JP6319596B2 - High scratch-resistant imprint material - Google Patents

High scratch-resistant imprint material Download PDF

Info

Publication number
JP6319596B2
JP6319596B2 JP2016127039A JP2016127039A JP6319596B2 JP 6319596 B2 JP6319596 B2 JP 6319596B2 JP 2016127039 A JP2016127039 A JP 2016127039A JP 2016127039 A JP2016127039 A JP 2016127039A JP 6319596 B2 JP6319596 B2 JP 6319596B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
compound
imprint material
alkylene oxide
pni
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016127039A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016195268A (en
Inventor
淳平 小林
淳平 小林
加藤 拓
拓 加藤
圭介 首藤
圭介 首藤
正睦 鈴木
正睦 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Publication of JP2016195268A publication Critical patent/JP2016195268A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6319596B2 publication Critical patent/JP6319596B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10Esters
    • C08F222/1006Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10Esters
    • C08F222/1006Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/106Esters of polycondensation macromers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F299/00Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
    • C08F299/02Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates
    • C08F299/022Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polycondensates with side or terminal unsaturations
    • C08F299/024Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polycondensates with side or terminal unsaturations the unsaturation being in acrylic or methacrylic groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

本発明は、インプリント材料、及び当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関する。より詳しくは、パターンが転写された後も高い耐擦傷性を有するインプリント材料、並びに当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関するものである。   The present invention relates to an imprint material and a film produced from the material and having a pattern transferred thereto. More specifically, the present invention relates to an imprint material having high scratch resistance even after the pattern is transferred, and a film produced from the material and having the pattern transferred thereon.

1995年、現プリンストン大学のチョウ教授らがナノインプリントリソグラフィという新たな技術を提唱した(特許文献1)。ナノインプリントリソグラフィは、任意のパターンを有する、モールドを樹脂膜が形成された基材と接触させ、当該樹脂膜を加圧すると共に、熱または光を外部刺激として用い、目的のパターンを硬化された当該樹脂膜に形成する技術であり、このナノインプリントリソグラフィは、従来の半導体デバイス製造における光リソグラフィ等に比べて簡便・安価にナノスケールの加工が可能であるという利点を有する。
したがって、ナノインプリントリソグラフィは、光リソグラフィ技術に代わり、半導体デバイス、オプトデバイス、ディスプレイ、記憶媒体、バイオチップ等の製造への適用が期待されている技術であることから、ナノインプリントリソグラフィに用いる光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物について様々な報告がなされている(特許文献2、特許文献3)。
In 1995, Professor Chou of Princeton University proposed a new technique called nanoimprint lithography (Patent Document 1). Nanoimprint lithography is a resin in which a mold is brought into contact with a substrate on which a resin film is formed, the resin film is pressed, the resin film is pressurized, and heat or light is used as an external stimulus to cure the target pattern. This nanoimprint lithography is a technique for forming a film, and has an advantage that nanoscale processing can be performed easily and inexpensively compared to optical lithography or the like in conventional semiconductor device manufacturing.
Therefore, nanoimprint lithography is a technology that is expected to be applied to the manufacture of semiconductor devices, opto-devices, displays, storage media, biochips, etc., instead of optical lithography technology. Various reports have been made on curable compositions (Patent Documents 2 and 3).

しかし、これまでにナノインプリントリソグラフィに用いる材料(以下、本明細書では「インプリント材料」と表現する。)として種々の材料が開示されているものの、凹凸パターン等の構造物を作製した後に擦傷性試験を行い、その結果高い耐擦傷性を保持していることを示した材料の報告はなされているとはいえない。一方で、固体撮像装置、太陽電池、LEDデバイス、ディスプレイなどの製品では、その内部または表面に作製した構造物に対して耐擦傷性を求められることがある。   However, although various materials have been disclosed so far as materials for use in nanoimprint lithography (hereinafter referred to as “imprint material” in this specification), scratch resistance is obtained after a structure such as an uneven pattern is produced. There have been no reports of materials that have been tested and shown to retain high scratch resistance as a result. On the other hand, in products such as a solid-state imaging device, a solar cell, an LED device, and a display, scratch resistance may be required for a structure produced inside or on the surface.

米国特許第5772905号明細書US Pat. No. 5,772,905 特開2008−105414号公報JP 2008-105414 A 特開2008−202022号公報JP 2008-202022 A

本発明は、上記の事情に基づいてなされたものであり、その解決しようとする課題は、パターンが転写された後も高い耐擦傷性を有するインプリント材料を提供することであり、当該材料から作製され、パターンが転写された膜を提供することである。具体的には、パターンを転写した後の膜に対してスチールウール擦傷試験を行ったときに傷の本数が10本以下のインプリント材料を提供することを目的とする。
また、本明細書では、形成されるパターンサイズがナノメートルオーダーに限らず、例えば、マイクロメートルオーダーである場合を含む光ナノインプリント技術を光インプリントと称する。
The present invention has been made based on the above circumstances, and the problem to be solved is to provide an imprint material having high scratch resistance even after the pattern is transferred. It is to provide a film that has been fabricated and transferred with a pattern. Specifically, an object of the present invention is to provide an imprint material in which the number of scratches is 10 or less when a steel wool scratch test is performed on a film after transferring a pattern.
Moreover, in this specification, the optical nanoimprint technique including the case where the pattern size to be formed is not limited to the nanometer order but is, for example, the micrometer order is referred to as optical imprint.

膜の耐擦傷性を向上させるために、その膜の硬度を高めること、またはその膜の表面の滑り性を高めることが考えられる。本発明者らは、凹凸構造等のパターンを有する膜では、その膜の硬度を高めるよりも、その膜の表面の滑り性を高める方が、傷が形成されにく
いことを見出した結果、炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を有する化合物、及び光重合開始剤を使用することにより本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
(A)成分:炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも2つ有する化合物、及び
(B)成分:光重合開始剤
を含むインプリント材料に関する。
特に、(A)成分:炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも2つ有する化合物、
(A’)成分:重合性基を少なくとも2つ有し且つ炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有さない化合物、
(B)成分:光重合開始剤、及び
(C)成分:界面活性剤を含み
前記重合性基はアクリロイルオキシ基、アクリロイル基、メタアクリロイルオキシ基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、そして
前記(A)成分及び前記(B)成分の総質量に対し、前記(C)成分の割合は0.01phr乃至10phrである、インプリント材料に関する。
In order to improve the scratch resistance of the film, it is conceivable to increase the hardness of the film or to increase the slipperiness of the surface of the film. The present inventors have found that in a film having a pattern such as a concavo-convex structure, scratches are less likely to be formed by increasing the slipperiness of the film surface than by increasing the hardness of the film. The present invention has been completed by using a compound having an alkylene oxide unit of 2 or 3 and a polymerizable group, and a photopolymerization initiator.
That is, the present invention
(A) Component: It relates to an imprint material comprising a compound having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms and having at least two polymerizable groups, and (B) component: a photopolymerization initiator.
Particularly, the component (A): a compound having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms and having at least two polymerizable groups,
(A ′) component: a compound having at least two polymerizable groups and not having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms,
(B) component: a photopolymerization initiator, and (C) component: a surfactant is included. The polymerizable group is at least one selected from the group consisting of an acryloyloxy group, an acryloyl group, a methacryloyloxy group, and a methacryloyl group. The ratio of the component (C) is 0.01 phr to 10 phr with respect to the total mass of the component (A) and the component (B).

本発明のインプリント材料では、分子内に炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも2つ有する化合物を使用しているため、当該インプリント材料から作製され、パターンが転写された膜は、そのパターン上でスチールウール擦傷試験を行っても傷の発生が10本以下であり、傷が50本以上発生していた従来の膜よりもはるかに少ない。
本発明のインプリント材料は、光硬化が可能であり、且つモールドの離型時にパターンの一部の剥がれが生じないため、所望のパターンが正確に形成された膜が得られる。したがって、良好な光インプリントのパターン形成が可能である。
また、本発明のインプリント材料は、任意の基材上に製膜することができ、インプリント後に形成される、パターンが転写された膜は、固体撮像装置、太陽電池、LEDデバイス、ディスプレイなどの、耐擦傷性が求められる部材を使用する製品(電子デバイス)へ好適に用いることができる。
さらに、本発明のインプリント材料は、上記(A)成分の化合物の種類及び含有割合を変更することで、硬化速度、動的粘度、膜厚をコントロールすることができる。したがって、本発明のインプリント材料は、製造するデバイス種と露光プロセス及び焼成プロセスの種類に対応した材料の設計が可能であり、プロセスマージンを拡大できるため、光学部材の製造に好適に用いることができる。
In the imprint material of the present invention, a compound having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms in the molecule and having at least two polymerizable groups is used. The film to which is transferred has 10 or fewer scratches even when a steel wool scratch test is performed on the pattern, and is far less than the conventional film having 50 or more scratches.
The imprint material of the present invention can be photocured, and part of the pattern does not peel off when the mold is released, so that a film in which a desired pattern is accurately formed can be obtained. Therefore, it is possible to form a good optical imprint pattern.
In addition, the imprint material of the present invention can be formed on an arbitrary substrate, and the film to which the pattern is transferred formed after the imprint is a solid-state imaging device, a solar cell, an LED device, a display, etc. It can be suitably used for products (electronic devices) that use members that require scratch resistance.
Furthermore, the imprint material of this invention can control a cure rate, a dynamic viscosity, and a film thickness by changing the kind and content rate of the compound of the said (A) component. Therefore, the imprint material of the present invention can be designed suitably for the type of device to be manufactured, the type of exposure process and the type of baking process, and the process margin can be expanded. it can.

本発明は、炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも2つ有する化合物を使用することで、パターン転写後の膜へ耐擦傷性を付与した点に特徴があり、すなわち(A)炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも2つ有する化合物及び(B)光重合開始剤を含むインプリント材料である。さらに、(A)成分及び(B)成分に加えて、(A’)成分として、重合性基を少なくとも2つ有し且つ炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有さない化合物、(C)成分として界面活性剤及び(D)成分として溶剤からなる群から選ばれる1以上の成分をも含有することのできるインプリント材料である。
以下、各成分について詳細に説明する。
The present invention is characterized in that scratch resistance is imparted to a film after pattern transfer by using a compound having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms and having at least two polymerizable groups. That is, an imprint material comprising (A) a compound having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms and having at least two polymerizable groups, and (B) a photopolymerization initiator. Furthermore, in addition to the component (A) and the component (B), as the component (A ′), a compound having at least two polymerizable groups and not having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms, (C It is an imprint material that can also contain one or more components selected from the group consisting of a surfactant as a component and a solvent as a component (D).
Hereinafter, each component will be described in detail.

<(A)成分>
(A)成分である、炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも2つ有する化合物とは、1分子内に例えばエチレンオキサイドユニットまたはプロピレンオキサイドユニットを1つ以上有し且つ重合性基を分子末端に2つ以上有する化合物を表す。また、上記重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、アクリロイル基、メタアクリロイルオキシ基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の有機基のことを指す。ここで、アクリロイルオキシ基はアクリロキシ基と、メタアクリロイルオキシ基はメタアクリロキシ基と表現されることがある。
<(A) component>
The compound (A), which has an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms and has at least two polymerizable groups, has, for example, one or more ethylene oxide units or propylene oxide units in one molecule. And a compound having two or more polymerizable groups at the molecular end. The polymerizable group refers to, for example, at least one organic group selected from the group consisting of an acryloyloxy group, an acryloyl group, a methacryloyloxy group, and a methacryloyl group. Here, the acryloyloxy group may be expressed as an acryloxy group, and the methacryloyloxy group may be expressed as a methacryloxy group.

上記(A)成分である化合物としては、例えば、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート、エトキシ化グリセリントリメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エトキシ化ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ポリグリセリンモノエチレンオキサイドポリアクリレート、ポリグリセリンポリエチレングリコールポリアクリレート等が挙げられる。   Examples of the compound as the component (A) include ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol dimethacrylate, ethoxylated bisphenol A diacrylate, ethoxylated bisphenol A dimethacrylate, and ethoxylated tri Methylolpropane triacrylate, ethoxylated trimethylolpropane trimethacrylate, ethoxylated glycerin triacrylate, ethoxylated glycerin trimethacrylate, ethoxylated pentaerythritol tetraacrylate, ethoxylated pentaerythritol tetramethacrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexaacrylate, polyglycerol mono Ethylene oxide polyacrylate, Like Li glycerin polyethylene glycol polyacrylate.

上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、NKエステルA−200、同A−400、同A−600、同A−1000、同1G、同2G、同3G、同4G、同9G、同14G、同23G、同ABE−300、同A−BPE−4、同A−BPE−6、同A−BPE−10、同A−BPE−20、同A−BPE−30、同BPE−80N、同BPE−100N、同BPE−200、同BPE−500、同BPE−900、同BPE−1300N、同A−GLY−3E、同A−GLY−9E、同A−GLY−20E、同A−TMPT−3EO、同A−TMPT−9EO、同ATM−4E、同ATM−35E(以上、新中村化学工業株式会社製)、KAYARAD(登録商標)DPEA−12、同PEG400DA、同THE−330、同RP−1040(以上、日本化薬株式会社製)、M−210、M−350(以上、東亞合成株式会社製)、等を挙げることができる。   The above compounds can be obtained as commercial products, and specific examples thereof include NK ester A-200, A-400, A-600, A-1000, 1G, 2G, 3G, 4G, 9G, 14G, 23G, ABE-300, A-BPE-4, A-BPE-6, A-BPE-10, A-BPE-20, A-BPE-30 , BPE-80N, BPE-100N, BPE-200, BPE-500, BPE-900, BPE-1300N, A-GLY-3E, A-GLY-9E, A-GLY- 20E, same A-TMPT-3EO, same A-TMPT-9EO, same ATM-4E, same ATM-35E (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), KAYARAD (registered trademark) DPEA-12, same PEG400DA, same TH -330, the RP-1040 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), M-210, M-350 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.), and the like.

上記(A)成分である化合物は、単独または2種以上の組み合わせで使用することができる。   The compound which is said (A) component can be used individually or in combination of 2 or more types.

<(A’)成分>
(A’)成分として、重合性基を少なくとも2つ有し且つ炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有さない化合物としては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート等を挙げることができる。
<(A ') component>
As the component (A ′), examples of the compound having at least two polymerizable groups and not having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms include dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, neo Pentyl glycol diacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, tricyclodecane dimethanol diacrylate, tricyclodecane dimethanol dimethacrylate, 1 , 6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate and the like.

上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、KAYARAD(登録商標)DPHA、同NPGDA、同PET30(以上、日本化薬株式会社製)、NKエステルA−DPH、同A−TMPT、同A−DCP、同A−HD−N、同TMPT、同DCP、同NPG、同HD−N(以上、新中村化学工業株式会社製)等を挙げることができる。   The above-mentioned compounds can be obtained as commercial products. Specific examples thereof include KAYARAD (registered trademark) DPHA, NPGDA, PET30 (Nippon Kayaku Co., Ltd.), NK ester A-DPH, A -TMPT, A-DCP, A-HD-N, TMPT, DCP, NPG, HD-N (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).

本発明に含まれる(A)成分は、パターン転写後の膜に対して耐擦傷性を付与することができる。炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットの含有量については、分子量計算において1分子あたりの炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニット濃度が7%以上80%以下、好ましくは20%以上80%以下、より好ましくは22%以上78%以下である。炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニット濃度が7%より小さいと、そのような(A)成分を含むインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜は、耐擦傷性に劣る場合がある。ここでアルキレンオキサイドユニット濃度とは、(A)成分の分子量に対するその(A)成分のアルキレンオキサイドユニットの分子量の割合を表す。本発明に含まれる(A)成分が2種以上の化合物からなる場合、及び本発明が(A)成分に加えて(A’)成分を含む場合は、後述する式(1)または式(2)を適用した、炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニット濃度が7%以上80%以下、好ましくは20%以上80%以下、より好ましくは22%以上78%以下である。また、本発明が(A)成分に加えて(A’)成分を含む場合、(A)成分と(A’)成分の合計100質量部に対する(A)成分の割合は、10質量部以上100質量部未満であることが好ましい。(A)成分の割合が10質量部より小さいと、当該(A)成分及び(A’)成分を含むインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜は、耐擦傷性に劣る場合がある。   The component (A) included in the present invention can impart scratch resistance to the film after pattern transfer. Regarding the content of the alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms, the concentration of the alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms per molecule in the molecular weight calculation is 7% or more and 80% or less, preferably 20% or more and 80% or less. More preferably, it is 22% or more and 78% or less. When the concentration of the alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms is smaller than 7%, the film produced from the imprint material containing such a component (A) and having the pattern transferred may have poor scratch resistance. . Here, the alkylene oxide unit concentration represents the ratio of the molecular weight of the alkylene oxide unit of the component (A) to the molecular weight of the component (A). When the component (A) included in the present invention is composed of two or more compounds, and when the present invention includes the component (A ′) in addition to the component (A), the following formula (1) or formula (2) ) Is applied, the concentration of the alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms is 7% or more and 80% or less, preferably 20% or more and 80% or less, more preferably 22% or more and 78% or less. Moreover, when this invention contains (A ') component in addition to (A) component, the ratio of (A) component with respect to a total of 100 mass parts of (A) component and (A') component is 10 to 100 mass parts. The amount is preferably less than part by mass. When the proportion of the component (A) is smaller than 10 parts by mass, the film produced from the imprint material containing the component (A) and the component (A ′) and having the pattern transferred may be inferior in scratch resistance. .

例えば、(A)成分である化合物Aをx質量%(xは0<x≦100を満たす正数)及び(A’)成分である化合物Bを(100−x)質量%含む場合の、アルキレンオキサイドユニット濃度(%)は、下記式(1)で表される。ただし、化合物Aのアルキレンオキサイドユニット1個当たりの分子量をM、化合物Aの1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数n、化合物A及びBの分子量をそれぞれM,Mとする。x=100の場合は、(A’)成分を含まないことを意味する。
100(Mo×nA×x)/{(MA×x)+〔MB×(100−x)〕}・・・(1)
一方、(A)成分が化合物A及びAから成り、当該化合物Aをx質量%(xは0<x≦100を満たす正数)及び化合物Aを(100−x)質量%含む場合の、アルキレンオキサイドユニット濃度(%)は、下記式(2)で表される。ただし、化合物A及びAのアルキレンオキサイドユニット1個当たりの分子量をそれぞれMO1,MO2、化合物A及びAの1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数をそれぞれnA1,nA2、化合物A及びAの分子量をそれぞれMA1,MA2とする。x=100の場合は、(A)成分が化合物Aから成り化合物Aを含まないことを意味する。
100{(MO1×nA1×x)+〔MO2×nA2×(100−x)}/{(MA1×x)+〔MA2×(100−x)〕}・・・(2)
なお、炭素原子数2のアルキレンオキサイドユニットは(−C−O−)で表され、代表的にはエチレンオキサイドユニット(以下、本明細書では「EO」と略称する。)であり、その分子量Mとして44を適用すればよい。炭素原子数3のアルキレンオキサイドユニットは(−C−O−)で表され、代表的にはプロピレンオキサイドユニットであり、その分子量Mとして58を適用すればよい。
For example, when the compound A as the component (A) contains x mass% (x is a positive number satisfying 0 <x ≦ 100) and the compound B as the component (A ′) contains (100−x) mass%, The oxide unit concentration (%) is represented by the following formula (1). However, molecular weight M O per alkylene oxide unit of Compound A, the number n A of alkylene oxide units per molecule of Compound A, Compound A and the molecular weight of each M A of B, and M B. When x = 100, it means that the component (A ′) is not included.
100 (M o × n A × x) / {(M A × x) + [M B × (100−x)]} (1)
On the other hand, (A) component is made from compounds A 1 and A 2, the compound A 1 x wt% (x is 0 <x positive number satisfying the ≦ 100) including and Compound A 2 (100-x) wt% In this case, the concentration (%) of the alkylene oxide unit is represented by the following formula (2). However, the molecular weight per alkylene oxide unit of the compounds A 1 and A 2 is respectively M O1 and M O2 , and the number of alkylene oxide units per molecule of the compounds A 1 and A 2 is n A1 and n A2 , respectively. The molecular weights of A 1 and A 2 are M A1 and M A2 , respectively. In the case of x = 100, it means that the component (A) consists of the compound A 1 and does not contain the compound A 2 .
100 {(M O1 × n A1 × x) + [M O2 × n A2 × (100−x)} / {(M A1 × x) + [M A2 × (100−x)]} (2 )
The alkylene oxide unit having 2 carbon atoms is represented by (—C 2 H 4 —O—), and is typically an ethylene oxide unit (hereinafter abbreviated as “EO” in this specification). it may be applied 44 as a molecular weight M O. The alkylene oxide units having a carbon number of 3 represented by (-C 3 H 6 -O-), typically a propylene oxide unit, may be applied to 58 as its molecular weight M O.

<(B)成分>
(B)成分である光重合開始剤としては、例えば、tert−ブチルペルオキシ−iso−ブタレート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルジオキシ)ヘキサン、1,4−ビス[α−(tert−ブチルジオキシ)−iso−プロポキシ]ベンゼン、ジ−tert−ブチルペルオキシド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(tert−ブチルジオキシ)ヘキセンヒドロペルオキシド、α−(iso−プロピルフェニル)−iso−プロピルヒドロペルオキシド、2,5−ジメチルヘキサン、tert−ブチルヒドロペルオキシド、1,1−ビス(tert−ブチルジオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、ブチル−4,4−ビス(tert−ブチルジオキシ)バレレート、シクロヘキサ
ノンペルオキシド、2,2’,5,5’−テトラ(tert−ブチルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(tert−ブチルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(tert−アミルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(tert−ヘキシルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’−ビス(tert−ブチルペルオキシカルボニル)−4,4’−ジカルボキシベンゾフェノン、tert−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−tert−ブチルジペルオキシイソフタレート等の有機過酸化物、9,10−アントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−クロロアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチル、ベンゾインエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α−フェニルベンゾイン等のベンゾイン誘導体、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−ヒドロキシ−1−[4−{4−(2−ヒドロキシ−2−メチル−プロピオニル)ベンジル}−フェニル]−2−メチル−プロパン−1−オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチル−ベンジル)−1−(4−モリフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)等の光ラジカル発生剤が挙げられるが、光硬化時に使用する光源に吸収をもつものであれば、特に限定されない。
<(B) component>
Examples of the photopolymerization initiator (B) include tert-butylperoxy-iso-butarate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (benzoyldioxy) hexane, 1,4-bis [α- (Tert-Butyldioxy) -iso-propoxy] benzene, di-tert-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (tert-butyldioxy) hexene hydroperoxide, α- (iso-propylphenyl) -iso- Propyl hydroperoxide, 2,5-dimethylhexane, tert-butyl hydroperoxide, 1,1-bis (tert-butyldioxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, butyl-4,4-bis (tert-butyldioxy) valerate , Cyclohexanone peroxide, 2,2 ', 5 5′-tetra (tert-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (tert-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (tert-amylperoxycarbonyl) ) Benzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (tert-hexylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3′-bis (tert-butylperoxycarbonyl) -4,4′-dicarboxybenzophenone, tert-butylperoxy Organic peroxides such as benzoate and di-tert-butyldiperoxyisophthalate, quinones such as 9,10-anthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-chloroanthraquinone, octamethylanthraquinone and 1,2-benzanthraquinone, benzoin Methyl Benzoin derivatives such as benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, α-phenylbenzoin, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-hydroxy- 2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-1 -[4- {4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) benzyl} -phenyl] -2-methyl-propan-1-one, phenylglyoxylic acid methyl ester, 2-methyl-1- [4 -(Methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- ( 4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, bis (2, 4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O— Benzoyloxime)], ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime) and the like. However, there is no particular limitation as long as the light source used for photocuring has absorption.

上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、IRGACURE(登録商標)651、同184、同500、同2959、同127、同754、同907、同369、同379、同379EG、同819、同819DW、同1800、同1870、同784、同OXE01、同OXE02、同250、DAROCUR(登録商標)1173、同MBF、同TPO、同4265(以上、BASFジャパン株式会社製)、KAYACURE−DETX、同MBP、同DMBI、同EPA、同OA(以上、日本化薬株式会社製)、VICURE−10、同55(以上、STAUFFER Co.LTD製)、ESACURE KIP150、同TZT、同1001、同KTO46、同KB1、同KL200、同KS300、同EB3、トリアジン−PMS、トリアジンA、トリアジンB(以上、日本シイベルヘグナー株式会社製)、アデカオプトマ−N−1717、同N−1414、同N−1606(株式会社ADEKA(旧旭電化工業株式会社)製)等が挙げられる。   The above-mentioned compounds can be obtained as commercial products. Specific examples thereof include IRGACURE (registered trademark) 651, 184, 500, 2959, 127, 754, 907, 369, 379, 379EG, 819, 819DW, 1800, 1870, 784, OXE01, OXE02, 250, DAROCUR (registered trademark) 1173, MBF, TPO, 4265 (above, manufactured by BASF Japan Ltd.) ), KAYACURE-DETX, MBP, DMBI, EPA, OA (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), VIURE-10, 55 (above, manufactured by STAUFFER Co. LTD), ESACURE KIP150, TZT, Same 1001, Same KTO46, Same KB1, Same KL200, Same KS300, Same EB3, triazine-PMS, triazine A, triazine B (manufactured by Nippon Siebel Hegner Co., Ltd.), Adekaoptoma-N-1717, N-1414, N-1606 (manufactured by ADEKA Corporation (formerly Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.)) Etc.

上記光重合開始剤は、単独または2種以上の組み合わせで使用することができる。   The said photoinitiator can be used individually or in combination of 2 or more types.

本発明のインプリント材料における(B)成分の含有量は、上記(A)成分及び上記(B)成分の総質量に対して、0.5phr乃至30phrであることが好ましく、1phr乃至20phrであることがより好ましい。この割合が0.1phr以下の場合には、十分な硬化性が得られず、パターニング特性の悪化及び耐擦傷性の低下が起こるからである。ここで、phrとは、(A)成分及び(B)成分の総質量100gに対する、光重合開始剤の質量を表す。   The content of the component (B) in the imprint material of the present invention is preferably 0.5 phr to 30 phr, and preferably 1 phr to 20 phr with respect to the total mass of the component (A) and the component (B). It is more preferable. When this ratio is 0.1 phr or less, sufficient curability cannot be obtained, and patterning characteristics are deteriorated and scratch resistance is deteriorated. Here, phr represents the mass of the photopolymerization initiator with respect to 100 g of the total mass of the components (A) and (B).

<(C)成分>
本発明のインプリント材料は(C)成分として界面活性剤を含有しても良い。(C)成
分である界面活性剤を含む場合は、得られる塗膜の製膜性を調整する役割を果たす。
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンアセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェ二ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップ(登録商標)EF301、同EF303、同EF352(三菱マテリアル電子化成株式会社)、メガファック(登録商標)F171、同F173、同R−08、同R−30(DIC株式会社製)、フロラードFC430、同FC431(住友スリーエム株式会社製)、アサヒガード(登録商標)AG710、サーフロン(登録商標)S−382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106(旭硝子株式会社製)等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業株式会社製)、BYK(登録商標)−302、同−307、同−322、同−323、同−330、同−333、同−370、同−375、同−378、同−UV3500、同−UV3570(ビックケミー・ジャパン株式会社製)等を挙げることができる。
<(C) component>
The imprint material of the present invention may contain a surfactant as the component (C). When the surfactant (C) is included, it plays the role of adjusting the film forming property of the resulting coating film.
Examples of the surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene acetyl ether, polyoxyethylene olein ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene Polyoxyethylene alkyl aryl ethers such as ethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan Sorbitan fatty acid esters such as tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene Nonionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as bitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, Ftop (registered trademark) EF301, EF303, EF352 (Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.), MegaFace (registered trademark) F171, F173, R-08, R-30 (made by DIC Corporation), Florard FC430, FC431 (Sumitomo) 3M Co., Ltd.), Asahi Guard (registered trademark) AG710, Surflon (registered trademark) S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (produced by Asahi Glass Co., Ltd.) Surfactant and organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), BYK (registered trademark) -302, -307, -322, -323, -330, -333, -370, The same -375, the same -378, the same -UV3500, the same -UV3570 (made by Big Chemie Japan Co., Ltd.), etc. can be mentioned.

上記界面活性剤は、単独または2種以上の組み合わせで使用することができる。界面活性剤が使用される場合、その割合は、上記(A)成分及び上記(B)成分の総質量に対して、好ましくは0.01phr乃至20phr、より好ましくは0.01phr乃至10phrである。   The said surfactant can be used individually or in combination of 2 or more types. When a surfactant is used, the proportion thereof is preferably 0.01 phr to 20 phr, more preferably 0.01 phr to 10 phr with respect to the total mass of the component (A) and the component (B).

<(D)成分>
本発明のインプリント材料は(D)成分として溶剤を含有しても良い。(D)成分である溶剤を含む場合は、(A)成分である化合物の粘度調節の役割を果たす。本発明の場合、溶剤の使用は任意であるが、通常は溶剤を必要としない。
<(D) component>
The imprint material of the present invention may contain a solvent as the component (D). When the solvent which is (D) component is included, it plays the role of viscosity adjustment of the compound which is (A) component. In the present invention, the use of a solvent is optional, but usually no solvent is required.

上記溶剤としては、例えば、トルエン、p−キシレン、o−キシレン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコ−ルジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、1−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、γ−ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルn−ブチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプ
タノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸n−プロピル、酢酸イソブチル、酢酸n−ブチル、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル、乳酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、tert−ブタノール、アリルアルコール、n−プロパノール、2−メチル−2−ブタノール、イソブタノール、n−ブタノール、2−メチル−1−ブタノール、1−ペンタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−エチルヘキサノール、1−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、1−メトキシ−2−ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフリフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、イソプロピルエーテル、1,4−ジオキサン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、N−シクロヘキシル−2−ピロリジン等が挙げられ、上記(A)成分の粘度を調節することができるものであれば、特に限定されるものではない。
Examples of the solvent include toluene, p-xylene, o-xylene, styrene, ethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol. Monoisopropyl ether, ethylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol ethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, Ethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol, 1-octanol, ethylene glycol, hexylene glycol, diacetone alcohol, full Furyl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol, propylene glycol, benzyl alcohol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2,3-butanediol, γ-butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, diethyl ketone, Methyl isobutyl ketone, methyl n-butyl ketone, Clohexanone, 2-heptanone, ethyl acetate, isopropyl ketone, n-propyl acetate, isobutyl acetate, n-butyl acetate, acetic acid methyl ester, acetic acid ethyl ester, ethyl lactate, methanol, ethanol, isopropanol, tert-butanol, allyl alcohol N-propanol, 2-methyl-2-butanol, isobutanol, n-butanol, 2-methyl-1-butanol, 1-pentanol, 2-methyl-1-pentanol, 2-ethylhexanol, 1-octanol , Ethylene glycol, hexylene glycol, trimethylene glycol, 1-methoxy-2-butanol, diacetone alcohol, furfuryl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol, propylene glycol, benzyl alcohol, Propyl ether, 1,4-dioxane, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, N-cyclohexyl-2-pyrrolidine There are no particular limitations as long as the viscosity of the component (A) can be adjusted.

しかし、(A)成分である化合物及び(B)成分である光重合開始剤との相溶性の観点から、好ましくは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、tert−ブタノール、n−ブタノール、ジアセトンアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノン、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル等である。   However, from the viewpoint of compatibility with the compound (A) and the photopolymerization initiator (B), preferably, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone. , Methanol, ethanol, isopropanol, tert-butanol, n-butanol, diacetone alcohol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethylene glycol, propylene glycol, hexylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol Monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol mono Chirueteru, propylene glycol monobutyl ether, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate or the like.

上記溶剤は、単独または2種以上の組み合わせで使用することができる。   The said solvent can be used individually or in combination of 2 or more types.

本発明のインプリント材料は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて、エポキシ化合物、光酸発生剤、光増感剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、密着補助剤及び離型性向上剤から選ばれる少なくとも1種の添加剤を更に含有することができる。   As long as the imprint material of the present invention does not impair the effects of the present invention, an epoxy compound, a photoacid generator, a photosensitizer, an ultraviolet absorber, an antioxidant, an adhesion aid, and a mold release are provided as necessary. It can further contain at least one additive selected from property improvers.

上記エポキシ化合物は、エポキシ基またはオキシラン環を少なくとも1つ有する化合物であり、例えば、エポリード(登録商標)GT−401、同PB3600、セロキサイド(登録商標)2021P、同2000、同3000、EHPE3150、EHPE3150CE、サイクロマー(登録商標)M100(以上、ダイセル化学工業株式会社製)、EPICLON(登録商標)840、同840−S、同N−660、同N−673−80M(以上、DIC株式会社製)等が挙げられる。   The epoxy compound is a compound having at least one epoxy group or oxirane ring. For example, Epolide (registered trademark) GT-401, PB3600, Celoxide (registered trademark) 2021P, 2000, 3000, EHPE3150, EHPE3150CE, Cyclomer (registered trademark) M100 (above, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), EPICLON (registered trademark) 840, 840-S, N-660, N-673-80M (above, manufactured by DIC Corporation), etc. Is mentioned.

上記光酸発生剤としては、IRGACURE(登録商標)PAG103、同PAG108、同PAG121、同PAG203、同CGI725(以上、BASFジャパン株式会社製)、WPAG−145、WPAG−170、WPAG−199、WPAG−281、WPAG−336、WPAG−367(以上、和光純薬工業株式会社製)、TFE−トリアジン、TME−トリアジン、MP−トリアジン、ジメトキシトリアジン、TS−91、TS−01(株式会社三和ケミカル製)等が挙げられる。   Examples of the photoacid generator include IRGACURE (registered trademark) PAG103, PAG108, PAG121, PAG203, CGI725 (above, manufactured by BASF Japan Ltd.), WPAG-145, WPAG-170, WPAG-199, WPAG- 281, WPAG-336, WPAG-367 (above, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), TFE-triazine, TME-triazine, MP-triazine, dimethoxytriazine, TS-91, TS-01 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) ) And the like.

上記光増感剤としては、例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メロシアニン系、3−置換クマリン系、3,4−置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系等が挙げられる。   Examples of the photosensitizer include thioxanthene, xanthene, ketone, thiopyrylium salt, base styryl, merocyanine, 3-substituted coumarin, 3,4-substituted coumarin, cyanine, and acridine. , Thiazine, phenothiazine, anthracene, coronene, benzanthracene, perylene, ketocoumarin, fumarine, borate and the like.

上記光増感剤は、単独または2種以上の組み合わせで使用することができる。当該光増感剤を用いることによって、UV領域の波長を調整することもできる。   The said photosensitizer can be used individually or in combination of 2 or more types. The wavelength in the UV region can also be adjusted by using the photosensitizer.

上記紫外線吸収剤としては、例えば、TINUVIN(登録商標)PS、同99−2、同109、同328、同384−2、同400、同405、同460、同477、同479、同900、同928、同1130、同111FDL、同123、同144、同152、同292、同5100、同400−DW、同477−DW、同99−DW、同123−DW、同5050、同5060、同5151(以上、BASFジャパン株式会社)等が挙げられる。   Examples of the ultraviolet absorber include TINUVIN (registered trademark) PS, 99-2, 109, 328, 384-2, 400, 405, 460, 477, 479, 900, 928, 1130, 111FDL, 123, 144, 152, 292, 5100, 400-DW, 477-DW, 99-DW, 123-DW, 5050, 5060, 5151 (above, BASF Japan Ltd.) and the like.

上記紫外線吸収剤は、単独または2種以上の組み合わせで使用することができる。当該紫外線吸収剤を用いることによって、光硬化時に膜の最表面の硬化速度を制御することができ、離型性を向上できる場合がある。   The said ultraviolet absorber can be used individually or in combination of 2 or more types. By using the ultraviolet absorber, it is possible to control the curing speed of the outermost surface of the film during photocuring and to improve the mold release property.

上記酸化防止剤としては、例えば、IRGANOX(登録商標)1010、同1035、同1076、同1135、同1520L(以上、BASFジャパン株式会社)等が挙げられる。   Examples of the antioxidant include IRGANOX (registered trademark) 1010, 1035, 1076, 1135, and 1520L (above, BASF Japan Ltd.).

上記酸化防止剤は、単独または2種以上の組み合わせで使用することができる。当該酸化防止剤を用いることで、酸化によって膜が黄色に変色することを防止することができる。   The said antioxidant can be used individually or in combination of 2 or more types. By using the antioxidant, it is possible to prevent the film from turning yellow due to oxidation.

上記密着補助剤としては、例えば、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。当該密着補助剤を用いることによって、基材との密着性が向上する。当該密着補助剤の含有量は、上記(A)成分及び上記(B)成分の総質量に対して、好ましくは5phr乃至50phr、より好ましくは10phr乃至50phrである。   Examples of the adhesion aid include 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, and the like. By using the adhesion aid, adhesion with the substrate is improved. The content of the adhesion aid is preferably 5 phr to 50 phr, more preferably 10 phr to 50 phr, with respect to the total mass of the component (A) and the component (B).

上記離型性向上剤としては、シリコーンユニット含有化合物またはフッ素含有化合物が挙げられる。シリコーンユニット含有化合物としては、X−22−164、X−22−164AS、X−22−164A、X−22−164B、X−22−164C、X−22−164E、X−22−163、X−22−169AS、X−22−174DX、X−22−2426、X−22−9002、X−22−2475、X−22−4952、KF−643、X−22−343、X−22−2046(以上、信越化学工業株式会社製)等が挙げられる。フッ素含有化合物としては、R−5410、R−1420、M−5410、M−1420、E−5444、E−7432、A−1430、A−1630(以上ダイキン工業株式会社製)等が挙げられる。   Examples of the mold release improver include a silicone unit-containing compound or a fluorine-containing compound. Examples of the silicone unit-containing compound include X-22-164, X-22-164AS, X-22-164A, X-22-164B, X-22-164C, X-22-164E, X-22-163, X -22-169AS, X-22-174DX, X-22-2426, X-22-9002, X-22-2475, X-22-4952, KF-643, X-22-343, X-22-2046 (The above is manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). Examples of the fluorine-containing compound include R-5410, R-1420, M-5410, M-1420, E-5444, E-7432, A-1430, A-1630 (manufactured by Daikin Industries, Ltd.) and the like.

本発明のインプリント材料の調製方法は、特に限定されないが、(A)成分、(A’)成分、(B)成分、(C)成分及び(D)成分が均一に混合した状態であれば良い。また、(A)成分乃至(D)成分を混合する際の順序は、均一な溶液が得られるなら問題なく、特に限定されない。当該調製方法としては、例えば、(A)成分に(B)成分を所定の割合で混合する方法等が挙げられる。また、これに更に(C)成分及び(D)成分を混合し、均一な溶液とする方法等も挙げられる。さらに、この調製方法の適当な段階において、必要に応じて、その他の添加剤を更に添加して混合する方法が挙げられる。   The method for preparing the imprint material of the present invention is not particularly limited as long as the component (A), the component (A ′), the component (B), the component (C), and the component (D) are uniformly mixed. good. Further, the order of mixing the components (A) to (D) is not particularly limited as long as a uniform solution can be obtained. Examples of the preparation method include a method of mixing the component (B) with the component (A) at a predetermined ratio. Moreover, the method etc. which mix (C) component and (D) component further to this, and make it a uniform solution are also mentioned. Furthermore, in an appropriate stage of this preparation method, there may be mentioned a method in which other additives are further added and mixed as necessary.

また、(D)成分である溶剤を用いる場合には、光照射前の膜及び光照射後の膜の少なくとも一方に対し、溶剤を蒸発させる目的で、焼成しても良い。焼成機器としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレート、オーブン、ファーネスを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で焼成することができるも
のであればよい。焼成温度は、溶媒を蒸発させる目的では、特に限定されないが、例えば、40℃乃至200℃で行うことができる。
Moreover, when using the solvent which is (D) component, you may bake for the purpose of evaporating a solvent with respect to at least one of the film | membrane before light irradiation, and the film | membrane after light irradiation. The baking equipment is not particularly limited. For example, it can be fired in a suitable atmosphere, that is, in an inert gas such as air or nitrogen, in a vacuum, using a hot plate, an oven, or a furnace. I just need it. The firing temperature is not particularly limited for the purpose of evaporating the solvent, but can be performed at 40 ° C. to 200 ° C., for example.

本発明のインプリント材料は、基材に塗布し光硬化することで所望の膜を得ることができる。塗布方法としては、公知または周知の方法、例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、スリットコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等を挙げることができる。   The imprint material of the present invention can be applied to a substrate and photocured to obtain a desired film. As a coating method, a known or well-known method such as a spin coating method, a dip method, a flow coating method, an ink jet method, a spray method, a bar coating method, a gravure coating method, a slit coating method, a roll coating method, a transfer printing method, Examples thereof include brush coating, blade coating, and air knife coating.

本発明のインプリント材料を塗布するための基材としては、例えば、シリコン、インジウム錫酸化物(ITO)が製膜されたガラス(ITO基板)、シリコンナイトライド(SiNが製膜されたガラス(SiN基板)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)が製膜されたガラス、ポリエチレンテレフタレート(PET)、トリアセチルセルロース(TAC)、アクリル、プラスチック、ガラス、石英、セラミックス等からなる基材を挙げることができる。また、可撓性を有するフレキシブル基材を用いることも可能である。   As a substrate for applying the imprint material of the present invention, for example, silicon (ITO substrate) formed with silicon, indium tin oxide (ITO), silicon nitride (glass formed with SiN ( SiN substrate), glass on which indium zinc oxide (IZO) is formed, polyethylene terephthalate (PET), triacetyl cellulose (TAC), acrylic, plastic, glass, quartz, ceramics, etc. It is also possible to use a flexible base material having flexibility.

本発明のインプリント材料を硬化させる光源としては、特に限定されないが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、KrFエキシマーレーザー、ArFエキシマーレーザー、Fエキシマーレーザー、電子線(EB)、極端紫外線(EUV)等を挙げることができる。また、波長は、一般的には、436nmのG線、405nmのH線、365nmのI線、またはGHI混合線を用いることができる。さらに、露光量は、好ましくは、30乃至2000mJ/cm、より好ましくは30乃至1000mJ/cmである。 As a light source for curing the imprintable material of the present invention is not particularly limited, for example, a high pressure mercury lamp, low pressure mercury lamp, a metal halide lamp, KrF excimer laser, ArF excimer laser, F 2 excimer laser, electron beam (EB), And extreme ultraviolet (EUV). In general, a wavelength of 436 nm G-line, 405 nm H-line, 365 nm I-line, or GHI mixed line can be used as the wavelength. Furthermore, the exposure dose is preferably 30 to 2000 mJ / cm 2 , more preferably 30 to 1000 mJ / cm 2 .

光インプリントを行う装置は、目的のパターンが得られれば、特に限定されないが、例えば、東芝機械株式会社のST50、Obducat社製のSindre(登録商標)60、明昌機構株式会社製のNM−0801HB等の市販されている装置を用いることができる。   The optical imprinting apparatus is not particularly limited as long as a desired pattern can be obtained. For example, ST50 manufactured by Toshiba Machine Co., Ltd., Sindre (registered trademark) 60 manufactured by Obducat Co., Ltd., NM-0801HB manufactured by Meisho Agency Co., Ltd. A commercially available apparatus such as can be used.

本発明で用いる光インプリント用に使用するモールド材としては、例えば、石英、シリコン、ニッケル、アルミナ、カルボニルシラン、グラッシーカーボン等を挙げることができるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。また、モールドは、離型性を高めるために、その表面にフッ素系化合物等の薄膜を形成する離型処理を行っても良い。離型処理に用いる離型剤としては、例えば、ダイキン工業株式会社製のオプツール(登録商標)HD等が挙げられるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。   Examples of the mold material used for optical imprinting used in the present invention include quartz, silicon, nickel, alumina, carbonylsilane, and glassy carbon, but are not particularly limited as long as a desired pattern can be obtained. . Further, the mold may be subjected to a mold release treatment for forming a thin film such as a fluorine compound on the surface thereof in order to improve the mold release property. Examples of the mold release agent used for the mold release treatment include OPTOOL (registered trademark) HD manufactured by Daikin Industries, Ltd., but are not particularly limited as long as the target pattern can be obtained.

光インプリントのパターンは、目的の電子デバイスに適合したパターンを選択すればよく、パターンサイズもこれに準ずる。パターンサイズは、例えば、ナノメートルオーダー及びマイクロメートルオーダーである。   The optical imprint pattern may be selected as a pattern suitable for the target electronic device, and the pattern size conforms to this. The pattern size is, for example, nanometer order and micrometer order.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳しく説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものでない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are given and this invention is demonstrated in more detail, this invention is not limited to these Examples.

[膜形成用塗布液の調製]
<実施例1>
KAYARAD(登録商標)DPEA−12(日本化薬株式会社製、分子量:1080)(以下、本明細書では「DPEA−12」と略称する。)5gにDAROCUR(登録商標)1173(BASFジャパン株式会社製)(以下、本明細書では「DAROCUR1173」と略称する。)を1g(DPEA−12の総質量に対して20phr)加え、
インプリント材料PNI−A1を調製した。本実施例において、DPEA−12は(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EO(エチレンオキサイドユニット)が12個である。DAROCUR1173は(B)成分に該当する。
[Preparation of coating solution for film formation]
<Example 1>
KAYARAD (registered trademark) DPEA-12 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 1080) (hereinafter abbreviated as “DPEA-12” in this specification) 5 g DAROCUR (registered trademark) 1173 (BASF Japan Ltd.) (Hereinafter, abbreviated as “DAROCUR1173” in this specification) 1 g (20 phr with respect to the total mass of DPEA-12)
An imprint material PNI-A1 was prepared. In this example, DPEA-12 corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 12 EO (ethylene oxide units). DAROCUR 1173 corresponds to the component (B).

<実施例2>
実施例1のDPEA−12をNKエステルATM−4E(新中村化学工業株式会社製、分子量:529)(以下、本明細書では「ATM−4E」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−A2を調製した。本実施例において、ATM−4Eは(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが4個である。
<Example 2>
Implementation was performed except that DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester ATM-4E (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 529) (hereinafter abbreviated as “ATM-4E” in this specification). An imprint material PNI-A2 was prepared in the same manner as in Example 1. In this example, ATM-4E corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 4 EO.

<実施例3>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−TMPT−3EO(新中村化学工業株式会社製、分子量:428)(以下、本明細書では「A−TMPT−3EO」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−A3調製した。本実施例において、A−TMPT−3EOは(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが3個である。
<Example 3>
DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-TMPT-3EO (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 428) (hereinafter abbreviated as “A-TMPT-3EO” in this specification). Except that, an imprint material PNI-A3 was prepared in the same manner as in Example 1. In this example, A-TMPT-3EO corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 3 EO.

<実施例4>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−TMPT−9EO(新中村化学工業株式会社製、分子量:692)(以下、本明細書では「A−TMPT−9EO」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−A4を調製した。本実施例において、A−TMPT−9EOは(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが9個である。
<Example 4>
DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-TMPT-9EO (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 692) (hereinafter abbreviated as “A-TMPT-9EO” in this specification). Except that, an imprint material PNI-A4 was prepared in the same manner as in Example 1. In this example, A-TMPT-9EO corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 9 EO.

<実施例5>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−BPE−20(新中村化学工業株式会社製、分子量:1216)(以下、本明細書では「A−BPE−20」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−A5を調製した。本実施例において、A−BPE−20は(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが17個である。
<Example 5>
DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-BPE-20 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 1216) (hereinafter abbreviated as “A-BPE-20” in this specification). Except that, an imprint material PNI-A5 was prepared in the same manner as in Example 1. In this example, A-BPE-20 corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 17 EO.

<実施例6>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−BPE−10(新中村化学工業株式会社製、分子量:776)(以下、本明細書では「A−BPE−10」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−A6を調製した。本実施例において、A−BPE−10は(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが10個である。
<Example 6>
DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-BPE-10 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 776) (hereinafter abbreviated as “A-BPE-10” in this specification). Except that, an imprint material PNI-A6 was prepared in the same manner as in Example 1. In this example, A-BPE-10 corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 10 EO.

<実施例7>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−BPE−4(新中村化学工業株式会社製、分子量:512)(以下、本明細書では「A−BPE−4」と略称する)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−A7を調製した。本実施例において、A−BPE−4は(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが4個である。
<Example 7>
Except for changing DPEA-12 of Example 1 to NK ester A-BPE-4 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 512) (hereinafter abbreviated as “A-BPE-4” in this specification). Prepared imprint material PNI-A7 in the same manner as in Example 1. In this example, A-BPE-4 corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 4 EO.

<実施例8>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−400(新中村化学工業株式会社製、分子量:508)(以下、本明細書では「A−400」と略称する)に変更した以外は、実
施例1と同様にインプリント材料PNI−A8を調製した。本実施例において、A−400は(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが9個である。
<Example 8>
Example 1 except that DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-400 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 508) (hereinafter abbreviated as “A-400” in this specification). In the same manner as in Example 1, an imprint material PNI-A8 was prepared. In this example, A-400 corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 9 EO.

<実施例9>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−200(新中村化学工業株式会社製、分子量:308)(以下、本明細書では「A−200」と略称する)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−A9を調製した。本実施例において、A−200は(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが4個である。
<Example 9>
Example 1 except that DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-200 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 308) (hereinafter abbreviated as “A-200” in this specification). In the same manner as in Example 1, an imprint material PNI-A9 was prepared. In this example, A-200 corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 4 EO.

<実施例10>
実施例1のDPEA−12をNKエステル1G(新中村化学工業株式会社製、分子量:198)(以下、本明細書では「1G」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−A10を調製した。本実施例において、1Gは(A)成分に該当し、その1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、EOが1個である。
<Example 10>
Example 1 except that DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester 1G (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 198) (hereinafter abbreviated as “1G” in this specification). An imprint material PNI-A10 was prepared. In this example, 1G corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is EO.

参考例11>
KAYARAD(登録商標)DPHA(日本化薬株式会社製、分子量:552)(以下、本明細書では「DPHA」と略称する。)4.5gにA−400を0.5g(DPHAとA−400の合計100質量部の内、10質量部)、DAROCUR1173を1g(DPHA及びA−400の総質量に対して20phr)を加え、インプリント材料PNI−A11を調製した。本参考例及び後述する参考例12、実施例13乃至17において、A−400は(A)成分に該当し、DPHAは炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有さない(A’)成分に該当し、DAROCUR1173は(B)成分に該当する。
< Reference Example 11>
KAYARAD (registered trademark) DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 552) (hereinafter abbreviated as “DPHA” in this specification) 10 parts by mass), 1 g of DAROCUR1173 (20 phr with respect to the total mass of DPHA and A-400) was added to prepare imprint material PNI-A11. In this reference example and Reference Example 12 and Examples 13 to 17 described later, A-400 corresponds to the component (A), and DPHA has no alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms (A ′) component. DAROCUR 1173 corresponds to the component (B).

参考例12>
DPHA4gにA−400を1g(DPHAとA−400の合計100質量部の内、20質量部)、DAROCUR1173を1g(DPHA及びA−400の総質量に対して20phr)を加え、インプリント材料PNI−A12を調製した。
< Reference Example 12>
1 g of A-400 (20 parts by mass of 100 parts by mass of DPHA and A-400) and 1 g of DAROCUR1173 (20 phr with respect to the total mass of DPHA and A-400) were added to 4 g of DPHA, and imprint material PNI -A12 was prepared.

<実施例13>
DPHA3.5gにA−400を1.5g(DPHAとA−400の合計100質量部の内、30質量部)、DAROCUR1173を1g(DPHA及びA−400の総質量に対して20phr)を加え、インプリント材料PNI−A13を調製した。
<Example 13>
1.5 g of A-400 (30 parts by mass of the total 100 parts by mass of DPHA and A-400) is added to 3.5 g of DPHA, and 1 g of DAROCUR1173 (20 phr with respect to the total mass of DPHA and A-400) is added. An imprint material PNI-A13 was prepared.

<実施例14>
DPHA2.5gにA−400を2.5g(DPHAとA−400の合計100質量部の内、50質量部)、DAROCUR1173を1g(DPHA及びA−400の総質量に対して20phr)を加え、インプリント材料PNI−A14を調製した。
<Example 14>
To 2.5 g of DPHA, 2.5 g of A-400 (50 parts by mass of 100 parts by mass of DPHA and A-400) and 1 g of DAROCUR1173 (20 phr with respect to the total mass of DPHA and A-400) are added, An imprint material PNI-A14 was prepared.

<実施例15>
DPHA1.5gにA−400を3.5g(DPHAとA−400の合計100質量部の内、70質量部)、DAROCUR1173を1g(DPHA及びA−400の総質量に対して20phr)を加え、インプリント材料PNI−A15を調製した。
<Example 15>
3.5 g of A-400 (70 parts by mass of the total of 100 parts by mass of DPHA and A-400) and 1.5 g of DAROCUR1173 (20 phr with respect to the total mass of DPHA and A-400) are added to 1.5 g of DPHA, An imprint material PNI-A15 was prepared.

<実施例16>
DPHA1gにA−400を4g(DPHAとA−400の合計100質量部の内、80質量部)、DAROCUR1173を1g(DPHA及びA−400の総質量に対して
20phr)を加え、インプリント材料PNI−A16を調製した。
<Example 16>
4 g of A-400 (80 parts by mass of 100 parts by mass of DPHA and A-400) and 1 g of DAROCUR1173 (20 phr with respect to the total mass of DPHA and A-400) are added to 1 g of DPHA, and imprint material PNI -A16 was prepared.

<実施例17>
DPHA0.5gにA−400を4.5g(DPHAとA−400の合計100質量部の内、90質量部)、DAROCUR1173を1g(DPHA及びA−400の総質量に対して20phr)を加え、インプリント材料PNI−A17を調製した。
<Example 17>
To 0.5 g of DPHA, 4.5 g of A-400 (90 parts by mass of 100 parts by mass of DPHA and A-400) and 1 g of DAROCUR1173 (20 phr with respect to the total mass of DPHA and A-400) are added, An imprint material PNI-A17 was prepared.

<実施例18>
A−TMPT−9EO2.5gにエポリード(登録商標)GT−401(ダイセル化学工業(株)製、分子量:675)(以下、本明細書では「GT−401」と略称する。)を2.5g、DAROCUR1173を0.5g(A−TMPT−9EOに対して20phr)、IRGACURE PAG103を0.1g(GT−401に対して4phr)を加え、インプリント材料PNI−A18を調製した。本実施例において、A−TMPT−9EOは(A)成分に該当し、GT−401は必要に応じて含有することができるエポキシ化合物に該当し、DAROCUR1173は(B)成分に該当し、IRGACURE
PAG103は必要に応じて含有することができる光酸発生剤に該当する。
<Example 18>
2.5 g of E-Polyde (registered trademark) GT-401 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., molecular weight: 675) (hereinafter abbreviated as “GT-401”) in 2.5 g of A-TMPT-9EO. Then, 0.5 g of DAROCUR1173 (20 phr for A-TMPT-9EO) and 0.1 g of IRGACURE PAG103 (4 phr for GT-401) were added to prepare imprint material PNI-A18. In this example, A-TMPT-9EO corresponds to the component (A), GT-401 corresponds to an epoxy compound that can be contained as necessary, DAROCUR1173 corresponds to the component (B), and IRGACURE.
PAG103 corresponds to a photoacid generator that can be contained as required.

<比較例1>
実施例1のDPEA−12をDPHAに変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B1を調製した。本比較例において、DPHAは(A’)成分に該当する。
<Comparative Example 1>
An imprint material PNI-B1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that DPEA-12 in Example 1 was changed to DPHA. In this comparative example, DPHA corresponds to the component (A ′).

<比較例2>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−DPH(新中村化学工業株式会社製)(以下、本明細書では「A−DPH」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B2を調製した。本比較例において、A−DPHは(A’)成分に該当する。
<Comparative example 2>
Example 1 except that DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-DPH (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) (hereinafter abbreviated as “A-DPH” in this specification). An imprint material PNI-B2 was prepared. In this comparative example, A-DPH corresponds to the component (A ′).

<比較例3>
実施例1のDPEA−12をNKエステルA−TMPT(新中村化学工業株式会社製)(以下、本明細書では「A−TMPT」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B3を調製した。本比較例において、A−TMPTは(A’)成分に該当する。
<Comparative Example 3>
Example 1 except that DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-TMPT (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) (hereinafter abbreviated as “A-TMPT” in this specification). An imprint material PNI-B3 was prepared. In this comparative example, A-TMPT corresponds to the component (A ′).

<比較例4>
実施例1のDPEA−12をKAYARAD(登録商標)PET−30(日本化薬株式会社製)(以下、本明細書では「PET−30」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B4を調製した
<Comparative Example 4>
Example 1 except that DPEA-12 of Example 1 was changed to KAYARAD (registered trademark) PET-30 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) (hereinafter abbreviated as “PET-30” in this specification). The imprint material PNI-B4 was prepared in the same manner as described above .

<比較例5>
実施例1のDPEA−12をペンタエリスリトールトリアクリレート(アルドリッチ社製)(以下、本明細書では「PTA」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B5を調製した。本比較例において、PTAは(A’)成分に該当する。
<Comparative Example 5>
Imprint material PNI-B5 as in Example 1 except that DPEA-12 of Example 1 was changed to pentaerythritol triacrylate (manufactured by Aldrich) (hereinafter abbreviated as “PTA” in this specification). Was prepared. In this comparative example, PTA corresponds to the component (A ′).

<比較例6>
実施例1のDPEA−12をKAYARAD(登録商標)NPGDA(日本化薬株式会社製)(以下、本明細書では「NPGDA」と略称する。)に変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B6を調製した。本比較例及び後述する比較例7乃至
13において、NPGDAは(A’)成分に該当する。
<Comparative Example 6>
In the same manner as in Example 1, except that DPEA-12 in Example 1 was changed to KAYARAD (registered trademark) NPGDA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) (hereinafter abbreviated as “NPGDA” in this specification). Print material PNI-B6 was prepared. In this comparative example and comparative examples 7 to 13 described later, NPGDA corresponds to the component (A ′).

<比較例7>
参考例11のA−400をNPGDAに変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B7を調製した。
<Comparative Example 7>
An imprint material PNI-B7 was prepared in the same manner as in Example 1 except that A-400 in Reference Example 11 was changed to NPGDA.

<比較例8>
参考例12のA−400をNPGDAに変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B8を調製した。
<Comparative Example 8>
An imprint material PNI-B8 was prepared in the same manner as in Example 1 except that A-400 in Reference Example 12 was changed to NPGDA.

<比較例9>
実施例13のA−400をNPGDAに変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B9を調製した。
<Comparative Example 9>
An imprint material PNI-B9 was prepared in the same manner as in Example 1 except that A-400 in Example 13 was changed to NPGDA.

<比較例10>
実施例14のA−400をNPGDAに変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B10を調製した。
<Comparative Example 10>
An imprint material PNI-B10 was prepared in the same manner as in Example 1 except that A-400 in Example 14 was changed to NPGDA.

<比較例11>
実施例15のA−400をNPGDAに変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B11を調製した。
<Comparative Example 11>
An imprint material PNI-B11 was prepared in the same manner as in Example 1 except that A-400 in Example 15 was changed to NPGDA.

<比較例12>
実施例16のA−400をNPGDAに変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B12を調製した。
<Comparative Example 12>
An imprint material PNI-B12 was prepared in the same manner as in Example 1 except that A-400 in Example 16 was changed to NPGDA.

<比較例13>
実施例17のA−400をNPGDAに変更した以外は、実施例1と同様にインプリント材料PNI−B13を調製した。
<Comparative Example 13>
An imprint material PNI-B13 was prepared in the same manner as in Example 1 except that A-400 in Example 17 was changed to NPGDA.

[光インプリント]
インプリント装置は、NM−0801HB(明昌機構株式会社製)を使用した。実施例1乃至実施例10、実施例13乃至実施例18、参考例11、参考例12並びに比較例1乃至比較例13で調製したインプリント材料から作製した各光インプリント用膜をパターニング試験した。用いたモールドはシリコン製であり、パターンは100nmのラインアンドスペースパターン(以下、本明細書では「L/S」と略称する。)及び直径100nmのドットパターン(以下、本明細書では「Dot」と略称する。)の2種類を使用した。モールドは事前にオプツール(登録商標)HD(ダイキン工業株式会社製)に浸漬し、温度が90℃、湿度が90RH%の高温高湿装置を用いて1時間処理し、純水でリンス後、エアーで乾燥させたものを使用した。
[Optical imprint]
As the imprint apparatus, NM-0801HB (manufactured by Myeongchang Mechanism Co., Ltd.) was used. A patterning test was performed on each of the optical imprint films prepared from the imprint materials prepared in Examples 1 to 10, Example 13 to Example 18, Reference Example 11, Reference Example 12 , and Comparative Examples 1 to 13. . The mold used was made of silicon, and the pattern was a 100 nm line and space pattern (hereinafter abbreviated as “L / S” in the present specification) and a dot pattern with a diameter of 100 nm (hereinafter referred to as “Dot” in the present specification). The two types are used. The mold is immersed in Optool (registered trademark) HD (manufactured by Daikin Industries, Ltd.) in advance, treated for 1 hour using a high-temperature and high-humidity device with a temperature of 90 ° C and a humidity of 90RH%, rinsed with pure water, and then air What was dried with was used.

[スチールウール擦傷試験]
試験機は大栄精機(有)製を使用し、♯0000のスチールウールを使用した。荷重は82gとし、そのスチールウールを10往復させた。
擦傷後の傷本数について以下のように示した結果を表1に示す。
0〜5本:A
6〜10本:B
11〜20本:C
21〜30本:D
31〜40本:E
41本以上:F
[Steel wool scratch test]
The test machine used was made by Daiei Seiki Co., Ltd., and # 0000 steel wool was used. The load was 82 g and the steel wool was reciprocated 10 times.
Table 1 shows the results of the number of scratches after abrasion as follows.
0-5: A
6-10: B
11-20: C
21-30: D
31 to 40: E
41 or more: F

実施例1で得たPNI−A1をガラス基板上にスピンコートし、シリコン製モールドを接着させた状態で、光インプリント装置に設置した。光インプリントは、常時23℃の条件で、a)10秒間かけて1000Nまで加圧、b)高圧水銀ランプを用いて500mJ/cmの露光、c)10秒間かけて除圧、d)モールドと基板を分離して離型、というシーケンスで行い、L/S及びDotが転写された膜をそれぞれ得た。そしてそれぞれの膜について、スチールウール擦傷試験を行った。このとき、L/Sについてはラインと垂直方向に擦傷試験を行った。そして試験後の傷本数を観察した。 The PNI-A1 obtained in Example 1 was spin-coated on a glass substrate and installed in a photoimprinting apparatus with a silicon mold adhered. Optical imprinting is always performed at 23 ° C. under conditions of a) pressurization up to 1000 N over 10 seconds, b) exposure at 500 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp, c) pressure removal over 10 seconds, d) mold And the substrate were separated and released to obtain a film to which L / S and Dot were transferred. Each film was subjected to a steel wool scratch test. At this time, for L / S, a scratch test was performed in a direction perpendicular to the line. The number of scratches after the test was observed.

実施例2で得たPNI−A2を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A2 obtained in Example 2, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例3で得たPNI−A3を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A3 obtained in Example 3, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例4で得たPNI−A4を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A4 obtained in Example 4, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例5で得たPNI−A5を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A5 obtained in Example 5, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例6で得たPNI−A6を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A6 obtained in Example 6, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例7で得たPNI−A7を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A7 obtained in Example 7, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例8で得たPNI−A8を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A8 obtained in Example 8, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例9で得たPNI−A9を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A9 obtained in Example 9, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例10で得たPNI−A10を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A10 obtained in Example 10, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

参考例11で得たPNI−A11を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。 Except for using PNI-A11 obtained in Reference Example 11, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

参考例12で得たPNI−A12を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。 Except for using PNI-A12 obtained in Reference Example 12, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例13で得たPNI−A13を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A13 obtained in Example 13, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例14で得たPNI−A14を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   A photoimprint and a steel wool scratch test were performed in the same manner as described above except that PNI-A14 obtained in Example 14 was used.

実施例15で得たPNI−A15を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   A photoimprint and a steel wool scratch test were performed in the same manner as described above except that PNI-A15 obtained in Example 15 was used.

実施例16で得たPNI−A16を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-A16 obtained in Example 16, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as described above.

実施例17で得たPNI−A17を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   A photoimprint and a steel wool scratch test were performed in the same manner as described above except that PNI-A17 obtained in Example 17 was used.

実施例18で得たPNI−A18を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリントを行った。そしてL/S及びDotが転写された膜についてそれぞれ100℃で2分間の焼成を行った後にスチールウール擦傷試験を行った。   Optical imprinting was performed in the same manner as described above except that PNI-A18 obtained in Example 18 was used. The film to which L / S and Dot were transferred was fired at 100 ° C. for 2 minutes, and then a steel wool scratch test was performed.

比較例1で得たPNI−B1を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B1 obtained in Comparative Example 1, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例2で得たPNI−B2を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B2 obtained in Comparative Example 2, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例3で得たPNI−B3を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B3 obtained in Comparative Example 3, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例4で得たPNI−B4を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B4 obtained in Comparative Example 4, optical imprint and steel wool scratch tests were conducted in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例5で得たPNI−B5を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B5 obtained in Comparative Example 5, optical imprinting and steel wool scratch tests were performed in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例6で得たPNI−B6を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B6 obtained in Comparative Example 6, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例7で得たPNI−B7を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B7 obtained in Comparative Example 7, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例8で得たPNI−B8を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B8 obtained in Comparative Example 8, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例9で得たPNI−B9を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B9 obtained in Comparative Example 9, optical imprint and steel wool scratch tests were conducted in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例10で得たPNI−B10を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B10 obtained in Comparative Example 10, optical imprint and steel wool scratch tests were conducted in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例11で得たPNI−B11を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B11 obtained in Comparative Example 11, optical imprint and steel wool scratch tests were performed in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例12で得たPNI−B12を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B12 obtained in Comparative Example 12, optical imprint and steel wool scratch tests were conducted in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

比較例13で得たPNI−B13を使用した以外は上記実施例1で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。   Except for using PNI-B13 obtained in Comparative Example 13, optical imprint and steel wool scratch tests were conducted in the same manner as the method using the imprint material obtained in Example 1 above.

Figure 0006319596
Figure 0006319596
Figure 0006319596
Figure 0006319596

表1の結果から、実施例1乃至実施例10、実施例13乃至実施例18、参考例11及び参考例12はいずれもスチールウール擦傷試験後に発生する傷の本数は10本以下であり、耐擦傷性が確認された。一方、比較例1乃至比較例13はいずれも傷が多数発生し、十分な耐擦傷性は見られなかった。以上の結果から、本発明のインプリント材料を基材に塗布して得られる膜は、インプリント後も耐擦傷性を有するものとなる。
From the results of Table 1, in Examples 1 to 10, Example 13 to Example 18, Reference Example 11 and Reference Example 12 , the number of scratches generated after the steel wool scratch test is 10 or less. Abrasion was confirmed. On the other hand, all of Comparative Examples 1 to 13 had many scratches, and sufficient scratch resistance was not observed. From the above results, the film obtained by applying the imprint material of the present invention to a substrate has scratch resistance even after imprinting.

本発明のインプリント材料から得られる膜は、固体撮像装置(CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ等)、太陽電池、LEDデバイス、ディスプレイ(液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等)などの、耐擦傷性が求められる部材を使用する製品(電子デバイス)へ好適に用いることができる。   The film obtained from the imprint material of the present invention is required to have scratch resistance such as a solid-state imaging device (CCD image sensor, CMOS image sensor, etc.), solar cell, LED device, display (liquid crystal display, EL display, etc.). It can use suitably for the product (electronic device) which uses a member.

Claims (3)

(A)成分:炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを1分子当たり9個有し且つ重合性基を少なくとも2つ有する化合物、
(A’)成分:重合性基を少なくとも2つ有し且つ炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニットを有さない化合物、
(B)成分:光重合開始剤、及び
(C)成分:界面活性剤を含み、
前記重合性基はアクリロイルオキシ基、アクリロイル基、メタアクリロイルオキシ基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、
前記(A’)成分の化合物は、KAYARAD(登録商標)DPHA(日本化薬株式会社製)、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートまたはトリシクロデカンジメタノールジメタクリレートであり、
前記(A)成分及び前記(B)成分の総質量に対し、前記(C)成分の割合は0.01phr乃至10phrであり、そして
前記(A)成分の化合物を化合物Aとし、前記(A’)成分の化合物を化合物Bとし、前記化合物Aをx質量%及び前記化合物Bを(100−x)質量%含む場合の、下記式(1)
100(Mo×nA×x)/{(MA×x)+〔MB×(100−x)〕}・・・(1)
(式中、MOは前記化合物Aのアルキレンオキサイドユニット1個当たりの分子量を表し、nAは前記化合物Aの1分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数を表し、MAは前記化合物Aの分子量を表し、MBは前記化合物Bの分子量を表し、xは0<x<100を満たす正数を表す。)により算出された前記炭素原子数2または3のアルキレンオキサイドユニット濃度が20%以上80%以下である、
インプリント材料。
(A) component: a compound having 9 alkylene oxide units of 2 or 3 carbon atoms per molecule and having at least 2 polymerizable groups,
(A ′) component: a compound having at least two polymerizable groups and not having an alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms,
(B) component: a photopolymerization initiator, and (C) component: a surfactant,
The polymerizable group is at least one selected from the group consisting of an acryloyloxy group, an acryloyl group, a methacryloyloxy group, and a methacryloyl group,
The compound of the component (A ′) is KAYARAD (registered trademark) DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) , dipentaerythritol hexamethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, tricyclodecane dimethanol diacrylate Or tricyclodecane dimethanol dimethacrylate,
The ratio of the component (C) to the total mass of the component (A) and the component (B) is 0.01 phr to 10 phr, and the compound of the component (A) is the compound A, and the component (A ′ ) When the compound of the component is compound B, the compound A contains x mass% and the compound B contains (100-x) mass%, the following formula (1)
100 (M o × n A × x) / {(M A × x) + [M B × (100−x)]} (1)
(In the formula, M O represents the molecular weight per alkylene oxide unit of the compound A , n A represents the number of alkylene oxide units per molecule of the compound A, and M A represents the molecular weight of the compound A. M B represents the molecular weight of the compound B, and x represents a positive number satisfying 0 <x <100.) The concentration of the alkylene oxide unit having 2 or 3 carbon atoms calculated by Is
Imprint material.
エポキシ基またはオキシラン環を少なくとも1つ有する化合物をさらに含む、請求項1に記載のインプリント材料。   The imprint material according to claim 1, further comprising a compound having at least one epoxy group or oxirane ring. 光酸発生剤をさらに含む、請求項2に記載のインプリント材料。
The imprint material according to claim 2, further comprising a photoacid generator.
JP2016127039A 2010-04-19 2016-06-27 High scratch-resistant imprint material Active JP6319596B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010096300 2010-04-19
JP2010096300 2010-04-19

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012511640A Division JP6015937B2 (en) 2010-04-19 2011-04-15 High scratch-resistant imprint material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016195268A JP2016195268A (en) 2016-11-17
JP6319596B2 true JP6319596B2 (en) 2018-05-09

Family

ID=44834136

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012511640A Active JP6015937B2 (en) 2010-04-19 2011-04-15 High scratch-resistant imprint material
JP2016127039A Active JP6319596B2 (en) 2010-04-19 2016-06-27 High scratch-resistant imprint material

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012511640A Active JP6015937B2 (en) 2010-04-19 2011-04-15 High scratch-resistant imprint material

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP6015937B2 (en)
KR (1) KR101852537B1 (en)
CN (1) CN102939640B (en)
TW (1) TWI565721B (en)
WO (1) WO2011132616A1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6061073B2 (en) * 2012-09-27 2017-01-18 日産化学工業株式会社 Imprint material
WO2014171302A1 (en) * 2013-04-18 2014-10-23 日産化学工業株式会社 Imprint material
JP6632200B2 (en) * 2015-02-27 2020-01-22 キヤノン株式会社 Pattern forming method, processing substrate manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method
JP6753038B2 (en) * 2015-04-07 2020-09-09 三菱ケミカル株式会社 Photocurable composition
KR102367697B1 (en) * 2016-03-30 2022-02-28 디아이씨 가부시끼가이샤 Active energy ray-curable resin composition for optical article, cured product and optical sheet
CN109563194B (en) * 2016-08-10 2021-06-22 日产化学株式会社 Imprint material
JP6908896B2 (en) * 2016-10-12 2021-07-28 日産化学株式会社 Light-resistant hard coat material
JP6291558B2 (en) * 2016-11-08 2018-03-14 リンテック株式会社 Optical film and display device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3724144B2 (en) * 1996-09-17 2005-12-07 日本油脂株式会社 Fluorine-containing monomer composition and anti-reflection film
JPH1180293A (en) * 1997-09-16 1999-03-26 Nippon Kayaku Co Ltd Resin composition for optical material and cured product thereof
JP2007084783A (en) * 2005-08-24 2007-04-05 Nippon Shokubai Co Ltd Curable composition and cured product
JP5000112B2 (en) * 2005-09-09 2012-08-15 東京応化工業株式会社 Pattern formation method by nanoimprint lithography
JP4770354B2 (en) * 2005-09-20 2011-09-14 日立化成工業株式会社 Photocurable resin composition and pattern forming method using the same
JP4929722B2 (en) * 2006-01-12 2012-05-09 日立化成工業株式会社 Photo-curable nanoprint resist material and pattern formation method
JP4952045B2 (en) * 2006-04-28 2012-06-13 Jsr株式会社 Energy ray curable ink for inkjet printing
JP5117002B2 (en) * 2006-07-10 2013-01-09 富士フイルム株式会社 Photocurable composition and pattern forming method using the same
JP5109370B2 (en) * 2006-12-28 2012-12-26 大日本印刷株式会社 Curable resin composition for hard coat layer and hard coat film
JP2008202022A (en) * 2007-01-23 2008-09-04 Fujifilm Corp Curable composition for optical nano imprint lithography, and pattern forming method using the same
JP5362186B2 (en) * 2007-03-24 2013-12-11 株式会社ダイセル Resin composition for nanoimprint
JP5435879B2 (en) * 2008-02-14 2014-03-05 株式会社ダイセル Curable resin composition for nanoimprint
JP2009260274A (en) * 2008-03-21 2009-11-05 Mitsubishi Rayon Co Ltd Transparent member for solar cell, and solar cell
JP5269467B2 (en) * 2008-04-18 2013-08-21 三菱レイヨン株式会社 Protective plate for lighting device and lighting device equipped with the same
JP5202146B2 (en) * 2008-07-14 2013-06-05 日本化薬株式会社 (Meth) acrylate compound, active energy ray-curable resin composition containing the same, and cured product thereof
JP2010218605A (en) * 2009-03-13 2010-09-30 Toshiba Corp Ultraviolet-curable resin material for pattern transfer and method for manufacturing magnetic recording medium using the same
JP5263560B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-14 日産化学工業株式会社 High hardness imprint material
TWI433882B (en) * 2010-04-05 2014-04-11 Mitsubishi Rayon Co Active energy ray-curable resin composition, nano concavo-convex structure using the composition, preparing method thereof, and water repellency articles having nano concavo-convex structure
JP5017446B2 (en) * 2010-12-08 2012-09-05 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201302819A (en) 2013-01-16
TWI565721B (en) 2017-01-11
WO2011132616A1 (en) 2011-10-27
KR20130054960A (en) 2013-05-27
KR101852537B1 (en) 2018-04-27
JP2016195268A (en) 2016-11-17
CN102939640A (en) 2013-02-20
CN102939640B (en) 2016-05-11
JPWO2011132616A1 (en) 2013-07-18
JP6015937B2 (en) 2016-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6319596B2 (en) High scratch-resistant imprint material
JP5348433B2 (en) Low dielectric constant imprint material
JP5263560B2 (en) High hardness imprint material
KR102226670B1 (en) Imprint material containing modified silicone compound and silsesquioxane compound
JP5884988B2 (en) High scratch-resistant imprint material containing urethane compound
JP2013095833A (en) High refractive index imprint material
JP5794420B2 (en) Photoimprint material containing a compound having a silicone skeleton
JP6338061B2 (en) Imprint material with low release force
WO2018030351A1 (en) Imprint material
JP6061073B2 (en) Imprint material
KR102411425B1 (en) Imprinting material

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170426

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170623

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20180126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180307

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180320

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6319596

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350