JP6335675B2 - Mask and organic light emitting device manufacturing method - Google Patents

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本発明は、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で基板上に薄膜を形成する際に用いるマスク、及び有機発光デバイスを製造する方法に関する。   The present invention relates to a mask used when a thin film is formed on a substrate by a CVD method or an ALD method, and a method for manufacturing an organic light emitting device.

従来から、基板上の中央領域に表示部が形成された表示パネルにおいて、表示部を覆うように封止層を形成し、表示部が水分やガス等によって劣化するのを防止することが行なわれている。
例えば、有機ＥＬパネルにおいて、基板上に２次元状に配設された複数のＥＬ素子を構成する材料は、一般に活性が高く不安定であり、空気中の水分や酸素と容易に反応する。このような水分や酸素との反応は有機ＥＬ素子の特性を著しく悪化させる原因となるので、有機ＥＬ素子を外気から封止するために、２次元状に配設された複数のＥＬ素子の全体を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなる封止層を形成し、さらに酸化アルミニウムなどで保護層を形成することもある。 Conventionally, in a display panel in which a display portion is formed in a central area on a substrate, a sealing layer is formed so as to cover the display portion, thereby preventing the display portion from being deteriorated by moisture, gas, or the like. ing.
For example, in an organic EL panel, materials constituting a plurality of EL elements arranged two-dimensionally on a substrate are generally highly active and unstable, and easily react with moisture and oxygen in the air. Such a reaction with moisture or oxygen causes the characteristics of the organic EL element to be significantly deteriorated. Therefore, in order to seal the organic EL element from the outside air, the whole of the plurality of EL elements arranged in a two-dimensional manner is used. In some cases, a sealing layer made of silicon nitride (SiN) or the like is formed so as to cover the substrate, and a protective layer is formed with aluminum oxide or the like.

これらの層を形成する方法として、化学蒸着（ＣＶＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法が用いられている。ここで、基板上にＣＶＤ法やＡＬＤ法で成膜する際に、基板上の限られた領域だけに成膜する場合は、開口を有するマスクを基板上に装着した状態で成膜を行う。
例えば、表示パネルにおける基板上の表示領域を囲む周辺領域には、表示領域から引き出された引出配線や外部との接続をなす端子部が存在している。封止層は表示領域全体を覆う必要があるが、その封止層によって端子部が覆われてしまうと、端子部とその端子部に接続される配線端子との導通性が悪くなってしまう。そこで、成膜領域を規定する開口部が形成されているにマスクを基板上に装着して、表示領域は封止層を形成し、端子部の上には封止材料が付着しないようにしている。 As a method of forming these layers, a chemical vapor deposition (CVD) method or an atomic layer deposition (ALD) method is used. Here, when a film is formed on a substrate by a CVD method or an ALD method only in a limited region on the substrate, the film is formed with a mask having an opening mounted on the substrate.
For example, in the peripheral area surrounding the display area on the substrate in the display panel, there are lead wires drawn out from the display area and terminal portions that are connected to the outside. The sealing layer needs to cover the entire display area. However, if the terminal portion is covered with the sealing layer, the conductivity between the terminal portion and the wiring terminal connected to the terminal portion is deteriorated. Therefore, a mask is mounted on the substrate in which an opening for defining the film formation region is formed, a sealing layer is formed in the display region, and a sealing material is not attached on the terminal portion. Yes.

マスクの素材としては、特許文献１に開示されているように、成膜時に温度が上昇しても寸法を正確に維持することができ、プラズマにも耐えることができ、クリーニング時に使用するフッ素系ガスに対する耐食性を有する材料が好ましい。そこで、通常ＣＶＤ用のマスクの材料には、アルミナやジルコニアなどのセラミックスが用いられている。
このセラミック製のマスクは、セラミックスの素材を切削加工することで作製することができる。また、セラミック製のマスクは、熱膨張率が低いので、温度上昇時にも寸法精度を維持することができる。 As disclosed in Patent Document 1, as a mask material, the dimensions can be accurately maintained even when the temperature rises during film formation, it can withstand plasma, and is a fluorine-based material used during cleaning. A material having corrosion resistance to gas is preferred. Therefore, ceramics such as alumina and zirconia are usually used as a mask material for CVD.
This ceramic mask can be manufactured by cutting a ceramic material. Further, since the ceramic mask has a low coefficient of thermal expansion, the dimensional accuracy can be maintained even when the temperature rises.

特開２０１１−７６７５９号公報JP 2011-76759 A

上記のＣＶＤ用やＡＬＤ用のマスクは、成膜対象となる基板上に装着されると、基板表面がマスクの対向面で押圧されるので、基板表面の周辺領域に形成されている配線層などが損傷することがある。特に、セラミックスからなる大型表示パネル用のマスクは、重量が大きく４０ｋｇ〜５０ｋｇに及ぶので、そのマスクが基板の周辺領域を押圧することによって、配線層などが損傷しやすい。   When the above-mentioned CVD or ALD mask is mounted on a substrate to be deposited, the substrate surface is pressed by the opposing surface of the mask, so a wiring layer formed in a peripheral region of the substrate surface, etc. May be damaged. In particular, a mask for a large display panel made of ceramics has a large weight ranging from 40 kg to 50 kg. Therefore, when the mask presses a peripheral area of the substrate, a wiring layer or the like is easily damaged.

本発明はこのような課題を鑑みてなされたもので、ＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法によって薄膜を形成する際に、マスクとしての機能を維持しながら、成膜対象となる基板表面の損傷を抑えることにできるマスク及び表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and it is intended to suppress damage to the surface of a substrate to be formed while maintaining a function as a mask when forming a thin film by a CVD method or an ALD method. An object of the present invention is to provide a mask and a display panel manufacturing method.

上記課題を解決するために、本発明の一態様にかかるマスクは、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で成膜する対象の基板上に装着され、成膜領域を規定する開口部を有する枠体形状のマスクであって、基板の上面と対向する対向面を有し、対向面の一部である第１面部分は、装着時に前記基板の上面に接触し、対向面における第１面部分を除く第２面部分は、第１面部分を基準にして基板の上面から離間する方向に退避した位置にある。   In order to solve the above problems, a mask according to one embodiment of the present invention is mounted on a substrate to be formed by a CVD method or an ALD method and has a frame shape having an opening that defines a film formation region. The first surface portion that has a facing surface facing the top surface of the substrate and that is a part of the facing surface is in contact with the top surface of the substrate at the time of mounting, and the second surface excluding the first surface portion on the facing surface. The surface portion is at a position retracted in a direction away from the upper surface of the substrate with respect to the first surface portion.

上記態様のマスクによれば、成膜対象の基板に装着された時に、第１面部分は基板上面せ接触し押圧するが、第２面部分は基板上面から離間する方向に退避しているので、基板の上面が強く押圧されることがなく、マスク機能も維持することができる。
従って、基板の上面におけるマスクと対向する領域の中で、第２面部分と対向する領域においては、マスクによって押圧されて傷ができるのを回避できる。よって、マスクによって傷がつくのを避けたい領域（例えば、基板上の引出配線が存在する領域）に対応する領域を第２面部分として設定しておけば、その領域がマスクで押圧されて傷つくのを回避することができる。 According to the mask of the above aspect, when the first surface portion is mounted on the substrate to be deposited, the first surface portion contacts and presses the upper surface of the substrate, but the second surface portion is retracted in a direction away from the upper surface of the substrate. The upper surface of the substrate is not strongly pressed and the mask function can be maintained.
Therefore, in the area facing the mask on the upper surface of the substrate, the area facing the second surface portion can be prevented from being damaged by being pressed by the mask. Therefore, if a region corresponding to a region (for example, a region where the lead-out wiring exists on the substrate) that is desired to be prevented from being damaged by the mask is set as the second surface portion, the region is pressed and damaged by the mask. Can be avoided.

有機ＥＬ表示パネルの主要部に相当するＥＬ基板１を示す断面図である。It is sectional drawing which shows EL board | substrate 1 corresponded to the principal part of an organic EL display panel. ＥＬ基板１を作製する際に薄膜封止層１０８を形成する工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the process of forming the thin film sealing layer 108 when producing the EL substrate 1. FIG. プラズマＣＶＤ成膜装置２００の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a plasma CVD film forming apparatus 200. FIG. 薄膜封止層１０８を形成する工程を示す図であって（ａ）は実施の形態にかかるマスク３を用いた場合、（ｂ）は比較例にかかるマスク６を用いた場合を示す。It is a figure which shows the process of forming the thin film sealing layer, Comprising: (a) shows the case where the mask 3 concerning embodiment is used, (b) shows the case where the mask 6 concerning a comparative example is used. （ａ）はマスク３を下面側から見た斜視図、（ｂ）はマスク４を下面側から見た斜視図である。(A) is the perspective view which looked at the mask 3 from the lower surface side, (b) is the perspective view which looked at the mask 4 from the lower surface side. 保護層１０９を形成する様子を示す図であって、（ａ）はマスク４を装着した場合、（ｂ）はマスク３を装着した場合を示す。It is a figure which shows a mode that the protective layer 109 is formed, Comprising: (a) shows the case where the mask 4 is mounted | worn, (b) shows the case where the mask 3 is mounted | worn. 実施の形態２にかかるマスク５の構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the structure of the mask 5 concerning Embodiment 2. FIG. マスク５を用いてＣＶＤ法により薄膜封止層１０８を形成する様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that the thin film sealing layer 108 is formed by CVD method using the mask 5. FIG.

＜発明に到った経緯＞
ＣＶＤ用あるいはＡＬＤ法で、基板上に薄膜を形成するとき、開口部を有するマスクを基板の上に装着した状態で薄膜形成を行う。
ここで、マスクにおける対向面を基板の上面と非接触にすることができれば、マスクによって基板が傷つくのを避けることができる。しかし、マスク機能を発揮させるには、マスクを基板の上面に接するように配置することが必要であって、マスクにおける対向面全体を基板と非接触にすれば、マスクとしての機能を確保するのが難しい。 <Background to Invention>
When a thin film is formed on a substrate by CVD or ALD, the thin film is formed with a mask having an opening mounted on the substrate.
Here, if the opposing surface of the mask can be brought into non-contact with the upper surface of the substrate, the substrate can be prevented from being damaged by the mask. However, in order to exert the mask function, it is necessary to arrange the mask so as to be in contact with the upper surface of the substrate. If the entire opposing surface of the mask is not in contact with the substrate, the function as the mask is ensured. Is difficult.

このような背景のもとに、マスクとしての機能を維持することと基板を傷つけないこととを両立させる方法を検討し、本発明に到った。
＜発明の態様＞
本発明の一態様にかかるＣＶＤ用のマスクは、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で成膜する対象の基板上に装着され、成膜領域を規定する開口部を有する枠体形状のマスクであって、基板の上面と対向する対向面を有し、対向面の一部である第１面部分は、装着時に前記基板の上面に接触し、対向面における第１面部分を除く第２面部分は、第１面部分を基準にして基板の上面から離間する方向に退避した位置にある。 Based on such a background, the present inventors have studied a method for simultaneously maintaining the function as a mask and not damaging the substrate, and have arrived at the present invention.
<Aspect of the Invention>
A CVD mask according to one embodiment of the present invention is a frame-shaped mask that is mounted on a substrate to be formed by a CVD method or an ALD method and has an opening that defines a film formation region. The first surface portion that is a part of the facing surface is in contact with the upper surface of the substrate during mounting, and the second surface portion excluding the first surface portion on the facing surface is the first surface portion. It is in a position retracted in a direction away from the upper surface of the substrate with respect to the one surface portion.

上記態様のマスクによれば、成膜対象の基板に装着した時に、第１面部分は基板上面に接触して押圧するが、第２面部分は基板上面から離間する方向に退避しているので、基板の上面が第２面部分で強く押圧されることがない。また、第２面部分は基板上面から退避した位置にあってもマスク機能を発揮することはできる。
従って、マスクによって傷がつくのを避けたい部分に対応する領域を、第２面部分として退避させれば、マスク機能を確保しながら、その領域がマスクで押圧されて傷つくのを回避することができる。 According to the mask of the above aspect, when the first surface portion is attached to the substrate to be deposited, the first surface portion contacts and presses the upper surface of the substrate, but the second surface portion is retracted in a direction away from the upper surface of the substrate. The upper surface of the substrate is not strongly pressed by the second surface portion. Further, the mask function can be exhibited even when the second surface portion is at a position retracted from the upper surface of the substrate.
Therefore, if the area corresponding to the part that is desired to avoid being damaged by the mask is withdrawn as the second surface part, the area can be prevented from being damaged by being pressed by the mask while ensuring the mask function. it can.

上記態様のマスクにおいて、以下のようにすることができる。
第２面部分が開口部に臨む縁部分及び開口部から離れた奥部分を有している場合、当該縁部分の退避量よりも奥部分の退避量を大きくする。
基板が、表示素子が配設される表示領域を有すると共に、当該表示領域から周辺領域に引き出された引出配線が形成されていて、開口部が表示領域に対応して開設されている場合、第２面部分を、周辺領域に引き出された引出配線が存在する領域に対応して設定する。 In the mask of the above aspect, the following can be performed.
When the second surface portion has an edge portion facing the opening and a back portion away from the opening, the retraction amount of the back portion is made larger than the retraction amount of the edge portion.
In the case where the substrate has a display area in which the display element is disposed, a lead-out wiring led out from the display area to the peripheral area is formed, and an opening is opened corresponding to the display area, The two surface portions are set corresponding to the region where the lead-out wiring led out to the peripheral region exists.

マスクがセラミックス板材を加工して形成されたものである場合、第２面部分は、第１面部分を基準にしてザグリ加工によって面位置を退避させる。
マスクは、内周縁のサイズが開口部の外縁よりも大きい支持フレームと、当該支持フレームに取り付けられた環状の板材とで構成され、環状の板材は、支持フレームの内周縁から前記開口部の中央部に向けて突出する突出片部を有した構成とすることもできる。この場合、第１面部分は、支持フレームの下面の一部で形成し、第２面部分は、突出片部の下面で形成すればよい。 In the case where the mask is formed by processing a ceramic plate material, the surface position of the second surface portion is retracted by counterbore processing using the first surface portion as a reference.
The mask is composed of a support frame in which the size of the inner periphery is larger than the outer edge of the opening, and an annular plate attached to the support frame. The annular plate is formed from the inner periphery of the support frame to the center of the opening. It can also be set as the structure which has the protrusion piece part which protrudes toward a part. In this case, the first surface portion may be formed by a part of the lower surface of the support frame, and the second surface portion may be formed by the lower surface of the protruding piece portion.

ここで、支持フレームをセラミックスで構成し、環状の板材は、環状に配された複数の金属板で構成し、複数の突出片部は、隣接するもの同士が常温で互いに間隙をあけた状態で、一平面に沿って環状に配置することもできる。
本発明の一態様にかかる有機発光デバイスの製造方法は、基板上における発光素子を形成する領域に封止層又は保護層を形成することによって有機発光デバイスを製造する方法であって、封止層又は保護層を形成する際に、上記態様のマスクを用いてＣＶＤ法又はＡＬＤ法で形成する。 Here, the support frame is composed of ceramics, the annular plate member is composed of a plurality of metal plates arranged in an annular shape, and the plurality of protruding piece portions are in a state where adjacent ones are spaced from each other at room temperature. It can also be arranged annularly along one plane.
A method for manufacturing an organic light-emitting device according to one embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic light-emitting device by forming a sealing layer or a protective layer in a region where a light-emitting element is formed on a substrate. Alternatively, when the protective layer is formed, the protective layer is formed by a CVD method or an ALD method using the mask of the above embodiment.

＜実施の形態１＞
実施の形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの製造方法について説明する。
[ＥＬ表示パネルの全体的な製造方法]
図１に、有機ＥＬ表示パネルの主要部に相当するＥＬ基板１を示す。
このＥＬ基板１は、ＴＦＴ基板１０１と、その表面に、ＴＦＴ、パッシベーション膜１１１、平坦化膜１０２、下部電極１０３、バンク１０４、有機発光層１０５、電子輸送層１０６、上部電極１０７、薄膜封止層１０８、保護層１０９が順次積層されて構成されている。 <Embodiment 1>
A method for manufacturing the organic EL display panel according to the embodiment will be described.
[Overall manufacturing method of EL display panel]
FIG. 1 shows an EL substrate 1 corresponding to the main part of the organic EL display panel.
The EL substrate 1 has a TFT substrate 101, a TFT, a passivation film 111, a planarization film 102, a lower electrode 103, a bank 104, an organic light emitting layer 105, an electron transport layer 106, an upper electrode 107, a thin film encapsulated on the surface of the TFT substrate 101. A layer 108 and a protective layer 109 are sequentially stacked.

図２は、ＥＬ基板１を作製する際に薄膜封止層１０８を形成する工程を示す斜視図である。当図において、ＥＬ基板２は薄膜封止層１０８、保護層１０９が形成する前の基板であって、中央部に表示領域４１が形成されており、表示領域４１を囲繞する周辺領域４２には、引出し配線として複数の配線層１１２が配設されている。このＥＬ基板２に薄膜封止層１０８を形成することによってＥＬ基板１が作製される。   FIG. 2 is a perspective view showing a process of forming the thin film sealing layer 108 when the EL substrate 1 is manufactured. In this figure, the EL substrate 2 is a substrate before the thin film sealing layer 108 and the protective layer 109 are formed, and a display region 41 is formed in the center, and a peripheral region 42 surrounding the display region 41 is formed in the peripheral region 42. A plurality of wiring layers 112 are provided as lead wirings. The EL substrate 1 is manufactured by forming the thin film sealing layer 108 on the EL substrate 2.

表示領域４１においては、下部電極１０３、バンク１０４、有機発光層１０５、電子輸送層１０６、上部電極１０７によって複数のトップエミッション型の有機ＥＬ素子が形成され、３色の発光素子の組みで１画素（ピクセル）が形成されている。
このＥＬ基板１の上に、図示は省略するが、カラーフィルタが形成されたＣＦ基板を、封止樹脂層を介して対向配置して貼り合せることによって、有機ＥＬ表示パネルが製造される。 In the display area 41, a plurality of top emission type organic EL elements are formed by the lower electrode 103, the bank 104, the organic light emitting layer 105, the electron transport layer 106, and the upper electrode 107. (Pixel) is formed.
Although not shown, an organic EL display panel is manufactured by laminating a CF substrate on which a color filter is formed on the EL substrate 1 so as to face each other through a sealing resin layer.

薄膜封止層１０８、保護層１０９は、表示領域４１に配設されているすべての有機ＥＬ素子を覆うように、表示領域４１よりも若干大きいサイズに形成されている。
この薄膜封止層１０８、保護層１０９の形成工程については、後で詳しく説明する。
以下、ＥＬ基板１の各部の構成について具体例を示す。
ＴＦＴ基板１０１は、ガラス基板、樹脂基板、アルミナ等の絶縁性材料からなるベース基板１０１ａの上面に、複数のＴＦＴを所定パターンで形成してなるＴＦＴ層１０１ｂを有する構造である。 The thin film sealing layer 108 and the protective layer 109 are formed in a size slightly larger than the display region 41 so as to cover all the organic EL elements disposed in the display region 41.
The formation process of the thin film sealing layer 108 and the protective layer 109 will be described in detail later.
Specific examples of the configuration of each part of the EL substrate 1 will be described below.
The TFT substrate 101 has a structure having a TFT layer 101b formed by forming a plurality of TFTs in a predetermined pattern on the upper surface of a base substrate 101a made of an insulating material such as a glass substrate, a resin substrate, or alumina.

ＴＦＴ層１０１ｂからは配線層１１２が引き出され、これらの上をパッシベーション膜１１１が覆っている。パッシベーション膜１１１は、ＳｉＯ（酸化シリコン）またはＳｉＮからなる薄膜である。
平坦化膜１０２は、ポリイミド系樹脂あるいはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなり、パッシベーション膜１１１の上面の段差を平坦化している。 A wiring layer 112 is drawn out from the TFT layer 101b, and a passivation film 111 covers them. The passivation film 111 is a thin film made of SiO (silicon oxide) or SiN.
The planarizing film 102 is made of an insulating material such as polyimide resin or acrylic resin, and planarizes the step on the upper surface of the passivation film 111.

下部電極１０３は、コンタクトホール１０３ａを介してＴＦＴ層１０１ｂと接続されている。例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等の光反射性導電材料からなり、各画素に対応した領域に形成されている。
バンク１０４は、例えば、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなり、ＴＦＴ基板１０１の中央領域内において、下部電極１０３同士の間に形成されている。 The lower electrode 103 is connected to the TFT layer 101b through the contact hole 103a. For example, light reflection of Ag (silver), APC (silver, palladium, copper alloy), ARA (silver, rubidium, gold alloy), MoCr (molybdenum and chromium alloy), NiCr (nickel and chromium alloy), etc. It is made of a conductive conductive material and is formed in a region corresponding to each pixel.
The bank 104 is made of, for example, an insulating organic material (for example, acrylic resin, polyimide resin, novolac type phenol resin, etc.), and is formed between the lower electrodes 103 in the central region of the TFT substrate 101. .

有機発光層１０５は、バンク１０４で規定された各画素に対応する領域に形成されており、パネル駆動時に注入されるホールと電子との再結合によってＲ、ＧまたはＢに発光する有機発光材料で構成されている。
電子輸送層１０６は、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウムからなり、上部電極１０７から注入される電子を有機発光層１０５へ輸送する機能を有する。 The organic light emitting layer 105 is formed in a region corresponding to each pixel defined by the bank 104, and is an organic light emitting material that emits light to R, G, or B by recombination of holes and electrons injected when the panel is driven. It is configured.
The electron transport layer 106 is made of, for example, barium, phthalocyanine, or lithium fluoride, and has a function of transporting electrons injected from the upper electrode 107 to the organic light emitting layer 105.

上部電極１０７は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の光透過性導電材料で形成された透明電極であって、バンク１０４および有機発光層１０５の上面を覆うように、表示部全体に亘って形成されている。
薄膜封止層１０８は、有機発光層１０５が水分やガス等に触れるのを防止する層であって、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＳｉＯＣ（炭素含有酸化シリコン）等の光透過性材料からなり、上部電極１０７上に表示部全体に亘って形成されている。 The upper electrode 107 is a transparent electrode formed of a light transmissive conductive material such as ITO or IZO, and is formed over the entire display unit so as to cover the upper surfaces of the bank 104 and the organic light emitting layer 105.
The thin film sealing layer 108 is a layer that prevents the organic light emitting layer 105 from coming into contact with moisture, gas, and the like, and includes SiN, SiO, SiON (silicon oxynitride), SiC (silicon carbide), and SiOC (carbon-containing silicon oxide). And the like, and is formed on the upper electrode 107 over the entire display portion.

保護層１０９は、薄膜封止層１０８を覆って形成され、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の光透過性材料からなる。薄膜封止層１０８の上にさらに保護層１０９を形成することで、例えば薄膜封止層１０８にピンホールが存在する場合でも、その封止欠陥部分から薄膜封止層１０８内に水分やガス等が浸入するのを防止することができる。 The protective layer 109 is formed so as to cover the thin film sealing layer 108 and is made of a light transmissive material such as aluminum oxide (Al 2 O 3 , aluminum nitride (AlN), etc. The protective layer 109 is further formed on the thin film sealing layer 108. For example, even when a pinhole exists in the thin film sealing layer 108, it is possible to prevent moisture, gas, or the like from entering the thin film sealing layer 108 from the sealing defect portion.

ＴＦＴ基板１０１の外周領域における薄膜封止層１０８が形成されている領域の外側には、複数本の引出配線層１１２が互いに間隔をおいて形成されている（図２参照）。各引出配線層１１２の端部は、外部接続用に上面露出して端子部４３が形成されている。
引出配線層１１２は、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕなどの金属、あるいは金属を含む合金（例えば、ＭｏＷ、ＭｏＣｒ、ＮｉＣｒなど）等の導電材料からなる。 A plurality of lead-out wiring layers 112 are formed at intervals from each other outside the region where the thin film sealing layer 108 is formed in the outer peripheral region of the TFT substrate 101 (see FIG. 2). An end portion of each lead wiring layer 112 is exposed on the upper surface for external connection, and a terminal portion 43 is formed.
The lead wiring layer 112 is made of a conductive material such as a metal such as Cr, Mo, Al, Ti, or Cu, or an alloy containing a metal (for example, MoW, MoCr, or NiCr).

[薄膜封止層１０８の形成方法]
ＥＬ基板２にＣＶＤ法で薄膜封止層１０８を形成する工程について説明する。
図３はプラズマＣＶＤ成膜装置２００の概略構成図である。
プラズマＣＶＤ成膜装置２００は、反応チャンバ２０１及びその内部に設けられた薄膜形成の対象となるＥＬ基板２を載置する基板ホルダ２０２、基板ホルダ２０２と対向して設けられたシャワーヘッド２０３、反応チャンバ２０１から排気するための排気口２０４などを備える。 [Method of forming thin film sealing layer 108]
A process of forming the thin film sealing layer 108 on the EL substrate 2 by the CVD method will be described.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the plasma CVD film forming apparatus 200.
The plasma CVD film forming apparatus 200 includes a reaction chamber 201, a substrate holder 202 on which an EL substrate 2 to be thin film formed therein, a shower head 203 provided facing the substrate holder 202, a reaction, An exhaust port 204 for exhausting from the chamber 201 is provided.

基板ホルダ２０２は、ＥＬ基板２を加熱するヒータを備えている。また基板ホルダ２０２は、プラズマ放電用の一方の電極を兼ね、接地されている。
シャワーヘッド２０３は、ガス導入口２０５から導入される反応ガスを細孔から噴出する。また、シャワーヘッド２０３及びガス導入口２０５は、反応チャンバ２０１から絶縁され、高周波電源２０６と接続され、プラズマ放電用の他方の電極を兼ねている。 The substrate holder 202 includes a heater that heats the EL substrate 2. The substrate holder 202 serves as one electrode for plasma discharge and is grounded.
The shower head 203 ejects the reaction gas introduced from the gas inlet 205 through the pores. The shower head 203 and the gas inlet 205 are insulated from the reaction chamber 201, connected to the high frequency power source 206, and double as the other electrode for plasma discharge.

プラズマＣＶＤ成膜装置２００及びマスク３を用いて、次のように基板ホルダ２０２上に薄膜封止層１０８を形成する。
図４（ａ）では、薄膜封止層１０８を形成する工程において、プラズマＣＶＤ成膜装置２００の基板ホルダ２０２上に、ＥＬ基板２及びマスク３が載置されている状態を断面で示している。 The thin film sealing layer 108 is formed on the substrate holder 202 as follows using the plasma CVD film forming apparatus 200 and the mask 3.
4A shows a cross-sectional view of the state in which the EL substrate 2 and the mask 3 are placed on the substrate holder 202 of the plasma CVD film forming apparatus 200 in the step of forming the thin film sealing layer 108. FIG. .

成膜時には、当図に示すように基板ホルダ２０２上にＥＬ基板２及びマスク３を載置する。そして、反応チャンバ２０１内から真空排気し、ＥＬ基板２を所定のＣＶＤ成膜温度（８０℃）に加熱し、窒化シリコン膜を形成するための反応ガスとして、シリコン系ソースガスとしてシラン、窒化ガスとして窒素またはアンモニアを流す。その状態で、高周波電源２０６によってシャワーヘッド２０３に高周波電力を印加して、ＥＬ基板２の表面近傍にプラズマ反応場を形成する。   At the time of film formation, the EL substrate 2 and the mask 3 are placed on the substrate holder 202 as shown in FIG. Then, the reaction chamber 201 is evacuated, the EL substrate 2 is heated to a predetermined CVD film formation temperature (80 ° C.), and as a reaction gas for forming a silicon nitride film, silane, nitride gas as a silicon-based source gas As nitrogen or ammonia flow. In this state, a high frequency power is applied to the shower head 203 by the high frequency power source 206 to form a plasma reaction field near the surface of the EL substrate 2.

プラズマ反応場における化学反応によってＥＬ基板２上に窒化シリコンが堆積して薄膜が形成される。
所定枚数のＥＬ基板２に対して成膜し、成膜後のＥＬ基板１を反応チャンバ２０１外へ搬出する。
その後、反応チャンバ２０１から排気口２０４から排気し、クリーニングガスをガス導入口２０５から導入する。その状態で高周波電力を印加してフッ素系ラジカル種を生成させ、クリーニングを実施する。フッ素系ラジカル種は反応チャンバ２０１の内壁面やシャワーヘッド２０３等に付着した膜と化学反応してガス化させ、クリーニングガスと共に排気口２０４から外部へ排出される。 Silicon nitride is deposited on the EL substrate 2 by a chemical reaction in the plasma reaction field to form a thin film.
A film is formed on a predetermined number of EL substrates 2, and the formed EL substrate 1 is carried out of the reaction chamber 201.
Thereafter, the reaction chamber 201 is exhausted from the exhaust port 204, and the cleaning gas is introduced from the gas introduction port 205. In this state, high-frequency power is applied to generate fluorine radical species, and cleaning is performed. The fluorine radical species chemically react with the film attached to the inner wall surface of the reaction chamber 201, the shower head 203, and the like to be gasified, and are discharged to the outside together with the cleaning gas from the exhaust port 204.

[マスク３]
図２に示すように、マスク３は、外周縁がＥＬ基板２よりも大サイズの長方形枠体状であって、その中央部に、ＥＬ基板２上に薄膜封止層１０８を成膜するときの成膜領域を規定する開口部３１を有している。マスク３は、セラミックスで形成され、その内周縁１１の内側が開口部３１である。 [Mask 3]
As shown in FIG. 2, the mask 3 has a rectangular frame shape whose outer peripheral edge is larger than that of the EL substrate 2, and the thin film sealing layer 108 is formed on the EL substrate 2 at the center thereof. Has an opening 31 for defining the film forming region. The mask 3 is formed of ceramics, and the inside of the inner peripheral edge 11 is an opening 31.

図５（ａ）はマスク３を下面側から見た斜視図である。
マスク３の下面側には、図４（ａ）、図５（ａ）に示すように、内周縁１１の周りを取り巻く凹領域１７が形成されている。この凹領域１７にＥＬ基板２が嵌り込むようになっている。
凹領域１７の底面は、マスク３がＥＬ基板２に装着されたときにＥＬ基板２の上面と対向する対向面１８である。 FIG. 5A is a perspective view of the mask 3 viewed from the lower surface side.
On the lower surface side of the mask 3, as shown in FIGS. 4 (a) and 5 (a), a recessed region 17 surrounding the inner periphery 11 is formed. The EL substrate 2 is fitted into the recessed area 17.
The bottom surface of the recessed region 17 is a facing surface 18 that faces the top surface of the EL substrate 2 when the mask 3 is mounted on the EL substrate 2.

この対向面１８は、外周領域に設定されている接触面部分１８１と、その内周側に設定されている退避面部分１８２とに分かれている。接触面部分１８１は、マスク３をＥＬ基板２の上に装着したときに、ＥＬ基板２における外周部上面と接触する領域である。一方、退避面部分１８２は、接触面部分１８１の面位置を基準として、面位置がＺ方向に退避している。   The facing surface 18 is divided into a contact surface portion 181 set in the outer peripheral region and a retracting surface portion 182 set in the inner peripheral side. The contact surface portion 181 is a region that comes into contact with the upper surface of the outer peripheral portion of the EL substrate 2 when the mask 3 is mounted on the EL substrate 2. On the other hand, the retreat surface portion 182 is retreated in the Z direction with respect to the surface position of the contact surface portion 181.

接触面部分１８１及び退避面部分１８２は、それぞれがＸ−Ｙ面に沿った平面であって、互いに平行である。
マスク３を形成するセラミック材としては、アルミナ、ジルコニアをはじめとして、チタン酸アルミニウム、フォルステライト、ステアタイト、コージライ、ムライト、普通磁器、窒化アルミ、ガラスセラミックスなどが挙げられる。 The contact surface portion 181 and the retracting surface portion 182 are flat surfaces along the XY plane, and are parallel to each other.
Examples of the ceramic material forming the mask 3 include alumina, zirconia, aluminum titanate, forsterite, steatite, cordierite, mullite, ordinary porcelain, aluminum nitride, and glass ceramics.

マスク３は、セラミックス製の枠体を切削加工することによって作製することができる。ここで、退避面部分１８２については、平面を掘り下げる加工（ザグリ加工）によって、その面位置を、接触面部分１８１の面位置よりもＺ方向に退避させることができる。
対向面１８の中で、どの領域を接触面部分１８１とし、どの領域を退避面部分１８２とするかについては、一般的に、ＥＬ基板２の表面において傷がついても大丈夫な領域に対応する領域を接触面部分１８１とし、傷をつけたくない領域を退避面部分１８２として設定する。そして、退避面部分１８２の幅Ｗも、ＥＬ基板２上において傷つけたくない領域の幅に合わせて設定する。 The mask 3 can be produced by cutting a ceramic frame. Here, the surface position of the retracting surface portion 182 can be retracted in the Z direction with respect to the surface position of the contact surface portion 181 by a process of drilling a flat surface (counterbore processing).
Which region of the facing surface 18 is the contact surface portion 181 and which region is the retracting surface portion 182 is generally a region corresponding to a region that is okay even if the surface of the EL substrate 2 is damaged. Is set as the contact surface portion 181, and a region where it is not desired to be damaged is set as the retreat surface portion 182. Then, the width W of the retracting surface portion 182 is also set in accordance with the width of the region that is not desired to be damaged on the EL substrate 2.

ここでは、ＥＬ基板２の上面において、引出配線層１１２が存在しない外周部は押圧しても大丈夫な領域なので、対向面１８の中で、この外周部に対向する領域を接触面部分１８１として設定する。
一方、ＥＬ基板２の上面における引出配線層１１２の端子部４３は傷をつけたくないので、対向面１８の中で、この領域に対向する領域を退避面部分１８２として設定する。 Here, on the upper surface of the EL substrate 2, the outer peripheral portion where the lead-out wiring layer 112 does not exist is a region that can be pressed, so the region facing the outer peripheral portion in the facing surface 18 is set as the contact surface portion 181. To do.
On the other hand, since the terminal portion 43 of the lead wiring layer 112 on the upper surface of the EL substrate 2 does not want to be damaged, a region facing this region in the facing surface 18 is set as the retracting surface portion 182.

すなわち、ＥＬ基板２上において、表示領域４１の周囲には、複数の引出配線層１１２が存在している。そして、ＥＬ基板２上にマスク３を装着したときに、対向面１８の内周側の領域が、複数の引出配線層１１２が形成されている領域と重なるので、マスク３においては、この内周側領域を退避面部分１８２に設定する。
そして、退避面部分１８２の幅Ｗは、引出配線層１１２が存在する領域に合わせて、例えば１ｃｍに設定する。 That is, on the EL substrate 2, a plurality of lead wiring layers 112 exist around the display area 41. When the mask 3 is mounted on the EL substrate 2, the area on the inner peripheral side of the facing surface 18 overlaps with the area where the plurality of lead wiring layers 112 are formed. The side region is set to the retracting surface portion 182.
The width W of the retracting surface portion 182 is set to 1 cm, for example, in accordance with the region where the lead wiring layer 112 exists.

マスク３の厚みＴは、特に限定されないが、例えば５〜１０ｍｍである。
接触面部分１８１を基準にした退避面部分１８２の退避量Ｄは、下記の基板表面の傷防止効果を得るために２０μｍ以上とすることが好ましい。一方、退避量Ｄを大きくし過ぎると、退避面部分１８２におけるマスク機能が低下するので、退避量Ｄは２００μｍ以下とすることが好ましい。 Although the thickness T of the mask 3 is not specifically limited, For example, it is 5-10 mm.
The retracting amount D of the retracting surface portion 182 with respect to the contact surface portion 181 is preferably 20 μm or more in order to obtain the following effect of preventing scratches on the substrate surface. On the other hand, if the retracting amount D is excessively increased, the mask function in the retracting surface portion 182 is deteriorated. Therefore, the retracting amount D is preferably set to 200 μm or less.

マスク３による効果：
マスク３の効果について、比較例のマスク６と対比して説明する。
図４（ｂ）は比較例にかかるマスク６がＥＬ基板２に装着された状態を示している。
このマスク６は、マスク３と同様の構成であるが、対向面１１８に退避面部分１８２に相当する領域はなく、対向面１１８全体が一平面上に形成されている。 Effect of mask 3:
The effect of the mask 3 will be described in comparison with the mask 6 of the comparative example.
FIG. 4B shows a state in which the mask 6 according to the comparative example is mounted on the EL substrate 2.
The mask 6 has the same configuration as that of the mask 3, but there is no region corresponding to the retracting surface portion 182 on the opposing surface 118, and the entire opposing surface 118 is formed on a single plane.

従って、この比較例にかかるマスク６をＥＬ基板２に装着したときには、マスク６の自重により、対向面１１８がＥＬ基板２の上面に存在する引出配線層１１２を上から押圧して、引出配線層１１２が傷つくこともある。
これに対して、マスク３は、ＥＬ基板２に装着されたときに、接触面部分１８１はＥＬ基板２の上面と接触して、このＥＬ基板２の上面を押圧するが、この領域には引出配線層１１２が存在しないので引出配線層１１２を傷つけることがない。一方、退避面部分１８２は引出配線層１１２と対向するが、退避面部分１８２の面位置が、接触面部分１８１の面位置に対して退避している（すなわち、ＥＬ基板２の表面から離間する方向に退避している）ので、引出配線層１１２に対して非接触とすることができる。あるいは、退避面部分１８２が引出配線層１１２に接触したとしても、強い押圧力はかからないので、マスク３の装着によって引出配線層１１２が傷つくのを回避できる。また、退避面部分１８２においても、マスク機能は発揮される。 Therefore, when the mask 6 according to this comparative example is mounted on the EL substrate 2, the leading wiring layer 112 whose opposing surface 118 is present on the upper surface of the EL substrate 2 is pressed from above by the weight of the mask 6, thereby leading to the leading wiring layer. 112 may be damaged.
On the other hand, when the mask 3 is mounted on the EL substrate 2, the contact surface portion 181 comes into contact with the upper surface of the EL substrate 2 and presses the upper surface of the EL substrate 2. Since the wiring layer 112 is not present, the lead wiring layer 112 is not damaged. On the other hand, the retracting surface portion 182 faces the lead wiring layer 112, but the surface position of the retracting surface portion 182 is retracted with respect to the surface position of the contact surface portion 181 (that is, separated from the surface of the EL substrate 2). Therefore, the lead-out wiring layer 112 can be made non-contact. Alternatively, even if the retracting surface portion 182 contacts the lead-out wiring layer 112, no strong pressing force is applied, so that it is possible to avoid damage to the lead-out wiring layer 112 due to the mask 3 being attached. Further, the mask function is also exhibited in the retracting surface portion 182.

なお、上記のように退避面部分１８２の退避量Ｄを２０μｍ以上に設定することによって、例えばＥＬ基板２の表面と退避面部分１８２との間にゴミが付着しているような場合でも、ゴミによって引出配線層１１２などに傷がつくのを抑えることができる。
以上のようにＣＶＤ法でＥＬ基板２上に成膜する際にマスク３を用いれば、マスキング効果及びＥＬ基板２に対する傷防止の効果を両立することができる。 Note that by setting the retracting amount D of the retracting surface portion 182 to 20 μm or more as described above, even if dust adheres between the surface of the EL substrate 2 and the retracting surface portion 182, for example. As a result, the lead wiring layer 112 and the like can be prevented from being damaged.
As described above, if the mask 3 is used when forming a film on the EL substrate 2 by the CVD method, both a masking effect and an effect of preventing scratches on the EL substrate 2 can be achieved.

[保護層１０９の形成方法]
図６（ａ）は、ＥＬ基板１の上面にマスク４を装着して保護層１０９を形成する様子を示す図である。
ＥＬ基板１の上面にマスク４を装着して、原子層堆積（ＡＬＤ）法によってＥＬ基板１の薄膜封止層１０８上に、Ａｌ2Ｏ3からなる保護層１０９を形成する。 [Method of forming protective layer 109]
FIG. 6A is a diagram illustrating a state in which the protective layer 109 is formed by mounting the mask 4 on the upper surface of the EL substrate 1.
A mask 4 is attached to the upper surface of the EL substrate 1, and a protective layer 109 made of Al 2 O 3 is formed on the thin film sealing layer 108 of the EL substrate 1 by atomic layer deposition (ALD).

保護層１０９の膜厚は、例えば厚さ２０ｎｍとする。
この工程で用いるＡＬＤ装置は、上記ＣＶＤ装置と類似しているが、装置本体内に供給される気体の種類や供給シーケンスなどが異なる。
ＡＬＤ装置において、具体的には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスの存在下で、酸素プラズマによってＡｌ2Ｏ3の層を堆積させる。ＡＬＤ成膜条件は、例えば、成膜温度が７５℃〜９５℃、成膜圧力が８０Ｐａ〜１２０Ｐａである。 The film thickness of the protective layer 109 is, for example, 20 nm.
The ALD apparatus used in this step is similar to the CVD apparatus described above, but the type of gas supplied into the apparatus main body, the supply sequence, and the like are different.
In the ALD apparatus, specifically, an Al 2 O 3 layer is deposited by oxygen plasma in the presence of trimethylaluminum (TMA) gas. The ALD film formation conditions are, for example, a film formation temperature of 75 ° C. to 95 ° C. and a film formation pressure of 80 Pa to 120 Pa.

＜マスク４＞
ＡＬＤ法で成膜する際のマスクとして、上記のマスク３を用いてもよいが、ＡＬＤ法が原子レベルのガス状態の材料を堆積させる方法であって、ＣＶＤ法で成膜する場合と比べて、マスクの下側に成膜材料が入り込みやすい。
そのため、ＡＬＤ法の場合は、以下に説明するマスク４を用いることが好ましい。 <Mask 4>
Although the mask 3 described above may be used as a mask when forming a film by the ALD method, the ALD method is a method of depositing a material in a gas state at an atomic level as compared with the case of forming a film by the CVD method. The film forming material is likely to enter under the mask.
Therefore, in the case of the ALD method, it is preferable to use a mask 4 described below.

図５（ｂ）は、マスク４を下面側から見た斜視図である。
図５（ｂ），図６（ａ）に示すように、保護層１０９の形成に使用するマスク４は、上記のマスク３と同様の構成であって、対向面１８に接触面部分１８１と退避面部分１８２とを備えている。
従って、このマスク４をＥＬ基板１に装着したときに、引出配線層１１２が押圧されて傷つくのを回避できる点はマスク３と同様である。 FIG. 5B is a perspective view of the mask 4 as viewed from the lower surface side.
As shown in FIGS. 5B and 6A, the mask 4 used for forming the protective layer 109 has the same configuration as the mask 3 described above, and the contact surface portion 181 and the retracted surface 18 are retracted to the facing surface 18. And a surface portion 182.
Therefore, when the mask 4 is mounted on the EL substrate 1, it can be avoided that the lead wiring layer 112 is pressed and damaged.

一方、マスク４においては、退避面部分１８２の中で、開口部３１に臨む縁部分１８２ａの退避量Ｗ１は、開口部３１から離れた奥部分１８２ｂの退避量Ｗ２よりも小さく設定されている点が、上記マスク３と異なっている。
このマスク４は、退避面部分１８２における開口部３１に臨む縁部分１８２ａの退避量Ｄ１が小さいので、ＥＬ基板１上に装着したときに、奥部分１８２ｂでは、退避量Ｄ２を十分に確保して、引出配線層１１２との接触を回避すると共に、縁部分１８２ａでは、ＥＬ基板１の上面との間隙幅が小さくなる。 On the other hand, in the mask 4, the retraction amount W <b> 1 of the edge portion 182 a facing the opening 31 in the retreat surface portion 182 is set to be smaller than the retraction amount W <b> 2 of the back portion 182 b away from the opening 31. Is different from the mask 3 described above.
Since the mask 4 has a small retracted amount D1 of the edge portion 182a facing the opening 31 in the retracted surface portion 182, when the mask 4 is mounted on the EL substrate 1, the retracted amount D2 is sufficiently secured in the back portion 182b. In addition to avoiding contact with the lead-out wiring layer 112, the gap width between the edge portion 182a and the upper surface of the EL substrate 1 is reduced.

従って、ＡＬＤ法で成膜する際に、マスク４を用いると、マスク３を用いる場合と比べて以下の効果を奏する。
図６（ｂ）に示すようにマスク３を用いてＡＬＤ法で成膜した場合、ＥＬ基板２に対する傷防止効果は良好であるが、退避面部分１８２の下に堆積材料が入り込んで、引出配線層１１２の端子部４３上にＡｌ2Ｏ3が堆積することもある。原子層堆積法で形成されたＡｌ2Ｏ3層は緻密であるため、端子部４３上にＡｌ2Ｏ3層が存在すると、端子部４３に接続される外部端子との導通が妨げられる。 Therefore, when the film is formed by the ALD method, the use of the mask 4 has the following effects as compared with the case of using the mask 3.
When the film is formed by the ALD method using the mask 3 as shown in FIG. 6B, the scratch prevention effect on the EL substrate 2 is good, but the deposited material enters under the retracting surface portion 182 and leads to the lead wiring. Al 2 O 3 may be deposited on the terminal portion 43 of the layer 112. Since the Al 2 O 3 layer formed by the atomic layer deposition method is dense, the presence of the Al 2 O 3 layer on the terminal portion 43 prevents conduction with an external terminal connected to the terminal portion 43.

一方、マスク４をＥＬ基板１上に装着したときに、縁部分１８２ａが引出配線層１１２と接触しやすくなるものの、ＡＬＤ法で成膜するときに、対向面１８の下に成膜材料が入り込むのを抑えることができる。従って、端子部４３の上に成膜材料が堆積するのを抑えることができる。
マスク４の退避面部分１８２に関する寸法例を示す。 On the other hand, when the mask 4 is mounted on the EL substrate 1, the edge portion 182a easily comes into contact with the extraction wiring layer 112. However, when the film is formed by the ALD method, the film forming material enters below the facing surface 18. Can be suppressed. Accordingly, deposition of a film forming material on the terminal portion 43 can be suppressed.
The dimension example regarding the evacuation surface part 182 of the mask 4 is shown.

退避面部分１８２全体の幅Ｗは８ｍｍである。
縁部分１８２ａの幅Ｗ１は４ｍｍ、その退避量Ｄ１は２０μｍである。
奥部分１８２ｂの幅Ｗ２は４ｍｍ、その退避量Ｄ２は５０μｍである。
＜実施の形態２＞
本実施形態では、マスク５を用いて、ＣＶＤ法により薄膜封止層１０８を形成する。 The entire width W of the retracting surface portion 182 is 8 mm.
The width W1 of the edge portion 182a is 4 mm, and the retracted amount D1 is 20 μm.
The back portion 182b has a width W2 of 4 mm and a retraction amount D2 of 50 μm.
<Embodiment 2>
In the present embodiment, the thin film sealing layer 108 is formed by the CVD method using the mask 5.

図７は、マスク５の構成を示す分解斜視図である。
マスク５は、セラミックスからなり枠形状の支持フレーム５０と、支持フレーム５０に取り付けられた複数の金属板６０ａ〜６０ｊと、金属板６０ａ〜６０ｊの上を覆うセラミックス製のカバー７０とで構成されている。
支持フレーム５０は、長方形状の枠体であって、支持フレーム５０の上面側には、図８に示すように支持台座部５３及び傾斜台座部５４が形成されている。この支持台座部５３及び傾斜台座部５４に、金属板６０ａ〜６０ｂが環状に配置されて取り付けられている。 FIG. 7 is an exploded perspective view showing the configuration of the mask 5.
The mask 5 includes a frame-shaped support frame 50 made of ceramics, a plurality of metal plates 60a to 60j attached to the support frame 50, and a ceramic cover 70 that covers the metal plates 60a to 60j. Yes.
The support frame 50 is a rectangular frame, and a support pedestal 53 and an inclined pedestal 54 are formed on the upper surface of the support frame 50 as shown in FIG. Metal plates 60 a to 60 b are annularly arranged and attached to the support pedestal 53 and the inclined pedestal 54.

一方、支持フレーム５０の下面側には、図８に示すように、凹領域５７が形成され、マスク５をＥＬ基板２に装着すると、この凹領域５７にＥＬ基板２が嵌り込み、凹領域５７の底面がＥＬ基板２の外周部上面と接触して、押圧するようになっている。
従って、このマスク５においては、凹領域５７の底面が接触面部分５７ａである。
金属板６０ａ〜６０ｂのそれぞれは、支持フレーム５０の支持台座部５３に取付けられる支持部６１と、傾斜台座部５４の上面に沿って伸長する傾斜部６２と、支持フレーム５０の内周縁５１から開口部３１の中央に向けて水平方向に突出する突出片部６３とを有している。各金属板６０ａ〜６０ｂは、長方形状の金属板材が、支持フレーム５０の支持台座部５３及び傾斜台座部５４の角度に合わせて折り曲げ加工された部材である。 On the other hand, as shown in FIG. 8, a concave region 57 is formed on the lower surface side of the support frame 50, and when the mask 5 is attached to the EL substrate 2, the EL substrate 2 is fitted into the concave region 57. Is in contact with the upper surface of the outer peripheral portion of the EL substrate 2 so as to be pressed.
Therefore, in the mask 5, the bottom surface of the concave region 57 is the contact surface portion 57a.
Each of the metal plates 60 a to 60 b is opened from the support portion 61 attached to the support pedestal portion 53 of the support frame 50, the inclined portion 62 extending along the upper surface of the inclined pedestal portion 54, and the inner peripheral edge 51 of the support frame 50. And a protruding piece 63 protruding in the horizontal direction toward the center of the portion 31. Each of the metal plates 60 a to 60 b is a member obtained by bending a rectangular metal plate material in accordance with the angles of the support pedestal 53 and the inclined pedestal 54 of the support frame 50.

金属板６０ａ〜６０ｂの材料としては、アルミ板、アルマイト処理したアルミ板、ステンレス板をはじめとする各種金属板を用いることができる。
複数の金属板６０ａ〜６０ｊは、隣接する突出片部６３ａ〜６３ｊ同士が常温にて互いに間隙を開けた状態で、ＸーＹ平面上に環状に配列されている。
そして、環状に配置された複数の突出片部６３ａ〜６３ｊによって、開口部３１の外縁が形成されている。 As a material of the metal plates 60a to 60b, various metal plates such as an aluminum plate, an anodized aluminum plate, and a stainless steel plate can be used.
The plurality of metal plates 60a to 60j are annularly arranged on the XY plane in a state in which the adjacent protruding piece portions 63a to 63j are spaced from each other at room temperature.
And the outer edge of the opening part 31 is formed of the some protrusion piece parts 63a-63j arrange | positioned cyclically | annularly.

各金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１は、支持フレーム５０の支持台座部５３に固定されている。ただし、以下のように、各金属板６０ａ〜６０ｊがＣＶＤ成膜温度（８０℃）まで上昇して熱膨張したときに板が撓むことがないように固定している。
各金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１を支持台座部５３に固定するために、各金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１には、ねじ６５を挿通させるねじ穴６４ａ，６４ｂが開設され、支持台座部５３にはねじ孔５６が穿設されている。各金属板６０ａ〜６０ｊのねじ孔５６を挿通した６５を、ねじ孔５６に締結することによって各金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１を支持台座部５３に固定される。 The support part 61 of each metal plate 60 a to 60 j is fixed to the support base part 53 of the support frame 50. However, as described below, the metal plates 60a to 60j are fixed so as not to bend when the metal plates 60a to 60j rise to the CVD film forming temperature (80 ° C.) and thermally expand.
In order to fix the support part 61 of each metal plate 60a-60j to the support pedestal 53, the support part 61 of each metal plate 60a-60j is provided with screw holes 64a, 64b through which the screws 65 are inserted. A screw hole 56 is formed in the portion 53. The support part 61 of each metal plate 60a-60j is fixed to the support base part 53 by fastening 65 inserted through the screw hole 56 of each metal plate 60a-60j to the screw hole 56.

ここで、各金属板６０ａ〜６０ｊにおける支持部６１の中央部に設けられたねじ穴６４ａは、ねじ６５の軸を丁度挿通できる円形であって、各金属板６０ａ〜６０ｊの中央部はねじ６５によって支持台座部５３に締結され、しっかりと固定される。一方、各金属板６０ａ〜６０ｂの両端部に設けられたねじ穴６４ｂは、内周縁５１に沿って伸長する長円形の長孔であって、この両端部はねじ６５でねじ止めするが、締め付けはしない。   Here, the screw hole 64a provided in the center part of the support part 61 in each metal plate 60a-60j is a circle which can just insert the axis | shaft of the screw 65, Comprising: The center part of each metal plate 60a-60j is the screw 65. Is fastened to the support pedestal 53 and firmly fixed. On the other hand, the screw holes 64b provided at both ends of each of the metal plates 60a to 60b are oval long holes extending along the inner peripheral edge 51, and both ends are screwed with screws 65. I do not.

これによって、各金属板６０ａ〜６０ｊは、支持フレーム５０に３点でねじ止めされるので位置がずれることがない。また、各金属板６０ａ〜６０ｊの両端部は、支持台座部５３の表面上を内周縁５１に沿った方向にスライド可能な状態でねじ止めされるので、金属板６０ａ〜６０ｊが熱応力によって撓むこともない。
なお、金属板６０ａ〜６０ｊを支持台座部５３に固定する方法は、ねじ止めに限らず、リべットなどの締結部材を用いて固定してもよい。 As a result, the metal plates 60a to 60j are screwed to the support frame 50 at three points, so that the positions are not shifted. In addition, since both ends of each of the metal plates 60a to 60j are screwed on the surface of the support base 53 so as to be slidable in the direction along the inner peripheral edge 51, the metal plates 60a to 60j are bent by thermal stress. There is no waste.
The method of fixing the metal plates 60a to 60j to the support base 53 is not limited to screwing, and may be fixed using a fastening member such as a rivet.

カバー７０は、支持フレーム５０の支持台座部５３及び傾斜台座部５４と同程度のサイズを有する枠体状の部材である。このカバー７０は、金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１及び傾斜部６２の上を覆うように支持フレーム５０に取付けられる。
カバー７０の下面側には、図８に示すように各ねじ６５の頭部が嵌り込む孔が穿設され、各ねじ６５の頭部もカバー７０で覆われるようになっている。 The cover 70 is a frame-like member having the same size as the support pedestal 53 and the inclined pedestal 54 of the support frame 50. The cover 70 is attached to the support frame 50 so as to cover the support portions 61 and the inclined portions 62 of the metal plates 60a to 60j.
As shown in FIG. 8, a hole into which the head of each screw 65 is fitted is formed on the lower surface side of the cover 70, and the head of each screw 65 is also covered with the cover 70.

薄膜封止層１０８の外縁で膜厚がシャープに立ち上がるようにする上で、各金属板６０ａ〜６０ｊにおける突出片部６３ａ〜６３ｊが内周縁５１から突出する突出量Ｈは、５ｍｍ以上であることが好ましく、さらに１０ｍｍ以上であることが好ましい。また、突出片部６３ａ〜６３ｊの板厚は、２ｍｍ以下とし、１ｍｍ以下とすることが好ましい。
一方、突出片部６３ａ〜６３ｊの強度を確保する上で、突出片部６３ａ〜６３ｊの板厚ｔは０．５ｍｍ以上とすることが好ましい。 In order to make the film thickness rise sharply at the outer edge of the thin film sealing layer 108, the protruding amount H of the protruding piece portions 63a to 63j in the metal plates 60a to 60j protruding from the inner peripheral edge 51 is 5 mm or more. It is preferable that it is 10 mm or more. Moreover, the plate | board thickness of the protrusion piece parts 63a-63j shall be 2 mm or less, and it is preferable to set it as 1 mm or less.
On the other hand, in order to ensure the strength of the protruding piece parts 63a to 63j, the plate thickness t of the protruding piece parts 63a to 63j is preferably set to 0.5 mm or more.

また通常は、セラミックスよりも金属板の方が線熱膨張率が大きいため、隣接する２つの金属板の突出片部６３同士の間隙６６は、温度が上昇すると間隙幅が狭まる。ここで常温における各間隙の間隙幅は、ＣＶＤ成膜温度（８０℃）まで上昇したときに微小になるように設定することが好ましい。
金属板６０ａ〜６０ｊの突出片部６３ａ〜６３ｊの下面の面位置は、接触面部分５７ａの面位置を基準にしてＺ方向に退避しており、退避面部分となっている。この退避量Ｄは、例えば１００μｍである。 In general, a metal plate has a higher coefficient of linear thermal expansion than ceramics. Therefore, the gap 66 between the protruding pieces 63 of two adjacent metal plates narrows as the temperature rises. Here, the gap width of each gap at room temperature is preferably set so as to become minute when it rises to the CVD film forming temperature (80 ° C.).
The surface positions of the lower surfaces of the projecting piece portions 63a to 63j of the metal plates 60a to 60j are retracted in the Z direction with reference to the surface position of the contact surface portion 57a, thereby forming a retracted surface portion. The retraction amount D is, for example, 100 μm.

このようなマスク５を用いてＣＶＤ法でＥＬ基板２上に成膜することによって、実施の形態１で説明したマスク３と同様にＥＬ基板２表面が傷つくのを回避する効果が得られる。
すなわち、マスク５がＥＬ基板２に装着されたときには、接触面部分５７ａはＥＬ基板２の外周部上面と接触して押圧する。一方、突出片部６３ａ〜６３ｊの下面（退避面部分）は、ＥＬ基板２の上面から離間する方向に退避しているので、ＥＬ基板２の上面に存在する引出配線層１１２が突出片部６３ａ〜６３ｊによって強く押圧されることはない。 By forming a film on the EL substrate 2 by the CVD method using such a mask 5, an effect of avoiding damage to the surface of the EL substrate 2 as in the mask 3 described in the first embodiment can be obtained.
That is, when the mask 5 is mounted on the EL substrate 2, the contact surface portion 57 a comes into contact with and presses the upper surface of the outer peripheral portion of the EL substrate 2. On the other hand, since the lower surfaces (retracting surface portions) of the protruding piece portions 63a to 63j are retracted in a direction away from the upper surface of the EL substrate 2, the lead-out wiring layer 112 existing on the upper surface of the EL substrate 2 is exposed to the protruding piece portion 63a. It is not strongly pressed by ~ 63j.

従って、マスク５の装着に伴ってＥＬ基板２表面の引出配線層１１２が傷つくのを回避できる。
なお、本実施の形態では、支持フレーム５０に複数の金属板を取り付けることによって、突出片部を形成したが、１枚の枠形状の板を支持フレームに取り付けることによって突出片部を形成することもでき、その場合も、突出片部の下面を支持フレーム下面の接触面部分に対して退避した位置に設定することによって、同様にＥＬ基板２表面の引出配線層１１２が傷つくのを回避できる。 Therefore, it is possible to avoid the lead wiring layer 112 on the surface of the EL substrate 2 from being damaged as the mask 5 is attached.
In the present embodiment, the protruding piece portion is formed by attaching a plurality of metal plates to the support frame 50. However, the protruding piece portion is formed by attaching a single frame-shaped plate to the support frame. In this case as well, by setting the lower surface of the protruding piece portion to the position retracted from the contact surface portion of the lower surface of the support frame, it is possible to avoid the lead wiring layer 112 on the surface of the EL substrate 2 from being similarly damaged.

＜変形例＞
１．上記実施の形態１では、マスク４をＡＬＤ法による保護層１０９の成膜に用いる例を説明したが、マスク４をＣＶＤ法による薄膜封止層１０８などの成膜に用いてもよい。
２．上記実施の形態では、マスク３〜５を、薄膜封止層１０８及び保護層１０９を形成する際に用いる例を示したが、パッシベーション膜１１１を形成する際に用いることもできる。また一般に、基板上の一定領域にＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法で薄膜を形成する際に、マスク３あるいはマスク４を用いることによって、同様に基板の上面を傷つけない効果を得ることができる。 <Modification>
1. In the first embodiment, the example in which the mask 4 is used for forming the protective layer 109 by the ALD method has been described. However, the mask 4 may be used for forming the thin film sealing layer 108 and the like by the CVD method.
2. In the above-described embodiment, the example in which the masks 3 to 5 are used when the thin film sealing layer 108 and the protective layer 109 are formed has been described. However, the masks 3 to 5 can also be used when the passivation film 111 is formed. In general, when a thin film is formed by a CVD method or an ALD method in a certain region on the substrate, the effect of not damaging the upper surface of the substrate can be obtained by using the mask 3 or the mask 4.

３．上記実施の形態のマスク３〜５では、対向面の中で、ＥＬ基板上の引出配線層１１２と対向する領域を退避面部分として設定したが、ＥＬ基板上において傷つけたくない領域と対向する領域を、退避面部分として適宜設定すればよい。例えば、ＥＬ基板上にコネクタが存在し、そのコネクタをマスクで傷つけたくない場合には、マスクの対向面の中で、当該コネクタが存在する領域に対向する領域を退避面部分として設定すればよい。   3. In the masks 3 to 5 of the above-described embodiment, the region facing the lead-out wiring layer 112 on the EL substrate is set as the retracting surface portion in the facing surface, but the region facing the region on the EL substrate that is not desired to be damaged. May be appropriately set as the retracting surface portion. For example, if there is a connector on the EL substrate and it is not desired to damage the connector with a mask, an area facing the area where the connector is present in the facing surface of the mask may be set as a retracting surface portion. .

４．上記実施の形態のマスク３〜５では、対向面の中で、内周側領域を退避面部分とし、外周側領域を接触面部分としたが、ＥＬ基板上において傷をつけたくない領域がどこにあるかによって、退避面部分及び接触面部分の位置も変わる。
例えば、ＥＬ基板上において傷をつけたくない領域が外周側の領域にある場合、マスクにおける対向面の中で、外周側領域を退避面部分とし、内周側領域を接触面部分に設定すればよい。 4). In the masks 3 to 5 of the above-described embodiment, the inner peripheral region is the retracting surface portion and the outer peripheral region is the contact surface portion in the facing surface, but where is the region on the EL substrate where the scratch is not desired. The position of the retracting surface portion and the contact surface portion also changes depending on whether or not there is.
For example, if there is an area on the EL substrate where it is not desired to damage the outer peripheral area, the outer peripheral area is set as a retracting surface portion and the inner peripheral area is set as a contact surface portion in the opposing surface of the mask. Good.

本発明のマスクは、有機ＥＬ表示パネルの封止層、保護層をＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法で形成する場合をはじめとして、基板上にＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法で薄膜を形成する際に利用できる。   The mask of the present invention can be used when a thin film is formed on a substrate by a CVD method or an ALD method, including the case where a sealing layer and a protective layer of an organic EL display panel are formed by a CVD method or an ALD method.

１ ＥＬ基板
２ ＥＬ基板
３〜５ マスク
１１ 内周縁
１７ 凹領域
１８ 対向面
３１ 開口部
４１ 表示領域
４２ 周辺領域
４３ 端子部
５０ 支持フレーム
６０ａ〜６０ｊ 金属板
６１ 支持部
６２ 傾斜部
６３ 突出片部
７０ カバー
１０８ 薄膜封止層
１０９ 保護層
１１１ パッシベーション膜
１１２ 引出配線層
１１８ 対向面
１８１ 接触面部分
１８２ 退避面部分
１８２ａ 縁部分
１８２ｂ 奥部分
２００ プラズマＣＶＤ成膜装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 EL substrate 2 EL substrate 3-5 Mask 11 Inner peripheral edge 17 Concave area 18 Opposing surface 31 Opening part 41 Display area 42 Peripheral area 43 Terminal part 50 Support frame 60a-60j Metal plate 61 Support part 62 Inclination part 63 Projection piece part 70 Cover 108 Thin film sealing layer 109 Protective layer 111 Passivation film 112 Lead-out wiring layer 118 Opposing surface 181 Contact surface portion 182 Retraction surface portion 182a Edge portion 182b Back portion 200 Plasma CVD film forming apparatus

Claims (3)

ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で成膜する対象の基板上に装着され、成膜領域を規定する開口部を有する枠体形状のマスクであって、
前記基板の上面と対向する対向面を有し、
前記対向面の一部である第１面部分は、装着時に前記基板の上面に接触し、
前記対向面における前記第１面部分を除く第２面部分は、
前記第１面部分を基準にして前記基板の上面から離間する方向に退避した位置にあり、
前記マスクは、内周縁のサイズが前記開口部の外縁よりも大きい支持フレームと、当該支持フレームに取り付けられた環状の板材とで構成され、
前記環状の板材は、前記支持フレームの内周縁から前記開口部の中央部に向けて突出する突出片部を有し、
前記第１面部分は、前記支持フレームの下面の一部であり、
前記第２面部分は、前記突出片部の下面であり、
前記支持フレームはセラミックスからなり、
前記環状の板材は、環状に配された複数の金属板で構成され、
前記複数の突出片部は、隣接するもの同士が常温で互いに間隙をあけた状態で、一平面に沿って環状に配置されている、
マスク。 A frame-shaped mask that is mounted on a substrate to be deposited by CVD or ALD and has an opening that defines a deposition region,
Having a facing surface facing the top surface of the substrate;
The first surface portion that is a part of the facing surface contacts the upper surface of the substrate during mounting,
The second surface portion excluding the first surface portion in the facing surface is:
It said position near retracted in the direction of the first side portion with respect to separate from the upper surface of the substrate is,
The mask is composed of a support frame in which the size of the inner peripheral edge is larger than the outer edge of the opening, and an annular plate attached to the support frame.
The annular plate member has a protruding piece portion that protrudes from the inner peripheral edge of the support frame toward the central portion of the opening,
The first surface portion is a part of the lower surface of the support frame;
The second surface portion is a lower surface of the protruding piece portion,
The support frame is made of ceramics,
The annular plate material is composed of a plurality of metal plates arranged in an annular shape,
The plurality of projecting pieces are arranged in a ring along one plane in a state where adjacent ones are spaced from each other at room temperature.
mask. ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で成膜する対象の基板の上から押圧するように装着され、成膜領域を規定する開口部を有する枠体形状のマスクであって、
前記基板の上面と対向する対向面を有し、
前記対向面の一部である第１面部分は、装着時に前記基板の上面に接触し、
前記対向面における前記第１面部分を除く第２面部分は、
前記第１面部分を基準にして前記基板の上面から離間する方向に退避した位置にあり、
前記基板は、表示素子が配設される表示領域を有すると共に、当該表示領域から周辺領域に引き出された引出配線が形成され、
前記開口部は、前記表示領域に対応して開設され、
前記第２面部分は
前記周辺領域に引き出された引出配線が存在する領域に対応する領域に設定されており、
前記マスクは、セラミックス板材を加工して形成されたものであって、
前記第２面部分は、第１面部分を基準にしてザグリ加工によって面位置が退避している、
マスク。 A frame-shaped mask that is mounted so as to be pressed from above a substrate to be deposited by CVD or ALD, and has an opening that defines a deposition region,
Having a facing surface facing the top surface of the substrate;
The first surface portion that is a part of the facing surface contacts the upper surface of the substrate during mounting,
The second surface portion excluding the first surface portion in the facing surface is:
In a position retracted in a direction away from the upper surface of the substrate with respect to the first surface portion,
The substrate has a display area in which a display element is disposed, and a lead-out wiring led out from the display area to the peripheral area is formed,
The opening is established corresponding to the display area,
The second surface portion is
It is set to an area corresponding to an area where there is a lead-out line drawn out to the peripheral area,
The mask is formed by processing a ceramic plate material,
The surface position of the second surface portion is retracted by counterbore processing based on the first surface portion.
mask. 基板上における発光素子を形成する領域に封止層又は保護層を形成することによって有
機発光デバイスを製造する方法であって、
前記封止層又は前記保護層を形成する際に、請求項１または２に記載のマスクを
用いてＣＶＤ法又はＡＬＤ法で形成する、
有機発光デバイスの製造方法。 A method of manufacturing an organic light emitting device by forming a sealing layer or a protective layer in a region where a light emitting element is formed on a substrate,
When forming the sealing layer or the protective layer, it is formed by a CVD method or an ALD method using the mask according to claim 1 or 2 .
Manufacturing method of organic light emitting device.
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