JP6301319B2 - ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩錯体、触媒系、およびオレフィンをオリゴマー化または重合するためのそれらの使用 - Google Patents

ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩錯体、触媒系、およびオレフィンをオリゴマー化または重合するためのそれらの使用 Download PDF

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Description

本開示は、N−ホスフィニルグアニジン化合物およびN−ホスフィニルグアニジン化合物の金属塩錯体に関する。その開示はまた、N−ホスフィニルグアニジン化合物およびN−ホスフィニルグアニジン化合物の金属塩錯体を製造する方法に関する。本開示は、さらに、N−ホスフィニルグアニジン化合物、N−ホスフィニルグアニジン化合物の金属塩錯体を利用する触媒系、および、オレフィンのオリゴマー化または重合におけるそれらの使用に関する。
オレフィンは、重要な工業品目である。それらの多くの用途は、洗剤の製造における中間体として、環境によりやさしい精製油への前駆体として、モノマーとして、および他の多くの製品形態への前駆体としての使用を含む。オレフィンの重要な部分集合はアルファ−オレフィンであり、アルファ−オレフィンを製造する1つの方法は、様々な種類の触媒および/または触媒系が関与する触媒反応である、エチレンのオリゴマー化を経由する。
オレフィンオリゴマー(例えば、アルファオレフィン)に対する用途および需要は、増加し続け、それらを供給する競争は対応して激しくなっている。したがって、オレフィンオリゴマー化および/または重合のための、さらに新規で改良された触媒および方法が望まれる。
一態様において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体化された金属塩あるいはN−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体化されたクロム塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体に関する。別の態様において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体化されたクロム塩を含むN−ホスファニルグアニジン金属塩錯体を含む組成物に関する。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、構造MGu1、構造MGu2、構造MGu3、構造MGu4または構造MGu5を有してもよいか、あるいは構造CrGu1、構造CrGu2、構造CrGu3、構造CrGu4、または構造CrGu5を有してもよい。いくつかの実施形態において、金属塩がクロム塩である場合、クロム塩は、カルボン酸クロム(III)、クロム(III)β−ジケトナートまたはハロゲン化クロム(III)を含んでもよい。
別の態様において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン化合物および金属アルキル化合物と錯体化された金属塩あるいはN−ホスフィニルグアニジン化合物および金属アルキル化合物と錯体化されたクロム塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む触媒系に関する。いくつかの実施形態において、金属アルキル化合物はアルミノキサンであってもよい。いくつかの実施形態において、アルミノキサンは、メチルアルミノキサン(MAO)、修飾されたメチルアルミノキサン(MMAO)、エチルアルミノキサン、n−プロピルアルミノキサン、イソ−プロピルアルミノキサン、n−ブチルアルミノキサン、sec−ブチルアルミノキサン、イソ−ブチルアルミノキサン、t−ブチルアルミノキサン、1−ペンチルアルミノキサン、2−ペンチルアルミノキサン、3−ペンチルアルミノキサン、イソ−ペンチルアルミノキサン、ネオペンチルアルミノキサンおよびそれらの混合物あるいは修飾されたメチルアミノキサン(MMAO)を含んでもよい。さらなる態様において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体と金属アルキル化合物とを接触させるステップあるいはN−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体と金属アルキル化合物とを接触させるステップを含む、触媒系を調製するプロセスに関する。一実施形態において、触媒系はオレフィンの実質的に非存在下で熟成されてもよい。
さらに別の態様において、本開示は、a)i)オレフィンと、ii)(a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体(あるいはN−ホスフィニルグアニジンクロム塩化合物)および(b)金属アルキル化合物(あるいはアルミノキサン)を含む触媒系とを接触させて、オリゴマー生成物を形成させるステップと、b)オリゴマーを回収するステップとを含む、オリゴマー化プロセスに関する。いくつかの実施形態において、触媒系、オレフィンおよび水素はオリゴマー生成物を形成するために接触されてもよい。いくつかの実施形態において、オレフィンはエチレンを含んでもよい。オレフィンがエチレンを含む実施形態において、オリゴマー生成物は、60〜99.9重量%のCおよびCオレフィンを含む液体オリゴマー生成物を含んでもよい。オレフィンがエチレンを含む別の実施形態において、Cオリゴマー生成物は少なくとも90重量%の1−ヘキンを含んでもよいか、あるいはCオリゴマー生成物は少なくとも90重量%の1−オクテンを含む。
本明細書において使用される用語をより明瞭に定義するために、以下の定義が提供される。他に示さない限り、以下の定義が本開示に適用できる。ある用語が本開示において使用されるが、本明細書において具体的に定義されない場合、その定義が、本明細書において適用される他の任意の開示または定義と矛盾しない限り、またはその定義が適用される任意のクレームを不明確または不可能にしない限り、IUPAC Compendium of Chemical Terminology,2ndEd(1997)からの定義を適用することができる。参照によって本明細書において組み込まれる任意の文書によって提供される任意の定義または使用が、本明細書において提供される定義または使用と矛盾する範囲では、本明細書において提供される定義または使用が優先する。
周期表の族は、Chemical and Engineering News,63(5),27,1985に公開された版の元素の周期表に示されている番号体系を使用して示す。いくつかの事例において、元素の族は、族に割り当てられた一般名;例えば、1族元素に対してアルカリ金属、2族元素に対してアルカリ土類金属、3〜12族元素対して遷移金属、および17族元素に対してハロゲンを使用して示すことができる。
クレーム移行用語または移行句に関して、「包含する」、「含有する」、「有する」、または「特徴とする」と同義である、「含む」という移行用語は、包括的であり、すなわち、オープンエンドであり、さらなる記述しない要素またはプロセスステップを除外しない。「からなる」という移行句は、クレーム中の指定されないいかなる要素、ステップ、または原料も除外する。「本質的にからなる」という移行句は、クレームの範囲を、指定された物質またはステップ、ならびに請求された発明の基本的および新規の特性(複数可)に実質的に影響を与えないものに限定する。「本質的にからなる」クレームは、「からなる」書式で書かれたクローズドのクレームと「含む」書式で起草された完全にオープンなクレームとの間の中央領域を占める。化合物または組成物を記載する場合、それとは反対の指示がない限り、「本質的にからなる」は、「含む」と解釈されるものではなく、その用語が適用される組成物またはプロセスを著しく改変しない物質を含む、記述された要素を記載するように意図される。例えば、物質Aからなる供給原料は、記述された化合物または組成物の工業的に製造されたまたは市販の試料中に、通常、存在する不純物を含むことができる。クレームが、異なる特色および/または特色の種類(なかんずく、例えば、プロセスステップ、供給原料の特色、および/または、製品の特色)を含む場合、「含む」、「本質的にからなる」、および「からなる」という移行用語は、使用される特色の種類にのみに当てはまり、クレーム内の異なる特色を含む異なる移行用語または移行句を使用することができる。例えば、あるプロセスは、いくつかの記述されたステップ(および他の記述されていないステップ)が含むことができるが、特定のステップからなる、または代替として特定のステップからなる触媒系調製物を使用するおよび/または記述された要素および他の記述されていない要素を含む触媒系を使用することができる。
組成物および方法が様々な要素またはステップを「含む」という観点から記載されているが、組成物および方法はまた、様々な要素またはステップ「本質的にからなる」または「からなる」ことができる。
「a」、「an」、および「the」という用語は、特に他に示されない限り、複数の代替、例えば、少なくとも1つを含むよう意図される。例えば、「トリアルキルアルミニウム化合物」の開示は、別段の定めがない限り、1種のトリアルキルアルミニウム化合物、または複数のトリアルキルアルミニウム化合物の混合物または組み合わせを包含するよう意図される。
本明細書において、主題の特徴は、特定の態様および/または実施形態内で、異なる特徴の組合せが想定され得るように記載され得る。本明細書に開示されている各々および全ての態様および/または実施形態に関して、本明細書に記載されている化合物、プロセスおよび/または方法に有害に影響を与えない特徴の全ての組合せが、特定の組合せの明確な説明と共にまたはそれらを用いずに意図される。さらに、他に明確に記載されていない限り、本明細書に開示されている任意の態様および/または実施形態は、本出願の本発明の特徴を示すために組み合わされてもよい。
本明細書に開示される任意の特定の化合物に関して、提示された一般構造または名称はまた、他に示されない限り、置換基の特定の集合から生じ得る構造異性体、配座異性体、および立体異性体をすべて包含するように意図される。したがって、ある化合物に対する一般的な言及は、他に明示的に示されない限り、すべての構造異性体を含む。例えば、ペンタンに対する一般的な言及は、n‐ペンタン、2−メチル−ブタン、および2,2−ジメチルプロパンを含み、一方、ブチル基に対する一般的な言及は、n−ブチル基、sec−ブチル基、イソ−ブチル基、およびtert−ブチル基を含む。さらに、一般的な構造または名称に対する言及は、文脈が認めるまたは必要とする限り、鏡像異性体であろうとまたはラセミ体であろうとすべての鏡像異性体、ジアステレオマー、および他の光学異性体、ならびに立体異性体の混合物を包含する。提示される任意の特定の式または名称について、提示される任意の一般式または名称はまた、置換基の特定の集合から生じ得るすべての配座異性体、位置異性体、および立体異性体を包含する。
化学「基」は、たとえその基がこのようにして文字通りに合成されなくても、例えば、基を生成するために親化合物から形式的に除去された水素原子の数によって、その基が参照または「親」化合物からどのように形式的に由来するかによって記載される。これらの基は、置換基として使用され、または、金属原子に配位もしくは結合され得る。例として、アルカンから1個の水素原子を除去することによって、「アルキル基」を形式的に誘導することができ、一方、アルカンから2個の水素原子を除去することにより「アルキレン基」を形式的に誘導することができる。さらに、より一般的な用語を、親化合物から任意の数(「1個または複数」)の水素原子を除去することにより形式的に誘導される様々な基を包含するために使用することができる。この親化合物は、この例においては「アルカン基」として記載することができ、また、「アルキル基」を包含するが、アルカンから、状況に応じて必要な、3個以上の水素原子が除去される「アルキレン基」を包含する。全体を通じて、置換基、配位子、または、他の化学的な部分が特定の「基」を構成し得るという開示は、記載される通りその基が使用されるとき、化学構造および結合の周知のルールに従うことを示唆する。「によって誘導される」、「から由来する」、「によって形成される」または「から形成される」基を記載する場合、そのような用語は、形式的な意味において使用され、他に指定されまたは文脈が他に必要としない限り、任意の特定の合成法または手順を反映するようには意図されない。
ある基を記載するために、例えば、特定の基の置換された類似体を指すときに使用される場合の「置換された」という用語は、その基の水素を形式的に置き換える任意の非水素部分を記載することが意図され、非限定的であるように意図される。基(複数可)はまた、本明細書において「非置換」または「無置換」などの等価の用語で呼ばれ、これは、非水素部分がその基内の水素を置き換えていない元の基を指す。「置換された」は、非限定的であり、無機置換基または有機置換基を含むように意図される。さらに、他の識別子または制限用語が、特定の置換基の有無、特定の位置化学および/または立体化学、または基礎をなす分枝構造もしくは骨格の有無を示すために使用されてもよい
グアニジン基は、一般構造

を有する基である。グアニジンのコア内で、中心の炭素原子との二重結合に関与する窒素はN窒素と称され、中心の炭素原子との単結合に関与する2つの窒素原子はN窒素およびN窒素と称される。同様に、N、NおよびN窒素原子に取り付けられる基はそれぞれ、N基、N基およびN基と称される。N−ホスフィニルグアニジン基は、一般構造

を有する。N−ホスフィニルグアニジン基内で、グアニジンコアの中心の炭素原子との二重結合に関与する窒素はN窒素と称され、グアニジンコアの中心の炭素原子との単結合およびホスフィニル基のリン原子との結合に関与する窒素原子はN−窒素と称され、グアニジンコアの中心の炭素原子との単結合に関与する残りの窒素原子はN窒素と称される。グアニジンコアまたはN−ホスフィニルグアニジン基は、グアニジンを含有しないより大きな基(または化合物)の一部であってもよいことは留意されるべきである。例えば、化合物7−ジメチルホスフィニルイミダゾ[1,2−a]イミダゾールは、イミダゾ[1,2−a]イミダゾールコアを有する化合物(またはホスフィニルイミダゾ[1,2−a]イミダゾール基を有する化合物)と分類され得、7−ジメチルホスフィニルイミダゾ[1,2−a]イミダゾールはさらに、グアニジンコア(またはN2−ホスフィニルグアニジン基)の定義された一般構造を含有するので、グアニジンコアを有する化合物(またはN−ホスフィニルグアニジン基を有する化合物)と分類される。
「オルガニル基」という用語は、本明細書において、IUPACによって指定された定義、「官能基の種類に関係なく、炭素原子に遊離の1価を有する有機置換基」に従って使用される。同様に、「オルガニレン基」とは、官能基の種類に関係なく、有機化合物から2個の水素原子、すなわち、1個の炭素原子から2個の水素原子を、または2個の異なる炭素原子それぞれから1個の水素原子を除去することにより誘導されたオルガニック基を指す。「オルガニック基」とは、有機化合物の炭素原子から1個または複数の水素原子を除去することにより形成された一般化された基を指す。したがって、「オルガニル基」、「オルガニレン基」および「オルガニック基」は、有機官能基(複数可)および/または炭素および水素以外の原子(複数可)を含むことができる。すなわち、オルガニック基は、炭素および水素に加えて官能基および/または原子を含むことができる。例えば、炭素および水素以外の原子の非限定的な例は、ハロゲン、酸素、窒素、リンなどを含む。官能基の非限定的な例は、エーテル、アルデヒド、ケトン、エステル、スルフィド、アミン、ホスフィンなどを含む。一態様において、除去されて「オルガニル基」、「オルガニレン基」または「オルガニック基」を形成する水素原子(複数可)は、官能基、なかんずく、例えば、アシル基(−C(O)R)、ホルミル基(−C(O)H)、カルボキシ基(−C(O)OH)、ヒドロカルボキシカルボニル基(−C(O)OR)、シアノ基(−C≡N)、カルバモイル基(−C(O)NH)、N−ヒドロカルビルカルバモイル基(−C(O)NHR)、またはN,N’−ジヒドロカルビルカルバモイル基(−C(O)NR)に属する炭素原子に結合されていてもよい。別の態様において、除去されて「オルガニル基」、「オルガニレン基」または「オルガニック基」を形成する水素原子(複数可)は、官能基、例えば、−CHC(O)CH,−CHNRなどに属さず、かつ、そこから遠い炭素原子に結合されていてもよい。「オルガニル基」、「オルガニレン基」または「オルガニック基」は、環式もしくは非環式を含む脂肪族であってもよく、または芳香族であってもよい。「オルガニル基」、「オルガニレン基」および「オルガニック基」はまた、ヘテロ原子含有環、ヘテロ原子含有環系、ヘテロ芳香環、およびヘテロ芳香環系を包含する。「オルガニル基」、「オルガニレン基」および「オルガニック基」は、別段の定めがない限り、直鎖状または分岐状であってもよい。最後に、「オルガニル基」、「オルガニレン基」または「オルガニック基」定義は、「ヒドロカルビル基」、「ヒドロカルビレン基」、「炭化水素基」をそれぞれ、また成員として「アルキル基」、「アルキレン基」および「アルカン基」をそれぞれ含むことが留意される。
本出願の目的に対して、「不活性官能基からなるオルガニル基」という用語または用語の変形は、有機官能基(複数可)、および/または、官能基中に存在する炭素および水素以外の原子(複数可)が、金属化合物と錯体を形成しない、および/または本明細書において定義された工程条件下で不活性である、有機官能基(複数可)、および/または、炭素および水素以外の原子(複数可)に限定されたオルガニル基を指す。したがって、「不活性官能基からなるオルガニル基」という用語または用語の変形は、さらに、不活性官能基からなるオルガニル基内に存在し得る特定のオルガニル基を定義する。さらに、「不活性官能基からなるオルガニル基」という用語は、オルガニル基内の1個または複数の不活性官能基の存在を指すことがある。「不活性官能基からなるオルガニル基」という用語または用語の変形の定義は、(他の基の中でも)成員としてヒドロカルビル基を含む。同様に、「不活性官能基からなるオルガニレン基」とは、不活性官能基からなる有機化合物の1個または2個の炭素原子から2個の水素原子を除去することによって形成されたオルガニック基を指し、また「不活性官能基からなるオルガニック基」とは、不活性官能基からなる有機化合物の1個または2個の炭素原子から2個の水素原子を除去することによって形成された不活性官能基からなる一般化されたオルガニック基を指す。
本出願の目的に対して、「不活性官能基」とは、i)不活性官能基を有する物質が一部を成す、本明細書に記載されるプロセスと実質的に干渉しない、および/またはii)金属塩錯体の金属塩と錯体を形成しない、ヘテロ原子上に自由原子価を有する基である。「金属塩錯体の金属塩と錯体を形成しない」という用語は、金属塩と錯体を形成し得るが、しかし、特に本明細書に記載される分子は、配位子内の不活性官能基の位置関係により、金属塩と錯体を形成し得ない基を含んでいてもよい。したがって、特定の官能基の不活性度は、金属化合物と錯体を形成する官能基の固有の無能力に関係するだけでなく、金属塩錯体内の官能基の位置にも関係し得る。本明細書において記載されるプロセスと実質的に干渉しない、および/または(ii)金属塩錯体の金属塩と錯体を形成しない不活性官能基の非限定的な例は、ハライド(フッ化物、塩化物、臭化物およびヨウ化物)、ニトロ、ヒドロカルボキシ基(とりわけ、例えば、アルコキシ、および/またはアロキシ)、および/またはヒドロカルビル基(例えば、RS−)を含むことができる。
「炭化水素」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、炭素および水素のみを含有する化合物を指す。他の識別子は炭化水素中の特定の基の存在を示すために使用することができる(例えば、ハロゲン化炭化水素は、炭化水素中の等しい数の水素原子を置き換えた1個または複数のハロゲン原子の存在を示す)。「ヒドロカルビル基」という用語は、本明細書において、IUPACによって規定された定義:「炭化水素から水素原子を除去することにより形成された1価の基」に従って使用される。ヒドロカルビル基の非限定的な例は、エチル、フェニル、トリル、プロペニルなどを含む。同様に、「ヒドロカルビレン基」は、炭化水素から2個の水素原子、1個の炭素原子からの2個の水素原子、または、2個の異なる炭素原子のそれぞれから1個の水素原子を除去することにより形成された基を指す。したがって、本明細書において使用される用語論によると、「炭化水素基」は、炭化水素から1個または複数の水素原子を(特定の基に必要なように)除去することによって形成された一般化された基を指す。「ヒドロカルビル基」、「ヒドロカルビレン基」および「炭化水素基」は、非環式または環式の基であってもよく、および/または直鎖状または分枝状であってもよい。「ヒドロカルビル基」、「ヒドロカルビレン基」および「炭化水素基」は、炭素および水素を含む環、環系、芳香環、および芳香環系を含むことができる。「ヒドロカルビル基」、「ヒドロカルビレン基」および「炭化水素基」は、例として、成員として、他の基の中でも、アリール、アリーレン、アレーン、アルキル、アルキレン、アルカン、シクロアルキル、シクロアルキレン、シクロアルカン、アラルキル、アラルキレンおよびアラルカン基を含む。
「アルカン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、飽和炭化水素化合物を指す。他の識別子をアルカン中の特定の基の存在を示すために使用することができる。(例えば、ハロゲン化アルカンは、アルカン中の等しい数の水素原子を置き換えた1個または複数のハロゲン原子の存在を示す)。「アルキル基」という用語は、本明細書においてIUPACによって規定された定義:「アルカンから水素原子を除去することにより形成された1価の基」に従って使用される。同様に、「アルキレン基」とは、アルカンから2個の水素原子(1個の炭素原子からの2個の水素原子、または2個の異なる炭素原子からの1個の水素原子のどちらか)を除去することにより形成された基を指す。「アルカン基」とは、アルカンから1個または複数の水素原子を(特定の基に必要なように)除去することによって形成された基を指す一般的用語である。「アルキル基」、「アルキレン基」および「アルカン基」は、別段の定めがない限り、非環式または環式の基であってもよく、および/または直鎖状または分枝状であってもよい。第一級、第二級、および第三級アルキル基は、アルカンの、それぞれ、第一級、第二級、第三級炭素原子からの水素原子の除去によって誘導される。n−アルキル基は、直鎖状アルカンの末端炭素原子からの水素原子の除去によって誘導することができる。基RCH(R≠H)、RCH(R≠H)、およびRC(R≠H)は、それぞれ、第一級、第二級、および第三級アルキル基である。
シクロアルカンは、側鎖を含む、または含まない飽和環式炭化水素、例えば、シクロブタンである。1個または複数の二重結合または1個の三重結合を環内に有する不飽和環状炭化水素は、それぞれシクロアルケンおよびシクロアルキンと呼ばれる。ただ1個、ただ2個、ただ3個などの二重結合または三重結合を、それぞれ、環内に有するシクロアルケンおよびシクロアルキンは、「モノ」、「ジ」、「トリ」などの用語の使用によって、シクロアルケンまたはシクロアルキンの名称内で特定することができる。シクロアルケンおよびシクロアルキンは、さらに、環内の二重結合または三重結合の位置を特定することができる。
「シクロアルキル基」は、シクロアルカンの環炭素原子から水素原子を除去することにより誘導される1価の基である。例えば、1−メチルシクロプロピル基および2−メチルシクロプロピル基は、以下のように図示される。

同様に、「シクロアルキレン基」とは、少なくともその1個が環炭素であるシクロアルカンから2個の水素原子を除去することにより誘導された基を指す。したがって、「シクロアルキルエン基」は、2個の水素原子が同一の環炭素から形式的に除去されたシクロアルカンから誘導された基、2個の水素原子が2個の異なる環炭素から形式的に除去されたシクロアルカンから誘導された基、および、第1の水素原子が環炭素から形式的に除去され、かつ第2の水素原子が環炭素でない炭素原子から形式的に除去されたシクロアルカンから誘導された基のいずれをも含む。「シクロアルカン基」とは、シクロアルカンから1個または複数の水素原子を(特定の基に必要なように、また少なくともその1個は環炭素である)除去することにより形成された一般化された基を指す。本明細書に提供された定義によると、一般的なシクロアルカン基(シクロアルキル基およびシクロアルキレン基を含む)は、シクロアルカン環炭素原子(例えば、メチルシクロプロピル基)に結合した、0、1個または複数のヒドロカルビル置換基を有する基を含み、炭化水素基の群の成員であることが留意されるべきである。しかし、指定された数のシクロアルカン環炭素原子を有するシクロアルカン基(とりわけ、例えば、シクロペンタン基またはシクロヘキサン基)を指す場合、規定された数のシクロアルカン環炭素原子を有するシクロアルカン基の基本名は、非置換シクロアルカン基(シクロアルカン基環炭素原子上に位置するヒドロカルビル基を有しない基を含む)を指す。したがって、指定された数の環炭素原子を有する置換シクロアルカン基(とりわけ、例えば、置換シクロペンタンまたは置換シクロヘキサン)は、シクロアルカン基環炭素原子に結合した1個または複数の置換基を有する各基(他の置換基の中でも、ハロゲン、ヒドロカルビル基、および/またはヒドロカルボキシ基を含む)を指す。規定された数のシクロアルカン環炭素原子を有する置換シクロアルカン基が、炭化水素基の群の成員(またはシクロアルカン基の一般的な群の成員)である場合、規定された数のシクロアルカン環炭素原子を有する置換シクロアルカン基の各置換基は、ヒドロカルビル置換基に限定される。炭化水素基の成員(またはシクロアルカン基の一般的な基の成員)として使用することができる、特定の数の環炭素原子を有する一般的な基、特定の基、および/または個々の置換シクロアルカン基(複数可)は、容易に識別し選択することができる。
「オレフィン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、芳香環または環系の一部でない、少なくとも1個の炭素炭素二重結合を有する化合物を指す。「オレフィン」という用語は、特に別記しない限り、芳香環または環系の一部でない、少なくとも1個の炭素炭素二重結合を有する、脂肪族および芳香族、環式および非環式の、および/または直鎖状および分枝状化合物を含む。「オレフィン」という用語単独では、明示的に示されない限り、ヘテロ原子の有無および/または他の炭素炭素二重結合の有無を示さない。ただ1個、ただ2個、ただ3個などの炭素炭素二重結合を有するオレフィンは、「モノ」、「ジ」、「トリ」などの用語の使用によって、オレフィンの名称内で特定することができる。オレフィンは、炭素炭素二重結合の位置によってさらに特定することができる。
「アルケン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、1個または複数の炭素炭素二重結合を有する直鎖状または分岐状炭化水素オレフィンを指す。ただ1個、ただ2個、ただ3個などのそのような多重結合を有するアルケンは、「モノ」、「ジ」、「トリ」などの用語の使用によって、その名称内で特定することができる。例えば、アルカモノエン、アルカジエンおよびアルカトリエンは、ただ1個の炭素炭素二重結合(一般式C2n)、ただ2個の炭素炭素二重結合(一般式C2n−2)、およびただ3個の炭素炭素二重結合(一般式C2n−4)をそれぞれ有する、直鎖状または分枝状炭化水素オレフィンを指す。アルケンは、さらに、炭素炭素二重結合の位置によって特定することができる。他の識別子はアルケン内の特定の基の有無を示すために使用することができる。例えば、ハロアルケンは、1個または複数の水素原子をハロゲン原子に置き換えたアルケンを指す。
「アルケニル基」は、アルケンの任意の炭素原子からの水素原子の除去によってアルケンから誘導された1価の基である。したがって、「アルケニル基」は、sp混成(オレフィン)炭素原子から水素原子が形式的に除去された基、および他の任意の炭素原子から形式的に水素原子が除去された基を含む。例えば、別段の定めがない限り、1−プロペニル(−CH=CHCH)、2−プロペニル[(CH)C=CH]、および3−プロペニル(−CHCH=CH)基はすべて、「アルケニル基」という用語に包含される。同様に、「アルケニレン基」は、アルケンから形式的に2個の水素原子、すなわち1個の炭素原子からの2個の水素原子または2個の異なる炭素原子からの1個の水素原子を除去することにより形成された基を指す。「アルケン基」とは、アルケンから1個または複数の水素原子を(特定の基に必要なように)除去することにより形成された一般化された基を指す。水素原子が炭素炭素二重結合に参加する炭素原子から除去される場合、水素原子が除去される炭素の位置化学、および炭素炭素二重結合の位置化学はともに指定することができる。アルケン基はまた、複数の炭素炭素二重結合を有することができる。アルケン基はまた、炭素炭素二重結合の位置によってさらに特定することができる。
本明細書および特許請求の範囲において使用される場合、「アルファオレフィン」という用語は、炭素原子の最長の隣接鎖の1番目および2番目の炭素原子の間に炭素炭素二重結合を有するオレフィンを指す。特に他に明示されない限り、「アルファオレフィン」という用語は、直鎖状および分枝状アルファオレフィンを含む。分枝状アルファオレフィンの場合には、分枝は、オレフィン二重結合に関して2位(ビニリデン)におよび/または3位以上にあってもよい。「ビニリデン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、オレフィン二重結合に関して2位に分枝を有するアルファオレフィンを指す。明示的に示されない限り、「アルファオレフィン」という用語は、それ自体で、ヘテロ原子の有無および/または他の炭素炭素二重結合の有無を示さない。「炭化水素アルファオレフィン」または、「アルファオレフィン系炭化水素」という用語は、水素および炭素のみを含有するアルファオレフィン化合物を指す。
本明細書において使用される場合、「直鎖状アルファオレフィン」という用語は、1番目および2番目の炭素原子の間に炭素炭素二重結合を有する直鎖状のオレフィンを指す。「直鎖状アルファオレフィン」という用語単独では、明示的に示されない限り、ヘテロ原子の有無および/または他の炭素炭素二重結合の有無を示さない。「直鎖状炭化水素アルファオレフィン」または「直鎖状アルファオレフィン炭化水素」という用語は、水素および炭素のみを含有する直鎖状アルファオレフィン化合物を指す。
「ノルマルアルファオレフィン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、1番目および2番目の炭素原子の間に炭素炭素二重結合を有する直鎖状炭化水素モノオレフィンを指す。「直鎖状アルファオレフィン」という用語が、1番目および2番目の炭素原子の間に二重結合を有し、ヘテロ原子および/またはさらなる二重結合を有する直鎖状オレフィン化合物を包含することができるように、「ノルマルアルファオレフィン」は「直鎖状アルファオレフィン」と同義ではないことが留意される。
「本質的にノルマルアルファオレフィン(複数可)からなる」という用語またはその変形は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、市販のノルマルアルファオレフィン製品(複数可)を指す。市販のノルマルアルファオレフィン製品は、他の不純物の中でも、ビニリデン、内部オレフィン、分枝状アルファオレフィン、パラフィン、およびジオレフィンなどの非ノルマルアルファオレフィン不純物を含むことがあり、これらはノルマルアルファオレフィン製造工程中に除去されない。工業的ノルマルアルファオレフィン製品中に存在する特定の不純物の同一性および量は、工業的ノルマルアルファオレフィン製品の起源に依存することは容易に認識される。したがって、「本質的にノルマルアルファオレフィンからなる」という用語およびその変形は、明示的に示されない限り、特定の工業的ノルマルアルファオレフィン製品中に存在する量/分量(amount/quantity)より、非直鎖状アルファオレフィン成分の量/分量を厳密に限定するようには意図されない。
「複素環化合物」は、環員原子として少なくとも2種の異なる元素を有する環式化合物である。例えば、複素環化合物は、とりわけ、炭素および窒素(例えば、テトラヒドロピロール)、炭素および酸素(例えば、テトラヒドロフラン)、または炭素および硫黄(例えば、テトラヒドロチオフェン)を含有する環を含んでいてもよい。複素環化合物および複素環基は、脂肪族または芳香族のいずれであってもよい。
「ヘテロシクリル基」は、複素環化合物の複素環または環系炭素原子から水素原子を除去することにより形成された1価の基である。水素原子が複素環または環系炭素原子から除去されることを指定することによって、「ヘテロシクリル基」は、水素原子が複素環または環系ヘテロ原子から除去される「シクロヘテリル基」と識別される。例えば、以下に説明されるピロリジン−2−イル基は、「シクロヘテリル」基の一例であり、以下に説明されるピロリジン−1−イル基は、「シクロヘテリル」基の一例である。

同様に、「ヘテロシクリレン基」、またはより簡単に「ヘテロシクレン基」とは、少なくともその1個が複素環または環系炭素からである、複素環の化合物から2個の水素原子を除去することによって形成された基を指す。したがって、「ヘテロシクリレン基」において、少なくとも1個の水素は複素環または環系炭素原子から除去され、例えば、同一の複素環または環系炭素原子、異なる複素環または環系環炭素原子、または非環炭素原子を包含する他の任意の炭素原子から、他の水素原子を除去することができる。「複素環基」は、複素環化合物から1個または複数の水素原子を(特定の基に必要なように、また少なくともその1個は複素環炭素原子である)除去することにより形成された一般化された基を指す。一般に、複素環化合物は、別段の定めがない限り、脂肪族または芳香族であってもよい。
「シクロヘテリル基」は、説明の通り、複素環化合物の複素環または環系ヘテロ原子から水素原子を除去することにより形成された1価の基である。水素原子が、環炭素原子からではなく、複素環または環系ヘテロ原子から除去されることを指定することによって、「シクロヘテリル基」は、水素原子が、複素環または環系炭素原子から除去される「ヘテロシクリル基」から識別される。同様に、「シクロヘテリレン基」は、少なくともその1個が複素環化合物の複素環または環系ヘテロ原子から除去され、他の水素原子は、例えば、複素環または環系環炭素原子、別の複素環または環系ヘテロ原子、または非環原子(炭素またはヘテロ原子)を包含する他の原子から除去することができる、複素環化合物から2個の水素原子を除去することによって形成された基を指す。「シクロヘテロ基」は、複素環化合物から1個または複数の水素原子を(特定の基に必要なように、またその少なくとも1個は複素環または環系ヘテロ原子からである)除去することにより形成された一般化された基を指す。
脂肪族化合物は、芳香族化合物を除く、非環式または環式の、飽和または不飽和の炭素化合物である。したがって、脂肪族化合物は、芳香族化合物を除く、非環式または環式の、飽和または不飽和の炭素化合物である。すなわち、脂肪族化合物は非芳香族有機化合物である。「脂肪族基」は、脂肪族化合物の炭素原子から1個または複数の水素原子を(特定の基に必要なように)除去することによって形成された一般化された基である。したがって、脂肪族の化合物は、芳香族化合物を除く、非環式または環式の、飽和または不飽和の炭素化合物である。すなわち、脂肪族化合物は、非芳香族有機化合物である。脂肪族化合物と、したがって、脂肪族基は、炭素および水素以外の有機官能基(複数可)および/または原子(複数可)を含んでいてもよい。
芳香族化合物は、nが1から5までの整数である、Huckel(4n+2)ルールに従い、(4n+2)π電子を含む、循環的に共役の二重結合系を含有する化合物である。芳香族化合物は、「アレーン」(炭化水素芳香族化合物)、および「ヘタレーン(hetarenes)」(複素芳香族化合物)とも称せられる「ヘテロアレーン」を含む。ヘテロアレーンは、芳香族系の特徴である連続的なπ電子系、およびHuckelルール(4n+2)に対応する数の面外π電子を維持するように、周期的な共役二重結合系の1個または複数のメチン(C=)炭素原子を、3価または2価のヘテロ原子と置き換えることによってアレーンから形式的に誘導される。アレーン化合物およびヘテロアレーン化合物は芳香族化合物の群の相互に排他的な成員であるが、アレーン基およびヘテロアレーン基の両方を有する化合物は、一般にヘテロアレーン化合物と考えられる。芳香族化合物、アレーン、およびヘテロアレーンは、別段の定めがない限り、単環(例えば、ベンゼン、トルエン、フラン、ピリジン、メチルピリジン)、または多環であってもよい。多環芳香族化合物、アレーンおよびヘテロアレーンは、別段の定めがない限り、芳香環が縮合されていてよい化合物(例えば、ナフタレン、ベンゾフラン、およびインドール)、芳香族基が分離され結合によって連結されていてよい化合物(例えば、ビフェニルまたは4−フェニルピリジン)、または芳香族基が連結原子を含む基によって連結された化合物(他の連結基の中でも、例えば、炭素−ジフェニルメタン中のメチレン基;酸素−ジフェニルエーテル;窒素−トリフェニルアミン)を含む。本明細書において開示されたように、「置換された」という用語は、非水素部分が形式的に化合物中の水素を交換した、芳香族基、アレーン、またはヘテロアレーンを記載するために使用することができ、非限定的であることが意図される。
「芳香族基」とは、芳香族化合物から1個または複数の水素原子(特定の基に必要なように、また少なくともその1個は芳香環炭素原子である)を除去することにより形成された一般化された基を指す。1価の「芳香族基」に関して、除去された水素原子は芳香環炭素からでなければならない。芳香族化合物から複数の水素原子を除去することにより形成された「芳香族基」に関して、少なくとも1個の水素原子は芳香族炭化水素環炭素からでなければならない。さらに、「芳香族基」は、水素原子が芳香環または環系の同一の環から除去され(例えば、フェン−1,4−イレン、ピリジン−2,3−イレン、ナフト−1,2−イレン、およびベンゾフラン−2,3−イレン)、水素原子が環系の2個の異なる環から除去され(例えば、ナフト−1,8−イレンおよびベンゾフラン−2,7−イレン)、または水素原子が2個の単離した芳香環または環系から除去されていてもよい(例えば、ビス(フェン−4−イレン)メタン)。
アレーンは、側鎖を含む、または含まない芳香族炭化水素である(とりわけ、例えば、ベンゼン、トルエン、またはキシレン)。「アリール基」は、アレーンの芳香環炭素からの水素原子の形式的な除去から誘導された基である。アレーンは、単一の芳香族炭化水素環(例えば、ベンゼン、またはトルエン)を含み、縮合芳香環(例えば、ナフタレンまたはアントラセン)を含み、結合を介して共有結合で連結した1個または複数の単離した芳香環(例えば、ビフェニル)または非芳香族炭化水素基(複数可)(例えば、ジフェニルメタン)を含んでいてもよいことは留意されるべきである。「アリール基」の一例は、オルト−トリル(o−トリル)であり、その構造は次に示される。

同様に、「アリーレン基」とは、アレーンから2個の水素原子(少なくともその1個は芳香環炭素からである)を除去することにより形成された基を指す。「アレーン基」とは、アレーンから1個または複数の水素原子(特定の基に必要なように、またその少なくとも1個は芳香環炭素である)を除去することにより形成された一般化された基を指す。しかし、基が別々の異なったアレーンおよびヘテロアレーン環または環系(例えば、7−フェニルベンゾフラン中のフェニルおよびベンゾフランの部分)を含む場合、その分類は、水素原子が除去された特定の環または環系、すなわち、除去された水素が芳香族炭化水素環または環系炭素原子から来た場合、アレーン基(例えば、6−フェニルベンゾフランのフェニル基中の2−炭素原子)、および除去された水素炭素(hydrogen carbon)がヘテロ芳香環または環系炭素原子から来た場合、ヘテロアレーン基(例えば、ベンゾフラン基または6−フェニルベンゾフランの2−または7−炭素原子)に依存する。本明細書に提供される定義によると、一般的なアレーン基(アリール基およびアリーレン基を含む)は、芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置する0、1、または複数のヒドロカルビル置換基を有する基(とりわけ、例えば、トルエン基またはキシレン基)を包含し、炭化水素基の群の成員であることが留意されるべきである。しかし、フェニル基(またはフェニレン基)および/またはナフチル基(またはナフチレン基)は、特定の非置換アレーン基(芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置するヒドロカルビル基を有しない)を指す。したがって、置換フェニル基または置換ナフチル基は、芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置する1個または複数の置換基(とりわけ、ハロゲン、ヒドロカルビル基、および/またはヒドロカルボキシ基を含む)を有する各アレーン基を指す。置換フェニル基および/または、置換ナフチル基が、炭化水素基の群の成員(またはアレーン基の一般的な群の成員)である場合、各置換基はヒドロカルビル置換基に限定される。当業者は、炭化水素基の群の成員(またはアレーン基の一般的な群の成員)として使用することができる、一般的フェニルおよび/またはナフチル基、特定のフェニルおよび/またはナフチル基、および/または個々の置換フェニルまたは置換ナフチル基を容易に識別し選択することができる。
ヘテロアレーンは、芳香環または環系内にヘテロ原子を有する、側鎖を含むまたは含まない芳香族化合物である(とりわけ、例えば、ピリジン、インドール、またはベンゾフラン)。「ヘテロアリール基」は、「ヘテロシクリル基」の種類であり、ヘテロアレーン化合物のヘテロ芳香環または環系炭素原子から水素原子を除去することにより形成された1価の基である。水素原子が環炭素原子から除去されたことを指定することによって、「ヘテロアリール基」は、水素原子がヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子から除去された「アリールヘテリル基」と識別される。例えば、以下に説明されるインドール−2−イル基は、「ヘテロアリール基」の一例であり、以下に説明されるインドール−1−イル基は、「アリールヘテリル」基の一例である。

同様に、「ヘテロアリーレン基」とは、少なくともその1個がヘテロアレーン環または環系炭素原子からである2個の水素原子を、ヘテロアレーン化合物から除去することにより形成された基を指す。したがって、「ヘテロアリーレン基」において、少なくとも1個の水素が、ヘテロアレーン環または環系炭素原子から除去され、他の水素原子は、例えば、ヘテロアレーン環もしくは環系炭素原子、または非ヘテロアレーン環もしくは環系原子を包含する他の炭素原子から除去することができる。「ヘテロアレーン基」とは、ヘテロアレーン化合物から1個または複数の水素原子(特定の基に必要なように、また少なくともその1個はヘテロアレーン環炭素原子または環系炭素原子である)を除去することによって形成された一般化された基を指す。水素原子が、ヘテロ芳香環もしくは環系ヘテロ原子から、および、ヘテロ芳香環または環系炭素原子、または芳香族炭化水素環もしくは環系炭素原子から除去される場合、この基は、「アリールヘテリレン(arylheterylene)基」または「アリールヘテロ基」として分類される。
「アリールヘテリル基」は、「シクロヘテリル基」の種類であり、説明されるように、ヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子から水素原子を除去することにより形成された1価の基である。ヘテロ芳香環または環系炭素原子からではなく、水素原子がヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子から除去されると指定することによって、「アリールヘテリル基」は、水素原子がヘテロ芳香環または環系炭素原子から除去される「ヘテロアリール基」と識別される。同様に、「アリールヘテリレン基」とは、少なくともその1個がヘテロアリール化合物のヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子から除去される2個の水素原子を、ヘテロアリール化合物から除去することにより形成された基を指し;他の水素原子は、例えば、複素芳香族化合物からの、ヘテロ芳香環もしくは環系炭素原子、別のヘテロ芳香環もしくは環系ヘテロ原子、または非環原子(炭素またはヘテロ原子)を包含する他の任意の原子から除去することができる。「アリールヘテロ基」とは、ヘテロアレーン化合物から1個または複数の水素原子(特定の基に必要なように、また少なくともその1個がヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子からである)を除去することにより形成された一般化された基を指す。
「アラルキル基」は、非芳香族炭素原子(とりわけ、例えば、ベンジル基、または2−フェニルエタ−1−イル2−phenyleth−1yl基)に遊離の原子価valanceを有するアリール置換アルキル基である。同様に、「アラルキレン基」は、1個の非芳香族炭素原子に遊離の2価、または2個の非芳香族炭素原子に遊離の1価を有するアリール置換アルキレン基であるが、「アラルカン基」は、非芳香族炭素原子(複数可)に遊離の1または複数の価を有する一般化されたアリール置換アルカン基である。「ヘテロアラルキル基」は、非ヘテロ芳香環または環系炭素原子に遊離の原子価を有する、ヘテロアリール置換アルキル基である。同様に、「ヘテロアラルキレンheteroaralkylene基」は、1個の非ヘテロ芳香環もしくは環系炭素原子に遊離の2価または2個の非ヘテロ芳香環もしくは環系炭素原子に遊離の1価を有するヘテロアリール置換アルキレン基であるが、「ヘテロアラルカン基」は、非ヘテロ芳香環または環系炭素原子に遊離の1または複数の価を有する一般化されたアリール置換アルカン基である。それは留意されるべきである本明細書において提供された定義を与えるそれ、一般的なアラルカン基は、アラルカン芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置する0、1個または複数のヒドロカルビル置換基を有する基を包含し、炭化水素基の群の成員である。しかし、特定のアリール基(とりわけ、例えば、ベンジル基中のフェニル基または2−フェニルエチル基)を指定する特定のアラルカン基は、特定の非置換アラルカン基を指す(アラルカン芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置するヒドロカルビル基を含まない)。したがって、特定のアリール基を指定する置換アラルカン基は、1個または複数の置換基有する各アラルカン基を指す(ハロゲン、ヒドロカルビル基、および/またはヒドロカルボキシ基をとりわけ含む)。特定のアリール基を指定する置換アラルカン基が炭化水素基の群の成員(またはアラルカン基の一般的な群の成員)である場合、各置換基はヒドロカルビル置換基に限定される。炭化水素基の群の成員(またはアラルカン基の一般的な群の成員)として使用することができる、特定のアリール基を指定する置換アラルカン基は、容易に識別し選択することができる。
「ハライド」はその通常の意味を有する。したがって、ハライドの例は、フルオリド、クロリド、ブロミド、およびヨージドを含む。
「オルガノヘテリル基」は、炭素を含有する1価の基である。したがって、これは有機系であるが、炭素以外の原子にそれらの遊離の原子価を有している。したがって、オルガノヘテリルおよびオルガニル基は相補的で、相互に排他的である。オルガノヘテリル基は、環式または非環式、および/または、脂肪族または芳香族であってもよく、したがって脂肪族「シクロヘテリル基」(とりわけ、例えば、ピロリジン−1−イルまたはモルホリン−1−イル)、芳香族「アリールヘテリル基」(とりわけ、例えば、ピロール−1−イルまたはインドール−1−イル)、および非環式の基(とりわけ、例えば、オルガニルチオ、トリヒドロカルビルシリル、アリールオキシ、またはアルコキシ)を包含する。同様に、「オルガノヘテリレン(organoheterylene)基」は、少なくともその1つはヘテロ原子にある遊離の2価を有する炭素および少なくとも1個のヘテロ原子を含む2価の基である。「オルガノヘテロ基」は、オルガノヘテロ化合物から遊離の1つまたは複数の価を有する(特定の基に必要なように、また少なくともその1つはヘテロ原子にある)炭素および少なくとも1個のヘテロ原子を含む一般化された基である。
「オルガノアルミニウム化合物」は、アルミニウム−炭素結合を含む任意の化合物を記載するために使用される。したがって、オルガノアルミニウム化合物は、トリアルキル、ジアルキルまたはモノアルキルアルミニウム化合物などのヒドロカルビルアルミニウム化合物;ヒドロカルビルアルモキサン化合物、およびテトラキス(p−トリル)アルミナート塩などのアルミニウムオルガニル結合を含むアルミナート化合物を含む。
本開示内では、有機命名法の一般的な規則が優先する。例えば、置換化合物または基を参照する場合、置換パターンに対する言及は、示された基(複数可)は示された位置に位置し、他の示されていないすべての位置は水素であることを示すようになされる。例えば、4−置換フェニル基に対する言及は、4の位置に位置する非水素置換基、および2、3、5、および6の位置に位置する水素があることを示す。別の例として、3−置換subtitutedナフト−2−イルに対する言及は、3の位置に位置する非水素置換基、および1、4、5、6、7、および8の位置に位置する水素があることを示す。示された位置に追加された位置に置換を有する化合物または基に対する言及は、他のいくつかの代替言語を使用して言及するであろう。例えば、4の位置に置換基を含むフェニル基に対する言及は、4の位置に非水素基、および2、3、5、および6の位置に水素または任意の非水素原子を有する基を指す。
「反応器流出物」という用語およびその派生語(例えば、オリゴマー化反応器流出物)は、反応器を出るすべての物質を一般に指す。「反応器流出物」という用語およびその派生語は、参照されている反応器流出物の部分を限定する他の記述子で前置きする(prefaced)こともできる。例えば、「反応器流出物」という用語は、反応器を出るすべての物質(とりわけ、例えば、生成物および溶媒または希釈剤)を指すが、「オレフィン反応器流出物」という用語は、オレフィン(すなわち炭素炭素)二重結合を含む反応器の流出物を指す。
「オリゴマー化」という用語およびその派生語は、2から30までのモノマー単位を含有する少なくとも70重量パーセントの生成物を含有する生成物の混合物を生成する工程を指す。同様に、「オリゴマー」は、2から30までのモノマー単位を含有する生成物であるが、「オリゴマー化生成物」または「オリゴマー生成物」は、「オリゴマー」および「オリゴマー」でない生成物(例えば、30を超えるモノマー単位を含む生成物)を包含する「オリゴマー化」工程によって生成された生成物をすべて含む。「オリゴマー」または「オリゴマー化生成物」中のモノマー単位は、同じである必要がないことが留意されるべきである。例えば、「オリゴマー」またはモノマーとしてエチレンおよびプロピレンを使用する「オリゴマー化」工程の「オリゴマー化生成物」は、エチレンおよび/またはプロピレン単位両方を含むことができる。
「重合」という用語およびその派生語は、30モノマー単位を含有する少なくとも70重量パーセントの生成物を含有する生成物の混合物を生成する工程を指す。同様に、「ポリマー」は、30を超えるモノマー単位を含有する生成物であるが、「重合生成物」または「ポリマー生成物」は、「ポリマー」を含む「重合」プロセスによって生成される全ての生成物および「ポリマー」でない生成物(例えば、30モノマー単位以下を含有する生成物)を含む。「ポリマー」または「重合生成物」中のモノマー単位は、同じである必要がないことが留意されるべきである。例えば、モノマーとしてエチレンおよびプロピレンを使用する「重合」工程の「ポリマー」または「重合生成物」は、エチレンおよび/またはプロピレン単位両方を含むことができる。
「三量化」という用語およびその派生語は、3であって3のみのモノマー単位を含有する少なくとも70重量パーセントの生成物を含有する生成物の混合物を生成する工程を指す。「三量体」は3であって3のみのモノマー単位を含有する生成物であるが、「三量化生成物」または「三量体生成物」は、三量体および三量体でない生成物(例えば、二量体または四量体)を包含する三量化工程によって生成された生成物をすべて含む。一般に、オレフィン三量化は、モノマーmonmer単位中のオレフィン結合の数、および三量体中のオレフィン結合の数を考慮に入れると、オレフィン結合の数、すなわち、炭素炭素二重結合の数を2だけ減少させる。「三量体」または「三量化生成物」中のモノマー単位は同じである必要がないことは留意されるべきである。例えば、モノマーとしてのエチレンおよびブテンを使用する「三量化」工程の「三量体」は、エチレンおよび/またはブテンモノマー単位を含むことができる。すなわち、「三量体」は、C、C、C10、およびC12生成物を包含するということである。別の例において、モノマーとしてエチレンを使用する「三量化」工程の「三量体」は、エチレン単量体単位を含むことができる。単一の分子が2個のモノマー単位を含むことができることもまた留意されるべきである。例えば、1,3−ブタジエンおよび1,4−ペンタジエンなどのジエンは、1個の分子内に2個のモノマー単位を有する。
「四量化」という用語およびその派生語は、4であって4のみのモノマー単位を含有する少なくとも70重量パーセントの生成物を含有する生成物の混合物を生成する工程を指す。「四量体」は4であって4のみのモノマー単位を含有する生成物であるが、「四量化生成物」または「四量体生成物」は、四量体および四量体でない生成物(例えば、二量体または三量体)を包含する四量化工程によって生成された生成物をすべて含む。一般に、オレフィン四量化は、モノマーmonmer単位中のオレフィン結合の数、および四量体中のオレフィン結合の数を考慮に入れると、オレフィン結合の数、すなわち、炭素炭素二重結合の数を3だけ減少させる。「四量体」または「四量化生成物」中のモノマー単位は同じである必要がないことは留意されるべきである。例えば、モノマーとしてのエチレンおよびブテンを使用する「四量化」工程の「四量体」は、エチレンおよび/またはブテンモノマー単位を含むことができる。一例において、モノマーとしてエチレンを使用する「四量化」工程の「四量体」は、エチレン単量体単位を含むことができる。単一の分子が2個のモノマー単位を含むことができることもまた留意されるべきである。例えば、1,3−ブタジエンおよび1,4−ペンタジエンなどのジエンは、1個の分子内に2個のモノマー単位を有する。
「三量化および四量化」および「三量体および四量体生成物」という用語およびその派生語は、3および/もしくは4であって/または3および/もしくは4のみのモノマー単位を含有する少なくとも70重量パーセントの生成物を含有する生成物の混合物を生成する工程を指す。「三量化および四量化生成物」は、三量体、四量体、および四量体でない生成物(例えば、二量体)を包含する「三量化および四量化」工程によって生成された生成物をすべて含む。一例において、モノマーとしてエチレンを使用する「三量化および四量化」工程は、少なくとも70重量パーセントのヘキセンおよび/またはオクテンを含有する生成物の混合物を生成する。
Xが0でない正の任意の整数である、「X炭素原子を有するオリゴマー化生成物」および「Cオリゴマー生成物」という用語または用語の変形は、モノマーのオリゴマー化によって生成されたX炭素原子を有する物質を指す。したがって、「X炭素原子を有するオリゴマー化生成物」および「Cxオリゴマー生成物」という用語は、オレフィンのオリゴマー化によって生成されなかったX炭素原子を有する物質(例えば、溶媒)およびX炭素原子を有さないオリゴマー生成物を除外する。これらの用語はまた、モノマーのオリゴマー化によって生成するX炭素原子を有する物質を指す用語の本質を減じることなく、他の記述的な言葉(とりわけ、例えば、オレフィン、液体、および混合物)およびさらなる記述的な用語の適合を含むことができる。
本開示は、他の態様および実施形態の中でも、N−ホスフィニルグアニジン化合物、N−ホスフィニルグアニジン化合物を製造する方法、N−ホスフィニルグアニジン化合物を含む金属塩錯体、N−ホスフィニルグアニジン化合物を含む金属塩錯体を製造する方法、N−ホスフィニルグアニジン化合物を含む触媒系、N−ホスフィニルグアニジン化合物を含む触媒系を製造する方法、およびN−ホスフィニルグアニジン化合物を含む触媒系を使用するオレフィンをオリゴマー化する方法を包含する。本開示のこれらの態様は、本明細書にさらに記載される。これらの態様はこれらの見出しの下に開示することができるが、見出しは、本明細書に見られる開示に限定するものではない。さらに、本明細書に開示された様々な態様および実施形態は、任意の方式で組み合わせることができる。
−ホスフィニルグアニジン化合物
一般に、本開示によって包含されるN−ホスフィニルグアニジン化合物は、少なくとも1個のN−ホスフィニルグアニジン基を有する。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物はただ1個のN−ホスフィニルグアニジンを含み、または代替として、ただ2個のN−ホスフィニルグアニジン基を含む。
一態様において、本開示が包含する化合物は、N−ホスフィニルグアニジン化合物を含む。一般に、本開示が包含するN−ホスフィニルグアニジン化合物は、N−ホスフィニルグアニジン基を含み;または代替として、2個のN−ホスフィニルグアニジン基を含む。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物は、ただ1個のN−ホスフィニルグアニジン基を含み;または代替として、ただ2個のN−ホスフィニルグアニジン基を含む。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基の数、または構造に関係なく、本化合物は、非金属であってもよい(すなわち、非金属のN−ホスフィニルグアニジン化合物またはN−ホスフィニルグアニジン基を有する非金属化合物)。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のグアニジン基は、非環式のグアニジン基(3個の窒素原子およびアミン基の中央の炭素原子が環に含まれていないグアニジン基)である。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のグアニジン基は環状グアニジン基(アミン基の窒素原子および中央の炭素原子の1つ以上が環内に含まれるグアニジン基)であってもよい。
一態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物は、構造Gu1,Gu2,Gu3,Gu4,もしくはGu5;代替として、構造Gu1;代替として、Gu2;代替として、Gu3;代替として、構造Gu4;または代替として、構造Gu5を有することができる。
一実施形態において、ただ1個のN−ホスフィニルグアニジン基を含むN−ホスフィニルグアニジン化合物は、構造Gu1,Gu2,Gu3,Gu4またはGu5;代替として、構造Gu1;代替として、構造Gu2;代替として、構造Gu3;代替として、構造Gu4;または代替として、構造Gu5を有することにより特徴付けることができる。一実施形態において、1個より多いN−ホスフィニルグアニジン基を有するN−ホスフィニルグアニジン化合物は、構造Gu1,Gu2,Gu3,Gu4,またはGu5を有することにより特徴付けることができ、ここで、R、R2a、R2b、R、R、R、L12、L22および/またはL23は、他のN−ホスフィニルグアニジン基を含む。一実施形態において、ただ2個のN−ホスフィニルグアニジン基を含むN−ホスフィニルグアニジン化合物は、構造Gu1,Gu2,Gu3,Gu4またはGu5を有することにより特徴付けることができ、ここで、R、R2a、R2b、R、R、R、L12、L22および/またはL23は、第2のN−ホスフィニルグアニジン基を含む。N−ホスフィニルグアニジン化合物が1個より多いN−ホスフィニルグアニジン基であり得るいくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基の原子の1個以上は、1個より多いN−ホスフィニルグアニジン基を有するN−ホスフィニルグアニジン化合物内の別のN−ホスフィニルグアニジン基と共有できる。N−ホスフィニルグアニジン化合物構造Gu1,Gu2,Gu3,Gu4またはGu5内のR、R2a、R2b、R、R、R、L12、L22およびL23は、本明細書に独立して記載され、限定されずに、構造Gu1,Gu2,Gu3,Gu4,および/またはGu5を有するN−ホスフィニルグアニジン化合物をさらに記載するために利用できる。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物は、本明細書に開示される任意の特定構造を有することができる。
一般に、Rは、オルガニル基;代替として、本質的に不活性官能基からなるオルガニル基;または代替として、ヒドロカルビル基であってもよい。一実施形態において、RはC〜C30オルガニル基;代替として、C〜C20オルガニル基;代替として、C〜C15オルガニル基;代替として、C〜C10オルガニル基;または代替として、C〜Cオルガニル基であってもよい。一実施形態において、Rは、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基;代替として、本質的に不活性官能基からなるC〜C20オルガニル基;代替として、本質的に不活性官能基からなるC〜C15オルガニル基;代替として、本質的に不活性官能基からなるC〜C10オルガニル基;または代替として、本質的に不活性官能基からなるC〜Cオルガニル基であってもよい。一実施形態において、Rは、C〜C30ヒドロカルビル基;代替として、C〜C20ヒドロカルビル基;代替として、C〜C15ヒドロカルビル基;代替として、C〜C10ヒドロカルビル基;または代替として、C〜Cヒドロカルビル基であってもよい。また他の実施形態において、RはC〜C30芳香族基;代替として、C〜C20芳香族基;代替として、C〜C15芳香族基;または代替として、C〜C10芳香族基であってもよい。
一態様において、Rは、C〜C30アルキル基、C〜C30シクロアルキル基、C〜C30置換シクロアルキル基、C〜C30アリール基、もしくはC〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30シクロアルキル基もしくはC〜C30置換シクロアルキル基;代替として、C〜C30アリール基、もしくはC〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30アルキル基;代替として、C〜C30シクロアルキル基;代替として、C〜C30置換シクロアルキル基;代替として、C〜C30アリール基;または代替として、C〜C30置換アリール基であってもよい。一実施形態において、Rは、C〜C15アルキル基、C〜C20シクロアルキル基、C〜C20置換シクロアルキル基、C〜C20アリール基、もしくはC〜C20置換アリール基;代替として、C〜C20シクロアルキル基もしくはC〜C20置換シクロアルキル基;代替として、C〜C20アリール基もしくはC〜C20置換アリール基;代替として、C〜C15アルキル基;代替として、C〜C20シクロアルキル基;代替として、C〜C20置換シクロアルキル基;代替として、C〜C20アリール基;または代替として、C〜C20置換アリール基であってもよい。他の実施形態において、Rは、C〜C10アルキル基、C〜C15シクロアルキル基、C〜C15置換シクロアルキル基、C〜C15アリール基、またはC〜C15置換アリール基;代替として、C〜C15シクロアルキル基、またはC〜C15置換シクロアルキル基;代替として、C〜C15アリール基、もしくはC〜C15置換アリール基;代替として、C〜C10アルキル基;代替として、C〜C15シクロアルキル基;代替として、C〜C15置換シクロアルキル基;代替として、C〜C15アリール基;または代替として、C〜C15置換アリール基であってもよい。さらなる実施形態において、RはC〜Cアルキル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、Rとして利用され得る置換基をさらに記載するために限定せずに利用されてもよい。
一実施形態において、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、またはデシル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rは、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec−ペンチル基、もしくはネオペンチル基;代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、もしくはネオペンチル基;代替として、メチル基;代替として、エチル基;代替として、n−プロピル基;代替として、イソプロピル基;代替として、tert−ブチル基;または代替として、ネオペンチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rとして使用することができるアルキル基は置換されていてもよい。置換アルキル基の各置換基は、独立してハロゲンもしくはヒドロカルボキシ基;代替として、ハロゲン;または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。置換基として使用することができるハロゲンおよびヒドロカルボキシ基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができる置換アルキル基をさらに記載する。
一実施形態において、Rは、シクロブチル基、置換シクロブチル基、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、置換シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、置換シクロヘプチル基、シクロオクチル基、または置換シクロオクチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rはシクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、または置換シクロヘキシル基であってもよい。他の実施形態において、Rは、シクロペンチル基または置換シクロペンチル基;または代替として、シクロヘキシル基もしくは置換シクロヘキシル基であってもよい。さらなる実施形態において、Rは、シクロペンチル基;代替として、置換シクロペンチル基;シクロヘキシル基;または代替として、置換シクロヘキシル基であってもよい。置換基(一般および特定)は、独立して本明細書において開示され、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができる置換シクロアルキル基をさらに記載する。
一態様において、Rは、構造G1:

[式中、指定されない原子価は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合している。]であってもよい。一般に、R11c、R12c、R13c、R14c、およびR15cは、独立して水素または非水素置換基であってもよく、nは1から5までの整数であってもよい。Rが構造G1を有する実施形態において、R11c、R13c、R14c、およびR15cは、水素であってもよく、R12cは、本明細書において開示された任意の非水素置換基であってもよく;または、代替として、R11c、R13c、およびR15cは、水素であってもよく、R12cおよびR14cは、独立して本明細書において開示された任意の非水素置換基であってもよい。一実施形態において、nは1から4まで;または代替として、2から4までの整数であってもよい。他の実施形態において、nは2もしくは3;代替として、2;または代替として、3であってもよい。置換基(一般および特定)は、独立して本明細書において開示され、限定されることなく使用することができ、構造G1を有するR基についてR11c、R12c、R13c、R14cおよび/またはR15cとして使用することができる非水素置換基をさらに記載する。
が構造G1を有する実施形態において、R11c、R13c、R14c、およびR15cは、水素であってもよく、また、R12cは、本明細書に示される任意の非水素置換基であってもよく;または、代替として、R11c、R13cおよびR15cは水素であってもよく、R12cおよびR14cは、本明細書に示される任意の非水素置換基であってもよい。Rが構造G1を有するいくつかの実施形態において、R11c、R13c、R14c、およびR15cは水素であってもよく、R12cは、本明細書に示される任意のアルキル基、アルコキシ基、もしくはハロゲンであってもよく;または、代替として、R11c、R13cおよびR15cは水素であってもよく、R12cおよびR14cは、本明細書に示される任意のアルキル基、アルコキシ基、もしくはハロゲンであってもよい。Rが構造G1を有する他の実施形態において、R11c、R13c、R14c、およびR15cは水素であってもよく、R12cは本明細書に示される任意のアルキル置換基であってもよく;または、代替として、R11c、R13cおよびR15cは水素であってもよく、R12cおよびR14cは、本明細書に示される任意のアルキル置換基であってもよい。Rが構造G1を有する別の実施形態において、R11c、R12c、R13c、R14c、およびR15cは水素であってもよい。一実施形態において、R11c、R12c、R13c、R14c、およびR15cは、独立して水素、もしくはアルキル基であってもよく;代替として、R11c、R12c、およびR14cは水素であってもよく、R13cおよびR15cは、アルキル基であってもよく;または代替として、R11cは、水素であってもよく、R12c、R13c、R14c、およびR15cは、アルキル基であってもよい。特定の置換基ハロゲン、ヒドロカルビル基、ヒドロカルボキシ基、アルキル基、およびアルコキシ基は、独立して本明細書に開示され、限定されることなく使用することができ、構造G1を有するR基をさらに記載する。
一態様において、Rは、フェニル基、置換フェニル基、ナフチル基、もしくは置換ナフチル基;代替として、フェニル基もしくは置換フェニル基;代替として、ナフチル基もしくは置換ナフチル基;代替として、フェニル基もしくはナフチル基;または代替として、置換フェニル基もしくは置換ナフチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rは独立してフェニル基;代替として、置換フェニル基;代替として、ナフチル基;または代替として、置換ナフチル基であってもよい。一実施形態において、R置換フェニル基は、2−置換フェニル基、3−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、3,5−二置換フェニル基、または2,4,6−三置換フェニル基であってもよい。他の実施形態において、R置換フェニル基は、2−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、もしくは2,6−二置換フェニル基;代替として、3−置換フェニル基もしくは3,5−二置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基もしくは4−置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2,6−二置換フェニル基もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基もしくは2,6−二置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基;代替として、3−置換フェニル基;代替として、4−置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基;代替として、2,6−二置換フェニル基;代替として、3,5−二置換フェニル基;または代替として、2,4,6−三置換フェニル基であってもよい。置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができる任意の置換フェニル基をさらに記載する。
一実施形態において、Rは、ナフト−1−イル基、置換ナフト−1−イル基、ナフト−2−イル基、または置換ナフト−2−イル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rは、ナフト−1−イル基もしくは置換ナフト−1−イル基;代替として、ナフト−2−イル基もしくは置換ナフト−2−イル基;代替として、ナフト−1−イル基;代替として、置換ナフト−1−イル基;代替として、ナフト−2−イル基;または代替として、置換ナフト−2−イル基であってもよい。他の実施形態において、Rは、2−置換ナフト−1−イル基、3−置換ナフト−1−イル基、4−置換ナフト−1−イル基、または8−置換ナフト−1−イル基;代替として、2−置換ナフト−1−イル基;代替として、3−置換ナフト−1−イル基;代替として、4−置換ナフト−1−イル基;または代替として、8−置換ナフト−1−イル基であってもよい。さらなる実施形態において、Rは、1−置換ナフト−2−イル基、3−置換ナフト−2−イル基、4−置換ナフト−2−イル基、もしくは1,3−二置換ナフト−2−イル基;代替として、1−置換ナフト−2−イル基;代替として、3−置換ナフト−2−イル基;代替として、4−置換ナフト−2−イル基;または代替として、1,3−二置換ナフト−2−イル基であってもよい。置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができる任意の置換ナフチル基をさらに記載する。
一態様において、Rは構造G2:

[式中、指定されない原子価が、N−ホスフィニルグアニン基のN窒素原子に結合している。]を有することができる。一般に、R12、R13、R14、R15、およびR16は、独立して水素または非水素置換基であってもよい。Rが構造G2を有する実施形態において、R12、R13、R14、R15、およびR16は、水素であってもよく、R13、R14、R15、およびR16は、水素であってよく、R12は非水素置換基であってもよく、R12、R14、R15、およびR16は水素であってもよく、R13は非水素置換基であってもよく、R12、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R14は非水素置換基であってもよい。R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12およびR14は非水素置換基であってもよく、R13、R14、およびR15は水素であってもよく、R12およびR16は、非水素置換基であってもよく、R12、R14、およびR16は、水素であってもよく、R13およびR15は非水素置換基であってもよく、または、R13およびR15は水素であってもよく、R12、R14、およびR16は、非水素置換基であってもよい。Rが構造G2を有するいくつかの実施形態において、R13、R14、R15、およびR16は水素であってもよく、R12は非水素置換基であってもよく、R12、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R14は非水素置換基であってもよく、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12およびR14は、非水素置換基であってもよく、R13、R14、およびR15は、水素であってもよく、R12およびR16は、非水素置換基であってもよく、または、R13およびR15は、水素であってもよく、R12、R14、およびR16は、非水素置換基であってもよく;代替として、R13、R14、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12は非水素置換基であってもよく、R12、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R14は非水素置換基であってもよく、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12およびR14は、非水素置換基であってもよく、または、R13、R14、およびR15は、水素であってもよく、R12およびR16は、非水素置換基であってもよく;代替として、R12、R14、R15、およびR16は、水素であってもよく、R13は非水素置換基であってもよく、または、R12、R14、およびR16は、水素であってもよく、R13およびR15は、非水素置換基であってもよく;代替として、R13、R14、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12は非水素置換基であってもよく、または、R12、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R14は非水素置換基であってもよく;代替として、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12およびR14は、非水素置換基であってもよく、R13、R14、およびR15は、水素であってもよく、R12およびR16は、非水素置換基であってもよく、または、R13およびR15は、水素であってもよく、R12、R14、およびR16は、非水素置換基であってもよく;または、代替として、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12およびR14は、非水素置換基であってもよく、または、R13、R14、およびR15は、水素であってもよく、R12およびR16は、非水素置換基であってもよい。Rが構造G2を有する他の実施形態において、R12、R13、R14、R15、およびR16は水素であってもよく;代替として、R13、R14、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12は非水素置換基であってもよく;代替として、R12、R14、R15、およびR16は、水素であってもよく、R13は非水素置換基であってもよく;代替として、R12、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R14は非水素置換基であってもよく;代替として、R13、R15、およびR16は、水素であってもよく、R12およびR14は非水素置換基であってもよく;代替として、R13、R14、およびR15は、水素であってもよく、R12およびR16は非水素置換基であってもよく;代替として、R12、R14、およびR16は、水素であってもよく、R13およびR15は非水素置換基であってもよく;または、代替として、R13およびR15は水素であってもよく、R12、R14、およびR16は、非水素置換基であってもよい。置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され、構造G2を有するR基についてR12、R13、R14、R15およびR16として限定されることなく使用することができる。
一態様において、Rは、C〜C30オルガノヘテリル基;代替として、C〜C20オルガノヘテリル基;代替として、C〜C15オルガノヘテリル基;代替として、C〜C10オルガノヘテリル基;または代替として、C〜Cオルガノヘテリル基であってもよい。一実施形態において、Rは、C〜C30シクロヘテリル基;代替として、C〜C20シクロヘテリル基;代替として、C〜C15シクロヘテリル基;または代替として、C〜C10シクロヘテリル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rとして使用することができるシクロヘテリル基は、置換シクロヘテリル基であってもよい。
いくつかの実施形態において、Rは、C〜C30ヒドロカルビルアミニル基、C〜C30ジヒドロカルビルアミニル基、C〜C30シクロアミニル基、もしくはC〜C30置換シクロアミニル基;代替として、C〜C30ヒドロカルビルアミニル基、もしくはC〜C30ジヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C30シクロアミニル基もしくはC〜C30置換シクロアミニル基;代替としてC〜C30ジヒドロカルビルアミニル基、もしくはC〜C30シクロアミニル基;代替として、C〜C30ヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C30ジヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C30シクロアミニル基;または代替として、C〜C30置換シクロアミニル基であってもよい。他の実施形態において、Rは、C〜C20ヒドロカルビルアミニル基、C〜C20ジヒドロカルビルアミニル基、C〜C20シクロアミニル基、もしくはC〜C20置換シクロアミニル基;代替として、C〜C20ヒドロカルビルアミニル基もしくはC〜C20ジヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C20シクロアミニル基もしくはC〜C20の置換シクロアミニル基;代替としてC〜C20ジヒドロカルビルアミニル基もしくはC〜C20シクロアミニル基;代替として、C〜C20ヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C20ジヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C20シクロアミニル基;または代替として、C〜C20置換シクロアミニル基であってもよい。また他の実施形態において、Rは、C〜C10ヒドロカルビルアミニル基、C〜C15ジヒドロカルビルアミニル基、C〜C15シクロアミニル基、もしくはC〜C15置換シクロアミニル基;代替として、C〜C10ヒドロカルビルアミニル基もしくはC〜C15ジヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C15シクロアミニル基もしくはC〜C15置換シクロアミニル基;代替としてC〜C15ジヒドロカルビルアミニル基、もしくはC〜C15シクロアミニル基;代替として、C〜C10ヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C15ジヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C15シクロアミニル基;または代替として、C〜C15置換シクロアミニル基であってもよい。さらなる実施形態において、Rは、C〜Cヒドロカルビルアミニル基、C〜C10ジヒドロカルビルアミニル基、C〜C10シクロアミニル基、もしくはC〜C10の置換シクロアミニル基;代替として、C〜Cヒドロカルビルアミニル基もしくはC〜C10ジヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C10シクロアミニル基もしくはC〜C10の置換シクロアミニル基;代替として、C〜C10ジヒドロカルビルアミニル基もしくはC〜C10シクロアミニル基;代替として、C〜Cヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C10ジヒドロカルビルアミニル基;代替として、C〜C10シクロアミニル基;または代替として、C〜C10置換シクロアミニル基であってもよい。
一実施形態において、ヒドロカルビルアミニル基またはジヒドロカルビルアミニル基の各ヒドロカルビル基は、独立してC〜C30ヒドロカルビル基;代替として、C〜C20ヒドロカルビル基;代替として、C〜C15ヒドロカルビル基;代替として、C〜C10ヒドロカルビル基;または代替として、C〜Cヒドロカルビル基であってもよい。一実施形態において、ヒドロカルビルアミニル基またはジヒドロカルビルアミニル基の各ヒドロカルビル基は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、もしくはアラルキル基;代替として、アルキル基;代替として、シクロアルキル基;代替として、アリール基;または代替として、もしくはアラルキル基であってもよい。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、およびアラルキル基は、可能性のあるR、R、R、R、およびR基(他の可能性のある基の中でも)として本明細書において記載された。これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、およびアラルキル基は、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができるヒドロカルビルアミニル基および/またはジヒドロカルビルアミニル基をさらに記載する。
一実施形態において、Rは、ピロリジン−1−イル基、置換ピロリジン−1−イル基、ピペリジン−1−イル基、置換ピペリジン−1−イル基、モルフィン−1−イル基、置換モルフィン−1−イル基、ピロール−1−イル基、または置換ピロールイル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rは、ピロリジン−1−イル基、置換ピロリジン−1−イル基、ピペリジン−1−イル基、もしくは置換ピペリジン−1−イル基;ピロリジン−1−イル基もしくは置換ピロリジン−1−イル基;代替として、ピペリジン−1−イル基もしくは置換ピペリジン−1−イル基;代替として、モルフィン−1−イル基もしくは置換モルフィン−1−イル基;代替として、ピロール−1−イル基もしくは置換ピロールイル基;代替として、ピロリジン−1−イル基、ピペリジン−1−イル基、モルフィン−1−イル基、もしくはピロール−1−イル基;代替として、ピロリジン−1−イル基もしくはピペリジン−1−イル基;代替として、ピロリジン−1−イル基;代替として、置換ピロリジン−1−イル基;代替として、ピペリジン−1−イル基;代替として、置換ピペリジン−1−イル基;代替として、モルフィン−1−イル基;代替として、置換モルフィン−1−イル基;代替として、ピロール−1−イル基;または代替として、置換ピロール−1−イル基であってもよい。一般に、これらの特定のシクロアミニル基は、本明細書に記載されるシクロアミニルおよび置換シクロアミニル基と同一の数の炭素原子を有することができる。置換基(一般または特定)は本明細書において独立して開示され、これらの置換基は、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができる置換シクロアミニル基(一般または特定)をさらに記載する。
一態様において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子が環または環系基(例えば、シクロアルカン基、脂肪族複素環基、シクロヘテロ基、芳香族基、アレーン基、ヘテロアレーン基、アリールヘテロ基、または本明細書に開示された他の任意の基)の原子(炭素またはヘテロ原子)に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した原子に隣接する原子に、少なくとも1個の置換基を含むことができる。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子が環または環系基(例えば、シクロアルカン基、脂肪族複素環基、シクロヘテロ基、芳香族基、アレーン基、ヘテロアレーン基、もしくはアリールヘテロ基、または本明細書に開示された他の任意の基)の原子(炭素またはヘテロ原子)に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した原子に隣接する各原子に、少なくとも1個の置換基を含むことができる。別の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子が環または環系基(例えば、シクロアルカン基、脂肪族複素環基、シクロヘテロ基、芳香族基、アレーン基、ヘテロアレーン基、もしくはアリールヘテロ基、または本明細書に開示された他の任意の基)の原子(炭素またはヘテロ原子)に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した原子に隣接する各原子に、1個の置換基からなることができる。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子が環または環系基(例えば、シクロアルカン基、脂肪族複素環基、シクロヘテロ基、芳香族基、アレーン基、ヘテロアレーン基、もしくはアリールヘテロ基、または本明細書に開示された他の任意の基)の原子(炭素またはヘテロ原子)に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した原子に隣接する原子に、ただ1個の置換基を含むことができる。別の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子が環または環系基(例えば、シクロアルカン基、脂肪族複素環基、シクロヘテロ基、芳香族基、アレーン基、ヘテロアレーン基、もしくはアリールヘテロ基、または本明細書に開示された他の任意の基)の原子(炭素またはヘテロ原子)に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した原子に隣接する各原子に、ただ1個の置換基を含むことができる。また別の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子が環または環系基(例えば、シクロアルカン基、脂肪族複素環基、シクロヘテロ基、芳香族基、アレーン基、ヘテロアレーン基、もしくはアリールヘテロ基、または本明細書に開示された他の任意の基)の原子(炭素またはヘテロ原子)に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した原子に隣接する各原子に位置する、ただ1個の置換基からなることができる。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子がシクロアルカンまたはアレーン環または環系の炭素原子に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に隣接する炭素原子に位置する少なくとも1個の置換基を含むことができる。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子がシクロアルカンまたはアレーン環または環系の炭素原子に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に隣接する各炭素原子に位置する少なくとも1個の置換基を含むことができる。別の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子がシクロアルカンまたはアレーン環または環系の炭素原子に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に隣接する各炭素原子に位置する1個の置換基からなることができる。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子がシクロアルカンまたはアレーン環または環系の炭素原子に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に隣接する炭素原子に位置するただ1個の置換基を含むことができる。別の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子がシクロアルカンまたはアレーン環または環系の炭素原子に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に隣接する各炭素原子に位置するただ1個の置換基を含むことができる。また別の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子がシクロアルカンまたはアレーン環または環系の炭素原子に結合している場合、環式のR基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に隣接する各炭素原子に位置するただ1個の置換基からなることができる。
非限定的な実施形態において、Rは、フェニル基、2−アルキルフェニル基、3−アルキルフェニル基、4−アルキルフェニル基、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、3,5−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基、4−アルキルフェニル基、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基もしくは4−アルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基、もしくは2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、3−アルキルフェニル基もしくは3,5−ジアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基もしくは2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基;代替として、3−アルキルフェニル基;代替として、4−アルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基;代替として、2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、3,5−ジアルキルフェニル基;または代替として、2,4,6−トリアルキルフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、Rは、ナフト−1−イル基、ナフト−2−イル基、2−アルキルナフト−1−イル基、1−アルキルナフト−2−イル基、3−アルキルナフト−2−イル基、もしくは1,3−ジアルキルナフト−2−イル基;代替として、ナフト−1−イル基もしくは2−アルキルナフト−1−イル基;代替として、ナフト−2−イル基、1−アルキルナフト−2−イル基、3−アルキルナフトnapth−2−イル基、もしくは1,3−ジアルキルナフト−2−イル基;代替として、ナフト−1−イル基;代替として、ナフト−2−イル基;代替として、2−アルキルナフト−1−イル基;代替として、1−アルキルナフト−2−イル基;代替として、3−アルキルナフトnapth−2−イル基;または代替として、1,3−ジアルキルナフト−2−イル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、Rはシクロヘキシル基、2−アルキルシクロヘキシル基、もしくは2,6−ジアルキルシクロヘキシル基;代替として、シクロペンチル基、2−アルキルシクロペンチル基、または2,5−ジアルキルシクロペンチル基;代替として、シクロヘキシル基;代替として、2−アルキルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジアルキルシクロヘキシル基;代替として、シクロペンチル基;代替として、2−アルキルシクロペンチル基;または代替として、2,5−ジアルキルシクロペンチル基であってもよい。アルキル基置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができる、アルキルフェニル、ジアルキルフェニル、トリアルキルフェニル、ナフチル、ジアルキルナフチル、アルキルシクロヘキシル、ジアルキルシクロヘキシル、アルキルシクロペンチル、またはジアルキルシクロペンチル基をさらに記載する。一般に、ジアルキルまたはトリアルキルフェニル、ナフチル、シクロヘキシル、またはシクロペンチル基のアルキル置換基は、同一であってもよく;または代替として、ジアルキルまたはトリアルキルフェニル、ナフチル、シクロヘキシル、またはシクロペンチル基のアルキル置換基は異なっていてもよい。
別の非限定的な実施形態において、Rは、フェニル基、2−アルコキシフェニル基、3−アルコキシフェニル基、4−アルコキシフェニル基、または3,5−ジアルコキシフェニル基;代替として、2−アルコキシフェニル基または4−アルコキシフェニル基;代替として、3−アルコキシフェニル基または3,5−ジアルコキシフェニル基;代替として、2−アルコキシフェニル基;代替として、3−アルコキシフェニル基;代替として、4−アルコキシフェニル基;代替として、3,5−ジアルコキシフェニル基であってもよい。アルコキシ基置換基(一般および特定)は独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができるアルコキシフェニルまたはジアルコキシフェニル基をさらに記載する。一般に、ジアルコキシフェニル基のアルコキシ置換基は同じであってもよく;または代替として、ジアルコキシフェニル基のアルコキシ置換基は異なっていてもよい。
他の非限定的な実施形態において、Rは、フェニル基、2−ハロフェニル基、3−ハロフェニル基、4−ハロフェニル基、2,6−ジハロフェニル基、または3,5−ジアルキルフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基、4−ハロフェニル基、もしくは2,6−ジハロフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基もしくは4−ハロフェニル基;代替として、3−ハロフェニル基もしくは3,5−ジハロフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基;代替として、3−ハロフェニル基;代替として、4−ハロフェニル基;代替として、2,6−ジハロフェニル基;または代替として、3,5−ジハロフェニル基であってもよい。ハライドは独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができるハロフェニルまたはジハロフェニル基をさらに記載する。一般に、ジハロフェニル基のハライドは同じであってもよく;または、代替として、ジハロフェニル基のハライドは異なっていてもよい。
非限定的な実施形態において、Rは、2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−n−プロピルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、3−メチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2,6−ジ−n−プロピルフェニル基、2,6−ジイソプロピルフェニル基、2,6−ジ−tert−ブチルフェニル基、2−イソプロピル−6−メチルフェニル基、3,5−ジメチル基、または2,4,6−トリメチルフェニル基;代替として、2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−n−プロピルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、または2−tert−ブチルフェニル基;代替として、2,6−ジメチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2,6−ジ−n−プロピルフェニル基、2,6−ジイソプロピルフェニル基、2,6−ジ−tert−ブチルフェニル基、もしくは2−イソプロピル−6−メチルフェニル基;代替として、2−メチルフェニル基;代替として、2−エチルフェニル基;代替として、2−n−プロピルフェニル基;代替として、2−イソプロピルフェニル基;代替として、2−tert−ブチルフェニル基;代替として、3−メチルフェニル基;代替として、2,6−ジメチルフェニル基;代替として、2,6−ジエチルフェニル基;代替として、2,6−ジ−n−プロピルフェニル基;代替として、2,6−ジイソプロピルフェニル基;代替として、2,6−ジ−tert−ブチルフェニル基;代替として、2−イソプロピル−6−メチルフェニル基;代替として、3,5−ジメチルフェニル基;または代替として、2,4,6−トリメチルフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、Rは、2−メチルシクロヘキシル基、2−エチルシクロヘキシル基、2−イソプロピルシクロヘキシル基、2−tert−ブチルシクロヘキシル基、2,6−ジメチルシクロヘキシル基、2,6−ジエチルシクロヘキシル基、2,6−ジイソプロピルシクロヘキシル基、または2,6−ジ−tert−ブチルシクロヘキシル基;代替として、2−メチルシクロヘキシル基、2−エチルシクロヘキシル基、2−イソプロピルシクロヘキシル基、または2−tert−ブチルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジメチルシクロヘキシル基、2,6−ジエチルシクロヘキシル基、2,6−ジイソプロピルシクロヘキシル基、または2,6−ジ−tert−ブチルシクロヘキシル基;代替として、2−メチルシクロヘキシル基;代替として、2−エチルシクロヘキシル基;代替として、2−イソプロピルシクロヘキシル基;代替として、2−tert−ブチルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジメチルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジエチルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジイソプロピルシクロヘキシル基;または代替として、2,6−ジ−tert−ブチルシクロヘキシル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、Rは、2−メチルナフト−1−イル基、2−エチルナフト−1−イル基、2−n−プロピルナフト−1−イル基、2−イソプロピルナフト−1−イル基、もしくは2−tert−ブチルナフト−1−イル基;代替として、2−メチルナフト−1−イル基;代替として、2−エチルナフト−1−イル基;代替として、2−n−プロピルナフト−1−イル基;代替として、2−イソプロピルナフト−1−イル基;または代替として、2−tert−ブチルナフト−1−イル基であってもよい。
非限定的な実施形態において、Rは、3−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、3−イソプロポキシフェニル基、3−tert−ブトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、4−tert−ブトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、3,5−ジイソプロポキシフェニル基、もしくは3,5−ジ−tert−ブトキシフェニル基;代替として、3−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、3−イソプロポキシフェニル基、もしくは3−tert−ブトキシフェニル基;代替として、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、もしくは4−tert−ブトキシフェニル基;または代替として、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、3,5−ジイソプロポキシフェニル基、もしくは3,5−ジ−tert−ブトキシフェニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、Rは、3−メトキシフェニル基;代替として、3−エトキシフェニル基;代替として、3−イソプロポキシフェニル基;代替として、3−tert−ブトキシフェニル基;代替として、4−メトキシフェニル基;代替として、4−エトキシフェニル基;代替として、4−イソプロポキシフェニル基;代替として、4−tert−ブトキシフェニル基;代替として、3,5−ジメトキシフェニル基;代替として、3,5−ジエトキシフェニル基;代替として、3,5−ジイソプロポキシフェニル基;または代替として、3,5−ジ−tert−ブトキシフェニル基であってもよい。
一態様において、R2aおよびR2bは、独立して、水素、オルガニル基、もしくはトリオルガニルシリル基;代替として、水素もしくはオルガニル基;代替として、水素もしくはトリオルガニルシリル基;代替として、水素;代替として、オルガニル基;または代替としてトリオルガニルシリル基であってもよい。別の態様において、R2aおよび/またはR2bは、独立して、水素、不活性官能基から実質的になるオルガニル基、もしくはトリ(不活性官能基から実質的になるオルガニル基)シリル基;代替として、水素もしくは不活性官能基から実質的になるオルガニル基;代替として、水素もしくはトリ(不活性官能基から実質的になるオルガニル基)シリル基;代替として、不活性官能基から実質的になるオルガニル基もしくはトリ(不活性官能基から実質的になるオルガニル基)シリル基;代替として、不活性官能基から実質的になるオルガニル基;または代替として、トリ(不活性官能基から実質的になるオルガニル基)シリル基であってもよい。一態様において、R2aおよびR2bは、独立して、水素、ヒドロカルビル基、もしくはトリヒドロカルビルシリル基;代替として、水素もしくはヒドロカルビル基;代替として、水素もしくはトリヒドロカルビルシリル基;代替として、ヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基;代替として、ヒドロカルビル基;または代替として、トリヒドロカルビルシリル基であってもよい。オルガニル基(一般および特定)は本明細書に開示されており(例えば、Rについての潜在的選択として)、本明細書に開示されるこれらのオルガニル基の任意の態様または実施形態は、R2aおよび/もしくはR2として、またはR2aおよび/もしくはR2として使用できるトリオルガニルシリル基の各々の独立したオルガニル基として使用できる。不活性官能基(一般および特定)から実質的になるオルガニル基は本明細書に開示されており(例えば、Rについての潜在的選択として)、本明細書に開示される不活性官能基から実質的になるこれらのオルガニル基の任意の態様または実施形態は、R2aおよび/もしくはR2bとして、またはR2aおよび/もしくはR2bとして使用できるトリ(不活性官能基から実質的になるオルガニル基)シリル基の不活性官能基から実質的になる各々の独立したオルガニル基として使用できる。ヒドロカルビル基(一般および特定)は本明細書に開示されており(例えば、Rについての潜在的選択として)、本明細書に開示されるこれらのヒドロカルビル基の任意の態様または実施形態は、R2aおよび/もしくはR2bとして、またはR2aおよび/もしくはR2bとして使用できるトリヒドロカルビルシリル基の独立したヒドロカルビル基として使用できる。さらに他の実施形態において、R2aおよび/またはR2bは、独立して、C〜C30芳香族基;代替として、C〜C20芳香族基;代替として、C〜C15芳香族基;または代替として、C〜C10芳香族基であってもよい。
一態様において、R2aおよびR2bは、独立して、C〜C30アルキル基、C〜C30シクロアルキル基、C〜C30置換シクロアルキル基、C〜C30アリール基、もしくはC〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30シクロアルキル基、もしくはC〜C30置換シクロアルキル基;代替として、C〜C30アリール基、もしくはC〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30アルキル基;代替として、C〜C30シクロアルキル基;代替として、C〜C30置換シクロアルキル基;代替として、C〜C30アリール基;または代替として、C〜C30置換アリール基であってもよい。一実施形態において、R2aおよび/またはR2bは、独立して、C〜C15アルキル基、C〜C20シクロアルキル基、C〜C20置換シクロアルキル基、C〜C20アリール基、もしくはC〜C20置換アリール基;代替として、C〜C20シクロアルキル基、もしくはC〜C20置換シクロアルキル基;代替として、C〜C20アリール基、もしくはC〜C20置換アリール基;代替として、C〜C15アルキル基;代替として、C〜C20シクロアルキル基;代替として、C〜C20置換シクロアルキル基;代替として、C〜C20アリール基;または代替として、C〜C20置換アリール基であってもよい。他の実施形態において、R2aおよび/またはR2bは、独立して、C〜C10アルキル基、C〜C15シクロアルキル基、C〜C15置換シクロアルキル基、C〜C15アリール基、またはC〜C15置換アリール基;代替として、C〜C15シクロアルキル基またはC〜C15置換シクロアルキル基;代替として、C〜C15アリール基もしくはC〜C15置換アリール基;代替として、C〜C10アルキル基;代替として、C〜C15シクロアルキル基;代替として、C〜C15置換シクロアルキル基;代替として、C〜C15アリール基;または代替として、C〜C15置換アリール基であってもよい。さらなる実施形態において、R2aおよびR2bは、独立して、C〜Cアルキル基であってもよい。置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され、限定されることなく使用することができ、R2aおよびR2bとして使用することができる置換基をさらに記載する。
一実施形態において、R2aおよびR2bは、独立して、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、またはデシル基であってもよい。いくつかの実施形態において、R2aおよびR2bは、独立して、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec−ペンチル基、もしくはネオペンチル基;代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、もしくはネオペンチル基;代替として、メチル基;代替として、エチル基;代替として、n−プロピル基;代替として、イソプロピル基;代替として、tert−ブチル基;または代替として、ネオペンチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、R2aおよびR2bとして使用することができるアルキル基は置換されていてもよい。置換アルキル基の各置換基は、独立してハロゲンまたはヒドロカルボキシ基;代替として、ハロゲン;または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハロゲンおよびヒドロカルボキシ基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され(例えば、一般構造および置換R基の置換基として)、限定されることなく使用することができ、R2aおよびR2bとして使用することができる置換アルキル基をさらに記載する。
一実施形態において、R2aおよびR2bは、独立して、シクロブチル基、置換シクロブチル基、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、置換シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、置換シクロヘプチル基、シクロオクチル基、または置換シクロオクチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、R2aおよびR2bは、独立して、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、または置換シクロヘキシル基であってもよい。他の実施形態において、R2aおよびR2bは、シクロブチル基または置換シクロブチル基;または代替として、シクロペンチル基もしくは置換シクロペンチル基;代替として、シクロヘキシル基もしくは置換シクロヘキシル基であってもよい。さらなる実施形態において、R2aおよびR2bは、独立して、シクロペンチル基;代替として、置換シクロペンチル基;シクロヘキシル基;または代替として、置換シクロヘキシル基であってもよい。置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され、限定されることなく使用することができ、R2aおよび/またはR2bとして使用することができる置換シクロアルキル基をさらに記載する。
一態様において、R2aおよびR2bは独立して、それぞれ構造G3および構造G4:

を有してもよく、ここで、構造G3およびG4の指定されていない原子価は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合される。一般に、構造G3のR21c、R23c、R24c、R25cならびに構造G4のR31c、R33c、R34cおよびR35cは独立して、水素または非水素置換基であってもよく、各々のnは独立して、1から5の整数であってもよい。R2aが構造G3を有する実施形態において、R21c、R23c、R24c、およびR25cは、水素であってもよく、R22cは、本明細書に開示される任意の非水素置換基であってもよく;または、代替として、R21c、R23c、およびR25cは水素であってもよく、R22cおよびR24cは、独立して本明細書に開示される任意の非水素置換基であってもよい。R2bが構造G4を有する実施形態において、R31c、R33c、R34c、およびR35cは、水素であってもよく、R32cは、本明細書に開示される任意の非水素置換基であってもよく;または、代替として、R31c、R33c、およびR35cは水素であってもよく、R32cおよびR34cは、独立して本明細書に開示される任意の非水素置換基であってもよい。一実施形態において、nは1から4までの;または代替として2から4までの整数であってもよい。他の実施形態において、各々のnは、2もしくは3;代替として、2;または代替として、3であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造G3を有するR2a基についてR21c、R23c、R24c、およびR25cとして、ならびに/または構造G4を有するR2b基についてR31c、R33c、R34c、およびR35cとして使用することができる。
一実施形態において、R2aおよびR2bは独立して、フェニル基または置換フェニル基であってもよい。いくつかの実施形態において、R2aおよびR2bはフェニル基;または代替として、置換フェニル基であってもよい。一実施形態において、R2aおよびR2b置換フェニル基は独立して、2−置換フェニル基、3−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、3,5−二置換フェニル基、もしくは2,4,6−三置換フェニル基であってもよい。他の実施形態において、R2aおよびR2b置換フェニル基は独立して、2−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、または2,6−二置換フェニル基;代替として、3−置換フェニル基もしくは3,5−二置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基もしくは4−置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2,6−二置換フェニル基もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基もしくは2,6−二置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基;代替として、3−置換フェニル基;代替として、4−置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基;代替として、2,6−二置換フェニル基;代替として、3,5−二置換フェニル基;または代替として、2,4,6−三置換フェニル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、R2aおよび/またはR2bとして使用することができる任意の置換フェニル基をさらに記載するために使用することができる。
一態様において、R2aおよびR2bは独立して、それぞれ構造G5および構造G6:

を有してもよく、ここで、構造G5および構造G6の指定されていない原子価は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合される。一般に、構造G5のR22、R23、R24、R25およびR26ならびに構造G6のR32、R33、R34、R35およびR36は独立して、水素または非水素置換基であってもよい。一実施形態において、構造G5のR22、R23、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R23、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R22は非水素置換基であってもよく、R22、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R23は非水素置換基であってもよく、R22、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R24は非水素置換基であってもよく、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R22およびR24は非水素置換基であってもよく、R23、R24およびR25は水素であってもよく、R22およびR26は非水素置換基であってもよく、R22、R24およびR26は水素であってもよく、R23およびR25は非水素置換基であってもよく、またはR23およびR25は水素であってもよく、R22、R24、およびR26は非水素置換基であってもよい。いくつかの実施形態において、構造G5のR23、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R22は非水素置換基であってもよく、R22、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R24は非水素置換基であってもよく、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R22およびR24は非水素置換基であってもよく、R23、R24およびR25は水素であってもよく、R22およびR26は非水素置換基であってもよく、またはR23およびR25は水素であってもよく、R22、R24およびR26は非水素置換基であってもよく;代替として、R23、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R22は非水素置換基であってもよく、R22、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R24は非水素置換基であってもよく、R23、R25、およびR26は水素であってもよく、R22およびR24は非水素置換基であってもよく、またはR23、R24、およびR25は水素であってもよく、R22およびR26は非水素置換基であってもよく;代替として、R22、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R23は非水素置換基であってもよく、R22、R24およびR26は水素であってもよく、R23およびR25は非水素置換基であってもよく;代替として、R23、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R22は非水素置換基であってもよく、またはR22、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R24は非水素置換基であってもよく;代替として、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R22およびR24は非水素置換基であってもよく、R23、R24およびR25は水素であってもよく、R22およびR26は非水素置換基であってもよく、またはR23およびR25は水素であってもよく、R22、R24およびR26は非水素置換基であってもよく;または代替として、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R22およびR24は非水素置換基であってもよく、またはR23、R24およびR25は水素であってもよく、R22およびR26は非水素置換基であってもよい。他の実施形態において、構造G5のR22、R23、R24、R25およびR26は水素であってもよく;代替として、R23、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R22は非水素置換基であってもよく;代替として、R22、R24、R25およびR26は水素であってもよく、R23は非水素置換基であってもよく;代替として、R22、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R24は非水素置換基であってもよく;代替として、R23、R25およびR26は水素であってもよく、R22およびR24は非水素置換基であってもよく;代替として、R23、R24およびR25は水素であってもよく、R22およびR26は非水素置換基であってもよく;代替として、R22、R24およびR26は水素であってもよく、R23およびR25は非水素置換基であってもよく;または代替として、R23およびR25は水素であってもよく、R22、R24およびR26は非水素置換基であってもよい。一実施形態において、構造G6のR32、R33、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R33、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R32は非水素置換基であってもよく、R32、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R33は非水素置換基であってもよく、R32、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R34は非水素置換基であってもよく、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R32およびR34は非水素置換基であってもよく、R33、R34およびR35は水素であってもよく、R32およびR36は非水素置換基であってもよく、R32、R34およびR36は水素であってもよく、R33およびR35は非水素置換基であってもよく、またはR33およびR35は水素であってもよく、R32、R34、およびR36は非水素置換基であってもよい。いくつかの実施形態において、構造G6のR33、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R32は非水素置換基であってもよく、
32、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R34は非水素置換基であってもよく、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R32およびR34は非水素置換基であってもよく、R33、R34およびR35は水素であってもよく、R32およびR36は非水素置換基であってもよく、またはR33およびR35は水素であってもよく、R32、R34およびR36は非水素置換基であってもよく;代替として、R33、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R32は非水素置換基であってもよく、R32、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R34は非水素置換基であってもよく、R33、R35、およびR36は水素であってもよく、R32およびR34は非水素置換基であってもよく、またはR33、R34、およびR35は水素であってもよく、R32およびR36は非水素置換基であってもよく;代替として、R32、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R33は非水素置換基であってもよく、R32、R34およびR36は水素であってもよく、R33およびR35は非水素置換基であってもよく;代替として、R33、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R32は非水素置換基であってもよく、またはR32、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R34は非水素置換基であってもよく;代替として、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R32およびR34は非水素置換基であってもよく、R33、R34およびR35は水素であってもよく、R32およびR36は非水素置換基であってもよく、またはR33およびR35は水素であってもよく、R32、R34およびR36は非水素置換基であってもよく;または代替として、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R32およびR34は非水素置換基であってもよく、またはR33、R34およびR35は水素であってもよく、R32およびR36は非水素置換基であってもよい。他の実施形態において、構造G6のR32、R33、R34、R35およびR36は水素であってもよく;代替として、R33、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R32は非水素置換基であってもよく;代替として、R32、R34、R35およびR36は水素であってもよく、R33は非水素置換基であってもよく;代替として、R32、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R34は非水素置換基であってもよく;代替として、R33、R35およびR36は水素であってもよく、R32およびR34は非水素置換基であってもよく;代替として、R33、R34およびR35は水素であってもよく、R32およびR36は非水素置換基であってもよく;代替として、R32、R34およびR36は水素であってもよく、R33およびR35は非水素置換基であってもよく;または代替として、R33およびR35は水素であってもよく、R32、R34およびR36は非水素置換基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造G5を有するR2a基についてR22、R23、R24、R25およびR26として、ならびに/または構造G6を有するR2b基についてR32、R33、R34、R35およびR36として使用することができる。
非限定的な実施形態において、R2aおよびR2bは独立して、フェニル基、2−アルキルフェニル基、3−アルキルフェニル基、4−アルキルフェニル基、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、3,5−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基、4−アルキルフェニル基、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基もしくは4−アルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基、もしくは2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、3−アルキルフェニル基もしくは3,5−ジアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基もしくは2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基;代替として、3−アルキルフェニル基;代替として、4−アルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基;代替として、2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、3,5−ジアルキルフェニル基;または代替として、2,4,6−トリアルキルフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、R2aおよびR2bは独立して、フェニル基、2−アルコキシフェニル基、3−アルコキシフェニル基、4−アルコキシフェニル基、または3,5−ジアルコキシフェニル基;代替として、2−アルコキシフェニル基または4−アルコキシフェニル基;代替として、3−アルコキシフェニル基または3,5−ジアルコキシフェニル基;代替として、2−アルコキシフェニル基;代替として、3−アルコキシフェニル基;代替として、4−アルコキシフェニル基;代替として、3,5−ジアルコキシフェニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、R2aおよびR2bは独立して、フェニル基、2−ハロフェニル基、3−ハロフェニル基、4−ハロフェニル基、2,6−ジハロフェニル基もしくは3,5−ジアルキルフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基、4−ハロフェニル基、もしくは2,6−ジハロフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基もしくは4−ハロフェニル基;代替として、3−ハロフェニル基もしくは3,5−ジハロフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基;代替として、3−ハロフェニル基;代替として、4−ハロフェニル基;代替として、2,6−ジハロフェニル基;または代替として、3,5−ジハロフェニル基であってもよい。ハライド、アルキル基置換基(一般および特定)、およびアルコキシ基置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、R2aおよびR2bとして使用することができるアルキルフェニル、ジアルキルフェニル、トリアルキルフェニル、アルコキシフェニル、ジアルコキシフェニル、ハロフェニル、またはジハロフェニル基をさらに記載する。一般に、ジアルキル、トリアルキルフェニル、ジアルコキシフェニル、またはジハロフェニル基のハライド、アルキル置換基、またはアルコキシ置換基は、同じであってもよく;または代替として、アルキルフェニル、ジアルキルフェニル、トリアルキルフェニル、ジアルコキシフェニル、またはジハロフェニル基のハロ、アルキル置換基、またはアルコキシ置換基は、異なっていてもよい。
非限定的な実施形態において、R2aおよびR2bは独立して、2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、もしくは4−tert−ブチルフェニル基;代替として、2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、もしくは2−tert−ブチルフェニル基;代替として、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、もしくは4−tert−ブチルフェニル基;代替として、2−メチルフェニル基;代替として、2−エチルフェニル基;代替として、2−イソプロピルフェニル基;代替として、2−tert−ブチルフェニル基;代替として、4−メチルフェニル基;代替として、4−エチルフェニル基;代替として、4−イソプロピルフェニル基;または代替として、4−tert−ブチルフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、R2aおよびR2bは独立して、2−メトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、2−イソプロポキシフェニル基、2−tert−ブトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、もしくは4−tert−ブトキシフェニル基;代替として、2−メトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、2−イソプロポキシフェニル基、もしくは2−tert−ブトキシフェニル基;代替として、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、もしくは4−tert−ブトキシフェニル基;代替として、2−メトキシフェニル基;代替として、2−エトキシフェニル基;代替として、2−イソプロポキシフェニル基;代替として、2−tert−ブトキシフェニル基;代替として、4−メトキシフェニル基;代替として、4−エトキシフェニル基;代替として、4−イソプロポキシフェニル基;または代替として、4−tert−ブトキシフェニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、R2aおよびR2bは独立して、2−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−フルオロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−フルオロフェニル基、4−クロロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基、もしくは3,5−ジクロロフェニル基;代替として、2−フルオロフェニル基もしくは2−クロロフェニル基;代替として、3−フルオロフェニル基もしくは3−クロロフェニル基;代替として、4−フルオロフェニル基もしくは4−クロロフェニル基;代替として、3,5−ジフルオロフェニル基もしくは3,5−ジクロロフェニル基;代替として、3−フルオロフェニル基、3−クロロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基もしくは3,5−ジクロロフェニル基;代替として、3−フルオロフェニル基もしくは3,5−ジフルオロフェニル基;代替として、2−フルオロフェニル基;代替として、2−クロロフェニル基;代替として、3−フルオロフェニル基;代替として、3−クロロフェニル基;代替として、4−フルオロフェニル基;代替として、4−クロロフェニル;代替として、3,5−ジフルオロフェニル基;または代替として、3,5−ジクロロフェニル基であってもよい。
一実施形態において、R2aおよびR2bは独立して、トリヒドロカルビルシリル基であってもよい。トリヒドロカルビルシリル基は、一般式SiRを有してもよく、式中Rは、本明細書に開示される種類のヒドロカルビル基である。いくつかの実施形態において、R2aおよびR2bのトリヒドロカルビルシリル基置換基の各々のヒドロカルビル基は独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基;代替として、アルキル基;代替として、アリール基;または代替として、アラルキル基であってもよい。一実施形態において、R2aおよびR2b(一般または特定)の任意のトリヒドロカルビルシリル基置換基についてRとして使用することができる各々のアルキル置換基は独立して、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、2−ペンチル基、3−ペンチル基、2−メチル−1−ブチル基、tert−ペンチル基、3−メチル−1−ブチル基、3−メチル−2−ブチル基、またはneo−ペンチル基;代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、neo−ペンチル基;代替として、メチル基;代替として、エチル基;代替として、イソプロピル基;代替として、tert−ブチル基;または代替として、neo−ペンチル基であってもよい。一実施形態において、R2aおよびR2b(一般および特定)の任意のトリヒドロカルビルシリル基についてRとして使用することができる各々のアリール基は独立して、フェニル基、トリル基、キシリル基、または2,4,6−トリメチルフェニル基;代替として、フェニル基;代替として、トリル基;代替として、キシリル基;または代替として、2,4,6−トリメチルフェニル基であってもよい。一実施形態において、R2aおよびR2b(一般および特定)の任意のトリヒドロカルビルシリル基置換基についてRとして使用することができる各々のアラルキル置換基は独立して、ベンジル基であってもよい。
一実施形態において、R2aおよびR2bとして使用することができるトリヒドロカルビルシリル基は独立して、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、またはトリアルカリルシリル基;代替として、トリアルキルシリル基;代替として、トリアリールシリル基;または代替として、トリアルカリルシリル基であってもよい。いくつかの実施形態において、R2aおよびR2bとして使用することができる各々のトリヒドロカルビル基は独立して、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、またはトリベンジルシリル基;代替として、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、またはトリプロピルシリル基;代替として、トリメチルシリル基;代替として、トリエチルシリル基;代替として、トリプロピルシリル基;代替として、トリフェニルシリル基;または代替として、トリベンジルシリル基であってもよい。
一態様において、Rは水素であってもよい。別の態様において、Rは、オルガニル基;代替として、本質的に不活性官能基からなるオルガニル基;または代替としてヒドロカルビル基であってもよい。オルガニル基(一般および特定)は、(例えばRについての潜在的選択として)本明細書に開示されており、本明細書に開示されるこれらのオルガニル基の任意の態様または実施形態はRとして使用することができる。本質的に不活性官能基(一般および特定)からなるオルガニル基は、(例えばRについての潜在的選択として)本明細書に開示されており、本明細書に開示される本質的に不活性官能基からなるこれらのオルガニル基の態様または実施形態はRとして使用することができる。ヒドロカルビル基(一般および特定)は、(例えばRについての潜在的選択として)本明細書に開示されており、本明細書に開示されるこれらのヒドロカルビル基の態様または実施形態はRとして使用することができる。また他の実施形態において、Rは、C〜C30芳香族基;代替として、C〜C20芳香族基;代替として、C〜C15芳香族基;または代替として、C〜C10芳香族基であってもよい。
一態様において、Rは、C〜C30アルキル基、C〜C30シクロアルキル基、C〜C30置換シクロアルキル基、C〜C30アリール基、もしくはC〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30シクロアルキル基もしくはC〜C30置換シクロアルキル基;代替として、C〜C30アリール基、もしくはC〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30アルキル基;代替として、C〜C30シクロアルキル基;代替として、C〜C30置換シクロアルキル基;代替として、C〜C30アリール基;または代替として、C〜C30置換アリール基であってもよい。一実施形態において、Rは、C〜C15アルキル基、C〜C20シクロアルキル基、C〜C20置換シクロアルキル基、C〜C20アリール基、もしくはC〜C20置換アリール基;代替として、C〜C20シクロアルキル基もしくはC〜C20置換シクロアルキル基;代替として、C〜C20アリール基もしくはC〜C20置換アリール基;代替として、C〜C15アルキル基;代替として、C〜C20シクロアルキル基;代替として、C〜C20置換シクロアルキル基;代替として、C〜C20アリール基;または代替として、C〜C20置換アリール基であってもよい。他の実施形態において、Rは、C〜C10アルキル基、C〜C15シクロアルキル基、C〜C15置換シクロアルキル基、C〜C15アリール基、もしくはC〜C15置換アリール基;代替として、C〜C15シクロアルキル基、もしくはC〜C15置換シクロアルキル基;代替として、C〜C15アリール基、もしくはC〜C15置換アリール基;代替として、C〜C10アルキル基;代替として、C〜C15シクロアルキル基;代替として、C〜C15置換シクロアルキル基;代替として、C〜C15アリール基;または代替として、C〜C15置換アリール基であってもよい。さらに他の実施形態において、Rは、C〜Cアルキル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rとして使用することができる置換基をさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rは、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec−ペンチル基、またはネオペンチル基;代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、またはネオペンチル基;代替として、メチル基;代替として、エチル基;代替として、n−プロピル基;代替として、イソプロピル基;代替として、tert−ブチル基;または代替として、ネオペンチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rとして使用することができるアルキル基は置換されていてもよい。置換アルキル基の各置換基は、独立してハロゲンもしくはヒドロカルボキシ基;代替として、ハロゲン;または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハロゲンおよびヒドロカルボキシ基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され(例えば、一般置換基および置換R基の置換基として)、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができる置換アルキル基をさらに記載する。
一実施形態において、Rは、シクロブチル基、置換シクロブチル基、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、置換シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、置換シクロヘプチル基、シクロオクチル基、または置換シクロオクチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rは、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、もしくは置換シクロヘキシル基であってもよい。他の実施形態において、Rは、シクロペンチル基もしくは置換シクロペンチル基;または代替として、シクロヘキシル基もしくは置換シクロヘキシル基であってもよい。さらなる実施形態において、Rは、シクロペンチル基;代替として、置換シクロペンチル基;シクロヘキシル基;または代替として、置換シクロヘキシル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rとして使用することができる置換シクロアルキル基をさらに記載するために使用することができる。
一態様において、Rは、構造G11:

(式中、指定されない原子価が、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合している)を有することができる。一般に、R31c、R32c、R33c、R34c、およびR35cは、独立して水素または非水素置換基であってもよく、nは1から5までの整数であってもよい。Rが構造G5を有する実施形態において、R31c、R33c、R34c、およびR35cは、水素であってもよく、R32cは、本明細書に開示される任意の非水素置換基であってもよく;または、代替として、R31c、R33c、およびR35cは、水素であってもよく、R32cおよびR34cは、独立して本明細書において開示される任意の非水素置換基であってもよい。一実施形態において、nは、1から4までの;または代替として、2から4までの整数であってもよい。他の実施形態において、nは、2もしくは3;代替として、2;または代替として、3であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、R61c、R62c、R63c、R64c、および/またはR65cとして使用することができる非水素置換基をさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、Rは、フェニル基または置換フェニル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rは、フェニル基;または代替として、置換フェニル基であってもよい。一実施形態において、R置換フェニル基は、2−置換フェニル基、3−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、3,5−二置換フェニル基、または2,4,6−三置換フェニル基であってもよい。他の実施形態において、R置換フェニル基は、2−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、または2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、または2,6−二置換フェニル基;代替として、3−置換subsitutedフェニル基または3,5−二置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基または4−置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、または2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2,6−二置換フェニル基または2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基または2,6−二置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基;代替として、3−置換フェニル基;代替として、4−置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基;代替として、2,6−二置換フェニル基;代替として、3,5−二置換フェニル基;または代替として、2,4,6−三置換フェニル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rとして使用することができる任意の置換フェニル基をさらに記載するために使用することができる。
一態様において、Rは構造G12:

(式中、指定されない原子価はN−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合している)を有することができる。一般に、R62、R63、R64、R65、およびR66は、独立して水素または非水素置換基であってもよい。Rが構造G12を有する実施形態において、R62、R63、R64、R65、およびR66は、水素であってもよく、R63、R64、R65、およびR66は水素であってもよく、R62は非水素置換基であってもよく、R62、R64、R65、およびR66は、水素であってもよく、R63は非水素置換基であってもよく、R62、R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R64は非水素置換基であってもよい。R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R62およびR64は非水素置換基であってもよく、R63、R64、およびR65は、水素であってもよく、R62およびR66は、非水素置換基であってもよく、R62、R64、およびR66は、水素であってもよく、R63およびR65は、非水素置換基であってもよく、または、R63およびR65は水素であってもよく、R62、R64、およびR66は、非水素置換基であってもよい。Rが構造G12を有するいくつかの実施形態において、R63、R64、R65、およびR66は水素であってもよく、R62は非水素置換基であってもよく、R62、R63、R65、およびR66は水素であってもよく、R64は非水素置換基であってもよく、R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R62およびR64は、非水素置換基であってもよく、R63、R64、およびR65は、水素であってもよく、R62およびR66は、非水素置換基であってもよく、または、R63およびR65は水素であってもよく、R62、R64、およびR66は、非水素置換基であってもよく;代替として、R63、R64、R65、およびR66は、水素であってもよく、R62は非水素置換基であってもよく、R62、R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R64は非水素置換基であってもよく、R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R62およびR64は、非水素置換基であってもよく、または、R63、R64、およびR65は水素であってもよく、R62およびR66は非水素置換基であってもよく;代替として、R62、R64、R65、およびR66は、水素であってもよく、R63は、非水素置換基であってもよく、または、R62、R64およびR66は、水素であってもよく、R63およびR65は、非水素置換基であってもよく;代替として、R63、R64、R65、およびR66は、水素であってもよく、R62は非水素置換基であってもよく、または、R62、R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R64は非水素置換基であってもよく;代替として、R63、R65、およびR66は水素であってもよく、R62およびR64は、非水素置換基であってもよく、R63、R64、およびR65は、水素であってもよく、および、R62およびR66は、非水素置換基であってもよく、または、R63およびR65は、水素であってもよく、R62、R64、およびR66は、非水素置換基であってもよく;または、代替として、R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R62およびR64は、非水素置換基であってもよく、または、R63、R64、およびR65は、水素であってもよく、R62およびR66は、非水素置換基であってもよい。Rが構造G12を有する他の実施形態において、R62、R63、R64、R65、およびR66は、水素であってもよく;代替として、R63、R64、R65、およびR66は、水素であってもよく、R62は非水素置換基であってもよく;代替として、R62、R64、R65、およびR66は、水素であってもよく、R63は非水素置換基であってもよく;代替として、R62、R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R64は非水素置換基であってもよく;代替として、R63、R65、およびR66は、水素であってもよく、R62およびR64は、非水素置換基であってもよく;代替として、R63、R64、およびR65は水素であってもよく、R62およびR66は、非水素置換基であってもよく;代替として、R62、R64、およびR66は、水素であってもよく、R63およびR65は、非水素置換基であってもよく;または、代替として、R63およびR65は水素であってもよく、R62、R64、および、R66は、非水素置換基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造12を有するR基について、R62、R63、R64、R65、およびR66として使用することができる任意の置換フェニル基をさらに記載するために使用することができる。
非限定的な実施形態において、Rは、フェニル基、2−アルキルフェニル基、3−アルキルフェニル基、4−アルキルフェニル基、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、3,5−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基、4−アルキルフェニル基、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基もしくは4−アルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基、もしくは2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、3−アルキルフェニル基もしくは3,5−ジアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基もしくは2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基;代替として、3−アルキルフェニル基;代替として、4−アルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基;代替として、2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、3,5−ジアルキルフェニル基;または代替として、2,4,6−トリアルキルフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、Rは、フェニル基、2−アルコキシフェニル基、3−アルコキシフェニル基、4−アルコキシフェニル基、もしくは3,5−ジアルコキシフェニル基;代替として、2−アルコキシフェニル基もしくは4−アルコキシフェニル基;代替として、3−アルコキシフェニル基もしくは3,5−ジアルコキシフェニル基;代替として、2−アルコキシフェニル基;代替として、3−アルコキシフェニル基;代替として、4−アルコキシフェニル基;代替として、3,5−ジアルコキシフェニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、Rは、フェニル基、2−ハロフェニル基、3−ハロフェニル基、4−ハロフェニル基、2,6−ジハロフェニル基、もしくは3,5−ジアルキルフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基、4−ハロフェニル基、もしくは2,6−ジハロフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基もしくは4−ハロフェニル基;代替として、3−ハロフェニル基もしくは3,5−ジハロフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基;代替として、3−ハロフェニル基;代替として、4−ハロフェニル基;代替として、2,6−ジハロフェニル基;または代替として、3,5−ジハロフェニル基であってもよい。ハライド、アルキル基置換基(一般および特定)、およびアルコキシ基置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、Rとして使用することができるアルキルフェニル、ジアルキルフェニル、トリアルキルフェニル、アルコキシフェニル、ジアルコキシフェニル、ハロフェニル、またはジハロフェニル基をさらに記載する。一般に、ジアルキル、トリアルキルフェニル、ジアルコキシフェニル、もしくはジハロフェニル基のハライド、アルキル置換基、もしくはアルコキシ置換基は、同じであってもよく;または代替として、アルキルフェニル、ジアルキルフェニル、トリアルキルフェニル、ジアルコキシフェニル、もしくはジハロフェニル基のハロ、アルキル置換基、もしくはアルコキシ置換基は、異なっていてもよい。
非限定的な実施形態において、Rは、2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2,6−ジイソプロピルフェニル基、もしくは2,6−ジ−tert−ブチルフェニル基;代替として、2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、もしくは2−tert−ブチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、もしくは4−tert−ブチルフェニル基;代替として、2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、もしくは2−tert−ブチルフェニル基;代替として、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、もしくは4−tert−ブチルフェニル基;または代替として、2,6−ジメチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2,6−ジ−n−プロピルフェニル基、2,6−ジイソプロピルフェニル基、もしくは2,6−ジ−tert−ブチルフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、Rは、2−メチルフェニル基;代替として、2−エチルフェニル基;代替として、2−イソプロピルフェニル基;代替として、2−tert−ブチルフェニル基;代替として、4−メチルフェニル基;代替として、4−エチルフェニル基;代替として、4−イソプロピルフェニル基;または代替として、4−tert−ブチルフェニル基であってもよい。
一態様において、RおよびRは独立して、オルガニル基;代替として、本質的に不活性官能基からなるオルガニル基;または代替として、ヒドロカルビル基であってもよい。オルガニル基(一般および特定)は、(例えばRについての潜在的選択として)本明細書に記載され、これらのオルガニル基はRおよび/またはRとして利用されてもよい。本質的に不活性官能基からなるオルガニル基(一般および特定)は、(例えばRについての潜在的選択として)本明細書に記載され、本質的に不活性官能基からなるこれらのオルガニル基はRおよび/Rとして利用されてもよい。ヒドロカルビル基(一般および特定)は、(例えばRについての潜在的選択として)本明細書に記載され、これらのヒドロカルビル基はRおよび/またはRとして利用されてもよい。さらに他の実施形態において、RおよびRは独立して、C〜C30芳香族基;代替として、C〜C20芳香族基;代替として、C〜C15芳香族基;またはC〜C10芳香族基から選択されてもよい。一態様において、RおよびRは、結合して(特定の種類の基に関係なく−オルガニル、不活性官能基、ヒドロカルビルまたは任意の内部化学種からなるオルガニル)N−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環を形成することができる。
別の態様において、Rおよび/またはRは、独立してC〜C30アルキル基、C〜C30シクロアルキル基、C〜C30置換シクロアルキル基、C〜C30脂肪族複素環基、C〜C30置換脂肪族複素環基、C〜C30アリール基、C〜C30置換アリール基、C〜C30ヘテロアリール基、もしくはC〜C30置換ヘテロアリール基;代替として、C〜C30アルキル基、C〜C30シクロアルキル基、C〜C30置換シクロアルキル基、C〜C30アリール基、もしくはC〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30シクロアルキル基もしくはC〜C30置換シクロアルキル基;代替として、C〜C30脂肪族複素環基もしくはC〜C30置換脂肪族複素環基;代替として、C〜C30アリール基もしくはC〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30ヘテロアリール基もしくはC〜C30置換ヘテロアリール基;代替として、C〜C30アルキル基;代替として、C〜C30シクロアルキル基;代替として、C〜C30置換シクロアルキル基;代替として、C〜C30脂肪族複素環基;代替として、C〜C30置換脂肪族複素環基;代替として、C〜C30アリール基;代替として、C〜C30置換アリール基;代替として、C〜C30ヘテロアリール基;または代替として、C〜C30置換ヘテロアリール基であってもよい。一実施形態において、RおよびRは、独立してC〜C15アルキル基、C〜C20シクロアルキル基、C〜C20置換シクロアルキル基、C〜C20脂肪族複素環基、C〜C20置換脂肪族複素環基、C〜C20アリール基、C〜C20置換アリール基、C〜C20ヘテロアリール基、もしくはC〜C20置換ヘテロアリール基;代替として、C〜C15アルキル基、C〜C20シクロアルキル基、C〜C20置換シクロアルキル基、C〜C20アリール基、もしくはC〜C20置換アリール基;代替として、C〜C20シクロアルキル基もしくはC〜C20置換シクロアルキル基;代替として、C〜C20脂肪族複素環基もしくはC〜C20置換脂肪族複素環基;代替として、C〜C20アリール基もしくはC〜C20置換アリール基;代替として、C〜C20ヘテロアリール基もしくはC〜C20置換ヘテロアリール基;代替として、C〜C15アルキル基;代替として、C〜C20シクロアルキル基;代替として、C〜C20の置換シクロアルキル基;代替として、C〜C20脂肪族複素環基;代替として、C〜C20置換脂肪族複素環基;代替として、C〜C20アリール基;代替として、C〜C20置換アリール基;代替として、C〜C20ヘテロアリール基;または代替として、C〜C20置換ヘテロアリール基であってもよい。他の実施形態において、RおよびRは、独立してC〜C10アルキル基、C〜C15シクロアルキル基、C〜C15置換シクロアルキル基、C〜C15脂肪族複素環基、C〜C15置換脂肪族複素環基、C〜C15アリール基、C〜C15の置換アリール基、C〜C15ヘテロアリール基、もしくはC〜C15置換ヘテロアリール基;代替として、C〜C10アルキル基、C〜C15シクロアルキル基、C〜C15置換シクロアルキル基、C〜C15アリール基、もしくはC〜C15置換アリール基;代替として、C〜C15シクロアルキル基もしくはC〜C15置換シクロアルキル基;代替として、C〜C15脂肪族複素環基もしくはC〜C15置換脂肪族複素環基;代替として、C〜C15アリール基もしくはC〜C15置換アリール基;代替として、C〜C15ヘテロアリール基もしくはC〜C15置換ヘテロアリール基;代替として、C〜C10アルキル基;代替として、C〜C15シクロアルキル基;代替として、C〜C15置換シクロアルキル基;代替として、C〜C15脂肪族複素環基;代替として、C〜C15置換脂肪族複素環基;代替として、C〜C15アリール基;代替として、C〜C15置換アリール基;代替として、C〜C15ヘテロアリール基;または代替として、C〜C15置換ヘテロアリール基であってもよい。さらなる実施形態において、RおよびRは、独立してC〜Cアルキル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rおよび/またはRとして使用することができる置換基をさらに記載するために使用することができる。
さらなる態様において、Rおよび/またはRは、独立してメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、またはデシル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rおよび/またはRは、独立してメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、sec−ペンチル基、またはネオペンチル基;代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、またはネオペンチル基;代替として、メチル基;代替として、エチル基;代替として、n−プロピル基;代替として、イソプロピル基;代替として、tert−ブチル基;または代替として、ネオペンチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rおよび/またはRとして使用することができるアルキル基は、置換されていてもよい。置換アルキル基の各置換基は、独立してハロゲンもしくはヒドロカルボキシ基;代替として、ハロゲン;または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハロゲン、およびヒドロカルボキシ基(一般および特定)は、独立して本明細書に開示され(例えば一般置換基および/または置換されたR基についての置換基として)、限定されることなく使用することができ、Rおよび/またはRとして使用することができる置換アルキル基をさらに記載する。
さらなる態様において、Rおよび/またはRは、独立してシクロブチル基、置換シクロブチル基、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、置換シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、置換シクロヘプチル基、シクロオクチル基、または置換シクロオクチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rおよび/またはRは、独立してシクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、もしくは置換シクロヘキシル基であってもよい。さらなる実施形態において、Rおよび/またはRは、独立してシクロペンチル基もしくは置換シクロペンチル基;または代替として、シクロヘキシル基もしくは置換シクロヘキシル基であってもよい。さらなる実施形態において、Rおよび/またはRは、独立してシクロペンチル基;代替として、置換シクロペンチル基;シクロヘキシル基;または代替として、置換シクロヘキシル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rおよび/またはRとして使用することができる置換シクロアルキル基をさらに記載するために使用することができる。
一態様において、Rは構造G7:

(式中、指定されない原子価がN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子に結合している)を有することができる。一般に、R41c、R42c、R43c、R44c、およびR45cは、独立して水素または非水素置換基であってもよく、nは、1から5までの整数であってもよい。ここで、Rには構造G7実施形態において、R41c、R43c、R44cおよびR45cは、水素であってもよく、R32cは、本明細書に開示された任意の非水素置換基であってもよく;または、代替として、R41c、R43c、およびR45cは、水素であってもよく、R42cおよびR44cは、独立して本明細書に開示される任意の非水素置換基であってもよい。一実施形態において、nは1から4まで;または代替として2から4までの整数であってもよい。他の実施形態において、nは、2もしくは3;代替として、2;または代替として、3であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造G7を有するR基についてR41c、R42c、R43c、R44c、および/またはR45cとして使用することができる非水素置換基をさらに記載するために使用することができる。
一態様において、Rは構造G8:

(式中、指定されない原子価が、N−ホスフィニルグアニジン基のリン原子に結合している)を有することができる。一般に、R51c、R52c、R53c、R54c、およびR55cは、独立して水素または非水素置換基であってもよく、nは1から5までの整数であってもよい。Rが構造G8を有する実施形態において、R51c、R53c、R54cおよびR55cは、水素であってもよく、R32cは、本明細書に開示される任意の非水素置換基であってもよく;または、代替として、R51c、R53c、およびR55cは水素であってもよく、R52cおよびR54cは、独立して本明細書において開示された任意の非水素置換基であってもよい。一実施形態において、nは1から4まで;または代替として2から4までの整数であってもよい。他の実施形態において、nは、2もしくは3;代替として、2;または代替として、3であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造G8を有するR基についてR51c、R52c、R53c、R54c、および/またはR55cとして使用することができる非水素置換基をさらに記載するために使用することができる。
一態様において、RおよびRは、独立してフェニル基、置換フェニル基、ナフチル基、または置換ナフチル基であってもよい。一実施形態において、RおよびRは、独立してフェニル基もしくは置換フェニル基;代替として、ナフチル基もしくは置換ナフチル基;代替として、フェニル基もしくはナフチル基;または代替として、置換フェニル基もしくは置換ナフチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、Rおよび/またはRは、独立してフェニル基;代替として、置換フェニル基;代替として、ナフチル基;または代替として、置換ナフチル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rおよび/Rとして使用することができる置換フェニル基および/または置換ナフチル基をさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、Rおよび/またはR置換フェニル基は、2−置換フェニル基、3−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、3,5−二置換フェニル基、または2,4,6−三置換フェニル基であってもよい。他の実施形態において、Rおよび/またはR置換フェニル基は、2−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基、4−置換フェニル基、2,4−二置換フェニル基、もしくは2,6−二置換フェニル基;代替として、3−置換subsitutedフェニル基もしくは3,5−二置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基もしくは4−置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基、2,6−二置換フェニル基、もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2,6−二置換フェニル基もしくは2,4,6−三置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基もしくは2,6−二置換フェニル基;代替として、2−置換フェニル基;代替として、3−置換フェニル基;代替として、4−置換フェニル基;代替として、2,4−二置換フェニル基;代替として、2,6−二置換フェニル基;代替として、3,5−二置換フェニル基;または代替として、2,4,6−三置換フェニル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rおよび/Rとして使用することができる置換フェニル基をさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、RおよびRは、独立してナフト−1−イル基、置換ナフト−1−イル基、ナフト−2−イル基、または置換ナフト−2−イル基であってもよい。いくつかの実施形態において、RおよびRは、独立してナフト−1−イル基もしくは置換ナフト−1−イル基;代替として、ナフト−2−イル基もしくは置換ナフト−2−イル基;代替として、ナフト−1−イル基;代替として、置換ナフト−1−イル基;代替として、ナフト−2−イル基;または代替として、置換ナフト−2−イル基であってもよい。他の実施形態において、RおよびRは、独立して2−置換ナフト−1−イル基、3−置換ナフト−1−イル基、4−置換ナフト−1−イル基、もしくは8−置換ナフト−1−イル基;代替として、2−置換ナフト−1−イル基;代替として、3−置換ナフト−1−イル基;代替として、4−置換ナフト−1−イル基;または代替として、8−置換ナフト−1−イル基であってもよい。さらなる実施形態において、RおよびRは、独立して1−置換ナフト−2−イル基、3−置換ナフト−2−イル基、4−置換ナフト−2−イル基、または1,3−二置換ナフト−2−イル基;代替として、1−置換ナフト−2−イル基;代替として、3−置換ナフト−2−イル基;代替として、4−置換ナフト−2−イル基;代替として、1,3−二置換ナフト−2−イル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rおよび/Rとして使用することができる任意の置換ナフチル基をさらに記載するために使用することができる。
一態様において、Rは構造G9:

(式中、指定されない原子価が、N−ホスフィニルグアニジン基のリン原子に結合している)を有することができる。一般に、R42、R43、R44、R45、およびR46は、独立して水素または非水素置換基であってもよい。Rが構造G9を有する実施形態において、R42、R43、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく、R43、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42は非水素置換基であってもよく、R42、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく、R43は非水素置換基であってもよく、R42、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R44は非水素置換基であってもよく、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42およびR44は、非水素置換基であってもよく、R43、R44、およびR45は、水素であってもよく、R42およびR46は、非水素置換基であってもよく、R42、R44、およびR46は、水素であってもよく、R43およびR45は、非水素置換基であってもよく、または、R43およびR45は水素であってもよく、R42、R44、およびR46は非水素置換基であってもよい。Rが構造G9を有するいくつかの実施形態において、R43、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42は非水素置換基であってもよく、R42、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R44は非水素置換基であってもよく、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42およびR44は、非水素置換基であってもよく、R43、R44、およびR45は、水素であってもよく、R42およびR46は、非水素置換基であってもよく、または、R43およびR45は水素であってもよく、R42、R44、およびR46は、非水素置換基であってもよく;代替として、R43、R44、R45、およびR46は水素であってもよく、R42は非水素置換基であってもよく、R42、R43、R45、およびR46は水素であってもよく、R44は非水素置換基であってもよく、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42およびR44は、非水素置換基であってもよく、または、R43、R44、およびR45は、水素であってもよく、R42およびR46は、非水素置換基であってもよく;代替として、R42、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく、R43は非水素置換基であってもよく、または、R42、R44、およびR46は、水素であってもよく、R43およびR45は非水素置換基であってもよく;代替として、R43、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42は非水素置換基であってもよく、または、R42、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R44は非水素置換基であってもよく;代替として、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42およびR44は、非水素置換基であってもよく、R43、R44、およびR45は、水素であってもよく、R42およびR46は、非水素置換基であってもよく、または、R43およびR45は、水素であってもよく、R42、R44、およびR46は、非水素置換基であってもよく;または、代替として、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42およびR44は、非水素置換基であってもよく、または、R43、R44、およびR45は、水素であってもよく、R42およびR46は、非水素置換基であってもよい。Rが構造G9を有する他の実施形態において、R42、R43、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく;代替として、R43、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42は非水素置換基であってもよく;代替として、R42、R44、R45、およびR46は、水素であってもよく、R43は非水素置換基であってもよく;代替として、R42、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R44は非水素置換基であってもよく;代替として、R43、R45、およびR46は、水素であってもよく、R42およびR44は、非水素置換基であってもよく;代替として、R43、R44、およびR45は、水素であってもよく、R42およびR46は、非水素置換基であってもよく;代替として、R42、R44、およびR46は、水素であってもよく、R43およびR45は、非水素置換基であってもよく;または代替として、R43およびR45は水素であってもよく、R42、R44、およびR46は、非水素置換基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造G9を有するR基についてR42、R43、R44、R45、およびR46として使用することができる。
一態様において、Rは構造G10:

(式中、指定されない原子価が、N−ホスフィニルグアニジン基のリン原子に結合している)を有することができる。一般に、R52、R53、R54、R55、およびR56は、独立して水素または非水素置換基であってもよい。Rが構造G10を有する実施形態において、R52、R53、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく、R53、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52は非水素置換基であってもよく、R52、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく、R53は非水素置換基であってもよく、R52、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R54は非水素置換基であってもよく、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52およびR54は非水素置換基であってもよく、R53、R54、およびR55は、水素であってもよく、R52およびR56は、非水素置換基であってもよく、R52、R54、およびR56は、水素であってもよく、R53およびR55は、非水素置換基であってもよく、またはR53およびR55は、水素であってもよく、R52、R54、およびR56は、非水素置換基であってもよい。Rが構造G10を有するいくつかの実施形態において、R53、R54、R55、およびR56は水素であってもよく、R52は非水素置換基であってもよく、R52、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R54は非水素置換基であってもよく、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52およびR54は、非水素置換基であってもよく、R53、R54、およびR55は、水素であってもよく、R52およびR56は、非水素置換基であってもよく、または、R53およびR55は、水素であってもよく、R52、R54、およびR56は、非水素置換基であってもよく;代替として、R53、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52は非水素置換基であってもよく、R52、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R54は非水素置換基であってもよく、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52およびR54は、非水素置換基であってもよく、または、R53、R54、およびR55は、水素であってもよく、R52およびR56は、非水素置換基であってもよく;代替として、R52、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく、R53は非水素置換基であってもよく、または、R52、R54、およびR56は、水素であってもよく、R53およびR55は、非水素置換基であってもよく;代替として、R53、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52は非水素置換基であってもよく、または、R52、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R54は非水素置換基であってもよく;代替として、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52およびR54は、非水素置換基であってもよく、R53、R54、およびR55は、水素であってもよく、R52およびR56は、非水素置換基であってもよく、または、R53およびR55は、水素であってもよく、R52、R54、およびR56は、非水素置換基であってもよく;または代替として、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52およびR54は、非水素置換基であってもよく、または、R53、R54、およびR55は、水素であってもよく、R52およびR56は、非水素置換基であってもよい。Rが構造G10を有する他の実施形態において、R52、R53、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく;代替として、R53、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52は非水素置換基であってもよく;代替として、R52、R54、R55、およびR56は、水素であってもよく、R53は非水素置換基であってもよく;代替として、R52、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R54は非水素置換基であってもよく;代替として、R53、R55、およびR56は、水素であってもよく、R52およびR54は、非水素置換基であってもよく;代替として、R53、R54、およびR55は、水素であってもよく、R52およびR56は、非水素置換基であってもよく;代替として、R52、R54、およびR56は、水素であってもよく、R53およびR55は、非水素置換基であってもよく;または、代替として、R53およびR55は、水素であってもよく、R52、R54、および、R56は、非水素置換基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造G10を有するR基についてR52、R53、R54、R55、およびR56として使用することができる。
一態様において、RおよびRは、独立してピリジニル基、置換ピリジニル基、フリル基、置換フリル基、チエニル基、または置換チエニル基であってもよい。一実施形態において、RおよびRは、独立してピリジニル基または置換ピリジニル基であってもよく;代替として、フリル基または置換フリル基;または代替として、チエニル基または置換チエニル基であってもよい。いくつかの実施形態において、RおよびRは、独立してピリジニル基、フリル基、またはチエニル基であってもよい。他の実施形態において、RおよびRは、ピリジニル基;代替として、置換ピリジニル基;代替として、フリル基;代替として、置換フリル基;代替として、チエニル基;または代替として、置換チエニル基であってもよい。
一実施形態において、ピリジニル(または置換ピリジニル)RおよびR基は、独立してピリジン−2−イル基、置換ピリジン−2−イル基、ピリジン−3−イル基、置換ピリジン−3−イル基、ピリジン−4−イル基、または置換ピリジン−4−イル基;または代替として、ピリジン−2−イル基、ピリジン−3−イル基、またはピリジン−4−イル基であってもよい。いくつかの実施形態において、ピリジニル(または置換ピリジニル)RおよびR基は、独立してピリジン−2−イル基または置換ピリジン−2−イル基;代替として、ピリジン−3−イル基もしくは置換ピリジン−3−イル基;代替として、ピリジン−4−イル基もしくは置換ピリジン−4−イル基;代替として、ピリジン−2−イル基;代替として、置換ピリジン−2−イル基;代替として、ピリジン−3−イル基;代替として、置換ピリジン−3−イル基;代替として、ピリジン−4−イル基;または代替として、置換ピリジン−4−イル基であってもよい。一実施形態において、置換ピリジニルRおよびR基は、独立して2−置換ピリジン−3−イル基、4−置換ピリジン−3−イル基、5−置換ピリジン−3−イル基、6−置換ピリジン−3−イル基、2,4−二置換ピリジン−3−イル基、2,6−二置換ピリジン−3−イル基、もしくは2,4,6−三置換ピリジン−3−イル基;代替として、2−置換ピリジン−3−イル基、4−置換ピリジン−3−イル基、もしくは6−置換ピリジン−3−イル基;代替として、2,4−二置換ピリジン−3−イル基もしくは2,6−二置換ピリジン−3−イル基;代替として、2−置換ピリジン−3−イル基;代替として、4−置換ピリジン−3−イル基;代替として、5−置換ピリジン−3−イル基;代替として、6−置換ピリジン−3−イル基;代替として、2,4−二置換ピリジン−3−イル基;代替として、2,6−二置換ピリジン−3−イル基;または代替として、2,4,6−三置換ピリジン−3−イル基であってもよい。一実施形態において、置換ピリジニルRおよびR基は、独立して2−置換ピリジン−4−イル基、3−置換ピリジン−4−イル基、5−置換ピリジン−4−イル基、6−置換ピリジン−4−イル基、2,6−二置換ピリジン−4−イル基、もしくは3,5−二置換ピリジン−4−イル基;代替として、2−置換ピリジン−4−イル基もしくは6−置換ピリジン−4−イル基;代替として、3−置換ピリジン−4−イル基もしくは5−置換ピリジン−4−イル基;代替として、2−置換ピリジン−4−イル基;代替として、3−置換ピリジン−4−イル基;代替として、5−置換ピリジン−4−イル基;代替として、6−置換ピリジン−4−イル基;代替として、2,6−二置換ピリジン−4−イル基;または代替として、3,5−二置換ピリジン−4−イル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rおよび/またはRとして使用することができる置換ピリジニル基をさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、各フリル(または置換フリル)RおよびR基は、独立してフル−2−イル基、置換フル−2−イル基、フル−3−イル基、または置換フル−3−イル基;代替として、フル−2−イルまたはフル−3−イル基から選択することができる。いくつかの実施形態において、フリル(または置換フリル)RおよびR基は、独立してフル−2−イル基もしくは置換フル−2−イル基;代替として、フル−3−イル基もしくは置換フル−3−イル基;代替として、フル−2−イル基;代替として、置換フル−2−イル基;代替として、フル−3−イル基;または代替として、置換フル−3−イル基から選択することができる。一実施形態において、置換フリルRおよびR基は、2−置換フル−3−イル基、4−置換フル−3−イル基、もしくは2,4−二置換フル−3−イル基;代替として、2−置換フル−3−イル基;代替として、4−置換フル−3−イル基;または代替として、2,4−二置換フル−3−イル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rおよび/またはRとして使用することができる置換フリル基をさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、チエニル(または置換チエニル)RおよびR基は、独立してチエン−2−イル基、置換チエン−2−イル基、チエン−3−イル基、または置換チエン−3−イル基;または代替として、チエン−2−イル基またはチエン−3−イル基から選択することができる。いくつかの実施形態において、チエニル(または置換チエニル)RおよびR基は、独立してチエン−2−イル基もしくは置換チエン−2−イル基;代替として、チエン−3−イル基もしくは置換チエン−3−イル基;代替として、チエン−2−イル基;代替として、置換チエン−2−イル基;代替として、チエン−3−イル基;または代替として、置換チエン−3−イル基から選択することができる。一実施形態において、置換チエニルRおよびR基は、2−置換チエン−3−イル基、4−置換チエン−3−イル基、もしくは2,4−二置換チエン−3−イル基;代替として、2−置換チエン−3−イル基;代替として、4−置換チエン−3−イル基;または代替として、2,4−二置換チエン−3−イル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、Rおよび/またはRとして使用することができる置換チエニル基をさらに記載するために使用することができる。
一態様において、RおよびRが結合してリン原子を含む環状基を形成できる。一実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、ホスフィニル基は、ホスホル−1−イル基、置換ホスホル−1−イル基、2,3−ジホスホル−1−イル基、置換2,3−ジホスホル−1−イル基、3,5−ジホスホル−1−イル基、置換3,5−ジホスホル−1−イル基、ホスホラン−1−イル基、置換ホスホラン−1−イル基、1,2−ジホドロホスフィニン−1−イル基、置換、1,2−ジホドロホスフィニン−1−イル基、1,4−ジホドロホスフィニン−1−イル基、置換1,4−ジホドロホスフィニン−1−イル基、1,2,3,4−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、置換1,2,3,4−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、1,2,3,6−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、置換1,2,3,6−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、ホスフィナン−1−イル基、または置換ホスフィナン−1−イル基であってもよい。いくつかの実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、ホスフィニル基は、ホスホル−1−イル基もしくは置換ホスホル−1−イル基;代替として、2,3−ジホスホル−1−イル基もしくは置換2,3−ジホスホル−1−イル基;代替として、3,5−ジホスホル−1−イル基もしくは置換3,5−ジホスホル−1−イル基;代替として、ホスホラン−1−イル基もしくは置換ホスホラン−1−イル基;代替として、1,2−ジヒドロホスフィニン−1−イル基もしくは置換1,2−ジヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、1,4−ジヒドロホスフィニン−1−イル基もしくは置換1,4−ジヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、1,2,3,4−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、もしくは置換1,2,3,4−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、1,2,3,6−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、もしくは置換1,2,3,6−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基;または代替として、ホスフィナン−1−イル基もしくは置換ホスフィナン−1−イル基であってもよい。いくつかの実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、ホスフィニル基は、ホスホル−1−イル基、2,3−ジホスホル−1−イル基、3,5−ジホスホル−1−イル基、ホスホラン−1−イル基、1,2−ジヒドロホスフィニン−1−イル基、1,4−ジヒドロホスフィニン−1−イル基、1,2,3,4−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、1,2,3,6−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、またはホスフィナン−1−イル基であってもよい。他の実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、ホスフィニル基は、置換ホスホル−1−イル基、置換2,3−ジホスホル−1−イル基、置換3,5−ジホスホル−1−イル基、置換ホスホラン−1−イル基、置換1,2−ジヒドロホスフィニン−1−イル基、置換1,4−ジヒドロホスフィニン−1−イル基、置換1,2,3,4−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、置換1,2,3,6−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基、または置換ホスフィナン−1−イル基であってもよい。また他の実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、ホスフィニル基は、ホスホラン−1−イル基、置換ホスホラン−1−イル基、ホスフィナン−1−イル基、もしくは置換ホスフィナン−1−イル基;代替として、ホスホラン−1−イル基もしくはホスフィナン−1−イル基;または代替として、置換ホスホラン−1−イル基もしくは置換ホスフィナン−1−イル基。さらなる実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、ホスフィニル基は、ホスホル−1−イル基;代替として、置換ホスホル−1−イル基;代替として、2,3−ジホスホル−1−イル基;代替として、置換2,3−ジホスホル−1−イル基;代替として、3,5−ジホスホル−1−イル基;代替として、置換3,5−ジホスホル−1−イル基;代替として、ホスホラン−1−イル基;代替として、置換ホスホラン−1−イル基;代替として、1,2−ジヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、置換、1,2−ジヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、1,4−ジヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、置換1,4−ジヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、1,2,3,4−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、置換1,2,3,4−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、1,2,3,6−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、置換1,2,3,6−テトラヒドロホスフィニン−1−イル基;代替として、ホスフィナン−1−イル基;または代替として、置換ホスフィナン−1−イル基であってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、RおよびRが結合してリン原子を含む環状基を形成する置換基をさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、リン原子を含む環式基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合したリン原子に隣接する炭素原子上の少なくとも1個の置換基を含むことができる。いくつかの実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、リン原子を含む環式基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合したリン原子に隣接する各炭素原子上の少なくとも1個の置換基を含むことができる。他の実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、リン原子を含む環式基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合したリン原子に隣接する炭素原子上のただ1個の置換基を含む、またはそれからなることができる。また他の実施形態において、RおよびRが結合してN−ホスフィニルグアニジン基のリン原子を含む環式基を形成する場合、リン原子を含む環式基は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合したリン原子に隣接する各炭素原子上のただ1個の置換基を含む、またはそれからなることができる。
一実施形態において、RおよびRは、独立してフェニル基、2−アルキルフェニル基、3−アルキルフェニル基、4−アルキルフェニル基、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、3,5−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基、4−アルキルフェニル基、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基もしくは4−アルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基、もしくは2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、2,6−ジアルキルフェニル基、もしくは2,4,6−トリアルキルフェニル基;代替として、3−アルキルフェニル基もしくは3,5−ジアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基もしくは2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、2−アルキルフェニル基;代替として、3−アルキルフェニル基;代替として、4−アルキルフェニル基;代替として、2,4−ジアルキルフェニル基;代替として、2,6−ジアルキルフェニル基;代替として、3,5−ジアルキルフェニル基;または代替として、2,4,6−トリアルキルフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立してナフトnapht−1−イル基、2−ナフト−2−イル基、2−アルキルナフト−1−イル基、1−アルキルナフト−2−イル基、3−アルキルナフトnapth−2−イル基、または1,3−ジアルキルナフト−2−イル基;代替として、ナフトnapht−1−イル基または2−アルキルナフト−1−イル基;代替として、ナフト−2−イル基、1−アルキルナフト−2−イル基、3−アルキルナフトnapth−2−イル基、または1,3−ジアルキルナフト−2−イル基;代替として、ナフトnapht−1−イル基;代替として、2−ナフト−2−イル基;代替として、2−アルキルナフト−1−イル基;代替として、1−アルキルナフト−2−イル基;代替として、3−アルキルナフトnapth−2−イル基;または代替として、1,3−ジアルキルナフト−2−イル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立してシクロヘキシル基、2−アルキルシクロヘキシル基、もしくは2,6−ジアルキルシクロヘキシル基;代替として、シクロペンチル基、2−アルキルシクロペンチル基、もしくは2,5−ジアルキルシクロペンチル基;代替として、シクロヘキシル基;代替として、2−アルキルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジアルキルシクロヘキシル基;代替として、シクロペンチル基;代替として、2−アルキルシクロペンチル基;または代替として、2,5−ジアルキルシクロペンチル基であってもよい。アルキル基置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができる、Rおよび/またはRとして使用することができるアルキルフェニル、ジアルキルフェニル、トリアルキルフェニル、ナフチル、ジアルキルナフチル、アルキルシクロヘキシル、ジアルキルシクロヘキシル、アルキルシクロペンチル、またはジアルキルシクロペンチル基をさらに記載する。一般に、ジアルキルまたはトリアルキルフェニル、ナフチル、シクロヘキシル、またはシクロペンチル基のアルキル置換基は、同一であってもよく;または代替として、ジアルキルまたはトリアルキルフェニル、ナフチル、シクロヘキシル、もしくはシクロペンチル基のアルキル置換基は、異なっていてもよい。
別の非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立してフェニル基、2−アルコキシフェニル基、3−アルコキシフェニル基、4−アルコキシフェニル基、または3,5−ジアルコキシフェニル基;代替として、2−アルコキシフェニル基または4−アルコキシフェニル基;代替として、3−アルコキシフェニル基または3,5−ジアルコキシフェニル基;代替として、2−アルコキシフェニル基;代替として、3−アルコキシフェニル基;代替として、4−アルコキシフェニル基;代替として、3,5−ジアルコキシフェニル基であってもよい。アルコキシ基置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、なるRおよび/またはRとして使用することができるアルコキシフェニルまたはジアルコキシフェニル基をさらに記載する。一般に、ジアルコキシフェニル基のアルコキシ置換基は同一であってもよく;または代替として、ジアルコキシフェニル基のアルコキシ置換基は、異なっていてもよい。
他の非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立してフェニル基、2−ハロフェニル基、3−ハロフェニル基、4−ハロフェニル基、2,6−ジハロフェニル基、もしくは3,5−ジアルキルフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基、4−ハロフェニル基、もしくは2,6−ジハロフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基もしくは4−ハロフェニル基;代替として、3−ハロフェニル基もしくは3,5−ジハロフェニル基;代替として、2−ハロフェニル基;代替として、3−ハロフェニル基;代替として、4−ハロフェニル基;代替として、2,6−ジハロフェニル基;または代替として、3,5−ジハロフェニル基であってもよい。ハライドは、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、Rおよび/またはRとして使用することができるハロフェニルまたはジハロフェニル基をさらに記載する。一般に、ジハロフェニル基のハライドは同じであってもよく;または、代替として、ジハロフェニル基のハライドは異なっていてもよい。
非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立して2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、3−メチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2,6−ジイソプロピルフェニル基、2,6−ジ−tert−ブチルフェニル基、3,5−ジメチル基、もしくは2,4,6−トリメチルフェニル基;代替として、2−メチルフェニル基、2−エチルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、もしくは2−tert−ブチルフェニル基;代替として、2,6−ジメチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2,6−ジイソプロピルフェニル基、もしくは2,6−ジ−tert−ブチルフェニル基;代替として、2−メチルフェニル基;代替として、2−エチルフェニル基;代替として、2−イソプロピルフェニル基;代替として、2−tert−ブチルフェニル基;代替として、3−メチルフェニル基;代替として、2,6−ジメチルフェニル基;代替として、2,6−ジエチルフェニル基;代替として、2,6−ジイソプロピルフェニル基;代替として、2,6−ジ−tert−ブチルフェニル基;代替として、3,5−ジメチル基;または代替として、2,4,6−トリメチルフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立してシクロヘキシル基、2−メチルシクロヘキシル基、2−エチルシクロヘキシル基、2−イソプロピルシクロヘキシル基、2−tert−ブチルシクロヘキシル基、2,6−ジメチルシクロヘキシル基、2,6−ジエチルシクロヘキシル基、2,6−ジイソプロピルシクロヘキシル基、もしくは2,6−ジ−tert−ブチルシクロヘキシル基;代替として、2−メチルシクロヘキシル基、2−エチルシクロヘキシル基、2−イソプロピルシクロヘキシル基、もしくは2−tert−ブチルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジメチルシクロヘキシル基、2,6−ジエチルシクロヘキシル基、2,6−ジイソプロピルシクロヘキシル基、もしくは2,6−ジ−tert−ブチルシクロヘキシル基;代替として、シクロヘキシル基;代替として、2−メチルシクロヘキシル基;代替として、2−エチルシクロヘキシル基;代替として、2−イソプロピルシクロヘキシル基;代替として、2−tert−ブチルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジメチルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジエチルシクロヘキシル基;代替として、2,6−ジイソプロピルシクロヘキシル基;または代替として、2,6−ジ−tert−ブチルシクロヘキシル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、Rおよび/またはRは、独立して2−メチルナフト−1−イル基、2−エチルナフト−1−イル基、2−n−プロピルナフト−1−イル基、2−イソプロピルナフト−1−イル基、または2−tert−ブチルナフト−1−イル基;代替として、2−メチルナフト−1−イル基;代替として、2−エチルナフト−1−イル基;代替として、2−n−プロピルナフト−1−イル基;代替として、2−イソプロピルナフト−1−イル基;または代替として、2−tert−ブチルナフト−1−イル基であってもよい。
非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立して2−メトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、2−イソプロポキシフェニル基、2−tert−ブトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、3−イソプロポキシフェニル基、3−tert−ブトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、4−tert−ブトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,4−ジエトキシフェニル基、2,4−ジイソプロポキシフェニル基、2,4−ジ−tert−ブトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、3,5−ジイソプロポキシフェニル基、3,5−ジ−tert−ブトキシフェニル基、2,6−ジメトキシフェニル基、2,6−ジエトキシフェニル基、2,6−ジイソプロポキシフェニル基、2,6−ジ−tert−ブトキシフェニル基、もしくは2,4,6−トリメトキシフェニル基;代替として、2−メトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、2−イソプロポキシフェニル基、もしくは2−tert−ブトキシフェニル基;代替として、3−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、3−イソプロポキシフェニル基、もしくは3−tert−ブトキシフェニル基;代替として、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、もしくは4−tert−ブトキシフェニル基;代替として、2,4−ジメトキシフェニル基、2,4−ジエトキシフェニル基、2,4−ジイソプロポキシフェニル基、もしくは2,4−ジ−tert−ブトキシフェニル基;代替として、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、3,5−ジイソプロポキシフェニル基、もしくは3,5−ジ−tert−ブトキシフェニル基;または代替として、2,6−ジメトキシフェニル基、2,6−ジエトキシフェニル基、2,6−ジイソプロポキシフェニル基、もしくは2,6−ジ−tert−ブトキシフェニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立して2−メトキシフェニル基;代替として、2−エトキシフェニル基;代替として、2−イソプロポキシフェニル基;代替として、2−tert−ブトキシフェニル基;代替として、3−メトキシフェニル基;代替として、3−エトキシフェニル基;代替として、3−イソプロポキシフェニル基;代替として、3−tert−ブトキシフェニル基;代替として、4−メトキシフェニル基;代替として、4−エトキシフェニル基;代替として、4−イソプロポキシフェニル基;代替として、4−tert−ブトキシフェニル基;代替として、2,4−ジメトキシフェニル基;代替として、2,4−ジエトキシフェニル基;代替として、2,4−ジイソプロポキシフェニル基;代替として、2,4−ジ−tert−ブトキシフェニル基;代替として、3,5−ジメトキシフェニル基;代替として、3,5−ジエトキシフェニル基;代替として、3,5−ジイソプロポキシフェニル基;代替として、3,5−ジ−tert−ブトキシフェニル基;代替として、2,6−ジメトキシフェニル基;代替として、2,6−ジエトキシフェニル基;代替として、2,6−ジイソプロポキシフェニル基;代替として、2,6−ジ−tert−ブトキシフェニル基;または代替として、2,4,6−トリメトキシフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、RおよびRは、独立して2−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−フルオロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−フルオロフェニル基、4−クロロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基、または3,5−ジクロロフェニル基;代替として、2−フルオロフェニル基または2−クロロフェニル基;代替として、3−フルオロフェニル基または3−クロロ−フェニル基;代替として、4−フルオロフェニル基または4−クロロフェニル基;代替として、3,5−ジフルオロフェニル基;代替として、3−フルオロフェニル基、3−クロロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基または3,5−ジクロロフェニル基;または代替として、3−フルオロフェニル基または3,5−ジフルオロフェニル基であってもよい。別の非限定的な実施形態において、Rおよび/またはRは、独立して2−フルオロフェニル基;代替として、2−クロロフェニル基;代替として、3−フルオロフェニル基;代替として、3−クロロフェニル基;代替として、4−フルオロフェニル基;代替として、4−クロロフェニル;代替として、3,5−ジフルオロフェニル基;または代替として、3,5−ジクロロフェニル基であってもよい。一般に、ホスフィニル基のRおよび/またはRは、独立して本明細書に記載されるRまたはR基であってもよく、本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基をさらに記載するために任意の組み合わせで利用されてもよい。一実施形態において、RおよびR基は同じであってもよい。他の実施形態において、RおよびRは異なってもよい。
ホスフィニル基
一態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基、ジアルキルホスフィニル基、ビス(モノハロ置換フェニル)ホスフィニル基、ビス(モノアルキル置換フェニル)ホスフィニル基、もしくはビス(モノアルコキシ置換フェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェニルホスフィニル基;代替として、ジアルキルホスフィニル基;代替として、ビス(モノハロ置換フェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(モノアルキル置換フェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(モノアルコキシ置換フェニル)ホスフィニル基であってもよい。別の態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、(アルキル)(フェニル)ホスフィニル基、(モノハロ置換フェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(モノアルキル置換フェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(モノアルコキシ置換フェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(モノアルキル置換フェニル)(モノハロ置換フェニル)ホスフィニル基、または(モノアルキル置換フェニル)(モノアルコキシ置換フェニル)ホスフィニル基;代替として、(アルキル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(モノハロ置換フェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(モノアルキル置換フェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(モノアルコキシ置換フェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(モノアルキル置換フェニル)(モノハロ置換フェニル)ホスフィニル基;または代替として、(モノアルキル置換フェニル)(モノ−アルコキシ置換フェニル)ホスフィニル基であってもよい。別の態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ビス(ジハロ置換フェニル)ホスフィニル基、ビス(ジアルキル置換フェニル)ホスフィニル基、ビス(ジアルコキシ置換フェニル)ホスフィニル基、ビス(トリアルキルフェニル)ホスフィニル基、またはビス(トリアルコキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(ジハロ置換フェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(ジアルキル置換フェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(ジアルコキシ置換フェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(トリアルキルフェニル)ホスフィニル基;または代替として、ビス(トリアルコキシフェニル)ホスフィニル基であってもよい。ハロゲン、アルキル基置換基(一般および特定)、およびアルコキシ基置換基(一般および特定)は、独立して本明細書に記載され(例えば、置換R基の置換基として)、限定されることなく使用することができ、N−ホスフィニルグアニジン化合物において使用することができるホスフィニル基をさらに記載する。
非限定的な態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジメチルホスフィニル基、ジエチルホスフィニル基、ジイソプロピルホスフィニル基、ジ−tert−ブチルホスフィニル基、またはジネオペンチルホスフィニル基であってもよい。非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基はジメチルホスフィニル基;代替として、ジエチルホスフィニル基;代替として、ジイソプロピルホスフィニル基;代替として、ジ−tert−ブチルホスフィニル基;または代替として、ジネオペンチルホスフィニル基であってもよい。非限定的な態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、(メチル)(フェニル)ホスフィニル基、(エチル)(フェニル)ホスフィニル基、(イソプロピル)(フェニル)ホスフィニル基、(tert−ブチル)(フェニル)ホスフィニル基、または(ネオ−ペンチル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、(メチル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(エチル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(イソプロピル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(tert−ブチル)(フェニル)ホスフィニル基;または代替として、(ネオペンチル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジシクロペンチルホスフィニル基、ジシクロヘキシルホスフィニル基;代替として、ジシクロペンチルホスフィニル基;または代替として、ジシクロヘキシルホスフィニル基であってもよい。
また別の非限定的な態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ビス(2−フルオロフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−クロロフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−フルオロフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−フルオロフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−クロロフェニル)ホスフィニル基またはビス(4−クロロフェニル)ホスフィニル基であってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ビス(2−フルオロフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−フルオロフェニル)ホスフィニル基、もしくはビス(4−フルオロフェニル)ホスフィニル基;または代替として、ビス(2−クロロフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−クロロフェニル)ホスフィニル基またはビス(4−クロロフェニル)ホスフィニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ビス(2−フルオロフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(2−クロロフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−フルオロフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−クロロフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(4−フルオロフェニル)ホスフィニル基;または代替として、ビス(4−クロロフェニル)ホスフィニル基であってもよい。
また別の非限定的な態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、(2−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、または(4−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、(2−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、もしくは(4−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;または代替として、(2−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、もしくは(4−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、(2−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(2−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(4−フルオロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;または代替として、(4−クロロフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。
また別の非限定的な態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基、ビス(2−メチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−エチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−tert−ブチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−メチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−エチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−tert−ブチルフェニル)ホスフィニル基、ジフェニルホスフィニル基、ビス(4−メチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−エチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基、またはビス(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィニル基であってもよい。非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ビス(2−メチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−エチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基、もしくはビス(2−tert−ブチルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェニルホスフィニル基、ビス(3−メチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−エチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基、もしくはビス(3−tert−ブチルフェニル)ホスフィニル基;または代替として、ジフェニルホスフィニル基、ビス(4−メチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−エチルフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基、もしくはビス(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基;代替として、ビス(2−メチルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(2−エチルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(2−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(2−tert−ブチルフェニル)−ホスフィニル基;代替として、ビス(3−メチルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−エチルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−tert−ブチルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェニルホスフィニル基;代替として、ビス(4−メチルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(4−エチルフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(4−イソプロピルフェニル)ホスフィニル基;または代替として、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィニル基であってもよい。
また別の非限定的な態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基、(2−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、ジフェニルホスフィニル基、(4−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、または(4−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、(2−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、または(2−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェニルホスフィニル基、(3−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、もしくは(3−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;または代替として、ジフェニルホスフィニル基、(4−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、もしくは(4−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基;代替として、(2−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(2−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(2−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(2−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェニルホスフィニル基;代替として、(4−メチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(4−エチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(4−イソプロピルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;または代替として、(4−tert−ブチルフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。
また別の非限定的な態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基、ビス(2−メトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−エトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−イソプロポキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−メトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−エトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−イソプロポキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基、ジフェノキシホスフィニル基、ビス(4−メトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−エトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−イソプロポキシフェニル)ホスフィニル基、またはビス(4−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基であってもよい。非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ビス(2−メトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−エトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(2−イソプロポキシフェニル)ホスフィニル基、もしくはビス(2−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェノキシホスフィニル基、ビス(3−メトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−エトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(3−イソプロポキシフェニル)ホスフィニル基、もしくはビス(3−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基;または代替として、ジフェノキシホスフィニル基、ビス(4−メトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−エトキシフェニル)ホスフィニル基、ビス(4−イソプロポキシフェニル)ホスフィニル基、もしくはビス(4−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基;代替として、ビス(2−メトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(2−エトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(2−イソプロポキシル)フェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(2−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−メトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−エトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−イソプロポキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(3−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェノキシホスフィニル基;代替として、ビス(4−メトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(4−エトキシフェニル)ホスフィニル基;代替として、ビス(4−イソプロポキシフェニル)ホスフィニル基;または代替として、ビス(4−tert−ブトキシフェニル)ホスフィニル基であってもよい。
また別の非限定的な態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基、(2−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、ジフェノキシホスフィニル基、(4−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、または(4−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、(2−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(2−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、もしくは(2−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェノキシホスフィニル基、(3−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(3−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、もしくは(3−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)−ホスフィニル基;または代替として、ジフェノキシホスフィニル基、(4−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、(4−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基、もしくは(4−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。他の非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物のホスフィニル基は、ジフェニルホスフィニル基;代替として、(2−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(2−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(2−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(2−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(3−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、ジフェノキシホスフィニル基;代替として、(4−メトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(4−エトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;代替として、(4−イソプロポキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基;または代替として、(4−tert−ブトキシフェニル)(フェニル)ホスフィニル基であってもよい。
一態様の実施形態において、RおよびR2aは結合して、基L12を形成でき、ここでL12、N窒素原子およびN窒素原子は環または環系を形成できる。別の態様において、R2bおよびRは結合して、基L23を形成でき、ここでL13、N窒素およびN窒素原子は環または環系を形成できる。一実施形態において、L12および/またはL23はオルガニレン基であってもよく;代替として、オルガニレン基は不活性官能基;または代替として、ヒドロカルビレン基からなる。L12およびL23として利用され得るオルガニレン基は独立して、C〜C20オルガニレン基;代替として、C〜C15オルガニレン基;代替として、C〜C10オルガニレン基;または代替として、C2〜C5オルガニレン基であってもよい。L12およびL23として利用され得る不活性官能基からなるオルガニレン基は独立して、不活性官能基からなるC〜C20オルガニレン基;代替として、不活性官能基からなるC〜C15オルガニレン基;代替として、不活性官能基からなるC〜C10オルガニレン基;または代替として、不活性官能基からなるC〜Cオルガニレン基;または代替として、不活性官能基からなるC〜Cオルガニレン基であってもよい。L12およびL23として利用され得るヒドロカルビレン基は独立して、C〜C20ヒドロカルビレン基;代替として、C〜C15ヒドロカルビレン基;代替として、C〜C10ヒドロカルビレン基;または代替として、C〜Cヒドロカルビレン基であってもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物がL12およびL23を含むいくつかの実施形態において、L12およびL23は同じであってもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物がL12およびL23を含む他の実施形態において、L12およびL23は異なってもよい。
一実施形態において、L12および/またはL23は表1に提供される任意の構造を有してもよい。実施形態において、L12および/またはL23は、構造1L、構造2L、構造3L、構造4Lまたは構造5Lを有してもよい。いくつかの実施形態において、L12およびL23は独立して、構造2Lまたは構造3L;代替として、構造4Lまたは構造5Lを有してもよい。他の実施形態において、L12およびL23は独立して、構造1L;代替として、構造2L;代替として、構造3L;代替として、構造4L;または代替として、構造5Lを有してもよい。いくつかの実施形態において、L12は構造6Lを有してもよい。L12が構造6Lを有する場合、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子との二重結合(実在として示されているが、芳香族共鳴を介してであり得る)のため、対応するR2bはなくてもよいことは留意すべきである。

表1の構造内で、指定されていない価数は、存在する場合、L12および/またはL23が、N−ホスフィニルグアニジン基のそれぞれの窒素原子に結合する点を表す。一般に、mは2〜5の範囲の整数であってもよい。さらなる実施形態において、mは2または3であってもよく;代替として、mは2であってもよく;代替として、mは3であってもよい。構造1Lを有する連結基のRL1およびRL2、構造2Lを有する連結基のRL3、RL4、RL5およびRL6、構造3Lを有する連結基のRL3、RL4、RL5、RL6、RL7およびRL8、構造4Lを有する連結基のRL11およびRL12、構造5Lを有する連結基のRL22、RL23、RL24、RL25およびRL26、構造6Lを有する連結基のRL27、RL28およびRL29は独立して、水素もしくは非水素置換基(本明細書に記載される任意の一般または特定);または代替として、水素であってもよい。非水素置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造1L、構造2L、構造3L、構造4Lおよび/または構造5Lを有する連結基をさらに記載するために使用されてもよい。一実施形態において、L12およびL23は独立して、エテ−1,2−イレン基(−CHCH−)、エテン−1,2−イレン基(−CH=CH−)、プロパ−1,3−イレン基(−CHCHCH−)、1−メチルエテン−1,2−イレン基(−C(CH)=CH−)、ブト−1,3−イレン基(−CHCHCH(CH)−)、3−メチルブト−1,3−イレン基(−CHCHCH(CH)−)、3−メチルブト−1,3−イレン基(−CHCHC(CH−)またはフェン−1,2−イレン基であってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、L12およびL23は独立して、エテ−1,2−イレン基(−CHCH−)、プロパ−1,3−イレン基(−CHCHCH−)、1−メチルエテン−1,2−イレン基(−C(CH)=CH−)、ブト−1,3−イレン基(−CHCHCH(CH)−)または3−メチルブト−1,3−イレン基(−CHCHC(CH−);代替として、エテ−1,2−イレン基(−CHCH−)、エテン−1,2−イレン基(−CH=CH−)、プロパ−1,3−イレン基(−CHCHCH−)またはフェン−1,2−イレン基;代替として、エテ−1,2−イレン基(−CHCH−)またはプロパ−1,3−イレン基(−CHCHCH−);代替として、エテン−1,2−イレン基(−CH=CH−)またはフェン−1,2イレン基であってもよい。他の実施形態において、L12および/またはL23は、エテ−1,2−イレン基(−CHCH−);代替として、エテン−1,2−イレン基(−CH=CH−);代替として、プロパ−1,3−イレン基(−CHCHCH−);代替として、1−メチルエテン−1,2−イレン基(−C(CH)=CH−);代替として、ブト−1,3−イレン基(−CHCHCH(CH)−);代替として、3−メチルブト−1,3−イレン基(−CHCHC(CH−);代替として、フェン−1,2−イレン基であってもよい。いくつかの実施形態において、L12は−CH=CH−CH=基であってもよい。一実施形態において、L12は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する少なくとも1つの置換基を含んでもよい構造を有してもよく;代替として、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する1つの置換基のみを含んでもよく;代替として、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する2つの置換基を含んでもよい。別の実施形態において、L12は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する1つの置換基からなってもよい構造を有してもよく;代替として、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する2つの置換基からなってもよい。一実施形態において、L23は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する少なくとも1つの置換基を含んでもよい構造を有してもよく;代替として、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する1つの置換基のみを含んでもよく;代替として、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する2つの置換基を含んでもよい。別の実施形態において、L23は、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する1つの置換基からなってもよい構造を有してもよく;または代替として、N−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合した炭素原子に位置する2つの置換基からなってもよい。
一実施形態において、R2aおよびR2bは結合して、基L22を形成でき、ここで、R2a、R2bおよびN窒素(またはL22およびN窒素)は環または環系を形成する。一実施形態において、L22はオルガニレン基;代替として、不活性官能基からなるオルガニレン基;または代替として、ヒドロカルビレン基であってもよい。L22として使用することができるオルガニレン基は、C〜C20オルガニレン基;代替として、C〜C15オルガニレン基;または代替として、C〜C10オルガニレン基であってもよい。L22として使用することができる不活性官能基からなるオルガニレン基は、不活性官能基からなるC〜C20オルガニレン基;代替として、不活性官能基からなるC〜C15オルガニレン基;または代替として、不活性官能基からなるC〜C10オルガニレン基であってもよい。L22として使用することができるヒドロカルビレン基は、C〜C20ヒドロカルビレン基;代替として、C〜C15ヒドロカルビレン基;または代替として、C〜C10ヒドロカルビレン基であってもよい。
一実施形態において、L22は表2に与えられる任意の構造を有してもよい。いくつかの実施形態において、L22は、構造11L、構造12L、構造13L、構造14L、または構造15Lを有してもよい。他の実施形態において、L22は、構造2Lまたは構造3L;代替として、構造4Lまたは構造5Lを有してもよい。他の実施形態において、連結基は、構造1L;代替として、構造2L;代替として、構造3L;代替として、構造4L;または代替として、構造5Lを有してもよい。
表2の構造内で、指定されていない価数は、存在する場合、L22がN−ホスフィニルグアニジン基のN窒素原子に結合する点を表す。一般に、nは4〜7の範囲の整数であってもよい。さらなる実施形態において、nは4または5であってもよく;代替として、nは4であってもよく;または代替として、nは5であってもよい。構造11Lを有する連結基のRL31およびRL32、構造12Lを有する連結基のRL41、RL42、RL43、RL44、RL45、RL46、RL47、およびRL48、構造13Lを有する連結基のRL41、RL42、RL43、RL44、RL45、RL46、RL47、RL48、RL49、およびRL50、構造14Lを有する連結基のRL41、RL42、RL43、RL44、RL45、RL46、RL47、およびRL48、構造15Lを有する連結基のRL41、RL42、RL43、RL44、RL45、RL46、RL47、およびRL48、ならびに構造16Lを有する連結基のRL51、RL52、RL53、およびRL54は独立して、水素または非水素置換基(本明細書に記載される任意の一般または特定);代替として、水素であってもよい。非水素置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、構造11L、構造12L、構造13L、構造14L、構造15Lおよび/または構造16Lを有する連結基をさらに記載するために使用することができる。一実施形態において、L22は、ブト−1,4−イレン基、ペント−1,4−イレン基、ペント−1,5−イレン基、ヘキサ−2,5−イレン基、ヘキサ−1,5−イレン基、ヘプト−2,5−イレン基、ブタ−1,3−ジエン−1,4−イレン基またはビス(エテ−2−イル)エーテル基;代替として、ブト−1,4−イレン基、ペント−1,5−イレン基、またはビス(エテ−2−イル)エーテル基;代替として、ブト−1,4−イレン基;代替として、ペント−1,5−イレン基;代替として、ブタ−1,3−ジエン−1,4−イレン基;または代替として、ビス(エテ−2−イル)エーテル基であってもよい。
一実施形態において、少なくとも1つのN−ホスフィニルグアニジン基を含むN−ホスフィニルグアニジン化合物は、構造Gu6、Gu7、Gu8、Gu9、Gu10、Gu11、Gu12、Gu13、Gu14、Gu15、Gu16、Gu17、Gu18、Gu19、Gu20、Gu21、Gu22、Gu23、Gu24、Gu25、もしくはGu26;代替として、構造Gu6、Gu7、Gu8、Gu9、Gu10、Gu11、Gu12、Gu13、Gu14、もしくはGu15;代替として、構造Gu17、Gu18、Gu21、Gu22、Gu23、Gu24、もしくはGu25;代替として、構造Gu19、Gu20;代替として、構造Gu6;代替として、構造Gu7;代替として、構造Gu8;代替として、構造Gu9;代替として、構造Gu10;代替として、構造Gu11;代替として、構造Gu12;代替として、構造Gu13;代替として、構造Gu14;代替として、構造Gu15;代替として、構造Gu16;代替として、構造Gu17;代替として、構造Gu18;代替として、構造Gu19;代替として、構造Gu20;代替として、構造Gu21;代替として、構造Gu22;代替として、構造Gu23;代替として、構造Gu24;代替として、構造Gu25;または代替として、構造Gu26を有してもよい。


構造Gu6〜Gu26を有するN−ホスホニルグアニジン化合物内で、R、R2a、R2b、R、RおよびRは、N−ホスホニルグアニジン化合物構造Gu1〜Gu5について以前に記載されている。これらのR、R2a、R2b、R、RおよびRの詳細(一般および特定)の任意の態様または実施形態は、限定されないが、R、R2a、R2b、R、RおよびRが現れる配位子構造Gu6〜Gu26のいずれかをさらに記載するために使用することができる。構造Gu6〜Gu26を有するN−ホスホニルグアニジン化合物内で、構造Gu6、Gu10および/またはGu12のR61〜R64、構造Gu7、Gu11および/またはGu13のR61〜R66、構造Gu8、Gu10、Gu11および/またはGu19のR71〜R74、構造Gu9、Gu12、Gu13および/またはGu20のR71〜R76、構造Gu14および/またはGu16のR81〜R88、構造Gu15のR81〜R90、構造Gu15のR81〜R90、構造Gu17のR2p〜R5p、構造Gu18、Gu19、Gu20,Gu21および/またはGu24のR11a〜R12a、構造Gu21および/またはGu23のR21a〜R22a、構造Gu22、Gu23および/またはGu25のR31a〜R34a、構造Gu24および/またはGu25のR41a〜R44a、ならびに/あるいは構造Gu26のR54a〜R56aは独立して、本明細書に記載される水素または任意の置換基(一般または特定);または代替として、水素であってもよい。一実施形態において、N−ホスホニルグアニジン化合物は、構造Gu I、GuII、GuIII、Gu IV、Gu V、Gu VI、Gu VII、Gu VIII、Gu IX、Gu X、Gu XI、Gu XII、Gu XIII、Gu XIV、Gu XV、Gu XVI、Gu XVI、Gu XVII、Gu XVIII、Gu XIX、Gu XX、Gu XXI、Gu XXII、またはGu XXIII;代替として、構造Gu I、GuII、GuIII;代替として、Gu IV、Gu V;代替として、構造Gu VII、Gu VIII、Gu IX、Gu X、Gu XI、Gu XII、Gu XIII、Gu XIVまたはGu XV;代替として、構造Gu VII、Gu VIII、Gu IX、Gu X、Gu XI、またはGu XXIII;代替として、構造Gu XII、Gu XIII、Gu XIV、またはGu XV;代替として、Gu XVII、Gu XVIII、Gu XIX、Gu XX、Gu XXI、またはGu XXII;代替として、構造Gu I;代替として、構造Gu II;代替として、構造Gu III;代替として、構造Gu IV;代替として、構造Gu V;代替として、構造Gu VI;代替として、構造Gu VII;代替として、構造Gu VIII;代替として、構造Gu IX;代替として、構造Gu X;代替として、構造Gu XI;代替として、構造Gu XII;代替として、構造Gu XIII;代替として、構造Gu XIV;代替として、構造Gu XV;代替として、構造Gu XVI;代替として、構造Gu XVII;代替として、構造Gu XVIII;代替として、構造Gu XIX;代替として、構造Gu XX;代替として、構造Gu XXI;代替として、構造Gu XXII;または代替として、構造Gu XXIIIを有してもよい。

−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体
一態様において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体;または代替として、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む組成物を提供する。一般に、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、N−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成する金属塩を含んでもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は中性配位子Qをさらに含んでもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物は概して、本発明に記載されており、限定されないが、N−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成する金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体をさらに記載するために使用することができる。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物(またはN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体)と錯体を形成する金属化合物は、構造MGu1、MGu2、MGu3、MGu4、またはMGu5;代替として、構造MGu1;代替として、構造MGu2;代替として、構造MGu3;代替として、構造MGu4;または代替として、MGu5を有してもよい。

他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成する金属塩(またはN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体)は、構造MGu6、MGu7、MGu8、MGu9、MGu10、MGu11、MGu12、MGu13、MGu14、MGu15、MGu16、MGu17、MGu18、MGu19、MGu20、MGu21、MGu22、MGu23、MGu24、MGu25、もしくはMGu26;代替として、構造MGu6、MGu7、MGu8、MGu9、MGu10、MGu11、MGu12、MGu13、MGu14、もしくはMGu15;代替として、構造MGu17、MGu18、MGu21、MGu22、MGu23、MGu24、もしくはMGu25;代替として、構造MGu19もしくはMGu20;代替として、構造MGu6;代替として、構造MGu7;代替として、構造MGu8;代替として、構造MGu9;代替として、構造MGu10;代替として、構造MGu11;代替として、構造MGu12;代替として、構造MGu13;代替として、構造MGu14;代替として、構造MGu15;代替として、構造MGu16;代替として、構造MGu17;代替として、構造MGu18;代替として、構造MGu19;代替として、構造MGu20;代替として、構造MGu21;代替として、構造MGu22;代替として、構造MGu23;代替として、構造MGu24;代替として、構造MGu25;または代替として、構造MGu26を有する。


構造MGu1〜Mgu26を有するN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体内で、R、R2a、R2b、R、RおよびRは、構造Gu1〜Gu5を有するN−ホスフィニルグアニジン化合物について以前に記載されており、これらの記述(一般または特定)の任意の態様または実施形態が、限定されないが、R、R2a、R2b、R、Rおよび/またはRが現れる、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体構造MGu1〜MGu26のいずれかをさらに記載するために使用することができる。構造MGu6〜MGu26を有するN−ホスフィニルグアニジン化合物内で、R61〜R66、R71〜R76、R81〜R90、R11a〜R12a、R21a〜R22a、R31a〜R34a、R41a〜R44a、およびR54a〜R56aは、構造Gu6〜Gu26を有するN−ホスフィニルグアニジン化合物について以前に記載されており、これらの記述(一般または特定)の任意の態様または実施形態は、限定されずに、R61〜R66、R71〜R76、R81〜R90、R11a〜R12a、R21a〜R22a、R31a〜R34a、R41a〜R44a、およびR54a〜R56aが現れる、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体構造Mgu1〜MGu26のいずれかをさらに記載するために使用することができる。さらに他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、構造MGU I、MGU II、MGU III、MGU IV、MGU V、MGU VI、MGU VII、MGU VIII、MGU IX、MGU X、MGU XI、MGU XII、MGU XIII、MGU XIV、GU MXV、GU MXVI、GU MXVII、GU MXVIII、GU MXIX、GU MXX、GU MXXI、GU MXXII、またはGU MXXIII;代替として、構造MGu I、MGu II、またはMGu III;代替として、構造MGu IVまたはMGu V;代替として、構造MGu VII、MGu VIII、MGu IX、MGu X、MGu XI、MGu XII、MGu XIII、MGu XIV、またはMGu XV;代替として、構造MGu VII、MGu VIII、MGu IX、MGu XI、またはMGu XXIII;代替として、構造MGu XII、MGu XIII、MGu XIV、またはMGu XV;代替として、構造MGu I;代替として、構造MGu II;代替として、構造MGu III;代替として、構造MGu IV;代替として、構造MGu V;代替として、構造MGu VI;代替として、構造MGu VII;代替として、構造MGu VIII;代替として、構造MGu IX;代替として、構造MGu X;代替として、構造MGu XI;代替として、構造MGu XII;代替として、構造MGu XIII;代替として、構造XIV;代替として、構造MGu XV;代替として、構造MGu XVI;代替として、構造MGu XVII;代替として、構造MGu XVIII;代替として、構造MGu XIX;代替として、構造MGu XX;代替として、構造MGu XXI;代替として、構造MGu XXII;または代替として、構造MGu XXIIIを有してもよい。


存在する場合、金属塩(MXまたはMX)、中性配位子(Q)、および中性配位子の数(q)の態様および実施形態が本明細書に記載されており、これらの態様および実施形態は、限定されないが、構造MGu1〜MGu26を有するN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および構造MGu I〜MGu XVIを有するN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体をさらに記載するために使用することができ、任意のN−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成する他の金属塩(または任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体)(MXまたはMX)が、本明細書に示されるそれぞれのN−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成する金属化合物、MXの記述と同様の方法で本明細書に提供される任意の配位子へのMXのライゲーション結合を示すことによって想定され(容易に明らかにされ)てもよい。一般的な金属塩と錯体を形成するN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の記述は、構造指定MXGuYまたはMXGuXを有してもよく、ここでMは、中性配位子(これはN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体に存在してもよく、または存在しなくてもよい)を有さない金属塩(一般または特定)の金属を表し、Yは、この記述内のそれぞれのN−ホスフィニルグアニジン化合物のアラビア数字の指定を表し、Xは、この記述内のそれぞれのN−ホスフィニルグアニジン化合物のローマ数字の指定を表す。特定の金属塩とのN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の記述は、構造の指定MXGuYまたはMXGuXを有してもよく、ここでMXは、中性配位子(N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体に存在してもよく、または存在しなくてもよい)を有さない特定の金属塩であり、Yは、この記述内のそれぞれのN−ホスフィニルグアニジン化合物のアラビア数字の指定を表し、Xは、この記述内のそれぞれのN−ホスフィニルグアニジン化合物のローマ数字の指定を表す。さらに、中性配位子(存在する場合)および中性配位子の数は一般にQとして提供されてもよいか、または存在する配位子および配位子の数の指定を提供することによって具体的に指定される。例えば、指定の例示目的のために、構造MGu1〜MGu26ならびに構造MGu I〜MGu XVIを有するN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体についての一般的なクロム塩N−ホスフィニルグアニジン錯体、構造MGu1〜MGu26を有するN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体についての一般的な三塩化クロムN−ホスフィニルグアニジン錯体、および構造MGu I〜MGu XVIを有するN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体についての特定のCrCl・THF N−ホスフィニルグアニジン錯体がそれらの適切な構造の指定と共に提供される。




金属塩
一般に、N−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の金属塩、MXまたはMXqは、陽イオン性金属M、およびモノ陰イオン性配位子Xを含むことができる。いくつかの実施形態において、金属塩は、N−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体中に存在してもしなくてもよい中性配位子をさらに含むことができる。
一般に金属塩、MXまたはMXqの金属原子は、任意の金属原子であってもよい。一態様において、金属塩の金属原子は、遷移金属であってもよい。一実施形態において、金属塩は、3〜12族金属;代替として、4〜10族金属;代替として、6〜9族金属;代替として、7〜8族金属;代替として、4族金属;代替として、5族金属代替として、6族金属;代替として、7族金属;代替として、8族金属;代替として、9族金属;または代替として、10族金属を含むことができる。いくつかの実施形態において、金属塩は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、パラジウム、白金、銅、または亜鉛;代替として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄またはコバルト含むことができる。他の実施形態において、金属塩は、チタン、ジルコニウム、バナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、コバルト、ニッケル、パラジウム、もしくは白金;代替として、チタン、ジルコニウム、バナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、鉄もしくはコバルト;代替として、クロム、鉄、コバルト、もしくはニッケル;代替として、クロム、鉄もしくはコバルト;代替として、チタン、ジルコニウムもしくはハフニウム;代替として、バナジウムもしくはニオブ;代替として、クロム、モリブデンもしくはタングステン;代替として、鉄もしくはコバルト;または代替として、ニッケル、パラジウム、白金、銅、もしくは亜鉛;代替として、パラジウムもしくは白金;または代替として、銅もしくは亜鉛を含むことができる。他の実施形態において、金属塩は、チタン;代替として、ジルコニウム;代替として、ハフニウム;代替として、バナジウム;代替として、ニオブ;代替として、タンタル;代替として、モリブデン;代替として、タングステン;代替として、マンガン;代替として、鉄;代替として、コバルト;代替として、ニッケル;代替として、パラジウム;代替として、白金;代替として、銅;または代替として、亜鉛を含むことができる。一実施形態において、金属塩はクロムを含むことができる。
一般に、遷移金属塩、MXまたはMXの金属原子は、金属原子に利用可能な任意の正の酸化状態を有することができる。一実施形態において、遷移金属(一般または特定)は、+2から+6までの;代替として、+2から+4までの;または代替として、+2から+3までの酸化状態を有することができる。いくつかの実施形態において、遷移金属塩、MXまたはMXqの金属原子は、+1;代替として、+2;代替として、+3;または代替として、+4の酸化状態を有することができる。
遷移金属塩の陰イオンXは、任意のモノ陰イオンであってもよい。一実施形態において、モノ陰イオンXは、ハライド、カルボン酸塩、β−ジケトナート、ヒドロカルボキシド、硝酸塩、または塩素酸塩であってもよい。いくつかの実施形態において、モノ陰イオンXは、ハライド、カルボン酸塩、β−ジケトナート、またはヒドロカルボキシドであってもよい。任意の態様または実施形態において、ヒドロカルボキシドは、アルコキシド、アリーロキシド(aryloxide)、またはアラルコキシド(aralkoxide)であってもよい。一般に、ヒドロカルボキシド(およびヒドロカルボキシドの下位区分)は、ヒドロカルボキシ基の陰イオン類似体である。他の実施形態において、モノ陰イオンXは、ハライド、カルボン酸塩、β−ジケトナート、もしくはアルコキシド;または代替として、ハライドもしくはβ−ジケトナートであってもよい。他の実施形態において、モノ陰イオンXは、ハライド;代替として、カルボン酸塩;代替として、β−ジケトナート;代替として、ヒドロカルボキシド;代替として、アルコキシド;または代替として、アリーロキシドであってもよい。一般に、モノ陰イオンXの数pは、金属原子の酸化状態と等しくてもよい。一実施形態において、モノ陰イオンXの数pは、2から6までの;代替として、2から4までの;代替として、2から3までの;代替として、1;代替として、2;代替として、3;または代替として、4であってもよい。
一般に、各ハライドモノ陰イオンは、独立してフッ素、塩素、臭素、もしくはヨウ素;または代替として、塩素、臭素、またはヨウ素であってもよい。一実施形態において、各ハライドモノ陰イオンは、塩素;代替として、臭素;または代替として、ヨウ素であってもよい。
一般に、カルボン酸塩、β−ジケトナート、ヒドロカルボキシド(アルコキシド、アリーロキシド、またはアラルコキシドもまた)は、任意のC〜C20カルボン酸塩、β−ジケトナート、またはヒドロカルボキシド(アルコキシド、アリーロキシドまたはアラルコキシドもまた);または代替として、任意のC〜C10カルボン酸塩、β−ジケトナート、またはヒドロカルボキシド(アルコキシド、アリーロキシド、もしくはアラルコキシドもまた)であってもよい。いくつかの実施形態において、陰イオンXは、C〜C20カルボン酸塩;代替として、C〜C10カルボン酸塩;代替として、C〜C20β−ジケトナート;代替として、C〜C10β−ジケトナート;代替として、C〜C20ヒドロカルボキシド;代替として、C〜C10ヒドロカルボキシド;代替として、C〜C20アルコキシド;代替として、C〜C10アルコキシド;代替として、C〜C20アリーロキシド;または代替として、C〜C10アリーロキシドであってもよい。
一態様において、各カルボン酸モノ陰イオンは、独立してアセタート、プロピオナート、ブチラート、ペンタノアート、ヘキサノアート、ヘプタノアート、オクタノアート、ノナノアート、デカノアート、ウンデカノアート、ドデカノアート、トリデカノアート、テトラデカノアート、ペンタデカノアート、ヘキサデカノアート、ヘプタデカノアート、もしくはオクタデカノアート;または代替として、ペンタノアート、ヘキサノアート、ヘプタノアート、オクタノアート、ノナノアート、デカノアート、ウンデカノアート、もしくはドデカノアートであってもよい。一実施形態において、各カルボン酸モノ陰イオンは、独立してアセタート、プロピオナート、n−ブチラート、バレラート(n−ペンタノアート)、ネオペンタノアート、カプロナート(n−ヘキサノアート)、n−ヘプタノアート、カプリラート(n−オクタノアート)、2−エチルヘキサノアート、n−ノナノアート、カプラート(n−デカノアート)、n−ウンデカノアート、ラウラート(n−ドデカノアート)、もしくはステアラート(n−オクタデカノアート);代替として、バレラート(n−ペンタノアート)、ネオペンタノアート、カプロナート(n−ヘキサノアート)、n−ヘプタノアート、カプリラート(n−オクタノアート)、2−エチルヘキサノアート、n−ノナノアート、カプラート(n−デカノアート)、n−ウンデカノアート、もしくはラウラート(n−ドデカノアート);代替として、カプロナート(n−ヘキサノアート);代替として、n−ヘプタノアート;代替として、カプリラート(n−オクタノアート);または代替として、2−エチルヘキサノアートであってもよい。いくつかの実施形態において、カルボン酸陰イオンは、トリフラート(トリフルオロアセタート)であってもよい。
一態様において、各β−ジケトナートは、独立してアセチルアセトナート(代替として、2,4−ペンタンジオナート)、ヘキサフルオロアセチルアセトン(代替として、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナートpentanediuonate、またはベンゾイルアセトナート);代替として、アセチルアセトナート;代替として、ヘキサフルオロアセチルアセトン;または代替として、ベンゾイルアセトナートであってもよい。一態様において、各アルコキシドモノ陰イオンは、独立してメトキシド、エトキシド、プロポキシド、またはブトキシドであってもよい。一実施形態において、各アルコキシドモノ陰イオンは、独立してメトキシド、エトキシド、イソプロポキシド、もしくはtert−ブトキシド;代替として、メトキシド;代替として、エトキシド;代替として、イソプロポキシド;または代替として、tert−ブトキシドであってもよい。一態様において、アリーロキシドはフェノキシドであってもよい。
中性配位子
一般に、遷移金属塩の中性配位子、Q、または存在する場合、N−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した遷移金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の中性配位子は、独立して、金属塩、またはN−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した遷移金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離可能な化合物を形成する任意の中性配位子であってもよい。一態様において、各中性配位子は、独立してニトリルまたはエーテルであってもよい。一実施形態において、中性配位子は、ニトリル;または代替として、エーテルであってもよい。金属塩またはN−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した遷移金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の中性配位子の数qは、単離可能な金属塩またはN−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した遷移金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を有する化合物を形成する任意の数であってもよい。一態様において、中性配位子の数は、0から6まで;代替として、0から3まで;代替として、0;代替として、1;代替として、2;代替として、3;または代替として、4であってもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した遷移金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の中性配位子は、存在する場合、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成するために使用される遷移金属塩の中性配位子として、同一である必要がないことは留意されるべきである。さらに、中性配位子を有しない金属塩は、中性配位子を有するN−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した遷移金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するために使用することができる。
一般に、各中性ニトリル配位子は、独立してC〜C20ニトリル;または代替として、C〜C10ニトリルであってもよい。一実施形態において、各中性ニトリル配位子は、独立してC〜C20脂肪族ニトリル、C〜C20芳香族ニトリル、C〜C20アラルカンニトリル、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、C〜C20脂肪族ニトリル;代替として、C〜C20芳香族ニトリル;または代替として、C〜C20アラルカンニトリルであってもよい。いくつかの実施形態において、各中性ニトリル配位子は、独立してC〜C10脂肪族ニトリル、C〜C10芳香族ニトリル、C〜C10アラルカンニトリル、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、C〜C10脂肪族ニトリル;代替として、C〜C10芳香族ニトリル;または代替として、C〜C10アラルカンニトリルであってもよい。
一実施形態において、各脂肪族ニトリルは、独立してアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、またはその任意の組み合わせ;代替として、アセトニトリル;代替として、プロピオニトリル;代替として、またはブチロニトリルであってもよい。一実施形態において、各芳香族ニトリルは、独立してベンゾニトリル、2−メチルベンゾニトリル、3−メチルベンゾニトリル、4−メチルベンゾニトリル、2−エチルベンゾニトリル、3−エチルベンゾニトリル、4−エチルベンゾニトリル、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、ベンゾニトリル;代替として、2−メチルベンゾニトリル;代替として、3−メチルベンゾニトリル;代替として、4−メチルベンゾニトリル;代替として、2−エチルベンゾニトリル;代替として、3−エチルベンゾニトリル;または代替として、4−エチルベンゾニトリルであってもよい。
一般に、各中性エーテル配位子は、独立してC〜C40エーテル;代替として、C〜C30エーテル;または代替として、C〜C20エーテルであってもよい。一実施形態において、中性配位子は、独立してC〜C40脂肪族非環式エーテル、C〜C40脂肪族環式エーテル、C〜C40芳香環エーテル、もしくはC12〜C40ジアリールエーテル;代替として、C〜C40脂肪族非環式エーテルもしくはC〜C40脂肪族環式エーテル;代替として、C〜C40脂肪族非環式エーテル;代替として、C〜C40脂肪族環式エーテル;代替として、C〜C40芳香環エーテル;または代替として、C12〜C40ジアリールエーテルであってもよい。いくつかの実施形態において、各中性エーテル配位子は、独立してC〜C30脂肪族非環式エーテル、C〜C30脂肪族環式エーテル、C〜C30芳香環エーテル、もしくはC12〜C30ジアリールエーテル;代替として、C〜C30脂肪族非環式エーテルもしくはC〜C30脂肪族環式エーテル;代替として、C〜C30脂肪族環式エーテル;代替として、C〜C30脂肪族環式エーテル;代替として、C〜C30芳香環エーテル;または代替として、C12〜C30ジアリールエーテルであってもよい。他の実施形態において、各中性エーテル配位子は、独立してC〜C20脂肪族非環式エーテル、C〜C20脂肪族環式エーテル、C〜C20芳香環エーテル、もしくはC12〜C20ジアリールエーテル;代替として、C〜C20脂肪族非環式エーテルもしくはC〜C20脂肪族環式エーテル;代替として、C〜C20脂肪族環式エーテル;代替として、C〜C20脂肪族環式エーテル;代替として、C〜C20芳香環エーテル;または代替として、C12〜C20ジアリールエーテルであってもよい。
一実施形態において、脂肪族非環式エーテルは、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルブチルエーテル、またはその任意の組み合わせであってもよい。いくつかの実施形態において、脂肪族非環式エーテルは、ジメチルエーテル;代替として、ジエチルエーテル;代替として、ジプロピルエーテル;代替として、ジブチルエーテル;代替として、メチルエチルエーテル;代替として、メチルプロピルエーテル;または代替として、メチルブチルエーテルであってもよい。
一実施形態において、脂肪族環式エーテルは、テトラヒドロフラン、置換テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、置換ジヒドロフラン、1,3−ジオキソラン、置換1,3−ジオキソラン、テトラヒドロピラン、置換テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、置換ジヒドロピラン、ピラン、置換ピラン、ジオキサン、もしくは置換ジオキサン;代替として、テトラヒドロフランもしくは置換テトラヒドロフラン;代替として、ジヒドロフランもしくは置換ジヒドロフラン;代替として、1,3−ジオキソランもしくは置換1,3−ジオキソラン;代替として、テトラヒドロピランもしくは置換テトラヒドロピラン;代替として、ジヒドロピランもしくは置換ジヒドロピラン;代替として、ピランもしくは置換ピラン;または代替として、ジオキサンもしくは置換ジオキサンであってもよい。いくつかの実施形態において、脂肪族環式エーテルは、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、もしくはジオキサン、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、テトラヒドロフラン;代替として、テトラヒドロピラン;または代替として、ジオキサンであってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、中性配位子として使用することができる置換テトラヒドロフラン、置換ジヒドロフラン、置換1,3−ジオキソラン、置換テトラヒドロピラン、置換ジヒドロピラン、置換ピラン、または置換ジオキサンをさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、芳香環エーテルは、フラン、置換フラン、ベンゾフラン、置換ベンゾフラン、イソベンゾフラン、置換イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、フランもしくは置換フラン;代替として、ベンゾフランもしくは置換ベンゾフラン;代替として、イソベンゾフランもしくは置換イソベンゾフラン;または代替として、ジベンゾフランもしくは置換ジベンゾフランであってもよい。いくつかの実施形態において、芳香環エーテルは、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、フラン;代替として、ベンゾフラン;代替として、イソベンゾフラン;または代替として、ジベンゾフランであってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、中性配位子として使用することができる置換フラン、置換ベンゾフラン、置換イソベンゾフラン、または置換ジベンゾフランをさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、ジアリールエーテルは、ジフェニルエーテル、置換ジフェニルエーテル、ジトリルエーテル、置換ジトリルエーテル、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、ジフェニルエーテルもしくは置換ジフェニルエーテル;または代替として、ジトリルエーテルもしくは置換ジトリルエーテルであってもよい。いくつかの実施形態において、ジアリールエーテルは、ジフェニルエーテルもしくはジトリルエーテル;代替として、ジフェニルエーテル;またはジトリルエーテルであってもよい。置換基(一般および特定)は独立して本明細書に開示され、限定されないが、中性配位子として使用することができる置換ジフェニルエーテルまたは置換ジトリイルエーテルをさらに記載するために使用することができる。
遷移金属塩の特色は、独立して本明細書に記載され、任意の組み合わせで使用することができ、N−ホスフィニルグアニジン化合物に錯体形成した遷移金属塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の遷移金属塩を記載する。
非限定的な実施形態において、遷移金属塩は、ハロゲン化クロム(II)、ハロゲン化クロム(III)、カルボン酸クロム(II)、カルボン酸クロム(III)、クロム(II)β−ジケトナート、クロム(III)β−ジケトナート、ハロゲン化クロム(II)(THF)錯体、ハロゲン化クロム(III)(THF)錯体、ハロゲン化鉄(II)、ハロゲン化鉄(III)、鉄(II)カルボン酸塩、鉄(III)カルボン酸塩、鉄(II)β−ジケトナート、鉄(III)β−ジケトナート、ハロゲン化コバルト(II)、ハロゲン化コバルト(III)、カルボン酸コバルト(II)、カルボン酸コバルト(III)、コバルト(II)β−ジケトナート、コバルト(III)β−ジケトナート、ハロゲン化ニッケル(II)、カルボン酸ニッケル(II)、ニッケル(II)β−ジケトナート、ハロゲン化パラジウム(II)、カルボン酸パラジウム(II)、パラジウム(II)β−ジケトナート、ハロゲン化白金(II)、ハロゲン化白金(IV)、カルボン酸白金(II)、またはカルボン酸白金(IV)を含んでもよいか、または本質的にそれらからなってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、遷移金属塩は、ハロゲン化クロム(II)、ハロゲン化クロム(III)、カルボン酸クロム(II)、カルボン酸クロム(III)、クロム(II)β−ジケトナート、クロム(III)β−ジケトナート、ハロゲン化クロム(II)(THF)錯体、もしくはハロゲン化クロム(III)(THF)錯体;代替として、ハロゲン化鉄(II)、ハロゲン化鉄(III)、カルボン酸鉄(II)、カルボン酸鉄(III)、鉄(II)β−ジケトナート、もしくは鉄(III)β−ジケトナート;代替として、ハロゲン化コバルト(II)、ハロゲン化コバルト(III)、カルボン酸コバルト(II)、カルボン酸コバルト(III)、コバルト(II)β−ジケトナート、もしくはコバルト(III)β−ジケトナート;代替として、ハロゲン化ニッケル(II)、カルボン酸ニッケル(II)、もしくはニッケル(II)β−ジケトナート;代替として、ハロゲン化パラジウム(II)、カルボン酸パラジウム(II)、もしくはパラジウム(II)β−ジケトナート;または代替として、ハロゲン化白金(II)、ハロゲン化白金(IV)、カルボン酸白金(II)、もしくはカルボン酸白金(IV)を含んでもよいか、またはそれらからなってもよい。いくつかの実施形態において、遷移金属塩は、ハロゲン化クロム(III)、カルボン酸クロム(III)、クロム(III)β−ジケトナート、ハロゲン化クロム(III)(THF)錯体;代替として、ハロゲン化鉄(III)、カルボン酸鉄(III)、もしくは鉄(III)β−ジケトナート;または代替として、ハロゲン化コバルト(III)、カルボン酸コバルト(III)、もしくはコバルト(III)β−ジケトナートを含んでもよいか、またはそれらからなってもよい。他の実施形態において、遷移金属塩は、ハロゲン化クロム(II);代替として、ハロゲン化クロム(III);代替として、カルボン酸クロム(II);代替として、カルボン酸クロム(III);代替として、クロム(II)β−ジケトナート;代替として、クロム(III)β−ジケトナート;代替として、ハロゲン化クロム(II)(THF)錯体;代替として、ハロゲン化クロム(III)(THF)錯体;代替として、ハロゲン化鉄(II);代替として、ハロゲン化鉄(III);代替として、カルボン酸鉄(II);代替として、カルボン酸鉄(III);代替として、鉄(II)β−ジケトナート;代替として、鉄(III)β−ジケトナート;代替として、ハロゲン化コバルト(II);代替として、ハロゲン化コバルト(III);代替として、カルボン酸コバルト(II);代替として、カルボン酸コバルト(III);代替として、コバルト(II)β−ジケトナート;代替として、コバルト(III)β−ジケトナート;代替として、ハロゲン化ニッケル(II);代替として、カルボン酸ニッケル(II);代替として、ニッケル(II)β−ジケトナート;代替として、ハロゲン化パラジウム(II);代替として、カルボン酸パラジウム(II);代替として、パラジウム(II)β−ジケトナート;代替として、ハロゲン化白金(II);代替として、ハロゲン化白金(IV);代替として、カルボン酸白金(II);または代替として、カルボン酸白金(IV)を含んでもよいか、またはそれらからなってもよい。
いくつかの非限定的な実施形態において、使用することができる遷移金属塩は、塩化クロム(II)、塩化クロム(III)、フッ化クロム(II)、フッ化クロム(III)、臭化クロム(II)、臭化クロム(III)、ヨウ化クロム(II)、ヨウ化クロム(III)、塩化クロム(III)(THF)錯体、酢酸クロム(II)、酢酸クロム(III)、クロム(II)2−エチルヘキサノアート、クロム(III)2−エチルヘキサノアート、クロム(II)トリフラート、クロム(III)トリフラート、硝酸クロム(III)、クロム(III)アセチルアセトナート、クロム(III)ヘキサフルオロアセチルアセトナート、クロム(III)ベンゾイルアセトナート、塩化鉄(II)、塩化鉄(III)、フッ化鉄(II)、フッ化鉄(III)、臭化鉄(II)、臭化鉄(III)、ヨウ化鉄(II)、ヨウ化鉄(III)、酢酸鉄(II)、酢酸鉄(III)、鉄(II)アセチルアセトナート、鉄(III)アセチルアセトナート、鉄(II)2−エチルヘキサノアート、鉄(III)2−エチルヘキサノアート、鉄(II)トリフラート、鉄(III)トリフラート、硝酸鉄(III)、塩化コバルト(II)、塩化コバルト(III)、フッ化コバルト(II)、フッ化コバルト(III)、臭化コバルト(II)、臭化コバルト(III)、ヨウ化コバルト(II)、ヨウ化コバルト(III)、酢酸コバルト(II)、酢酸コバルト(III)、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート、コバルト(II)2−エチルヘキサノアート、コバルト(III)2−エチルヘキサノアート、コバルト(II)トリフラート、コバルト(III)トリフラート、硝酸コバルト(III)、塩化ニッケル(II)、フッ化ニッケル(II)、臭化ニッケル(II)、ヨウ化ニッケル(II)、酢酸ニッケル(II)、ニッケル(II)2−エチルヘキサノアート、ニッケル(II)トリフラート、硝酸ニッケル(II)、ニッケル(II)アセチルアセトナート、ニッケル(II)ベンゾイルアセトナート、ニッケル(II)ヘキサフルオロアセチルアセトナート、塩化パラジウム(II)、フッ化パラジウム(II)、臭化パラジウム(II)、ヨウ化パラジウム(II)、酢酸パラジウム(II)、パラジウム(II)アセチルアセトナート、硝酸パラジウム(II)、塩化白金(II)、臭化白金(II)、ヨウ化白金(II)、または塩化白金(IV)を含んでもよいか、または本質的にそれらからなってもよい。他の実施形態において、遷移金属塩は、塩化クロム(II)、塩化クロム(III)、フッ化クロム(II)、フッ化クロム(III)、臭化クロム(II)、臭化クロム(III)、ヨウ化クロム(II)、ヨウ化クロム(III)、塩化クロム(III)(THF)錯体、酢酸クロム(II)、酢酸クロム(III)、クロム(II)2−エチルヘキサノアート、クロム(III)2−エチルヘキサノアート、クロム(II)トリフラート、クロム(III)トリフラート、硝酸クロム(III)、クロム(III)アセチルアセトナート、クロム(III)ヘキサフルオロアセチルアセトナート、またはクロム(III)ベンゾイルアセトナート;代替として、塩化鉄(II)、塩化鉄(III)、フッ化鉄(II)、フッ化鉄(III)、臭化鉄(II)、臭化鉄(III)、ヨウ化鉄(II)、ヨウ化鉄(III)、酢酸鉄(II)、酢酸鉄(III)、鉄(II)アセチルアセトナート、鉄(III)アセチルアセトナート、鉄(II)2−エチルヘキサノアート、鉄(III)2−エチルヘキサノアート、鉄(II)トリフラート、鉄(III)トリフラート、もしくは硝酸鉄(III);代替として、塩化コバルト(II)、塩化コバルト(III)、フッ化コバルト(II)、フッ化コバルト(III)、臭化コバルト(II)、臭化コバルト(III)、ヨウ化コバルト(II)、ヨウ化コバルト(III)、酢酸コバルト(II)、酢酸コバルト(III)、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート、コバルト(II)2−エチルヘキサノアート、コバルト(III)2−エチルヘキサノアート、コバルト(II)トリフラート、コバルト(III)トリフラート、もしくは硝酸コバルト(III);代替として、塩化ニッケル(II)、フッ化ニッケル(II)、臭化ニッケル(II)、ヨウ化ニッケル(II)、酢酸ニッケル(II)、ニッケル(II)2−エチルヘキサノアート、ニッケル(II)トリフラート、硝酸ニッケル(II)、ニッケル(II)アセチルアセトナート、ニッケル(II)ベンゾイルアセトナート、もしくはニッケル(II)ヘキサフルオロアセチルアセトナート;代替として、塩化パラジウム(II)、フッ化パラジウム(II)、臭化パラジウム(II)、ヨウ化パラジウム(II)、酢酸パラジウム(II)、パラジウム(II)アセチルアセトナート、もしくは硝酸パラジウム(II);または代替として、塩化白金(II)、臭化白金(II)、ヨウ化白金(II)、もしくは塩化白金(IV)を含んでもよいか、または本質的にそれらからなってもよい。また他の実施形態において、遷移金属塩は、塩化クロム(III)、フッ化クロム(III)、臭化クロム(III)、ヨウ化クロム(III)、塩化クロム(III)(THF)錯体、酢酸クロム(III)、クロム(III)2−エチルヘキサノアート、クロム(III)トリフラート、硝酸クロム(III)、クロム(III)アセチルアセトナート、クロム(III)ヘキサフルオロアセチルアセトナートもしくはクロム(III)ベンゾイルアセトナート;または代替として、塩化鉄(III)、フッ化鉄(III)、臭化鉄(III)、ヨウ化鉄(III)、酢酸鉄(III)、鉄(III)アセチルアセトナート、鉄(III)2−エチルヘキサノアート、鉄(III)トリフラート、もしくは硝酸鉄(III)を含んでもよいか、または本質的にそれらからなってもよい。さらなる実施形態において、遷移金属塩は、塩化クロム(III)、塩化クロム(III)(THF)錯体、もしくはクロム(III)アセチルアセトナート;または代替として、塩化鉄(III)、もしくは鉄(III)アセチルアセトナートであってもよい。
いくつかの非限定的な実施形態において、使用することができる、遷移金属塩は塩化クロム(II);代替として、塩化クロム(III);代替として、フッ化クロム(II);代替として、フッ化クロム(III);代替として、臭化クロム(II);代替として、臭化クロム(III);代替として、ヨウ化クロム(II);代替として、ヨウ化クロム(III);代替として、塩化クロム(III)(THF)錯体;代替として、酢酸クロム(II);代替として、酢酸クロム(III);代替として、クロム(II)2−エチルヘキサノアート;代替として、クロム(III)2−エチルヘキサノアート;代替として、クロム(II)トリフラート;代替として、クロム(III)トリフラート;代替として、硝酸クロム(III);代替として、クロム(III)アセチルアセトナート;代替として、クロム(III)ヘキサフルオロアセチルアセトナート;代替として、クロム(III)ベンゾイルアセトナート;代替として、塩化鉄(II);代替として、塩化鉄(III);代替として、フッ化鉄(II);代替として、フッ化鉄(III);代替として、臭化鉄(II);代替として、臭化鉄(III);代替として、ヨウ化鉄(II);代替として、ヨウ化鉄(III);代替として、酢酸鉄(II);代替として、酢酸鉄(III);代替として、鉄(II)アセチルアセトナート;代替として、鉄(III)アセチルアセトナート;代替として、鉄(II)2−エチルヘキサノアート;代替として、鉄(III)2−エチルヘキサノアート;代替として、鉄(II)トリフラート;代替として、鉄(III)トリフラート;代替として、硝酸鉄(III);代替として、塩化コバルト(II);代替として、塩化コバルト(III);代替として、フッ化コバルト(II);代替として、フッ化コバルト(III);代替として、臭化コバルト(II);代替として、臭化コバルト(III);代替として、ヨウ化コバルト(II);代替として、ヨウ化コバルト(III);代替として、酢酸コバルト(II);代替として、酢酸コバルト(III);代替として、コバルト(II)アセチルアセトナート;代替として、コバルト(III)アセチルアセトナート;代替として、コバルト(II)2−エチルヘキサノアート;代替として、コバルト(III)2−エチルヘキサノアート;代替として、コバルト(II)トリフラート;代替として、コバルト(III)トリフラート;代替として、硝酸コバルト(III);代替として、塩化ニッケル(II);代替として、フッ化ニッケル(II);代替として、臭化ニッケル(II);代替として、ヨウ化ニッケル(II);代替として、酢酸ニッケル(II);代替として、ニッケル(II)2−エチルヘキサノアート;代替として、ニッケル(II)トリフラート;代替として、硝酸ニッケル(II);代替として、ニッケル(II)アセチルアセトナート;代替として、ニッケル(II)ベンゾイルアセトナート;代替として、ニッケル(II)ヘキサフルオロアセチルアセトナー;代替として、塩化パラジウム(II);代替として、フッ化パラジウム(II);代替として、臭化パラジウム(II);代替として、ヨウ化パラジウム(II);代替として、酢酸パラジウム(II);代替として、パラジウム(II)アセチルアセトナート;代替として、硝酸パラジウム(II);代替として、塩化白金(II);代替として、臭化白金(II);代替として、ヨウ化白金(II);または代替として、塩化白金(IV)を含んでもよいか、または本質的にそれらからなってもよい。
所与のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を製造するために使用された金属塩が中性配位子を有しない場合でも、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が1個または複数の中性配位子を有することができることは理解されるべきである。さらに、所与のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を生成するために利用される金属塩に存在するより多くの中性配位子を有してもよい。
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の調製
一態様において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するプロセスに関する。一般に、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するプロセスは、a)金属塩をN−ホスフィニルグアニジン化合物と接触させるステップ;およびb)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成するステップを含んでもよい。一般に、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体はN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成できる条件下で形成され得る。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は単離されてもよく;代替として精製されてもよく;または単離および精製されてもよい。
−ホスフィニルグアニジン化合物が本明細書に開示され、限定されないが、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するプロセスをさらに記載するために使用することができる。金属塩が本明細書に開示され、限定されないが、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するプロセスをさらに記載するために使用することができる。
一般に、金属塩およびN−ホスフィニルグアニジン化合物は、少なくとも0.9:1の金属塩対N−ホスフィニルグアニジン化合物の当量比で接触されてもよい。いくつかの実施形態において、金属塩およびN−ホスフィニルグアニジン化合物は、少なくとも0.95:1;代替として、少なくとも0.975:1;または代替として、少なくとも0.99:1の金属塩対N−ホスフィニルグアニジン化合物の当量比で接触されてもよい。いくつかの実施形態において、金属塩およびN−ホスフィニルグアニジン化合物は、0.9:1〜1.25:1の範囲;代替として、0.95:1〜1.20:1の範囲;代替として、0.975:1〜1.15:1の範囲;または代替として、0.99:1〜1.10:1の範囲の金属塩対N−ホスフィニルグアニジンの当量比で接触されてもよい。他の実施形態において、金属塩およびN−ホスフィニルグアニジン化合物は、約1:1の金属塩対N−ホスフィニルグアニジン化合物の当量比で接触されてもよい。
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成できる条件は、接触温度;接触時間;または代替として、接触および接触時間を含んでもよい。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成するための接触温度は、少なくとも0℃;代替として、少なくとも5℃;代替として、少なくとも10℃;または代替として、少なくとも15℃の接触温度を含んでもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成するための接触温度は、0℃〜60℃の範囲;代替として、5℃〜50℃の範囲;代替として、10℃〜45℃の範囲;または代替として、15℃〜40℃の範囲の接触温度を含んでもよい。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成するための接触時間は、少なくとも15分;代替として、少なくとも30分;代替として、少なくとも45分;または代替として、少なくとも1時間の接触時間を含んでもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成するための接触時間は、15分〜36時間の範囲;代替として、30分〜30時間の範囲;代替として、45分〜24時間の範囲;または代替として、1時間〜18時間の範囲を含んでもよい。
一実施形態において、金属塩およびN−ホスフィニルグアニジン化合物は、溶媒中で接触されてもよい。いくつかの実施形態において、金属塩およびN−ホスフィニルグアニジン化合物は極性溶媒中で接触されてもよい。いくつかの実施形態において、溶媒は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の中性リガンド、Qと同じである。溶媒(一般および特定)および中性リガンド(一般および特定)は一般に本明細書に開示され、限定されないが、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するプロセスをさらに記載するために使用することができる。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、さらに単離または精製せずに使用することができる。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、単離されてもよく;代替として、精製されてもよく;または代替として、単離および精製されてもよい。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が溶媒中で調製される一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するプロセスは、溶媒を蒸発させることによってN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を単離するステップを含んでもよい。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が溶媒中で調製される一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属錯体塩を調製するためのプロセスは、特定の物質および/または反応の副産物を除去するために溶液を濾過することによってN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を単離し、溶媒を蒸発させるステップを含んでもよい。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するためのプロセスは、N−ホスフィニルグアニジン化合物が、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を溶媒に溶解し、特定の物質および/または反応の副産物を除去するために溶液を濾過することによって精製される、精製するステップを含んでもよい。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を精製するために使用される溶媒は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成させるために使用される同じ溶媒であってもよく、それは、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を形成させるために使用される溶媒と異なってもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するプロセスは、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を溶媒で洗浄することによってN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を単離する精製するステップを含んでもよい。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製するプロセスは、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を再結晶する精製するステップを含んでもよい。
一般に、溶媒の蒸発は任意の好適な方法を使用して実施されてもよい。いくつかの実施形態において、溶媒は、周囲温度(15℃〜35℃(外部熱源の適用なし))にて蒸発されてもよい。他の実施形態において、溶媒は穏やかに加熱しながら(例えば、25℃〜50℃の温度範囲にて)蒸発されてもよい。さらなる実施形態において、溶媒は減圧下で周囲温度にて蒸発されてもよい。さらに他の実施形態において、溶媒は減圧下で穏やかに加熱しながら蒸発されてもよい。
触媒系
一態様において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン化合物および金属塩;代替として、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む触媒系(または触媒系組成物)に関する。一実施形態において、触媒系(または触媒系組成物)はN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキル化合物;または代替として、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体およびアルミノキサンを含む、または、本質的にそれからなることができる。別の態様において触媒系(または触媒系組成物)は、N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキル化合物;または代替として、N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、およびアルミノキサンを含む、または、本質的にそれからなることができる。触媒系(または触媒系組成物)の様々な態様および/または実施形態において使用することができるN−ホスフィニルグアニジン化合物、金属アルキル化合物、およびアルミノキサンは、独立して本明細書にて記載され、任意の組み合わせで、また限定されることなく使用することができ、本開示の様々な触媒系を記載する。
金属アルキル
一般に、本開示の触媒系において使用することができる金属アルキル化合物は、任意のヘテロレプティック(heteroleptic)またはホモレプティック(homoleptic)な金属アルキル化合物であってもよい。一実施形態において、金属アルキル化合物は、非ハライド金属アルキル、金属アルキルハライド、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、非ハライド金属アルキル;または代替として、金属アルキルハライドを含む、本質的にそれからなる、またはそれからなることができる。
一実施形態において、金属アルキル化合物の金属は、1、2、11、12、13、もしくは14族の金属;または代替として、13もしくは14族の金属;または代替として、13族の金属を含む、本質的にそれからなる、もしくはそれからなることができる。いくつかの実施形態において、金属アルキル化合物(非ハロゲン化金属アルキル化合物またはハロゲン化金属アルキル化合物)の金属は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、またはスズ;代替として、リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、ホウ素、アルミニウム、またはスズ;代替として、リチウム、ナトリウム、またはカリウム;代替として、マグネシウム、カルシウム;代替として、リチウム;代替として、ナトリウム;代替として、カリウム;代替として、マグネシウム;代替として、カルシウム、;代替として、亜鉛;代替として、ホウ素;代替として、アルミニウム;または代替として、スズであってもよい。いくつかの実施形態において金属アルキル化合物(非ハライド金属アルキル化合物または金属アルキルハライド化合物)は、リチウムアルキル化合物、ナトリウムアルキル化合物、マグネシウムアルキル化合物、ホウ素アルキル化合物、アルキル亜鉛化合物、またはアルミニウムアルキル化合物を含む、本質的にそれからなる、またはそれからなることができる。いくつかの実施形態において、金属アルキル化合物(非ハライド金属アルキル化合物または金属アルキルハライド化合物)は、アルミニウムアルキル化合物を含む、本質的にそれからなる、またはそれからなることができる。
一実施形態において、アルミニウムアルキル化合物は、トリアルキルアルミニウム化合物、アルキルアルミニウムハライド化合物、アルキルアルミニウムアルコキシド化合物、アルミノキサン、またはその任意の組み合わせであってもよい。いくつかの実施形態において、アルミニウムアルキル化合物は、トリアルキルアルミニウム化合物、アルキルアルミニウムハライド化合物、アルミノキサン、もしくはその任意の組み合わせ;または代替として、トリアルキルアルミニウム化合物、アルミノキサン、もしくはその任意の組み合わせであってもよい。他の実施形態において、アルミニウムアルキル化合物は、トリアルキルアルミニウム化合物;代替として、アルキルアルミニウムハライド化合物;代替として、アルキルアルミニウムアルコキシド化合物;または代替として、アルミノキサンであってもよい。
非限定的な実施形態において、アルミノキサンは、R’が直鎖状または分岐状アルキル基である式I:

を特徴とする反復単位を有することができる。式Iを有するアルミノキサン反復単位のアルキル基、R’は異なるアルキル基の混合物であってもよい。金属アルキル化合物のアルキル基は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、式Iを有するアルミノキサン反復単位をさらに記載する。一般に、式Iのnは、1より大きい;または代替として、2より大きい。一実施形態において、nは、2から15までの;または代替として、3から10までの範囲であってもよい。
一態様において、本明細書に開示される任意の金属アルキルハライド化合物の各ハライドは、独立してフルオリド、クロリド、ブロミド、またはヨージド;代替として、クロリド、ブロミド、またはヨージドであってもよい。一実施形態において、本明細書に開示される任意の金属アルキルハライド化合物の各ハライドは、フルオリド;代替として、クロリド;代替として、ブロミド;または代替として、ヨージドであってもよい。
一態様において、本明細書に開示される任意の金属アルキル化合物の各アルキル基(非ハロゲン化金属アルキル化合物および/またはアルミノキサン、とりわけ、本明細書に記載される他のもの)は、独立してC〜C20アルキル基;代替として、C〜C10アルキル基;または代替として、C〜Cアルキル基であってもよい。一実施形態において、各アルキル基は、独立してメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、もしくはオクチル基;代替として、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、もしくはオクチル基であってもよい。いくつかの実施形態において、各アルキル基は、独立してメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ヘキシル基、もしくはn−オクチル基;代替として、メチル基、エチル基、n−ブチル基、もしくはイソブチル基;代替として、メチル基;代替として、エチル基;代替として、n−プロピル基;代替として、n−ブチル基;代替として、イソブチル基;代替として、n−ヘキシル基;または代替として、n−オクチル基であってもよい。
一態様において、本明細書に開示される任意の金属アルキルアルコキシド化合物の各アルコキシド基は、独立してC〜C20アルコキシ基;代替として、C〜C10アルコキシ基;または代替として、C〜Cアルコキシ基であってもよい。一実施形態において、本明細書に開示される任意の金属アルキルアルコキシド化合物の各アルコキシド基は、独立してメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基、またはオクトキシ基;代替として、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキソキシ基、またはオクトキシ基であってもよい。いくつかの実施形態において、本明細書に開示される任意の金属アルキルアルコキシド化合物のアルコキシド基は、独立してメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、n−ヘキソキシ基、もしくはn−オクトキシ基;代替として、メトキシ基、エトキシ基、n−ブトキシ基、もしくはイソブトキシ基;代替として、メトキシ基;代替として、エトキシ基;代替として、n−プロポキシ基;代替として、n−ブトキシ基;代替として、イソブトキシ基;代替として、n−ヘキソキシ基;または代替として、n−オクトキシ基であってもよい。
非限定的な実施形態において、金属アルキル化合物は、メチルリチウム、n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、ジエチルマグネシウム、ジn−ブチルマグネシウム、エチルマグネシウムクロリド、n−ブチルマグネシウムクロリド、およびジエチル亜鉛を含むことができる、または本質的にそれらからなってもよい。
非限定的な実施形態において、トリアルキルアルミニウム化合物は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、またはその混合物を含むことができるか、またはそれらからなってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、トリアルキルアルミニウム化合物は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリn−ブチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリn−オクチルアルミニウム、またはその混合物;代替として、トリエチルアルミニウム、トリn−ブチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリn−オクチルアルミニウム、またはその混合物;代替として、トリエチルアルミニウム、トリn−ブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリn−オクチルアルミニウム、またはその混合物を含むことができるか、またはそれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、トリアルキルアルミニウム化合物は、トリメチルアルミニウム;代替として、トリエチルアルミニウム;代替として、トリプロピルアルミニウム;代替として、トリn−ブチルアルミニウム;代替として、トリイソブチルアルミニウム;代替として、トリヘキシルアルミニウム;または代替として、トリn−オクチルアルミニウムを含むことができるか、またはそれらからなってもよい。
非限定的な実施形態において、アルキルアルミニウムハライド化合物は、ジエチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムブロミド、エチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、およびその混合物を含むことができるか、または本質的にそれらかなってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、アルキルアルミニウムハライドは、ジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、およびその混合物を含むことができるか、または本質的にそれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、アルキルアルミニウムハライドは、ジエチルアルミニウムクロリド;代替として、ジエチルアルミニウムブロミド;代替として、エチルアルミニウムジクロリド;または代替として、エチルアルミニウムセスキクロリドを含むことができるか、または本質的にそれらからなってもよい。
非限定的な実施形態において、アルミノキサンは、メチルアルミノキサン(MAO)、エチルアルミノキサン、修飾メチルアルミノキサン(MMAO)、n−プロピルアルミノキサン、イソプロピルアルミノキサン、n−ブチルアルミノキサン、sec−ブチルアルミノキサン、イソブチルアルミノキサン、t−ブチルアルミノキサン、1−ペンチルアルミノキサン、2−ペンチルアルミノキサン、3−ペンチルアルミノキサン、イソペンチルアルミノキサン、ネオペンチルアルミノキサン、またはその混合物を含むことができるか、または本質的にそれらかなってもよい。非限定的な実施形態において、いくつかの有用なアルミノキサンは、メチルアルミノキサン(MAO)、修飾メチルアルミノキサン(MMAO)、イソブチルアルミノキサン、t−ブチルアルミノキサン、またはその混合物を含むことができるか、または本質的にそれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、有用なアルミノキサンは、メチルアルミノキサン(MAO);代替として、エチルアルミノキサン;代替として、修飾メチルアルミノキサン(MMAO);代替として、n−プロピルアルミノキサン;代替として、イソプロピルアルミノキサン;代替として、n−ブチルアルミノキサン;代替として、sec−ブチルアルミノキサン;代替として、イソブチルアルミノキサン;代替として、t−ブチルアルミノキサン;代替として、1−ペンチルアルミノキサン;代替として、2−ペンチルアルミノキサン;代替として、3−ペンチルアルミノキサン;代替として、イソペンチルアルミノキサン;または代替として、ネオペンチルアルミノキサンを含むことができる。
触媒系成分比
一態様において、アルキル金属およびN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、活性な触媒系(または触媒系組成物)を形成できる任意の比率で組み合わることができる。一実施形態において、金属アルキル化合物の金属対N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の金属のモル比は、5:1以上;代替として10:1以上;代替として25:1以上;代替として50:1以上;または代替として100:1以上であってもよい。いくつかの実施形態において、アルキル金属化合物の金属対N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の金属のモル比は、5:1から100,000:1までの範囲;代替として、10:1から50,000:1までの範囲;代替として、25:1から10,000:1までの範囲;代替として、50:1から5,000:1までの範囲;または代替として、100:1から2,500:1までの範囲であってもよい。特定の金属を有する金属アルキル化合物および特定の金属を有するN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が使用される場合、アルキル金属の金属対N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の金属のモル比は、アルキル金属の特定の金属対N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の特定の金属のモル比として述べることができる。例えば、金属アルキル化合物がアルキルアルミニウム化合物(例えば、トリアルキルアルミニウム、アルキルアルミニウムハライド、アルキルアルミニウムアルコキシド、および/またはアルミノキサン)であり、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体がN−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体である場合、アルキル金属化合物の金属対金属塩の金属は、アルミニウム対クロムのモル比であってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、アルミニウム対クロムのモル比は、5:1以上;代替として、10:1以上;代替として、25:1以上;代替として、50:1以上;代替として、100:1以上;代替として、5:1から100,000:1までの範囲;代替として、10:1から50,000:1までの範囲;代替として、25:1から10,000:1までの範囲;代替として、50:1から5,000:1までの範囲;または代替として、100:1から2,500:1までの範囲であってもよい。
別の態様において、金属アルキル、金属塩、およびN−ホスフィニルグアニジン化合物は、活性触媒系(または触媒系組成物)を形成する任意の比率で組み合わせることができる。一般に、金属アルキル、金属塩、およびN−ホスフィニルグアニジン化合物を含む、本質的にそれからなる、またはそれからなる触媒系(または触媒系組成物)の成分の比率は、i)金属アルキル化合物の金属対金属塩の金属のモル比、ii)N−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の当量比、またはiii)金属アルキル化合物の金属対金属塩の金属のモル比およびN−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の当量比の組み合わせとして与えることができる。
一実施形態において、金属アルキル化合物の金属対金属塩の金属のモル比は、5:1以上;代替として、10:1以上;代替として、25:1以上;代替として、50:1以上;または代替として、100:1以上であってもよい。いくつかの実施形態において、金属アルキル化合物の金属対金属塩の金属のモル比は、5:1から100,000:1までの範囲;代替として、10:1から50,000:1までの範囲;代替として、25:1から10,000:1までの範囲;代替として、50:1から5,000:1までの範囲;または代替として、100:1から2,500:1までの範囲であってもよい。特定の金属を有する金属アルキル化合物および特定の金属を有する金属塩が使用される場合、アルキル金属化合物の金属と金属塩の金属とのモル比は、アルキル金属化合物の特定の金属と金属塩の特定の金属とのモル比として述べることができる。例えば、金属アルキル化合物がアルキルアルミニウム化合物(例えば、トリアルキルアルミニウム化合物、アルキルアルミニウムハライド化合物、アルキルアルミニウムアルコキシド化合物、および/またはアルミノキサン)であり、金属塩がクロム塩である場合、金属アルキル化合物の金属対金属塩の金属は、アルミニウム対クロムのモル比であってもよい。いくつかの非限定的な実施形態において、アルミニウム対クロムのモル比は、5:1以上;代替として、10:1以上;代替として、25:1以上;代替として、50:1以上;または代替として、100:1以上;代替として、5:1から100,000:1までの範囲;代替として、10:1から50,000:1までの範囲;代替として、25:1から10,000:1までの範囲;代替として、50:1から5,000:1までの範囲;または代替として、100:1から2,500:1までの範囲であってもよい。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の当量比は、0.8:1以上;代替として、0.9:1以上;または代替として、0.95:1以上;または代替として、0.98:1以上であってもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の当量比は、0.8:1から5:1までの範囲;代替として、0.9:1から4:1までの範囲;または代替として、0.95:1から3:1までの範囲;または代替として、0.98:1から2.5:1までの範囲であってもよい。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の当量比は、0.9:1〜1.25:1の範囲;代替として、0.95:1〜1.20:1の範囲;代替として、0.975:1〜1.15:1の範囲;または代替として、0.99:1〜1.10:1の範囲であってもよい。さらに他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の当量比は、約1:1であってもよい。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成が、オリゴマー化の態様に影響を及ぼすことがある。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間が増加すると、触媒系の触媒活性度が高まる、および/または触媒系の生産性が高まる。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間が増加すると、触媒系によって製造されるポリマーの百分率が増加し得る。理論によって限定されるものではないが、これらの効果は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体からの、および/またはN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の結晶格子からの中性配位子Qの脱会合(または代替として、その蒸発)に起因し得ると考えられる。
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間を制御すると、オリゴマー化工程を改善することができる。例えば、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間を増加させることによって、触媒系の活性度および/または生産性を高めることができる。触媒系の活性度および/または生産性を高めると触媒系1単位当たりのオリゴマー(またはポリマー)生成物の増加を提供することができる。
しかし、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間を無差別に増加させることが可能でないこともあり得る。本明細書に示されるように、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間を増加させると、触媒系によって生成するポリマーの百分率が増加させることができる。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する触媒系のポリマー生成があまりにも多く増加する場合、ポリマー生成がオリゴマー化工程への影響を不利にすることある。例えば、ポリマーは、オリゴマー化反応器壁または冷却器に付着し、ポリマーを除去するために反応器の停止が必要となり得る汚れを引き起こすことがある。したがって、ポリマー生成の増加に対する触媒系活性度および/または生産性の増加との均衡を取る必要性がある場合がある。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間が増加する効果の少なくとも一部は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体への中性配位子の添加により逆転させることができることが発見された。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間が増加する効果の一部を逆転させる能力は、負の効果を潜在的に減少させることができる。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間が増加する負の効果の非限定的な例は、1)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の単離および/または精製と、触媒系の形成との間の時間を、形成された触媒系が望ましくない量のポリマーを生成するポイントまで増加させることにより、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する能力を妨げること、および2)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の調製と、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する触媒系の調製との間の時間を最小限に抑える必要性を減少させることを含むことができる。また、中性配位子の増分の損失は、触媒系およびオリゴマー化におけるその後の使用に影響を与え得ることに留意されるべきである。したがって、中性配位子を添加することは、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体からの中性配位子損失の効果を反転させることができるが、N−ホスフィニルグアニジン金属錯体から中性配位子に関連する効果を制御する方法としてN−ホスフィニルグアニジン金属錯体からの中性配位子損失の損失を制限できるプロセスおよび/またはステップが実施され得る。例えば、N−ホスフィニルグアニジン金属錯体は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の中性配位子の損失を制限するために(当業者に公知の方法の中で)密閉容器内に保存されてもよい。
しかしながら、理論により制限されないが、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体に会合する中性配位子があまりにも多いと、触媒系生産性を著しく減少させる、またはなくし得ると考えられる。したがって、いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体に供給される中性配位子の量を制御する注意を払う必要があり得る。一般に、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体への中性配位子の添加は、任意の適切な方法によって達成することができる。例えば、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子を含有する溶液から再結晶することができ、または、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子を含有する溶媒中に置くことができる。過剰の中性配位子は、溶媒を蒸発させることによって、またはN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の中性配位子での処理と触媒系の形成との間の時間を増加させることによってN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体から除去することができる。
一態様において、単離したおよび/または精製したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、オリゴマー化(または重合)プロセスのための触媒系に使用することができる。したがって、一態様において、本明細書に開示される触媒系を生成する任意のプロセスまたは任意のオリゴマー化(または重合)プロセスは、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成させるステップをさらに含んでもよい。別の態様において、本明細書に開示される触媒系を生成する任意のプロセスまたは任意のオリゴマー化(または重合)プロセスは、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理するステップ、1)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理するステップおよび2)処理したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成させるステップをさらに含んでもよい。別の態様において、本明細書に開示される触媒系を生成する任意のプロセスまたは任意のオリゴマー(または重合)プロセスは、熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理するステップ;または代替として、1)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理するステップおよび2)処理したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成させるステップをさらに含んでもよい。
一態様において、本明細書に記載される任意のオリゴマー化(または重合化)プロセス(本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む、本明細書に記載される任意の触媒系を使用する)の活性度は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成することによって制御することができる。一態様において、本明細書に記載される任意のオリゴマー化(または重合)プロセス(本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む、本明細書に記載される任意の触媒系を使用する)の活性度は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理することによって;または代替として、1)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理し、かつ2)処理したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成させることによって制御することができる。一態様において、本明細書に記載される任意のオリゴマー化(または重合)プロセス(本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む、本明細書に記載される任意の触媒系を使用する)の活性度は、熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理することによって;または代替として、1)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理し、かつ2)処理したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成させることによって制御することができる。
オリゴマー化(または重合)プロセスにおける本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む、本明細書に記載される任意の触媒系の触媒活性度は、使用されたN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体中の金属塩の金属のグラム当たりに生成したオレフィンオリゴマー(またはポリマー)生成物(または液状オレフィンオリゴマー/ポリマー生成物、もしくはオリゴマー化/重合生成物の他の定義された部分)のグラムとして定義することができる。一実施形態において、本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む、本明細書に記載される任意の触媒系の触媒系活性度は、熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の使用により増加させることができる。この活性度増加量は、触媒系活性度の百分率増加量として記載することができ、新鮮なN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用して調製された触媒系の活性度aと関係し得る。一般に、新鮮なN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体とは、化触媒系をその単離および/または精製の7日間内に調製するために使用されたものである。新鮮なN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、不活性触媒系(すなわち、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体中の金属塩のグラム金属当たり500グラム未満のオリゴマー/ポリマーを生成する触媒系)を与え得る過剰の中性配位子を含まないことは留意されるべきである。熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体に基づく触媒系の活性度は、aで示すことができる。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、最大で、730日;代替として、550日;代替として、450日;代替として、365日;代替として、330日;代替として、300日;代替として、270日;代替として、240日;代替として、210日;または代替として、180日間、熟成されてもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、最短で、1日;代替として、3日;代替として、7日;代替として、14日;代替として、28日間、熟成されてもよい。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、本明細書に提供される任意の最小の熟成の時間から本明細書に提供される任意の最大の熟成の時間まで熟成されてもよい。非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、1日から730日;代替として、3日から550日;代替として、3日から330日;または代替として、7日から180日、熟成されてもよい。他の熟成の時間は本開示から容易に明白である。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を(本明細書に記載される任意の期間)熟成すると、本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する、本明細書に記載される任意の触媒系の活性度を、最小で10%;代替として、少なくとも20%;代替として、少なくとも30%;代替として、少なくとも40%;または代替として、少なくとも50%、増加させることができる。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を(本明細書に記載される任意の期間)熟成すると、本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する、本明細書に記載される任意の触媒系の活性度を、最大で1500%;代替として、1000%まで;代替として、750%まで;代替として、600%まで;または代替として、500%まで、増加させることができる。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を(本明細書に記載される任意の時間)熟成させることは、本明細書に記載される任意の最小値から本明細書に記載される任意の最大値まで本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用して本明細書に記載される任意の触媒系の活性度を増加させることができる。非限定的な実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を(本明細書に記載される任意の時間)熟成させることは、本明細書に記載されるN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用して本明細書に記載される任意の触媒系の活性度を、40%〜600%;または代替として、50%〜500%増加させることができる。他の触媒系の活性度の範囲は本開示から容易に明らかである。
一実施形態において、本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する、本明細書に記載される任意の触媒系のために、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を(本明細書に記載される任意の期間)熟成すると、本明細書に記載されるポリマーの任意の定義された百分率を生成することができるオリゴマー化触媒系を提供することができる。一実施形態において、本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する、本明細書に記載される任意の触媒系のために、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を(本明細書に記載される任意の期間)熟成すると、5重量パーセント(wt%)未満のポリマー;代替として、2重量%以下のポリマー;代替として、1.5重量%以下、代替として、1重量%以下のポリマー;代替として、0.75重量%以下、代替として、2重量%以下のポリマー;代替として、0.5重量%以下のポリマー;代替として、0.4重量%以下のポリマー;代替として、0.3重量%以下のポリマー;代替として、0.2重量%以下のポリマー;または代替として、0.1重量%以下のポリマーを生成することができるオリゴマー化触媒系を提供することができる。一般に、重量%に基づいて、ポリマーは、オレフィンオリゴマー化(オレフィン三量体化、オレフィン四量体化、またはオレフィン三量体化および四量体化)の全てのオリゴマー生成物(代替として、三量体生成物、四量体生成物または三量体および四量体生成物)に基づく。
いくつかの実施形態において、熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する、本明細書に記載される任意のオリゴマー化触媒系は、本明細書に記載される任意の増加させた活性度、および本明細書に記載される任意の量のポリマーの組み合わせを有することができる。熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する、本明細書に記載されるオリゴマー化触媒系は、本明細書に記載される他の任意のオリゴマー化触媒系の特色またはオリゴマー化生成物の特色を、個々にまたは組み合わせて使用してさらに記載することができる。
一実施形態において、本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む任意の触媒系の、ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の熟成に応じる、触媒活性度およびまたはポリマー生成物を描く検量線を作成することができる。いくつかの実施形態において、検量線(触媒活性度および/またはポリマー生成の)は、予測式を誘導するためにN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の熟成期間の関数として描くことができる。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の熟成に応じる、触媒系活性度および/またはポリマー生成と関係する検量線または予測式は、検量線および/または予測式の内挿または外挿に基づく、1つまたは複数の利用者および/または工程のパラメーターを調節するために使用することができる。いくつかの態様において、aがaに関して増加する程度は、開示された範囲から即座に外れることがあり、また、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が熟成される条件に依存して、目下のところ開示された値に基づいて予想されるより大きくなり得ることは企図される。例えば、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、目下記述されたものより5から10倍長い期間の間の熟成、または高温および/または減圧の条件下の熟成にかけることができる。そのような条件下でN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成する効果は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の熟成が触媒系活性度を増加させ得る条件をもたらすことができる予測的な情報を提供するために、記述される数的範囲外の熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用して、本明細書において言及された分析にかけることができる。本開示の恩恵およびルーチン実験の使用を前提とすれば、当業者は、本明細書に開示される方法論を修飾して、熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を使用する触媒系の活性度を所望の値または範囲に改変することができることが企図される。そのような修飾は、本開示の範囲内にある。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体(熟成した、またはしていない)の中性配位子との接触は、中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩の任意の適切なモル比を使用して行うことができる。一実施形態において、中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩のモル比は、少なくとも0.2:1;代替として、少なくとも0.3:1;代替として、少なくとも0.4:1;または代替として、少なくとも0.5:1であってもよい。一実施形態において、中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩の任意の適切なモル比は、0.2:1から10,000:1まで;代替として、0.3:1から8,000:1;代替として、0.4:1から6,000:1まで;または代替として、0.5:1から5,000:1までであってもよい。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の接触は、本質的に中性配位子からなる溶媒中で;または代替として、中性配位子および非錯体形成溶媒を含む、または本質的にそれからなる溶媒中で起こすことができる。
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が本質的に中性配位子からなる溶媒と接触される場合、中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩のモル比は、本明細書に開示される中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩の任意のモル比であってもよい。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が本質的に中性配位子からなる溶媒と接触される他の実施形態において、中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩のモル比は、中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩の、少なくとも5:1;代替として、少なくとも7.5:1;代替として、少なくとも10:1;代替として、少なくとも10:1;代替として、少なくとも15:1;代替として、5:1;代替として、7.5:1から10,000:1までの範囲;代替として、10:1から8,000:1までの範囲;代替として、10:1から6,000:1までの範囲;または代替として、15:1から5,000:1までの範囲の任意のモル比であってもよい。
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が中性配位子および非錯体形成溶媒を含む、または本質的にそれからなる溶媒と接触される場合、中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩のモル比は、本明細書に開示される中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩の任意のモル比であってもよい。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が中性配位子および非錯体形成溶媒を含む、または本質的にそれからなる溶媒と接触される他の実施形態において、中性配位子対N−ホスフィニルグアニジン金属塩のモル比は、500:1以下;300:1以下;200:1以下;代替として、100:1以下;代替として、0.2:1から500:1までの範囲;代替として、0.3:1から300:1までの範囲;代替として、0.4:1から200:1までの範囲;または代替として、0.5:1から100:1までであってもよい。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が中性配位子および非錯体形成溶媒を含む、または本質的にそれからなる溶媒と接触されるいくつかの実施形態において、中性配位子対非錯体形成溶媒の体積比は、1:1から10,000:1までの範囲;代替として、5:1から8,000:1までの範囲;代替として、7.5:1から6,000:1までの範囲;または代替として、10:1から5,000:1までの範囲であってもよい。
一実施形態において、中性配位子は、本明細書に開示される任意の中性配位子であってもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を処理するために使用される中性配位子は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の中性配位子と同じであってもよく;または代替として、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を処理するために使用される中性配位子は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の中性配位子と異なっていてもよい。一実施形態において、中性配位子および非錯体形成溶媒を含む、または本質的にそれからなる実施形態において使用される非錯体形成溶媒は、炭化水素またはハロゲン化炭化水素;代替として、炭化水素またはハロゲン化炭化水素であってもよい。炭化水素およびハロゲン化炭化水素溶剤(一般的および特定の)は、本明細書に開示され、限定されることなく使用することができ、中性配位子および非錯体形成溶媒を含む、または本質的にそれからなる溶媒を使用する任意の態様および/または実施形態をさらに記載する。
一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、任意の適切な方法論を使用して熟成することができる(それが中性配位子で処理されたか否かにかかわらず)。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、(それが中性配位子で処理されたか否かにかかわらず)常温(15−35℃−外部熱源を適用しない)で;または代替として、不活性雰囲気下で常温で熟成することができる。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、(それが中性配位子で処理されたか否かにかかわらず)、緩やかに加熱して(例えば、25℃から50℃までの範囲の温度で);代替として、減圧下で;代替として、常温減圧下で;または代替として、緩やかに加熱しながら減圧下で熟成することができる。
一実施形態において、熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、中性配位子処理したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、または、中性配位子処理し熟成したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体は、触媒系において、触媒を調製する工程および/またはオリゴマー化(または重合)プロセスにおいて使用することができる。一般に、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成するステップ、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理するステップ、および/またはN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を中性配位子で処理し、かつ中性配位子処理したN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を熟成するステップは、限定されることなく使用することができ、触媒系、触媒系、を調製するプロセスおよび/またはオリゴマー化(または重合)プロセスをさらに記載する。
一態様において、N−ホスフィニルグアニジン化合物を調製するステップ(複数可)は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の調製、触媒系を調製するプロセスおよび/またはオリゴマー化(または重合)プロセスに組み込むことができる。ステップが組み合わせられた場合、適切なステップ識別子(例えば、1)、2)など..a)、b)など..i)、ii)など..および、化合物/溶媒識別子(例えば、第1の、第2の、など)は、一般的な開示を損なうことなく、グアニジン化合物の調製、触媒系を調製するプロセスおよび/またはオリゴマー化(または重合)プロセス内で使用される個々および/または異なるステップ/化合物/溶媒を示すために加えることができる。
一態様において、本開示は、オリゴマー化工程;または代替として、重合プロセスに関する。一実施形態において、オリゴマー化プロセスは、a)オレフィンおよび触媒系(または触媒系組成物)を接触させるステップ;およびb)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、オリゴマー化プロセスは、a)オレフィン、水素、および触媒系(または触媒系組成物)を接触させるステップ;およびb)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合プロセスは、a)オレフィンおよび触媒系(または触媒系組成物)を接触させるステップ;およびb)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、重合プロセスは、a)オレフィン、水素、および触媒系(または触媒系組成物)を接触させるステップ、およびb)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。本触媒系(または触媒系組成物)、オレフィン、およびオリゴマー生成物またはポリマー生成物の特色は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。一実施形態において、本触媒系は、第1の溶媒中で調製することができる。一実施形態において、オレフィン、触媒系(または触媒系組成物)、および、場合によって、水素は、第2の溶媒中で接触することができる。一般に、触媒系を調製することができる溶媒、およびオレフィンおよび触媒系(または触媒系組成物)を接触させることができる溶媒は、同じであってもよく;または、代替として、異なっていてもよい。
一実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキル化合物を含む触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップ;およびc)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキル化合物を含む触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップ;およびc)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップは、触媒系混合物をオレフィンおよび水素と接触させるステップであってもよい。いくつかの実施形態において、触媒系混合物は、溶媒(例えば、第1の溶媒)をさらに含む。いくつかの実施形態において、触媒系混合物およびオレフィンは、溶媒(例えば、触媒系が溶媒中で調製される場合、第2の溶媒)中で接触させることができる。一実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、金属アルキル化合物、および第1の溶媒を含む、または本質的にそれからなる、触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物をオレフィンおよび第2の溶媒と接触させるステップ;およびc)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、金属アルキル化合物、および第1の溶媒を含む、または本質的にそれからなる、触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物をオレフィンおよび第2の溶媒と接触させるステップ;およびc)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、触媒系混合物をオレフィンおよび第2の溶媒と接触させるステップは、オレフィン、第2の溶媒、および水素と触媒系混合物を接触させるステップであってもよい。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、金属アルキル化合物、オレフィン、溶媒、およびオリゴマー生成物またはポリマー生成物の特色は、独立して本明細書に記載され(他の触媒系およびオリゴマー化または重合の特色の中でも)、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。いくつかの実施形態において、第1および第2の溶媒は、同じであってもよく;または代替として、第1および第2の溶媒が、異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、金属アルキル化合物は、アルミノキサンを含む、または、本質的にそれからなることができる。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の金属対金属アルキル化合物の金属の比率は、独立して本明細書に提供され(他の触媒系およびオリゴマー化または重合の特色の中でも)、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。
一実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む組成物を形成するステップ;b)オレフィンおよび金属アルキル化合物を含む混合物を形成するステップ;c)ステップa)の組成物およびステップb)の混合物を接触させるステップ;およびd)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む組成物を形成するステップ;b)オレフィンおよび金属アルキル化合物を含む混合物を形成するステップ;c)ステップa)の組成物およびステップb)の混合物を接触させるステップ;およびd)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、オレフィンおよび金属アルキル化合物を含む混合物は、水素をさらに含む。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む組成物は、溶媒(例えば、第1の溶媒)をさらに含む。いくつかの実施形態において、オレフィン、金属アルキル化合物、および場合によって、水素を含む混合物は、溶媒(例えば、第2の溶媒)をさらに含む。一実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および第1の溶媒を含む、または本質的にそれからなる組成物を形成するステップ;b)オレフィン、金属アルキル化合物、水素、および第2の溶媒を含む混合物を形成するステップ;c)ステップa)の組成物およびステップb)の混合物を接触させるステップ;およびd)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および第1の溶媒を含む、または本質的にそれからなる、組成物を形成するステップ;b)オレフィン、金属アルキル化合物、水素、および第2の溶媒を含む混合物を形成するステップ;c)ステップa)の組成物およびステップb)の混合物を接触させるステップ;およびd)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体ならびにオレフィンおよび金属アルキル化合物(場合によって、水素)を含む混合物を含む組成物に使用される溶媒は、同一であってもよく;または、代替として、異なっていてもよい。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、金属アルキル化合物、オレフィン溶媒、およびオリゴマー生成物または、ポリマー生成物の特色(他の触媒系およびオリゴマー化または重合の特色の中でも)は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。いくつかの実施形態において、金属アルキルは、アルミノキサンを含んでもよいか、または本質的にそれからなってもよい。
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体の金属対金属アルキル化合物の金属の比は、独立して本明細書に提供され(他の触媒系およびオリゴマー化プロセスまたは重合プロセスの特色の中でも)、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。
一実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキル化合物を含む触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップ;およびc)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合プロセスは、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキル化合物を含む触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップ;およびc)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップは、触媒系混合物をオレフィンおよび水素と接触させるステップであってもよい。いくつかの実施形態において、触媒系混合物は、溶媒(例えば、第1の溶媒)をさらに含むことができる。いくつかの実施形態において、触媒系混合物およびオレフィンは、溶媒(例えば、触媒系が溶媒中で調製された場合、第2の溶媒)中で接触させることができる。一実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、金属アルキル化合物、および第1の溶媒を含む、または本質的にそれからなる触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物をオレフィンおよび第2の溶媒と接触させるステップ;およびc)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合プロセスは、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、金属アルキル、および第1の溶媒を含む、または本質的にそれからなる触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物をオレフィンおよび第2の溶媒と接触させるステップ;およびc)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、触媒系混合物をオレフィンおよび第2の溶媒と接触させるステップは、触媒混合物を、オレフィン、第2の溶媒、および水素と接触させるステップであってもよい。いくつかの実施形態において、第1および第2の溶媒は、同じであってもよく;または代替として、第1および第2の溶媒は、異なっていてもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、金属アルキル、オレフィン、溶媒、およびオリゴマー生成物またはポリマー生成物の特色は、独立して本明細書に記載され(他の触媒系およびオリゴマー化または重合の特色の中でも)、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。いくつかの実施形態において、第1および第2の溶媒は、同じであってもよく;または代替として、第1および第2の溶媒は、異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、金属アルキル化合物は、アルミノキサンを含んでもよいか、または本質的にそれからなってもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、金属アルキル化合物、オレフィン、溶媒、およびオリゴマー生成物またはポリマー生成物の特色は、独立して本明細書に記載され(他の触媒系およびオリゴマー化または重合の特色の中でも)、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。N−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の比、および金属アルキル化合物の金属対金属塩の金属の比は、独立して本明細書に提供され(他の触媒系およびオリゴマー化プロセスまたは重合プロセスの特色の中でも)、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。
一実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物および金属塩を含む組成物を形成するステップ;b)オレフィンおよび金属アルキル化合物を含む混合物を形成するステップ;c)ステップa)において形成された組成物、およびステップb)において形成された混合物を接触させるステップ;およびd)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物および金属塩を含む混合物を形成するステップ;b)オレフィンおよび金属アルキル化合物を含む混合物を形成するステップ;c)ステップa)において形成された組成物、およびステップb)において形成された混合物を接触させるステップ;およびd)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、オレフィンおよび金属アルキル化合物を含む混合物は、水素をさらに含む。いくつかの実施形態において、ステップa)の組成物は、溶媒(例えば、第1の溶媒)をさらに含む。いくつかの実施形態において、ステップb)の混合物は、溶媒(例えば、触媒系が溶媒中で調製される場合、第2の溶媒)をさらに含む。一実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および第1の溶媒を含む、または本質的にそれからなる組成物を形成するステップ;b)オレフィン、金属アルキル化合物、および第2の溶媒を含む混合物を形成するステップ;c)ステップa)において形成された組成物、およびステップb)において形成された混合物を接触させるステップ;およびd)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。一実施形態において、重合工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および第1の溶媒を含む、または本質的にそれからなる、組成物を形成するステップ;b)オレフィン、金属アルキル化合物、および第2の溶媒を含む混合物を形成するステップ;c)ステップa)において形成された組成物、およびステップb)において形成された混合物を接触させるステップ;およびd)ポリマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、第1および第2の溶媒は、同じであってもよく;または代替として、第1および第2の溶媒は、異なっていてもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、金属アルキル化合物、オレフィン、溶媒、ならびにオリゴマー生成物またはポリマー生成物(他の触媒系およびオリゴマー化または、重合特色中の)の特色は、独立して本明細書において記載され、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。いくつかの実施形態において、金属アルキルはアルミノキサンを含んでもよいか、または本質的にそれからなってもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の比、および金属アルキルの金属対金属塩の金属の比は、独立して本明細書に提供され(他の触媒系およびオリゴマー化プロセスまたは重合プロセスの特色の中でも)、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。
一実施形態において、触媒系、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む混合物、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキル化合物を含む混合物、N−ホスフィニルグアニジン化合物および金属塩を含む組成物、またはN−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキル化合物を含む組成物とともに使用される溶媒は、炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、またはその任意の組み合わせ;代替として、炭化水素溶剤;または代替として、ハロゲン化炭化水素溶剤であってもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む混合物、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキル化合物を含む混合物、N−ホスフィニルグアニジン化合物および金属塩を含む組成物、またはN−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキル化合物を含む組成物とともに使用される溶媒は、脂肪族炭化水素溶剤、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、芳香族炭化水素溶媒、ハロゲン化芳香族溶媒、またはその任意の組み合わせ;代替として、脂肪族炭化水素溶剤、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、またはその任意の組み合わせ;代替として、芳香族炭化水素溶媒、ハロゲン化芳香族溶媒、またはその任意の組み合わせ;代替として、脂肪族炭化水素溶剤;代替として、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤;代替として、芳香族炭化水素溶媒;または代替として、ハロゲン化芳香族溶媒であってもよい。一般的および特定の炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、脂肪族炭化水素溶剤、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、芳香族炭化水素溶媒、およびハロゲン化芳香族溶媒は、本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、本明細書に記載されるオリゴマー化プロセスまたは重合プロセス(複数可)をさらに記載する。
一実施形態において、オレフィンを含む任意の混合物に使用される、またはオリゴマー生成物もしくはポリマー生成物を形成するために使用される溶媒は、炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、炭化水素溶剤;または代替として、ハロゲン化炭化水素溶剤であってもよい。いくつかの実施形態において、オレフィンを含む任意の混合物に使用される、またはオリゴマー生成物もしくはポリマー生成物を形成するために使用される溶媒は、脂肪族炭化水素溶剤、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、芳香族炭化水素溶媒、ハロゲン化芳香族溶媒、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、脂肪族炭化水素溶剤、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、芳香族炭化水素溶媒、ハロゲン化芳香族溶媒、もしくはその任意の組み合わせ;代替として、脂肪族炭化水素溶剤;代替として、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤;代替として、芳香族炭化水素溶媒;または代替として、ハロゲン化芳香族溶媒であってもよい。一般的および特定の炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、脂肪族炭化水素溶剤、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、芳香族炭化水素溶媒、およびハロゲン化芳香族溶媒は、本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、本明細書に記載されるオリゴマー化プロセスまたは重合プロセスをさらに記載する。
いくつかの実施形態において、触媒系、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む混合物、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキルを含む混合物、N−ホスフィニルグアニジン化合物および金属塩を含む組成物とともに使用される溶媒、またはN−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキルを含む組成物、ならびにオレフィンを含む任意の混合物に使用されるまたはオリゴマー生成物もしくはポリマー生成物を形成するために使用される溶媒は、同じであってもよく;または、代替として、異なっていてもよい。一実施形態において、触媒系、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む混合物、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキルを含む混合物、N−ホスフィニルグアニジン化合物および金属塩を含む組成物、またはN−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキルを含む組成物とともに使用される溶媒、ならびにオレフィンを含む任意の混合物に使用される、またはオリゴマー生成物もしくはポリマー生成物を形成するために使用される溶媒は、オリゴマー生成物またはポリマー生成物からその容易な分離(例えば、蒸留による)を可能にする沸点を有する。
一般に、オリゴマー化または重合することができるオレフィンは、C〜C30オレフィン;代替として、C〜C16オレフィン;または代替として、C〜C10オレフィンを含む、または、本質的にそれからなることができる。一実施形態において、オレフィンは、アルファオレフィン;代替として、直鎖状アルファオレフィン;または代替として、一般的なアルファオレフィンであってもよい。一実施形態において、オレフィンは、エチレン、プロピレン、またはその組み合わせ;代替として、エチレン;または代替として、プロピレンを含む、または、本質的にそれからなることができる。オレフィンが本質的にエチレンからなる場合、オリゴマー化工程は、エチレンオリゴマー化工程またはエチレン重合工程であってもよい。
一態様において、オリゴマー化工程は、三量化工程;代替として、四量化工程;または代替として、三量化および四量化工程であってもよい。オレフィンがエチレンである場合、オリゴマー化工程は、エチレン三量化工程;代替として、エチレン四量化工程;または代替として、エチレン三量化および四量化工程であってもよい。工程がエチレン三量体化工程である場合、オリゴマー生成物は、ヘキセンを含むことができ;または代替として、1−ヘキセンを含むことができる。工程がエチレン四量化工程である場合、オリゴマー生成物は、オクテンを含むことができ;または代替として、1−オクテンを含むことができる。工程がエチレン三量化および四量化工程である場合、オリゴマー生成物は、ヘキセンおよびオクテンを含むことができ;または、1−ヘキセンおよび1−オクテンを含むことができる。
別段の定めがない限り、「接触された」、「組み合わせた」、および「存在下で」という用語は、オリゴマー化工程の2種以上の成分の接触または組み合わせのための任意の添加シーケンス、順序、または濃度を指す。本明細書に記載される様々な方法によるオリゴマー化成分の接触または組み合わせは、例えば、温度、圧力、接触時間、流速などの適切な接触条件下の1つまたは複数の接触ゾーンに生じる得る。接触ゾーンは、容器(例えば、貯蔵タンク、運搬容器(tote)、容器、撹拌槽、反応器など)、管(例えば、一般の管路へ成分供給の管路を組み合わせるためのティー(tee)、入口、注入ポート、またはヘッダー)の長手に、または成分を接触させるための他の任意の適切な器具中に配置することができる。その工程は、所与の実施形態に適切なバッチまたは連続工程で行うことができる。
一実施形態において、オリゴマー化プロセスまたは重合プロセスは、1つまたは複数の反応器中で行われる連続工程であってもよい。いくつかの実施形態において、連続的なオリゴマー化反応器または重合反応器は、ループ反応器、管型反応装置、連続撹拌槽型反応器(CSTR)、またはその組み合わせを含むことができる。他の実施形態において、連続的なオリゴマー化反応器または重合反応器は、ループ反応器;代替として、管型反応装置;または代替として、連続撹拌槽型反応器(CSTR)であってもよい。他の実施形態において、連続的なオリゴマー化反応器または重合反応器は、組み合わせた、および様々に構成した異なる種類の連続的な反応器の形態で使用することができる。
一実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物は、反応温度、反応圧力、および/または反応時間としてのなどの適切なオリゴマー化反応条件または重合反応条件下に形成することができる。オリゴマー生成物またはポリマー生成物を形成するための反応温度、反応圧力、および/または、反応時間は、他の因子の中でも、金属錯体の安定性、金属錯体の活性度、助触媒の種類、助触媒の活性度、所望の生成物分布、および/または所望の生成物純度などの多くの因子によって影響され得る。
一般に、オリゴマー生成物またはポリマー生成物は、所望のオリゴマー生成物またはポリマー生成物(代替として、オリゴマーまたはポリマー)を形成できるN−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、またはN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体濃度を使用して形成されてもよい。一実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、またはN−ホスフィニルグアニジン金属錯体の濃度は、少なくとも1x10−6当量/リットル;代替として、少なくとも1x10−5当量/リットル;または代替として、少なくとも5x10−4当量/リットルであってもよい。他の実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン錯体化金属化合物の濃度は、1x10−6当量/リットルから1当量/リットルまでの範囲;代替として、1x10−5当量/リットルから5x10−1当量/リットルまでの範囲;または代替として、5x10−4当量/リットルから1x10−1当量/リットルまでの範囲であってもよい。
一般に、オリゴマー生成物またはポリマー生成物は、オレフィンのオリゴマー化または重合を促進できる任意の圧力で形成されてもよい。一実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成される圧力は、所望のオリゴマー生成物またはポリマー生成物(代替として、オリゴマーまたはポリマー)を生成する任意の圧力であってもよい。いくつかの実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成できる圧力は、0psig(0KPa)以上;代替として、50psig(344KPa)以上;代替として、100psig(689KPa)以上;または代替として、150psig(1.0MPa)以上であってもよい。他の実施形態、において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成できる圧力は、0psig(0KPa)から5,000psig(34.5MPa)までの範囲;代替として、50psig(344KPa)から4,000psig(27.6MPa);代替として、100psig(689KPa)から3,000psig(20.9MPa);または代替として、150psig(1.0MPa)から2,000psig(13.8MPa)であってもよい。モノマーはガス(例えば、エチレン)である実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物は、モノマーガスの圧力下で形成することができる。オリゴマー化または重合がエチレンオリゴマー生成物またはポリエチレンを生成する場合、圧力はエチレン圧力であってもよい。いくつかの実施形態において、エチレンの圧力は、0psig(0KPa)以上;代替として、50psig(344KPa)以上;代替として、100psig(689KPa)以上;または代替として、150psig(1.0MPa)以上であってもよい。他の実施形態、において、エチレンの圧力は、0psig(0KPa)から5,000psig(34.5MPa);代替として、50psig(344KPa)から4,000psig(27.6MPa);代替として、100psig(689KPa)から3,000psig(20.9MPa);または代替として、150psig(1.0MPa)から2,000psig(13.8MPa)の範囲であってもよい。いくつかの場合、エチレンがモノマーである場合、不活性ガス(および/または他のガス、例えば、水素)は、全圧の一部を形成してもよい。不活性ガス(および/または他のガス、例えば、水素)が圧力の一部を形成する場合、上記のエチレン圧力が、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成できる適用可能なエチレン分圧であってもよい。モノマーが、オリゴマー化または重合の圧力のすべてまたは一部を提供する状況においては、ガス状モノマーが消費されるにつれて反応系の圧力は低下し得る。この状況において、追加のガス状モノマーおよび/または不活性ガスは、所望の圧力を維持するために添加することができる。いくつかの実施形態において、追加のガス状モノマーは、設定速度(例えば、連続的な流通反応装置のための)で、または異なる速度(例えば、バッチ式反応装置の設定システム圧力を維持するために)で重合の圧力に添加することができる。他の実施形態において、任意の追加のガス状モノマーおよび/または不活性ガスを添加せずに、オリゴマー化または重合の圧力を低下させることができる。
水素が使用される実施形態において、所望の効果を生み出すことができる任意の量で水素を添加することができる。いくつかの実施形態において、水素分圧は、1psig(kPa)以上;代替として、5psig(34kPa)以上;代替として、10psig(69kPa)以上;または代替として、15psig(100kPa)以上であってもよい。他の実施形態において、水素分圧は、1psig(6.9kPa)から500psig(3.5MPa);代替として、5psig(34kPa)から400psig(2.8MPa);代替として、10psig(69kPa)から300psig(2.1MPa);または代替として、15psig(100kPa)から200psig(1.4MPa)の範囲であってもよい。
一実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物を形成する条件は、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成できる温度を含んでもよい。一般に、オリゴマー生成物またはポリマー生成物は、所望のオリゴマー生成物またはポリマー生成物を形成できる任意の温度で形成できる。一実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成される温度は、少なくとも0℃;代替として、少なくとも10℃;代替として、少なくとも20℃;代替として、少なくとも30℃;代替として、少なくとも40℃;代替として、少なくとも50℃;代替として、少なくとも60℃;代替として、少なくとも70℃;代替として、少なくとも80℃;代替として、少なくとも90℃であってもよい。いくつかの実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成される最大のオリゴマー化温度または重合温度は、200℃;代替として、180℃;代替として、160℃;代替として、140℃;代替として、120℃;代替として、100℃;代替として、90℃;または代替として、80℃であってもよい。いくつかの実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成されるオリゴマー化温度(または重合音頭)は、本明細書に記載される任意の最小の温度から本明細書に記載される最大の温度までの範囲であってもよい。非限定的な例において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成されるオリゴマー化温度(または重合温度)は、0℃〜200℃の範囲;代替として、10℃〜160℃の範囲;代替として、20℃〜140℃の範囲;代替として、30℃〜120℃の範囲;代替として、40℃〜100℃の範囲;代替として、50℃〜100℃の範囲;または代替として、60℃〜140℃の範囲であってもよい。オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成できる他の温度範囲は本開示から容易に明らかである。
一実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物を形成する条件は、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成できる時間を含んでもよい。一般に、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成される時間は、オリゴマー生成物またはポリマー生成物の所望の質を生成できる;または代替として、所望の触媒系の生産性を提供できる;または代替として、所望のモノマーの変換を提供できる任意の時間であってもよい。いくつかの実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物が形成される時間は、1分から5時間までの範囲;代替として、5分から2.5時間までの範囲;代替として、10分から2時間までの範囲;または、代替として、15分から1.5時間までの範囲であってもよい。一実施形態において、オリゴマー生成物またはポリマー生成物の形成は、少なくとも30重量%パーセント;代替として、少なくとも35重量%パーセント;代替として、少なくとも40重量%パーセント;または代替として、少なくとも45重量%パーセントのエチレンの1回通しのオレフィン変換を有することができる。オレフィンがエチレンである場合、オレフィン変換はエチレン変換である。
一実施形態において、オリゴマー化工程は、オレフィン三量体、オレフィン四量体、またはその混合物を含むオリゴマー生成物を生成する。いくつかの実施形態において、オリゴマー生成物は、(標準雰囲気条件下で)液体生成物を含んでもよい。いくつかの実施形態において、オレフィンがエチレンである場合、オリゴマー化はエチレンオリゴマー化工程である。いくつかの実施形態において、オリゴマー化は、少なくとも4個の炭素原子を有するアルファオレフィン生成物を生成できる。一実施形態において、エチレンオリゴマー化工程は、エチレン三量体(例えば、ヘキセン、または代替として、1−ヘキセン)、エチレン四量体(例えば、オクテン、または代替として、1−オクテン)、またはその組み合わせ;代替として、ヘキセン;代替として、オクテン;代替として、ヘキセンおよびオクテンを含むオレフィン生成物を生成できる。他の実施形態において、エチレンオリゴマー化は、1−ヘキセン、1−オクテン、またはその組み合わせ;代替として、1−ヘキセン;代替として、1−オクテン;代替として、1−ヘキセンおよび1−オクテンを含むオレフィン生成物を生成できる。一実施形態において、オレフィンがエチレンおよびオリゴマー工程がアルファオレフィン(例えば、1−ヘキセン、1−オクテン、またはその組み合わせ)を生成する場合は、オレフィンオリゴマー化工程はアルファオレフィン製造工程であってもよい。
一実施形態において、エチレンオリゴマー化工程は、少なくとも60重量%のCおよびCオレフィンを含む液体オリゴマーを含むオリゴマー生成物を生成することができる。いくつかの実施形態において、オレフィン生成物は、少なくとも70重量%のCおよびCオレフィン;代替として、少なくとも75重量%のCおよびCオレフィン;代替として、少なくとも80重量%のCおよびCオレフィン;代替として、少なくとも85重量%のCおよびCオレフィン;または代替として、少なくとも90重量%のCおよびCオレフィンを含む液体オリゴマー生成物を含む。他の実施形態において、エチレンオリゴマー化工程は、60から99.9重量%までのCおよびCオレフィン;代替として、70から99.8重量%までのCおよびCオレフィン;代替として、75から99.7重量%までのCおよびCオレフィン;または代替として、80から99.6重量%までのCおよびCオレフィンを有する液体生成物を含む液体オリゴマー生成物を生成することができる。本出願の全体にわたって、液体オリゴマー生成物は4から18までの炭素原子を有するオリゴマー生成物を指す。
一実施形態において、エチレンオリゴマー化工程によって生成したCオリゴマー生成物は、少なくとも85重量%の1−ヘキセンを含むことができる。いくつかの実施形態において、エチレンオリゴマー化工程によって生成したCオリゴマー生成物は、少なくとも87.5重量%の1−ヘキセン;代替として、少なくとも90重量%の1−ヘキセン;代替として、少なくとも92.5重量%の1−ヘキセン;代替として、少なくとも95重量パーセントの1−ヘキセン;代替として、少なくとも97重量パーセントの1−ヘキセン;または代替として、少なくとも98重量パーセントの1−ヘキセンを含むことができる。他の実施形態において、エチレンオリゴマー化工程によって生成したCオリゴマー生成物は、85から99.9重量%までの1−ヘキセン;代替として、87.5から99.9重量%までの1−ヘキセン;代替として、90から99.9重量%までの1−ヘキセン;代替として、92.5から99.9重量%までの1−ヘキセン;代替として、95から99.9重量%までの1−ヘキセン;代替として、97から99.9重量%までの1−ヘキセン;または代替として、98から99.9重量%までの1−ヘキセンを含むことができる。
一実施形態において、エチレンオリゴマー化工程によって生成したCオリゴマー生成物は、少なくとも85重量%の1−オクテンを含むことができる。いくつかの実施形態において、エチレンオリゴマー化工程によって生成したCオリゴマー生成物は、少なくとも87.5重量%の1−オクテン;代替として、少なくとも90重量%の1−オクテン;代替として、少なくとも92.5重量%の1−オクテン;代替として、少なくとも95重量%の1−オクテン;代替として、少なくとも97重量パーセントの1−オクテン;または代替として、少なくとも98重量パーセントの1−オクテンを含むことができる。他の実施形態において、エチレンオリゴマー化工程によって生成したCオリゴマー生成物は、85から99.9重量%までの1−オクテン;代替として、87.5から99.9重量%までの1−オクテン;代替として、90から99.9重量%までの1−オクテン;代替として、92.5から99.9重量%までの1−オクテン;代替として、95から99.9重量%までの1−オクテン;代替として、97から99.9重量%までの1−オクテン;または代替として、98から99.9重量%までの1−オクテンを含むことができる。
いくつかの態様および/または実施形態において、オリゴマー化および/または重合されるオレフィンと触媒系(または触媒系組成物)を接触させる前に触媒系(または触媒系組成物)を熟成すると、オリゴマー化プロセスおよび/または重合プロセスの態様を改善することができる。いくつかの実施形態において、触媒系の熟成は、触媒系の生産性を増加させることができる。他の実施形態において、触媒系の熟成が、オリゴマー化工程において生成するポリマーの量を減少させることができる。いくつかのオリゴマー化プロセスの態様および/または実施形態において、触媒系の熟成は、触媒系の生産性を増加させることができ;代替として、オリゴマー化プロセスにおいて生成するポリマーの量を減少させることができ;または代替として、触媒系の生産性を増加させ、かつ、オリゴマー化において生成するポリマーの量を減少させることができる。オレフィンの実質的に不存在下で触媒系(または触媒系組成物)を熟成させることに関わらず、これは、触媒系(または触媒系組成物)が重量で1,000ppm未満のオレフィンを含有できることを意味し得る。いくつかの実施形態において、触媒系(または触媒系組成物)は、重量で500ppm未満のオレフィン;代替として、重量で250ppmのオレフィン;代替として、重量で100ppmのオレフィン;代替として、重量で75ppmのオレフィン;代替として、重量で50ppmのオレフィン;代替として、重量で25ppmのオレフィン;代替として、重量で15ppmのオレフィン;代替として、重量で10ppmのオレフィン;代替として、重量で5ppmのオレフィン;代替として、重量で2.5ppmのオレフィン;代替として、重量で1ppmのオレフィンを含有できる。
触媒系の熟成の影響は、正の恩恵をオリゴマー化プロセスおよび/または重合プロセスに提供するために使用することができる。例えば、触媒系の活性度および/または生産性の増加は、他の恩恵の中でも、触媒系1単位当たりのオリゴマー生成物(またはポリマー生成物)の増加を提供することができる。さらに、オリゴマー化プロセスにおいて、触媒系を熟成してオリゴマー化で生成するポリマーが減少すると、オリゴマー化反応器壁または冷却器に付着し得るポリマーを減少させることができる。オリゴマー化プロセスにおいて生成するポリマーの減少は、汚れを引き起し得るポリマーを除去するために反応器を停止する必要性を減少させることができる。
−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキルが、オレフィンとの接触前に接触される任意の態様または実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキルを含む混合物は、N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキルを含む混合物をオレフィン(またはオレフィンを含む混合物)と接触させる前に、ある期間、熟成させることができるか;または代替として、N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキルを含む触媒系は、オレフィン(またはオレフィンを含む混合物)の実質的に不存在下(または不存在下)で、ある期間、熟成されてもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキルを含む混合物は、溶媒をさらに含むことができる。
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、および金属アルキルが、オレフィンとの接触前に接触される任意の態様または実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、および金属アルキルを含む混合物は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、および金属アルキルを含む混合物をオレフィン(またはオレフィンを含む混合物)と接触させる前に、ある期間、熟成させることができるか、または代替として、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、および金属アルキルを含む触媒系は、オレフィン(またはオレフィンを含む混合物)の実質的に不存在下(または不存在下)で、ある期間、熟成されてもよい。いくつかの実施形態において、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、および金属アルキルを含む混合物は、溶媒をさらに含むことができる。
非限定的な実施形態において、オリゴマー化工程は、a)触媒系を調製するステップ;b)触媒系をある期間熟成させるステップ;c)熟成した触媒系をオレフィンと接触させるステップ;およびd)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの非限定的な実施形態において、オリゴマー化工程は、a)触媒系を調製するステップ;b)触媒系をある期間熟成させるステップ;c)熟成した触媒系をオレフィンおよび水素と接触させるステップ;およびd)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。触媒系、オレフィン、およびオリゴマー化生成物の他の特色は、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、オレフィンオリゴマー化工程をさらに記載する。いくつかの実施形態において、触媒系は第1の溶媒中で調製することができる。一実施形態において、オレフィン、熟成した触媒系、および、場合によって、水素、は第2の溶媒中で接触させることができる。一般に、触媒系を調製することができる溶媒、ならびにオレフィンおよび熟成した触媒系を接触させることができる溶媒は、同じであってもよく;または、代替として、異なっていてもよい。触媒系、触媒系熟成の特色、オリゴマー生成物の特色、および触媒系を熟成する影響の特色は、他の特色の中でも、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化工程をさらに記載する。いくつかの実施形態において、第1および第2の溶媒は、同じであってもよく;または代替として、第1および第2の溶媒は、異なっていてもよい。
非限定的な実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキル化合物を含む触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物を熟成するステップ;c)熟成した触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップ;およびc)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。別の非限定的な実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、および金属アルキル化合物を含む触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物を熟成するステップ;c)熟成した触媒系混合物をオレフィンと接触させること;およびc)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。いくつかの実施形態において、触媒系混合物は、溶媒(例えば、第1の溶媒)をさらに含むことができる。いくつかの実施形態において、触媒系混合物およびオレフィンは、溶媒(例えば、第2の溶媒)中で接触させることができる。また別の非限定的な実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、金属アルキル化合物、および第1の溶媒を含む(または本質的にそれからなる)触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物を熟成するステップ;c)熟成した触媒系混合物をオレフィンおよび第2の溶媒と接触させるステップ;およびc)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。さらなる非限定的な実施形態において、オリゴマー化工程は、a)N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、金属アルキル、および第1の溶媒を含む(または本質的にそれからなる)触媒系混合物を形成するステップ;b)触媒系混合物を熟成するステップ;c)熟成した触媒系混合物をオレフィンおよび第2の溶媒と接触させるステップ;およびd)オリゴマー生成物を形成するステップを含むことができる。
いくつかの実施形態において、熟成した触媒系混合物をオレフィン(および場合によって、溶媒−例えば、第2の溶媒)と接触させるステップは、熟成した触媒系混合物をオレフィンおよび水素と接触させるステップであってもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物、金属塩、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、金属アルキル化合物、オレフィン、溶媒、触媒系の熟成の特色、オリゴマー生成物の特色、および触媒系の熟成の影響の特色は、他の特色の中でも、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスをさらに記載する。いくつかの実施形態において、第1および第2の溶媒は同じであってもよく;または代替として、第1および第2の溶媒は、異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、金属アルキルはアルミノキサンを含むことができるか、または本質的にそれからなってもよい。N−ホスフィニルグアニジン化合物対金属塩の比、および金属アルキル化合物の金属対金属塩の金属またはN−ホスフィニルグアニジン金属塩の金属の比は、他の特色の中でも、独立して本明細書に記載され、限定されることなく使用することができ、オリゴマー化プロセスをさらに記載する。
一実施形態において、触媒系は、最長14日;代替として、最長10日;代替として、最長8日;代替として、最長6日;代替として、最長4日;代替として、最長3日;代替として、最長48時間;代替として、最長36時間;代替として、最長24時間;代替として、最長18時間;代替として、最長10時間;代替として、最長8時間;代替として、最長6時間;代替として、最長4時間;または代替として、最長3時間、熟成することができる。一実施形態において、触媒系は、少なくとも15分;代替として、少なくとも20分;または代替として、少なくとも30分、熟成することができる。一実施形態において、触媒系は、本明細書に開示される任意の触媒系の熟成最短時間から本明細書に開示される任意の触媒系の熟成最長時間の範囲の時間、熟成することができる。いくつかの非限定的な実施形態において、触媒系は、15分から14日まで;代替として、15分から10日まで;代替として、15分から8日まで;代替として、15分から6日まで;代替として、20分から4日まで;代替として、20分から3日まで;代替として、30分から48時間まで;代替として、30分から36時間まで;代替として、30分から24時間まで;代替として、30分から18時間まで;代替として、30分から10時間まで;代替として、30分から8時間まで;代替として、30分から6時間まで;代替として、30分から4時間まで;または代替として、30分から3時間まで熟成することができる。他の触媒系の熟成時間の範囲は本開示から容易に明らかである。
一実施形態において、本明細書に記載される任意の触媒系は、常温で熟成することができる(15℃〜35℃、外部熱源はない)。他の実施形態において、本明細書に記載される任意の触媒系は、25℃から100℃まで;代替として、30℃から80℃まで;または代替として、35℃から60℃までの温度で熟成することができる。いくつかの実施形態において、本明細書に記載される任意の触媒系は、不活性雰囲気下で熟成することができる。一般に、当業者はそれを認識するであろう。触媒系が熟成される温度は、触媒系活性度の増加および/または触媒系ポリマー生成の減少を達成するのに必要な時間に影響を及ぼし得る。任意の態様または実施形態において、触媒系は、本明細書に記載される任意の触媒系熟成時間と本明細書に記載される任意の熟成触媒系熟成温度とを組み合わせて熟成することができる。
i)任意のN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体またはii)本明細書に記載される任意のN−ホスフィニルグアニジン化合物および本明細書に記載される任意の金属塩を含む本明細書に記載される任意の触媒系の触媒活性度(オリゴマー化または重合)は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体(または金属塩の金属)における金属塩の金属の1グラム当たりに生成された生成物(オリゴマー生成物またはポリマー生成物)のグラムとして定義され、完全な触媒系がオレフィンと接触したときから開始して30分にわたって測定される。一実施形態において、本明細書に記載される任意の熟成した触媒系は(本明細書に記載される任意の熟成する期間および/または本明細書に記載される任意の熟成温度を使用して)、触媒系のオリゴマー化活性度または重合活性度を、少なくとも10%;代替として、少なくとも20%;代替として、少なくとも30%;代替として、少なくとも40%;または代替として、少なくとも50%、増加させることができる。いくつかの実施形態において、本明細書に記載される任意の熟成した触媒系は(本明細書に記載される任意の熟成する期間および/または本明細書に記載される任意の熟成温度を使用して)、10%から1000%;代替として、20%から800%まで;代替として、30%から600%まで;代替として、40%から500%まで;または代替として、50%から400%まで増加させることができる。一般に、触媒系を熟成した結果としての触媒系活性度(オリゴマー化または重合)の増加は、熟成した触媒系の活性度を、12分未満の間熟成した触媒系の活性度と比較することにより求められる。
一実施形態において、本明細書に記載される任意の熟成した触媒系は(本明細書に記載される任意の熟成する期間および/または本明細書に記載される任意の熟成温度を使用して)、本明細書に記載される生成したポリマーの百分率の減少を生み出すことができる触媒系を提供することができる。いくつかの実施形態において、本明細書に記載される任意の触媒系の熟成は、(本明細書に記載される任意の熟成する期間および/または本明細書に記載される任意の熟成温度を使用して)オリゴマー化工程で生成するポリマーの量を、少なくとも5%;代替として、7.5%;代替として、10%;代替として、12.5%;または代替として、少なくとも15%減少させることができる。いくつかの実施形態において、本明細書に記載される任意の触媒系の(本明細書に記載される任意の期間の)熟成は、オリゴマー化で生成するポリマーの量を、少なくとも、20%;代替として、少なくとも25%;代替として、少なくとも30%;または代替として、少なくとも35%、減少させることができる。一般に、熟成した結果としての触媒系のポリマー生成の減少は、熟成した触媒系のポリマー生成を、12分未満の間熟成した触媒系のポリマー生成と比較することにより求めることができる。
一実施形態において、オリゴマー化触媒系を熟成すると、本明細書に記載される活性度の任意の増加、および本明細書に記載される生成するポリマーの量の任意の減少を組み合わせることができる。
一実施形態において、本明細書に記載される任意の熟成した触媒系の触媒系活性度および/またはポリマー生成を、1つまたは複数の触媒系熟成変数(例えば、時間、温度、または時間と温度)に応じて描く検量線を作成することができる。いくつかの実施形態において、検量線は、触媒系熟成変数(複数可)(例えば、時間、温度、または時間と温度)の関数としてグラフで描くことができる;または代替として、触媒系熟成変数(複数可)(例えば、時間、温度、または時間と温度)の予測式として描くことができる。触媒熟成に応じる、触媒系活性度および/またはポリマー生成に関係するグラフ表示および/または予測式は、グラフ表示または予測式の内挿または外挿に基づいて、1つまたは複数の利用者および/または工程のパラメーターを調節するために使用することができる。いくつかの態様において、触媒系熟成に関して触媒系活性度が増加する程度および/またはポリマー生成において減少する程度は、即座に開示された範囲から外れることがあり、また、触媒系がが熟成される条件に依存して、目下のところ開示された値に基づいて予想されるより大きくなり得ることは企図される。例えば、触媒系は、目下のところ記述されたものより長い期間、および/または目下のところ記述されたものより高い温度で熟成にかけることができる。そのような条件下で触媒系を熟成する効果は、触媒系の熟成が、何がしかの利用者および/または工程の所望の値の範囲内まで、触媒系活性度を増加させる、および/または、オリゴマー化においてポリマー生成を減少させる条件をもたらすことができる予測的な情報を提供するために、本明細書において言及された分析にかけることができる。本開示の恩恵およびルーチン実験の使用を前提とすれば、当業者は、本明細書に開示される方法論を修飾して、所望の値または範囲に、開示される触媒系の触媒系活性度を改変する、および/またはオリゴマー化工程において生成するポリマーの量を減少させることができる。そのような修飾は、本開示の範囲内にある。
また、金属アルキルがアルモキサンである場合、アルモキサンを熟成すると、オリゴマー化の態様を改善することができることが発見された。例えば、触媒系の他の成分との接触以前にアルモキサンを熟成すると、オリゴマー化工程において生成するポリマーの量を減少させることができることが観察された。いくつかの実施形態において、本明細書に記載される触媒系を調製する任意の工程および/または本明細書に記載される任意のオリゴマー化工程は、アルモキサンの熟成のためのステップ(複数可)を含むことができる。
一実施形態において、アルモキサンは、常温で(15℃〜35℃、外部熱源はない)少なくとも60日;少なくとも120日;少なくとも180日;または少なくとも240日熟成することができる。いくつかの実施形態において、アルモキサンは、最大1,440日;最大1080日;最大900日;または最大720日熟成することができる。いくつかの実施形態、において、一実施形態において、アルモキサンは、常温で(15℃〜35℃、外部熱源はない)60日から1440日まで;120日から1080日まで;180日から900日まで;または240日から720日まで熟成することができる。周囲温度にて他のアルモキサン熟成の時間は本開示から容易に明らかになる。いくつかの実施形態において、アルモキサンは不活性雰囲気下で熟成することができる。
アルモキサンの熟成は高い温度で行うことができる。高温でのアルモキサンの熟成は、熟成したアルモキサンが触媒系に使用される場合に観察された恩恵を達成するために必要な時間を減少させることができることが発見された。一実施形態において、アルモキサンは、30℃から100℃まで;35℃から90℃まで;40℃から80℃まで;または45℃から70℃までの温度で熟成することができる。一実施形態において、アルモキサンは、明細書に開示される任意の高い温度で、少なくとも12時間;少なくとも18時間;少なくとも24時間;または少なくとも36時間、熟成することができる。一実施形態において、アルモキサンは、明細書に開示される任意の高い温度で、最長360日;270日;180日;または最長90日熟成することができる。いくつかの実施形態において、アルモキサンは、本明細書に開示される任意の最小のアルモキサン熟成時間から本明細書に開示される任意の最大のアルモキサン熟成時間まで本明細書に開示される任意の高い温度で熟成することができる。非限定的な例において、アルモキサンは、12時間から360日;代替として、12時間から270日;代替として、18時間から270日;代替として18時間から180日の範囲で本明細書に開示される任意の高い温度で熟成することができる。高い温度での他のアルモキサンの熟成時間は本開示から容易に明らかである。いくつかの実施形態において、アルモキサンは、不活性雰囲気下で熟成することができる。
一実施形態において、本明細書に記載されるアルモキサンの任意の熟成は、本明細書に記載されるオリゴマー化プロセスによって生成するポリマーの百分率の任意の減少を提供することができる。いくつかの実施形態において、本明細書に記載されるアルモキサンの任意の熟成は、オリゴマー化工程において生成するポリマーの量を、少なくとも20%;少なくとも40%;少なくとも60%;少なくとも70%;少なくとも75%;少なくとも80%;または少なくとも85%、減少させることができる。
一実施形態において、本明細書に記載される任意の触媒系の触媒系ポリマー生成を、熟成したアルモキサンを使用して、1つまたは複数のアルモキサン熟成変数(例えば、時間、温度、または時間と温度)に応じて描く検量線を作成することができる。いくつかの実施形態において、アルモキサン熟成検量線は、アルモキサン熟成変数(複数可)(例えば、時間、温度、または時間と温度)の関数としてグラフで描くことができる;代替として、アルモキサン熟成変数(複数可)(例えば、時間、温度、または時間と温度)の予測式として描くことができる。アルモキサン熟成に応じる、触媒系ポリマー生成に関係するグラフ表示および/または予測式は、グラフ表示または予測式の内挿または外挿に基づいて、1つまたは複数の利用者および/または工程のパラメーターを調節するために使用することができる。いくつかの態様において、アルモキサン熟成に関して触媒系のポリマー生成が減少する程度は、即座に開示された範囲から外れることがあり、また、アルモキサンが熟成される条件に依存して、目下のところ開示された値に基づいて予想されるより大きくなり得ることは企図される。例えば、触媒系は、目下のところ記述されたものより長い期間、および/または目下のところ記述されたものより高い温度で熟成にかけることができる。そのような条件下でアルモキサンを熟成する効果は、アルモキサンの熟成が、オリゴマー化において触媒系のポリマー生成を減少させることができる条件をもたらすことができる予測的な情報を提供するために、本明細書において言及された分析にかけることができる。本開示の恩恵およびルーチン実験の使用を前提とすれば、当業者は、本明細書に開示される方法論を修飾して、オリゴマー化プロセスにおいて生成するポリマーの量の減少を改変することができることが企図される。そのような修飾は、本開示の範囲内にある。
本明細書に記載される種々の態様および実施形態は、非水素置換基(または代替として、置換分または置換基)を指す。各非水素置換基は、ハライド、ヒドロカルビル基、またはヒドロカルボキシ基;代替として、ハライド、またはヒドロカルビル基;代替として、ハライドまたはヒドロカルボキシ基;代替として、ヒドロカルビル基またはヒドロカルボキシ基;代替として、ハライド;代替として、ヒドロカルビル基;または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各非水素置換基は独立して、ハライド、C〜C10ヒドロカルビル基、またはC〜C10ヒドロカルボキシ基;代替として、ハライドまたはC〜C10ヒドロカルビル基;代替として、ハライドまたはC〜C10ヒドロカルボキシ基;代替として、C〜C10ヒドロカルビル基もしくはC〜C10ヒドロカルボキシ基;代替として、ハライド;代替として、C〜C10ヒドロカルビル基;または代替として、C〜C10ヒドロカルボキシ基であってもよい。他の実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各非水素置換基は独立して、ハライド、C〜Cヒドロカルビル基、もしくはC〜Cヒドロカルボキシ基;代替として、ハライドもしくはC〜Cヒドロカルビル基;代替として、ハライドもしくはC〜Cヒドロカルボキシ基;代替として、C〜Cヒドロカルビル基もしくはC〜Cヒドロカルボキシ基;代替として、ハライド;代替として、C〜Cヒドロカルビル基;または代替として、C〜Cヒドロカルボキシ基であってもよい。
一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各ハライド置換基は独立して、フルオリド、クロリド、ブロミド、またはヨージド;代替として、フルオリドまたはクロリドであってもよい。いくつかの実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各ハライド置換基は独立して、フルオリド;代替として、クロリド;代替として、ブロミド;または代替として、ヨージドであってもよい。
一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各ヒドロカルビル置換基は独立して、アルキル基、アリール基、またはアラルキル基;代替として、アルキル基;代替として、アリール基;または代替として、アラルキル基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各アルキル置換基は独立して、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、2−ペンチル基、3−ペンチル基、2−メチル−1−ブチル基、tert−ペンチル基、3−メチル−1−ブチル基、3−メチル−2−ブチル基、もしくはネオペンチル基;代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、もしくはネオペンチル基;代替として、メチル基;代替として、エチル基;代替として、イソプロピル基;代替として、tert−ブチル基;または代替として、ネオペンチル基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の任意の各アリール置換基は独立して、フェニル基、トリル基、キシリル基、もしくは2,4,6−トリメチルフェニル基;代替として、フェニル基;代替として、トリル基;代替として、キシリル基;または代替として、2,4,6−トリメチルフェニル基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の任意の各アラルキル置換基は独立して、ベンジル基またはエチルフェニル基(2−フェニルエタ−1−イルまたは1−フェニルエタ−1−イル);代替として、ベンジル基;代替として、エチルフェニル基;代替として、2−フェニルエタ−1−イル基;または代替として、1−フェニルエタ−1−イル基であってもよい。
一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各ヒドロカルボキシ置換基は独立して、アルコキシ基、アリールオキシ基、またはアラルコキシ基;代替として、アルコキシ基;代替として、アリールオキシ基、またはアラルコキシ基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各アルコキシ置換基は、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、2−ペントキシ基、3−ペントキシ基、2−メチル−1−ブトキシ基、tert−ペントキシ基、3−メチル−1−ブトキシ基、3−メチル−2−ブトキシ基、またはネオペントキシ基;代替として、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、tert−ブトキシ基、またはネオペントキシ基;代替として、メトキシ基;代替として、エトキシ基;代替として、イソプロポキシ基;代替として、tert−ブトキシ基;または代替として、ネオペントキシ基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各アリールオキシ置換基は独立して、フェノキシ基、トロキシ基、キシロキシ基、または2,4,6−トリメチルフェノキシ基;代替として、フェノキシ基;代替として、トロキシ基;代替として、キシロキシ基;または代替として、2,4,6−トリメチルフェノキシ基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または実施形態の各アラルコキシ置換基は独立して、ベンゾキシ基であってもよい。
一実施形態において、種々の態様または実施形態で使用することができる非水素置換基(または代替として、置換分もしくは置換基)は、トリヒドロカルビルシリル基であってもよい。一般に、トリヒドロカルビルシリル基の各々のヒドロカルビル基は独立して、非水素置換基として本明細書に開示される任意のヒドロカルビル基(一般および特定)であってもよい。いくつかの実施形態において、置換基として使用することができるトリヒドロカルビルシリル基は、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、またはトリベンジルシリル基;代替として、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、またはトリプロピルシリル基;代替として、トリメチルシリル基;代替として、トリエチルシリル基;代替として、トリプロピルシリル基;代替として、トリフェニルシリル基;または代替として、トリベンジルシリル基であってもよい。
一実施形態において、種々の態様または実施形態で使用することができる非水素置換基(または代替として、置換分もしくは置換基)は、トリヒドロカルビルシロキシ基であってもよい。一般に、トリヒドロカルビルシロキシ基の各々のヒドロカルビル基は独立して、非水素置換基として本明細書に開示される任意のヒドロカルビル基(一般および特定)であってもよい。いくつかの実施形態において、置換基として使用することができるトリヒドロカルビルシロキシ基は、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリプロピルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、またはトリベンジルシロキシ基;代替として、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、またはトリプロピルシロキシ基;代替として、トリメチルシロキシ基;代替として、トリエチルシロキシ基;代替として、トリプロピルシロキシ基;代替として、トリフェニルシロキシ基;または代替として、トリベンジルシロキシ基であってもよい。
溶媒
本明細書に記載されるプロセスおよび方法は、1種または複数の溶媒を使用することができる。本開示の態様および/または実施形態において使用することができる溶媒は、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル、炭酸、エステル、ケトン、アルデヒド、アルコール、ニトリルおよびその組み合わせを含むが、これらに限定されない。本開示のいくつかの態様および/または実施形態および態様は極性溶媒を必要としてもよい。使用することができる極性溶剤は、エーテル、カルボナート、エステル、ケトン、アルデヒド、アルコール、ニトリル、およびその混合物;代替として、エーテル、カルボナート、エステル、ケトン、アルデヒド、アルコール、ニトリル、およびその混合物;代替として、エーテル、エステル、ケトン、アルコール、ニトリル、およびその混合物;代替として、エーテル;代替として、カルボナート;代替として、エステル;代替として、ケトン;代替として、アルデヒド;代替として、アルコール;または代替として、ニトリルを含むが、これらに限定されない。本開示のいくつかの態様および/または実施形態は非プロトン性極性溶媒を必要としてもよい。使用することができる非プロトン性極性溶媒は、エーテル、エステル、ケトン、アルデヒド、ニトリル、およびその混合物;代替として、エーテル、ニトリルおよびその混合物;代替として、エステル、ケトン、アルデヒドおよびその混合物;代替として、エーテル;代替として、エステル;代替として、ケトン;代替として、アルデヒド;または代替として、ニトリルを含むが、これらに限定されない。本開示の他の態様および/または実施形態は無極性溶媒を必要としてもよい。無極性溶媒は、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、またはその混合物;代替として、炭化水素;または代替として、ハロゲン化炭化水素を含むが、これらに限定されない。本開示のさらに他の態様および/または実施形態は、金属アルキルと実質的に反応しない溶媒を必要としてもよい。金属アルキルと反応しない溶媒は、エーテル、炭化水素、およびその混合物;代替として、エーテル;または代替として、炭化水素を含むが、これらに限定されない。
炭化水素およびハロゲン化炭化水素は、例えば、脂肪族炭化水素溶剤、芳香族炭化水素、石油蒸留物、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、ハロゲン化芳香族炭化水素、またはその組み合わせ;代替として、脂肪族炭化水素溶剤、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、ハロゲン化芳香族炭化水素、およびその組み合わせ;代替として、脂肪族炭化水素溶剤;代替として、芳香族炭化水素;代替として、ハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤;または代替として、ハロゲン化芳香族炭化水素を含むが、これらに限定されない。溶媒として有用出あり得る脂肪族炭化水素溶剤は、C〜C20脂肪族炭化水素溶剤;代替として、C〜C15脂肪族炭化水素溶剤;または代替として、C〜C10脂肪族炭化水素溶剤であってもよい。脂肪族炭化水素溶剤は、別段の定めがない限り、環式または非環式であってもよく、および/または直鎖状または分枝状であってもよい。単独でまたは任意の組み合わせで使用することができる適切な非環式の脂肪族炭化水素溶剤の非限定的な例は、プロパン、イソブタン、n−ブタン、ブタン(n−ブタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、ペンタン(n‐ペンタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、ヘキサン(n−ヘキサンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、ヘプタン(n−ヘプタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、オクタン(n‐オクタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、およびその組み合わせ;代替として、イソブタン、n−ブタン、ブタン(n−ブタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、ペンタン(n‐ペンタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、ヘキサン(n−ヘキサンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、ヘプタン(n−ヘプタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、オクタン(n‐オクタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、およびその組み合わせ;代替として、イソブタン、n−ブタン、ブタン(n−ブタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、ペンタン(n‐ペンタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、ヘプタン(n−ヘプタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、オクタン(n‐オクタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)、およびその組み合わせ;代替として、プロパン;代替として、イソブタン;代替として、n−ブタン;代替として、ブタン(n−ブタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物);代替として、ペンタン(n‐ペンタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物);代替として、ヘキサン(nヘキサンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物);代替として、ヘプタン(n−ヘプタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物);または代替として、オクタン(n‐オクタンまたは直鎖状および分枝状のC非環式脂肪族炭化水素の混合物)を含む。適切な環式の脂肪族炭化水素溶剤の非限定的な例は、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン;代替として、シクロヘキサン;または代替として、メチルシクロヘキサンを含む。溶媒として有用であり得る芳香族炭化水素は、C〜C20芳香族炭化水素;または代替として、C〜C10芳香族炭化水素を含む。単独でまたは任意の組み合わせで使用することができる適切な非環式の芳香族炭化水素の非限定的な例は、ベンゼン、トルエン、キシレン(o‐キシレン、m‐キシレン、p‐キシレン、またはその混合物を含む)、およびエチルベンゼン、または、その組み合わせ;代替として、ベンゼン;代替として、トルエン;代替として、キシレン(o‐キシレン、m‐キシレン、p‐キシレンまたはその混合物を含む);または代替として、エチルベンゼンを含む。
溶媒として有用であり得るハロゲン化脂肪族炭化水素は、C〜C15ハロゲン化脂肪族炭化水素;代替として、C〜C10ハロゲン化脂肪族炭化水素;または代替として、C〜Cハロゲン化脂肪族炭化水素を含む。ハロゲン化脂肪族炭化水素は、別段の定めがない限り、環式もしくは非環式であってもよく、および/または直鎖状もしくは分枝状であってもよい。使用することができる適切なハロゲン化脂肪族炭化水素の非限定的な例は、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタン、およびその組み合わせ;代替として、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタン、およびその組み合わせ;代替として、塩化メチレン;代替として、クロロホルム;代替として、四塩化炭素;代替として、ジクロロエタン;または代替として、トリクロロエタンを含む。溶媒として有用であり得るハロゲン化芳香族炭化水素は、C〜C20ハロゲン化芳香族炭化水素;または代替として、C〜C10ハロゲン化芳香族炭化水素を含む。適切なハロゲン化芳香族炭化水素の非限定的な例は、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、およびその組み合わせ;代替として、クロロベンゼンおよびジクロロベンゼンを含む。
溶媒として有用であり得る、エーテル、カルボナート、エステル、ケトン、アルデヒド、またはアルコールは、C〜C20エーテル、カルボナート、エステル、ケトン、アルデヒド、またはアルコール;代替として、C〜C10エーテル、カルボナート、エステル、ケトン、アルデヒド、またはアルコール;または代替として、C〜Cエーテル、カルボナート、エステル、ケトン、アルデヒド、またはアルコールを含む。適切なエーテル溶媒は、環式または非環式であってもよい。溶媒として有用であり得る適切なエーテルの非限定的な例は、ジメチルエーテル,ジエチルエーテル,メチルエチルエーテル,グリコールのモノエーテルまたはジエーテル(例えば、ジメチルグリコールエーテル),フラン,置換フラン,ジヒドロフラン,置換ジヒドロフラン,テトラヒドロフラン(THF),置換テトラヒドロフラン,テトラヒドロピラン,置換テトラヒドロピラン,1,3−ジオキサン,置換1,3−ジオキサン,1,4−ジオキサン,置換1,4−ジオキサン,またはその混合物を含む。一実施形態において、置換フラン,置換ジヒドロフラン,置換テトラヒドロフラン,置換テトラヒドロピラン,置換1,3−ジオキサン,または置換1,4−ジオキサン,の各置換基は、C〜Cアルキル基であってもよい。C〜Cアルキル置換基は、本明細書に開示され、限定されることなく使用することができ、置換テトラヒドロフラン,ジヒドロフラン,フラン,1,3−ジオキサンまたは1,4−ジオキサン溶媒をさらに記載する。溶媒として使用することができる適切なカルボナートの非限定的な例は、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、炭酸ジエチル、炭酸グリセリン、およびその組み合わせを含む。溶媒として使用することができる適切なエステルの非限定的な例は、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、およびその組み合わせを含む。溶媒として使用することができる適切なケトンの非限定的な例は、アセトン、エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトン、およびその組み合わせを含む。溶媒として使用することができる適切なアルコールの非限定的な例は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、フェノール、シクロヘキサノールなど、または、およびその組み合わせを含む。
本開示は種々の態様および実施形態を独立した要素として開示しているが、当業者は、これらの態様および実施形態がさらなる態様および実施形態を形成するように組み合わされてもよいことを容易に認識できる。態様および実施形態のいくつかの非限定的な組み合わせが例示的な組み合わせとして本明細書に提示される。これらの例示的な組み合わせは、本開示によって想起および/または支持され得る本明細書に提示される概念の態様および実施形態の唯一の組み合わせとして解釈されるべきではない。本明細書に開示される種々の態様および実施形態の全ての組み合わせは全体が本開示に組み込まれる。
第1の実施形態において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成するクロム塩を含むN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む組成物を含む。第2の実施形態において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が、構造CrGu1を有し、RがC〜C30オルガニル基であり、R2aおよびR2bが、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基であり、Rが、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基であり、RおよびRが、各々独立して、RおよびRが、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基であり、CrXがクロム塩を表し、Xがモノアニオンであり、pが2〜6の範囲であり、Qが中性リガンドであり、qが0〜6の範囲である、第1の実施形態の組成物を含む。第3の実施形態において、本開示は、a)RおよびR2aが結合して、環または環系を形成でき、b)R2aおよびR2bが結合して、環または環系を形成でき、c)R2bおよびRが結合して、環または環系を形成でき、あるいはd)RおよびR2aが結合して、環または環系を形成でき、R2bおよびRが結合して、環または環系を形成できる、第2の実施形態の組成物を含む。第4の実施形態において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が構造CrGu2を有し、L12が、不活性官能基からなるC〜C15オルガニレン基(または代替としてC〜C15ヒドロカルビレン基)であり、Rが、水素または本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基(またはC〜C30ヒドロカルビル基)であり、RおよびRが独立して、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基(またはC〜C30ヒドロカルビル基)であり、CrXがクロム塩を表し、Xがモノアニオンであり、pが2〜6の範囲であり、Qが中性リガンドであり、qが0〜6の範囲であり;代替として、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が構造CrGu3を有し、Rが、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基(またはC〜C30ヒドロカルビル基)であり、L23が、不活性官能基からなるC〜C15オルガニレン基(または代替として、C〜C15ヒドロカルビレン基)であり、RおよびRが、独立して、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基(またはC〜C30ヒドロカルビル基)であり、CrXがクロム塩を表し、Xがモノアニオンであり、pが2〜6の範囲であり、Qが中性リガンドであり、qが0〜6の範囲であり;代替として、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が構造CrGu4を有し、L12およびL23が独立して、不活性官能基からなるC〜C15オルガニレン基(または代替として、ヒドロカルビレン基)であり、RおよびRが独立して、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基(またはC〜C30ヒドロカルビル基)であり、CrXがクロム塩を表し、Xがモノアニオンであり、pが2〜6の範囲であり、Qが中性リガンドであり、qが0〜6の範囲であり;代替として、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が構造CrGu5を有し、Rが、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基(またはC〜C20ヒドロカルビル基)であり、L22が、不活性官能基からなるC〜C20オルガニレン基(または代替として、C〜C15ヒドロカルビレン基)であり、Rが、水素または本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基(またはC〜C30ヒドロカルビル基)であり、RおよびRが独立して、本質的に不活性官能基からなるC〜C30オルガニル基(またはC〜C30ヒドロカルビル基)であり、CrXがクロム塩を表し、Xがモノアニオンであり、pが2〜6の範囲であり、Qが中性リガンドであり、qが0〜6の範囲である、第1または第2の実施形態の組成物を含む。第5の実施形態において、本開示は、クロム塩が、カルボン酸クロム(III)、クロム(III)β−ジケトナート、もしくはハロゲン化クロム(III)を含む、第1の実施形態の組成物;または代替として、Xがカルボキシレート、β−ジケトネートまたはハライドであり、pが3である、第2〜第4の実施形態の組成物を含む。第6の実施形態において、本開示は、クロム塩がハロゲン化クロム(III)を含む第1の実施形態の組成物;または代替として、Xがハライドであり、pが3である、第2〜第4の実施形態の組成物を含む。第7の実施形態において、本開示は、QがC〜C20ニトリルまたはC〜C40エーテルを含む第2〜第6の実施形態の組成物を含む。第8の実施形態において、本開示は、CrXが、ハロゲン化クロム(III)を含み、各々のQが独立して、C〜C30脂肪族環状エーテルまたはC〜C30脂肪族環状エーテルである第2〜第4の実施形態の組成物を含む。第9の実施形態において、本開示は、N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が、構造CrCl・THF Gu I、構造CrCl・THF Gu VII、または構造CrCl・THF Gu XI;代替として、構造CrCl・THF Gu I;代替として、構造CrCl・THF Gu VII;または代替として、構造CrCl・THF Gu XIを有する第1の実施形態の組成物を含む。
第10の実施形態において、本開示は、a)第1〜第9の実施形態のいずれかに記載されるN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、およびb)金属アルキル化合物を含む触媒系組成物を含む。第11の実施形態において、本開示は、金属アルキル化合物がアルミノキサンを含む第10の実施形態の触媒系組成物を含む。第12の実施形態において、本開示は、アルミノキサンが、メチルアルミノキサン(MMAO)、エチルアルミノキサン、n−プロピルアルミノキサン、イソ−プロピル−アルミノキサン、n−ブチルアルミノキサン、sec−ブチルアルミノキサン、イソ−ブチルアルミノキサン、t−ブチルアルミノキサン、1−ペンチルアルミノキサン、2−ペンチルアルミノキサン、3−ペンチルアルミノキサン、イソ−ペンチルアルミノキサン、ネオペンチルアルミノキサンおよびそれらの混合物を含む第11の実施形態の触媒系組成物を含む。第13の実施形態において、本開示は、アルミノキサンが、修飾されたメチルアルミノキサン(MMAO)を含む第10の実施形態の触媒系組成物;または代替として、アルミノキサンが修飾されたメチルアルミノキサン(MMAO)を含む第11の実施形態の触媒系組成物を含む。第14の実施形態において、本開示は、金属アルキル化合物の金属対N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体のクロムのモル比が少なくとも5:1である;または代替として、アルミノキサンのアルミニウム対N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体のクロムのモル比が少なくとも5:1である、第11〜第13の実施形態の触媒系組成物を含む。
第15の実施形態において、本開示は、第1〜第9の実施形態のいずれかに記載されるN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキル化合物(または代替として、アルミノキサン)を接触させるステップを含む、触媒系組成物を調製するプロセスを含む。第16の実施形態において、本開示は、触媒系組成物が、少なくとも15分間、オレフィンの実質的に不存在下で熟成される第15の実施形態の方法を含む。第17の実施形態において、本開示は、熟成された触媒系組成物が、a)熟成されていない他の同様の触媒系と比較して増加したオリゴマー化触媒活性を示す、b)熟成されていない他の同様の触媒系と比較して生成したポリマーの減少した割合、またはc)熟成されいない他の同様の触媒系と比較して増加したオリゴマー化触媒活性および生成したポリマーの減少した割合を示す、第16の実施形態のプロセスを含む。
第18の実施形態において、本開示は、a)i)オレフィン、およびii)(a)第1〜第9の実施形態のいずれかに記載されるN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、および(b)金属アルキル化合物(または代替として、アルミノキサン)を含む触媒系を接触させて、オリゴマー生成物を形成するステップ、ならびにb)オリゴマーを回収するステップ;または代替として、a)i)オレフィン、およびii)第10〜第14の実施形態のいずれかに記載される触媒系を接触させるステップ、およびb)オリゴマーを回収するステップを含む、オリゴマー化プロセスを含む。第19の実施形態において、本開示は、触媒系、オレフィン、および水素を接触させて、オリゴマー生成物を形成させる、第18の実施形態のプロセスを含む。第20の実施形態において、本開示は、オリゴマー生成物が20℃〜150℃の範囲の温度で形成される、第18〜第19の実施形態のプロセスを含む。第21の実施形態において、本開示は、オレフィンがエチレンを含み、オリゴマー生成物が、60〜99.9重量%のCおよびCオレフィンを含む液体オリゴマー生成物を含む、第19〜第20の実施形態のプロセスを含む。第22の実施形態において、本開示は、オレフィンがエチレンを含み、Cオリゴマー生成物が少なくとも90重量%の1−ヘキンを含む、第18〜第21の実施形態のプロセスを含む。第23の実施形態において、本開示は、オレフィンがエチレンを含み、Cオリゴマー生成物が少なくとも90重量%の1−オクテンを含む、第18〜第22の実施形態のプロセスを含む。第24の実施形態において、本開示は、触媒系、オレフィンおよび水素が接触して、オリゴマー生成物を形成し、オレフィンがエチレンを含み、オリゴマー生成物が、150psig〜2,000psigの範囲のエチレン分圧および5psig〜400psigの範囲で形成される、第19〜第23の実施形態のプロセスを含む。
一般開示情報
本出願からの米国の国内段階出願の目的に対して、本開示の方法に関連して使用され得る刊行物において記載されている構成および方法論を記載し開示する目的で、本開示において言及される刊行物および特許はすべて、参照によってその全体が本明細書に組み込まれる。上記本文、およびその本文の全体にわたって論じられた刊行物および特許はいずれも、本出願の出願日以前にそれらの開示が提供されたものである。本発明者には、先の発明によるそのような開示に先行する資格がないという承認として、本明細書が解釈されるべきではない。
任意の種類の範囲、例えば、炭素原子、モル比、温度などのある範囲の数が開示または主張される場合、他に示されない限り、そのような範囲が、そこに包含されるいずれの小領域をも包含して、道理にかなって包含し得る可能な各数を個々に開示または主張するように意図される。例えば、炭素原子のある範囲の数を記載する場合、可能な個々の各整数、およびその範囲が含む原子の整数間の範囲は、そこに包含される。したがって、C〜C10アルキル基または1から10までの炭素原子、すなわち「最大」10の炭素原子を有するアルキル基を開示することによって、本出願人の意図は、アルキル基は、1、2、3、4、5、6、7、8、9、または10の炭素原子を有することができ、またそのような基を記載するこれらの方法が交換可能であることを記述することである。モル比などのある範囲の大きさを記載する場合、そのような範囲が道理にかなって包含することができるあらゆる数字は、例えば、範囲の終点に存在するより1つの有効数字を含む範囲の内側の値を指す。この例では、1.03:1から1.12:1の間のモル比は、個々に1.03:1、1.04:1、1.05:1、1.06:1、1.07:1、1.08:1、1.09:1、1.10:1、1.11:1、および1.12:1のモル比を含む。本出願人の意図は、範囲を記載するこれらの2つの方法が交換可能であるということである。さらに、本出願人が、そのような範囲が道理にかなって包含し得る可能な各数を個々に反映するように意図する範囲の値が開示または主張される場合、本出願人はまた、すべてのあらゆる小領域およびそこに包含される小領域の組み合わせをも開示して、範囲の開示を反映し、また交換可能であることを意図する。この態様において、C〜C10アルキル基の本出願人の開示は、C〜Cアルキル、C〜Cアルキル、C〜Cアルキル、C〜CおよびC〜Cアルキルの組み合わせなどを文字通りに包含するように意図される。範囲の終点が異なる数の有効数字、例えば、1:1から1.2:1までのモル比を有する範囲を記載する場合、そのような範囲が道理にかなって包含し得る、可能なあらゆる数字は、例えば、有効数字の最大数、この場合1.2:1を有する範囲の終点に存在するより1つの有効数字を含む範囲の内側の値を指す。この例では、1:1から1.2:1までのモル比は、すべて1に対して、1.01、1.02、1.03、1.04、1.05、1.06、1.07、1.08、1.09、1.10、1.11、1.12、1.13、1.14、1.15、1.16、1.17、1.18、1.19、および1.20のモル比、ならびに、そこに包含されるすべてのあらゆる小領域および小領域の組み合わせを個々に含む。したがって、何らかの理由で、例えば、本出願人が本出願の申請時に気付かない参照を、説明するべき開示の完全性に足りずに、本出願人が請求することを選択した場合、本出願人は、任意の小領域または群内の小領域の組み合わせを含む、そのような群の任意の個々の成員を条件外とするまたは除外する権利を留保する。
米国特許商標庁への出願において、本出願の要約は、37C.F.R.§1.72の要件を満たす目的、および37C.F.R.§1.72(b)に述べられた目的「米国特許商標庁および公衆が概観することにより、技術的開示の性質及び趣旨を速やかに決定できること」で提供される。したがって、本出願の要約は、特許請求の範囲を解釈する、または本明細書に開示される主題の範囲を限定するために用いられるようには意図されない。さらに本明細書に使用することができる任意の見出しもまた、特許請求の範囲を解釈する、または本明細書に開示される主題の範囲を限定するために用いられるようには意図されない。建設的または予告的として他の場合に示された例を、過去時制を用いて記載しても、建設的または予告的な例が実際に行われたことを反映するようには意図されない。
本開示は、以下の実施例によってさらに説明されるが、その範囲に限定を置くようには決して解釈すべきではない。一方、本明細書の記載の読了後、本発明の趣旨または添付の特許請求の範囲から離れることなく、当業者に示唆し得る、様々な他の態様、実施形態、修飾、および等価物に対する手段が含まれ得ることは、明瞭に理解されるべきである。
以下の例に提供されるデータおよび記載は、開示された化合物、触媒系、ならびにオリゴマー化および/または重合法の特定の態様および実施形態を示し、多くの実施およびその利点を示すために与えられる。実施例は、本明細書に記載される態様および実施形態のいくつかのより詳細な実証として与えられ、開示または特許請求の範囲を限定するようには決して意図されない。
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を調製し、オリゴマー化触媒としてのそれらの有用性を評価した。
グアニジン化合物合成
使用した全ての化学物質および化合物は商業的供給源から購入した。ジエチルエーテルを、水および酸素を除去するためにナトリウム−ベンゾフェノンから蒸留した。無水ベンゼン(乾燥ベンゼン)を脱気し、分子篩上に保存した。グアニジン化合物の合成は、その全体が本明細書に参照として援用される、Li,D.;Guang,J.;Zhang,W.−X.;Wang,Y.;Xi,Z.Org.Biomol.Chem.2010,8,1816−1820における一般手順を使用して実施した。表3は、生成したグアニジン化合物と共にグアニジン合成1〜5に利用したアミンおよびカルボジイミドを要約する。
グアニジン合成1−グアニジンA
2,6ジメチルアニリン(20mmol、2.608ml)を、100mlのSchlenkフラスコ中で50mlのベンゼンに溶解した。この溶液に、N,N’−ジイソプロピルカルボジイミド(20mmol、3.09ml)およびトリフルオロメタンスルホン酸亜鉛(0.6mmol、0.2200g)も加えて、透明で無色の溶液を得た。この溶液を12時間還流した。還流後、反応混合物は濁ったが、依然として無色であった。ベンゼン溶媒を除去し、残った白色固体をジエチルエーテルに溶解し、濾過し、乾燥させて、白色粉末(4.3951g、88.1%収率)を得た。NMR(C)δ:7.16(二重項,2H),6.95(三重項,1H),3.17(ブロード二重項,2H),2.33(一重項,6H),0.87(ブロード二重項,12H)ppm。
グアニジン合成2−グアニジンB
アニリン(10mmol、0.9137ml)、Zn(OTF)(0.3mmol、0.1100g)およびN,N’−ジイソプロピルカルボジイミド(10mmol、1.546ml)を50mlのSchlenkフラスコに移し、25mlのベンゼンに溶解した。反応混合物を72時間還流した。溶液は暗褐色から半透明の暗緑色に変化し、フラスコを室温に冷やすと凝固し始めた。フラスコを加熱して混合物を再溶解し、ベンゼン溶媒を真空により除去した。温ジエチルエーテルを溶解することによって生成物を単離し、続いて濾過した。固体が形成し始めるまで緑色の溶液は体積が減少した。濾過する前に溶液を1時間フリーザに入れた(1.3320g、60.7%収率)。NMR(C)δ:7.26(三重項,2H),7.14(一重項,2H),6.92(三重項,1H),3.64(ブロード一重項,2H),3.42(ブロード多重項,2H),0.88(二重項,13H)ppm。
グアニジン合成3−グアニジンC
2−5−ジ−tert−ブチルアニリン(10mmol、2.0535g)、白色粉末固体、Zn(OTF)(0.3mmol、0.1100g)およびN,N’−ジイソプロピルカルボジイミド(10mmol、1.546ml)を50mlのSchlenkフラスコに移し、25mlのベンゼンに溶解して、透明で無色の溶液を得た。この溶液を12時間還流した。還流後、溶液は無色のままであったが、より半透明になった。フラスコを室温に冷やし、溶媒を真空下で除去して白色固体を得た。この固体をジエチルエーテルに溶解して、細かな白色の沈殿物を有する無色の溶液を得、それを30分間撹拌させ、その後、濾過して、透明で無色の濾液を得た。溶媒を真空により除去して白色粉末(3.0554g、92.2%収率)を得た。NMR(C)δ:7.46(二重項,2H),7.01(二重項,1H),6.97(一重項,1H),3.68(ブロード,2H),3.43(ブロード二重項,2H),1.66(一重項,9H),1.30(一重項,9H),0.94(二重項,12H)ppm。
グアニジン合成4−グアニジンD
グアニジンDを、グアニジンCの合成について記載されているものと同じ方法および同じミリモル濃度の割合で調製した。この合成により、4.68g、94.5%収率のグアニジンDを得た。NMR(C)δ:7.25(二重項,1H),7.19(二重項,1H),6.98(多重項,2H),3.63(ブロード,2H),3.39(ブロード,2H),2.80(四重極,2H),1.31(三重項,3H),0.90(二重項,12H)ppm。
グアニジン合成5−グアニジンE
グアニジンEを、グアニジンCの合成について記載されているものと同じ方法および同じミリモル濃度の割合で調製した。この合成により、5.3461g、97.0%収率のグアニジンEを得た。NMR(C)δ:7.33(二重項,2H),7.12(二重項,2H),3.68(ブロードpeak,4H),1.26(一重項,9H),0.92(二重項,12H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン化合物の合成
本明細書の実施例に開示されているように調製されない全ての化学物質および化合物は商業的供給源から購入した。N−ホスフィニルグアニジン化合物はアルゴン雰囲気下で実施した。ジエチルエーテルを、水および酸素を除去するためにナトリウム−ベンゾフェノンから蒸留した。無水ベンゼン(乾燥ベンゼン)を脱気し、分子篩上で保存した。
−ホスフィニルグアニジン合成1−N−ホスフィニルグアニジン構造XIX
グアニジンA(3mmol、0.7415g)を100mlのSchlenkフラスコ中で50mlのジエチルエーテルに溶解して、透明で無色の溶液を得た。反応混合物をアルゴンパージ下で氷浴に入れた。10%モル過剰のブチルリチウム(2M、1.65ml)を滴下して加え、溶液を室温にて2時間撹拌した。10%モル過剰のp−クロロジフェニルホスフィン(3.3mmol、0.592ml)を一度に加えた。数分後、溶液は透明で無色から橙−黄色に変化し、微細な白色沈殿が溶液中に懸濁した。混合物を濾過して透明な溶液を得た。溶媒を真空下で濾液から除去して、粘性の黄色の油(1.3359g、定量的収率)を得た。NMR(C):δ7.67(三重項,4H),7.13(多重項,8H),6.90(三重項,1H),4.51(多重項,1H),4.32(二重項,1H),3.18(多重項,1H),2.38(一重項,6H),1.46(二重項,6H),0.46(二重項,6H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン合成2−N−ホスフィニルグアニジン構造XVIII
構造XVIIIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジイソプロピルホスフィンおよびグアニジンAを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成1に利用されているものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。p−クロロジイソプロピルホスフィンを加えると、溶液は透明で無色のままであり、微細な白色沈殿物が溶液中に懸濁した。2つの濾液が、透明で無色の溶液を得るために濾液から固体を除去するのに必要であった。エーテルを除去し、透明で無色の油が残った(1.1082、定量的収率)。NMR(C):δ6.94(一重項,3H),3.34(多重項,1H),3.23(多重項,2H),3.04(多重項,1H),2.97(二重項,1H),2.51(一重項,6H),1.22(多重項,19H),0.53(二重項,6H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン合成3−N−ホスフィニルグアニジン構造XVII
構造XVIIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジフェニル−ホスフィンおよびグアニジンBを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成1で利用したものと同じ手順のミリモル量を使用して調製した。1モル当量のブチルリチウムおよびクロロジフェニル−ホスフィンの各々を試薬として使用した。反応混合物を濾過することにより、塩化リチウム塩を除去して、透明でわずかに黄色溶液を得た。溶媒を除去して、黄色の油(0.9885g、48.9%収率)を得た。NMRにより、生成物は恐らく異性体の混合物からなったことが示された。
−ホスフィニルグアニジン合成4−N−ホスフィニルグアニジン構造XXII
構造XVIIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジフェニルホスフィンおよびグアニジンCを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成1で利用されているものと同じ手順を使用して調製した。グアニジンC(5mmol、1.6578g)を、100mlのSchlenkフラスコ中で50mlの乾燥ジエチルエーテルに溶解し、氷浴中で冷却した。ブチルリチウム(5mmol、2M、2.5ml)を滴下して加えた。添加後、混合物を室温にて2時間撹拌した。クロロジフェニル−ホスフィン(5mmol、0.898ml)を一度に加えた。混合物はわずかに黄色になり、数分で微細な白色の沈殿物が形成し始めた。混合物を微細なフィルタ処理したフリット漏斗に通して、塩化リチウム塩を除去し、透明で淡黄色の溶液を得た。溶媒を除去して淡い黄色の粉末(2.3109g、89.6%収率)を得た。NMR(C):δ7.67(多重項,4H),7.41(2一重項s,1H),7.15(多重項,6H),7.20(三重項,2H),7.02(二重項,1H),6.89(一重項,1H),4.00(多重項,1H),3.79(一重項,2H),1.65(一重項,9H),1.35(二重項,6H),1.29(一重項,9H),0.79(二重項,6H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン合成5−N−ホスフィニルグアニジン合成XX
構造XXを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジフェニルホスフィンおよびグアニジンDを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成1で利用されているものと同じ手順を使用して調製した。グアニジンD(5mmol、1.2373g)を乾燥ジエチルエーテルに溶解し、氷浴中で冷却し、ブチルリチウム(2M、2.5ml)で処理した。添加を完了した後、混合物を室温にて2時間撹拌した。クロロジフェニルホスフィンを加え、溶液は微細な白色沈殿物を有し、緑から淡い黄色に変化し、それを一晩静置した。白色の塩化リチウム塩を、微細なフリット付きフィルタ漏斗を通して真空濾過によって除去して、緑−黄色の溶液を得た。溶媒を除去し、残存化合物は凝固し始めた。固体をペンタンに溶解し、濾過し、乾燥させ、緑色がかったベージュ色の固体(1.9474g、90.0%の収率)を得た。NMR(C):δ7.65(三重項,4H),7.07(多重項,7H),6.94(三重項,2H),6.81(二重項,1H),4.10(多重項,2H),3.52(多重項,1H),2.85(四重極,2H),1.36(一重項,2H),1.33(一重項,3H),1.32(二重項,1H),0.91(二重項,2H),0.67(二重項,4H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン合成6−N−ホスフィニルグアニジン構造XXI
構造XXIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジフェニルホスフィンおよびグアニジンEを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成1で利用したものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。生成物は非常に粘性のある黄色の油(1.9047g、81.1%収率)であった。NMRにより、生成物は恐らく異性体の混合物から構成されたことが示された。
−ホスフィニルグアニジン合成7−N−ホスフィニルグアニジン構造VII
トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン(5mmol、0.696g)を、アルゴン雰囲気下で50mlの乾燥ジエチルエーテル中で懸濁し、氷浴中で冷却した。1モル当量のブチルリチウム(2M、2.5ml)を滴下して加え、溶液を室温にて2時間撹拌した。反応混合物は、溶液中に懸濁した微細な白色の粉末を有して乳白色になった。2時間後、1モル当量のp−クロロジイソプロピルホスフィン(5mmol、0.797ml)を一度に加え、微細な白色の沈殿物が形成し始めた。この混合物を室温にて1時間撹拌した。塩化リチウムを濾過によって除去し、透明で無色の濾液を得た。溶媒を透明で無色の液体のまま除去した(1.1851g、92.8%収率)。NMR(C):δ3.40(三重項,2H),3.31(多重項,2H),3.08(多重項,2H),2.66(三重項,2H),2.52(三重項,2H),1.53(多重項,2H),1.47(多重項,2H),1.25−1.14(多重項,12H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン合成8−N−ホスフィニルグアニジン構造XI
構造XIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジフェニルホスフィンおよびトリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成7で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。クロロジフェニルホスフィンの添加後、反応混合物は、多くの沈殿物を有して、著しく厚くなった。エーテルを除去し、白色の固体を乾燥ベンゼンに溶解し、濾過した。ベンゼンを真空下で除去して、加温条件下で部分的に溶解する白色の固体を得た(1.2646g、81.2%収率)。NMR(C):δ7.54(多重項,4H),7.12(多重項,5H),3.49(三重項,2H),2.88(三重項,2H),2.66(三重項,2H),2.52(三重項,2H),1.56(多重項,2H),1.29(多重項,2H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン合成9−N−ホスフィニルグアニジン構造X
構造Xを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジシクロヘキシルホスフィンおよびトリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成7で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。生成物は室温で液体であった(1.1409g、71.0%収率)。NMR(C):δ3.46(ブロード三重項,2H),3.27(三重項,2H),2.94(ブロード一重項,2H),2.63(三重項,2H),2.52(三重項,2H),2.02(ブロード,2H),1.89(ブロード多重項,4H),1.77(ブロード二重項,2H),1.68(ブロード二重項,2H),1.52−1.33(ブロード多重項,14H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン合成10−N−ホスフィニルグアニジン構造XXIII
構造XXIIIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジエチルホスフィンおよびトリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成7で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。生成物は白色の粉末であった(0.8302g、83.0%収率)。NMR(C):δ3.64(ブロード一重項,2H),2.73(ブロード一重項,2H),2.56(三重項,2H),2.47(三重項,2H),1.71(ブロード多重項,2H),1.49,(多重項,2H),1.31−1.10(多重項,10H)ppm。
−ホスフィニルグアニジン合成11−N−ホスフィニルグアニジン構造I
構造Iを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を、試薬としてクロロジイソプロピルホスフィンおよび1,3−ジ−o−トリルグアニジンを使用してN−ホスフィニルグアニジン合成7で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。生成物は粘性の油(1.320g、74.3%収率)であった。NMR(C):δ9.05(ブロード一重項,1H),7.20(多重項,6H),6.90(多重項,2H),4.20(ブロード一重項,1H),2.28(一重項,6H),0.81−0.69(多重項,12H)ppm。
三塩化クロムN−ホスフィニルグアニジン錯体の合成
本明細書の実施例に開示されているように調製されない全ての化学物質および化合物は市販の供給源から購入した。N−ホスフィニルグアニジン化合物はアルゴン雰囲気下で実施した。テトラフドロフランをナトリウム−ベンゾフェノンから蒸留して、水および酸素を除去した。無水ペンタン、ベンゼンおよびトルエンを脱気し、分子篩上で保存した。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成1−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu XIX
CrCl(THF)(0.5mmol、0.1873g)を50mlのSchlenkフラスコ中で25mlのトルエン中に懸濁して、懸濁した固体を有する濃い紫色の溶液を得た。構造XIXを有する1モル当量のN−ホスフィニルグアニジン化合物をフラスコに移した。混合物を3日間撹拌し、次いでフリット付き漏斗で濾過し、ペンタンで洗浄して暗緑色の固体(0.1470g、49.5%収率)を得た。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu XVIII
CrCl(THF)(0.5mmol、0.1873g)を50mlのSchlenkフラスコ中で25mlのテトラヒドロフラン中に溶解して、透明な紫色の溶液を得た。構造XVIIIを有する1モル当量のN−ホスフィニルグアニジン化合物をフラスコに移した。混合物は透明で紫色から暗緑色にすぐに色が変化した。反応の完了が継続していることを確実にするために反応物を1時間静置させた。得られた溶液を濾過して透明な溶液にした。溶媒を真空下でゆっくり除去して、暗緑色の固体(0.5868g、98.4%収率)を得た。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成3−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu XVII
構造XVIIを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造XVIIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を使用してN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。この手順により、濃い青色の固体(0.2699g、85.1%収率)が得られた。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成4−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu XXII
構造XXIIを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造XXIIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を使用してN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成1で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。この手順により、青色の固体(0.1007g、27.0%収率)を得た。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成5−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu XX
構造XXを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造XXを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を使用してN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。この手順により、暗緑色の固体(0.3066g、92.6%収率)が得られた。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成6−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu XXI
構造XXIを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造XXIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を使用してN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。この手順により、緑色の固体(0.2885g、82.5%収率)が得られた。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成7−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu VII
構造VIIを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造VIIを有する2.0mmolのN−ホスフィニルグアニジン化合物および2.0mmolのCrCl(THF)を使用した手順を除いて、N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。この手順により、緑色がかった青色の固体(0.8721g、89.9%収率)を得た。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成8−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu XI
構造XIを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造XIを有する2.0mmolのN−ホスフィニルグアニジン化合物および2.0mmolのCrCl(THF)を使用した手順を除いて、N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2で利用されるものと同じ手順を使用して調製した。この手順により、濃い青色の固体(1.081、86.0%収率)を得た。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成9−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu X
構造Xを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造Xを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を使用してN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。この手順により、濃い青色の固体(0.2000g、72.6%収率)を得た。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成10−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu XXIII
構造XXIIIを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造XXIIIを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を使用してN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。この手順により、濃い青色の固体(0.1590g、71.3%収率)を得た。
−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成11−N−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体構造CrClGu I
構造Iを有するN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体を、構造Iを有するN−ホスフィニルグアニジン化合物を使用してN−ホスフィニルグアニジン三塩化クロム錯体合成2で利用されるものと同じ手順およびミリモル量を使用して調製した。この手順により、濃い青色の固体(0.2467g、84.4%収率)を得た。
オレフィンオリゴマー化
本明細書に記載された方法を使用して調製されたN−ホスフィニルグアニジン化合物およびN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が使用された。化学物質供給業者Akzo−Nobelから得たMMAO−3A(ヘプタン中の7重量%アルミニウム)を使用した。従来の方法を使用して溶媒を乾燥および/または精製し、水を吸収するそれらの能力を制限する条件下で保存した。生成物の分析において、CまたはC生成物の量に対する言及はそれぞれ、オリゴマー生成物内に6または8個の炭素原子を有する全てのオリゴマー生成物を指す。1−ヘキンまたは1−オクンの重量パーセントに対する言及はそれぞれ、オリゴマー生成物のCまたはC生成物部内の1−ヘキンまたは1−オクンの重量パーセント(例えば生成物純度)を指す。
エチレンオリゴマー化実施−標準方法
1Lのステンレス鋼リアクタを、使用前に少なくとも8時間、110℃にて真空下で乾燥させた。次いでリアクタを50℃に冷却した。ドライボックスにおいて、20mLのガラスバイアルにN−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体およびエチルベンゼン(1.0g)を充填した。MMAO−3A(3.3g、ヘプタン中の7.6重量%Al溶液)を、N−ホスフィニル金属塩錯体の青色の異種溶液に加え、黄色の溶液が形成した。次いで触媒系を一晩(約18時間)静置させた。次いで黄色の溶液を、400mlのシクロヘキサンを含有する0.5Lのガラス充填器に加えた。この溶液をドライボックスから取り除き、リアクタ内に入れた。水素(50psig)、続いてエチレン(850psig、オンデマンドで供給)を加えた。(触媒の導入から開始して)反応を50℃にて30分間進行させた。30分後、水冷却をリアクタシステムに適用した。温度が35℃に到達すると、未反応のエチレンおよび水素ガスを雰囲気に通気した。液体試料を回収し、GC−FIDによって分析した。この実施のために、エチルベンゼンを内部標準として使用した。溶液を濾過することによって固体を回収し、リアクタの壁を洗浄し、コイルを冷却した。N−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および各々のエチレンオリゴマー化に利用される物資の量は、各々のオリゴマー実施の結果と共に表4にまとめられるように提供する。

本発明に包含され得る諸態様は、以下のとおりである。
[態様1]
−ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成するクロム塩を含むN −ホスフィニルグアニジン金属塩錯体を含む組成物。
[態様2]
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が、一般構造
[化1]

(式中、
はC 〜C 30 オルガニル基であり、
2a およびR 2b は独立して、不活性官能基から本質的になるC 〜C 30 オルガニル基であり、
は、水素または不活性官能基から本質的になるC 〜C 30 オルガニル基であり、
およびR は各々独立して、不活性官能基から本質的になるC 〜C 30 オルガニル基であり、
はクロム塩を表し、式中、Xはモノアニオンであり、pは2から6の範囲であり、Qは中性配位子であり、qは0から6の範囲である)
を有する、上記態様1に記載の組成物。
[態様3]
a)R およびR 2a は結合して環もしくは環系を形成でき、
b)R 2a およびR 2b は結合して環もしくは環系を形成でき、
c)R 2b およびR は結合して環もしくは環系を形成でき、または
d)R およびR 2a は結合して環または環系を形成でき、かつR 2b およびR は結合して環または環系を形成できる、
上記態様2に記載の組成物。
[態様4]
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が、一般構造:
[化2]

(式中、L 12 およびL 23 は独立して、不活性官能基からなるC 〜C 15 オルガニレン基である)
を有する、上記態様2に記載の組成物。
[態様5]
クロム塩が、カルボン酸クロム(III)、クロム(III)β−ジケトナートまたはハロゲン化クロム(III)を含む、上記態様1に記載の組成物。
[態様6]
クロム塩が、ハロゲン化クロム(III)を含む、上記態様1に記載の組成物。
[態様7]
Qが、C 〜C 20 ニトリルまたはC 〜C 40 エーテルを含む、上記態様2に記載の組成物。
[態様8]
が、ハロゲン化クロム(III)を含み、各々のQが独立して、C 〜C 30 脂肪族非環式エーテルまたはC 〜C 30 脂肪族環式エーテルである、上記態様2に記載の組成物。
[態様9]
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体が、構造:
[化3]

を有する、上記態様1に記載の組成物。
[態様10]
a)N −ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成するクロム塩を含むN −ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、および
b)金属アルキル化合物
を含む、触媒系組成物。
[態様11]
金属アルキル化合物が、アルミノキサンを含む、上記態様10に記載の触媒系組成物。
[態様12]
アルミノキサンが、メチルアルミノキサン、修飾されたメチルアルミノキサン、エチルアルミノキサン、n−プロピルアルミノキサン、イソ−プロピルアルミノキサン、n−ブチルアルミノキサン、sec−ブチルアルミノキサン、イソ−ブチルアルミノキサン、t−ブチルアルミノキサン、1−ペンチル−アルミノキサン、2−ペンチルアルミノキサン、3−ペンチルアルミノキサン、イソ−ペンチルアルミノキサン、ネオペンチルアルミノキサンおよびそれらの混合物を含む、上記態様11に記載の触媒系組成物。
[態様13]
金属アルキルが、修飾されたメチルアルミノキサンを含む、上記態様11に記載の触媒系組成物。
[態様14]
アルミノキサンのアルミニウム対N −ホスフィニルグアニジン金属塩錯体のクロムのモル比が、少なくとも5:1である、上記態様12に記載の触媒系組成物。
[態様15]
−ホスフィニルグアニジン金属塩錯体および金属アルキル化合物を接触させるステップを含む、触媒系組成物を調製するプロセス。
[態様16]
触媒系組成物が、少なくとも15分間、オレフィンの実質的に不存在下で熟成される、上記態様15に記載のプロセス。
[態様17]
熟成された触媒系組成物は、a)熟成されていない他の同様の触媒系と比較して増加したオリゴマー化触媒活性度、b)熟成されていない他の同様の触媒系と比較して生成したポリマーの減少した割合、またはc)熟成されていない他の同様の触媒系と比較して増加したオリゴマー化触媒活性度および生成したポリマーの減少した割合を示す、上記態様16に記載のプロセス。
[態様18]
a)
i)オレフィンと、
ii)(a)N −ホスフィニルグアニジン化合物と錯体を形成するクロム塩を含むN −ホスフィニルグアニジン金属塩錯体、および(b)金属アルキル化合物を含む触媒系と
を接触させて、オリゴマー生成物を形成するステップ、ならびに
b)オリゴマーを回収するステップ
を含む、オリゴマー化プロセス。
[態様19]
前記触媒系、オレフィンおよび水素を接触させて、オリゴマー生成物を形成する、上記態様18に記載のプロセス。
[態様20]
前記オリゴマー生成物が20℃〜150℃の範囲の温度で形成する、上記態様18に記載のプロセス。
[態様21]
前記オレフィンがエチレンを含み、前記オリゴマー生成物が、60〜99.9重量%のC およびC オレフィンを含む液体オリゴマー生成物を含む、上記態様18に記載のプロセス。
[態様22]
前記オレフィンがエチレンを含み、C オリゴマー生成物が少なくとも90重量%の1−ヘキサンを含む、上記態様18に記載のプロセス。
[態様23]
前記オレフィンがエチレンを含み、C オリゴマー生成物が少なくとも90重量%の1−オクテンを含む、上記態様18に記載のプロセス。
[態様24]
前記触媒系、オレフィンおよび水素を接触させて、オリゴマー生成物を形成し、
前記オレフィンがエチレンを含み、
前記オリゴマー生成物が、
(a)150psig〜2,000psigの範囲のエチレン分圧
(b)5psig〜400psigの範囲の水素分圧、および
(c)20℃〜150℃の範囲の温度
で形成され、前記オリゴマー生成物は、60〜99.9重量%のC およびC オレフィンを含む液体オリゴマー生成物を含み、C オリゴマー生成物は、少なくとも90重量%の1−ヘキサンを含み、C オリゴマー生成物が少なくとも90重量%の1−オクテンを含む、上記態様18に記載のプロセス。

Claims (18)

  1. −ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体であって、
    一般構造:

    (式中、
    はC〜C30ヒドロカルビル基であり、
    2aおよびR2bは独立して、C〜C30ヒドロカルビル基であり、
    は、水素またはC〜C30ヒドロカルビル基であり、
    およびRは各々独立して、C〜C30ヒドロカルビル基であり、
    はクロム塩を表し、式中、Xはモノアニオンであり、pは2から6の範囲であり、
    QはC〜C20ニトリルまたはC〜C40エーテルから選択される中性配位子であり、qは0から6の範囲である)
    を有する、N−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体。
  2. クロム塩が、カルボン酸クロム(III)、クロム(III)β−ジケトナートまたはハロゲン化クロム(III)を含む、請求項1に記載のN−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体。
  3. クロム塩が、ハロゲン化クロム(III)を含む、請求項1に記載のN−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体。
  4. が、ハロゲン化クロム(III)を含み、各々のQが独立して、C〜C30脂肪族非環式エーテルまたはC〜C30脂肪族環式エーテルである、請求項1に記載のN−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体。
  5. 構造:

    有する、請求項1に記載のN−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体。
  6. a)N−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体であって、
    構造

    (式中、
    はC〜C30ヒドロカルビル基であり、
    2aおよびR2bは独立して、C〜C30ヒドロカルビル基であり、
    は、水素またはC〜C30ヒドロカルビル基であり、
    およびRは各々独立して、C〜C30ヒドロカルビル基であり、
    はクロム塩を表し、式中、Xはモノアニオンであり、pは2から6の範囲であり、
    QはC〜C20ニトリルまたはC〜C40エーテルから選択される中性配位子であり、qは0から6の範囲である)
    を有する、N−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体、および
    b)アルミノキサンを含む金属アルキル化合物
    を含む、オレフィンをオリゴマー化するための触媒系組成物。
  7. アルミノキサンが、メチルアルミノキサン、修飾されたメチルアルミノキサン、エチルアルミノキサン、n−プロピルアルミノキサン、イソ−プロピルアルミノキサン、n−ブチルアルミノキサン、sec−ブチルアルミノキサン、イソ−ブチルアルミノキサン、t−ブチルアルミノキサン、1−ペンチル−アルミノキサン、2−ペンチルアルミノキサン、3−ペンチルアルミノキサン、イソ−ペンチルアルミノキサン、ネオペンチルアルミノキサンおよびそれらの混合物を含む、請求項6に記載の触媒系組成物。
  8. 金属アルキルが、修飾されたメチルアルミノキサンを含む、請求項6に記載の触媒系組成物。
  9. アルミノキサンのアルミニウム対N−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体のクロムのモル比が、少なくとも5:1である、請求項8に記載の触媒系組成物。
  10. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体と、アルミノキサンを含む金属アルキル化合物とを接触させるステップを含む、オレフィンをオリゴマー化するための触媒系組成物を調製するプロセス。
  11. 触媒系組成物が、少なくとも15分間、オレフィンの実質的に不存在下で、25℃〜100℃の温度で熟成される、請求項10に記載のプロセス。
  12. 熟成された触媒系組成物は、a)熟成されていない他の同様の触媒系と比較して増加したオリゴマー化触媒活性度、b)熟成されていない他の同様の触媒系と比較して生成したポリマーの減少した割合、またはc)熟成されていない他の同様の触媒系と比較して増加したオリゴマー化触媒活性度および生成したポリマーの減少した割合を示す、請求項11に記載のプロセス。
  13. a)
    i)オレフィンと、
    ii)(a)N−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体であって、
    構造

    (式中、
    はC〜C30ヒドロカルビル基であり、
    2aおよびR2bは独立して、C〜C30ヒドロカルビル基であり、
    は、水素またはC〜C30ヒドロカルビル基であり、
    およびRは各々独立して、C〜C30ヒドロカルビル基であり、
    はクロム塩を表し、式中、Xはモノアニオンであり、pは2から6の範囲であり、
    QはC〜C20ニトリルまたはC〜C40エーテルから選択される中性配位子であり、qは0から6の範囲である)
    を有する、N−ホスフィニルグアニジンクロム塩錯体、および(b)アルミノキサンを含む金属アルキル化合物を含む触媒系と
    を接触させて、オリゴマー生成物を形成するステップ、ならびに
    b)オリゴマーを回収するステップ
    を含み、
    このオレフィンがエチレンを含み、このオリゴマー生成物が60〜99.9重量%のCおよびCオレフィンを含む液体オリゴマー生成物を含む、オリゴマー化プロセス。
  14. 前記触媒系、オレフィンおよび水素を接触させて、オリゴマー生成物を形成する、請求項13に記載のプロセス。
  15. 前記オリゴマー生成物が20℃〜150℃の範囲の温度で形成する、請求項13に記載のプロセス。
  16. 前記オレフィンがエチレンを含み、Cオリゴマー生成物が少なくとも90重量%の1−ヘキセンを含む、請求項13に記載のプロセス。
  17. 前記オレフィンがエチレンを含み、Cオリゴマー生成物が少なくとも90重量%の1−オクテンを含む、請求項13に記載のプロセス。
  18. 前記触媒系、オレフィンおよび水素を接触させて、オリゴマー生成物を形成し、
    前記オレフィンがエチレンを含み、
    前記オリゴマー生成物が、
    (a)150psig〜2,000psigの範囲のエチレン分圧、
    (b)5psig〜400psigの範囲の水素分圧、および
    (c)20℃〜150℃の範囲の温度
    で形成され、前記オリゴマー生成物は、60〜99.9重量%のCおよびCオレフィンを含む液体オリゴマー生成物を含み、Cオリゴマー生成物は、少なくとも90重量%の1−ヘキセンを含み、Cオリゴマー生成物が少なくとも90重量%の1−オクテンを含む、請求項13に記載のプロセス。
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