JP7371778B2 - Laminated body for semi-additive construction method and printed wiring board using the same - Google Patents

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Description

本発明は、基材両面を電気的に接続するために用いられる平面状のセミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板に関する。 The present invention relates to a planar laminate for semi-additive construction used to electrically connect both sides of a base material, and a printed wiring board using the same.

プリント配線板は、絶縁性基材の表面に回路パターンの金属層が形成されたものである。近年、電子機器製品の小型化、軽量化要求に伴い、プリント配線板(フィルム)の薄型化及び、回路配線の高精細化が求められている。従来、回路配線を製造する方法としては、絶縁性基材上に形成された銅層の表面に、回路パターン形状のエッチングレジストを形成し、回路不要部の銅層をエッチングすることによって銅配線を形成するサブトラクティブ法が広く用いられてきた。しかしながら、サブトラクティブ法においては、配線裾部分の銅が残りやすく、回路配線の高密度化によって配線間距離が短くなると、短絡や配線間の絶縁信頼性に乏しいなどの問題があった。また、短絡を防ぐ目的や、絶縁信頼性を向上させるために、エッチングをさらに進行させると、レジスト下部にエッチング液がまわり込んで、サイドエッチングが進む結果、配線幅方向が細くなってしまうことが問題であった。特に、配線密度の異なる領域が混在する場合、配線密度の低い領域に存在する微細配線は、エッチングを進行させると、消失してしまうなどの問題もあった。さらに、サブトラクティブ法で得られる配線の断面形状は矩形とならず、台形状や三角形状の基材側に裾の広がった形状となることから、厚さ方向に幅が異なった配線となり、電気伝送路としても課題があった。 A printed wiring board is a board in which a metal layer with a circuit pattern is formed on the surface of an insulating base material. In recent years, with the demand for smaller and lighter electronic products, there has been a demand for thinner printed wiring boards (films) and higher definition circuit wiring. Conventionally, the method for manufacturing circuit wiring is to form an etching resist in the shape of a circuit pattern on the surface of a copper layer formed on an insulating base material, and to etch the copper layer in areas where no circuit is required. The subtractive method of forming has been widely used. However, in the subtractive method, copper tends to remain at the bottom of the wires, and when the distance between wires becomes shorter due to higher density circuit wiring, there are problems such as short circuits and poor insulation reliability between wires. Additionally, if etching is allowed to proceed further in order to prevent short circuits or improve insulation reliability, the etching solution may get around to the bottom of the resist, causing side etching to progress and resulting in thinner wiring in the width direction. That was a problem. In particular, when areas with different wiring densities coexist, there is a problem that fine wiring existing in the area with low wiring density disappears as etching progresses. Furthermore, the cross-sectional shape of the wiring obtained by the subtractive method is not rectangular, but rather a trapezoidal or triangular shape with a wide base on the base material side, resulting in wiring with different widths in the thickness direction, and electrical There were also issues with the transmission line.

これらの課題を解決し、微細配線回路を作製する方法として、セミアディティブ法が提案されている。セミアディティブ法においては、絶縁性基材上に導電性のシード層を形成しておき、当該シード層上の非回路形成部にめっきレジストを形成する。導電性のシード層を通じて電解めっきで配線部を形成した後、レジストを剥離し、非回路形成部のシード層を除去することによって微細配線を形成する。この方法によれば、レジストの形状に沿ってめっきを析出させるので、配線の断面形状を矩形にすることができ、また、パターンの疎密に関係なく、目的とする幅の配線を析出させることができるので、微細配線の形成に適している。 A semi-additive method has been proposed as a method for solving these problems and producing fine wiring circuits. In the semi-additive method, a conductive seed layer is formed on an insulating base material, and a plating resist is formed on the non-circuit forming portion on the seed layer. After forming a wiring portion by electrolytic plating through a conductive seed layer, the resist is peeled off and the seed layer in a non-circuit forming portion is removed to form fine wiring. According to this method, the plating is deposited along the shape of the resist, so the cross-sectional shape of the wiring can be made rectangular, and the wiring of the desired width can be deposited regardless of the density of the pattern. Therefore, it is suitable for forming fine wiring.

セミアディティブ法においては、絶縁性基材上にパラジウム触媒を用いた無電解銅めっきや、無電解ニッケルめっきにより、導電性のシード層を形成する方法が知られている。これらの方法では、例えばビルドアップフィルムを用いる場合、フィルム基材と銅めっき膜の密着性を確保するために、デスミア粗化と呼ばれる過マンガン酸等の強い薬剤を用いた基材表面粗化が行われており、形成された空隙中からめっき膜を形成することによって、アンカー効果を利用し、絶縁性基材とめっき膜の密着性を確保している。しかしながら、基材表面を粗化すると、微細配線を形成することが難しくなり、また、高周波伝送特性が劣化するなどの課題がある。このため、粗化の程度を小さくすることが検討されているが、低粗化の場合には、形成された配線と基材間の必要な密着強度が得られないという問題があった。 In the semi-additive method, a method is known in which a conductive seed layer is formed on an insulating base material by electroless copper plating or electroless nickel plating using a palladium catalyst. In these methods, for example, when using a build-up film, in order to ensure adhesion between the film base material and the copper plating film, the surface of the base material is roughened using a strong chemical such as permanganic acid, which is called desmear roughening. By forming a plating film from within the formed voids, the anchor effect is utilized to ensure adhesion between the insulating base material and the plating film. However, when the surface of the base material is roughened, it becomes difficult to form fine wiring, and there are also problems such as deterioration of high frequency transmission characteristics. For this reason, attempts have been made to reduce the degree of roughening, but in the case of low roughening, there is a problem in that the required adhesion strength between the formed wiring and the base material cannot be obtained.

一方、ポリイミドフィルム上に無電解ニッケルめっきを施して導電シードを形成する技術も知られている。この場合には、ポリイミドフィルムを強アルカリに浸漬することによって、表層のイミド環を開環させてフィルム表面を親水性化すると同時に、水の浸透する改質層を形成し、当該改質層中にパラジウム触媒を浸透させて、無電解ニッケルめっきを行うことによってニッケルのシード層を形成している(例えば、特許文献1参照。)。本技術においては、ポリイミド最表層の改質層中からニッケルめっきが形成されることによって密着強度を得ているが、当該改質層は、イミド環を開環させた状態であるため、フィルム表層が物理的、化学的に弱い構造になるという問題があった。 On the other hand, a technique is also known in which conductive seeds are formed by electroless nickel plating on a polyimide film. In this case, by immersing the polyimide film in a strong alkali, the imide ring on the surface layer is opened to make the film surface hydrophilic, and at the same time, a modified layer through which water permeates is formed, and the modified layer is A nickel seed layer is formed by permeating a palladium catalyst into the metal and performing electroless nickel plating (for example, see Patent Document 1). In this technology, adhesion strength is obtained by forming nickel plating from the modified layer on the outermost surface of the polyimide, but since the modified layer is in an open state of imide rings, the surface layer of the film There was a problem that the structure was physically and chemically weak.

これに対し、表面粗化、もしくは、表層に改質層を形成しない方法として、スパッタ法によって絶縁性基材上にニッケル、もしくはチタン等の導電性シードを形成する方法も知られている(例えば、特許文献2参照。)。この方法は、基材表面を粗化することなくシード層を形成することが可能であるが、高価な真空装置を用いる必要があり、大きな初期投資が必要であること、基材サイズや形状に制限があること、生産性が低い煩雑な工程であることなどが問題であった。 On the other hand, as a method that does not roughen the surface or form a modified layer on the surface layer, a method is known in which conductive seeds such as nickel or titanium are formed on an insulating substrate by sputtering (for example, , see Patent Document 2). This method allows the formation of a seed layer without roughening the surface of the substrate, but it requires the use of expensive vacuum equipment, a large initial investment, and there are problems with the size and shape of the substrate. Problems include limitations and a complicated process with low productivity.

スパッタ法の課題を解決する方法として、金属粒子を含有する導電性インクの塗工層を導電性シード層として利用する方法が提案されている(例えば、特許文献3参照。)。この技術においては、フィルムもしくはシートからなる絶縁性基材上に、1~500nmの粒子径をもつ金属粒子を分散させた導電性インクを塗工し、熱処理を行うことにより、前記塗工された導電性インク中の金属粒子を金属層として絶縁性の基材上に固着させて導電シード層を形成し、さらに当該導電シード層上にめっきを行う技術が開示されている。 As a method for solving the problems of the sputtering method, a method has been proposed in which a coating layer of conductive ink containing metal particles is used as a conductive seed layer (see, for example, Patent Document 3). In this technology, a conductive ink in which metal particles having a particle size of 1 to 500 nm are dispersed is coated on an insulating base material made of a film or sheet, and heat treatment is performed. A technique has been disclosed in which metal particles in a conductive ink are fixed as a metal layer on an insulating base material to form a conductive seed layer, and further, plating is performed on the conductive seed layer.

特許文献3においては、セミアディティブ法によるパターン形成が提案されており、実施例において、銅の粒子を分散させた導電性インクを塗工し、熱処理を行って銅の導電シード層を形成した基材をセミアディティブ工法用の基材として用い、導電シード層上に、感光性レジストを形成し、露光、現像を経て、パターン形成部を電解銅めっきで厚膜化、レジストを剥離した後、銅の導電シード層をエッチング除去することが記載されている。また、従来から検討されてきたセミアディティブ工法によるプリント配線板形成の場合には、絶縁性基材上に、薄い銅箔、もしくは、銅めっき膜を導電性シードとして設けた基材が、セミアディティブ工法用の基材として用いられている。
この様に、銅の導電性シード層と銅の回路パターンの組み合わせの様に、導電性シード層と回路パターンの導電層が同じ金属で形成されている場合、非パターン形成部の導電性シード層を除去する際、回路パターンの導電層も、同時にエッチングされてしまうため、回路パターンが細く、薄くなり、かつ、回路導電層の表面粗度も大きくなることが知られており、高密度配線、高周波伝送用配線を製造する上で解決すべき課題であった。
これらの課題に対し、本発明者らは、絶縁性基材の表面上に、導電性の銀粒子層を形成した基材をセミアディティブ工法用の基材として用いることによって、シード層エッチング工程において、回路パターンの細りや、薄膜化が起こらず設計再現性が良く、平滑な回路層表面を有するプリント配線板を形成する技術を発明している。(非特許文献1、2)
当該技術は、片面での回路形成だけでなく、両面で回路を形成することが可能であるが、両面の回路を接続するために、導電性の銀粒子層を絶縁性基材の両面に有するセミアディティブ工法用基材にホールを形成して両面接続を行う場合、従来用いられている、ダイレクトめっき法による両面の電気的接続工程を行うと、導電性シード層上に吸着させた、パラジウム、導電性ポリマー、カーボン等の導電性物質を除去するマイクロエッチング工程において、導電性の銀粒子層が損傷して導電性が低下するために、回路パターン形成の導電性シード層として用いることが困難になる場合があった。
Patent Document 3 proposes pattern formation by a semi-additive method, and in an example, a base is coated with conductive ink in which copper particles are dispersed, and a conductive seed layer of copper is formed by heat treatment. A photosensitive resist is formed on the conductive seed layer using the material as a base material for the semi-additive method. After exposure and development, the pattern forming area is thickened with electrolytic copper plating. After peeling off the resist, copper etching away the conductive seed layer is described. In addition, in the case of printed wiring board formation using the semi-additive method that has been studied in the past, semi-additive It is used as a base material for construction methods.
In this way, when the conductive seed layer and the conductive layer of the circuit pattern are formed of the same metal, as in the case of a combination of a copper conductive seed layer and a copper circuit pattern, the conductive seed layer in the non-patterned area It is known that when removing the circuit pattern, the conductive layer of the circuit pattern is also etched at the same time, resulting in the circuit pattern becoming thinner and thinner, and the surface roughness of the circuit conductive layer also increasing. This was a problem that needed to be solved in manufacturing wiring for high-frequency transmission.
In order to solve these problems, the present inventors used a base material in which a conductive silver particle layer was formed on the surface of an insulating base material as a base material for the semi-additive method, thereby improving the seed layer etching process. , has invented a technique for forming printed wiring boards that do not cause thinning of circuit patterns or thinning of the film, have good design reproducibility, and have smooth circuit layer surfaces. (Non-patent documents 1, 2)
This technology allows circuits to be formed not only on one side but also on both sides. In order to connect circuits on both sides, conductive silver particle layers are provided on both sides of the insulating base material. When making double-sided connections by forming holes in the base material for semi-additive construction, if you perform the conventional double-sided electrical connection process by direct plating, palladium, adsorbed on the conductive seed layer, In the micro-etching process that removes conductive substances such as conductive polymers and carbon, the conductive silver particle layer is damaged and its conductivity decreases, making it difficult to use it as a conductive seed layer for circuit pattern formation. There were cases where it happened.

国際公開第2009/004774号International Publication No. 2009/004774 特開平9-136378号公報Japanese Patent Application Publication No. 9-136378 特開2010-272837号公報Japanese Patent Application Publication No. 2010-272837 村川昭,深澤憲正,冨士川亘,白髪潤:“銀ナノ粒子を下地としたセミアディティブ法による銅パターン形成技術”,第28回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集,pp285-288, 2018.Akira Murakawa, Norimasa Fukasawa, Wataru Fujikawa, Jun Shiraga: “Copper pattern formation technology using a semi-additive method using silver nanoparticles as a base,” Proceedings of the 28th Microelectronics Symposium, pp285-288, 2018. 村川昭,新林昭太,深澤憲正,冨士川亘,白髪潤,:“銀をシード層としたセミアディティブ法による銅配線形成”,第33回エレクトロニクス実装学会春季講演大会論文集,11B2-03,2019.Akira Murakawa, Shota Shinbayashi, Norimasa Fukasawa, Wataru Fujikawa, Jun Shiraga: “Copper wiring formation by semi-additive method using silver as a seed layer”, Proceedings of the 33rd Spring Conference of the Electronics Packaging Society, 11B2-03, 2019.

本発明が解決しようとする課題は、クロム酸や過マンガン酸による表面粗化、アルカリによる表面改質層形成などを必要とせず、真空装置を用いることなく、基材と導体回路との高い密着性を有し、アンダーカットが少なく、設計再現性の良い、回路配線として良好な矩形の断面形状を有する配線を形成できる両面接続用の平面状セミアディティブ工法用積層体、及びそれを用いたプリント配線板を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to achieve high adhesion between the base material and the conductor circuit without the need for surface roughening with chromic acid or permanganic acid or the formation of a surface modification layer with alkali, and without using a vacuum device. A planar semi-additive construction method laminate for double-sided connection that can form wiring with a rectangular cross-sectional shape suitable for circuit wiring, with low undercuts, good design reproducibility, and prints using the same. The purpose of the present invention is to provide wiring boards.

本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究した結果、絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体を用いることにより、複雑な表面粗化や表面改質層形成を必要とせず、真空装置を用いることなく、基材と導体回路との高い密着性を有し、アンダーカットが少なく、設計再現性の良い、回路配線として良好な矩形の断面形状を有する、両面接続されたプリント配線板を形成できることを見出し、本発明を完成した。 As a result of intensive research to solve the above problems, the present inventors have found that a conductive silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) are sequentially formed on both surfaces of an insulating base material (A). By using a laminate in which the copper layer (M2) has a layer thickness of 0.1 μm to 2 μm, there is no need for complicated surface roughening or surface modification layer formation, and there is no need to use a vacuum device. It was discovered that it is possible to form a double-sided printed wiring board that has high adhesion between the base material and the conductor circuit, has few undercuts, has good design reproducibility, and has a rectangular cross-sectional shape that is suitable for circuit wiring. , completed the invention.

すなわち、本発明は、
1.基材の両面を電気的に接続するための平面状のセミアディティブ工法用積層体であって、
絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、
前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmであることを特徴とするセミアディティブ工法用積層体。
That is, the present invention
1. A planar semi-additive construction laminate for electrically connecting both sides of a base material,
A conductive silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) are sequentially laminated on both surfaces of the insulating base material (A),
A laminate for semi-additive construction, characterized in that the copper layer (M2) has a layer thickness of 0.1 μm to 2 μm.

2.前記絶縁性基材層(A)と、導電性の銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を有することを特徴とする1記載のセミアディティブ工法用積層体。 2. 2. The laminate for semi-additive construction according to 1, further comprising a primer layer (B) between the insulating base material layer (A) and the conductive silver particle layer (M1).

3.基材の両面を電気的に接続するための平面状のセミアディティブ工法用積層体であって、
絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)を有し、
さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれかにより導電性が確保された基材であることを特徴とするセミアディティブ工法用積層体。
3. A planar semi-additive construction laminate for electrically connecting both sides of a base material,
Having a conductive silver particle layer (M1) on both surfaces of the insulating base material (A),
Furthermore, the semi-additive material has a through hole connecting both sides of the insulating base material, and the surface of the through hole is a base material whose conductivity is ensured by palladium, a conductive polymer, or carbon. Laminated body for construction method.

4.前記絶縁性基材(A)と、導電性の銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を有することを特徴とする3記載のセミアディティブ工法用積層体。 4. 4. The laminate for semi-additive construction according to 3, further comprising a primer layer (B) between the insulating base material (A) and the conductive silver particle layer (M1).

5.前記銀粒子層(M1)を構成する銀粒子が、高分子分散剤で被覆されたものである1~4のいずれか1記載のセミアディティブ工法用積層体。 5. 5. The laminate for semi-additive construction according to any one of 1 to 4, wherein the silver particles constituting the silver particle layer (M1) are coated with a polymer dispersant.

6.前記2および前記4記載のプライマー層(B)が反応性官能基[X]を有する樹脂で構成される層であり、前記高分子分散剤が反応性官能基[Y]を有するものであり、前記反応性官能基[X]と前記反応性官能基[Y]とは反応により互いに結合を形成できるものである2または4記載のセミアディティブ工法用積層体。 6. The primer layer (B) described in 2 and 4 above is a layer composed of a resin having a reactive functional group [X], and the polymer dispersant has a reactive functional group [Y], 5. The laminate for semi-additive construction according to 2 or 4, wherein the reactive functional group [X] and the reactive functional group [Y] are capable of forming a bond with each other by reaction.

7.前記反応性官能基[Y]が、塩基性窒素原子含有基である6記載のセミアディティブ工法用積層体。 7. 7. The laminate for semi-additive construction according to 6, wherein the reactive functional group [Y] is a basic nitrogen atom-containing group.

8.前記反応性官能基[Y]を有する高分子分散剤が、ポリアルキレンイミン、及びオキシエチレン単位を含むポリオキシアルキレン構造を有するポリアルキレンイミンからなる群から選ばれる1種以上である6記載のセミアディティブ工法用積層体。 8. Semi according to 6, wherein the polymer dispersant having the reactive functional group [Y] is one or more selected from the group consisting of polyalkylene imine and polyalkylene imine having a polyoxyalkylene structure containing an oxyethylene unit. Laminate for additive construction method.

9.前記反応性官能基[X]が、ケト基、アセトアセチル基、エポキシ基、カルボキシル基、N-アルキロール基、イソシアネート基、ビニル基、(メタ)アクリロイル基、アリル基からなる群から選ばれる1種以上である6記載のセミアディティブ工法用積層体。 9. The reactive functional group [X] is selected from the group consisting of a keto group, an acetoacetyl group, an epoxy group, a carboxyl group, an N-alkylol group, an isocyanate group, a vinyl group, a (meth)acryloyl group, and an allyl group. 6. The laminate for semi-additive construction method according to 6, which is a type or more.

10.1~9のいずれか1つ記載のセミアディティブ工法用積層体を用いて形成されたことを特徴とするプリント配線板。 10. A printed wiring board, characterized in that it is formed using the laminate for semi-additive construction method according to any one of items 1 to 9.

11.基材の両面が電気的に接続されたプリント配線板であって、
絶縁性基材(A)に、銀粒子層(M1)、及び導電層(M3)が、順次積層された配線部と、絶縁性基材両面を接続する貫通孔をパラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれか1種、及び、銅層が積層された両面接続構造を有することを特徴とする10記載のプリント配線板。
11. A printed wiring board in which both sides of the base material are electrically connected,
A wiring part in which a silver particle layer (M1) and a conductive layer (M3) are sequentially laminated on an insulating base material (A) and a through hole connecting both sides of the insulating base material are made of palladium, conductive polymer, or carbon. 11. The printed wiring board according to 10, having a double-sided connection structure in which any one of the following and a copper layer are laminated.

12.絶縁性基材(A)と、銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を有することを特徴とする11記載のプリント配線板。 12. 12. The printed wiring board according to 11, further comprising a primer layer (B) between the insulating base material (A) and the silver particle layer (M1).

13.絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材の表面上に、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれかを付与して、貫通孔表面を導電化する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
を有することを特徴とする請求項3~9いずれか1項記載のセミアディティブ工法用積層体の製造方法。
13. A silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) are sequentially laminated on both surfaces of the insulating base material (A), and the layer thickness of the copper layer (M2) is 0.1 μm to 2 μm. Step 1 of forming a through hole penetrating both sides of the laminate;
Step 2 of applying palladium, a conductive polymer, or carbon to the surface of the base material having the through hole to make the surface of the through hole electrically conductive;
Step 3 of etching the copper layer (M2) to expose the conductive silver particle layer (M1);
The method for producing a laminate for semi-additive construction method according to any one of claims 3 to 9, characterized in that the method comprises:

14.絶縁性基材(A)と、銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を積層することを特徴とする13記載のセミアディティブ工法用積層体の製造方法。 14. 14. The method for producing a laminate for semi-additive construction according to 13, further comprising laminating a primer layer (B) between the insulating base material (A) and the silver particle layer (M1).

15.絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材の表面上に、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれかを付与して、貫通孔表面を導電化する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に、パターンレジストを形成する工程4、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M3)形成を行う工程5、
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程6
を有することを特徴とする10記載のプリント配線板の製造方法。
15. A silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) are sequentially laminated on both surfaces of the insulating base material (A), and the layer thickness of the copper layer (M2) is 0.1 μm to 2 μm. Step 1 of forming a through hole penetrating both sides of the laminate;
Step 2 of applying palladium, a conductive polymer, or carbon to the surface of the base material having the through hole to make the surface of the through hole electrically conductive;
Step 3 of etching the copper layer (M2) to expose the conductive silver particle layer (M1);
Step 4 of forming a pattern resist on the conductive silver particle layer (M1);
Step 5 of electrically connecting both sides of the base material and forming a conductive layer (M3) of a circuit pattern by electrolytic copper plating;
Step 6 of peeling off the pattern resist and removing the silver particle layer (M1) in the non-circuit pattern forming area with an etching solution
10. The method for manufacturing a printed wiring board according to 10, characterized in that it has the following.

16.前記絶縁性基材(A)と、銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を有することを特徴とする15記載のプリント配線板を提供するものである。 16. 15. The printed wiring board according to 15, further comprising a primer layer (B) between the insulating base material (A) and the silver particle layer (M1).

本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いることにより、真空装置を用いることなく、種々の平滑基材上に密着性の高い、平滑な表面を有する、良好な矩形断面形状の回路配線を有する両面接続したプリント配線板を、設計再現性良く製造することが可能である。従って、本発明の技術を用いることで、多層化された高密度、高性能、高周波伝送対応のプリント配線板を、低コストで提供することができ、プリント配線の分野におけて産業上の利用性が高い。また、本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いて製造されたプリント配線板は、通常のプリント配線板のみならず、基材表面にパターン化された金属層を有する種々の電子部材に用いることができ、例えば、コネクター、電磁波シールド、RFID等のアンテナ、フィルムコンデンサーなどにも応用できる。 By using the laminate for semi-additive construction of the present invention, it is possible to fabricate a double-sided structure with circuit wiring having a good rectangular cross-sectional shape, which has a smooth surface with high adhesion on various smooth substrates without using a vacuum device. It is possible to manufacture connected printed wiring boards with good design reproducibility. Therefore, by using the technology of the present invention, it is possible to provide a multilayer printed wiring board with high density, high performance, and high frequency transmission at a low cost, and it is suitable for industrial use in the field of printed wiring. Highly sexual. Furthermore, the printed wiring board manufactured using the semi-additive construction method laminate of the present invention can be used not only for ordinary printed wiring boards but also for various electronic components having a patterned metal layer on the surface of the base material. For example, it can be applied to connectors, electromagnetic shields, antennas such as RFID, film capacitors, etc.

図1は、請求項1に記載のセミアディティブ工法用積層体の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a laminate for semi-additive construction according to claim 1. 図2は、請求項2に記載の、図1の銀粒子層の上に、プライマー層を有するセミアディティブ工法用積層体の模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram of a laminate for semi-additive construction having a primer layer on the silver particle layer of FIG. 1, according to claim 2. 図3は、請求項3に記載のセミアディティブ工法用積層体の模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a laminate for semi-additive construction according to claim 3. 図4は、請求項4に記載の、図3の銀粒子層の上に、プライマー層を有するセミアディティブ工法用積層体の模式図であるFIG. 4 is a schematic diagram of a laminate for semi-additive construction having a primer layer on the silver particle layer of FIG. 3, according to claim 4. 図5は、図1に示したセミアディティブ工法用積層体を用いたプリント配線板作製の工程図である。FIG. 5 is a process diagram for manufacturing a printed wiring board using the semi-additive construction method laminate shown in FIG.

本発明のセミアディティブ工法用積層体は、絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、
前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmであることを特徴とするものである。
The laminate for semi-additive construction of the present invention has a conductive silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) sequentially laminated on both surfaces of an insulating base material (A),
The layer thickness of the copper layer (M2) is 0.1 μm to 2 μm.

また、本発明のより好ましい態様のセミアディティブ工法用積層体は、前記絶縁性基材層(A)と、導電性の銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を有することを特徴とするものである。 Further, the laminate for semi-additive construction according to a more preferred embodiment of the present invention further includes a primer layer (B) between the insulating base material layer (A) and the conductive silver particle layer (M1). It is characterized by:

前記絶縁性基材(A)の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン(ABS)樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリ(メタ)アクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリフッ化ビニリデン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、アクリル樹脂をグラフト共重合化した塩化ビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ウレタン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン、液晶ポリマー(LCP)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリフェニレンスルホン(PPSU)、セルロースナノファイバー、シリコン、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、サファイア、セラミックス、ガラス、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)、アルミナ等が挙げられる。 Examples of the material of the insulating base material (A) include polyimide resin, polyamideimide resin, polyamide resin, polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polycarbonate resin, acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS). Graft copolymerization of resins, polyarylate resins, polyacetal resins, acrylic resins such as poly(meth)methyl acrylate, polyvinylidene fluoride resins, polytetrafluoroethylene resins, polyvinyl chloride resins, polyvinylidene chloride resins, and acrylic resins. Vinyl chloride resin, polyvinyl alcohol resin, polyethylene resin, polypropylene resin, urethane resin, cycloolefin resin, polystyrene, liquid crystal polymer (LCP), polyetheretherketone (PEEK) resin, polyphenylene sulfide (PPS), polyphenylene sulfone (PPSU), Examples include cellulose nanofiber, silicon, silicon carbide, gallium nitride, sapphire, ceramics, glass, diamond-like carbon (DLC), and alumina.

また、前記絶縁性基材(A)として、熱硬化性樹脂及び無機充填材を含有する樹脂基材を好適に用いることもできる。前記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和イミド樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、オキセタン樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、シリコーン樹脂、トリアジン樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。一方、前記無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ珪酸ガラス等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂と無機充填剤は、それぞれ1種で用いることも2種以上併用することもできる。 Moreover, a resin base material containing a thermosetting resin and an inorganic filler can also be suitably used as the insulating base material (A). Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, unsaturated imide resin, cyanate resin, isocyanate resin, benzoxazine resin, oxetane resin, amino resin, unsaturated polyester resin, allyl resin, dicyclopentadiene resin, Examples include silicone resin, triazine resin, and melamine resin. On the other hand, examples of the inorganic filler include silica, alumina, talc, mica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, aluminum borate, and borosilicate glass. These thermosetting resins and inorganic fillers can be used alone or in combination of two or more.

前記絶縁性基材(A)の形態としては、平面状のフレキシブル材、リジッド材、リジッドフレキシブル材のいずれのものも用いることができる。より具体的には、前記絶縁性基材(A)にフィルム、シート、板状に成形された市販材料を用いてもよいし、上記した樹脂の溶液、溶融液、分散液から、平面状に成形した材料を用いてもよい。また、前記絶縁性基材(A)は、金属等の導電性材料の上に、上記した樹脂の材料を形成した基材であってもよく、回路パターンが形成されたプリント配線板の上に、上記した樹脂の材料を積層形成した基材であっても良い。 As for the form of the insulating base material (A), any one of a planar flexible material, a rigid material, and a rigid flexible material can be used. More specifically, the insulating substrate (A) may be a commercially available material molded into a film, sheet, or plate shape, or may be formed into a planar shape from a solution, melt, or dispersion of the resin described above. Molded materials may also be used. Further, the insulating base material (A) may be a base material in which the above-described resin material is formed on a conductive material such as metal, or a printed wiring board on which a circuit pattern is formed. , a base material formed by laminating the above resin materials may also be used.

前記銀粒子層(M1)は、本発明のプリント配線板用積層体を用いて、プリント配線板を製造する際に、後述する配線パターンとなる導電層(M3)をめっき工程により形成する際のめっき下地層となる。 The silver particle layer (M1) is formed during the formation of a conductive layer (M3), which will become a wiring pattern to be described later, by a plating process when manufacturing a printed wiring board using the printed wiring board laminate of the present invention. Becomes the plating base layer.

前記銀粒子層(M1)を構成する銀粒子には、後述するめっき工程が問題なく実施できる範囲で、銀以外の金属粒子を含有することができるが、銀以外の金属粒子の割合は、、後述する非回路形成部のエッチング除去性をより向上できることから、銀100質量部に対して5質量部以下が好ましく、2質量部以下がより好ましい。 The silver particles constituting the silver particle layer (M1) may contain metal particles other than silver, as long as the plating process described below can be carried out without problems, but the proportion of metal particles other than silver is as follows: Since the etching removability of non-circuit forming portions, which will be described later, can be further improved, the content is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of silver.

前記銀粒子層(M1)を、平面状の前記絶縁性基材(A)の両面に形成する方法としては、例えば、前記絶縁性基材(A)上の両面に、銀粒子分散液を塗工する方法が挙げられる。前記銀粒子分散液の塗工方法は、銀粒子層(M1)が良好に形成できれば特に制限はなく、種々の塗工方法を、用いる絶縁性基材(A)の形状、サイズ、剛柔の度合いなどによって適宜選択すればよい。具体的な塗工方法としては、例えば、グラビア法、オフセット法、フレキソ法、パッド印刷法、グラビアオフセット法、凸版法、凸版反転法、スクリーン法、マイクロコンタクト法、リバース法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、インクジェット法、ダイコーター法、スピンコーター法、バーコーター法、ディップコーター法等が挙げられる。この際、前記銀粒子層(M1)は、前記絶縁性基材(A)の両面に同時形成してもよいし、前記絶縁性基材(A)の片面に形成した後、他方の面に形成してもよい。 As a method for forming the silver particle layer (M1) on both sides of the planar insulating base material (A), for example, a silver particle dispersion may be applied to both sides of the insulating base material (A). One example is the method of engineering. The coating method of the silver particle dispersion is not particularly limited as long as the silver particle layer (M1) can be formed satisfactorily, and various coating methods can be used depending on the shape, size, stiffness, etc. of the insulating substrate (A) to be used. It may be selected appropriately depending on the degree. Specific coating methods include, for example, gravure method, offset method, flexographic method, pad printing method, gravure offset method, letterpress method, letterpress reversal method, screen method, microcontact method, reverse method, air doctor coater method, Blade coater method, air knife coater method, squeeze coater method, impregnation coater method, transfer roll coater method, kiss coater method, cast coater method, spray coater method, inkjet method, die coater method, spin coater method, bar coater method, dip coater method etc. At this time, the silver particle layer (M1) may be formed on both sides of the insulating base material (A) at the same time, or it may be formed on one side of the insulating base material (A) and then on the other side. may be formed.

前記絶縁性基材(A)、及び、前記絶縁性基材(A)上に形成されたプライマー層(B)は、銀粒子分散液の塗工性向上、めっき工程で形成する導電層(M3)の基材への密着性を向上させる目的で、銀粒子分散液を塗工する前に、表面処理を行ってもよい。前記絶縁性基材(A)の表面処理方法としては、表面の粗度が大きくなって、ファインピッチパターン形成性や粗面による信号伝送ロスが問題とならない限りは特に制限はなく、種々の方法を適宜選択すればよい。このような表面処理方法としては、例えば、UV処理、気相オゾン処理、液層オゾン処理、コロナ処理、プラズマ処理等が挙げられる。これらの表面処理方法は、1種の方法で行うことも2種以上の方法を併用することもできる。 The insulating base material (A) and the primer layer (B) formed on the insulating base material (A) improve the coating properties of the silver particle dispersion and serve as a conductive layer (M3) formed in the plating process. ) For the purpose of improving the adhesion to the substrate, surface treatment may be performed before applying the silver particle dispersion. The surface treatment method for the insulating base material (A) is not particularly limited as long as the surface roughness becomes large and fine pitch pattern formability and signal transmission loss due to the rough surface do not become a problem, and various methods may be used. may be selected appropriately. Examples of such surface treatment methods include UV treatment, gas phase ozone treatment, liquid phase ozone treatment, corona treatment, plasma treatment, and the like. These surface treatment methods can be performed by one type of method or two or more types of methods can be used in combination.

前記銀粒子分散液を前記絶縁性基材(A)上、もしくは前記プライマー層(B)上に塗工した後、塗工膜を乾燥することにより、銀粒子分散液に含まれる溶媒が揮発し、前記絶縁性基材(A)上、もしくは前記プライマー層(B)上に前記銀粒子層(M1)が形成される。 After coating the silver particle dispersion on the insulating substrate (A) or the primer layer (B), the solvent contained in the silver particle dispersion is volatilized by drying the coating film. , the silver particle layer (M1) is formed on the insulating base material (A) or on the primer layer (B).

上記の乾燥の温度及び時間は、使用する基材の耐熱温度、後述する前記金属粒子分散液に使用する溶媒の種類に応じて適宜選択すればよいが、20~350℃の範囲で、時間は1~200分の範囲が好ましい。また、基材上に密着性に優れた銀粒子層(M1)を形成するために、前記乾燥の温度は0~250℃の範囲がより好ましい。 The above drying temperature and time may be appropriately selected depending on the heat resistant temperature of the base material used and the type of solvent used in the metal particle dispersion, which will be described later. A range of 1 to 200 minutes is preferred. Further, in order to form a silver particle layer (M1) with excellent adhesion on the substrate, the drying temperature is more preferably in the range of 0 to 250°C.

前記銀粒子層(M1)を形成した前記絶縁性基材(A)、もしくは前記プライマー層(B)を形成した前記絶縁性基材(A)は、必要に応じ、上記の乾燥後、銀粒子層の電気抵抗を低下させる目的や、前記絶縁性基材(A)、もしくは、前記プライマー層(B)と前記銀粒子層(M1)との密着性を向上させる目的で、さらにアニーリングを行ってもよい。アニーリングの温度と時間は、使用する基材の耐熱温度、必要とする電気抵抗、生産性等に応じて適宜選択すればよく、60~350℃の範囲で1分~2週間の時間行えばよい。また、60~180℃の温度範囲では、1分~2週間の時間が好ましく、180~350℃の範囲では、1分~5時間程度とするのが好ましい。 The insulating base material (A) on which the silver particle layer (M1) is formed or the insulating base material (A) on which the primer layer (B) is formed may be coated with silver particles after drying as necessary. Further annealing is performed for the purpose of lowering the electrical resistance of the layer and improving the adhesion between the insulating base material (A) or the primer layer (B) and the silver particle layer (M1). Good too. The temperature and time of annealing may be appropriately selected depending on the heat resistance temperature of the base material used, the required electrical resistance, productivity, etc., and may be performed for 1 minute to 2 weeks at a temperature of 60 to 350°C. . Further, in the temperature range of 60 to 180°C, the time is preferably 1 minute to 2 weeks, and in the temperature range of 180 to 350°C, the time is preferably about 1 minute to 5 hours.

上記の乾燥は、送風を行ってもよいし、特に送風を行わなくてもよい。また、乾燥は、大気中で行ってもよいし、窒素、アルゴン等の不活性ガスの置換雰囲気下、もしくは気流下で行ってもよく、真空下で行ってもよい。 The above-mentioned drying may be carried out by blowing air or without blowing air. Further, drying may be performed in the air, under an atmosphere of replacement with an inert gas such as nitrogen or argon, under an air flow, or under vacuum.

塗工膜の乾燥は、塗工場所での自然乾燥の他、送風、定温乾燥器などの乾燥器内で行うことができる。また、前記絶縁性基材(A)がロールフィルムやロールシートの場合には、塗工工程に続けて、設置された非加熱または加熱空間内でロール材を連続的に移動させることにより、乾燥・焼成を行うことができる。この際の乾燥・焼成の加熱方法としては、例えば、オーブン、熱風式乾燥炉、赤外線乾燥炉、レーザー照射、マイクロウェーブ、光照射(フラッシュ照射装置)等を用いる方法が挙げられる。これらの加熱方法は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。 The coating film can be dried naturally at the coating site, or by blowing air or in a dryer such as a constant temperature dryer. In addition, when the insulating base material (A) is a roll film or a roll sheet, following the coating process, the roll material can be dried by continuously moving it in an installed non-heated or heated space.・Can be fired. Examples of heating methods for drying and baking include methods using an oven, hot air drying furnace, infrared drying furnace, laser irradiation, microwave, light irradiation (flash irradiation device), and the like. These heating methods can be used alone or in combination of two or more.

前記絶縁性基材(A)上、もしくは前記プライマー層(B)上に形成される前記金属粒子層(M1)の形成量は、0.01~30g/mの範囲が好ましく、0.01~10g/mの範囲がより好ましい。また、後述するめっき工程による導電層(M3)の形成が容易となり、後述するエッチングによるシード層除去工程が容易となることから、0.05~5g/mの範囲がさらに好ましい。The amount of the metal particle layer (M1) formed on the insulating base material (A) or the primer layer (B) is preferably in the range of 0.01 to 30 g/m 2 , and 0.01 to 30 g/m 2 . The range of ˜10 g/m 2 is more preferable. Further, the range of 0.05 to 5 g/m 2 is more preferable because it facilitates the formation of the conductive layer (M3) by the plating process described later and the seed layer removal process by etching described later.

前記銀粒子層(M1)の形成量は、蛍光X線法、原子吸光法、ICP法等、公知慣用の分析手法を用いて確認することができる。 The amount of the silver particle layer (M1) formed can be confirmed using a known and commonly used analytical method such as a fluorescent X-ray method, an atomic absorption method, an ICP method, or the like.

また、後述するレジスト層に活性光で回路パターンを露光する工程において、前記銀粒子層(M1)からの活性光の反射を抑制する目的で、前記銀粒子層(M1)を形成でき、後述する電解めっきが問題なく実施でき、後述するエッチング除去性を確保できる範囲で、前記銀粒子層(M1)中に前記活性光を吸収するグラファイトやカーボン、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、ジチオール金属錯体、ナフトキノン化合物、ジインモニウム化合物、アゾ化合物等の光を吸収する顔料、又は色素を光吸収剤として含有させてもよい。これらの顔料や色素は、使用する前記活性光の波長に合わせて適宜選択すればよい。また、これらの顔料や色素は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。さらに、前記銀粒子層(M1)中にこれらの顔料や色素を含有されるためには、後述する銀粒子分散液にこれらの顔料や色素を配合すればよい。 Further, in the step of exposing a circuit pattern to active light on a resist layer, which will be described later, the silver particle layer (M1) can be formed for the purpose of suppressing reflection of active light from the silver particle layer (M1), which will be described later. Graphite, carbon, a cyanine compound, a phthalocyanine compound, a dithiol metal complex, a naphthoquinone compound that absorbs the active light is included in the silver particle layer (M1) as long as electrolytic plating can be carried out without problems and the etching removability described below can be ensured. , a diimmonium compound, an azo compound, or other light-absorbing pigment or dye may be included as a light-absorbing agent. These pigments and dyes may be appropriately selected depending on the wavelength of the active light used. Further, these pigments and dyes can be used alone or in combination of two or more. Furthermore, in order to contain these pigments and dyes in the silver particle layer (M1), these pigments and dyes may be blended into the silver particle dispersion liquid described below.

前記銀粒子層(M1)を形成するために用いる銀粒子分散液は、銀粒子が溶媒中に分散したものである。前記銀粒子の形状としては、銀粒子層(M1)を良好に形成するものであれば特に制限はなく、球状、レンズ状、多面体状、平板状、ロッド状、ワイヤー状など、種々の形状の銀粒子を用いることができる。これらの銀粒子は、単一形状の1種で用いることも、形状が異なる2種以上を併用することもできる。 The silver particle dispersion liquid used to form the silver particle layer (M1) is one in which silver particles are dispersed in a solvent. The shape of the silver particles is not particularly limited as long as it can form the silver particle layer (M1) well, and various shapes such as spherical, lens-like, polyhedral, flat, rod-like, and wire-like shapes may be used. Silver particles can be used. These silver particles can be used in one type having a single shape, or in combination of two or more types having different shapes.

前記銀粒子の形状が球状や多面体状である場合には、その平均粒子径が1~20,000nmの範囲のものが好ましい。また、微細な回路パターンを形成する場合には、銀粒子層(M1)の均質性がより向上し、後述するエッチング液による除去性もより向上できることから、その平均粒子径が1~200nmの範囲のものがより好ましく、1~50nmの範囲のものがさらに好ましい。なお、ナノメートルサイズの粒子に関する「平均粒子径」は、前記金属粒子を分散良溶媒で希釈し、動的光散乱法により測定した体積平均値である。この測定にはマイクロトラック社製「ナノトラックUPA-150」を用いることができる。 When the shape of the silver particles is spherical or polyhedral, the average particle diameter is preferably in the range of 1 to 20,000 nm. In addition, when forming a fine circuit pattern, the homogeneity of the silver particle layer (M1) is further improved, and the removability with the etching solution described later can be further improved, so the average particle size is in the range of 1 to 200 nm. It is more preferable that the particle diameter is in the range of 1 to 50 nm. Note that the "average particle diameter" regarding nanometer-sized particles is a volume average value measured by a dynamic light scattering method after diluting the metal particles with a good dispersion solvent. For this measurement, "Nanotrack UPA-150" manufactured by Microtrack Co., Ltd. can be used.

一方、銀粒子がレンズ状、ロッド状、ワイヤー状などの形状を有する場合には、その短径が1~200nmの範囲のものが好ましく、2~100nmの範囲のものがより好ましく、5~50nmの範囲のものがさらに好ましい。 On the other hand, when the silver particles have a shape such as a lens shape, a rod shape, or a wire shape, the short axis thereof is preferably in the range of 1 to 200 nm, more preferably in the range of 2 to 100 nm, and more preferably in the range of 5 to 50 nm. More preferably, the range is .

前記銀粒子は、銀粒子を主成分とするものが好ましいが、後述するめっき工程を阻害したり、後述する前記銀粒子層(M1)のエッチング液による除去性が損なわれたりしない限りは、前記銀粒子を構成する銀の一部が他の金属で置換されたり、銀以外の金属成分が混合されていてもよい。 The silver particles are preferably those mainly composed of silver particles, but as long as they do not interfere with the plating process described below or impair the removability of the silver particle layer (M1) with an etching solution described below, A part of the silver constituting the silver particles may be replaced with another metal, or a metal component other than silver may be mixed.

置換又は混合される金属としては、金、白金、パラジウム、ルテニウム、スズ、銅、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、インジウム及びイリジウムからなる群より選ばれる1種以上の金属元素が挙げられる。 Examples of the metal to be substituted or mixed include one or more metal elements selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, ruthenium, tin, copper, nickel, iron, cobalt, titanium, indium, and iridium.

前記銀粒子に対して、置換又は混合される金属の比率は、前記銀粒子中に5質量%以下が好ましく、前記銀粒子層(M1)のめっき性、エッチング液による除去性の観点から2質量%以下がより好ましい。 The ratio of the metal substituted or mixed with the silver particles is preferably 5% by mass or less in the silver particles, and from the viewpoint of the plating property of the silver particle layer (M1) and the removability with an etching solution, the ratio of the metal is 2% by mass or less. % or less is more preferable.

前記銀粒子層(M1)を形成するために用いる銀粒子分散液は、銀粒子を各種溶媒中に分散したものであり、その分散液中の銀粒子の粒径分布は、単分散で揃っていてもよく、また、上記の平均粒子径の範囲である粒子の混合物であってもよい。 The silver particle dispersion liquid used to form the silver particle layer (M1) is one in which silver particles are dispersed in various solvents, and the particle size distribution of the silver particles in the dispersion liquid is monodispersed and uniform. Alternatively, it may be a mixture of particles having an average particle size within the above range.

前記銀粒子の分散液に用いる溶媒としては、水性媒体や有機溶剤を使用することができる。前記水性媒体としては、例えば、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水、及び、前記水と混和する有機溶剤との混合物が挙げられる。 As the solvent used for the silver particle dispersion, an aqueous medium or an organic solvent can be used. Examples of the aqueous medium include distilled water, ion-exchanged water, pure water, ultrapure water, and a mixture with an organic solvent that is miscible with the water.

前記の水と混和する有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、エチルカルビトール、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のアルコール溶剤;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のアルキレングリコール溶剤;ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のポリアルキレングリコール溶剤;N-メチル-2-ピロリドン等のラクタム溶剤などが挙げられる。
また、前記有機溶剤としては、アルコール化合物、エーテル化合物、エステル化合物、ケトン化合物等が挙げられる。
Examples of the water-miscible organic solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, ethyl carbitol, ethyl cellosolve, and butyl cellosolve; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethylene glycol, diethylene glycol, and propylene. Examples include alkylene glycol solvents such as glycol; polyalkylene glycol solvents such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polytetramethylene glycol; and lactam solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone.
Further, examples of the organic solvent include alcohol compounds, ether compounds, ester compounds, ketone compounds, and the like.

前記アルコール溶剤又はエーテル溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロピルアルコール、n-ブタノール、イソブチルアルコール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、ヘプタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ステアリルアルコール、アリルアルコール、シクロヘキサノール、テルピネオール、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the alcohol solvent or ether solvent include methanol, ethanol, n-propanol, isopropyl alcohol, n-butanol, isobutyl alcohol, sec-butanol, tert-butanol, heptanol, hexanol, octanol, nonanol, decanol, undecanol, dodecanol. , tridecanol, tetradecanol, pentadecanol, stearyl alcohol, allyl alcohol, cyclohexanol, terpineol, terpineol, dihydroterpineol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, Propylene glycol, dipropylene glycol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2,3-butanediol, glycerin, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol Monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monopropyl Examples include ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monobutyl ether, and the like.

前記ケトン溶剤としては、例えば、アセトン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等が挙げられる。また、前記エステル溶剤としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、3―メトキシブチルアセテート、3-メトキシ-3-メチル-ブチルアセテート等が挙げられる。さらに、その他の有機溶剤として、トルエン等の炭化水素溶剤、特に炭素原子数8以上の炭化水素溶剤が挙げられる。 Examples of the ketone solvent include acetone, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, and the like. Further, examples of the ester solvent include ethyl acetate, butyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methoxy-3-methyl-butyl acetate, and the like. Further, other organic solvents include hydrocarbon solvents such as toluene, particularly hydrocarbon solvents having 8 or more carbon atoms.

前記炭素原子数8以上の炭化水素溶剤としては、例えば、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、シクロオクタン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ドデシルベンゼン、テトラリン、トリメチルベンゼンシクロヘキサン等の非極性溶剤が挙げられ、他の溶媒と必要に応じて組み合わせて用いることができる。さらに、混合溶剤であるミネラルスピリット、ソルベントナフサ等の溶媒を併用することもできる。 Examples of the hydrocarbon solvent having 8 or more carbon atoms include non-polar solvents such as octane, nonane, decane, dodecane, tridecane, tetradecane, cyclooctane, xylene, mesitylene, ethylbenzene, dodecylbenzene, tetralin, trimethylbenzenecyclohexane, etc. and can be used in combination with other solvents as necessary. Furthermore, a mixed solvent such as mineral spirit or solvent naphtha can also be used in combination.

前記溶媒は、銀粒子が安定に分散し、前記絶縁性基材(A)、もしくは、後述する前記絶縁性基材(A)上に形成されたプライマー層(B)上に、前記銀粒子層(M1)を良好に形成するものであれば特に制限はない。また、前記溶媒は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。 The silver particles are stably dispersed in the solvent, and the silver particle layer is formed on the insulating base material (A) or a primer layer (B) formed on the insulating base material (A), which will be described later. There is no particular restriction as long as it forms (M1) well. Moreover, the above-mentioned solvents can be used alone or in combination of two or more kinds.

前記銀粒子分散液中の銀粒子の含有率は、上記の種々の塗工方法を用いて前記絶縁性基材(A)上の前記銀粒子層(M1)の形成量が0.01~30g/mの範囲になるように適宜調整し、上記の種々の塗工方法に応じて最適な塗工適性を有する粘度になるように調整すればよいが、0.1~50質量%の範囲が好ましく、0.5~20質量%の範囲がより好ましい。The content of silver particles in the silver particle dispersion is such that the amount of silver particle layer (M1) formed on the insulating substrate (A) is 0.01 to 30 g using the various coating methods described above. / m2 , and adjust the viscosity to have the optimum coating suitability according to the various coating methods mentioned above, but the viscosity is in the range of 0.1 to 50% by mass. is preferable, and the range of 0.5 to 20% by mass is more preferable.

前記銀粒子分散液は、前記銀粒子が、前記の各種溶媒媒中で凝集、融合、沈殿することなく、長期間の分散安定性を保つことが好ましく、銀粒子を前記の各種溶媒中に分散させるための分散剤を含有することが好ましい。このような分散剤としては、金属粒子に配位する官能基を有する分散剤が好ましく、例えば、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アセトアセチル基、リン原子含有基、チオール基、チオシアナト基、グリシナト基等の官能基を有する分散剤が挙げられる。 The silver particle dispersion liquid preferably maintains long-term dispersion stability without agglomerating, coalescing, or precipitating the silver particles in the various solvents described above, and the silver particles are preferably dispersed in the various solvents described above. It is preferable to contain a dispersant for the purpose of dispersion. As such a dispersant, a dispersant having a functional group that coordinates to the metal particles is preferable, such as a carboxyl group, an amino group, a cyano group, an acetoacetyl group, a phosphorus atom-containing group, a thiol group, a thiocyanato group, a glycinate group, etc. Examples include dispersants having functional groups such as groups.

前記分散剤としては、市販、もしくは独自に合成した低分子量、又は高分子量の分散剤を用いることができ、金属粒子を分散する溶媒や、金属粒子の分散液を塗工する前記絶縁性基材(A)の種類など、目的に応じて適宜選択すればよい。例えば、ドデカンチオール、1-オクタンチオール、トリフェニルホスフィン、ドデシルアミン、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン;ミリスチン酸、オクタン酸、ステアリン酸等の脂肪酸;コール酸、グリシルジン酸、アビンチン酸等のカルボキシル基を有する多環式炭化水素化合物などが好適に用いられる。ここで、後述するプライマー層(B)上に銀粒子層(M1)を形成する場合は、これら2層の密着性が良好になることから、後述するプライマー層(B)に用いる樹脂が有する反応性官能基[X]と結合を形成しうる反応性官能基[Y]を有する化合物を用いることが好ましい。 As the dispersant, a commercially available or independently synthesized low-molecular weight or high-molecular weight dispersant can be used, and a solvent for dispersing metal particles and the insulating base material to which a dispersion of metal particles is coated can be used. The type (A) may be selected as appropriate depending on the purpose. For example, dodecanethiol, 1-octanethiol, triphenylphosphine, dodecylamine, polyethylene glycol, polyvinylpyrrolidone, polyethyleneimine, polyvinylpyrrolidone; fatty acids such as myristic acid, octanoic acid, stearic acid; cholic acid, glycirdic acid, avintic acid, etc. A polycyclic hydrocarbon compound having a carboxyl group is preferably used. Here, when forming the silver particle layer (M1) on the primer layer (B) described later, since the adhesion between these two layers becomes good, the reaction that the resin used for the primer layer (B) described later has It is preferable to use a compound having a reactive functional group [Y] that can form a bond with the reactive functional group [X].

反応性官能基[Y]を有する化合物としては、例えば、アミノ基、アミド基、アルキロールアミド基、カルボキシル基、無水カルボキシル基、カルボニル基、アセトアセチル基、エポキシ基、脂環エポキシ基、オキセタン環、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、(ブロック化)イソシアネート基、(アルコキシ)シリル基等を有する化合物、シルセスキオキサン化合物等が挙げられる。特に、プライマー層(B)と金属粒子層(M1)との密着性をより向上できることから、前記反応性官能基[Y]は塩基性窒素原子含有基が好ましい。前記塩基性窒素原子含有基としては、例えば、イミノ基、1級アミノ基、2級アミノ基等が挙げられる。 Examples of compounds having a reactive functional group [Y] include an amino group, an amide group, an alkylolamido group, a carboxyl group, an anhydride carboxyl group, a carbonyl group, an acetoacetyl group, an epoxy group, an alicyclic epoxy group, and an oxetane ring. , a compound having a vinyl group, an allyl group, a (meth)acryloyl group, a (blocked) isocyanate group, an (alkoxy)silyl group, and a silsesquioxane compound. In particular, the reactive functional group [Y] is preferably a basic nitrogen atom-containing group because it can further improve the adhesion between the primer layer (B) and the metal particle layer (M1). Examples of the basic nitrogen atom-containing group include an imino group, a primary amino group, and a secondary amino group.

前記塩基性窒素原子含有基は、分散剤1分子中に単数、もしくは複数存在してもよい。分散剤中に複数の塩基性窒素原子を含有することで、塩基性窒素原子含有基の一部は、金属粒子との相互作用により、金属粒子の分散安定性に寄与し、残りの塩基性窒素原子含有基は、前記絶縁性基材(A)との密着性向上に寄与する。また、後述するプライマー層(B)に反応性官能基[X]を有する樹脂を用いた場合には、分散剤中の塩基性窒素原子含有基は、この反応性官能基[X]との間で結合が形成でき、前記絶縁性基材(A)上への後述する金属パターン層(M2)の密着性をより一層向上できるため好ましい。 The basic nitrogen atom-containing group may be present singly or in plurals in one molecule of the dispersant. By containing multiple basic nitrogen atoms in the dispersant, some of the basic nitrogen atom-containing groups contribute to the dispersion stability of the metal particles through interaction with the metal particles, and the remaining basic nitrogen atoms contribute to the dispersion stability of the metal particles. The atom-containing group contributes to improving adhesion to the insulating base material (A). In addition, when a resin having a reactive functional group [X] is used in the primer layer (B) described later, the basic nitrogen atom-containing group in the dispersant has a relationship with this reactive functional group [X]. This is preferable because it allows bonding to be formed and further improves the adhesion of the metal pattern layer (M2) to be described later on the insulating base material (A).

前記分散剤は、銀粒子の分散液の安定性、塗工性、及び、前記絶縁性基材(A)上に良好な密着性を示す銀粒子層(M1)を形成できることから、分散剤は、高分子分散剤が好ましく、この高分子分散剤としては、ポリエチレンイミン、ポリプロピレンイミン等のポリアルキレンイミン、前記ポリアルキレンイミンにポリオキシアルキレンが付加した化合物などが好ましい。 The dispersant improves the stability and coating properties of the dispersion of silver particles, and can form a silver particle layer (M1) exhibiting good adhesion on the insulating substrate (A). , a polymeric dispersant is preferred, and examples of the polymeric dispersant include polyalkyleneimines such as polyethyleneimine and polypropyleneimine, and compounds obtained by adding polyoxyalkylene to the polyalkyleneimine.

前記ポリアルキレンイミンにポリオキシアルキレンが付加した化合物としては、ポリエチレンイミンとポリオキシアルキレンとが、直鎖状で結合したものであってもよく、前記ポリエチレンイミンからなる主鎖に対して、その側鎖にポリオキシアルキレンがグラフトしたものであってもよい。 The compound in which polyoxyalkylene is added to the polyalkyleneimine may be one in which polyethyleneimine and polyoxyalkylene are bonded in a linear chain, and the side of the polyethyleneimine is attached to the main chain of the polyethyleneimine. The chain may be grafted with polyoxyalkylene.

前記ポリアルキレンイミンにポリオキシアルキレンが付加した化合物の具体例としては、例えば、ポリエチレンイミンとポリオキシエチレンとのブロック共重合体、ポリエチレンイミンの主鎖中に存在するイミノ基の一部にエチレンオキサイドを付加反応させてポリオキシエチレン構造を導入したもの、ポリアルキレンイミンが有するアミノ基と、ポリオキシエチレングリコールが有する水酸基と、エポキシ樹脂が有するエポキシ基とを反応させたもの等が挙げられる。 Specific examples of compounds in which polyoxyalkylene is added to the polyalkyleneimine include block copolymers of polyethyleneimine and polyoxyethylene, and ethylene oxide in some of the imino groups present in the main chain of polyethyleneimine. Examples include those in which a polyoxyethylene structure is introduced through an addition reaction, and those in which an amino group of a polyalkylene imine, a hydroxyl group of polyoxyethylene glycol, and an epoxy group of an epoxy resin are reacted.

前記ポリアルキレンイミンの市販品としては、株式会社日本触媒製の「エポミン(登録商標)PAOシリーズ」の「PAO2006W」、「PAO306」、「PAO318」、「PAO718」等が挙げられる。 Commercially available products of the polyalkylene imine include "PAO2006W", "PAO306", "PAO318", "PAO718" of "Epomin (registered trademark) PAO series" manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.

前記ポリアルキレンイミンの数平均分子量は、3,000~30,000の範囲が好ましい。 The number average molecular weight of the polyalkyleneimine is preferably in the range of 3,000 to 30,000.

前記銀粒子を分散させるために必要な前記分散剤の使用量は、前記銀粒子100質量部に対し、0.01~50質量部の範囲が好ましく、また、前記絶縁性基材(A)上、もしくは、後述するプライマー層(B)上に、良好な密着性を示す銀粒子層(M1)を形成できることから、前記銀粒子100質量部に対し、0.1~10質量部の範囲が好ましく、さらに前記銀粒子層(M1)のめっき性を向上できることから、0.1~5質量部の範囲がより好ましい。 The amount of the dispersant required for dispersing the silver particles is preferably in the range of 0.01 to 50 parts by mass based on 100 parts by mass of the silver particles, and the dispersant is preferably used in an amount of 0.01 to 50 parts by mass based on 100 parts by mass of the silver particles. Alternatively, since a silver particle layer (M1) exhibiting good adhesion can be formed on the primer layer (B) described later, the amount is preferably in the range of 0.1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the silver particles. Further, since the plating properties of the silver particle layer (M1) can be improved, the range of 0.1 to 5 parts by mass is more preferable.

前記銀粒子の分散液の製造方法としては、特に制限はなく、種々の方法を用いて製造できるが、例えば、低真空ガス中蒸発法などの気相法を用いて製造した銀粒子を、溶媒中に分散させてもよいし、液相で銀化合物を還元して直接銀粒子の分散液を調製してもよい。気相、液相法とも、適宜、必要に応じて、溶媒交換や溶媒添加により、製造時の分散液と塗工時の分散液の溶剤組成を変更することが可能である。気相、液相法のうち、分散液の安定性や製造工程の簡便さから、液相法を特に好適に用いることができる。液相法としては、例えば、前記高分子分散剤の存在下で銀イオンを還元することによって製造することができる。 The method for producing the dispersion of silver particles is not particularly limited and can be produced using various methods. For example, silver particles produced using a gas phase method such as a low vacuum gas evaporation method are Alternatively, the silver compound may be reduced in the liquid phase to directly prepare a dispersion of silver particles. In both the gas phase and liquid phase methods, it is possible to change the solvent composition of the dispersion liquid during production and the dispersion liquid during coating, as appropriate and necessary, by exchanging solvents or adding solvents. Of the gas phase and liquid phase methods, the liquid phase method is particularly preferred because of the stability of the dispersion and the simplicity of the manufacturing process. As a liquid phase method, it can be produced, for example, by reducing silver ions in the presence of the polymer dispersant.

前記銀粒子の分散液には、さらに必要に応じて、界面活性剤、レベリング剤、粘度調整剤、成膜助剤、消泡剤、防腐剤などの有機化合物を配合してもよい。 The silver particle dispersion may further contain organic compounds such as a surfactant, a leveling agent, a viscosity modifier, a film-forming aid, an antifoaming agent, and a preservative, if necessary.

前記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンソルビトールテトラオレエート、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレン共重合体等のノニオン系界面活性剤;オレイン酸ナトリウム等の脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸塩、アルカンスルホネートナトリウム塩、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸ナトリウム塩等のアニオン系界面活性剤;アルキルアミン塩、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルベンジルアンモニウム塩等のカチオン系界面活性剤などが挙げられる。 Examples of the surfactant include nonions such as polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene styrylphenyl ether, polyoxyethylene sorbitol tetraoleate, and polyoxyethylene/polyoxypropylene copolymer. Surfactants: fatty acid salts such as sodium oleate, alkyl sulfate ester salts, alkylbenzene sulfonates, alkyl sulfosuccinates, naphthalene sulfonates, polyoxyethylene alkyl sulfates, alkanesulfonate sodium salts, sodium alkyldiphenyl ether sulfonates Examples include anionic surfactants such as salts; cationic surfactants such as alkylamine salts, alkyltrimethylammonium salts, and alkyldimethylbenzylammonium salts.

前記レベリング剤としては、一般的なレベリング剤を使用することができ、例えば、シリコーン系化合物、アセチレンジオール系化合物、フッ素系化合物等が挙げられる。 As the leveling agent, general leveling agents can be used, and examples thereof include silicone compounds, acetylene diol compounds, fluorine compounds, and the like.

前記粘度調整剤としては、一般的な増粘剤を使用することができ、例えば、アルカリ性に調整することによって増粘可能なアクリル重合体、合成ゴムラテックス、分子が会合することによって増粘可能なウレタン樹脂、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、ポリビニルアルコール、水添加ヒマシ油、アマイドワックス、酸化ポリエチレン、金属石鹸、ジベンジリデンソルビトール等が挙げられる。 As the viscosity modifier, a general thickener can be used, such as an acrylic polymer that can increase the viscosity by adjusting it to alkalinity, a synthetic rubber latex, and a synthetic rubber latex that can increase the viscosity by associating molecules. Examples include urethane resin, hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, methyl cellulose, polyvinyl alcohol, hydrated castor oil, amide wax, polyethylene oxide, metal soap, dibenzylidene sorbitol, and the like.

前記成膜助剤としては、一般的な成膜助剤を使用することができ、例えば、ジオクチルスルホコハク酸エステルソーダ塩等アニオン系界面活性剤、ソルビタンモノオレエート等の疎水性ノニオン系界面活性剤、ポリエーテル変性シロキサン、シリコーンオイルなどが挙げられる。 As the film-forming aid, general film-forming aids can be used, such as anionic surfactants such as dioctyl sulfosuccinate sodium salt, hydrophobic nonionic surfactants such as sorbitan monooleate, etc. , polyether-modified siloxane, silicone oil, etc.

前記消泡剤としては、一般的な消泡剤を使用することができ、例えば、シリコーン系消泡剤、ノニオン系界面活性剤、ポリエーテル,高級アルコール、ポリマー系界面活性剤等が挙げられる。 As the antifoaming agent, general antifoaming agents can be used, and examples thereof include silicone antifoaming agents, nonionic surfactants, polyethers, higher alcohols, polymer surfactants, and the like.

前記防腐剤としては、一般的な防腐剤を使用することができ、例えば、イソチアゾリン系防腐剤、トリアジン系防腐剤、イミダゾール系防腐剤、ピリジン系防腐剤、アゾール系防腐剤、ピリチオン系防腐剤等が挙げられる。 As the preservative, general preservatives can be used, such as isothiazoline preservatives, triazine preservatives, imidazole preservatives, pyridine preservatives, azole preservatives, pyrithione preservatives, etc. can be mentioned.

また、本発明のセミアディティブ工法用積層体のより好ましい態様として、前記絶縁性基材層(A)と、導電性の銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を有する積層体を挙げることができる。このプライマー層を設けたセミアディティブ工法用積層体は、前記絶縁性基材(A)への導電層(M3)の密着性をより一層向上できることから好ましい。 Moreover, as a more preferable embodiment of the laminate for semi-additive construction method of the present invention, a laminate further having a primer layer (B) between the insulating base material layer (A) and the conductive silver particle layer (M1) I can lift my body. A laminate for semi-additive construction provided with this primer layer is preferable because it can further improve the adhesion of the conductive layer (M3) to the insulating base material (A).

前記プライマー層(B)は、前記絶縁性基材(A)の表面の一部、又は全面にプライマーを塗工し、前記プライマー中に含まれる水性媒体、有機溶剤等の溶媒を除去することによって形成できる。ここで、プライマーとは、絶縁性基材(A)への導電層(M3)の密着性を向上させる目的で用いるものであり、後述する各種の樹脂を溶剤中に溶解、もしくは分散させた液状組成物である。 The primer layer (B) is formed by coating a part or the entire surface of the insulating base material (A) with a primer and removing solvents such as an aqueous medium and an organic solvent contained in the primer. Can be formed. Here, the primer is used for the purpose of improving the adhesion of the conductive layer (M3) to the insulating base material (A), and is a liquid in which various resins described below are dissolved or dispersed in a solvent. It is a composition.

前記プライマーを前記絶縁性基材(A)に塗工する方法としては、プライマー層(B)が良好に形成できれば特に制限は無く、種々の塗工方法を、使用する絶縁性基材(A)の形状、サイズ、剛柔の度合いなどによって適宜選択すればよい。具体的な塗工方法としては、例えば、グラビア法、オフセット法、フレキソ法、パッド印刷法、グラビアオフセット法、凸版法、凸版反転法、スクリーン法、マイクロコンタクト法、リバース法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、インクジェット法、ダイコーター法、スピンコーター法、バーコーター法、ディップコーター法等が挙げられる。 There is no particular restriction on the method of coating the primer on the insulating substrate (A) as long as the primer layer (B) can be formed well, and various coating methods may be used depending on the insulating substrate (A) used. It may be selected appropriately depending on the shape, size, degree of rigidity, etc. Specific coating methods include, for example, gravure method, offset method, flexographic method, pad printing method, gravure offset method, letterpress method, letterpress reversal method, screen method, microcontact method, reverse method, air doctor coater method, Blade coater method, air knife coater method, squeeze coater method, impregnation coater method, transfer roll coater method, kiss coater method, cast coater method, spray coater method, inkjet method, die coater method, spin coater method, bar coater method, dip coater method etc.

また、フィルム、シート、板状の前記絶縁性基材(A)の両面に、前記プライマーを塗工する方法は、プライマー層(B)が良好に形成できれば特に制限はなく、上記で例示した塗工方法を適宜選択すればよい。この際、前記プライマー層(B)は、前記絶縁性基材(A)の両面に同時形成してもよく、前記絶縁性基材(A)の片面に形成した後、他方の面に形成してもよい。 Further, the method of coating the primer on both sides of the insulating substrate (A) in the form of a film, sheet, or plate is not particularly limited as long as the primer layer (B) can be formed well, and The construction method may be selected as appropriate. In this case, the primer layer (B) may be formed on both sides of the insulating base material (A) at the same time, or it may be formed on one side of the insulating base material (A) and then on the other side. It's okay.

前記絶縁性基材(A)は、プライマーの塗工性向上や、前記導電層(M3)の基材への密着性を向上させる目的で、プライマー塗工前に、表面処理を行ってもよい。前記絶縁性基材(A)の表面処理方法としては、上述した絶縁性基材(A)上に、銀粒子層(M1)を形成する場合の表面処理方法と同様の方法を用いることができる。 The insulating base material (A) may be subjected to a surface treatment before being coated with the primer in order to improve the coatability of the primer and the adhesion of the conductive layer (M3) to the base material. . As the surface treatment method for the insulating base material (A), the same method as the surface treatment method when forming the silver particle layer (M1) on the above-mentioned insulating base material (A) can be used. .

前記プライマーを絶縁性基材(A)の表面に塗工した後、その塗工層に含まれる溶媒を除去してプライマー層(B)を形成する方法としては、例えば、乾燥機を用いて乾燥させ、前記溶媒を揮発させる方法が一般的である。乾燥温度としては、前記溶媒を揮発させることが可能で、かつ前記絶縁性基材(A)に悪影響を与えない範囲の温度に設定すればよく、室温乾燥でも加熱乾燥でもよい。具体的な乾燥温度は、20~350℃の範囲が好ましく、60~300℃の範囲がより好ましい。また、乾燥時間は、1~200分の範囲が好ましく、1~60分の範囲がより好ましい。 After coating the primer on the surface of the insulating base material (A), the method of removing the solvent contained in the coating layer to form the primer layer (B) includes, for example, drying using a dryer. A common method is to allow the solvent to evaporate. The drying temperature may be set within a range that allows the solvent to volatilize and does not adversely affect the insulating base material (A), and drying may be performed at room temperature or by heating. The specific drying temperature is preferably in the range of 20 to 350°C, more preferably in the range of 60 to 300°C. Further, the drying time is preferably in the range of 1 to 200 minutes, more preferably in the range of 1 to 60 minutes.

上記の乾燥は、送風を行ってもよいし、特に送風を行わなくてもよい。また、乾燥は、大気中で行ってもよいし、窒素、アルゴンなどの置換雰囲気、もしくは気流下で行ってもよく、真空下で行ってもよい。 The above-mentioned drying may be carried out by blowing air or without blowing air. Further, drying may be performed in the air, in a substituted atmosphere such as nitrogen or argon, or under an air stream, or under vacuum.

前記絶縁性基材(A)が、枚葉のフィルム、シート、板の場合には、塗工場所での自然乾燥の他、送風、定温乾燥器などの乾燥器内で行うことができる。また、前記絶縁性基材(A)がロールフィルムやロールシートの場合には、塗工工程に続けて、設置された非加熱または加熱空間内でロール材を連続的に移動させることにより、乾燥を行うことができる。 When the insulating substrate (A) is a single film, sheet, or plate, drying can be carried out naturally at the coating site, or by blowing air or in a dryer such as a constant temperature dryer. In addition, when the insulating base material (A) is a roll film or a roll sheet, following the coating process, the roll material can be dried by continuously moving it in an installed non-heated or heated space. It can be performed.

前記プライマー層(B)の膜厚は、本発明を用いて製造するプリント配線板の仕様、用途によって適宜選択すればよいが、前記絶縁性基材(A)と前記金属パターン層(M2)との密着性を、より向上できることから、10nm~30μmの範囲が好ましく、10nm~1μmの範囲がより好ましく、10nm~500nmの範囲がさらに好ましい。 The thickness of the primer layer (B) may be appropriately selected depending on the specifications and uses of the printed wiring board manufactured using the present invention, but the thickness of the insulating base material (A) and the metal pattern layer (M2) Since the adhesion can be further improved, the range is preferably from 10 nm to 30 μm, more preferably from 10 nm to 1 μm, and even more preferably from 10 nm to 500 nm.

プライマー層(B)を形成する樹脂は、前記金属粒子の分散剤に反応性官能基[Y]を有するものを用いる場合、反応性官能基[Y]に対して反応性を有する反応性官能基[X]を有する樹脂が好ましい。前記反応性官能基[X]としては、例えば、アミノ基、アミド基、アルキロールアミド基、ケト基、カルボキシル基、無水カルボキシル基、カルボニル基、アセトアセチル基、エポキシ基、脂環エポキシ基、オキセタン環、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、(ブロック化)イソシアネート基、(アルコキシ)シリル基等が挙げられる。また、プライマー層(B)を形成する化合物として、シルセスキオキサン化合物を用いることもできる。 When a dispersant having a reactive functional group [Y] is used as a dispersant for the metal particles, the resin forming the primer layer (B) is a reactive functional group having reactivity with the reactive functional group [Y]. A resin having [X] is preferred. Examples of the reactive functional group [X] include an amino group, an amide group, an alkylolamido group, a keto group, a carboxyl group, an anhydride carboxyl group, a carbonyl group, an acetoacetyl group, an epoxy group, an alicyclic epoxy group, and an oxetane group. Examples include a ring, a vinyl group, an allyl group, a (meth)acryloyl group, a (blocked) isocyanate group, and an (alkoxy)silyl group. Moreover, a silsesquioxane compound can also be used as a compound forming the primer layer (B).

特に、前記分散剤中の反応性官能基[Y]が、塩基性窒素原子含有基の場合、前記絶縁性基材(A)上での導電層(M3)の密着性をより向上できることから、プライマー層(B)を形成する樹脂は、反応性官能基[X]として、ケト基、カルボキシル基、カルボニル基、アセトアセチル基、エポキシ基、脂環エポキシ基、アルキロールアミド基、イソシアネート基、ビニル基、(メタ)アクリロイル基、アリル基を有するものが好ましい。 In particular, when the reactive functional group [Y] in the dispersant is a basic nitrogen atom-containing group, the adhesion of the conductive layer (M3) on the insulating base material (A) can be further improved. The resin forming the primer layer (B) includes a keto group, a carboxyl group, a carbonyl group, an acetoacetyl group, an epoxy group, an alicyclic epoxy group, an alkylolamido group, an isocyanate group, and a vinyl reactive functional group [X]. Those having a group, a (meth)acryloyl group, or an allyl group are preferable.

前記プライマー層(B)を形成する樹脂としては、例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂をシェルとしアクリル樹脂をコアとするコア・シェル型複合樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、アミド樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、ポリイソシアネートにフェノール等のブロック化剤を反応させて得られたブロックイソシアネートポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。なお、ウレタン樹脂をシェルとしアクリル樹脂をコアとするコア・シェル型複合樹脂は、例えば、ウレタン樹脂存在下でアクリル単量体を重合することにより得られる。また、これらの樹脂は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。 Examples of the resin forming the primer layer (B) include urethane resin, acrylic resin, core-shell type composite resin having a shell of urethane resin and core of acrylic resin, epoxy resin, imide resin, amide resin, and melamine resin. , phenol resin, urea formaldehyde resin, blocked isocyanate obtained by reacting a blocking agent such as phenol with polyisocyanate, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, and the like. Note that a core-shell type composite resin having a urethane resin as a shell and an acrylic resin as a core can be obtained, for example, by polymerizing an acrylic monomer in the presence of a urethane resin. Further, these resins can be used alone or in combination of two or more.

上記のプライマー層(B)を形成する樹脂の中でも、絶縁性基材(A)上への導電層(M3)の密着性をより向上できることから、加熱により還元性化合物を生成する樹脂が好ましい。前記還元性化合物としては、例えば、フェノール化合物、芳香族アミン化合物、硫黄化合物、リン酸化合物、アルデヒド化合物等が挙げられる。これらの還元性化合物の中でも、フェノール化合物、アルデヒド化合物が好ましい。 Among the resins forming the primer layer (B), resins that generate reducing compounds upon heating are preferred because they can further improve the adhesion of the conductive layer (M3) onto the insulating base material (A). Examples of the reducing compound include phenol compounds, aromatic amine compounds, sulfur compounds, phosphoric acid compounds, and aldehyde compounds. Among these reducing compounds, phenol compounds and aldehyde compounds are preferred.

加熱により還元性化合物を生成する樹脂をプライマーに用いた場合、プライマー層(B)を形成する際の加熱乾燥工程でホルムアルデヒド、フェノール等の還元性化合物を生成する。加熱により還元性化合物を生成する樹脂の具体例としては、例えば、N-アルキロール(メタ)アクリルアミドを含む単量体を重合した樹脂、ウレタン樹脂をシェルとしN-アルキロール(メタ)アクリルアミドを含む単量体を重合した樹脂をコアとするコア・シェル型複合樹脂、尿素―ホルムアルデヒド-メタノール縮合物、尿素-メラミン-ホルムアルデヒド-メタノール縮合物、ポリN-アルコキシメチロール(メタ)アクリルアミド、ポリ(メタ)アクリルアミドのホルムアルデヒド付加物、メラミン樹脂等の加熱によりホルムアルデヒドを生成する樹脂;フェノール樹脂、フェノールブロックイソシアネート等の加熱によりフェノール化合物を生成する樹脂などが挙げられる。これらの樹脂の中でも、密着性向上の観点から、ウレタン樹脂をシェルとしN-アルキロール(メタ)アクリルアミドを含む単量体を重合した樹脂をコアとするコア・シェル型複合樹脂、メラミン樹脂、フェノールブロックイソシアネートが好ましい。 When a resin that generates reducing compounds upon heating is used for the primer, reducing compounds such as formaldehyde and phenol are generated during the heating and drying step when forming the primer layer (B). Specific examples of resins that generate reducible compounds upon heating include, for example, resins polymerized with monomers containing N-alkylol (meth)acrylamide, and resins containing N-alkylol (meth)acrylamide with a shell made of urethane resin. Core-shell type composite resin with a core made of resin obtained by polymerizing monomers, urea-formaldehyde-methanol condensate, urea-melamine-formaldehyde-methanol condensate, poly N-alkoxymethylol (meth)acrylamide, poly(meth) Resins that produce formaldehyde when heated, such as formaldehyde adducts of acrylamide and melamine resins; resins that produce phenolic compounds when heated, such as phenol resins and phenol block isocyanates. Among these resins, from the viewpoint of improving adhesion, core-shell type composite resins with a urethane resin shell and a polymerized resin containing N-alkylol (meth)acrylamide as a core, melamine resins, and phenol resins are used. Blocked isocyanates are preferred.

なお、本発明において、「(メタ)アクリルアミド」とは、「メタクリルアミド」及び「アクリルアミド」の一方又は両方をいい、「(メタ)アクリル酸」とは、「メタクリル酸」及び「アクリル酸」の一方又は両方をいう。 In the present invention, "(meth)acrylamide" refers to one or both of "methacrylamide" and "acrylamide", and "(meth)acrylic acid" refers to "methacrylic acid" and "acrylic acid". Refers to one or both.

加熱により還元性化合物を生成する樹脂は、加熱により還元性化合物を生成する官能基を有する単量体をラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等の重合方法により重合することによって得られる。 A resin that produces a reducing compound when heated can be obtained by polymerizing a monomer having a functional group that produces a reducing compound when heated, using a polymerization method such as radical polymerization, anionic polymerization, or cationic polymerization.

加熱により還元性化合物を生成する官能基を有する単量体としては、例えば、N-アルキロールビニル単量体が挙げられ、具体的には、N-メチロール(メタ)アクリルアミド、N-メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-エトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-プロポキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-イソプロポキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-n-ブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-イソブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-ペントキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-エタノール(メタ)アクリルアミド、N-プロパノール(メタ)アクリルアミド等が挙げられる。 Examples of monomers having functional groups that produce reducing compounds upon heating include N-alkylol vinyl monomers, specifically N-methylol(meth)acrylamide, N-methoxymethyl( meth)acrylamide, N-ethoxymethyl(meth)acrylamide, N-propoxymethyl(meth)acrylamide, N-isopropoxymethyl(meth)acrylamide, Nn-butoxymethyl(meth)acrylamide, N-isobutoxymethyl(meth)acrylamide ) acrylamide, N-pentoxymethyl (meth)acrylamide, N-ethanol (meth)acrylamide, N-propanol (meth)acrylamide, and the like.

また、上記の加熱により還元性化合物を生成する樹脂を製造する際には、加熱により還元性化合物を生成する官能基を有する単量体等とともに、(メタ)アクリル酸アルキルエステルなどのその他の各種単量体を共重合することもできる。 In addition, when producing the above-mentioned resin that generates reducing compounds when heated, in addition to monomers having functional groups that generate reducing compounds when heated, other various types such as (meth)acrylic acid alkyl esters are used. Monomers can also be copolymerized.

前記ブロックイソシアネートを、前記プライマー層(B)を形成する樹脂として用いた場合は、イソシアネート基間で自己反応することでウレトジオン結合を形成し、又は、イソシアネート基と、他の成分が有する官能基とが結合を形成することによって、プライマー層(B)を形成する。この際形成される結合は、前記金属粒子分散液を塗工する前に形成されていてもよいし、前記金属粒子分散液を塗工する前には形成されておらず、前記金属粒子分散液を塗工した後に加熱によって形成されてもよい。 When the blocked isocyanate is used as the resin forming the primer layer (B), a uretdione bond is formed by self-reaction between the isocyanate groups, or the isocyanate group and the functional group of another component are formed. forms a bond, thereby forming a primer layer (B). The bond formed at this time may be formed before coating the metal particle dispersion, or may not be formed before coating the metal particle dispersion, and may be formed before coating the metal particle dispersion. It may be formed by heating after coating.

前記ブロックイソシアネートとしては、イソシアネート基がブロック剤によって封鎖され形成した官能基を有するものが挙げられる。 Examples of the blocked isocyanate include those having a functional group formed by blocking an isocyanate group with a blocking agent.

前記ブロックイソシアネートは、ブロックイソシアネート1モルあたり、前記官能基を350~600g/molの範囲で有するものが好ましい。 The blocked isocyanate preferably has the functional group in a range of 350 to 600 g/mol per mole of the blocked isocyanate.

前記官能基は、密着性向上の観点から、前記ブロックイソシアネートの1分子中に1~10個有するものが好ましく、2~5個有するものがより好ましい。 From the viewpoint of improving adhesion, the blocked isocyanate preferably has 1 to 10 functional groups, more preferably 2 to 5 functional groups, in one molecule of the blocked isocyanate.

また、前記ブロックイソシアネートの数平均分子量は、密着性向上の観点から、1,500~5,000の範囲が好ましく、1,500~3,000の範囲がより好ましい。 Further, the number average molecular weight of the blocked isocyanate is preferably in the range of 1,500 to 5,000, more preferably in the range of 1,500 to 3,000, from the viewpoint of improving adhesion.

さらに、前記ブロックイソシアネートとしては、密着性をさらに向上する観点から、芳香環を有するものが好ましい。前記芳香環としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。 Furthermore, the blocked isocyanate preferably has an aromatic ring from the viewpoint of further improving adhesion. Examples of the aromatic ring include a phenyl group and a naphthyl group.

なお、前記ブロックイソシアネートは、イソシアネート化合物が有するイソシアネート基の一部又は全部と、ブロック剤とを反応させることによって製造することができる。 The blocked isocyanate can be produced by reacting some or all of the isocyanate groups of the isocyanate compound with a blocking agent.

前記ブロックイソシアネートの原料となるイソシアネート化合物としては、例えば、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、カルボジイミド変性ジフェニルメタンジイソシアネート、クルードジフェニルメタンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等の芳香環を有するポリイソシアネート化合物;ヘキサメチレンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート等の脂肪族ポリイソシアネート化合物又は脂環式構造を有するポリイソシアネート化合物などが挙げられる。また、前記したポリイソシアネート化合物のそれらのビュレット体、イソシアヌレート体、アダクト体等も挙げられる。 Examples of the isocyanate compound serving as a raw material for the block isocyanate include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, 2,4'-diphenylmethane diisocyanate, carbodiimide-modified diphenylmethane diisocyanate, crude diphenylmethane diisocyanate, phenylene diisocyanate, tolylene diisocyanate, and naphthalene diisocyanate. Polyisocyanate compounds having an aromatic ring; aliphatic polyisocyanate compounds such as hexamethylene diisocyanate, lysine diisocyanate, cyclohexane diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, xylylene diisocyanate, tetramethylxylylene diisocyanate, or polyisocyanates having an alicyclic structure Examples include compounds. Further, examples thereof include buret forms, isocyanurate forms, adduct forms, etc. of the polyisocyanate compounds described above.

また、前記イソシアネート化合物としては、上記で例示したポリイソシアネート化合物と、水酸基又はアミノ基を有する化合物等とを反応させて得られるものも挙げられる。 Further, examples of the isocyanate compound include those obtained by reacting the polyisocyanate compounds exemplified above with a compound having a hydroxyl group or an amino group.

前記ブロックイソシアネートに芳香環を導入する場合、芳香環を有するポリイソシアネート化合物を用いることが好ましい。また、芳香環を有するポリイソシアネート化合物の中でも、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネートのイソシアヌレート体、トリレンジイソシアネートのイソシアヌレート体が好ましい。 When introducing an aromatic ring into the blocked isocyanate, it is preferable to use a polyisocyanate compound having an aromatic ring. Among the polyisocyanate compounds having an aromatic ring, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, isocyanurate of 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, and isocyanurate of tolylene diisocyanate are preferred.

前記ブロックイソシアネートの製造に用いるブロック化剤としては、例えば、フェノール、クレゾール等のフェノール化合物;ε-カプロラクタム、δ-バレロラクタム、γ-ブチロラクタム等のラクタム化合物;ホルムアミドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトンオキシム、メチルエチルケトオキシム、メチルイソブチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等のオキシム化合物;2-ヒドロキシピリジン、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、メタノール、エタノール、n-ブタノール、イソブタノール、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトン、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタン、アセトアニリド、酢酸アミド、コハク酸イミド、マレイン酸イミド、イミダゾール、2-メチルイミダゾール、尿素、チオ尿素、エチレン尿素、ジフェニルアニリン、アニリン、カルバゾール、エチレンイミン、ポリエチレンイミン、1H-ピラゾール、3-メチルピラゾール、3,5-ジメチルピラゾール等が挙げられる。これらの中でも、70~200℃の範囲で加熱することによって解離してイソシアネート基を生成可能なブロック化剤が好ましく、110~180℃の範囲で加熱することによって解離するイソシアネート基を生成可能なブロック化剤がより好ましい。具体的には、フェノール化合物、ラクタム化合物、オキシム化合物が好ましく、特に、フェノール化合物は、ブロック化剤が加熱により脱離する際に還元性化合物となることからより好ましい。 Blocking agents used in the production of the blocked isocyanate include, for example, phenol compounds such as phenol and cresol; lactam compounds such as ε-caprolactam, δ-valerolactam, and γ-butyrolactam; formamide oxime, acetaldoxime, acetone oxime, Oxime compounds such as methyl ethyl ketoxime, methyl isobutyl ketoxime, cyclohexanone oxime; 2-hydroxypyridine, butyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, methanol, ethanol, n-butanol, isobutanol, dimethyl malonate, diethyl malonate, acetate Methyl acetate, ethyl acetoacetate, acetylacetone, butylmercaptan, dodecylmercaptan, acetanilide, acetamide, succinimide, maleimide, imidazole, 2-methylimidazole, urea, thiourea, ethyleneurea, diphenylaniline, aniline, carbazole, Examples include ethyleneimine, polyethyleneimine, 1H-pyrazole, 3-methylpyrazole, 3,5-dimethylpyrazole, and the like. Among these, blocking agents that can dissociate and generate isocyanate groups by heating in the range of 70 to 200°C are preferred, and blocks that can generate isocyanate groups that dissociate by heating in the range of 110 to 180°C are preferred. A curing agent is more preferable. Specifically, phenol compounds, lactam compounds, and oxime compounds are preferred, and phenol compounds are particularly preferred because they become reducing compounds when the blocking agent is desorbed by heating.

前記ブロックイソシアネートの製造方法としては、例えば、予め製造した前記イソシアネート化合物と前記ブロック化剤とを混合し反応させる方法、前記イソシアネート化合物の製造に用いる原料とともに前記ブロック化剤を混合し反応させる方法等が挙げられる。 Examples of the method for producing the blocked isocyanate include a method of mixing and reacting the isocyanate compound produced in advance with the blocking agent, a method of mixing and reacting the blocking agent with the raw material used for producing the isocyanate compound, etc. can be mentioned.

より具体的には、前記ブロックイソシアネートは、前記ポリイソシアネート化合物と、水酸基又はアミノ基を有する化合物とを反応させることによって末端にイソシアネート基を有するイソシアネート化合物を製造し、次いで、前記イソシアネート化合物と前記ブロック化剤とを混合し反応させることによって製造することができる。 More specifically, the blocked isocyanate is produced by reacting the polyisocyanate compound with a compound having a hydroxyl group or an amino group to produce an isocyanate compound having an isocyanate group at the end, and then reacting the isocyanate compound with the block. It can be produced by mixing and reacting with a curing agent.

上記の方法で得られたブロックイソシアネートの前記プライマー層(B)を形成する樹脂中の含有比率は、50~100質量%の範囲が好ましく、70~100質量%の範囲がより好ましい。 The content ratio of the blocked isocyanate obtained by the above method in the resin forming the primer layer (B) is preferably in the range of 50 to 100% by mass, more preferably in the range of 70 to 100% by mass.

前記メラミン樹脂としては、例えば、メラミン1モルに対してホルムアルデヒドが1~6モル付加したモノ又はポリメチロールメラミン;トリメトキシメチロールメラミン、トリブトキシメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチロールメラミン等の(ポリ)メチロールメラミンのエーテル化物(エーテル化度は任意);尿素-メラミン-ホルムアルデヒド-メタノール縮合物などが挙げられる。 Examples of the melamine resin include mono- or polymethylolmelamine in which 1 to 6 moles of formaldehyde are added to 1 mole of melamine; (poly)methylolmelamine such as trimethoxymethylolmelamine, tributoxymethylolmelamine, and hexamethoxymethylolmelamine; Etherified products (the degree of etherification is arbitrary); examples include urea-melamine-formaldehyde-methanol condensates.

また、上記のように加熱により還元性化合物を生成する樹脂を用いる方法の他に、樹脂に還元性化合物を添加する方法も挙げられる。この場合に、添加する還元性化合物としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、芳香族アミン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン酸系酸化防止剤、ビタミンC、ビタミンE、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、亜硫酸塩、次亜燐酸、次亜燐酸塩、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、フェノール等が挙げられる。 In addition to the method using a resin that generates a reducing compound upon heating as described above, there is also a method of adding a reducing compound to the resin. In this case, the reducing compounds to be added include, for example, phenolic antioxidants, aromatic amine antioxidants, sulfur antioxidants, phosphoric acid antioxidants, vitamin C, vitamin E, and ethylenediaminetetraacetic acid. Examples include sodium, sulfite, hypophosphorous acid, hypophosphite, hydrazine, formaldehyde, sodium borohydride, dimethylamine borane, and phenol.

本発明において、樹脂に還元性化合物を添加する方法は、最終的に低分子量成分やイオン性化合物が残留することで電気特性が低下する可能性があるため、加熱により還元性化合物を生成する樹脂を用いる方法がより好ましい。 In the present invention, the method of adding a reducing compound to the resin is recommended because low molecular weight components and ionic compounds may ultimately remain and the electrical properties may deteriorate. A method using is more preferable.

また、前記プライマー層(B)を形成する好ましい樹脂として、アミノトリアジン環を有する化合物を含有するものを挙げることができる。前記アミノトリアジン環を有する化合物は、低分子量の化合物であっても、より高分子量の樹脂であってもよい。 Moreover, as a preferable resin for forming the primer layer (B), there can be mentioned a resin containing a compound having an aminotriazine ring. The compound having an aminotriazine ring may be a low molecular weight compound or a higher molecular weight resin.

前記アミノトリアジン環を有する低分子量の化合物としては、アミノトリアジン環を有する各種添加剤を用いることができる。市販品としては、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジン(四国化成株式会社製「VT」)、四国化成株式会社製「VD-3」や「VD-4」(アミノトリアジン環と水酸基を有する化合物)、四国化成株式会社製「VD-5」(アミノトリアジン環とエトキシシリル基を有する化合物)等が挙げられる。これらは、添加剤として、前記のプライマー層(B)を形成する樹脂中に、1種、もしくは、2種以上を添加して使用することができる。 As the low molecular weight compound having an aminotriazine ring, various additives having an aminotriazine ring can be used. Commercially available products include 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine (“VT” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.), “VD-3” and “VD-4” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. (aminotriazine ring and (a compound having a hydroxyl group), "VD-5" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. (a compound having an aminotriazine ring and an ethoxysilyl group), and the like. These can be used as additives by adding one type or two or more types to the resin forming the primer layer (B).

前記アミノトリアジン環を有する低分子量の化合物の使用量としては、前記樹脂100質量部に対し、0.1質量部以上50質量部以下が好ましく、0.5質量部以上10質量部以下がより好ましい。 The amount of the low molecular weight compound having the aminotriazine ring used is preferably 0.1 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the resin. .

前記アミノトリアジン環を有する樹脂としては、樹脂のポリマー鎖中にアミノトリアジン環が共有結合で導入されているものも好適に用いることができる。具体的には、アミノトリアジン変性ノボラック樹脂が挙げられる。 As the resin having an aminotriazine ring, a resin in which an aminotriazine ring is covalently introduced into the polymer chain of the resin can also be suitably used. Specifically, aminotriazine-modified novolac resins are mentioned.

前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂は、アミノトリアジン環構造とフェノール構造とがメチレン基を介して結合したノボラック樹脂である。前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂は、例えば、メラミン、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン等のアミノトリアジン化合物と、フェノール、クレゾール、ブチルフェノール、ビスフェノールA、フェニルフェノール、ナフトール、レゾルシン等のフェノール化合物と、ホルムアルデヒドとをアルキルアミン等の弱アルカリ性触媒の存在下又は無触媒で、中性付近で共縮合反応させるか、メチルエーテル化メラミン等のアミノトリアジン化合物のアルキルエーテル化物と、前記フェノール化合物とを反応させることにより得られる。 The aminotriazine-modified novolak resin is a novolak resin in which an aminotriazine ring structure and a phenol structure are bonded via a methylene group. The aminotriazine-modified novolac resin is, for example, an aminotriazine compound such as melamine, benzoguanamine, or acetoguanamine, a phenol compound such as phenol, cresol, butylphenol, bisphenol A, phenylphenol, naphthol, or resorcinol, and formaldehyde combined with an alkylamine or the like. It can be obtained by cocondensation reaction near neutrality in the presence of a weakly alkaline catalyst or without a catalyst, or by reacting an alkyl etherified product of an aminotriazine compound such as methyl etherified melamine with the phenol compound.

前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂は、メチロール基を実質的に有していないものが好ましい。また、前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂には、その製造時に副生成物として生じるアミノトリアジン構造のみがメチレン結合した分子、フェノール構造のみがメチレン結合した分子等が含まれていても構わない。さらに、若干量の未反応原料が含まれていてもよい。 The aminotriazine-modified novolak resin preferably has substantially no methylol group. Furthermore, the aminotriazine-modified novolac resin may contain molecules in which only the aminotriazine structure produced as a by-product during its production is bonded with methylene, molecules in which only the phenol structure is bonded with methylene, and the like. Furthermore, some amount of unreacted raw materials may be included.

前記フェノール構造としては、例えば、フェノール残基、クレゾール残基、ブチルフェノール残基、ビスフェノールA残基、フェニルフェノール残基、ナフトール残基、レゾルシン残基等が挙げられる。また、ここでの残基とは、芳香環の炭素に結合している水素原子が少なくとも1つが抜けた構造を意味する。例えば、フェノールの場合は、ヒドロキシフェニル基を意味する。 Examples of the phenol structure include phenol residues, cresol residues, butylphenol residues, bisphenol A residues, phenylphenol residues, naphthol residues, resorcinol residues, and the like. Furthermore, the term "residue" as used herein means a structure in which at least one hydrogen atom bonded to carbon of an aromatic ring has been removed. For example, phenol means a hydroxyphenyl group.

前記トリアジン構造としては、例えば、メラミン、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン等のアミノトリアジン化合物由来の構造が挙げられる。 Examples of the triazine structure include structures derived from aminotriazine compounds such as melamine, benzoguanamine, and acetoguanamine.

前記フェノール構造及び前記トリアジン構造は、それぞれ1種で用いることも2種以上併用することもできる。また、密着性をより向上できることから、前記フェノール構造としてはフェノール残基が好ましく、前記トリアジン構造としてはメラミン由来の構造が好ましい。 The phenol structure and the triazine structure can be used alone or in combination of two or more. Furthermore, since the adhesion can be further improved, the phenol structure is preferably a phenol residue, and the triazine structure is preferably a melamine-derived structure.

また、前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂の水酸基価は、密着性をより向上できることから、50mgKOH/g以上200mgKOH/g以下が好ましく、80mgKOH/g以上180mgKOH/g以下がより好ましく、100mgKOH/g以上150mgKOH/g以下がさらに好ましい。 Furthermore, the hydroxyl value of the aminotriazine-modified novolac resin is preferably 50 mgKOH/g or more and 200 mgKOH/g or less, more preferably 80 mgKOH/g or more and 180 mgKOH/g or less, and 100 mgKOH/g or more and 150 mgKOH/g or less, since it can further improve the adhesion. More preferably, it is less than g.

前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。 The aminotriazine-modified novolac resins can be used alone or in combination of two or more.

また、前記アミノトリアジン環を有する化合物として、アミノトリアジン変性ノボラック樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂を併用することが好ましい。 Furthermore, when an aminotriazine-modified novolak resin is used as the compound having an aminotriazine ring, it is preferable to use an epoxy resin in combination.

前記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、アルコールエーテル型エポキシ樹脂、テトラブロムビスフェノールA型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、9,10-ジヒドロ-9-オキサ-10-ホスファフェナントレン-10-オキサイド誘導体由来の構造を有する含リンエポキシ化合物、ジシクロペンタジエン誘導体由来の構造を有するエポキシ樹脂、エポキシ化大豆油等の油脂のエポキシ化物などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。 The epoxy resins include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, biphenyl epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, bisphenol A novolak epoxy resin, alcohol ether epoxy resin, and tetrabrom. Bisphenol A type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phospha phosphorus-containing epoxy compound having a structure derived from a phenanthrene-10-oxide derivative, having a structure derived from a dicyclopentadiene derivative Examples include epoxy resins and epoxidized oils and fats such as epoxidized soybean oil. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

前記エポキシ樹脂の中でも、密着性をより向上できることから、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂が好ましく、特に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が好ましい。 Among the above epoxy resins, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, biphenyl epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, and bisphenol A novolac epoxy resin are preferred because they can further improve adhesion. Preferably, bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.

また、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量は、密着性をより向上できることから、100g/当量以上300g/当量以下が好ましく、120g/当量以上250g/当量以下がより好ましく、150g/当量以上200g/当量以下がさらに好ましい。 In addition, the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 100 g/equivalent or more and 300 g/equivalent or less, more preferably 120 g/equivalent or more and 250 g/equivalent or less, and 150 g/equivalent or more and 200 g/equivalent or less, since it can further improve the adhesion. More preferred.

前記プライマー層(B)が、アミノトリアジン変性ノボラック樹脂及びエポキシ樹脂を含有する層の場合、密着性をより向上できることから、前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂中のフェノール性水酸基(x)と前記エポキシ樹脂中のエポキシ基(y)とのモル比[(x)/(y)]が、0.1以上5以下が好ましく、0.2以上3以下がより好ましく、0.3以上2以下がさらに好ましい。 When the primer layer (B) is a layer containing an aminotriazine-modified novolak resin and an epoxy resin, the adhesion can be further improved. The molar ratio [(x)/(y)] to the epoxy group (y) is preferably 0.1 or more and 5 or less, more preferably 0.2 or more and 3 or less, and even more preferably 0.3 or more and 2 or less.

前記プライマー層(B)として、アミノトリアジン変性ノボラック樹脂及びエポキシ樹脂を含有する層を形成する場合には、前記アミノトリアジン環を有する化合物やエポキシ樹脂を含有するプライマー樹脂組成物を用いる。 When forming a layer containing an aminotriazine-modified novolac resin and an epoxy resin as the primer layer (B), a primer resin composition containing the compound having the aminotriazine ring and the epoxy resin is used.

さらに、前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂及びエポキシ樹脂を含有するプライマー層(B)の形成に用いるプライマー樹脂組成物には、必要に応じて、例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ブロックイソシアネート樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂等、その他の樹脂を配合してもよい。これらのその他の樹脂は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。 Furthermore, the primer resin composition used for forming the primer layer (B) containing the aminotriazine-modified novolak resin and epoxy resin may include, for example, urethane resin, acrylic resin, block isocyanate resin, melamine resin, Other resins such as phenol resin may also be blended. These other resins can be used alone or in combination of two or more.

前記プライマー層(B)を形成するために用いるプライマーは、塗工性、成膜性の観点から、プライマー中に前記樹脂を1~70質量%含有するものが好ましく、1~20質量%含有するものがより好ましい。 The primer used to form the primer layer (B) preferably contains 1 to 70% by mass, and preferably 1 to 20% by mass, of the resin from the viewpoint of coating properties and film forming properties. is more preferable.

また、前記プライマーに使用可能な溶媒としては、各種有機溶剤、水性媒体が挙げられる。前記有機溶剤としては、例えば、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられ、前記水性媒体としては、水、水と混和する有機溶剤、及び、これらの混合物が挙げられる。 Furthermore, examples of solvents that can be used in the primer include various organic solvents and aqueous media. Examples of the organic solvent include toluene, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, and examples of the aqueous medium include water, organic solvents miscible with water, and mixtures thereof.

前記の水と混和する有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、エチルカルビトール、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のアルコール溶剤;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のアルキレングリコール溶剤;ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のポリアルキレングリコール溶剤;N-メチル-2-ピロリドン等のラクタム溶剤などが挙げられる。 Examples of the water-miscible organic solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, ethyl carbitol, ethyl cellosolve, and butyl cellosolve; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethylene glycol, diethylene glycol, and propylene. Examples include alkylene glycol solvents such as glycol; polyalkylene glycol solvents such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polytetramethylene glycol; and lactam solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone.

また、前記プライマー層(B)を形成する樹脂は、必要に応じて、例えば、アルコキシシリル基、シラノール基、水酸基、アミノ基等、架橋反応に寄与する官能基を有していてもよい。これらの官能基を利用して形成される架橋構造は、後工程の銀粒子層(M1)を形成する工程以前に、すでに架橋構造を形成していてもよく、また、銀粒子層(M1)を形成する工程以降で架橋構造を形成してもよい。銀粒子層(M1)を形成する工程以降で架橋構造を形成する場合、前記導電層(M3)を形成する前に、前記プライマー層(B)に架橋構造を形成しておいてもよく、前記導電層(M3)を形成した後に、例えば、エージングすることによって、前記プライマー層(B)に架橋構造を形成してもよい。 Further, the resin forming the primer layer (B) may have a functional group that contributes to a crosslinking reaction, such as an alkoxysilyl group, a silanol group, a hydroxyl group, or an amino group, if necessary. The crosslinked structure formed using these functional groups may already be formed before the step of forming the silver particle layer (M1) in the subsequent step, or A crosslinked structure may be formed after the step of forming. When forming a crosslinked structure after the step of forming the silver particle layer (M1), the crosslinked structure may be formed in the primer layer (B) before forming the conductive layer (M3). After forming the conductive layer (M3), a crosslinked structure may be formed in the primer layer (B), for example, by aging.

前記プライマー層(B)には、必要に応じて、架橋剤をはじめ、pH調整剤、皮膜形成助剤、レベリング剤、増粘剤、撥水剤、消泡剤等の公知のものを適宜添加して使用してもよい。 In the primer layer (B), known agents such as a crosslinking agent, a pH adjuster, a film forming aid, a leveling agent, a thickener, a water repellent, an antifoaming agent, etc. are appropriately added as necessary. You may also use it as

前記架橋剤としては、例えば、金属キレート化合物、ポリアミン化合物、アジリジン化合物、金属塩化合物、イソシアネート化合物等が挙げられ、25~100℃程度の比較的低温で反応し架橋構造を形成する熱架橋剤、メラミン系化合物、エポキシ系化合物、オキサゾリン化合物、カルボジイミド化合物、ブロックイソシアネート化合物等の100℃以上の比較的高温で反応し架橋構造を形成する熱架橋剤や各種光架橋剤が挙げられる。前記プライマー層(B)として、前記アミノトリアジン変性ノボラック樹脂及びエポキシ樹脂を使用する場合には、プライマー樹脂組成物に、前記架橋剤として、多価カルボン酸を用いることが好ましい。前記多価カルボン酸としては、例えば、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、コハク酸等が挙げられる。これらの架橋剤は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。また、これらの架橋剤の中でも、密着性をより向上できることから、無水トリメリット酸が好ましい。 Examples of the crosslinking agent include a metal chelate compound, a polyamine compound, an aziridine compound, a metal salt compound, an isocyanate compound, etc., and a thermal crosslinking agent that reacts at a relatively low temperature of about 25 to 100°C to form a crosslinked structure; Examples include thermal crosslinking agents and various photocrosslinking agents that react at a relatively high temperature of 100° C. or higher to form a crosslinked structure, such as melamine compounds, epoxy compounds, oxazoline compounds, carbodiimide compounds, and blocked isocyanate compounds. When the aminotriazine-modified novolak resin and epoxy resin are used as the primer layer (B), it is preferable to use a polyhydric carboxylic acid as the crosslinking agent in the primer resin composition. Examples of the polycarboxylic acid include trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, maleic anhydride, and succinic acid. These crosslinking agents can be used alone or in combination of two or more. Moreover, among these crosslinking agents, trimellitic anhydride is preferred because it can further improve adhesiveness.

前記架橋剤の使用量は、種類によって異なるものの、基材上への導電層(M3)の密着性向上の観点から、前記プライマーに含まれる樹脂の合計100質量部に対して、0.01~60質量部の範囲が好ましく、0.1~10質量部の範囲がより好ましく、0.1~5質量部の範囲がさらに好ましい。 The amount of the crosslinking agent used varies depending on the type, but from the viewpoint of improving the adhesion of the conductive layer (M3) onto the base material, it is from 0.01 to 100 parts by mass of the resin contained in the primer. The range is preferably 60 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, and even more preferably 0.1 to 5 parts by weight.

前記架橋剤を用いた場合、後工程の銀粒子層(M1)を形成する工程以前に、すでに架橋構造を形成していてもよく、また、銀粒子層(M1)を形成する工程以降で架橋構造を形成してもよい。銀粒子層(M1)を形成する工程以降で架橋構造を形成する場合、前記導電層(M3)を形成する前に、前記プライマー層(B)に架橋構造を形成してもよく、前記導電層(M3)を形成した後に、例えば、エージングすることによって、前記プライマー層(B)に架橋構造を形成してもよい。 When using the crosslinking agent, a crosslinked structure may already be formed before the step of forming the silver particle layer (M1) in the subsequent step, or the crosslinking structure may be formed after the step of forming the silver particle layer (M1). A structure may be formed. When forming a crosslinked structure after the step of forming the silver particle layer (M1), the crosslinked structure may be formed in the primer layer (B) before forming the conductive layer (M3), and the conductive layer After forming (M3), a crosslinked structure may be formed in the primer layer (B), for example, by aging.

本発明において、前記プライマー層(B)上に、前記銀粒子層(M1)を形成する方法は、絶縁性基材(A)上に、前記銀粒子層(M1)を形成する方法と同様である。 In the present invention, the method for forming the silver particle layer (M1) on the primer layer (B) is the same as the method for forming the silver particle layer (M1) on the insulating base material (A). be.

また、前記プライマー層(B)は、前記絶縁性基材(A)と同様に、前記銀粒子分散液の塗工性向上や、導電層(M3)の基材への密着性を向上する目的で、銀粒子分散液を塗工する前に、表面処理を行ってもよい。 Further, the purpose of the primer layer (B), similar to the insulating base material (A), is to improve the coating properties of the silver particle dispersion and to improve the adhesion of the conductive layer (M3) to the base material. A surface treatment may be performed before applying the silver particle dispersion.

本発明のセミアディティブ工法用積層体は、前記銀粒子層(M1)上に銅層(M2)が積層されたものである。 The laminate for semi-additive construction of the present invention has a copper layer (M2) laminated on the silver particle layer (M1).

前記銅層(M2)は、前記銀粒子層(M1)上に積層することで、後述するプリント配線板の製造方法における、貫通孔の内壁表面以外に吸着した、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンを除去するためのエッチング工程において、導電性の銀粒子層(M1)を保護するものである。 The copper layer (M2) is laminated on the silver particle layer (M1) to prevent palladium, conductive polymer, and carbon adsorbed onto surfaces other than the inner wall surface of the through hole in the printed wiring board manufacturing method described below. It protects the conductive silver particle layer (M1) during the etching process for removal.

前記銅層(M2)の層厚としては、後述するプリント配線板の製造方法の、銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程において、銀粒子層(M1)を損傷せず、効率良く露出させる観点から、0.1μm~2μmであることが好ましく、0.5μm~1.5μmであることが、より好ましい。 The layer thickness of the copper layer (M2) is determined by the thickness of the silver particle layer in the step of etching the copper layer (M2) to expose the conductive silver particle layer (M1) in the printed wiring board manufacturing method described below. From the viewpoint of efficiently exposing (M1) without damaging it, the thickness is preferably 0.1 μm to 2 μm, more preferably 0.5 μm to 1.5 μm.

本発明のセミアディティブ工法用積層体において、前記導電性の銀粒子層(M1)上に、前記銅層(M2)を積層形成する方法としては、前記導電性の銀粒子層(M1)上に、乾式、もしくは湿式の銅めっき法を行うことで形成することができる。 In the laminate for semi-additive construction method of the present invention, the method of laminating the copper layer (M2) on the conductive silver particle layer (M1) includes forming the copper layer (M2) on the conductive silver particle layer (M1). It can be formed by performing a dry or wet copper plating method.

上記の乾式の銅めっき法としては、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなどの方法が挙げられる。また、湿式の銅めっき法による処理としては、前記銀粒子層(M1)をめっき触媒とした無電解銅めっき、もしくは、電解銅めっき、無電解銅めっきと電解銅めっきの組み合わせが挙げられる。電解めっきを用いると、めっき析出速度を大きくすることができるため、製造効率が高くなり有利である。 Examples of the dry copper plating method include vacuum evaporation, ion plating, and sputtering. Examples of the wet copper plating treatment include electroless copper plating using the silver particle layer (M1) as a plating catalyst, electrolytic copper plating, and a combination of electroless copper plating and electrolytic copper plating. The use of electrolytic plating is advantageous because the plating deposition rate can be increased, resulting in higher manufacturing efficiency.

前記銀粒子層(M1)上に銅層(M2)を形成するための銅めっき法としては、特に制限はなく、乾式のめっき法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法で形成しても良いし、湿式のめっき法である、無電解銅めっき法、電解銅めっき法、無電解銅めっきと電解銅めっきの組み合わせで形成しても良く、また、乾式のめっき法と湿式のめっき法を組み合わせて形成しても良い。いずれの場合も、公知慣用の銅めっき法を好適に用いることができる。 The copper plating method for forming the copper layer (M2) on the silver particle layer (M1) is not particularly limited, and may be formed by a dry plating method such as a vacuum evaporation method, an ion plating method, or a sputtering method. It may be formed by a wet plating method such as electroless copper plating method, electrolytic copper plating method, a combination of electroless copper plating and electrolytic copper plating, or a combination of dry plating method and wet plating method. It may be formed by combining methods. In either case, a known and commonly used copper plating method can be suitably used.

前記銅めっきは、前記絶縁性基材(A)の両表面の銀粒子層(A)上に、同じ厚さの銅層(M2)を形成することが好ましい。 In the copper plating, it is preferable that copper layers (M2) of the same thickness are formed on the silver particle layers (A) on both surfaces of the insulating base material (A).

前記の銅めっき法により銅層(M2)を形成する工程において、必要に応じて、前記銀粒子層(M1)表面の表面処理を行ってもよい。この表面処理としては、前記銀粒子層(M1)の表面や形成したレジストパターンが損傷しない条件で、酸性又はアルカリ性の洗浄液による洗浄処理、コロナ処理、プラズマ処理、UV処理、気相オゾン処理、液相オゾン処理、表面処理剤による処理等が挙げられる。これらの表面処理は、1種の方法で行うことも、2種以上の方法を併用することもできる。 In the step of forming the copper layer (M2) by the copper plating method, the surface of the silver particle layer (M1) may be subjected to a surface treatment, if necessary. This surface treatment includes cleaning treatment with an acidic or alkaline cleaning solution, corona treatment, plasma treatment, UV treatment, vapor phase ozone treatment, and liquid treatment under conditions that do not damage the surface of the silver particle layer (M1) or the formed resist pattern. Examples include phase ozone treatment and treatment with a surface treatment agent. These surface treatments can be performed by one type of method, or two or more types of methods can be used in combination.

本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いたプリント配線板の製造方法の工程1においては、絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmであるセミアディティブ工法用積層体、もしくは、絶縁性基材(A)と、銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を積層したセミアディティブ工法用積層体に両面を貫通する貫通孔を形成する工程である。 In step 1 of the method for manufacturing a printed wiring board using the laminate for semi-additive construction of the present invention, a silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) are formed on both surfaces of the insulating base material (A). are sequentially laminated, and the layer thickness of the copper layer (M2) is 0.1 μm to 2 μm, or a laminate for semi-additive construction, or between the insulating base material (A) and the silver particle layer (M1). This is a step of forming through holes penetrating both surfaces of the semi-additive construction laminate in which the primer layer (B) is further laminated.

工程1において、セミアディティブ工法用積層体に前記貫通孔を形成する方法としては、公知慣用の方法を、適宜選択すれば良いが、例えば、ドリル加工、レーザー加工、レーザー加工による銅層の孔開けと酸化剤、アルカリ性薬剤、酸性薬剤等を用いた絶縁性基材の薬剤エッチングを組み合わせた加工法、レジストを用いた銅箔の孔パターンエッチングと、酸化剤、アルカリ性薬剤、酸性薬剤等を用いた絶縁性基材の薬剤エッチングを組み合わせた加工法などの方法が挙げられる。 In step 1, as a method for forming the through holes in the laminate for semi-additive construction, any known and commonly used method may be selected as appropriate; for example, drilling, laser processing, or drilling in the copper layer by laser processing A processing method that combines chemical etching of an insulating base material using an oxidizing agent, an alkaline agent, an acidic agent, etc., a hole pattern etching of copper foil using a resist, and an oxidizing agent, an alkaline agent, an acidic agent, etc. Examples include a processing method that combines chemical etching of an insulating base material.

前記穴開け加工で形成する穴の孔径(直径)は、0.01~1mmの範囲が好ましく、0.02~0.5mmの範囲がより好ましく、0.03~0.1mmの範囲がさらに好ましい。 The hole diameter (diameter) of the hole formed by the drilling process is preferably in the range of 0.01 to 1 mm, more preferably in the range of 0.02 to 0.5 mm, and even more preferably in the range of 0.03 to 0.1 mm. .

孔開け加工時に発生する有機物や無機物のゴミ(スミア)が、後述する両面の電気的接続、及び、導電層(M3)を形成するめっき工程でめっき析出性の不良や、めっき密着性の低下、めっき外観を損なう原因となる可能性があるため、ゴミを除去すること(デスミア)が好ましい。デスミアの方法としては、例えば、プラズマ処理、逆スパッタ処理等の乾式処理、過マンガン酸カリウム等の酸化剤水溶液による洗浄処理、アルカリや酸の水溶液による洗浄処理、有機溶剤による洗浄処理等の湿式処理などが挙げられる。 Organic and inorganic dust (smear) generated during the hole-drilling process can cause poor plating deposition and a decrease in plating adhesion during the plating process that forms electrical connections on both sides and the conductive layer (M3), which will be described later. It is preferable to remove dust (desmear) since it may cause damage to the appearance of the plating. Desmearing methods include, for example, dry treatments such as plasma treatment and reverse sputtering, cleaning treatments with an oxidizing agent aqueous solution such as potassium permanganate, cleaning treatments with an aqueous alkali or acid solution, and wet treatments such as cleaning treatments with organic solvents. Examples include.

本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いたプリント配線板の製造方法の工程2には、前記工程1において形成された貫通孔を有する積層体の表面上に、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれかを付与して、貫通孔表面を導電化する工程である。 In step 2 of the method for manufacturing a printed wiring board using the laminate for semi-additive construction of the present invention, palladium, conductive polymer, and carbon are added to the surface of the laminate having the through holes formed in step 1. This is a step of applying one of these to make the surface of the through hole conductive.

前記貫通孔表面を導電化する方法は、例えば、豊永 実、サーキットテクノロジ、vol.8,No.1(1993)pp.47-59に『ダイレクトプレーティング』として記載されている方法を参考にして行うことができる。 The method of making the surface of the through hole conductive is described, for example, by Minoru Toyonaga, Circuit Technology, vol. 8, No. 1 (1993) pp. This can be carried out by referring to the method described as "direct plating" in 47-59.

前記貫通孔表面を導電化する方法としては、前記文献に記載されている、(1)パラジウム-スズコロイドシステム、(2)スズフリーパラジウムシステム、(3)導電性ポリマーシステム、(4)グラファイトシステムの4種類のいずれかを用いれば良い。 Methods for making the surface of the through hole electrically conductive include (1) palladium-tin colloid system, (2) tin-free palladium system, (3) conductive polymer system, and (4) graphite system, which are described in the above literature. Any one of these four types may be used.

前記貫通孔表面をパラジウム-スズコロイドを用いて導電化する方法としては、貫通孔の形成された前記積層体表面をクリーナー-コンディショナー処理した後、スズ-パラジウムコロイドを表面に吸着させ、アクセレレータ処理してスズを除去することにより実施される。また、パラジウムを、さらに硫化パラジウムに転換させて導電性を高める方法も用いることができる。 As a method for making the surface of the through hole conductive using palladium-tin colloid, the surface of the laminate in which the through hole is formed is treated with a cleaner-conditioner, and then tin-palladium colloid is adsorbed on the surface and then treated with an accelerator. This is done by removing the tin. Furthermore, a method can also be used in which palladium is further converted into palladium sulfide to improve conductivity.

また、前記貫通孔表面を導電性ポリマーで導電化する方法としては、ピロール誘導体のモノマーを酸化重合させる方法を用いることができる。貫通孔の形成された前記積層体表面をコンディショナー処理した後、過マンガン酸塩水溶液で処理し、前記絶縁性基材(A)に形成された貫通孔の表面にMnOを形成する。高沸点アルコールを溶かしたモノマー水溶液を基板時表面に浸漬した後、希硫酸水溶液に浸漬すると、MnOで被覆された表面で重合化が進み、導電性ポリマーを形成することで導電化を行う。Further, as a method for making the surface of the through hole electrically conductive with a conductive polymer, a method of oxidative polymerization of a pyrrole derivative monomer can be used. After the surface of the laminate in which the through holes are formed is treated with a conditioner, it is treated with a permanganate aqueous solution to form MnO 2 on the surface of the through holes formed in the insulating base material (A). When the surface of the substrate is immersed in a monomer aqueous solution containing a high boiling point alcohol and then immersed in a dilute sulfuric acid aqueous solution, polymerization proceeds on the surface coated with MnO 2 and conductivity is achieved by forming a conductive polymer.

さらに、前記貫通孔表面をグラファイトで導電化する方法としては、前記、貫通孔を形成したセミアディティブプロセス工法用基材の表面を懸濁したカーボンブラックの溶液で処理し、基板全面にカーボンを吸着させることで行うことができる。貫通孔の形成された前記積層体表面をコンディショナー処理することによって、基材表面を正帯電させた後、負電荷をもったカーボンブラックを表面に吸着させて導電性を確保することができる。 Furthermore, as a method for making the surface of the through hole conductive with graphite, the surface of the semi-additive process base material in which the through hole is formed is treated with a suspended carbon black solution to adsorb carbon onto the entire surface of the substrate. This can be done by letting By treating the surface of the laminate with the through holes formed therein with a conditioner, the surface of the base material is positively charged, and then negatively charged carbon black is adsorbed onto the surface to ensure conductivity.

貫通孔表面を導電化する方法としては、前記のパラジウム、導電性ポリマー、カーボンを用いるいずれの方法を用いることも可能であり、市販の公知慣用のプロセスを利用することができる。例えば、スズーパラジウムプロセスでは、クリムソンプロセスとして知られている方法を用いることができ、グラファイトシステムでは、例えば、ブラックホールプロセスとして知られているプロセスを利用することができる。これらの方法のうち、材料、および、プロセスコストの観点からカーボンを用いて導電化する方法を用いることが好ましい。 As a method for making the surface of the through-hole electrically conductive, any of the methods using palladium, conductive polymer, or carbon described above can be used, and commercially known and commonly used processes can be used. For example, the tin-palladium process may utilize a method known as the Crimson process, and the graphite system may utilize, for example, a process known as the black hole process. Among these methods, from the viewpoint of materials and process costs, it is preferable to use a method of making the material conductive using carbon.

本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いたプリント配線板の製造方法の工程3は、前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程である。本工程は、後工程の導電層(M3)を形成するためのめっきシード層となる導電性の銀粒子層(M1)を露出する工程であるとともに、工程2において貫通孔を導電化するために用いたパラジウム、導電性ポリマー、カーボンを、めっきシード上から除去する目的を有する。 Step 3 of the method for manufacturing a printed wiring board using the laminate for semi-additive construction of the present invention is a step of etching the copper layer (M2) to expose the conductive silver particle layer (M1). This step is a step for exposing the conductive silver particle layer (M1) that will become a plating seed layer for forming a conductive layer (M3) in the subsequent step, and also for making the through hole conductive in step 2. The purpose is to remove the used palladium, conductive polymer, and carbon from the plating seeds.

工程3において、導電性の銀粒子層(M1)上に積層された0.1μm~2μm厚の銅層(M2)をエッチング除去するために用いられる薬剤は、銅層(M2)を効率良くエッチングし、下層の銀粒子層(M1)を損傷しない限り、特に制限はなく、公知慣用の銅のマイクロエッチング液、ソフトエッチング液を用いることができる。銅層(M2)のエッチング液としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩の水溶液、もしくは、硫酸/過酸化水素水溶液を用いて行うことができる。 In step 3, the chemical used to etch away the 0.1 μm to 2 μm thick copper layer (M2) laminated on the conductive silver particle layer (M1) can efficiently etch the copper layer (M2). However, there is no particular restriction as long as the underlying silver particle layer (M1) is not damaged, and any known and commonly used copper micro-etching solution or soft etching solution can be used. As the etching solution for the copper layer (M2), an aqueous solution of a persulfate such as ammonium persulfate, sodium persulfate, potassium persulfate, etc., or an aqueous sulfuric acid/hydrogen peroxide solution can be used.

過硫酸塩の水溶液、もしくは、硫酸/過酸化水素水溶液の濃度は、プリント配線板製造に用いる前記セミアディティブ工法用積層体の銅層(M2)の層厚、製造装置の設計等に合わせて、適宜選択すれば良いが、使用するプロセスにおいて、銅層のエッチング速度が2μm/minより小さくなる様に設定することが好ましく、効率良い銅層(M2)の除去と、下地層である導電性銀粒子層(M1)への損傷を防ぐ観点から、0.1μm/min.~1.5μm/min.のエッチング速度となる様に設定することが、より好ましい。 The concentration of the persulfate aqueous solution or the sulfuric acid/hydrogen peroxide aqueous solution is determined according to the layer thickness of the copper layer (M2) of the semi-additive method laminate used for manufacturing printed wiring boards, the design of the manufacturing equipment, etc. Although it may be selected as appropriate, it is preferable to set the etching rate of the copper layer to be less than 2 μm/min in the process used, so that the etching rate of the copper layer (M2) can be efficiently removed and the conductive silver that is the underlying layer can be removed. From the viewpoint of preventing damage to the particle layer (M1), the speed of 0.1 μm/min. ~1.5μm/min. It is more preferable to set the etching rate so that the etching rate is as follows.

本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いたプリント配線板の製造方法の工程3を経て、前記銅層(M2)をエッチングした積層体は、乾燥工程を経て、銀粒子層(M1)を導電シードとする、セミアディティブ工法用積層体として用いることができる。すなわち、本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いたプリント配線板の製造方法の工程3により、前記銅層(M2)をエッチングした積層体は、
絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)を有し、
さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれかにより導電性が確保された基材であることを特徴とするセミアディティブ工法用積層体となる。
The laminate in which the copper layer (M2) has been etched through step 3 of the method for producing a printed wiring board using the laminate for semi-additive construction of the present invention is then subjected to a drying step to make the silver particle layer (M1) conductive. It can be used as a seed laminate for semi-additive construction methods. That is, the laminate in which the copper layer (M2) is etched in step 3 of the method for manufacturing a printed wiring board using the laminate for semi-additive construction method of the present invention,
Having a conductive silver particle layer (M1) on both surfaces of the insulating base material (A),
Furthermore, the semi-additive material has a through hole connecting both sides of the insulating base material, and the surface of the through hole is a base material whose conductivity is ensured by palladium, a conductive polymer, or carbon. It becomes a laminate for construction methods.

本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いたプリント配線板の製造方法の工程4においては、前記工程3において、上層の前記銅層(M2)を除去した銀粒子層(M1)上に、回路パターンのパターンレジストを形成する。
工程4のパターンレジストを形成する工程においては、前記銀粒子層(M1)の表面は、レジスト形成前に、レジスト層との密着性向上を目的として、酸性又はアルカリ性の洗浄液による洗浄処理、コロナ処理、プラズマ処理、UV処理、気相オゾン処理、液相オゾン処理、表面処理剤による処理等の表面処理を行ってもよい。これらの表面処理は、1種の方法で行うことも2種以上の方法を併用することもできる。
In step 4 of the method for manufacturing a printed wiring board using the laminate for semi-additive construction of the present invention, a circuit is formed on the silver particle layer (M1) from which the upper copper layer (M2) has been removed in step 3. Forming a pattern resist of the pattern.
In the step 4 of forming a patterned resist, the surface of the silver particle layer (M1) is subjected to cleaning treatment with an acidic or alkaline cleaning solution and corona treatment for the purpose of improving adhesion with the resist layer before forming the resist. Surface treatments such as plasma treatment, UV treatment, gas phase ozone treatment, liquid phase ozone treatment, and treatment with a surface treatment agent may be performed. These surface treatments can be performed by one type of method or two or more types of methods can be used in combination.

前記の表面処理剤による処理としては、例えば、特開平7-258870号公報に記載されている、トリアゾール系化合物、シランカップリング剤および有機酸からなる防錆剤を用いて処理する方法、特開2000-286546号公報に記載されている、有機酸、ベンゾトリアゾール系防錆剤およびシランカップリング剤を用いて処理する方法、特開2002-363189号公報に記載されている、トリアゾールやチアジアゾール等の含窒素複素環と、トリメトキシシリル基やトリエトキシシリル基等のシリル基が、チオエーテル(スルフィド)結合等を有する有機基を介して結合された構造の物質を用いて処理する方法、WO2013/186941号公報に記載されている、トリアジン環とアミノ基を有するシラン化合物を用いて処理する方法、特開2015-214743号公報に記載されている、ホルミルイミダゾール化合物と、アミノプロピルシラン化合物とを反応させて得られるイミダゾールシラン化合物を用いて処理する方法、特開2016-134454号公報に記載されているアゾールシラン化合物を用いて処理する方法、特開2017-203073号公報に記載されている、一分子中にアミノ基および芳香環を有する芳香族化合物と2以上のカルボキシル基を有する多塩基酸、ならびにハロゲン化物イオンを含む溶液で処理する方法、特開2018-16865号公報に記載されているトリアゾールシラン化合物を含有する表面処理剤で処理する方法、などを用いることができる。 Examples of the treatment with the above-mentioned surface treatment agent include a method using a rust preventive agent consisting of a triazole compound, a silane coupling agent, and an organic acid, as described in JP-A-7-258870; A method of treatment using an organic acid, a benzotriazole-based rust preventive agent, and a silane coupling agent is described in Japanese Patent Publication No. 2000-286546, and a method of treatment using a triazole, thiadiazole, etc. Process using a substance having a structure in which a nitrogen-containing heterocycle and a silyl group such as a trimethoxysilyl group or a triethoxysilyl group are bonded via an organic group having a thioether (sulfide) bond, etc., WO2013/186941 A method of treating using a silane compound having a triazine ring and an amino group, which is described in Japanese Patent Publication No. 2015-214743, and a method of reacting a formylimidazole compound with an aminopropylsilane compound, which is described in Japanese Patent Application Laid-open No. 2015-214743. A method of treating with an imidazole silane compound obtained by A method of treating with a solution containing an aromatic compound having an amino group and an aromatic ring, a polybasic acid having two or more carboxyl groups, and a halide ion, a triazole silane described in JP 2018-16865A. A method of treating with a surface treatment agent containing a compound, etc. can be used.

本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いて、表面に金属パターンを形成するためには、感光性レジストにフォトマスクを通すか、ダイレクト露光機を用いて、活性光でパターンを露光する。露光量は、必要に応じて適宜設定すればよい。露光により感光性レジストに形成された潜像を、現像液を用いて除去することによって、パターンレジストを形成する。 In order to form a metal pattern on the surface using the laminate for semi-additive construction of the present invention, the pattern is exposed to active light by passing a photomask through a photosensitive resist or using a direct exposure machine. The exposure amount may be appropriately set as necessary. A pattern resist is formed by removing a latent image formed on a photosensitive resist by exposure using a developer.

前記現像液としては、0.3~2質量%の炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の希薄アルカリ水溶液が挙げられる。前記希薄アルカリ水溶液中には、界面活性剤、消泡剤や、現像を促進させるために、少量の有機溶剤等を添加してもよい。また、上記で露光した基材を、現像液に浸漬するか、現像液をスプレー等でレジスト上に噴霧することにより現像を行ない、この現像によって、パターン形成部が除去されたパターンレジストを形成できる。 Examples of the developer include dilute alkaline aqueous solutions of 0.3 to 2% by mass of sodium carbonate, potassium carbonate, and the like. A surfactant, an antifoaming agent, and a small amount of an organic solvent may be added to the dilute aqueous alkaline solution to accelerate development. Further, the substrate exposed above is developed by immersing it in a developer or by spraying the developer onto the resist, and by this development, a patterned resist from which the pattern forming portion has been removed can be formed. .

パターンレジストを形成する際には、さらに、プラズマによるデスカム処理や、市販のレジスト残渣除去剤を用いて、硬化レジストと基板との境界部分に生じた裾引き部分や基板表面に残存したレジスト付着物などのレジスト残渣を除去してもよい。 When forming a patterned resist, furthermore, a descum treatment using plasma or a commercially available resist residue remover is used to remove footings that occur at the boundary between the hardened resist and the substrate and resist deposits remaining on the substrate surface. Resist residues such as those may be removed.

本発明で用いる感光性レジストとしては、市販のレジストインキ、液体レジスト、ドライフィルムレジストを用いることができ、目的とするパターンの解像度、使用する露光機の種類、後工程のめっき処理で用いる薬液の種類、pH等によって適宜選択すればよい。 As the photosensitive resist used in the present invention, commercially available resist inks, liquid resists, and dry film resists can be used. It may be selected appropriately depending on the type, pH, etc.

市販のレジストインキとしては、例えば、太陽インキ製造株式会社製の「めっきレジストMA-830」、「エッチングレジストX-87」;NAZDAR社のエッチングレジスト、めっきレジスト;互応化学工業株式会社製の「エッチングレジスト PLAS FINE PER」シリーズ、「めっきレジスト PLAS FINE PPR」シリーズ等が挙げられる。また、電着レジストとしては、例えば、ダウ・ケミカル・カンパニー社の「イーグルシリーズ」、「ペパーシリーズ」等が挙げられる。さらに、市販のドライフィルムとしては、例えば、日立化成株式会社製の「フォテック」シリーズ;ニッコーマテリアルズ株式会社製の「ALPHO」シリーズ;旭化成株式会社製の「サンフォート」シリーズ、デュポン社製の「リストン」シリーズ等が挙げられる。 Commercially available resist inks include, for example, "Plating Resist MA-830" and "Etching Resist Examples include the "Resist PLAS FINE PER" series and the "Plating Resist PLAS FINE PPR" series. Examples of electrodeposition resists include "Eagle Series" and "Pepper Series" manufactured by Dow Chemical Company. Furthermore, commercially available dry films include, for example, the "Phototech" series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.; the "ALPHO" series manufactured by Nikko Materials Co., Ltd.; the "Sunfort" series manufactured by Asahi Kasei Corporation; Liston" series, etc.

効率良くプリント配線板を製造するためには、ドライフィルムレジストを用いることが簡便で、特に微細回路を形成する場合には、セミアディティブ工法用のドライフィルムを用いればよい。この目的に用いる市販のドライフィルムとしては、例えば、ニッコーマテリアルズ株式会社製の「ALFO LDF500」、「NIT2700」、旭化成株式会社製の「サンフォート UFG―258」、日立化成株式会社製の「RDシリーズ(RD-2015、1225)」、「RYシリーズ(RY-5319、5325)」、デュポン社製の「PlateMasterシリーズ(PM200、300)」等を用いることができる。 In order to efficiently manufacture a printed wiring board, it is convenient to use a dry film resist, and particularly when forming a fine circuit, a dry film for semi-additive construction may be used. Commercially available dry films used for this purpose include, for example, "ALFO LDF500" and "NIT2700" manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., "Sunfort UFG-258" manufactured by Asahi Kasei Corporation, and "RD series (RD-2015, 1225),” “RY series (RY-5319, 5325),” “Plate Master series (PM200, 300)” manufactured by DuPont, etc. can be used.

本発明のプリント配線板の製造方法の工程5において、本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いて、基材上に回路パターンを形成するには、前記導電性の銀粒子層(M1)を電解銅めっきのカソード電極として使用し、上記工程4において、現像により露出した前記銀粒子層(M1)上に、電解銅めっき法による処理を行うことにより、積層体の貫通孔を銅めっきで接続すると同時に、回路パターンの導電層(M3)を形成することができる。 In step 5 of the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, in order to form a circuit pattern on a substrate using the laminate for semi-additive construction of the present invention, the conductive silver particle layer (M1) is It is used as a cathode electrode for electrolytic copper plating, and in step 4, the silver particle layer (M1) exposed by development is treated by electrolytic copper plating to connect the through holes of the laminate with copper plating. At the same time, a conductive layer (M3) of a circuit pattern can be formed.

前記の電解銅めっき法により導電層(M3)を形成する前において、必要に応じて、前記銀粒子層(M1)表面の表面処理を行ってもよい。この表面処理としては、前記銀粒子層(M1)の表面や形成したレジストパターンが損傷しない条件で、酸性又はアルカリ性の洗浄液による洗浄処理、コロナ処理、プラズマ処理、UV処理、気相オゾン処理、液相オゾン処理、表面処理剤による処理等が挙げられる。これらの表面処理は、1種の方法で行うことも2種以上の方法を併用することもできる。 Before forming the conductive layer (M3) by the electrolytic copper plating method, the surface of the silver particle layer (M1) may be subjected to surface treatment, if necessary. This surface treatment includes cleaning treatment with an acidic or alkaline cleaning solution, corona treatment, plasma treatment, UV treatment, vapor phase ozone treatment, and liquid treatment under conditions that do not damage the surface of the silver particle layer (M1) or the formed resist pattern. Examples include phase ozone treatment and treatment with a surface treatment agent. These surface treatments can be performed by one type of method or two or more types of methods can be used in combination.

本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いて、絶縁性基材上に回路パターンの導電層(M3)を形成する際、めっき膜の応力緩和や密着力向上を目的として、めっき後にアニーリングを行ってもよい。アニーリングは、後述するエッチング工程の前に行ってもよいし、エッチング工程の後に行ってもよく、エッチングの前後で行ってもよい。 When forming a conductive layer (M3) with a circuit pattern on an insulating base material using the laminate for semi-additive construction of the present invention, annealing is performed after plating in order to relieve stress and improve adhesion of the plating film. It's okay. Annealing may be performed before or after an etching process, which will be described later, or before or after etching.

アニーリングの温度は、用いる基材の耐熱性や使用目的によって40~300℃の温度範囲で適宜選択すればよいが、40~250℃の範囲が好ましく、めっき膜の酸化劣化を抑制する目的から、40~200℃の範囲がより好ましい。また、アニーリングの時間は、40~200℃の温度範囲の場合には、10分~10日間、200℃を超える温度でのアニーリングは、5分~10時間程度がよい。また、めっき膜をアニーリングする際には、適宜、めっき膜表面に防錆剤を付与してもよい。 The annealing temperature may be appropriately selected in the range of 40 to 300 °C depending on the heat resistance of the base material used and the purpose of use, but is preferably in the range of 40 to 250 °C, and for the purpose of suppressing oxidative deterioration of the plated film. The temperature range is more preferably from 40 to 200°C. Further, the annealing time is preferably 10 minutes to 10 days in the temperature range of 40 to 200°C, and about 5 minutes to 10 hours in the case of annealing at a temperature exceeding 200°C. Further, when annealing the plating film, a rust preventive agent may be applied to the surface of the plating film as appropriate.

本発明のプリント配線板の製造方法の工程6においては、前記工程5において、本発明のセミアディティブ工法用積層体の絶縁性基材上に、めっきにより導電層(M3)を形成した後に、前記感光性レジストを用いて形成したパターンレジストを剥離し、非パターン形成部の銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する。 In step 6 of the printed wiring board manufacturing method of the present invention, in step 5, after forming the conductive layer (M3) by plating on the insulating base material of the laminate for semi-additive construction method of the present invention, The patterned resist formed using a photosensitive resist is peeled off, and the silver particle layer (M1) in the non-patterned area is removed using an etching solution.

パターンレジストの剥離は、用いた感光性レジストのカタログ、仕様書等に記載されている推奨条件で行えばよい。また、パターンレジストの剥離の際に用いるレジスト剥離液としては、市販のレジスト剥離液や、45~60℃に設定した水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムの1.5~3質量%水溶液を用いることができる。レジストの剥離は、前記回路パターンの導電層(M3)を形成した基材を、剥離液に浸漬するか、剥離液をスプレー等で噴霧することによって行うことができる。 The pattern resist may be peeled off under the recommended conditions described in the catalog, specifications, etc. of the photosensitive resist used. Furthermore, as the resist stripping solution used when stripping the pattern resist, it is possible to use a commercially available resist stripping solution or a 1.5 to 3% by mass aqueous solution of sodium hydroxide or potassium hydroxide set at 45 to 60°C. can. The resist can be removed by immersing the base material on which the conductive layer (M3) of the circuit pattern is formed in a stripping solution, or by spraying the stripping solution with a spray or the like.

また、非パターン形成部の銀粒子層(M1)を除去する際に用いるエッチング液は、前記銀粒子層(M1)のみを選択的にエッチングし、前記導電層(M3)を形成する銅は、エッチングしないものが好ましい。このようなエッチング液としては、カルボン酸と過酸化水素との混合物が挙げられる。 In addition, the etching solution used when removing the silver particle layer (M1) in the non-patterned area selectively etches only the silver particle layer (M1), and the copper forming the conductive layer (M3) is Preferably, it is not etched. Such an etching solution includes a mixture of carboxylic acid and hydrogen peroxide.

前記カルボン酸としては、例えば、酢酸、蟻酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、ドコサヘキサエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、没食子酸、メリト酸、ケイ皮酸、ピルビン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、フマル酸、マレイン酸、アコニット酸、グルタル酸、アジピン酸、アミノ酸等が挙げられる。これらのカルボン酸は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。これらのカルボン酸の中でも、エッチング液としての製造、取り扱いが容易であることから、主として酢酸を用いることが好ましい。 Examples of the carboxylic acid include acetic acid, formic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, pelargonic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, Oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, arachidonic acid, eicosapentaenoic acid, docosahexaenoic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, gallic acid, mellitic acid, cinnamic acid Acids include pyruvic acid, lactic acid, malic acid, citric acid, fumaric acid, maleic acid, aconitic acid, glutaric acid, adipic acid, amino acids, and the like. These carboxylic acids can be used alone or in combination of two or more. Among these carboxylic acids, it is preferable to use acetic acid because it is easy to manufacture and handle as an etching solution.

エッチング液として、カルボン酸と過酸化水素との混合物を用いると、過酸化水素がカルボン酸と反応することによって、過カルボン酸(ぺルオキシカルボン酸)が生成すると考えられる。生成した過カルボン酸は、前記導電層(M3)を構成する銅の溶解を抑制しながら、前記銀粒子層(M1)を構成する銀を優先的に溶解するものと推測される。 When a mixture of carboxylic acid and hydrogen peroxide is used as an etching solution, hydrogen peroxide reacts with the carboxylic acid, thereby producing percarboxylic acid (peroxycarboxylic acid). It is presumed that the generated percarboxylic acid preferentially dissolves the silver forming the silver particle layer (M1) while suppressing the dissolution of the copper forming the conductive layer (M3).

前記カルボン酸と過酸化水素との混合物の混合割合としては、銅の導電層(M3)の溶解を抑制できることから、カルボン酸1モルに対して、過酸化水素を2~100モルの範囲が好ましく、過酸化水素2~50モルの範囲がより好ましい。 The mixing ratio of the mixture of carboxylic acid and hydrogen peroxide is preferably in the range of 2 to 100 moles of hydrogen peroxide per 1 mole of carboxylic acid, since dissolution of the copper conductive layer (M3) can be suppressed. , more preferably a range of 2 to 50 moles of hydrogen peroxide.

前記カルボン酸と過酸化水素との混合物は、水で希釈された水溶液が好ましい。また、前記水溶液中の前記カルボン酸と過酸化水素との混合物の含有比率は、エッチング液の温度上昇の影響を抑制できることから、2~65質量%の範囲が好ましく、2~30質量%の範囲がより好ましい。 The mixture of carboxylic acid and hydrogen peroxide is preferably an aqueous solution diluted with water. Further, the content ratio of the mixture of the carboxylic acid and hydrogen peroxide in the aqueous solution is preferably in the range of 2 to 65% by mass, and in the range of 2 to 30% by mass, since the influence of the temperature rise of the etching solution can be suppressed. is more preferable.

上記の希釈に用いる水としては、イオン交換水、純水、超純水等のイオン性物質や不純物を除去した水を用いることが好ましい。 As the water used for the above dilution, it is preferable to use water from which ionic substances and impurities have been removed, such as ion-exchanged water, pure water, and ultrapure water.

前記エッチング液には、前記銅の導電層(M3)を保護して、溶解を抑制するための保護剤をさらに添加してもよい。保護剤としては、アゾール化合物を用いることが好ましい。 A protective agent for protecting the copper conductive layer (M3) and suppressing dissolution may be further added to the etching solution. As the protective agent, it is preferable to use an azole compound.

前記アゾール化合物としては、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキソゾール、チアゾール、セレナゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、オキサトリアゾール、チアトリアゾール等が挙げられる。 Examples of the azole compound include imidazole, pyrazole, triazole, tetrazole, oxozole, thiazole, selenazole, oxadiazole, thiadiazole, oxatriazole, thiatriazole, and the like.

前記アゾール化合物の具体例としては、例えば、2-メチルベンゾイミダゾール、アミノトリアゾール、1,2,3-ベンゾトリアゾール、4-アミノベンゾトリアゾール、1-ビスアミノメチルベンゾトリアゾール、アミノテトラゾール、フェニルテトラゾール、2-フェニルチアゾール、ベンゾチアゾール等が挙げられる。これらのアゾール化合物は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。 Specific examples of the azole compounds include 2-methylbenzimidazole, aminotriazole, 1,2,3-benzotriazole, 4-aminobenzotriazole, 1-bisaminomethylbenzotriazole, aminotetrazole, phenyltetrazole, -Phenylthiazole, benzothiazole, etc. These azole compounds can be used alone or in combination of two or more.

前記アゾール化合物のエッチング液中の濃度は、0.001~2質量%の範囲が好ましく、0.01~0.2質量%の範囲がより好ましい。 The concentration of the azole compound in the etching solution is preferably in the range of 0.001 to 2% by mass, more preferably in the range of 0.01 to 0.2% by mass.

また、前記エッチング液には、前記銅の導電層(M3)の溶解を抑制できることから、保護剤として、ポリアルキレングリコールを添加することが好ましい。 Moreover, it is preferable to add polyalkylene glycol to the etching solution as a protective agent since it can suppress dissolution of the copper conductive layer (M3).

前記ポリアルキレングリコールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー等の水溶性ポリマーなどが挙げられる。これらの中でも、ポリエチレングリコールが好ましい。また、ポリアルキレングリコールの数平均分子量としては、200~20,000の範囲が好ましい。 Examples of the polyalkylene glycol include water-soluble polymers such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymers. Among these, polyethylene glycol is preferred. Further, the number average molecular weight of the polyalkylene glycol is preferably in the range of 200 to 20,000.

前記ポリアルキレングリコールのエッチング液中の濃度は、0.001~2質量%の範囲が好ましく、0.01~1質量%の範囲がより好ましい。 The concentration of the polyalkylene glycol in the etching solution is preferably in the range of 0.001 to 2% by mass, more preferably in the range of 0.01 to 1% by mass.

前記エッチング液には、pHの変動を抑制するため、有機酸のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等の添加剤を必要に応じて配合してもよい。 The etching solution may contain additives such as sodium salts, potassium salts, and ammonium salts of organic acids, if necessary, in order to suppress pH fluctuations.

本発明のセミアディティブ工法用積層体において非パターン形成部の銀粒子層(M1)の除去は、前記導電層(M3)を形成した後、前記感光性レジストを用いて形成したパターンレジストを剥離した基材を、前記エッチング液に浸漬するか、前記基材上にエッチング液をスプレー等で噴霧することによって行うことができる。 In the laminate for semi-additive construction method of the present invention, the removal of the silver particle layer (M1) in the non-pattern-formed area is carried out by peeling off the patterned resist formed using the photosensitive resist after forming the conductive layer (M3). This can be carried out by immersing the base material in the etching solution or by spraying the etching solution onto the base material.

エッチング装置を用いて、非回路パターン形成部の銀粒子層(M1)を除去する場合には、例えば、前記エッチング液の全成分を所定の組成になるように調製した後、エッチング装置に供給してもよく、前記エッチング液の各成分を個別にエッチング装置に供給し、装置内で、前記各成分を混合して、所定の組成になるように調製してもよい。 When removing the silver particle layer (M1) in the non-circuit pattern forming area using an etching device, for example, all the components of the etching solution are prepared to have a predetermined composition, and then supplied to the etching device. Alternatively, each component of the etching solution may be individually supplied to an etching device, and the components may be mixed in the device to obtain a predetermined composition.

前記エッチング液は、10~35℃の温度範囲で用いることが好ましく、特に過酸化水素を含有するエッチング液を使用する場合には、過酸化水素の分解を抑制できることから、30℃以下の温度範囲で用いることが好ましい。 The etching solution is preferably used in a temperature range of 10 to 35°C, and especially when using an etching solution containing hydrogen peroxide, the temperature range is 30°C or less because decomposition of hydrogen peroxide can be suppressed. It is preferable to use it in

本発明のプリント配線板は、上記のように、絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材の表面上に、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれかを付与して、貫通孔表面を導電化する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に、パターンレジストを形成する工程4、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M3)形成を行う工程5、さらに、パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程6を行うことで作製することができる。
As described above, in the printed wiring board of the present invention, a silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) are sequentially laminated on both surfaces of an insulating base material (A), and the copper layer (M2 ) Step 1 of forming through holes penetrating both sides of the laminate having a layer thickness of 0.1 μm to 2 μm;
Step 2 of applying palladium, a conductive polymer, or carbon to the surface of the base material having the through hole to make the surface of the through hole electrically conductive;
Step 3 of etching the copper layer (M2) to expose the conductive silver particle layer (M1);
Step 4 of forming a pattern resist on the conductive silver particle layer (M1);
Step 5 of electrically connecting both sides of the base material and forming a conductive layer (M3) of a circuit pattern by electrolytic copper plating; ) can be manufactured by performing step 6 of removing the film using an etching solution.

前記銀粒子層(M1)を、前記エッチング液で除去処理した後、エッチング液中に溶解した銀成分がプリント配線板上に付着、残留するのを防ぐ目的で、水洗以外に、さらに洗浄操作を行ってもよい。洗浄操作には、酸化銀、硫化銀、塩化銀を溶解するが、銀をほとんど溶解しない洗浄溶液を用いることが好ましい。具体的には、チオ硫酸塩もしくはトリス(3-ヒドロキシアルキル)ホスフィンを含有する水溶液、又は、メルカプトカルボン酸もしくはその塩を含有する水溶液を洗浄薬液として用いることが好ましい。 After the silver particle layer (M1) is removed with the etching solution, a cleaning operation is performed in addition to water washing in order to prevent the silver component dissolved in the etching solution from adhering to and remaining on the printed wiring board. You may go. In the cleaning operation, it is preferable to use a cleaning solution that dissolves silver oxide, silver sulfide, and silver chloride, but hardly dissolves silver. Specifically, it is preferable to use an aqueous solution containing thiosulfate or tris(3-hydroxyalkyl)phosphine, or an aqueous solution containing mercaptocarboxylic acid or a salt thereof as the cleaning chemical solution.

前記、チオ硫酸塩としては、例えば、チオ硫酸アンモニウム、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム等が挙げられる。また、前記トリス(3-ヒドロキシアルキル)ホスフィンとしては、例えば、トリス(3-ヒドロキシメチル)ホスフィン、トリス(3-ヒドロキシエチル)ホスフィン、トリス(3-ヒドロキシプロピル)ホスフィン等が挙げられる。これらのチオ硫酸塩又はトリス(3-ヒドロキシアルキル)ホスフィンは、それぞれ1種で用いることも2種以上併用することもできる。 Examples of the thiosulfate include ammonium thiosulfate, sodium thiosulfate, potassium thiosulfate, and the like. Further, examples of the tris(3-hydroxyalkyl)phosphine include tris(3-hydroxymethyl)phosphine, tris(3-hydroxyethyl)phosphine, tris(3-hydroxypropyl)phosphine, and the like. These thiosulfate or tris(3-hydroxyalkyl)phosphine can be used alone or in combination of two or more.

チオ硫酸塩を含有する水溶液を用いる場合の濃度としては、工程時間、用いる洗浄装置の特性等によって適宜設定すればよいが、0.1~40質量%の範囲が好ましく、洗浄効率や連続使用時の薬液の安定性の観点から、1~30質量%の範囲がより好ましい。 When using an aqueous solution containing thiosulfate, the concentration may be set as appropriate depending on the process time, the characteristics of the cleaning equipment used, etc., but it is preferably in the range of 0.1 to 40% by mass, and is suitable for cleaning efficiency and continuous use. From the viewpoint of stability of the chemical solution, the range of 1 to 30% by mass is more preferable.

また、前記トリス(3-ヒドロキシアルキル)ホスフィンを含有する水溶液を用いる場合の濃度としては、工程時間、用いる洗浄装置の特性等によって適宜設定すればよいが、0.1~50質量%の範囲が好ましく、洗浄効率や連続使用時の薬液の安定性の観点から、1~40質量%の範囲がより好ましい。 Further, when using an aqueous solution containing the tris(3-hydroxyalkyl)phosphine, the concentration may be appropriately set depending on the process time, the characteristics of the cleaning equipment used, etc., but it is preferably in the range of 0.1 to 50% by mass. Preferably, from the viewpoint of cleaning efficiency and stability of the chemical solution during continuous use, the range is more preferably 1 to 40% by mass.

前記メルカプトカルボン酸としては、例えば、チオグリコール酸、2-メルカプトプロピオン酸、3-メルカプトプロピオン酸、チオリンゴ酸、システイン、N―アセチルシステイン等が挙げられる。また、前記メルカプトカルボン酸の塩としては、例えば、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン塩等が挙げられる。 Examples of the mercaptocarboxylic acid include thioglycolic acid, 2-mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropionic acid, thiomalic acid, cysteine, and N-acetylcysteine. Examples of the mercaptocarboxylic acid salts include alkali metal salts, ammonium salts, and amine salts.

メルカプトカルボン酸又はその塩の水溶液を用いる場合の濃度としては、0.1~20質量%の範囲が好ましく、洗浄効率や大量に処理する場合のプロセスコストの観点から、0.5~15質量%の範囲がより好ましい。 When using an aqueous solution of mercaptocarboxylic acid or its salt, the concentration is preferably in the range of 0.1 to 20% by mass, and from the viewpoint of cleaning efficiency and process cost when processing in large quantities, it is 0.5 to 15% by mass. The range is more preferable.

上記の洗浄操作を行う方法としては、例えば、前記非パターン形成部の銀粒子層(M1)をエッチング除去して得られたプリント配線板を前記洗浄薬液に浸漬する方法、前記プリント配線板にスプレー等で洗浄薬液を噴霧する方法等が挙げられる。洗浄薬液の温度は、室温(25℃)で用いることができるが、外気温に影響を受けずに安定的に洗浄処理を行えることから、例えば、30℃に温度設定して用いてもよい。 Examples of the method for carrying out the above-mentioned cleaning operation include, for example, immersing the printed wiring board obtained by etching away the silver particle layer (M1) in the non-patterned area in the cleaning chemical solution, and spraying the printed wiring board. Examples include a method of spraying a cleaning chemical solution. The temperature of the cleaning chemical solution can be used at room temperature (25° C.), but it may also be used at a temperature of 30° C., for example, since the cleaning process can be performed stably without being affected by the outside temperature.

また、前記非パターン形成部の銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程と洗浄操作は、必要に応じて繰り返して行うことができる。 Further, the step of removing the silver particle layer (M1) in the non-patterned area using an etching solution and the cleaning operation can be repeated as necessary.

本発明のプリント配線板は、上記のように、前記エッチング液で非パターン形成部の銀粒子層(M1)を除去処理した後、非パターン形成部の絶縁性を、さらに向上させる目的で、必要に応じて、さらに洗浄操作を行ってもよい。この洗浄操作には、例えば、水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムの水溶液に、過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液を用いることができる。 As described above, in the printed wiring board of the present invention, after the silver particle layer (M1) in the non-pattern forming area is removed using the etching solution, necessary Depending on the situation, a further washing operation may be performed. For this cleaning operation, for example, an alkaline permanganic acid solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of potassium hydroxide or sodium hydroxide can be used.

前記アルカリ性過マンガン酸溶液を用いた洗浄は、20~60℃に設定したアルカリ性過マンガン酸溶液に、上記の方法により得られたプリント配線板を浸漬する方法、前記プリント配線板にスプレー等でアルカリ性過マンガン酸溶液を噴霧する方法等が挙げられる。前記プリント配線板は、アルカリ性過マンガン酸溶液の基材表面への濡れ性をよくし、洗浄効率を向上させる目的で、洗浄前に、アルコール性水酸基を有する水溶性の有機溶媒に接触させる処理を行ってもよい。前記有機溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。これらの有機溶媒は、1種で用いることも2種以上併用することもできる。 The cleaning using the alkaline permanganic acid solution can be carried out by immersing the printed wiring board obtained by the above method in an alkaline permanganic acid solution set at 20 to 60°C, or by spraying the printed wiring board to the alkaline permanganate solution. Examples include a method of spraying a permanganic acid solution. The printed wiring board is treated with a water-soluble organic solvent having an alcoholic hydroxyl group before cleaning in order to improve the wettability of the alkaline permanganic acid solution to the base material surface and improve cleaning efficiency. You may go. Examples of the organic solvent include methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, and isopropyl alcohol. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more.

前記アルカリ性過マンガン酸溶液の濃度は、必要に応じて適宜選択すればよいが、0.1~10質量%の水酸化カリウム又は水酸化ナトリウム水溶液100質量部に、過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを0.1~10質量部溶解させたものが好ましく、洗浄効率の観点から、1~6質量%の水酸化カリウム又は水酸化ナトリウム水溶液100質量部に、過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを1~6質量部溶解させたものがより好ましい。 The concentration of the alkaline permanganate solution may be selected as appropriate, but potassium permanganate or permanganate is added to 100 parts by mass of a 0.1 to 10 mass% potassium hydroxide or sodium hydroxide aqueous solution. Preferably, 0.1 to 10 parts by mass of sodium is dissolved, and from the viewpoint of cleaning efficiency, potassium permanganate or sodium permanganate is added to 100 parts by mass of a 1 to 6 mass% potassium hydroxide or sodium hydroxide aqueous solution. It is more preferable to dissolve 1 to 6 parts by mass of.

上記のアルカリ性過マンガン酸溶液を用いた洗浄を行う場合には、アルカリ性過マンガン酸溶液の洗浄後に、洗浄した前記プリント配線板を、中和・還元作用のある液を用いて処理することが好ましい。前記中和・還元作用のある液としては、例えば、0.5~15質量%の希硫酸、又は有機酸を含有する水溶液が挙げられる。また、前記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、アスコルビン酸、メチオニン等が挙げられる。 When cleaning is performed using the above-mentioned alkaline permanganate solution, it is preferable that the cleaned printed wiring board is treated with a neutralizing/reducing solution after cleaning with the alkaline permanganate solution. . Examples of the neutralizing/reducing liquid include 0.5 to 15% by mass of dilute sulfuric acid or an aqueous solution containing an organic acid. Further, examples of the organic acids include formic acid, acetic acid, oxalic acid, citric acid, ascorbic acid, and methionine.

上記のアルカリ性過マンガン酸溶液による洗浄は、前記エッチング液中に溶解した銀成分がプリント配線板上に付着、残留するのを防ぐ目的で行う洗浄の後に行ってもよいし、前記エッチング液中に溶解した銀成分がプリント配線板上に付着、残留するのを防ぐ目的で、洗浄を行う代わりに、アルカリ性過マンガン酸溶液による洗浄のみを行ってもよい。 The above-mentioned cleaning with the alkaline permanganic acid solution may be performed after the cleaning performed for the purpose of preventing the silver component dissolved in the etching solution from adhering to or remaining on the printed wiring board, or In order to prevent the dissolved silver component from adhering to or remaining on the printed wiring board, instead of cleaning, only cleaning with an alkaline permanganic acid solution may be performed.

また、本発明のプリント配線板用積層体を用いて得られたプリント配線板は、適宜、必要に応じて、回路パターン上へのカバーレイフィルム積層、ソルダーレジスト層の形成、及び、回路パターンの最終表面処理として、ニッケル/金めっき、ニッケル/パラジウム/金めっき、パラジウム/金めっきを施してもよい。 In addition, the printed wiring board obtained using the laminate for printed wiring boards of the present invention may be prepared by laminating a coverlay film on the circuit pattern, forming a solder resist layer, and forming a solder resist layer on the circuit pattern as appropriate. As a final surface treatment, nickel/gold plating, nickel/palladium/gold plating, or palladium/gold plating may be applied.

以上に述べた本発明のセミアディティブ工法用積層体により、真空装置を用いることなく、種々の平滑基材上に密着性の高い、設計再現性が良く、良好な矩形断面形状の平滑表面の回路パターンを有する、両面接続された基板を製造することが可能である。したがって、本発明のセミアディティブ工法用積層体を用いることで、種々の形状、サイズの高密度、高性能のプリント配線板用基板、プリント配線板を、低コストで、良好に提供することができ、プリント配線板分野における産業上の利用性が高い。また、積層体を用いることにより、プリント配線板のみならず、平面上基材表面にパターン化された金属層を有する種々の部材、例えば、コネクター、電磁波シールド、RFIDなどのアンテナ、フィルムコンデンサーなども製造できる。 By using the above-described laminate for semi-additive construction of the present invention, it is possible to fabricate smooth surface circuits with high adhesion, good design reproducibility, and a good rectangular cross-sectional shape on various smooth substrates without using a vacuum device. It is possible to produce double-sided connected substrates with a pattern. Therefore, by using the laminate for semi-additive construction of the present invention, high-density, high-performance printed wiring board substrates and printed wiring boards of various shapes and sizes can be provided in good condition at low cost. , has high industrial applicability in the printed wiring board field. In addition, by using the laminate, not only printed wiring boards but also various members having a patterned metal layer on the surface of the planar base material, such as connectors, electromagnetic shields, antennas such as RFID, film capacitors, etc. Can be manufactured.

以下、実施例および比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例および比較例において、「部」および「%」は、いずれも質量基準である。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail using Examples and Comparative Examples. In the following Examples and Comparative Examples, "part" and "%" are both based on mass.

[製造例1:プライマー(B-1)の製造]
温度計、窒素ガス導入管、攪拌器を備えた窒素置換された容器中で、ポリエステルポリオール(1,4-シクロヘキサンジメタノールとネオペンチルグリコールとアジピン酸とを反応させて得られたポリエステルポリオール)100質量部、2,2―ジメチロールプロピオン酸17.6質量部、1,4-シクロヘキサンジメタノール21.7質量部及びジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート106.2質量部を、メチルエチルケトン178質量部の混合溶剤中で反応させることによって、末端にイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー溶液を得た。
[Production Example 1: Production of primer (B-1)]
In a nitrogen-substituted container equipped with a thermometer, a nitrogen gas inlet tube, and a stirrer, 100% polyester polyol (polyester polyol obtained by reacting 1,4-cyclohexanedimethanol, neopentyl glycol, and adipic acid) was prepared. Parts by mass, 17.6 parts by mass of 2,2-dimethylolpropionic acid, 21.7 parts by mass of 1,4-cyclohexanedimethanol, and 106.2 parts by mass of dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, 178 parts by mass of methyl ethyl ketone. By reacting in a mixed solvent of , a urethane prepolymer solution having isocyanate groups at the terminals was obtained.

次いで、前記ウレタンプレポリマー溶液にトリエチルアミン13.3質量部を加えて、前記ウレタンプレポリマーが有するカルボキシル基を中和し、さらに水380質量部を加えて十分に攪拌することにより、ウレタンプレポリマーの水性分散液を得た。 Next, 13.3 parts by mass of triethylamine was added to the urethane prepolymer solution to neutralize the carboxyl groups possessed by the urethane prepolymer, and 380 parts by mass of water was added and sufficiently stirred to form the urethane prepolymer. An aqueous dispersion was obtained.

上記で得られたウレタンプレポリマーの水性分散液に、25質量%エチレンジアミン水溶液8.8質量部を加え、攪拌することによって、ウレタンプレポリマーを鎖伸長した。次いでエージング・脱溶剤することによって、ウレタン樹脂の水性分散液(不揮発分30質量%)を得た。前記ウレタン樹脂の重量平均分子量は53,000であった。 8.8 parts by mass of a 25% by mass ethylenediamine aqueous solution was added to the aqueous dispersion of the urethane prepolymer obtained above, and the urethane prepolymer was chain-extended by stirring. Then, by aging and removing the solvent, an aqueous dispersion of urethane resin (non-volatile content: 30% by mass) was obtained. The weight average molecular weight of the urethane resin was 53,000.

次に、攪拌機、還流冷却管、窒素導入管、温度計、単量体混合物滴下用滴下漏斗、重合触媒滴下用滴下漏斗を備えた反応容器に脱イオン水140質量部、上記で得られたウレタン樹脂の水分散液100質量部を入れ、窒素を吹き込みながら80℃まで昇温した。その後、攪拌しながら、メタクリル酸メチル60質量部、アクリル酸n-ブチル30質量部及びN-n-ブトキシメチルアクリルアミド10質量部からなる単量体混合物と、0.5質量%過硫酸アンモニウム水溶液20質量部とを別々の滴下漏斗から、反応容器内温度を80℃に保ちながら120分間かけて滴下した。 Next, 140 parts by mass of deionized water was added to the urethane obtained above in a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, a dropping funnel for dropping the monomer mixture, and a dropping funnel for dropping the polymerization catalyst. 100 parts by mass of an aqueous resin dispersion was added, and the temperature was raised to 80° C. while blowing nitrogen. Thereafter, while stirring, a monomer mixture consisting of 60 parts by mass of methyl methacrylate, 30 parts by mass of n-butyl acrylate, and 10 parts by mass of Nn-butoxymethylacrylamide and 20 parts by mass of a 0.5 mass% ammonium persulfate aqueous solution were added. were added dropwise from separate dropping funnels over 120 minutes while maintaining the temperature inside the reaction vessel at 80°C.

滴下終了後、さらに同温度にて60分間攪拌した後、反応容器内の温度を40℃に冷却して、不揮発分が20質量%になるように脱イオン水で希釈した後、200メッシュ濾布で濾過することによって、前記ウレタン樹脂をシェル層とし、メタクリル酸メチル等を原料とするアクリル樹脂をコア層とするコア・シェル型複合樹脂であるプライマー層用樹脂組成物の水分散液を得た。次に、イソプロパノールと水の質量割合が7/3となり、不揮発分が2質量%となるように、この水分散液にイソプピルアルコールと脱イオン水を加えて混合し、プライマー(B-1)を得た。 After the dropwise addition was completed, the reaction vessel was further stirred for 60 minutes at the same temperature, the temperature inside the reaction vessel was cooled to 40°C, the non-volatile content was diluted with deionized water to 20% by mass, and filtered using a 200 mesh filter cloth. By filtration, an aqueous dispersion of a resin composition for a primer layer, which is a core-shell type composite resin having the urethane resin as a shell layer and an acrylic resin made of methyl methacrylate or the like as a core layer, was obtained. . Next, isopropanol and deionized water are added and mixed to this aqueous dispersion so that the mass ratio of isopropanol and water is 7/3 and the nonvolatile content is 2 mass%, and primer (B-1) is prepared. I got it.

[製造例2:プライマー(B-2)の製造]
還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた反応フラスコに、37質量%ホルムアルデヒドと7質量%メタノールを含むホルマリン600質量部に、水200質量部及びメタノール350質量部を加えた。次いで、この水溶液に25質量%水酸化ナトリウム水溶液を加え、pH10に調整した後、メラミン310質量部を加え、液温を85℃まで上げ、メチロール化反応を1時間行った。
[Production Example 2: Production of primer (B-2)]
To a reaction flask equipped with a reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, 200 parts by mass of water and 350 parts by mass of methanol were added to 600 parts by mass of formalin containing 37% by mass formaldehyde and 7% by mass methanol. Next, a 25% by mass aqueous sodium hydroxide solution was added to this aqueous solution to adjust the pH to 10, and then 310 parts by mass of melamine was added, the temperature of the solution was raised to 85° C., and a methylolation reaction was carried out for 1 hour.

その後、ギ酸を加えてpH7に調整した後、60℃まで冷却し、エーテル化反応(二次反応)させた。白濁温度40℃で25質量%水酸化ナトリウム水溶液を加えてpH9に調整し、エーテル化反応を止めた(反応時間:1時間)。温度50℃の減圧下で残存するメタノールを除去(脱メタノール時間:4時間)し、不揮発分80質量%のメラミン樹脂を含むプライマー用樹脂組成物を得た。次に、この樹脂組成物にメチルエチルケトンを加えて希釈混合することで、不揮発分2質量%のプライマー(B-2)を得た。 Thereafter, formic acid was added to adjust the pH to 7, and the mixture was cooled to 60° C. to carry out an etherification reaction (secondary reaction). At a cloudy temperature of 40°C, a 25% by mass aqueous sodium hydroxide solution was added to adjust the pH to 9 to stop the etherification reaction (reaction time: 1 hour). Remaining methanol was removed under reduced pressure at a temperature of 50°C (demethanol removal time: 4 hours) to obtain a primer resin composition containing a melamine resin with a nonvolatile content of 80% by mass. Next, methyl ethyl ketone was added to this resin composition and diluted and mixed to obtain a primer (B-2) with a nonvolatile content of 2% by mass.

[製造例3:プライマー(B-3)の製造]
温度計、窒素ガス導入管、攪拌器を備え、窒素置換された反応容器に、2,2-ジメチロールプロピオン酸9.2質量部、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート(東ソー株式会社製「ミリオネートMR-200」)57.4質量部及びメチルエチルケトン233質量部を仕込み、70℃で6時間反応させ、イソシアネート化合物を得た。次いで、反応容器内にブロック化剤としてフェノール26.4質量部を供給し、70℃で6時間反応させた。その後、40℃まで冷却し、ブロックイソシアネートの溶液を得た。
[Production Example 3: Production of primer (B-3)]
In a reaction vessel equipped with a thermometer, a nitrogen gas inlet tube, and a stirrer and purged with nitrogen, 9.2 parts by mass of 2,2-dimethylolpropionic acid and polymethylene polyphenyl polyisocyanate (“Millionate MR-” manufactured by Tosoh Corporation) were placed. 200'') and 233 parts by mass of methyl ethyl ketone were charged and reacted at 70°C for 6 hours to obtain an isocyanate compound. Next, 26.4 parts by mass of phenol was supplied as a blocking agent into the reaction vessel, and the mixture was reacted at 70°C for 6 hours. Thereafter, it was cooled to 40°C to obtain a blocked isocyanate solution.

次に、上記で得られたブロックイソシアネートの溶液に、40℃でトリエチルアミン7質量部を加えて前記ブロックイソシアネートが有するカルボキシル基を中和し、水を加えて十分に攪拌した後、メチルエチルケトンを留去して、不揮発分20質量%のブロックイソシアネートと水とを含有するプライマー層用樹脂組成物を得た。次に、この樹脂組成物にメチルエチルケトンを加えて希釈混合することで、不揮発分2質量%のプライマー(B-3)を得た。 Next, 7 parts by mass of triethylamine was added to the solution of the block isocyanate obtained above at 40°C to neutralize the carboxyl groups possessed by the block isocyanate, and after adding water and stirring thoroughly, methyl ethyl ketone was distilled off. As a result, a resin composition for a primer layer containing a blocked isocyanate with a nonvolatile content of 20% by mass and water was obtained. Next, methyl ethyl ketone was added to this resin composition and diluted and mixed to obtain a primer (B-3) with a nonvolatile content of 2% by mass.

[製造例4:プライマー(B-4)の製造]
ノボラック樹脂(DIC株式会社製「PHENOLITE TD-2131」、水酸基当量104g/当量)35質量部、エポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)64質量部、及び、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジン(四国化成株式会社製「VT」)1質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー(B-4)を得た。
[Production Example 4: Production of primer (B-4)]
Novolac resin (“PHENOLITE TD-2131” manufactured by DIC Corporation, hydroxyl equivalent: 104 g/equivalent) 35 parts by mass, epoxy resin (“EPICLON 850-S” manufactured by DIC Corporation; bisphenol A type epoxy resin, epoxy group equivalent: 188 g/equivalent) ) and 1 part by mass of 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine (“VT” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) were mixed, and then diluted with methyl ethyl ketone so that the nonvolatile content was 2% by mass. By mixing, primer (B-4) was obtained.

[製造例5:プライマー(B-5)の製造]
ノボラック樹脂(DIC株式会社製「PHENOLITE TD-2131」、水酸基当量104g/当量)35質量部、エポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)64質量部、及び、トリアジン環を有するシランカップリング剤(四国化成株式会社製「VD-5」)1質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー(B-5)を得た。
[Production Example 5: Production of primer (B-5)]
Novolac resin (“PHENOLITE TD-2131” manufactured by DIC Corporation, hydroxyl equivalent: 104 g/equivalent) 35 parts by mass, epoxy resin (“EPICLON 850-S” manufactured by DIC Corporation; bisphenol A type epoxy resin, epoxy group equivalent: 188 g/equivalent) ) and 1 part by mass of a silane coupling agent having a triazine ring ("VD-5" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.), and then diluted and mixed with methyl ethyl ketone so that the nonvolatile content is 2% by mass. Thus, primer (B-5) was obtained.

[製造例6:プライマー(B-6)の製造]
温度計、冷却管、分留管、攪拌器を取り付けたフラスコに、フェノール750質量部、メラミン75質量部、41.5質量%ホルマリン346質量部、及びトリエチルアミン1.5質量部を加え、発熱に注意しながら100℃まで昇温した。還流下100℃にて2時間反応させた後、常圧下にて水を除去しながら180℃まで2時間かけて昇温した。次いで、減圧下で未反応のフェノールを除去し、アミノトリアジン変性ノボラック樹脂を得た。水酸基当量は120g/当量であった。
上記で得られたアミノトリアジンノボラック樹脂65質量部、及びエポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)35質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー組成物(B-6)を得た。
[Production Example 6: Production of primer (B-6)]
750 parts by mass of phenol, 75 parts by mass of melamine, 346 parts by mass of 41.5% formalin, and 1.5 parts by mass of triethylamine were added to a flask equipped with a thermometer, cooling tube, fractionator tube, and stirrer, and The temperature was raised to 100°C with care. After reacting at 100°C under reflux for 2 hours, the temperature was raised to 180°C over 2 hours while removing water under normal pressure. Next, unreacted phenol was removed under reduced pressure to obtain an aminotriazine-modified novolak resin. The hydroxyl equivalent was 120 g/equivalent.
After mixing 65 parts by mass of the aminotriazine novolak resin obtained above and 35 parts by mass of an epoxy resin ("EPICLON 850-S" manufactured by DIC Corporation; bisphenol A type epoxy resin, epoxy group equivalent: 188 g/equivalent), the mixture was mixed with methyl ethyl ketone. A primer composition (B-6) was obtained by diluting and mixing so that the nonvolatile content was 2% by mass.

[製造例7:プライマー(B-7)の製造]
製造例6で得られたアミノトリアジンノボラック樹脂48質量部、及びエポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)52質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー組成物(B-7)を得た。
[Production Example 7: Production of primer (B-7)]
After mixing 48 parts by mass of the aminotriazine novolak resin obtained in Production Example 6 and 52 parts by mass of epoxy resin ("EPICLON 850-S" manufactured by DIC Corporation; bisphenol A type epoxy resin, epoxy group equivalent: 188 g / equivalent), A primer composition (B-7) was obtained by diluting and mixing with methyl ethyl ketone so that the nonvolatile content was 2% by mass.

[製造例8:プライマー(B-8)の製造]
アミノトリアジンノボラック樹脂とエポキシ樹脂の量をそれぞれ、48質量部から39質量部、52質量部から61質量部に変更した以外は、製造例78と同様にして、不揮発分2質量%のプライマー組成物(B-8)を得た。
[Production Example 8: Production of primer (B-8)]
A primer composition with a nonvolatile content of 2% by mass was prepared in the same manner as in Production Example 78, except that the amounts of aminotriazine novolac resin and epoxy resin were changed from 48 parts by mass to 39 parts by mass, and from 52 parts by mass to 61 parts by mass. (B-8) was obtained.

[製造例9:プライマー(B-9)の製造]
アミノトリアジンノボラック樹脂とエポキシ樹脂の量をそれぞれ、48質量部から31質量部、52質量部から69質量部に変更した以外は、製造例8と同様にして、不揮発分2質量%のプライマー組成物(B-9)を得た。
[Production Example 9: Production of primer (B-9)]
A primer composition with a nonvolatile content of 2% by mass was prepared in the same manner as in Production Example 8, except that the amounts of aminotriazine novolak resin and epoxy resin were changed from 48 parts by mass to 31 parts by mass and from 52 parts by mass to 69 parts by mass. (B-9) was obtained.

[製造例10:プライマー(B-10)の製造]
製造例7で得られたアミノトリアジンノボラック樹脂47質量部、及びエポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)52質量部に、さらに無水トリメリット酸1質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー(B-10)を得た。
[Production Example 10: Production of primer (B-10)]
To 47 parts by mass of the aminotriazine novolak resin obtained in Production Example 7 and 52 parts by mass of epoxy resin ("EPICLON 850-S" manufactured by DIC Corporation; bisphenol A type epoxy resin, epoxy group equivalent: 188 g/equivalent), anhydride was further added. After mixing 1 part by mass of trimellitic acid, the mixture was diluted and mixed with methyl ethyl ketone so that the nonvolatile content was 2% by mass to obtain a primer (B-10).

[製造例11:プライマー(B-11)の製造]
撹拌機、還流冷却管、窒素導入管、温度計、滴下漏斗を備えた反応容器に脱イオン水350質量部、界面活性剤(花王株式会社製「ラテムルE-118B」:有効成分25質量%)4質量部を入れ、窒素を吹き込みながら70℃まで昇温した。
[Production Example 11: Production of primer (B-11)]
In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a dropping funnel, 350 parts by mass of deionized water and a surfactant ("Latemul E-118B" manufactured by Kao Corporation: 25% by mass of active ingredient) were added. 4 parts by mass was added, and the temperature was raised to 70° C. while blowing nitrogen.

撹拌下、反応容器中にメタクリル酸メチル47.0質量部、メタクリル酸グリシジル5.0質量部、アクリル酸n-ブチル45.0質量部、メタクリル酸3.0質量部からなるビニル単量体混合物と界面活性剤(第一工業製薬株式会社製「アクアロンKH-1025」:有効成分25質量%)4質量部と脱イオン水15質量部とを混合して得られたモノマープレエマルジョンの一部(5質量部)を添加し、続いて過硫酸カリウム0.1質量部を添加し、反応容器内温度を70℃に保ちながら60分間で重合させた。 While stirring, a vinyl monomer mixture consisting of 47.0 parts by mass of methyl methacrylate, 5.0 parts by mass of glycidyl methacrylate, 45.0 parts by mass of n-butyl acrylate, and 3.0 parts by mass of methacrylic acid was placed in a reaction vessel. A portion of a monomer pre-emulsion obtained by mixing 4 parts by mass of a surfactant ("Aqualon KH-1025" manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.: active ingredient 25% by mass) and 15 parts by mass of deionized water ( 5 parts by mass) was added, followed by 0.1 part by mass of potassium persulfate, and polymerization was carried out for 60 minutes while maintaining the temperature inside the reaction vessel at 70°C.

次いで、反応容器内の温度を70℃に保ちながら、残りのモノマープレエマルジョン(114質量部)と、過硫酸カリウムの水溶液(有効成分1.0質量%)30質量部とを、各々別の滴下漏斗を使用して、180分間かけて滴下した。滴下終了後、同温度にて60分間撹拌した。 Next, while maintaining the temperature inside the reaction vessel at 70°C, the remaining monomer pre-emulsion (114 parts by mass) and 30 parts by mass of an aqueous solution of potassium persulfate (active ingredient 1.0% by mass) were added dropwise separately. The mixture was added dropwise using a funnel over a period of 180 minutes. After the dropwise addition was completed, the mixture was stirred at the same temperature for 60 minutes.

前記反応容器内の温度を40℃に冷却し、ついで、不揮発分が10.0質量%になるように脱イオン水を使用した後、200メッシュ濾布で濾過することによって、本発明で使用するプライマー層用樹脂組成物を得た。次に、この樹脂組成物に水を加えて希釈混合することで、不揮発分5質量%のプライマー(B-11)を得た。 The temperature in the reaction vessel is cooled to 40° C., and then deionized water is used so that the non-volatile content is 10.0% by mass, and then filtered through a 200 mesh filter cloth to be used in the present invention. A resin composition for a primer layer was obtained. Next, by adding water to this resin composition and diluting it, a primer (B-11) with a nonvolatile content of 5% by mass was obtained.

[調製例1:銀粒子分散液の調製]
エチレングリコール45質量部及びイオン交換水55質量部の混合溶媒に、分散剤としてポリエチレンイミンにポリオキシエチレンが付加した化合物を用いて平均粒径30nmの銀粒子を分散させることによって、銀粒子及び分散剤を含有する分散体を調製した。次いで、得られた分散体に、イオン交換水、エタノール及び界面活性剤を添加して、5質量%の銀粒子分散液を調製した。
[調製例2:銅エッチング液の調製]
イオン交換水に、硫酸37.5g/L、および過酸化水素13.5g・Lの割合で混合し、銅エッチング液を調製した。
[Preparation Example 1: Preparation of silver particle dispersion]
By dispersing silver particles with an average particle size of 30 nm in a mixed solvent of 45 parts by mass of ethylene glycol and 55 parts by mass of ion-exchanged water using a compound in which polyoxyethylene is added to polyethyleneimine as a dispersant, silver particles and dispersion are obtained. A dispersion containing the agent was prepared. Next, ion-exchanged water, ethanol, and a surfactant were added to the obtained dispersion to prepare a 5% by mass silver particle dispersion.
[Preparation Example 2: Preparation of copper etching solution]
A copper etching solution was prepared by mixing 37.5 g/L of sulfuric acid and 13.5 g/L of hydrogen peroxide with ion exchange water.

[調製例3:銀用エッチング液の調製]
水47.4質量部に、酢酸2.6質量部を加え、さらに、35質量%過酸化水素水50質量部を加えて、銀用エッチング液(1)を調製した。この銀用エッチング液(1)の過酸化水素とカルボン酸とのモル比(過酸化水素/カルボン酸)は13.6であり、銀用エッチング液(1)中の過酸化水素及びカルボン酸の混合物の含有比率は22.4質量%であった。
[調製例4:導電性ポリマー分散液の調製]
特許文献(特開2003-231991)に基づき、硫酸イオンがドープされたポリピロール/ポリビニルピロリドン(PPy/PVP(SO 2-))コロイドを合成した。ドーパントとして硫
酸ナトリウムを使用し、酸化剤として過硫酸アンモニウムを使用し、界面活性剤としてポリビニルピロリドンを用いた。モノマーとしてピロールを使用した。
0.85gのPVP(ポリビニルピロリドン、和光純薬社製、特級)を、温度40℃の温水500ml中に溶解し、得られた溶液に、酸化剤として過硫酸アンモニウム7.0g、ドーパントとして硫酸ナトリウム32.2gを加え、更に水を加えて全量1Lの水溶液を得た。得られた水溶液に、5mLのピロール(東京化成(株)製、特級)を加え、室温で約12時間撹拌して化学酸化重合を行い、重合反応混合物を得た。これを遠心分離することにより、黒色の堆積物を得た。得られた堆積物を水で数回洗浄し、50mlの水に再分散させて10g/Lの(PPy/PVP(SO 2-))水性コロイド液を得た。
[Preparation example 3: Preparation of etching solution for silver]
A silver etching solution (1) was prepared by adding 2.6 parts by mass of acetic acid to 47.4 parts by mass of water, and further adding 50 parts by mass of 35% by mass hydrogen peroxide solution. The molar ratio of hydrogen peroxide and carboxylic acid (hydrogen peroxide/carboxylic acid) in this etching solution for silver (1) is 13.6. The content ratio of the mixture was 22.4% by mass.
[Preparation Example 4: Preparation of conductive polymer dispersion]
Polypyrrole/polyvinylpyrrolidone (PPy/PVP (SO 4 2- )) colloid doped with sulfate ions was synthesized based on patent document (JP-A-2003-231991). Sodium sulfate was used as the dopant, ammonium persulfate was used as the oxidizing agent, and polyvinylpyrrolidone was used as the surfactant. Pyrrole was used as a monomer.
0.85 g of PVP (polyvinylpyrrolidone, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., special grade) was dissolved in 500 ml of warm water at a temperature of 40°C, and 7.0 g of ammonium persulfate as an oxidizing agent and 32 g of sodium sulfate as a dopant were added to the resulting solution. .2 g was added, and water was further added to obtain a total amount of 1 L of an aqueous solution. To the obtained aqueous solution, 5 mL of pyrrole (manufactured by Tokyo Kasei Co., Ltd., special grade) was added, and the mixture was stirred at room temperature for about 12 hours to perform chemical oxidative polymerization to obtain a polymerization reaction mixture. By centrifuging this, a black deposit was obtained. The resulting deposit was washed several times with water and redispersed in 50 ml of water to obtain a 10 g/L (PPy/PVP(SO 4 2- )) aqueous colloidal solution.

(セミアディティブ工法用積層体の製造)
(実施例1)
絶縁性基材であるポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製「カプトン 100EN-C」;厚さ25μm)の表面に、調製例1で得られた銀粒子分散体を、卓上型小型コーター(RKプリントコートインストルメント社製「Kプリンティングプローファー」)を用いて、乾燥後の銀粒子層が0.5g/mとなるように塗工した。次いで、熱風乾燥機を用いて160℃で5分間乾燥した。さらに、フィルムを裏返して、上記と同様にして調製例1で得られた銀粒子分散体を銀粒子層が0.5g/mとなる様に塗工し、熱風乾燥機を用いて160℃で5分間乾燥することによって、ポリイミドフィルムの両表面に銀粒子層を形成した。このようにして得られたフィルム基材を250℃で5分間焼成し、テスターで銀粒子層の導通を確認した。
(Manufacture of laminates for semi-additive construction method)
(Example 1)
The silver particle dispersion obtained in Preparation Example 1 was applied to the surface of a polyimide film (Kapton 100EN-C manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd.; thickness 25 μm), which is an insulating base material, using a small tabletop coater (RK Print). Coating was performed using "K Printing Profer" manufactured by Court Instrument Co., Ltd. so that the silver particle layer after drying was 0.5 g/m 2 . Next, it was dried at 160° C. for 5 minutes using a hot air dryer. Furthermore, the film was turned over and coated with the silver particle dispersion obtained in Preparation Example 1 in the same manner as above so that the silver particle layer was 0.5 g/ m2 , and heated to 160°C using a hot air dryer. By drying the polyimide film for 5 minutes, silver particle layers were formed on both surfaces of the polyimide film. The film base material thus obtained was baked at 250° C. for 5 minutes, and conductivity of the silver particle layer was confirmed using a tester.

上記で得られた両表面に導電性の銀粒子層を有するポリイミドフィルムをポリエチレン製の枠に固定し、無電解銅めっき液(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製「サーキュポジット6550」)中に35℃で、10分間浸漬し、両表面に無電解銅めっき膜(厚さ0.2μm)を形成し、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、銀粒子層(M1)、及び、0.2μm厚の銅層(M2)が形成されたセミアディティブ工法用積層体を作製した。 The polyimide film obtained above having conductive silver particle layers on both surfaces was fixed to a polyethylene frame and placed in an electroless copper plating solution (“Circuposit 6550” manufactured by Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd.). was immersed for 10 minutes at 35°C to form an electroless copper plating film (thickness 0.2 μm) on both surfaces, and a silver particle layer ( A laminate for semi-additive construction in which a copper layer (M1) and a copper layer (M2) with a thickness of 0.2 μm were formed was produced.

(実施例2)
無電解銅めっき液中への浸漬時間を10分から、25分に変更した以外は、実施例1と同様にして、銀粒子層(M1)上に、0.5μm厚の無電解銅めっき膜を形成することによって、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)、及び、0.5μm厚の銅層(M2)が形成されたセミアディティブ工法用積層体を作製した。
(Example 2)
An electroless copper plating film with a thickness of 0.5 μm was formed on the silver particle layer (M1) in the same manner as in Example 1, except that the immersion time in the electroless copper plating solution was changed from 10 minutes to 25 minutes. By forming a semi-additive film, a conductive silver particle layer (M1) and a 0.5 μm thick copper layer (M2) are formed on both surfaces of the polyimide film that is the insulating base material (A). A laminate for construction method was produced.

(実施例3)
実施例1で作製した、ポリイミドフィルムの両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)、及び、0.2μm厚の銅層が形成された積層体を銅製の枠に固定し、無電解銅めっき層をカソードに設置し、含リン銅をアノードとして、硫酸銅を含有する電解めっき液(硫酸銅60g/L、硫酸190g/L、塩素イオン50mg/L、添加剤(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製 カパーグリームST-901」)を用いて、電流密度2A/dm2で4分間電解めっきを行うことによって、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、銀粒子層(M1)、及び、2μm厚の銅層(M2)が形成されたセミアディティブ工法用積層体を作製した。
(Example 3)
The laminate produced in Example 1, in which a conductive silver particle layer (M1) and a 0.2 μm thick copper layer were formed on both surfaces of the polyimide film, was fixed to a copper frame and electrolessly A copper plating layer is installed on the cathode, and a phosphorus-containing copper layer is used as an anode. By performing electrolytic plating at a current density of 2 A/dm2 for 4 minutes using Copper Gleam ST-901 (manufactured by Denshi Materials Co., Ltd.), silver particles were deposited on both surfaces of the polyimide film, which is the insulating base material (A). A laminate for semi-additive construction in which a layer (M1) and a 2 μm thick copper layer (M2) were formed was produced.

(実施例4)
乾燥後の銀粒子層が0.5g/mから、0.8g/mとなる様に変更した以外は、実施例1と同様にしてポリイミドフィルムの両表面に銀粒子層を形成し、250℃で5分間焼成して、テスターで銀粒子層の導通を確認した。このようにして得られた、両表面に導電性の銀粒子層を有するポリイミドフィルムを銅製の枠に固定し、銀粒子層の表面をカソードに設置し、含リン銅をアノードとして、硫酸銅を含有する電解めっき液(硫酸銅60g/L、硫酸190g/L、塩素イオン50mg/L、添加剤(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製 カパーグリームST-901」)を用いて、電流密度2A/dm2で4.5分間電解めっきを行うことによって、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、銀粒子層(M1)、及び、2μm厚の銅層(M2)が形成されたセミアディティブ工法用積層体を作製した。
(Example 4)
Silver particle layers were formed on both surfaces of the polyimide film in the same manner as in Example 1, except that the silver particle layer after drying was changed from 0.5 g/m 2 to 0.8 g/m 2 , After baking at 250° C. for 5 minutes, conductivity of the silver particle layer was confirmed using a tester. The thus obtained polyimide film having conductive silver particle layers on both surfaces was fixed to a copper frame, the surface of the silver particle layer was placed on the cathode, and the phosphorus-containing copper was used as the anode, and the copper sulfate was Using an electrolytic plating solution (copper sulfate 60g/L, sulfuric acid 190g/L, chloride ion 50mg/L, additives (Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd. Copper Gleam ST-901)), the current density was 2A. /dm2 for 4.5 minutes to form a silver particle layer (M1) and a 2 μm thick copper layer (M2) on both surfaces of the polyimide film that is the insulating base material (A). A laminate for semi-additive construction method was fabricated.

(実施例5)
ポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製「カプトン 100EN-C」、厚さ25μm)の表面に、製造例1で得られたプライマー(B-1)を、卓上型小型コーター(RKプリントコートインストルメント社製「Kプリンティングプローファー」)を用いて、乾燥後の厚さが120nmとなるように塗工し、次いで、熱風乾燥機を用いて80℃で5分間乾燥した、さらに、フィルムを裏返して、上記と同様にして製造例1で得られたプライマー(B-1)を乾燥後の厚さが120nmとなるように塗工し、熱風乾燥機を用いて80℃で5分間乾燥することによって、ポリイミドフィルムの両表面にプライマー層を形成した。
(Example 5)
The primer (B-1) obtained in Production Example 1 was applied to the surface of a polyimide film ("Kapton 100EN-C" manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd., thickness 25 μm) using a small desktop coater (RK Print Coat Instrument Co., Ltd.). The film was coated to a dry thickness of 120 nm using a "K Printing Profer" manufactured by K.K. Co., Ltd., and then dried at 80°C for 5 minutes using a hot air dryer.Furthermore, the film was turned over, By applying the primer (B-1) obtained in Production Example 1 in the same manner as above so that the thickness after drying is 120 nm, and drying it at 80 ° C. for 5 minutes using a hot air dryer, Primer layers were formed on both surfaces of the polyimide film.

絶縁性基材(A)を、ポリイミドフィルムから、上記で得られたポリイミドフィルムの両表面にプライマー層を形成したポリイミドに変更した以外は、実施例2と同様にして、導電性の銀粒子層(M1)上に0.5μm厚の無電解銅めっき膜を形成することによって、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、プライマー層(B)、導電性の銀粒子層(M1)、及び、0.5μm厚の銅層(M2)が形成されたセミアディティブ工法用積層体を作製した。 A conductive silver particle layer was prepared in the same manner as in Example 2, except that the insulating base material (A) was changed from polyimide film to polyimide with primer layers formed on both surfaces of the polyimide film obtained above. By forming an electroless copper plating film with a thickness of 0.5 μm on (M1), a primer layer (B) and a conductive silver particle layer are formed on both surfaces of the polyimide film that is the insulating base material (A). A laminate for semi-additive construction in which a copper layer (M1) and a copper layer (M2) with a thickness of 0.5 μm were formed was produced.

(実施例6)
実施例5において、銀粒子層を0.5g/mから、0.8g/mとなる様に変更し、実施例4と同様に電解銅めっき処理を行うことによって、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、プライマー層(B)、導電性の銀粒子層(M1)、及び、2μm厚の銅層(M2)が形成されたセミアディティブ工法用積層体を作製した。
(Example 6)
In Example 5, the silver particle layer was changed from 0.5 g/m 2 to 0.8 g/m 2 and electrolytic copper plating was performed in the same manner as in Example 4, thereby forming an insulating base material ( A laminate for semi-additive construction was produced in which a primer layer (B), a conductive silver particle layer (M1), and a 2 μm thick copper layer (M2) were formed on both surfaces of the polyimide film A). did.

(実施例7~22)
絶縁性基材の種類、プライマー層に用いるプライマーの種類及びその乾燥条件、銀粒子層の銀量、を表1又は2に示したものに変更した以外は、実施例6と同様にして、セミアディティブ工法用積層体を得た。
(Examples 7 to 22)
A semi-conductor was prepared in the same manner as in Example 6, except that the type of insulating base material, the type of primer used in the primer layer and its drying conditions, and the amount of silver in the silver particle layer were changed to those shown in Table 1 or 2. A laminate for additive construction was obtained.

(実施例23)
実施例2で作製した、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)、及び、0.5μm厚の銅層(M2)が形成された積層体に、ドリルを用いて100μm径のスルーホールを形成した。このようにして得られたスルーホール付き基材を、マクダーミッド社のブラックホールプロセス(コンディショニング-カーボン吸着処理-エッチング)に通して、スルーホールの表面にカーボンを付着させ、カーボンの付着した銅層(M2)を、調製例2で作製した硫酸/過酸化水素水溶液を用いたエッチング処理で除去することにより、ポリイミドフィルム上の導電性の銀粒子層(M1)を露出させた。フィルム上の銀粒子層の表裏面をテスターで検査することにより、表裏面が電気的に接続され、導電性が確保されていることを確認した。このようにして、絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)を有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、カーボンによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 23)
A conductive silver particle layer (M1) and a 0.5 μm thick copper layer (M2) were formed on both surfaces of the polyimide film, which was the insulating base material (A), produced in Example 2. A through hole with a diameter of 100 μm was formed in the laminate using a drill. The base material with through holes obtained in this way is passed through MacDiarmid's black hole process (conditioning - carbon adsorption treatment - etching) to adhere carbon to the surface of the through holes, and the carbon-adhered copper layer ( By removing M2) by etching using the sulfuric acid/hydrogen peroxide aqueous solution prepared in Preparation Example 2, the conductive silver particle layer (M1) on the polyimide film was exposed. By inspecting the front and back surfaces of the silver particle layer on the film with a tester, it was confirmed that the front and back surfaces were electrically connected and that conductivity was ensured. In this way, the insulating base material (A) has conductive silver particle layers (M1) on both surfaces, and further has through holes connecting both surfaces of the insulating base material, and A laminate for semi-additive construction was obtained, the surface of which was made conductive by carbon.

(実施例24)
実施例2で作製した積層体の代わりに、実施例4で作製した積層体をもちいること、ドリルの代わりにレーザーを用いて50μm径のスルーホールを形成すること以外は、実施例23と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)を有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、カーボンによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 24)
Same as Example 23 except that the laminate produced in Example 4 was used instead of the laminate produced in Example 2, and a through hole with a diameter of 50 μm was formed using a laser instead of a drill. The insulating base material (A) has a conductive silver particle layer (M1) on both surfaces thereof, and further has a through hole connecting both surfaces of the insulating base material, and the surface of the through hole is , a laminate for semi-additive construction method in which conductivity was ensured by carbon was obtained.

(実施例25)
実施例2で作製した積層体の代わりに、実施例11で作製した積層体を用いること以外は、実施例23と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、プライマー層(B)、及び、導電性の銀粒子層(M1)をこの順に有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、カーボンによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 25)
A primer layer ( B) and a conductive silver particle layer (M1) in this order, and a through hole connecting both surfaces of the insulating base material, and the surface of the through hole was made conductive by carbon. A laminate for semi-additive construction was obtained.

(実施例26)
実施例11で作製した積層体の代わりに、実施例12で作製した積層体を用いること以外は、実施例25と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、プライマー層(B)、及び、導電性の銀粒子層(M1)をこの順に有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、カーボンによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 26)
A primer layer ( B) and a conductive silver particle layer (M1) in this order, and a through hole connecting both surfaces of the insulating base material, and the surface of the through hole was made conductive by carbon. A laminate for semi-additive construction was obtained.

(実施例27)
実施例6で作製した積層体に、レーザーを用いて50μm径のスルーホールを形成した。このようにして得られたスルーホール付き基材を、塩化パラジウム1g/l、塩酸1ml/lおよびジメチルチオ尿素1g/lを含む触媒液に25℃で3分間浸漬した。次いで、基板を水洗し、ジメチルアミンボラン10g/lおよび水酸化ナトリウム5g/lを含む還元液により50℃で2分間処理して、スルーホールの表面をパラジウムにより導電化した。この基材を水洗した後、調製例2で作製した硫酸/過酸化水素水溶液を用いたエッチング処理で除去することにより、ポリイミドフィルム上の導電性の銀粒子層(M1)を露出させた。フィルム上の銀粒子層の表裏面をテスターで検査することにより、表裏面が電気的に接続され、導電性が確保されていることを確認した。このようにして、絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)を有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、パラジウムによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 27)
A through hole with a diameter of 50 μm was formed in the laminate produced in Example 6 using a laser. The substrate with through holes thus obtained was immersed in a catalyst solution containing 1 g/l of palladium chloride, 1 ml/l of hydrochloric acid, and 1 g/l of dimethylthiourea at 25° C. for 3 minutes. Next, the substrate was washed with water and treated with a reducing solution containing 10 g/l of dimethylamine borane and 5 g/l of sodium hydroxide at 50° C. for 2 minutes to make the surfaces of the through holes conductive with palladium. After washing this base material with water, it was removed by etching using the sulfuric acid/hydrogen peroxide aqueous solution prepared in Preparation Example 2, thereby exposing the conductive silver particle layer (M1) on the polyimide film. By inspecting the front and back surfaces of the silver particle layer on the film with a tester, it was confirmed that the front and back surfaces were electrically connected and that conductivity was ensured. In this way, the insulating base material (A) has conductive silver particle layers (M1) on both surfaces, and further has through holes connecting both surfaces of the insulating base material, and A laminate for semi-additive construction was obtained, the surface of which was made conductive by palladium.

(実施例28)
実施例6で作製した積層体に、レーザーを用いて50μm径のスルーホールを形成した。このようにして得られたスルーホール付き基材を、調製例4で作製した(PPy/PVP(SO 2-))水性コロイド液に中に室温で2分間浸漬し、スルーホール表面にコロイド粒子を付着させて、スルーホールの表面を導電性ポリマーにより導電化した。この基材を水洗した後、調製例2で作製した硫酸/過酸化水素水溶液を用いたエッチング処理で除去することにより、ポリイミドフィルム上の導電性の銀粒子層(M1)を露出させた。フィルム上の銀粒子層の表裏面をテスターで検査することにより、表裏面が電気的に接続され、導電性が確保されていることを確認した。このようにして、絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)を有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、導電性ポリマーによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 28)
A through hole with a diameter of 50 μm was formed in the laminate produced in Example 6 using a laser. The thus obtained substrate with through holes was immersed in the (PPy/PVP (SO 4 2- )) aqueous colloid solution prepared in Preparation Example 4 for 2 minutes at room temperature, and colloid particles were formed on the surface of the through holes. was applied to make the surface of the through hole conductive with a conductive polymer. After washing this base material with water, it was removed by etching using the sulfuric acid/hydrogen peroxide aqueous solution prepared in Preparation Example 2, thereby exposing the conductive silver particle layer (M1) on the polyimide film. By inspecting the front and back surfaces of the silver particle layer on the film with a tester, it was confirmed that the front and back surfaces were electrically connected and that conductivity was ensured. In this way, the insulating base material (A) has conductive silver particle layers (M1) on both surfaces, and further has through holes connecting both surfaces of the insulating base material, and A laminate for semi-additive construction was obtained, the surface of which had electrical conductivity ensured by a conductive polymer.

(プリント配線板の製造)
(実施例29、30)
実施例23、24において、スルーホールの形成位置を、配線長100mm、インピーダンス50Ωのマイクロストリップラインの伝送特性評価端子における裏面ベタGNDへの接続位置に設計した以外は、実施例23、24と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)を有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、カーボンによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Manufacture of printed wiring boards)
(Example 29, 30)
In Examples 23 and 24, the same as Examples 23 and 24 except that the through holes were formed at the connection position to the back surface GND of the transmission characteristic evaluation terminal of a microstrip line with a wiring length of 100 mm and an impedance of 50 Ω. The insulating base material (A) has a conductive silver particle layer (M1) on both surfaces thereof, and further has a through hole connecting both surfaces of the insulating base material, and the surface of the through hole is , a laminate for semi-additive construction method in which conductivity was ensured by carbon was obtained.

このようにして得られた銀粒子層(M1)の上に、ドライフィルムレジスト(日立化成株式会社製「フォテックRD-1225」;レジスト膜厚25μm)を、ロールラミネーターを用いて100℃で圧着し、続いて、ダイレクト露光デジタルイメージング装置(オルボッテク社製「Nuvogo1000R」)を用いて、レジスト上に配線長100mm、インピーダンス50Ωのマイクロストリップラインパターン及び、測定プローブ用のGNDに接続するスルーホール部の端子パッドパターンを露光した。次いで、1質量%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像を行うことによって、銀粒子層(M1)上にマイクロストリップラインパターン、及びプローブ端子パッド部が除去されたパターンレジストを形成し、ポリイミドフィルム上の銀粒子層(M1)を露出させた。 On top of the silver particle layer (M1) obtained in this way, a dry film resist (“Fotech RD-1225” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.; resist film thickness 25 μm) was pressure-bonded at 100°C using a roll laminator. Next, using a direct exposure digital imaging device ("Nuvogo 1000R" manufactured by Orbottech), a microstrip line pattern with a wiring length of 100 mm and an impedance of 50 Ω was formed on the resist, and the terminal of the through hole part connected to GND for the measurement probe was formed on the resist. The pad pattern was exposed. Next, by performing development using a 1% by mass sodium carbonate aqueous solution, a pattern resist in which a microstrip line pattern and probe terminal pad portions have been removed is formed on the silver particle layer (M1), and the silver on the polyimide film is developed. The particle layer (M1) was exposed.

次いで、パターンレジストが形成された基材の銀粒子層表面をカソードに設置し、含リン銅をアノードとして、硫酸銅を含有する電解めっき液(硫酸銅60g/L、硫酸190g/L、塩素イオン50mg/L、添加剤(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製 カパーグリームST-901」)を用いて、電流密度2A/dm2で41分間電解めっきを行うことによって、レジストの除去されたマイクロストリップパターン及びプローブ端子パッド部に電解銅めっきによる18μm厚の回路パターンの導電層(M3)を形成した。次いで、銅による金属パターンの形成されたフィルムを、50℃に設定した3質量%の水酸化ナトリウム水溶液に浸漬することによって、パターンレジストを剥離した。 Next, the surface of the silver particle layer of the base material on which the pattern resist was formed was placed as a cathode, and an electrolytic plating solution containing copper sulfate (copper sulfate 60 g/L, sulfuric acid 190 g/L, chlorine ion The resist was removed from the microstrip by electrolytic plating at a current density of 2 A/dm2 for 41 minutes using 50 mg/L and an additive (Copper Gleam ST-901 manufactured by Rohm & Haas Electronic Materials Co., Ltd.). A conductive layer (M3) of a circuit pattern with a thickness of 18 μm was formed by electrolytic copper plating on the pattern and the probe terminal pad portion.Then, the film on which the copper metal pattern was formed was subjected to 3% by mass hydroxide at 50°C. The pattern resist was peeled off by immersion in a sodium aqueous solution.

次いで、調製例3で得られた銀用エッチング液に、上記で得られたフィルムを、25℃で30秒間浸漬することで、導電層パターン以外の銀粒子層を除去し、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブ端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の導電層(M3)であった。 Next, the film obtained above was immersed in the silver etching solution obtained in Preparation Example 3 at 25° C. for 30 seconds to remove the silver particle layer other than the conductive layer pattern and obtain a printed wiring board. Ta. The cross-sectional shape of the circuit forming part (microstrip line and probe terminal part) of the fabricated printed wiring board shows a rectangular shape with no reduction in wiring height and wiring width and no undercut, and is smooth. This was the surface conductive layer (M3).

(実施例31、32)
実施例25、26において、スルーホールの形成位置を、配線長100mm、インピーダンス50Ωのマイクロストリップラインの伝送特性評価端子における裏面ベタGNDへの接続位置に設計した以外は、実施例25、26と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、プライマー層(B)、導電性の銀粒子層(M1)をこの順に有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、カーボンによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 31, 32)
In Examples 25 and 26, the same as Examples 25 and 26 except that the through holes were formed at the connection position to the back surface GND of the transmission characteristic evaluation terminal of a microstrip line with a wiring length of 100 mm and an impedance of 50 Ω. The insulating base material (A) has a primer layer (B) and a conductive silver particle layer (M1) on both surfaces in this order, and further has a through hole connecting both surfaces of the insulating base material. A laminate for semi-additive construction was obtained in which the surface of the through hole had conductivity ensured by carbon.

以後は、実施例29、30と同様にして、銀粒子層(M1)上に、配線長100mm、インピーダンス50Ω、銅厚18μmのマイクロストリップライン、及びプローブ端子部パターンの導電層(M3)を有するプリント配線板を作製した。作製したプリント配線板回路形成部の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の導電層(M3)であった。 Thereafter, in the same manner as in Examples 29 and 30, a microstrip line with a wiring length of 100 mm, an impedance of 50 Ω, and a copper thickness of 18 μm and a conductive layer (M3) with a probe terminal pattern were provided on the silver particle layer (M1). A printed wiring board was created. The cross-sectional shape of the produced printed wiring board circuit forming part was a rectangular shape with no reduction in wiring height and wiring width and no undercut, and was a conductive layer (M3) with a smooth surface.

(実施例33)
実施例27において、スルーホールの形成位置を、配線長100mm、インピーダンス50Ωのマイクロストリップラインの伝送特性評価端子における裏面ベタGNDへの接続位置に設計した以外は、実施例27と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、プライマー層(B)、導電性の銀粒子層(M1)をこの順に有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、パラジウムによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 33)
In Example 27, the insulation was made in the same manner as in Example 27, except that the through hole was designed to be connected to the back surface GND of the transmission characteristic evaluation terminal of a microstrip line with a wiring length of 100 mm and an impedance of 50Ω. A primer layer (B) and a conductive silver particle layer (M1) are provided on both surfaces of the insulating base material (A) in this order, and a through hole is provided to connect both surfaces of the insulating base material. A laminate for semi-additive construction was obtained in which the surface of the pores had electrical conductivity ensured by palladium.

以後は、実施例29、30と同様にして、銀粒子層(M1)上に、配線長100mm、インピーダンス50Ω、銅厚18μmのマイクロストリップライン、及びプローブ端子部パターンの導電層(M3)を有するプリント配線板を作製した。作製したプリント配線板回路形成部の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の導電層(M3)であった。 Thereafter, in the same manner as in Examples 29 and 30, a microstrip line with a wiring length of 100 mm, an impedance of 50 Ω, and a copper thickness of 18 μm and a conductive layer (M3) with a probe terminal pattern were provided on the silver particle layer (M1). A printed wiring board was created. The cross-sectional shape of the produced printed wiring board circuit forming part was a rectangular shape with no reduction in wiring height and wiring width and no undercut, and was a conductive layer (M3) with a smooth surface.

(実施例34)
実施例28において、スルーホールの形成位置を、配線長100mm、インピーダンス50Ωのマイクロストリップラインの伝送特性評価端子における裏面ベタGNDへの接続位置に設計した以外は、実施例28と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、プライマー層(B)、導電性の銀粒子層(M1)をこの順に有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、導電性ポリマーによって導電性が確保されたセミアディティブ工法用積層体を得た。
(Example 34)
In Example 28, the insulation was made in the same manner as in Example 28, except that the through hole was designed to be connected to the back surface GND of the transmission characteristic evaluation terminal of a microstrip line with a wiring length of 100 mm and an impedance of 50Ω. A primer layer (B) and a conductive silver particle layer (M1) are provided on both surfaces of the insulating base material (A) in this order, and a through hole is provided to connect both surfaces of the insulating base material. A laminate for semi-additive construction in which the surface of the pores had electrical conductivity ensured by the conductive polymer was obtained.

以後は、実施例29、30と同様にして、銀粒子層(M1)上に、配線長100mm、インピーダンス50Ω、銅厚18μmのマイクロストリップライン、及びプローブ端子部パターンの導電層(M3)を有するプリント配線板を作製した。作製したプリント配線板回路形成部の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の導電層(M3)であった。 Thereafter, in the same manner as in Examples 29 and 30, a microstrip line with a wiring length of 100 mm, an impedance of 50 Ω, and a copper thickness of 18 μm and a conductive layer (M3) with a probe terminal pattern were provided on the silver particle layer (M1). A printed wiring board was created. The cross-sectional shape of the produced printed wiring board circuit forming part was a rectangular shape with no reduction in wiring height and wiring width and no undercut, and was a conductive layer (M3) with a smooth surface.

(比較例1)
両面に銀粒子層を形成したポリイミドフィルムを用いる代わりに、両面にめっき下地層として3μm厚の粗化銅箔を有する市販の25μm厚ポリイミドベースFCCL(宇部エクシモ株式会社製「ユピセルN-BE1310YSB」)を用いた以外は、実施例29~33と同様にして、両面を貫通するスルーホールを形成し、マクダーミッド社のブラックホールプロセス(コンディショニング-カーボン吸着処理-エッチング)に通して、スルーホールの表面にカーボンを付着させ、カーボンの付着した銅箔表面を、調製例2で作製した硫酸/過酸化水素水溶液を用いたエッチング処理で除去することにより、絶縁性基材(A)の両表面上に、銅箔を有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、カーボンによって導電性が確保された基材を得た。
(Comparative example 1)
Instead of using a polyimide film with silver particle layers formed on both sides, we used a commercially available 25 μm thick polyimide-based FCCL (“Yupiceru N-BE1310YSB” manufactured by Ube Eximo Co., Ltd.) that has a 3 μm thick roughened copper foil as a plating base layer on both sides. Through holes penetrating both sides were formed in the same manner as in Examples 29 to 33, except for using By attaching carbon and removing the carbon-attached copper foil surface by etching using the sulfuric acid/hydrogen peroxide aqueous solution prepared in Preparation Example 2, on both surfaces of the insulating base material (A), A base material was obtained that had a copper foil, further had a through hole connecting both surfaces of the insulating base material, and the surface of the through hole had carbon to ensure conductivity.

以降は、銀粒子層(M1)表面の代わりに、銅箔表面にパターンレジストを形成する以外は、実施例29~33と同様にして、銅箔のめっき下地層上に、銅による18μm厚のマイクロストリップライン、及びプローブ端子部パッドパターンの導体回路層を形成した。 Thereafter, in the same manner as in Examples 29 to 33, except that a pattern resist was formed on the surface of the copper foil instead of the surface of the silver particle layer (M1), a 18 μm thick layer of copper was formed on the plating base layer of the copper foil. A conductor circuit layer of a microstrip line and a probe terminal pad pattern was formed.

次いで、銅のシードエッチングに用いる硫酸/過酸化水素系のフラッシュエッチング液に、浸漬して銅のシードを除去したところ、マイクロストリップラインの導電層(M3)がエッチングされて、膜厚が約3μm薄くなるとともに、配線幅も約6μm減少し、かつ、断面形状が矩形を保持できなくなり「台形」状となった。また銅の導電層表面はエッチングにより粗化されて平滑性が低下した。 Next, when the copper seeds were removed by immersion in a sulfuric acid/hydrogen peroxide flash etching solution used for copper seed etching, the conductive layer (M3) of the microstrip line was etched to a film thickness of about 3 μm. As the thickness became thinner, the wiring width also decreased by about 6 μm, and the cross-sectional shape could no longer maintain a rectangular shape but became a "trapezoid" shape. Furthermore, the surface of the copper conductive layer was roughened by etching and its smoothness decreased.

(比較例2)
両面に銀粒子層を形成したポリイミドフィルムを用いる代わりに、両面にめっき下地層としてニッケル/クロム(厚さ30nm、ニッケル/クロム質量比=80/20)、さらに70nmの銅をスパッタし、1μm厚の電解銅めっき処理したポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製「カプトン 100EN-C」;厚さ25μm)を用いた以外は、比較例1と同様にして、銅箔のめっき下地層上に、銅による18μm厚のマイクロストリップライン、及びプローブ端子部パッドパターンの導体回路層を形成した。
(Comparative example 2)
Instead of using a polyimide film with silver particle layers formed on both sides, nickel/chromium (thickness 30 nm, nickel/chromium mass ratio = 80/20) was sputtered on both sides as a plating base layer, and then 70 nm of copper was sputtered to form a 1 μm thick layer. Copper was deposited on the copper foil plating base layer in the same manner as in Comparative Example 1, except that a polyimide film (“Kapton 100EN-C” manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd.; thickness 25 μm) that had been electrolytically plated with copper was used. A microstrip line with a thickness of 18 μm and a conductive circuit layer with a probe terminal pad pattern were formed.

次いで、銅のシードエッチングに用いる硫酸/過酸化水素系のフラッシュエッチング液に、浸漬して銅のシードを除去したところ、マイクロストリップラインの導電層(M3)がエッチングされて、膜厚が約1μm薄くなるとともに、配線幅も2μm以上減少し、かつ、断面形状が矩形を保持できなくなり「台形」状となった。また銅の導電層表面はエッチングにより粗化されて平滑性が低下した。さらに、導電層(M3)パターン以外の領域では銅層のみが除去され、ニッケル/クロム層が除去されずに残留した。 Next, when the copper seed was removed by immersion in a sulfuric acid/hydrogen peroxide flash etching solution used for copper seed etching, the conductive layer (M3) of the microstrip line was etched to a film thickness of approximately 1 μm. As the thickness became thinner, the wiring width also decreased by 2 μm or more, and the cross-sectional shape could no longer maintain a rectangular shape and became a "trapezoid" shape. Furthermore, the surface of the copper conductive layer was roughened by etching and its smoothness decreased. Further, in areas other than the conductive layer (M3) pattern, only the copper layer was removed, and the nickel/chromium layer remained without being removed.

[アンダーカットの有無及び配線部の断面形状の確認]
上記で得られたプリント配線板の櫛歯電極部の断面を走査型電子顕微鏡(日本電子株式会社製「JSM7800」)で500~10,000倍に拡大し観察して、アンダーカットの有無及び櫛歯電極部の断面形状を確認した。
[Checking whether there is an undercut or not and the cross-sectional shape of the wiring section]
The cross-section of the comb-teeth electrode portion of the printed wiring board obtained above was observed under a scanning electron microscope (JSM7800 manufactured by JEOL Ltd.) at a magnification of 500 to 10,000 times, and the presence or absence of undercuts and comb-teeth electrodes were observed. The cross-sectional shape of the tooth electrode part was confirmed.

作製したプリント配線板の配線表面をレーザー顕微鏡(キーエンス社製、VK-9710)で観察することにより、配線表面の表面粗さを確認し、Rzが3μm以下であるものを平滑である(平滑性:〇)とし、Rzが3μmを超えるものを平滑ではない(平滑性:×)と評価した。また、配線形成に用いたレジストによる配線の設計幅と、形成された配線の上面幅の差異が2μm以下の場合、サイドエッチが抑制され、矩形形状を保持できた(矩形性:〇)とし、差異が2μmを超えるものを短形形状が保持できなかった(短形成:×)と評価し、実施例、比較例および評価結果を表1~表3に示した。



By observing the wiring surface of the manufactured printed wiring board with a laser microscope (manufactured by Keyence Corporation, VK-9710), the surface roughness of the wiring surface was confirmed, and if Rz was 3 μm or less, it was considered smooth (smoothness). :〇), and those with Rz exceeding 3 μm were evaluated as not smooth (smoothness: ×). In addition, when the difference between the designed width of the wiring using the resist used for wiring formation and the top surface width of the formed wiring was 2 μm or less, side etching was suppressed and the rectangular shape could be maintained (rectangularity: 〇). If the difference exceeds 2 μm, it was evaluated that the rectangular shape could not be maintained (short formation: ×), and Examples, Comparative Examples, and evaluation results are shown in Tables 1 to 3.



Figure 0007371778000001
Figure 0007371778000001


Figure 0007371778000002
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Figure 0007371778000003
Figure 0007371778000003




1:絶縁性基材
2:銀粒子層
3:銅層
4:プライマー層
5:パラジウム、導電性ポリマー、カーボン
6:貫通孔(スルーホール)
7:パラジウム、導電性ポリマー、カーボン
8:パターンレジスト
9:導電層(電解銅めっき層)
(a)セミアディティブ工法用積層体(請求項1の構成)
(b)工程1:貫通孔(スルーホール)形成
(c)工程2:無電解銀めっき用触媒付与
(d)工程3:導電性銀粒子層の露出
(e)工程4:無電解銀めっきによるスルーホールの銀層導電化
(f)工程5:レジストパターン形成
(g)工程6:電解銅めっきによる導電層形成
(h)工程7:パターンレジスト剥離
(i)工程7:銀シード除去
1: Insulating base material 2: Silver particle layer 3: Copper layer 4: Primer layer 5: Palladium, conductive polymer, carbon 6: Through hole (through hole)
7: Palladium, conductive polymer, carbon 8: Pattern resist 9: Conductive layer (electrolytic copper plating layer)
(a) Laminated body for semi-additive construction method (configuration of claim 1)
(b) Step 1: Through-hole formation (c) Step 2: Application of catalyst for electroless silver plating (d) Step 3: Exposure of conductive silver particle layer (e) Step 4: By electroless silver plating Silver layer conductivity in through holes (f) Step 5: Resist pattern formation (g) Step 6: Conductive layer formation by electrolytic copper plating (h) Step 7: Pattern resist peeling (i) Step 7: Silver seed removal

Claims (4)

絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材の表面上に、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれかを付与して、貫通孔表面を導電化する工程2、
前記銅層(M2)全体をエッチング除去して、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
を有することを特徴とするセミアディティブ工法用積層体の製造方法。
A silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) are sequentially laminated on both surfaces of the insulating base material (A), and the layer thickness of the copper layer (M2) is 0.1 μm to 2 μm. Step 1 of forming a through hole penetrating both sides of the laminate;
Step 2 of applying palladium, a conductive polymer, or carbon to the surface of the base material having the through hole to make the surface of the through hole electrically conductive;
Step 3 of etching away the entire copper layer (M2) to expose the conductive silver particle layer (M1);
1. A method for producing a laminate for semi-additive construction method, comprising:
絶縁性基材(A)と、銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を積層することを特徴とする請求項1記載のセミアディティブ工法用積層体の製造方法。 2. The method for producing a laminate for semi-additive construction according to claim 1, further comprising laminating a primer layer (B) between the insulating base material (A) and the silver particle layer (M1). 絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材の表面上に、パラジウム、導電性ポリマー、カーボンのいずれかを付与して、貫通孔表面を導電化する工程2、
前記銅層(M2)全体をエッチング除去して、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に、パターンレジストを形成する工程4、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M3)形成を行う工程5、
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程6
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
A silver particle layer (M1) and a copper layer (M2) are sequentially laminated on both surfaces of the insulating base material (A), and the layer thickness of the copper layer (M2) is 0.1 μm to 2 μm. Step 1 of forming a through hole penetrating both sides of the laminate;
Step 2 of applying palladium, a conductive polymer, or carbon to the surface of the base material having the through hole to make the surface of the through hole electrically conductive;
Step 3 of etching away the entire copper layer (M2) to expose the conductive silver particle layer (M1);
Step 4 of forming a pattern resist on the conductive silver particle layer (M1);
Step 5 of electrically connecting both sides of the base material and forming a conductive layer (M3) of a circuit pattern by electrolytic copper plating;
Step 6 of peeling off the pattern resist and removing the silver particle layer (M1) in the non-circuit pattern forming area with an etching solution
A method for manufacturing a printed wiring board, comprising:
前記絶縁性基材(A)と、銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を有することを特徴とする請求項3記載のプリント配線板の製造方法。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 3, further comprising a primer layer (B) between the insulating base material (A) and the silver particle layer (M1).
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