JP6358660B2 - アミン類のアルキル化方法 - Google Patents
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Description
触媒としては、白金やクロムを用いた不均一型の触媒と均一型の触媒が挙げられる。不均一型の触媒は一般的に高温、高圧が必要であり、安全面に問題を有するため、均一型の触媒が工業上優位である。
均一型の触媒としてはイリジウム、ロジウム、ルテニウムを金属とする錯体が知られている。
イリジウム錯体を用いた例としては非特許文献1、非特許文献2に記載されるアレーン型の錯体によるアルコールを用いたアミンのモノアルキル化や、非特許文献3に記載されるP,N配位子を用いたヘテロアミンに対するアルキル化が知られている。また、メタノールを炭素源とした例としては非特許文献4に記載されている例が知られている。
ルテニウムに関しては非特許文献5に記載されているメタノールを炭素源としたアミンのジメチル化反応が知られている。また、非特許文献6には三塩化ルテニウムとトリアルコキシホスフィンを触媒とするメタノールを炭素源としたアニリンのモノメチル化反応が記載されている。
イリジウム及びロジウムと比較し、ルテニウムは安価な金属のため、工業上優位である。アルコールを用いたN−メチル化反応を触媒するルテニウム錯体としては、非特許文献5や非特許文献6、非特許文献7などに報告されているが、ピンサー型の3座配位子を有するルテニウム錯体を用いた報告例は知られていない。また、非特許文献に記載されているルテニウム錯体は触媒量を多く必要とするため、工業化を行っていくにはコスト面などの問題点がある。
本発明は、以下の[1]から[9]に関するものである。
[1]次の一般式(1)
RuXY(CO)(L) (1)
(一般式(1)中、X及びYは同一であっても異なっていてもよく1価のアニオン性配位子を表し、Lは下記一般式(2)
で表される3座アミノジホスフィン配位子を表す。)
で表されるルテニウム錯体の存在下、アミンにアルコールを反応させる、N−アルキルアミンの製造方法。
[2]Lが下記一般式(3)
で表される3座アミノジホスフィン配位子である前記[1]に記載の方法。
[3]下記一般式(4)
R−NH−RA (4)
(式中、RAは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、アルコキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アルキニルオキシカルボニル基、シクロアルケニルオキシカルボニル基、カルボキサミド基、又はアルコキシスルホニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Rは、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよい複素環基を表す。)
で表されるN−アルキルアミンの製造方法であり、アミンが下記一般式(5)
RA−NH2 (5)
(式中、RAは一般式(4)における定義と同一の基を表す。)
で表されるアミンであり、アルコールが下記一般式(6)
R−OH (6)
(式中、Rは一般式(4)における定義と同一の基を表す。)
で表されるアルコールである、前記[1]又は[2]のいずれかに記載の方法。
[4]下記一般式(7)
RB2は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、アルコキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アルキニルオキシカルボニル基、シクロアルケニルオキシカルボニル基、カルボキサミド基、又はアルコキシスルホニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。また、RB1とRB2が互いに結合して、隣接する窒素原子と共に環を形成してもよい。
Rは、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよい複素環基を表す。)
で表されるN−アルキルアミンの製造方法であり、アミンが下記一般式(8)
であり、アルコールが下記一般式(6)
R−OH (6)
(式中、Rは前記と同一の基を表す。)
で表されるアルコールである、前記[1]又は[2]のいずれかに記載の方法。
[5]下記一般式(9)
Rは、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよい複素環基を表す。)
で表されるN−アルキルアミンの製造方法であり、アミンが下記一般式(5)
RA−NH2 (5)
(式中、RAは前記と同一の基を表す。)
で表されるアミンであり、アルコールが下記一般式(6)
R−OH (6)
(式中、Rは前記と同一の基を表す。)
で表されるアルコールである、前記[1]又は[2]のいずれかに記載の方法。
[6]アルコールが、1級又は2級アルコールである、前記[1]〜[5]のいずれかに記載の方法。
[7]アルコールが、メタノール又はエタノールである、前記[1]〜[6]のいずれかに記載の方法。
[8]アミンとアルコールの反応が、さらに塩基性物質の存在下で行われる、前記[1]〜[7]のいずれかに記載の方法。
[9]塩基性物質が、金属アルコキシドである、前記[8]に記載の方法。
本発明の方法で使用されるルテニウム触媒は、調製が容易であるだけでなく、安定性が高く取り扱いも容易であり、工業的な使用に適したものであり、工業的な方法において、簡便かつ効率的にアミンの置換反応を行うことができる。
RuXY(CO)(L) (1)
一般式(1)におけるLで表される3座アミノジホスフィン配位子としては、ふたつのホスフィノ基と−NH−基を有するものが挙げられる。具体的な3座アミノジホスフィン配位子としては下記一般式(2)で表されるものが挙げられる。
一般式(2)の式中のR1、R2、R3、及びR4はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、複素環基、又は置換アミノ基を表し、これらのR1とR2又はR3とR4は互いに結合し隣接するリン原子と共に環を形成していてもよい。また、これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、複素環基、置換アミノ基は置換基を有していてもよい。
アルキル基としては、炭素数1〜50、好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基等が挙げられる。
また、シクロアルキル基としては炭素数3〜30、好ましくは炭素数3〜20、より好ましくは炭素数3〜10の単環式、多環式、縮合環式、又は架橋式のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、ビシクロ[1.1.0]ブチル基、トリシクロ[2.2.1.0]ヘプチル基、ビシクロ[3.2.1]オクチル基、ビシクロ[2.2.2.]オクチル基、アダマンチル基(トリシクロ[3.3.1.1]デカニル基)、ビシクロ[4.3.2]ウンデカニル基、トリシクロ[5.3.1.1]ドデカニル基等が挙げられる。
また、アリール基としては、炭素数6〜36、好ましくは炭素数6〜18、より好ましくは炭素数6〜14の単環式、多環式又は縮合環式のアリール基が挙げられ、具体的には、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ビフェニル基等が挙げられる。
また、アラルキル基としては、前記したアルキル基の少なくとも1個の水素原子が前記したアリール基で置換された基が挙げられ、例えば炭素数7〜37、好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜15のアラルキル基が挙げられる。具体的には、例えば、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルプロピル基、3−ナフチルプロピル基等が挙げられる。
また、アルキルオキシ基としては、炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜15、より好ましくは炭素数1〜10の直鎖若しくは分岐状のアルキル基からなるアルキルオキシ基が挙げられ、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基等が挙げられる。
また、アリールオキシ基としては、炭素数6〜36、好ましくは炭素数6〜18、より好ましくは炭素数6〜14の単環式、多環式又は縮合環式のアリール基からなるアリールオキシ基が挙げられ、具体的には、例えば、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基等が挙げられる。
また、アラルキルオキシ基としては前記アルキルオキシ基のアルキル基又はシクロアルキル基の少なくとも1個の水素原子が前記アリール基で置換された基が挙げられ、例えば炭素数7〜15のアラルキルオキシ基が好ましく、具体的にはベンジルオキシ基、1−フェニルエトキシ基、2−フェニルエトキシ基、1−フェニルプロポキシ基、2−フェニルプロポキシ基、3−フェニルプロポキシ基、4−フェニルブトキシ基、1−ナフチルメトキシ基、2−ナフチルメトキシ基等が挙げられる。
芳香族複素環基としては、例えば、炭素数2〜15で、異種原子として少なくとも1個、好ましくは1〜3個の窒素原子、酸素原子及び/又は硫黄原子等の異種原子を含んでいる、5又は6員の単環式ヘテロアリール基、多環式又は縮合環式のヘテロアリール基が挙げられる。その具体例としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、アクリジル基、アクリジニル基等が挙げられる。
これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、複素環基、並びに、置換アミノ基上のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び複素環基が有していてもよい置換基としては、前記したアルキル基、前記したシクロアルキル基、前記したアリール基、前記したアラルキル基、前記したアルキルオキシ基、前記したシクロアルキルオキシ基、前記したアリールオキシ基、前記したアラルキルオキシ基、前記した複素環基、前記した置換アミノ基、ハロゲン原子、シリル基、及び保護されていてもよい水酸基等が挙げられる。
R1、R2、R3、及びR4の置換基としてのシリル基としては、シリル基の水素原子の3個が前記したアルキル基、前記したシクロアルキル基、前記したアリール基、前記したアラルキル基等に置き換ったものが挙げられる。具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
R1、R2、R3、及びR4の置換基としての保護されていてもよい水酸基としては、無保護の水酸基、又は例えばトリメチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、tert−ブチルジフェニルシリル基などのシリル基、ベンジル基やメトキシメチル基など例えば参考文献1(Protective Groups in Organic Synthesis Second Edition, JOHN WILEY&SONS, INC.1991)に記載されているペプチド合成等で用いられている一般的な水酸基の保護基で保護されていてもよい水酸基などが挙げられる。
一般式(2)の式中のQ1及びQ2は同一であっても異なっていてもよく、置換基を有していてもよい二価のアルキレン基、置換基を有していてもよい二価のシクロアルキレン基、又は置換基を有していてもよい二価のアラルキレン基を表す。
二価のアルキレン基としては、炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜6の鎖状又は分岐状の二価のアルキル鎖が挙げられ、具体的には例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基等が挙げられる。
また、二価のシクロアルキレン基としては、炭素数3〜15、好ましくは炭素数3〜10、より好ましくは3〜6の単環式、多環式又は縮合環式のシクロアルキル基からなる二価の基が挙げられ、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。
また、二価のアラルキレン基としてはベンジル基、フェネチル基等などのアラルキル基のアリール基から水素を一個除いた炭素数7〜11の二価の基を挙げることができる。ベンジレン基(−Ph−CH2−)、2−フェニルエチレン基(−Ph−CH2CH2−)、1−ナフチルメチレン基(−Np−CH2−)、2−ナフチルメチレン基(−Np−CH2−)等(式中、−Ph−はフェニレン基を示し、−Np−はナフチレン基を示す。)
が挙げられる。
これらの二価のアルキレン基、二価のシクロアルキレン基、又は二価のアラルキレン基が有していてもよい置換基としては、前記した一般式(2)におけるR1、R2、R3、及びR4についての説明で述べたようなアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、及び複素環基、並びにハロゲン原子、シリル基、置換アミノ基、及び保護されていてもよい水酸基等が挙げられる。
1価のアニオン性配位子としては、例えば、ヒドリド、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、アシルオキシ基、スルホニルオキシ基、ハロゲンイオン、AlH4 −、AlH2(OCH2CH2OCH3)2 −、BH4 −、BH3CN−、BH(Et)3 −及びBH(sec−Bu)3 −等が挙げられる。なお、本明細書中では、ヒドリドを単に水素、ハロゲンイオンを単にハロゲンということもある。
アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、及びアラルキルオキシ基としては、前記一般式(2)で説明した基が挙げられる。
アシルオキシ基としては(RaCO2)で表されるものが挙げられる、アシルオキシ基RaCO2におけるRaとしては、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基が挙げられる。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、としては、例えば前記した一般式(2)におけるR1、R2、R3、及びR4についての説明で述べたようなアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基が挙げられ、これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、さらに前記した一般式(2)におけるR1、R2、R3、及びR4についての説明で述べたようなアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、及び複素環基、並びにハロゲン原子、シリル基、保護されていてもよい水酸基、及び保護されていてもよいアミノ基等で置換されていてもよい。
Raとしては例えばメチル基、エチル基、プロピル基、tert−ブチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。
スルホニルオキシ基としては(RSSO3)で表されるものが挙げられる。スルホニルオキシ基RSSO3におけるRSとしてはアシルオキシ基におけるRaと同様のものがあげられる。
ハロゲンイオンとしては、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオンが挙げられる。好ましくは塩素イオン、臭素イオン、さらに好ましくは塩素イオンが挙げられる。
これらの中でも好ましい1価のアニオン性配位子としては、BH4 −、ヒドリド、又は塩素イオンが挙げられる。
好ましい3座アミノホスフィン配位子としては下記一般式(10)で表されるものが挙げられる。
一般式(3)におけるアリール基、芳香族複素環基としては例えば前記した一般式(2)におけるR1、R2、R3、及びR4についての説明で述べたようなアリール基や複素環の中で述べた芳香族複素環等が挙げられる。また、これらのアリール基や芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、前記した一般式(2)におけるR1、R2、R3、及びR4についての説明で述べたようなアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、及びアラルキルオキシ基、並びにハロゲン原子、シリル基、複素環基、置換アミノ基、及び保護されていてもよい水酸基等が挙げられる。
また、さらに好ましい3座アミノジホスフィン配位子としては下記のものが挙げられる。
また、一般式(2)及び(10)で表される3座アミノジホスフィン配位子は、Q1、Q2上の置換基によって、またはR1〜R8の種類によっては光学活性体として、一般式(1)で表されるルテニウムカルボニル錯体の配位子として用いることができる。
本発明におけるルテニウムカルボニル錯体を製造するための出発原料であるルテニウム化合物としては、特に制限はないが、例えば、RuCl3水和物、RuBr3水和物、RuI3水和物等の無機ルテニウム化合物、RuCl2(DMSO)4、[Ru(cod)Cl2]n、[Ru(nbd)Cl2]n、(cod)Ru(2−methallyl)2、[Ru(benzene)Cl2]2、[Ru(benzene)Br2]2、[Ru(benzene)I2]2、[Ru(p−cymene)Cl2]2、[Ru(p−cymene)Br2]2、[Ru(p−cymene)I2]2、[Ru(mesitylene)Cl2]2、[Ru(mesitylene)Br2]2、[Ru(mesitylene)I2]2、[Ru(hexamethylbenzene)Cl2]2、[Ru(hexamethylbenzene)Br2]2、[Ru(hexamethylbenzene)I2]2、RuCl2(PPh3)3、RuBr2(PPh3)3、RuI2(PPh3)3、RuH4(PPh3)3、RuClH(PPh3)3、RuH(OAc)(PPh3)3、RuH2(PPh3)4等が挙げられる。例示中、DMSOはジメチルスルホキシド、codは1,5−シクロオクタジエン、nbdはノルボルナジエン、Phはフェニル基をそれぞれ表す。
3座アミノジホスフィン配位子は、脱離基を有するビス(置換アルキル)アミンとリチウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属フォスフィド化合物を反応させることで容易に製造することができる。
前駆体となるルテニウムカルボニル錯体は、例えば、Inorg.Synth,1974,15,45.に記載の方法などにより得ることができる。得られた前駆体となるルテニウムカルボニル錯体を3座アミノジホスフィン配位子と反応させて3座アミノジホスフィン配位子を有する本発明のルテニウムカルボニル錯体とすることができる。
また、一般式(1)で表されるルテニウムカルボニル錯体におけるXがBH4 −であるルテニウムカルボニル錯体は、Xが塩素イオンであるルテニウムカルボニル錯体と水素化ホウ素化合物、例えばNaBH4を反応させることにより製造することができる。
このようにして製造される錯体は、配位子の配位様式やコンホメーションによって立体異性体を生じることがあるが、反応に用いる錯体はこれら立体異性体の混合物であっても純粋なひとつの異性体であっても構わない。
好ましい錯体としては、例えば、下記一般式(11)
RuHCl(CO)(L) (11)
(式中、(L)は、前記した一般式(2)、(3)及び(10)などで表される3座アミノジホスフィンを表す。)
で表される錯体が挙げられ、この錯体は一般式(2)、(3)又は(10)で表される3座アミノジホスホスフィン配位子LとRuClH(CO)(PPh3)3を適宜溶媒中で攪拌することで容易に製造することができる。
RuH(BH4)(CO)(L) (12)
(式中、(L)は、前記した一般式(2)、(3)及び(10)などで表される3座アミノジホスフィンを表す。)
で表される錯体が挙げられ、この錯体は一般式(11)で表されるルテニウムカルボニル錯体と水素化ホウ素化合物、例えば、NaBH4を適宜溶媒中で攪拌することで容易に製造することができる。
このように、本発明の方法は各種の態様をとることができるが、本発明の方法の基本的な態様は、第1級、第2級のアミン化合物が対応するN−アルキル化アミンを生成させる反応である。なお、本明細書中で使用されている「アルキル化」という用語は、アルキル基を導入する反応に限定されるものではなく、新たなC−N結合を導入する反応の簡便な総称として使用されている。したがって、本明細書中で使用されている「アルキル化」は、アルケニル化、シクロアルキル化、アリール化、ヘテロアリール化などの、アミン類に新たなC−Nを導入する全ての反応を包含するものである。また、本明細書中における「アルキル化」は、モノアルキル化及びジアルキル化の両方を包含している。
RA−NH2 (5)
一般式(5)の式中のRAは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルケニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、アルコキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アルキニルオキシカルボニル基、シクロアルケニルオキシカルボニル基、カルボキサミド基、又はアルコキシスルホニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
一般式(5)のRAにおける、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、及びアラルキルオキシ基としては、前記した一般式(2)におけるR1、R2、R3、及びR4についての説明で述べてきた基が挙げられる。
アルケニル基としては、炭素鎖中に1個以上の炭素−炭素二重結合を有する基であって、炭素数2〜20、好ましくは炭素数2〜15、より好ましくは炭素数2〜10の直鎖状又は分枝状のアルケニル基が挙げられる。このようなアルケニル基の例としては、ビニル基、1−メチル−ビニル基、2−メチル−ビニル基、n−2−プロペニル基、1,2−ジメチル−ビニル基、1−メチル−プロペニル基、2−メチル−プロペニル基、n−1−ブテニル基、n−2−ブテニル基、n−3−ブテニル基などが挙げられる。
アルキニル基としては、炭素鎖中に1個以上の炭素−炭素三重結合を有する基であって、炭素数2〜10、好ましくは炭素数2〜8、より好ましくは炭素数2〜6の直鎖状又は分枝状のアルキニル基が挙げられる。このようなアルキニル基の例としては、エチニル基、n−1−プロピニル基、n−2−プロピニル基、n−1−ブチニル基、n−2−ブチニル基、n−3−ブチニル基などが挙げられる。
シクロアルケニル基としては、炭素数3〜15、好ましくは炭素数3〜10の不飽和の単環式、多環式又は縮合環式のシクロアルケニル基が挙げられる。このようなシクロアルケニル基としては、例えば、シクロプロペニル基、シクロペンテニル基、シクロヘセニル基、シクロオクテニル基などが挙げられる。
シクロアルキルオキシカルボニル基としては、炭素数3〜30、好ましくは炭素数3〜20、より好ましくは炭素数3〜10の単環式、多環式又は縮合環式のシクロアルキル基にオキシカルボニル基(−O−CO−基)が結合したものが挙げられる。このような総炭素数4〜31、好ましくは総炭素数4〜21、より好ましくは総炭素数4〜11のシクロアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、シクロプロピルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、シクロオクチルオキシカルボニル基、ビシクロ[1.1.0]ブチルオキシカルボニル基、トリシクロ[2.2.1.0]ヘプチルオキシカルボニル基、ビシクロ[3.2.1]オクチルオキシカルボニル基、ビシクロ[2.2.2.]オクチルオキシカルボニル基、アダマンチルオキシカルボニル基(トリシクロ[3.3.1.1]デカニルオキシカルボニル基)、ビシクロ[4.3.2]ウンデカニルオキシカルボニル基、トリシクロ[5.3.1.1]ドデカニルオキシカルボニル基、などが挙げられる。
アリールオキシカルボニル基としては、炭素数6〜36、好ましくは炭素数6〜18、より好ましくは炭素数6〜14の単環式、多環式又は縮合環式のアリール基にオキシカルボニル基(−O−CO−基)が結合したものが挙げられる。このような総炭素数7〜37、好ましくは総炭素数7〜19、より好ましくは総炭素数7〜15のアリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基、アントリルオキシカルボニル基、フェナントリルオキシカルボニル基、ビフェニルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アルケニルオキシカルボニル基としては、炭素数2〜20、好ましくは炭素数2〜15、より好ましくは炭素数2〜10の直鎖状又は分枝状のアルケニル基にオキシカルボニル基(−O−CO−基)が結合したものが挙げられる。このような総炭素数3〜21、好ましくは総炭素数3〜16、より好ましくは総炭素数3〜11のアルケニルオキシカルボニル基としては、例えば、ビニル基オキシカルボニル、1−メチル−ビニルオキシカルボニル基、2−メチル−ビニルオキシカルボニル基、n−2−プロペニルオキシカルボニル基、1,2−ジメチル−ビニルオキシカルボニル基、1−メチル−プロペニルオキシカルボニル基、2−メチル−プロペニルオキシカルボニル基、n−1−ブテニルオキシカルボニル基、n−2−ブテニルオキシカルボニル基、n−3−ブテニルオキシカルボニル基などが挙げられる。
アルキニルオキシカルボニル基としては、炭素鎖中に1個以上の炭素−炭素三重結合を有する基であって、炭素数2〜10、好ましくは炭素数2〜8、より好ましくは炭素数2〜6の直鎖状又は分枝状のアルキニル基にオキシカルボニル基(−O−CO−基)が結合したものが挙げられる。このような総炭素数3〜11、好ましくは総炭素数3〜9、より好ましくは総炭素数3〜7のアルキニルオキシカルボニル基としては、例えば、n−2−プロピニルオキシカルボニル基、n−2−ブチニルオキシカルボニル基、n−3−ブチニルオキシカルボニル基などが挙げられる。
カルボキサミド基としては、−CONH2基及び当該アミド基の窒素原子が前記したアルキル基で置換されていてもよいカルボキサミド基が挙げられる。
アルコキシスルホニル基としては、炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルキル基にオキシスルホニル基(−O−SO2−基)が結合したものが挙げられる。このようなアルコキシスルホニル基としては、例えば、メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基、n−プロポキシスルホニル基、イソプロポキシスルホニル基、などが挙げられる。
このような環を形成したアミンの例としては、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、及びこれらの誘導体などが挙げられる。
このような環を形成したアミンを本明細書では「脂環式アミン」という。
前記一般式(5)におけるRAがアリール基であるアミン、及び一般式(8)におけるRB1又はRB2のいずれか又は両方がアリール基であるアミンを、本明細書では「アリールアミン」という。
また、前記一般式(5)におけるRAが複素環基であるアミン、及び一般式(8)におけるRB1又はRB2のいずれか又は両方が複素環基であるアミンを、本明細書では「ヘテロアリールアミン」という。
前記一般式(5)におけるRAがシクロアルキル基であるアミン、及び一般式(8)におけるRB1又はRB2のいずれか又は両方がシクロアルキル基であるアミンを、本明細書では「シクロアルキルアミン」という。また、当該シクロアルキル基が、ビシクロ、トリシクロなどの架橋式のシクロアルキル基である場合は、「架橋シクロアルキルアミン」という。
一般式(6)におけるRのアリール基及び複素環基としては、前記した一般式(2)におけるR1、R2、R3、及びR4についての説明で述べてきた基が挙げられる。
一般式(6)におけるRの炭化水素基としては、炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜15、より好ましくは炭素数1〜10の直鎖状又は分枝状のアルキル基;炭素数2〜20、好ましくは炭素数2〜15、より好ましくは炭素数2〜10の直鎖状又は分枝状のアルケニル基;炭素数2〜10、好ましくは炭素数2〜8、より好ましくは炭素数2〜6の直鎖状又は分枝状のアルキニル基;炭素数3〜15、好ましくは炭素数3〜10の飽和又は不飽和の単環式、多環式又は縮合環式の脂環式炭化水素基;炭素数6〜36、好ましくは炭素数6〜18、炭素数6〜12の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基;炭素数7〜40、好ましくは炭素数7〜20、炭素数7〜15のアラルキル基などが挙げられる。これらの基は「置換基」を有していてもよく、当該置換基としては、本発明の反応に関与しない基であれば特に限定されるものではない。また、置換基が水酸基などの本発明の反応に関与する可能性がある場合には、反応に先立ち適宜保護基で保護することもできる。「置換基」としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは非置換のアミノ基、アルキルシリル基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜30のアリール基、炭素数7〜30のアリールアルキル基、ヘテロアリール基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数6〜30のアリールオキシ基、炭素数7〜30のアリールアルキルオキシ基、ヘテロアリールオキシ基などが挙げられる。
本発明の方法を行う際に水素は必要としない。本発明の方法は、必要により加圧もしくは反応中に減圧することもできる。加圧する場合は、窒素や水素を用いてもよい。また、溶媒の蒸気圧により加圧することもできる。
本発明の方法における反応時問は30分〜72時間、好ましくは2時間から48時間で十分に高い原料転化率を得ることができる。
反応終了後は、抽出、濾過、結晶化、蒸留、各種クロマトグラフィー等、通常用いられる精製法を単独又は適宜組み合わせることにより目的のアルキル化アミン類を得ることができる。
即ち、本発明のアミン類のアルキル化方法は、次の(1)及び(2)の工程を含有してなる。
(1)前記した一般式(1)で表されるルテニウム錯体の存在下、アミンにアルコールを反応させる工程、及び、
(2)前記反応により生成したN−アルキルアミンを得る工程。
実施例中において下記の分析機器を用いた。
核磁気共鳴スペクトル(NMR);MERCURY300−C/H(VARIAN社)
ガスクロマトグラフィー(GC);GC−4000(GLサイエンス(株))
カラム;Inert Cap 1(GLサイエンス(株))
HRMS;LCMS−IT−TOF(Shimadzu Corp.)
WO2011/048727号公報に記載の方法により、1.4gのルテニウムカルボニル錯体1を製造した。
WO2011/048727号公報に記載の方法に従い、次の反応式によりルテニウムカルボニル錯体2を製造した。
1H−NMR(300MHz CD2Cl2): δ =
-16.30(t, J = 18.0Hz, 1H), 1.01-1.49(m, 24H), 1.72-1.84(m, 4H), 2.20-2.36(m, 4H), 2.62-2.70(m, 2H), 3.15-3.33(m, 2H), 3.42(bs, 1H)
31P−NMR(121.5MHz CD2Cl2): δ=75.1(s)
HRMS(ESI):m/z
C17H38NOP2ClRuとして、計算値:[M]+ 471.1155;
実測値: 471.1133.
WO2011/048727号公報に記載の方法に従い、次の反応式によりルテニウムカルボニル錯体3を製造した。
1H−NMR(300MHz CD2Cl2): δ =
-16.37(t, J = 18.0Hz, 1H), 1.25-2.02(m, 50H), 2.20-2.40(m, 8H), 3.19-3.25(m, 2H), 3.50-3.52(m, 2H)
31P−NMR(121.5MHz CD2Cl2):δ=52.8(d, J = 14Hz)
HRMS(ESI):m/z
C29H54NOP2ClRuとして、計算値:[M]+ 631.2407;
実測値: 631.2427.
WO2011/048727号公報に記載の方法に従い、次の反応式によりルテニウムカルボニル錯体4を製造した。
1H−NMR(300MHz CD2Cl2): δ =
-18.76(t, J = 19.8Hz, 1H), 1.32(s, 9H), 1.34(s, 9H), 1.42(s, 9H), 1.44(s, 9H), 2.04-2.28(m, 4H), 2.37-2.47(m, 2H), 3.11-3.58(m, 3H)
31P−NMR(121.5MHz CD2Cl2):δ=86.7(d, J = 15Hz)
HRMS(ESI):m/z
C21H46NOP2Ruとして、計算値:[M−Cl]+ 492.2099;
実測値: 492.2093.
100mlステンレス製オートクレーブに参考例2で製造した錯体2を4.7mg(0.01mmol)加え、窒素置換後、メタノール2mlを加えた。続いてアニリン0.183ml(2mmol)、1M−NaOMeメタノール溶液1.2ml(1.2mmol)を加えた後、170℃にて5時間攪拌した。冷却後、反応物をGCにて分析したところ、88%のGC収率で1−メチルアニリンが得られた。
100mlステンレス製オートクレーブに参考例3で製造した錯体3を6.3mg(0.01mmol)加え、窒素置換後、メタノール2mlを加えた。続いてアニリン0.183ml(2mmol)、1M−NaOMeメタノール溶液1.2ml(1.2mmol)を加えた後、170℃にて5時間攪拌した。冷却後、反応物をGCにて分析したところ、62%のGC収率で1−メチルアニリンが得られた。
Claims (8)
- 次の一般式(1)
RuHCl(CO)(L) (1)
(一般式(1)中、Lは下記一般式(2)
で表される3座アミノジホスフィン配位子を表す。)
で表されるルテニウム錯体の存在下、アミンにアルコールを反応させる、N−アルキルアミンの製造方法であって、当該方法は、
下記一般式(4)
R−NH−R A (4)
(式中、R A は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Rは、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよい複素環基を表す。)
で表されるN−アルキルアミンの製造方法であり、アミンが下記一般式(5)
R A −NH 2 (5)
(式中、R A は一般式(4)における定義と同一の基を表す。)
で表されるアミンであり、アルコールが下記一般式(6)
R−OH (6)
(式中、Rは一般式(4)における定義と同一の基を表す。)
で表されるアルコールである、
方法。 - 次の一般式(1)
RuHCl(CO)(L) (1)
(一般式(1)中、Lは下記一般式(2)
で表される3座アミノジホスフィン配位子を表す。)
で表されるルテニウム錯体の存在下、アミンにアルコールを反応させる、N−アルキルアミンの製造方法であって、当該方法は、
下記一般式(7)
Rは、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよい複素環基を表す。)
で表されるN−アルキルアミンの製造方法であり、アミンが下記一般式(8)
であり、アルコールが下記一般式(6)
R−OH (6)
(式中、Rは前記と同一の基を表す。)
で表されるアルコールである、
方法。 - 次の一般式(1)
RuHCl(CO)(L) (1)
(一般式(1)中、Lは下記一般式(2)
で表される3座アミノジホスフィン配位子を表す。)
で表されるルテニウム錯体の存在下、アミンにアルコールを反応させる、N−アルキルアミンの製造方法であって、当該方法は、
下記一般式(9)
Rは、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよい複素環基を表す。)
で表されるN−アルキルアミンの製造方法であり、アミンが下記一般式(5)
R A −NH 2 (5)
(式中、R A は前記と同一の基を表す。)
で表されるアミンであり、アルコールが下記一般式(6)
R−OH (6)
(式中、Rは前記と同一の基を表す。)
で表されるアルコールである、
方法。 - アルコールが、1級又は2級アルコールである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- アルコールが、メタノール又はエタノールである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- アミンとアルコールの反応が、さらに塩基性物質の存在下で行われる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 塩基性物質が、金属アルコキシドである、請求項7に記載の方法。
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