JP6307931B2 - 冷却器および電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、発熱素子を冷却する冷却器およびこの冷却器を備える電子機器に関する。
従来、CPU(Central Processing Unit)などの発熱素子を冷却するために、この発熱素子上に冷却器が配置されることがある。冷却器は、例えば板状のフィンにより仕切られた、冷媒が流れる複数の流路を備える。
冷却器としては、冷媒に乱流を生じさせるもの、冷媒を均等に分配するために中央の流路の流路長(つまり冷媒の流れ方向の長さ)を短くしたもの、同一流速を得るために流路長に応じて流路幅を変更するものなどが知られている。また、冷却器として、流路における圧力損失を異ならせるためにフィンの形状を異ならせるものや、高温部分の流体速度が速くなるように流路の形状が設計されるものなども知られている。(例えば、特許文献1〜5参照)
国際公開第2012/114475号 特開2001−24126号公報 特開2007−333357号公報 特開2011−228566号公報 特表2008−535261号公報
図13は、参考技術に係る電子機器201を示す平面図である。
図14は、図13のXIV-XIV断面図である。
図13に示す電子機器201は、基板本体202と、発熱素子203と、供給配管204と、排出配管205と、冷却器210と、を備える。
図13に示される例では、基板本体202には、3個の発熱素子203が実装されている。基板本体202は、例えばXY平面に拡がる。基板本体202は、例えば、絶縁された基材に回路パターンが形成されたものである。なお、図13は、基板本体202を一部のみ示しているため、基板本体202の周囲の部分を不規則な波線(破断線)で示している。
図14に示すように、発熱素子203は、半導体チップであるダイ(die)203aと、素子基板本体203bと、半田である接合部203cと、を含む。ダイ203aは、素子基板本体203b上に配置されている。この素子基板本体203bは、接合部203cを介して基板本体202に実装されている。
供給配管204は、供給主配管204aと、この供給主配管204aから分岐した複数の供給副配管204bと、を含む。複数の供給副配管204bは、互いに異なる冷却器210におけるケーシング211の上面に接続されている。ケーシング211は、板状のベース211aと、カバー211bと、を含み、内部に図14に示される冷媒Rが流れる。
各供給副配管204bは、供給主配管204aを流れる冷媒Rを、ケーシング211に流す。なお、図13および図14に示される白抜きの矢印は、冷媒Rの流れを表している。冷媒Rは、液体である。
排出配管205は、排出主配管205aと、この排出主配管205aから分岐した複数の排出副配管205bと、を含む。複数の排出副配管205bは、互いに異なる冷却器210におけるケーシング211の上面に接続されている。各排出副配管205bは、ケーシング211から排出される冷媒Rを排出主配管205aに流す。
供給主配管204aおよび排出主配管205aは、冷媒Rが発熱素子203から受けた熱を放熱する熱交換装置に接続されている。そして、冷媒Rは、熱交換装置と供給配管204と冷却器210と排出配管205との間を循環する。
なお、供給副配管204bおよび排出副配管205bは、冷却器210のケーシング211の上面において、図13に示されるように対角線上に配置されるか、或いは、同一の中心線上に配置される。
ところで、近年、電子機器の演算性能の向上に伴い、発熱素子の発熱密度が高くなってきている。また、演算コア部の集約化(マルチコア化またはマルチチップ化)などにより、発熱素子の放熱面における温度分布が不均一になってきている。
図15は、放熱面203a−1の温度分布を説明するための発熱素子203の平面図である。
図13および図14に示される上述の発熱素子203では、図15に示されるように、例えばダイ203a上に放熱面203a−1が位置する。この放熱面203a−1は、例えば4箇所に位置する高温部分203a−1aと、この高温部分203a−1aの周囲を取り囲む中温部分203a−1bと、それ以外の部分である低温部分203a−1cと、を含む。なお、高温部分203a−1aは、例えば演算コア部が置かれている箇所に対応する。
図15の例では、温度分布が不均一になっている。そのため、従来のように冷却器210において均一に冷媒が流れる場合、冷媒Rの流量が、高温部分203a−1aの冷却に適した流量であると、中温部分203a−1bや低温部分203a−1cにおいては流量が過剰となる。また、冷媒Rの流量が、中温部分203a−1bや低温部分203a−1cの冷却に適した流量であると、高温部分203a−1aにおいては流量が不足する。
本発明の1つの側面における目的は、発熱素子の冷却効率を向上させることができる冷却器および電子機器を提供することである。
1つの態様では、冷却器は、ケーシングと、第1の流路と、第2の流路と、を備える。前記ケーシングは、発熱素子の放熱面に対向して配置される。前記第1の流路は、前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる。前記第2の流路は、前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる。前記第1の流路は、前記発熱素子のコア部に対向する。前記第2の流路は、前記発熱素子のうち前記コア部を除く部分に対向する。前記第1の流路における、前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側の経路長は、前記第2の流路のうち前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側の流路長よりも短い。
1つの態様によれば、発熱素子の冷却効率を向上させることができる。
一実施の形態に係る電子機器を示す平面図である。 図1のII-II断面図である。 一実施の形態に係る冷却器の内部構造を示す断面図(図4のIII-III断面図)である。 図3のIV-IV断面図である。 図3のV-V断面図である。 図3のVI-VI断面図である。 図4のVII-VII断面図である。 他の実施の形態に係る冷却器の内部構造を示す断面図(図9のVIII-VIII断面図)である。 図8のIX-IX断面図である。 図8のX-X断面図である。 図8のXI-XI断面図である。 図9のXII-XII断面図である。 参考技術に係る電子機器を示す平面図である。 図13のXIV-XIV断面図である。 放熱面の温度分布を説明するための発熱素子の平面図である。
以下、本発明の実施の形態に係る冷却器および電子機器について説明する。
<一実施の形態>
図1は、一実施の形態に係る電子機器1を示す平面図である。
図2は、図1のII-II断面図である。
図1および図2に示される電子機器1は、基板本体2と、発熱素子3と、供給配管4と、排出配管5と、冷却器10と、を備える。基板本体2は、例えば、電子機器に配置されるプリント基板である。
基板本体2は、例えば板状を呈する。図1に示される例では、基板本体2には、3個の発熱素子3が実装されている。基板本体2は、例えばXY平面に拡がる。基板本体2は、例えば、絶縁された基材に回路パターンが形成されたものである。なお、図1は、基板本体2を一部のみ示しているため、基板本体2の周囲の部分を不規則な波線(破断線)で示している。
発熱素子3は、例えばCPU(Central Processing Unit)である。一例ではあるが、図2に示されるように、発熱素子3は、半導体チップであるダイ(die)3aと、素子基板本体3bと、半田である接合部3cと、を含む。
ダイ3aは、素子基板本体3b上に配置されている。ダイ3aの上面が放熱面3a−1の一例である。なお、基板本体2が縦置きされた場合には、発熱素子3は、基板本体2の上方ではなく側方に配置され得る。また、放熱面3a−1は、発熱素子3の上面ではなく側面に位置し得る。
素子基板本体3bは、接合部3cを介して基板本体2に実装されている。素子基板本体3bは、基板本体2と同様に、例えば、絶縁された基材に回路パターンが形成されたものである。発熱素子3としては、基板本体2に直接的に実装された半導体チップなどであってもよい。
詳しくは後述するが、図3および図7に点線で示されるように、放熱面3a−1は、例えば4箇所に位置する高温部分(高発熱部)3a−1aを含む。この高温部分3a−1aは、演算コア部(コア部の一例)が置かれている箇所に対応する。また、高温部分3a−1aは、放熱面3a−1のうち「放熱面3a−1の平均温度よりも高温の領域」の一例である。
放熱面3a−1のうち高温部分3a−1a以外の部分は、高温部分3a−1aよりも低温の低温部分(低発熱部)3a−1bである。なお、低温部分3a−1bは、演算コア部を除く部分に対応し、「放熱面3a−1のうち高温の領域よりも低温の領域」の一例である。
図1および図2に示されるように、供給配管4は、供給主配管4aと、この供給主配管4aから分岐した複数の供給副配管4bと、を含む。供給主配管4aは、例えばY方向に延びる。供給副配管4bは、例えばX方向に延びる。なお、X方向、Y方向、および後述するZ方向は、互いに直交する方向である。
複数の供給副配管4bは、互いに異なる冷却器10において、後述するケーシング11の供給口11cに接続されている。各供給副配管4bは、供給主配管4aを流れる図2に示される冷媒Rを、ケーシング11の供給口11cに流す。なお、図1および図2に示される白抜きの矢印は、冷媒Rの流れを表している。冷媒Rは、液体である。ただし、冷媒Rは、気体であってもよいし、液体および気体が混合された混合体であってもよい。
排出配管5は、排出主配管5aと、この排出主配管5aから分岐した複数の排出副配管5bと、を含む。排出主配管5aは、例えばY方向に延びる。排出副配管5bは、例えばX方向に延びる。
複数の排出副配管5bは、互いに異なる冷却器10において、ケーシング11の排出口11dに接続されている。各排出副配管5bは、ケーシング11の排出口11dから排出される冷媒Rを排出主配管5aに流す。
供給主配管4aおよび排出主配管5aは、冷媒Rが発熱素子3から受けた熱を放熱する熱交換装置に接続されているとよい。そして、冷媒Rは、熱交換装置と供給配管4と冷却器10と排出配管5との間を循環するとよい。なお、熱交換装置は、電子機器1の外部または内部に配置される。
ケーシング11について詳しくは後述するが、ケーシング11の供給口11cおよび排出口11dは、ケーシング11のカバー11bの4つの側面のうち同一の側面(図2では右側の側面)に形成されている。そのため、供給口11cおよび排出口11dがベース11aの上面或いは異なる側面に形成される場合と比較して、図1および図2に示される供給配管4および排出配管5が配置される領域を例えばX方向およびZ方向に小さくできる。
また、供給主配管4aおよび排出主配管5aは、冷却器10に対して同一側(例えばX方向の片側)で側方を通って延びる。そのため、供給主配管4aおよび排出主配管5aが冷却器10に対して両側の各々において側方を通って延びる場合と比較して、供給配管4および排出配管5が配置される領域を例えばX方向に小さくできる。なお、供給主配管4aおよび排出主配管5aは、冷却器10の真横を通って延びなくてもよく、例えば、冷却器10の斜め上方において、冷却器10の側方を通って延びてもよい。このように、冷却器10の側方は、冷却器10の真上および真下を除く部分である。
供給副配管4bと排出副配管5bとは異なる高さに位置する。また、供給副配管4bと排出副配管5bとの長さは異なる。これにより、供給主配管4aと排出主配管5aとの干渉を防止することができる。なお、図2に示される例では、供給口11cは排出口11dよりも上方に位置し、供給副配管4bは排出副配管5bよりも長い。
図3は、一実施の形態に係る冷却器10の内部構造を示す断面図(図4のIII-III断面図)である。
図4、図5、および図6は、図3のIV-IV断面図、V-V断面図、およびVI-VI断面図である。
図7は、図4のVII-VII断面図である。
図3〜図7に示されるように、冷却器10は、ケーシング11と、複数の流路12(12−1〜12−13)と、複数のフィン13(13−1〜13−12)と、複数の制限部14と、を備える。冷却器10は、発熱素子3上に配置されている。なお、基板本体2が縦置きされた場合には、冷却器10は発熱素子3の上方ではなく側方に配置され得る。
一例ではあるが、ケーシング11は、ベース11aと、カバー11bと、を含む。
ベース11aは、発熱素子3のダイ3aの放熱面3a−1上に、例えば、放熱グリスまたは放熱シートを挟んで配置されている。これにより、ケーシング11は、放熱面3a−1に対向して配置されている。ベース11aは、例えば板状を呈する。また、ベース11aは、例えばXY平面に拡がる。ベース11aの材料は、金属などの熱伝導性の良好な材料であることが望ましい。
カバー11bは、ベース11aとの間の空間に冷媒Rを流入させるために、底面側が開口した直方体形状を呈する。上述のとおり、カバー11bの側面には、供給口11cおよび排出口11dが形成されている。なお、供給口11cおよび排出口11dは、図3の各切断線の手前に位置するため、図4〜図6においては実際には表れない。そのため、供給口11cおよび排出口11dは、図4〜図6においては二点鎖線(想像線)で示されている。
流路12は、例えば、板状のフィン13によって仕切られることで、ケーシング11内に設けられている。図3および図7に示される例では、流路12は13個設けられ(12−1,・・・,12−13)、フィン13は12個設けられている(13−1,・・・,13−12)。
フィン13は、例えばYZ平面に配置されている。フィン13には、発熱素子3から発せられた熱がベース11aを介して熱伝導される。そのため、少なくとも一部のフィン13は、発熱素子3の放熱面3a−1の上方に形成されることが望ましい。
フィン13の材料は、ベース11aの材料と同様に、金属などの熱伝導性の良好な材料であることが望ましい。フィン13は、例えば、ケーシング11のベース11aと一体に形成されている。
なお、流路12は、フィン13により仕切られるのではなく、例えばブロック状の部材に形成された孔であってもよい。
図5〜図7に示されるように、例えば両端のフィン13−1,13−12以外のフィン13には、凹部13a(13−6a,13−7a,13−8a,13−9a等)が形成されている。
凹部13aは、フィン13のうち冷媒Rの流れ方向(Y方向)の上流側の端部(図7に示される例では左端)に形成されている。なお、凹部13aは、冷媒Rの流れ方向(Y方向)の下流側の端部に形成されていてもよい。図3は、各フィン13の下端における、凹部13aにより形成される上流側の端部の位置を、符号13aを付した1本の点線で示している。
望ましい一例ではあるが、凹部13aは、フィン13のY方向の長さが上端から下端にかけて漸減するように形成されている。なお、フィン13のY方向の長さが漸減する場合には、凹部13aの端面が凹凸形状(例えばギザギザの形状)を呈することで、凹凸部分の一部ではY方向の長さが増えているような場合も含まれる。ここで、流路12およびフィン13の下端側(下端)は、放熱面3a−1に直交するZ方向における放熱面3a−1側である「一端側(一端)」の一例である。また、流路12およびフィン13の上端側(上端)は、放熱面3a−1に直交するZ方向における、放熱面3a−1とは反対側である「他端側(他端)」の一例である。
図3に示されるように、各フィン13の上端におけるY方向の長さは、同一の長さL0である。ただし、各フィン13の上端におけるY方向の長さは、互いに同一でなくともよい。
図3に示される両端のフィン13−1,13−12のうち一方のフィン13−1には、図4に示されるように凹部13aが形成されていない。そして、フィン13−1は、例えば矩形板状を呈する。そのため、フィン13−1のY方向における長さは、高さ方向の位置によらず長さL0である。なお、図3に示される両端のフィン13−1,13−12のうち他方のフィン13−12も、凹部13aが形成されていない。そして、フィン13−12は、例えば矩形板状を呈する。そのため、フィン13−12のY方向における長さも、高さ方向の位置によらず長さがL0である。
図3に示される両端のフィン13−1,13−12とケーシング11との間の流路12−1,12−13の流路長(つまり冷媒Rの流れ方向(Y方向)の長さ)は、フィン13−1,13−2のY方向の長さL0と同一であると考えられる。そして、両端のフィン13−1,13−12には凹部13aが形成されていないため、両端の流路12−1,12−13の流路長は、図4に示されるように、高さ方向の位置によらず長さL1(=L0)である。
図3に示されるように、放熱面3a−1のうち高温部分3a−1aに対向する流路12−9は、図5にも示される2つのフィン13−8,13−9の間に位置する。ここで、図5に示される流路12−9は、「第1の流路」の一例であり、演算コア部に対向する。なお、図5においては表れないはずの、図3のV-V切断線手前のフィン13−8は、二点鎖線(想像線)で示されている。
図7に示されるように凹部13aの大きさにはばらつきがある。そのため、図5に示されるように、2つのフィン13−8,13−9の間の流路12−9は、各高さにおいて、2つのフィン13−8,13−9の上流側の端部間の中心位置から下流側の端部間の中心位置までの範囲に位置すると考える。図5は、流路12−9を一点鎖線で示している。
図5に示されるように、フィン13−8,13−9に上述の凹部13−8a,13−9aが形成されていることで、流路12−9の流路長は、下端側で上端側よりも短い(L9<L0)。また、流路12−9の流路長は、上端(L0)から下端(L9)にかけて漸減する。
なお、図5に示される例とは異なり、流路12−9の流路長が「下端」において、「上端」と同じまたは「上端」よりも長くなっている場合(例えば、上端の流路長を局所的に短くした場合など)について考える。この場合においても、流路12−9の高さ方向の下半分の流路長の平均が上半分の流路長の平均よりも短ければ、下端「側」の流路長が上端「側」の流路長よりも短いということとする。
図5に示されるように、流路12−9の流路長は、上端(L0)から下端(L9)にかけて連続的に漸減するが、不連続に漸減していてもよい。なお、流路12−9の流路長は、上端(L0)から下端(L9)にかけて、局所的に長くなる部分を有していても、他の部分が漸減している場合には、漸減していることとする。
あくまで一例ではあるが、図5に示されるように、流路12−9の流路長は、上端(L0)から下端(L9)に近づくほど短くなる度合いが小さくなっている。これにより、流路12−9における上流側の端部(図5に示される例では左端)を繋ぐ線は、曲線になっている。
図3に示されるように放熱面3a−1のうち低温部分3a−1bのみに対向する流路12−7は、図6にも示される2つのフィン13−6,13−7の間に位置する。ここで、図6に示される流路12−7は、「第2の流路」の一例であり、演算コア部を除く部分に対向する。なお、図6においては表れないはずの、図3のVI-VI切断線手前のフィン13−6は、二点鎖線(想像線)で示されている。また、図6において、流路12−7は、一点鎖線で示されている。
図6に示されるように、フィン13−6,13−7に上述の凹部13−6a,13−7aが形成されていることで、流路12−7の流路長は、下端側で上端側よりも短い(L7<L0)。
図6に示される流路12−7の流路長は、図5に示される流路12−9の流路長と同様に、上端(L0)から下端(L7)にかけて漸減する。また、流路12−7の流路長は、流路12−9の流路長と同様に、上端(L0)から下端(L7)に近づくほど短くなる度合いが小さくなっている。
なお、図5に示される流路12−9(第1の流路の一例)の下端側の流路長(L9)は、図6に示される流路12−7(第2の流路の一例)の下端側の流路長(L7)よりも、図7に示すように短い(L9<L7)ことが望ましい。
図3、図4、および図6に示される複数の制限部14の各々は、流路12−7(第2の流路の一例)および放熱面3a−1に対向しない流路12−1,12−13等における上端側を流れる冷媒Rの流量を制限する。制限部14は、例えば、冷媒Rの流れを遮ることで、冷媒Rの流量を制限する。
なお、制限部14は、流路12−1,12−7,12−13の上端側である上半分の少なくとも一部を流れる冷媒Rの流量を制限するとよい。ただし、制限部14は、流路12−1,12−7,12−13の上端を含む一部で冷媒Rの流量を制限することがより望ましい。
制限部14は、冷媒Rの流れ方向(Y方向)において流路12−1,12−7,12−13との間に間隙Gを隔てて位置するとよい。図3、図4、および図6の例では、制限部14は、流路12−1,12−7,12−13よりも冷媒Rの流れ方向(Y方向)の上流側に位置する。図4および図6に示されるように、制限部14は、流路12−1,12−7,12−13の上流側において、これらの流路に対し、これらの流路の上端から高さ方向の中央部分付近に亘って対向する。
制限部14は、ケーシング11と一体に形成されているとよい。図3、図4、および図6に示される例では、制限部14は、ケーシング11のカバー11bと一体に形成されている。なお、制限部14は、フィン13と一体に設けられていてもよいし、ケーシング11やフィン13に対し固定されていてもよい。
一例ではあるが、制限部14の形状は、図3に示されるXY平面における断面形状が三角形状の三角柱である。この三角柱形状の制限部14は、XY平面における三角形状の断面形状のうち1つの頂点が冷媒Rの流れ方向(Y方向)の上流側に位置し他の2つの頂点が下流側に位置する。制限部14の形状は、四角柱形状、円筒形状、或いはその他の形状であってもよい。
なお、制限部14は、流路12−1,12−7,12−13の中に設けられていてもよい。また、制限部14は、流路12−1,12−7,12−13の一部を完全に塞ぐように設けられていてもよいが、フィン13から冷媒Rへの熱伝導を阻害するため、完全には塞がないことが望ましい。
以上説明した一実施の形態では、流路12−9(第1の流路の一例)は、高温部分3a−1a(演算コア部)に対向する。また、流路12−9の流路長は、放熱面3a−1に直交する方向(Z方向)における放熱面3a−1側である下端側(一端側の一例)において上端側(他端側の一例)よりも短い(L9<L0)。
そのため、流路12−9のうち流路長が短い下端側である高温部分3a−1a側において、流路長に比例する冷媒Rの圧力損失を減らすことができる。そのため、圧力損失に起因する流速の低下を抑えることで、流路長を短くした流路12−9の高温部分3a−1a側における冷媒Rの流速を速めることができる。これにより、冷媒Rの流量を増やすことができる。また、流路12−9の上端側においては、下端側よりも流路長を長く確保することで、流路12−9を仕切る部材(フィン13)を介した冷媒Rへの熱伝導などにより、発熱素子3から発せられる熱の放熱を促すことができる。したがって、高温部分3a−1aを効率良く冷却することができる。よって、一実施の形態によれば、発熱素子3の冷却効率を向上させることができる。
また、一実施の形態では、流路12−9(第1の流路の一例)の下端側の流路長は、低温部分3a−1b(演算コア部を除く部分)のみに対向する流路12−7の下端側の流路長よりも短い(L9<L7)。そのため、低温部分3a−1bに対向する流路12−7の下端側よりも高温部分3a−1aに対向する流路12−9の下端側において、冷媒Rの流量を上述のように増やすことができる。また、低温部分3a−1bに対向する流路12−7の下端側において、高温部分3a−1aに対向する流路12−9の下端側よりも流路長を確保することで、発熱素子3から発せられる熱の放熱を促すことができる。
また、一実施の形態では、制限部14は、流路12−7(第2の流路の一例)の上端側を流れる冷媒Rの流量を制限する。そのため、冷媒Rを、低温部分3a−1bに対向する流路12−7の下端側、並びに、高温部分3a−1aに対向する流路12−9(第1の流路の一例)の下端側および上端側に流れやすくすることができる。
また、一実施の形態では、制限部14は、冷媒Rの流れ方向(Y方向)において流路12−7(第2の流路の一例)との間に間隙Gを隔てて位置する。そのため、流路12−7を仕切る部材(フィン13)と制限部14との干渉を抑えつつ、冷媒Rの流量を制限することができる。
また、一実施の形態では、制限部14は、ケーシング11(カバー11b)と一体に設けられている。そのため、部品点数を増やさずに制限部14を配置することができる。
また、一実施の形態では、流路12−9(第1の流路の一例)の上端の流路長L0は、流路12−7(第2の流路の一例)の上端の流路長L0と同一である。そのため、冷却器10を簡素な構成とすることができる。
また、一実施の形態では、流路12−7(第2の流路の一例)の流路長は、上端(L0)から下端(L7)にかけて漸減する。そのため、流路12−7の上端から下端に近づくほど冷媒Rの流量を増やすことができる。
また、一実施の形態では、流路12−9(第1の流路の一例)の流路長は、上端(L0)から下端(L9)にかけて漸減する。そのため、流路12−9の上端から下端に近づくほど冷媒Rの流量を増やすことができる。
また、一実施の形態では、複数の板状のフィン13は、第1の流路12−9等の流路12を仕切る。そのため、発熱素子3から発せられる熱を、フィン13を介して、流路12を流れる冷媒Rに熱伝導させることができる。
また、一実施の形態では、ケーシング11の供給口11cおよび排出口11dは、ケーシング11(ベース11a)のうち同一の側面に形成されている。そのため、供給口11cおよび排出口11dがベース11aの上面或いは異なる側面に形成される場合と比較して、供給配管4および排出配管5が配置される領域を例えばX方向およびZ方向に小さくすることができる。
また、一実施の形態では、供給主配管4aおよび排出主配管5aは、冷却器10に対して同一側(例えばX方向の片側)で側方を通って延びる。そのため、供給主配管4aおよび排出主配管5aが冷却器10に対して両側の各々を通って延びる場合と比較して、供給配管4および排出配管5が配置される領域を例えばX方向に小さくすることができる。
<他の実施の形態>
他の実施の形態では、一実施の形態とは異なる事項を中心に説明をする。
図8は、他の実施の形態に係る冷却器30の内部構造を示す断面図(図9のVIII-VIII断面図)である。
図9、図10、および図11は、図8のIX-IX断面図、X-X断面図、およびXI-XI断面図である。
図12は、図9のXII-XII断面図である。
図9〜図11に示されるように、基板本体22に実装された発熱素子23は、一例ではあるが、半導体チップであるダイ23aと、素子基板本体23bと、半田である接合部23cと、を含む。ダイ23aの上面が放熱面23a−1の一例である。
詳しくは後述するが、図8および図12に点線で示されるように、放熱面23a−1は、例えば2箇所に位置する高温部分(高発熱部)23a−1aを含む。なお、高温部分23a−1aは、演算コア部(コア部の一例)に対応し、放熱面23a−1のうち「放熱面23a−1の平均温度よりも高温の領域」の一例である。
また、図8および図12に点線で示されるように、放熱面23a−1は、例えば1箇所に位置する中温部分(中発熱部)23a−1bを含む。この中温部分23a−1bは、演算コア部に対応し、高温部分23a−1aよりも低温であり、後述する低温部分(低発熱部)23a−1cよりも高温である。中温部分23a−1bは、放熱面23a−1の平均温度以上であっても以下であってもよい。
放熱面23a−1のうち高温部分23a−1aおよび中温部分23a−1b以外の部分は、高温部分23a−1aおよび中温部分23a−1bよりも低温の低温部分23a−1cである。なお、低温部分23a−1cは、演算コア部を除く部分に対応し、「放熱面23a−1のうち高温の領域よりも低温の領域」の一例である。
図8および図12に示されるように、他の実施の形態においても、供給副配管24bおよび排出副配管25bは、冷却器30のケーシング31におけるカバー31bの4つの側面のうち同一の側面に形成されている。
図8〜図12に示されるように、冷却器30は、ケーシング31と、複数の流路32(32−1〜32−20)と、複数のフィン33(33−1〜33−19)と、複数の制限部34と、を備える。
他の実施の形態においても、ケーシング31は、ベース31aと、カバー31bと、を含む。
流路32は、例えば、板状のフィン33によって仕切られることで、ケーシング31内に設けられている。図8および図12に示される例では、流路32は20個設けられ(32−1,・・・,32−20)、フィン33は19個設けられている(33−1,・・・,33−19)。
図8〜図12に示されるように、例えば両端のフィン33−1,33−19以外のフィン33には、凹部33a(33−4a,33−5a,33−8a,33−9a,33−16a,33−17a等)が形成されている。
凹部33aは、フィン33のうち冷媒Rの流れ方向(Y方向)の上流側の端部(図12に示される例では左端)に形成されている。なお、凹部33aは、冷媒Rの流れ方向(Y方向)の下流側の端部に形成されていてもよい。図8は、各フィン33の下端において凹部33aにより形成される上流側の端部の位置を、符号33aを付した1本の点線で示している。
望ましい一例ではあるが、凹部33aは、フィン33のY方向の長さが上端から下端にかけて漸減するように形成されている。ここで、流路32およびフィン33の下端側(下端)は、放熱面23a−1に直交するZ方向における放熱面23a−1側である「一端側(一端)」の一例である。また、流路32およびフィン33の上端側(上端)は、放熱面23a−1に直交するZ方向における、放熱面23a−1とは反対側である「他端側(他端)」の一例である。
図8に示されるように、各フィン33の上端におけるY方向の長さは、同一の長さL0である。ただし、各フィン33の上端におけるY方向の長さは、同一でなくともよい。
図8に示されるように放熱面23a−1のうち高温部分23a−1aに対向する流路32−5は、図9にも示される2つのフィン33−4,33−5の間に位置する。ここで、図9に示される流路32−5は、「第1の流路」の一例であり、演算コア部に対向する。
図9に示されるように、フィン33−4,33−5に上述の凹部33−4a,33−5aが形成されていることで、流路32−5の流路長は、下端側で上端側よりも短い(L105<L100)。また、流路32−5の流路長は、上端(L100)から下端(L105)にかけて漸減する。あくまで一例ではあるが、流路32−5の流路長は、上端(L100)から下端(L105)に近づくほど短くなる度合いが小さくなっている。
図8に示されるように放熱面23a−1のうち低温部分23a−1cのみに対向する流路32−9は、図10にも示される2つのフィン33−8,33−9の間に位置する。ここで、図10に示される流路32−9は、「第2の流路」の一例であり、演算コア部を除く部分に対向する。
図10に示されるように、フィン33−8,33−9に上述の凹部33−8a,33−9aが形成されていることで、流路32−9の流路長は、下端側で上端側よりも短い(L109<L100)。
図10に示される流路32−9の流路長は、図9に示される流路32−5の流路長と同様に、上端(L100)から下端(L109)にかけて漸減する。また、流路32−9の流路長は、流路32−5の流路長と同様に、上端(L100)から下端(L109)に近づくほど短くなる度合いが小さくなっている。
なお、図9に示される流路32−5(第1の流路の一例)の下端側の流路長は、図10に示される流路32−9(第2の流路の一例)の下端側の流路長よりも短い(L105<L109)ことが望ましい。また、中温部分23a−1bに対向する図8および図12に示される流路32−13の下端側の流路長については、流路32−5の下端側の流路長よりも長く、流路32−9の下端側の流路長よりも短いことが望ましい。
図8に示されるように、流路32−17は、放熱面23a−1における2つの高温部分23a−1aのうち、上述の流路32−5が対向する一方とは異なる他方に対向する。流路32−17は、図11にも示される2つのフィン33−16,33−17の間に位置する。なお、これら2つのフィン33−16,33−17には、同一形状の凹部33−16a,33−17aが同一位置に形成されている。そのため、フィン33−16は、フィン33−17と同一形状である。したがって、図11では、フィン33−16および流路32−17の符号については、フィン33−17の符号に括弧書きで付されている。
流路32−17は、流路32−5が対向する高温部分23a−1aと同一(例えば一体)の高温部分23a−1aに対向してもよい。また、流路32−5が対向する高温部分23a−1aと、流路32−17が対向する高温部分23a−1aとは同一温度であってもよいし、異なる温度であってもよい。
ここで、図11に示される流路32−17は、「第3の流路」の一例であり、演算コア部に対向する。図8に示されるように、流路32−17におけるケーシング31の供給口31cからの長さはL11であり、排出口31dまでの長さはL12である。これらの長さL11,L12の和は、流路32−5(第1の流路の一例)における供給口31cからの長さL21と排出口31dまでの長さL22との和よりも大きい。
図11に示されるように、フィン33−16,33−17に上述の凹部33−16a,33−17aが形成されていることで、流路32−17の流路長は、下端側で上端側よりも短い(L117<L100)。また、流路32−17の流路長は、上端(L100)から下端(L117)にかけて漸減する。あくまで一例ではあるが、流路32−17の流路長は、上端(L100)から下端(L117)に近づくほど短くなる度合いが小さくなっている。
また、第3の流路の一例である流路32−17の下端側の流路長は、第1の流路の一例流路32−5の下端側の流路長よりも短い(L117<L105)。
図8および図10に示される複数の制限部34の各々は、流路32−9(第2の流路の一例)等のいくつかの流路32における上端側を流れる冷媒Rの流量を制限する。例えば、制限部34は、冷媒Rの流れ方向(Y方向)において流路32−9等との間に間隙Gを隔てて位置する。
以上説明した他の実施の形態では、上述の一実施の形態と同様の構成に関して、同様の効果を得ることができる。
また、他の実施の形態では、第3の流路の一例である流路32−17は、第1の流路の一例である流路32−5とは異なるまたは同一の演算コア部に対向する。また、流路32−17は、図8に示されるように、ケーシング31の供給口31cからの長さがL11であり、排出口31dまでの長さがL12である。これらの長さL11,L12の和は、流路32−5における供給口31cからの長さL21と排出口31dまでの長さL22との和よりも大きい。そして、流路32−17の下端側の流路長は、流路32−5の下端側の流路長よりも短い(L117<L105)。そのため、ケーシング31の供給口31cおよび排出口31dからの遠さに起因して圧力損失等により冷媒Rの流量が減る流路32−17において、冷媒Rの流量を増やすことができる。
以上の一実施の形態および他の実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する
(付記1)
発熱素子の放熱面に対向して配置されるケーシングと、
前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる第1の流路と、を備え、
前記第1の流路の流路長は、前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側において他端側よりも短い、
ことを特徴とする冷却器。
(付記2)
前記第1の流路は、前記発熱素子のコア部に対向することを特徴とする付記1記載の冷却器。
(付記3)
前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる第2の流路を更に備え、
前記第2の流路は、前記発熱素子のうち前記コア部を除く部分に対向し、
前記第1の流路の前記一端側の流路長は、前記第2の流路のうち前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側の流路長よりも短いことを特徴とする付記2記載の冷却器。
(付記4)
前記第2の流路のうち前記放熱面に直交する方向における他端側を流れる冷媒の流量を制限する制限部を更に備えることを特徴とする付記3記載の冷却器。
(付記5)
前記制限部は、冷媒の流れ方向において前記第2の流路との間に間隙を隔てて位置することを特徴とする付記4記載の冷却器。
(付記6)
前記制限部は、前記ケーシングと一体に設けられていることを特徴とする付記4または5記載の冷却器。
(付記7)
前記第1の流路の前記他端の流路長は、前記第2の流路のうち前記放熱面に直交する方向における他端の流路長と同一であることを特徴とする付記3から6のいずれか記載の冷却器。
(付記8)
前記第2の流路の流路長は、前記他端から前記一端にかけて漸減することを特徴とする付記3から7のいずれか記載の冷却器。
(付記9)
前記第1の流路の流路長は、前記他端から前記一端にかけて漸減することを特徴とする付記1から8のいずれか記載の冷却器。
(付記10)
前記第1の流路を仕切る複数の板状のフィンを更に備えることを特徴とする付記1から9のいずれか記載の冷却器。
(付記11)
前記ケーシングの前記供給口および前記排出口は、前記ケーシングのうち同一の側面に形成されていることを特徴とする付記1から10のいずれか記載の冷却器。
(付記12)
前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる第3の流路を更に備え、
前記第3の流路は、コア部に対向し、
前記第3の流路における前記ケーシングの前記供給口からの長さと前記ケーシングの前記排出口までの長さとの和は、前記第1の流路における前記供給口からの長さと前記排出口までの長さとの和よりも大きく、
前記第3の流路のうち前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側の流路長は、前記第1の流路の前記一端側の流路長よりも短いことを特徴とする付記1から11のいずれか記載の冷却器。
(付記13)
基板本体と、
前記基板本体に実装される発熱素子と、
前記発熱素子の放熱面に対向して配置されるケーシングと、前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる第1の流路と、を含む冷却器と、
前記ケーシングの前記供給口に冷媒を供給する供給配管と、
前記ケーシングの前記排出口から冷媒を排出する排出配管と、を備え、
前記第1の流路の流路長は、前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側において他端側よりも短い、
ことを特徴とする電子機器。
(付記14)
前記供給配管は、供給主配管と、該供給主配管から分岐し前記ケーシングの前記供給口に接続された供給副配管と、を含み、
前記排出配管は、排出主配管と、該排出主配管から分岐し前記ケーシングの前記排出口に接続された排出副配管と、を含み、
前記供給主配管および前記排出主配管は、前記冷却器に対して同一側で側方を通って延びる、
ことを特徴とする付記13記載の電子機器。
1 電子機器
2 基板本体
3 発熱素子
3a ダイ
3a−1 放熱面
3a−1a 高温部分
3a−1b 低温部分
3b 素子基板本体
3c 接合部
4 供給配管
4a 供給主配管
4b 供給副配管
5 排出配管
5a 排出主配管
5b 排出副配管
10 冷却器
11 ケーシング
11a ベース
11b カバー
11c 供給口
11d 排出口
12 流路
13 フィン
13a 凹部
14 制限部
22 基板本体
23 発熱素子
23a ダイ
23a−1 放熱面
23a−1a 高温部分
23a−1b 中温部分
23a−1c 低温部分
23b 素子基板本体
23c 接合部
24b 供給副配管
25b 排出副配管
30 冷却器
31 ケーシング
31a ベース
31b カバー
31c 供給口
31d 排出口
32 流路
33 フィン
33a 凹部
34 制限部
R 冷媒

Claims (6)

  1. 発熱素子の放熱面に対向して配置されるケーシングと、
    前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる第1の流路と、
    前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる第2の流路と、を備え、
    前記第1の流路は、前記発熱素子のコア部に対向し、
    前記第2の流路は、前記発熱素子のうち前記コア部を除く部分に対向し、
    前記第1の流路における、前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側の経路長は、前記第2の流路のうち前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側の流路長よりも短い、
    ことを特徴とする冷却器。
  2. 前記第2の流路のうち前記放熱面に直交する方向における他端側を流れる冷媒の流量を制限する制限部を更に備えることを特徴とする請求項記載の冷却器。
  3. 前記第1の流路の流路長は、前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側において他端側よりも短いことを特徴とする請求項1又は2記載の冷却器。
  4. 前記第1の流路の流路長は、前記第1の流路における前記他端から前記一端にかけて漸減することを特徴とする請求項記載の冷却器。
  5. 基板本体と、
    前記基板本体に実装される発熱素子と、
    前記発熱素子の放熱面に対向して配置されるケーシングと、前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる第1の流路と、前記ケーシング内に設けられ、冷媒が流れる第2の流路と、を含む冷却器と、
    前記ケーシング冷媒を供給する供給配管と、
    前記ケーシングから冷媒を排出する排出配管と、を備え、
    前記第1の流路は、前記発熱素子のコア部に対向し、
    前記第2の流路は、前記発熱素子のうち前記コア部を除く部分に対向し、
    前記第1の流路における、前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側の経路長は、前記第2の流路のうち前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側の流路長よりも短い、
    ことを特徴とする電子機器。
  6. 前記第1の流路の流路長は、前記放熱面に直交する方向における前記放熱面側である一端側において他端側よりも短いことを特徴とする請求項5記載の電子機器。
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JP7124425B2 (ja) * 2018-05-02 2022-08-24 富士電機株式会社 冷却装置、半導体モジュールおよび車両
US11353265B2 (en) * 2018-07-03 2022-06-07 Ford Global Technologies, Llc Notched coolant tubes for a heat exchanger
CN110337227B (zh) * 2019-08-13 2020-10-13 深圳市研派科技有限公司 液冷散热装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5709263A (en) * 1995-10-19 1998-01-20 Silicon Graphics, Inc. High performance sinusoidal heat sink for heat removal from electronic equipment
JP2001024126A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Fuji Electric Co Ltd 直膨式コールドプレート
JPWO2002046677A1 (ja) * 2000-12-04 2004-04-08 富士通株式会社 冷却システムおよび吸熱装置
KR100619076B1 (ko) * 2005-04-11 2006-08-31 삼성전자주식회사 전자소자 방열용 히트싱크장치
US20090200007A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-13 Lockheed Martin Corporation Heat exchanger having temperature-actuated valves
JP5381561B2 (ja) * 2008-11-28 2014-01-08 富士電機株式会社 半導体冷却装置
WO2010109799A1 (ja) * 2009-03-24 2010-09-30 住友精密工業株式会社 ヒートシンク
JP2011187523A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Fujitsu Ltd 液冷ユニット
TWM422285U (en) * 2011-09-21 2012-02-01 Enermax Technology Corp Liquid-cooling type improved heat exchange module
JP5953206B2 (ja) * 2011-11-11 2016-07-20 昭和電工株式会社 液冷式冷却装置およびその製造方法
JP6026772B2 (ja) * 2012-05-17 2016-11-16 株式会社ティラド ヒートシンク

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