JP6321887B2 - メモリへの電力利用可能性情報の供給 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 269
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000003796 beauty Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000013403 standard screening design Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
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- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/142—Contactless power supplies, e.g. RF, induction, or IR
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4072—Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
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Description
Claims (17)
- メモリと、
電力及び電力利用可能性情報を前記メモリに供給するように構成されたコントローラと
を備え、
前記メモリは、前記電力利用可能性情報の少なくとも一部に基づいて、その動作を調節するかを判定するように構成され、
前記電力利用可能性情報は、前記メモリがその現在の動作状態において動作を継続することができる時間量の指示を含む、
装置。 - 前記コントローラは、電力をホストから受信するように構成され、前記ホストから受信される前記電力は、前記ホストと前記装置との間の距離に左右される、請求項1に記載の装置。
- 前記電力利用可能性情報は、前記メモリがその現在の動作状態において動作を継続することができるかの指示をさらに含む、請求項1〜2のいずれか一項に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記電力利用可能性情報を判定するように構成される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記メモリは、構成レジスタを含み、
前記コントローラは、前記構成レジスタを通じて前記電力利用可能性情報を前記メモリに供給するように構成される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置。 - メモリを動作させる方法であって、
メモリによって、電力及び電力利用可能性情報を受信することと、
前記メモリによって、前記電力利用可能性情報の少なくとも一部に基づいて、その動作を調節するかを判定することと、
を含み、
前記電力利用可能性情報を受信することは、
前記メモリが無制限の時間量の間にその現在の動作状態において動作を継続することができることの指示を受信すること、
前記メモリが前記無制限の時間量よりも短い第1の時間量の間にその現在の動作状態において動作を継続することができることの指示を受信すること、
前記メモリが前記第1の時間量よりも短い第2の時間量の間にその現在の動作状態において動作を継続することができることの指示を受信すること、または
前記メモリが前記第2の時間量よりも短い第3の時間量の間にその現在の動作状態において動作を継続することができることの指示を受信すること、
を含む、
方法。 - 前記電力利用可能性情報を受信することは、
前記メモリがその現在の動作状態を停止することの指示をさらに受信すること、
を含む、請求項6に記載の方法。 - 前記メモリによって、いくつかのインタフェース信号を通じて前記電力利用可能性情報を受信すること、
をさらに備える、請求項6〜7のいずれか一項に記載の方法。 - ホストと、
コントローラ及びメモリを有するメモリデバイスと、
を備え、
前記コントローラは、
電力を前記ホストから受信し、
前記メモリに対する電力利用可能性情報を判定し、
前記電力及び前記電力利用可能性情報を前記メモリに供給する、
ように構成され、
前記電力利用可能性情報は、前記メモリがその現在の動作状態において動作を継続することができる時間量の指示を含む、
システム。 - 前記コントローラは、前記ホストから受信される電力量及び前記メモリの所与の電圧供給における電流消費レベルの少なくとも一部に基づいて、前記メモリに対する前記電力利用可能性情報を判定するように構成される、
請求項9に記載のシステム。 - 前記コントローラは、前記ホストとの無線接続を通じて前記電力を前記ホストから受信するように構成される、請求項9〜10のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記コントローラは、前記ホストとの有線接続を通じて前記電力を前記ホストから受信するように構成される、請求項9〜10のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記電力利用可能性情報は、前記メモリに供給される電圧供給が特定のレベルに到達すると、前記メモリがその動作を停止させることの指示をさらに含む、請求項9〜12のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記動作を継続することができる前記時間量は、無制限の時間量、前記無制限の時間量よりも短い第1の時間量、前記第1の時間量よりも短い第2の時間量、または前記第2の時間量よりも短い第3の時間量の間に区分される、請求項9〜13のいずれか一項に記載のシステム。
- ホストと、
コントローラ及びメモリを有するメモリデバイスと、
を備え、
前記コントローラは、
電力を前記ホストから受信し、
前記電力及び電力利用可能性情報を前記メモリに供給する、
ように構成され、
前記メモリは、前記電力利用可能性情報の少なくとも一部に基づいて、その動作を調節するかを判定するように構成され、
前記電力利用可能性情報は、前記メモリがその現在の動作状態において動作を継続することができる時間量の指示を含む、
システム。 - 前記電力利用可能性情報は、前記コントローラが電力を前記ホストから受信することを中断すると、前記メモリがその動作を中止することの指示をさらに含む、請求項15に記載のシステム。
- 前記動作を継続することができる前記時間量は、無制限の時間量、前記無制限の時間量よりも短い第1の時間量、前記第1の時間量よりも短い第2の時間量、または前記第2の時間量よりも短い第3の時間量の間に区分される、請求項15〜16のいずれか一項に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/288,618 | 2014-05-28 | ||
US14/288,618 US9343116B2 (en) | 2014-05-28 | 2014-05-28 | Providing power availability information to memory |
PCT/US2015/030786 WO2015183573A1 (en) | 2014-05-28 | 2015-05-14 | Providing power availability information to memory |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018072982A Division JP6572341B2 (ja) | 2014-05-28 | 2018-04-05 | メモリへの電力利用可能性情報の供給 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017525061A JP2017525061A (ja) | 2017-08-31 |
JP6321887B2 true JP6321887B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=54699550
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017513586A Active JP6321887B2 (ja) | 2014-05-28 | 2015-05-14 | メモリへの電力利用可能性情報の供給 |
JP2018072982A Active JP6572341B2 (ja) | 2014-05-28 | 2018-04-05 | メモリへの電力利用可能性情報の供給 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018072982A Active JP6572341B2 (ja) | 2014-05-28 | 2018-04-05 | メモリへの電力利用可能性情報の供給 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US9343116B2 (ja) |
EP (2) | EP3149733B1 (ja) |
JP (2) | JP6321887B2 (ja) |
KR (2) | KR101899231B1 (ja) |
CN (2) | CN111292778B (ja) |
SG (2) | SG11201609854XA (ja) |
WO (1) | WO2015183573A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9343116B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-05-17 | Micron Technology, Inc. | Providing power availability information to memory |
US10095412B2 (en) * | 2015-11-12 | 2018-10-09 | Sandisk Technologies Llc | Memory system and method for improving write performance in a multi-die environment |
US10503241B2 (en) | 2017-05-16 | 2019-12-10 | Micron Technology, Inc. | Providing energy information to memory |
US20190026829A1 (en) | 2017-07-24 | 2019-01-24 | Denso Corporation | Trading system, provider terminal, user terminal, and node |
JP7113694B2 (ja) | 2018-07-31 | 2022-08-05 | 株式会社三井ハイテック | 鉄心製品の製造方法及び鉄心製品の製造装置 |
US11720352B2 (en) | 2019-12-10 | 2023-08-08 | Micron Technology, Inc. | Flexible command pointers to microcode operations |
CN113126892A (zh) * | 2020-01-15 | 2021-07-16 | 伊姆西Ip控股有限责任公司 | 控制存储系统方法、电子设备和计算机程序产品 |
US11509473B2 (en) * | 2020-07-20 | 2022-11-22 | Pqsecure Technologies, Llc | Architecture and method for hybrid isogeny-based cryptosystems |
US11120844B1 (en) | 2020-08-28 | 2021-09-14 | Micron Technology, Inc. | Power switching for embedded memory |
US20220326887A1 (en) * | 2021-04-06 | 2022-10-13 | Micron Technology, Inc. | Log management maintenance operation and command |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5511204A (en) | 1994-09-07 | 1996-04-23 | International Business Machines Corporation | Performing system tasks at power-off using system management interrupt |
US5594360A (en) | 1994-10-19 | 1997-01-14 | Intel Corporation | Low current reduced area programming voltage detector for flash memory |
JPH11296627A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 非接触カード,非接触カードのリーダライタ及び非接触カードの制御方法 |
JP3923297B2 (ja) * | 2001-10-29 | 2007-05-30 | 富士通株式会社 | 情報処理装置およびカード型情報処理デバイス |
US20040225881A1 (en) | 2002-12-02 | 2004-11-11 | Walmsley Simon Robert | Variant keys |
JP2004206409A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Toshiba Corp | 非接触式icカード |
GB0320142D0 (en) * | 2003-08-28 | 2003-10-01 | Ibm | Data storage systems |
KR100598379B1 (ko) | 2003-09-08 | 2006-07-06 | 삼성전자주식회사 | 컴퓨터 시스템 및 그 제어방법 |
JP2006195901A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
US20060248355A1 (en) | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Thayer Larry J | Power throttling system and method for a memory controller |
US7581073B2 (en) | 2006-08-09 | 2009-08-25 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing distributed autonomous power management in a memory system |
US9146600B2 (en) | 2006-10-11 | 2015-09-29 | Texas Instruments Incorporated | Array and peripheral power control decoded from circuitry and registers |
US7895454B2 (en) * | 2007-02-06 | 2011-02-22 | International Business Machines Corporation | Instruction dependent dynamic voltage compensation |
US7739461B2 (en) | 2007-07-10 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | DRAM power management in a memory controller |
KR101493776B1 (ko) | 2007-12-07 | 2015-02-16 | 삼성전자주식회사 | 전력 상태에 따른 무선 메모리 디바이스 구동 방법 |
US7996580B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-08-09 | Sandisk Il Ltd. | System and method for notifying a host of a service required by a slave storage device |
US8175528B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-05-08 | Spansion Llc | Wireless mass storage flash memory |
US20090292934A1 (en) | 2008-05-22 | 2009-11-26 | Ati Technologies Ulc | Integrated circuit with secondary-memory controller for providing a sleep state for reduced power consumption and method therefor |
US8230239B2 (en) * | 2009-04-02 | 2012-07-24 | Qualcomm Incorporated | Multiple power mode system and method for memory |
US8504759B2 (en) | 2009-05-26 | 2013-08-06 | Micron Technology, Inc. | Method and devices for controlling power loss |
US8468370B2 (en) * | 2009-09-16 | 2013-06-18 | Seagate Technology Llc | Systems, methods and devices for control of the operation of data storage devices using solid-state memory and monitoring energy used therein |
US20110173462A1 (en) * | 2010-01-11 | 2011-07-14 | Apple Inc. | Controlling and staggering operations to limit current spikes |
US9235251B2 (en) * | 2010-01-11 | 2016-01-12 | Qualcomm Incorporated | Dynamic low power mode implementation for computing devices |
WO2012001917A1 (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-05 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶システム、メモリシステム用の電源回路、フラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラ、および不揮発性半導体記憶装置 |
US8797813B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-08-05 | Maxlinear, Inc. | Method and apparatus for memory power and/or area reduction |
US8621258B2 (en) | 2011-07-18 | 2013-12-31 | Maishi Electronic (Shanghai) Ltd. | Device for operating two memory cards in two sockets with different pin arrangements |
US20130290606A1 (en) | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Apple Inc. | Power management for a system having non-volatile memory |
KR20130127746A (ko) * | 2012-05-15 | 2013-11-25 | 삼성전자주식회사 | 전력 소모를 제어하는 방법과 장치 |
US8804449B2 (en) | 2012-09-06 | 2014-08-12 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods to provide power management for memory devices |
US9941741B2 (en) * | 2013-03-20 | 2018-04-10 | Nokia Technologies Oy | Method, apparatus, and computer program product for powering electronics in smart covers |
US9343116B2 (en) * | 2014-05-28 | 2016-05-17 | Micron Technology, Inc. | Providing power availability information to memory |
-
2014
- 2014-05-28 US US14/288,618 patent/US9343116B2/en active Active
-
2015
- 2015-05-14 SG SG11201609854XA patent/SG11201609854XA/en unknown
- 2015-05-14 EP EP15800213.9A patent/EP3149733B1/en active Active
- 2015-05-14 CN CN202010053188.1A patent/CN111292778B/zh active Active
- 2015-05-14 KR KR1020167035634A patent/KR101899231B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-14 KR KR1020187025592A patent/KR102001358B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-14 WO PCT/US2015/030786 patent/WO2015183573A1/en active Application Filing
- 2015-05-14 JP JP2017513586A patent/JP6321887B2/ja active Active
- 2015-05-14 SG SG10201800131RA patent/SG10201800131RA/en unknown
- 2015-05-14 CN CN201580028169.0A patent/CN106415724B/zh active Active
- 2015-05-14 EP EP19170778.5A patent/EP3537441B1/en active Active
-
2016
- 2016-04-05 US US15/090,870 patent/US9607665B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-16 US US15/434,748 patent/US9905275B2/en active Active
- 2017-12-15 US US15/843,195 patent/US10424347B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-05 JP JP2018072982A patent/JP6572341B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-16 US US16/513,115 patent/US10796731B2/en active Active
-
2020
- 2020-10-02 US US17/062,202 patent/US11250889B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-14 US US17/671,000 patent/US11749316B2/en active Active
-
2023
- 2023-09-01 US US18/241,320 patent/US20240005964A1/en active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180221 |
|
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