JP6351458B2 - Plasma processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、磁場コイルを備えたプラズマ処理装置に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus provided with a magnetic field coil.
近年、半導体メーカーの低コスト化においては、半導体製品におけるデザインルール(設計基準)を微細化して、一つのウエハから取れるチップ数を増加される方法を取っていたが、それに加えウエハ径の大口径化も検討されている。 In recent years, in order to reduce the cost of semiconductor manufacturers, the design rule (design standard) for semiconductor products has been refined to increase the number of chips that can be taken from a single wafer. It is also being considered.
このことから、例えばプラズマ処理装置の一つであるエッチング装置においてもウエハ径の大口径化に向けて、直径がφ300mmのウエハから直径がφ450mmのウエハに対応した装置の開発が開始されており、磁場コイルを有するマイクロ波プラズマエッチング装置においても、直径がφ300mmのウエハに対応した装置から直径がφ450mmのウエハに対応した装置の開発が開始されている。 For this reason, for example, in an etching apparatus which is one of plasma processing apparatuses, development of an apparatus corresponding to a wafer having a diameter of φ450 mm from a wafer having a diameter of φ300 mm has been started in order to increase the diameter of the wafer. Also in a microwave plasma etching apparatus having a magnetic field coil, development of an apparatus corresponding to a wafer having a diameter of φ450 mm has been started from an apparatus corresponding to a wafer having a diameter of φ300 mm.
ウエハ径の大口径化によって、直径がφ450mmのウエハに対応したマイクロ波プラズマエッチング装置の磁場コイルと磁場コイルを覆うコイルケースも直径がφ300mmのウエハに対応したエッチング装置に比べて大きくなっている。 As the wafer diameter is increased, the magnetic field coil of the microwave plasma etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of 450 mm and the coil case covering the magnetic field coil are also larger than the etching apparatus corresponding to the wafer having a diameter of 300 mm.
コイルケースは、従来のマイクロ波プラズマエッチング装置から磁場コイルを覆う構成となっており、磁場コイルによる磁力線を覆うように形成することができるため、コイルケースから外周部への磁場の漏れを減少させることができる。 The coil case is configured to cover the magnetic field coil from the conventional microwave plasma etching apparatus, and can be formed so as to cover the magnetic field lines by the magnetic field coil, thereby reducing the leakage of the magnetic field from the coil case to the outer periphery. be able to.
なお、プラズマ処理室に高密度かつ均一なプラズマを生成し、高速且つ均一にプラズマ処理するために、磁場コイルを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、プラズマ生成室に遅波回路を設け、プラズマ処理室に平均極小磁場を生成するように構成する技術が特許文献1に開示されている。 In order to generate high-density and uniform plasma in the plasma processing chamber and perform plasma processing at high speed and uniformly, in the microwave plasma processing apparatus equipped with a magnetic field coil, a slow wave circuit is provided in the plasma generation chamber and plasma processing is performed. Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228667 discloses a technique for generating an average minimal magnetic field in a chamber.
コイルケースは磁場コイルを覆うことによりコイルケースから外周部への磁場の漏れを減少させることが可能であり、また、直径がφ300mmのウエハに対応したマイクロ波プラズマエッチング装置で実績があったため、直径がφ450mmのウエハに対応したマイクロ波プラズマエッチング装置への適用を試みた。しかしながら、単に、直径がφ300mmのウエハに対応したマイクロ波プラズマエッチング装置を直径がφ450mmのウエハに対応したマイクロ波プラズマエッチング装置とすると、装置が大きくなり過ぎてしまうことが分かった。そこで、高周波電源および直流電源、整合器等をコイルケース上に配置した。これにより、装置のコンパクト化を図ることができた。しかしながら、このようにコンパクト化を図ったところ、直径がφ450mmのウエハに対応したマイクロ波プラズマエッチング装置では、コイルケース上部に設置された各種電源が試料のエッチング処理中に落ちる場合の有ることが判明した。 The coil case can reduce the leakage of the magnetic field from the coil case to the outer periphery by covering the magnetic field coil, and since there has been a track record in a microwave plasma etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of φ300 mm, Tried to apply to the microwave plasma etching equipment corresponding to the wafer of φ450mm. However, it has been found that if the microwave plasma etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of 300 mm is replaced with a microwave plasma etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of 450 mm, the apparatus becomes too large. Therefore, a high-frequency power source, a DC power source, a matching unit, and the like are arranged on the coil case. As a result, the apparatus can be made compact. However, as a result of such a compact design, it has been found that in a microwave plasma etching apparatus compatible with a wafer having a diameter of φ450 mm, various power sources installed at the upper part of the coil case may fall during the etching process of the sample. did.
本発明の第1の目的は、磁場コイルを覆うコイルケースを備え、直径がφ450mm以上のウエハに対応したプラズマ処理装置であっても、コンパクト化が可能なプラズマ処理装置を提供することにある。 A first object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that includes a coil case that covers a magnetic field coil and can be made compact even in a plasma processing apparatus that supports a wafer having a diameter of φ450 mm or more.
本発明の第2の目的は、上記コンパクト化を図った場合であっても、コイルケース上に設置された各種電源が試料の処理中に落ちるのを抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供することにある。 A second object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of preventing various power sources installed on a coil case from dropping during sample processing even when the above-described compactness is achieved. There is to do.
上記第1の目的を達成するための一実施形態として、試料がプラズマ処理される処理室と、マイクロ波を発振する発振器と、導波管を介して前記マイクロ波の電力を前記処理室へ供給する第一の高周波電源と、整合器を介して高周波電力を前記試料を載置する試料台に供給する第二の高周波電源と、前記試料を前記試料台へ静電吸着させるための直流電圧を前記試料台に印加する直流電源と、前記処理室内へ磁場を生成するための磁場生成手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記磁場生成手段は、磁場を生成するコイルと前記コイルにより生成された磁場を前記処理室外へ漏洩することを防止する円筒形状のコイルケースを具備し、
前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器は、前記コイルケースの上方に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
As one embodiment for achieving the first object, a processing chamber in which a sample is subjected to plasma processing, an oscillator that oscillates microwaves, and power of the microwave is supplied to the processing chamber via a waveguide. A first high-frequency power source, a second high-frequency power source for supplying high-frequency power to a sample stage on which the sample is placed via a matching unit, and a DC voltage for electrostatically adsorbing the sample to the sample stage. In a plasma processing apparatus comprising a DC power source to be applied to the sample stage, and a magnetic field generating means for generating a magnetic field in the processing chamber,
The magnetic field generation means comprises a coil that generates a magnetic field and a cylindrical coil case that prevents the magnetic field generated by the coil from leaking out of the processing chamber,
The first high-frequency power source, the second high-frequency power source, the direct-current power source, and the matching unit are arranged above the coil case.
また、上記第2の目的を達成するための一実施形態として、上記プラズマ処理装置において、
前記第一の高周波電源は、前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器より前記導波管の近くに配置され、
前記第一の高周波電源と前記導波管との間には、磁場を遮蔽する遮蔽板が配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
Further, as an embodiment for achieving the second object, in the plasma processing apparatus,
The first high-frequency power source is disposed closer to the waveguide than the second high-frequency power source, the DC power source, and the matching unit,
A shielding plate that shields a magnetic field is disposed between the first high-frequency power source and the waveguide.
各種電源等をコイルケースの上方に配置することにより、コンパクト化が可能なプラズマ処理装置を提供することができる。 By arranging various power supplies and the like above the coil case, it is possible to provide a plasma processing apparatus that can be made compact.
また、導波管と、導波管に最も近い第一の高周波電源との間に、磁場を遮蔽する遮蔽板を配置することにより、コイルケース上に設置された各種電源が試料の処理中に落ちるのを抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供することができる。 In addition, by arranging a shielding plate that shields the magnetic field between the waveguide and the first high-frequency power source closest to the waveguide, various power sources installed on the coil case can be used during sample processing. A plasma processing apparatus capable of suppressing falling can be provided.
発明者等は、磁場コイルを覆うコイルケースを備え、その上に各種電源等を配置し、直径がφ450mmのウエハに対応したマイクロ波プラズマエッチング装置において、コイルケース上部に設置された各種電源が試料のエッチング処理中に落ちる原因について検討した。その結果、磁場コイルを覆うコイルケースの厚さを、直径がφ300mmのウエハに対応したエッチング装置と同じ仕様を採用したため各種電源の内部にある基板上の回路が誤動作していることが判明した。この対策、即ちコイルケースからの磁場の漏えいを抑えるために、直径がφ450mmのウエハに対応するエッチング装置において、大型化された磁場コイルを覆うコイルケースの厚さを厚くすることが考えられる。しかしながら、大型化による総重量制限やコイルケース幅を厚く加工する技術の不足、およびコストの抑制等の観点から、コイルケースの厚さについては直径がφ300mmのウエハに対応したエッチング装置と同じ厚さにすることが望ましい。そこで、発明者等は、直径がφ450mmのウエハに対応したマイクロ波プラズマエッチング装置において、コイルケース上に設置された各種電源と導波管の間に遮蔽版を設置することとした。これにより、直径がφ450mmのウエハに対応し、コンパクト化を図ったマイクロ波プラズマエッチング装置であっても、エッチング処理中にコイルケース漏えいした磁場が遮蔽され各種電源への影響が低減され、コイルケース上に設置された各種電源の内部にある基板の誤動作が抑制され、装置の動作が安定する。 The inventors have a coil case covering a magnetic field coil, and various power sources are arranged on the coil case. In a microwave plasma etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of 450 mm, various power sources installed on the coil case are samples. The cause of falling during the etching process was investigated. As a result, it was found that the circuit on the substrate inside various power supplies malfunctioned because the thickness of the coil case covering the magnetic field coil was the same as that of an etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of φ300 mm. In order to prevent this measure, that is, to suppress leakage of the magnetic field from the coil case, it is conceivable to increase the thickness of the coil case covering the enlarged magnetic field coil in an etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of φ450 mm. However, from the viewpoints of total weight limitation due to the increase in size, lack of technology for processing a thick coil case width, cost control, etc., the thickness of the coil case is the same as that of an etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of 300 mm. It is desirable to make it. In view of this, the inventors decided to install a shielding plate between various power sources installed on the coil case and the waveguide in the microwave plasma etching apparatus corresponding to a wafer having a diameter of φ450 mm. As a result, even for a microwave plasma etching apparatus that is compatible with wafers with a diameter of φ450 mm and is made compact, the magnetic field leaking from the coil case during the etching process is shielded and the influence on various power sources is reduced. The malfunction of the substrate inside the various power supplies installed on the top is suppressed, and the operation of the apparatus is stabilized.
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。なお、実施例ではマイクロ波プラズマエッチング装置を用いて説明するが、エッチング装置に限定されない。図面に示された符号において、同一符号は同一の要素を示す。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. In the embodiment, a microwave plasma etching apparatus will be described, but the present invention is not limited to the etching apparatus. In the reference numerals shown in the drawings, the same reference numerals indicate the same elements.
本発明の実施例に係るプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。図1は本実施例で使用する、ECR(Electoron Cycrotron Rezonance)マイクロ波プラズマエッチング装置を示す概略縦断面図である。上部が開放された真空容器101の上部に、真空容器101内に処理ガスを導入するためのシャワープレート105(例えば石英製)、誘電体窓106(例えば石英製)を設置し、密封することにより処理室107を形成する。シャワープレート105には処理ガスを流すための複数の孔が配置されており、ガス供給装置108から供給されたガスは複数の孔を通り処理室107に導入される。また、真空容器101には真空排気口109を介し真空排気装置(図示せず)が接続されている。
A plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing an ECR (Electoron Cyclotron Rezonance) microwave plasma etching apparatus used in this embodiment. A shower plate 105 (for example, made of quartz) and a dielectric window 106 (for example, made of quartz) for introducing a processing gas into the
プラズマを生成するための電力を処理室107に伝送するため、誘電体窓106の上方には電磁波を伝送する導波管110を設けている。導波管110へ伝送される高周波(プラズマ生成用高周波)は第一の高周波電源104の制御により発振器103から発振される。また、第一の高周波電源104はパルス発振器を備えるため、時間変調された間欠的な高周波または、連続的な高周波を発振することができる。
In order to transmit power for generating plasma to the
高周波の周波数は特に限定されないが、本実施例では2.45GHzのマイクロ波(プラズマ生成用高周波)を使用する。処理室107の外周部には、磁場を形成する磁場発生用コイル111が設けてあり、発振器103より発振された電力は、形成された磁場との相互作用により、処理室107内に高密度プラズマを生成する。尚、磁場発生用コイル111はコイルケース112により覆われている。
The frequency of the high frequency is not particularly limited, but in this embodiment, a 2.45 GHz microwave (high frequency for plasma generation) is used. A magnetic
また、シャワープレート105に対向して真空容器101の下部には試料台102を設けている。試料台102は電極表面が溶射膜(図示せず)で被覆されており、高周波フィルタ116を介して直流電源117が接続されている。さらに、試料台102には、マッチング回路(整合器)114を介してバイアス用高周波電源である第二の高周波電源115が接続される。試料台102には、温度調節器(図示せず)も接続されている。
A
搬送手段(図示せず)により、ウエハ113を真空容器101の処理室107に搬送し、試料台102に載置する。処理室107内に搬送された試料であるウエハ113は、直流電源117から印加される直流電圧の静電気力で試料台102上に吸着、温度調節される。ガス供給装置108によって所望の処理ガスを処理室107へ供給した後、真空排気装置を介して真空容器101内を所定の圧力に制御し、発振器103から高周波を処理室107内に供給して処理室107内にプラズマを発生させる。試料台102に接続された第二の高周波電源115から高周波電力を印加することにより、プラズマからウエハへイオンを引き込み、ウエハ113がプラズマ処理(エッチング)される。また、第二の高周波電源115は、パルス発振器を備えるため、試料台102に時間変調された間欠的な高周波電力または、連続的な高周波電力を印加することができる。
The
本実施例に係るプラズマエッチング装置では、図2に示すように、コイルケース112の上部に、直流電源117とマッチング回路114、および第一の高周波電源104と第二の高周波電源115が導波管110の両側に配置されている。このようにコイルケース112の上部に各種電源を搭載することは、大きくなり過ぎた装置をコンパクトにするためであり、各種電源の配列についても限られた設置場所を考慮したためである。特に、鉛直上方から見て外形寸法の大きな第一の高周波電源104やマッチング回路114を、広い領域が確保できるコイルケース112の中央部付近、即ち導波管110の近傍に配置し、外形寸法の小さな第二の高周波電源115や直流電源117をコイルケース112の周辺部、即ち第一の高周波電源104やマッチング回路114の更に外側に配置した。又、各部品の長手方向が、導波管110の長手方向と平行に配置することによりスペースを有効に利用することができ、より小スペース内に配置することができる。
In the plasma etching apparatus according to the present embodiment, as shown in FIG. 2, a
コイルケース112の上部に、直流電源117とマッチング回路114、および第一の高周波電源104と第二の高周波電源115が導波管110の両側に配置された、直径がφ450mmのウエハに対応したエッチング装置を用いて、エッチング処理を実施したところ、特定条件でのエッチング処理中に、コイルケース112の上部に設置されている第一の高周波電源104が落ちることが判明した。この第一の高周波電源104が落ちる要因の一つとして、第一の高周波電源104の内部にある基板の過温検知(80℃以上で検知)の作動が挙げられる。通常の過温検知の作動であれば、第一の高周波電源104の復旧には時間を要しないが、今回の過温検知の作動後は復旧するまでに時間を要した。また、第一の高周波電源104の復旧後に再度特定条件でエッチング処理をすると、再度第一の高周波電源104が落ちることが確認された。そこで第一の高周波電源104の内部にある基板の過温検知器の状態を確認したが、過温検出時に見られる過温検知器の変色は見られなかった。
Etching corresponding to a wafer having a diameter of 450 mm, in which a
そこで次にエッチング処理を実施する条件について確認した。エッチング処理中において、第一の高周波電源104が落ちない条件もあり、処理条件を調べていくと磁場発生用コイル111の使用領域によって第一の高周波電源104がエッチング処理中に落ちることが判明した。図3にコイルケース112部の概略拡大断面図(図2のC−Cライン断面図、シャワープレート等未記載)を示す。コイルケース112の内側に設置された磁場発生用コイル111は、上コイル111a、中コイル111b、下コイル111cに分かれている。エッチング処理中は、磁力線118が下コイル111cから上コイル111aに沿って形成されており、処理室107を通り下コイル111cに繋がっている。
Therefore, the conditions for performing the next etching process were confirmed. During the etching process, there is a condition that the first high-
この時に下コイル111cの電流の大きさを調整することにより、磁力線118に沿ってプラズマを処理室107内に拡散できることが可能である。このため、高密度で高均一のプラズマを処理室107内に生成することが可能であり、ウエハ113を高速かつ均一にエッチングすることができる。
At this time, the plasma can be diffused into the
図4は、図1に示したマイクロ波プラズマエッチング装置のA−A断面図であり、上コイル111aとコイルケース112の横断面図である。上コイル111aは内側および外側をコイルケース112に覆われている。上コイル111aの内側をコイルケース112で覆うことで磁力線118に沿ってプラズマを処理室107内へ導くことができる。
4 is a cross-sectional view taken along the line AA of the microwave plasma etching apparatus shown in FIG. 1, and is a cross-sectional view of the
図5は、図1のB−B断面を示す。中コイル111bの内側にはコイルケース112で覆われていないので、磁力線118の影響を受けずにプラズマは処理室107内に拡散することができる。下コイル111cも中コイル111bと同様な構造となっている。(図示せず)
このことから、エッチング処理中に第一の高周波電源104が落ちる要因として、下コイル111cの電流を大きくした場合にコイルケース112から磁場が漏れ、第一の高周波電源104の内部にある基板の誤動作を誘発していると推定された。即ち、第一の高周波電源104の設置箇所は、電源内にある基板の向きが導波管110寄りになっており、上コイル111aに沿っている磁力線118の影響を受けやすい構造となっている。また、第一の高周波電源104の内部にある基板を覆う蓋の材質はアルミ製であり、コイルケース内の磁力線118から漏れた磁場が、比透磁率が1と低い材質のアルミを突き抜けることで第一の高周波電源104の内部にある基板の誤動作を誘発しているものと推定された。
FIG. 5 shows a BB cross section of FIG. Since the inside of the
From this, as a factor that the first high
この対策として、第一の高周波電源104の設置箇所を移動することが考えられるが、コイルケース112から各種電源が極力はみ出さないように配置されており、鉛直上方から見て外形寸法(特に、長辺寸法)の大きな第一の高周波電源の設置箇所を変更することは難しい。
As a countermeasure, it is conceivable to move the place where the first high-
そこで本発明者等は、図6に示すようにコイルケース112の上部にある第一の高周波電源104の横に遮蔽板119を設置した。その結果、下コイル111cの電流を大きくした特定条件であっても、磁場の漏えいを抑制することができた。この遮蔽板119の材質は鉄製であり、透磁率の低いアルミ製に比べ透磁率が高くなっているので、コイルケース112から磁場が漏れた場合でも第一の高周波電源104の内部へは磁場が到達しないものと考えられる。
Therefore, the inventors installed a
一般に透磁率が低い材質としてアルミや銅があり、透磁率が高い材質として鉄やSUSがある。 In general, there are aluminum and copper as materials having low magnetic permeability, and iron and SUS as materials having high magnetic permeability.
透磁率とは磁界の強さがどれだけ空間に及ぼしているかを示す指標であるが、真空の透磁率との比である比透磁率で表すとアルミは1であり、鉄は5000である。比透磁率が小さいと磁力線118が材質を突き抜けるのに対して、比透磁率が高いと磁力線118が材料を磁化しやすくなることで物質を突き抜けることを抑制できる。原子自体で磁気を帯びえている物質としては、鉄(比透磁率5000)、ニッケル(比透磁600)、コバルト(比透磁率250)の三つがあり、どれも磁力線118が物質を突き抜けることを抑制することが可能である。即ち、比透磁率が1を越える材料を用いることにより遮蔽板としての効果が表れ、比透磁率が250〜5000の範囲の材料が実用的である。その中でも鉄はコスト面や性能面から見て遮蔽板の材質として最も優れている。
The magnetic permeability is an index indicating how much the strength of the magnetic field exerts on the space, but aluminum is 1 and iron is 5000 in terms of relative magnetic permeability, which is a ratio to the vacuum magnetic permeability. When the relative magnetic permeability is low, the magnetic lines of
図7はコイルケース112の上部に各種電源が設置された状態(図6のD−Dライン断面図、シャワープレート等未記載)を示す。導波管110を正面に見た図であり、第一の高周波電源104と導波管110の間も狭いため、薄い遮蔽板119を採用した。本実施例では、鉄製の遮蔽板119の寸法は高さ420mm、横620mm、厚さ2mmとした。比透磁率が高いほど、遮蔽板を薄くすることができる。また、コイルケース112の上部に配置する構成要素は可能な限り導波管110から距離を離して配置することが好ましい。遮蔽板は第一の高周波電源104だけでなく、他の構成要素に取り付けることもできる。
FIG. 7 shows a state in which various power sources are installed on top of the coil case 112 (DD line cross-sectional view of FIG. 6, shower plate etc. not shown). It is the figure which looked at the
図1、図6、図7に示すような構成を有するECRマイクロ波エッチング装置を用い、下コイル111cの電流を大きくした特定条件でウエハ(試料)にエッチング処理を実施した結果、エッチング処理中に第一の高周波電源104の内部にある基板の誤動作が抑制され、装置の動作が安定し、良好なエッチングを安定して行うことができた。これは、コイルケース112を通る磁力線118から漏れた磁場が、鉄製の遮蔽板119によって第一の高周波電源104の内部への進入を遮断できたためである。
Using the ECR microwave etching apparatus having the configuration shown in FIGS. 1, 6, and 7, the wafer (sample) was etched under specific conditions in which the current of the
以上、本実施例によれば、磁場コイルを覆うコイルケースを備え、直径がφ450mmのウエハに対応したプラズマ処理装置であっても、コンパクト化が可能なプラズマ処理装置を提供することができる。また、上記コンパクト化を図った場合であっても、コイルケース上に設置された各種電源が試料の処理中に落ちるのを抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供することができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a plasma processing apparatus that includes a coil case that covers a magnetic field coil and can be made compact even if it is a plasma processing apparatus that supports a wafer having a diameter of 450 mm. In addition, even when the above-described compactness is achieved, it is possible to provide a plasma processing apparatus that can suppress various power supplies installed on the coil case from falling during sample processing.
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。 In addition, this invention is not limited to an above-described Example, Various modifications are included. For example, the above-described embodiments have been described in detail for easy understanding of the present invention, and are not necessarily limited to those having all the configurations described. It is possible to add, delete, and replace other configurations for a part of the configuration of the embodiment.
101…真空容器、102…試料台、103…発振器、104…第一の高周波電源、105…シャワープレート、106…誘電体窓、107…処理室、108…ガス供給装置、109…真空排気口、110…導波管、111…磁場発生用コイル、111a…上コイル、111b…中コイル、111c…下コイル、112…コイルケース、113…ウエハ、114…マッチング回路(整合器)、115…第二の高周波電源、116…高周波フィルタ、117…直流電源、118…磁力線、119…遮蔽板。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記第一の高周波電源と前記導波管との間に配置され磁場を遮蔽する遮蔽板をさらに備え、
前記磁場形成手段は、コイルにより形成された磁場が前記処理室外へ漏洩することを防止し前記コイルが内部に配置された円筒形状のコイルケースを具備し、
前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器と前記遮蔽板は、前記コイルケースの上方に配置され、
前記第一の高周波電源は、前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器の各々より前記導波管の近くに配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 A processing chamber in which a sample is plasma-processed, an oscillator that oscillates microwaves, a first high-frequency power source that supplies the microwave power to the processing chamber via a waveguide, and a high-frequency power that passes through a matching unit a second high frequency power source supplied to the sample stage which a sample is placed, a DC power source for applying a DC voltage to the sample stage for electrostatically adsorbing the sample to the sample stage, into the processing chamber In a plasma processing apparatus comprising a magnetic field forming means for forming a magnetic field ,
A shielding plate disposed between the first high-frequency power source and the waveguide to shield a magnetic field;
The magnetic field forming means comprises a coil case of the cylindrical preventing the coil is disposed within the magnetic field formed by the coil from leaking to the outside of the processing room,
The first high-frequency power source, the second high-frequency power source, the DC power source, the matching unit, and the shielding plate are arranged above the coil case ,
The plasma processing apparatus, wherein the first high-frequency power source is disposed closer to the waveguide than each of the second high-frequency power source, the DC power source, and the matching unit.
平面図における前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器のそれぞれの長手方向が前記平面図における前記導波管の長手方向と平行となるように前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器のそれぞれが配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to claim 1,
The first high-frequency power source, the second high-frequency power source, the DC power source, and the matching unit in the plan view are parallel to the longitudinal direction of the waveguide in the plan view. Each of the high frequency power source, the second high frequency power source, the direct current power source, and the matching unit is disposed.
前記遮蔽板は、平板であり、
前記遮蔽板の材質は、鉄であることを特徴とするプラズマ処理装置。 In the plasma processing apparatus according to claim 1 or 2,
The shielding plate, Ri flat der,
The plasma processing apparatus, wherein the shielding plate is made of iron.
前記遮蔽板の比透磁率は、250ないし5000の範囲内の値であることを特徴とするプラズマ処理装置。 In the plasma processing apparatus according to claim 1 or 2 ,
The plasma processing apparatus, wherein the shielding plate has a relative magnetic permeability in a range of 250 to 5000 .
前記試料は、直径がφ450mm以上のウエハであることを特徴とするプラズマ処理装置。 In the plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 ,
The plasma processing apparatus , wherein the sample is a wafer having a diameter of 450 mm or more .
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