JP6306356B2 - 回転流発生装置、それを備える配管システム、半導体製造装置及び熱交換器 - Google Patents
回転流発生装置、それを備える配管システム、半導体製造装置及び熱交換器 Download PDFInfo
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Description
また、排気管の内部に高温希釈ガスを流し、生成物を分解して希釈ガスとともに流出す方法もある(特許文献2参照)。
さらに、側面に吹出口が形成されるとともに頭部が閉塞された筒状ノズルを排気管内に取り付け、その筒状ノズルに流体を流すことによってサイクロン流を発生させ、このサイクロン流によって詰まりを防止するものもある(特許文献3参照)。
また、特許文献2に記載の従来技術によると、管壁での流速が非常に遅くなるため、管壁においては温度が下がり、詰まりが発生してしまう。
さらに、特許文献3に記載の従来技術によると、吹出口が狭いため、圧力損失が大きい。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の回転流発生装置(20’)であって、前記案内羽根(23)の外周に、円筒部(21)が設けられ、前記フランジ部は前記円筒部(21)の一端から外周側に延びていること、を特徴とする回転流発生装置(20’)である。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の回転流発生装置(20’)であって、前記円筒部(21)は、内部に前記案内羽根(23)が設けられている第1部分と、該第1部分から延びる第2部分と、を備えること、を特徴とする回転流発生装置(20’)である。
請求項4に記載の発明は、請求項1から3のいずれか1項に記載の回転流発生装置(20,20’)であって、前記案内羽根(23)は、複数枚設けられ、案内羽根(23)は、前記軸部(22)と直交する面と前記案内羽根(23)の外周を通る円筒部(21)との交線に対する、前記案内羽根(23)と前記円筒部(21)との連結部の角度が異なるものを有すること、を特徴とする回転流発生装置(20,20’)である。
請求項5に記載の発明は、請求項1から4のいずれか1項に記載の回転流発生装置(20,20’)であって、前記軸部(22)は、円柱部(22a)と、該円柱部(22a)の両端に設けられた円錐部(22F,22R)と、を備え、一方の前記円錐部(22F)の頂角は120度であること、を特徴とする回転流発生装置(20,20’)である。
請求項6に記載の発明は、請求項1から5のいずれか1項に記載の回転流発生装置(20,20’)が、配管(10)の内部に取り付けられていること、を特徴とする配管システムである。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の配管システムにおいて、前記配管(10)を流れる流体の状態を検出するセンサ(51)が取り付けられていること、を特徴とする配管システムである。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の配管システムにおいて、前記センサ(51)は前記配管(10)を流れる流体の音を検出するものであること、を特徴とする配管システムである。
請求項9に記載の発明は、請求項6から8のいずれか1項に記載の配管システムを備える半導体製造装置(1)である。
請求項10に記載の発明は、請求項6から8のいずれか1項に記載の配管システムを備える熱交換器である。
なお、上記構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
図1は、本発明に係る回転流発生装置の一実施形態を適用した半導体製造装置1の概念構成図である。
基板処理室2は、詳細な説明は省略するが、石英等によって形成され、下部にフランジによって開閉可能な開口部を備えている。基板処理室2には、開口部を介して処理される基板4が出し入れされる。
ガス排出管10は、基板処理室2の他方側(図1中左側)の下部に接続されている。ガス排出管10は、その下流側において真空ポンプ5に接続されている。また、ガス排出管10には、排気トラップ11が設けられ、その上下流それぞれにバルブ12,13が配置されている。
排気トラップ11は、基板処理室2から排出されてガス排出管10を流れる基板処理済みガスから、反応副生成物等を冷却・析出させて除去する。排気トラップ11は、その上下流に設けられたバルブ12,13を閉じて交換することができ、これによって捕集した反応副生成物等を回収できるようになっている。
すなわち、基板処理室2内に基板4を載置して、基板処理室2内の温度、圧力が調節し、ガス供給管3を介して基板処理室2に基板処理ガスを供給する。
これにより、基板処理室2に供給された基板処理ガスが、加熱により反応して成膜成分を生成し、基板4の表面に堆積させる。たとえば、基板処理ガスとしてSiH2CL2とNH3との混合ガスを用い、反応生成した成膜成分であるSi3N4(窒化珪素)を基板4の表面に堆積させる。
前述の反応ではHCLが発生し、発生したHCLは、二次反応によって、NH3(アンモニウム)と結合してNH4CL(塩化アンモニウム)となり、これが他の反応成分と共に反応副生成物等となる。
ただし、これに限定されず、センサ51をガス排出管10の上流側と下流側とに設け、両者の音に差が生じてきた場合に、詰まりを検出するものであってもよい。
このように、音を検出するセンサ51は、ガス排出管10の外側に取り付け詰まりを検出することができるので、設置が容易で、またガス排出管10の流れを妨げることがない。
さらに、音センサに限定されず振動を検出するものでもよく、ガス排出管10内の圧力、温度を検出するものであってもよい。
制御部50は、センサ51からの入力情報に基づいて、反応副生成物等によるガス排出管10の閉塞(または排気トラップ11の交換時期)を予測し、半導体製造装置1を制御する。
ここで、ガス排出管10の基板処理室2との接続部、すなわちガス排出管10の入口部位には、本発明の一実施形態である回転流発生装置20が設けられている。
図2は、回転流発生装置20の外観斜視図である。図3(a)は回転流発生装置20を上流側から見た正面図、(b)は(a)のB−B断面図である。図4は、回転流発生装置20のガス排出管10への装着構造および生成する回転流を説明する図である。
軸部22は、所定径の円柱状であって、後述する案内羽根23が一体に接合する円柱部22aの前後両端に、それぞれ円錐部(先端円錐部22F,後端円錐部22R)を備えている。
なお、本実施形態の回転流発生装置20は、このように円筒部21を有しているが、これに限定されず、羽根23の外周部に円筒部21を有さないものであってもよい。
上流側に向かう先端円錐部22Fの頂角を120°とすることで、乱流等形成することなく、流体の流れを滑らかに案内羽根23に導入することができる。
また、下流側に向かう後端円錐部22Rの頂角を90°とすることで、案内羽根23によって形成された回転流を、乱流等形成することなく、滑らかに管の内壁に案内することができる。
フランジ部24の厚みtは、図3に示すように、Oリング14の厚みRより小さい。なお、Oリング14の厚みとは、図3に示すように、Oリング14を構成する部材の断面の直径である。
また、内環部25bの端面25cは、フランジ部24の外周面24aと同様に湾曲し、フランジ部24の外周面24aとアウターリング25の端面25cとで、Oリング14を挟み込む。
このとき、回転流発生装置20の円筒部21は、ガス排出管10の内側に挿入されるが、フランジ部24はガス排出管10の内径よりも大きいので、内部に挿入されない。したがって、回転流発生装置20全体がガス排出管10内へ深く進入して取り外しが困難になることが防止される。
一方、クランプ15は、外周側から内周側に向かって厚みが薄くなるように内面側にテーパが設けられている。
したがって、クランプ15を内径側に向かって締め付けると連結フランジ10Fと、固定フランジ2Fとが互いに近づくように押圧される。
この際、Oリング14はフランジ部24によって位置が固定されているので締め付けの際にずれることなく、Oリング14の側面は連結フランジ10Fと固定フランジ2Fとに押し付けられて、ガス排出管10と基板処理室2とが気密的に接続される。
回転流発生装置20は、上流側から流入する基板処理済みガスの気流を、軸部22の先端円錐部22Fが周囲に向かって(ガス排出管10の内壁面に衝突する方向に)放射状に偏向させ、さらに、案内羽根23がその形成形状に沿って周方向斜めに偏向させる。
その結果、反応副生成物等の内壁面への付着に起因するガス排出管10の詰まりを抑制することができ、メンテナンスの頻度およびそのための休止時間を少なくでき、半導体製造装置1の稼働効率を向上させることが可能となる。
そして、フランジ部24の厚みtはOリング14の厚みRより小さいので、クランプで締め付けたときにOリング14が圧縮変形することができ、ガス排出管10と基板処理室2とを、気密的に接続することができる。
つぎに、本発明にかかる回転流発生装置の第2実施形態について説明する。
図5は、第2実施形態に係る回転流発生装置20’の外観斜視図である。
なお、本第2実施形態における回転流発生装置20’の基本構成および装着構造は前述した第1実施形態と同様であり、同機能の構成要素については同符号を付して説明を省略する。
第1実施形態によると、ガスに含まれる反応副生成物等の、ガス排気管10内での析出および内壁面への付着を抑制することが可能であるが、ガス排気管10の内壁面にわずかに反応副生成物が付着する可能性もある。
メンテナンス時においては、クランプ15を取り外し、ガス排出管10の先端部の外周に設けられた連結フランジ10Fと、基板処理室2の排出口に設けられた固定フランジ2Fとガス排気管10と接続部を離間させる。
この際に、回転流発生装置20’を筒から抜き出し、回転流発生装置20’のみ洗浄することで、延びた円筒部21に付着した反応副生成物を除去することができる。
これにより、ガス排気管10の内壁に付着する反応性生物の除去が容易となる。
以上、説明した実施形態に限定されることなく、以下に示すような種々の変形や変更が可能であり、それらも本発明の範囲内である。
なお、各羽根の間には、隙間が設けられないようにするの好ましいが、この場合、羽根の角度は、円筒部の内径や長さによって定まる。
(4)本実施形態は、回転流発生装置20をガス排出管10に設けた例であるが、回転流発生装置20を、反応ガスを供給するガス供給管3に設けても良い。
(6)さらに、上述の実施形態では、流体としてガスを流す場合について説明したがこれに限定されない。例えば、液体、粉体等の流動性の固体であってもよい。
なお、実施形態及び変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。また、本発明は以上説明した実施形態によって限定されることはない。
Claims (10)
- 軸部と、
前記軸部に固定された案内羽根と、
前記案内羽根の外周側に配置され、前記案内羽根の少なくとも一部分から連続して外周側に延びるフランジ部と、を備え、
前記フランジ部の外周面は、湾曲したOリング受け面となっていること、
を特徴とする回転流発生装置。 - 請求項1に記載の回転流発生装置であって、
前記案内羽根の外周に、円筒部が設けられ、前記フランジ部は前記円筒部の一端から外周側に延びていること、
を特徴とする回転流発生装置。 - 請求項2に記載の回転流発生装置であって、
前記円筒部は、内部に前記案内羽根が設けられている第1部分と、該第1部分から延びる第2部分と、を備えること、
を特徴とする回転流発生装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の回転流発生装置であって、
前記案内羽根は、複数枚設けられ、
案内羽根は、前記軸部と直交する面と前記案内羽根の外周を通る円筒部との交線に対する、前記案内羽根と前記円筒部との連結部の角度が異なるものを有すること、
を特徴とする回転流発生装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の回転流発生装置であって、
前記軸部は、円柱部と、該円柱部の両端に設けられた円錐部と、を備え、
一方の前記円錐部の頂角は120度であること、
を特徴とする回転流発生装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の回転流発生装置が、配管の内部に取り付けられていること、を特徴とする配管システム。
- 請求項6に記載の配管システムにおいて、
前記配管を流れる流体の状態を検出するセンサが取り付けられていること、
を特徴とする配管システム。 - 請求項7に記載の配管システムにおいて、
前記センサは前記配管を流れる流体の音を検出するものであること、を特徴とする配管システム。 - 請求項6から8のいずれか1項に記載の配管システムを備える半導体製造装置。
- 請求項6から8のいずれか1項に記載の配管システムを備える熱交換器。
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