JP6325712B2 - 静電容量結合方式のタッチパネルの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施例1では、表示パネルの一例として例えば液晶表示パネル上にタッチパネルを備えたタッチパネル付き表示装置に本発明を適用した例について説明する。
図6乃至図8は本発明の実施例2のタッチパネル付き表示装置に係る図であり、図6はタッチパネル付き表示装置に組み込まれるタッチパネルの電極パターンを示す平面図、図7は図6のD−D’線に沿った断面構造を示す断面図、図8は図6のE−E’線に沿った断面構造を示す断面図である。
1a 第1の部分
1b 第2の部分
2Y 電極
2a 第1の部分
2b 第2の部分
11 基板
12 絶縁膜
12a コンタクトホール
13 保護膜
20 タッチパネル
30 液晶表示パネル
40 バックライト
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に形成された、第1の方向に延在する複数の第1の電極と、
前記第1の電極と交差して、第2の方向に延在する複数の第2の電極と、
前記複数の第1の電極の各々は、前記第2の電極とは異なる層に形成され、前記第2の電極と交差する第1の部分と、前記第2の電極と同層に前記第2の電極とは分離して形成される第2の部分とを有し、
前記複数の第2の電極の各々は、前記第1の部分と交差する第3の部分と、前記第3の部分の間に形成される第4の部分とを有し、
前記第1の部分を覆うように形成された絶縁膜とを有する静電容量結合方式のタッチパネルの製造方法であって、
前記基板上に、第1の透明導電膜を形成する工程と、
前記第1の透明導電膜上にレジストからなるエッチングマスクを形成する工程と、
前記第1の透明導電膜をエッチングして、前記第1の部分を形成する工程と、
前記第1の透明導電膜上のエッチングマスクを除去する工程と、
前記第1の部分の上にネガ型レジストからなる前記絶縁膜を前記第1の透明導電膜よりも厚く形成する工程と、
前記第1の部分上の前記絶縁膜にコンタクト部を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第2の透明導電膜を形成する工程と、
前記第2の透明導電膜上にレジストからなるエッチングマスクを形成する工程と、
前記第2の透明導電膜をエッチングして、前記コンタクト部内部に空間を形成するように前記第3の部分を形成し、前記絶縁膜上に前記第2の部分と前記第4の部分とを形成する工程と、
前記第2の透明導電膜上のエッチングマスクを除去する工程と、
前記コンタクト部の内部の空間を含み、前記第2の透明導電膜上にネガ型レジストからなる保護膜を形成する工程と、
からなることを特徴とする静電容量結合方式のタッチパネルの製造方法。 - 前記第1の透明導電膜は、ITOを前記基板上に形成したものであることを特徴とする請求項1に記載の静電容量結合方式のタッチパネルの製造方法。
- 前記第2の透明導電膜は、ITOを前記絶縁膜上に形成したものであることを特徴とする請求項1に記載の静電容量結合方式のタッチパネルの製造方法。
- 前記第2の部分は隣り合う2つの前記第3の部分の間に配置され、前記第2の方向に併設される両隣の第1の電極に向かって幅が広がるようエッチングされ、
前記第4の部分は隣り合う2つの前記第1の部分の間に配置され、前記第1の方向に併設される両隣の第2の電極に向かって幅が広がるようエッチングされる、
ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量結合方式のタッチパネルの製造方法。 - 前記第1の透明導電膜上に形成されるエッチングマスクは、ポジ型レジストであることを特徴とする請求項1に記載の静電容量結合方式のタッチパネルの製造方法。
- 前記第2の透明導電膜上に形成されるエッチングマスクは、ポジ型レジストであることを特徴とする請求項1に記載の静電容量結合方式のタッチパネルの製造方法。
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