JP6255872B2 - Light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、発光素子とパッケージとを備える発光装置とその製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element and a package, and a manufacturing method thereof.

従来、液晶テレビ用バックライト、照明器具、或いは光通信用デバイスなどの光源として発光装置が広く用いられている。発光装置は、発光素子と、発光素子を収容する凹部を有するパッケージと、を備える(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, light emitting devices have been widely used as light sources for backlights for liquid crystal televisions, lighting fixtures, optical communication devices, and the like. The light-emitting device includes a light-emitting element and a package having a recess that accommodates the light-emitting element (see, for example, Patent Document 1).

特開2010−153624号公報JP 2010-153624 A

ところで、発光装置の耐久性を向上させるために、発光装置の部材の表面を被覆膜で覆うことが有効だと考えられる。   By the way, in order to improve the durability of the light emitting device, it is considered effective to cover the surface of the member of the light emitting device with a coating film.

しかしながら、被覆膜で樹脂を含有するパッケージの内周面を被覆すると、光と熱によって樹脂材料が分解されて生成される物質がパッケージ内部にとどまりやすいため、パッケージが変色するおそれがある。また、被覆膜によってパッケージ内部への酸素の供給が遮られると、パッケージの構成材料の分解が進むことで一時的にパッケージが変色してしまうおそれもある。   However, when the inner peripheral surface of the package containing the resin is covered with the coating film, a substance generated by decomposition of the resin material by light and heat tends to stay inside the package, and thus the package may be discolored. In addition, when the supply of oxygen to the inside of the package is blocked by the coating film, the package may be temporarily discolored due to the progress of decomposition of the constituent materials of the package.

本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、発光装置の耐久性を向上しつつ、パッケージの変色を抑制できる発光装置とその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of suppressing discoloration of a package while improving the durability of the light emitting device, and a method for manufacturing the same.

本発明に係る発光装置の製造方法は、発光素子が搭載される樹脂を含む基材で構成されるパッケージを用意する工程と、前記パッケージの表面を透光性と絶縁性を有する被覆膜によって覆う工程と、前記被覆膜に部分的に通気性の高い部分を設ける工程と、を備える。また、本発明に関わる発光装置は、発光素子と、前記発光素子が搭載される樹脂パッケージと、少なくとも前記樹脂パッケージの表面を覆い、透光性と絶縁性を有する被覆膜と、を備え、前記被覆膜は、前記樹脂パッケージの表面において、通気性の高い部分と低い部分とを有している。   The method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a step of preparing a package including a base material including a resin on which a light emitting element is mounted, and a surface of the package by a coating film having translucency and insulation. A step of covering, and a step of partially providing a highly breathable portion on the coating film. The light emitting device according to the present invention includes a light emitting element, a resin package on which the light emitting element is mounted, and a coating film that covers at least the surface of the resin package and has translucency and insulation, The coating film has a portion having high air permeability and a portion having low air permeability on the surface of the resin package.

本発明によれば、パッケージの耐久性を向上しつつ、パッケージの変色を抑制できる発光装置とその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the light-emitting device which can suppress the discoloration of a package, improving the durability of a package, and its manufacturing method can be provided.

本発明の一実施形態に関わる発光装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に関わるパッケージと被覆膜と除去部の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the package, coating film, and removal part concerning one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に関わるパッケージと被覆膜と肉薄部の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the package, coating film, and thin part concerning one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に関わる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing method of the light-emitting device concerning one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に関わる被覆膜の通気性が高い部分の概略図であり、除去部または肉薄部の形状の例を示す図である。It is the schematic of the part with high air permeability of the coating film in connection with one Embodiment of this invention, and is a figure which shows the example of the shape of a removal part or a thin part.

次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なっている場合がある。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may be different from the actual one. Accordingly, specific dimensions and the like should be determined in consideration of the following description.

発光装置100の構成について、図面を参照しながら説明する。図1は、発光装置100の構成を示す概略平面図である。図2は、図1のA−Aにおける概略断面図である。   The configuration of the light emitting device 100 will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the light emitting device 100. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

本実施形態の発光装置100は、主に、発光素子10と、パッケージ20と、一対のリード30と、被覆膜40と、封止部材50と、を備える。   The light emitting device 100 of this embodiment mainly includes a light emitting element 10, a package 20, a pair of leads 30, a coating film 40, and a sealing member 50.

発光素子10
発光素子10は、発光装置に搭載される。発光素子10は、パッケージ20が少なくともその一部を形成する凹部22C内に収容されることが好ましい。例えば、発光素子10は、凹部22Cの底面に載置され、図1に示すように、凹部22Cの底面(例えばリード30上)に載置されることができる。発光素子10は、接着材によって、リード30に固定される。発光素子10は、第1ワイヤ10aと第2ワイヤ10bを介して、リード30と電気的に接続される。
Light emitting element 10
The light emitting element 10 is mounted on a light emitting device. The light emitting element 10 is preferably accommodated in a recess 22C in which the package 20 forms at least a part thereof. For example, the light emitting element 10 can be placed on the bottom surface of the recess 22C, and can be placed on the bottom surface of the recess 22C (for example, on the lead 30) as shown in FIG. The light emitting element 10 is fixed to the lead 30 with an adhesive. The light emitting element 10 is electrically connected to the lead 30 via the first wire 10a and the second wire 10b.

発光素子10は、その一部に発光を行う半導体層を備える。発光素子10としては、例えば、AlXGaYInZNの一般式で表される窒化物半導体によって構成される青色や紫外発光のLEDを用いることができる。なお、0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1である。   The light emitting element 10 includes a semiconductor layer that emits light in a part thereof. As the light emitting element 10, for example, a blue or ultraviolet light emitting LED formed of a nitride semiconductor represented by a general formula of AlXGaYInZN can be used. Note that 0 ≦ X ≦ 1, 0 ≦ Y ≦ 1, 0 ≦ Z ≦ 1, and X + Y + Z = 1.

このような発光素子10は、例えば、MOCVD法などの気相成長法によって、基板上にInN、AlN、InGaN、AlGaN、InGaAlNなどの窒化物半導体をエピタキシャル成長させることで形成することができる。   Such a light emitting element 10 can be formed, for example, by epitaxially growing a nitride semiconductor such as InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN on a substrate by a vapor phase growth method such as MOCVD.

発光素子10は、窒化物半導体のほか、ZnO、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlInGaP等の半導体によって構成されていてもよい。このような半導体は、n型半導体層、発光層(活性層)、p型半導体層が順に形成された積層構造を有していてもよい。発光層には、多重量子井戸構造や単一量子井戸構造をした積層半導体又はダブルへテロ構造の積層半導体を用いることが好ましい。なお、サファイア基板などの透光性基板を用いた場合、不透光性基板を用いた場合に比べて、発光層から側方に向かって光が出射されやすいため、パッケージ20に対する影響は強まる。   The light emitting element 10 may be made of a semiconductor such as ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, and AlInGaP in addition to the nitride semiconductor. Such a semiconductor may have a stacked structure in which an n-type semiconductor layer, a light emitting layer (active layer), and a p-type semiconductor layer are sequentially formed. For the light emitting layer, it is preferable to use a laminated semiconductor having a multiple quantum well structure or a single quantum well structure or a laminated semiconductor having a double hetero structure. Note that when a light-transmitting substrate such as a sapphire substrate is used, light is more easily emitted from the light emitting layer toward the side than when a light-impermeable substrate is used, and thus the influence on the package 20 is increased.

発光素子10の出射光のピーク波長は、半導体の材料やその混晶(組成比)に応じて、紫外光から赤外光まで選択することができる。出射光のピーク波長は、350nm〜800nmとすることができ、360nm〜520nmであることが好ましく、420nm〜480nm(すなわち、可視光の短波長領域)であることがより好ましい。なお、出射光の波長が短いほど出射光のエネルギーが高まるため、パッケージ20に対する影響は強まる。   The peak wavelength of the emitted light from the light emitting element 10 can be selected from ultraviolet light to infrared light depending on the semiconductor material and its mixed crystal (composition ratio). The peak wavelength of the emitted light can be 350 nm to 800 nm, preferably 360 nm to 520 nm, and more preferably 420 nm to 480 nm (that is, the short wavelength region of visible light). In addition, since the energy of emitted light increases as the wavelength of emitted light is shorter, the influence on the package 20 becomes stronger.

また、発光素子10は、正負の電極が同一面側に形成されていてもよいし、n側電極とp側電極が半導体を挟んでそれぞれ反対側に形成されていてもよい。発光素子10は、少なくとも一つの電極が上面に設けられた発光素子を用い、上面と反対側の下面側が実装されるフェイスアップ実装や、同一面側に正負の電極が設けられ、その面が実装されるフリップチップ実装のいずれであってもよい。   In the light emitting element 10, positive and negative electrodes may be formed on the same surface side, or an n-side electrode and a p-side electrode may be formed on opposite sides of the semiconductor, respectively. The light emitting element 10 uses a light emitting element in which at least one electrode is provided on the upper surface, face-up mounting in which the lower surface side opposite to the upper surface is mounted, and positive and negative electrodes are provided on the same surface side, and the surface is mounted Any of flip chip mounting may be used.

パッケージ20
発光装置100は、例えば、発光素子10を収容するための凹部22Cを有する。パッケージ20は、発光装置100の少なくとも一部を形成し、好ましくは前記凹部22Cの内周面22Sの少なくとも一部を形成する。凹部22Cは、少なくとも基部21と、側壁部22と、を有する。本実施形態においては、パッケージ20は、発光装置100の側面を形成するとともに凹部22Cの内周面の略全面を形成している。凹部22Cの基部21と側壁部22は、パッケージ20でとして一体成形されている。
Package 20
The light emitting device 100 has, for example, a recess 22C for housing the light emitting element 10. The package 20 forms at least a part of the light emitting device 100, and preferably forms at least a part of the inner peripheral surface 22S of the recess 22C. The recess 22 </ b> C includes at least a base portion 21 and a side wall portion 22. In the present embodiment, the package 20 forms the side surface of the light emitting device 100 and the substantially entire inner peripheral surface of the recess 22C. The base portion 21 and the side wall portion 22 of the recess 22 </ b> C are integrally formed as a package 20.

発光素子10の出射光は、凹部22Cの内周面22Sに反射されることによって、凹部22Cから外部に放出される。凹部22Cは、略四角錐台形に形成されており、凹部22Cの開口側に向かって徐々に広がっている。これによって、発光素子10の出射光の効率的な発光装置100外部への放出が図られている。ただし、内周面22Sは、凹部22Cの底面に対して略垂直であってもよい。   The light emitted from the light emitting element 10 is reflected from the inner peripheral surface 22S of the recess 22C, and is emitted from the recess 22C to the outside. The recess 22C is formed in a substantially quadrangular pyramid shape and gradually expands toward the opening side of the recess 22C. As a result, the light emitted from the light emitting element 10 is efficiently emitted to the outside of the light emitting device 100. However, the inner peripheral surface 22S may be substantially perpendicular to the bottom surface of the recess 22C.

凹部22Cの底面に平行な方向において、発光素子10と側壁部22(すなわち、内周面22S)との間隔DTは、0.05mm〜2mmとすることができる。間隔DTが0.5mm以下である場合、発光素子10の出射光が側壁部22に与える影響が大きくなり、側壁部22は熱と光によって分解されやすい。なお、内周面22Sが凹部22Cの底面に対して略垂直である場合には、発光素子10と内周面22Sの間隔DTが小さくなりやすいため、発光素子10の出射光が側壁部22に与える影響は特に大きくなる。   In a direction parallel to the bottom surface of the recess 22C, the distance DT between the light emitting element 10 and the side wall portion 22 (that is, the inner peripheral surface 22S) can be 0.05 mm to 2 mm. When the distance DT is 0.5 mm or less, the influence of the light emitted from the light emitting element 10 on the side wall portion 22 is increased, and the side wall portion 22 is easily decomposed by heat and light. When the inner peripheral surface 22S is substantially perpendicular to the bottom surface of the concave portion 22C, the distance DT between the light emitting element 10 and the inner peripheral surface 22S tends to be small, so that the emitted light from the light emitting element 10 enters the side wall portion 22. The effect will be particularly large.

本実施形態において、パッケージ20の外形は、略直方体形状であるが、これに限らず円柱、三角柱、五角柱以上の多角柱、或いはこれらに近似する形状であってもよい。パッケージ20は、下記の基材と粒子などの材料を混合した後に、射出成型法やトランスファーモールド法で成形することによって形成することができる。   In the present embodiment, the outer shape of the package 20 is a substantially rectangular parallelepiped shape, but is not limited thereto, and may be a cylinder, a triangular prism, a polygonal prism of five or more prisms, or a shape similar to these. The package 20 can be formed by mixing the following base material and materials such as particles and then molding by an injection molding method or a transfer molding method.

本実施形態において、パッケージ20は、樹脂と任意に含有されるフィラーによって構成される基材と、基材に混合される複数の粒子と、を含む。   In the present embodiment, the package 20 includes a base material composed of a resin and an optionally contained filler, and a plurality of particles mixed with the base material.

基材の樹脂としては、どのような種類の樹脂でもよいが、熱硬化性樹脂が好適である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、トリアジン誘導体エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを用いることができる。パッケージ20に対する樹脂の含有率は、例えば10wt%〜30wt%とすることができる。   As the resin for the substrate, any kind of resin may be used, but a thermosetting resin is suitable. As the thermosetting resin, an epoxy resin, a triazine derivative epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, or the like can be used. The resin content with respect to the package 20 can be, for example, 10 wt% to 30 wt%.

エポキシ樹脂は機械的強度が高く、発光装置の支持体として好適に利用されるが、光によって比較的変色が起こりやすいという問題がある。そのため、エポキシ樹脂をパッケージの基材として用いる場合には、本発明の効果を良好に得ることができる。   Epoxy resins have high mechanical strength and are suitably used as a support for a light-emitting device, but have a problem that discoloration is likely to occur due to light. Therefore, when using an epoxy resin as a base material of a package, the effect of the present invention can be obtained satisfactorily.

基材のフィラーには、光反射部材、無機充填材、硬化触媒、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、光安定剤、離形剤などが含まれうる。本実施形態に係るフィラーは、光反射部材としての二酸化チタンと、無機充填材としての二酸化ケイ素と、を含んでいる。パッケージ20全体に対する二酸化チタンの含有率は、例えば10wt%〜30wt%とすることができる。パッケージ20全体に対する二酸化ケイ素の含有率は、例えば50wt%〜80wt%とすることができる。   The filler of the base material may include a light reflecting member, an inorganic filler, a curing catalyst, a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, a light shielding material, a light stabilizer, a release agent, and the like. The filler according to the present embodiment includes titanium dioxide as a light reflecting member and silicon dioxide as an inorganic filler. The content rate of titanium dioxide with respect to the whole package 20 can be 10 wt%-30 wt%, for example. The content rate of silicon dioxide with respect to the whole package 20 can be 50 wt%-80 wt%, for example.

リード30
本実施形態のように、発光装置100はリード30を有していてもよく、リード30が凹部22Cの底面に配置されてもよい。リード30は、通常、第1リード部31と、第2リード部32と、を有する。
Lead 30
Like this embodiment, the light-emitting device 100 may have the lead 30, and the lead 30 may be arrange | positioned at the bottom face of the recessed part 22C. The lead 30 usually has a first lead part 31 and a second lead part 32.

第1リード部31と第2リード部32は、外部電極と発光素子10を電気的に接続するための正負一対の電極である。第1リード部31と第2リード部32は、図1に示すように、凹部22Cの底面に配置され、それぞれが異なる方向に向かって延在する。第1リード部31と第2リード部32は、発光装置100の底面側に露出している。なお、第1リード部31と第2リード部32は、パッケージ20の側面から外部に突出していてもよい。この場合には、発光装置100の底面側に折り返されていてもよいし、発光装置100の側面から真っ直ぐ突出してもよい。   The first lead portion 31 and the second lead portion 32 are a pair of positive and negative electrodes for electrically connecting the external electrode and the light emitting element 10. As shown in FIG. 1, the first lead portion 31 and the second lead portion 32 are arranged on the bottom surface of the recess 22 </ b> C, and each extend in a different direction. The first lead portion 31 and the second lead portion 32 are exposed on the bottom surface side of the light emitting device 100. Note that the first lead portion 31 and the second lead portion 32 may protrude outward from the side surface of the package 20. In this case, the light emitting device 100 may be folded back to the bottom surface side, or may protrude straight from the side surface of the light emitting device 100.

リード30は、例えば、鉄、リン青銅、銅合金などの電気良導体を用いて形成される。リード30の表面には、発光素子10の出射光の反射率を高めるためのメッキ層が形成されていることが好ましい。メッキ層は、銀、アルミニウム、銅及び金などを含む材料によって構成することができ、特に反射率の高い銀を含んでいることが好ましい。メッキ層は、リード30のうち凹部22C内に露出した露出面30Sだけにメッキ処理することで形成してもよいし、個片化前のリードフレームの表面全体にメッキ処理することで形成してもよい。   The lead 30 is formed using a good electrical conductor such as iron, phosphor bronze, or copper alloy, for example. It is preferable that a plating layer for increasing the reflectance of the emitted light of the light emitting element 10 is formed on the surface of the lead 30. The plated layer can be made of a material containing silver, aluminum, copper, gold, and the like, and preferably contains silver having a high reflectance. The plating layer may be formed by plating only the exposed surface 30S exposed in the recess 22C of the lead 30, or by plating the entire surface of the lead frame before singulation. Also good.

被覆膜40
被覆膜40は、少なくとも、パッケージ20によって形成された部分の一部を被覆し、好ましくは、凹部22Cの内周面22Sの一部を被覆する。本実施形態においては、凹部22Cの内周面22Sの全面と、側壁部22の上面22Tと、リード30の露出面30Sと、発光素子10の表面と、を覆う。被覆膜40の厚みは、3nm〜100nmとすることができる。
Coating film 40
The coating film 40 covers at least a part of the part formed by the package 20, and preferably covers a part of the inner peripheral surface 22S of the recess 22C. In the present embodiment, the entire inner peripheral surface 22S of the recess 22C, the upper surface 22T of the side wall portion 22, the exposed surface 30S of the lead 30, and the surface of the light emitting element 10 are covered. The thickness of the coating film 40 can be 3 nm to 100 nm.

被覆膜40は、パッケージ20よりも緻密で通気性が低い膜であり、透光性を有する材料によって構成される。このような材料としては、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛などを主成分とするものが挙げられる。本実施形態において、「透光性を有する」とは、発光素子10の出射光の吸収率が50%以下であることを意味しており、特に20%以下であることが好ましい。また、被覆膜40は、絶縁性であることが好ましい。   The coating film 40 is a film that is denser and less breathable than the package 20 and is made of a light-transmitting material. Examples of such a material include materials mainly composed of aluminum oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zinc oxide and the like. In the present embodiment, “having translucency” means that the absorptance of the emitted light of the light emitting element 10 is 50% or less, and particularly preferably 20% or less. Moreover, it is preferable that the coating film 40 is insulating.

被覆膜40は、従来知られている薄膜形成法によって形成することができる。薄膜形成法としては、CVD(Chemical Vapor Deposition)法やスパッタリング法を挙げることができる。特に、被覆膜40の緻密性を向上させたい場合には、CVD法のうちALD法(Atomic Layer Deposition:原子層堆積法)が好適である。   The coating film 40 can be formed by a conventionally known thin film forming method. Examples of the thin film forming method include a CVD (Chemical Vapor Deposition) method and a sputtering method. In particular, when it is desired to improve the denseness of the coating film 40, the ALD method (Atomic Layer Deposition method) is preferable among the CVD methods.

被覆膜40は、パッケージ20で形成された凹部22Cの内周面22S、特に側壁部22を保護する保護膜として機能し、側壁部22の耐久性を向上させる。また、リード30の表面が銀メッキ層の場合であれば、被覆膜40は、リード30の硫化を抑制し、発光装置の耐久性を高める硫化抑制膜としても機能しうる。ただし、被覆膜40がALD法によって緻密に形成されている場合や、CVD法で厚めに形成されている場合には、銀の硫化を効果的に抑制できる一方でガス透過性は低くなる。そのため、パッケージ20が発光素子10からの出射光や熱によって分解された場合、分解生成物や酸素は被覆膜40を透過しにくくなるため、本発明の効果が高い。   The covering film 40 functions as a protective film that protects the inner peripheral surface 22S of the recess 22C formed by the package 20, particularly the side wall part 22, and improves the durability of the side wall part 22. Further, when the surface of the lead 30 is a silver plating layer, the coating film 40 can also function as a sulfidation suppressing film that suppresses sulfidation of the lead 30 and enhances the durability of the light emitting device. However, when the coating film 40 is densely formed by the ALD method or thickly formed by the CVD method, silver sulfidation can be effectively suppressed, but the gas permeability is lowered. Therefore, when the package 20 is decomposed by light emitted from the light emitting element 10 or heat, decomposition products and oxygen are difficult to pass through the coating film 40, and thus the effect of the present invention is high.

図2および図3は、本発明の一実施形態に関わるパッケージ20と被覆膜40の断面を模式的に示す概略断面図である。図4は本発明の一実施形態に関わる発光装置100の製造方法を説明する概略断面図である。図5は、本発明の一実施形態に関わる被覆膜40の通気性が高い部分の概略図であり、除去部40aまたは肉薄部40bの形状の例を示す図である。   2 and 3 are schematic cross-sectional views schematically showing cross sections of the package 20 and the coating film 40 according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic view of a highly breathable portion of the coating film 40 according to an embodiment of the present invention, and shows an example of the shape of the removal portion 40a or the thin portion 40b.

被覆膜40は、少なくとも一部に通気性の高い部分が形成されている。
図2、図3に示す実施形態においては、凹部22Cの内周面22Sを被覆する被覆膜40が除去されている、もしくは肉薄とされており、他の部分より通気性が高い部分を有する。これによって、パッケージ、特に凹部22Cの内周面22Sの側壁部が出射光の光や熱などによって分解された場合に、分解生成物を被覆膜40の除去部40aもしくは肉薄部40bからパッケージ20の外部に効率的に放出できる。その結果、分解生成物によってパッケージ20が変色することを抑制できる。さらに、被覆膜40の除去部40aもしくは肉薄部40bを介してパッケージ20に酸素を供給できるため、酸欠状態によって生じる構成材料の分解も抑制することができる。
The covering film 40 is formed with at least a part having high air permeability.
In the embodiment shown in FIGS. 2 and 3, the coating film 40 covering the inner peripheral surface 22S of the recess 22C is removed or thinned, and has a portion having higher air permeability than other portions. . As a result, when the package, in particular, the side wall portion of the inner peripheral surface 22S of the recess 22C is decomposed by the light or heat of the emitted light, the decomposition product is removed from the removal portion 40a or the thin portion 40b of the coating film 40 into the package 20. Can be efficiently discharged to the outside. As a result, it can suppress that the package 20 discolors with a decomposition product. Furthermore, since oxygen can be supplied to the package 20 through the removal part 40a or the thin part 40b of the coating film 40, decomposition of the constituent material caused by an oxygen deficient state can also be suppressed.

被覆膜40の通気性を高くするために、被覆膜40は成膜後に被覆膜を部分的に除去もしくは肉薄にされている。具体的には、被覆膜40がすべて除去されるか、肉薄になっている、もしくは疎らに除去もしくは肉薄にされている。このような通気性の高い部分を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、針等の治具で膜に穴をあける、レーザ照射で膜を分解、除去する、溶剤で膜を溶かす、プレスで膜を削りとる、プラズマ等で膜をエッチングする等などで行うことができる。   In order to increase the air permeability of the coating film 40, the coating film 40 is partially removed or thinned after the film formation. Specifically, the entire coating film 40 is removed or thinned, or is removed sparsely or thinned. The method for forming such a highly breathable part is not particularly limited, for example, making a hole in the film with a jig such as a needle, disassembling and removing the film by laser irradiation, dissolving the film with a solvent, The film can be removed by pressing, etching the film with plasma, or the like.

通気性の調節は、除去もしくは肉薄にする各工法の条件を変更することで容易に調節可能である。除去部40aや肉薄部40bの面積や個数を増やす、肉薄部40bの厚みを薄くすることで、通気性を高くすることができる。特に、針やレーザを用いる場合に、マスク等を用いることなく除去部40aや肉薄部40bを部分的に形成することが可能なため、量産性に優れる。また、穴の個数や大きさも容易に調整できるため好ましい。   The air permeability can be easily adjusted by changing the conditions of each method of removal or thinning. The air permeability can be increased by increasing the area and number of the removal portions 40a and the thin portions 40b and reducing the thickness of the thin portions 40b. In particular, when a needle or a laser is used, the removal portion 40a and the thin portion 40b can be partially formed without using a mask or the like, which is excellent in mass productivity. Further, the number and size of the holes can be easily adjusted, which is preferable.

被覆膜40の除去部40aもしくは肉薄部40bの面積は、例えば側壁部22の面積の1.5%〜100%であることが好ましい。被覆膜40がパッケージ20を保護するものである場合には、被覆膜40は疎らに除去もしくは肉薄とされることが好ましい。他の部材、例えばリード30を保護するものである場合などでは、パッケージ20を被覆するよう設けられた被覆膜40はすべて除去されてもよい。被覆膜40を疎らに(一部)除去もしくは肉薄とする場合には、針等の治具やレーザを用いることで容易に製造することができ、好ましい。   The area of the removed portion 40a or the thin portion 40b of the coating film 40 is preferably 1.5% to 100% of the area of the side wall portion 22, for example. When the coating film 40 protects the package 20, it is preferable that the coating film 40 is removed sparsely or thinned. In the case of protecting other members, for example, the lead 30, all of the coating film 40 provided to cover the package 20 may be removed. When the coating film 40 is loosely (partially) removed or thinned, it can be easily manufactured by using a jig such as a needle or a laser, which is preferable.

側壁部の被覆膜40を一部除去もしくは肉薄にする場合は、除去部40aもしくは肉薄部40bは側壁部の面積に応じて複数設けることが好ましい。複数の除去部40aもしくは肉薄部40bは、均一に分散させることが好ましい。これにより、パッケージ20の変色を良好に防止することができる。例えば、針やレーザで膜を除去する工法の場合は、直径5mm程度の穴の除去部40aを、500個/mm2程度、除去部40a同士の間隔がなるべく等間隔(均一)になるよう設けることが望ましい。   When part of the coating film 40 on the side wall part is removed or thinned, it is preferable to provide a plurality of the removing part 40a or the thin part 40b according to the area of the side wall part. The plurality of removed portions 40a or thin portions 40b are preferably dispersed uniformly. Thereby, discoloration of the package 20 can be favorably prevented. For example, in the case of a method of removing a film with a needle or a laser, a hole removal portion 40a having a diameter of about 5 mm is provided so that the distance between the removal portions 40a is as equal as possible (uniform). Is desirable.

また、除去部40aもしくは肉薄部40bの平面視の形状は、特に限定されず、図5(a)に示したような略円形に限るものではなく、楕円や、図5(b)に示すような四角、図5(c)に示すような線状などであっても良い。さらに、レーザ照射で膜を除去する場合は、エキシマレーザで垂直方向と水平方向に数回照射して、図5(d)に示すような格子状(網状)の除去部40aもしくは肉薄部40bを作っても良い。   Further, the shape of the removing portion 40a or the thin portion 40b in plan view is not particularly limited, and is not limited to the substantially circular shape as shown in FIG. 5A, but is an ellipse or as shown in FIG. It may be a square, a linear shape as shown in FIG. Further, when the film is removed by laser irradiation, the excimer laser is irradiated several times in the vertical and horizontal directions to form a lattice-like (net-like) removal portion 40a or thin portion 40b as shown in FIG. You can make it.

また、凹部の側壁部22のうち、発光素子10に近接した部分は、パッケージ20の変色が起こりやすい傾向がある。このため、被覆膜40の除去部40aまたは肉薄部40bは、凹部の側壁部22のうち発光素子に近接した部分においてのみ設けられる、もしくは他の部分よりも多く設けられることが好ましい。これにより、パッケージ20の変色を防止しながら、パッケージ20も保護することができる。   Further, in the side wall portion 22 of the recess, the portion close to the light emitting element 10 tends to cause discoloration of the package 20. For this reason, it is preferable that the removal part 40a or the thin part 40b of the coating film 40 is provided only in a part close to the light emitting element in the side wall part 22 of the concave part or more than the other part. As a result, the package 20 can be protected while preventing discoloration of the package 20.

封止部材50
本実施形態では、封止部材50は、凹部22Cに充填され、発光素子10を封止する。封止部材50の材料は特に限定されるものではないが、透光性、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。このような樹脂としては、前述した各種の熱硬化性樹脂が挙げられる。
Sealing member 50
In the present embodiment, the sealing member 50 is filled in the recess 22 </ b> C and seals the light emitting element 10. Although the material of the sealing member 50 is not specifically limited, It is preferable to use resin excellent in translucency, heat resistance, weather resistance, and light resistance. Examples of such a resin include the various thermosetting resins described above.

封止部材50は、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質などの公知の添加剤を含有していてもよい。拡散剤としては、例えばチタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素などが好適である。このような拡散剤を備えることにより、発光素子から発せられた光が拡散されるため、パッケージの変色を低減することができる。   The sealing member 50 may contain a known additive such as a filler, a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, and a reflective material. As the diffusing agent, for example, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide and the like are suitable. By providing such a diffusing agent, the light emitted from the light emitting element is diffused, so that discoloration of the package can be reduced.

また、封止部材50は、発光素子10の出射光を吸収して波長変換する蛍光物質を含有していてもよい。蛍光物質としては、例えば、Eu、Ceなどのランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、Euなどのランタノイド系、Mnなどの遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、Ceなどのランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、Euなどのランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等が挙げられる。このような蛍光物質を備えることにより、発光素子から出射された光の少なくとも一部の波長を長くすることができ、発光素子から出射された光のエネルギーを弱めることができるため、パッケージ20の変色を低減することができる。   Further, the sealing member 50 may contain a fluorescent material that absorbs light emitted from the light emitting element 10 and converts the wavelength. Examples of the fluorescent material include nitride-based phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce, oxynitride-based phosphors, sialon-based phosphors, lanthanoid-based substances such as Eu, and transition metals such as Mn. Alkaline earth halogen apatite phosphors, alkaline earth metal borate phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicates, alkaline earth sulfides mainly activated by elements of the system Mainly activated by lanthanoid elements such as alkaline earth thiogallate, alkaline earth silicon nitride, germanate, Ce and other lanthanoid elements such as rare earth aluminate, rare earth silicate, Eu Organic and organic complexes. By providing such a fluorescent material, the wavelength of at least a part of the light emitted from the light emitting element can be increased, and the energy of the light emitted from the light emitting element can be weakened. Can be reduced.

このような封止部材50の一部は、除去部40aの中に入り込んで設けられてもよく、除去部40aの開口部を塞ぐように設けられてもよい。   A part of such a sealing member 50 may be provided so as to enter the removal portion 40a, or may be provided so as to close the opening of the removal portion 40a.

発光装置100の製造方法について、図4および図2を参照しながら説明する。図4は、発光装置100の製造方法を説明するための概略断面図である。   A method for manufacturing the light emitting device 100 will be described with reference to FIGS. 4 and 2. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the light emitting device 100.

まず、図4(a)に示すように、リード30を金型内にセットして、パッケージ20の材料を流し込んで固めることによって、パッケージ20とリード30を一体に成形する。この際、パッケージ20には、発光素子10を収容するための凹部22Cが形成される。また、凹部22Cの底面には、リード30が露出する。   First, as shown in FIG. 4A, the lead 30 is set in a mold, and the material of the package 20 is poured and hardened to form the package 20 and the lead 30 integrally. At this time, a recess 22 </ b> C for accommodating the light emitting element 10 is formed in the package 20. Further, the lead 30 is exposed on the bottom surface of the recess 22C.

次に、図4(b)に示すように、接着材によって、発光素子10をリード30に機械的に接続する。そして、第1ワイヤ10aと第2ワイヤ10bによって、発光素子10をリード30に電気的に接続する。   Next, as shown in FIG. 4B, the light emitting element 10 is mechanically connected to the lead 30 by an adhesive. Then, the light emitting element 10 is electrically connected to the lead 30 by the first wire 10a and the second wire 10b.

次に、図4(c)に示すように、薄膜形成法を用いて、凹部22Cの内周面22Sと、側壁部22の上面22Tと、リード30の露出面30Sと、発光素子10の表面と、を被覆膜40によって覆う。具体的には、ALD法を用いて酸化アルミニウム膜を形成する手法を説明する。まず、H2Oガスをチャンバー内に導入して、被覆する対象物(本実施形態においては、側壁部22、リード30及び発光素子10)表面にOH基を形成させる。次に余剰ガスを排気した後に、TMA(トリメチルアルミニウム)ガスをチャンバー内に導入して、被覆膜40で被覆する対象物(本実施形態においては、側壁部22、リード30及び発光素子10の表面のOH基とTMAを反応(第1反応)させる。次に、H2Oガスをチャンバー内に導入して、OH基と結合したTMAとH2Oを反応(第2反応)させる。次に、余剰ガスを排気した後に、第1反応と第2反応を繰り返して所望の厚みの緻密な酸化アルミニウム膜を形成する。   Next, as shown in FIG. 4C, the inner peripheral surface 22S of the concave portion 22C, the upper surface 22T of the side wall portion 22, the exposed surface 30S of the lead 30, and the surface of the light emitting element 10 are formed using a thin film forming method. Are covered with a coating film 40. Specifically, a method for forming an aluminum oxide film using the ALD method will be described. First, H2O gas is introduced into the chamber, and OH groups are formed on the surface of the object to be coated (in this embodiment, the side wall portion 22, the lead 30, and the light emitting element 10). Next, after exhausting the surplus gas, TMA (trimethylaluminum) gas is introduced into the chamber, and an object to be coated with the coating film 40 (in this embodiment, the side wall portion 22, the lead 30 and the light emitting element 10) Next, OH groups on the surface react with TMA (first reaction) Next, H 2 O gas is introduced into the chamber to react TMA and H 2 O bonded to OH groups (second reaction). Then, the first reaction and the second reaction are repeated to form a dense aluminum oxide film having a desired thickness.

次に、パッケージの側壁部を被覆する被覆膜に、例えば、針で複数の穴をあけ、例えば、図2に示すように、通気性を良好な部分(つまり、除去部40a)を形成する。   Next, a plurality of holes are made in the coating film covering the side wall portion of the package, for example, with a needle, and, for example, as shown in FIG. 2, a portion having good air permeability (that is, the removal portion 40a) is formed. .

次に、凹部22Cに封止部材50を充填して、封止部材50を加熱することによって硬化させる。   Next, the sealing member 50 is filled in the recess 22C, and the sealing member 50 is heated to be cured.

以上によって発光装置100が完成する。   Thus, the light emitting device 100 is completed.

本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。   Although the present invention has been described according to the above-described embodiments, it should not be understood that the descriptions and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

上記実施形態において、凹部22Cに1個の発光素子10が収容されることとしたが、これに限られるものではない。凹部22Cには、複数個の発光素子10が収容されていてもよい。この場合、全ての発光素子10が同種類であってもよく、発光素子10ごとに発光ピーク波長が異なっていてもよい。従って、凹部22Cには、例えば赤・緑・青の発光色を示す3個の発光素子を収容することもできる。   In the above embodiment, one light emitting element 10 is accommodated in the recess 22C, but the present invention is not limited to this. A plurality of light emitting elements 10 may be accommodated in the recess 22C. In this case, all the light emitting elements 10 may be the same type, and the light emission peak wavelength may be different for each light emitting element 10. Therefore, for example, three light emitting elements that exhibit red, green, and blue light emission colors can be accommodated in the recess 22C.

上記実施形態において、被覆膜40は、パッケージ20で全面が形成された凹部22Cの内周面22Sおよび側壁部22の上面22Tと、リード30の露出面30Sと、発光素子10の表面と、を覆うこととしたが、凹部22Cの内周面22Sの少なくとも一部を覆っていればよい。この場合であっても、パッケージ20の保護と変色抑制を図ることができる。   In the above-described embodiment, the coating film 40 includes the inner peripheral surface 22S of the recess 22C and the upper surface 22T of the side wall 22 formed on the entire surface of the package 20, the exposed surface 30S of the lead 30, and the surface of the light emitting element 10. However, it is only necessary to cover at least a part of the inner peripheral surface 22S of the recess 22C. Even in this case, it is possible to protect the package 20 and suppress discoloration.

上記実施形態では、分解生成物や酸素が被覆膜40を通過できるように、通気性が良好な部分を針で穴を空けることで設けたが、これに限られるものではない。被覆膜に、通気性が良好な部分を形成する工法は、被覆膜の成膜後に、物理的もしくは化学的な工法で、変色を防ぎたい部分の膜を全てもしくは疎らに、除去もしくは肉薄にするものであればよい。たとえば、針状の工具で膜に穴をあけたり、レーザ照射により膜を除去したり、溶剤やプラズマでエッチングして膜を肉薄にしたりして、通気性良好な部分は形成される。エッチングを利用する場合は、除去部もしくは肉薄部を形成したい部分以外をレジストなどでマスクすることが好ましい。   In the above embodiment, the portion having good air permeability is provided by making a hole with a needle so that decomposition products and oxygen can pass through the coating film 40, but the present invention is not limited to this. The method of forming a part with good air permeability in the coating film is a method of removing or thinning all or a part of the film to be prevented from discoloration by physical or chemical method after the coating film is formed. Anything to do. For example, a portion having good air permeability is formed by making a hole in the film with a needle-like tool, removing the film by laser irradiation, or thinning the film by etching with a solvent or plasma. When etching is used, it is preferable to mask a portion other than the portion where the removed portion or the thin portion is desired to be formed with a resist or the like.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

10…発光素子
10a・・・ワイヤ
10b・・・ワイヤ
20・・・パッケージ
21・・・基部
22・・・側壁部
22C・・・凹部
22S・・・内周面
22T・・・上面
30・・・リード
30S・・・露出面
31・・・リード
32・・・リード
40・・・被覆膜
40a・・・除去部
40b・・・肉薄部
50・・・封止部材
100・・・発光装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Light emitting element 10a ... Wire 10b ... Wire 20 ... Package 21 ... Base part 22 ... Side wall part 22C ... Concave part 22S ... Inner peripheral surface 22T ... Upper surface 30 ... Lead 30S ... exposed surface 31 ... lead 32 ... lead 40 ... covering film 40a ... removal part 40b ... thin part 50 ... sealing member 100 ... light emitting device

Claims (13)

発光素子が搭載される樹脂を含む基材で構成され、発光素子を搭載する凹部を有するパッケージを用意する工程と、
前記パッケージの表面を透光性と絶縁性を有する被覆膜によって覆う工程と、
前記被覆膜に部分的に通気性の高い部分を設ける工程と、
を備え、
前記通気性の高い部分は、前記凹部の側壁部のうち前記発光素子に近接した部分においてのみ設ける、もしくは他の部分よりも多く設ける発光装置の製造方法。
A step of preparing a package that includes a substrate including a resin on which the light emitting element is mounted and has a recess for mounting the light emitting element;
Covering the surface of the package with a coating film having translucency and insulation;
Providing a part of the coating film with a part having high air permeability;
With
The method for manufacturing a light-emitting device, wherein the highly air-permeable portion is provided only in a portion close to the light-emitting element in the side wall portion of the recess, or more than other portions.
原子層堆積法によって前記被覆膜を形成する、請求項1に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 1, wherein the coating film is formed by an atomic layer deposition method. 前記凹部内はリードが設けられており、前記被覆膜は前記リードの表面を覆う、請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。 The light emitting device manufacturing method according to claim 1, wherein a lead is provided in the recess, and the coating film covers a surface of the lead. 前記被覆膜に部分的に通気性の高い部分を設ける工程は、前記被覆膜を部分的に除去又は肉薄にすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。 4. The light emitting device according to claim 1, wherein the step of providing a part with high air permeability in the coating film partially removes or thins the coating film. 5. Device manufacturing method. 前記被覆膜に部分的に通気性の高い部分を設ける工程は、レーザ照射、プレスまたはエッチングであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。 5. The light emitting device according to claim 1, wherein the step of providing a part with high air permeability in the coating film is laser irradiation, pressing, or etching. 発光素子と、
前記発光素子が搭載される凹部を有し、樹脂を含む基材とするパッケージと、
少なくとも前記パッケージの表面を覆い、透光性と絶縁性を有する被覆膜と、
を備え、
前記被覆膜は、通気性の高い部分と低い部分とを有しており、
前記通気性の高い部分は、前記凹部の側壁部のうち前記発光素子に近接した部分においてのみ設けられている、もしくは他の部分よりも多く設けられていることを特徴とする発光装置。
A light emitting element;
A package having a recess in which the light emitting element is mounted, and a substrate including a resin;
A coating film that covers at least the surface of the package and has translucency and insulation;
With
The coating film has a highly breathable part and a low part,
The light-emitting device, wherein the highly air-permeable portion is provided only in a portion close to the light-emitting element in the side wall portion of the recess, or more than other portions.
前記通気性の高い部分は、前記被覆膜が除去されている、もしくは肉薄とされていることを特徴とする請求項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 6 , wherein the coating film is removed or thinned in the highly breathable portion. 前記パッケージは、エポキシ樹脂とフィラーを含有する、請求項またはに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 6 or 7 , wherein the package contains an epoxy resin and a filler. 前記フィラーは、二酸化ケイ素と二酸化チタンの少なくとも一方を含む、請求項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 8 , wherein the filler includes at least one of silicon dioxide and titanium dioxide. 前記被覆膜は、リードの表面を覆う、請求項乃至のいずれかに記載の発光装置。 The coating covers the surface of the lead, the light emitting device according to any one of claims 6 to 9. 前記被覆膜は、主成分として酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素を備える、請求項乃至10のいずれかに記載の発光装置。 The coating film comprises an aluminum oxide or silicon dioxide as a main component, the light emitting device according to any one of claims 6 to 10. 前記発光素子と前記凹部の側壁部との間隔が2mm以下である、請求項乃至11のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 6 to 11 , wherein a distance between the light emitting element and the side wall of the recess is 2 mm or less. 前記発光素子の出射光のピーク波長は、360nm以上520nm以下である、請求項乃至12のいずれかに記載の発光装置。 The peak wavelength of the light emitted from the light emitting element is 360nm or more 520nm or less, the light emitting device according to any one of claims 6 to 12.
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