JP6327443B2 - Method for producing conductive material and conductive material - Google Patents

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本発明は、プリント配線板用積層基材として好適に用いることができる導電性材料の製造方法に関する。また本発明は、当該製造方法を用いて製造された導電性材料に関する。   The present invention relates to a method for producing a conductive material that can be suitably used as a laminated substrate for a printed wiring board. Moreover, this invention relates to the electroconductive material manufactured using the said manufacturing method.

プリント配線板用積層基材は、低誘電率の材料と導電性の薄層が積層された構造の材料である。従来、例えば、フレキシブル銅付積層板(FCCL)は、耐熱性高分子フィルムと銅箔とをエポキシ樹脂系の接着剤を用いて接合する方法や、銅箔面上に樹脂の溶液をコートして乾燥させるなどの方法を用いて製造されてきた。   The laminated substrate for printed wiring boards is a material having a structure in which a low dielectric constant material and a conductive thin layer are laminated. Conventionally, for example, a laminate with flexible copper (FCCL) is a method in which a heat-resistant polymer film and a copper foil are bonded using an epoxy resin adhesive, or a resin solution is coated on the copper foil surface. It has been manufactured using a method such as drying.

近年では、電子機器の小型化、高速化により、プリント配線基板の高密度化、高性能化が要求されており、この要求に応えるためには、表面が平滑で充分に薄い導電層(銅箔層)を有するプリント配線基板が求められている。   In recent years, there has been a demand for higher density and higher performance of printed wiring boards due to the downsizing and speeding up of electronic devices. To meet this demand, a conductive layer (copper foil) with a smooth surface and a sufficiently thin surface is required. There is a need for printed wiring boards having layers.

しかしながら、エポキシ樹脂系接着剤を用いる方法では、耐熱性が低く、絶縁信頼性にも劣るという欠点があった。また、前記の銅箔を用いる製造方法では、ロール状に巻かれた銅箔を引き出しながら製造が行われることから、取り扱い上の困難さを伴うため、銅箔を充分薄くすることができず、また、高分子フィルムとの密着性を高めるために、銅箔の表面を粗化することが必要であり、プリント配線板の高密度化、高性能化、即ち、高周波数(GHz帯域)、高伝送速度(数十Gbps)領域での伝送損失を抑えるという要求に充分応えることができていない。   However, the method using an epoxy resin adhesive has the disadvantages of low heat resistance and inferior insulation reliability. Moreover, in the manufacturing method using the copper foil, since the manufacturing is performed while pulling out the copper foil wound in a roll shape, it is difficult to handle, so the copper foil cannot be made sufficiently thin, In addition, in order to improve the adhesion with the polymer film, it is necessary to roughen the surface of the copper foil, and the printed wiring board has a high density and high performance, that is, a high frequency (GHz band), a high The request for suppressing transmission loss in the transmission speed (several tens of Gbps) region has not been sufficiently met.

そこで、プリント配線板の高性能化の要求に対して、例えば、接着剤による銅箔の接合によらず高分子フィルム上に銅薄
層を積層した銅薄膜基板が開示されている(例えば、特許文献1参照)。この銅薄膜基板の製造方法は、スパッタリング法を用いて、耐熱性絶縁基材表面に第一層の銅薄膜層を設け、この第一層の上に、電気めっきによる銅厚膜層を形成させるものである。
In response to the demand for higher performance of printed wiring boards, for example, a copper thin film substrate in which a copper thin layer is laminated on a polymer film regardless of bonding of a copper foil with an adhesive is disclosed (for example, patents). Reference 1). This copper thin film substrate manufacturing method uses a sputtering method to provide a copper thin film layer as a first layer on the surface of a heat-resistant insulating substrate, and form a copper thick film layer by electroplating on the first layer. Is.

前記特許文献1に記載の銅薄膜基板は、銅箔層を薄くできることから、プリント配線板の高密度化、高性能化の要求に応えるものであるが、真空設備を必要とするスパッタリングという方法を用いることから、工程が煩雑で高コストであること、設備上、基材サイズが限定されるなどの問題があった。   Since the copper thin film substrate described in Patent Document 1 can reduce the thickness of the copper foil layer, it responds to the demand for higher density and higher performance of the printed wiring board, but a method called sputtering that requires vacuum equipment. Since it is used, there are problems that the process is complicated and expensive, and the size of the base material is limited due to equipment.

そこで、製造に真空設備を必要とせず、かつ、接着剤による銅箔の接合を用いず、導電層(銅箔層)を充分薄くすることが可能なプリント配線板用積層基材の製造法として、絶縁性の基材上に金属微粒子を塗布製膜し、加熱焼成することによって金属の導電層を形成させ、これの上に、めっきを行うことによって必要な厚さの導電銅箔層を得る方法が開示されている(例えば、特許文献2〜3参照)。   Therefore, as a method for producing a laminated substrate for a printed wiring board that does not require vacuum equipment for production, and does not use bonding of copper foil with an adhesive, the conductive layer (copper foil layer) can be made sufficiently thin. A metal conductive layer is formed by coating metal fine particles on an insulating base material, followed by heating and baking, and a conductive copper foil layer having a necessary thickness is obtained by plating on the metal conductive layer. A method is disclosed (for example, see Patent Documents 2 to 3).

前記特許文献2では、(1)加熱処理によって互いに融着する、一次粒径が200nm以下の金属薄膜前駆体微粒子を含有する分散体を絶縁基板上に塗布し、加熱処理することによって金属薄膜を形成し導電層を形成する工程と、(2)前記金属薄膜上に電解めっきを行って金属膜を形成する工程を含む積層基板の製造方法が開示されている。   In Patent Document 2, (1) a dispersion containing metal thin film precursor fine particles having a primary particle size of 200 nm or less, which are fused to each other by heat treatment, is applied onto an insulating substrate, and the metal thin film is formed by heat treatment. There is disclosed a method of manufacturing a laminated substrate including a step of forming and forming a conductive layer, and (2) a step of performing electroplating on the metal thin film to form a metal film.

また、前記特許文献3には、絶縁性基材上に第1導電層と、その上に形成された第2導電層を有し、前記第1導電層が1−500nmの金属粒子を含む導電性インクの塗布層として構成され、前記第2導電層がめっき層として構成されていることを特徴とするプリント配線板用基板と、その製造方法が開示されている。   Further, in Patent Document 3, a first conductive layer on an insulating substrate and a second conductive layer formed thereon are provided, and the first conductive layer includes a metal particle of 1-500 nm. A printed wiring board substrate characterized in that it is configured as a coating layer of a conductive ink, and the second conductive layer is configured as a plating layer, and a method for manufacturing the same.

これらの方法では、絶縁性基材上に導電性金属層を形成し、電気めっきを行うことにより、真空設備を用いることなく、適切な膜厚の導電膜層を得ることができる点で優れているが、電解めっきを実施するためには、面内均一性が高く、充分な導電性を有する導電性金属膜を形成しておく必要がある。しかしながら、通常、導電性材料に用いられる絶縁性基材の表面は、必ずしも塗工性に優れているとは言えず、しばしば、塗工分散液やインクをはじいて微小な「抜け」ができたり、塗工ムラを生じたりすることがある。この様な「抜け」や「ムラ」があると、充分な導電性を有する均一な導電層を形成することは困難で、後段のめっき工程において、めっき不良や、めっき膜厚が不均一になるなど、実用的な課題が残されている。   These methods are excellent in that a conductive film layer having an appropriate thickness can be obtained without using vacuum equipment by forming a conductive metal layer on an insulating substrate and performing electroplating. However, in order to perform electrolytic plating, it is necessary to form a conductive metal film having high in-plane uniformity and sufficient conductivity. However, the surface of an insulating substrate usually used for a conductive material is not necessarily excellent in coating properties, and often a fine “drop” can be generated by repelling a coating dispersion or ink. , Uneven coating may occur. If there is such “missing” or “unevenness”, it is difficult to form a uniform conductive layer having sufficient conductivity, and in the subsequent plating process, plating defects and plating film thickness become non-uniform. Practical issues remain.

また、この様にして形成した導電層の導電性としては、例えば、前記特許文献2に、この目的で用いられる金属薄膜に必要な体積抵抗値として、1×10―4Ωcm以下、より好ましくは、1×10−5Ωcm以下であることが推奨されている。この様な低い抵抗率を示す導電層を形成するためには、絶縁性基材上に「抜け」(基材上で塗液が「はじく」などの理由で、目視、もしくは一般の光学顕微鏡で確認できるレベルの面積で、基材上に塗布材料が存在しない領域が形成されること)や「ムラ」が無く塗工が行われ、塗布された、導電性インクや金属膜前駆体微粒子分散体中に含まれる分散剤、及びその他の有機物を、加熱することにより揮発、分解させて塗布層から除去し、粒子同士が充分融着した状態としなければならない。 The conductivity of the conductive layer thus formed is, for example, described in Patent Document 2 as a volume resistance value required for a metal thin film used for this purpose, 1 × 10 −4 Ωcm or less, more preferably 1 × 10 −5 Ωcm or less is recommended. In order to form a conductive layer exhibiting such a low resistivity, it is necessary to visually check or use a general optical microscope for reasons such as “missing” on the insulating base material (the coating liquid “repells” on the base material). An area where the coating material is not present on the base material with a level that can be confirmed) and the coating is applied without any "unevenness", and the conductive ink or metal film precursor fine particle dispersion applied. The dispersant and other organic substances contained therein must be volatilized and decomposed by heating to be removed from the coating layer, and the particles must be in a sufficiently fused state.

しかしながら、これら微小な金属粒子および金属薄膜前駆体粒子の分散液を塗布した塗膜を加熱焼成して導電性膜を形成した場合、粒子間の空隙を完全に埋めることは難しく、内部に多くの空隙を残した金属薄膜となる。また、融着と粒子成長によって膜中の粒子形状が変化し、一部では粒子間が連結しているものの、膜全体としては、被覆密度が低下する現象がしばしば認められる。この結果として充分な導電性が発現せず、めっきが行えない場合や、行えても非常に長時間を要する、また、部分的な非導通部の発生による電気めっき不良、めっきの不均一性が起こるなどの問題があった。また、このように、部分的に被覆密度が低く、空隙が多い金属薄膜では、その空隙部が破壊起点になって、絶縁体基材から導電層が剥離する等の問題があった。   However, when a conductive film is formed by heating and baking a coating film on which a dispersion of these fine metal particles and metal thin film precursor particles is applied, it is difficult to completely fill the voids between the particles, It becomes a metal thin film leaving voids. In addition, although the particle shape in the film changes due to fusion and particle growth, and the particles are partially connected, a phenomenon in which the coating density decreases as a whole is often observed. As a result, sufficient electrical conductivity is not exhibited and plating cannot be performed, or even if it can be performed, it takes a very long time. Also, electroplating failure due to the occurrence of a partial non-conductive portion, plating nonuniformity There were problems such as happening. In addition, the metal thin film having a partially low coating density and a large number of voids as described above has a problem that the void portion becomes a starting point of breakage and the conductive layer is peeled off from the insulating base material.

この問題への対策として、前記特許文献3では、絶縁体基材上に形成する第一導電層内の空隙を、無電解金属めっきにより充填することで、導通不良の解消や剥離の原因となる破壊起点の低減を行うことを提案しているが、加熱焼成によって融着させた導電性膜中の空隙は、しばしば、膜内部に孤立空間として存在しており、薬液が浸透しないため、無電解めっき後も空隙のまま存在することがあり、充分な解決法とは言えない。   As a countermeasure against this problem, in Patent Document 3, filling the voids in the first conductive layer formed on the insulator base material by electroless metal plating causes the elimination of poor conduction and the cause of peeling. Although it has been proposed to reduce the starting point of fracture, the voids in the conductive film fused by heating and firing often exist as isolated spaces inside the film, and the chemical solution does not penetrate, so electroless There may be voids after plating, which is not a sufficient solution.

また、無電解めっき用の触媒としては、通常、パラジウムが用いられているが、触媒金属として高価なパラジウムを用いると、無電解めっき処理工程のコストが大きくなることに加えて、加熱焼成によって形成した導電層の空隙を、パラジウム触媒を用いる無電解めっきにより充填すると、パラジウムが導電層内にランダムに取り込まれた状態となり、後のエッチング工程においてパラジウムの除去が充分に行えず、回路基板特性を低下させる原因となるなどの問題があった。   In addition, palladium is usually used as a catalyst for electroless plating. However, when expensive palladium is used as the catalyst metal, the cost of the electroless plating treatment process is increased, and it is formed by heating and firing. If the voids in the conductive layer are filled by electroless plating using a palladium catalyst, the palladium is randomly taken into the conductive layer, and the subsequent removal of the palladium in the etching process does not sufficiently remove the circuit board characteristics. There were problems such as causing it to drop.

そこで、パラジウムを用いない、安価な無電解めっき用触媒として、例えば、銀塩を触媒として用いる方法が提供されている(例えば、特許文献4参照)。この方法は、銀塩と界面活性剤とを含有する水溶液に、銀塩に対して2〜4倍モルの還元剤を添加して銀ヒドロゾルを形成し、これを被めっき物と接触させて、銀コロイドを付与して、無電解めっきを行う方法である。しかしながら、この方法では、多量の還元剤が必要であり、生産コストが高く、しかも形成される銀ヒドロゾルの安定性が低く、凝集沈殿が発生しやすいという欠点があった。またこの文献に開示されている方法では、被めっき物として紙や不織布などの繊維組成物、ガラス、セラミックス、及びプラスティックスが例示されてはいるが、実質的には被めっき物として紙や布などの「多孔性材料」のみが用いられ、触媒が被めっき物の多孔構造内に「引っ掛かる」ことを利用して触媒付与を行っており、平滑な表面を有する基材上や、基材全面に均一な触媒付与を行う場合は、前記特許文献4で開示された方法を適用するのは困難である。   Therefore, as an inexpensive electroless plating catalyst that does not use palladium, for example, a method using a silver salt as a catalyst is provided (see, for example, Patent Document 4). In this method, an aqueous solution containing a silver salt and a surfactant is added with 2 to 4 times moles of a reducing agent with respect to the silver salt to form a silver hydrosol, which is brought into contact with the object to be plated, In this method, electroless plating is performed by applying a silver colloid. However, this method has a drawback that a large amount of reducing agent is required, the production cost is high, the stability of the formed silver hydrosol is low, and aggregation precipitation is likely to occur. Further, in the method disclosed in this document, fiber compositions such as paper and nonwoven fabric, glass, ceramics, and plastics are exemplified as objects to be plated. However, paper and cloth are practically used as objects to be plated. Only "porous materials" such as are used, and the catalyst is applied by utilizing the fact that the catalyst "hangs" in the porous structure of the object to be plated. When applying a uniform catalyst, it is difficult to apply the method disclosed in Patent Document 4.

また、銀塩0.01〜100mmol/L、陰イオン界面活性剤0.01〜0.5wt.%、及び銀塩に対して0.1〜0.8倍モルの還元剤を含む無電解めっき用触媒液が記載されており(例えば、特許文献5参照)、この触媒液は、銀塩に対して0.1〜0.8倍モルと、前記特許文献4と比較して少ない還元剤量の触媒液で、安定性が良好であるとされている。   Moreover, silver salt 0.01-100 mmol / L, anionic surfactant 0.01-0.5 wt. %, And a catalyst solution for electroless plating containing 0.1 to 0.8 moles of a reducing agent with respect to the silver salt (see, for example, Patent Document 5). On the other hand, it is said that the catalyst solution is 0.1 to 0.8-fold mol, a small amount of the reducing agent compared with Patent Document 4, and has good stability.

これら特許文献4、5に記載の方法では、銀コロイドの希薄分散液中に被めっき物を浸漬し、主として銀コロイドと被めっき物表面の静電的な相互作用によって、銀コロイドを被めっき物表面に付着させ、無電解めっきの触媒として利用するものであり、銀コロイドの付着量は浸漬時間によって制御されることになるが、被めっき物上に付着する触媒濃度が充分でなく、さらに、プリント配線板用積層基材などの大きな面積の基材への適用には、大きな浸漬槽で長時間をかけて行う必要があるため、実用上困難であった。また、このような液中で自然吸着させる方法では、銀コロイドの被めっき物への吸着性が低いために、銀コロイド触媒付与後の水洗工程や無電解めっき中に、被めっき物から触媒物質(銀コロイド)が脱落しやすく、めっき析出が不均一になる、めっき液を汚染することによるめっき浴の分解促進が起こる等の問題があった。これらの文献では、被めっき物上に銀コロイドを塗布して触媒付与する可能性にも言及されているが、開示されている様な低濃度の銀コロイドでは、塗布によって被めっき物上に充分な量の銀コロイドを付与することができず、被めっき物上に均一なめっきを施すことができない、また、開示された銀コロイドを濃縮すると、凝集が起こり、塗布製膜を行うことができないという問題があった。   In the methods described in Patent Documents 4 and 5, the object to be plated is immersed in a dilute dispersion of silver colloid, and the silver colloid is mainly removed by electrostatic interaction between the silver colloid and the surface of the object to be plated. It is attached to the surface and used as a catalyst for electroless plating, and the amount of silver colloid attached is controlled by the immersion time, but the concentration of the catalyst attached on the object to be plated is not sufficient, Application to a large area substrate such as a laminated substrate for a printed wiring board is difficult in practice because it requires a long time in a large immersion tank. In addition, in such a method of natural adsorption in a liquid, the adsorptivity of silver colloid to the object to be plated is low, so that the catalytic substance is removed from the object to be plated during the water washing process or electroless plating after the silver colloid catalyst is applied. (Silver colloid) easily drops off, plating deposition becomes uneven, and decomposition of the plating bath occurs due to contamination of the plating solution. Although these documents also mention the possibility of applying a silver colloid on the object to be plated to give a catalyst, the low concentration of silver colloid as disclosed is sufficient on the object to be plated by application. A large amount of silver colloid cannot be applied, and uniform plating cannot be performed on the object to be plated. Also, when the disclosed silver colloid is concentrated, agglomeration occurs and coating film formation cannot be performed. There was a problem.

特開平09−136378号公報JP 09-136378 A 特開2006−305914号公報JP 2006-305914 A 特開2010−272837号公報JP 2010-272837 A 特開昭64−068478号公報JP-A 64-068478 特開平10−030188号公報JP-A-10-030188

本発明は、上記、従来技術の問題点を鑑みてなされたものであり、本発明が解決しようとする課題は、接着剤による銅箔接合によらず、真空設備を用いずに、適切な厚さの導電層を有する導電性材料の製造方法を提供することである。より詳しくは、基材上に、特定の化学構造を有する樹脂層を形成して、当該樹脂層上への塗工均一性を確保し、塗布形成した金属微粒子を含有する層を、不均一な導電性膜への変換を行う必要がなく、また、パラジウム触媒による特性低下の心配がない、より簡便、かつ信頼性の高い方法で、絶縁体基材上に充分な密着強度により導電性層が積層されてなる、導電性材料の製造方法を提供することを目的とするものである。更に、本発明は、当該製造方法を用いて製造された、プリント配線板用積層基材として好適に用いることができる導電性材料を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and the problem to be solved by the present invention is not to use copper foil bonding with an adhesive, but to use an appropriate thickness without using vacuum equipment. Another object of the present invention is to provide a method for producing a conductive material having a conductive layer. More specifically, a resin layer having a specific chemical structure is formed on the substrate to ensure coating uniformity on the resin layer, and the layer containing the coated metal fine particles is non-uniform. There is no need to convert to a conductive film, and there is no concern about deterioration of properties due to the palladium catalyst, and the conductive layer is formed on the insulator substrate with sufficient adhesion strength by a simpler and more reliable method. An object of the present invention is to provide a method for producing a conductive material which is laminated. Furthermore, this invention aims at providing the electroconductive material which can be used suitably as a laminated base material for printed wiring boards manufactured using the said manufacturing method.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、各種の絶縁性基材上に特定の樹脂層を形成させ、その樹脂層上に、特定の化合物で保護されてなる金、銀、銅、白金を含有する金属微粒子を含有する非導電性の層が、塗布法によって容易に得られること、また、前記非導電性層が優れた無電解めっきの触媒活性を示し、かつ、強い密着性を誘起するめっき膜の足場として機能することを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies in order to solve the above problems, the present inventors have formed a specific resin layer on various insulating substrates, and are protected with a specific compound on the resin layer. A non-conductive layer containing metal fine particles containing gold, silver, copper and platinum can be easily obtained by a coating method, and the non-conductive layer exhibits excellent electroless plating catalytic activity, And it discovered that it functions as a scaffold of the plating film which induces strong adhesiveness, and came to complete this invention.

即ち、本発明は、
(1)絶縁性基材(A)上に、樹脂層形成用組成物(b)を塗布して樹脂層(B)を形成する工程、
(2)(1)で得られた樹脂層(B)上に窒素原子、硫黄原子、リン原子又は酸素原子を有する化合物(c1)で表面が保護された金、銀、銅及び白金からなる群から選ばれる1種以上の金属微粒子(c2)を0.5質量%以上含有する分散液(C)を塗布し、抗値が10Ω以上である非導電性層(D)を形成する工程、
(3)(2)で得られた非導電性層(D)を有する基材に無電解めっきを行い、導電層(E)を形成する工程
を有する導電性材料の製造方法であって、
前記樹脂層形成用組成物(b)が、ビニル樹脂(x)と、水性媒体(y)とを含有するものであり、前記ビニル樹脂(x)が水性媒体(y)に分散し、かつ、前記ビニル樹脂(x)の全量に対する前記成分(z)の含有量が0質量%〜15質量%であることを特徴とする導電性材料の製造方法、及びこの方法で得られる導電性材料を用いたプリント配線板用積層基材の製造方法を提供するものである。
That is, the present invention
(1) A step of applying a resin layer forming composition (b) on the insulating substrate (A) to form a resin layer (B),
(2) A group consisting of gold, silver, copper and platinum whose surface is protected with a compound (c1) having a nitrogen atom, sulfur atom, phosphorus atom or oxygen atom on the resin layer (B) obtained in (1) dispersions containing more than 0.5 wt% of one or more fine metal particles (c2) selected from the (C) was applied to form the non-conductive layer resistance value is 10 7 Omega more (D) Process,
(3) A method for producing a conductive material comprising a step of performing electroless plating on the substrate having the nonconductive layer (D) obtained in (2) to form a conductive layer (E),
The resin layer forming composition (b) contains a vinyl resin (x) and an aqueous medium (y), the vinyl resin (x) is dispersed in the aqueous medium (y), and The method for producing a conductive material, wherein the content of the component (z) is 0% by mass to 15% by mass with respect to the total amount of the vinyl resin (x), and the conductive material obtained by this method are used. The manufacturing method of the laminated base material for printed wiring boards was provided.

本発明によれば、高密度実装分野で利用しうる、高性能の導電性材料、プリント配線基板用基板、プリント配線板を、真空設備を必要とせず、低コストで製造することができる。   According to the present invention, a high-performance conductive material, a printed wiring board substrate, and a printed wiring board that can be used in the high-density mounting field can be manufactured at low cost without the need for vacuum equipment.

絶縁性基材(A)上に、樹脂層(B)を形成した基材の一形態断面を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the one form cross section of the base material which formed the resin layer (B) on the insulating base material (A). 図1の基材上に非導電性層(D)を形成した基材の一形態断面を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the one form cross section of the base material which formed the nonelectroconductive layer (D) on the base material of FIG. 図2の基材上に非導電性層(D)を形成した基材の一形態断面を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the one form cross section of the base material which formed the nonelectroconductive layer (D) on the base material of FIG. 図2の基材に無電解めっきで導電層(E)を形成した導電性材料の一形態断面を表す模式図である。It is a schematic diagram showing one form cross section of the electroconductive material which formed the electroconductive layer (E) on the base material of FIG. 2 by electroless plating. 図3の基材上に無電解めっきで導電層(E)を形成した導電性材料の一形態断面を表す模式図Schematic diagram showing one mode cross section of a conductive material in which a conductive layer (E) is formed by electroless plating on the substrate of FIG. 図4の導電層(E)上に電気めっきで導電層(F)を形成した導電性材料、プリント配線板用積層基材の一形態断面を表す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a cross-section of a conductive material in which a conductive layer (F) is formed by electroplating on the conductive layer (E) in FIG. 4 and a laminated substrate for a printed wiring board. 図5の導電層(E)上に電気めっきで導電層(F)を形成した導電性材料、プリント配線板用積層基材の一形態断面を表す模式図である。FIG. 6 is a schematic view illustrating a cross-section of a conductive material in which a conductive layer (F) is formed by electroplating on the conductive layer (E) in FIG. 5 and a laminated substrate for a printed wiring board. 実施例2において、ポリイミドフィルム上に作製した樹脂層上に形成した銀粒子膜を150℃で30分焼成した後の膜表面の電子顕微鏡写真である。In Example 2, it is an electron micrograph of the film | membrane surface after baking the silver particle film formed on the resin layer produced on the polyimide film at 150 degreeC for 30 minutes. 表面被覆率算出のために白黒2値化を行った、実施例2において、ポリイミドフィルム上に作製した樹脂層上に形成した銀粒子膜を150℃で30分焼成した後の膜表面の電子顕微鏡写真である(図8の電子顕微鏡写真を白黒2値化)。In Example 2 in which black and white binarization was performed to calculate the surface coverage, an electron microscope of the film surface after baking the silver particle film formed on the resin layer produced on the polyimide film at 150 ° C. for 30 minutes It is a photograph (black and white binarization of the electron micrograph of FIG. 8). 実施例1において、樹脂層上に非導電性層を形成した表面の外観写真(A)、及び比較例1において、ポリイミド上に銀微粒子を塗布した表面の外観写真(B)である(スケール単位:cm)。写真(A)の陰影は、塗膜表面が鏡面であることによる写り込み。In Example 1, it is the external appearance photograph (A) of the surface which formed the nonelectroconductive layer on the resin layer, and the external appearance photograph (B) of the surface which apply | coated the silver fine particle on the polyimide in the comparative example 1 (scale unit) : Cm). The shade in the photograph (A) is reflected due to the mirror surface of the coating film surface. 実施例22において、ポリイミドフィルム上に作製した樹脂層上に形成した銀粒子膜を270℃で30分焼成した後の膜表面の電子顕微鏡写真である。In Example 22, it is an electron micrograph of the film | membrane surface after baking the silver particle film formed on the resin layer produced on the polyimide film at 270 degreeC for 30 minutes. 表面被覆率算出のために白黒2値化を行った、実施例22において、ポリイミドフィルム上に作製した樹脂層上に形成した銀粒子膜を270℃で30分焼成した後の膜表面の電子顕微鏡写真である(図11の電子顕微鏡写真を白黒2値化)。In Example 22, which was subjected to black and white binarization for calculating the surface coverage, an electron microscope of the film surface after baking the silver particle film formed on the resin layer prepared on the polyimide film at 270 ° C. for 30 minutes It is a photograph (black and white binarization of the electron micrograph of FIG. 11). 比較例6において、ポリイミド上に分散液(c)−3を塗布した表面の外観写真である。In comparative example 6, it is an appearance photograph of the surface which applied dispersion (c) -3 on polyimide.

以下に本発明を詳細に説明する。
<絶縁性基材(A)>
本発明において用いる絶縁性基材(A)としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマーなどのポリエステル樹脂、ポリエステルアミド樹脂、シクロオレフィンポリマー、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスエポキシ、ABS樹脂、ガラス、セラミックスなどの素材を好適に用いることができ、フレキシブル材、リジッド材、リジッドフレキシブル材のいずれの形態にも対応可能である。これら絶縁性基材(A)は、薄いものはフィルムとして、また、厚いものはシートや板として用いることができる。
The present invention is described in detail below.
<Insulating base material (A)>
As the insulating substrate (A) used in the present invention, for example, polyimide resin, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyester resin such as liquid crystal polymer, polyester amide resin, cycloolefin polymer, paper phenol, paper epoxy, glass epoxy, Materials such as ABS resin, glass, and ceramics can be suitably used, and any form of a flexible material, a rigid material, and a rigid flexible material can be used. These insulating base materials (A) can be used as a thin film and as a sheet or plate as a thick one.

フレキシブル基板用途には、前記ポリイミド、ポリエステル樹脂のフィルムを用いることができ、ポリイミド樹脂としては、例えば、カプトン(東レ・デュポン)、ユーピレックス(宇部興産)、アピカル(カネカ)、ポミラン(荒川化学)などのフィルムを好適に用いることができる。また、ポリエステル樹脂として、液晶ポリマーのベクスターシリーズ(クラレ)を好適に用いることができる。また、これらのフィルムは、一定の大きさにカットされた状態で用いても良いし、連続したフィルム状態で用いても良い。
これら、本発明において用いる絶縁性基材(A)は、その表裏面を接続する貫通孔を有していても良い。貫通孔は、ドリル、パンチャー、レーザーなど公知慣用の方法によって形成することができる。
The polyimide and polyester resin films can be used for flexible substrates. Examples of the polyimide resin include Kapton (Toray DuPont), Upilex (Ube Industries), Apical (Kaneka), Pomilan (Arakawa Chemical), etc. The film can be suitably used. Further, as the polyester resin, a Bexter series (Kuraray) of liquid crystal polymer can be suitably used. In addition, these films may be used in a state of being cut into a certain size, or may be used in a continuous film state.
These insulating base materials (A) used in the present invention may have through holes for connecting the front and back surfaces. The through hole can be formed by a known and common method such as a drill, a puncher, or a laser.

本発明で用いる絶縁性基材(A)は、絶縁性基材(A)と樹脂層(B)、さらに後の工程で形成される非導電性層(D)、およびめっき膜との密着性を向上させる目的で、後述する金属微粒子の分散液(C)を塗工する前に、表面処理を行っても良い。絶縁性基材(A)の表面処理方法としては、種々の方法を適宜選択すれば良いが、例えば、UV処理、オゾン処理、コロナ処理、プラズマ処理などの物理的方法を好適に用いることができる。また、絶縁性基材(A)がポリイミド樹脂である場合には、ポリイミド樹脂の基材表面をアルカリ水溶液で処理する化学的方法を用いても良い。絶縁性基材(A)がポリエステル樹脂の場合には、ポリエステル樹脂の表面をUV処理、コロナ処理、オゾン処理、もしくはプラズマ処理しておくことが好ましい。これらの表面処理方法は、単独で行っても良いし、複数の方法を続けて行っても良い。   The insulating base material (A) used in the present invention has an insulating base material (A) and a resin layer (B), and a non-conductive layer (D) formed in a later step, and adhesion to the plating film. In order to improve the surface treatment, a surface treatment may be performed before applying the metal fine particle dispersion (C) described later. As a surface treatment method of the insulating base material (A), various methods may be appropriately selected. For example, physical methods such as UV treatment, ozone treatment, corona treatment, and plasma treatment can be suitably used. . Moreover, when the insulating base material (A) is a polyimide resin, a chemical method of treating the base surface of the polyimide resin with an alkaline aqueous solution may be used. When the insulating substrate (A) is a polyester resin, the surface of the polyester resin is preferably subjected to UV treatment, corona treatment, ozone treatment, or plasma treatment. These surface treatment methods may be performed independently or a plurality of methods may be performed in succession.

<樹脂層形成用組成物(b)>
本発明で用いる樹脂層形成用組成物(b)は、ビニル樹脂(x)と、水性媒体(y)と、必要に応じて水溶性樹脂(z1)及び充填材(z2)からなる群より選ばれる1種以上の成分(z)とを含有するものであって、前記ビニル樹脂(x)が水性媒体(y)に分散し、かつ、前記ビニル樹脂(x)の全量に対する前記成分(z)の含有量が0質量%〜15質量%であることを特徴とするものである。
<Resin layer forming composition (b)>
The resin layer forming composition (b) used in the present invention is selected from the group consisting of a vinyl resin (x), an aqueous medium (y), and optionally a water-soluble resin (z1) and a filler (z2). The vinyl resin (x) is dispersed in an aqueous medium (y), and the component (z) with respect to the total amount of the vinyl resin (x). The content of is 0% by mass to 15% by mass.

前記樹脂層形成用組成物(b)に含まれる前記ビニル樹脂(x)は、(メタ)アクリル単量体やオレフィン等の重合性不飽和二重結合を有する単量体を重合して得られるものである。ここで「(メタ)アクリル」の表記は、アクリル及びメタクリルの一方または両方を指すものである。   The vinyl resin (x) contained in the resin layer forming composition (b) is obtained by polymerizing a monomer having a polymerizable unsaturated double bond such as a (meth) acrylic monomer or an olefin. Is. Here, the expression “(meth) acryl” refers to one or both of acrylic and methacrylic.

前記ビニル樹脂(x)としては、重量平均分子量10万以上で、かつ、酸価10〜80であると、後述する、金属微粒子の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒が、水、水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒、水を含まない有機溶媒のいずれであっても、「抜け」や、ムラを生じることがなく、優れた塗布性を容易に示すので好適である。   The vinyl resin (x) has a weight average molecular weight of 100,000 or more and an acid value of 10 to 80, and a solvent for dispersing the metal fine particles (c2) in the metal fine particle dispersion (C) described later. However, even if it is water, a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent, or an organic solvent that does not contain water, it does not cause “missing” or unevenness, and easily exhibits excellent coating properties. Is preferred.

前記酸価としては、より一層優れた耐湿熱性を付与する観点から、10〜75の範囲であることが好ましく、15〜70の範囲であることがより好ましく、25〜70の範囲であることがさらに好ましく、35〜70の範囲であることが特に好ましい。   The acid value is preferably in the range of 10 to 75, more preferably in the range of 15 to 70, and more preferably in the range of 25 to 70, from the viewpoint of imparting more excellent heat and moisture resistance. Further preferred is a range of 35 to 70.

前記ビニル樹脂(x)の有する酸価は、ビニル樹脂(x)に良好な水分散性を付与することを目的として導入されうるアニオン性基等の親水性基や、後述する架橋性官能基に由来するものである。具体的には、もっぱらカルボキシル基、スルホン酸基、カルボキシレート基、スルホネート基等のアニオン性基に由来するものであることが好ましく、カルボキシル基またはカルボキシレート基に由来するものであることが好ましい。   The acid value of the vinyl resin (x) depends on the hydrophilic group such as an anionic group that can be introduced for the purpose of imparting good water dispersibility to the vinyl resin (x), and a crosslinkable functional group described later. It comes from. Specifically, it is preferably derived solely from an anionic group such as a carboxyl group, a sulfonic acid group, a carboxylate group, or a sulfonate group, and preferably derived from a carboxyl group or a carboxylate group.

前記カルボキシル基やスルホン酸基は、その一部または全部が、水酸化カリウムや水酸化カリウム等の塩基性金属化合物や、アンモニア、トリエチルアミン、ピリジン、モルホリン等の有機アミンや、モノエタノールアミン等のアルカノールアミン等の塩基性化合物により中和されることによって、カルボキシレート基やスルホネート基を形成していてもよいが、中和されていなくてもよい。前記金属塩化合物は、通電性を阻害しうる場合があるため、前記有機アミンやアルカノールアミンを使用することが好ましい。   A part or all of the carboxyl group and sulfonic acid group may be a basic metal compound such as potassium hydroxide or potassium hydroxide, an organic amine such as ammonia, triethylamine, pyridine, morpholine, or an alkanol such as monoethanolamine. By neutralizing with a basic compound such as an amine, a carboxylate group or a sulfonate group may be formed, but it may not be neutralized. Since the metal salt compound may inhibit electrical conductivity, it is preferable to use the organic amine or alkanolamine.

前記ビニル樹脂(x)は、前記カルボキシル基等を、良好な水分散性や架橋性等を考慮した範囲で有していてもよいが、それらに由来する酸価が10〜80の範囲内となるよう調整することが好ましい。   The vinyl resin (x) may have the carboxyl group or the like in a range in consideration of good water dispersibility, crosslinkability, etc., and the acid value derived therefrom is in the range of 10 to 80. It is preferable to adjust so that it becomes.

また、前記ビニル樹脂(x)としては、後述する、金属微粒子(c2)の分散液(C)の良好な塗布性、樹脂層(B)上に非導電性層(D)を形成した状態における耐水性と耐湿熱性とを確保するうえで、10万以上の重量平均分子量を有するものを使用することが好ましく、100万以上の重量平均分子量を有するビニル樹脂を使用することが更に好ましい。なお、本発明において、「塗布性が良い」とは、金属微粒子(c2)の分散液(C)を塗布する際、「抜け」やムラの発生が抑制された良好な非導電性層(D)が形成されることを示す。   Moreover, as said vinyl resin (x), the favorable applicability | paintability of the dispersion liquid (C) of the metal microparticles (c2) mentioned later, in the state which formed the nonelectroconductive layer (D) on the resin layer (B) In order to ensure water resistance and wet heat resistance, it is preferable to use those having a weight average molecular weight of 100,000 or more, and it is more preferable to use a vinyl resin having a weight average molecular weight of 1,000,000 or more. In the present invention, “good coatability” means a good non-conductive layer (D) in which occurrence of “missing” and unevenness is suppressed when the dispersion (C) of the metal fine particles (c2) is applied. ) Is formed.

前記ビニル樹脂(x)の重量平均分子量の上限値としては、特に限定されないが、概ね1000万以下であることが好ましく、500万以下であることが、後述する、金属微粒子(c2)の分散液(C)の塗布性を確保する観点から好ましい。   The upper limit value of the weight average molecular weight of the vinyl resin (x) is not particularly limited, but is preferably approximately 10 million or less, and preferably 5 million or less, a dispersion of metal fine particles (c2) described later. It is preferable from the viewpoint of securing the applicability of (C).

前記ビニル樹脂(x)の重量平均分子量の測定は、通常、前記ビニル樹脂(x)80mgとテトラヒドロフラン20mlを混合し12時間攪拌したものを測定試料として用い、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフ法(GPC法)によって行うことができる。測定装置としては、東ソー株式会社製高速液体クロマトグラフHLC−8220型、カラムとしては東ソー株式会社製TSKgelGMH XL×4カラム、溶離液としてはテトラヒドロフラン、検出器としてはRI検出器を使用することができる。   The measurement of the weight average molecular weight of the vinyl resin (x) is usually performed by mixing 80 mg of the vinyl resin (x) and 20 ml of tetrahydrofuran and stirring for 12 hours as a measurement sample, and using gel permeation chromatography (GPC). Law). As a measuring device, Tosoh Corporation high performance liquid chromatograph HLC-8220 type, Tosoh Corporation TSKgelGMH XL × 4 column as an eluent, tetrahydrofuran as an eluent, RI detector as a detector can be used. .

しかし、前記ビニル樹脂(x)の分子量が概ね100万を超える場合には、前記GPC法等を用いた一般的な分子量測定方法でビニル樹脂(x)の分子量を測定することが困難な場合がある。   However, when the molecular weight of the vinyl resin (x) exceeds about 1 million, it may be difficult to measure the molecular weight of the vinyl resin (x) by a general molecular weight measurement method using the GPC method or the like. is there.

具体的には、重量平均分子量が100万を超えるビニル樹脂(x)80mgをテトラヒドロフラン20mlと混合し12時間攪拌しても、前記ビニル樹脂(x)が完全に溶解しておらず、前記混合液を1μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した場合に、前記メンブレンフィルター上に、ビニル樹脂(x)からなる残渣が確認できる場合がある。   Specifically, even when 80 mg of vinyl resin (x) having a weight average molecular weight exceeding 1,000,000 is mixed with 20 ml of tetrahydrofuran and stirred for 12 hours, the vinyl resin (x) is not completely dissolved, and the mixed solution Is filtered using a 1 μm membrane filter, a residue made of vinyl resin (x) may be confirmed on the membrane filter.

このような残渣は、概ね100万を超える分子量を有するビニル樹脂に由来するものであるため、前記ろ過で得られたろ液を用い、前記GPC法によって分子量を測定しても、適切な重量平均分子量を測定することが困難な場合がある。   Since such a residue is derived from a vinyl resin having a molecular weight generally exceeding 1 million, even if the molecular weight is measured by the GPC method using the filtrate obtained by the filtration, an appropriate weight average molecular weight is obtained. It may be difficult to measure.

そこで、本発明では、前記濾過の結果、前記メンブランフィルター上に残渣が確認できたものについては、重量平均分子量が100万を超えるビニル樹脂であると判断した。   Therefore, in the present invention, as a result of the filtration, the resin whose residue was confirmed on the membrane filter was judged to be a vinyl resin having a weight average molecular weight exceeding 1,000,000.

また、前記ビニル樹脂(x)は、後述する水性媒体(y)中に分散しうるものであるが、その一部が水性媒体(y)に溶解しうるものであってもよい。   Moreover, although the said vinyl resin (x) can be disperse | distributed in the aqueous medium (y) mentioned later, the one part may melt | dissolve in an aqueous medium (y).

また、前記ビニル樹脂(x)としては、必要に応じて各種官能基を有していてもよく、前記官能基としては例えばアミド基や、水酸基、グリシジル基、アミノ基、シリル基、アジリジニル基、イソシアネート基、オキサゾリン基、シクロペンテニル基、アリル基、カルボキシル基、アセトアセチル基等の架橋性官能基が挙げられる。   The vinyl resin (x) may have various functional groups as necessary. Examples of the functional groups include amide groups, hydroxyl groups, glycidyl groups, amino groups, silyl groups, aziridinyl groups, Examples thereof include crosslinkable functional groups such as an isocyanate group, an oxazoline group, a cyclopentenyl group, an allyl group, a carboxyl group, and an acetoacetyl group.

前記架橋性官能基は、加熱すること等によって架橋反応し、樹脂層内(B)に架橋構造を形成する。これにより、後工程のめっき処理において、めっき薬剤や洗浄剤等の液中に浸漬された場合であっても、樹脂層(B)の溶解や剥離等を引き起こすことなく、高温高湿度環境下で長期間使用された場合であっても、経時的な樹脂層の溶解や白化、支持体からの剥離等を引き起こさないレベルの耐湿熱性や耐久性に優れた樹脂層(B)を形成することができる。更には、分散液(C)中で金属微粒子(c2)を保護している化合物(c1)と反応性を有する組み合わせの場合は、当該金属微粒子(c2)を安定的に樹脂層(B)上に保持することも可能となり、好ましいものである。   The crosslinkable functional group undergoes a crosslinking reaction by heating or the like to form a crosslinked structure in the resin layer (B). Thereby, even in the case of being immersed in a liquid such as a plating agent or a cleaning agent in the plating process in the subsequent process, it does not cause dissolution or peeling of the resin layer (B) in a high temperature and high humidity environment. Even when used for a long period of time, it is possible to form a resin layer (B) excellent in moisture and heat resistance and durability at a level that does not cause dissolution or whitening of the resin layer over time or peeling from the support. it can. Furthermore, in the case of a combination having reactivity with the compound (c1) protecting the metal fine particles (c2) in the dispersion (C), the metal fine particles (c2) are stably deposited on the resin layer (B). It is also possible to hold it in a preferable manner.

また、前記ビニル樹脂(x)としては、後述する、金属微粒子(c2)の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒が、水、水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒、水を含まない有機溶媒のいずれであっても、「抜け」や、ムラを生じることがなく、優れた塗布性を確保する観点から1℃〜70℃のガラス転移温度を有するものを使用することが好ましい。なお、前記ビニル樹脂(x)のガラス転移温度は、主に、該ビニル樹脂(x)の製造に使用するビニル単量体の組成に基づき、計算によって決定される値である。具体的には、後述するビニル単量体の組み合わせで使用することによって、前記所定のガラス転移温度を有するビニル樹脂(x)を得ることができる。   In addition, as the vinyl resin (x), in a dispersion liquid (C) of metal fine particles (c2), which will be described later, a solvent for dispersing the metal fine particles (c2) is water, a mixture of water and a water-soluble organic solvent. Either a solvent or an organic solvent that does not contain water does not cause “missing” or unevenness, and has a glass transition temperature of 1 ° C. to 70 ° C. from the viewpoint of ensuring excellent coating properties. It is preferable to do. In addition, the glass transition temperature of the said vinyl resin (x) is a value determined by calculation mainly based on the composition of the vinyl monomer used for manufacture of this vinyl resin (x). Specifically, the vinyl resin (x) having the predetermined glass transition temperature can be obtained by using a combination of vinyl monomers described later.

また、前記樹脂層(B)を形成する際の良好な造膜性や、前記絶縁性基材(A)上に、樹脂層形成用組成物(b)を塗布して樹脂層(B)を形成したフィルム状基材をロール等に巻き取って保管等を行う際に、前記樹脂層(B)と、前記樹脂層(B)を形成した基材裏面との経時的な貼りつきを引き起こさないレベルの耐ブロッキング性を付与する観点から、前記ビニル樹脂(x)としては10℃〜40℃のガラス転移温度を有するものを使用することが好ましい。   In addition, the resin layer (B) is formed by applying the resin layer forming composition (b) on the insulating base material (A) and the good film-forming property when forming the resin layer (B). When the formed film-like substrate is wound around a roll or the like for storage, the resin layer (B) and the back surface of the substrate on which the resin layer (B) is formed are not caused over time. From the viewpoint of providing a level of blocking resistance, the vinyl resin (x) is preferably one having a glass transition temperature of 10 ° C to 40 ° C.

前記ビニル樹脂(x)は、例えばカルボキシル基等の酸基を有するビニル単量体や、必要に応じてその他のビニル単量体を含むビニル単量体混合物を重合することによって製造することができる。   The vinyl resin (x) can be produced, for example, by polymerizing a vinyl monomer having an acid group such as a carboxyl group or a vinyl monomer mixture containing other vinyl monomers as necessary. .

前記ビニル樹脂(x)の製造に使用可能な酸基を有するビニル単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、β−カルボキシエチル(メタ)アクリレート、2−(メタ)アクリロイルプロピオン酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸ハーフエステル、マレイン酸ハーフエステル、無水マレイン酸、無水イタコン酸等のカルボキシル基含有ビニル単量体や、ビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸やそれらの塩、アリルスルホン酸、2−メチルアリルスルホン酸等のアリル基を有するスルホン酸類またはその塩、(メタ)アクリル酸2−スルホエチル、(メタ)アクリル酸2−スルホプロピル等の(メタ)アクリレート基を有するスルホン酸類またはその塩、リン酸基を有する「アデカリアソープPP−70」、「PPE−710」(株式会社ADEKA製)等を使用することができ、前記カルボキシル基を有するビニル単量体やその塩を使用することが好ましい。   Examples of the vinyl monomer having an acid group that can be used for producing the vinyl resin (x) include acrylic acid, methacrylic acid, β-carboxyethyl (meth) acrylate, 2- (meth) acryloylpropionic acid, and croton. Carboxyl group-containing vinyl monomers such as acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid half ester, maleic acid half ester, maleic anhydride, itaconic anhydride, vinyl sulfonic acid, styrene sulfonic acid and their salts , Sulfonic acids having an allyl group such as allylsulfonic acid and 2-methylallylsulfonic acid or salts thereof, and (meth) acrylate groups such as 2-sulfoethyl (meth) acrylate and 2-sulfopropyl (meth) acrylate Sulfonic acids or salts thereof, “Adekalia soap PP-7 having a phosphate group” "May be used to" PPE-710 "(manufactured by ADEKA) and the like, it is preferable to use a vinyl monomer or a salt thereof having a carboxyl group.

前記酸基を有するビニル単量体は、最終的に得られるビニル樹脂(x)の酸価を10〜80に調整する範囲で使用することが好ましい。具体的には、前記酸基を有するビニル単量体は、前記ビニル単量体混合物の全量に対して0.2質量%〜15質量%の範囲で使用することが好ましく、1.5質量%〜12質量%の範囲で使用することが好ましく、3.5質量%〜11質量%の範囲で使用することがより好ましく、5質量%を超え11質量%以下の範囲で使用することがさらに好ましい。前記酸基を有するビニル単量体を所定量使用することによって、得られるビニル樹脂(x)に良好な水分散安定性や耐湿熱性等を付与することが容易である。   The vinyl monomer having an acid group is preferably used within the range of adjusting the acid value of the finally obtained vinyl resin (x) to 10-80. Specifically, the vinyl monomer having an acid group is preferably used in a range of 0.2% by mass to 15% by mass with respect to the total amount of the vinyl monomer mixture, and 1.5% by mass. It is preferably used in the range of ˜12% by mass, more preferably in the range of 3.5% by mass to 11% by mass, and further preferably in the range of more than 5% by mass and 11% by mass or less. . By using a predetermined amount of the vinyl monomer having an acid group, it is easy to impart good water dispersion stability, moist heat resistance, and the like to the resulting vinyl resin (x).

また、前記酸基を有するビニル単量体、特に前記カルボキシル基を有するビニル単量体を、後述するアミド基を有するビニル単量体と組み合わせ使用する場合には、前記ビニル樹脂(x)の製造に使用するビニル単量体混合物の全量に対して、前記酸基を有するビニル単量体とアミド基を有するビニル単量体との合計の質量割合が、好ましくは5質量%を超え40質量%以下、より好ましくは6質量%以上35質量%以下となる範囲で使用することができる。   When the vinyl monomer having an acid group, particularly the vinyl monomer having a carboxyl group, is used in combination with a vinyl monomer having an amide group, which will be described later, the vinyl resin (x) is produced. The total mass ratio of the vinyl monomer having an acid group and the vinyl monomer having an amide group is preferably more than 5% by mass and 40% by mass with respect to the total amount of the vinyl monomer mixture used in Hereinafter, it can be used more preferably in the range of 6 mass% or more and 35 mass% or less.

前記ビニル樹脂(x)の製造に使用可能なビニル単量体混合物としては、例えば前記酸基を有するビニル単量体以外に、その他のビニル単量体を組み合わせ使用することが好ましい。   As the vinyl monomer mixture that can be used in the production of the vinyl resin (x), for example, in addition to the vinyl monomer having an acid group, it is preferable to use a combination of other vinyl monomers.

前記その他のビニル単量体としては、例えば(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸i−ブチル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸ステアリル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸ベンジル等の(メタ)アクリル酸エステル類;(メタ)アクリル酸2,2,2−トリフルオロエチル、(メタ)アクリル酸2,2,3,3−ペンタフルオロプロピル、(メタ)アクリル酸パーフルオロシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸2,2,3,3,−テトラフルオロプロピル、(メタ)アクリル酸β−(パーフルオロオクチル)エチル等の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを使用することができる。   Examples of the other vinyl monomers include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, and t- (meth) acrylate. Butyl, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, (meth) acrylic (Meth) acrylic acid esters such as stearyl acid, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate; 2,2-trifluoroethyl, 2,2,3,3-pentafluoropropyl (meth) acrylate, (meth Use of (meth) acrylic acid alkyl esters such as perfluorocyclohexyl acrylate, 2,2,3,3, -tetrafluoropropyl (meth) acrylate, and β- (perfluorooctyl) ethyl (meth) acrylate Can do.

特にメタクリル酸メチルは、焼成工程等における熱の影響によらず、前記樹脂層(B)と前記絶縁性基材(A)との優れた密着性や、優れた耐湿熱性を付与するうえ好ましく用いることができる。   In particular, methyl methacrylate is preferably used for imparting excellent adhesion between the resin layer (B) and the insulating base material (A) and excellent moisture and heat resistance, regardless of the influence of heat in the firing step or the like. be able to.

また、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、前記(メタ)アクリル酸メチルとともに、炭素原子数2〜12のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルを組み合わせ使用することが、後述する、金属微粒子(c2)の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒が、水、水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒、水を含まない有機溶媒のいずれであっても、「抜け」や、ムラを生じることがなく、優れた塗布性を確保する観点から好ましい。   Moreover, as said (meth) acrylic-acid alkylester, using together (meth) acrylic-acid alkylester which has a C2-C12 alkyl group with the said (meth) acrylic acid methyl ester, it mentions later. In the dispersion liquid (C) of the metal fine particles (c2), the solvent in which the metal fine particles (c2) are dispersed may be any of water, a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent, and an organic solvent not containing water. From the viewpoint of ensuring excellent coating properties without causing “missing” or unevenness.

前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素原子数3〜8のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステルを使用することが、得られる導電性材料における導電部分の細線性を向上する上でより好ましい。更に前記炭素原子数3〜8のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、後述する金属微粒子(c2)の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒によらず優れた塗布性を確保する観点から、(メタ)アクリル酸n−ブチルを使用することが特に好ましい。   As the (meth) acrylic acid alkyl ester, it is more preferable to use an acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 3 to 8 carbon atoms in order to improve the fineness of the conductive portion in the obtained conductive material. . Further, the (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 3 to 8 carbon atoms may be used regardless of the solvent in which the metal fine particles (c2) are dispersed in the dispersion (C) of the metal fine particles (c2) described later. From the viewpoint of ensuring excellent coating properties, it is particularly preferable to use n-butyl (meth) acrylate.

前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、前記ビニル単量体混合物の全量に対して30質量%〜95質量%の範囲で使用することが好ましい。特に(メタ)アクリル酸メチルは、前記ビニル単量体混合物の全量に対して0.01質量%〜80質量%の範囲で使用することが好ましく、0.1質量%〜80質量%の範囲で使用することがより好ましい。   The (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably used in the range of 30% by mass to 95% by mass with respect to the total amount of the vinyl monomer mixture. In particular, methyl (meth) acrylate is preferably used in the range of 0.01% by mass to 80% by mass with respect to the total amount of the vinyl monomer mixture, and in the range of 0.1% by mass to 80% by mass. More preferably it is used.

一方、炭素原子数2〜12のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、前記ビニル単量体混合物の全量に対して5質量%〜60質量%の範囲で使用することが、後述する金属微粒子の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒によらず、優れた塗布性を確保する観点から好ましい。   On the other hand, the (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 2 to 12 carbon atoms is used in a range of 5% by mass to 60% by mass with respect to the total amount of the vinyl monomer mixture, which will be described later. In the dispersion liquid (C) of the metal fine particles, it is preferable from the viewpoint of ensuring excellent coating properties regardless of the solvent in which the metal fine particles (c2) are dispersed.

また、前記ビニル樹脂(x)の製造に使用可能なその他のビニル単量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニルブチラート、バーサチック酸ビニル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アミルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、(メタ)アクリロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ビニルアニソール、α−ハロスチレン、ビニルナフタリン、ジビニルスチレン、イソプレン、クロロプレン、ブタジエン、エチレン、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、N−ビニルピロリドンや、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、グリセロールモノ(メタ)アクリレートまたはそれらの塩等を使用することができる。   Other vinyl monomers that can be used for the production of the vinyl resin (x) include vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl versatate, methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, butyl vinyl ether, Amyl vinyl ether, hexyl vinyl ether, (meth) acrylonitrile, styrene, α-methyl styrene, vinyl toluene, vinyl anisole, α-halostyrene, vinyl naphthalene, divinyl styrene, isoprene, chloroprene, butadiene, ethylene, tetrafluoroethylene, vinylidene fluoride, N-vinyl pyrrolidone, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, glycerol mono (meth) acrylate, or a salt thereof can be used.

また、前記その他のビニル単量体としては、前記ビニル樹脂(x)に、メチロールアミド基及びアルコキシメチルアミド基からなる群より選ばれる1種以上のアミド基や、前記以外のアミド基、水酸基、グリシジル基、アミノ基、シリル基、アジリジニル基、イソシアネート基、オキサゾリン基、シクロペンテニル基、アリル基、カルボニル基、アセトアセチル基等の架橋性官能基を導入する観点から、架橋性官能基を有するビニル単量体を使用することができる。   In addition, as the other vinyl monomer, the vinyl resin (x) includes at least one amide group selected from the group consisting of a methylolamide group and an alkoxymethylamide group, an amide group other than the above, a hydroxyl group, Vinyl having a crosslinkable functional group from the viewpoint of introducing a crosslinkable functional group such as glycidyl group, amino group, silyl group, aziridinyl group, isocyanate group, oxazoline group, cyclopentenyl group, allyl group, carbonyl group, acetoacetyl group, etc. Monomers can be used.

前記架橋性官能基を有するビニル単量体に使用可能なメチロールアミド基及びアルコキシメチルアミド基からなる群より選ばれる1種以上のアミド基を有するビニル単量体としては、例えばN−メチロール(メタ)アクリルアミド、N−メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−メトキシエトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−エトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−プロポキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−イソプロポキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−n−ブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−イソブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−ペントキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−エトキシメチル−N−メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N,N’−ジメチロール(メタ)アクリルアミド、N−エトキシメチル−N−プロポキシメチル(メタ)アクリルアミド、N,N’−ジプロポキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブトキシメチル−N−プロポキシメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブトキシメチル−N−メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N,N’−ジペントキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−メトキシメチル−N−ペントキシメチル(メタ)アクリルアミド等を使用することができる。   Examples of vinyl monomers having one or more amide groups selected from the group consisting of a methylolamide group and an alkoxymethylamide group that can be used for the vinyl monomer having a crosslinkable functional group include N-methylol (meta ) Acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-methoxyethoxymethyl (meth) acrylamide, N-ethoxymethyl (meth) acrylamide, N-propoxymethyl (meth) acrylamide, N-isopropoxymethyl (meth) acrylamide, Nn-butoxymethyl (meth) acrylamide, N-isobutoxymethyl (meth) acrylamide, N-pentoxymethyl (meth) acrylamide, N-ethoxymethyl-N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N, N′- Dimethylol (meta) aqua Luamide, N-ethoxymethyl-N-propoxymethyl (meth) acrylamide, N, N′-dipropoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl-N-propoxymethyl (meth) acrylamide, N, N-dibutoxymethyl (Meth) acrylamide, N-butoxymethyl-N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N, N′-dipentoxymethyl (meth) acrylamide, N-methoxymethyl-N-pentoxymethyl (meth) acrylamide, etc. are used can do.

なかでも、N−n−ブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−イソブトキシメチル(メタ)アクリルアミドを使用することが、得られる導電性材料において、導電部分の細線性及び耐久性に優れた導電性パターン等を得るうえで好ましい。   Among these, using Nn-butoxymethyl (meth) acrylamide and N-isobutoxymethyl (meth) acrylamide makes it possible to obtain a conductive pattern excellent in fineness and durability of the conductive portion in the obtained conductive material. It is preferable when obtaining etc.

前記架橋性官能基を有するビニル単量体としては、前記したもの以外にも、例えば(メタ)アクリルアミド等のアミド基を有するビニル単量体、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル、(メタ)アクリル酸グリセロール、(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコール、N−ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミド、N−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリルアミド、N−ヒドロキシブチルアクリルアミド等の水酸基を有するビニル単量体:(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸アリルグリシジルエーテル等のグリシジル基を有する重合性単量体;(メタ)アクリル酸アミノエチル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸N−モノアルキルアミノアルキル、(メタ)アクリル酸N,N−ジアルキルアミノアルキル等のアミノ基を有する重合性単量体;ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−(メタ)アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−(メタ)アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリイソプロポキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン及びその塩酸塩等のシリル基を有する重合性単量体;(メタ)アクリル酸2−アジリジニルエチル等のアジリジニル基を有する重合性単量体;(メタ)アクリロイルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネートエチルのフェノール或いはメチルエチルケトオキシム付加物等のイソシアネート基及び/またはブロック化イソシアネート基を有する重合性単量体;2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、2−ビニル−2−オキサゾリン等のオキサゾリン基を有する重合性単量体;(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニル等のシクロペンテニル基を有する重合性単量体;(メタ)アクリル酸アリル等のアリル基を有する重合性単量体;アクロレイン、ジアセトン(メタ)アクリルアミド等のカルボニル基を有する重合性単量体等を使用することができる。   Examples of the vinyl monomer having a crosslinkable functional group include those other than those described above, for example, a vinyl monomer having an amide group such as (meth) acrylamide, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate , Vinyl monomers having a hydroxyl group such as glycerol (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, N-hydroxyethyl (meth) acrylamide, N-hydroxypropyl (meth) acrylamide, N-hydroxybutylacrylamide: (Meth) glycidyl acrylate, (meth) acrylic Polymerizable monomers having a glycidyl group such as allyl glycidyl ether; aminoethyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, N-monoalkylaminoalkyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid N , N-dialkylaminoalkyl and other polymerizable monomers having an amino group; vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, γ- (meth) acryloxypropyltri Methoxysilane, γ- (meth) acryloxypropyltriethoxysilane, γ- (meth) acryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ- (meth) acryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ- (meth) acryloxypropyltriisosilane Propoxysilane, N-β- Polymerizable monomer having a silyl group such as (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane and its hydrochloride; polymerization having an aziridinyl group such as 2-aziridinylethyl (meth) acrylate Polymerizable monomers; polymerizable monomers having an isocyanate group and / or a blocked isocyanate group such as (meth) acryloyl isocyanate, phenol of (meth) acryloyl isocyanate ethyl or methyl ethyl ketoxime adduct; 2-isopropenyl-2- Polymerizable monomers having an oxazoline group such as oxazoline and 2-vinyl-2-oxazoline; polymerizable monomers having a cyclopentenyl group such as (meth) acrylate dicyclopentenyl; and allyl (meth) acrylate Polymerizable monomer having an allyl group; acrolein, dia Ton (meth) polymerizable monomers having a carbonyl group such as acrylamide may be used.

前記架橋性官能基を有するビニル単量体としては、前記したとおり、加熱等によって自己架橋反応しうるN−ブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−イソブトキシメチル(メタ)アクリルアミドを単独、または、それらと前記(メタ)アクリルアミドや、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル等の水酸基を有するビニル単量体とを組み合わせて使用することが好ましい。   As described above, as the vinyl monomer having a crosslinkable functional group, N-butoxymethyl (meth) acrylamide and N-isobutoxymethyl (meth) acrylamide capable of undergoing a self-crosslinking reaction by heating or the like are used alone or in combination. And a vinyl monomer having a hydroxyl group such as (meth) acrylamide and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is preferably used in combination.

また、後述する架橋剤(w)を使用する場合には、架橋剤(w)との架橋点となりうる官能基、例えば水酸基やカルボキシル基を導入するうえで、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチルを使用することがより好ましい。前記水酸基を有するビニル単量体を使用することは、後述する架橋剤としてイソシアネート架橋剤を使用する場合に好ましい。   Moreover, when using the crosslinking agent (w) mentioned later, when introducing the functional group which can become a crosslinking point with a crosslinking agent (w), for example, a hydroxyl group or a carboxyl group, (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl It is more preferable to use 2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate. The use of the vinyl monomer having a hydroxyl group is preferable when an isocyanate crosslinking agent is used as a crosslinking agent described later.

前記架橋性官能基を有するビニル単量体は、前記ビニル単量体混合物の全量に対して0質量%〜50質量%の範囲で使用することができる。なお、前記架橋剤(w)が自己架橋反応する場合には、前記架橋性官能基を有するビニル単量体を使用しなくてもよい。   The vinyl monomer having a crosslinkable functional group can be used in the range of 0% by mass to 50% by mass with respect to the total amount of the vinyl monomer mixture. In addition, when the said crosslinking agent (w) carries out a self-crosslinking reaction, it is not necessary to use the vinyl monomer which has the said crosslinkable functional group.

前記架橋性官能基を有するビニル単量体のうち、前記アミド基を有するビニル単量体は、自己架橋反応性のメチロールアミド基等を導入するうえで、ビニル単量体混合物の全量に対して0.1質量%〜50質量%の範囲で使用することが好ましく、1質量%〜30質量%の範囲で使用することがより好ましい。また、前記自己架橋反応性のメチロールアミド基と組み合わせて使用するその他のアミド基を有するビニル単量体や、水酸基を有するビニル単量体は、前記ビニル樹脂(x)の製造に使用するビニル単量体の全量に対して0.1質量%〜30質量%の範囲で使用することが好ましく、1質量%〜20質量%の範囲で使用することがより好ましい。   Among the vinyl monomers having the crosslinkable functional group, the vinyl monomer having the amide group is based on the total amount of the vinyl monomer mixture when introducing a self-crosslinking reactive methylolamide group or the like. It is preferably used in the range of 0.1% by mass to 50% by mass, and more preferably in the range of 1% by mass to 30% by mass. In addition, other vinyl monomers having an amide group used in combination with the self-crosslinking reactive methylolamide group, and vinyl monomers having a hydroxyl group are vinyl units used for the production of the vinyl resin (x). It is preferable to use in the range of 0.1% by mass to 30% by mass and more preferable to use in the range of 1% by mass to 20% by mass with respect to the total amount of the monomer.

また、前記架橋性官能基を有するビニル単量体のうち、前記水酸基を有するビニル単量体は、組み合わせ使用する架橋剤(w)の種類等にもよるが、前記ビニル単量体混合物の全量に対して概ね0.05質量%〜50質量%の範囲で使用することが好ましく、0.05質量%〜30質量%の範囲で使用することが好ましく、0.1質量%〜10質量%で使用することがより好ましい。   Of the vinyl monomers having a crosslinkable functional group, the vinyl monomer having a hydroxyl group depends on the type of the crosslinking agent (w) used in combination, but the total amount of the vinyl monomer mixture. In general, it is preferably used in the range of 0.05% by mass to 50% by mass, preferably in the range of 0.05% by mass to 30% by mass, and 0.1% by mass to 10% by mass. More preferably it is used.

次に、前記ビニル樹脂(x)の製造方法について説明する。
前記ビニル単量体(x)は、前記したビニル単量体混合物を従来から知られている方法で重合することによって製造することができるが、にじみがなく細線性に優れた導電性パターン等を形成可能な樹脂層を形成するうえで、乳化重合法で製造することが好ましい。
Next, a method for producing the vinyl resin (x) will be described.
The vinyl monomer (x) can be produced by polymerizing the above-mentioned vinyl monomer mixture by a conventionally known method. However, the vinyl monomer (x) has a conductive pattern having excellent fineness without blurring. When forming the resin layer which can be formed, it is preferable to manufacture by an emulsion polymerization method.

前記乳化重合法としては、例えば水と、ビニル単量体混合物と、重合開始剤と、必要に応じて連鎖移動剤や乳化剤や分散安定剤等とを、反応容器中に一括供給、混合して重合する方法や、ビニル単量体混合物を反応容器中に滴下し重合するモノマー滴下法や、ビニル単量体混合物と乳化剤等と水とを予め混合したものを、反応容器中に滴下し重合するプレエマルジョン法等を適用することができる。   As the emulsion polymerization method, for example, water, a vinyl monomer mixture, a polymerization initiator, and, if necessary, a chain transfer agent, an emulsifier, a dispersion stabilizer, and the like are collectively supplied and mixed in a reaction vessel. A polymerization method, a monomer dropping method in which a vinyl monomer mixture is dropped into a reaction vessel and polymerization, or a vinyl monomer mixture, an emulsifier, etc. and water mixed in advance are dropped into the reaction vessel for polymerization. A pre-emulsion method or the like can be applied.

前記乳化重合法の反応温度は、使用するビニル単量体や重合開始剤の種類によって異なるが、例えば30℃〜90℃程度、反応時間は例えば1時間〜l0時間程度であることが好ましい。   Although the reaction temperature of the emulsion polymerization method varies depending on the type of vinyl monomer and polymerization initiator used, it is preferably about 30 ° C. to 90 ° C. and the reaction time is preferably about 1 hour to 10 hours, for example.

前記重合開始剤としては、例えば、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩類、過酸化ベンゾイル、クメンハイドロパーオキサイド、t−ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物類、過酸化水素等があり、これら過酸化物のみを用いてラジカル重合するか、或いは前記過酸化物と、アスコルビン酸、ホルムアルデヒドスルホキシラートの金属塩、チオ硫酸ナトリウム、重亜硫酸ナトリウム、塩化第二鉄等のような還元剤とを併用したレドックス重合開始剤系によっても重合でき、また、4,4’−アゾビス(4−シアノ吉草酸)、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩等のアゾ系開始剤を使用することも可能であり、これらの1種または2種以上の混合物が使用できる。   Examples of the polymerization initiator include persulfates such as potassium persulfate, sodium persulfate, and ammonium persulfate, organic peroxides such as benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, and t-butyl hydroperoxide, and peroxides. There is hydrogen, etc., and radical polymerization is performed using only these peroxides, or the above-mentioned peroxides and metal salts of ascorbic acid, formaldehyde sulfoxylate, sodium thiosulfate, sodium bisulfite, ferric chloride, etc. Polymerization can also be achieved by a redox polymerization initiator system combined with such a reducing agent, and 4,4′-azobis (4-cyanovaleric acid), 2,2′-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride, etc. These azo initiators can also be used, and one or a mixture of two or more thereof can be used.

前記ビニル樹脂(x)の製造に使用可能な乳化剤としては、陰イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性イオン性界面活性剤等が挙げられ、なかでも陰イオン性界面活性剤を使用することが好ましい。   Examples of emulsifiers that can be used for the production of the vinyl resin (x) include anionic surfactants, nonionic surfactants, cationic surfactants, and zwitterionic surfactants. It is preferable to use an anionic surfactant.

前記陰イオン性界面活性剤としては、例えば、高級アルコールの硫酸エステル及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルジフェニルエーテルスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルの硫酸ハーフエステル塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩、コハク酸ジアルキルエステルスルホン酸塩、等が挙げられ、非イオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンジフェニルエーテル、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロック共重合体、アセチレンジオール系界面活性剤等を使用することができる。   Examples of the anionic surfactant include sulfates of higher alcohols and salts thereof, alkylbenzene sulfonates, polyoxyethylene alkylphenyl sulfonates, polyoxyethylene alkyl diphenyl ether sulfonates, and polyoxyethylene alkyl ethers. Examples include non-ionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, and polyoxyethylene alkyl phenyl ether. Ethylene diphenyl ether, polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymer, acetylenic diol surfactant and the like can be used.

また、前記陽イオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルアンモニウム塩等を使用することができる。   Moreover, as said cationic surfactant, alkyl ammonium salt etc. can be used, for example.

また、両性イオン性界面活性剤としては、例えば、アルキル(アミド)ベタイン、アルキルジメチルアミンオキシド等を使用することができる。   In addition, as the zwitterionic surfactant, for example, alkyl (amido) betaine, alkyldimethylamine oxide and the like can be used.

前記乳化剤としては、上記の界面活性剤の他に、フッ素系界面活性剤やシリコーン系界面活性剤や、一般的に「反応性乳化剤」と称される重合性不飽和基を分子内に有する乳化剤を使用することもできる。   As the emulsifier, in addition to the above-mentioned surfactants, fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and emulsifiers having a polymerizable unsaturated group generally called “reactive emulsifier” in the molecule Can also be used.

前記反応性乳化剤としては、例えば、スルホン酸基及びその塩を有する「ラテムルS−180」(花王株式会社製)、「エレミノールJS−2」、「エレミノールRS−30」(三洋化成工業株式会社製)等;硫酸基及びその塩を有する「アクアロンHS−10」、「アクアロンHS−20」、「アクアロンKH−1025」(第一工業製薬株式会社製)、「アデカリアソープSE−10」、「アデカリアソープSE−20」(株式会社ADEKA製)等;リン酸基を有する「ニューフロンティアA−229E」(第一工業製薬株式会社製)等;非イオン性親水基を有する「アクアロンRN−10」、「アクアロンRN−20」、「アクアロンRN−30」、「アクアロンRN−50」(第一工業製薬株式会社製)等を使用することができる。   Examples of the reactive emulsifier include “Latemul S-180” (manufactured by Kao Corporation), “Eleminol JS-2”, and “Eleminol RS-30” (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.) having a sulfonic acid group and a salt thereof. ) Etc .; "AQUALON HS-10", "AQUALON HS-20", "AQUALON KH-1025" (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), "Adekaria soap SE-10", " "Adekaria soap SE-20" (manufactured by ADEKA Co., Ltd.) and the like; "New Frontier A-229E" (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) and the like having a phosphate group; "Aqualon RN-10 having a nonionic hydrophilic group" "AQUALON RN-20", "AQUALON RN-30", "AQUALON RN-50" (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) can be used.

また、前記ビニル樹脂(x)の製造に使用する水性媒体としては、水性媒体(y)として例示するものと同様のものを使用することができる。   Moreover, as an aqueous medium used for manufacture of the said vinyl resin (x), the thing similar to what is illustrated as an aqueous medium (y) can be used.

また、前記ビニル樹脂(x)の製造に使用可能な連鎖移動剤としては、ラウリルメルカプタン等を使用することができる。前記連鎖移動剤は、後述する金属微粒子(c2)の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒によらず、優れた塗布性を確保する観点から、前記ビニル単量体混合物の全量に対して0質量%〜0.15質量%の範囲で使用することが好ましく、0質量%〜0.08質量%の範囲であることがより好ましい。   Moreover, lauryl mercaptan etc. can be used as a chain transfer agent which can be used for manufacture of the said vinyl resin (x). The chain transfer agent is the vinyl monomer mixture from the viewpoint of ensuring excellent coating properties in the dispersion liquid (C) of the metal fine particles (c2) described later, regardless of the solvent in which the metal fine particles (c2) are dispersed. It is preferable to use in the range of 0% by mass to 0.15% by mass, and more preferably in the range of 0% by mass to 0.08% by mass with respect to the total amount.

前記方法で得られたビニル樹脂(x)は、本発明の樹脂層形成用組成物(b)の全量に対して、10質量%〜60質量%の範囲で含まれることが好ましい。   It is preferable that vinyl resin (x) obtained by the said method is contained in 10 mass%-60 mass% with respect to the whole quantity of the composition (b) for resin layer formation of this invention.

次に、前記樹脂層形成用組成物(b)の製造に使用する水性媒体(y)について説明する。   Next, the aqueous medium (y) used for production of the resin layer forming composition (b) will be described.

前記水性媒体(y)は、前記ビニル樹脂(x)の分散に使用するものであって、水のみを使用してもよいし、或いは、水と水溶性溶剤の混合溶液を使用してもよい。水溶性溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、n−及びイソプロパノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のポリアルキレングリコール類;ポリアルキレングリコールのアルキルエーテル類;N−メチル-2-ピロリドン等のラクタム類、等が挙げられる。本発明では、水のみを用いても良く、また水及び水と混和する水溶性溶剤との混合物を用いても良く、水と混和する水溶性溶剤のみを用いても良い。安全性や環境に対する負荷の点から、水のみ、又は、水及び水と混和する水溶性溶剤との混合物が好ましく、水のみが特に好ましい。   The aqueous medium (y) is used for dispersion of the vinyl resin (x), and only water may be used, or a mixed solution of water and a water-soluble solvent may be used. . Examples of the water-soluble solvent include alcohols such as methanol, ethanol, n- and isopropanol; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; polyalkylene glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol and propylene glycol; alkyl ethers of polyalkylene glycol And lactams such as N-methyl-2-pyrrolidone, and the like. In the present invention, only water may be used, or a mixture of water and a water-soluble solvent miscible with water may be used, or only a water-soluble solvent miscible with water may be used. From the viewpoint of safety and load on the environment, water alone or a mixture of water and a water-soluble solvent miscible with water is preferable, and only water is particularly preferable.

前記水性媒体(y)は、本発明の樹脂層形成用組成物(b)の全量に対して、40質量%〜90質量%の範囲で含まれることが好ましく、65質量%〜85質量%含まれることがより好ましい。   The aqueous medium (y) is preferably contained in the range of 40% by mass to 90% by mass, and 65% by mass to 85% by mass with respect to the total amount of the resin layer forming composition (b) of the present invention. More preferably.

本発明の樹脂層形成用組成物(b)は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて各種添加剤を使用することができ、例えば水溶性樹脂(z1)や充填剤(z2)等の、従来の樹脂層形成用組成物で使用されているものを適宜使用することができる。但し、前記水溶性樹脂(z1)及び充填材(z2)からなる群より選ばれる1種以上の成分(z)は、前記ビニル樹脂(x)の全量に対して0質量%〜15質量%の範囲内であることが、後述する金属微粒子(c2)の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒によらず、優れた塗布性を確保するうえで必須である。   In the composition for forming a resin layer (b) of the present invention, various additives can be used as necessary within a range not impairing the effects of the present invention. For example, a water-soluble resin (z1) or a filler (z2) can be used. And the like used in conventional resin layer forming compositions, such as However, 1 or more types of components (z) chosen from the group which consists of the said water-soluble resin (z1) and a filler (z2) are 0 mass%-15 mass% with respect to the whole quantity of the said vinyl resin (x). It is indispensable to ensure excellent coating properties regardless of the solvent in which the metal fine particles (c2) are dispersed in the dispersion (C) of the metal fine particles (c2) described later.

水溶性樹脂に代表されるポリビニルアルコールやポリビニルピロリドン等は、もっぱら水系塗布液に対する塗工性を付与することを目的として使用されている。しかし、前記水系塗布液向けの樹脂層は、溶剤系塗布液への適応性が十分でなく、「抜け」やムラを引き起こして塗布性に問題を生じるのが一般的である。   Polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone and the like typified by water-soluble resins are used exclusively for the purpose of imparting coating properties to aqueous coating solutions. However, the resin layer for the aqueous coating solution is not sufficiently adaptable to the solvent-based coating solution, and generally causes problems such as “missing” and unevenness in coating properties.

本発明の樹脂層形成用組成物(b)は、前記ポリビニルアルコール等の水溶性樹脂を使用しない、または最小限の使用量であっても、驚くべきことに水系塗布液及び溶剤系塗布液のいずれにも適用可能で、後述する、金属微粒子(c2)の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒が、水、水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒、水を含まない有機溶媒のいずれを用いた場合であっても優れた塗布性を示す樹脂層を形成することができる。   The resin layer forming composition (b) of the present invention surprisingly does not use a water-soluble resin such as the polyvinyl alcohol, or surprisingly, even if it is the minimum amount of use, an aqueous coating solution and a solvent-based coating solution. In any of the dispersion liquids (C) of metal fine particles (c2), which will be described later, a solvent for dispersing the metal fine particles (c2) is water, a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent, water. Even when any organic solvent not included is used, a resin layer exhibiting excellent coating properties can be formed.

後述する、金属微粒子(c2)の分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒が、水、水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒、水を含まない有機溶媒のいずれであっても、「抜け」や、ムラを生じることがなく、優れた塗布性を確保することが可能な樹脂層を形成する観点から、前記水溶性樹脂(z1)の含有量は、前記ビニル樹脂(x)の全量に対して0質量%〜15質量%であることが好ましく、0質量%〜10質量%であることがより好ましく、0質量%〜5質量%であることがさらに好ましく、0質量%〜0.5質量%であることが特に好ましい。   In the dispersion liquid (C) of the metal fine particles (c2) described later, the solvent in which the metal fine particles (c2) are dispersed is water, a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent, or an organic solvent not containing water. Even in such a case, from the viewpoint of forming a resin layer capable of ensuring excellent coating properties without causing “missing” or unevenness, the content of the water-soluble resin (z1) It is preferably 0% by mass to 15% by mass, more preferably 0% by mass to 10% by mass, further preferably 0% by mass to 5% by mass with respect to the total amount of (x). It is especially preferable that it is mass%-0.5 mass%.

また、前記充填材(z2)に代表されるシリカやアルミナ、澱粉や等の成分は、通常、マイクロポーラスタイプの樹脂層を形成する際に多量に用いられる。また、膨潤タイプの樹脂層を形成する際にも樹脂層に耐ブロッキング性を付与する目的で少量使用される場合がある。   In addition, components such as silica, alumina, starch, and the like typified by the filler (z2) are usually used in large amounts when forming a microporous resin layer. Further, when a swelling type resin layer is formed, it may be used in a small amount for the purpose of imparting blocking resistance to the resin layer.

また、前記樹脂層(B)中に充填剤(z2)が存在することに起因して、樹脂層(B)の絶縁性基材(A)に対する密着性が低下し、更に樹脂層(B)の透明性や柔軟性も劣る傾向にあるため、例えばフィルムなどのフレキシブル基材への展開ができない場合がある。   Further, due to the presence of the filler (z2) in the resin layer (B), the adhesiveness of the resin layer (B) to the insulating substrate (A) is lowered, and the resin layer (B) Since the transparency and flexibility tend to be inferior, for example, there are cases where development on a flexible substrate such as a film cannot be performed.

本発明の樹脂層形成用組成物(b)は、前記シリカ等の充填材(z2)を使用しないかまたは最小限の使用量であっても、驚くべきことに、水、水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒、水を含まない有機溶媒のいずれを溶媒に用いた金属微粒子の分散液の場合にも、「抜け」や、ムラを生じることがなく、優れた塗布性を確保することが可能な樹脂層を形成することができる。   Even if the resin layer forming composition (b) of the present invention does not use the filler (z2) such as silica or has a minimum amount, it is surprising that In the case of a dispersion of fine metal particles using a mixed solvent with an organic solvent or an organic solvent that does not contain water as a solvent, it ensures excellent coating properties without causing “missing” or unevenness. Can be formed.

金属微粒子(c2)の分散溶媒に依存せず、優れた塗布性を確保することが可能な樹脂層を形成する観点から、前記充填材(z2)の含有量は、前記ビニル樹脂(b1)の全量に対して0質量%〜15質量%であることが好ましく、0質量%〜10質量%であることが好ましく、0質量%〜0.5質量%であることが特に好ましい。特にフィルムなどのフレキシブル基板への密着性の低下を防止する観点から、前記充填材等の使用量が前記範囲内であることが好ましい。   From the viewpoint of forming a resin layer that can ensure excellent coatability without depending on the dispersion solvent of the metal fine particles (c2), the content of the filler (z2) is the content of the vinyl resin (b1). It is preferably 0% by mass to 15% by mass with respect to the total amount, preferably 0% by mass to 10% by mass, and particularly preferably 0% by mass to 0.5% by mass. In particular, from the viewpoint of preventing a decrease in adhesion to a flexible substrate such as a film, the amount of the filler used is preferably within the above range.

また、本発明で用いる樹脂層形成用組成物(b)は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて架橋剤(w)をはじめ、pH調整剤、被膜形成助剤、レベリング剤、増粘剤、撥水剤、消泡剤等公知のものを適宜添加して使用してもよい。   Moreover, the composition (b) for resin layer formation used by this invention is a range which does not impair the effect of this invention, A crosslinking agent (w), a pH adjuster, a film formation adjuvant, a leveling agent as needed. Well-known ones such as thickeners, water repellents and antifoaming agents may be added as appropriate.

前記架橋剤(w)としては、例えば金属キレート化合物、ポリアミン化合物、アジリジン化合物、金属塩化合物、イソシアネート化合物等の、概ね25℃〜100℃未満の比較的低温で反応し架橋構造を形成しうる熱架橋剤(w−1)や、メラミン系化合物、エポキシ系化合物、オキサゾリン化合物、カルボジイミド化合物、及び、ブロックイソシアネート化合物からなる群より選ばれる1種以上等の概ね100℃以上の比較的高温で反応し架橋構造を形成しうる熱架橋剤(w−2)や、各種光架橋剤を使用することができる。   Examples of the crosslinking agent (w) include heat that can form a crosslinked structure by reacting at a relatively low temperature of approximately 25 ° C. to less than 100 ° C., such as a metal chelate compound, a polyamine compound, an aziridine compound, a metal salt compound, and an isocyanate compound. It reacts at a relatively high temperature of about 100 ° C. or higher, such as one or more selected from the group consisting of a crosslinking agent (w-1), a melamine compound, an epoxy compound, an oxazoline compound, a carbodiimide compound, and a blocked isocyanate compound. A thermal crosslinking agent (w-2) capable of forming a crosslinked structure and various photocrosslinking agents can be used.

前記熱架橋剤(w−1)を含む樹脂層形成用組成物(b)であれば、例えばそれを前記絶縁性基材(A)表面に塗布し、100℃未満の温度に加温して架橋構造を形成することで、高温高湿度環境下で使用した場合であっても、経時的な樹脂層(B)の溶解や白化、前記絶縁性基材(A)からの剥離等を引き起こさないレベルの耐湿熱性や、長期にわたる熱や外力の影響によらず、後の工程で樹脂層(B)上に形成される非導電性層(D)及び導電層(E)の欠落を防止可能な耐久性に優れた導電材料を形成することができる。   If it is the resin layer forming composition (b) containing the thermal crosslinking agent (w-1), for example, it is applied to the surface of the insulating substrate (A) and heated to a temperature of less than 100 ° C. By forming a cross-linked structure, even when used in a high-temperature and high-humidity environment, it does not cause dissolution or whitening of the resin layer (B) over time, peeling from the insulating substrate (A), or the like. Regardless of the level of moisture and heat resistance and the influence of heat and external force over a long period, it is possible to prevent the loss of the non-conductive layer (D) and the conductive layer (E) formed on the resin layer (B) in a later step. A conductive material having excellent durability can be formed.

また、前記熱架橋剤(w−1)を含む樹脂層形成用組成物(b)を前記絶縁性基材(A)表面に塗布し、比較的低温で乾燥し、次いで、金属微粒子(c2)の分散液(C)を塗布した後に、100℃未満の温度に加温し架橋構造を形成することで、高温高湿度環境下で使用した場合であっても、経時的な樹脂層(B)の溶解や白化、前記絶縁性基材(A)からの剥離等を引き起こさないレベルの耐湿熱性や、長期にわたる熱や外力の影響によらず、樹脂層(B)上に形成された非導電性層(D)や、後工程で形成される導電層(E)が欠落しない、耐久性に優れた導電性材料を形成することができる。   Further, the resin layer forming composition (b) containing the thermal crosslinking agent (w-1) is applied to the surface of the insulating substrate (A), dried at a relatively low temperature, and then the metal fine particles (c2). After applying the dispersion liquid (C), it is heated to a temperature of less than 100 ° C. to form a crosslinked structure, so that even when used in a high temperature and high humidity environment, the resin layer (B) over time Non-conductivity formed on the resin layer (B) regardless of the heat and moisture resistance at a level that does not cause dissolution, whitening, peeling from the insulating substrate (A), and the influence of heat and external force over a long period of time It is possible to form a conductive material excellent in durability, in which the layer (D) and the conductive layer (E) formed in a subsequent process are not lost.

一方、前記熱架橋剤(w−2)を含む樹脂層形成用組成物(b)であれば、例えばそれを絶縁性基材(A)表面に塗布し、常温(25℃)〜概ね100℃未満の低温で乾燥することで、架橋構造を形成していない樹脂層付基材を製造し、次いで、金属微粒子(c2)の分散液(C)を塗布した後に、例えば100℃以上、好ましくは120℃以上の温度で加熱し架橋構造を形成することで、高温高湿度環境下で使用した場合であっても、経時的な樹脂層(B)の溶解や白化、前記絶縁性基材(A)からの剥離等を引き起こさないレベルの耐湿熱性や、長期間にわたる熱や外力等の影響によらず、後の工程で樹脂層(B)上に形成される非導電性層(D)及び導電層(E)の剥離等を引き起こさないレベルの耐久性に優れた導電性材料を得ることができる。   On the other hand, if it is the composition (b) for resin layer formation containing the said thermal crosslinking agent (w-2), it will apply | coat, for example to the surface of an insulating base material (A), and will be normal temperature (25 degreeC)-about 100 degreeC By drying at a low temperature of less than, a substrate with a resin layer that does not form a crosslinked structure is produced, and then after applying a dispersion (C) of metal fine particles (c2), for example, 100 ° C. or higher, preferably Even when used in a high-temperature and high-humidity environment by heating at a temperature of 120 ° C. or higher, a resin layer (B) is dissolved or whitened over time, and the insulating base material (A ) Non-conductive layer (D) and conductive layer formed on the resin layer (B) in a later step, regardless of the heat and moisture resistance at a level that does not cause peeling from the resin layer (B) and the influence of heat and external force over a long period of time. It is possible to obtain a conductive material with excellent durability that does not cause peeling of the layer (E). Can.

前記熱架橋剤(w−1)に使用可能な金属キレート化合物としては、例えばアルミニウム、鉄、銅、亜鉛、スズ、チタン、ニッケル、アンチモン、マグネシウム、バナジウム、クロム、ジルコニウム等の多価金属のアセチルアセトン配位化合物、アセト酢酸エステル配位化合物等を使用することができ、アルミニウムのアセチルアセトン配位化合物であるアセチルアセトンアルミニウムを使用することが好ましい。   Examples of the metal chelate compound that can be used for the thermal crosslinking agent (w-1) include acetylacetone of polyvalent metals such as aluminum, iron, copper, zinc, tin, titanium, nickel, antimony, magnesium, vanadium, chromium, and zirconium. Coordination compounds, acetoacetate coordination compounds and the like can be used, and it is preferable to use acetylacetone aluminum which is an acetylacetone coordination compound of aluminum.

また、前記熱架橋剤(w−1)に使用可能なポリアミン化合物としては、例えばトリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ジメチルエタノールアミン等の3級アミンを使用することもできる。   Moreover, as a polyamine compound which can be used for the said thermal crosslinking agent (w-1), tertiary amines, such as a triethylamine, a triethylenediamine, a dimethylethanolamine, can also be used, for example.

また、前記熱架橋剤(w−1)に使用可能なアジリジン化合物としては、例えば2,2−ビスヒドロキシメチルブタノール−トリス[3−(1−アジリジニル)プロピオネート]、1,6−ヘキサメチレンジエチレンウレア、ジフェニルメタン−ビス−4,4’−N,N’−ジエチレンウレア等を使用することができる。   Examples of the aziridine compound that can be used for the thermal crosslinking agent (w-1) include 2,2-bishydroxymethylbutanol-tris [3- (1-aziridinyl) propionate], 1,6-hexamethylenediethylene urea. Diphenylmethane-bis-4,4′-N, N′-diethyleneurea and the like can be used.

また、前記架橋剤(w−1)として使用可能な金属塩化合物としては、例えば硫酸アルミニウム、アルミニウムミョウバン、亜硫酸アルミニウム、チオ硫酸アルミニウム、ポリ塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム九水和物、塩化アルミニウム六水和物等のアルミニウム含有化合物、四塩化チタン、テトライソプロピルチタネート、チタンアセチルアセトネート、乳酸チタン等の水溶性金属塩を使用することができる。   Examples of the metal salt compound that can be used as the crosslinking agent (w-1) include aluminum sulfate, aluminum alum, aluminum sulfite, aluminum thiosulfate, polyaluminum chloride, aluminum nitrate nonahydrate, and aluminum chloride hexahydrate. Water-soluble metal salts such as aluminum-containing compounds such as titanium tetrachloride, tetraisopropyl titanate, titanium acetylacetonate, and titanium lactate can be used.

前記熱架橋剤(w−1)に使用可能なイソシアネート化合物としては、例えばトリレンジイソシアネート、水素化トリレンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、メチレンビス(4−フェニルメタン)トリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート等のポリイソシアネートや、それらを用いて得られるイソシアヌレート型ポリイソシアネート化合物や、それらとトリメチロールプロパン等とからなるアダクト体、前記ポリイソシアネート化合物とトリメチロールプロパンなどのポリオールとを反応させて得られるポリイソシアネート基含有ウレタン等を使用することができる。なかでもヘキサメチレンジイソシアネートのヌレート体、ヘキサメチレンジイソシアネートとトリメチロールプロパン等とのアダクト体、トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパン等とのアダクト体、キシリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパン等とのアダクト体を使用することが好ましい。   Examples of isocyanate compounds that can be used in the thermal crosslinking agent (w-1) include tolylene diisocyanate, hydrogenated tolylene diisocyanate, triphenylmethane triisocyanate, methylenebis (4-phenylmethane) triisocyanate, isophorone diisocyanate, hexamethylene. A polyisocyanate such as diisocyanate and xylylene diisocyanate, an isocyanurate type polyisocyanate compound obtained by using them, an adduct comprising them and trimethylolpropane, the polyisocyanate compound and a polyol such as trimethylolpropane. Polyisocyanate group-containing urethane obtained by reacting can be used. Among them, hexamethylene diisocyanate nurate, adduct of hexamethylene diisocyanate and trimethylolpropane, adduct of tolylene diisocyanate and trimethylolpropane, adduct of xylylene diisocyanate and trimethylolpropane, etc. are used. It is preferable.

また、前記熱架橋剤(w−2)に使用可能なメラミン化合物としては、例えばヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサプロポキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン、ヘキサペンチルオキシメチルメラミン、ヘキサヘキレルオキシメチルメラミンあるいはこれらの2種を組み合わせた混合エーテル化メラミン等を使用することができる。なかでも、トリメトキシメチルメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミンを使用することが好ましい。市販品としては、ベッカミン M−3、APM、J−101(DIC(株)製)等を使用することができる。前記メラミン化合物は、自己架橋反応することによって架橋構造を形成することができる。   Examples of the melamine compound that can be used in the thermal crosslinking agent (w-2) include hexamethoxymethyl melamine, hexaethoxymethyl melamine, hexapropoxymethyl melamine, hexabutoxymethyl melamine, hexapentyloxymethyl melamine, and hexahexyl. Oxymethyl melamine or a mixed etherified melamine obtained by combining these two types can be used. Of these, trimethoxymethyl melamine and hexamethoxymethyl melamine are preferably used. As a commercial item, becamine M-3, APM, J-101 (made by DIC Corporation), etc. can be used. The melamine compound can form a crosslinked structure by a self-crosslinking reaction.

前記メラミン化合物を使用する場合には、その自己架橋反応を促進するうえで、有機アミン塩等の触媒を使用してもよい。市販品としては、キャタリスト ACX、376等を使用することができる。前記触媒は、前記メラミン化合物の全量に対して概ね0.01質量%〜10質量%の範囲であることが好ましい。   When the melamine compound is used, a catalyst such as an organic amine salt may be used to promote the self-crosslinking reaction. As a commercial item, catalyst ACX, 376 etc. can be used. The catalyst is preferably in the range of approximately 0.01% by mass to 10% by mass with respect to the total amount of the melamine compound.

また、前記熱架橋剤(w−2)に使用可能なエポキシ化合物としては、例えばエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサメチレングリコールジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル等の脂肪族多価アルコールのポリグリシジルエーテル類;ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコールジグリシジルエーテル等のポリアルキレングリコールのポリグリシジルエーテル類;1,3−ビス(N,N’−ジグリシジルアミノエチル)シクロヘキサン等のポリグリシジルアミン類;多価カルボン酸[蓚酸、アジピン酸、ブタントリカルボン酸、マレイン酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、ベンゼントリカルボン酸等]のポリグリシジルエステル類;;ビスフェノールAとエピクロルヒドリンの縮合物、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンの縮合物のエチレンオキシド付加物等のビスフェノールA系エポキシ樹脂;フェノールノボラック樹脂、;側鎖にエポキシ基を有する各種ビニル系(共)重合体等を使用することができる。なかでも1,3−ビス(N,N’−ジグリシジルアミノエチル)シクロヘキサン等のポリグリシジルアミン類、グリセリンジグリシジルエーテル等の脂肪族多価アルコールのポリグリシジルエーテル類、を使用することが好ましい。   Examples of the epoxy compound that can be used for the thermal crosslinking agent (w-2) include ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, hexamethylene glycol diglycidyl ether, cyclohexanediol diglycidyl ether, and glycerin diglycidyl ether. , Polyglycidyl ethers of aliphatic polyhydric alcohols such as glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether; polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, polytetramethylene glycol diglycidyl ether Polyglycidyl ethers of polyalkylene glycols such as 1,3-bis (N, N ′ Polyglycidylamines such as diglycidylaminoethyl) cyclohexane; polyglycidyl esters of polycarboxylic acids [succinic acid, adipic acid, butanetricarboxylic acid, maleic acid, phthalic acid, terephthalic acid, isophthalic acid, benzenetricarboxylic acid, etc.]; Bisphenol A epoxy resins such as condensates of bisphenol A and epichlorohydrin, ethylene oxide adducts of condensates of bisphenol A and epichlorohydrin, phenol novolac resins, various vinyl (co) polymers having an epoxy group in the side chain, etc. Can be used. Among these, it is preferable to use polyglycidylamines such as 1,3-bis (N, N′-diglycidylaminoethyl) cyclohexane and polyglycidyl ethers of aliphatic polyhydric alcohols such as glycerin diglycidyl ether.

また、前記エポキシ化合物としては、前記したものの他に例えばγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルメチルジエトキシシランもしくはγ−グリシドキシプロピルトリイソプロぺニルオキシシラン等のグリシジル基含有シラン化合物を使用することもできる。   Examples of the epoxy compound include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, and γ-glycidoxypropyl other than those described above. Methyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethylmethyldiethoxysilane Alternatively, a glycidyl group-containing silane compound such as γ-glycidoxypropyltriisopropenyloxysilane can also be used.

また、前記熱架橋剤(w−2)に使用可能なオキサゾリン化合物としては、例えば2,2’−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−メチレン−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−エチレン−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−トリメチレン−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−テトラメチレン−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−ヘキサメチレン−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−オクタメチレン−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−エチレン−ビス−(4,4’−ジメチル−2−オキサゾリン)、2,2’−p−フェニレン−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−m−フェニレン−ビス−(2−オキサゾリン)、2,2’−m−フェニレン−ビス−(4,4’−ジメチル−2−オキサゾリン)、ビス−(2−オキサゾリニルシクロヘキサン)スルフィド、ビス−(2−オキサゾリニルノルボルナン)スルフィド等を使用することができる。   Examples of the oxazoline compound that can be used for the thermal crosslinking agent (w-2) include 2,2′-bis- (2-oxazoline), 2,2′-methylene-bis- (2-oxazoline), 2 , 2'-ethylene-bis- (2-oxazoline), 2,2'-trimethylene-bis- (2-oxazoline), 2,2'-tetramethylene-bis- (2-oxazoline), 2,2'- Hexamethylene-bis- (2-oxazoline), 2,2′-octamethylene-bis- (2-oxazoline), 2,2′-ethylene-bis- (4,4′-dimethyl-2-oxazoline), 2 , 2'-p-phenylene-bis- (2-oxazoline), 2,2'-m-phenylene-bis- (2-oxazoline), 2,2'-m-phenylene-bis- (4,4'- Dimethyl-2-oxazoly ), Bis - (2-oxazolinyl sulfonyl cyclohexane) sulfide, bis - (2-oxazolinyl sulfonyl norbornane) can be used sulfides.

また、前記オキサゾリン化合物としては、例えば下記付加重合性オキサゾリンと、必要に応じてその他の単量体とを組み合わせ重合して得られるオキサゾリン基含有重合体を使用することもできる。   In addition, as the oxazoline compound, for example, an oxazoline group-containing polymer obtained by combining and polymerizing the following addition polymerizable oxazoline and, if necessary, other monomers can also be used.

前記付加重合性オキサゾリンとしては、例えば、2−ビニル−2−オキサゾリン、2−ビニル−4−メチル−2−オキサゾリン、2−ビニル−5−メチル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−4−メチル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−5−メチル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−5−エチル−2−オキサゾリン等を単独または2種以上組み合わせ使用することができる。なかでも、2−イソプロペニル−2−オキサゾリンを使用することが、工業的に入手し易いため好ましい。   Examples of the addition polymerizable oxazoline include 2-vinyl-2-oxazoline, 2-vinyl-4-methyl-2-oxazoline, 2-vinyl-5-methyl-2-oxazoline, and 2-isopropenyl-2-oxazoline. , 2-isopropenyl-4-methyl-2-oxazoline, 2-isopropenyl-5-methyl-2-oxazoline, 2-isopropenyl-5-ethyl-2-oxazoline, etc., alone or in combination. Can do. Among them, it is preferable to use 2-isopropenyl-2-oxazoline because it is easily available industrially.

また、前記熱架橋剤(w−2)に使用可能なカルボジイミド化合物としては、例えばポリ[フェニレンビス(ジメチルメチレン)カルボジイミド]やポリ(メチル−1,3−フェニレンカルボジイミド)等を使用することができる。市販品では、「カルボジライトV−01」、「V−02」、「V−03」、「V−04」、「V−05」、「V−06」(日清紡(株)製)、UCARLINK XL−29SE、XL−29MP(ユニオンカーバイド(株)製)等を使用することができる。   Moreover, as a carbodiimide compound that can be used for the thermal crosslinking agent (w-2), for example, poly [phenylenebis (dimethylmethylene) carbodiimide], poly (methyl-1,3-phenylenecarbodiimide), or the like can be used. . Among the commercially available products, “Carbodilite V-01”, “V-02”, “V-03”, “V-04”, “V-05”, “V-06” (Nisshinbo Co., Ltd.), UCARLINK XL -29SE, XL-29MP (Union Carbide Co., Ltd.) etc. can be used.

また、前記熱架橋剤(w−2)に使用可能なブロックイソシアネート化合物としては、前記熱架橋剤(w−1)として例示したイソシアネート化合物の有するイソシアネート基の一部または全部が、ブロック化剤によって封止されたものを使用することができる。   Moreover, as a block isocyanate compound which can be used for the said thermal crosslinking agent (w-2), a part or all of the isocyanate group which the isocyanate compound illustrated as the said thermal crosslinking agent (w-1) has by a blocking agent is used. What was sealed can be used.

前記ブロック化剤としては、例えばフェノール、クレゾール、2−ヒドロキシピリジン、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、メタノール、エタノール、n−ブタノール、イソブタノール、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトン、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタン、アセトアニリド、酢酸アミド、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタム、コハク酸イミド、マレイン酸イミド、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、尿素、チオ尿素、エチレン尿素、ホルムアミドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトンオキシム、メチルエチルケトオキシム、メチルイソブチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム、ジフェニルアニリン、アニリン、カルバゾール、エチレンイミン、ポリエチレンイミン等を使用することができる。   Examples of the blocking agent include phenol, cresol, 2-hydroxypyridine, butyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, methanol, ethanol, n-butanol, isobutanol, dimethyl malonate, diethyl malonate, methyl acetoacetate, Ethyl acetoacetate, acetylacetone, butyl mercaptan, dodecyl mercaptan, acetanilide, acetic acid amide, ε-caprolactam, δ-valerolactam, γ-butyrolactam, succinimide, maleic imide, imidazole, 2-methylimidazole, urea, thiourea, Ethyleneurea, formamide oxime, acetaldoxime, acetone oxime, methyl ethyl ketoxime, methyl isobutyl ketoxime, cyclohexano Oxime, diphenyl aniline, can be used aniline, carbazole, ethyleneimine, polyethyleneimine and the like.

前記ブロックイソシアネート化合物としては、水分散型の市販品としてエラストロン BN−69(第一工業製薬(株)製)等を使用することができる。   As the blocked isocyanate compound, Elastolon BN-69 (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) or the like can be used as a water-dispersed commercial product.

前記架橋剤(w)を使用する場合、前記ビニル樹脂(x)として前記架橋剤(w)の有する架橋性官能基と反応しうる基を有するものを使用することが好ましい。具体的には、前記(ブロック)イソシアネート化合物やメラミン化合物、オキサゾリン化合物、カルボジイミド化合物を架橋剤(w)として使用するとともに、前記ビニル樹脂(x)として水酸基やカルボキシル基を有するビニル樹脂を使用することが好ましい。   When using the said crosslinking agent (w), it is preferable to use what has a group which can react with the crosslinkable functional group which the said crosslinking agent (w) has as said vinyl resin (x). Specifically, the (block) isocyanate compound, melamine compound, oxazoline compound, and carbodiimide compound are used as a crosslinking agent (w), and a vinyl resin having a hydroxyl group or a carboxyl group is used as the vinyl resin (x). Is preferred.

前記架橋剤(w)は、種類等によって異なるものの、通常、前記ビニル樹脂(x)に対して0.01質量%〜60質量%の範囲で使用することが好ましく、0.1質量%〜50質量%の範囲で使用することが、樹脂層(B)と絶縁性基材(A)の密着性を向上し、かつ、樹脂層(B)上での金属微粒子(c2)の分散液(C)の塗布性を確保する観点から好ましい。   Although the said crosslinking agent (w) changes with kinds etc., it is preferable to use normally in the range of 0.01 mass%-60 mass% with respect to the said vinyl resin (x), and 0.1 mass%-50 Using in the range of mass% improves the adhesion between the resin layer (B) and the insulating substrate (A), and the dispersion of the metal fine particles (c2) on the resin layer (B) (C ) Is preferable from the viewpoint of ensuring applicability.

特に、前記架橋剤(w)としてメラミン化合物は、自己縮合反応しうることから、ビニル樹脂(x)に対して0.1質量%〜30質量%の範囲で使用することが好ましく、0.1質量%〜10質量%の範囲で使用することが好ましく、0.5質量%〜5質量%の範囲で使用することがより好ましい。   In particular, since the melamine compound as the crosslinking agent (w) can undergo a self-condensation reaction, it is preferably used in the range of 0.1% by mass to 30% by mass with respect to the vinyl resin (x). It is preferably used in the range of 10% by mass to 10% by mass, and more preferably in the range of 0.5% by mass to 5% by mass.

また、前記架橋剤(w)は、本発明で用いる樹脂層形成用組成物(b)を絶縁性基材(A)表面に塗工又は含浸する前に、予め添加して使用することが好ましい。   The crosslinking agent (w) is preferably added and used before coating or impregnating the surface of the insulating base (A) with the resin layer forming composition (b) used in the present invention. .

また、本発明で用いる樹脂層形成用組成物(b)としては、前記した添加剤の他に、溶剤溶解性または溶剤分散性の熱硬化性樹脂、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂等を混和して使用することもできる。   Further, as the resin layer forming composition (b) used in the present invention, in addition to the above-mentioned additives, a solvent-soluble or solvent-dispersible thermosetting resin such as a phenol resin, a urea resin, a melamine resin, A polyester resin, a polyamide resin, a urethane resin, or the like can be mixed and used.

前記樹脂層形成用組成物(b)を用いて形成可能な樹脂層(B)は、ビニル樹脂(x)が、後述する、金属微粒子(c2)の分散液(C)を構成する溶媒によって適度に溶解され、前記溶媒を吸収することで、前記金属微粒子(c2)の分散液(C)中に含まれる金属微粒子(c2)を樹脂層(B)表面に効率よく定着することが可能な膨潤タイプであるため、「抜け」やムラのない非導電性層(D)を得ることが可能なものである。また、本発明で用いる樹脂層形成用組成物(b)は、従来知られる多孔質タイプの塗工用インク受容層と比較して透明な樹脂層(B)を形成することが可能である。   The resin layer (B) that can be formed using the resin layer-forming composition (b) has an appropriate amount of vinyl resin (x) depending on the solvent constituting the dispersion liquid (C) of the metal fine particles (c2) described later. The metal fine particles (c2) contained in the dispersion (C) of the metal fine particles (c2) can be efficiently fixed to the surface of the resin layer (B) by being dissolved in the solvent and absorbing the solvent. Since it is a type, it is possible to obtain a non-conductive layer (D) without “missing” or unevenness. Further, the resin layer forming composition (b) used in the present invention can form a transparent resin layer (B) as compared with a conventionally known porous type ink receiving layer for coating.

前記絶縁性基材(A)表面に、前記樹脂層形成用組成物(b)を塗布する方法としては、樹脂層(B)が適正に形成される限り、特に制限はなく、必要に応じて、種々の印刷・塗工手法を、用いる絶縁性基材(A)の形状、サイズ、剛柔の度合いなどによって適宜選択すれば良く、具体的には、グラビア法、オフセット法、凸版法、凸版反転法、スクリーン法、マイクロコンタクト法、リバース法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレイコーター法、インクジェット法、ダイ法、スピンコーター法、バーコーター法、ディップコート法等が挙げられる。
また、フィルム、シート又は板状の前記絶縁性基材(A)の両面に、前記樹脂層形成用組成物(b)を塗布する方法としては、樹脂層(B)が両面に適正に形成される限り、特に制限は無く、前記の種々の印刷・塗工手法を適宜選択すれば良く、両面を同時に形成しても良いし、片面を塗工した後、もう一面の塗工を行っても良い。
フィルム、シート又は板状の前記絶縁性基材(A)が表裏を接続する貫通孔を有する場合、貫通孔の内壁面に前記樹脂層(B)を形成する方法としては、特に制限はなく、前記の種々の印刷・塗工手法を用いて、前記樹脂層形成用組成物(b)を塗布すれば、貫通孔の内壁面に前記樹脂層形成用組成物(b)が浸透することによって、前記樹脂層(B)を好適に形成することができる。
The method for applying the resin layer forming composition (b) to the surface of the insulating substrate (A) is not particularly limited as long as the resin layer (B) is properly formed, and as necessary. Various printing / coating methods may be appropriately selected depending on the shape, size, degree of flexibility, etc. of the insulating base material (A) to be used. Specifically, gravure method, offset method, letterpress method, letterpress Inversion method, screen method, micro contact method, reverse method, air doctor coater method, blade coater method, air knife coater method, squeeze coater method, impregnation coater method, transfer roll coater method, kiss coater method, cast coater method, spray coater method, Examples include an inkjet method, a die method, a spin coater method, a bar coater method, and a dip coat method.
In addition, as a method of applying the resin layer forming composition (b) on both surfaces of the film, sheet or plate-like insulating substrate (A), the resin layer (B) is appropriately formed on both surfaces. As long as there is no particular limitation, the above-described various printing / coating methods may be selected as appropriate, and both sides may be formed simultaneously, or one side may be coated and the other side coated. good.
When the insulating base material (A) in the form of a film, sheet or plate has a through hole connecting the front and back, the method for forming the resin layer (B) on the inner wall surface of the through hole is not particularly limited, If the resin layer forming composition (b) is applied using the various printing / coating techniques, the resin layer forming composition (b) penetrates into the inner wall surface of the through hole. The resin layer (B) can be suitably formed.

また、本発明において、樹脂層(B)は、絶縁性基材全面に形成されても良いし、適宜、目的に応じてパターン状に形成されていても良い。このようなパターン状の樹脂層(B)を得る方法としては、前記の種々の塗布方式のいずれかを用いて、基材上に直接パターン状の樹脂層(B)を形成すれば良い。この様に、パターン状の樹脂層(B)を形成しておくと、後述する金属微粒子の分散液(C)を塗布した際、絶縁積基材(A)と樹脂層(B)の濡れ性の違いによって、樹脂層(B)上のみに金属微粒子からなる非導電性層(D)を形成することも可能である。   Moreover, in this invention, the resin layer (B) may be formed in the whole surface of an insulating base material, and may be formed in pattern shape according to the objective suitably. As a method for obtaining such a patterned resin layer (B), the patterned resin layer (B) may be formed directly on the substrate using any of the various coating methods described above. In this way, when the patterned resin layer (B) is formed, the wettability of the insulating product substrate (A) and the resin layer (B) when the metal fine particle dispersion (C) described later is applied. It is also possible to form the nonconductive layer (D) made of metal fine particles only on the resin layer (B).

また、樹脂層形成用組成物(b)を塗布した後、塗布膜を乾燥する方法は、特に限定されるものではないが、前記絶縁性基材(A)が、枚葉のフィルム、シート、板の場合には、塗工場所での自然乾燥の他、送風、定温乾燥器などの乾燥器内で行うことができる。また、前記絶縁性基材(A)がロールシートの場合には、前記印刷・塗布工程に続けて、設置された非加熱または加熱空間内でロールシートを連続的に移動させることにより、乾燥を行うことができる。   In addition, the method of drying the coating film after applying the resin layer forming composition (b) is not particularly limited, but the insulating substrate (A) is a sheet film, sheet, In the case of a plate, in addition to natural drying at a coating place, it can be carried out in a dryer such as an air blower or a constant temperature dryer. Further, when the insulating substrate (A) is a roll sheet, the roll sheet is continuously moved in an installed non-heated or heated space following the printing / coating step, thereby drying. It can be carried out.

乾燥温度としては、樹脂層形成用組成物(b)を構成する前記水性媒体(y)を揮発させることが可能で、かつ支持体に悪影響を与えない範囲の温度に設定すればよい。具体的には、前記熱架橋剤(w−1)を使用する場合には、概ね25℃〜100℃未満の温度で乾燥することが好ましく、熱架橋剤(w−2)を使用する場合には、概ね100℃以上、好ましくは120℃〜300℃程度の温度であることが好ましい。一方、前記熱架橋剤(w−2)を使用し、かつ、後述する金属微粒子(c2)の分散液(C)を塗布した後に架橋構造を形成しようとする場合には、常温(25℃)〜100℃程度の比較的低温で乾燥し、分散液(C)を塗布前においては架橋構造を形成しないよう調整することが好ましい。   What is necessary is just to set as drying temperature as the temperature of the range which can volatilize the said aqueous medium (y) which comprises the composition (b) for resin layer formation, and does not have a bad influence on a support body. Specifically, when using the said thermal crosslinking agent (w-1), it is preferable to dry at the temperature of about 25 to 100 degreeC in general, and when using a thermal crosslinking agent (w-2). Is approximately 100 ° C or higher, preferably about 120 ° C to 300 ° C. On the other hand, when using the thermal crosslinking agent (w-2) and applying a dispersion (C) of metal fine particles (c2) to be described later to form a crosslinked structure, normal temperature (25 ° C.) It is preferable to dry at a relatively low temperature of about 100 ° C. and adjust the dispersion (C) so as not to form a crosslinked structure before coating.

前記絶縁性基材(A)表面に形成される樹脂層(B)の層厚としては、基材の種類、厚さによって調整すれば良く、後述する金属微粒子(c2)の分散体(C)中に含まれる溶媒量を勘案し、また、前記絶縁性基材(A)の各種特性を維持する観点から、乾燥後の膜厚が5μm以下であることが望ましく、より好ましくは2μm以下にすることが好ましい。さらに、前記絶縁性基材(A)が50μm以下の厚さのフィルム状基材の場合には、1μm以下であることが好ましく、より好ましくは、500nm以下にすることが好ましい。特に、高速、高周波対応の導電性材料の製造に用いる場合には、100nm以下の厚さにすることが好ましい。   The layer thickness of the resin layer (B) formed on the surface of the insulating substrate (A) may be adjusted depending on the type and thickness of the substrate, and a dispersion (C) of metal fine particles (c2) described later. In consideration of the amount of solvent contained therein, and from the viewpoint of maintaining various properties of the insulating base (A), the film thickness after drying is desirably 5 μm or less, more preferably 2 μm or less. It is preferable. Furthermore, when the insulating substrate (A) is a film substrate having a thickness of 50 μm or less, it is preferably 1 μm or less, more preferably 500 nm or less. In particular, when used for the production of a high-speed, high-frequency conductive material, the thickness is preferably 100 nm or less.

<金属微粒子(c2)の分散液(C)>
本発明における非導電性層(D)を形成するために塗布される分散液(C)に含有される金属微粒子(c2)は、前記絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上で、無電解めっき用の触媒として機能するものであり、金、銀、銅、白金の粒子、および、これらの金属の合金、コア−シェル型粒子、例えば、金−銀コアシェル、金−銅コアシェル、銀−銅コアシェル粒子や、これらの金属粒子の異方性複合粒子などである。本発明においては、前記金属微粒子(c2)は一種のみを用いても良いし、複数種を混合したものを用いても良い。工業的入手のし易さ、コストの観点から、金属種としては銀、および銅の粒子を用いることが好ましい。また、金属微粒子(c2)の表面に酸化被膜や硫化被膜が存在しても、無電解めっき触媒として機能する程度であれば差し支えない。
<Dispersion liquid (C) of metal fine particles (c2)>
The metal fine particles (c2) contained in the dispersion (C) applied to form the nonconductive layer (D) in the present invention are resin layers (C) formed on the insulating base (A). B) above, which functions as a catalyst for electroless plating, and particles of gold, silver, copper, platinum, and alloys of these metals, core-shell type particles such as gold-silver core shell, gold -Copper core shell, silver-copper core shell particles, anisotropic composite particles of these metal particles, and the like. In the present invention, only one kind of the metal fine particles (c2) may be used, or a mixture of a plurality of kinds may be used. From the viewpoint of industrial availability and cost, it is preferable to use silver and copper particles as the metal species. Moreover, even if an oxide film or a sulfide film exists on the surface of the metal fine particles (c2), it does not matter as long as it functions as an electroless plating catalyst.

前記金属微粒子(c2)の形状としては、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上に塗布可能で、安定な分散液(C)が得られる限り、特に制限は無く、球状、レンズ状、多面体状、平板状、ロッド状、ワイヤー状など、種々の形状の金属微粒子を単独で、もしくは複数種が混合したものを、目的に応じて適宜選択して用いることができる。   The shape of the metal fine particles (c2) is not particularly limited as long as it can be applied on the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A) and a stable dispersion (C) is obtained. , Spherical, lens-shaped, polyhedral, flat-plate, rod-shaped, wire-shaped or the like, various kinds of fine metal particles alone or a mixture of plural kinds can be appropriately selected and used depending on the purpose. .

前記、金属微粒子(c2)の大きさは、電子顕微鏡による粒子形状の観察を行い、観察形状が円や多面体状である場合には、その直径が1〜200nmであることが好ましく、分散液(C)中での金属微粒子の分散性、安定性の観点から、2〜100nmのものを用いるのが、より好ましい。さらに、無電解めっきで、より緻密で均一な導電層(E)を効率よく形成できる観点から5〜50nmの金属微粒子であることが特に好ましい。   The size of the metal fine particles (c2) is observed by observing the particle shape with an electron microscope. When the observed shape is a circle or a polyhedron, the diameter is preferably 1 to 200 nm. From the viewpoint of dispersibility and stability of the metal fine particles in C), it is more preferable to use those having a thickness of 2 to 100 nm. Furthermore, it is especially preferable that it is a metal fine particle of 5-50 nm from a viewpoint which can form a denser and more uniform conductive layer (E) efficiently by electroless plating.

金属微粒子(c2)の電子顕微鏡における観察像がレンズ状、ロッド状、ワイヤー状など、短軸、長軸に対して対称な形状を有する場合には、その短径が1〜200nm、より好ましくは、2〜100nm、さらに好ましくは5〜50nmであることが好ましい。分散液(C)中に分散される金属微粒子(c2)の粒径分布は、単分散で揃っていても良く、また、前記の好ましい粒径範囲の粒径を有する粒子の混合物であっても良い。   When the observation image of the metal fine particles (c2) in the electron microscope has a shape symmetric with respect to the minor axis and the major axis, such as a lens shape, a rod shape, or a wire shape, the minor axis is 1 to 200 nm, more preferably 2-100 nm, more preferably 5-50 nm. The particle size distribution of the metal fine particles (c2) dispersed in the dispersion liquid (C) may be monodispersed or may be a mixture of particles having a particle size in the above preferred particle size range. good.

本発明に用いる分散液(C)は、前記金属微粒子(c2)が各種の分散媒中に分散されてなるものであり、前記金属微粒子(c2)が、分散媒中で凝集、融合、沈殿することなく、長期間の分散安定性を保つことが必要であるため、金属微粒子(c2)の表面は、有機化合物の保護剤によって保護されている。また、前記金属微粒子(c2)は、その分散液(C)を、前記絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上に塗布することにより、非導電性層(D)を形成し、これが無電解めっき用触媒として機能するが、めっき処理は、液中で行われるため、めっき処理液中で該非導電性層(D)が剥離しないことが必要であり、前記、金属微粒子(c2)の保護剤が、前記絶縁性基材(A)に形成された樹脂層(B)と非導電性層(D)の密着性を高める機能を有していることが好ましい。   The dispersion liquid (C) used in the present invention is obtained by dispersing the metal fine particles (c2) in various dispersion media, and the metal fine particles (c2) aggregate, fuse and precipitate in the dispersion medium. Therefore, since it is necessary to maintain long-term dispersion stability, the surface of the metal fine particles (c2) is protected by an organic compound protective agent. Moreover, the said metal microparticle (c2) apply | coats the dispersion liquid (C) on the resin layer (B) formed on the said insulating base material (A), and becomes a nonelectroconductive layer (D). This functions as a catalyst for electroless plating, but since the plating process is performed in a liquid, it is necessary that the non-conductive layer (D) does not peel in the plating process liquid. It is preferable that the protective agent for the fine particles (c2) has a function of improving the adhesion between the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A) and the non-conductive layer (D).

このような観点から、本発明では、金属微粒子(c2)を保護する化合物(c1)として、窒素原子、硫黄原子、リン原子又は酸素原子を有する化合物(c1)を用いることを必須とし、分散させる金属微粒子、用いる分散溶媒の種類、及び金属微粒子を塗布する樹脂層(B)など、金属微粒子(c2)の分散液(C)の使用目的に応じて適宜選択することができる。これらの特定の原子は、単独で化合物(c1)に含まれていてもよいが、前述の機能を効率よく発現できる観点からは、異なる原子を1分子中に2種以上有していることが好ましい。   From such a viewpoint, in the present invention, it is essential to use and disperse the compound (c1) having a nitrogen atom, sulfur atom, phosphorus atom or oxygen atom as the compound (c1) for protecting the metal fine particles (c2). It can select suitably according to the intended purpose of the dispersion liquid (C) of metal microparticles (c2), such as a metal microparticle, the kind of dispersion solvent to be used, and the resin layer (B) which apply | coats a metal microparticle. These specific atoms may be contained alone in the compound (c1), but from the viewpoint of efficiently expressing the above-mentioned functions, they may have two or more different atoms in one molecule. preferable.

保護剤として用いる化合物(c1)に、このような異種原子を含ませるためには、例えば、アミノ基(−NH)、カルボキシ基(−COOH)、ヒドロキシ基(−OH)、チオール基(−SH)、リン酸基(HPO−)、4級アンモニウム基(−NRR’R”4 )、4級ホスホニウム基、シアノ基(−CN)、エーテル基(−O−)、チオエーテル基(−S−)、ジスルフィド基(−S−S−)などの官能基として含ませることができる。これらの官能基は、一分子中に単独で、あるいは複数種を有していてもよく、また、保護剤としては単独の化合物(c1)を用いても、このような官能基を有する化合物(c1)の複数種を同時に用いてもよい。 In order to include such a hetero atom in the compound (c1) used as the protective agent, for example, an amino group (—NH 2 ), a carboxy group (—COOH), a hydroxy group (—OH), a thiol group (— SH), phosphate group (H 2 PO 4 −), quaternary ammonium group (—NRR′R ″ 4 + ), quaternary phosphonium group, cyano group (—CN), ether group (—O—), thioether group (-S-), a disulfide group (-S-S-), etc. These functional groups may be contained alone or in a plurality of types in one molecule. Moreover, even if it uses a single compound (c1) as a protective agent, you may use multiple types of the compound (c1) which has such a functional group simultaneously.

前記化合物(c1)として具体的には、低分子量の化合物として例えば、2−ジメチルアミノエタノール、2−ジエチルアミノエタノール、2−ジメチルアミノイソプロパノール、3−ジエチルアミノ−1−プロパノール、2−ジメチルアミノ−2−メチル−1−プロパノール、2−メチルアミノエタノール、4−ジメチルアミノ−1−ブタノール、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ステアリン酸、シュウ酸、酒石酸、フタル酸、メタクリル酸、クエン酸、アクリル酸、安息香酸、コール酸、エチレンジアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、トリメチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、トリオクチルアミン、ドデシルジメチルアミン、ブチルエタノールアミンアミン、チオコリンブロミド、アリルチオール、オクタンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、L−システイン、スルホコハク酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどを挙げることができる。   Specific examples of the compound (c1) include low-molecular weight compounds such as 2-dimethylaminoethanol, 2-diethylaminoethanol, 2-dimethylaminoisopropanol, 3-diethylamino-1-propanol, 2-dimethylamino-2- Methyl-1-propanol, 2-methylaminoethanol, 4-dimethylamino-1-butanol, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, undecanoic acid , Dodecanoic acid, tetradecanoic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, stearic acid, oxalic acid, tartaric acid, phthalic acid, methacrylic acid, citric acid, acrylic acid, benzoic acid, cholic acid, ethylenediamine, propylamine, butylamine, trimethylamine , Pentylami , Hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, undecylamine, dodecylamine, tridecylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, trioctylamine, dodecyldimethylamine, butylethanolamineamine, Examples include thiocholine bromide, allyl thiol, octane thiol, decane thiol, dodecane thiol, L-cysteine, sodium sulfosuccinate, sodium dodecylbenzene sulfonate, and the like.

また、高分子量の化合物としては例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体、ポリエチレンイミン、ポリプロピレンイミン、ポリピロール、ポリ(メタ)アクリレート、ポリスチレンなどの高分子単位を、分子中に一種、もしくは複数種有する高分子を好適に利用でき、これらの高分子単位を複数種有する場合には、それぞれの高分子単位が、直接、もしくは、アミド結合、エステル結合、エーテル基(−O−)やチオエーテル基(−S−)を介して結合されているものを用いることができる。さらに、これら高分子の末端の一部が、アミノ基(−NH)、カルボキシ基(−COOH)、カルボン酸エステル(−COOR:Rはメチル、エチル、プロピルから選ばれる)、ヒドロキシ基(−OH)、チオール基(−SH)などで置換されていても良く、高分子の末端に、−OP(O)(OH)で表されるリン酸エステル基や、−SR(Rは、炭素数1〜18のアルキル基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニル基、又は、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜18のアラルキルオキシ基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニルオキシ基、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる1つ以上の官能基を有する炭素数1〜8のアルキル基である。)で表される官能基を有するものを好適に用いることができる。これらの高分子は、単独、もしくは複数種を混合して同時に用いることができる。 In addition, examples of the high molecular weight compound include polymer units such as polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene glycol, polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, polyethyleneimine, polypropyleneimine, polypyrrole, poly (meth) acrylate, and polystyrene. A polymer having one kind or plural kinds in a molecule can be suitably used. When these kinds of polymer units are used, each polymer unit can be directly or amide bond, ester bond, ether group ( Those bonded through —O— or a thioether group (—S—) can be used. Furthermore, some of the terminals of these polymers are an amino group (—NH 2 ), a carboxy group (—COOH), a carboxylic acid ester (—COOR: R is selected from methyl, ethyl, propyl), a hydroxy group (— OH), a thiol group (—SH), or the like, and a phosphate group represented by —OP (O) (OH) 2 or —SR (R is carbon An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a phenyl group optionally having a substituent on the benzene ring, or a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms, an aralkyloxy group having 1 to 18 carbon atoms, and a benzene ring A phenyloxy group, a carboxy group, a carboxy group salt, a monovalent or polyvalent alkylcarbonyloxy group having 1 to 18 carbon atoms, and a monovalent or polyvalent group having 1 to 18 carbon atoms, which may have a substituent. Price Alkoxyalkyl is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms having one or more functional groups selected from the group consisting of a carbonyl group.) Can be suitably used those having a functional group represented by. These polymers can be used alone or as a mixture of two or more thereof.

これらの中でも、分散液(C)の分散安定性、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上での非導電性層(D)の製膜性、密着性の観点から、前記化合物(c1)の数平均分子量としては1,000〜50,000の範囲のものを用いることが好ましく、また、その構造としては、ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)、(メタ)アクリル系の重合体(P2)、さらにチオエーテル基(スルフィド結合)を含む特定構造の有機化合物(P3)を特に好適に用いることができる。   Among these, the dispersion stability of the dispersion liquid (C), the film forming property of the nonconductive layer (D) on the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A), and the viewpoint of adhesion From the above, the compound (c1) preferably has a number average molecular weight in the range of 1,000 to 50,000, and the structure thereof is a compound having a polyethyleneimine block and a polyethylene glycol block (P1). A (meth) acrylic polymer (P2) and an organic compound (P3) having a specific structure containing a thioether group (sulfide bond) can be particularly preferably used.

前記ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)は、例えば、市販されているポリエチレングリコールの末端水酸基を活性基に誘導し、これと市販のポリエチレンイミンとを化学結合させることにより得ることができ、数平均分子量が500〜50,000のポリエチレンイミン中のアミノ基に数平均分子量が500〜5,000のポリエチレングリコールが結合してなる化合物を、特に好適に用いることができる。本発明で用いる化合物(P1)は、ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックの特定構造を有するものであれば良く、さらにその他の構造が導入されたものであっても良い。   The compound (P1) having a polyethyleneimine block and a polyethyleneglycol block can be obtained by, for example, deriving a terminal hydroxyl group of a commercially available polyethylene glycol as an active group and chemically bonding this to a commercially available polyethyleneimine. A compound in which polyethylene glycol having a number average molecular weight of 500 to 5,000 is bonded to an amino group in polyethyleneimine having a number average molecular weight of 500 to 50,000 can be particularly preferably used. The compound (P1) used in the present invention only needs to have a specific structure of a polyethyleneimine block and a polyethylene glycol block, and may be one into which another structure is further introduced.

また、本発明に好適に用いることができる、前記(メタ)アクリル系重合体(P2)としては、ポリエチレングリコール鎖を有する(メタ)アクリレート系マクロモノマーと、−OP(O)(OH)で表されるリン酸エステル残基を有する(メタ)アクリレート系モノマーとを、−SR(Rは前記と同じ)で表される官能基を有する連鎖移動剤の存在下で重合させて得られる(メタ)アクリル系重合体を挙げることができる(例えば、特許第4697356号参照)。 The (meth) acrylic polymer (P2) that can be suitably used in the present invention includes a (meth) acrylate macromonomer having a polyethylene glycol chain, and -OP (O) (OH) 2 . (Meth) acrylate monomer having a phosphate ester residue represented by polymerization in the presence of a chain transfer agent having a functional group represented by -SR (R is the same as above) (meta) ) Acrylic polymers can be mentioned (for example, refer to Japanese Patent No. 4697356).

さらに本発明で好適に用いることができる、前記チオエーテル基(スルフィド結合)を含む特定構造の有機化合物(P3)としては、下記一般式(1)
X−(OCHCHR−O−CH−CH(OH)−CH−S−Z (1)
〔式(1)中、XはC〜Cのアルキル基であり、Rは水素原子又はメチル基であり、nは2〜100の繰り返し数を示す整数であって、Rは繰り返し単位ごとに独立し、同一であっても異なっていても良く、ZはC〜C12のアルキル基、アリル基、アリール基、アリールアルキル基、−R−OH、−R−NHR、又は−R−COR(但し、RはC〜Cのアルキレン鎖であり、Rは水素原子、C〜Cのアシル基、C〜Cのアルコキシカルボニル基、又は芳香環上にC〜Cのアルキル基又はC〜Cのアルコキシ基を置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基であり、Rはヒドロキシ基、C〜Cのアルキル基又はC〜Cのアルコキシ基である。)で表される基である。〕
で表されるチオエーテル含有有機化合物(P3)を好適に用いることができる(例えば、特許第4784847号参照)。
Further, the organic compound (P3) having a specific structure containing a thioether group (sulfide bond) that can be suitably used in the present invention includes the following general formula (1).
X- (OCH 2 CHR 1) n -O-CH 2 -CH (OH) -CH 2 -S-Z (1)
Wherein (1), X is an alkyl group of C 1 ~C 8, R 1 is a hydrogen atom or a methyl radical, n is an integer indicating the number of repetitions of 2 to 100, R 1 is repeated independently for each unit may be different even in the same, Z is an alkyl group of C 2 -C 12, an allyl group, an aryl group, an arylalkyl group, -R 2 -OH, -R 2 -NHR 3 , or -R 2 -COR 4 (where, R 2 is an alkylene chain of C 2 ~C 4, R 3 is a hydrogen atom, an acyl group of C 2 -C 4, alkoxycarbonyl group C 2 -C 4, Or a C 1 -C 4 alkyl group or a C 1 -C 8 alkoxy group which may have a substituent on the aromatic ring, and R 4 is a hydroxy group, C 1 -C 4 It is alkyl or alkoxy group C 1 -C 8 ) Is a group represented by. ]
A thioether-containing organic compound (P3) represented by the formula can be suitably used (see, for example, Japanese Patent No. 4784847).

本発明で用いられる前記化合物(c1)は、金属微粒子(c2)の製造時に添加されていても良いし、金属微粒子(c2)を製造した後に添加しても良い。また、分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる溶媒としては、金属微粒子(c2)を安定に分散させることが可能で、金属微粒子(c2)を分散させた状態で、前記絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)への濡れ性が良く、前記樹脂層(B)上に液膜を形成可能な溶媒であれば、特に制限はなく、種々の溶媒を用いることができ、水、水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒、水を含まない有機溶媒のいずれであっても良い。   The compound (c1) used in the present invention may be added during the production of the metal fine particles (c2), or may be added after the metal fine particles (c2) are produced. In the dispersion liquid (C), as the solvent for dispersing the metal fine particles (c2), the metal fine particles (c2) can be stably dispersed. In the state where the metal fine particles (c2) are dispersed, the insulation is performed. The solvent is not particularly limited as long as it has good wettability to the resin layer (B) formed on the conductive substrate (A) and can form a liquid film on the resin layer (B). Any of water, a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent, and an organic solvent not containing water may be used.

前記、水と混合可能な水溶性の溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、2−ブタノン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、ブチルジエチレングリコールアセタートなどの等のグリコールエーテル類をあげることができ、これらの溶媒を単独、もしくは複数を混合して用いることができる。   Examples of the water-soluble solvent that can be mixed with water include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, tert-butyl alcohol, acetone, -Ketones such as butanone, polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin and other esters, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate, butyl diethylene glycol acetate Glycol ethers such as, etc., and these solvents can be used alone or in combination. Kill.

また、分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる前記有機溶媒としては、前記の水と混合可能な水溶性の溶媒、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、2−ブタノン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、ブチルジエチレングリコールアセタートなどの等のグリコールエーテル類をあげることができ、これらの溶媒を単独、もしくは複数を混合したものを、水を混合せずに用いれば良い。この場合、吸湿などによって水を若干含有することがあるが、水との混合を企図したものでないので、本発明においては水を含まない有機溶媒として取り扱う。   In the dispersion (C), the organic solvent in which the metal fine particles (c2) are dispersed is a water-soluble solvent that can be mixed with the water, for example, methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol. , Alcohols such as n-butyl alcohol, isobutyl alcohol and tert-butyl alcohol, ketones such as acetone and 2-butanone, polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin and other esters, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene Glycol ethers such as glycol dimethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate, butyl diethylene glycol acetate, etc. You can gel alone these solvents, or a plurality of a mixture may be used without mixing with water. In this case, water may be contained a little due to moisture absorption or the like, but since it is not intended to be mixed with water, it is treated as an organic solvent not containing water in the present invention.

また、分散液(C)において、金属微粒子(c2)を分散させる前記有機溶媒としては、水と混合しない有機溶媒、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、トリメチルペンタン等の長鎖アルカンや、シクロヘキサン、シクロブタン、シクロオクタン等の環状アルカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、ドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、デカノール、シクロヘキサノール、テルピネオールなどのアルコールを挙げることができ、これらの溶媒を単独、もしくは複数を混合したものを用いても良い。   In the dispersion (C), the organic solvent in which the metal fine particles (c2) are dispersed is an organic solvent that is not mixed with water, for example, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, tridecane, tetradecane, Long-chain alkanes such as pentadecane, hexadecane, octadecane, nonadecane, eicosane, and trimethylpentane, cyclic alkanes such as cyclohexane, cyclobutane, and cyclooctane, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, trimethylbenzene, and dodecylbenzene, hexanol, Examples thereof include alcohols such as heptanol, octanol, decanol, cyclohexanol, and terpineol. These solvents may be used singly or as a mixture thereof.

本発明で用いる分散液(C)の製造法としては、特に制限はなく、種々の方法を用いて製造することが可能であり、例えば、低真空ガス中蒸発法などの気相法を用いて製造した金属微粒子を、溶媒中に分散させても良いし、液相で金属化合物を還元して直接金属微粒子の分散液を調製しても良い。気相、液相法とも、適宜、必要に応じて、溶媒交換や溶媒添加により、製造時の分散液と塗布時の分散液の溶剤組成を変更することが可能である。気相、液相法のうち、分散液の安定性や製造工程の簡便さから、液相法を特に好適に用いることができる。   There is no restriction | limiting in particular as a manufacturing method of the dispersion liquid (C) used by this invention, It can manufacture using various methods, For example, using vapor phase methods, such as the evaporation method in a low vacuum gas, The produced metal fine particles may be dispersed in a solvent, or the metal compound may be reduced in a liquid phase to directly prepare a dispersion of metal fine particles. In both the gas phase and the liquid phase method, it is possible to change the solvent composition of the dispersion at the time of production and the dispersion at the time of coating by exchanging the solvent or adding a solvent as necessary. Among the gas phase and liquid phase methods, the liquid phase method can be particularly suitably used because of the stability of the dispersion and the simplicity of the production process.

前記液相法での分散液(C)の製造法としては、液相中、前記化合物(c1)の存在下で金属化合物を還元する方法を好適に用いることができ、特開2008−037884号公報、特開2008−037949号公報、特開2008−03818号公報、特開2010−007124号公報に記載の方法を用いて製造することができる。例えば、前述のポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)を水性媒体に溶解又は分散させた後、ここに金属化合物を添加し、必要に応じて錯化剤を併用して均一な分散体とした後、或いは錯化剤と同時に、還元剤を混合することによって、還元された金属がナノ粒子(ナノメートルオーダーの大きさを有する微粒子)となると同時に前記化合物(P1)で保護された金属微粒子の水性分散体を得ることができる。   As a method for producing the dispersion liquid (C) by the liquid phase method, a method of reducing the metal compound in the presence of the compound (c1) in the liquid phase can be suitably used, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-037884. It can be produced by using the methods described in JP-A-2008-037949, JP-A-2008-03818, and JP-A-2010-007124. For example, after the compound (P1) having the polyethyleneimine block and the polyethylene glycol block is dissolved or dispersed in an aqueous medium, a metal compound is added to the compound, and a complexing agent is used in combination as necessary to achieve uniform dispersion. By mixing the reducing agent simultaneously with the complex or simultaneously with the complexing agent, the reduced metal becomes nanoparticles (fine particles having a size on the order of nanometers) and at the same time protected with the compound (P1). An aqueous dispersion of metal fine particles can be obtained.

また、本発明で用いる液相法での分散液(C)の製造法としては、例えば、特許4697356号公報に記載の方法、前記(メタ)アクリル系重合体(P2)保護剤の存在下で金属化合物を還元する方法を好適に用いることができる。   Moreover, as a manufacturing method of the dispersion liquid (C) by the liquid phase method used by this invention, for example, in the presence of the method described in patent 4697356, the said (meth) acrylic-type polymer (P2) protective agent. A method of reducing a metal compound can be suitably used.

また、本発明で用いる液相法での分散液(C)の製造法としては、前記チオエーテル基(スルフィド結合)を含む特定構造の有機化合物(P3)保護剤の存在下で金属化合物を還元する方法を好適に用いることができ、前記のチオエーテル含有有機化合物(P3)の存在下で、金属化合物を溶媒と混合する工程と、金属化合物を還元する工程を経て、金属微粒子の分散液(C)を得ることができる。   Moreover, as a manufacturing method of the dispersion liquid (C) by the liquid phase method used by this invention, a metal compound is reduce | restored in presence of the organic compound (P3) protective agent of the specific structure containing the said thioether group (sulfide bond). The method can be suitably used, and in the presence of the thioether-containing organic compound (P3), a metal fine particle dispersion (C) is obtained through a step of mixing a metal compound with a solvent and a step of reducing the metal compound. Can be obtained.

さらに、本発明で用いる金属微粒子(c2)の一形態は、銀コア−銅シェルのコア−シェル型粒子であるが、この金属微粒子の分散液(C)の製造法としては、銀のナノ粒子と、前記のチオエーテル含有有機化合物(P3)と、酸化銅(I)及び/又は酸化銅(II)と溶媒を混合する工程と、還元剤を用いて酸化銅を還元することで銀ナノ粒子の周りに銅のシェルを生成させる工程を経て、銀コア−銅シェルのコアシェル粒子の分散液(C)を得ることができる。本方法において用いる銀ナノ粒子は、市販の銀ナノ粒子を用いても良いし、前記の金属微粒子の分散液の製造方法を用いて得た銀ナノ粒子を用いても良い。   Further, one form of the metal fine particles (c2) used in the present invention is a core-shell type particle of silver core-copper shell. As a method for producing the dispersion liquid (C) of the metal fine particles, silver nanoparticles are used. And a step of mixing the thioether-containing organic compound (P3), copper oxide (I) and / or copper oxide (II) and a solvent, and reducing the copper oxide using a reducing agent to form silver nanoparticles. Through a step of generating a copper shell around the core, a dispersion (C) of core-shell particles of a silver core-copper shell can be obtained. As the silver nanoparticles used in this method, commercially available silver nanoparticles may be used, or silver nanoparticles obtained by using the above-described method for producing a dispersion of metal fine particles may be used.

本発明においては、これらの方法で得られた金属微粒子の水性分散体をそのまま、或いは、余剰の錯化剤、還元剤、又は原料として用いた銀化合物に含まれた対イオン等を限外ろ過法や沈殿法、遠心分離、減圧蒸留、減圧乾燥等の各種精製法を単独或いは2種以上を組み合わせて行う精製工程を経たものや、これを更に濃度(不揮発分)や分散媒を変更したものなどを用いても良い。   In the present invention, the aqueous dispersion of fine metal particles obtained by these methods is used as it is, or an excess complexing agent, a reducing agent, or a counter ion contained in a silver compound used as a raw material is subjected to ultrafiltration. That has undergone a purification process in which various purification methods such as a method, precipitation method, centrifugal separation, vacuum distillation, vacuum drying, etc. are carried out alone or in combination of two or more, and the concentration (nonvolatile content) and dispersion medium are further changed. Etc. may be used.

これら液相法での金属微粒子の分散液(C)の製造法に用いることができる金属化合物としては、前記の本発明で用いられる金属微粒子(c2)を形成する元素、即ち、金、銀、銅、白金の塩や酸化物を用いることが出来るが、溶解性の点から、酢酸塩、硝酸塩、硫酸塩、塩化物、アセチルアセトナート等が好例として挙げられる。中でも硝酸塩または酢酸塩が好ましい。ただし、不溶性の化合物であっても錯化剤としてアンモニア、アミン化合物、ヒドラジン類、ヒドロキシルアミン類のように金属イオンに配位して溶解性のある錯化合物を形成できる場合には、金属酸化物のような不溶性化合物も使用することができる。   Examples of the metal compound that can be used in the method for producing the dispersion (C) of the metal fine particles by the liquid phase method include the elements that form the metal fine particles (c2) used in the present invention, that is, gold, silver, Although copper and platinum salts and oxides can be used, acetate, nitrate, sulfate, chloride, acetylacetonate and the like are preferable examples from the viewpoint of solubility. Of these, nitrate or acetate is preferred. However, even if it is an insoluble compound, it can be used as a complexing agent such as ammonia, amine compounds, hydrazines, hydroxylamines, etc. Insoluble compounds such as can also be used.

例えば金属元素が金、白金族の場合は、テトラクロロ金酸、テトラクロロ白金酸等を用いることが出来る。また金属種が銅の場合は、Cu(OAc)、Cu(NO、CuCl、Cu(HCOO)、Cu(CHCOO)、Cu(CHCHCOO)、CuCO、CuSO、CCuOのほか、カルボン酸塩を加熱して得られる塩基性塩、例えばCu(OAc)・CuOも同様に用いることができる。金属種が銀の場合は、硝酸銀、酸化銀、酢酸銀、塩化銀、硫化銀などを用いることができるが、水溶液として取り扱う場合には硝酸銀が、その溶解度の点で好ましい。 For example, when the metal element is gold or a platinum group, tetrachloroauric acid, tetrachloroplatinic acid, or the like can be used. When the metal species is copper, Cu (OAc) 2 , Cu (NO 3 ) 2 , CuCl 2 , Cu (HCOO) 2 , Cu (CH 3 COO) 2 , Cu (CH 3 CH 2 COO) 2 , CuCO 3 , CuSO 4 , C 5 H 7 CuO 2 , and a basic salt obtained by heating a carboxylate, such as Cu (OAc) 2 .CuO, can be used in the same manner. When the metal species is silver, silver nitrate, silver oxide, silver acetate, silver chloride, silver sulfide and the like can be used. However, when handled as an aqueous solution, silver nitrate is preferable in terms of its solubility.

本発明で用いる分散液(C)中の金属微粒子(c2)の含有濃度としては、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上に、該分散液を塗布することによって、非導電性層(D)を形成することを必須とする観点より、当該分散液(C)中において、金属微粒子(c2)を0.5質量%以上で含有することが好ましい。即ち、希薄すぎると、前記樹脂層(B)上での金属微粒子(c2)の分布が疎になりすぎて膜にならず、非導電性層(D)を形成することが難しいことがある。一方、濃厚すぎると、非導電性層(D)上に塗布された金属微粒子(c2)の積層数が多くなりすぎて、焼成により導電性層となり、強い密着性を示すめっき膜の足場としての機能が充分発揮できないことが起こることがある。このような観点から、本発明で用いる分散液(C)中の金属微粒子(c2)の含有濃度としては、0.5質量%以上であることが好ましく、20質量%以下であることが好ましく、より好ましくは0.7〜15質量%、さらに、塗工製膜性の観点から1〜10質量%であることが好ましい。   The concentration of the metal fine particles (c2) in the dispersion (C) used in the present invention is such that the dispersion is applied onto the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A). From the viewpoint that it is essential to form the nonconductive layer (D), the dispersion (C) preferably contains the metal fine particles (c2) in an amount of 0.5% by mass or more. That is, if it is too dilute, the distribution of the metal fine particles (c2) on the resin layer (B) becomes too sparse to form a film, and it may be difficult to form the nonconductive layer (D). On the other hand, if it is too thick, the number of laminated metal fine particles (c2) applied on the non-conductive layer (D) becomes too large, and it becomes a conductive layer by firing and serves as a scaffold for a plating film exhibiting strong adhesion. It may happen that the function cannot be fully performed. From such a viewpoint, the concentration of the metal fine particles (c2) in the dispersion (C) used in the present invention is preferably 0.5% by mass or more, and preferably 20% by mass or less. More preferably, it is 0.7-15 mass%, Furthermore, it is preferable that it is 1-10 mass% from a viewpoint of coating film forming property.

本発明で用いる分散液(C)には、塗布製膜性改善を主な目的として、種々の表面張力調整剤、レベリング剤を必要に応じて添加して使用することができる。これら表面張力調整剤、レベリング剤の添加量は、分散液(C)に対し、有効成分で好ましくは2.0質量%以下、特に好ましくは有効成分で0.5質量%以下含有することができる。   In the dispersion (C) used in the present invention, various surface tension adjusting agents and leveling agents can be added and used as needed mainly for the purpose of improving the coating film forming property. The addition amount of these surface tension adjusting agent and leveling agent is preferably 2.0% by mass or less, and particularly preferably 0.5% by mass or less of the active component with respect to the dispersion (C). .

<分散液(C)の塗布>
本発明において、前記絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上に、前記分散液(C)を塗布する方法としては、非導電性層(D)が良好に形成される限り、特に制限は無く、種々の印刷・塗工手法を、用いる絶縁性基材(A)の形状、サイズ、剛柔の度合いなどによって適宜選択すれば良く、具体的には、グラビア法、オフセット法、凸版法、凸版反転法、スクリーン法、マイクロコンタクト法、リバース法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレイコーター法、インクジェット法、ダイ法、スピンコーター法、バーコーター法、ディップコート法等が挙げられる。
フィルム、シート又は板状の前記絶縁性基材(A)の両面に形成された樹脂層(B)上に、前記分散液(C)を塗布する方法としては、非導電性層(D)が良好に形成される限り、特に制限は無く、前記の種々の印刷・塗工手法を適宜選択すれば良く、両面を同時に形成しても良いし、片面を塗工した後、もう一面の塗工を行っても良い。
フィルム、シート又は板状の前記絶縁性基材(A)が表裏を接続する貫通孔を有する場合、前記樹脂層(B)が形成された貫通孔の内壁面上に非導電性層(D)を形成する方法としては、特に制限はなく、前記の種々の印刷・塗工手法を用いて、前記分散液(C)を塗布すれば、貫通孔に前記分散液(C)が浸透することによって、前記樹脂層(B)が形成された貫通孔内壁面上に、非導電性層(D)を好適に形成することができる。
<Application of dispersion liquid (C)>
In the present invention, as a method of applying the dispersion (C) on the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A), the non-conductive layer (D) is satisfactorily formed. As long as there is no particular limitation, various printing / coating methods may be appropriately selected depending on the shape, size, degree of flexibility, etc. of the insulating base material (A) to be used. Offset method, letterpress method, letterpress inversion method, screen method, microcontact method, reverse method, air doctor coater method, blade coater method, air knife coater method, squeeze coater method, impregnation coater method, transfer roll coater method, kiss coater method, cast Examples thereof include a coater method, a spray coater method, an ink jet method, a die method, a spin coater method, a bar coater method, and a dip coat method.
As a method for applying the dispersion liquid (C) on the resin layer (B) formed on both surfaces of the film, sheet or plate-like insulating base material (A), a non-conductive layer (D) is used. There is no particular limitation as long as it is formed satisfactorily, and the above-described various printing / coating methods may be appropriately selected. Both sides may be formed at the same time. After one side is applied, the other side is applied. May be performed.
When the insulating substrate (A) in the form of a film, sheet or plate has a through hole for connecting the front and back, a non-conductive layer (D) on the inner wall surface of the through hole in which the resin layer (B) is formed There is no particular limitation on the method for forming the dispersion, and if the dispersion (C) is applied using the above-described various printing / coating techniques, the dispersion (C) penetrates into the through holes. The non-conductive layer (D) can be suitably formed on the inner wall surface of the through hole in which the resin layer (B) is formed.

金属微粒子(c2)の分散液(C)を前記樹脂層(B)上に塗布した後、塗布膜の乾燥を経て非導電性層(D)が形成される。塗布膜の乾燥は、室温で行っても良いし、加熱乾燥を行っても良い。この時、前述のように樹脂層(B)中で架橋反応が起こるように企図した加熱であってもよい。また、乾燥時に送風を行っても良いし、特別に送風を行わなくても良い。送風には、熱風を送風しても良いし、室温で送風するだけでも良い。また、乾燥は、大気中で行っても良いし、窒素、アルゴンなどの置換雰囲気、もしくは気流下で行っても良く、真空下で行っても良い。また、爆発下限濃度未満の水素雰囲気下で行っても良い。   After the dispersion liquid (C) of the metal fine particles (c2) is applied on the resin layer (B), the coating film is dried to form the nonconductive layer (D). The coating film may be dried at room temperature or may be heat-dried. At this time, as described above, the heating intended to cause a crosslinking reaction in the resin layer (B) may be used. Further, the air may be blown at the time of drying, or it may not be specially blown. For blowing air, hot air may be blown or only at room temperature. Moreover, drying may be performed in air | atmosphere, replacement | exchange atmosphere, such as nitrogen and argon, or airflow may be performed, and you may carry out in a vacuum. Moreover, you may carry out in hydrogen atmosphere below an explosion lower limit density | concentration.

塗布膜の乾燥は、前記絶縁性基材(A)が、枚葉のフィルム、シート、板の場合には、塗工場所での自然乾燥の他、送風、定温乾燥器などの乾燥器内で行うことができる。また、前記絶縁性基材(A)がロールシートの場合には、前記印刷・塗布工程に続けて、設置された非加熱または加熱空間内でロールシートを連続的に移動させることにより、乾燥を行うことができる。   When the insulating substrate (A) is a single-wafer film, sheet, or plate, in addition to natural drying at the coating place, the coating film is dried in a dryer such as an air blower or a constant temperature dryer. It can be carried out. Further, when the insulating substrate (A) is a roll sheet, the roll sheet is continuously moved in an installed non-heated or heated space following the printing / coating step, thereby drying. It can be carried out.

<非導電性層(D)>
本発明において、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上に、金属微粒子(c2)の分散液(C)を塗布してなる非導電性層(D)は、前記化合物(c1)で保護されてなる金属微粒子(c2)が前記樹脂層(B)上に、ほぼ均一に配置されてなるものであり、部分的な金属微粒子(c2)同士の接触が存在する場合もあるが、層としては導電性を示さないものを言う。本発明において、金属微粒子(c2)が均一に配置されてなる層が導電性を示さない、即ち非導電性であるとは、低抵抗率計を用いて、膜の抵抗値の測定ができないレベルであることを言い、例えば、三菱化学アナリテック社製、ロレスタシリーズの抵抗率計では、オーバーレンジ(四端子法で測定した該層の抵抗が9.999×10Ω以上)、もしくはオーバーロード(端子間に90Vの電圧をかけても定電流測定不能)の表示を確認すればよい。
<Non-conductive layer (D)>
In the present invention, the non-conductive layer (D) formed by applying a dispersion (C) of metal fine particles (c2) on the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A) is When the metal fine particles (c2) protected by the compound (c1) are arranged almost uniformly on the resin layer (B), and there is partial contact between the metal fine particles (c2). There is also a layer that does not exhibit conductivity. In the present invention, the layer in which the metal fine particles (c2) are uniformly arranged does not exhibit conductivity, that is, is non-conductive, a level at which the resistance value of the film cannot be measured using a low resistivity meter. For example, in the Loresta series resistivity meter manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd., the overrange (the resistance of the layer measured by the four-terminal method is 9.999 × 10 7 Ω or more) or over What is necessary is just to confirm the display of the load (the constant current cannot be measured even when a voltage of 90 V is applied between the terminals).

本発明で用いる、前記樹脂層(B)上に形成された非導電性層(D)は、適宜、必要に応じて、後工程の無電解めっき前に加熱処理を行っても良い。加熱処理によって、非導電性層(D)と樹脂層(B)の密着性を向上させることができたり、また樹脂層(B)中、あるいは、樹脂層(B)と化合物(c1)間で架橋反応が進行したりする。また、プリント配線板の使用時には、例えば、はんだ付けなどの高温プロセスを経る可能性があり、保護剤である化合物(c1)、必要により添加された表面調整剤や、レベリング剤、分散溶媒などが、該高温プロセスにおいて、急激な揮発、もしくは分解気化すると、問題となるので、製造時に予め加熱処理を行うことによって、このような成分を除去しておくことが推奨される。   The non-conductive layer (D) formed on the resin layer (B) used in the present invention may be subjected to a heat treatment before electroless plating in a subsequent step as appropriate. By heat treatment, the adhesion between the non-conductive layer (D) and the resin layer (B) can be improved, or in the resin layer (B) or between the resin layer (B) and the compound (c1). Crosslinking reaction proceeds. Moreover, when using a printed wiring board, for example, it may undergo a high-temperature process such as soldering, and a protective compound (c1), a surface conditioner added if necessary, a leveling agent, a dispersion solvent, etc. In the high-temperature process, rapid volatilization or decomposition and vaporization may cause a problem. Therefore, it is recommended to remove such components by performing a heat treatment in advance at the time of manufacture.

加熱処理は、前記樹脂層(B)上に非導電性層(D)が形成された基材を、種々の加熱方法によって処理すれば良く、電気炉、マッフル炉、真空炉、雰囲気炉、光照射加熱装置、赤外線加熱装置、マイクロ波加熱装置、電子線加熱装置などの一種、もしくは複数の加熱装置を併用して行うことができる。また、加熱処理は、必要に応じて、大気中、真空中、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、及び爆発下限濃度未満の水素雰囲気下で行うことができる。また、樹脂層(B)を形成した後に非導電性層(D)が形成される、前記絶縁性基材(A)が枚葉のフィルム、シート、板の場合には前記加熱処理装置の器内で行っても良いし、ロールシート状の場合には、電気加熱、光加熱、赤外線加熱、マイクロ波加熱される空間内にシートを連続的に移動させることにより行うことができる。   The heat treatment may be performed by treating the substrate on which the non-conductive layer (D) is formed on the resin layer (B) by various heating methods, such as an electric furnace, a muffle furnace, a vacuum furnace, an atmosphere furnace, light One or a plurality of heating devices such as an irradiation heating device, an infrared heating device, a microwave heating device, and an electron beam heating device can be used. Moreover, heat processing can be performed in air | atmosphere, a vacuum, nitrogen atmosphere, argon atmosphere, and hydrogen atmosphere below an explosion lower limit density | concentration as needed. In addition, in the case where the non-conductive layer (D) is formed after the resin layer (B) is formed, and the insulating base material (A) is a single film, sheet, or plate, the apparatus of the heat treatment apparatus In the case of a roll sheet, it can be performed by continuously moving the sheet into a space where electric heating, light heating, infrared heating, and microwave heating are performed.

また、本発明において、非導電性層(D)の加熱処理は、樹脂層(B)上に分散液(C)を塗布した後の乾燥と同時に行っても良いし、乾燥と加熱処理を別途行っても良い。また、非導電性層(D)の加熱処理が、前記樹脂層(B)に架橋構造を形成するため、あるいは、樹脂層(B)中の架橋性官能基と化合物(c1)間の架橋構造を形成するための加熱処理を兼ねていても良いし、前記樹脂層(B)の架橋構造を形成するための加熱処理と別途行っても良い。   In the present invention, the heat treatment of the nonconductive layer (D) may be performed simultaneously with the drying after the dispersion (C) is applied on the resin layer (B), or the drying and the heat treatment are separately performed. You can go. Further, the heat treatment of the non-conductive layer (D) forms a crosslinked structure in the resin layer (B), or the crosslinked structure between the crosslinkable functional group in the resin layer (B) and the compound (c1). The heat treatment for forming the resin layer (B) may be performed, or may be performed separately from the heat treatment for forming the crosslinked structure of the resin layer (B).

本発明において、非導電性層(D)の加熱処理温度や熱処理時間は、使用目的や使用する絶縁性基材(A)の素材の耐熱温度に応じて適宜選択すれば良く、特に制限はないが、例えば、絶縁性基材(A)がポリイミド樹脂であれば400℃以下、好ましくは300℃以下、ポリエチレンテレフタレートでは150℃以下、ポリエチレンナフタレートでは200℃以下、液晶ポリマーでは380℃以下、紙フェノール、紙エポキシでは130℃以下、ガラスエポキシでは150℃以下、ABS樹脂では100℃以下で熱処理を行うのが好ましい。   In the present invention, the heat treatment temperature and heat treatment time of the nonconductive layer (D) may be appropriately selected according to the purpose of use and the heat resistant temperature of the material of the insulating base material (A) to be used, and there is no particular limitation. However, if the insulating substrate (A) is a polyimide resin, it is 400 ° C. or less, preferably 300 ° C. or less, polyethylene terephthalate is 150 ° C. or less, polyethylene naphthalate is 200 ° C. or less, liquid crystal polymer is 380 ° C. or less, paper It is preferable to perform heat treatment at 130 ° C. or lower for phenol and paper epoxy, 150 ° C. or lower for glass epoxy, and 100 ° C. or lower for ABS resin.

また、前記樹脂層(B)の架橋構造形成と同時に非導電性層(D)の熱処理を行う場合には、前記、樹脂層(B)の架橋構造形成に適した条件を用いれば良い。   Moreover, what is necessary is just to use the conditions suitable for the crosslinked structure formation of the said resin layer (B), when heat-processing a nonelectroconductive layer (D) simultaneously with crosslinked structure formation of the said resin layer (B).

本発明において行われる、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上の非導電性層(D)の加熱処理は、前記の様に、金属微粒子(c2)と樹脂層(B)の密着性向上や高温プロセスで揮発・分解気化する成分を除去することを目的とするのであって、前記金属微粒子(c1)が相互に密着、融着して導電性を発現することを企図するものではなく、加熱処理後も非導電性を保持していることを特徴とする。   As described above, the heat treatment of the nonconductive layer (D) on the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A), which is performed in the present invention, is performed with the metal fine particles (c2) and the resin layer. The purpose is to improve the adhesion of (B) and to remove components that volatilize and decompose and vaporize in a high temperature process, and the metal fine particles (c1) adhere to each other and fuse together to develop conductivity. Is characterized by maintaining non-conductivity after heat treatment.

本発明で用いる、前記絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上の非導電性層(D)は、前記金属微粒子(c2)が前記樹脂層(B)上に配置されたものであり、厚み方向への金属微粒子(c2)の積層数が多すぎると、前記の加熱処理によって金属微粒子(c2)が互いに融着した接合部が多く形成され、膜全体で不均一な融着構造を形成し、導電性を示す膜となりやすい。この様な不均一な融着構造を有する導電性膜は、膜中に空隙を多数含むため、機械的強度に劣り、この機械的強度に劣る膜が、樹脂層(B)と後のめっき工程で形成される金属膜との間に存在することによって、めっき膜が容易に基材から剥離してしまうことがある。また、このような不均一な融着構造を有する膜を用いて無電解めっきを行った場合、膜上部の空隙は充填できても、融着構造内部、及び下部の空隙をめっき金属によって充分に埋めることは困難で、膜の機械的強度を改善することは難しい。このような観点から、前記樹脂層(B)上に配置される、前記金属微粒子(c2)の積層数は5層以下であることが望ましく、3層以下であることがより好ましい。金属微粒子(c2)の樹脂層(B)上への積層数は、共焦点顕微鏡、干渉型顕微鏡、表面形状測定装置などによる非導電性層(D)の膜厚測定や、電子顕微鏡による非導電性層(D)の表面、断面観察を行うことで確認が可能である。   In the non-conductive layer (D) on the resin layer (B) formed on the insulating base material (A) used in the present invention, the metal fine particles (c2) are arranged on the resin layer (B). If the number of stacked metal fine particles (c2) in the thickness direction is too large, a large number of joints where the metal fine particles (c2) are fused to each other are formed by the heat treatment, and the entire film is uneven. Therefore, it is easy to form a conductive film. Since the conductive film having such a non-uniform fusion structure includes a large number of voids in the film, the film is inferior in mechanical strength, and the film inferior in mechanical strength becomes the resin layer (B) and the subsequent plating step. In other words, the plating film may be easily peeled off from the substrate. In addition, when electroless plating is performed using a film having such a non-uniform fusion structure, the inside of the fusion structure and the lower part of the fusion structure can be sufficiently filled with the plating metal even though the voids above the film can be filled. It is difficult to fill and it is difficult to improve the mechanical strength of the film. From such a viewpoint, the number of stacked metal fine particles (c2) disposed on the resin layer (B) is preferably 5 or less, and more preferably 3 or less. The number of metal fine particles (c2) stacked on the resin layer (B) is determined by measuring the film thickness of the nonconductive layer (D) using a confocal microscope, an interference microscope, a surface shape measuring device, or the like, This can be confirmed by observing the surface and cross section of the conductive layer (D).

また、本発明で用いる、前記樹脂層(B)上に形成された非導電性層(D)は、前記樹脂層(B)が、前記金属微粒子(c2)により被覆されてなるものであり、後のめっき工程でめっき触媒、およびめっきのシード、足場層として機能するものである。樹脂層(B)表面での前記金属微粒子(c2)による表面被覆率が低すぎると、析出した金属結晶間の距離が離れすぎて、結晶相互の接着が起こらないため、めっき被膜を形成することが困難である。一方、金属微粒子(c2)による樹脂層(B)表面の被覆率が高くなり、基材表面での金属微粒子(c2)の積層数が多くなると、前記加熱処理によって金属微粒子(c2)間の接合が起こり、空隙の多い不均一な融着構造が形成されて導電性膜となる。このような不均一融着構造の導電性膜が形成されると、前記の様に膜内部に独立した空隙が多数形成されるために、機械的強度に劣り、後の工程で形成されるめっき金属膜が、実用的な剥離強度を保持できなくなる。金属微粒子(c2)による表面被覆率が適切であれば、析出しためっき金属結晶間の接続が良好で被膜を形成しやすく、また金属微粒子(c2)間の空隙にめっき金属が充分浸透することによってアンカー効果が生じ、剥離強度が向上する。このような観点から、樹脂層(B)表面の前記金属微粒子(c2)による表面被覆率は、50%以上90%以下(面積比)であることが好ましく、後の工程のめっき性、めっき皮膜の絶縁性基材からの剥離強度保持の観点から、70%以上90%以下であることがより好ましい。   Further, the non-conductive layer (D) formed on the resin layer (B) used in the present invention is formed by coating the resin layer (B) with the metal fine particles (c2). It functions as a plating catalyst, a plating seed, and a scaffold layer in a subsequent plating step. If the surface coverage by the metal fine particles (c2) on the surface of the resin layer (B) is too low, the distance between the deposited metal crystals is too far away and the crystals do not adhere to each other. Is difficult. On the other hand, when the coverage of the surface of the resin layer (B) with the metal fine particles (c2) increases and the number of metal fine particles (c2) stacked on the substrate surface increases, the heat treatment causes the bonding between the metal fine particles (c2). As a result, a non-uniform fusion structure with many voids is formed, resulting in a conductive film. When a conductive film having such a non-uniform fusion structure is formed, a large number of independent voids are formed inside the film as described above, so that the mechanical strength is inferior and plating formed in a later step The metal film cannot maintain a practical peel strength. If the surface coverage by the metal fine particles (c2) is appropriate, the connection between the deposited plated metal crystals is good and a film is easily formed, and the plated metal sufficiently penetrates into the gaps between the metal fine particles (c2). An anchor effect occurs and peel strength is improved. From such a viewpoint, the surface coverage by the metal fine particles (c2) on the surface of the resin layer (B) is preferably 50% or more and 90% or less (area ratio). From the viewpoint of maintaining the peel strength from the insulating substrate, it is more preferably 70% or more and 90% or less.

本発明において、前記樹脂層(B)上の前記金属微粒子(c2)による表面被覆率は、高分解能の走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、非導電性層(D)の表面観察を行い、観察画像上の金属微粒子(c2)画像の占有割合を算出することで評価できる。本発明で用いる金属微粒子(c2)のサイズから、表面被覆率の評価には、5万倍程度の観察倍率を用いることが推奨される。   In the present invention, the surface coverage by the metal fine particles (c2) on the resin layer (B) is determined by observing the surface of the non-conductive layer (D) using a high-resolution scanning electron microscope (SEM). It can be evaluated by calculating the occupation ratio of the metal fine particle (c2) image on the observation image. From the size of the metal fine particles (c2) used in the present invention, it is recommended to use an observation magnification of about 50,000 times for the evaluation of the surface coverage.

本発明において、前記樹脂層(B)上に形成される非導電性層(D)は、基材表面全面に形成されていても良いし、基材表面の一部に形成されていても良く、例えば導電回路パターン状の非導電性層(D)を形成してもよい。   In the present invention, the nonconductive layer (D) formed on the resin layer (B) may be formed on the entire surface of the base material, or may be formed on a part of the surface of the base material. For example, a non-conductive layer (D) having a conductive circuit pattern may be formed.

この様なパターン状の非導電性層(D)を得る方法としては、前記の種々の塗布方式のいずれかを用いて、樹脂層(B)上に直接パターン状の非導電性層(D)を形成しても良いし、第三工程である無電解めっき処理の前に、回路パターンのパターニングを行っても良い。パターニングの方法としては、例えば、レーザー照射により、アブレーション現象を誘起して不要部を除去する方法が挙げられる。この目的に用いられるレーザーとしては、UVレーザー、可視光レーザー、近赤外、赤外光レーザーのいずれの波長のレーザーを用いても良い。また、前記の様に、パターン状の樹脂層(B)を形成している場合には、絶縁性基材(A)上と樹脂層(B)上での濡れ性の違いによって、自発的に、樹脂層(B)上のみに選択的に金属微粒子が存在することによって、パターン状の非導電性層(D)を形成する場合もある。   As a method for obtaining such a patterned non-conductive layer (D), the patterned non-conductive layer (D) is directly formed on the resin layer (B) using any of the various coating methods described above. The circuit pattern may be patterned before the electroless plating process which is the third step. Examples of the patterning method include a method of inducing an ablation phenomenon by laser irradiation to remove unnecessary portions. As a laser used for this purpose, a laser having any wavelength of a UV laser, a visible light laser, a near infrared laser, and an infrared laser may be used. In addition, as described above, when the patterned resin layer (B) is formed, spontaneously due to the difference in wettability between the insulating substrate (A) and the resin layer (B). The patterned non-conductive layer (D) may be formed by the presence of metal fine particles selectively only on the resin layer (B).

<無電解めっき工程>
本発明の工程(3)は、工程(1)、(2)を経て得られた、樹脂層(B)上に非導電性層(D)を設けた基材上に、導電層(E)を形成する工程であり、前記樹脂層(B)上に形成された非導電性層(D)を無電解めっきの触媒層及びシード層として用い、無電解めっきを行うことで実施される。
<Electroless plating process>
In the step (3) of the present invention, the conductive layer (E) is formed on the base material provided with the nonconductive layer (D) on the resin layer (B) obtained through the steps (1) and (2). The non-conductive layer (D) formed on the resin layer (B) is used as a catalyst layer and a seed layer for electroless plating, and is performed by electroless plating.

無電解めっき工程は、クリーナー工程、水洗工程、触媒活性化工程、水洗工程、を経て無電解めっきを行うことが好ましい。めっき金属の種類に特に制限はないが、導電性と工業上の利用性から、無電解銅めっきを行うことが好ましい。この無電解銅めっきには、文献などに記載の無電解銅めっき液の組成で建浴を行って使用しても良いし、市販の無電解めっき用試薬を用いても良い。市販の無電解めっき試薬は、厚付け、薄付け、選択析出など各種用途のものが販売されているので、目的に応じて適宜選択すれば良く、例えば、奥野製薬工業株式会社製のOICカッパー、OPCカッパーを特に好適に用いることができる。   The electroless plating process is preferably performed through a cleaner process, a water washing process, a catalyst activation process, and a water washing process. Although there is no restriction | limiting in particular in the kind of plating metal, It is preferable to perform electroless copper plating from electroconductivity and industrial utilization. In this electroless copper plating, a bath may be used with the composition of the electroless copper plating solution described in the literature, or a commercially available electroless plating reagent may be used. Commercially available electroless plating reagents are sold for various uses such as thickening, thinning, selective deposition, etc., and may be appropriately selected according to the purpose. For example, OIC Copper manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. An OPC copper can be particularly preferably used.

本発明の工程(3)において無電解めっきにより形成される導電層(E)は、特に制限はないが、表面抵抗率が1000Ω/□以下であることが好ましく、さらに、第四工程によって電気めっきを実施する場合には、表面抵抗率として、10Ω/□以下であることが好ましい。第四工程の電気めっきによる金属導電層(F)形成の効率を考慮すると、1Ω(D)」/以下であることがより好ましい。また、無電解めっきにより形成される導電層(E)の厚さは製造の作業効率の観点から、1500nm以下であることが好ましい。   The conductive layer (E) formed by electroless plating in the step (3) of the present invention is not particularly limited, but preferably has a surface resistivity of 1000 Ω / □ or less, and further electroplated by the fourth step. In the case of carrying out the above, the surface resistivity is preferably 10Ω / □ or less. In view of the efficiency of forming the metal conductive layer (F) by electroplating in the fourth step, it is more preferably 1Ω (D) ”/ below. The thickness of the conductive layer (E) formed by electroless plating is preferably 1500 nm or less from the viewpoint of manufacturing work efficiency.

<電気めっき工程>
本発明においては、前述の無電解めっき工程により、表面に導電層(E)を有する導電性材料を得ることができるが、より導電性を高めたり、導電性層の膜厚を増大させたりすることを目的として、更に工程(4)として電気めっきを行ってもよい。この時電界めっきにより形成される金属種には特に制限は無いが、導電性や安定性の観点から、銅、ニッケル、金などが好ましく、特に、抵抗値の低さと工業的利用性の観点から銅が好ましい。
<Electroplating process>
In the present invention, a conductive material having a conductive layer (E) on the surface can be obtained by the above-described electroless plating step, but the conductivity is further increased or the thickness of the conductive layer is increased. For this purpose, electroplating may be further performed as step (4). There are no particular restrictions on the metal species formed by electroplating at this time, but from the viewpoint of conductivity and stability, copper, nickel, gold, etc. are preferable, particularly from the viewpoint of low resistance and industrial applicability. Copper is preferred.

電気めっき工程としては、特に制限はなく、種々の電気めっき方法を用いれば良いが、例えば、工程(3)で得られた導電層(E)表面の脱脂、及び/又は、酸化層除去を行った後、めっき液中に浸漬して通電することによってめっき層を形成することができる。   The electroplating process is not particularly limited, and various electroplating methods may be used. For example, the conductive layer (E) surface obtained in the process (3) is degreased and / or the oxide layer is removed. Then, a plating layer can be formed by immersing in a plating solution and energizing.

電気めっきによって得られる金属導電層(F)の厚みには、特に制限はなく、使用目的に応じて適宜選択すれば良いが、第三工程の無電解めっきにより形成される導電層(E)と合わせて、200nm以上30μm以下であることが好ましく、導電性および使用時の回路パターニング性の観点から400nm以上20μm以下であることがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the metal conductive layer (F) obtained by electroplating, What is necessary is just to select suitably according to the intended purpose, but the conductive layer (E) formed by the electroless plating of a 3rd process In addition, the thickness is preferably 200 nm or more and 30 μm or less, and more preferably 400 nm or more and 20 μm or less from the viewpoint of conductivity and circuit patternability during use.

前記の3工程を経て製造される導電性材料は、前記絶縁性基材(A)上に樹脂層(B)を形成し、この上に金属微粒子(c2)よりなる非導電性層(D)を有し、さらに、この上に導電層(E)が積層されてなるものであり、また、4工程より得られる導電性材料は、前記絶縁性基材(A)上に樹脂層(B)を形成し、この上に金属微粒子(c2)よりなる非導電性層(D)を有し、さらに、この上に導電層(E)と金属導電層(F)とが積層されてなるものである。本発明の導電性材料において、金属微粒子(c2)の金属種とその上に形成される導電層(E)、もしくは、導電層(E)及び金属導電層(F)を形成する金属種の全てが同じ金属であっても良いし、それぞれ異なる金属種であっても良い。例えば、本発明の導電性材料の一つの形態は、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)の上の非導電性層(D)が銀微粒子からなり、その上に形成される導電層(E)が銅からなるものである。また、他の形態として、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)の上の非導電性層(D)が銅微粒子からなり、その上に形成される導電層(E)及び金属導電性(F)も銅からなるものを挙げることができる。さらに、他の形態としては、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)の上の非導電性層(D)が銀をコア、銅をシェルとするコア−シェル粒子からなり、その上に形成される導電層(E)及び金属導電層(F)が銅からなるものを挙げることができる。   The conductive material produced through the above three steps forms a resin layer (B) on the insulating substrate (A), and a nonconductive layer (D) made of metal fine particles (c2) thereon. Furthermore, the conductive layer (E) is laminated thereon, and the conductive material obtained from the four steps is a resin layer (B) on the insulating base material (A). And a non-conductive layer (D) made of metal fine particles (c2) is formed thereon, and a conductive layer (E) and a metal conductive layer (F) are laminated thereon. is there. In the conductive material of the present invention, the metal species of the metal fine particles (c2) and the conductive layer (E) formed thereon, or all of the metal species forming the conductive layer (E) and the metal conductive layer (F) May be the same metal or different metal species. For example, in one form of the conductive material of the present invention, the nonconductive layer (D) on the resin layer (B) formed on the insulating base (A) is made of silver fine particles, The formed conductive layer (E) is made of copper. As another form, the non-conductive layer (D) on the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A) is made of copper fine particles, and the conductive layer (E ) And metal conductivity (F) can also be made of copper. Furthermore, as another form, the non-conductive layer (D) on the resin layer (B) formed on the insulating substrate (A) is composed of core-shell particles having silver as a core and copper as a shell. And the conductive layer (E) and metal conductive layer (F) formed thereon are made of copper.

なお、本発明の導電性材料においては、絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上の金属微粒子(c2)よりなる非導電性層(D)は、導電層(E)が形成された後では、導電層(F)の形成によって金属微粒子(c2)間の空隙が充填されることにより、樹脂層(B)上の実質的に独立した非導電性層(D)として存在しなくても良い。   In the conductive material of the present invention, the non-conductive layer (D) composed of the metal fine particles (c2) on the resin layer (B) formed on the insulating base (A) is the conductive layer (E). ) Is formed, the voids between the metal fine particles (c2) are filled by the formation of the conductive layer (F), so that a substantially independent non-conductive layer (D) on the resin layer (B) is formed. Does not have to exist.

本発明の導電性材料の構成について模式図を図1〜図8で示した。このような導電性材料は、絶縁性基材(A)と導電層との密着性に優れる点により、特に細線加工が必要なプリント配線板用の積層基材として好適に用いることができる。   The schematic diagram about the structure of the electroconductive material of this invention was shown in FIGS. Such a conductive material can be suitably used as a laminated base material for a printed wiring board that particularly requires fine wire processing because of its excellent adhesion between the insulating base material (A) and the conductive layer.

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に断わりがない限り「%」は「質量%」を表わす。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. Unless otherwise specified, “%” represents “mass%”.

本発明にて用いた機器類は下記の通りである。
H−NMR:日本電子株式会社製、AL300、300Hz
TEM観察:日本電子株式会社製、JEM−2200FS
SEM観察:日立製作所製、超高分解能電界放射型走査電子顕微鏡 S−800、もしくはキーエンス社製、VE−9800
TGA測定:SIIナノテクノロジー株式会社製、TG/DTA6300
プラズモン吸収スペクトル:株式会社日立製作所製、UV−3500
動的光散乱粒径測定装置:大塚電子株式会社製、FPAR−1000
表面抵抗値測定:三菱化学株式会社製、低抵抗率計ロレスタEP(4端子法)
The equipment used in the present invention is as follows.
1 H-NMR: manufactured by JEOL Ltd., AL300, 300 Hz
TEM observation: JEM-2200FS, manufactured by JEOL Ltd.
SEM observation: Hitachi, ultra-high resolution field emission scanning electron microscope S-800, or Keyence Corporation, VE-9800
TGA measurement: SII Nano Technology Co., Ltd., TG / DTA6300
Plasmon absorption spectrum: manufactured by Hitachi, Ltd., UV-3500
Dynamic light scattering particle size measuring device: FPAR-1000, manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.
Surface resistance measurement: Mitsubishi Chemical Corporation, low resistivity meter Loresta EP (4-terminal method)

[酸価の測定法]
ビニル樹脂の酸価は、ビニル樹脂の製造に使用したビニル単量体の全量に対する酸基含有ビニル単量体の使用量に基づいて算出した計算値であり、〔酸基含有ビニル単量体が有する酸基の物質量(モル)/ビニル単量体の全質量〕×56100によって求めた値である。具体的には、合成例1でいえば、カルボキシル基を1個有するメタクリル酸(分子量86.09)7質量部に対して、ビニル単量体の全量が100質量部であるから、〔{(7/86.09)×1}/100〕×56100=46と算出できる。
[Measurement method of acid value]
The acid value of the vinyl resin is a calculated value calculated based on the amount of the acid group-containing vinyl monomer used relative to the total amount of the vinyl monomer used in the production of the vinyl resin. It is the value calculated | required by the amount (mole) of the acid group to have / total mass of a vinyl monomer] x56100. Specifically, in Synthesis Example 1, the total amount of vinyl monomer is 100 parts by mass with respect to 7 parts by mass of methacrylic acid (molecular weight 86.09) having one carboxyl group. 7 / 86.09) × 1} / 100] × 56100 = 46.

[重量平均分子量の測定法]
前記ビニル樹脂80mgとテトラヒドロフラン20mlを混合し12時間攪拌したものを測定試料として用い、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフ法(GPC法)によって測定した。測定装置;東ソー(株)製高速液体クロマトグラフHLC−8220型、カラム;東ソー(株)製TSKgelGMH XL×4カラム、溶離液;テトラヒドロフラン、検出器;RI検出器。
[Measurement method of weight average molecular weight]
A mixture obtained by mixing 80 mg of the vinyl resin and 20 ml of tetrahydrofuran and stirring for 12 hours was used as a measurement sample, and measurement was performed by gel permeation chromatography (GPC method). Measuring device: Tosoh Co., Ltd. high performance liquid chromatograph HLC-8220 type, column: Tosoh Co., Ltd. TSKgelGMH XL × 4 column, eluent: Tetrahydrofuran, detector; RI detector.

なお、前記ビニル樹脂80mgとテトラヒドロフラン20mlとを混合し12時間攪拌しても、前記ビニル樹脂が完全に溶解せず、前記混合液を1μmのメンブランフィルターを用いてろ過した場合に、前記メンブランフィルター上に、ビニル樹脂からなる残渣が目視で確認できたものについては、重量平均分子量が100万を超えるものであると判断した。   Even when 80 mg of the vinyl resin and 20 ml of tetrahydrofuran were mixed and stirred for 12 hours, the vinyl resin was not completely dissolved and the mixture was filtered using a 1 μm membrane filter. Moreover, it was judged that the weight-average molecular weight exceeded 1,000,000 when the residue made of vinyl resin was confirmed visually.

[ゲル分率の算出方法]
常温(23℃)で乾燥し、次いで70℃で加熱して形成された樹脂層のゲル分率は、以下の方法により算出した。
[Calculation method of gel fraction]
The gel fraction of the resin layer formed by drying at normal temperature (23 ° C.) and then heating at 70 ° C. was calculated by the following method.

厚紙で囲いをしたポリプロピレンフィルム上に乾燥後の膜厚が100μmとなるように樹脂層形成用組成物(b)を流し入れ、温度23℃及び湿度65%の状況下で、24時間乾燥し、次いで70℃で3分間加熱処理することによって樹脂層を形成した。得られた樹脂層を前記ポリプロピレンフィルムから剥離し縦3cm及び横3cmの大きさに切り取ったものを試験片とした。前記試験片1の質量(X)を測定した後、前記試験片1を25℃に調整した50mlのメチルエチルケトンに24時間浸漬した。   The composition for forming a resin layer (b) is poured onto a polypropylene film surrounded by cardboard so that the film thickness after drying becomes 100 μm, and dried for 24 hours under conditions of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 65%, and then A resin layer was formed by heat treatment at 70 ° C. for 3 minutes. The obtained resin layer was peeled from the polypropylene film and cut into a size of 3 cm in length and 3 cm in width was used as a test piece. After measuring the mass (X) of the test piece 1, the test piece 1 was immersed in 50 ml of methyl ethyl ketone adjusted to 25 ° C. for 24 hours.

前記浸漬により、メチルエチルケトンに溶解しなかった試験片1の残渣(不溶解分)を300メッシュの金網で濾過した。   By the immersion, the residue (insoluble matter) of the test piece 1 that did not dissolve in methyl ethyl ketone was filtered through a 300-mesh wire mesh.

前記で得た残渣を108℃で1時間、乾燥したものの質量(Y)を測定した。
次いで、前記質量(X)及び(Y)の値を用い、[(Y)/(X)]×100の式に基づいてゲル分率を算出した。
The mass (Y) of the residue obtained above was dried at 108 ° C. for 1 hour and measured.
Subsequently, the gel fraction was calculated based on the formula of [(Y) / (X)] × 100 using the values of the masses (X) and (Y).

また、「150℃で加熱処理を行った樹脂層のゲル分率」は、下記の方法によって算出した。   Moreover, "the gel fraction of the resin layer heat-processed at 150 degreeC" was computed by the following method.

厚紙で囲いをしたポリプロピレンフィルム上に乾燥後の膜厚が100μmとなるように樹脂層形成用組成物を流し入れ、温度23℃及び湿度65%の状況下で24時間乾燥し、次いで、150℃で30分間加熱乾燥することによって樹脂層を形成した。得られた樹脂層を前記ポリプロピレンフィルムから剥離し縦3cm及び横3cmの大きさに切り取ったものを試験片2とした。前記試験片2の質量(X’)を測定した後、前記試験片2を25℃に調整した50mlのメチルエチルケトンに24時間浸漬した。   The composition for forming a resin layer is poured onto a polypropylene film surrounded by cardboard so that the film thickness after drying becomes 100 μm, dried for 24 hours under conditions of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 65%, and then at 150 ° C. A resin layer was formed by heating and drying for 30 minutes. The obtained resin layer was peeled from the polypropylene film and cut into a size of 3 cm in length and 3 cm in width to make a test piece 2. After measuring the mass (X ′) of the test piece 2, the test piece 2 was immersed in 50 ml of methyl ethyl ketone adjusted to 25 ° C. for 24 hours.

前記浸漬により、メチルエチルケトンに溶解しなかった試験片2の残渣(不溶解分)を300メッシュの金網で濾過した。   By the immersion, the residue (insoluble matter) of the test piece 2 that did not dissolve in methyl ethyl ketone was filtered through a 300-mesh wire mesh.

前記で得た残渣を108℃で1時間、乾燥したものの質量(Y’)を測定した。
次いで、前記質量(X’)及び(Y’)の値を用い、[(Y’)/(X’)]×100の式に基づいてゲル分率を算出した。
The mass (Y ′) of the residue obtained above was dried at 108 ° C. for 1 hour, and measured.
Next, using the mass (X ′) and (Y ′) values, the gel fraction was calculated based on the formula of [(Y ′) / (X ′)] × 100.

[表面被覆率の測定法]
基材表面の金属微粒子による表面被覆率は、日立製作所製、超高分解能電界放射型走査電子顕微鏡 S−800を用いて分散液を塗布、乾燥後の表面を倍率5万倍で観察し、観察画像を白黒画像に二値化した後、画像表面全体の面積に対する金属微粒子の占有面積を計算することで算出した。
[Measurement method of surface coverage]
The surface coverage by the metal fine particles on the surface of the base material was observed by observing the dried surface with a magnification of 50,000 times by applying a dispersion using an ultra-high resolution field emission scanning electron microscope S-800 manufactured by Hitachi, Ltd. After binarizing the image into a black and white image, the area occupied by the metal fine particles relative to the area of the entire image surface was calculated.

[剥離強度試験]
A&D株式会社製 テンシロン万能試験機 RTC−1210A:めっき皮膜を1cmの短冊状に、基材から剥離し、180℃方向の引っ張り強度を求めることで剥離強度を測定した。
[Peel strength test]
A & D Co., Ltd. Tensilon Universal Testing Machine RTC-1210A: The plating film was peeled off from the substrate in a 1 cm strip shape, and the peel strength was measured by determining the tensile strength in the 180 ° C. direction.

〔樹脂層形成用組成物(b)の製造〕
合成例1 樹脂層形成用組成物(b−1)の製造
撹拌機、還流冷却管、窒素導入管、温度計、滴下漏斗を備えた反応容器に脱イオン水350質量部、ラテムルE−118B(花王(株)製:有効成分25質量%)4質量部を入れ、窒素を吹き込みながら70℃まで昇温した。
[Production of Resin Layer Forming Composition (b)]
Synthesis Example 1 Production of Resin Layer Forming Composition (b-1) 350 parts by mass of deionized water, Latemul E-118B (reaction vessel equipped with a stirrer, reflux condenser, nitrogen inlet tube, thermometer, and dropping funnel) 4 parts by mass were added, and the temperature was raised to 70 ° C. while blowing nitrogen.

撹拌下、反応容器中にメタクリル酸メチル55.0質量部、アクリル酸n−ブチル38.0質量部、メタクリル酸7.0質量部からなるビニル単量体混合物と、反応性乳化剤であるアクアロンKH−1025(第一工業製薬株式会社製:有効成分25質量%)4質量部と脱イオン水15質量部とを混合して得られたモノマープレエマルジョンの一部(5質量部)を添加し、続いて過硫酸カリウム0.1質量部を添加し、反応容器内温度を70℃に保ちながら60分間で重合させた。   Under stirring, in a reaction vessel, a vinyl monomer mixture consisting of 55.0 parts by weight of methyl methacrylate, 38.0 parts by weight of n-butyl acrylate, 7.0 parts by weight of methacrylic acid, and Aqualon KH which is a reactive emulsifier. -1025 (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd .: active ingredient 25% by mass) part of monomer pre-emulsion obtained by mixing 4 parts by mass and deionized water 15 parts by mass (5 parts by mass), Subsequently, 0.1 part by mass of potassium persulfate was added, and polymerization was performed for 60 minutes while maintaining the temperature in the reaction vessel at 70 ° C.

次いで、反応容器内の温度を70℃に保ちながら、残りのモノマープレエマルジョン(114質量部)と、過硫酸カリウムの水溶液(有効成分1.0質量%)30質量部とを、各々別の滴下漏斗を使用して、180分間かけて滴下した。滴下終了後、同温度にて60分間撹拌した。   Next, while maintaining the temperature in the reaction vessel at 70 ° C., the remaining monomer pre-emulsion (114 parts by mass) and 30 parts by mass of an aqueous solution of potassium persulfate (active ingredient 1.0% by mass) were added dropwise to each other. It was added dropwise over 180 minutes using a funnel. After completion of dropping, the mixture was stirred at the same temperature for 60 minutes.

前記反応容器内の温度を40℃に冷却し、ついで、不揮発分が20.0質量%になるように脱イオン水を使用した後、200メッシュ濾布で濾過することによって、本発明で使用する樹脂層形成用組成物(b−1)を得た。   The reaction vessel is cooled to 40 ° C., then deionized water is used so that the non-volatile content becomes 20.0% by mass, and then filtered through a 200 mesh filter cloth. A resin layer forming composition (b-1) was obtained.

合成例2〜6 樹脂層形成用組成物(b−2〜6)の製造
ビニル単量体混合物の組成を下記表1に記載の組成にそれぞれ変更すること以外は、合成例1記載の方法と同様の方法で、不揮発分20質量%の樹脂層形成用組成物(b−2)〜(b−6)を調製した。
Synthesis Examples 2-6 Production of Resin Layer Forming Composition (b-2-6) The method described in Synthesis Example 1 except that the composition of the vinyl monomer mixture was changed to the composition described in Table 1 below. By the same method, compositions for forming a resin layer (b-2) to (b-6) having a nonvolatile content of 20% by mass were prepared.

合成例7 樹脂層形成用組成物(b−7)の製造
撹拌機、還流冷却管、窒素導入管、温度計、滴下漏斗を備えた反応容器に脱イオン水350質量部、ラテムルE−118B(花王株式会社製:有効成分25質量%)4質量部を入れ、窒素を吹き込みながら70℃まで昇温した。
Synthesis Example 7 Production of Resin Layer Forming Composition (b-7) 350 parts by mass of deionized water, Latemul E-118B (reactor equipped with stirrer, reflux condenser, nitrogen inlet tube, thermometer, dropping funnel) 4 parts by mass were added, and the temperature was raised to 70 ° C. while blowing nitrogen.

撹拌下、反応容器中にメタクリル酸メチル55.0質量部、アクリル酸n−ブチル38.0質量部、メタクリル酸7.0質量部からなるビニル単量体混合物とアクアロンKH−1025(第一工業製薬株式会社製:有効成分25質量%)4質量部と脱イオン水15質量部とを混合して得られたモノマープレエマルジョンの一部(5質量部)を添加し、続いて過硫酸カリウム0.1質量部を添加し、反応容器内温度を70℃に保ちながら60分間で重合させた。   Under stirring, a vinyl monomer mixture consisting of 55.0 parts by weight of methyl methacrylate, 38.0 parts by weight of n-butyl acrylate, 7.0 parts by weight of methacrylic acid and Aqualon KH-1025 (Daiichi Kogyo) A part of the monomer pre-emulsion obtained by mixing 4 parts by mass and 15 parts by mass of deionized water (5 parts by mass) is added, followed by potassium persulfate 0 .1 part by mass was added, and polymerization was performed in 60 minutes while maintaining the temperature in the reaction vessel at 70 ° C.

次いで、反応容器内の温度を70℃に保ちながら、残りのモノマープレエマルジョン(114質量部)と、過硫酸カリウムの水溶液(有効成分1.0質量%)30質量部とを、各々別の滴下漏斗を使用して、180分間かけて滴下した。滴下終了後、同温度にて60分間撹拌した。   Next, while maintaining the temperature in the reaction vessel at 70 ° C., the remaining monomer pre-emulsion (114 parts by mass) and 30 parts by mass of an aqueous solution of potassium persulfate (active ingredient 1.0% by mass) were added dropwise to each other. It was added dropwise over 180 minutes using a funnel. After completion of dropping, the mixture was stirred at the same temperature for 60 minutes.

前記反応容器内の温度を40℃に冷却し、ついで、不揮発分が20.0質量%になるように脱イオン水を使用した後、200メッシュ濾布で濾過することによって、本発明で使用する樹脂層形成用組成物(b−7)を得た。   The reaction vessel is cooled to 40 ° C., then deionized water is used so that the non-volatile content becomes 20.0% by mass, and then filtered through a 200 mesh filter cloth. A resin layer forming composition (b-7) was obtained.

表1中の略称の説明
MMA:メタクリル酸メチル
NBMAM:N−n−ブトキシメチルアクリルアミド
BA :アクリル酸n−ブチル
MAA:メタクリル酸
AM :アクリルアミド
CHMA:メタクリル酸シクロヘキシル
L−SH:ラウリルメルカプタン
架橋剤1:メラミン系化合物[ベッカミン M−3(DIC株式会社製)、トリメトキシメチルメラミン]
Explanation of Abbreviations in Table 1 MMA: Methyl methacrylate NBMAM: Nn-butoxymethylacrylamide BA: N-butyl acrylate MAA: Methacrylic acid AM: Acrylamide CHMA: Cyclohexyl methacrylate L-SH: Lauryl mercaptan Crosslinker 1: Melamine compound [Beccamin M-3 (manufactured by DIC Corporation), trimethoxymethylmelamine]

参考例1 樹脂層(B)の架橋性確認
合成例2〜7に記載の樹脂形成用組成物(b)を用いた場合には、樹脂層(B)形成後、150℃で30分間乾燥するか、もしくは、70℃で乾燥したものを、さらに150℃で30分間熱処理を行うことによって、樹脂層に架橋構造が形成された。架橋構造が形成されたか否かは、前記ゲル分率の算出方法に記載の通り、「常温(23℃)で乾燥し、その後70℃で加熱した樹脂層のゲル分率」と、「更に150℃で加熱処理された樹脂層のゲル分率」とに基づいて判断した。すなわち、150℃で加熱した樹脂層のゲル分率が、常温乾燥した後、70℃で加熱して得た樹脂層のゲル分率(未架橋状態)と比較して25質量%以上増加したものを、高温加熱により架橋構造が形成されたと判断した(表2)。
Reference Example 1 Crosslinkability confirmation of resin layer (B) When the resin forming composition (b) described in Synthesis Examples 2 to 7 is used, the resin layer (B) is formed and dried at 150 ° C. for 30 minutes. Alternatively, what was dried at 70 ° C. was further heat-treated at 150 ° C. for 30 minutes, whereby a crosslinked structure was formed in the resin layer. Whether or not a cross-linked structure is formed is determined as described in the method for calculating the gel fraction, “the gel fraction of the resin layer dried at room temperature (23 ° C.) and then heated at 70 ° C.” and “further 150 Judgment was made based on “the gel fraction of the resin layer heat-treated at ° C.”. That is, the gel fraction of the resin layer heated at 150 ° C. increased by 25% by mass or more as compared with the gel fraction (uncrosslinked state) of the resin layer obtained by drying at room temperature and then heating at 70 ° C. It was judged that a crosslinked structure was formed by high-temperature heating (Table 2).

〔金属微粒子の分散液の製造〕
<ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)の合成>
合成例8〔ポリエチレングリコール(PEG)−分岐ポリエチレンイミン(PEI)構造を有する化合物(P1−1)の合成〕
8−1[トシル化ポリエチレングリコールの合成]
クロロホルム150mlに片末端メトキシ化ポリエチレングリコール(以下、PEGM)〔数平均分子量(Mn)5000〕(アルドリッチ社製)150g〔30mmol〕とピリジン24g(300mmol)とを混合した溶液と、トシルクロライド29g(150mmol)とクロロホルム30mlとを均一に混合した溶液をそれぞれ調製した。
[Production of metal fine particle dispersion]
<Synthesis of Compound (P1) Having Polyethyleneimine Block and Polyethylene Glycol Block>
Synthesis Example 8 [Synthesis of Polyethylene Glycol (PEG) -Branched Polyethyleneimine (PEI) Compound (P1-1)]
8-1 [Synthesis of tosylated polyethylene glycol]
A solution of 150 ml of chloroform mixed with 150 g [30 mmol] of one-end methoxylated polyethylene glycol (hereinafter referred to as “PEGM” [number average molecular weight (Mn) 5000] (manufactured by Aldrich)] and 24 g (300 mmol) of pyridine, and 29 g (150 mmol) of tosyl chloride ) And 30 ml of chloroform were mixed uniformly.

PEGMとピリジンの混合溶液を20℃で攪拌しながら、ここにトシルクロライドのトルエン溶液を滴下した。滴下終了後、40℃で2時間反応させた。反応終了後、クロロホルム150mlを加えて希釈し、5%HCl水溶液250ml(340mmol)で洗浄後、飽和食塩水と水で洗浄した。得られたクロロホルム溶液を硫酸ナトリウムで乾燥した後、エバポレータで溶媒を留去し、さらに乾燥した。収率は100%であった。H−NMRスペクトルにより各ピークの帰属を行い(2.4ppm:トシル基中のメチル基、3.3ppm:PEGM末端のメチル基、3.6ppm:PEGのEG鎖、7.3〜7.8ppm:トシル基中のベンゼン環)、トシル化ポリエチレングリコールであることを確認した。 While stirring a mixed solution of PEGM and pyridine at 20 ° C., a toluene solution of tosyl chloride was added dropwise thereto. After completion of the dropping, the reaction was carried out at 40 ° C. for 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was diluted with 150 ml of chloroform, washed with 250 ml (340 mmol) of 5% aqueous HCl, and then washed with saturated brine and water. The obtained chloroform solution was dried over sodium sulfate, and then the solvent was distilled off with an evaporator and further dried. The yield was 100%. Each peak was assigned by 1 H-NMR spectrum (2.4 ppm: methyl group in tosyl group, 3.3 ppm: methyl group at PEGM terminal, 3.6 ppm: EG chain of PEG, 7.3-7.8 ppm) : Benzene ring in tosyl group) and tosylated polyethylene glycol.

8−2[PEG−分岐PEI構造を有する化合物の合成]
上記8−1で得られたトシル化ポリエチレングリコール23.2g(4.5mmol)と、分岐状ポリエチレンイミン(日本触媒株式会社製、エポミン SP200)15.0g(1.5mmol)をジメチルアセトアミド(以下、DMA)180mlに溶解後、炭酸カリウム0.12gを加え、窒素雰囲気下、100℃で6時間反応させた。反応終了後、固形残渣を除去し、酢酸エチル150mlとヘキサン450mlの混合溶媒を加え、沈殿物を得た。該沈殿物をクロロホルム100mlに溶解し、再度酢酸エチル150mlとヘキサン450mlの混合溶媒を加えて再沈させた。これをろ過し、減圧下で乾燥した。H−NMRスペクトルにより各ピークの帰属を行い(2.3〜2.7ppm:分岐PEIのエチレン、3.3ppm:PEG末端のメチル基、3.6ppm:PEGのEG鎖)、PEG−分岐PEI構造を有する化合物(P1−1)であることを確認した。収率は99%であった。
8-2 [Synthesis of compound having PEG-branched PEI structure]
23.2 g (4.5 mmol) of the tosylated polyethylene glycol obtained in 8-1 above and 15.0 g (1.5 mmol) of branched polyethyleneimine (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., Epomin SP200) (DMA) After dissolving in 180 ml, 0.12 g of potassium carbonate was added and reacted at 100 ° C. for 6 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the solid residue was removed, and a mixed solvent of 150 ml of ethyl acetate and 450 ml of hexane was added to obtain a precipitate. The precipitate was dissolved in 100 ml of chloroform and reprecipitated again by adding a mixed solvent of 150 ml of ethyl acetate and 450 ml of hexane. This was filtered and dried under reduced pressure. Each peak is assigned by 1 H-NMR spectrum (2.3 to 2.7 ppm: ethylene of branched PEI, 3.3 ppm: methyl group at PEG end, 3.6 ppm: EG chain of PEG), PEG-branched PEI It was confirmed that the compound was a compound having a structure (P1-1). The yield was 99%.

合成例9〔PEG−分岐PEI−ビスフェノールA型エポキシ樹脂構造を有する化合物(P1−2)の合成〕
9−1[エポキシ樹脂の変性]
ビスフェノールA型エポキシ樹脂 EPICLON AM−040−P(DIC株式会社製)37.4g(20mmol)、4−フェニルフェノール2.72g(16mmol)をDMA100mlに溶解後、65%酢酸エチルトリフェニルホスホニウムエタノール溶液0.52mlを加え、窒素雰囲気下、120℃で6時間反応させた。放冷後、多量の水中に滴下し、得られた沈殿物をさらに多量の水で洗浄した。再沈精製物をろ過後減圧乾燥し、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂を得た。得られた生成物の収率は100%であった。
Synthesis Example 9 [Synthesis of PEG-Branched PEI-Bisphenol A Type Epoxy Resin Compound (P1-2)]
9-1 [Modification of epoxy resin]
Bisphenol A type epoxy resin EPICLON AM-040-P (manufactured by DIC Corporation) 37.4 g (20 mmol) and 4-phenylphenol 2.72 g (16 mmol) were dissolved in DMA 100 ml, and then 65% ethyl acetate triphenylphosphonium ethanol solution 0 .52 ml was added and reacted at 120 ° C. for 6 hours under a nitrogen atmosphere. After allowing to cool, the solution was dropped into a large amount of water, and the resulting precipitate was further washed with a large amount of water. The reprecipitation purified product was filtered and dried under reduced pressure to obtain a modified bisphenol A type epoxy resin. The yield of the obtained product was 100%.

H−NMR測定を行いエポキシ基の積分比を考察した結果、ビスフェノールA型エポキシ樹脂1分子にエポキシ環は0.95個残っており、得られた変性エポキシ樹脂は、ビスフェノールA骨格を有する単官能性のエポキシ樹脂であることを確認した。 As a result of 1 H-NMR measurement and considering the integration ratio of epoxy groups, 0.95 epoxy rings remain in one molecule of the bisphenol A type epoxy resin, and the resulting modified epoxy resin has a single bisphenol A skeleton. It was confirmed to be a functional epoxy resin.

9−2[PEG−分岐PEI−ビスフェノールA型エポキシ樹脂構造を有する化合物(P1−2)の合成]
合成例8で得られたPEG−分岐PEI構造を有する化合物(P1−1)20g(0.8mmol)をメタノール150mlに溶解した溶液に、上記エポキシ樹脂の変性で得られたビスフェノールA型の単官能性エポキシ樹脂4.9g(2.4mmol)をアセトン50mlに溶解した溶液を、窒素雰囲気下で滴下後、50℃で2時間攪拌することで反応を行った。反応終了後、減圧下で溶媒を留去し、さらに減圧乾燥することにより、PEG−分岐状PEI−ビスフェノールA型エポキシ樹脂構造を有する化合物(P1−2)を得た。収率は100%であった。
9-2 [Synthesis of compound (P1-2) having PEG-branched PEI-bisphenol A type epoxy resin structure]
A bisphenol A type monofunctional compound obtained by modification of the above epoxy resin was added to a solution of 20 g (0.8 mmol) of the compound (P1-1) having a PEG-branched PEI structure obtained in Synthesis Example 8 in 150 ml of methanol. A solution prepared by dissolving 4.9 g (2.4 mmol) of a functional epoxy resin in 50 ml of acetone was dropped in a nitrogen atmosphere, and the reaction was carried out by stirring at 50 ° C. for 2 hours. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure and further dried under reduced pressure to obtain a compound (P1-2) having a PEG-branched PEI-bisphenol A type epoxy resin structure. The yield was 100%.

<(メタ)アクリル系重合体(P2)の合成>
合成例10〔メトキシカルボニルエチルチオ基およびリン酸エステル残基を含有する(メタ)アクリル系重合体(P2−1)の合成〕
温度計、攪拌機および還流冷却器を備えた四つ口フラスコに、メチルエチルケトン(以下、MEK)32部およびエタノール32部を仕込んで、窒素気流中、攪拌しながら80℃に昇温した。次に、ホスホオキシエチルメタクリレート20部、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート(分子量1,000)80部、メルカプトプロピオン酸メチル4.1部、MEK80部からなる混合物、および重合開始剤「2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)〔和光純薬株式会社製品V−65〕0.5部、MEK5部からなる混合物をそれぞれ2時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間ごとに「日油パーブチル(登録商標)O」〔日油株式会社製〕0.3部を2回添加し、80℃で12時間攪拌した。得られた樹脂溶液に水を加え転相乳化し、減圧脱溶剤した後、水を加えて濃度を調整すると、不揮発物含量76.8%の(メタ)アクリル系重合体の水溶液が得られた。該樹脂のゲルパーミエーション・クロマトグラフィーにより測定された重量平均分子量はポリスチレン換算で4,300、酸価は97.5mgKOH/gであった。
<Synthesis of (meth) acrylic polymer (P2)>
Synthesis Example 10 [Synthesis of (meth) acrylic polymer (P2-1) containing methoxycarbonylethylthio group and phosphate ester residue]
A four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a reflux condenser was charged with 32 parts of methyl ethyl ketone (hereinafter, MEK) and 32 parts of ethanol, and the temperature was raised to 80 ° C. with stirring in a nitrogen stream. Next, a mixture comprising 20 parts of phosphooxyethyl methacrylate, 80 parts of methoxypolyethylene glycol methacrylate (molecular weight 1,000), 4.1 parts of methyl mercaptopropionate, 80 parts of MEK, and a polymerization initiator “2,2′-azobis ( 2,4-dimethylvaleronitrile) [Wako Pure Chemicals Co., Ltd. product V-65] 0.5 parts and MEK 5 parts each was added dropwise over 2 hours. (Registered trademark) O ”(manufactured by NOF Corporation) 0.3 part was added twice and stirred at 80 ° C. for 12 hours. Water was added to the obtained resin solution for phase inversion emulsification, and after desolvation under reduced pressure, water was added to adjust the concentration, whereby an aqueous solution of a (meth) acrylic polymer having a nonvolatile content of 76.8% was obtained. . The weight average molecular weight of the resin measured by gel permeation chromatography was 4,300 in terms of polystyrene, and the acid value was 97.5 mgKOH / g.

合成例11〔2−(2−エチルヘキシルオキシカルボニル)エチルチオ基およびリン酸エステル残基を含有する(メタ)アクリル系重合体(P2−2)の合成〕
合成例10のメルカプトプロピオン酸メチル4.1部のかわりに、メルカプトプロピオン酸2−エチルヘキシル11.2部とし、他は合成例10と同様に操作し、不揮発物含量73.2%の(メタ)アクリル系重合体(P2−2)の水溶液を得た。該重合体の重量平均分子量は4,100、酸価は98.1mgKOH/gであった。
Synthesis Example 11 [Synthesis of (meth) acrylic polymer (P2-2) containing 2- (2-ethylhexyloxycarbonyl) ethylthio group and phosphate residue]
In place of 4.1 parts of methyl mercaptopropionate in Synthesis Example 10, 11.2 parts of mercaptopropionate 2-ethylhexyl were used, and the others were operated in the same manner as in Synthesis Example 10, and the (meth) having a nonvolatile content of 73.2% An aqueous solution of an acrylic polymer (P2-2) was obtained. The polymer had a weight average molecular weight of 4,100 and an acid value of 98.1 mgKOH / g.

<チオエーテル基(スルフィド結合)を含む有機化合物(P3)の合成>
合成例12
〔ポリエチレングリコールメチルグリシジルエーテル(ポリエチレングリコール鎖の分子量2000)〕
<Synthesis of an organic compound (P3) containing a thioether group (sulfide bond)>
Synthesis Example 12
[Polyethylene glycol methyl glycidyl ether (molecular weight of polyethylene glycol chain 2000)]

1000gの脱水トルエン中に、カリウムt−ブトキシド(100.8g,0.8983mol)を加えて攪拌し、この混合物にポリエチレングリコールモノメチルエーテル(分子量2000,600g)のトルエン(2000g)溶液を、室温で3時間かけて滴下した。このまま室温で2時間攪拌した後、40℃に昇温して更に2時間攪拌した。この混合物に同温度でエピクロルヒドリン(168g,1.82mol)を滴下し、40℃で5.5時間攪拌した。反応混合物を濾過し、濾液を濃縮して得られた残渣にクロロホルムを加えて再び溶かし、これを水で5回洗浄した。クロロホルム層に乾燥アルミナを加えて脱色し、アルミナを濾過し、濾液を濃縮した。濃縮残渣をトルエン/n−ヘキサンにより再沈殿精製し、生じた固体を集めて減圧乾燥すると、標題化合物が507.0g得られた(収率82%)。 To 1000 g of dehydrated toluene, potassium t-butoxide (100.8 g, 0.8983 mol) was added and stirred. To this mixture was added a toluene (2000 g) solution of polyethylene glycol monomethyl ether (molecular weight 2000, 600 g) at room temperature. It was added dropwise over time. After stirring for 2 hours at room temperature, the temperature was raised to 40 ° C. and stirring was continued for 2 hours. Epichlorohydrin (168 g, 1.82 mol) was added dropwise to the mixture at the same temperature, and the mixture was stirred at 40 ° C. for 5.5 hours. The reaction mixture was filtered, and the filtrate was concentrated. The residue obtained was dissolved again by adding chloroform, and this was washed 5 times with water. The chloroform layer was decolorized by adding dry alumina, the alumina was filtered, and the filtrate was concentrated. The concentrated residue was purified by reprecipitation with toluene / n-hexane, and the resulting solid was collected and dried under reduced pressure to obtain 507.0 g of the title compound (yield 82%).

H−NMR(重クロロホルム):δ=3.9−3.4(m,ポリエチレングリコール鎖他),3.43(dd,1H,J=6.0,5.7Hz,−オキシラン環隣接メチレン水素のうちのひとつ),3.38(s,3H,PEG末端メトキシ基),3.16(m,1H,オキシラン環メチン水素),2.79(m,1H,オキシラン環末端メチレン水素),2.61(m,1H,オキシラン環末端メチレン水素). 1 H-NMR (deuterated chloroform): δ = 3.9-3.4 (m, polyethylene glycol chain, etc.), 3.43 (dd, 1H, J = 6.0, 5.7 Hz, -oxirane ring adjacent methylene One of hydrogen), 3.38 (s, 3H, PEG terminal methoxy group), 3.16 (m, 1H, oxirane ring methine hydrogen), 2.79 (m, 1H, oxirane ring terminal methylene hydrogen), 2.61 (m, 1H, oxirane ring terminal methylene hydrogen).

[メチル−3−(3−(メトキシ(ポリエトキシ)エトキシ)−2−ヒドロキシプロルスルファニル)プロピオナート
(ポリエチレングリコールメチルグリシジルエーテル(ポリエチレングリコール鎖の分子量2000)への3−メルカプトプロピオン酸メチルの付加化合物)の合成]
[Methyl-3- (3- (methoxy (polyethoxy) ethoxy) -2-hydroxyprolsulfanyl) propionate (addition compound of methyl 3-mercaptopropionate to polyethylene glycol methyl glycidyl ether (molecular weight of polyethylene glycol chain 2000)) Synthesis]

前記で得られたポリエチレングリコールメチルグリシジルエーテル(メトキシポリエチレングリコールの分子量2000,1.00g)に、3−メルカプトプロピオン酸メチル(221mg,1.84mmol)および1mol/Lテトラブチルアンモニウムフルオリド/テトラヒドロフラン溶液(100μL,0.10mmol)を加えた後昇温し、70〜75℃で1時間攪拌した。冷却後、この混合物に水20mLと酢酸エチル20mLを加えて良く攪拌し、静置分液した。その後、更に水層を酢酸エチル(20mL)で2回洗浄した。水層に硫酸ナトリウムを加えると、油状物が析出したので、これを塩化メチレン(20mL×3回)で抽出した。塩化メチレン層を集めて、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、濃縮乾固すると0.94gの標題チオエーテル含有有機化合物(P3−1)が得られた(収率約89%)。H−NMRから、特段の精製が不要な純度であった。 To the polyethylene glycol methyl glycidyl ether obtained above (molecular weight of methoxypolyethylene glycol 2000, 1.00 g), methyl 3-mercaptopropionate (221 mg, 1.84 mmol) and 1 mol / L tetrabutylammonium fluoride / tetrahydrofuran solution ( 100 μL, 0.10 mmol) was added, the temperature was raised, and the mixture was stirred at 70 to 75 ° C. for 1 hour. After cooling, 20 mL of water and 20 mL of ethyl acetate were added to this mixture and stirred well, followed by liquid separation for standing. Thereafter, the aqueous layer was further washed twice with ethyl acetate (20 mL). When sodium sulfate was added to the aqueous layer, an oily substance was precipitated, and this was extracted with methylene chloride (20 mL × 3 times). The methylene chloride layer was collected, dried over anhydrous sodium sulfate, and then concentrated to dryness to obtain 0.94 g of the organic compound (P3-1) containing the title thioether (yield about 89%). From 1 H-NMR, the purity required no special purification.

H−NMR(重クロロホルム):δ=3.9−3.4(m,ポリエチレングリコール鎖他),3.70(s,3H,エステルメチル基),3.38(s,3H,PEG末端メトキシ基),2.84(t,2H,J=7.2Hz,チオール化合物側S隣接メチレン基),2.70(dd,1H,J=5.4,13.5Hz,ポリエーテル化合物側S隣接メチレン基),2.64(t,2H,J=7.2Hz,エステルカルボニル基α位メチレン水素),2.62(dd,1H,J=7.5,13.5Hz,ポリエーテル化合物側S隣接メチレン基),2.34(br,1H,OH). 1 H-NMR (deuterated chloroform): δ = 3.9-3.4 (m, polyethylene glycol chain, etc.), 3.70 (s, 3H, ester methyl group), 3.38 (s, 3H, PEG end Methoxy group), 2.84 (t, 2H, J = 7.2 Hz, thiol compound side S adjacent methylene group), 2.70 (dd, 1H, J = 5.4, 13.5 Hz, polyether compound side S Adjacent methylene group), 2.64 (t, 2H, J = 7.2 Hz, ester carbonyl group α-position methylene hydrogen), 2.62 (dd, 1H, J = 7.5, 13.5 Hz, polyether compound side S adjacent methylene group), 2.34 (br, 1H, OH).

合成例13
[エチル 3−(メトキシ(ポリエトキシ)エトキシ)−2−ヒドロキシプロピルスルファニルアセタート
(ポリエチレングリコールメチルグリシジルエーテル(ポリエチレングリコール鎖の分子量2000)へのメルカプト酢酸エチルの付加化合物)の合成]
Synthesis Example 13
[Synthesis of ethyl 3- (methoxy (polyethoxy) ethoxy) -2-hydroxypropylsulfanyl acetate (addition compound of ethyl mercaptoacetate to polyethylene glycol methyl glycidyl ether (molecular weight of polyethylene glycol chain 2000))]

合成例12の3−メルカプトプロピオン酸メチル(221mg,1.84mmol)のかわりにメルカプト酢酸エチル(174mg,1.45mmol)とし、他は合成例13と同様にしておこなうと、1.04gの標題チオエーテル含有有機化合物(P3−2)が得られた(収率約98%)。 When methyl mercaptoacetate (174 mg, 1.45 mmol) was used in place of methyl 3-mercaptopropionate (221 mg, 1.84 mmol) of Synthesis Example 12, and other procedures were carried out in the same manner as in Synthesis Example 13, 1.04 g of the title thioether An organic compound (P3-2) was obtained (yield: about 98%).

H−NMR(重クロロホルム):δ=4.19(q,2H,J=6.9Hz,エチルエステルO隣接メチレン水素),3.9−3.4(m,ポリエチレングリコール鎖他),3.38(s,3H,PEG末端メトキシ基),3.30(s,2H,−SCHCO−),2.82(dd,1H,J=5.1,13.8Hz,ポリエーテル化合物側S隣接メチレン基),2.64(dd,1H,J=7.5,13.8Hz,ポリエーテル化合物側S隣接メチレン基),2.58(br,1H,OH),1.29(t、3H,J=6.9Hz,エチルエステルメチル水素). 1 H-NMR (deuterated chloroform): δ = 4.19 (q, 2H, J = 6.9 Hz, ethyl ester O adjacent methylene hydrogen), 3.9-3.4 (m, polyethylene glycol chain, etc.), 3 .38 (s, 3H, PEG terminal methoxy group), 3.30 (s, 2H, —SCH 2 CO—), 2.82 (dd, 1H, J = 5.1, 13.8 Hz, polyether compound side S adjacent methylene group), 2.64 (dd, 1H, J = 7.5, 13.8 Hz, polyether compound side S adjacent methylene group), 2.58 (br, 1H, OH), 1.29 (t 3H, J = 6.9 Hz, ethyl ester methyl hydrogen).

<金属微粒子(c2)の分散体(C)の製造>
合成例14
上記合成例8で得られた化合物(P1−1)0.592gを含む水溶液138.8gに酸化銀10.0gを加えて25℃で30分間攪拌した。引き続き、ジメチルエタノールアミン46.0gを攪拌しながら徐々に加えたところ、反応溶液は黒赤色に変わり、若干発熱したが、そのまま放置して25℃で30分間攪拌した。その後、10%アスコルビン酸水溶液15.2gを攪拌しながら徐々に加えた。その温度を保ちしながらさらに20時間攪拌を続けて、黒赤色の分散体を得た。
<Production of Dispersion (C) of Metal Fine Particles (c2)>
Synthesis Example 14
10.0 g of silver oxide was added to 138.8 g of an aqueous solution containing 0.592 g of the compound (P1-1) obtained in Synthesis Example 8, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 30 minutes. Subsequently, when 46.0 g of dimethylethanolamine was gradually added with stirring, the reaction solution turned black-red and slightly exothermic, but was left as it was and stirred at 25 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 15.2 g of a 10% ascorbic acid aqueous solution was gradually added with stirring. While maintaining the temperature, stirring was continued for another 20 hours to obtain a black-red dispersion.

上記で得られた反応終了後の分散液にイソプロピルアルコール200mlとヘキサン200mlの混合溶剤を加えて2分間攪拌した後、3000rpmで5分間遠心濃縮を行った。上澄みを除去した後、沈殿物にイソプロピルアルコール50mlとヘキサン50mlの混合溶剤を加えて2分間攪拌した後、3000rpmで5分間遠心濃縮を行った。上澄みを除去した後、沈殿物にさらに水20gを加えて2分間攪拌して、減圧下有機溶剤を除去して銀粒子の水性分散体(C−1)を得た。   A mixed solvent of 200 ml of isopropyl alcohol and 200 ml of hexane was added to the dispersion obtained after completion of the reaction and stirred for 2 minutes, followed by centrifugal concentration at 3000 rpm for 5 minutes. After removing the supernatant, a mixed solvent of 50 ml of isopropyl alcohol and 50 ml of hexane was added to the precipitate and stirred for 2 minutes, followed by centrifugal concentration at 3000 rpm for 5 minutes. After removing the supernatant, 20 g of water was further added to the precipitate and stirred for 2 minutes, and the organic solvent was removed under reduced pressure to obtain an aqueous dispersion of silver particles (C-1).

得られた分散体(C−1)をサンプリングし、10倍希釈液の可視吸収スペクトル測定により400nmにプラズモン吸収スペクトルのピークが認められ、銀ナノ粒子の生成を確認した。また、TEM観察より球形の銀ナノ粒子(平均粒子径17.5nm)が確認された。TG−DTAを用いて、固体中の銀含有率を測定した結果、97.2%を示した。このことから、本合成法によって得られる分散体中の不揮発分中の化合物(P1−1)含有量は2.8%と見積もることができる。   The obtained dispersion (C-1) was sampled, and a peak of a plasmon absorption spectrum was observed at 400 nm by measurement of a visible absorption spectrum of a 10-fold diluted solution, confirming the formation of silver nanoparticles. Moreover, spherical silver nanoparticles (average particle diameter: 17.5 nm) were confirmed by TEM observation. As a result of measuring the silver content in the solid using TG-DTA, it was 97.2%. From this, it can be estimated that the content of the compound (P1-1) in the nonvolatile content in the dispersion obtained by the present synthesis method is 2.8%.

合成例15
上記合成例9で得た化合物(P1−2)20mg(エチレンイミンユニット:0.15mmol)を水2.39gに溶かした溶液(1)と、硝酸銀0.16g(0.97mmol)を水1.30gに溶かした溶液(2)、クエン酸ナトリウム0.12g(0.48mmol)を水0.25gに溶かした溶液(3)をそれぞれ調製した。25℃で攪拌しながら、溶液(1)に溶液(2)を加え、続いて溶液(3)を加えた。分散液は次第に焦げ茶色へと変化した。7日間攪拌後、透析により精製し、水分散液(C−2)を得た。
Synthesis Example 15
A solution (1) obtained by dissolving 20 mg (ethyleneimine unit: 0.15 mmol) of the compound (P1-2) obtained in Synthesis Example 9 in 2.39 g of water, and 0.16 g (0.97 mmol) of silver nitrate in water 1. A solution (2) dissolved in 30 g and a solution (3) in which 0.12 g (0.48 mmol) of sodium citrate was dissolved in 0.25 g of water were prepared. While stirring at 25 ° C., solution (2) was added to solution (1), followed by solution (3). The dispersion gradually changed to dark brown. After stirring for 7 days, it was purified by dialysis to obtain an aqueous dispersion (C-2).

得られた水分散液(C−2)1部をサンプリングし、10倍希釈液の可視吸収スペクトル測定により400nmにプラズモン吸収スペクトルのピークが認められ、銀ナノ粒子の生成を確認した。また、TEM観察より、20nm以下の銀ナノ粒子であることを確認した。   One part of the obtained aqueous dispersion (C-2) was sampled, and a peak of a plasmon absorption spectrum was observed at 400 nm by measurement of a visible absorption spectrum of a 10-fold diluted solution, confirming the formation of silver nanoparticles. Moreover, it confirmed that it was 20 nm or less silver nanoparticle from TEM observation.

得られた水分散液(C−2)の溶媒を留去後、TGA測定により銀含有量を測定した結果、83%であった。また得られた水分散液は2ヶ月後も凝集、沈殿等は認められることはなく、保存安定性に優れていることを確認した。   After the solvent of the obtained aqueous dispersion (C-2) was distilled off, the silver content was measured by TGA measurement. As a result, it was 83%. The obtained aqueous dispersion was confirmed to be excellent in storage stability without aggregation or precipitation even after 2 months.

合成例16
85%N,N−ジエチルヒドロキシルアミン463g(4.41mol)、上記合成例10で得られた(メタ)アクリル系重合体(P2−1、不揮発物23.0g相当)、および水1250gからなる還元剤溶液を調製した。別に、不揮発物11.5g相当の合成例7で得られた(メタ)アクリル系重合体(P2−1)を水333gに溶解し、これに硝酸銀500g(2.94mol)を水833gに溶かした溶液を加えて、よく攪拌した。この混合物に前記の還元剤溶液を室温(25℃)で2時間かけて滴下した。得られた反応混合物をメンブレンフィルター(細孔径0.45マイクロメートル)で濾過し、濾液を中空糸型限外濾過モジュール(ダイセン・メンブレン・システムズ社製MOLSEPモジュールFB−02型、分画分子量15万)中を循環させ、流出する濾液の量に対応する量の水を随時添加して精製した。濾液の電導度が100μS/cm以下になったことを確認した後、注水を中止して濃縮した。濃縮物を回収すると、不揮発物含量36.7%の銀ナノ粒子分散液(分散媒体は水:C−3)が得られた(742.9g)。動的光散乱法による銀粒子の平均粒子径は39nm、TEM像からは10−40nmと見積もられた。不揮発物中の銀含有量を、熱重量分析により測定したところ94.8w/w%であった(収率81%)。
Synthesis Example 16
Reduction consisting of 463 g (4.41 mol) of 85% N, N-diethylhydroxylamine, the (meth) acrylic polymer obtained in Synthesis Example 10 (P2-1, corresponding to 23.0 g of non-volatiles), and 1250 g of water An agent solution was prepared. Separately, the (meth) acrylic polymer (P2-1) obtained in Synthesis Example 7 corresponding to 11.5 g of the nonvolatile material was dissolved in 333 g of water, and 500 g (2.94 mol) of silver nitrate was dissolved in 833 g of water. The solution was added and stirred well. The reducing agent solution was added dropwise to this mixture at room temperature (25 ° C.) over 2 hours. The obtained reaction mixture was filtered with a membrane filter (pore diameter 0.45 micrometer), and the filtrate was a hollow fiber type ultrafiltration module (MOLSEP module FB-02, manufactured by Daisen Membrane Systems Co., Ltd., molecular weight cut off 150,000). ) It was circulated through and purified by adding water in an amount corresponding to the amount of filtrate flowing out as needed. After confirming that the electric conductivity of the filtrate was 100 μS / cm or less, water injection was stopped and the filtrate was concentrated. When the concentrate was recovered, a silver nanoparticle dispersion having a nonvolatile content of 36.7% (dispersion medium is water: C-3) was obtained (742.9 g). The average particle diameter of the silver particles by dynamic light scattering was estimated to be 39 nm, and 10-40 nm from the TEM image. When the silver content in the nonvolatile material was measured by thermogravimetric analysis, it was 94.8 w / w% (yield 81%).

合成例17
85%N,N−ジエチルヒドロキシルアミン5.56g(53.0mmol)、上記合成例11で得られた(メタ)アクリル系重合体(P2−2,不揮発物106mg相当)、および水15gからなる還元剤溶液を調製した。別に、不揮発物106mg相当の合成例21で得られた(メタ)アクリル系重合体(P2−2)を水5gに溶解し、これに硝酸銀6.00g(35.3mmol)を水10gに溶かした溶液を加えて、よく攪拌した。この混合物に前記の還元剤溶液を室温(25℃)で2時間かけて滴下した。得られた反応混合物をメンブレンフィルター(細孔径0.45マイクロメートル)で濾過し、濾液を中空糸型限外濾過モジュール(ダイセン・メンブレン・システムズ社製MOLSEPモジュールHIT−1型、分画分子量15万)中を循環させ、流出する濾液の量に対応する量の水を随時添加して精製した。濾液の電導度が100μS/cm以下になったことを確認した後、注水を中止して濃縮した。濃縮物を回収すると、不揮発物含量約30%の銀ナノ粒子の水分散液(C−4)が得られた。この銀ナノ粒子の粒径は、TEM像から10−40nmと見積もられた。
Synthesis Example 17
Reduction consisting of 85% N, N-diethylhydroxylamine 5.56 g (53.0 mmol), the (meth) acrylic polymer obtained in Synthesis Example 11 (corresponding to 106 mg of P2-2 and nonvolatiles), and 15 g of water An agent solution was prepared. Separately, the (meth) acrylic polymer (P2-2) obtained in Synthesis Example 21 corresponding to 106 mg of the nonvolatile material was dissolved in 5 g of water, and 6.00 g (35.3 mmol) of silver nitrate was dissolved in 10 g of water. The solution was added and stirred well. The reducing agent solution was added dropwise to this mixture at room temperature (25 ° C.) over 2 hours. The obtained reaction mixture was filtered with a membrane filter (pore diameter 0.45 micrometer), and the filtrate was a hollow fiber type ultrafiltration module (MOLSEP module HIT-1 type, manufactured by Daisen Membrane Systems Co., Ltd., molecular weight cut off 150,000). ) It was circulated through and purified by adding water in an amount corresponding to the amount of filtrate flowing out as needed. After confirming that the electric conductivity of the filtrate was 100 μS / cm or less, water injection was stopped and the filtrate was concentrated. When the concentrate was recovered, an aqueous dispersion (C-4) of silver nanoparticles having a nonvolatile content of about 30% was obtained. The particle size of the silver nanoparticles was estimated to be 10-40 nm from the TEM image.

合成例18
合成例10で得た(メタ)アクリル系重合体(P2−1、固形分に換算して2.00g)を水40mLに溶解し、酢酸銅水和物10.0g(50.09mmol)を水500mLに溶解したものを加えた。これに穏やかに発泡が起こるよう80%ヒドラジン水溶液10g(約160mmol)を約2時間かけて滴下し、発泡が止むまで更に室温で1時間攪拌すると、赤褐色の溶液が得られた。
Synthesis Example 18
The (meth) acrylic polymer (P2-1, 2.00 g in terms of solid content) obtained in Synthesis Example 10 was dissolved in 40 mL of water, and 10.0 g (50.09 mmol) of copper acetate hydrate was added to water. What was dissolved in 500 mL was added. An 80% aqueous hydrazine solution (about 160 mmol) was added dropwise over about 2 hours so that foaming occurred gently, and the mixture was further stirred for 1 hour at room temperature until the foaming stopped, to obtain a reddish brown solution.

これを限外濾過モジュール(ダイセン・メンブレン・システムズ社製、分画分子量15万、1個)に通し、更に限外濾過ユニットから約1Lの滲出液がでるまで、窒素バブリングにより脱気した精製水を通過させて精製した。脱気水の供給を止め、濃縮すると15gの水分散液(C−5)が得られた(固形分約20w/w%)。この分散液一滴をエタノール(50mL)に溶解して紫外可視吸収スペクトルを測定すると、600nm付近にプラズモン共鳴に由来する吸収がみられ、銅ナノ粒子の生成を確認した。この銅ナノ粒子の粒径は、TEM像から30−80nmと見積もられた。   This was passed through an ultrafiltration module (Daisen Membrane Systems Co., Ltd., molecular weight cut off 150,000, 1 unit), and purified water deaerated by nitrogen bubbling until about 1 L of exudate was produced from the ultrafiltration unit. For purification. When the supply of deaerated water was stopped and concentrated, 15 g of an aqueous dispersion (C-5) was obtained (solid content: about 20 w / w%). When one drop of this dispersion was dissolved in ethanol (50 mL) and an ultraviolet-visible absorption spectrum was measured, absorption derived from plasmon resonance was observed near 600 nm, confirming the formation of copper nanoparticles. The particle size of the copper nanoparticles was estimated to be 30-80 nm from the TEM image.

合成例19
酢酸銅(II)一水和物(3.00g、15.0mmol)、上記合成例12で得たチオエーテル含有有機化合物(P3−1、0.451g)およびエチレングリコール(10mL)からなる混合物に、窒素を50mL/分の流量で吹き込みながら加熱し、125℃で2時間通気攪拌して脱気した。この混合物を室温に戻し、ヒドラジン水和物(1.50g、30.0mmol)を水7mLで希釈した溶液を、シリンジポンプを用いてゆっくり滴下した。このとき、初期の還元反応に伴う窒素の発生により、激しく発泡するので注意を要した。約1/4量を2時間かけてゆっくり滴下し、ここで一端滴下を停止し、2時間攪拌して発泡が沈静化するのを確認した後、残量を更に1時間かけて滴下した。得られた褐色の溶液を60℃に昇温して、さらに2時間攪拌し、還元反応を終結させた。このとき、赤褐色の反応溶液を少量、経時的に採取し、0.1%ヒドラジン水和物添加の脱気精製水で希釈して、直ちに紫外可視吸収スペクトルを取得すると、570〜580nmにピークが観測された。これは、ナノサイズの還元銅が示すプラズモン共鳴吸収に由来する吸収であり、これによりナノ銅粒子の生成が確認できた。
Synthesis Example 19
To a mixture consisting of copper (II) acetate monohydrate (3.00 g, 15.0 mmol), the thioether-containing organic compound (P3-1, 0.451 g) obtained in Synthesis Example 12 and ethylene glycol (10 mL), The mixture was heated while blowing nitrogen at a flow rate of 50 mL / min, and deaerated by aeration and stirring at 125 ° C. for 2 hours. The mixture was returned to room temperature, and a solution of hydrazine hydrate (1.50 g, 30.0 mmol) diluted with 7 mL of water was slowly added dropwise using a syringe pump. At this time, caution was required because foaming was vigorously caused by the generation of nitrogen accompanying the initial reduction reaction. About 1/4 amount was dripped slowly over 2 hours, and the dripping of one end was stopped here. After stirring for 2 hours and confirming that foaming subsided, the remaining amount was further dropped over 1 hour. The resulting brown solution was heated to 60 ° C. and further stirred for 2 hours to complete the reduction reaction. At this time, a small amount of reddish brown reaction solution was collected over time, diluted with degassed purified water added with 0.1% hydrazine hydrate, and an ultraviolet-visible absorption spectrum was immediately obtained. A peak was observed at 570 to 580 nm. Observed. This is an absorption derived from the plasmon resonance absorption exhibited by the nano-sized reduced copper, and this confirmed the formation of nano-copper particles.

(水分散体の調製)
つづいて、この反応混合物をダイセン・メンブレン・システムズ社製中空糸型限外濾過膜モジュール(HIT−1−FUS1582、145cm、分画分子量15万)中に循環させ、滲出する濾液と同量の0.1%ヒドラジン水和物水溶液を加えながら、限外濾過モジュールからの濾液が約500mLとなるまで循環させて精製した。0.1%ヒドラジン水和物水溶液の供給を止め、そのまま限外濾過法により濃縮すると、2.85gの有機化合物とナノ銅粒子との複合体の水分散体(C−6)が得られた。分散体中の不揮発物含量は16%、不揮発物中の金属含量は95%であった。得られた銅粒子を電子顕微鏡で観察すると20〜60nm程度の微粒子であることが判明した。また、このとき動的光散乱法により測定した平均粒子径は108nmであった。分散体の広角X線回折からは、還元銅であることが確認できた。
(Preparation of aqueous dispersion)
Subsequently, this reaction mixture is circulated in a hollow fiber type ultrafiltration membrane module (HIT-1-FUS1582, 145 cm 2 , molecular weight cut off 150,000) manufactured by Daisen Membrane Systems Co., Ltd. While adding 0.1% hydrazine hydrate aqueous solution, it was circulated until the filtrate from the ultrafiltration module was about 500 mL and purified. When the supply of the 0.1% hydrazine hydrate aqueous solution was stopped and the solution was directly concentrated by ultrafiltration, 2.85 g of an aqueous dispersion (C-6) of a complex of an organic compound and nanocopper particles was obtained. . The non-volatile content in the dispersion was 16% and the metal content in the non-volatile was 95%. When the obtained copper particles were observed with an electron microscope, they were found to be fine particles of about 20 to 60 nm. At this time, the average particle diameter measured by the dynamic light scattering method was 108 nm. Wide-angle X-ray diffraction of the dispersion confirmed that it was reduced copper.

合成例20
合成例12のチオエーテル含有有機化合物(P3−1)の代わりに、合成例13のチオエーテル含有有機化合物(P3−2)を用いた以外は、合成例31と同様に行い、分散液(C−7)を調製した。反応混合物の一部をとり、紫外可視吸収スペクトルを測定したところ、ナノ銅粒子表面プラズモン共鳴由来の吸収極大が570〜600nmの間に観測されることを確認した。
Synthesis Example 20
A dispersion (C-7) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 31 except that the thioether-containing organic compound (P3-2) of Synthesis Example 13 was used instead of the thioether-containing organic compound (P3-1) of Synthesis Example 12. ) Was prepared. When a part of the reaction mixture was taken and an ultraviolet-visible absorption spectrum was measured, it was confirmed that an absorption maximum derived from the surface plasmon resonance of the nanocopper particles was observed between 570 and 600 nm.

合成例21
酸化銅(I)(5.4g、37.5mmol)、上記合成例12で得たチオエーテル含有有機化合物(P3−1、2.254g)、上記合成例16で得られた銀ナノ粒子分散液(C−3、粒径10−40nm、銀3.0ミリグラム原子、水溶媒)、エタノール80mlと水20mlからなる混合物に、窒素を50mL/分の流量で吹き込みながら、40℃まで加熱した。この混合物に、さらにヒドラジン1水和物(7.5g、150mmol)を加えた。40℃に保持したまま2時間攪拌し還元反応を終結させた。
Synthesis Example 21
Copper (I) oxide (5.4 g, 37.5 mmol), the thioether-containing organic compound (P3-1, 2.254 g) obtained in Synthesis Example 12, and the silver nanoparticle dispersion obtained in Synthesis Example 16 ( C-3, particle size 10-40 nm, silver 3.0 milligram atom, water solvent), ethanol 80 ml and water 20 ml were heated to 40 ° C. while blowing nitrogen at a flow rate of 50 mL / min. To this mixture was further added hydrazine monohydrate (7.5 g, 150 mmol). The reduction reaction was terminated by stirring for 2 hours while maintaining at 40 ° C.

つづいて、この反応混合物をダイセン・メンブレン・システムズ社製中空糸型限外濾過膜モジュール(HIT−1−FUS1582、145cm、分画分子量15万)中に循環させ、窒素バブリングを行った0.1%ヒドラジン水溶液を、滲出する濾液と同量加えながら限外濾過モジュールからの濾液が約500mLとなるまで循環させて精製した。0.1%ヒドラジン水溶液の供給を止め、濃縮して27.9gの銀コア銅シェルナノ粒子分散液(C−8)を得た。分散液中の不揮発物含量は15%、不揮発物中の金属含量は95%であった。得られた粒子を電子顕微鏡で観察すると40〜80nm程度の微粒子であることが判明した。また、分散体の広角X線回折から、銀と還元銅との混合物であることが確認できた。また、TEM写真及びTEM−EDS測定から銀コア銅シェル粒子であることがわかった。また得られた赤褐色の溶液を少量採取し、エチレングリコールで希釈して、紫外可視吸収スペクトルを取得すると、ナノサイズの還元銅が示す565〜580nmのプラズモン共鳴吸収のピークが観測された。また、エチレングリコール希釈液を1時間経過後に紫外可視吸収スペクトルを取得しても、プラズモン共鳴吸収のピークは減少しないことから、耐酸化性が良好であることがわかった。 Subsequently, this reaction mixture was circulated in a hollow fiber type ultrafiltration membrane module (HIT-1-FUS1582, 145 cm 2 , molecular weight cut off 150,000) manufactured by Daisen Membrane Systems Co., Ltd., and nitrogen bubbling was performed. A 1% aqueous hydrazine solution was added while adding the same amount as the leached filtrate, and the filtrate from the ultrafiltration module was circulated until the volume became approximately 500 mL for purification. The supply of the 0.1% hydrazine aqueous solution was stopped and concentrated to obtain 27.9 g of a silver core copper shell nanoparticle dispersion (C-8). The non-volatile content in the dispersion was 15%, and the metal content in the non-volatile was 95%. When the obtained particles were observed with an electron microscope, they were found to be fine particles of about 40 to 80 nm. Further, from the wide-angle X-ray diffraction of the dispersion, it was confirmed that it was a mixture of silver and reduced copper. Moreover, it turned out that it is a silver core copper shell particle | grain from the TEM photograph and the TEM-EDS measurement. Further, when a small amount of the obtained reddish brown solution was collected and diluted with ethylene glycol to obtain an ultraviolet-visible absorption spectrum, a peak of plasmon resonance absorption at 565 to 580 nm indicated by nano-sized reduced copper was observed. In addition, even when an ultraviolet-visible absorption spectrum was obtained for an ethylene glycol diluted solution after 1 hour, the peak of plasmon resonance absorption did not decrease, indicating that the oxidation resistance was good.

合成例22〜24
合成例21において、エタノール80mlと水20mlからなる混合物を下表の混合溶媒に変更した以外は、合成例21と同様にして銀コア銅シェルナノ粒子分散体(C−9〜11)を作製した。得られた粒子を電子顕微鏡で観察すると40〜80nm程度の微粒子であることが判明した。また、分散体の広角X線回折から、銀と還元銅との混合物であることが確認できた。
Synthesis Examples 22-24
A silver core copper shell nanoparticle dispersion (C-9 to 11) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 21 except that the mixture of 80 ml of ethanol and 20 ml of water was changed to the mixed solvent shown in the following table in Synthesis Example 21. When the obtained particles were observed with an electron microscope, they were found to be fine particles of about 40 to 80 nm. Further, from the wide-angle X-ray diffraction of the dispersion, it was confirmed that it was a mixture of silver and reduced copper.

比較合成例1
特許文献4の実施例1に基づき、硝酸銀(I)50μmolを純水94mlに溶解し、この溶液を激しく攪拌しながら、この溶液にステアリルメチルアンモニウムクロライド10mgを含む水溶液1ml、及び水素化ホウ素ナトリウム200μmolを含む水溶液5mlを順次注入したところ、液色が黄褐色透明に変化し、銀ヒドロゾル100mlが得られた。
Comparative Synthesis Example 1
Based on Example 1 of Patent Document 4, 50 μmol of silver nitrate (I) was dissolved in 94 ml of pure water, and while vigorously stirring this solution, 1 ml of an aqueous solution containing 10 mg of stearylmethylammonium chloride and 200 μmol of sodium borohydride As a result, 5 ml of an aqueous solution containing was sequentially injected, and the liquid color changed to yellowish brown transparent, and 100 ml of silver hydrosol was obtained.

比較合成例2
特許文献5の実施例2に基づき、硫酸銀10mmolを純水800mlに溶解し、この溶液中にポリオキシエチレンステアリルエーテルリン酸500mgを含む水溶液100mlを均一となるように撹拌しながら添加した。ついで、この溶液にジメチルアミンボラン5mmolを含む水溶液50mlを均一となるように激しく攪拌しながら添加した。溶液色が赤褐色に急変したところで、硝酸パラジウムを0.02mmol含む水溶液50mlを添加した。その結果、均一で赤褐色透明な銀微粒子分散液1000mlが得られた。
Comparative Synthesis Example 2
Based on Example 2 of Patent Document 5, 10 mmol of silver sulfate was dissolved in 800 ml of pure water, and 100 ml of an aqueous solution containing 500 mg of polyoxyethylene stearyl ether phosphoric acid was added to this solution with stirring so as to be uniform. Next, 50 ml of an aqueous solution containing 5 mmol of dimethylamine borane was added to this solution with vigorous stirring so as to be uniform. When the solution color suddenly changed to reddish brown, 50 ml of an aqueous solution containing 0.02 mmol of palladium nitrate was added. As a result, 1000 ml of a uniform reddish brown transparent silver fine particle dispersion was obtained.

実施例1
(絶縁性基材上への樹脂層の形成)
合成例1で得た樹脂層形成用組成物(b−1)を、乾燥膜厚が100nmとなるように、ポリイミドフィルム(カプトンEN150−C、38μm厚、東レ・デュポン製)上に塗布(バーコート)し、熱風乾燥器を用いて70℃で3分間乾燥することによって、ポリイミドフィルム上に樹脂層(B)を形成し、このフィルムを、さらに150℃で30分間熱処理した。
Example 1
(Formation of resin layer on insulating substrate)
The resin layer forming composition (b-1) obtained in Synthesis Example 1 was applied onto a polyimide film (Kapton EN150-C, 38 μm thickness, manufactured by Toray DuPont) so that the dry film thickness was 100 nm (bar The resin layer (B) was formed on the polyimide film by drying at 70 ° C. for 3 minutes using a hot air dryer, and this film was further heat-treated at 150 ° C. for 30 minutes.

(樹脂層上への非導電性層の形成)
合成例14で作製した銀粒子の水分散体にエタノールを加えて、銀濃度3%、水/エタノール(1/1(w/w))の銀粒子分散液とした。この分散液を、0番のK101バー(ウェット膜厚4μm)を用い、K−コントロールコーター(K101、RKプリントコートインスツルメント社製)の速度目盛り4(塗工速度10.66m/min.)で、ポリイミドフィルム上に形成された、前記架橋構造を形成した樹脂層上に塗布(バーコート)した。このフィルムを室温で乾燥させた後、このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀粒子によるポリイミド表面の被覆率は約90%であった。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、10Ω以上の抵抗のため測定不能で、樹脂層上に形成された銀粒子による膜が非導電性の膜であることを確認した。
(Formation of non-conductive layer on resin layer)
Ethanol was added to the aqueous dispersion of silver particles produced in Synthesis Example 14 to obtain a silver particle dispersion having a silver concentration of 3% and water / ethanol (1/1 (w / w)). Using this dispersion, No. 0 K101 bar (wet film thickness 4 μm), K-control coater (K101, manufactured by RK Print Coat Instruments) speed scale 4 (coating speed 10.66 m / min.) Then, coating (bar coating) was performed on the resin layer formed on the polyimide film and having the crosslinked structure formed thereon. After the film was dried at room temperature, the surface of the film was observed with a scanning electron microscope. The coverage of the polyimide surface with silver particles was about 90%. When the resistance of the silver coating film surface was measured, it was impossible to measure due to the resistance of 10 7 Ω or more, and it was confirmed that the film made of silver particles formed on the resin layer was a non-conductive film.

(無電解銅めっき工程)
上記、樹脂層上に銀粒子を塗布したフィルムをめっき用の試験片とし、奥野製薬工業株式会社製の無電解めっき試薬を用いて無電解めっきを行った。無電解銅めっきの工程は、脱脂、水洗、活性化、水洗、無電解めっき、水洗の作業工程を経ることにより行った。水洗は2分間の流水水洗とした。
1.脱脂:脱脂剤(ICPクリーナーSC、奥野製薬工業株式会社製)を用いて、40℃の処理液中に5分間浸漬した。
2.活性化:25℃の硫酸水溶液(約6%)に2分間浸漬した。
3.無電解めっき:無電解銅めっき液(OICカッパー、奥野製薬工業株式会社製)を用いて、pH12.5のめっき液中に55℃で20分間浸漬した。
(Electroless copper plating process)
The film in which silver particles were coated on the resin layer was used as a test piece for plating, and electroless plating was performed using an electroless plating reagent manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. The process of electroless copper plating was performed through the steps of degreasing, washing with water, activation, washing with water, electroless plating, and washing with water. The washing was performed with running water for 2 minutes.
1. Degreasing: Using a degreasing agent (ICP cleaner SC, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.), it was immersed in a treatment liquid at 40 ° C. for 5 minutes.
2. Activation: It was immersed in a sulfuric acid aqueous solution (about 6%) at 25 ° C. for 2 minutes.
3. Electroless plating: Using an electroless copper plating solution (OIC Copper, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.), it was immersed in a plating solution having a pH of 12.5 at 55 ° C. for 20 minutes.

無電解銅めっき液から取り出した試験片は、銀粒子の塗布側表面全体が薄赤色となり、銅の無電解めっきが良好に進行したことが確認できた。試験片は、水洗、風乾の後、100℃で60分間のベーキングを行った。無電解めっきにより形成された銅膜の表面抵抗値は、0.04Ω/□であり、絶縁性基材である38μm厚のポリイミドフィルム上に形成した樹脂層上に銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)によるテープ剥離試験の結果、剥離が認められず、密着性も良好であった。   In the test piece taken out from the electroless copper plating solution, the entire surface of the silver particle coated side became light red, and it was confirmed that the electroless plating of copper proceeded well. The test piece was baked at 100 ° C. for 60 minutes after washing with water and air drying. The surface resistance value of the copper film formed by electroless plating is 0.04Ω / □, and the conductive film has a copper conductive layer on a resin layer formed on a 38 μm-thick polyimide film as an insulating substrate. The material was able to be produced. As a result of the tape peeling test using the cellophane tape (manufactured by Nichiban), the copper conductive layer thus formed was not peeled off and had good adhesion.

実施例2
(絶縁性基材上への樹脂層の形成)
150℃で30分間の熱処理を行わない以外は、実施例1と同様にして、ポリイミドフィルム上に樹脂層を形成した。
Example 2
(Formation of resin layer on insulating substrate)
A resin layer was formed on the polyimide film in the same manner as in Example 1 except that heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes was not performed.

(樹脂層上への非導電性層の形成)
実施例1と同様にして、銀濃度3%の分散液を、前記ポリイミドフィルム上に形成された、熱処理を行っていない樹脂層上に塗布(バーコート)した。このフィルムを150℃で30分間乾燥させた後、このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀粒子によるポリイミド表面の被覆率は約90%であった。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、10Ω以上の抵抗のため測定不能で、樹脂層上に形成された銀粒子による膜が非導電性の膜であることを確認した。
(Formation of non-conductive layer on resin layer)
In the same manner as in Example 1, a dispersion having a silver concentration of 3% was applied (bar coating) on a resin layer formed on the polyimide film and not subjected to heat treatment. After the film was dried at 150 ° C. for 30 minutes, the surface of the film was observed with a scanning electron microscope. The coverage of the polyimide surface with silver particles was about 90%. When the resistance of the silver coating film surface was measured, it was impossible to measure due to the resistance of 10 7 Ω or more, and it was confirmed that the film made of silver particles formed on the resin layer was a non-conductive film.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、無電解銅めっきを行ったところ、無電解めっきにより形成された銅膜の表面抵抗値は、0.04Ω/□であり、絶縁性基材である38μm厚のポリイミドフィルム上に形成した樹脂層上に銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
(Electroless copper plating process)
When electroless copper plating was performed in the same manner as in Example 1, the surface resistance value of the copper film formed by electroless plating was 0.04Ω / □, and a 38 μm thick polyimide as an insulating substrate. A conductive material having a copper conductive layer on the resin layer formed on the film could be produced. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

実施例3、4
実施例1、2において、用いる銀粒子の分散体を、合成例14で作製した銀粒子の水分散体(C−1)から、合成例15で得られた水分散体(C−2)に変更した以外は、実施例1、2と同様にして、銀粒子の非導電性層をポリイミドフィルム上に形成した樹脂層上に、塗布形成して、実施例1と同様にして無電解銅めっきを行ったところ、いずれの実施例においても、良好な銅めっき膜が形成され、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に、表面抵抗率が約0.04Ω/□程度の銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。
Examples 3 and 4
In Examples 1 and 2, the silver particle dispersion used was changed from the silver particle aqueous dispersion (C-1) prepared in Synthesis Example 14 to the water dispersion (C-2) obtained in Synthesis Example 15. Except for the change, the electroless copper plating was carried out in the same manner as in Example 1 except that the nonconductive layer of silver particles was coated on the resin layer formed on the polyimide film. In any of the examples, a good copper plating film was formed, and a copper conductive layer having a surface resistivity of about 0.04Ω / □ was formed on the polyimide film on which the resin layer was formed. A conductive material could be produced.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、無電解銅めっきを行ったところ、無電解めっきにより形成された銅膜の表面抵抗値は、0.04Ω/□であり、絶縁性基材である38μm厚のポリイミドフィルム上に形成した樹脂層上に銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
(Electroless copper plating process)
When electroless copper plating was performed in the same manner as in Example 1, the surface resistance value of the copper film formed by electroless plating was 0.04Ω / □, and a 38 μm thick polyimide as an insulating substrate. A conductive material having a copper conductive layer on the resin layer formed on the film could be produced. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

比較例1
(フィルム上への非導電性層の形成)
実施例1において、ポリイミド上に樹脂層を形成しない以外は、実施例1と同様にして銀濃度3%の分散液をポリイミド上に塗布したところ、銀微粒子の塗布膜は、フィルム表面で分散液のハジキが起こり、塗工面に斑模様が生じて、フィルム表面に、目視で金属微粒子の存在しない領域が多数認められた(図8)。
Comparative Example 1
(Formation of non-conductive layer on film)
In Example 1, except that the resin layer was not formed on the polyimide, a dispersion liquid having a silver concentration of 3% was applied on the polyimide in the same manner as in Example 1. As a result, the silver fine particle coating film was dispersed on the film surface. As shown in FIG. 8, a lot of regions where no metal fine particles exist were visually observed on the film surface.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、無電解銅めっき処理を行ったところ、金属微粒子の存在しない領域で、めっき膜が析出せず、また、めっき処理中に、めっき析出部が剥離する現象が見られた。
(Electroless copper plating process)
When electroless copper plating treatment was performed in the same manner as in Example 1, a plating film was not deposited in a region where metal fine particles were not present, and a phenomenon in which the plating deposition portion peeled during the plating treatment was observed. It was.

比較例2
実施例2において、樹脂層上に塗工する銀粒子分散液の濃度を3%から、20%に変えた以外は、実施例2と同様にして、ポリイミドフィルム上に形成された樹脂層上に銀粒子からなる膜を形成した。このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀粒子によるポリイミド表面の被覆率は100%で、断面観察から、膜中の銀粒子の積層数は10〜12程度となっていた。この膜は、テスターでも導通が確認でき、導電性膜となっていることがわかった。
Comparative Example 2
In Example 2, on the resin layer formed on the polyimide film in the same manner as in Example 2, except that the concentration of the silver particle dispersion applied on the resin layer was changed from 3% to 20%. A film made of silver particles was formed. When the surface of this film was observed with a scanning electron microscope, the coverage of the polyimide surface with silver particles was 100%, and from the cross-sectional observation, the number of laminated silver particles in the film was about 10-12. This film was confirmed to be conductive even with a tester, and was found to be a conductive film.

(無電解銅めっき工程)
実施例2と同様にして、無電解銅めっき処理を行ったところ、無電解めっきにより形成された銅膜の表面抵抗値は、0.06Ω/□であり、絶縁性基材である38μm厚のポリイミドフィルム上に形成した樹脂層上に銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができたが、このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験により、部分的な剥離が認められた。剥離面を観察すると、銀層が破壊して剥離していることがわかった。剥離面を観察すると、銀粒子間が融着してできた空隙内で銅が充分析出できていないことがわかった。
(Electroless copper plating process)
When the electroless copper plating treatment was performed in the same manner as in Example 2, the surface resistance value of the copper film formed by electroless plating was 0.06Ω / □, and the insulating substrate was 38 μm thick. Although a conductive material having a copper conductive layer on a resin layer formed on a polyimide film could be produced, the copper conductive layer formed in this manner was a cellophane tape (made by Nichiban) peel test. Thus, partial peeling was observed. Observation of the peeled surface revealed that the silver layer was broken and peeled. When the peeled surface was observed, it was found that copper was not sufficiently precipitated in the voids formed by fusion between the silver particles.

比較例3
実施例1と同様にして、ポリイミドフィルム上に樹脂層を形成した。このフィルムを比較製造例1で作製した銀粒子分散液中に10分間浸漬して、樹脂層表面に銀コロイドを吸着させ、このフィルムを室温で乾燥させた後、180℃で30分間焼成した。このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀粒子によるポリイミド表面の被覆率は10%であった。
Comparative Example 3
In the same manner as in Example 1, a resin layer was formed on the polyimide film. This film was immersed in the silver particle dispersion prepared in Comparative Production Example 10 for 10 minutes to adsorb the silver colloid on the resin layer surface , dried at room temperature, and then baked at 180 ° C. for 30 minutes. When the surface of this film was observed with a scanning electron microscope, the coverage of the polyimide surface with silver particles was 10%.

(無電解銅めっき工程)
この試験片を、実施例1と同様にして無電解めっき工程を行ったところ、無電解銅めっき工程での銅の析出は斑様の不均一な析出で全表面積の40%程度であった。
(Electroless copper plating process)
When this test piece was subjected to an electroless plating step in the same manner as in Example 1, the copper deposition in the electroless copper plating step was a spot-like non-uniform deposition and was about 40% of the total surface area.

比較例4
比較製造例1で作製した銀ヒドロゾルから、エバポレータで水を除去し0.5%まで濃縮した。この時すでに銀コロイドは凝集しており、均一な分散液ではなかった。この濃縮液を用いて実施例1と同様にして、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に塗布したところ、均一な塗膜を得ることはできなかった。その後、実施例1と同様にして無電解めっき工程を行おうとしたが、全面積の30%程度に、光沢の無い不均一な銅めっき析出が起こった。
Comparative Example 4
Water was removed from the silver hydrosol produced in Comparative Production Example 1 with an evaporator and concentrated to 0.5%. At this time, the silver colloid had already aggregated and was not a uniform dispersion. When this concentrated solution was applied on a polyimide film having a resin layer formed in the same manner as in Example 1, a uniform coating film could not be obtained. Thereafter, an electroless plating process was attempted in the same manner as in Example 1. However, non-glossy and uneven copper plating deposition occurred in about 30% of the total area.

比較例5
実施例1と同様にして、ポリイミドフィルム上に樹脂層を形成した。比較製造例2で作製した銀粒子分散液中に樹脂層を形成したポリイミドフィルムを10分間浸漬して、樹脂層表面に銀コロイドを吸着させ、このフィルムを室温で乾燥させた後、180℃で30分間焼成した。このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀粒子によるポリイミド表面の被覆率は15%であった。
Comparative Example 5
In the same manner as in Example 1 , a resin layer was formed on the polyimide film. The polyimide film formed with the resin layer in the silver particle dispersion prepared in Comparative Production Example 2 is immersed for 10 minutes to adsorb the silver colloid on the surface of the resin layer, and the film is dried at room temperature. Baked for 30 minutes. When the surface of this film was observed with a scanning electron microscope, the coverage of the polyimide surface with silver particles was 15%.

(無電解銅めっき工程)
このフィルムを、実施例1と同様にして無電解めっき工程を行ったところ、無電解銅めっき工程での銅の析出は斑様の不均一な析出で全表面積の40%程度であった。
(Electroless copper plating process)
When this film was subjected to an electroless plating step in the same manner as in Example 1, the copper deposition in the electroless copper plating step was a patchy uneven deposition and was about 40% of the total surface area.

比較例6
比較製造例2で作製した銀粒子分散液から、エバポレータで水を除去し、1%まで濃縮した。この時、すでに銀コロイドは凝集しており、均一な分散液ではなかった。この濃縮液を実施例1と同様にして、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に塗布したところ、均一な塗膜を得ることはできなかった。
Comparative Example 6
Water was removed from the silver particle dispersion prepared in Comparative Production Example 2 with an evaporator and concentrated to 1%. At this time, the silver colloid had already aggregated and was not a uniform dispersion. When this concentrated solution was applied on the polyimide film having the resin layer formed in the same manner as in Example 1, a uniform coating film could not be obtained.

この銀コロイド吸着ポリイミドフィルムを、実施例1と同様にして無電解めっき工程を行ったところ、銅の析出は斑様の不均一な析出で全表面積の50%程度であった。   The silver colloid adsorption polyimide film was subjected to an electroless plating process in the same manner as in Example 1. As a result, copper deposition was a spot-like non-uniform deposition and was about 50% of the total surface area.

実施例5〜10
(絶縁性基材上への樹脂層の形成)
樹脂層形成用組成物(b−1)を、合成例2〜7で得られる樹脂層形成用組成物(b−2)〜(b−7)に変更した以外は、実施例1と同様にして、ポリイミドフィルム上に樹脂層(B)を形成し、このフィルムを、さらに150℃で30分間熱処理することによって、樹脂層(B)中に架橋構造を形成した。
Examples 5-10
(Formation of resin layer on insulating substrate)
Except having changed the composition for resin layer formation (b-1) into the composition for resin layer formation (b-2)-(b-7) obtained by the synthesis examples 2-7, it is the same as that of Example 1. Then, a resin layer (B) was formed on the polyimide film, and this film was further heat-treated at 150 ° C. for 30 minutes to form a crosslinked structure in the resin layer (B).

(樹脂層上への非導電性層の形成)
このようにして得られた、前記ポリイミドフィルム上に形成された樹脂層上に、実施例1と同様にして、銀濃度3%の分散液を塗布(バーコート)した。このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀粒子によるポリイミド表面の被覆率は85〜90%であった。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、いずれの場合にも10Ω以上の抵抗のため測定不能で、樹脂層上に形成された銀粒子による膜が非導電性の膜であることを確認した。
(Formation of non-conductive layer on resin layer)
On the resin layer formed on the polyimide film thus obtained, a dispersion having a silver concentration of 3% was applied (bar coating) in the same manner as in Example 1 . When the surface of this film was observed with a scanning electron microscope, the coverage of the polyimide surface with silver particles was 85 to 90%. When the resistance on the surface of the silver coating film was measured, it was impossible to measure because the resistance was 10 7 Ω or more in any case, and it was confirmed that the film made of silver particles formed on the resin layer was a non-conductive film. did.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、無電解銅めっき処理を行ったところ、いずれの場合にも良好な銅めっき膜が形成され、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に、表面抵抗率が約0.04Ω/□程度の銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
(Electroless copper plating process)
When the electroless copper plating treatment was performed in the same manner as in Example 1, a good copper plating film was formed in any case, and the surface resistivity was about 0.04Ω on the polyimide film on which the resin layer was formed. A conductive material having a copper conductive layer of about / □ could be produced. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

実施例11〜16
(絶縁性基材上への樹脂層の形成)
樹脂層形成用組成物(b−1)を、合成例2〜7で得られる樹脂層形成用組成物(b−2)〜(b−7)に変更した以外は、実施例2と同様にして、ポリイミドフィルム上に樹脂層(B)を形成した。
Examples 11-16
(Formation of resin layer on insulating substrate)
Resin layer forming composition (b-1) was changed to Resin layer forming compositions (b-2) to (b-7) obtained in Synthesis Examples 2 to 7, and was the same as in Example 2. Then, a resin layer (B) was formed on the polyimide film.

(樹脂層上への非導電性層の形成)
実施例1と同様にして、銀濃度3%の分散液を、前記ポリイミドフィルム上に形成された、熱処理を行っていない樹脂層上に塗布(バーコート)した。このフィルムを150℃で30分間乾燥させた後、このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀粒子によるポリイミド表面の被覆率は約80〜85%であった。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、10Ω以上の抵抗のため測定不能で、樹脂層上に形成された銀粒子による膜が非導電性の膜であることを確認した。
(Formation of non-conductive layer on resin layer)
In the same manner as in Example 1, a dispersion having a silver concentration of 3% was applied (bar coating) on a resin layer formed on the polyimide film and not subjected to heat treatment. After the film was dried at 150 ° C. for 30 minutes, the surface of the film was observed with a scanning electron microscope. The coverage of the polyimide surface with silver particles was about 80 to 85%. When the resistance of the silver coating film surface was measured, it was impossible to measure due to the resistance of 10 7 Ω or more, and it was confirmed that the film made of silver particles formed on the resin layer was a non-conductive film.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、無電解銅めっき処理を行ったところ、いずれの試験片においても、良好な銅めっき膜が形成され、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に、表面抵抗率が約0.04Ω/□程度の銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
(Electroless copper plating process)
When electroless copper plating treatment was performed in the same manner as in Example 1, a good copper plating film was formed in any test piece, and the surface resistivity was about 0 on the polyimide film on which the resin layer was formed. A conductive material having a copper conductive layer of approximately .04Ω / □ could be produced. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

実施例17、18
実施例5、11において、用いる銀粒子の分散体を、合成例14で作製した銀粒子の水分散体(C−1)から、合成例15で得られた水分散体(C−2)に変更した以外は、実施例5、11と同様にして、銀粒子の非導電性層をポリイミドフィルム上に形成した樹脂層上に形成して、実施例1と同様にして無電解銅めっきを行ったところ、いずれの実施例においても、良好な銅めっき膜が形成され、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に、表面抵抗率が約0.04Ω/□程度の銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
Examples 17 and 18
In Examples 5 and 11, the silver particle dispersion used was changed from the silver particle aqueous dispersion (C-1) produced in Synthesis Example 14 to the aqueous dispersion (C-2) obtained in Synthesis Example 15. Except for the change, a non-conductive layer of silver particles was formed on a resin layer formed on a polyimide film in the same manner as in Examples 5 and 11, and electroless copper plating was performed in the same manner as in Example 1. In any of the examples, a good copper plating film was formed, and a conductive film having a copper conductive layer with a surface resistivity of about 0.04Ω / □ was formed on the polyimide film on which the resin layer was formed. The material could be made. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

実施例19〜22
(絶縁性基材上への樹脂層の形成)
樹脂層形成用組成物(b−1)を、合成例2で得られる樹脂層形成用組成物(b−2)に変更した以外は、実施例2と同様にして、ポリイミド上に樹脂層を形成した。
Examples 19-22
(Formation of resin layer on insulating substrate)
The resin layer was formed on the polyimide in the same manner as in Example 2 except that the resin layer forming composition (b-1) was changed to the resin layer forming composition (b-2) obtained in Synthesis Example 2. Formed.

(樹脂層上への非導電性層の形成)
実施例2と同様にして、銀濃度3%の分散液を、前記ポリイミドフィルム上に形成された熱処理を行っていない樹脂層上に塗布(バーコート)した。このフィルムを表8に記載の温度で30分間乾燥を行い、樹脂層中に架橋構造を形成させた。乾燥させた後、このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銀粒子によるポリイミド表面の被覆率は下表に示す様に約65−87%であった。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、10Ω以上の抵抗のため測定不能で、樹脂層上に形成された銀粒子による膜が非導電性の膜であることを確認した。
(Formation of non-conductive layer on resin layer)
In the same manner as in Example 2, a dispersion having a silver concentration of 3% was applied (bar coating) on the resin layer formed on the polyimide film and not subjected to heat treatment. This film was dried at a temperature shown in Table 8 for 30 minutes to form a crosslinked structure in the resin layer. After drying, when the surface of this film was observed with a scanning electron microscope, the coverage of the polyimide surface with silver particles was about 65-87% as shown in the table below. When the resistance of the silver coating film surface was measured, it was impossible to measure due to the resistance of 10 7 Ω or more, and it was confirmed that the film made of silver particles formed on the resin layer was a non-conductive film.

表8:*対応する写真を、図11、12に示す。   Table 8: * The corresponding photographs are shown in FIGS.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、各試験片に対して無電解銅めっき処理を行ったところ、いずれの試験片においても、良好な銅めっき膜が形成され、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に、表面抵抗率が約0.04Ω/□程度の銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
(Electroless copper plating process)
When electroless copper plating treatment was performed on each test piece in the same manner as in Example 1, a good copper plating film was formed on any test piece, and on the polyimide film on which the resin layer was formed, A conductive material having a copper conductive layer having a surface resistivity of about 0.04Ω / □ could be produced. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

実施例23〜34
(絶縁性基材上への樹脂層の形成)
実施例1、8と同様にして、ポリイミド上に、表9に示す樹脂層を形成した。
Examples 23-34
(Formation of resin layer on insulating substrate)
In the same manner as in Examples 1 and 8, a resin layer shown in Table 9 was formed on polyimide.

(樹脂層上への非導電性層の形成)
金属微粒子の分散液を(C−1)から、表9に記載の分散液に変更した以外は、実施例1と同様にして、樹脂層上に3%の金属微粒子分散液を塗布(バーコート)した。このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、粒子によるポリイミド表面の被覆率は約80〜90%であった。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、10Ω以上の抵抗のため測定不能で、樹脂層上に形成された銀粒子による膜が非導電性の膜であることを確認した。
(Formation of non-conductive layer on resin layer)
3% metal fine particle dispersion was applied on the resin layer in the same manner as in Example 1 except that the metal fine particle dispersion was changed from (C-1) to the dispersion shown in Table 9. )did. When the surface of this film was observed with a scanning electron microscope, the coverage of the polyimide surface with particles was about 80 to 90%. When the resistance of the silver coating film surface was measured, it was impossible to measure due to the resistance of 10 7 Ω or more, and it was confirmed that the film made of silver particles formed on the resin layer was a non-conductive film.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、表9に記載した各試験片に対して無電解銅めっき処理を行ったところ、いずれの試験片においても、良好な銅めっき膜が形成され、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に、表面抵抗率が約0.04Ω/□程度の銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
(Electroless copper plating process)
When the electroless copper plating treatment was performed on each test piece described in Table 9 in the same manner as in Example 1, a good copper plating film was formed and a resin layer was formed in any test piece. A conductive material having a copper conductive layer with a surface resistivity of about 0.04Ω / □ could be fabricated on the polyimide film. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

比較例7
(フィルム上への非導電性層の形成)
実施例23〜34において、ポリイミドフィルム上に樹脂層を形成しない以外は、それぞれ実施例と同様にして、金属微粒子の分散液をポリイミドフィルム上に塗布したところ、いずれの場合もフィルム表面で分散液のハジキが起こり、塗工面に斑模様が生じて、フィルム表面に、目視で金属微粒子の存在しない領域が多数認められた。
Comparative Example 7
(Formation of non-conductive layer on film)
In Examples 23 to 34, a dispersion of metal fine particles was applied on a polyimide film in the same manner as in Example except that no resin layer was formed on the polyimide film. As a result, a mottling pattern was formed on the coated surface, and a large number of areas where no metal fine particles existed were visually observed on the film surface.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、無電解銅めっき処理を行ったところ、金属微粒子の存在しない領域で、めっき膜が析出せず、また、めっき処理中に、めっき析出部が剥離する現象が見られた。
(Electroless copper plating process)
When electroless copper plating treatment was performed in the same manner as in Example 1, a plating film was not deposited in a region where metal fine particles were not present, and a phenomenon in which the plating deposition portion peeled during the plating treatment was observed. It was.

実施例35〜46
(絶縁性基材上への樹脂層の形成)
実施例2、6と同様にして、ポリイミド上に下表10の樹脂層を形成した。
Examples 35-46
(Formation of resin layer on insulating substrate)
In the same manner as in Examples 2 and 6, a resin layer shown in Table 10 below was formed on polyimide.

(樹脂層上への非導電性層の形成)
金属微粒子の分散液を(C―1)から、表10に記載の分散液に変更した以外は、実施例2、6と同様にして、樹脂層上に3%の金属微粒子分散液を塗布(バーコート)した後、150℃で30分間の乾燥を行った。このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、粒子によるポリイミド表面の被覆率は約70〜85%であった。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、10Ω以上の抵抗のため測定不能で、樹脂層上に形成された銀粒子による膜が非導電性の膜であることを確認した。
(Formation of non-conductive layer on resin layer)
A 3% metal fine particle dispersion was applied onto the resin layer in the same manner as in Examples 2 and 6 except that the metal fine particle dispersion was changed from (C-1) to the dispersion shown in Table 10. Bar coating), followed by drying at 150 ° C. for 30 minutes. When the surface of this film was observed with a scanning electron microscope, the coverage of the polyimide surface with particles was about 70 to 85%. When the resistance of the silver coating film surface was measured, it was impossible to measure due to the resistance of 10 7 Ω or more, and it was confirmed that the film made of silver particles formed on the resin layer was a non-conductive film.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、表10に記載した各試験片に対して無電解銅めっき処理を行ったところ、いずれの試験片においても、良好な銅めっき膜が形成され、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に、表面抵抗率が約0.04Ω/□程度の銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
(Electroless copper plating process)
When the electroless copper plating treatment was performed on each test piece described in Table 10 in the same manner as in Example 1, a good copper plating film was formed and a resin layer was formed in any test piece. A conductive material having a copper conductive layer with a surface resistivity of about 0.04Ω / □ could be fabricated on the polyimide film. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

実施例47〜50
実施例1〜4で得られた、ポリイミドフィルム上に形成した樹脂層上に、銅の導電層を有する導電性材料を用いて、電気(硫酸銅)めっきを行った。硫酸銅めっきは、定法に基づき、脱脂、水洗、酸洗、水洗、硫酸銅めっき、水洗、防錆処理、水洗の工程を経ることにより行った。
1.脱脂:脱脂剤(DP320クリーナー、奥野製薬工業株式会社製)を用いて、45℃の処理液中に5分間浸漬した。
2.酸洗:25℃の硫酸水溶液(約5%)に1分間浸漬した。
3.硫酸銅めっき:トップルチナSF−M(奥野製薬工業株式会社製)を添加した硫酸銅めっき液を用い、23℃、2.5A/dmの条件で29分浸漬した。
4.防錆処理:防錆剤(トップリンスCU−5、奥野製薬工業株式会社製)を用い、25℃で1分間浸漬した。
Examples 47-50
On the resin layer formed on the polyimide film obtained in Examples 1 to 4, electroplating (copper sulfate) was performed using a conductive material having a copper conductive layer. Copper sulfate plating was performed by passing through the processes of degreasing, water washing, acid washing, water washing, copper sulfate plating, water washing, rust prevention treatment, and water washing based on a conventional method.
1. Degreasing: Using a degreasing agent (DP320 cleaner, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.), it was immersed in a treatment liquid at 45 ° C. for 5 minutes.
2. Pickling: It was immersed in a sulfuric acid aqueous solution (about 5%) at 25 ° C. for 1 minute.
3. Copper sulfate plating: A copper sulfate plating solution to which Top Lucina SF-M (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was added was used for immersion for 29 minutes at 23 ° C. and 2.5 A / dm 2 .
4). Rust prevention treatment: A rust inhibitor (Top Rinse CU-5, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was used and immersed for 1 minute at 25 ° C.

4種の試験片は、いずれも電気めっき工程で剥離などを起こさず、良好な耐薬品性を示した。電気めっきを行った試験片は、水洗の後、水分を拭き取った後に熱風乾燥を行い、120℃で60分間のベーキングを行った。電気めっき後にポリイミドフィルム上に形成された銅層の平均膜厚は約15〜16μmであり、38μm厚のポリイミドフィルム上に、樹脂層を介して約16μm厚の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。形成された銅の剥離強度はいずれも7〜9N/cm程度であり、良好な密着強度を示した。   All of the four types of test pieces did not cause peeling in the electroplating process and exhibited good chemical resistance. The electroplated test piece was washed with water, wiped off moisture, dried with hot air, and baked at 120 ° C. for 60 minutes. The average film thickness of the copper layer formed on the polyimide film after electroplating is about 15-16 μm, and a conductive material having a conductive layer of about 16 μm thickness on the 38 μm-thick polyimide film via a resin layer. We were able to make it. The peel strength of the formed copper was about 7 to 9 N / cm, indicating good adhesion strength.

実施例51〜62
実施例47において、実施例1で得られた導電性材料を用いる代わりに、下表11に示す実施例5〜16で得られた導電性材料を用いて、実施例47と同様にして電気めっきを行った。樹脂層上に形成された銅層の平均膜厚は15〜16μmであり、38μm厚のポリイミドフィルム上に、樹脂層を介して約16μm厚の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。ポリイミドフィルム上に樹脂層を介して形成された銅の剥離強度は、7〜10N/cm程度で、良好な密着強度を示した。
Examples 51-62
In Example 47, instead of using the conductive material obtained in Example 1, electroplating was performed in the same manner as in Example 47 using the conductive material obtained in Examples 5 to 16 shown in Table 11 below. Went. The copper layer formed on the resin layer has an average film thickness of 15 to 16 μm, and a conductive material having a conductive layer of about 16 μm thickness on a 38 μm-thick polyimide film can be produced via the resin layer. did it. The peel strength of the copper formed on the polyimide film via the resin layer was about 7 to 10 N / cm, indicating good adhesion strength.

実施例63〜68
(絶縁性基材上への樹脂層の形成)
実施例2、6と同様にして、ポリイミド上に下表12の樹脂層を形成した。
Examples 63-68
(Formation of resin layer on insulating substrate)
In the same manner as in Examples 2 and 6, the resin layer shown in Table 12 below was formed on polyimide.

(樹脂層上への非導電性層の形成)
金属微粒子の分散液を(C―1)から、表12に記載の、溶媒組成の異なる分散液に変更した以外は、実施例2、6と同様にして、樹脂層上に3%の金属微粒子分散液を塗布(バーコート)した後、150℃で30分間の乾燥を行った。このフィルムの表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、粒子によるポリイミド表面の被覆率は約65−90%であった。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、10Ω以上の抵抗のため測定不能で、樹脂層上に形成された銀粒子による膜が非導電性の膜であることを確認した。
(Formation of non-conductive layer on resin layer)
3% metal fine particles on the resin layer in the same manner as in Examples 2 and 6, except that the dispersion of metal fine particles was changed from (C-1) to a dispersion having a different solvent composition shown in Table 12. After applying the dispersion (bar coating), drying was performed at 150 ° C. for 30 minutes. When the surface of this film was observed with a scanning electron microscope, the coverage of the polyimide surface with particles was about 65-90%. When the resistance of the silver coating film surface was measured, it was impossible to measure due to the resistance of 10 7 Ω or more, and it was confirmed that the film made of silver particles formed on the resin layer was a non-conductive film.

(無電解銅めっき工程)
実施例1と同様にして、表12に記載した各試験片に対して無電解銅めっき処理を行ったところ、いずれの試験片においても、良好な銅めっき膜が形成され、樹脂層を形成したポリイミドフィルム上に、表面抵抗率が約0.04Ω/□程度の銅の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。このようにして形成された銅の導電層は、セロハンテープ(ニチバン製)剥離試験による密着性も良好であった。
(Electroless copper plating process)
When the electroless copper plating treatment was performed on each test piece described in Table 12 in the same manner as in Example 1, a good copper plating film was formed and a resin layer was formed in any test piece. A conductive material having a copper conductive layer with a surface resistivity of about 0.04Ω / □ could be fabricated on the polyimide film. The copper conductive layer thus formed also had good adhesion by a cellophane tape (manufactured by Nichiban) peel test.

(電気めっき工程)
実施例47において、実施例1で得られた導電性材料を用いる代わりに、表12に記載の実施例63〜68で得られた試験片を用いて、実施例47と同様に電気めっきを行った。樹脂層上に形成された銅層の平均膜厚は15〜16μmであり、38μm厚のポリイミドフィルム上に、樹脂層を介して約16μm厚の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。ポリイミドフィルム上に樹脂層を介して形成された銅の剥離強度は、全て8〜10N/cmの範囲を示し、良好な密着強度を示した。
(Electroplating process)
In Example 47, instead of using the conductive material obtained in Example 1, electroplating was performed in the same manner as in Example 47 using the test pieces obtained in Examples 63 to 68 described in Table 12. It was. The copper layer formed on the resin layer has an average film thickness of 15 to 16 μm, and a conductive material having a conductive layer of about 16 μm thickness on a 38 μm-thick polyimide film can be produced via the resin layer. did it. The peel strength of copper formed on the polyimide film via the resin layer was all in the range of 8 to 10 N / cm, indicating good adhesion strength.

実施例69
実施例8、実施例14において、絶縁性基材をカプトンEN150−Cから、下表のポリイミドフィルムに変更した以外は、実施例8、実施例14と同様にして、樹脂層を形成したフィルム上に銀粒子を塗布し、銀粒子からなる非導電性層を形成した後、実施例8、14と同様にして無電解めっきを行ったところ、いずれの場合にも、表面抵抗率が0.04〜0.05Ω/□の銅の導電性層をフィルム上に形成することができた。セロハンテープ(ニチバン製)によるテープ剥離試験を行った結果、銅層は剥離せず、充分な密着性を有する膜が形成されていることを確認した。
Example 69
On the film on which the resin layer was formed in the same manner as in Example 8 and Example 14, except that the insulating base material was changed from Kapton EN150-C to the polyimide film shown in the following table in Example 8 and Example 14. After silver particles were applied to each other to form a non-conductive layer made of silver particles, electroless plating was performed in the same manner as in Examples 8 and 14. In either case, the surface resistivity was 0.04. A copper conductive layer of ˜0.05Ω / □ could be formed on the film. As a result of performing a tape peeling test using a cellophane tape (manufactured by Nichiban), it was confirmed that the copper layer did not peel and a film having sufficient adhesion was formed.

これらの導電性材料を用い、実施例57、58と同様にして電気(硫酸銅)めっきを行った。電気めっき後にポリイミドフィルム上に形成された銅層の平均膜厚は16μmであった。ポリイミドフィルム上に形成された銅の剥離強度は、それぞれ8〜9N/cm、9〜10N/cm程度であり、充分な剥離強度が得られた。   Using these conductive materials, electroplating (copper sulfate) was performed in the same manner as in Examples 57 and 58. The average film thickness of the copper layer formed on the polyimide film after electroplating was 16 μm. The peel strength of copper formed on the polyimide film was about 8 to 9 N / cm and 9 to 10 N / cm, respectively, and sufficient peel strength was obtained.

実施例70
実施例8、14において、絶縁性基材をカプトンEN150−Cから、日光化成社製エポキシガラス積層板(厚さ3mm)に変更した以外は、実施例8、14と同様にして、エポキシガラス積層板上に樹脂層を形成し、銀粒子の分散液を塗布して、銀粒子を含有する非導電性層を形成した後、実施例8、14と同様にして無電解めっきを行ったところ、いずれの場合にも、表面抵抗率が0.04〜0.05Ω/□の銅の導電性層をエポキシガラス積層板上に形成することができた。セロハンテープ(ニチバン製)によるテープ剥離試験を行った結果、銅層は剥離せず、充分な密着性を有する銅膜が形成されていることを確認した。この導電性材料を用い、実施例47と同様にして電気(硫酸銅)めっきを行ったところ、電気めっき後にエポキシガラス積層板上に形成された銅層の平均膜厚は16μmであった。
Example 70
In Examples 8 and 14, epoxy glass lamination was performed in the same manner as in Examples 8 and 14 except that the insulating base material was changed from Kapton EN150-C to an epoxy glass laminate (thickness 3 mm) manufactured by Nikko Kasei Co., Ltd. After forming a resin layer on the plate, applying a dispersion of silver particles to form a nonconductive layer containing silver particles, electroless plating was performed in the same manner as in Examples 8 and 14, In any case, a copper conductive layer having a surface resistivity of 0.04 to 0.05Ω / □ could be formed on the epoxy glass laminate. As a result of performing a tape peeling test using a cellophane tape (manufactured by Nichiban), it was confirmed that the copper layer did not peel and a copper film having sufficient adhesion was formed. When this electroconductive material was used for electroplating (copper sulfate) in the same manner as in Example 47, the average film thickness of the copper layer formed on the epoxy glass laminate after electroplating was 16 μm.

実施例71
実施例8、14において、絶縁性基材をカプトンEN150−Cから、クラレベクスターCT−Zに変更した以外は、実施例8、実施例14と同様にして、樹脂層を形成したフィルム上に、銀粒子の分散液を塗布し、銀粒子を含有する非導電性層を形成した後、実施例8、14と同様にして無電解めっきを行ったところ、いずれの場合にも、表面抵抗率が0.04〜0.05Ω/□の銅の導電性層をベクスターCT−Zフィルム上に形成することができた。
Example 71
In Examples 8 and 14, except that the insulating base material was changed from Kapton EN150-C to Kuraray Bexter CT-Z, in the same manner as in Examples 8 and 14, on the film on which the resin layer was formed, After applying a dispersion of silver particles to form a nonconductive layer containing silver particles, electroless plating was performed in the same manner as in Examples 8 and 14. In either case, the surface resistivity was A copper conductive layer of 0.04 to 0.05Ω / □ could be formed on the Bexter CT-Z film.

実施例72
ポリイミドフィルム(カプトンEN150−C、38μm厚、東レ・デュポン製)上に、ヤマハファインテック社製フィルムパンチャーF602を用いて150μmφの貫通孔を形成した以外は、実施例8、14と同様にして、両表面および貫通孔内壁に樹脂層を形成し、さらにポリイミドフィルムの上に(樹脂層が形成された両表面および貫通孔内壁ともに)、銀粒子の分散液を塗布して銀の非導電性層を形成した後、無電解銅めっき処理を行った。
このようにして形成された銅の導電層は、両面ともに、セロハンテープ(ニチバン製)によるテープ剥離試験の結果、剥離が認められず、密着性も良好であった。表裏両面に電気テスターのプローブを接触させると、通電が確認でき、貫通孔を通して、表裏両面が接続されたことが確認された。
Example 72
Except that a through hole of 150 μmφ was formed on a polyimide film (Kapton EN150-C, 38 μm thickness, manufactured by Toray DuPont) using a film puncher F602 made by Yamaha Finetech, in the same manner as in Examples 8 and 14, A resin layer is formed on both surfaces and the inner wall of the through hole, and a silver non-conductive layer is coated on the polyimide film (both the surface on which the resin layer is formed and the inner wall of the through hole) by applying a silver particle dispersion. After forming, electroless copper plating treatment was performed.
As a result of the tape peeling test using the cellophane tape (manufactured by Nichiban), the copper conductive layer formed in this manner was not peeled off and had good adhesion. When the electric tester probe was brought into contact with both the front and back surfaces, energization could be confirmed, and it was confirmed that both the front and back surfaces were connected through the through hole.

1 絶縁性基材(A)
2 樹脂層(B)
3 非導電性層(D)
3‘ 非導電性層(D)(非導電性層(D)の空隙部分が無電解銅めっきによって埋められ、全体としては、導電層となるが、その中の元々非導電性層だった部分。)
4 無電解めっきによる導電層(E)
5 電解めっきによる導電層(F)
1 Insulating substrate (A)
2 Resin layer (B)
3 Non-conductive layer (D)
3 'Non-conductive layer (D) (The void portion of the non-conductive layer (D) is filled with electroless copper plating to form a conductive layer as a whole, but the portion that was originally a non-conductive layer therein .)
4 Conductive layer by electroless plating (E)
5 Conductive layer by electrolytic plating (F)

Claims (25)

(1)絶縁性基材(A)上に、樹脂層形成用組成物(b)を塗布して樹脂層(B)を形成する工程、
(2)(1)で得られた樹脂層(B)上に窒素原子、硫黄原子、リン原子又は酸素原子を有する化合物(c1)で表面が保護された金、銀、銅及び白金からなる群から選ばれる1種以上の金属微粒子(c2)を0.5質量%以上含有する分散液(C)を塗布し、抵抗値が10Ω以上である非導電性層(D)を形成する工程、
(3)(2)で得られた非導電性層(D)を有する基材に無電解めっきを行い、導電層(E)を形成する工程
を有する導電性材料の製造方法であって、
前記樹脂層形成用組成物(b)が、ビニル樹脂(x)と、水性媒体(y)とを含有するものであり、前記ビニル樹脂(x)が水性媒体(y)に分散し、かつ、前記ビニル樹脂(x)の全量に対する前記成分(z)の含有量が0質量%〜15質量%であることを特徴とする導電性材料の製造方法。
(1) A step of applying a resin layer forming composition (b) on the insulating substrate (A) to form a resin layer (B),
(2) A group consisting of gold, silver, copper and platinum whose surface is protected with a compound (c1) having a nitrogen atom, sulfur atom, phosphorus atom or oxygen atom on the resin layer (B) obtained in (1) A step of applying a dispersion (C) containing 0.5% by mass or more of one or more metal fine particles (c2) selected from the above, and forming a nonconductive layer (D) having a resistance value of 10 7 Ω or more ,
(3) A method for producing a conductive material comprising a step of performing electroless plating on the substrate having the nonconductive layer (D) obtained in (2) to form a conductive layer (E),
The resin layer forming composition (b) contains a vinyl resin (x) and an aqueous medium (y), the vinyl resin (x) is dispersed in the aqueous medium (y), and Content of the said component (z) with respect to the whole quantity of the said vinyl resin (x) is 0 mass%-15 mass%, The manufacturing method of the electroconductive material characterized by the above-mentioned.
前記ビニル樹脂(x)が、重量平均分子量10万以上で、かつ酸価が10〜80である請求項1に記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to claim 1, wherein the vinyl resin (x) has a weight average molecular weight of 100,000 or more and an acid value of 10 to 80. 更に
(4)(3)で得られた導電層(E)を有する基材に電気めっきを行い導電層(E)上に金属導電層(F)を形成する工程、
を有する請求項1又は2に記載の導電性材料の製造方法。
And (4) a step of electroplating the base material having the conductive layer (E) obtained in (3) to form a metal conductive layer (F) on the conductive layer (E),
The manufacturing method of the electroconductive material of Claim 1 or 2 which has these.
絶縁性基材(A)上に、樹脂層形成用組成物(b)を塗布し、樹脂層形成用組成物(b)が架橋反応しない条件で乾燥することによって、樹脂層(B)を形成し、次いで、前記樹脂層(B)の表面に、前記分散液(C)を塗布した後、加熱することによって、非導電性層(D)の下地層である、樹脂層(B)に架橋構造を形成する請求項1〜3の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 A resin layer (B) is formed by applying the resin layer forming composition (b) on the insulating substrate (A) and drying the resin layer forming composition (b) under a condition that does not cause a crosslinking reaction. Then, after the dispersion (C) is applied to the surface of the resin layer (B), the resin layer (B), which is the base layer of the non-conductive layer (D), is crosslinked by heating. The manufacturing method of the electroconductive material in any one of Claims 1-3 which form a structure. 絶縁性基材(A)上に、樹脂層形成用組成物(b)を塗布し、加熱することによって樹脂層(B)に架橋構造を形成させた後、前記分散液(C)を塗布して、非導電性層(D)を形成する請求項1〜3の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 After applying the resin layer forming composition (b) on the insulating substrate (A) and heating to form a crosslinked structure in the resin layer (B), the dispersion (C) is applied. The method for producing a conductive material according to claim 1, wherein the nonconductive layer (D) is formed. 絶縁性基材(A)が、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー又はガラスエポキシ樹脂を成形してなる基材である請求項1〜5の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to any one of claims 1 to 5, wherein the insulating substrate (A) is a substrate formed by molding a polyimide resin, a liquid crystal polymer, or a glass epoxy resin. 絶縁性基材(A)が、フィルム、シート又は板状の基材であることを特徴とする請求項6に記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to claim 6, wherein the insulating substrate (A) is a film, sheet, or plate-like substrate. フィルム、シート又は板状の絶縁性基材(A)が、その表裏を接続する貫通孔を有することを特徴とする請求項7に記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to claim 7, wherein the film, sheet, or plate-like insulating base material (A) has through-holes connecting the front and back surfaces thereof. 前記ビニル樹脂(x)がビニル単量体混合物を重合して得られるものであって、前記ビニル単量体混合物が、前記ビニル単量体混合物の全量に対して酸基を有するビニル単量体を0.2質量%〜15質量%含有するものである請求項1〜8の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The vinyl resin (x) is obtained by polymerizing a vinyl monomer mixture, and the vinyl monomer mixture has an acid group with respect to the total amount of the vinyl monomer mixture. The method for producing a conductive material according to claim 1, wherein 0.2% by mass to 15% by mass is contained. 前記ビニル樹脂(x)がビニル単量体混合物を重合して得られるものであって、前記ビニル単量体混合物が、前記ビニル単量体混合物の全量に対して酸基を有するビニル単量体を0.2質量%〜15質量%、メタクリル酸メチルを0.01質量%〜80質量%、及び、炭素原子数2〜12のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルを5質量%〜60質量%含有するものである請求項1〜9の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The vinyl resin (x) is obtained by polymerizing a vinyl monomer mixture, and the vinyl monomer mixture has an acid group with respect to the total amount of the vinyl monomer mixture. 0.2% by mass to 15% by mass, methyl methacrylate 0.01% by mass to 80% by mass, and (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 2 to 12 carbon atoms 5% by mass to It contains 60 mass%, The manufacturing method of the electroconductive material in any one of Claims 1-9. 前記ビニル樹脂(x)が、架橋性官能基を有するものである請求項1〜10の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to claim 1, wherein the vinyl resin (x) has a crosslinkable functional group. 前記架橋性官能基が、メチロールアミド基及びアルコキシメチルアミド基からなる群より選ばれる1種以上の熱架橋性官能基である請求項11記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to claim 11, wherein the crosslinkable functional group is one or more thermally crosslinkable functional groups selected from the group consisting of a methylolamide group and an alkoxymethylamide group. 前記樹脂層形成用組成物(b)が、更に、架橋剤(w)を含有するものであって、前記架橋剤(w)が、100℃以上に加熱することによって架橋反応しうるものである請求項1〜10の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The resin layer forming composition (b) further contains a crosslinking agent (w), and the crosslinking agent (w) can undergo a crosslinking reaction by heating to 100 ° C. or higher. The manufacturing method of the electroconductive material in any one of Claims 1-10. 前記架橋剤(w)が、メラミン系化合物、エポキシ系化合物、オキサゾリン化合物、カルボジイミド化合物、及び、イソシアネート化合物からなる群より選ばれる1種以上の熱架橋剤である請求項13記載の導電性材料の製造方法。 The conductive material according to claim 13, wherein the crosslinking agent (w) is one or more thermal crosslinking agents selected from the group consisting of melamine compounds, epoxy compounds, oxazoline compounds, carbodiimide compounds, and isocyanate compounds. Production method. 前記化合物(c1)の数平均分子量が3,000〜50,000の範囲の化合物である請求項1〜14の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to claim 1, wherein the compound (c1) has a number average molecular weight in the range of 3,000 to 50,000. 前記化合物(c1)が、1分子中に窒素原子、硫黄原子、リン原子、又は酸素原子の2種以上の原子を含むものである請求項1〜15の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to any one of claims 1 to 15, wherein the compound (c1) contains two or more of a nitrogen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, or an oxygen atom in one molecule. . 前記化合物(c1)が、アミノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、チオール基、リン酸基、4級アンモニウム基、4級ホスホニウム基、シアノ基、エーテル基、チオエーテル基又はジスルフィド基を有する化合物である請求項1〜15の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The compound (c1) is a compound having an amino group, carboxy group, hydroxy group, thiol group, phosphate group, quaternary ammonium group, quaternary phosphonium group, cyano group, ether group, thioether group or disulfide group. Item 16. A method for producing a conductive material according to any one of Items 1 to 15. 前記化合物(c1)が、ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)、
ポリエチレングリコール鎖を有する(メタ)アクリレート系マクロモノマーと、−OP(O)(OH)で表されるリン酸エステル残基を有する(メタ)アクリレート系モノマーとを、−SR(Rは、炭素数1〜18のアルキル基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニル基、又は、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜18のアラルキルオキシ基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニルオキシ基、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる1つ以上の官能基を有する炭素数1〜8のアルキル基である。)で表される官能基を有する連鎖移動剤の存在下で重合させて得られる(メタ)アクリル系重合体(P2)、又は
下記一般式(1)
X−(OCHCHR−O−CH−CH(OH)−CH−S−Z (1)
〔式(1)中、XはC〜Cのアルキル基であり、Rは水素原子又はメチル基であり、nは2〜100の繰り返し数を示す整数であって、Rは繰り返し単位ごとに独立し、同一であっても異なっていても良く、ZはC〜C12のアルキル基、アリル基、アリール基、アリールアルキル基、−R−OH、−R−NHR、又は−R−COR(但し、RはC〜Cのアルキレン鎖であり、Rは水素原子、C〜Cのアシル基、C〜Cのアルコキシカルボニル基、又は芳香環上にC〜Cのアルキル基又はC〜Cのアルコキシ基を置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基であり、Rはヒドロキシ基、C〜Cのアルキル基又はC〜Cのアルコキシ基である。)で表される基である。〕
で表されるチオエーテル含有有機化合物(P3)
である請求項1〜15の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。
The compound (c1) is a compound (P1) having a polyethyleneimine block and a polyethylene glycol block,
A (meth) acrylate macromonomer having a polyethylene glycol chain and a (meth) acrylate monomer having a phosphate ester residue represented by -OP (O) (OH) 2 are represented by -SR (R is carbon An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a phenyl group optionally having a substituent on the benzene ring, or a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms, an aralkyloxy group having 1 to 18 carbon atoms, and a benzene ring A phenyloxy group, a carboxy group, a carboxy group salt, a monovalent or polyvalent alkylcarbonyloxy group having 1 to 18 carbon atoms, and a monovalent or polyvalent group having 1 to 18 carbon atoms, which may have a substituent. A chain transfer agent having a functional group represented by a C1-C8 alkyl group having one or more functional groups selected from the group consisting of valent alkoxycarbonyl groups. (Meth) acrylic polymer (P2) obtained by polymerization in the presence of
X- (OCH 2 CHR 1) n -O-CH 2 -CH (OH) -CH 2 -S-Z (1)
Wherein (1), X is an alkyl group of C 1 ~C 8, R 1 is a hydrogen atom or a methyl radical, n is an integer indicating the number of repetitions of 2 to 100, R 1 is repeated independently for each unit may be different even in the same, Z is an alkyl group of C 2 -C 12, an allyl group, an aryl group, an arylalkyl group, -R 2 -OH, -R 2 -NHR 3 , or -R 2 -COR 4 (where, R 2 is an alkylene chain of C 2 ~C 4, R 3 is a hydrogen atom, an acyl group of C 2 -C 4, alkoxycarbonyl group C 2 -C 4, Or a C 1 -C 4 alkyl group or a C 1 -C 8 alkoxy group which may have a substituent on the aromatic ring, and R 4 is a hydroxy group, C 1 -C 4 It is alkyl or alkoxy group C 1 -C 8 ) Is a group represented by. ]
A thioether-containing organic compound (P3)
The method for producing a conductive material according to any one of claims 1 to 15.
前記金属微粒子(c2)の平均粒子径が1〜200nmの範囲である請求項1〜18の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to any one of claims 1 to 18, wherein an average particle diameter of the metal fine particles (c2) is in a range of 1 to 200 nm. 前記分散液(C)における金属微粒子(c2)の含有率が0.5〜15質量%の範囲である請求項1〜19の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The method for producing a conductive material according to any one of claims 1 to 19, wherein the content of the metal fine particles (c2) in the dispersion (C) is in the range of 0.5 to 15 mass%. 前記非導電性層(D)が、絶縁性基材(A)表面に形成された樹脂層(B)上における金属微粒子(c2)の被覆率が20〜90面積%の範囲で形成されている層である請求項1〜20の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The non-conductive layer (D) is formed so that the coverage of the metal fine particles (c2) on the resin layer (B) formed on the surface of the insulating base (A) is in the range of 20 to 90 area%. It is a layer, The manufacturing method of the electroconductive material in any one of Claims 1-20. 前記非導電性層(D)が、絶縁性基材(A)表面に形成された樹脂層(B)上に、金属微粒子(c1)が5層以下の層数で積層されてなる金属粒子層である請求項1〜20の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 A metal particle layer in which the nonconductive layer (D) is formed by laminating metal fine particles (c1) with a number of layers of 5 or less on the resin layer (B) formed on the surface of the insulating substrate (A). The method for producing a conductive material according to any one of claims 1 to 20. 前記非導電性層(D)が、フィルム、シート又は板状の絶縁性基材(A)の両面に形成された樹脂層(B)上に形成されることを特徴とする請求項1〜22の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The said nonelectroconductive layer (D) is formed on the resin layer (B) formed in both surfaces of the film, sheet | seat, or plate-shaped insulating base material (A), The Claims 1-22 characterized by the above-mentioned. The manufacturing method of the electroconductive material any one of these. 前記非導電性層(D)が、フィルム、シート又は板状の絶縁性基材(A)の両面、および、表裏を接続する貫通孔内壁上に形成された樹脂層(B)上に形成されることを特徴とする請求項8〜22の何れか1項記載の導電性材料の製造方法。 The non-conductive layer (D) is formed on both surfaces of the film, sheet or plate-like insulating base material (A) and on the resin layer (B) formed on the inner wall of the through hole connecting the front and back. The method for producing a conductive material according to any one of claims 8 to 22, wherein: 請求項1〜24の何れか1項記載の製造方法で得られた、絶縁性基材(A)、樹脂層(B)、非導電性(D)及び導電層(E)を有する導電性材料を用いて製造することを特徴とするプリント配線板用積層基材の製造方法。 The electroconductive which has the insulating base material (A) obtained by the manufacturing method of any one of Claims 1-24, a resin layer (B), a nonelectroconductive layer (D), and a conductive layer (E). The manufacturing method of the laminated base material for printed wiring boards characterized by manufacturing using a material.
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