JP6340220B2

JP6340220B2 - 半導体モジュール用熱伝導性シート、及び、半導体モジュール

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Publication number: JP6340220B2
Application number: JP2014049330A
Authority: JP
Inventors: 達朗中埜; 章浩大橋
Original assignee: Nitto Shinko Corp
Current assignee: Nitto Shinko Corp
Priority date: 2014-03-12
Filing date: 2014-03-12
Publication date: 2018-06-06
Anticipated expiration: 2034-03-12
Also published as: JP2015173232A

Description

本発明は、半導体モジュール用熱伝導性シート、及び、半導体モジュールに関する。

従来、パワートランジスタやサイリスタなどの作動時に発熱をともなう半導体素子と、該半導体素子が発する熱を放熱するための金属板や放熱フィンといった放熱用部材とが一体化された半導体モジュールが機械類のパワー制御などにおいて広く用いられている。
この種の半導体モジュールにおいては、前記半導体素子が樹脂モールドされてなるモジュール本体と前記放熱用部材との間に熱伝導性に優れたシート状の部材が介装されており、該シート状部材は、「熱伝導性シート」などと称されたりしている。

この半導体モジュール用の熱伝導性シートとしては、基材シート（例えば、銅箔など）の片面や両面に、熱硬化性樹脂及び無機フィラーを含有する絶縁層を形成させたものや、基材シートなどを有していない絶縁層のみからなるものなどが知られている（例えば、特許文献１）。

この半導体モジュールは、熱伝導性シートの絶縁層を放熱用部材に熱溶着させて形成されている。

特開２０１０−９４８８７号公報

しかし、従来の半導体モジュールは、高温高湿下では、熱伝導性シートの絶縁層と、放熱用部材との間で剥離してしまうという問題を有する。

斯かる問題を解決すべく、絶縁層と放熱用部材とを接合する前に、放熱用部材の表面を粗化処理して絶縁層と放熱用部材との接触面積を高めることが考えられるが、この粗化処理では、手間がかかるという問題がある。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、放熱用部材との間で剥離し難い半導体モジュール用熱伝導性シートを提供することを第一の課題とする。また、熱伝導性シートの絶縁層と放熱用部材との間で剥離が生じ難い半導体モジュールを提供することを第二の課題とする。

本発明者らが鋭意検討したところ、絶縁層が没食子酸を含有する熱伝導性シートを用いて半導体モジュールを作製すると、熱伝導性シートの絶縁層と放熱用部材との間で剥離が生じ難くなることを見出し、本発明を想到するに至った。

すなわち、本発明は、半導体素子を樹脂モールドしたモジュール本体と、前記半導体素子が発する熱を放熱すべく外部露出した金属製の放熱用部材と、前記モジュール本体及び前記放熱用部材の間に介装された熱伝導性シートとを備える半導体モジュールの形成に用いられる、半導体モジュール用熱伝導性シートであって、
無機フィラー、及び、熱硬化性樹脂を含有する絶縁層を備えており、
前記半導体モジュールでは前記絶縁層を前記放熱用部材に熱溶着させて用いられ、
前記絶縁層は、更に、没食子酸を含有する、半導体モジュール用熱伝導性シートにある。

本発明は、半導体素子を樹脂モールドしたモジュール本体と、前記半導体素子が発する熱を放熱すべく外部露出した金属製の放熱用部材と、前記モジュール本体及び前記放熱用部材の間に介装された熱伝導性シートとを備える半導体モジュールであって、
前記熱伝導性シートが、無機フィラー、及び、熱硬化性樹脂を含有する絶縁層を備えており、
該絶縁層が、前記放熱用部材に接し、更に、没食子酸を含有する、半導体モジュールにある。

以上のように、本発明によれば、放熱用部材との間で剥離し難い半導体モジュール用熱伝導性シートを提供しうる。また、熱伝導性シートの絶縁層と放熱用部材との間で剥離が生じ難い半導体モジュールを提供しうる。

一実施形態の熱伝導性シートの断面構造を示した概略断面図。図１の熱伝導性シートの使用状態を模式的に示した半導体モジュールの概略断面図。他実施形態の熱伝導性シートの使用状態を模式的に示した半導体モジュールの概略断面図。熱伝導性シートを介して２枚の銅板を重ね合わせた状態を示す概略平面図。熱伝導性シートを介して２枚の銅板を重ね合わせた状態を示す概略正面図。

以下、本発明の一実施形態について説明する。

まず、本実施形態の半導体モジュール用熱伝導性シート（以下、単に「熱伝導性シート」ともいう。）について説明する。
本実施形態の熱伝導性シートは、半導体素子を樹脂モールドしたモジュール本体と、前記半導体素子が発する熱を放熱すべく外部露出した金属製の放熱用部材と、前記モジュール本体及び前記放熱用部材の間に介装された熱伝導性シートとを備える半導体モジュールの形成に用いられる。また、本実施形態の熱伝導性シートは、無機フィラー、及び、熱硬化性樹脂を含有する絶縁層を備えている。さらに、本実施形態の熱伝導性シートは、前記半導体モジュールで前記絶縁層が前記放熱用部材に熱溶着させて用いられる。前記絶縁層は、更に、没食子酸を含有する。
なお、没食子酸は、下記式（１）で表される芳香族化合物である。

本実施形態の熱伝導性シートは、絶縁層が没食子酸を含有することにより、熱伝導性シートの絶縁層と放熱用部材との間で剥離が生じ難くなる。

前記絶縁層は、無機フィラー、熱硬化性樹脂、及び、没食子酸を含有する樹脂組成物によって形成された層である。

前記樹脂組成物では、有機成分における没食子酸の配合割合が、好ましくは１．０〜５．０質量％、より好ましくは１．２〜１．５質量％である。

前記熱硬化性樹脂は、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等の各種のエポキシ樹脂を単独または２種以上併用して採用することができる。

フェノール樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂等が用いられる。
なかでも、トリフェニルメタン型フェノール樹脂は、耐熱性において有利であり、フェノールアラルキル樹脂は、放熱用部材との間に良好なる接着性を示す点において好ましく用いられる。

なお、前記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を採用する場合には、熱硬化性樹脂に当該エポキシ樹脂の硬化剤や硬化促進剤をさらに加えて熱硬化性を調整してもよい。
硬化剤としては、例えば、ジアミノジフェニルスルホン、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、トリエチレンテトラミンなどのアミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤などを用いることができる。
また、前記ノボラック型フェノール樹脂などもエポキシ樹脂を硬化させるための硬化剤として前記熱硬化性樹脂に含有させることができる。
硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類や、トリフェニルフォスフェイト（ＴＰＰ）、三フッ化ホウ素モノエチルアミンなどのアミン系硬化促進剤などが挙げられる。

一方で熱硬化性樹脂としてフェノール樹脂を採用する場合には、ヘキサメチレンテトラミン、各種の２官能以上のエポキシ化合物、イソシアネート類、トリオキサン及び環状ホルマール等を前記フェノール樹脂の硬化剤として含有させても良い。

前記無機フィラーは、熱硬化性樹脂よりも熱伝導率が高ければ特に限定されないが、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ガリウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、二酸化珪素、酸化マグネシウム、ダイヤモンドなどの粒子が挙げられる。

本実施形態における前記熱伝導性シートは、上記のような樹脂組成物のみをシート化したり、或いは、別のシート状の部材などに積層したりすることで形成させることができる。
なお、熱伝導性シートに熱伝導のみならず電気絶縁性などが求められるような場合においては、該熱伝導性シートには、絶縁層を２層以上積層した状態で備えさせ、且つ、該絶縁層を担持させるための基材層を別途備えさせることが好ましい。

なお、前記基材層については、通常、５μｍ〜５００μｍの厚みを有するポリマーフィルム、金属箔、繊維シートなどによって形成させることができる。

前記ポリマーフィルムであれば、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリ乳酸、ポリアリレートなどのポリエステル樹脂；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン樹脂；ポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド１１、ポリアミド１２等の脂肪族ポリアミド樹脂；ポリ−ｐ−フェニレンテレフタルアミド、ポリ−ｍ−フェニレンイソフタルアミドなどの芳香族ポリアミド樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどの塩素系樹脂；ポリテトラフロロエチレン、テトラフロロエチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフロロエチレン−ヘキサフロロプロピレン共重合体、テトラフロロエチレン−エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデンなどのフッ素系樹脂；ポリイミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；アクリル樹脂；ポリフェニレンサルファイド樹脂；ポリウレタン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂などからなる樹脂フィルムを基材層の形成に用いることができる。

また、前記金属箔であれば、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄などの金属やその合金からなる金属箔によって基材層を形成させることができる。
該金属箔としては、異種金属が貼り合わされてなるクラッド箔や異種金属をメッキしたメッキ箔であってもよい。

さらに、前記繊維シートであれば、ポリエステル繊維不織布、パルプシート、ガラスマット、カーボン繊維シートなどを採用して前記基材層を形成させることができる。

なお、基材層は、これらが複合化されたシートによって形成させることも可能であり、例えば、アルミラミネート樹脂フィルムなどの金属箔とポリマーフィルムとが積層された積層フィルムを用いて形成させることができる。

以下に、本実施形態における熱伝導性シートの一つの実施態様を示す事例として、電気絶縁性に優れ、絶縁シートとしても利用可能な熱伝導性シートについて図を参照しつつ説明する。

この電気絶縁性に優れた熱伝導性シート（以下「絶縁シート」ともいう）は、図１にその断面構造を示すように、２層の絶縁層１１，１２を備えている。
即ち、本実施形態の絶縁シート１０は、２層の積層構造を有するシート体であり、２層の絶縁層１１，１２の内の第一の絶縁層１１（以下、「第一絶縁層１１」ともいう）によって一面側が構成され、他面側が第二の絶縁層１２（以下、「第二絶縁層１２」ともいう）によって構成されている。

第一絶縁層１１及び第二絶縁層１２は、本実施形態の樹脂組成物からなり、Ｂステージ化（半硬化）させた前記樹脂組成物からなるものである。
本実施形態の前記絶縁層１１，１２は、無機フィラーを含有する前記樹脂組成物によって形成されており、優れた熱伝導性を発揮するように形成されている。
また、無機フィラーを高充填させようとすると絶縁層１１，１２にピンホールやボイドなどの欠陥が形成され易くなるが、本実施形態の絶縁シート１０は、絶縁層を２層積層することで仮に欠陥箇所が形成された場合でも当該欠陥が絶縁シートの厚み方向に連続的なものとなることを防いでいる。

該第一絶縁層１１及び第二絶縁層１２は、絶縁シート１０に優れた電気絶縁性を発揮させ得る上において、トータルでの体積抵抗率が１×１０¹³Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１×１０¹⁴Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。
また、第一絶縁層１１及び第二絶縁層１２は、個々の体積抵抗率も１×１０¹³Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１×１０¹⁴Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。

また、前記第一絶縁層１１及び第二絶縁層１２は、絶縁シート１０に優れた熱伝導性を発揮させる上において、前記樹脂組成物を十分に硬化（Ｃステージ化）させた際の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上となるように前記無機フィラーの種類や配合量の調整がなされていることが好ましい。
なお、樹脂組成物によって形成させた成形体の熱伝導率については、通常、キセノンフラッシュアナライザー（例えば、ＮＥＴＺＳＣＨ社製、「ＬＦＡ−４４７型」）によって測定することができる。
この熱伝導率については、キセノンフラッシュアナライザーによらず、他のレーザーフラッシュ法やＴＷＡ法により測定することができ、例えば、レーザーフラッシュ法では、アルバック理工社製の「ＴＣ−９０００」を用いて測定することができる。
そして、ＴＷＡ法では、アイフェイズ社製の「ａｉ−Ｐｈａｓｅｍｏｂｉｌｅ」を用いて測定することができる。

なお、第一絶縁層１１と第二絶縁層１２とは、同じ樹脂組成物によって形成させる必要性はなく無機フィラーの含有量などを異ならせていても良い。
さらに、第一絶縁層１１と第二絶縁層１２とは、それぞれの厚みも共通させる必要はない。
この第一絶縁層１１及び第二絶縁層１２の厚みは、それぞれ、通常、２５μｍ〜３００μｍ程度とすることができる。

次に、本実施形態の半導体モジュールについて説明する。例えば、本実施形態の半導体モジュールは、図２、３に示すように半導体モジュールが挙げられる。
まず、図２に基づいて、本実施形態の半導体モジュール１００を説明する。
この図２は、半導体モジュールの断面を示した概略図である。
本実施形態の半導体モジュール１００は、半導体素子３０を樹脂モールドしたモジュール本体１００ｘと、前記半導体素子３０が発する熱を放熱すべく外部露出した金属製の放熱用部材２０と、前記モジュール本体１００ｘ及び前記放熱用部材２０の間に介装された熱伝導性シート１０とを備える。

前記モジュール本体１００ｘは、前記半導体素子３０と、該半導体素子３０のヒートシンクとして機能する金属板４０とを有し、平置き配置された前記金属板４０の上面側にハンダ５０によって固定された状態で前記半導体素子３０を有している。
前記半導体素子３０は、前記金属板４０の上面の面積に比べて小さなものであり、本実施形態においては、ベアチップの状態で金属板上に搭載されている。

本実施形態のモジュール本体１００ｘは、その外殻をなす角筒状のケース６０を有し、該ケース６０は、平面視における形状が前記金属板４０よりも一回り大きく、且つ、正面視における形状が、絶縁シート１０、金属板４０、及び、半導体素子３０の厚みを足し合わせた高さよりも高く形成されている。
即ち、前記ケース６０は、絶縁シート１０、金属板４０、及び、半導体素子３０の全てを内包可能な大きさを有している。
そして、モジュール本体１００ｘは、前記金属板４０を包囲するように前記ケース６０を配置させており、該ケース６０の側壁を貫通してケースの内外に延びるリードフレーム７０をさらに備えている。

また、該モジュール本体１００ｘは、前記リードフレーム７０のケース内における端部と前記半導体素子３０とがボンディングワイヤ８０によって電気的に接続され、且つ、前記ケース内の空きスペースに封止樹脂が充填されてなるモールド部９０が形成されている。
本実施形態における該モールド部９０は、半導体素子３０、及び、金属板４０を埋設させている。
そして、本実施形態の前記絶縁シート１０は、前記半導体素子３０が搭載されている側とは逆側となる金属板４０の下面に配されている。
本実施形態の絶縁シート１０は、平面視における形状が金属板４０の下面に相当する形状となっており、金属板４０の下面外縁４０ｅと第二絶縁層１２の外縁とを揃えた状態で当該金属板４０の下面に接着されている。
また、本実施形態の絶縁シート１０は、前記モールド部９０に上面側を埋設させ且つ前記放熱用部材２０が無い状態においては、その下面側が露出するように半導体モジュール１００の形成に用いられている。
即ち、本実施形態の半導体モジュール１００は、モールド部９０の下面が絶縁シート１０の前記第一絶縁層１１の下面と略面一な状態となるように形成されている。

なお、本実施形態においては、前記放熱用部材２０として、上面が前記金属板４０の下面よりも大きな平坦面となった板状の基板部２１と該基板部２１の下面から複数のフィンを垂下させてなるフィン部２２とを有する放熱フィンが採用されている。

なお、本実施形態の半導体モジュール１００は、Ｂステージ化された第一絶縁層１１の下面を前記放熱用部材２０の基板部２１の上面に接着させ、Ｂステージ化された第二絶縁層１２の上面を金属板４０の下面に接着させる。

前記のように本実施形態の半導体モジュール１００は、この金属板４０に半導体素子３０が直接搭載されており、半導体素子３０と金属板４０とが略同電位となっている。
従って、前記絶縁シート１０は、金属板４０から前記放熱用部材２０までの間に良好なる伝熱経路を形成させるとともに金属板４０と放熱用部材２０とを電気的な接続が遮断された状態となすべく半導体モジュール１００に備えられている。

本実施形態の絶縁シート１０は、優れた電気絶縁性と熱伝導性を有することから半導体モジュール１００の動作時における半導体素子３０のジャンクション温度が過度に上昇することを抑制させることができ、半導体モジュール１００の故障を防いで耐用期間を長期化させ得る。

このような効果を発揮するのは、必ずしも図２に例示した態様のみならず、図３に例示するような半導体モジュールにおいても同じである。
このことを図３を参照しつつ説明する。
なお、図３も図２と同様に半導体モジュールの断面を示した概略図であり、図３において図２と同じ数値の符号が付されている構成部分は図２と同様であるため、ここでは必要以上に繰り返して説明は行わない。

この図３に示した半導体モジュール１００’は、絶縁シート１０’が積層構造を有しておらず、無機フィラーを含有する樹脂組成物をＢステージ化させてなる絶縁層単層のシート体である点において図２の半導体モジュール１００と異なっている。

また、該半導体モジュール１００’は、絶縁シート１０’がケース６０’の平面形状と同等に形成されており、且つ、前記モールド部９０’が金属板４０’の下面と略面一となるように形成されている点においても図２の半導体モジュール１００と異なっている。

そして、前記絶縁シート１０’は、当該絶縁シート１０’を除いた半導体モジュール１００’の主要部分たるモジュール本体１００ｘ’の下面に接着させて用いられ、前記金属板４０’に対する絶縁を施して半導体モジュール１００’を構成させるべく用いられる。

また、該絶縁シート１０’は、図３に示すように、前記モジュール本体１００ｘ’と放熱用部材２０’との間に介装させて用いられている。

なお、該絶縁シート１０’を用いて図３に示すような半導体モジュール１００’を形成させる場合は、該絶縁シート１０’をモジュール本体側に先に接着させた後に前記絶縁シート１０’を使ってさらに放熱用部材２０’を接着させるようにしても良く、逆に一旦絶縁シート１０’を放熱用部材２０’の基板部２１’の上面に接着させて絶縁層付放熱用部材を作製した後で、該絶縁層付放熱用部材をモジュール本体１００ｘ’に接着させるようにしてもよい。
さらには、モジュール本体１００ｘ’と放熱用部材２０’との間に絶縁シート１０’を挟んで熱プレスするなどして絶縁シート１０’をモジュール本体部１００ｘ’と放熱器２０’とに同時に接着させるようにしてもよい。

このような場合も、Ｃステージ化された絶縁シート１０’が優れた電気絶縁性と熱伝導性を発揮することから該絶縁シート１０’を構成部材として備えた半導体モジュール１００’は、その耐用期間を長期化させ得る。
ここではこれ以上に詳細な説明を繰り返すことは行わないが、例えば、図３に例示した態様において、絶縁シート１０’を図１、２での例示と同様に２層以上の絶縁層を有するものとすることも可能である。
また、図２、３に例示した態様において、絶縁層以外に基材層を有するものとしたりすることも可能であり、また、基材層の両面に絶縁層を形成させたものとしたりすることも可能である。
また、本発明の熱伝導性シートについては、従来公知の技術事項を本発明の効果が著しく損なわれない範囲において適宜採用することが可能なものである。

なお、本発明においては、絶縁シートの形成材料とした樹脂組成物は、前記モールド部９０，９０’や前記ケース６０，６０’などの形成にも利用可能なものである。

次に、実施例および比較例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。

（実施例１：湿熱処理なし）
下記＜樹脂組成物の配合＞に示す配合にて樹脂組成物の成分を混合して樹脂組成物を作製した。
そして、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、前記樹脂組成物をシート状にした熱伝導性シート６０（厚み：０．１５０ｍｍ）を介して、２枚の銅板５０（縦：１００ｍｍ、横：２５ｍｍ、厚み：１．０ｍｍ）（表面の粗化処理なし）を重ね合わせた（接着面積：１２．５ｍｍ×２５ｍｍ）。
次に、この重ね合わせた箇所を２．０ＭＰａの圧力で加圧しつつ、この重ねあわせた銅板５０を１８０℃で１８０分加熱し、熱伝導性シートの熱硬化性樹脂を硬化させ、試料を得た。
そして、この試料に対して下記＜試験条件＞で接着性試験（せん断強度試験）を行った。結果を下記表１に示す。
なお、下記表１の「破壊モード」に示す「凝集」とは、熱伝導性シートが破壊された状態となったことを意味し、「界面」とは、銅板と熱伝導性シートとが界面で剥離した状態となったことを意味する。

＜樹脂組成物の配合＞
・エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：１００質量部
・フェノール樹脂（熱硬化性樹脂）としてのノボラック型フェノール樹脂：１００質量部
・硬化促進剤としてのイミダゾール類：２質量部
・没食子酸：有機成分における没食子酸の配合割合が０．２５質量％となるようにした。
・無機フィラーとしての窒化ホウ素：６４０質量部

＜試験条件＞
試験機：ＭＯＤＥＬ−１８４０ＶＴ／５００ＷＬ（アイコーエンジニアリング（株）社製）
ロードセル：ＭＯＤＥＬ−３５００容量５ｋＮ（アイコーエンジニアリング（株）社製）
試験速度：５．０ｍｍ／ｍｉｎ
チャック間距離：１５．５ｃｍ
環境温度：室温（２５℃）

（実施例１：湿熱処理あり）
試料を接着性試験（せん断強度試験）に供する前に、試料に湿熱処理をしたこと（温度：８５℃、相対湿度：８５％、時間：５００ｈｒｓ）以外は、「実施例１：湿熱処理なし」と同様に、接着性試験（せん断強度試験）を行った。結果を下記表１に示す。
なお、下記表１に示す「保持率」とは、湿熱処理なしでのせん断強度に対する、湿熱処理ありのせん断強度を意味する。

（実施例２〜６、及び、比較例１）
没食子酸の量を下記表１のようにしたこと以外は、実施例１と同様に、接着性試験（せん断強度試験）を行った。結果を下記表１に示す。

表１に示すように、実施例１〜６では、比較例１に比べて、保持率が高かった。
従って、本発明によれば、放熱用部材との間で剥離し難い半導体モジュール用熱伝導性シートを提供することができることがわかる。

１０：熱伝導性シート（絶縁シート）、１１：第一絶縁層、１２：第二絶縁層、２０：放熱用部材、３０：半導体素子、４０：金属板、５０：銅板、６０：熱伝導性シート、１００：半導体モジュール、１００ｘ：モジュール本体

Claims

半導体素子を樹脂モールドしたモジュール本体と、前記半導体素子が発する熱を放熱すべく外部露出した金属製の放熱用部材と、前記モジュール本体及び前記放熱用部材の間に介装された熱伝導性シートとを備える半導体モジュールの形成に用いられる、半導体モジュール用熱伝導性シートであって、
無機フィラー、及び、熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物によって形成された絶縁層を備えており、
前記半導体モジュールでは前記絶縁層を前記放熱用部材に熱溶着させて用いられ、
前記樹脂組成物は、更に、没食子酸を含有し、
前記樹脂組成物では、有機成分における前記没食子酸の配合割合が、１．０質量以上である、半導体モジュール用熱伝導性シート。
半導体素子を樹脂モールドしたモジュール本体と、前記半導体素子が発する熱を放熱すべく外部露出した金属製の放熱用部材と、前記モジュール本体及び前記放熱用部材の間に介装された熱伝導性シートとを備える半導体モジュールであって、
前記熱伝導性シートは、無機フィラー、及び、熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物によって形成された絶縁層を備えており、
該絶縁層は、前記放熱用部材に熱溶着され、
前記樹脂組成物は、更に、没食子酸を含有し、
前記樹脂組成物では、有機成分における前記没食子酸の配合割合が、１．０質量以上である、半導体モジュール。