until the continuous energization time was 400 hours. It was confirmed that the migration resistance of the first wiring board was greatly improved as compared with the comparative example. Furthermore, in the second wiring board of the present embodiment, it has been found that even when the continuous energization time exceeds 900 hours, the insulation resistance value hardly decreases and high migration resistance can be obtained. From this experimental result, it was found that the migration resistance can be increased as the temperature difference between the firing temperature and the softening point is larger. That is, the degree of suppression of migration can be adjusted as necessary by changing the temperature difference between the firing temperature and the softening point.
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)配線基板50は、絶縁基板1,12と、絶縁基板1,12上に設けられたガラス層3,15と、ガラス層3,15上に設けられた導電層2,14とを備えている。少なくとも導電層2,14の側面の一部が、ガラス層3,15の一部によって覆われており、少なくとも導電層2,14の上面の一部が、ガラス層3,15によって覆われていない露出面とされている。露出面は、ワイヤボンディングされる電極端子面とされる。これにより、ワイヤボンディングされる電極端子面を有する導電層2,14を隣接して配置した場合において、隣接する導電層2,14間でのデンドライトの発生を抑制することができるので、マイグレーション耐性を向上できる。さらに、硫化耐性の向上もできる。
According to the embodiment described above, the following operational effects can be obtained.
(1) The
(2)導電層2,14の側面の一部を覆うガラス層3,15の一部(ガラスフィレット31)は、配線基板を焼成することで形成される。焼成温度は550〜850℃の範囲内であることが好ましく、ガラス層3,15は、軟化点が上記焼成温度よりも低い低軟化ガラスにより形成されている。これにより、焼成時に、ガラス層3,15が軟化、溶融し、導電層2,14の側面を這い上がるように変形させてガラスフィレット31を形成することができる。その結果、導電層2,14の側面がガラス層3,15により覆われる。このように、本実施の形態では、特殊な工程を要することなく、導電層2,14の下層であるガラス層3,15を、焼成により変形させて導電層2,14の側面を被覆できるので、製造コストの増加を抑制できる。
(2) A part (glass fillet 31) of the glass layers 3 and 15 covering a part of the side surfaces of the
さらに、焼成時に、導電層2,14内にガラスを浸潤させることができるので、浸潤領域33において、導電層2,14内での電子の移動が抑制され、すなわちデンドライトが抑制され、この点からもマイグレーション耐性および硫化耐性を向上できる。
Furthermore, since glass can be infiltrated into the
(3)主材が銀であり、かつ、銀の含有率が20重量%以上である銀ペーストを焼成して、導電層2,14を形成した。これにより、金で導電層を形成する場合に比べて、安価な配線基板を提供することができる。
(3) A silver paste having a main material of silver and a silver content of 20% by weight or more was fired to form
次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。
(変形例1)
上述した実施形態では、隣り合う導電層2,14間のガラス層3,15の形状が、導電層2,14の側面にガラスフィレット31が形成された凹形状とされたものを例に説明したが、本発明はこれに限定されない。隣り合う導電層2,14間のガラス層3,15の形状が凸形状とされていてもよい。焼成により、ガラスが軟化、溶融することによりガラス層3,15を変形させて、導電層2,14の側面をガラス層3,15により覆うことができればよい。
The following modifications are also within the scope of the present invention, and one or a plurality of modifications can be combined with the above-described embodiment.
(Modification 1)
In the above-described embodiment, the glass layers 3 and 15 between the adjacent
(変形例2)
上述した実施の形態では、導電層2,14の側面の上端までガラス層3,15が這い上がっている例について説明したが、本発明はこれに限定されない。導電層2,14の側面の下部はガラス層3,15により覆われ、導電層2,14の側面の上部はガラス層3,15により覆われていなくてもよい。このように、少なくとも導電層2,14の側面の一部がガラス層3,15により覆われていれば、導電層2,14の側面全体がガラス層3,15により覆われていない場合に比べて、マイグレーションの発生を抑制することができる。
(Modification 2)
In the above-described embodiment, the example in which the glass layers 3 and 15 are crawling up to the upper ends of the side surfaces of the
(変形例3)
上述した実施の形態では、ワイヤボンディング部9を構成する導電層14の上面を全て露出させた電極端子面とした例について説明したが、本発明はこれに限定されない。ワイヤボンディングが可能な露出面を確保することができる場合は、電極端子面(ワイヤボンディング部9の上面)の一部をガラス層15によって被覆してもよい。
(Modification 3)
In the above-described embodiment, the example in which the upper surface of the
(変形例4)
上述した実施の形態では、導体ペーストとして、主材が銀であり、かつ、銀の含有率が20重量%以上である銀ペーストを使用して銀の導電層2,14を形成する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。主材が銅である銅ペーストを導体ペーストとして焼成により銅導電層を形成してもよい。主材がアルミニウムであるアルミニウムペーストを導体ペーストとして焼成によりアルミニウム導電層を形成してもよい。
(Modification 4)
In the embodiment described above, an example is described in which the
(変形例5)
上述した実施の形態では、グレーズ層13を備えたサーマルヘッド100を例に説明したが、グレーズ層13を備えていないサーマルヘッドに本発明を適用してもよい。
(Modification 5)
In the embodiment described above, the
(変形例6)
上述した実施の形態では、サーマルヘッド100の配線基板に本発明を適用する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。種々の電子機器の基板に本発明を適用することができる。たとえば、原料ガスと水蒸気から触媒改質により水素を製造する水蒸気改質器における触媒の基板に本発明を適用することもできる。
(Modification 6)
In the above-described embodiment, the example in which the present invention is applied to the wiring board of the
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。 Although various embodiments and modifications have been described above, the present invention is not limited to these contents. Other embodiments conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included in the scope of the present invention.
1 絶縁基板、2 導電層、3 ガラス層、4 残渣、5 共通電極、5a 電極面、5b 帯状電極、6 発熱抵抗体、7 絶縁性保護膜、8 個別電極、9 ワイヤボンディング部、10 金ワイヤ、11ドライバIC、12 絶縁基板、13 グレーズ層、14 導電層、15 ガラス層、16 封止樹脂、17 個別電極、18 ワイヤボンディング部、19 コネクタ、30 プリント配線板、31 ガラスフィレット、32 支持板、33 浸潤領域、50 配線基板、100 サーマルヘッド
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記基板上の少なくとも一部に設けられたガラス層と、
前記基板上の前記ガラス層上および前記ガラス層上以外の部分に設けられた導電層とを備え、
前記ガラス層上の前記導電層は、
側面の少なくとも一部が前記ガラス層によって覆われ、
上面の少なくとも一部が前記ガラス層から露出している配線基板。 An insulating substrate;
A glass layer provided on at least a part of the substrate;
A conductive layer provided on the glass layer on the substrate and on a portion other than the glass layer;
The conductive layer on the glass layer is
At least a part of the side surface is covered by the glass layer;
A wiring board in which at least a part of an upper surface is exposed from the glass layer.
前記ガラス層上の導電層と前記ガラス層上以外の部分の導電層は、少なくとも一部が相互に導通している配線基板。 The wiring board according to claim 1,
A wiring board in which at least a part of the conductive layer on the glass layer and the conductive layer on the portion other than the glass layer are electrically connected to each other.
前記ガラス層上以外の部分に設けられた導電層は、絶縁性の保護膜で覆われている配線基板。 In the wiring board according to claim 1 or 2,
A conductive substrate provided on a portion other than the glass layer is a wiring board covered with an insulating protective film.
前記基板上にはグレーズ層が形成されているとともに、前記ガラス層は前記グレーズ層の上に形成されている配線基板。 In the wiring board as described in any one of Claim 1 to 3,
A wiring board in which a glaze layer is formed on the substrate and the glass layer is formed on the glaze layer.
前記導電層は、主材が銀であり、かつ、前記銀の含有率が20重量%以上である、配線基板。 In the wiring board as described in any one of Claim 1 to 4,
The conductive layer is a wiring board in which a main material is silver and the silver content is 20% by weight or more.
前記導電層は、主材が銅、または、主材がアルミニウムである、配線基板。 In the wiring board as described in any one of Claim 1 to 5,
The conductive layer is a wiring board in which a main material is copper or a main material is aluminum.
前記導電層は、有機金属ペーストの焼結体である、配線基板。 The wiring board according to claim 5 or 6,
The conductive layer is a wiring board which is a sintered body of an organic metal paste.
前記ガラス層は765℃で軟化するガラスからなる、配線基板。 The wiring board according to any one of claims 1 to 7,
The said glass layer is a wiring board which consists of glass which softens at 765 degreeC.
前記ガラス層は550℃で軟化するガラスからなる、配線基板。 The wiring board according to any one of claims 1 to 7,
The said glass layer is a wiring board which consists of glass which softens at 550 degreeC.
前記グレーズ層上に設けられた共通電極および複数の個別電極と、
前記共通電極および前記個別電極により電流が流されるように設けられた発熱抵抗体と、
前記共通電極、および前記複数の個別電極の一部、および前記発熱抵抗体を覆うように
設けられた絶縁性の保護膜と、
前記個別電極に電流を流すドライバICと、
前記保護膜で覆われていない前記個別電極の電極端子と前記ドライバICとを接続するワイヤと、
前記個別電極の電極端子を構成する導電層と前記グレーズ層との間に配置されるガラス層を備え、
前記個別電極の電極端子を構成する導電層の側面のうちの少なくとも一部が、前記ガラス層の一部によって覆われ、
前記電極端子を構成する導電層の上面のうちの少なくとも一部は、前記ガラス層で覆われず前記ワイヤが接続されている、サーマルヘッド。 A glaze layer provided on the substrate;
A common electrode and a plurality of individual electrodes provided on the glaze layer;
A heating resistor provided such that a current flows through the common electrode and the individual electrodes;
An insulating protective film provided to cover the common electrode, a part of the plurality of individual electrodes, and the heating resistor;
A driver IC for supplying current to the individual electrodes;
A wire connecting the electrode terminal of the individual electrode not covered with the protective film and the driver IC;
Comprising a glass layer disposed between the glaze layer and the conductive layer constituting the electrode terminal of the individual electrode;
At least a part of the side surface of the conductive layer constituting the electrode terminal of the individual electrode is covered with a part of the glass layer,
A thermal head in which at least a part of an upper surface of a conductive layer constituting the electrode terminal is not covered with the glass layer and the wire is connected.
前記導電層は、主材が銀であり、かつ、前記銀の含有率が20重量%以上である、サーマルヘッド。 In the thermal head according to claim 10 ,
The conductive layer is a thermal head in which a main material is silver and the silver content is 20% by weight or more.
前記導電層は、主材が銅、または、主材がアルミニウムである、サーマルヘッド。 In the thermal head according to claim 10 ,
The conductive layer is a thermal head in which a main material is copper or a main material is aluminum.
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