JP6297745B2 - 配線基板、配線基板の製造方法、及び配線基板を備えた静電容量センサ - Google Patents
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Description
前記透明導電層が晒された部分の前記透明導電性高分子を不導体化し、不導体化された不導体部と、前記不導体部で区切られた前記透明導電性高分子からなる導体部と、を形成するパターン化工程と、を有することを特徴としている。
図1は、本発明の第1実施形態の配線基板101を説明する上面図である。なお、図1には、電極11に2点鎖線で“A”から“O”まで付番を付けているが、15個の電極11を区別するため便宜上表記したものであって、電極11にそのようなパターンがあるわけではない。図2は、本発明の第1実施形態の配線基板101を説明する構成図であって、図1に示すII−II線における断面図である。なお、説明を分かり易くするため、図2の構成図は、実際のサイズとは異なって示している。図3は、本発明の第1実施形態の配線基板101を説明する上面図であって、図1において、オーバーコート58を省略した図である。図4は、図3に示すP部分の拡大図である。なお、図4では、基材19が露出している部分にハッチングを施している。
相当する部分に形成されている。これにより、所望の絶縁耐圧を確保しながら、電極11
間或いは電極11と導体配線13間を狭くしたレイアウトすることができる。
図10は、本発明の第2実施形態の配線基板102を説明する分解斜視図である。図10では、導体パターンC2と取出し配線25の一部を省略している。図11は、本発明の第2実施形態の配線基板102を説明する構成断面図である。なお、図11の構成断面図は、説明を分かり易くするため、任意の箇所における断面の構成を実際のサイズとは異なって示している。また、第2実施形態の配線基板102は、第1実施形態に対し、2つの基材29(29A、29B)を設けている構成が主に異なる。なお、第1実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図14は、本発明の第3実施形態の静電容量センサCS3を説明する分解斜視図である。図14では、導体パターンC2と取出し配線15の一部を省略している。図15は、本発明の第3実施形態の静電容量センサCS3を説明する構成断面図である。なお、図15の構成断面図は、説明を分かり易くするため、任意の箇所における断面の構成を実際のサイズとは異なって示している。なお、第1実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
上記第1実施形態の配線基板101では、電極11及び導体配線13が片面側に形成された基材19を用いて構成したが、第2実施形態のように、1組の基材を用いて構成しても良い。
上記第1実施形態の配線基板101では、図4に示す例には、電極11間に3個のトリミング部TMを例示しているが、この数に限るものではない。
上記第1実施形態の配線基板101では、取出し配線15が設けられた配線エリアLAにアンダーコート56とカバレッジコート57とを設けた構成としたが、第2実施形態のように、アンダーコート56とカバレッジコート57とを設けない構成でも良い。
上記第1実施形態の配線基板101の製造方法では、層形成工程P11の後にレーザ加工工程PL2を行い、透明導電性高分子である透明導電層T2の一部を除去してトリミング部TMを形成したが、第2実施形態のような工程の順であっても良い。つまり、パターニング工程P3が終了した後にレーザ加工工程PL4を行い、不導体化された不導体部NCの一部を除去してトリミング部TMを形成しても良い。
上記第1実施形態及び第2実施形態では、取出し配線(15、25)として、銀層(15a、25a)及びカーボン層(15c、25c)の2層で構成したが、これに限るものではなく、銀層(15a、25a)のみの構成でも良いし、銀層(15a、25a)に限らず、透明導電性高分子よりも低い比抵抗を有する材質から構成されても良い。
上記第3実施形態の静電容量センサCS3では、第1実施形態の配線基板101を用いて構成したが、これに限らず、第2実施形態の配線基板102を用いても良いし、他の本発明に係わる実施形態を用いても良い。
13、23、23A、23B 導体配線
15、25、25A、25B 取出し配線
R31 レジスト膜
19、29、29A、29B 基材
C2 導体パターン
CD 導体部
NC 不導体部
T2 透明導電層
TM トリミング部
LA 配線エリア
VA ビューエリア
101、102 配線基板
CS3 静電容量センサ
S7 検出部
S8 制御部
P11、P21 層形成工程
P3 パターニング工程
P31 膜形成工程
P32 不導体化工程
P33 エッチング工程
PA32 パターン化工程
P4 配線形成工程
PL2、PL4 レーザ加工工程
Claims (6)
- 基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、
前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、
前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板において、
透明導電性高分子の一部が不導体化されてなる不導体部と、前記不導体部で区切られた前記透明導電性高分子からなる導体部と、を備え、
前記ビューエリアにおいては、前記導体パターンが前記導体部から形成されており、
前記配線エリアにおいては、前記取出し配線が前記透明導電性高分子よりも低い比抵抗を有する材質からなり、
前記取出し配線が前記導体部及び前記不導体部と重ならないように配置されていることを特徴とする配線基板。 - 前記ビューエリアの前記導体パターン間に、前記不導体部の一部が形成されていないトリミング部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 請求項1または請求項2に記載の配線基板と、
該配線基板の複数の電極と指等の指示体との静電容量を検出する検出部と、
該検出部の検出値に基づいて信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする静電容量センサ。 - 基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、
前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板の製造方法において、
前記基材上に透明導電性高分子からなる透明導電層を形成する層形成工程と、
前記透明導電層をパターニングするパターニング工程と、
前記パターニング工程の後、前記複数の取出し配線を形成する配線形成工程と、を備え、
前記パターニング工程は、前記透明導電層上にパターンニングされたレジスト膜を形成する膜形成工程と、
前記透明導電層が晒された部分の前記透明導電性高分子を不導体化して不導体部を形成する不導体化工程と、
前記配線エリアにおける前記不導体部を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 基材と、該基材の表面に形成された複数の電極と、該電極と接続された導体配線と、該導体配線と接続された複数の取出し配線と、を具備し、前記複数の電極と前記導体配線とを有した導体パターンが設けられたビューエリアと、前記複数の取出し配線が設けられた配線エリアと、を有した配線基板の製造方法において、
前記基材上の前記ビューエリアに透明導電性高分子からなる透明導電層を形成する層形成工程と、
前記ビューエリアの前記透明導電層をパターニングするパターニング工程と、
前記パターニング工程の後、前記複数の取出し配線を前記配線エリアに形成する配線形成工程と、を備え、
前記パターニング工程は、前記ビューエリアの前記透明導電層上に、パターンニングされたレジスト膜を形成する膜形成工程と、
前記ビューエリアの前記透明導電層が晒された部分の前記透明導電性高分子を不導体化し、不導体化された不導体部と、前記不導体部で区切られた前記透明導電性高分子からなる導体部と、を形成するパターン化工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - レーザ光を用いて、前記ビューエリアの前記導体パターン間に、前記不導体部の一部が形成されていないトリミング部を形成するレーザ加工工程を有していることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の配線基板の製造方法。
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