JP6315471B2 - Method of dividing plate workpiece - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェーハ等の板状被加工物を個々のチップに分割する板状被加工物の分割方法に関する。   The present invention relates to a plate-like workpiece dividing method for dividing a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer into individual chips.

半導体ウェーハ等のウェーハの分割には、主に切削ブレードがスピンドルの先端に装着された切削装置が用いられる。切削ブレードによる切断でウェーハは複数のチップに分割され、各チップの側面は使用された切削ブレードの砥粒により研磨された状態となる。   In order to divide a wafer such as a semiconductor wafer, a cutting apparatus in which a cutting blade is attached to the tip of a spindle is mainly used. The wafer is divided into a plurality of chips by cutting with the cutting blade, and the side surface of each chip is polished by the abrasive grains of the used cutting blade.

しかしながら、砥粒の大きさや、発生する切削屑の切削ブレードとチップの間への噛み込み等により、本来研磨された状態となるべき切断面に突発的にひびのような傷が発生してしまうことがある。このような傷は、チップの抗折強度低下の原因となり、半導体チップの破損につながる恐れがある。   However, due to the size of the abrasive grains or the biting between the cutting blade and the tip of the generated cutting waste, a crack like a crack is suddenly generated on the cut surface which should be originally polished. Sometimes. Such a flaw causes a reduction in the bending strength of the chip and may lead to breakage of the semiconductor chip.

そこで、薄い切削ブレードで分割溝を形成し、次いで砥粒径が小さく分割溝より厚い切削ブレードで分割溝の切断面を僅かに切削し、切断面を研磨する加工方法が特開平2−303050号公報に開示されている。   Japanese Patent Laid-Open No. 2-303050 discloses a method of forming a split groove with a thin cutting blade, then slightly cutting the cut surface of the split groove with a cutting blade having a small abrasive grain size and thicker than the split groove, and polishing the cut surface. It is disclosed in the publication.

しかし、砥粒径が小さい砥石は摩耗し易いため、徐々に切削ブレードの刃厚が薄くなり、延いては切断面を研磨できなくなるという結果になる。一方、薄い切削ブレードでチップ側面を研磨する方法が特開2003−300135号公報に開示されている。   However, since a grindstone with a small abrasive grain size is easily worn, the blade thickness of the cutting blade gradually decreases, and as a result, the cut surface cannot be polished. On the other hand, a method of polishing a side surface of a chip with a thin cutting blade is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-300135.

特開平2−303050号公報JP-A-2-303050 特開2003−300135号公報JP 2003-300135 A

しかし、特許文献2に開示された薄い切削ブレードでチップ側面を研磨する方法では、薄い切削ブレードは分割溝中へ逃げ(曲がり)やすく、切削ブレードが切断面に切り込まないため研磨ができないという課題が残されていた。   However, in the method of polishing the chip side surface with the thin cutting blade disclosed in Patent Document 2, the thin cutting blade easily escapes (bends) into the dividing groove, and the cutting blade does not cut into the cut surface, so that the polishing cannot be performed. Was left.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、分割溝の切断面を効果的に研磨可能な板状被加工物の分割方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of such a point, The place made into the objective is providing the division | segmentation method of the plate-shaped workpiece which can grind | polish the cut surface of a division | segmentation groove | channel effectively.

本発明によると、板状の被加工物を分割する板状被加工物の分割方法であって、チャックテーブルで保持した板状の被加工物に第1の切削ブレードで分割溝を形成し、板状の被加工物を複数のチップに分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、該第1の切削ブレードより刃厚が薄く、且つ含有する砥粒径が小さい第2の切削ブレードで、該分割溝に沿って該板状の被加工物の切断面を研削し、該チップの側面を研磨する研磨ステップと、を備え、該研磨ステップでは、該第2の切削ブレードの該切断面に接触する面と反対側の面へ流体を供給し、該流体の圧力によって該第2の切削ブレードを該板状の被加工物の該切断面へと押圧することを特徴とする被加工物の分割方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a plate-like workpiece dividing method for dividing a plate-like workpiece, wherein a dividing groove is formed by a first cutting blade in a plate-like workpiece held by a chuck table, A dividing step for dividing a plate-like workpiece into a plurality of chips, and a second cutting blade having a smaller blade thickness than that of the first cutting blade and containing a smaller abrasive grain size after the dividing step is performed. A polishing step of grinding a cut surface of the plate-like workpiece along the divided grooves and polishing a side surface of the chip, wherein the cutting of the second cutting blade is performed in the polishing step. A fluid is supplied to a surface opposite to the surface in contact with the surface, and the second cutting blade is pressed against the cutting surface of the plate-like workpiece by the pressure of the fluid. A method of dividing objects is provided.

好ましくは、該第2の切削ブレードは、所定距離離間して並列する一対の研磨用切削ブレードから構成され、該研磨ステップでは、該一対の研磨用切削ブレードは該分割溝の両側の該切断面を同時に研削して研磨し、該流体は、該一対の研磨用切削ブレードの間へ供給される。   Preferably, the second cutting blade is composed of a pair of polishing cutting blades arranged in parallel at a predetermined distance, and in the polishing step, the pair of polishing cutting blades are cut surfaces on both sides of the dividing groove. Are simultaneously ground and polished, and the fluid is supplied between the pair of polishing cutting blades.

本発明の板状被加工物の分割方法によれば、薄い切削ブレードを用いて分割溝の一方の切断面を僅かに切り込み切断面を研磨する際、切削ブレードの反対側の面に流体を供給することで切削ブレードが切断面側へと押圧され、切削ブレードが逃げるのを防止することができる。   According to the plate-like workpiece dividing method of the present invention, when a thin cutting blade is used to slightly cut one cut surface of the dividing groove and polish the cut surface, fluid is supplied to the opposite surface of the cutting blade. By doing so, it is possible to prevent the cutting blade from being pressed toward the cut surface and escaping.

また、2枚の薄い切削ブレードで分割溝の両側の切断面を研磨する際は、2枚の切削ブレードの間から流体を供給することで、一度に分割溝の両側の切断面を効果的に研磨することができる。   In addition, when polishing the cut surfaces on both sides of the split groove with two thin cutting blades, by supplying fluid from between the two cutting blades, the cut surfaces on both sides of the split groove can be effectively removed at once. Can be polished.

半導体ウェーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 半導体ウェーハがダイシングテープを介して環状フレームに支持されたフレームユニットの斜視図である。It is a perspective view of the frame unit with which the semiconductor wafer was supported by the annular frame via the dicing tape. 分割ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a division | segmentation step. 第1実施形態の研磨ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the grinding | polishing step of 1st Embodiment. 図5(A)は第2実施形態の研磨ステップを示す断面図、図5(B)はその平面図である。FIG. 5A is a sectional view showing a polishing step of the second embodiment, and FIG. 5B is a plan view thereof.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、板状被加工物の一種である半導体ウェーハ(以下、単にウェーハと略称することがある)11の表面側斜視図が示されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a front side perspective view of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) 11 which is a kind of plate-like workpiece.

ウェーハ11の表面11aには複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されていると共に、分割予定ライン13で区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。11bはウェーハ11の裏面である。   A plurality of planned division lines (streets) 13 are formed in a lattice pattern on the surface 11 a of the wafer 11, and devices 15 such as ICs and LSIs are formed in each region partitioned by the planned division lines 13. 11 b is the back surface of the wafer 11.

本実施形態の分割方法では、ウェーハ11は図2に示すフレームユニット17の形態で切削装置に投入される。フレームユニット17は、環状フレームFと、外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープTと、ダイシングテープTに裏面が貼着されたウェーハ11とから構成される。   In the dividing method of this embodiment, the wafer 11 is put into the cutting apparatus in the form of the frame unit 17 shown in FIG. The frame unit 17 includes an annular frame F, a dicing tape T having an outer peripheral portion attached to the annular frame, and a wafer 11 having a back surface attached to the dicing tape T.

図3を参照すると、分割ステップの断面図が示されている。分割ステップを実施する前に、切削装置の撮像ユニットによりウェーハ11の表面11aを撮像し、切削すべき分割予定ライン13と第1の切削ブレード22とを加工送り方向(X軸方向)に整列させるアライメントを実施する。   Referring to FIG. 3, a cross-sectional view of the dividing step is shown. Before performing the division step, the surface 11a of the wafer 11 is imaged by the imaging unit of the cutting apparatus, and the division line 13 to be cut and the first cutting blade 22 are aligned in the machining feed direction (X-axis direction). Perform alignment.

このアライメントを第1の方向に伸長する分割予定ライン13について実施した後、チャックテーブル10を90°回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13についても実施する。   After this alignment is performed on the planned division line 13 that extends in the first direction, the chuck table 10 is rotated by 90 °, and then the planned division line 13 that extends in the second direction orthogonal to the first direction. carry out.

アライメント実施後、切削ユニット18の第1の切削ブレード22によりウェーハ11の第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って分割溝を形成してウェーハ11を複数のチップに分割する分割ステップを実施する。   After the alignment, the dividing step of dividing the wafer 11 into a plurality of chips by forming a dividing groove along the scheduled dividing line 13 extending in the first direction of the wafer 11 by the first cutting blade 22 of the cutting unit 18. carry out.

切削ユニット18は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル20と、スピンドル20の先端部に装着された第1の切削ブレード22とから構成される。チャックテーブル10は、SUS(ステンレス鋼)等から形成された金属製の枠体12と、枠体12に囲繞されたポーラスセラミックス等の多孔性物質から形成された吸引保持部14とを含んでいる。   The cutting unit 18 includes a spindle 20 that is rotationally driven by a motor (not shown), and a first cutting blade 22 that is attached to the tip of the spindle 20. The chuck table 10 includes a metal frame 12 formed of SUS (stainless steel) or the like, and a suction holding unit 14 formed of a porous material such as porous ceramics surrounded by the frame 12. .

分割ステップでは、チャックテーブル10の吸引保持部14でダイシングテープTを介してウェーハ11の裏面側を吸引保持し表面11aを露出させる。そして、環状フレームFをチャックテーブル10に装着されたクランプ16によりクランプして固定する。   In the dividing step, the back surface side of the wafer 11 is sucked and held through the dicing tape T by the suction holding portion 14 of the chuck table 10 to expose the front surface 11a. Then, the annular frame F is clamped and fixed by a clamp 16 attached to the chuck table 10.

分割ステップでは、高速回転する第1の切削ブレード22を第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿ってダイシングテープTまで切り込ませ、チャックテーブル10をX軸方向に加工送りすることにより、分割予定ライン13に沿った分割溝19を形成する。   In the dividing step, the first cutting blade 22 that rotates at a high speed is cut to the dicing tape T along the division line 13 that extends in the first direction, and the chuck table 10 is processed and fed in the X-axis direction, A division groove 19 is formed along the division line 13.

切削ユニット18を分割予定ライン13のピッチずつY軸方向に割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿って第1の切削ブレード22で同様な分割溝を形成する。   While the cutting unit 18 is indexed and fed in the Y-axis direction by the pitch of the division line 13, the same division groove is formed by the first cutting blade 22 along all the division lines 13 extending in the first direction. .

次いで、チャックテーブル10を90°回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って同様な分割溝19を形成し、ウェーハ11を個々のチップに分割する。19aは切断面を示している。   Next, after the chuck table 10 is rotated by 90 °, a similar dividing groove 19 is formed along the planned dividing line 13 extending in the second direction orthogonal to the first direction, and the wafer 11 is divided into individual chips. To divide. Reference numeral 19a denotes a cut surface.

本発明の分割方法では、分割ステップを実施した後、第1の切削ブレード22より刃厚が薄く、且つ含有する砥粒径が小さい第2の切削ブレードで、分割溝19に沿ってウェーハ11の切断面を研削(切削)し、個々に分割されたチップの側面を研磨する研磨ステップを実施する。   In the dividing method of the present invention, after the dividing step is performed, the second cutting blade having a smaller blade thickness than the first cutting blade 22 and containing a smaller abrasive particle diameter is formed along the dividing groove 19 on the wafer 11. The cutting step is performed by grinding (cutting) the cut surface and polishing the side surfaces of the individually divided chips.

この研磨ステップで使用する切削ユニット18Aは、図4に示すように、高速回転するスピンドル20の先端部に第1の切削ブレード22より刃厚が薄く、且つ含有する砥粒径が小さい第2の切削ブレード22Aが装着されて構成されている。   As shown in FIG. 4, the cutting unit 18 </ b> A used in this polishing step has a second blade having a smaller blade thickness than the first cutting blade 22 at the tip of the spindle 20 that rotates at a high speed and a smaller abrasive particle size. A cutting blade 22A is mounted.

研磨ステップでは、高速回転する第2の切削ブレード22Aを分割溝19に沿って一方の切断面19aに押し当て切断面19aを研削(切削)し、個々に分割されたチップの側面を研磨する。   In the polishing step, the second cutting blade 22A that rotates at high speed is pressed against the one cut surface 19a along the divided groove 19 to grind (cut) the cut surface 19a, and the side surfaces of the individually divided chips are polished.

この時、第2の切削ブレード22Aの切断面19aに接触する面と反対側の面へ向かってノズル24から流体25を噴出し、噴出される流体の圧力によって第2の切削ブレード22Aをウェーハ11の切断面19aへと押圧する。これにより、第2の切削ブレード22Aが切断面19aから逃げるのを防止することができ、切断面19aを効果的に研磨することができる。噴出される流体は加圧されているのが好ましい。   At this time, the fluid 25 is ejected from the nozzle 24 toward the surface opposite to the surface that contacts the cutting surface 19a of the second cutting blade 22A, and the second cutting blade 22A is moved to the wafer 11 by the pressure of the ejected fluid. To the cut surface 19a. Thereby, it is possible to prevent the second cutting blade 22A from escaping from the cut surface 19a, and the cut surface 19a can be effectively polished. The fluid to be ejected is preferably pressurized.

第1の方向に伸長する分割予定ライン13のピッチずつ切削ユニット18Aを割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って形成された分割溝19の一方の切断面19aを第2の切削ブレード22Aで同様に研削(切削)し、個々に分割されたチップの側面を研磨する。   While cutting and feeding the cutting unit 18A by the pitch of the division line 13 extending in the first direction, one cut surface 19a of the division groove 19 formed along the division line 13 extending in the first direction is formed. The second cutting blade 22A is similarly ground (cut), and the side surfaces of the individually divided chips are polished.

次いで、チャックテーブル10を180°回転してから、第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って形成された分割溝19の他方の切断面19aを第2の切削ブレード22Aで同様に研削(切削)し、個々に分割されたチップの側面を研磨する。   Next, after the chuck table 10 is rotated by 180 °, the other cut surface 19a of the dividing groove 19 formed along the planned dividing line 13 extending in the first direction is similarly ground by the second cutting blade 22A. (Cutting) and polishing the side surfaces of the individually divided chips.

この研磨ステップは、上述したように、第2の切削ブレード22Aの切断面に接触する面と反対側の面へ向けてノズル24から流体を噴出しながら実施する。流体としては、純水が好ましい。   As described above, this polishing step is performed while ejecting fluid from the nozzle 24 toward the surface opposite to the surface in contact with the cutting surface of the second cutting blade 22A. The fluid is preferably pure water.

第1の方向に伸長する全ての分割溝19の両側の切断面の研磨ステップが終了すると、チャックテーブル10を90°回転してから、第2の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って形成された分割溝19の一方の切断面19aの研磨を同様に実施する。次いで、チャックテーブル10を180°回転してから、第2の方向に伸長する分割溝19の反対側の切断面19aの研磨を同様に実施する。   When the polishing step of the cut surfaces on both sides of all the dividing grooves 19 extending in the first direction is completed, the chuck table 10 is rotated by 90 ° and then formed along the planned dividing line 13 extending in the second direction. Polishing of one cut surface 19a of the divided groove 19 is similarly performed. Next, after the chuck table 10 is rotated 180 °, the cut surface 19a on the opposite side of the dividing groove 19 extending in the second direction is similarly polished.

次に、図5を参照して、本発明第2実施形態の研磨ステップについて説明する。第2実施形態の研磨ステップでは、図5(A)に示すように、スペーサー26により所定距離離間して一対の研磨用切削ブレード22Aがスピンドル20の先端部に並列して装着された切削ユニット18Bを使用する。   Next, with reference to FIG. 5, the grinding | polishing step of 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. In the polishing step of the second embodiment, as shown in FIG. 5A, a cutting unit 18 </ b> B in which a pair of polishing cutting blades 22 </ b> A are mounted in parallel to the tip portion of the spindle 20 with a predetermined distance apart by a spacer 26. Is used.

研磨用切削ブレード22Aは、第2の切削ブレード22Aと同様な構造を有している。即ち、研磨用切削ブレード22Aは、第1の切削ブレード22より刃厚が薄く、且つ第1の切削ブレード22が含有する砥粒よりも小径の砥粒を含有している。流体25を噴出するノズル24は、一対の研磨用切削ブレード22Aの間に配設されている。   The polishing cutting blade 22A has the same structure as the second cutting blade 22A. That is, the polishing cutting blade 22 </ b> A is thinner than the first cutting blade 22 and contains abrasive grains having a diameter smaller than that of the abrasive grains contained in the first cutting blade 22. The nozzle 24 that ejects the fluid 25 is disposed between the pair of polishing cutting blades 22A.

スペーサー26を介してスピンドル20の先端部に装着された一対の研磨用切削ブレード22Aのスペーサー26を含んだ厚みは、分割溝19の幅よりも僅かばかり厚い幅に設定されている。   The thickness including the spacer 26 of the pair of polishing cutting blades 22 </ b> A attached to the tip end of the spindle 20 via the spacer 26 is set to be slightly thicker than the width of the dividing groove 19.

これにより、第2実施形態の研磨ステップでは、一対の研磨用切削ブレード22Aは、分割溝19の両側の切断面19aを同時に研削(切削)して個々のチップの側面を研磨することができる。   Thus, in the polishing step of the second embodiment, the pair of polishing cutting blades 22A can simultaneously grind (cut) the cut surfaces 19a on both sides of the dividing groove 19 to polish the side surfaces of the individual chips.

研磨ステップ時には、ノズル24から流体25を一対の研磨用切削ブレード22Aの間に噴出しながら研磨を実施することにより、研磨用切削ブレード22Aが分割溝19の内側へ逃げるのを防止することができ、一度に分割溝19の両側の切断面19aを研磨することができる。   During the polishing step, polishing is performed while jetting the fluid 25 from the nozzle 24 between the pair of polishing cutting blades 22 </ b> A, whereby the polishing cutting blade 22 </ b> A can be prevented from escaping into the divided grooves 19. The cut surfaces 19a on both sides of the dividing groove 19 can be polished at a time.

図5(B)で矢印X1はブレード進行方向を示しており、ノズル24は一対の研磨用切削ブレード22Aの前方側に配設されており、ノズル24から一対の研磨用切削ブレード22Aの間に流体25を噴出しながら切断面19aの研磨が遂行される。19a´は研磨された切断面を示している。   In FIG. 5B, the arrow X1 indicates the blade traveling direction, and the nozzle 24 is disposed on the front side of the pair of polishing cutting blades 22A, and between the nozzle 24 and the pair of polishing cutting blades 22A. The cutting surface 19a is polished while the fluid 25 is ejected. Reference numeral 19a 'denotes a polished cut surface.

本実施形態の研磨ステップによると、一度に分割溝19の両側の切断面19aを研磨することができるため、図4を参照して説明した第1実施形態の研磨ステップに比較して、研磨に係る時間を大幅に短縮することができる。   According to the polishing step of the present embodiment, the cut surfaces 19a on both sides of the dividing groove 19 can be polished at one time. Therefore, compared with the polishing step of the first embodiment described with reference to FIG. Such time can be greatly reduced.

上述した実施形態では、板状被加工物として半導体ウェーハ11を採用した例について説明したが、板状被加工物は半導体ウェーハに限定されるものではなく、光デバイスウェーハ等の他のウェーハ、セラミック基板、樹脂基板等の他の板状被加工物にも本発明は同様に適用可能である。   In the above-described embodiment, the example in which the semiconductor wafer 11 is employed as the plate-like workpiece has been described. However, the plate-like workpiece is not limited to the semiconductor wafer, and other wafers such as optical device wafers, ceramics, etc. The present invention can be similarly applied to other plate-like workpieces such as substrates and resin substrates.

11 半導体ウェーハ
13 分割予定ライン
15 デバイス
17 フレームユニット
18,18A,18B 切削ユニット
20 スピンドル
22 第1の切削ブレード
22A 第2の切削ブレード(研磨用切削ブレード)
24 ノズル
25 流体
26 スペーサー
11 Semiconductor wafer 13 Scheduled division line 15 Device 17 Frame unit 18, 18A, 18B Cutting unit 20 Spindle 22 First cutting blade 22A Second cutting blade (polishing cutting blade)
24 Nozzle 25 Fluid 26 Spacer

Claims (2)

板状の被加工物を分割する板状被加工物の分割方法であって、
チャックテーブルで保持した板状の被加工物に第1の切削ブレードで分割溝を形成し、板状の被加工物を複数のチップに分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施した後、該第1の切削ブレードより刃厚が薄く、且つ含有する砥粒径が小さい第2の切削ブレードで、該分割溝に沿って該板状の被加工物の切断面を研削し、該チップの側面を研磨する研磨ステップと、を備え、
該研磨ステップでは、
該第2の切削ブレードの該切断面に接触する面と反対側の面へ流体を供給し、該流体の圧力によって該第2の切削ブレードを該板状の被加工物の該切断面へと押圧することを特徴とする板状被加工物の分割方法。
A plate-like workpiece dividing method for dividing a plate-like workpiece,
A dividing step of forming a dividing groove with a first cutting blade in a plate-like workpiece held by the chuck table, and dividing the plate-like workpiece into a plurality of chips;
After performing the dividing step, the plate-like workpiece is cut along the dividing groove with a second cutting blade having a smaller blade thickness than the first cutting blade and containing a smaller abrasive particle diameter. A polishing step of grinding a surface and polishing a side surface of the chip,
In the polishing step,
A fluid is supplied to a surface of the second cutting blade opposite to the surface in contact with the cutting surface, and the second cutting blade is moved to the cutting surface of the plate-like workpiece by the pressure of the fluid. A method for dividing a plate-like workpiece characterized by pressing.
該第2の切削ブレードは、所定距離離間して並列する一対の研磨用切削ブレードから構成され、
該研磨ステップでは、該一対の研磨用切削ブレードは該分割溝の両側の該切断面を同時に研削して研磨し、
該流体は、該一対の研磨用切削ブレードの間へ供給されることを特徴とする請求項1記載の板状被加工物の分割方法。
The second cutting blade is composed of a pair of polishing cutting blades arranged in parallel at a predetermined distance,
In the polishing step, the pair of polishing cutting blades simultaneously grind and polish the cut surfaces on both sides of the dividing groove,
2. The plate-like workpiece dividing method according to claim 1, wherein the fluid is supplied between the pair of polishing cutting blades.
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