JP6271970B2 - Power conditioner and storage method - Google Patents

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Description

本発明は、センサによる検出結果などの情報を記憶する機能を有するパワーコンディショナ、および、記憶方法に関する。   The present invention relates to a power conditioner having a function of storing information such as a detection result by a sensor, and a storage method.

太陽電池が発電した直流電力をパワーコンディショナによって交流電力に変換し、電力系統に供給する太陽光発電システムがある。太陽光発電システムにおいては、発電状況を管理したり、各種の制御を行うために、パワーコンディショナの入出力の電流、電圧などの電気的情報が検出される。検出された各電気的情報は、制御のためにパワーコンディショナの内部で用いられ、また、定期的(例えば1分ごと)に管理用のコンピュータに送信されて、発電状況の管理に使用される。   There is a solar power generation system that converts DC power generated by a solar cell into AC power by a power conditioner and supplies the AC power to a power system. In the photovoltaic power generation system, electrical information such as input / output current and voltage of the power conditioner is detected in order to manage the power generation status and perform various controls. Each detected electrical information is used inside the inverter for control, and is transmitted periodically (for example, every minute) to a management computer to be used for management of power generation status. .

パワーコンディショナの故障や、電力系統での異常発生などの異常が検出された場合、各電流、電圧の波形などを分析することで、その異常の原因を究明することができる。このため、検出された各電気的情報をパワーコンディショナの内部に所定時間分記憶しておいて、異常検出時に読み出して分析することが行われている。例えば、特許文献1には、RAMに循環的に電気的情報を書き込んでおき、故障時にその前後の情報を読み出して故障の分析に用いることが記載されている。また、特許文献1の電力変換装置は、軽故障の直後に重故障が発生した場合に、軽故障時前後の電気的情報と重故障時前後の電気的情報とを両方記憶できるようにしている。   When an abnormality such as a failure of a power conditioner or occurrence of an abnormality in the power system is detected, the cause of the abnormality can be investigated by analyzing the waveform of each current and voltage. For this reason, each detected electrical information is stored in the power conditioner for a predetermined time, and is read and analyzed when an abnormality is detected. For example, Patent Literature 1 describes that electrical information is cyclically written in a RAM and information before and after the failure is read out and used for failure analysis. Moreover, the power converter device of patent document 1 is made to be able to memorize | store both the electrical information before and after the time of a major fault and the electrical information before and after a major fault when a major fault occurs immediately after a minor fault. .

特許第4599969号公報Japanese Patent No. 4599969

特許文献1の電力変換装置の場合、重故障後は所定量のデータを書き込んだ後はRAMへの書き込みを中止することで軽故障時のデータに上書きされることを防止している。したがって、RAMへの書き込みを中止しない軽故障が連続した場合、前の軽故障時のデータに上書きされる場合がある。   In the case of the power conversion device disclosed in Patent Literature 1, after a predetermined amount of data is written after a major failure, writing to the RAM is stopped to prevent overwriting of data at the time of a minor failure. Therefore, when minor failures that do not stop writing to the RAM continue, the data at the previous minor failure may be overwritten.

本発明は上述した事情のもとで考え出されたものであって、異常が検出された場合に、異常検出直前に記憶された各情報を読み出すことができ、異常の検出が連続した場合でも、前の異常検出時に記憶された情報に上書きされることがないパワーコンディショナを提供することをその目的としている。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and when an abnormality is detected, each information stored immediately before the abnormality detection can be read out, and even when abnormality detection continues. It is an object of the present invention to provide a power conditioner that is not overwritten with information stored at the time of previous abnormality detection.

上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。   In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.

本発明の第1の側面によって提供されるパワーコンディショナは、インバータ回路によって直流電力を交流電力に変換して出力するパワーコンディショナであって、複数の記憶領域を有する記憶手段と、前記記憶領域の内の1の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む書込手段と、異常を検出する異常検出手段と、前記異常検出手段によって異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する記憶領域変更手段とを備えていることを特徴とする。   The power conditioner provided by the first aspect of the present invention is a power conditioner that converts DC power into AC power by an inverter circuit and outputs the AC power, and includes a storage unit having a plurality of storage areas, and the storage area A writing means for sequentially writing acquired information in one of the storage areas, an abnormality detecting means for detecting an abnormality, and a storage area for writing information when an abnormality is detected by the abnormality detecting means Storage area changing means for changing the storage area to another storage area.

なお、「循環的に書き込む」とは、記憶領域の先頭アドレスの記憶位置から順に書き込んでいき、最後尾アドレスの記憶位置に書き込んだ後は、先頭アドレスの記憶位置に戻って書き込みを継続することである。   Note that “cyclically write” means writing sequentially from the storage location of the first address in the storage area, and after writing to the storage location of the last address, return to the storage location of the first address and continue writing. It is.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記記憶領域変更手段は、前記異常検出手段によって異常が検出された時から所定時間経過後に、前記情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する。   In a preferred embodiment of the present invention, the storage area changing unit changes the storage area in which the information is written to another storage area after a predetermined time has elapsed since the abnormality was detected by the abnormality detection unit.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記所定時間は、前記情報を書き込む記憶領域の記憶容量の半分以下の情報を書き込むための時間である。   In a preferred embodiment of the present invention, the predetermined time is a time for writing information less than half of a storage capacity of a storage area in which the information is written.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記記憶領域変更手段によって記憶領域が変更された場合に、変更される前の記憶領域に記憶されている情報を読み出す読出手段と、前記読み出された情報を送信する通信手段とをさらに備えている。   In a preferred embodiment of the present invention, when the storage area is changed by the storage area changing means, the reading means for reading the information stored in the storage area before being changed, and the read information And a communication means for transmitting.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記記憶領域変更手段によって記憶領域が変更された場合に、変更される前の記憶領域に記憶されている情報を読み出す読出手段と、前記読み出された情報を分析する分析手段とをさらに備えている。   In a preferred embodiment of the present invention, when the storage area is changed by the storage area changing means, the reading means for reading the information stored in the storage area before being changed, and the read information And analyzing means for analyzing.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記異常検出手段は、短絡、地絡、落雷、単独運転、瞬低、周波数異常、過電圧、過電流、温度異常のいずれかを、異常として検出する。   In a preferred embodiment of the present invention, the abnormality detection means detects any one of a short circuit, ground fault, lightning strike, isolated operation, instantaneous voltage drop, frequency abnormality, overvoltage, overcurrent, and temperature abnormality as an abnormality.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記書込手段は、第1のサンプリングタイムごとに検出される情報と、前記第1のサンプリングタイムより長い第2のサンプリングタイムごとに検出される情報とを、それぞれ循環的に書き込む。   In a preferred embodiment of the present invention, the writing means includes information detected every first sampling time and information detected every second sampling time longer than the first sampling time. , Each write cyclically.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第1のサンプリングタイムごとに検出される情報は、前記インバータ回路の入出力についての電気的情報である。   In a preferred embodiment of the present invention, the information detected at each first sampling time is electrical information about input / output of the inverter circuit.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第2のサンプリングタイムごとに検出される情報は、前記インバータ回路の出力電力値である。   In a preferred embodiment of the present invention, the information detected every second sampling time is an output power value of the inverter circuit.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記記憶手段は4つの記憶領域を有している。   In a preferred embodiment of the present invention, the storage means has four storage areas.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記パワーコンディショナは、太陽電池が出力する直流電力を変換して電力系統に出力する。   In preferable embodiment of this invention, the said power conditioner converts the direct-current power which a solar cell outputs, and outputs it to an electric power grid | system.

本発明の第2の側面によって提供される記憶方法は、インバータ回路の入出力についての電気的情報を記憶手段に記憶する記憶方法であって、前記記憶手段は複数の記憶領域を有しており、前記記憶領域の内の1の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む第1の工程と、異常を検出する第2の工程と、異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する第3の工程とを備えていることを特徴とする。   A storage method provided by the second aspect of the present invention is a storage method for storing electrical information about input / output of an inverter circuit in a storage means, and the storage means has a plurality of storage areas. A first step of cyclically writing the acquired information in order in one of the storage regions, a second step of detecting an abnormality, and a memory for writing information when an abnormality is detected And a third step of changing the area to another storage area.

本発明によると、異常が検出されない間は、複数の記憶領域の内の1の記憶領域に、情報が循環的に書き込まれる。そして、異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域が別の記憶領域に変更される。したがって、異常が検出される直前に書き込まれた情報に上書きされることを防ぐことができる。   According to the present invention, while no abnormality is detected, information is cyclically written in one of the plurality of storage areas. When an abnormality is detected, the storage area in which information is written is changed to another storage area. Therefore, it is possible to prevent information written immediately before an abnormality is detected from being overwritten.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

第1実施形態に係るパワーコンディショナを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the power conditioner which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る記憶回路の内部構成を説明するための機能ブロック図である。3 is a functional block diagram for explaining an internal configuration of the memory circuit according to the first embodiment. FIG. 記憶処理の処理手順について説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the process sequence of a memory | storage process. 書込処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a writing process. 書込処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a writing process. 第1実施形態に係るパワーコンディショナの別の実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating another Example of the power conditioner which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るパワーコンディショナの別の実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating another Example of the power conditioner which concerns on 1st Embodiment.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。   Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

図1は、第1実施形態に係るパワーコンディショナを説明するための図であり、太陽光発電システムを示している。   Drawing 1 is a figure for explaining the power conditioner concerning a 1st embodiment, and has shown a photovoltaic power generation system.

パワーコンディショナAは、インバータ回路1、各種センサ21〜27、制御回路3、記憶回路4、通信回路5、および、異常検出回路6を備えている。パワーコンディショナAは、太陽電池Bが出力する直流電力をインバータ回路1によって交流電力に変換し、図示しない負荷に供給する。負荷には、電力系統Cからも電力が供給される。また、パワーコンディショナAは、逆潮流ありのシステムであり、交流電力を電力系統Cにも供給する。なお、図示しないが、インバータ回路1の出力側には、交流電圧を昇圧(または降圧)するための変圧器が設けられている。   The power conditioner A includes an inverter circuit 1, various sensors 21 to 27, a control circuit 3, a storage circuit 4, a communication circuit 5, and an abnormality detection circuit 6. The power conditioner A converts the DC power output from the solar battery B into AC power by the inverter circuit 1 and supplies it to a load (not shown). The load is also supplied with power from the power system C. Further, the power conditioner A is a system with a reverse power flow, and supplies AC power to the power system C. Although not shown, a transformer for boosting (or stepping down) the AC voltage is provided on the output side of the inverter circuit 1.

インバータ回路1は、太陽電池Bから入力される直流電力を交流電力に変換して出力するものである。インバータ回路1は、図示しないPWM制御インバータとフィルタとを備えている。PWM制御インバータは、図示しない3組6個のスイッチング素子を備えた三相インバータであり、制御回路3から入力されるPWM信号に基づいて各スイッチング素子のオンとオフとを切り替えることで直流電力を交流電力に変換する。フィルタは、スイッチングによる高周波成分を除去する。なお、インバータ回路1は、これに限られない。例えば、PWM制御インバータは、単相インバータであってもよいし、マルチレベルインバータであってもよい。また、PWM制御に限定されず、フェーズシフト制御など他の方式を用いるものであってもよい。   The inverter circuit 1 converts DC power input from the solar battery B into AC power and outputs the AC power. The inverter circuit 1 includes a PWM control inverter and a filter (not shown). The PWM control inverter is a three-phase inverter provided with three sets of six switching elements (not shown). Based on the PWM signal input from the control circuit 3, each switching element is switched on and off to generate DC power. Convert to AC power. The filter removes high frequency components due to switching. The inverter circuit 1 is not limited to this. For example, the PWM control inverter may be a single-phase inverter or a multi-level inverter. Further, the present invention is not limited to PWM control, and other methods such as phase shift control may be used.

直流電流センサ21は、インバータ回路1の入力電流の瞬時値を検出するものである。直流電圧センサ22は、インバータ回路1の入力電圧の瞬時値を検出するものである。電流センサ23は、インバータ回路1の出力電流の瞬時値を検出するものである。電圧センサ24は、インバータ回路1の出力電圧の瞬時値を検出するものである。各センサ21〜24は、検出値を制御回路3および記憶回路4に出力する。   The DC current sensor 21 detects an instantaneous value of the input current of the inverter circuit 1. The DC voltage sensor 22 detects an instantaneous value of the input voltage of the inverter circuit 1. The current sensor 23 detects an instantaneous value of the output current of the inverter circuit 1. The voltage sensor 24 detects an instantaneous value of the output voltage of the inverter circuit 1. Each sensor 21 to 24 outputs a detection value to the control circuit 3 and the storage circuit 4.

日射センサ25は、日射量を検出するものであり、太陽電池Bの近くに配置される。気温センサ26は、気温を検出するものであり、太陽電池Bの近くに配置される。温度センサ27は、温度を検出するものであり、パワーコンディショナAの内部に配置される。各センサ25,26,27は、検出値を記憶回路4に出力する。なお、配置されるセンサは、上記したものに限られない、例えば、風速センサ、風向センサ、雨量センサなどを太陽電池Bの近くに配置して、太陽電池Bの近辺の風速、風向、雨量を検出し、検出値を記憶回路4に出力するようにしてもよい。   The solar radiation sensor 25 detects the amount of solar radiation and is disposed near the solar battery B. The air temperature sensor 26 detects the air temperature, and is disposed near the solar battery B. The temperature sensor 27 detects the temperature and is arranged inside the power conditioner A. Each sensor 25, 26, 27 outputs a detection value to the storage circuit 4. The sensors to be arranged are not limited to those described above. For example, a wind speed sensor, a wind direction sensor, a rainfall sensor, etc. are arranged near the solar battery B, and the wind speed, wind direction, and rainfall in the vicinity of the solar battery B are set. The detected value may be detected and the detected value may be output to the storage circuit 4.

制御回路3は、インバータ回路1を制御するものであり、例えばマイクロコンピュータなどによって実現されている。制御回路3は、直流電流センサ21、直流電圧センサ22、電流センサ23、および、電圧センサ24より入力される検出値に基づいてPWM信号を生成して、インバータ回路1に出力する。制御回路3は、入力電圧や無効電力、出力電流を制御するが、各制御のための構成の記載および説明は省略する。   The control circuit 3 controls the inverter circuit 1 and is realized by, for example, a microcomputer. The control circuit 3 generates a PWM signal based on detection values input from the DC current sensor 21, DC voltage sensor 22, current sensor 23, and voltage sensor 24, and outputs the PWM signal to the inverter circuit 1. The control circuit 3 controls the input voltage, reactive power, and output current, but the description and explanation of the configuration for each control are omitted.

制御回路3は、各種パラメータの値を記憶回路4に出力する。出力されるパラメータには、例えば、ユーザが設定した制御パラメータや、各制御の目標値、パワーコンディショナAの状態で変わるリミット値などがある。また、制御回路3は、パワーコンディショナAの運転状態(停止状態、ソフトスタート状態、連系状態、抑制運転状態など)を示す情報も、記憶回路4に出力する。   The control circuit 3 outputs various parameter values to the storage circuit 4. The output parameters include, for example, control parameters set by the user, target values for each control, limit values that change depending on the state of the power conditioner A, and the like. Further, the control circuit 3 also outputs information indicating the operation state of the power conditioner A (stop state, soft start state, interconnection state, suppression operation state, etc.) to the storage circuit 4.

記憶回路4は、パワーコンディショナAの内部情報を一元的に保存管理するものである。記憶回路4には、各センサ21〜27および制御回路3より、パワーコンディショナAの状態に関する情報(内部情報)が入力される。記憶回路4は、これらの内部情報を所定時間の間、記憶しておく。また、記憶回路4は、各センサ21〜27より入力される情報に基づいて算出された出力電力値などの情報も、内部情報として記憶しておく。記憶回路4は、所定のタイミング(例えば、1分毎)で、所定の内部情報(例えば、太陽電池B近辺の日射量や出力電力値など)を、通信回路5を介して管理用コンピュータDに送信する。管理用コンピュータDは、所定のタイミング毎に送られてくる情報を蓄積して、発電状況の管理に用いる。さらに、記憶回路4は、異常が検出されると、その前後の内部情報を管理用コンピュータDに送信する。管理用コンピュータDは、異常検出前後の内部情報を分析して、異常の原因を判断する。記憶回路4の詳細については後述する。   The storage circuit 4 centrally stores and manages the internal information of the power conditioner A. Information (internal information) regarding the state of the power conditioner A is input to the storage circuit 4 from the sensors 21 to 27 and the control circuit 3. The storage circuit 4 stores the internal information for a predetermined time. The storage circuit 4 also stores information such as output power values calculated based on information input from the sensors 21 to 27 as internal information. The storage circuit 4 sends predetermined internal information (for example, the amount of solar radiation near the solar battery B and the output power value) to the management computer D via the communication circuit 5 at a predetermined timing (for example, every minute). Send. The management computer D accumulates information sent at every predetermined timing and uses it for managing the power generation status. Further, when an abnormality is detected, the storage circuit 4 transmits internal information before and after the abnormality to the management computer D. The management computer D analyzes the internal information before and after detecting the abnormality to determine the cause of the abnormality. Details of the memory circuit 4 will be described later.

通信回路5は、管理用コンピュータDとの間で通信を行うものである。通信回路5は、定期的に、所定の内部情報を管理用コンピュータDに送信する。また、異常が検出された場合に、その前後の内部情報を管理用コンピュータDに送信する。また、管理用コンピュータDから情報提供の要求を受信した場合にも、内部情報の送信を行う。   The communication circuit 5 communicates with the management computer D. The communication circuit 5 periodically transmits predetermined internal information to the management computer D. When an abnormality is detected, internal information before and after the abnormality is transmitted to the management computer D. The internal information is also transmitted when a request for providing information is received from the management computer D.

異常検出回路6は、異常の発生を検出するものである。異常検出回路6によって検出される異常には、パワーコンディショナAの故障などによるものの他に、電力系統の異常(瞬低、系統周波数の変化、地絡、短絡、落雷など)、太陽電池Bの異常(太陽電池パネルの損傷、地絡、短絡、落雷など)などがある。また、インバータ回路1を即時停止させるような大きな異常だけでなく、インバータ回路1の運転を継続させられる小さな異常も含まれる。異常検出回路6は、例えば、短絡検出装置、地絡検出装置、単独運転検出装置、瞬低検出装置、周波数異常検出装置、過電圧検出装置、過電流検出装置、温度異常検出装置などによって異常が検出された場合に、検出信号を記憶回路4に出力する。   The abnormality detection circuit 6 detects the occurrence of abnormality. Abnormalities detected by the abnormality detection circuit 6 include power system abnormalities (instantaneous voltage drop, system frequency change, ground fault, short circuit, lightning strike, etc.), solar battery B Abnormal (solar panel damage, ground fault, short circuit, lightning strike, etc.). Further, not only a large abnormality that immediately stops the inverter circuit 1 but also a small abnormality that allows the operation of the inverter circuit 1 to be continued. The abnormality detection circuit 6 detects an abnormality by, for example, a short-circuit detection device, a ground fault detection device, an isolated operation detection device, a voltage drop detection device, a frequency abnormality detection device, an overvoltage detection device, an overcurrent detection device, a temperature abnormality detection device, or the like. If detected, the detection signal is output to the storage circuit 4.

記憶回路4は、各センサ21〜24より入力される検出値を、所定の第1サンプリングタイムごとに記憶する。本実施形態では、インバータ回路1の入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値が記憶される。第1サンプリングタイムは、商用周波数(60Hzまたは50Hz)の電流および電圧の波形を再現できるように、数ミリ秒程度にしている。また、記憶回路4は、電圧センサ24が検出した電圧の瞬時値から算出された系統周波数、電流センサ23が検出した電流の瞬時値と電圧センサ24が検出した電圧の瞬時値とから算出されたインバータ回路1の出力電力値なども記憶する。系統周波数や出力電力値は、電流および電圧の瞬時値と同じ第1サンプリングタイムで記憶する必要がなく、また、ある程度長い時間の情報が必要になるので、第1サンプリングタイムの100倍程度の第2サンプリングタイムごとに記憶される。   The storage circuit 4 stores the detection values input from the sensors 21 to 24 for each predetermined first sampling time. In this embodiment, the instantaneous values of the input current, input voltage, output current, and output voltage of the inverter circuit 1 are stored. The first sampling time is set to about several milliseconds so that the current and voltage waveforms at the commercial frequency (60 Hz or 50 Hz) can be reproduced. The storage circuit 4 is calculated from the system frequency calculated from the instantaneous value of the voltage detected by the voltage sensor 24, the instantaneous value of the current detected by the current sensor 23, and the instantaneous value of the voltage detected by the voltage sensor 24. The output power value of the inverter circuit 1 is also stored. The system frequency and the output power value do not need to be stored at the same first sampling time as the instantaneous values of current and voltage, and information of a certain length of time is required, so that the first sampling time is about 100 times the first sampling time. Stored every two sampling times.

また、記憶回路4は、日射センサ25より入力される日射量、気温センサ26より入力される気温、温度センサ27より入力される温度、制御回路3より入力される各種パラメータの値、パワーコンディショナAの運転状態も記憶する。これらの内部情報は、第2サンプリングタイムごとに記憶される。つまり、記憶回路4は、波形を再現できるように、入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値を第1サンプリングタイムごとに記憶し、ある程度長い時間の情報を記憶できるように、系統周波数、出力電力値、日射量、気温、温度、各種パラメータの値および運転状態を第2サンプリングタイムごとに記憶する。なお、記憶回路4に記憶される内部情報は、上記したものに限定されない。   The storage circuit 4 also includes an amount of solar radiation input from the solar radiation sensor 25, an air temperature input from the air temperature sensor 26, a temperature input from the temperature sensor 27, values of various parameters input from the control circuit 3, and a power conditioner. The operation state of A is also stored. Such internal information is stored for each second sampling time. That is, the storage circuit 4 stores the instantaneous values of the input current, the input voltage, the output current, and the output voltage at each first sampling time so that the waveform can be reproduced, and can store information for a long time to some extent. The system frequency, the output power value, the amount of solar radiation, the temperature, the temperature, the values of various parameters, and the operation state are stored for each second sampling time. The internal information stored in the storage circuit 4 is not limited to the above.

図2は、記憶回路4の内部構成を説明するための機能ブロック図である。記憶回路4は、記憶部41、書込部42、バンク変更部43、および、読出部44を備えている。   FIG. 2 is a functional block diagram for explaining the internal configuration of the memory circuit 4. The storage circuit 4 includes a storage unit 41, a writing unit 42, a bank changing unit 43, and a reading unit 44.

記憶部41は、内部情報を記憶するためのものであり、例えば、RAMや不揮発性の半導体メモリであるフラッシュメモリなどによって実現されている。記憶部41内の記憶領域は、第1バンクから第4バンクまでの4つの記憶領域に分けられている。また、第1〜第4バンクは、第1サンプリングタイムで記憶される内部情報のための第1領域と第2サンプリングタイムで記憶される内部情報のための第2領域との2つの領域に分けられている。第1領域と第2領域とは記憶容量が同じなので、サンプリングタイムの違いにより、第2領域の方が第1領域の100倍程度の時間の情報を記憶することができる。例えば、第1領域が数秒分の情報を記憶するのに対して、第2領域は分単位の情報を記憶することができる。第1領域および第2領域は複数の記憶位置に分けられており、各記憶位置にはアドレスが付されている。図2においては、x個の記憶位置が設けられて、順に「0」から「x−1」までのアドレスが付されている。   The storage unit 41 stores internal information, and is realized by, for example, a RAM or a flash memory that is a non-volatile semiconductor memory. The storage area in the storage unit 41 is divided into four storage areas from the first bank to the fourth bank. The first to fourth banks are divided into two areas: a first area for internal information stored at the first sampling time and a second area for internal information stored at the second sampling time. It has been. Since the first area and the second area have the same storage capacity, the second area can store information about 100 times as long as the first area due to the difference in sampling time. For example, the first area stores information for several seconds, while the second area can store information in minutes. The first area and the second area are divided into a plurality of storage locations, and an address is assigned to each storage location. In FIG. 2, x storage locations are provided, and addresses from “0” to “x−1” are given in order.

書込部42は、各センサ21〜27および制御回路3より入力される各情報および算出された情報(内部情報)を、記憶部41の記憶領域に書き込むものである。書込部42は、バンク変更部43から変更指令が入力されるまでは、内部情報を、第1〜第4バンクのいずれか1つのバンクの中で循環的に書き込んでいく。最後尾アドレス(図2においてはアドレス「x−1」)の記憶位置に書き込んだ後は、先頭アドレス(図2においてはアドレス「0」)の記憶位置に戻って書き込みを継続するので、当該バンクに記憶されている内部情報は上書きされていく。書込部42は、バンク変更部43から変更指令が入力された場合、内部情報の書き込み先を別のバンクに変更し、当該バンクの先頭アドレスの記憶位置から順に書き込みを行う。したがって、変更前のバンクには、変更直前に書き込まれた内部情報が残される。   The writing unit 42 writes each information input from the sensors 21 to 27 and the control circuit 3 and the calculated information (internal information) in the storage area of the storage unit 41. The writing unit 42 writes the internal information cyclically in any one of the first to fourth banks until a change command is input from the bank changing unit 43. After writing to the storage location of the last address (address “x-1” in FIG. 2), the write operation is continued after returning to the storage location of the start address (address “0” in FIG. 2). The internal information stored in is overwritten. When a change command is input from the bank changing unit 43, the writing unit 42 changes the writing destination of the internal information to another bank, and performs writing sequentially from the storage location of the start address of the bank. Therefore, the internal information written immediately before the change remains in the bank before the change.

また、第1〜第4バンクは第1領域と第2領域とに分けられており、各領域は異なるサンプリングタイムで書き込みを行うので、書込部42は、書き込み先のアドレスを第1領域用のアドレスと第2領域用のアドレスとで別々に管理している。   The first to fourth banks are divided into a first area and a second area, and each area performs writing at different sampling times. Therefore, the writing unit 42 uses the address of the writing destination for the first area. And the address for the second area are managed separately.

バンク変更部43は、内部情報の書き込み先を別のバンクに変更することを指令するものである。バンク変更部43は、異常検出回路6から検出信号を入力された場合、検出信号受信から所定時間経過後に、変更指令を書込部42および読出部44に出力する。検出信号受信から変更指令出力までに所定時間あけているのは、この間に入力される異常検出直後の内部情報も異常検出直前の内部情報と同じバンクに記憶させるためである。これにより、異常検出直前の内部情報だけでなく、異常検出直後の内部情報も残すことができる。本実施形態では、異常検出直前のt1秒分の内部情報と、異常検出直後のt2秒分の内部情報とを残すようにしている。一般的に、異常の原因を分析するためには、異常検出直後の内部情報よりも異常検出直前の内部情報が重要になるので、t1秒をt2秒より大きくする。本実施形態では、t1秒をt2秒の数倍としている。なお、異常検出前後のどの程度の時間分の内部情報を残すかによって、t1秒およびt2秒を適宜設定すればよい。例えば、異常検出直前の内部情報だけを残せばよいのであれば、検出信号受信時にすぐに変更指令を出力する(すなわち、t2=0)ようにすればよい。   The bank changing unit 43 instructs to change the writing destination of the internal information to another bank. When the detection signal is input from the abnormality detection circuit 6, the bank changing unit 43 outputs a change command to the writing unit 42 and the reading unit 44 after a predetermined time has elapsed since the detection signal was received. The reason why there is a predetermined time between the detection signal reception and the change command output is to store the internal information immediately after the abnormality detection input during this time in the same bank as the internal information immediately before the abnormality detection. Thereby, not only the internal information immediately before the abnormality detection but also the internal information immediately after the abnormality detection can be left. In this embodiment, the internal information for t1 seconds immediately before the abnormality detection and the internal information for t2 seconds immediately after the abnormality detection are left. Generally, in order to analyze the cause of an abnormality, the internal information immediately before the abnormality detection is more important than the internal information immediately after the abnormality detection, and therefore t1 seconds is set longer than t2 seconds. In this embodiment, t1 seconds are set to be several times t2 seconds. It should be noted that t1 seconds and t2 seconds may be set as appropriate depending on how much internal information is left before and after the abnormality detection. For example, if it is sufficient to leave only the internal information immediately before the abnormality detection, a change command may be output immediately upon reception of the detection signal (that is, t2 = 0).

各バンクの第1領域は、(t1+t2)秒分の内部情報を記憶できる記憶容量を有する。各バンクの第2領域は第1領域と同じ記憶容量であり、サンプリングタイムが100倍程度長いので、第2領域には、異常検出直前の内部情報がt1秒の100倍程度の時間分残される。しかし、バンク変更のタイミングは第1領域と同じタイミングなので、異常検出直後の内部情報はt2秒分だけが残される。   The first area of each bank has a storage capacity capable of storing internal information for (t1 + t2) seconds. Since the second area of each bank has the same storage capacity as the first area and the sampling time is about 100 times longer, the internal information immediately before the abnormality detection is left in the second area for about 100 times t1 seconds. . However, since the bank change timing is the same as that in the first area, only t2 seconds of internal information is left immediately after the abnormality is detected.

読出部44は、記憶部41から内部情報を読み出すものである。読出部44は、定期的に所定の内部情報を読み出して、通信回路5に出力する。通信回路5は入力された内部情報を管理用コンピュータDに送信する。また、管理用コンピュータDから情報提供の要求があった場合にも、内部情報を読み出して通信回路5に出力する。さらに、読出部44は、バンク変更部43から変更指令が入力されたときに、変更前のバンクに記憶されている内部情報を読み出して、通信回路5に出力する。通信回路5は、入力された内部情報を、異常検出前後の内部情報として、管理用コンピュータDに送信する。管理用コンピュータDは、受信した内部情報に基づいて分析を行い、異常の原因を究明する。   The reading unit 44 reads internal information from the storage unit 41. The reading unit 44 periodically reads predetermined internal information and outputs it to the communication circuit 5. The communication circuit 5 transmits the input internal information to the management computer D. Also, when there is a request for information provision from the management computer D, the internal information is read and output to the communication circuit 5. Further, when a change command is input from the bank changing unit 43, the reading unit 44 reads the internal information stored in the bank before the change and outputs it to the communication circuit 5. The communication circuit 5 transmits the input internal information to the management computer D as internal information before and after detecting the abnormality. The management computer D performs analysis based on the received internal information to find out the cause of the abnormality.

管理用コンピュータDは、異常の原因に応じて、対応する処理を行う。例えば、異常の原因が電力系統Cで瞬間的に異常が発生したことによるもので、すぐに回復するもの(例えば、瞬低や瞬間的な系統周波数の変化)である場合には、パワーコンディショナAに故障が発生したわけではないので、管理用コンピュータDは、インバータ回路1を再起動させる。また、異常の原因が太陽電池Bの損傷であった場合には、管理用コンピュータDは、太陽電池Bを修理するように管理者に知らせる。また、管理用コンピュータDは、異常検出前後の内部情報と異常の原因とを関連付けて蓄積し、異常の原因を究明するためのデータベースを構築する。   The management computer D performs a corresponding process according to the cause of the abnormality. For example, if the cause of the abnormality is due to an instantaneous occurrence of an abnormality in the power system C and is recovered immediately (for example, instantaneous drop or instantaneous change in system frequency), the power conditioner Since no failure has occurred in A, the management computer D restarts the inverter circuit 1. When the cause of the abnormality is damage to the solar battery B, the management computer D informs the administrator to repair the solar battery B. Further, the management computer D associates and accumulates internal information before and after the abnormality detection and the cause of the abnormality, and constructs a database for investigating the cause of the abnormality.

図3は、記憶回路4が行う、内部情報を記憶部41に書き込む処理(以下では、「書込処理」とする)の処理手順について説明するためのフローチャートである。書込処理は、パワーコンディショナAが起動したときに開始され、インバータ回路1が停止している間も含め、常に実行されている。また、第1領域と第2領域とでは書き込みのタイミングが異なるので、それぞれの書込処理が並行して実行される。以下では、第1領域での書き込み処理を記載する(図4,5についても同様)。   FIG. 3 is a flowchart for explaining a processing procedure of processing (hereinafter referred to as “write processing”) for writing internal information in the storage unit 41 performed by the storage circuit 4. The writing process is started when the power conditioner A is activated, and is always executed even while the inverter circuit 1 is stopped. In addition, since the writing timing is different between the first area and the second area, the respective writing processes are executed in parallel. Hereinafter, the writing process in the first area will be described (the same applies to FIGS. 4 and 5).

まず、書込部42が取得した内部情報が、記憶部41の現在指定されているバンクの指定アドレスの記憶位置に書き込まれる(S1)。書込部42は、サンプリングタイムごとに内部情報を取得する。また、指定されているバンクのバンク番号および指定アドレスは、RAMなどに記憶されている。次に、異常が検出されたか否か、すなわち、異常検出回路6から検出信号が入力されたか否かが判別される(S2)。異常が検出されなかった場合(S2:NO)、ステップS1に戻って、次のアドレスの記憶位置に内部情報が書き込まれる。異常が検出されるまで、ステップS1およびS2が繰り返される。   First, the internal information acquired by the writing unit 42 is written to the storage location of the designated address of the bank currently designated in the storage unit 41 (S1). The writing unit 42 acquires internal information for each sampling time. Further, the bank number and designated address of the designated bank are stored in a RAM or the like. Next, it is determined whether or not an abnormality has been detected, that is, whether or not a detection signal has been input from the abnormality detection circuit 6 (S2). If no abnormality is detected (S2: NO), the process returns to step S1, and the internal information is written at the storage location of the next address. Steps S1 and S2 are repeated until an abnormality is detected.

異常が検出された場合(S2:YES)、時間を計時するための変数tが「0」に初期化される(S3)。次に、書込部42が取得した内部情報が、記憶部41の現在指定されているバンクに書き込まれ(S4)、変数tが所定の時間t2以上になったか否かが判別される(S5)。変数tがt2未満の場合(S5:NO)、ステップS4に戻る。すなわち、t2が経過するまで、ステップS4およびS5が繰り返される。これにより、異常検出直後からt2までの内部情報が、異常検出直前の内部情報と同じバンクに書き込まれる。   If an abnormality is detected (S2: YES), a variable t for measuring time is initialized to “0” (S3). Next, the internal information acquired by the writing unit 42 is written into the currently designated bank of the storage unit 41 (S4), and it is determined whether or not the variable t is equal to or longer than a predetermined time t2 (S5). ). If the variable t is less than t2 (S5: NO), the process returns to step S4. That is, steps S4 and S5 are repeated until t2. As a result, the internal information from immediately after the abnormality detection to t2 is written in the same bank as the internal information immediately before the abnormality detection.

変数tがt2以上になった場合(S5:YES)、指定されているバンクが変更され(S6)、変更前のバンクの読出処理(後述)が開始され、ステップS1に戻る。なお、記憶回路4が行う書込処理は、上述したものに限定されない。   When the variable t is equal to or greater than t2 (S5: YES), the designated bank is changed (S6), the bank reading process before change (described later) is started, and the process returns to step S1. Note that the writing process performed by the memory circuit 4 is not limited to the one described above.

図4は、書込処理を説明するための図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining the writing process.

同図(a)は、現在指定されているバンクが第1バンクであり、内部情報が第1バンクに循環的に書き込まれている状態を示している。白い矢印は、現在指定されているアドレスを示している。同図(a)では、アドレス「y」が指定されている。   FIG. 4A shows a state where the currently designated bank is the first bank and internal information is cyclically written in the first bank. The white arrow indicates the currently specified address. In FIG. 9A, an address “y” is designated.

同図(b)は、アドレス「y」の記憶位置に内部情報が記憶された後に異常が検出され、t2までの間に内部情報がz回書き込まれた状態を示している。アドレス「y+z」の記憶位置まで、異常検出後の内部情報が書き込まれている。   FIG. 4B shows a state in which an abnormality is detected after the internal information is stored at the storage location of the address “y” and the internal information has been written z times until t2. Internal information after abnormality detection is written up to the storage location of the address “y + z”.

同図(c)は、同図(b)の直後のバンクが変更された状態を示している。指定されているバンクが第2バンクになり、第2バンクのアドレス「0」が指定されている。この後は、内部情報が第2バンクに循環的に書き込まれる。第1バンクには異常検出前後の内部情報が記憶されたまま残っている。   FIG. 4C shows a state in which the bank immediately after FIG. The designated bank becomes the second bank, and the address “0” of the second bank is designated. Thereafter, the internal information is cyclically written to the second bank. In the first bank, the internal information before and after the abnormality detection remains stored.

次に、記憶回路4が行う、異常検出前後の内部情報を記憶部41から読み出す処理(「読出処理」)について説明する。読出処理は、書込処理中に異常が検出されてバンクの変更が行われた時(図3のステップS6参照)に開始される。   Next, a process performed by the storage circuit 4 to read internal information before and after the abnormality detection from the storage unit 41 (“read process”) will be described. The reading process is started when an abnormality is detected during the writing process and the bank is changed (see step S6 in FIG. 3).

読出処理では、変更前のバンクの最後に書き込みがされたアドレスの次のアドレスの記憶位置から、記憶されている内部情報が順に読み出される。図4の場合、第1バンクのアドレス「y+z+1」の記憶位置から順にアドレス「x−1」の記憶位置までの内部情報が読み出され、続いて、アドレス「0」の記憶位置からアドレス「y+z」の記憶位置までの内部情報が読み出される。このうち、アドレス「y+z+1」〜「x−1」、「0」〜「y」の記憶位置の内部情報が、異常検出直前の時間t1の間に書き込まれた内部情報に該当し、アドレス「y+1」〜「y+z」の記憶位置(図4における点描の領域参照)の内部情報が、異常検出直後の時間t2の間に書き込まれた内部情報に該当する。第2領域の場合、アドレス「y+z+1」〜「x−1」、「0」〜「y」の記憶位置の内部情報が、異常検出直前(時間t1の100倍程度の時間)に書き込まれた内部情報として読み出され、異常検出直後の時間t2の間に書き込まれた内部情報がアドレス「y+1」以降の記憶位置から読み出される。   In the reading process, the stored internal information is sequentially read from the storage position of the address next to the address written at the end of the bank before the change. In the case of FIG. 4, internal information from the storage location of the address “y + z + 1” in the first bank to the storage location of the address “x−1” is read in order, and then the storage location of the address “0” starts to the address “y + z”. The internal information up to the storage position is read out. Among these, the internal information of the storage positions of the addresses “y + z + 1” to “x−1” and “0” to “y” corresponds to the internal information written during the time t1 immediately before the abnormality detection, and the address “y + 1”. ”To“ y + z ”storage information (see the stippled area in FIG. 4) corresponds to the internal information written during the time t2 immediately after the abnormality detection. In the case of the second area, the internal information of the storage locations of the addresses “y + z + 1” to “x−1” and “0” to “y” is written immediately before the abnormality detection (a time about 100 times the time t1). The internal information read out as information and written during time t2 immediately after the abnormality detection is read out from the storage position after the address “y + 1”.

バンクが変更されてから変更後のバンクでの循環的な書き込みが何巡目であるかは、カウントされておりRAMなどに記憶されている。例えば、バンクの変更時に変数Cを「1」に初期化しておき、最後尾アドレスの記憶位置に内部情報が書き込まれた後に変数Cに「1」を加算していく。変数Cが「2」以上の状態でバンクの変更がされた場合、異常検出直前の時間t1の間に書き込まれた内部情報はすべて変更前のバンクに記憶されているので、上記の読出処理で読み出すことができる。しかし、変数Cが「1」の状態でバンクの変更がされた場合、異常検出直前の時間t1の間に書き込まれた内部情報の一部は、もう1つ前のバンクに記憶されている。例えば、第4バンクから第1バンクに変更されて、第1バンクの1巡目(C=1)の書き込み時に異常が検出された場合、異常検出直前の内部情報の一部を、第4バンクからも読み出す必要がある。   The number of cycles of cyclic writing in the changed bank since the bank was changed is counted and stored in the RAM or the like. For example, the variable C is initialized to “1” when the bank is changed, and “1” is added to the variable C after the internal information is written in the storage location of the last address. When the bank is changed while the variable C is “2” or more, all the internal information written during the time t1 immediately before the abnormality detection is stored in the bank before the change. Can be read. However, when the bank is changed while the variable C is “1”, part of the internal information written during the time t1 immediately before the abnormality detection is stored in the previous bank. For example, when an abnormality is detected when writing from the fourth bank to the first bank and writing in the first cycle (C = 1) of the first bank, a part of the internal information immediately before the abnormality is detected is transferred to the fourth bank. It is also necessary to read from.

次に、異常検出直後の時間t2の間の内部情報を書き込んでいる途中(図3のステップS4とS5のループ中)に再度異常が検出された場合の処理について、図5を参照して説明する。   Next, processing when an abnormality is detected again during the writing of internal information during time t2 immediately after the abnormality detection (in the loop of steps S4 and S5 in FIG. 3) will be described with reference to FIG. To do.

図5(a)は、アドレス「y」の記憶位置に内部情報が記憶された後に異常が検出され、アドレス「y’」の記憶位置に内部情報が記憶された後に再度異常が検出された状態を示している。この場合、変数tとは別に、時間を計時するための変数t’が「0」に初期化されて計時を開始する。第1バンクへの書き込みは、最初の異常検出からt2まで、アドレス「y+z」の記憶位置まで継続されている。   FIG. 5A shows a state in which an abnormality is detected after the internal information is stored at the storage location of the address “y”, and the abnormality is detected again after the internal information is stored at the storage location of the address “y ′”. Is shown. In this case, separately from the variable t, a variable t ′ for measuring time is initialized to “0” and time measurement is started. The writing to the first bank is continued from the first abnormality detection to the storage location of the address “y + z” from t2.

同図(b)は、同図(a)の後、2回目の異常検出(t’=0)からt2までの間に内部情報がz回書き込まれた状態を示している。第2バンクのアドレス「y’−y−1」の記憶位置まで、2回目の異常検出後の内部情報が書き込まれている。2回目の異常検出後の内部情報は、第1バンクのアドレス「y’+1」から「y+z」までの記憶位置に(y+z−y’)回分がすでに書き込まれているので、第2バンクには、残りの(y’−y){=z−(y+z−y’)}回分が書き込まれている。   FIG. 6B shows a state in which the internal information is written z times from the second abnormality detection (t ′ = 0) to t2 after FIG. Internal information after the second abnormality detection is written up to the storage position of the address “y′-y−1” in the second bank. Since the internal information after the second abnormality detection has already been written (y + z−y ′) times in the storage locations from the addresses “y ′ + 1” to “y + z” in the first bank, The remaining (y′−y) {= z− (y + z−y ′)} times are written.

同図(c)は、同図(b)の直後のバンクが変更された状態を示している。指定されているバンクが第3バンクになり、第3バンクのアドレス「0」が指定されている。この後は、内部情報が第3バンクに循環的に書き込まれる。最初の異常検出前後の内部情報は第1バンクに残されており、2回目の異常検出前後の内部情報は第1バンクおよび第2バンクに残されている。   FIG. 4C shows a state in which the bank immediately after FIG. The designated bank is the third bank, and the address “0” of the third bank is designated. Thereafter, the internal information is cyclically written to the third bank. Internal information before and after the first abnormality detection is left in the first bank, and internal information before and after the second abnormality detection is left in the first bank and the second bank.

第1バンクに記憶されている、最初の異常検出前後の内部情報の読出処理は、上記の読出処理と同じである。2回目の異常検出前後の内部情報の読出処理(以下では「第2の読出処理」とする)について、以下に説明する。第2の読出処理は、2回目の異常検出があってバンクの変更が行われた時に開始される。   The internal information read process before and after the first abnormality detection stored in the first bank is the same as the above read process. The internal information reading process before and after the second abnormality detection (hereinafter referred to as “second reading process”) will be described below. The second reading process is started when there is a second abnormality detection and the bank is changed.

第2の読出処理では、変更前のバンク(図5においては第1バンク)のアドレス「y’+z+1」の記憶位置から順にアドレス「x−1」の記憶位置までの内部情報が読み出される。なお、第1バンクの読出し開始位置は、最初の異常検出がなかったとした場合に第1バンクに書き込みされていたはずである最後のアドアレス「y’+z」の次のアドレス「y’+z+1」になる。続いて、第1バンクのアドレス「0」の記憶位置からアドレス「y+z」の記憶位置までの内部情報が読み出される。そして、変更前のバンク(図5においては第2バンク)のアドレス「0」の記憶位置から順にアドレス「y’−y−1」の記憶位置までの内部情報が読み出される。このうち、第1バンクのアドレス「y’+z+1」〜「x−1」、「0」〜「y’」の記憶位置の内部情報が、2回目の異常検出直前の時間t1の間に書き込まれた内部情報に該当し、第1バンクのアドレス「y’+1」〜「y+z」および第2バンクのアドレス「0」〜「y’−y−1」の記憶位置(図6における斜線の領域参照)の内部情報が、2回目の異常検出直後の時間t2の間に書き込まれた内部情報に該当する。   In the second reading process, internal information from the storage location of the address “y ′ + z + 1” in the bank before change (the first bank in FIG. 5) to the storage location of the address “x−1” is read in order. Note that the read start position of the first bank is the address “y ′ + z + 1” next to the last address “y ′ + z” that should have been written to the first bank when the first abnormality was not detected. Become. Subsequently, internal information from the storage location of the address “0” of the first bank to the storage location of the address “y + z” is read. Then, internal information from the storage position of the address “0” in the bank before the change (second bank in FIG. 5) to the storage position of the address “y′−y−1” is read in order. Among these, the internal information of the storage positions of the addresses “y ′ + z + 1” to “x−1” and “0” to “y ′” of the first bank is written during the time t1 immediately before the second abnormality detection. The storage locations of the addresses “y ′ + 1” to “y + z” of the first bank and the addresses “0” to “y′−y−1” of the second bank (see the hatched area in FIG. 6) ) Corresponds to the internal information written during the time t2 immediately after the second abnormality detection.

本実施形態によると、異常が検出されない間は、1のバンクに内部情報が循環的に書き込まれる。そして、異常が検出された場合に、内部情報を書き込むバンクが別のバンクに変更される。したがって、異常が検出される直前に書き込まれた内部情報に上書きされることを防ぐことができる。   According to the present embodiment, internal information is cyclically written in one bank while no abnormality is detected. When an abnormality is detected, the bank into which the internal information is written is changed to another bank. Therefore, it is possible to prevent the internal information written immediately before the abnormality is detected from being overwritten.

また、バンクの変更のタイミングを、異常が検出された時から所定時間経過後としているので、異常が検出された直後の内部情報も、同じバンクに残すことができる。これにより、異常検出前後の内部情報を、上書きされないように残すことができ、異常の原因究明に用いることができる。   In addition, since the bank change timing is set to be after a predetermined time from the time when the abnormality is detected, the internal information immediately after the abnormality is detected can be left in the same bank. Thereby, the internal information before and after the abnormality detection can be left without being overwritten, and can be used for investigating the cause of the abnormality.

また、本実施形態では、入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値を第1サンプリングタイムごとにサンプリングして第1領域に書き込み、系統周波数、出力電力値、日射量、気温、温度、各種パラメータの値および運転状態を、第1サンプリングタイムの100倍程度長い第2サンプリングタイムごとに第2領域に書き込んでいる。したがって、入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値を波形が再現できるように記憶しつつ、その他の内部情報を長い時間記憶しておくことができる。これにより、異常検出前後の各波形を参照することができ、かつ、異常検出前の系統周波数や日射量などについて長い時間の変化状態を参照することができる。   In this embodiment, the instantaneous values of the input current, input voltage, output current, and output voltage are sampled at the first sampling time and written to the first area, and the system frequency, output power value, solar radiation amount, temperature, The temperature, the values of various parameters, and the operating state are written in the second area for each second sampling time that is about 100 times longer than the first sampling time. Therefore, while storing the instantaneous values of the input current, input voltage, output current, and output voltage so that the waveform can be reproduced, other internal information can be stored for a long time. Thereby, each waveform before and after the abnormality detection can be referred to, and a long-time change state can be referred to regarding the system frequency and the amount of solar radiation before the abnormality detection.

なお、上記第1実施形態においては、記憶部41に4つのバンクを設けている場合について説明したが、これに限られない。4つのバンクを設けるのではなく、1つの記憶領域を4つの記憶領域に分けて、書き込みを循環させる領域をアドレスで区別するようにしてもよい。例えば、図6は、1つの記憶領域をアドレス「0」〜「x−1」、アドレス「x」〜「2x−1」、アドレス「2x」〜「3x−1」、アドレス「3x」〜「4x−1」の領域に分けた例を示している。この場合、例えば、アドレス「0」〜「x−1」の記憶位置に循環的に書き込みを行い、異常が検出されてから時間t2経過後に次の書き込みアドレスを「x」にして、その後はアドレス「x」〜「2x−1」の記憶位置に循環的に書き込みを行うようにしてもよい。また、1つの記憶領域を有する記憶部41を複数設けて、1つの記憶部41の記憶領域内で循環的に書き込みを行い、異常が検出された場合に、書き込み先を別の記憶部41の記憶領域に切り替えるようにしてもよい。要するに、1つの記憶領域全体で循環的に書き込みを行うと、古い内部情報が新しい内部情報によって上書きされてしまうので、異常が検出された場合に、書き込み先をそれまでの循環的な書き込み領域から別の循環的な書き込み領域に切り替えることで、切り替え前に書き込まれた内部情報が上書きされないようにすればよい。   In the first embodiment, the case where four banks are provided in the storage unit 41 has been described. However, the present invention is not limited to this. Instead of providing four banks, one storage area may be divided into four storage areas, and an area in which writing is circulated may be distinguished by an address. For example, FIG. 6 shows that one storage area has addresses “0” to “x−1”, addresses “x” to “2x−1”, addresses “2x” to “3x−1”, and addresses “3x” to “3x”. An example divided into “4x−1” areas is shown. In this case, for example, the writing is cyclically performed to the storage positions of the addresses “0” to “x−1”, the next writing address is set to “x” after the elapse of time t2 after the abnormality is detected, and then the address You may make it write in the memory position of "x"-"2x-1" cyclically. Also, a plurality of storage units 41 having one storage area are provided, and writing is performed cyclically in the storage area of one storage unit 41. When an abnormality is detected, the write destination is stored in another storage unit 41. You may make it switch to a storage area. In short, if writing is performed cyclically in one storage area, old internal information is overwritten by new internal information, so if an abnormality is detected, the write destination is changed from the previous circular write area. By switching to another circular writing area, the internal information written before the switching may be prevented from being overwritten.

上記第1実施形態においては、記憶部41に4つのバンクを設けているので、3回の異常検出まで異常検出前後の内部情報を残しておくことができる。設けるバンクの数は4つに限定されず、2つ以上であればよい。ただし、バンクが2つだけの場合、1回目の異常検出前後の内部情報を読み出しきる前に次の異常が検出されてバンクの変更が行われると、1回目の異常検出前後の内部情報が上書きされてしまう可能性がある。また、バンクを多く設けた場合、多くの記憶容量が必要になる。したがって、設けるバンクの数は4つほどが適当である。   In the first embodiment, since four banks are provided in the storage unit 41, internal information before and after the abnormality detection can be left until the abnormality is detected three times. The number of banks to be provided is not limited to four and may be two or more. However, if there are only two banks, the internal information before and after the first abnormality detection is overwritten if the next abnormality is detected and the bank is changed before the internal information before and after the first abnormality detection is read. There is a possibility of being. Further, when many banks are provided, a large storage capacity is required. Therefore, it is appropriate that the number of banks provided is about four.

上記第1実施形態においては、異常が検出されてバンクが変更された場合に、変更前のバンク全体に記憶されている内部情報を読み出す場合について説明したが、これに限られない。各バンクの記憶容量が時間(t1+t2)以上分の内部情報を記憶できる場合には、バンク全体を読み出す必要はなく、異常検出直前の時間t1および異常検出直後の時間t2に対応する内部情報のみを読み出せばよい。   In the first embodiment, the case where the internal information stored in the entire bank before the change is read when an abnormality is detected and the bank is changed has been described. However, the present invention is not limited to this. When the storage capacity of each bank can store internal information for time (t1 + t2) or more, it is not necessary to read the entire bank, only internal information corresponding to time t1 immediately before abnormality detection and time t2 immediately after abnormality detection. Read it out.

上記第1実施形態においては、各バンクに第1領域と第2領域とを設け、サンプリングタイムが異なる内部情報を別々に書き込む場合について説明したが、これに限られない。すべての内部情報を同じサンプリングタイムで取得して書き込むようにしてもよい。また、入力電流、入力電圧、出力電流および出力電圧の各瞬時値だけを記憶する場合や、系統周波数、出力電力値、日射量、気温、温度、各種パラメータの値および運転状態だけを記憶する場合には、各内部情報を同じサンプリングタイムで取得すればよい。また、3種類以上のサンプリングタイムを設定して、各サンプリングタイムで当該サンプリングタイムで記憶すべき内部情報を記憶するようにしてもよい。   In the first embodiment, the case where the first area and the second area are provided in each bank and internal information having different sampling times is written separately has been described. However, the present invention is not limited to this. All internal information may be acquired and written at the same sampling time. Also, when storing only the instantaneous values of input current, input voltage, output current, and output voltage, or when storing only system frequency, output power value, solar radiation, temperature, temperature, various parameter values, and operating status The internal information may be acquired at the same sampling time. Also, three or more types of sampling times may be set, and internal information to be stored at each sampling time may be stored.

上記第1実施形態においては、異常検出時に読出部44が読み出した内部情報を、管理用コンピュータDが分析する場合について説明したが、これに限られない。図7(a)に示すように、異常検出時に読出部44(記憶回路4)が読み出した内部情報をパワーコンディショナA内部の分析回路7で分析して、分析結果を表示回路8に表示するようにしてもよい。また、図7(b)に示すように、分析結果を通信回路5が管理用コンピュータDに送信するようにしてもよい。なお、図7(a)、(b)においては、図1に記載のパワーコンディショナAと共通する部分の記載を省略している。   In the first embodiment, the case where the management computer D analyzes the internal information read by the reading unit 44 when an abnormality is detected has been described. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 7A, the internal information read by the reading unit 44 (storage circuit 4) at the time of abnormality detection is analyzed by the analysis circuit 7 inside the power conditioner A, and the analysis result is displayed on the display circuit 8. You may do it. In addition, as shown in FIG. 7B, the communication circuit 5 may transmit the analysis result to the management computer D. In FIGS. 7A and 7B, the description of the parts common to the power conditioner A shown in FIG. 1 is omitted.

上記第1実施形態においては、本発明に係るパワーコンディショナを太陽光発電システムに用いた場合について説明したが、これに限られない。例えば、本発明に係るパワーコンディショナを、風力発電システムなどの自然エネルギーを利用して発電を行う発電システムや燃料電池システムなどに用いるようにしてもよい。これらの場合にも、異常検出前後に書き込まれた内部情報を、上書きされないように残すことができ、異常の原因究明に用いることができる。   In the said 1st Embodiment, although the case where the power conditioner which concerns on this invention was used for the solar energy power generation system was demonstrated, it is not restricted to this. For example, the power conditioner according to the present invention may be used in a power generation system or a fuel cell system that generates power using natural energy such as a wind power generation system. Also in these cases, the internal information written before and after the abnormality detection can be left without being overwritten, and can be used for investigating the cause of the abnormality.

本発明に係るパワーコンディショナ、および、記憶方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るパワーコンディショナ、および、記憶方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The power conditioner and the storage method according to the present invention are not limited to the above-described embodiments. The specific configuration of each part of the power conditioner and the storage method according to the present invention can be modified in various ways.

A パワーコンディショナ
1 インバータ回路
21 直流電流センサ
22 直流電圧センサ
23 電流センサ
24 電圧センサ
25 日射センサ
26 気温センサ
27 温度センサ
3 制御回路
4 記憶回路
41 記憶部(記憶手段)
42 書込部(書込手段)
43 バンク変更部(記憶領域変更手段)
44 読出部(読出手段)
5 通信回路(通信手段)
6 異常検出回路(異常検出手段)
7 分析回路
8 表示回路
B 太陽電池
C 電力系統
D 管理用コンピュータ
A power conditioner 1 inverter circuit 21 DC current sensor 22 DC voltage sensor 23 current sensor 24 voltage sensor 25 solar radiation sensor 26 temperature sensor 27 temperature sensor 3 control circuit 4 storage circuit 41 storage unit (storage means)
42 Writing section (writing means)
43 Bank changing section (storage area changing means)
44 Reading section (reading means)
5 Communication circuit (communication means)
6 Abnormality detection circuit (abnormality detection means)
7 Analysis circuit 8 Display circuit B Solar battery C Power system D Management computer

Claims (12)

インバータ回路によって直流電力を交流電力に変換して出力するパワーコンディショナであって、
複数の記憶領域を有する記憶手段と、
前記記憶領域の内の1の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む書込手段と、
異常を検出する異常検出手段と、
前記異常検出手段によって異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する記憶領域変更手段と、
を備え
前記書込手段は、変更後の記憶領域にも、取得した情報を順に循環的に書き込む、
ことを特徴とするパワーコンディショナ。
A power conditioner that converts DC power into AC power by an inverter circuit and outputs the power,
Storage means having a plurality of storage areas;
Writing means for sequentially writing the acquired information in one storage area of the storage areas;
An anomaly detecting means for detecting an anomaly;
A storage area changing means for changing a storage area for writing information to another storage area when an abnormality is detected by the abnormality detection means;
Equipped with a,
The writing means cyclically writes the acquired information in order in the changed storage area.
A power conditioner characterized by that.
前記記憶領域変更手段は、前記異常検出手段によって異常が検出された時から所定時間経過後に、前記情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する、
請求項1に記載のパワーコンディショナ。
The storage area changing means changes the storage area to which the information is written to another storage area after a predetermined time has elapsed since the abnormality was detected by the abnormality detection means.
The power conditioner according to claim 1.
前記所定時間は、前記情報を書き込む記憶領域の記憶容量の半分未満の情報を書き込むための時間である、
請求項2に記載のパワーコンディショナ。
The predetermined time is a time for writing information less than half of a storage capacity of a storage area in which the information is written.
The power conditioner according to claim 2.
前記記憶領域変更手段によって記憶領域が変更された場合に、変更される前の記憶領域に記憶されている情報を読み出す読出手段と、
前記読み出された情報を送信する通信手段と、
をさらに備えている、
請求項1ないし3のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
When the storage area is changed by the storage area changing means, reading means for reading information stored in the storage area before being changed,
A communication means for transmitting the read information;
Further equipped with,
The power conditioner according to any one of claims 1 to 3.
前記記憶領域変更手段によって記憶領域が変更された場合に、変更される前の記憶領域に記憶されている情報を読み出す読出手段と、
前記読み出された情報を分析する分析手段と、
をさらに備えている、
請求項1ないし3のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
When the storage area is changed by the storage area changing means, reading means for reading information stored in the storage area before being changed,
Analyzing means for analyzing the read information;
Further equipped with,
The power conditioner according to any one of claims 1 to 3.
前記異常検出手段は、短絡、地絡、単独運転、瞬低、周波数異常、過電圧、過電流、温度異常のいずれかを、異常として検出する、
請求項1ないし5のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
The abnormality detection means detects any one of a short circuit, ground fault, isolated operation, voltage drop, frequency abnormality, overvoltage, overcurrent, and temperature abnormality as an abnormality.
The power conditioner in any one of Claim 1 thru | or 5.
前記書込手段は、第1のサンプリングタイムごとに検出される情報と、前記第1のサンプリングタイムより長い第2のサンプリングタイムごとに検出される情報とを、それぞれ循環的に書き込む、
請求項1ないし6のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
The writing means cyclically writes information detected every first sampling time and information detected every second sampling time longer than the first sampling time;
The power conditioner in any one of Claim 1 thru | or 6.
前記第1のサンプリングタイムごとに検出される情報は、前記インバータ回路の入出力についての電気的情報である、
請求項7に記載のパワーコンディショナ。
Information detected at each first sampling time is electrical information about input and output of the inverter circuit.
The power conditioner according to claim 7.
前記第2のサンプリングタイムごとに検出される情報は、前記インバータ回路の出力電力値である、
請求項7または8に記載のパワーコンディショナ。
The information detected every second sampling time is an output power value of the inverter circuit.
The power conditioner according to claim 7 or 8.
前記記憶手段は4つの記憶領域を有している、請求項1ないし9のいずれかに記載のパワーコンディショナ。   The power conditioner according to claim 1, wherein the storage unit has four storage areas. 太陽電池が出力する直流電力を変換して電力系統に出力する、
請求項1ないし10のいずれかに記載のパワーコンディショナ。
Converts the DC power output by the solar cell and outputs it to the power system.
The power conditioner in any one of Claims 1 thru | or 10.
インバータ回路の入出力についての電気的情報を記憶手段に記憶する記憶方法であって、
前記記憶手段は複数の記憶領域を有しており、
前記記憶領域の内の1の記憶領域に、取得した情報を順に循環的に書き込む第1の工程と、
異常を検出する第2の工程と、
異常が検出された場合に、情報を書き込む記憶領域を別の記憶領域に変更する第3の工程と、
を備え
変更後の記憶領域にも、取得した情報を順に循環的に書き込む、
ことを特徴とする記憶方法。
A storage method for storing electrical information about input / output of an inverter circuit in a storage means,
The storage means has a plurality of storage areas,
A first step of cyclically writing the acquired information in order in one of the storage areas;
A second step of detecting an abnormality;
A third step of changing a storage area in which information is written to another storage area when an abnormality is detected;
Equipped with a,
In the storage area after the change, the acquired information is written cyclically in order.
And a storage method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004201421A (en) * 2002-12-19 2004-07-15 Aisin Aw Co Ltd Vehicle drive control device, vehicle drive control method and its program
JP4599969B2 (en) * 2004-09-28 2010-12-15 富士電機システムズ株式会社 Power converter and failure analysis method
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