JP6320047B2 - Constant voltage source circuit - Google Patents
Constant voltage source circuit Download PDFInfo
- Publication number
- JP6320047B2 JP6320047B2 JP2014003492A JP2014003492A JP6320047B2 JP 6320047 B2 JP6320047 B2 JP 6320047B2 JP 2014003492 A JP2014003492 A JP 2014003492A JP 2014003492 A JP2014003492 A JP 2014003492A JP 6320047 B2 JP6320047 B2 JP 6320047B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- reference voltage
- transistor
- source
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
本発明は、NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタのしきい値電圧の和に相当する電圧を定電圧として出力する定電圧源回路に関するものである。 The present invention relates to a constant voltage source circuit that outputs a voltage corresponding to the sum of threshold voltages of an NMOS transistor and a PMOS transistor as a constant voltage.
従来、CMOS回路を低電力(Low Power)動作させようとした場合、貫通電流が流れない電源電圧領域で動作させるのが望ましい。例えば、貫通電流が流れ始める寸前の電圧である|Vtp|+Vtn(=ΣVth)が電源電圧として用いられる。このΣVthの基準電圧を生成する回路は、特許文献1に記載されている。図4及び図5は特許文献1に開示された基準電圧発生回路及び定電圧回路の概要である。Vtp、Vtnは、それぞれCMOS回路で用いられるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタのしきい値電圧(Vth)である。 Conventionally, when trying to operate a CMOS circuit at a low power, it is desirable to operate in a power supply voltage region where no through current flows. For example, | Vtp | + Vtn (= ΣVth), which is a voltage just before the through current starts to flow, is used as the power supply voltage. A circuit that generates the reference voltage of ΣVth is described in Patent Document 1. 4 and 5 are outlines of the reference voltage generating circuit and the constant voltage circuit disclosed in Patent Document 1. FIG. Vtp and Vtn are the threshold voltages (Vth) of the PMOS transistor and NMOS transistor used in the CMOS circuit, respectively.
図4に示す基準電圧発生回路は、一端がプラス側電源VDDに接続された定電流源101と、ソース電極が定電流源101に接続され、ドレイン電極とゲート電極が接続されたPMOSトランジスタ103と、ドレイン電極がPMOSトランジスタ103のドレイン電極に接続され、ゲート電極がドレイン電極に接続され、ソース電極が接地(GND)されたNMOSトランジスタ105を有し、両トランジスタは直列に接続されている。また、定電流源101とPMOSトランジスタ103との間には出力電圧Vregを出力するための出力ノード107が接続されている。
The reference voltage generating circuit shown in FIG. 4 includes a constant
ここで、GND−VDD間に電源電圧を供給すると、PMOSトランジスタ103とNMOSトランジスタ105は共にゲート電極とドレイン電極を接続していることから、VDS=VGS(VDSはドレイン電極−ソース電極間電圧、VGSはゲート電極−ソース電極間電圧)である。例えば、定電流源101の設定電流値をPMOSトランジスタ103とNMOSトランジスタ105がしきい値電圧Vth付近で動作する様に設定すると、PMOSトランジスタ103とNMOSトランジスタ105のVDSはそれぞれほぼVtp、Vtnとなる。従って、Vregはほぼ|Vtp|+Vtn(=ΣVth)となり、VregはPMOSトランジスタ103とNMOSトランジスタ5のしきい値電圧の和ΣVthとほぼ等しくなる。また、定電流源101の電流値を任意に設定することにより、PMOSトランジスタ103とNMOSトランジスタ105のVDS、しいてはVregを調整する事も可能である。
また、図5に示す定電圧回路は、発振回路駆動用電源を生成するものであり、基準電圧発生回路100とインピーダンス変換部200とから構成され、基準電圧発生回路100で作られる所望の出力電圧(Vreg)をインピーダンス変換部200で低インピーダンスに変換して発振回路300に供給する。
Here, when a power supply voltage is supplied between GND and VDD, both the
The constant voltage circuit shown in FIG. 5 generates a power supply for driving the oscillation circuit. The constant voltage circuit includes a reference
基準電圧を生成する回路には、一般的には電源電圧(Vdd)がその電源に用いられるが、この電源電圧が変動した場合、生成される基準電圧(Vreg)にも影響が出る。特に、CMOS回路での消費電流を少なくするために|Vtp|+Vtnを1V程度の低電圧に設定した場合、微小な電源電圧(Vdd)の変動による基準電圧(Vreg)の変動であっても、相対的にその影響は大きい。
電源電圧(Vdd)の変動への対策として、基準電圧回路で発生する出力(基準電圧Vreg)を用いて、自己の電源電圧とする、いわゆるセルフバイアス構成にすることが考えられる。しかしながら、出力電圧を自己の電源電圧として用いる場合には、その構成上、フィードバックする際に該出力電圧よりも高い電圧に変換する必要があり、変換のために、インピーダンス変換部に加えてオペアンプが1段追加で必要になるなど回路が複雑になり、また、消費電流も増えてしまうという問題がある。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、基準電圧回路で発生する出力を用いて自己の電源電圧とするセルフバイアス構成でありながら低電圧から動作が可能で、高安定な定電圧を出力する半導体定電圧源回路を提供する。
In a circuit that generates a reference voltage, a power supply voltage (Vdd) is generally used for the power supply. However, when the power supply voltage fluctuates, the generated reference voltage (Vreg) is also affected. In particular, when | Vtp | + Vtn is set to a low voltage of about 1 V in order to reduce current consumption in the CMOS circuit, even if the reference voltage (Vreg) varies due to a minute variation of the power supply voltage (Vdd), The effect is relatively large.
As a countermeasure against fluctuations in the power supply voltage (Vdd), a so-called self-bias configuration in which the output (reference voltage Vreg) generated in the reference voltage circuit is used as the self power supply voltage can be considered. However, when using the output voltage as its own power supply voltage, it is necessary to convert the output voltage to a voltage higher than the output voltage when feedback is performed. There is a problem that the circuit becomes complicated, such as being required by adding one stage, and the current consumption increases.
The present invention has been made under such circumstances, and can operate from a low voltage while having a self-bias configuration in which the output generated in the reference voltage circuit is used as its own power supply voltage, and is a highly stable constant voltage. A semiconductor constant voltage source circuit is provided.
本発明の一態様は、非反転入力端子に基準電圧が入力され、その出力を反転入力端子へ他の素子を介さずに直接帰還させたボルテージフォロア構成を有し所定の定電圧を出力するオペアンプと、前記オペアンプの出力する電圧を電源として用いて前記基準電圧を生成する基準電圧発生回路とを有し、前記基準電圧発生回路は、N型又はP型のうちいずれか一方の型のMOSトランジスタである基準電圧トランジスタをその電流路に含み、前記基準電圧トランジスタのしきい値電圧に相当する電圧を前記基準電圧として生成し、前記オペアンプは、N型又はP型のうち前記基準電圧トランジスタの型とは異なる型のMOSトランジスタであるオフセットトランジスタを反転入力側の電流路に含んでおり、前記オフセットトランジスタのしきい値電圧に相当するオフセット電圧を持つことにより、前記基準電圧トランジスタのしきい値電圧と前記オフセットトランジスタのしきい値電圧の和に相当する電圧を前記定電圧として出力することを特徴とする半導体定電圧源回路である。 One embodiment of the present invention has a voltage follower configuration in which a reference voltage is input to a non-inverting input terminal and the output is directly fed back to the inverting input terminal without passing through other elements, and outputs a predetermined constant voltage. And a reference voltage generating circuit that generates the reference voltage using a voltage output from the operational amplifier as a power source, and the reference voltage generating circuit is an N-type or P-type MOS transistor The reference voltage transistor is included in the current path, and a voltage corresponding to the threshold voltage of the reference voltage transistor is generated as the reference voltage. The operational amplifier is an N type or a P type of the reference voltage transistor. and Nde including a current path of the offset transistor inverting input MOS transistors of different types and the threshold of the offset transistor By having an offset voltage corresponding to the voltage, the semiconductor constant voltage and outputs a voltage corresponding to the sum of the threshold voltage and the threshold voltage of the offset transistor of the reference voltage transistor as the constant voltage Source circuit.
また、本発明の一態様は、上述の半導体定電圧源回路において、前記基準電圧発生回路は、一端が前記反転入力端子に他端が前記非反転入力端子にそれぞれ接続された抵抗素子をその電流路にさらに含み、前記基準電圧トランジスタは、ドレイン端子が前記抵抗素子と接続され、ソース端子が接地電位に接続され、ゲート端子とドレイン端子とが互いに接続されたダイオード接続を有し、前記抵抗素子を介して前記基準電圧トランジスタを流れる電流によって前記基準電圧トランジスタのドレイン端子とソース端子との間に生じる電圧を、前記基準電圧として生成する。 One embodiment of the present invention is the above-described semiconductor constant voltage source circuit, wherein the reference voltage generation circuit includes a resistance element having one end connected to the inverting input terminal and the other end connected to the non-inverting input terminal. The reference voltage transistor further includes a diode connection in which a drain terminal is connected to the resistance element, a source terminal is connected to a ground potential, and a gate terminal and a drain terminal are connected to each other. A voltage generated between the drain terminal and the source terminal of the reference voltage transistor due to the current flowing through the reference voltage transistor via the reference voltage transistor is generated as the reference voltage.
基準電圧回路で発生する出力を用いて自己の電源電圧とするセルフバイアス構成を用いながら低電圧から動作が可能で、高安定な定電圧を出力することができる。 It is possible to operate from a low voltage while using a self-bias configuration in which the output generated in the reference voltage circuit is used as its own power supply voltage, and a highly stable constant voltage can be output.
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to examples.
図1乃至図3を参照して実施例1を説明する。
図1に示すように、半導体定電圧源回路1は、非反転入力端子(+)に基準電圧(Vtn)が入力され、その出力(Vtp)を反転入力端子(−)へ帰還させた構成を有し所定の定電圧(Vtn+Vtp)を出力するオペアンプ20と、前記オペアンプ20の出力する電圧(Vtn+Vtp)を電源として用いて前記基準電圧を生成する基準電圧発生回路10とを有している。
基準電圧発生回路10は、後に詳述するように、NMOSトランジスタをその電流路に含み、このNMOSトランジスタのしきい値電圧に相当する電圧(Vtn)を前記基準電圧として生成し、オペアンプ20は、反転入力側(−)の電流路にオフセット用PMOSトランジスタを含んでおり、このオフセット用PMOSトランジスタのしきい値電圧に相当するオフセット電圧を持つことにより、NMOSトランジスタのしきい値電圧(Vtn)とオフセット用PMOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値(|Vtp|)の和に相当する電圧を定電圧(Vtn+|Vtp|)として出力する。
The first embodiment will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the semiconductor constant voltage source circuit 1 has a configuration in which a reference voltage (Vtn) is input to a non-inverting input terminal (+) and an output (Vtp) is fed back to the inverting input terminal (−). An
As will be described later in detail, the reference
図2に示すように、基準電圧発生回路10は、抵抗R1とNMOSトランジスタN1とから構成されている。抵抗R1の一端は、起動回路30の出力端に接続され、他端は、NMOSトランジスタN1のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN1は、ソースが接地(GND)電位に接続され、ゲート・ドレインが結線されている(ダイオード接続されている)。基準電圧発生回路10では、このNMOSトランジスタN1のしきい値電圧に相当する電圧(Vtn)が基準電圧として生成される。この基準電圧(Vtn)は、オペアンプ20に入力される。
基準電圧発生回路10で生成された基準電圧(Vtn)が入力するオペアンプ20は、PMOSトランジスタP2、P3、P4、NMOSトランジスタN2、N3、N4、N5、抵抗R2及び容量Cを具備し、さらに、オフセット用PMOSトランジスタP1を備えている。
As shown in FIG. 2, the reference
The
オペアンプ20のPMOSトランジスタP2−P4は、ソースが電源電圧Vddに接続されており、NMOSトランジスタN2、N5のソースが接地(GND)されている。PMOSトランジスタP2は、ゲート・ドレインが結線され、ドレインはNMOSトランジスタN3のドレインに接続されている。PMOSトランジスタP3は、ゲートがPMOSトランジスタP2のゲートに接続され、ドレインがNMOSトランジスタN4のドレインに接続されている。
The sources of the PMOS transistors P2-P4 of the
オペアンプ20は、ボルテージフォロア構成であり、非反転入力端子IN(+)は、NMOSトランジスタN4のゲートに接続され、反転入力端子IN(−)は、NMOSトランジスタN3のゲートに接続されている。NMOSトランジスタN4のソースは、NMOSトランジスタN2のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN2のソースは接地(GND)され、ゲートは、オペアンプ20の出力端子OUTと基準電圧発生回路10を構成するNMOSトランジスタN1のゲート・ドレインとの間を結ぶ信号線に接続されている。この信号線にはNMOSトランジスタN5が、出力端子OUTとNMOSトランジスタN2のゲートとの間に設けられており、ゲートがNMOSトランジスタN2のゲートに接続され、ドレインが出力端子OUTに接続され、ソースが接地(GND)されている。
The
反転入力端子IN(−)は、出力端子OUTと基準電圧発生回路10を構成する抵抗R1の一端との間を結ぶ信号線に接続され、非反転入力端子IN(+)は、前記抵抗R1の他端に接続されている。
PMOSトランジスタP4は、ドレインが出力端子OUTと抵抗R1の一端との間を結ぶ信号線に接続され、ゲートがPMOSトランジスタP3のドレインとNMOSトランジスタN4のドレインの中点に接続され、この中点とPMOSトランジスタP4のドレインとの間に抵抗R2及びこれと直列接続された容量Cが接続されている。
The inverting input terminal IN (−) is connected to a signal line connecting the output terminal OUT and one end of the resistor R1 constituting the reference
The PMOS transistor P4 has a drain connected to the signal line connecting the output terminal OUT and one end of the resistor R1, and a gate connected to the midpoint of the drain of the PMOS transistor P3 and the drain of the NMOS transistor N4. A resistor R2 and a capacitor C connected in series are connected between the drain of the PMOS transistor P4.
起動回路30は、PMOSトランジスタP5、NMOSトランジスタN6、N7、N8及び抵抗R3から構成されている。NMOSトランジスタN6は、ゲート・ドレインが結線され、ドレインが抵抗R3を介して電源電圧Vddに接続されている。NMOSトランジスタN7は、ドレインが電源電圧Vddに接続され、ゲートがNMOSトランジスタN6のゲートに接続され、ソースが基準電圧発生回路10に接続されている。また、PMOSトランジスタP5は、ゲート・ドレインが結線され、ソースがNMOSトランジスタN6のソースに接続されている。NMOSトランジスタN8は、ゲート・ドレインが結線され、ソースが接地されている。半導体定電圧源回路のようなセルフバイアス構成の回路では回路に電流が流れない状態でも安定である。電流が流れない状態では回路はオフの状態であり、この状態で静止するのを防ぐため起動回路で起動する。起動回路30の電流源で生成された電流は、NMOSトランジスタN6、N7で構成されるカレントミラー回路を介して基準電圧発生回路10に送られこれを起動する。
The
この実施例では、オフセット用PMOSトランジスタP1をオペアンプ20に組み込む事に特徴がある。PMOSトランジスタP1は、ソースがNMOSトランジスタN3のソースに接続され、ゲート・ドレインが結線され、ゲート及びドレインがNMOSトランジスタN2のドレイン及びNMOSトランジスタN4のソースに接続されている。
以上のように、前記オペアンプは、反転入力側(−)の電流路にオフセット用PMOSトランジスタP1を設けている。したがって、半導体定電圧源回路は、基準電圧発生回路10のNMOSトランジスタN1のしきい値電圧Vtnとオフセット用PMOSトランジスタP1のしきい値電圧Vtpの和に相当する電圧を定電圧として出力する。生成される定電圧は低電圧から動作が可能で、安定な電圧を得ることができる。
This embodiment is characterized in that the offset PMOS transistor P1 is incorporated in the
As described above, the operational amplifier includes the offset PMOS transistor P1 in the current path on the inverting input side (−). Therefore, the semiconductor constant voltage source circuit outputs a voltage corresponding to the sum of the threshold voltage Vtn of the NMOS transistor N1 of the reference
次に、実施例2を説明する。この実施例では実施例1において使用したPMOSトランジスタをNMOSトランジスタに変え、NMOSトランジスタをPMOSトランジスタに変えて構成されている。その構成は、段落0008に示した通りである。
このような半導体定電圧源回路においても実施例1と同様に、オペアンプは、反転入力側(−)の電流路にオフセット用NMOSトランジスタを設けている。したがって、基準電圧発生回路のPMOSトランジスタのしきい値電圧Vtpとオフセット用NMOSトランジスタのしきい値電圧Vtnの和に相当する電圧を定電圧として出力する。生成される定電圧は、低電圧から動作が可能であり、安定な電圧を得ることができる。
Next, Example 2 will be described. In this embodiment, the PMOS transistor used in the first embodiment is changed to an NMOS transistor, and the NMOS transistor is changed to a PMOS transistor. Its configuration is as shown in paragraph 0008.
In such a semiconductor constant voltage source circuit, as in the first embodiment, the operational amplifier is provided with an offset NMOS transistor in the current path on the inverting input side (−). Therefore, a voltage corresponding to the sum of the threshold voltage Vtp of the PMOS transistor of the reference voltage generation circuit and the threshold voltage Vtn of the NMOS transistor for offset is output as a constant voltage. The generated constant voltage can be operated from a low voltage, and a stable voltage can be obtained.
1・・・半導体定電圧源回路
10・・・基準電圧発生回路
20・・・オペアンプ
30・・・起動回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor constant
Claims (2)
前記オペアンプの出力する電圧を電源として用いて前記基準電圧を生成する基準電圧発生回路とを有し、
前記基準電圧発生回路は、N型又はP型のうちいずれか一方の型のMOSトランジスタである基準電圧トランジスタをその電流路に含み、前記基準電圧トランジスタのしきい値電圧に相当する電圧を前記基準電圧として生成し、
前記オペアンプは、N型又はP型のうち前記基準電圧トランジスタの型とは異なる型のMOSトランジスタであるオフセットトランジスタを反転入力側の電流路に含んでおり、前記オフセットトランジスタのしきい値電圧に相当するオフセット電圧を持つことにより、前記基準電圧トランジスタのしきい値電圧と前記オフセットトランジスタのしきい値電圧の和に相当する電圧を前記定電圧として出力する
ことを特徴とする半導体定電圧源回路。 An operational amplifier that has a voltage follower configuration in which a reference voltage is input to the non-inverting input terminal and the output is directly fed back to the inverting input terminal without passing through other elements, and outputs a predetermined constant voltage;
A reference voltage generation circuit that generates the reference voltage using a voltage output from the operational amplifier as a power source;
The reference voltage generation circuit includes a reference voltage transistor , which is one of N-type and P-type MOS transistors, in its current path, and a voltage corresponding to a threshold voltage of the reference voltage transistor is the reference voltage Generate as voltage,
The operational amplifier, N-type or are Nde including a current path of the offset transistor inverting input MOS transistors of a different type than the type of the reference voltage transistor of the P-type, corresponding to the threshold voltage of the offset transistor A semiconductor constant voltage source circuit characterized in that a voltage corresponding to the sum of the threshold voltage of the reference voltage transistor and the threshold voltage of the offset transistor is output as the constant voltage.
前記基準電圧トランジスタは、ドレイン端子が前記抵抗素子と接続され、ソース端子が接地電位に接続され、ゲート端子とドレイン端子とが互いに接続されたダイオード接続を有し、 The reference voltage transistor has a diode connection in which a drain terminal is connected to the resistance element, a source terminal is connected to a ground potential, and a gate terminal and a drain terminal are connected to each other,
前記抵抗素子を介して前記基準電圧トランジスタを流れる電流によって前記基準電圧トランジスタのドレイン端子とソース端子との間に生じる電圧を、前記基準電圧として生成する A voltage generated between a drain terminal and a source terminal of the reference voltage transistor due to a current flowing through the reference voltage transistor through the resistance element is generated as the reference voltage.
請求項1に記載の半導体定電圧源回路。 The semiconductor constant voltage source circuit according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014003492A JP6320047B2 (en) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | Constant voltage source circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014003492A JP6320047B2 (en) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | Constant voltage source circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015132941A JP2015132941A (en) | 2015-07-23 |
JP6320047B2 true JP6320047B2 (en) | 2018-05-09 |
Family
ID=53900095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014003492A Active JP6320047B2 (en) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | Constant voltage source circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6320047B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6640507B2 (en) * | 2015-09-24 | 2020-02-05 | ローム株式会社 | Reference current source circuit and semiconductor integrated circuit |
JP7325352B2 (en) * | 2020-02-07 | 2023-08-14 | エイブリック株式会社 | Reference voltage circuit |
JP2021170281A (en) * | 2020-04-16 | 2021-10-28 | 株式会社東海理化電機製作所 | Voltage stabilizer |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5078502B2 (en) * | 2007-08-16 | 2012-11-21 | セイコーインスツル株式会社 | Reference voltage circuit |
-
2014
- 2014-01-10 JP JP2014003492A patent/JP6320047B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015132941A (en) | 2015-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112527042B (en) | Substrate bias generating circuit | |
KR20100077271A (en) | Reference voltage generation circuit | |
US8736320B2 (en) | Power-on reset circuit | |
WO2017051744A1 (en) | Regulator circuit provided with protection circuit | |
JP2007066043A (en) | Reference voltage generating circuit and constant-voltage circuit using the reference voltage-generating circuit | |
JP2007043661A (en) | Delay circuit | |
JP6320047B2 (en) | Constant voltage source circuit | |
TW201741795A (en) | Voltage regulator having wide common voltage operating range and operating method thereof | |
TW201427279A (en) | Semiconductor device | |
JP2008152632A (en) | Reference voltage generation circuit | |
US20170117888A1 (en) | Voltage comparison circuit | |
JP2008234767A (en) | Power source step-down circuit | |
TWI702793B (en) | Operational amplifier and voltage driver cuicuit thereof | |
JP7240899B2 (en) | Power-on-clear circuit and semiconductor device | |
US8872490B2 (en) | Voltage regulator | |
JP6320048B2 (en) | Oscillator circuit | |
TW200745809A (en) | Band gap circuit | |
JP2018019223A (en) | Single differential conversion circuit | |
JP2011188361A (en) | Power-on reset circuit | |
KR100863529B1 (en) | Operational amplifier circuit | |
JP6672067B2 (en) | Stabilized power supply circuit | |
JP2009277115A (en) | Constant-voltage circuit | |
JP6306413B2 (en) | Regulator circuit | |
JP2006313438A (en) | Reference voltage generation circuit | |
JP2020141220A (en) | Power-on clear circuit and semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170307 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20170628 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180403 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6320047 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |