JP6254432B2 - Prober system - Google Patents

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Description

本発明は、ウェハ上に形成されたダイを電気的に検査するプローブカードを備えたプローバシステムに関する。   The present invention relates to a prober system including a probe card for electrically inspecting a die formed on a wafer.

半導体製造工程では、薄い円板状のウェハに各種の処理を施してウェハの表面にダイを形成する。ダイは、電気特性が検査された後に、ダイサーで切り離されて、リードフレーム等に固定されて組み立てられる。ダイの電気特性の検査では、ダイの電極にプローブを当てて、テスタから電源及びテスト信号を供給し、ダイの出力する信号をテスタで測定して、ダイが正常に動作するかを電気的に検査するプローバシステムが用いられている。   In a semiconductor manufacturing process, various processes are performed on a thin disk-shaped wafer to form a die on the surface of the wafer. After the electrical characteristics are inspected, the die is separated by a dicer and fixed to a lead frame or the like for assembly. In the inspection of the electrical characteristics of the die, a probe is applied to the electrode of the die, the power supply and test signal are supplied from the tester, and the signal output from the die is measured by the tester to check whether the die operates normally. A prober system is used for inspection.

このようなプローバシステムとして、ウェハを真空吸着して保持するウェハチャックと、プローブを介してダイの電極とテスタとを接続してウェハを電気的に検査するプローブカードと、ウェハを収容するウェハカセットとウェハチャックとの間でウェハを搬送するウェハ搬送手段と、を備えているものが知られている(特許文献1を参照)。   As such a prober system, a wafer chuck for vacuum-sucking and holding a wafer, a probe card for electrically inspecting a wafer by connecting a die electrode and a tester via a probe, and a wafer cassette for accommodating the wafer And a wafer chuck are known (see Patent Document 1).

図8(a)及び8(b)に示すように、ウェハWの表面waに形成されたダイに触れずにウェハWの搬送を行うために、ウェハチャック50には、ウェハWの裏面wbを支持するリフタピン51が設けられている。   As shown in FIGS. 8A and 8B, in order to carry the wafer W without touching the die formed on the front surface wa of the wafer W, the wafer chuck 50 is provided with a back surface wb of the wafer W. Supporting lifter pins 51 are provided.

リフタピン51は、ウェハチャック50の載置面50aに開口するピン孔52内を昇降可能に設けられており、ウェハWがウェハチャック50に載置される際には、リフタピン51はピン孔52内に収容されている。ウェハチャック50に載置されたウェハWは、ウェハWを載置する載置面50a上に形成された吸着溝53に真空吸着経路54を介して接続された図示しない真空ポンプ等の負圧供給装置によって、載置面50aに真空吸着される。   The lifter pins 51 are provided so as to be able to move up and down in the pin holes 52 opened on the mounting surface 50 a of the wafer chuck 50. When the wafer W is placed on the wafer chuck 50, the lifter pins 51 are placed in the pin holes 52. Is housed in. The wafer W placed on the wafer chuck 50 is supplied with a negative pressure such as a vacuum pump (not shown) connected via a vacuum suction path 54 to a suction groove 53 formed on the placement surface 50a on which the wafer W is placed. The apparatus is vacuum-sucked on the placement surface 50a.

また、プロービングを終えて、ウェハWの真空吸着が解除されると、リフタピン51がウェハチャック50の載置面50aより上方に上昇してウェハWを上方に持ち上げて、ウェハWとウェハチャック50との隙間に挿入されたウェハ搬送手段が、ウェハWを支持してウェハカセットに搬送する。   When probing is finished and the vacuum suction of the wafer W is released, the lifter pins 51 rise above the mounting surface 50a of the wafer chuck 50 to lift the wafer W upward, and the wafer W, the wafer chuck 50, The wafer transfer means inserted in the gap supports the wafer W and transfers it to the wafer cassette.

特開2009−224672号公報。JP2009-224672A.

しかしながら、上述したようなプローバシステムでは、ウェハチャック50の上方の図示しないプローブがウェハWに押し当てられてダイの電気特性を検査する際に、ウェハチャックのピン孔52の上方に位置して裏面wbが支持されない非支持領域Fで、ウェハWが、プローブの荷重で変形して損傷したり割れたりする虞があった。   However, in the prober system as described above, when a probe (not shown) above the wafer chuck 50 is pressed against the wafer W to inspect the electrical characteristics of the die, the back surface is positioned above the pin hole 52 of the wafer chuck. In the non-support region F where the wb is not supported, the wafer W may be deformed and damaged or cracked by the load of the probe.

また、リフタピン51をダイが形成されていないウェハWの周縁を支持するように配置することも考えられるが、このようなリフタピン51は、単一の径寸法のウェハWにしか対応できないという問題があった。   In addition, it is conceivable to arrange the lifter pins 51 so as to support the peripheral edge of the wafer W on which no die is formed. However, such lifter pins 51 can deal only with the wafer W having a single diameter. there were.

そこで、径寸法の異なる様々なウェハに対応可能であって、ウェハに作用するプローブの荷重に起因したウェハの割れや損傷を抑制するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。   Therefore, it is possible to deal with various wafers with different diameters, and there are technical problems to be solved in order to suppress the cracking and damage of the wafer due to the load of the probe acting on the wafer. The present invention aims to solve this problem.

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、ウェハを保持するウェハチャックと、前記ウェハの表面に形成されたダイを電気的に検査するプローブカードと、検査前のウェハをウェハカセットから前記ウェハチャックに搬送し、検査後のウェハを前記ウェハチャックから前記ウェハカセットに搬送するウェハ搬送手段と、を備えたプローバシステムであって、前記ウェハ搬送手段は、前記ウェハの表面に対向する対向面を有する本体部と、前記対向面に開口して空気流を吐出するベルヌーイノズルと、該ベルヌーイノズルに圧縮空気を供給する空気供給部と、前記対向面に立設されて前記ウェハの周縁に接触可能なストッパと、を有し、前記検査前のウェハを前記ウェハチャックに受け渡し、前記検査後のウェハを前記空気流による負圧で前記ウェハチャックから持ち上げる保持アームを備え、前記ストッパは、前記対向面の内周側に配置されて小径ウェハに接触可能な内周側ストッパと、前記対向面の外周側に配置されて前記小径ウェハより大径の大径ウェハに接触可能な外周側ストッパと、で構成され、前記外周側ストッパは、前記内周側ストッパよりも高く立設されているプローバシステムを提供する。 The present invention has been proposed to achieve the above object, and the invention according to claim 1 is a wafer chuck for holding a wafer and a probe card for electrically inspecting a die formed on the surface of the wafer. And a wafer transfer means for transferring a wafer before inspection from a wafer cassette to the wafer chuck, and transferring a wafer after inspection from the wafer chuck to the wafer cassette, wherein the wafer transfer means Includes a main body having a facing surface facing the surface of the wafer, a Bernoulli nozzle that opens to the facing surface and discharges an air flow, an air supply unit that supplies compressed air to the Bernoulli nozzle, and the facing surface anda stopper contactable with the periphery of the wafer so as to stand on, passing the wafer before the test to the wafer chuck, the test A holding arm to lift the wafer from the wafer chuck at a negative pressure by the air flow, said stopper and the inner peripheral side stopper contactable with the small-diameter wafer is disposed on the inner peripheral side of the facing surface, the facing surface An outer peripheral stopper disposed on the outer peripheral side of the wafer and capable of contacting a large-diameter wafer larger in diameter than the small-diameter wafer, wherein the outer peripheral stopper is erected higher than the inner peripheral stopper. Provide a system.

この構成によれば、保持アームが、ベルヌーイノズルから吐出された空気流によってウェハに作用する負圧でウェハチャック上に載置されたウェハをダイに接触することなく持ち上げることにより、従来のようなリフトピンを設けてウェハを持ち上げるプローバシステムと比較して、ウェハの裏面全面が載置面に支持可能なため、薄いウェハにプローブを押し当ててプロービングする場合であっても、ウェハがプローブから受ける荷重に起因したウェハの割れや損傷を抑制することができる。   According to this configuration, the holding arm lifts the wafer placed on the wafer chuck with a negative pressure acting on the wafer by the air flow discharged from the Bernoulli nozzle without contacting the die, so that Compared to a prober system that lifts the wafer by providing lift pins, the entire back surface of the wafer can be supported by the mounting surface, so the load that the wafer receives from the probe even when pressing the probe against a thin wafer It is possible to suppress the cracking and damage of the wafer caused by the above.

さらに、保持アームは、ウェハの径寸法にかかわらずウェハのダイに非接触でウェハを載置面から持ち上げるため、径寸法の異なる様々なウェハにも対応することができる。また、ウェハとストッパとの間に摩擦力が生じるため、ベルヌーイノズルから吐出される空気流の勢いでウェハが位置ズレすることを抑制することができる。さらに、径寸法の異なる2種類のウェハが、各ウェハの径寸法に応じた内周側ストッパ又は外周側ストッパに接触して位置ズレを抑制されるため、保持アームが、径寸法の異なる2種類のウェハをそれぞれ確実に保持することができ、また、外周側ストッパが内周側ストッパよりも高いため、保持アームは、大径ウェハを内周側ストッパに接触させることなく保持することができる。 Further, since the holding arm lifts the wafer from the mounting surface without contacting the die of the wafer regardless of the diameter of the wafer, the holding arm can be used for various wafers having different diameters. Further, since a frictional force is generated between the wafer and the stopper, it is possible to suppress the wafer from being displaced due to the momentum of the air flow discharged from the Bernoulli nozzle. Furthermore, since the two types of wafers having different diameter dimensions come into contact with the inner peripheral side stopper or the outer peripheral side stopper according to the diameter size of each wafer and the positional deviation is suppressed, the holding arm has two types having different diameter dimensions. Since the outer peripheral side stopper is higher than the inner peripheral side stopper, the holding arm can hold the large-diameter wafer without contacting the inner peripheral side stopper.

請求項2記載の発明は、請求項1記載のプローバシステムの構成に加えて、前記保持アームのベルヌーイノズルは、前記対向面上に放射状に配置されているプローバシステムを提供する。   According to a second aspect of the present invention, in addition to the configuration of the prober system according to the first aspect, the Bernoulli nozzle of the holding arm provides a prober system arranged radially on the facing surface.

この構成によれば、放射状に配置されたベルヌーイノズルが、ウェハ全体に均等に空気流を吐出することにより、ウェハチャック上のウェハが平行に持ち上げられるため、ウェハチャックと保持アームとの間でのウェハの受け渡しを確実に行うことができる。   According to this configuration, the Bernoulli nozzles that are arranged radially discharge the air flow evenly over the entire wafer, so that the wafer on the wafer chuck is lifted in parallel. The wafer can be reliably delivered.

請求項記載の発明は、請求項1又は2項記載のプローバシステムに加えて、前記ウェハチャックは、前記保持アームが前記ウェハを保持する際に、前記保持アームの下方に配置されるプローバシステムを提供する。 According to a third aspect of the present invention, in addition to the prober system according to the first or second aspect , the wafer chuck is disposed below the holding arm when the holding arm holds the wafer. I will provide a.

この構成によれば、ベルヌーイノズルに供給されてウェハを保持する圧縮空気が停電で断絶する場合であっても、ウェハチャックが保持アームから落下したウェハを受けるため、保持アームから落下したウェハの損傷を軽減することができる。   According to this configuration, even if the compressed air that is supplied to the Bernoulli nozzle and holds the wafer is interrupted by a power failure, the wafer chuck receives the wafer that has dropped from the holding arm, so that the wafer that has dropped from the holding arm is damaged. Can be reduced.

請求項記載の発明は、請求項1乃至の何れか1項記載のプローバシステムに加えて、前記ウェハチャックは、前記ウェハを載置する載置面に開口するベルヌーイノズルと、該ベルヌーイノズルに圧縮空気を供給する空気供給部と、有し、前記ウェハを前記載置面と略平行に引き寄せるベルヌーイ吸引機構と、前記載置面に形成された吸着凹部内に負圧を供給する負圧供給装置を有し、前記載置面と略平行に引き寄せられたウェハを前記載置面に吸着させる真空吸着機構と、を備えているプローバシステムを提供する。 According to a fourth aspect of the present invention, in addition to the prober system according to any one of the first to third aspects, the wafer chuck includes a Bernoulli nozzle that opens to a mounting surface on which the wafer is mounted, and the Bernoulli nozzle. An air supply unit for supplying compressed air to the wafer, a Bernoulli suction mechanism for drawing the wafer substantially parallel to the mounting surface, and a negative pressure for supplying a negative pressure into the suction recess formed on the mounting surface Provided is a prober system having a supply device and a vacuum suction mechanism that sucks a wafer drawn substantially parallel to the placement surface onto the placement surface.

この構成によれば、薄く反ったウェハの裏面とウェハチャックの載置面との間に隙間が生じる場合であっても、ベルヌーイノズルから吐出される空気流による負圧で載置面と略平行に引き寄せられてウェハの反りを矯正された状態で載置面に真空吸着されることにより、ウェハチャックは、ウェハ全体を確実に真空吸着するため、ウェハを保持している間のウェハの位置ズレや角度ズレを抑制することができる。   According to this configuration, even when a gap is generated between the back surface of the thinly warped wafer and the mounting surface of the wafer chuck, the mounting surface is substantially parallel to the negative pressure due to the air flow discharged from the Bernoulli nozzle. Since the wafer chuck is vacuum-sucked to the mounting surface while being warped and is corrected, the wafer chuck reliably vacuum-sucks the entire wafer. And angle deviation can be suppressed.

請求項記載の発明は、請求項1乃至の何れか1項記載のプローバシステムに加えて、前記ウェハ搬送手段は、前記ウェハカセットから取り出した前記検査前のウェハを乗載して該検査前のウェハを前記保持アームに受け渡し、前記保持アームから受け取った前記検査後のウェハを乗載して該検査後のウェハを前記ウェハカセットに収容するロード/アンロードアームを備えているプローバシステムを提供する。 According to a fifth aspect of the present invention, in addition to the prober system according to any one of the first to fourth aspects, the wafer transfer means mounts the wafer before the inspection taken out from the wafer cassette and performs the inspection. A prober system comprising a load / unload arm that delivers a previous wafer to the holding arm, mounts the wafer after inspection received from the holding arm, and stores the wafer after inspection in the wafer cassette; provide.

この構成によれば、ロード/アンロードアームが、ウェハカセットと保持アームとの間でウェハを搬送することにより、保持アームに検査前のウェハを円滑に取り付けたり、保持アームから検査後のウェハを円滑に収容することができる。   According to this configuration, the load / unload arm transports the wafer between the wafer cassette and the holding arm, so that the wafer before inspection can be smoothly attached to the holding arm, or the wafer after inspection can be loaded from the holding arm. It can be stored smoothly.

請求項記載の発明は、請求項記載のプローバシステムに加えて、前記ロード/アンロードアームは、前記ウェハを表面に乗載するハンド部と、前記表面に開口して前記ウェハを前記表面と略平行に引き寄せるベルヌーイノズルと、該ベルヌーイノズルに圧縮を供給する空気供給部と、有し、前記ウェハを前記表面と略平行に引き寄せるベルヌーイ吸引機構と、前記表面に形成された吸着凹部内に負圧を供給する負圧供給装置を有し、前記表面と略平行に引き寄せられたウェハを前記表面に吸着させる真空吸着機構と、を備えているプローバシステムを提供する。 According to a sixth aspect of the present invention, in addition to the prober system according to the fifth aspect , the load / unload arm includes a hand portion that mounts the wafer on a surface, and an opening in the surface to place the wafer on the surface. A Bernoulli nozzle that draws substantially parallel to the Bernoulli nozzle, an air supply that supplies compression to the Bernoulli nozzle, a Bernoulli suction mechanism that draws the wafer substantially parallel to the surface, and a suction recess formed on the surface. Provided is a prober system having a negative pressure supply device for supplying a negative pressure, and a vacuum suction mechanism for adsorbing a wafer drawn substantially parallel to the surface to the surface.

この構成によれば、薄く反ったウェハが、ベルヌーイノズルから吐出される空気流による負圧で表面と略平行に引き寄せられて反りを矯正された状態で表面に真空吸着されることにより、ロード/アンロードアームは、ウェハ全体を確実に真空吸着して、ウェハを乗載している間のウェハの位置ズレや角度ズレを抑制することができる。   According to this configuration, the thinly warped wafer is attracted in vacuum with the negative pressure caused by the air flow discharged from the Bernoulli nozzle to be substantially parallel to the surface and the warpage is corrected, and thereby the load / The unload arm can reliably vacuum-suck the entire wafer and suppress wafer positional deviation and angular deviation while the wafer is mounted.

請求項記載の発明は、請求項又は記載のプローバシステムに加えて、前記ロード/アンロードアームは、前記保持アームと前記ロード/アンロードアームとの間で前記ウェハが受け渡される際に、前記保持アームの下方に移動するプローバシステムを提供する。 According to a seventh aspect of the invention, in addition to the prober system according to the fifth or sixth aspect , the load / unload arm is used when the wafer is transferred between the holding arm and the load / unload arm. And a prober system that moves below the holding arm.

この構成によれば、ロード/アンロードアームが、保持アームの下方までウェハを移動して保持アームにウェハを受け渡すことにより、保持アームがウェハをベルヌーイノズルから吐出された空気流の負圧で保持した状態で移動することを回避して、ウェハの不用意な落下を抑制することができる。   According to this configuration, the load / unload arm moves the wafer to the lower side of the holding arm and delivers the wafer to the holding arm, so that the holding arm removes the wafer with the negative pressure of the air flow discharged from the Bernoulli nozzle. It is possible to prevent the wafer from being inadvertently dropped by avoiding the movement in the held state.

請求項記載の発明は、請求項乃至の何れか1項記載のプローバシステムに加えて、前記ロード/アンロードアームは、互いに独立して設けられた、前記検査前のウェハを前記ウェハカセットから取り出して前記保持アームに受け渡すロードアームと、前記検査後のウェハを前記保持アームから受け取って前記ウェハカセットに収容するアンロードアームと、で構成されているプローバシステムを提供する。 According to an eighth aspect of the invention, in addition to the prober system according to any one of the fifth to seventh aspects, the load / unload arm is provided independently of each other, and the wafer before inspection is the wafer. Provided is a prober system comprising a load arm that is taken out from a cassette and delivered to the holding arm, and an unload arm that receives the inspected wafer from the holding arm and accommodates it in the wafer cassette.

この構成によれば、アンロードアームが検査後のウェハを保持アームから受け取った後に、ロードアームが検査前のウェハを保持アームに受け渡すことにより、保持アームがウェハ検査前のウェハと検査後のウェハとをスムーズに交換可能なため、ウェハの取り出し、収容を円滑に行うことができる。   According to this configuration, after the unload arm receives the inspected wafer from the holding arm, the load arm delivers the uninspected wafer to the holding arm, so that the holding arm and the inspected wafer are inspected. Since the wafer can be exchanged smoothly, the wafer can be taken out and stored smoothly.

本発明は、径寸法の異なる様々なウェハに対応することができ、薄いウェハをプロービングする場合であっても、ウェハがプローブから受ける荷重に起因するウェハの割れや損傷を抑制することができる。   The present invention can cope with various wafers having different diameters, and even when a thin wafer is probed, cracking and damage of the wafer due to the load that the wafer receives from the probe can be suppressed.

本発明の一実施例に係るプローバシステムを示す斜視図。The perspective view which shows the prober system which concerns on one Example of this invention. ウェハチャックを示す図であり、(a)は、平面図であり、(b)は、II−II線断面図であり、(c)は、(b)に示すA部の拡大図である。It is a figure which shows a wafer chuck, (a) is a top view, (b) is II-II sectional view, (c) is an enlarged view of the A section shown in (b). 保持アームを示す図であり、(a)は、底面図であり、(b)は、III−III線断面拡大図である。It is a figure which shows a holding | maintenance arm, (a) is a bottom view, (b) is a III-III line cross-sectional enlarged view. アンロードアームを示す図であり、(a)は、平面図であり、(b)は、IV−IV線断面図であり、(c)は、(b)に示すB部の拡大図である。It is a figure which shows an unload arm, (a) is a top view, (b) is IV-IV sectional view, (c) is an enlarged view of the B section shown in (b). . ウェハチャックがウェハの反りを矯正して真空吸着する手順を示す図。The figure which shows the procedure in which a wafer chuck corrects the curvature of a wafer and carries out vacuum suction. アンロードアームがウェハの反りを矯正して真空吸着する手順を示す図。The figure which shows the procedure in which an unload arm correct | amends the curvature of a wafer, and carries out vacuum suction. 検査後のウェハを搬送する手順を示す図。The figure which shows the procedure which conveys the wafer after a test | inspection. (a)は、従来のウェハチャックを示す平面図であり、(b)は、(a)に示すウェハチャックのVIII−VIII線断面図である。(A) is a top view which shows the conventional wafer chuck | zipper, (b) is a VIII-VIII sectional view taken on the line of the wafer chuck shown to (a).

本発明は、径寸法の異なる様々なウェハに対応可能であって、ウェハに作用するプローブの荷重に起因したウェハの割れや損傷を抑制するという目的を達成するために、ウェハを保持するウェハチャックと、ウェハの表面に形成されたダイを電気的に検査するプローブカードと、検査前のウェハをウェハカセットからウェハチャックに搬送し、検査後のウェハをウェハチャックから前記ウェハカセットに搬送するウェハ搬送手段と、を備えたプローバシステムであって、ウェハ搬送手段は、前記ウェハの表面に対向する対向面を有する本体部と、前記対向面に開口して空気流を吐出するベルヌーイノズルと、該ベルヌーイノズルに圧縮空気を供給する空気供給部と、前記対向面に立設されて前記ウェハの周縁に接触可能なストッパと、を有し、前記検査前のウェハを前記ウェハチャックに受け渡し、前記検査後のウェハを前記空気流による負圧で前記ウェハチャックから持ち上げる保持アームを備え、前記ストッパは、前記対向面の内周側に配置されて小径ウェハに接触可能な内周側ストッパと、前記対向面の外周側に配置されて前記小径ウェハより大径の大径ウェハに接触可能な外周側ストッパと、で構成され、前記外周側ストッパは、前記内周側ストッパよりも高く立設されていることにより実現する。 The present invention is applicable to various wafers having different diameters, and a wafer chuck for holding a wafer in order to achieve the object of suppressing the cracking and damage of the wafer due to the load of the probe acting on the wafer. And a probe card for electrically inspecting a die formed on the surface of the wafer, and a wafer transport for transporting a wafer before inspection from the wafer cassette to the wafer chuck and a wafer after inspection from the wafer chuck to the wafer cassette. And a wafer transfer means comprising: a main body having a facing surface facing the surface of the wafer; a Bernoulli nozzle that opens to the facing surface and discharges an air flow; and the Bernoulli has an air supply unit for supplying compressed air to the nozzle, the stopper and, capable of contacting the peripheral edge of the wafer are erected on the facing surface Passing the wafer before the test to the wafer chuck, comprising a holding arm to lift the wafer after the test from the wafer chuck at a negative pressure by the air flow, the stopper is disposed on the inner peripheral side of the opposing surface An inner peripheral stopper that can contact a small-diameter wafer, and an outer peripheral stopper that is arranged on the outer peripheral side of the opposed surface and can contact a large-diameter wafer larger in diameter than the small-diameter wafer. This is realized by standing higher than the inner peripheral stopper .

以下、本発明の一実施例に係るプローバシステム1について、図1に基づいて説明する。   Hereinafter, a prober system 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

プローバシステム1は、プローバ本体部2とローダ部3とで構成されており、ウェハWを保持するウェハチャック10と、ウェハWの表面waに形成された図示しないダイを電気的に検査するプローブカード20と、ウェハWをウェハチャック10に搬送するウェハ搬送手段100と、ウェハWを収容するウェハカセット30と、を備えている。   The prober system 1 includes a prober main body 2 and a loader unit 3, and a probe card for electrically inspecting a wafer chuck 10 for holding a wafer W and a die (not shown) formed on the surface wa of the wafer W. 20, a wafer transfer means 100 for transferring the wafer W to the wafer chuck 10, and a wafer cassette 30 for storing the wafer W.

ウェハチャック10は、図示しない公知の移動ステージ上に載置されており、プローバ本体部2内を3次元方向に移動することができる。   The wafer chuck 10 is mounted on a known moving stage (not shown) and can move in the prober main body 2 in a three-dimensional direction.

プローブカード20は、プローブ21を介してダイと図示しないテスタとを接続してダイを電気的に検査する。プローブカード20は、プローバ本体部2内の所定の位置に固定されており、ウェハWのプロービングの際には、ウェハチャック10が、プローブカード20の下方に移動し、ウェハチャック10が上昇してプローブカード20に接近することで、プローブ21がダイに押し当てられるようになっている。   The probe card 20 electrically inspects the die by connecting a die and a tester (not shown) via the probe 21. The probe card 20 is fixed at a predetermined position in the prober main body 2. When probing the wafer W, the wafer chuck 10 moves below the probe card 20 and the wafer chuck 10 is raised. By approaching the probe card 20, the probe 21 is pressed against the die.

ウェハ搬送手段100は、保持アーム110と、ロード/アンロードアームとしてのロードアーム120とアンロードアーム130と、を備えている。   The wafer transfer means 100 includes a holding arm 110, a load arm 120 as a load / unload arm, and an unload arm 130.

保持アーム110は、プローブ本体部2の側壁2aに展開可能に取り付けられており、使用時には水平に展開され、不使用時にはプローブ本体部2の側壁2aに沿って折り畳まれる。これにより、プローバ本体部2を省スペースで設置することができる。保持アーム110は、ロードアーム120によってウェハカセット30から取り出された検査前のウェハWを受け取り、ウェハチャック10に受け渡す。また、保持アーム110は、検査後のウェハWをウェハチャック10から受け取り、アンロードアーム130に受け渡す。   The holding arm 110 is detachably attached to the side wall 2a of the probe main body 2. The holding arm 110 is expanded horizontally when in use, and is folded along the side wall 2a of the probe main body 2 when not in use. Thereby, the prober main-body part 2 can be installed in a space-saving manner. The holding arm 110 receives the uninspected wafer W taken out from the wafer cassette 30 by the load arm 120 and transfers it to the wafer chuck 10. Further, the holding arm 110 receives the inspected wafer W from the wafer chuck 10 and transfers it to the unload arm 130.

ロードアーム120とアンロードアーム130とは、ローダ部3内に配置された図示しないロボットの先端に取り付けられており、ロボットの伸縮動作に応じてプローバ本体部2とローダ部3との間を移動することができる。本実施例に係るロードアーム120とアンロードアーム130とは、互いに独立して設けられているが、一体であっても構わない。ロードアーム120とアンロードアーム130とを互いに独立して設けることにより、保持アーム110が検査後のウェハWと検査前のウェハWとをスムーズに交換して、ウェハWの取り出し、収容を円滑に行うことができる。   The load arm 120 and the unload arm 130 are attached to the tip of a robot (not shown) disposed in the loader unit 3 and move between the prober main unit 2 and the loader unit 3 according to the expansion and contraction of the robot. can do. Although the load arm 120 and the unload arm 130 according to the present embodiment are provided independently of each other, they may be integrated. By providing the load arm 120 and the unload arm 130 independently of each other, the holding arm 110 smoothly exchanges the wafer W after the inspection and the wafer W before the inspection so that the wafer W can be taken out and stored smoothly. It can be carried out.

ロードアーム120は、ウェハカセット30内に収容されている検査前のウェハWを乗載して保持アーム110まで搬送する。   The load arm 120 carries the wafer W before inspection accommodated in the wafer cassette 30 and carries it to the holding arm 110.

アンロードアーム130は、検査後のウェハWを保持アーム110から受け取りウェハカセット30まで搬送する。   The unload arm 130 receives the inspected wafer W from the holding arm 110 and transports it to the wafer cassette 30.

次に、ウェハチャック10及びウェハ搬送手段100の具体的な構成について、図2乃至4に基づいて説明する。なお、ロードアーム120とアンロードアーム130とは、互いに同様の構成であるから、以下、アンロードアーム130について説明し、ロードアーム120の説明を省略する。   Next, specific configurations of the wafer chuck 10 and the wafer transfer means 100 will be described with reference to FIGS. Since the load arm 120 and the unload arm 130 have the same configuration, the unload arm 130 will be described below, and the description of the load arm 120 will be omitted.

図2(a)、(b)、(c)に示すように、ウェハチャック10は、ウェハWよりも大径に形成されている。ウェハチャック10は、ウェハWを載置する載置面10aに開口するベルヌーイノズル11とベルヌーイノズル11に圧縮空気を供給する空気供給部12とから成るベルヌーイ吸引機構A1と、載置面10a上に同心円状に形成された吸着凹部としての微小幅の吸着溝13に負圧を供給する負圧供給装置14とから成る真空吸着機構B1と、を備えている。   As shown in FIGS. 2A, 2 </ b> B, and 2 </ b> C, the wafer chuck 10 is formed with a larger diameter than the wafer W. The wafer chuck 10 has a Bernoulli suction mechanism A1 composed of a Bernoulli nozzle 11 opening on the mounting surface 10a on which the wafer W is mounted and an air supply unit 12 for supplying compressed air to the Bernoulli nozzle 11, and a mounting surface 10a. And a vacuum suction mechanism B1 including a negative pressure supply device 14 that supplies a negative pressure to the suction groove 13 having a minute width as a suction recess formed concentrically.

ベルヌーイノズル11は、空気連通路15を介して空気供給部12に接続されており、ベルヌーイノズル11の開口11aから吐出された空気流が、ウェハチャック10に載置するウェハWの裏面wbに向かって吐出されるように、ベルヌーイノズル11の開口11aは、ウェハWの周縁よりも内側に配置されている。ベルヌーイノズル11に供給される圧縮空気の圧力や供給時間は、ウェハWの反り量や厚みに応じて適宜調整される。   The Bernoulli nozzle 11 is connected to the air supply unit 12 via the air communication path 15, and the air flow discharged from the opening 11 a of the Bernoulli nozzle 11 is directed toward the back surface wb of the wafer W placed on the wafer chuck 10. Thus, the opening 11 a of the Bernoulli nozzle 11 is arranged on the inner side of the periphery of the wafer W. The pressure and supply time of the compressed air supplied to the Bernoulli nozzle 11 are appropriately adjusted according to the warpage amount and thickness of the wafer W.

ベルヌーイノズル11は、載置面10a上に放射状に配置されている。また、ベルヌーイノズル11は、ウェハチャック10の径方向の内周側から外周側に向かって上方に傾斜して取り付けられており、ベルヌーイノズル11の傾斜面11bに沿って開口11aから吐出された空気流は、ウェハWの裏面wbとウェハチャック10の載置面10aとの間を通り抜け易くなっている。   The Bernoulli nozzles 11 are arranged radially on the placement surface 10a. The Bernoulli nozzle 11 is attached so as to be inclined upward from the radially inner periphery side to the outer periphery side of the wafer chuck 10, and the air discharged from the opening 11 a along the inclined surface 11 b of the Bernoulli nozzle 11. The flow easily passes between the back surface wb of the wafer W and the mounting surface 10 a of the wafer chuck 10.

吸着溝13は、真空連通路16を介して負圧供給装置14に接続されている。なお、吸着溝13は、格子状に配置されても良い。また、吸着溝13の代わりに微細な吸着穴を設けても構わない。   The suction groove 13 is connected to the negative pressure supply device 14 via the vacuum communication path 16. The suction grooves 13 may be arranged in a lattice shape. Further, a fine suction hole may be provided instead of the suction groove 13.

図3(a)、(b)に示すように、保持アーム110は、ウェハWよりも大径でウェハWの表面waに対向する対向面111aを有する円盤状の本体部111と、対向面111aに開口するベルヌーイノズル112と、ベルヌーイノズル112に圧縮空気を供給する空気供給部113と、を備えている。なお、本体部111の形状は、円盤状に限られず、ウェハWの重さや径寸法に応じて、適宜変更して構わない。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the holding arm 110 has a disk-shaped main body 111 having a facing surface 111a having a diameter larger than that of the wafer W and facing the surface wa of the wafer W, and a facing surface 111a. A Bernoulli nozzle 112 that opens to the nozzle, and an air supply unit 113 that supplies compressed air to the Bernoulli nozzle 112. Note that the shape of the main body 111 is not limited to a disk shape, and may be changed as appropriate according to the weight and diameter of the wafer W.

ベルヌーイノズル112は、連通路114を介して空気供給部113に接続されている。ベルヌーイノズル112の開口112aは、対向面111a上の内周側と外周側とに放射状に夫々6つずつ配置されている。これにより、ウェハW全体に均等に空気流が吐出されて、ウェハWは平行に持ち上げられるようになっており、また、保持アーム110は、ベルヌーイノズル112の設置位置に応じた径の異なる2種類のウェハ(例えば、径6インチのウェハと、径8インチのウェハ)を保持することができる。   The Bernoulli nozzle 112 is connected to the air supply unit 113 via the communication path 114. The Bernoulli nozzle 112 has six openings 112a arranged radially on the inner peripheral side and the outer peripheral side on the opposing surface 111a. As a result, an air flow is evenly discharged over the entire wafer W so that the wafer W is lifted in parallel. The holding arm 110 has two types having different diameters depending on the installation position of the Bernoulli nozzle 112. (For example, a wafer having a diameter of 6 inches and a wafer having an diameter of 8 inches) can be held.

ベルヌーイノズル112は、本体部111の径方向の内周側から外周側に向かって下方に傾斜して取り付けられており、ベルヌーイノズル112の傾斜面112bに沿って開口112aから吐出されてウェハWを負圧で持ち上げる空気流は、ウェハWの表面waと保持アーム110の対向面111aとの間を通り抜け易くなっている。ベルヌーイノズル112に供給される圧縮空気の圧力や供給時間は、ウェハWの重量に応じて適宜調整される。   The Bernoulli nozzle 112 is attached so as to be inclined downward from the radially inner peripheral side to the outer peripheral side of the main body 111, and is discharged from the opening 112 a along the inclined surface 112 b of the Bernoulli nozzle 112 to remove the wafer W. The air flow lifted by the negative pressure easily passes between the surface wa of the wafer W and the facing surface 111a of the holding arm 110. The pressure and supply time of the compressed air supplied to the Bernoulli nozzle 112 are appropriately adjusted according to the weight of the wafer W.

また、保持アーム110は、ウェハWの周縁に接触可能なストッパ115を備えている。これにより、ウェハWとストッパ115との間の摩擦力は、保持アーム110に保持されたウェハWがベルヌーイノズル112の開口112aから吐出される空気流の勢いで位置ズレすることを抑制するようになっている。   Further, the holding arm 110 includes a stopper 115 that can contact the periphery of the wafer W. Thereby, the frictional force between the wafer W and the stopper 115 prevents the wafer W held by the holding arm 110 from being displaced due to the momentum of the air flow discharged from the opening 112a of the Bernoulli nozzle 112. It has become.

ストッパ115は、対向面111aの内周側に配置されて小径ウェハW1に接触可能な内周側ストッパ116と、対向面111aの外周側に配置されて大径ウェハW2に接触可能な外周側ストッパ117と、を備えている。外周側ストッパ117は、内周側ストッパ116よりも鉛直方向Vの下方に高く立設されている。これにより、径の異なる2種類のウェハW1、W2を保持することができ、また、大径ウェハW2を内周側ストッパ116に接触することなく保持することができる。   The stopper 115 is disposed on the inner peripheral side of the facing surface 111a and can contact the small diameter wafer W1, and the outer peripheral side stopper 116 is disposed on the outer peripheral side of the facing surface 111a and can contact the large diameter wafer W2. 117. The outer peripheral side stopper 117 is erected higher in the vertical direction V than the inner peripheral side stopper 116. Thus, two types of wafers W1 and W2 having different diameters can be held, and the large-diameter wafer W2 can be held without contacting the inner peripheral side stopper 116.

図4(a)、(b)、(c)に示すように、アンロードアーム130は、ウェハWよりも大径でウェハWを表面131aに乗載する円盤状のハンド部131と、ハンド部131を図示しないロボットに連結する基部132と、ウェハWを表面131aと略平行に引き寄せるベルヌーイ吸引機構A2と、ウェハWを表面131aに真空吸着させる真空吸着機構B2と、を備えている。なお、ハンド部131の形状は、円盤状に限られず、ウェハWの重さや径寸法に応じて、適宜変更して構わない。   As shown in FIGS. 4A, 4B, and 4C, the unload arm 130 includes a disk-shaped hand portion 131 that has a diameter larger than that of the wafer W and places the wafer W on the surface 131a, and a hand portion. A base 132 that connects 131 to a robot (not shown), a Bernoulli suction mechanism A2 that draws the wafer W substantially parallel to the surface 131a, and a vacuum suction mechanism B2 that vacuum-sucks the wafer W to the surface 131a are provided. Note that the shape of the hand portion 131 is not limited to a disk shape, and may be appropriately changed according to the weight and the diameter of the wafer W.

ベルヌーイ吸引機構A2は、表面131aに開口して負圧でウェハWを表面131aと略平行に引き寄せるベルヌーイノズル133と、ベルヌーイノズル133に圧縮空気を供給する空気供給部134と、を備えている。   The Bernoulli suction mechanism A2 includes a Bernoulli nozzle 133 that opens to the surface 131a and draws the wafer W in a negative pressure substantially parallel to the surface 131a, and an air supply unit 134 that supplies compressed air to the Bernoulli nozzle 133.

ベルヌーイノズル133は、空気連通路135を介して空気供給部134に接続されている。ベルヌーイノズル133の開口133aは、ハンド部131に載置するウェハの裏面wbに空気流を吐出するようにウェハWの周縁よりも内側に配置されている。ベルヌーイノズル133の開口133aは、表面131a上に放射状に配置されている。ベルヌーイノズル133に供給される圧縮空気の圧力や供給時間は、ウェハWの反り量や硬さに応じて適宜調整される。   The Bernoulli nozzle 133 is connected to the air supply unit 134 via the air communication path 135. The opening 133 a of the Bernoulli nozzle 133 is disposed on the inner side of the periphery of the wafer W so as to discharge an air flow to the back surface wb of the wafer placed on the hand unit 131. The openings 133a of the Bernoulli nozzle 133 are arranged radially on the surface 131a. The pressure and supply time of the compressed air supplied to the Bernoulli nozzle 133 are appropriately adjusted according to the warp amount and hardness of the wafer W.

また、ベルヌーイノズル133は、ハンド部131の径方向の内周側から外周側に向かって上方に傾斜して取り付けられており、ベルヌーイノズル133の傾斜面133bに沿って開口133aから吐出された空気流は、ウェハWの裏面wbとアンロードアーム130の表面131aとの間を通り抜け易くなっている。   The Bernoulli nozzle 133 is attached so as to be inclined upward from the radially inner periphery side to the outer periphery side of the hand portion 131, and the air discharged from the opening 133a along the inclined surface 133b of the Bernoulli nozzle 133. The flow easily passes between the back surface wb of the wafer W and the surface 131a of the unload arm 130.

真空吸着機構B2は、表面131aに同心円状に形成された吸着凹部としての微小幅の吸着溝136に真空連通路137を介して接続されて、吸着溝136内を負圧にする負圧供給装置138を備えている。なお、吸着溝136は、格子状に配置されても良い。また、吸着溝136の代わりに微細な吸着穴を設けても構わない。   The vacuum suction mechanism B2 is connected to a suction groove 136 having a small width as a suction recess formed concentrically on the surface 131a via a vacuum communication path 137, and a negative pressure supply device that creates a negative pressure in the suction groove 136. 138. The suction grooves 136 may be arranged in a lattice shape. Further, a fine suction hole may be provided instead of the suction groove 136.

次に、ウェハチャック10及びアンロードアーム130がウェハWの反りを矯正して真空吸着する際の手順について、図5及び6に基づいて説明する。   Next, a procedure when the wafer chuck 10 and the unload arm 130 correct the warpage of the wafer W and vacuum-suck it will be described with reference to FIGS.

図5(a)に示すように、ウェハチャック10上に、周縁が上方に反った基板Wが載置されると、図5(b)に示すように、ベルヌーイノズル11に圧縮空気が供給され、ウェハWの裏面wbとウェハチャック10の載置面10aとの間を空気流が通過する。これにより、図5(c)に示すように、ウェハWとウェハチャック10との間に負圧が生じて、ウェハWが載置面10aと略平行に引き寄せられて、反りが矯正される。その後、図5(d)に示すように、反りが矯正されたウェハWが、負圧供給装置13に印加される負圧によって載置面10aに真空吸着される。   As shown in FIG. 5A, when the substrate W whose peripheral edge is warped upward is placed on the wafer chuck 10, compressed air is supplied to the Bernoulli nozzle 11 as shown in FIG. 5B. The air flow passes between the back surface wb of the wafer W and the mounting surface 10a of the wafer chuck 10. As a result, as shown in FIG. 5C, a negative pressure is generated between the wafer W and the wafer chuck 10, and the wafer W is drawn substantially parallel to the mounting surface 10a to correct the warpage. Thereafter, as shown in FIG. 5D, the wafer W whose warpage has been corrected is vacuum-sucked on the mounting surface 10 a by the negative pressure applied to the negative pressure supply device 13.

このようにして、ウェハチャック10に載置されたウェハWの反りが矯正された状態で、ウェハチャック10が、ウェハWの裏面wb全体を吸着して、ウェハWを確実保持することができる。   In this way, the wafer chuck 10 can adsorb the entire back surface wb of the wafer W and securely hold the wafer W in a state where the warpage of the wafer W placed on the wafer chuck 10 is corrected.

次に、図6(a)に示すように、アンロードアーム130のハンド部131上に、周縁が上方に反った基板Wが乗載されると、図6(b)に示すように、ベルヌーイノズル133に圧縮空気が供給され、ウェハWの裏面wbとアンロードアーム130の表面131aとの間を空気流が通過する。これにより、図6(c)に示すように、ウェハWとハンド部131との間に下方に向かう負圧が生じて、ウェハWが表面131aと略平行に引き寄せられて、反りが矯正される。その後、図6(d)に示すように、反りが矯正されたウェハWが、負圧供給装置134に印加される負圧によって表面131aに真空吸着される。   Next, as shown in FIG. 6A, when a substrate W whose peripheral edge is warped upward is placed on the hand portion 131 of the unload arm 130, as shown in FIG. 6B, Bernoulli. Compressed air is supplied to the nozzle 133, and an air flow passes between the back surface wb of the wafer W and the surface 131 a of the unload arm 130. As a result, as shown in FIG. 6C, a negative pressure is generated between the wafer W and the hand portion 131, and the wafer W is drawn substantially parallel to the surface 131a to correct the warpage. . Thereafter, as shown in FIG. 6D, the wafer W whose warpage has been corrected is vacuum-adsorbed on the surface 131 a by the negative pressure applied to the negative pressure supply device 134.

このようにして、アンロードアーム130に乗載されたウェハWの反りが矯正された状態で、アンロードアーム130が、ウェハWの裏面wb全体を吸着して、ウェハWを確実に保持することができる。   In this way, in a state where the warpage of the wafer W mounted on the unload arm 130 is corrected, the unload arm 130 sucks the entire back surface wb of the wafer W and securely holds the wafer W. Can do.

次に、ウェハWがウェハチャック10とウェハ搬送手段100との間を搬送される手順について、図7に基づいて説明する。なお、検査前のウェハが、ロードアーム120から保持アーム110を介してウェハチャック10に搬送される手順、及び、検査後のウェハWが、ウェハチャック10から保持アーム110を介してアンロードアーム130に搬送される手順は、前者がロードアーム120を用いて行い、後者がアンロードアーム130を用いて行う点が相違し、前者が後者の逆の手順である点が相違するのみであるから、以下、後者について説明し、前者に関する説明を省略する。   Next, a procedure for transferring the wafer W between the wafer chuck 10 and the wafer transfer means 100 will be described with reference to FIG. It should be noted that the procedure before the wafer to be inspected is transferred from the load arm 120 to the wafer chuck 10 via the holding arm 110 and the wafer W after the inspection from the wafer chuck 10 via the holding arm 110 to the unload arm 130. Since the former is performed using the load arm 120 and the latter is performed using the unload arm 130, the only difference is that the former is the reverse procedure of the latter. Hereinafter, the latter will be described, and description of the former will be omitted.

図7(a)に示すように、検査後のウェハWを載置したウェハチャック10が、保持アーム110の本体部111の下方に位置しており、本体部111に向けて接近する。   As shown in FIG. 7A, the wafer chuck 10 on which the inspected wafer W is placed is positioned below the main body 111 of the holding arm 110 and approaches the main body 111.

次に、図7(b)に示すように、ウェハチャック10が、保持アーム110にウェハWを受け渡し可能な距離まで接近すると、ウェハチャック10は、ウェハWに印加されている負圧を解除する。その後、保持アーム110は、上述したようにベルヌーイノズル112から吐出された空気流による負圧でウェハWを持ち上げる。   Next, as shown in FIG. 7B, when the wafer chuck 10 approaches the holding arm 110 to a distance where the wafer W can be delivered, the wafer chuck 10 releases the negative pressure applied to the wafer W. . Thereafter, the holding arm 110 lifts the wafer W with the negative pressure generated by the air flow discharged from the Bernoulli nozzle 112 as described above.

次に、図7(c)に示すように、保持アーム110がウェハWを保持すると、ウェハチャック10は、本体部111の下方に移動し、アンロードアーム130が、保持アーム110と保持アーム110の下方に移動したウェハチャック10との間に移動し、ハンド部131が本体部111に接近する。なお、ウェハチャック10は、保持アーム110がウェハWを保持している間、保持アーム110の下方に位置するようになっている。これにより、停電等でウェハWを持ち上げる空気流が断絶して、ウェハWが保持アーム110から落下する場合であっても、ウェハチャック10がウェハWを受け、ウェハWの損傷を軽減することができる。   Next, as shown in FIG. 7C, when the holding arm 110 holds the wafer W, the wafer chuck 10 moves below the main body 111, and the unload arm 130 moves between the holding arm 110 and the holding arm 110. The hand part 131 approaches the main body part 111. The wafer chuck 10 is positioned below the holding arm 110 while the holding arm 110 holds the wafer W. Thereby, even when the air flow for lifting the wafer W due to a power failure or the like is interrupted and the wafer W falls from the holding arm 110, the wafer chuck 10 receives the wafer W and can reduce damage to the wafer W. it can.

次に、図7(d)に示すように、アンロードアーム130が、本体部111からウェハWを受け取り可能な距離まで接近すると、保持アーム110は、ベルヌーイノズル112を介してウェハWに印加されている負圧を解除する。その後、ウェハWが、ハンド部131に落下して、アンロードアーム130に受け渡される。なお、ハンド部131がウェハWを受け取る際に、アンロードアーム130のベルヌーイノズル133から圧縮空気を吐出して、ウェハWの落下の衝撃を緩和させても良い。   Next, as shown in FIG. 7D, when the unload arm 130 approaches a distance that can receive the wafer W from the main body 111, the holding arm 110 is applied to the wafer W via the Bernoulli nozzle 112. Release the negative pressure. Thereafter, the wafer W falls onto the hand unit 131 and is delivered to the unload arm 130. When the hand unit 131 receives the wafer W, compressed air may be discharged from the Bernoulli nozzle 133 of the unload arm 130 to reduce the impact of dropping the wafer W.

そして、図7(e)に示すように、アンロードアーム130は、上述したようにウェハWの反りを矯正した後にウェハWを表面131aに真空吸着すると、アンロードアーム130はウェハWを搬送する。   Then, as shown in FIG. 7E, when the unload arm 130 vacuum-sucks the wafer W onto the surface 131a after correcting the warp of the wafer W as described above, the unload arm 130 carries the wafer W. .

このようにして、上述した本実施例に係るプローバシステム1は、如何なる径寸法のウェハWにも対応することができ、また、従来のようなリフトピンを備えたウェハチャックと比較して、ウェハチャック10が、ウェハWの裏面wb全面を載置面10aで支持するため、薄いウェハWをプロービングする場合であっても、ウェハWがプローブから受ける荷重で割れたり損傷することを抑制することができる。   As described above, the prober system 1 according to the present embodiment described above can be applied to the wafer W having any diameter, and the wafer chuck can be compared with a conventional wafer chuck having lift pins. 10 supports the entire back surface wb of the wafer W with the mounting surface 10a, so that even when a thin wafer W is probed, the wafer W can be prevented from being broken or damaged by the load received from the probe. .

なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。   The present invention can be variously modified without departing from the spirit of the present invention, and the present invention naturally extends to the modified ones.

1 ・・・ プローバシステム
2 ・・・ プローバ本体部
2a・・・ 側壁
3 ・・・ ローダ部
10 ・・・ ウェハチャック
10a・・・ 載置面
11 ・・・ ベルヌーイノズル
11a・・・ 開口
11b・・・ 傾斜面
12 ・・・ 空気供給部
13 ・・・ 吸着溝(吸着凹部)
14 ・・・ 負圧供給装置
15 ・・・ 空気連通路
16 ・・・ 真空連通路
20 ・・・ プローブカード
21 ・・・ プローブ
30 ・・・ ウェハカセット
100・・・ ウェハ搬送手段
110・・・ 保持アーム
111・・・ 本体部
111a・・・保持面
112・・・ ベルヌーイノズル
112a・・・開口
112b・・・傾斜面
113・・・ 空気供給部
114・・・ 連通路
115・・・ ストッパ
116・・・ 内周側ストッパ
117・・・ 外周側ストッパ
120・・・ ロードアーム
130・・・ アンロードアーム
131・・・ ハンド部
131a・・・表面
132・・・ 基部
133・・・ ベルヌーイノズル
133a・・・開口
133b・・・傾斜面
134・・・ 空気供給部
135・・・ 空気連通路
136・・・ 吸着溝(吸着凹部)
137・・・ 真空連通路
138・・・ 負圧供給装置
A1・・・ (ウェハチャックの)ベルヌーイ吸引機構
A2・・・ (アンロードアームの)ベルヌーイ吸引機構
B1・・・ (ウェハチャックの)真空吸着機構
B2・・・ (アンロードアームの)真空吸着機構
W ・・・ ウェハ
W1・・・ 小径ウェハ
W2・・・ 大径ウェハ
wa・・・ (ウェハの)表面
wb・・・ (ウェハの)裏面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Prober system 2 ... Prober main-body part 2a ... Side wall 3 ... Loader part 10 ... Wafer chuck 10a ... Mounting surface 11 ... Bernoulli nozzle 11a ... Opening 11b. .... Inclined surface 12 ... Air supply part 13 ... Adsorption groove (adsorption recess)
14 ... Negative pressure supply device 15 ... Air communication passage 16 ... Vacuum communication passage 20 ... Probe card 21 ... Probe 30 ... Wafer cassette 100 ... Wafer transfer means 110 ... Holding arm 111 ... Body 111a ... Holding surface 112 ... Bernoulli nozzle 112a ... Opening 112b ... Inclined surface 113 ... Air supply part 114 ... Communication path 115 ... Stopper 116 ... Inner peripheral side stopper 117 ... Outer peripheral side stopper 120 ... Load arm 130 ... Unload arm 131 ... Hand part 131a ... Surface 132 ... Base part 133 ... Bernoulli nozzle 133a ... Opening 133b ... Inclined surface 134 ... Air supply part 135 ... Air communication path 136 ... Suction groove (Suction recess)
137 ... Vacuum communication path 138 ... Negative pressure supply device A1 ... Bernoulli suction mechanism (for wafer chuck) A2 ... Bernoulli suction mechanism (for unload arm) B1 ... Vacuum (for wafer chuck) Suction mechanism B2 ... Vacuum suction mechanism (of unload arm) W ... Wafer W1 ... Small diameter wafer W2 ... Large diameter wafer wa ... (Wafer) surface wb ... (Wafer) Back side

Claims (8)

ウェハを保持するウェハチャックと、前記ウェハの表面に形成されたダイを電気的に検査するプローブカードと、検査前のウェハをウェハカセットから前記ウェハチャックに搬送し、検査後のウェハを前記ウェハチャックから前記ウェハカセットに搬送するウェハ搬送手段と、を備えたプローバシステムであって、
前記ウェハ搬送手段は、
前記ウェハの表面に対向する対向面を有する本体部と、前記対向面に開口して空気流を吐出するベルヌーイノズルと、該ベルヌーイノズルに圧縮空気を供給する空気供給部と、前記対向面に立設されて前記ウェハの周縁に接触可能なストッパと、を有し、前記検査前のウェハを前記ウェハチャックに受け渡し、前記検査後のウェハを前記空気流による負圧で前記ウェハチャックから持ち上げる保持アームを備え
前記ストッパは、前記対向面の内周側に配置されて小径ウェハに接触可能な内周側ストッパと、前記対向面の外周側に配置されて前記小径ウェハより大径の大径ウェハに接触可能な外周側ストッパと、で構成され、
前記外周側ストッパは、前記内周側ストッパよりも高く立設されていることを特徴とするプローバシステム。
A wafer chuck for holding a wafer, a probe card for electrically inspecting a die formed on the surface of the wafer, a wafer before inspection from the wafer cassette to the wafer chuck, and the wafer after inspection to the wafer chuck A prober system including a wafer transfer means for transferring the wafer cassette to the wafer cassette,
The wafer transfer means includes
A main body having a facing surface facing the surface of the wafer, a Bernoulli nozzle that opens to the facing surface and discharges an air flow, an air supply unit that supplies compressed air to the Bernoulli nozzle, and a standing surface on the facing surface. A holding arm configured to deliver the wafer before inspection to the wafer chuck and to lift the wafer after inspection from the wafer chuck with a negative pressure due to the air flow. equipped with a,
The stopper is disposed on the inner peripheral side of the facing surface and can contact a small diameter wafer, and the stopper is disposed on the outer peripheral side of the facing surface and can contact a large diameter wafer larger than the small diameter wafer. And an outer peripheral side stopper,
The prober system , wherein the outer peripheral side stopper is erected higher than the inner peripheral side stopper .
前記保持アームのベルヌーイノズルは、前記対向面上に放射状に配置されていることを特徴とする請求項1記載のプローバシステム。  The prober system according to claim 1, wherein the Bernoulli nozzles of the holding arms are arranged radially on the facing surface. 前記ウェハチャックは、前記保持アームが前記ウェハを保持する際に、前記保持アームの下方に配置されることを特徴とする請求項1又は2記載のプローバシステム。 The wafer chuck is, when the holding arm holds the wafer prober system of claim 1, wherein a is disposed below the holding arm. 前記ウェハチャックは、
前記ウェハを載置する載置面に開口するベルヌーイノズルと、該ベルヌーイノズルに圧縮空気を供給する空気供給部と、有し、前記ウェハを前記載置面と略平行に引き寄せるベルヌーイ吸引機構と、
前記載置面に形成された吸着凹部内に負圧を供給する負圧供給装置を有し、前記載置面と略平行に引き寄せられたウェハを前記載置面に吸着させる真空吸着機構と、
を備えていることを特徴とする請求項1乃至の何れか1項記載のプローバシステム。
The wafer chuck is
A Bernoulli nozzle that opens to a mounting surface on which the wafer is mounted; an air supply unit that supplies compressed air to the Bernoulli nozzle; and a Bernoulli suction mechanism that draws the wafer substantially parallel to the mounting surface;
A vacuum suction mechanism that has a negative pressure supply device that supplies a negative pressure in the suction recess formed on the placement surface, and that sucks the wafer drawn substantially parallel to the placement surface to the placement surface;
The prober system according to any one of claims 1 to 3 , further comprising:
前記ウェハ搬送手段は、前記ウェハカセットから取り出した前記検査前のウェハを乗載して該検査前のウェハを前記保持アームに受け渡し、前記保持アームから受け取った前記検査後のウェハを乗載して該検査後のウェハを前記ウェハカセットに収容するロード/アンロードアームを備えていることを特徴とする請求項1乃至の何れか1項記載のプローバシステム。 The wafer transfer means places the pre-inspection wafer taken out from the wafer cassette, delivers the pre-inspection wafer to the holding arm, and places the post-inspection wafer received from the holding arm. prober system of any one of claims 1 to 4, characterized in that it comprises a load / unload arm for accommodating the wafer after the test to the wafer cassette. 前記ロード/アンロードアームは、
前記ウェハを表面に乗載するハンド部と、
前記表面に開口して前記ウェハを前記表面と略平行に引き寄せるベルヌーイノズルと、該ベルヌーイノズルに圧縮空気を供給する空気供給部と、有し、前記ウェハを前記表面と略平行に引き寄せるベルヌーイ吸引機構と、
前記表面に形成された吸着凹部内に負圧を供給する負圧供給装置を有し、前記表面と略平行に引き寄せられたウェハを前記表面に吸着させる真空吸着機構と、を備えていることを特徴とする請求項記載のプローバシステム。
The load / unload arm is
A hand portion for mounting the wafer on the surface;
A Bernoulli nozzle that opens to the surface and draws the wafer substantially parallel to the surface, and an air supply unit that supplies compressed air to the Bernoulli nozzle, and draws the wafer substantially parallel to the surface. When,
A vacuum suction mechanism that has a negative pressure supply device for supplying a negative pressure into the suction recess formed on the surface, and that sucks the wafer drawn substantially parallel to the surface to the surface. 6. The prober system according to claim 5, wherein:
前記ロード/アンロードアームは、前記保持アームと前記ロード/アンロードアームとの間で前記ウェハが受け渡される際に、前記保持アームの下方に移動することを特徴とする請求項又は記載のプローバシステム。 The load / unload arm, when the wafer is delivered between the loading / unloading arm and the holding arm, according to claim 5 or 6, characterized in that moves downward of said holding arms Prober system. 前記ロード/アンロードアームは、互いに独立して設けられた、前記検査前のウェハを前記ウェハカセットから取り出して前記保持アームに受け渡すロードアームと、前記検査後のウェハを前記保持アームから受け取って前記ウェハカセットに収容するアンロードアームと、で構成されていることを特徴とする請求項乃至の何れか1項記載のプローバシステム。 The load / unload arm is provided independently of each other, a load arm that takes out the wafer before inspection from the wafer cassette and transfers it to the holding arm, and receives the wafer after inspection from the holding arm. prober system of any one of claims 5 to 7, characterized in that it is the unload arm, in configuration accommodated in the wafer cassette.
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JP6695225B2 (en) * 2016-07-12 2020-05-20 株式会社ディスコ Transport unit
JP6908826B2 (en) * 2017-03-23 2021-07-28 株式会社東京精密 Prober and wafer chuck
JP7054862B2 (en) * 2018-03-22 2022-04-15 株式会社東京精密 Prober wafer transfer equipment
JP7203575B2 (en) * 2018-11-08 2023-01-13 住友重機械工業株式会社 Wafer alignment system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61206238A (en) * 1985-03-08 1986-09-12 Nippon Maikuronikusu:Kk Automatic semiconductor wafer prober
JP2009088304A (en) * 2007-10-01 2009-04-23 Renesas Technology Corp Method of manufacturing semiconductor device
JP5934542B2 (en) * 2012-03-29 2016-06-15 株式会社Screenホールディングス Substrate holding device and substrate processing apparatus

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