JP6233542B1 - 金属検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被選別物が高温であっても部品寿命及び検出感度の低下を抑制できる金属検出装置を提供する。【解決手段】円筒体２の上部外周面に密接する上部密接体５、及び上部密接体５に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンク７と、円筒体２の下部外周面に密接する下部密接体６、及び下部密接体６に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンク８とを備え、上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８と、検出コイル３まわりに設けた側壁体９とにより、検出コイル３まわりを密閉するセンサーケースＳＣを形成する。被選別物から円筒体２に伝わった熱を、熱伝導により、上部密接体５及び上部ヒートシンク７、並びに下部密接体６及び下部ヒートシンク８に伝え、空冷ファンＦによる強制対流熱伝達により放熱する。【選択図】図２
Description
本発明は、樹脂ペレット等の被選別物に混入した金属異物を検出して選別する金属検出装置に関し、さらに詳しくは、被選別物が高温であっても部品寿命及び検出感度の低下や変動を抑制できる金属検出装置に関する。
樹脂ペレット又は樹脂粉粒体等の被選別物に混入した金属異物を検出して選別する金属検出装置として、非磁性体製の円筒体の径方向外方に検出コイルを配設し、前記検出コイルに高周波電流を与えて発振させた状態で、ホッパーに投入された被選別物が重力により落下して前記円筒体の内部空間を通過し、前記被選別物内の金属異物が前記内部空間を通過する際における前記検出コイルのインピーダンス変化を検出することにより前記金属異物を検出するものがある（例えば、特許文献１ないし４参照）。
簡素な構成により製造コストの上昇を抑制しながら、金属異物の検出精度の向上及び処理能力の向上を両立できる金属検出装置として、前記円筒体の上端部と前記ホッパーの下端部との間に、下方に縮径するテーパー管である連結管を設け、重力により前記ホッパーから前記連結管内に入った前記被選別物が前記連結管内で密に詰まらずに粗い状態で落下するように前記連結管の長さ及び口径を定めるとともに、前記連結管の上端から前記検出コイルまでの高さ方向距離を１００ｍｍ以上としたものがある（特願２０１５−２２３９８０号：以下において「先願」という）。
金属検出装置において、非磁性体製の円筒体の径方向外方に配設される検出コイルは外部磁場や振動等の影響を受けやすいので、前記検出コイルまわりを密閉する必要がある。
したがって、図１３の部分縦断面概略図に示す金属検出装置のセンサー室１０Ａのように、円筒体２、円筒体２の径方向外方に配設した検出コイル３、及び検出コイル３にリード線１１Ａで繋がるセンサー基板１２Ａを、センサーケースＳＣＡ内に収容している。
ここで、センサーケースＳＣＡは、例えば、中空円盤状の上板Ｉ及び下板Ｊ、並びに円筒状の側板Ｋにより構成される。
したがって、図１３の部分縦断面概略図に示す金属検出装置のセンサー室１０Ａのように、円筒体２、円筒体２の径方向外方に配設した検出コイル３、及び検出コイル３にリード線１１Ａで繋がるセンサー基板１２Ａを、センサーケースＳＣＡ内に収容している。
ここで、センサーケースＳＣＡは、例えば、中空円盤状の上板Ｉ及び下板Ｊ、並びに円筒状の側板Ｋにより構成される。
また、空気中の水分、静電気、及び検出コイル３の振動等が検出感度に影響することから、センサーケースＳＣＡ内を強制空冷等により放熱することはできない。
したがって、センサーケースＳＣＡの外側の筐体であるセンサー室１０Ａの一側部に空冷ファンＦを設けて、センサー室１０Ａの他側部に設けた吸気口Ｅから外気を導入することにより、センサー室１０Ａ内の放熱を行っている。
したがって、センサーケースＳＣＡの外側の筐体であるセンサー室１０Ａの一側部に空冷ファンＦを設けて、センサー室１０Ａの他側部に設けた吸気口Ｅから外気を導入することにより、センサー室１０Ａ内の放熱を行っている。
樹脂ペレット等の被選別物が、例えば１００℃〜１５０℃程度の高温である場合、高温の被選別物が円筒体２内を通過すると、被選別物の熱エネルギーが円筒体２に伝達される。
ここで、図１３のような放熱構造では、被選別物が、例えばおおよそ１００℃以上の高温である場合の放熱対策として十分ではなく、この時センサーケースＳＣＡを空冷ファンＦで冷却しているが、また、仮にセンサーケースＳＣＡにヒートシンクを設けたとしても、円筒体２からセンサーケースＳＣＡへの熱伝導が不十分なため円筒体２が高温になる。さらに高温の円筒体２の近くに取り付けられている検出コイル３、及び検出コイル３にリード線１１Ａで繋がるセンサー基板１２Ａも高温になる。
ここで、図１３のような放熱構造では、被選別物が、例えばおおよそ１００℃以上の高温である場合の放熱対策として十分ではなく、この時センサーケースＳＣＡを空冷ファンＦで冷却しているが、また、仮にセンサーケースＳＣＡにヒートシンクを設けたとしても、円筒体２からセンサーケースＳＣＡへの熱伝導が不十分なため円筒体２が高温になる。さらに高温の円筒体２の近くに取り付けられている検出コイル３、及び検出コイル３にリード線１１Ａで繋がるセンサー基板１２Ａも高温になる。
センサー基板１２Ａの温度が上昇して高温になると、温度が１０℃上昇すると寿命が半分になるという、いわゆる１０℃半減則からも分かるように、センサー基板１２Ａの電子部品の寿命が大幅に低下してしまう。
また、検出コイル３の温度が上昇して高温になると、検出コイル３の抵抗が増大して効率が落ちることにより、検出感度が大幅に低下してしまう。
特に、先願のように処理能力を向上させた金属検出装置では、高温の被選別物が円筒体内を通過するに伴い、被選別物から円筒体に伝わる熱エネルギーが大きくなるので、部品寿命及び検出感度が低下する問題が顕著になる。
また、検出コイル３の温度が上昇して高温になると、検出コイル３の抵抗が増大して効率が落ちることにより、検出感度が大幅に低下してしまう。
特に、先願のように処理能力を向上させた金属検出装置では、高温の被選別物が円筒体内を通過するに伴い、被選別物から円筒体に伝わる熱エネルギーが大きくなるので、部品寿命及び検出感度が低下する問題が顕著になる。
そこで、本発明が前述の状況に鑑み、解決しようとするところは、被選別物が高温であっても部品寿命及び検出感度の低下や変動を抑制できる金属検出装置を提供する点にある。
本発明に係る金属検出装置は、前記課題解決のために、非磁性体製の円筒体の径方向外方に検出コイルを配設し、前記検出コイルに高周波電流を与えて発振させた状態で、ホッパーに投入された被選別物が重力により落下して前記円筒体の内部空間を通過し、前記被選別物内の金属異物が前記内部空間を通過する際における前記検出コイルのインピーダンス変化を検出することにより前記金属異物を検出する金属検出装置であって、
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクとを備え、
前記上部ヒートシンク及び前記下部ヒートシンクと、前記検出コイルまわりに設けた側壁体とにより、前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、並びに前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱することを特徴とする（請求項１）。
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクとを備え、
前記上部ヒートシンク及び前記下部ヒートシンクと、前記検出コイルまわりに設けた側壁体とにより、前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、並びに前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱することを特徴とする（請求項１）。
また、本発明に係る金属検出装置は、前記課題解決のために、非磁性体製の円筒体の径方向外方に検出コイルを配設し、前記検出コイルに高周波電流を与えて発振させた状態で、ホッパーに投入された被選別物が重力により落下して前記円筒体の内部空間を通過し、前記被選別物内の金属異物が前記内部空間を通過する際における前記検出コイルのインピーダンス変化を検出することにより前記金属異物を検出する金属検出装置であって、
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクと、
のどちらか一方を備え
前記上部ヒートシンクと、前記検出コイルまわりに設けた側壁体と、下板とにより、又は、
上板と、前記検出コイルまわりに設けた側壁体と、前記下部ヒートシンクとにより、
前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、又は前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱することを特徴とする（請求項２）。
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクと、
のどちらか一方を備え
前記上部ヒートシンクと、前記検出コイルまわりに設けた側壁体と、下板とにより、又は、
上板と、前記検出コイルまわりに設けた側壁体と、前記下部ヒートシンクとにより、
前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、又は前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱することを特徴とする（請求項２）。
これらのような構成によれば、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体に伝わった熱は、熱伝導により上部密接体及び上部ヒートシンク及び／又は下部密接体及び下部ヒートシンクに伝えられ、放熱フィンを有する上部ヒートシンク及び／又は放熱フィンを有する下部ヒートシンクから、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱される。
よって、円筒体の径方向外方に配設された検出コイルにリード線で繋がるセンサー基板の温度上昇を抑制できるので、センサー基板上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、円筒体の径方向外方に配設された検出コイルの温度上昇及びそれに基づく検出コイルの抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下を抑制できる。
よって、円筒体の径方向外方に配設された検出コイルにリード線で繋がるセンサー基板の温度上昇を抑制できるので、センサー基板上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、円筒体の径方向外方に配設された検出コイルの温度上昇及びそれに基づく検出コイルの抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下を抑制できる。
ここで、前記検出コイルにリード線で繋がるセンサー基板を、前記センサーケースの外方に備えてなるのが好ましい（請求項３）。
このような構成によれば、センサー基板をセンサーケースの外方に備えていることから、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体に伝わった熱がセンサー基板にさらに伝わりにくい。
よって、センサー基板の温度上昇をさらに抑制できるので、センサー基板上の電子部品の寿命低下を抑制する効果が大きくなる。
このような構成によれば、センサー基板をセンサーケースの外方に備えていることから、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体に伝わった熱がセンサー基板にさらに伝わりにくい。
よって、センサー基板の温度上昇をさらに抑制できるので、センサー基板上の電子部品の寿命低下を抑制する効果が大きくなる。
さらに、前記円筒体と、前記センサー基板を収容する基板ケースとの間の前記リード線をチューブに通し、前記チューブ内に、シリコーンゲル、又はシリコーンを主原料とするゲル状素材を充填するのが一層好ましい（請求項４）。
このような構成によれば、検出コイルとセンサー基板とを接続するリード線がチューブに被われた状態で、チューブ内にシリコーンゲル等が充填されることから、振動に対してリード線が振れにくくなるので、リード線の振れによる誤検出を抑制できる。
このような構成によれば、検出コイルとセンサー基板とを接続するリード線がチューブに被われた状態で、チューブ内にシリコーンゲル等が充填されることから、振動に対してリード線が振れにくくなるので、リード線の振れによる誤検出を抑制できる。
本発明に係る金属検出装置は、前記課題解決のために、非磁性体製の円筒体の径方向外方に検出コイルを配設し、前記検出コイルに高周波電流を与えて発振させた状態で、ホッパーに投入された被選別物が重力により落下して前記円筒体の内部空間を通過し、前記被選別物内の金属異物が前記内部空間を通過する際における前記検出コイルのインピーダンス変化を検出することにより前記金属異物を検出する金属検出装置であって、
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクとを備え、
前記上部密接体に上部断熱材を介して連結した上板、及び前記下部密接体に下部断熱材を介して連結した下板、並びに、前記上板及び前記下板に連結する、前記検出コイルまわりに設けた側壁体とにより、前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記検出コイルにリード線で繋がるセンサー基板を、前記センサーケース内に備え、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、並びに前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱し、
前記上部断熱材により前記上部密接体から前記上板への熱伝導による伝熱を抑制するとともに、前記下部断熱材により前記下部密接体から前記下板への熱伝導による伝熱を抑制することを特徴とする（請求項５）
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクとを備え、
前記上部密接体に上部断熱材を介して連結した上板、及び前記下部密接体に下部断熱材を介して連結した下板、並びに、前記上板及び前記下板に連結する、前記検出コイルまわりに設けた側壁体とにより、前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記検出コイルにリード線で繋がるセンサー基板を、前記センサーケース内に備え、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、並びに前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱し、
前記上部断熱材により前記上部密接体から前記上板への熱伝導による伝熱を抑制するとともに、前記下部断熱材により前記下部密接体から前記下板への熱伝導による伝熱を抑制することを特徴とする（請求項５）
このような構成によれば、放熱フィンを有する上部ヒートシンク及び放熱フィンを有する下部ヒートシンクから、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱を行いながら、上部断熱材により上部密接体から上板への熱伝導による伝熱を抑制するとともに、下部断熱材により下部密接体から下板への熱伝導による伝熱を抑制するので、センサーケース内の温度上昇を抑制できる。
よって、円筒体の径方向外方に配設された検出コイルにリード線で繋がる、センサーケース内のセンサー基板の温度上昇を抑制できるので、センサー基板上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、円筒体の径方向外方に配設された検出コイルの温度上昇及びそれに基づく検出コイルの抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下を抑制できる。
その上さらに、センサー基板を検出コイルとともに閉空間であるセンサーケースの内部空間に備えているので、耐ノイズ性を向上できる。
よって、円筒体の径方向外方に配設された検出コイルにリード線で繋がる、センサーケース内のセンサー基板の温度上昇を抑制できるので、センサー基板上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、円筒体の径方向外方に配設された検出コイルの温度上昇及びそれに基づく検出コイルの抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下を抑制できる。
その上さらに、センサー基板を検出コイルとともに閉空間であるセンサーケースの内部空間に備えているので、耐ノイズ性を向上できる。
ここで、前記上部断熱材は、
前記上部密接体の外周面及び前記上板の内周面の間に介在する円筒部と、
前記上部密接体の下面及び前記上板の上面の間に介在する円環部とからなり、
前記下部断熱材は、
前記下部密接体の外周面及び前記下板の内周面の間に介在する円筒部と、
前記下部密接体の上面及び前記下板の下面の間に介在する円環部とからなるのが一層好ましい（請求項６）
前記上部密接体の外周面及び前記上板の内周面の間に介在する円筒部と、
前記上部密接体の下面及び前記上板の上面の間に介在する円環部とからなり、
前記下部断熱材は、
前記下部密接体の外周面及び前記下板の内周面の間に介在する円筒部と、
前記下部密接体の上面及び前記下板の下面の間に介在する円環部とからなるのが一層好ましい（請求項６）
このような構成によれば、上部断熱材及び下部断熱材が前記円筒部及び前記円環部からなるので、上部断熱材及び下部断熱材の組付けが容易であるとともに断熱性が安定する。
さらに、前記円筒体の上端部と前記ホッパーの下端部との間に、下方に縮径するテーパー管である連結管を設け、重力により前記ホッパーから前記連結管内に入った前記被選別物が前記連結管内で密に詰まらずに粗い状態で落下するように前記連結管の長さ及び口径を定めるとともに、前記連結管の上端から前記検出コイルまでの高さ方向距離を１００ｍｍ以上としてなるのがより一層好ましい（請求項７）。
このような構成によれば、重力によりホッパーから連結管内に入った被選別物が連結管内で密に詰まらずに粗い状態で落下するように連結管の長さ及び口径が定められているので、被選別物が連結管内で密に詰まって落下速度が低下することがない。
その上、連結管の上端から検出コイルまでの高さ方向距離が１００ｍｍ以上であるので、被選別物が重力により加速されて落下速度が上昇した状態で検出コイルを通過する。
よって、簡素な構成により製造コストの上昇を抑制しながら、被選別物に混入した金属異物の検出精度を向上できるとともに、処理能力を向上できる。
その上さらに、下方位置の被選別物の方が重力により加速されて高速であることから、連結管内で被選別物が密に詰まらないようにする断面積を小さくできるので、連結管を下方に縮径するテーパー管にすることができ、それにより連結管の下方に位置する円筒体及び検出コイルを小径化できるため、検出感度が向上する。
そして、このような処理能力を向上させた金属検出装置においては、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体に伝わる熱エネルギーが大きくなるので、本発明の放熱構造が特に有用であり、このような処理能力を向上させた金属検出装置における部品寿命及び検出感度の低下を抑制できる。
その上、連結管の上端から検出コイルまでの高さ方向距離が１００ｍｍ以上であるので、被選別物が重力により加速されて落下速度が上昇した状態で検出コイルを通過する。
よって、簡素な構成により製造コストの上昇を抑制しながら、被選別物に混入した金属異物の検出精度を向上できるとともに、処理能力を向上できる。
その上さらに、下方位置の被選別物の方が重力により加速されて高速であることから、連結管内で被選別物が密に詰まらないようにする断面積を小さくできるので、連結管を下方に縮径するテーパー管にすることができ、それにより連結管の下方に位置する円筒体及び検出コイルを小径化できるため、検出感度が向上する。
そして、このような処理能力を向上させた金属検出装置においては、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体に伝わる熱エネルギーが大きくなるので、本発明の放熱構造が特に有用であり、このような処理能力を向上させた金属検出装置における部品寿命及び検出感度の低下を抑制できる。
以上のように、本発明に係る金属検出装置によれば、主に以下のような効果を奏する。
（１）被選別物が高温であってもセンサー基板の温度上昇を抑制できるので、センサー基板上の電子部品の寿命低下や特性変化を抑制できる。
（２）被選別物が高温であっても検出コイルの温度上昇及びそれに基づく検出コイルの抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下や特性変動を抑制できる。
（１）被選別物が高温であってもセンサー基板の温度上昇を抑制できるので、センサー基板上の電子部品の寿命低下や特性変化を抑制できる。
（２）被選別物が高温であっても検出コイルの温度上昇及びそれに基づく検出コイルの抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下や特性変動を抑制できる。
次に本発明の実施の形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
以下の実施の形態では１チャンネルの金属検出装置の例を示すが、２チャンネル以上の金属検出装置に本発明を適用してもよい。
以下の実施の形態では１チャンネルの金属検出装置の例を示すが、２チャンネル以上の金属検出装置に本発明を適用してもよい。
＜被選別物＞
本発明の金属検出装置により金属異物を検出する被選別物は、樹脂ペレット、樹脂粉粒体、ガラス粒又はセラミックス粉等であるが、それらに限定されない。
被選別物が高温であっても部品寿命及び検出感度の低下を抑制できるという本発明の特徴から、本発明の金属検出装置は、例えば１００℃〜１５０℃程度の高温の被選別物に用いるのが好適である。
本発明の金属検出装置により金属異物を検出する被選別物は、樹脂ペレット、樹脂粉粒体、ガラス粒又はセラミックス粉等であるが、それらに限定されない。
被選別物が高温であっても部品寿命及び検出感度の低下を抑制できるという本発明の特徴から、本発明の金属検出装置は、例えば１００℃〜１５０℃程度の高温の被選別物に用いるのが好適である。
＜金属検出装置の構成及び動作＞
図１の正面図に示す本発明の実施の形態に係る金属検出装置１の基本構造は先願と同様である。
図１の正面図に示す本発明の実施の形態に係る金属検出装置１の基本構造は先願と同様である。
図１の正面図に示す金属検出装置１に加え、図２の縦断面概略図に示すセンサー室１０も参照して説明すると、金属検出装置１は、筐体１Ａ、セラミック（非磁性体）製の円筒体２、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３、被選別物が投入される、円筒体２の上方に位置するホッパー４、及び円筒体２の上端部とホッパー４の下端部との間に設けられた連結管Ａを備える。
また、金属検出装置１は、円筒体２の下方に設けられた、リード管、リード管の下方に設けられた、選別ダンパー、選別ダンパーを揺動させる揺動駆動装置、金属異物を含む被選別物を機外へ排出する排出シュートＧ、並びに、検出コイル３に高周波電流を与えて発振させる発振手段及び被選別物内の金属異物が円筒体２の内部空間Ｓ１を通過する際における検出コイル３のインピーダンス変化を検出する検出手段、並びに前記揺動駆動装置の駆動制御手段を有する制御装置Ｃ等をさらに備える。
また、金属検出装置１は、円筒体２の下方に設けられた、リード管、リード管の下方に設けられた、選別ダンパー、選別ダンパーを揺動させる揺動駆動装置、金属異物を含む被選別物を機外へ排出する排出シュートＧ、並びに、検出コイル３に高周波電流を与えて発振させる発振手段及び被選別物内の金属異物が円筒体２の内部空間Ｓ１を通過する際における検出コイル３のインピーダンス変化を検出する検出手段、並びに前記揺動駆動装置の駆動制御手段を有する制御装置Ｃ等をさらに備える。
そして、制御装置Ｃの発振手段により検出コイル３に高周波電流を与えて発振させた状態で、ホッパー４に投入された被選別物が重力により落下して円筒体２の内部空間Ｓ１を通過し、被選別物内の金属異物が内部空間Ｓ１を通過する際における検出コイル３のインピーダンス変化を制御装置Ｃの検出手段で検出することにより金属異物を検出する。
このようにして金属異物を検出した際には、制御装置Ｃの駆動制御手段により前記揺動駆動装置を駆動して前記選別ダンパーを揺動させることにより、金属異物が入った被選別物を排出シュートＧから機外へ排出するので、金属異物が入った被選別物は下方の次工程へ流れない。
このようにして金属異物を検出した際には、制御装置Ｃの駆動制御手段により前記揺動駆動装置を駆動して前記選別ダンパーを揺動させることにより、金属異物が入った被選別物を排出シュートＧから機外へ排出するので、金属異物が入った被選別物は下方の次工程へ流れない。
＜センサーケース及び基板ケースの構成＞
図２の縦断面概略図、及び図３の斜視図に示すように、円筒体２の外周面の上部に上部密接体５が密接し、円筒体２の外周面の下部に下部密接体６が密接する。
また、上部密接体５に上部ヒートシンク７が密接し、下部密接体６に下部ヒートシンク８が密接する。
さらに、上部ヒートシンク７下面７Ｂの係合溝７Ｃに側壁体９の上端部が係合し、下部ヒートシンク８上面８Ｂの係合溝８Ｃに側壁体９の下端部が係合する。
よって、円筒体２の外周側上下部に、放熱フィン７Ａを有する上部ヒートシンク７、及び放熱フィン８Ａを有する下部ヒートシンク８が備えられ、上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８と、検出コイル３まわりに設けた側壁体９とにより、検出コイル３まわりを密閉するセンサーケースＳＣが形成される。
また、検出コイル３にリード線１１で繋がるセンサー基板１２は、センサーケースＳＣの外方にあり、基板ケース１３内に収容される。
図２の縦断面概略図、及び図３の斜視図に示すように、円筒体２の外周面の上部に上部密接体５が密接し、円筒体２の外周面の下部に下部密接体６が密接する。
また、上部密接体５に上部ヒートシンク７が密接し、下部密接体６に下部ヒートシンク８が密接する。
さらに、上部ヒートシンク７下面７Ｂの係合溝７Ｃに側壁体９の上端部が係合し、下部ヒートシンク８上面８Ｂの係合溝８Ｃに側壁体９の下端部が係合する。
よって、円筒体２の外周側上下部に、放熱フィン７Ａを有する上部ヒートシンク７、及び放熱フィン８Ａを有する下部ヒートシンク８が備えられ、上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８と、検出コイル３まわりに設けた側壁体９とにより、検出コイル３まわりを密閉するセンサーケースＳＣが形成される。
また、検出コイル３にリード線１１で繋がるセンサー基板１２は、センサーケースＳＣの外方にあり、基板ケース１３内に収容される。
図４の分解斜視図に示すように、上部密接体５は第１半割体５Ａ及び第２半割体５Ｂにより構成され、下部密接体６は第１半割体６Ａ及び第２半割体６Ｂにより構成される。
第１半割体５Ａのざぐり孔５Ｃ，５Ｃの上方から六角穴付きボルト５Ｆ，５Ｆを挿入して上部ヒートシンク７の螺孔７Ｄ，７Ｄに螺合することにより、上部ヒートシンク７の上側に第１半割体５Ａが固定される。
また、第１半割体６Ａのざぐり孔６Ｃ，６Ｃの下方から六角穴付きボルト６Ｆ，６Ｆを挿入して下部ヒートシンク８の螺孔８Ｄ，８Ｄに螺合することにより、下部ヒートシンク８の下側に第１半割体６Ａが固定される。
第１半割体５Ａのざぐり孔５Ｃ，５Ｃの上方から六角穴付きボルト５Ｆ，５Ｆを挿入して上部ヒートシンク７の螺孔７Ｄ，７Ｄに螺合することにより、上部ヒートシンク７の上側に第１半割体５Ａが固定される。
また、第１半割体６Ａのざぐり孔６Ｃ，６Ｃの下方から六角穴付きボルト６Ｆ，６Ｆを挿入して下部ヒートシンク８の螺孔８Ｄ，８Ｄに螺合することにより、下部ヒートシンク８の下側に第１半割体６Ａが固定される。
円筒体２の下部を下部ヒートシンク８の通孔８Ｅに上方から嵌入して第１半割体６Ａの内周面に沿わせた状態で、第２半割体６Ｂを円筒体２の下部に宛がって第１半割体６Ａに対向させ、第２半割体６Ｂのざぐり孔６Ｄ，６Ｄ，…の側方から六角穴付きボルト６Ｇ，６Ｇ，…を挿入して第１半割体６Ａの螺孔６Ｅ，６Ｅ，…に螺合する。それにより、円筒体２の下部は、第１半割体６Ａ及び第２半割体６Ｂにより挟まれた状態でこれらに固定される。
この状態で、下部ヒートシンク８上面８Ｂの係合溝８Ｃに側壁体９の下端部が係合させ、リード線１１及びチューブＴを側壁体９の通孔９Ａに挿入する。
この状態で、下部ヒートシンク８上面８Ｂの係合溝８Ｃに側壁体９の下端部が係合させ、リード線１１及びチューブＴを側壁体９の通孔９Ａに挿入する。
ここで、図２及び図４に示すように、リード線１１は、例えばシリコーン製のチューブＴに通され、チューブＴ内には、シリコーンゲル、又はシリコーンを主原料とするゲル状素材が充填される。
このような構成によれば、検出コイル３とセンサー基板１２とを接続するリード線１１がチューブＴに被われた状態で、チューブＴ内にシリコーンゲル等が充填されることから、振動に対してリード線１１が振れにくくなるので、リード線１１の振れによる誤検出を抑制できる。
このような構成によれば、検出コイル３とセンサー基板１２とを接続するリード線１１がチューブＴに被われた状態で、チューブＴ内にシリコーンゲル等が充填されることから、振動に対してリード線１１が振れにくくなるので、リード線１１の振れによる誤検出を抑制できる。
次に、上部ヒートシンク７下面７Ｂの係合溝７Ｃに側壁体９の上端部を係合させ、円筒体２の上部を上部ヒートシンク７の通孔７Ｅに下方から嵌入して第１半割体５Ａの内周面に沿わせた状態で、第２半割体５Ｂを円筒体２の上部に宛がって第１半割体５Ａに対向させ、第２半割体５Ｂのざぐり孔５Ｄ，５Ｄ，…の側方から六角穴付きボルト５Ｇ，５Ｇ，…を挿入して第１半割体５Ａの螺孔５Ｅ，５Ｅ，…に螺合する。それにより、円筒体２の上部は第１半割体５Ａ及び第２半割体５Ｂにより挟まれた状態でこれらに固定される。
なお、上部密接体５及び下部密接体６を、半割体５Ａ，５Ｂ、及び半割体６Ａ，６Ｂにより構成せずに、スリットを有するカラー等で一体に形成してもよい。
なお、上部密接体５及び下部密接体６を、半割体５Ａ，５Ｂ、及び半割体６Ａ，６Ｂにより構成せずに、スリットを有するカラー等で一体に形成してもよい。
また、図２及び図３に示す側壁体９の側方に配置した基板ケース１３の蓋を開けた状態で、センサー基板１２にリード線１１を接続し、基板ケース１３にセンサー基板１２を固定した後、基板ケース１３の蓋を閉じる。
＜放熱構造＞
上部密接体５及び下部密接体６、並びに上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８は、純銅若しくは銅合金製、又は純アルミニウム若しくはアルミニウム合金製である。
また、上部密接体５及び上部ヒートシンク７の密接面、並びに下部密接体６及び下部ヒートシンク８の密接面には、熱伝導性グリース（放熱グリース）又は熱伝導シート等を介在させる。
よって、熱伝導率が高い部品同士の密接面に熱伝導性グリース等を介在させて密接面間の接触熱抵抗を小さくしているので、円筒体２から上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８までの熱抵抗を小さくできる。
上部密接体５及び下部密接体６、並びに上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８は、純銅若しくは銅合金製、又は純アルミニウム若しくはアルミニウム合金製である。
また、上部密接体５及び上部ヒートシンク７の密接面、並びに下部密接体６及び下部ヒートシンク８の密接面には、熱伝導性グリース（放熱グリース）又は熱伝導シート等を介在させる。
よって、熱伝導率が高い部品同士の密接面に熱伝導性グリース等を介在させて密接面間の接触熱抵抗を小さくしているので、円筒体２から上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８までの熱抵抗を小さくできる。
被選別物が高温である場合には、被選別物の大きな熱エネルギーが円筒体２に伝わる。
このように被選別物から円筒体２に伝わった熱は、図２及び図３に示す放熱フィン７Ａを有する上部ヒートシンク７及び放熱フィン８Ａを有する下部ヒートシンク８に、熱伝導で伝わる。
センサー室１０内の温度が所定温度（例えば３０℃）以上になったことを温度センサー等により検出すると、図２に示す空冷ファンＦを駆動する。それにより、吸気口Ｅから導入された外気が放熱フィン７Ａ，８Ａに接触するので、強制対流熱伝達により効果的に放熱される。
このように被選別物から円筒体２に伝わった熱は、図２及び図３に示す放熱フィン７Ａを有する上部ヒートシンク７及び放熱フィン８Ａを有する下部ヒートシンク８に、熱伝導で伝わる。
センサー室１０内の温度が所定温度（例えば３０℃）以上になったことを温度センサー等により検出すると、図２に示す空冷ファンＦを駆動する。それにより、吸気口Ｅから導入された外気が放熱フィン７Ａ，８Ａに接触するので、強制対流熱伝達により効果的に放熱される。
＜放熱性能の評価実験＞
次に、本発明の実施の形態の構成のセンサーケースＳＣ（図２）の放熱性能を評価するために行った実験について説明する。
（実験方法）
２５℃に設定した恒温器内にセンサーケースを設置し、円筒体内に熱風機で１３０℃の風を循環させ、各部の温度が平衡状態に達した後に、円筒体、検出コイル、及びセンサー基板の温度を測定する。
次に、本発明の実施の形態の構成のセンサーケースＳＣ（図２）の放熱性能を評価するために行った実験について説明する。
（実験方法）
２５℃に設定した恒温器内にセンサーケースを設置し、円筒体内に熱風機で１３０℃の風を循環させ、各部の温度が平衡状態に達した後に、円筒体、検出コイル、及びセンサー基板の温度を測定する。
（実施例及び比較例）
実施例１として、本発明の実施の形態の構成のセンサーケースＳＣ（図２）を用いた。
上部密接体５及び下部密接体６は銅合金製とし、上部ヒートシンク７、下部ヒートシンク８及び側壁体９はアルミニウム合金製とし、基板ケース１３は鋼製とした。
また、リード線１１は、シリコーン製のチューブＴに通し、チューブＴ内には、シリコーンゲルを充填した。
比較例１として、従来のセンサーケースＳＣＡ（図１３）を用いた。
上板Ｉ、下板Ｊ及び側板Ｋは鋼製とした。
実施例１として、本発明の実施の形態の構成のセンサーケースＳＣ（図２）を用いた。
上部密接体５及び下部密接体６は銅合金製とし、上部ヒートシンク７、下部ヒートシンク８及び側壁体９はアルミニウム合金製とし、基板ケース１３は鋼製とした。
また、リード線１１は、シリコーン製のチューブＴに通し、チューブＴ内には、シリコーンゲルを充填した。
比較例１として、従来のセンサーケースＳＣＡ（図１３）を用いた。
上板Ｉ、下板Ｊ及び側板Ｋは鋼製とした。
（実験結果）
実験結果を表１に示す。
表１より、比較例１の構成（図１３）よりも実施例１の構成（図２）の方が、放熱性能が大幅に高く、円筒体の温度は、比較例１に対して実施例１の方が３６．６℃低く、検出コイルの温度は、比較例１に対して実施例１の方が１６．１℃低く、センサー基板の温度は、比較例１に対して実施例１の方が１８．７℃低いことが分かる。
よって、センサー基板上の電子部品の寿命は、いわゆる１０℃半減則によれば、2^(18.7/10)≒3.7であるので、実施例１の寿命は、比較例１の寿命の約３．７倍になる。
実験結果を表１に示す。
表１より、比較例１の構成（図１３）よりも実施例１の構成（図２）の方が、放熱性能が大幅に高く、円筒体の温度は、比較例１に対して実施例１の方が３６．６℃低く、検出コイルの温度は、比較例１に対して実施例１の方が１６．１℃低く、センサー基板の温度は、比較例１に対して実施例１の方が１８．７℃低いことが分かる。
よって、センサー基板上の電子部品の寿命は、いわゆる１０℃半減則によれば、2^(18.7/10)≒3.7であるので、実施例１の寿命は、比較例１の寿命の約３．７倍になる。
＜第１変形例＞
図２に示すセンサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に、シリコーンゲル、又はシリコーンを主原料とするゲル状素材を充填してもよい。
ここで、空気の熱伝導率は、０．０２５７Ｗ／ｍ・Ｋ（２０℃）、０．０２８７Ｗ／ｍ・Ｋ（６０℃）、０．０３０２Ｗ／ｍ・Ｋ（８０℃）である。
また、シリコーンゲルの熱伝導率は、０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ程度（例えば、信越化学工業株式会社製のＫＥ−１０５２（Ａ／Ｂ））であり、シリコーンを主原料とするゲル状素材の中で熱伝導性の高いものの熱伝導率は、６．５Ｗ／ｍ・Ｋ程度（例えば、株式会社タイカ製のペースト状熱伝導ゲルＤＰ−１００）である。
図２に示すセンサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に、シリコーンゲル、又はシリコーンを主原料とするゲル状素材を充填してもよい。
ここで、空気の熱伝導率は、０．０２５７Ｗ／ｍ・Ｋ（２０℃）、０．０２８７Ｗ／ｍ・Ｋ（６０℃）、０．０３０２Ｗ／ｍ・Ｋ（８０℃）である。
また、シリコーンゲルの熱伝導率は、０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ程度（例えば、信越化学工業株式会社製のＫＥ−１０５２（Ａ／Ｂ））であり、シリコーンを主原料とするゲル状素材の中で熱伝導性の高いものの熱伝導率は、６．５Ｗ／ｍ・Ｋ程度（例えば、株式会社タイカ製のペースト状熱伝導ゲルＤＰ−１００）である。
よって、シリコーンゲルの熱伝導率は、空気の約５ないし６倍程度であり、シリコーンを主原料とするゲル状素材の中で熱伝導性の高いものを選定すれば、その熱伝導率は空気の約２１５ないし２５０倍程度であるので、センサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に、シリコーンゲル、又はシリコーンを主原料とするゲル状素材を充填することにより、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体２に伝わった熱をヒートシンク７，８までさらに効率よく伝えてヒートシンク７，８から放熱できる。
その上、センサーケースＳＣの内部空間Ｓ２にシリコーンゲル等を充填する場合は、図２のようにチューブＴを設ける必要がない。すなわち、センサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に充填するシリコーンゲル等によりリード線１１が固定されるので、チューブＴにリード線１１を通してチューブＴ内にシリコーンゲル等を充填する必要がない。
その上、センサーケースＳＣの内部空間Ｓ２にシリコーンゲル等を充填する場合は、図２のようにチューブＴを設ける必要がない。すなわち、センサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に充填するシリコーンゲル等によりリード線１１が固定されるので、チューブＴにリード線１１を通してチューブＴ内にシリコーンゲル等を充填する必要がない。
＜第２変形例＞
図２に示すセンサー基板１２を収容する基板ケース１３の内部空間Ｓ３に、シリコーンゲル、又はシリコーンを主原料とするゲル状素材を充填してもよい。
このような構成によれば、前記のとおり、シリコーンゲルの熱伝導率は、空気の約５ないし６倍程度であり、シリコーンを主原料とするゲル状素材の中で熱伝導性の高いものを選定すれば、その熱伝導率は空気の約２１５ないし２５０倍程度であるので、放熱性が高くなる。
よって、センサー基板１２上の電子部品の温度上昇を抑制できるので、センサー基板１２上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、検出コイル３とセンサー基板１２とを接続するリード線１２の基板ケース１３内の部分がシリコーンゲル等により固定されることから、振動に対してリード線１１が振れにくくなるので、リード線１１の振れによる誤検出を抑制できる。
図２に示すセンサー基板１２を収容する基板ケース１３の内部空間Ｓ３に、シリコーンゲル、又はシリコーンを主原料とするゲル状素材を充填してもよい。
このような構成によれば、前記のとおり、シリコーンゲルの熱伝導率は、空気の約５ないし６倍程度であり、シリコーンを主原料とするゲル状素材の中で熱伝導性の高いものを選定すれば、その熱伝導率は空気の約２１５ないし２５０倍程度であるので、放熱性が高くなる。
よって、センサー基板１２上の電子部品の温度上昇を抑制できるので、センサー基板１２上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、検出コイル３とセンサー基板１２とを接続するリード線１２の基板ケース１３内の部分がシリコーンゲル等により固定されることから、振動に対してリード線１１が振れにくくなるので、リード線１１の振れによる誤検出を抑制できる。
＜検出精度及び処理能力の向上を両立できる金属検出装置＞
検出コイル３までの落差（検出コイル３を通過する際の落下速度）による、制御装置Ｃの検出手段により検出コイル３のインピーダンス変化を検出した際の電圧であるセンサー検出電圧の変化を見るために行った実験例について説明する。
なお、図２の縦断面概略図、及び図５の要部拡大縦断面図に示すように、連結管Ａは下方に縮径する（上方よりも下方の内径が小さい）テーパー管である。
検出コイル３までの落差（検出コイル３を通過する際の落下速度）による、制御装置Ｃの検出手段により検出コイル３のインピーダンス変化を検出した際の電圧であるセンサー検出電圧の変化を見るために行った実験例について説明する。
なお、図２の縦断面概略図、及び図５の要部拡大縦断面図に示すように、連結管Ａは下方に縮径する（上方よりも下方の内径が小さい）テーパー管である。
図６のグラフは、直径０．２ｍｍのタングステンカーバイド（ＷＣ）のテストピースを自由落下させた実験例を、図７のグラフは、直径０．３ｍｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）のテストピースを自由落下させた実験例を示している。
また、図６（ａ）及び図７（ａ）は、検出コイル３までの落差によるセンサー検出電圧の変化を示すグラフであり、図６（ｂ）及び図７（ｂ）は、検出コイル３を通過する際の落下速度によるセンサー検出電圧の変化を示すグラフである。なお、「落下速度（ｍｍ／ｓ）」は、空気抵抗を考慮せずに落差と重力加速度から算出した理論値である。また、「センサー検出電圧（Ｖ）」は５回測定した値の平均値である。
また、図６（ａ）及び図７（ａ）は、検出コイル３までの落差によるセンサー検出電圧の変化を示すグラフであり、図６（ｂ）及び図７（ｂ）は、検出コイル３を通過する際の落下速度によるセンサー検出電圧の変化を示すグラフである。なお、「落下速度（ｍｍ／ｓ）」は、空気抵抗を考慮せずに落差と重力加速度から算出した理論値である。また、「センサー検出電圧（Ｖ）」は５回測定した値の平均値である。
図６及び図７の実験例から、検出コイル３を通過する際の速度が速いほどセンサー検出電圧が高くなり、特に小さい落差において落差変化によるセンサー検出電圧の変化が大きく、落差が５０ｍｍ（連結管Ａが無い場合に相当）のセンサー検出電圧の値に対する落差が１００ｍｍ（図５に示す連結管Ａの長さＬが５０ｍｍの場合に相当）のセンサー検出電圧の値は、約１．３倍になっており、落差が５０ｍｍ（連結管Ａが無い場合に相当）のセンサー検出電圧の値に対する落差が１５０ｍｍ（図５に示す連結管Ａの長さＬが１００ｍｍの場合に相当）のセンサー検出電圧の値は、約１．５倍になっている。
そこで、本実施の形態では、図５に示す連結管Ａの長さＬを５０ｍｍ以上とし、すなわち連結管Ａの上端（ホッパー４の下端部）から検出コイル３までの高さ方向距離Ｈを１００ｍｍ以上としている。
そこで、本実施の形態では、図５に示す連結管Ａの長さＬを５０ｍｍ以上とし、すなわち連結管Ａの上端（ホッパー４の下端部）から検出コイル３までの高さ方向距離Ｈを１００ｍｍ以上としている。
次に、主に連結管Ａ内における被選別物の流れの状況を見るために行った実験例について説明する。
図５に示す上口径（ホッパー４の下端内径）Ｄ１、下口径（連結管Ａの下端内径）Ｄ２、連結管Ａの長さＬ、連結管Ａの上端から検出コイル３までの高さ方向距離Ｈ（Ｈ＝Ｌ＋５０）を、実施例２及び３、並びに比較例２ないし４のように変えたものを試作し、被選別物である樹脂ペレットに直径０．２ｍｍのタングステンカーバイド（ＷＣ）を入れたテストピースを混ぜて流して評価を行った結果を表２に示す。
（１）実施例２：Ｄ１＝３０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝２００ｍｍ，Ｈ＝２５０ｍｍ。
（２）実施例３：Ｄ１＝３０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝３００ｍｍ，Ｈ＝３５０ｍｍ。
（３）比較例２：Ｄ１＝４０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝６０ｍｍ，Ｈ＝１１０ｍｍ。
（４）比較例３：Ｄ１＝４０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝２００ｍｍ，Ｈ＝２５０ｍｍ。
（５）比較例４：Ｄ１＝３０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝１２０ｍｍ，Ｈ＝１７０ｍｍ。
図５に示す上口径（ホッパー４の下端内径）Ｄ１、下口径（連結管Ａの下端内径）Ｄ２、連結管Ａの長さＬ、連結管Ａの上端から検出コイル３までの高さ方向距離Ｈ（Ｈ＝Ｌ＋５０）を、実施例２及び３、並びに比較例２ないし４のように変えたものを試作し、被選別物である樹脂ペレットに直径０．２ｍｍのタングステンカーバイド（ＷＣ）を入れたテストピースを混ぜて流して評価を行った結果を表２に示す。
（１）実施例２：Ｄ１＝３０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝２００ｍｍ，Ｈ＝２５０ｍｍ。
（２）実施例３：Ｄ１＝３０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝３００ｍｍ，Ｈ＝３５０ｍｍ。
（３）比較例２：Ｄ１＝４０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝６０ｍｍ，Ｈ＝１１０ｍｍ。
（４）比較例３：Ｄ１＝４０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝２００ｍｍ，Ｈ＝２５０ｍｍ。
（５）比較例４：Ｄ１＝３０ｍｍ，Ｄ２＝１９ｍｍ，Ｌ＝１２０ｍｍ，Ｈ＝１７０ｍｍ。
評価項目は、検出コイル３を通過する際の落下速度である「落下速度（ｍｍ／ｓ）」、被選別物である樹脂ペレットに直径０．２ｍｍのタングステンカーバイド（ＷＣ）を入れたテストピースを混ぜて流した場合の前記センサー検出電圧である「検出電圧（Ｖ）」、２ｋｇの樹脂ペレットが流れるのに要する時間である「２ｋｇ処理時間（ｓ）」、及び連結管Ａ内における樹脂ペレットの状態が、密に詰まった状態（「密」）で落下しているか、密に詰まっておらず粗い状態（「粗」）で落下しているかを観察して示した「連結管内粗密状態」とした。
なお、「落下速度（ｍｍ／ｓ）」は検出コイル３から上方へ２５ｍｍの位置から下方へ２５ｍｍの位置までの５０ｍｍの間隔を通過した時間Ｔ（ｓ）を計測して５０／Ｔから求めており、３回測定した値の平均値である。また、「検出電圧（Ｖ）」は、前記図４及び図５の「センサー検出電圧（Ｖ）」と同様に５回測定した平均値である。
なお、「落下速度（ｍｍ／ｓ）」は検出コイル３から上方へ２５ｍｍの位置から下方へ２５ｍｍの位置までの５０ｍｍの間隔を通過した時間Ｔ（ｓ）を計測して５０／Ｔから求めており、３回測定した値の平均値である。また、「検出電圧（Ｖ）」は、前記図４及び図５の「センサー検出電圧（Ｖ）」と同様に５回測定した平均値である。
表２の結果から、「連結管内粗密状態」が「密」である比較例２ないし４は、「落下速度」及び「検出速度」が小さいとともに、「２ｋｇ処理時間」が大きく、それらに対して「連結管内粗密状態」が「粗」である実施例２及び３は、「落下速度」及び「検出速度」が大きいとともに、「２ｋｇ処理時間」が小さいことが分かる。
ここで、比較例２及び３は、上口径Ｄ１が大きいことから、連結管Ａ内に流れ込む樹脂ペレットの量が多過ぎるため、樹脂ペレットが連結管Ａ内を密に詰まった状態（「密」）で落下している。
また、比較例４は、連結管Ａの長さＬが小さいことから、連結管Ａ内に入った樹脂ペレットを加速する距離が小さいため、樹脂ペレットが連結管Ａ内を密に詰まった状態（「密」）で落下している。
ここで、比較例２及び３は、上口径Ｄ１が大きいことから、連結管Ａ内に流れ込む樹脂ペレットの量が多過ぎるため、樹脂ペレットが連結管Ａ内を密に詰まった状態（「密」）で落下している。
また、比較例４は、連結管Ａの長さＬが小さいことから、連結管Ａ内に入った樹脂ペレットを加速する距離が小さいため、樹脂ペレットが連結管Ａ内を密に詰まった状態（「密」）で落下している。
そこで、本発明では、重力によりホッパー４から連結管Ａ内に入った被選別物が連結管Ａ内で密に詰まらずに粗い状態で落下（自由落下（自然落下）又はそれに近い状態で落下）するように連結管Ａの長さＬ及び口径Ｄ１，Ｄ２を定めている。
なお、表２の実施例２及び３のように、被選別物が連結管Ａ内を前記粗い状態で流れる条件のときは、連結管Ａを無くしてホッパー４だけで被選別物を流しても処理時間（例えば表２の「２ｋｇ処理時間」）は同じになる。よって、長さ及び口径を任意に定めた連結管Ａを取り付けて被選別物を流した場合とホッパー４だけで被選別物を流した場合とで、所定量の被選別物を流した場合の処理時間が同じになることを確認すれば、重力によりホッパー４から連結管Ａ内に入った被選別物が連結管Ａ内で密に詰まらずに粗い状態で落下するよう定められた連結管Ａの形状であることを確認できる。
なお、表２の実施例２及び３のように、被選別物が連結管Ａ内を前記粗い状態で流れる条件のときは、連結管Ａを無くしてホッパー４だけで被選別物を流しても処理時間（例えば表２の「２ｋｇ処理時間」）は同じになる。よって、長さ及び口径を任意に定めた連結管Ａを取り付けて被選別物を流した場合とホッパー４だけで被選別物を流した場合とで、所定量の被選別物を流した場合の処理時間が同じになることを確認すれば、重力によりホッパー４から連結管Ａ内に入った被選別物が連結管Ａ内で密に詰まらずに粗い状態で落下するよう定められた連結管Ａの形状であることを確認できる。
以上のような構成によれば、重力によりホッパー４から連結管Ａ内に入った被選別物が連結管Ａ内で密に詰まらずに粗い状態で落下（自由落下（自然落下）又はそれに近い状態で落下）するように連結管Ａの長さＬ及び口径Ｄ１，Ｄ２が定められているので、被選別物が連結管Ａ内で密に詰まって落下速度が低下することがない。
その上、連結管Ａの上端から検出コイル３までの高さ方向距離Ｈが１００ｍｍ以上であるので、被選別物が重力により加速されて落下速度が上昇した状態で検出コイル３を通過する。
よって、簡素な構成により製造コストの上昇を抑制しながら、被選別物に混入した金属異物の検出精度を向上できるとともに、処理能力を向上できる。
その上、連結管Ａの上端から検出コイル３までの高さ方向距離Ｈが１００ｍｍ以上であるので、被選別物が重力により加速されて落下速度が上昇した状態で検出コイル３を通過する。
よって、簡素な構成により製造コストの上昇を抑制しながら、被選別物に混入した金属異物の検出精度を向上できるとともに、処理能力を向上できる。
また、下方位置の被選別物の方が重力により加速されて高速であることから、連結管Ａで被選別物が密に詰まらないようにする断面積を小さくできるので、図２及び図５のように連結管Ａを下方に縮径するテーパー管にすることができ、連結管Ａを前記テーパー管にすることにより、連結管Ａの下方に位置する円筒体２及び検出コイル３を小径化できるため、検出感度が向上する。
そして、このような処理能力を向上させた金属検出装置においては、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体に伝わる熱エネルギーが大きくなるので、放熱性能が高い本発明の前記放熱構造が特に有用であり、処理能力を向上させた金属検出装置における部品寿命及び検出感度の低下を抑制できる。
＜第３変形例＞
図８の要部拡大縦断面図に示すように、連結管Ａと円筒体２の間に中空の接続体Ｂを設け、接続体Ｂの上端部と連結管Ａの下端部との間に、例えばＯリングであるパッキンＰを設けてもよく、このような構造は耐震性の強化に好適である。
図８の要部拡大縦断面図に示すように、連結管Ａと円筒体２の間に中空の接続体Ｂを設け、接続体Ｂの上端部と連結管Ａの下端部との間に、例えばＯリングであるパッキンＰを設けてもよく、このような構造は耐震性の強化に好適である。
図８のように接続体Ｂ及びパッキンＰを設けた構成を、図２のような接続体Ｂ及びパッキンＰを備えない構成と比較するために、外部から加振してセンサーのノイズを評価する実験を行った。
すなわち、図１に示す金属検出装置１のホッパー４の上部にハンマーで衝撃を与えて振動を付与し、そのときのセンサーのノイズ電圧を測定した。
すなわち、図１に示す金属検出装置１のホッパー４の上部にハンマーで衝撃を与えて振動を付与し、そのときのセンサーのノイズ電圧を測定した。
その結果、図８のような接続体Ｂ及びパッキンＰを備えた構成の方が、接続体Ｂ及びパッキンＰを備えない構成よりも前記ノイズの電圧レベルが約４５％に低減していた。
よって、図８のような接続体Ｂ及びパッキンＰを備えた構成によれば、外部からの振動が連結管Ａに伝わっても、パッキンＰを介して連結管Ａに繋がる接続体Ｂには振動が伝わりにくくなることから、接続体Ｂに繋がる円筒体２、及び円筒体２の径方向外方に配設した検出コイル３にも外部からの振動が伝わりにくいので、外部からの振動による誤検出を抑制できることが分かる。
よって、図８のような接続体Ｂ及びパッキンＰを備えた構成によれば、外部からの振動が連結管Ａに伝わっても、パッキンＰを介して連結管Ａに繋がる接続体Ｂには振動が伝わりにくくなることから、接続体Ｂに繋がる円筒体２、及び円筒体２の径方向外方に配設した検出コイル３にも外部からの振動が伝わりにくいので、外部からの振動による誤検出を抑制できることが分かる。
＜第４変形例＞
図９の斜視図に示すように、側壁体９を平面視矩形状（角柱状）とし、対向する一対の側壁の外面に、放熱フィン１４Ａを有する側部ヒートシンク１４を備えるようにしてもよい。
このような構成によれば、放熱フィン１４Ａを有する側部ヒートシンク１４により伝熱面積がさらに広がることから、より効果的に放熱できる。
図９の斜視図に示すように、側壁体９を平面視矩形状（角柱状）とし、対向する一対の側壁の外面に、放熱フィン１４Ａを有する側部ヒートシンク１４を備えるようにしてもよい。
このような構成によれば、放熱フィン１４Ａを有する側部ヒートシンク１４により伝熱面積がさらに広がることから、より効果的に放熱できる。
＜第５変形例＞
図１０の斜視図に示すように、センサーケースＳＣの側部に配置する基板ケース１３の位置を、図３の基板ケース１３に対して垂直軸まわりに９０°回転させた位置にしてもよい。
このような構成によれば、基板ケース１３が放熱フィン７Ａ，８Ａを沿う方向の空気の流れを妨げない。
図１０の斜視図に示すように、センサーケースＳＣの側部に配置する基板ケース１３の位置を、図３の基板ケース１３に対して垂直軸まわりに９０°回転させた位置にしてもよい。
このような構成によれば、基板ケース１３が放熱フィン７Ａ，８Ａを沿う方向の空気の流れを妨げない。
＜第６変形例＞
図１１の部分縦断面概略図、及び図１２の要部拡大部分縦断面概略図に示す構成において、図２ないし図４、及び図８ないし図１０と同一符号は、同一又は相当する部品又は部分を示している。
図２ないし図４、及び図８ないし図１０は、センサー基板１２をセンサーケースＳＣの外方の基板ケース１３内に収容する構成である。それらに対して、図１１及び図１２の構成は、基板ケース１３を無くし、センサー基板１２をセンサーケースＳＣ内に備えている。
図１１の部分縦断面概略図、及び図１２の要部拡大部分縦断面概略図に示す構成において、図２ないし図４、及び図８ないし図１０と同一符号は、同一又は相当する部品又は部分を示している。
図２ないし図４、及び図８ないし図１０は、センサー基板１２をセンサーケースＳＣの外方の基板ケース１３内に収容する構成である。それらに対して、図１１及び図１２の構成は、基板ケース１３を無くし、センサー基板１２をセンサーケースＳＣ内に備えている。
図１１及び図１２に示すように、上部密接体５と中空円盤状の上板１５の間には上部断熱材１７が介在し、下部密接体６と中空円盤状の下板１６の間には下部断熱材１８が介在する。そして、六角穴付きボルト５Ｆ，５Ｆ，…により、上部ヒートシンク７、上部密接体５、及び上板１５を連結固定し、六角穴付きボルト６Ｆ，６Ｆ，…により、下部ヒートシンク８、下部密接体６、及び下板１６を連結固定する。
このような構造により、上部密接体５に上部断熱材１７を介して連結した、中空円盤状の上板１５、及び下部密接体６に下部断熱材１８を介して連結した、中空円盤状の下板１６、並びに、上板１６及び下板１７に連結する、検出コイル３まわりに設けた、円筒状の側壁体９により、検出コイル３まわりを密閉するセンサーケースＳＣを形成している。
そして、センサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に、検出コイル３にリード線１１で繋がるセンサー基板１２を備える。
このような構造により、上部密接体５に上部断熱材１７を介して連結した、中空円盤状の上板１５、及び下部密接体６に下部断熱材１８を介して連結した、中空円盤状の下板１６、並びに、上板１６及び下板１７に連結する、検出コイル３まわりに設けた、円筒状の側壁体９により、検出コイル３まわりを密閉するセンサーケースＳＣを形成している。
そして、センサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に、検出コイル３にリード線１１で繋がるセンサー基板１２を備える。
上部密接体５は下方に延出する延出部５Ｈを有し、それにより上部密接体５の内周面５Ｉと円筒体２の外周面との接触面積を大きくしており、下部密接体６は上方に延出する延出部６Ｈを有し、それにより下部密接体６の内周面６Ｉと円筒体２の外周面との接触面積を大きくしている。
したがって、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体２に伝わった熱が、円筒体２から上部密接体５及び下部密接体６に熱伝導で伝わる際の熱抵抗が小さくなる。
よって、円筒体２から上部密接体５及び下部密接体６を介して上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８に、被選別物から円筒体２に伝わった熱を、熱伝導でより効率的に伝えることができるので、放熱フィン７Ａを有する上部ヒートシンク７及び放熱フィン８Ａを有する下部ヒートシンク８から、空冷ファンによる強制対流熱伝達により一層効果的に放熱される。
なお、図１１及び図１２の構成において、上板１５及び下板１６並びに側壁体９に放熱フィンを取り付けてもよい。
したがって、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体２に伝わった熱が、円筒体２から上部密接体５及び下部密接体６に熱伝導で伝わる際の熱抵抗が小さくなる。
よって、円筒体２から上部密接体５及び下部密接体６を介して上部ヒートシンク７及び下部ヒートシンク８に、被選別物から円筒体２に伝わった熱を、熱伝導でより効率的に伝えることができるので、放熱フィン７Ａを有する上部ヒートシンク７及び放熱フィン８Ａを有する下部ヒートシンク８から、空冷ファンによる強制対流熱伝達により一層効果的に放熱される。
なお、図１１及び図１２の構成において、上板１５及び下板１６並びに側壁体９に放熱フィンを取り付けてもよい。
上部断熱材１７は、上部密接体５の外周面５Ｊ及び上板１５の内周面１５Ａの間に介在する円筒部１７Ａと、上部密接体５の下面５Ｋ及び上板１５の上面１５Ｂの間に介在する円環部１７Ｂとからなる。
下部断熱材１８は、下部密接体６の外周面６Ｊ及び下板１６の内周面１６Ａの間に介在する円筒部１８Ａと、下部密接体６の上面６Ｋ及び下板１６の下面１６Ｂの間に介在する円環部１８Ｂとからなる。
断熱材１７，１８は、例えば上記形状の一体の成形断熱材にすると、組付けが容易であるとともに断熱性が安定するのでより好ましいが、円筒状の成形断熱材と円環状の成形断熱材とを組み合わせて使用してもよく、成形断熱材でなくてもよい。
例えば、上部密接体５の下面５Ｋ及び上板１５の上面１５Ｂの間に配置した、熱伝導率の低い合成樹脂製の平座金を断熱材１７とし、前記平座金の穴に六角穴付きボルト５Ｆを挿通するようにしてもよい。同様に、下部密接体６の上面６Ｋ及び下板１６の下面１６Ｂの間に配置した、熱伝導率の低い合成樹脂製の平座金を断熱材１８とし、前記平座金の穴に六角穴付きボルト６Ｆを挿通するようにしてもよい。
下部断熱材１８は、下部密接体６の外周面６Ｊ及び下板１６の内周面１６Ａの間に介在する円筒部１８Ａと、下部密接体６の上面６Ｋ及び下板１６の下面１６Ｂの間に介在する円環部１８Ｂとからなる。
断熱材１７，１８は、例えば上記形状の一体の成形断熱材にすると、組付けが容易であるとともに断熱性が安定するのでより好ましいが、円筒状の成形断熱材と円環状の成形断熱材とを組み合わせて使用してもよく、成形断熱材でなくてもよい。
例えば、上部密接体５の下面５Ｋ及び上板１５の上面１５Ｂの間に配置した、熱伝導率の低い合成樹脂製の平座金を断熱材１７とし、前記平座金の穴に六角穴付きボルト５Ｆを挿通するようにしてもよい。同様に、下部密接体６の上面６Ｋ及び下板１６の下面１６Ｂの間に配置した、熱伝導率の低い合成樹脂製の平座金を断熱材１８とし、前記平座金の穴に六角穴付きボルト６Ｆを挿通するようにしてもよい。
図１１及び図１２に示す変形例の構成では、前記強制対流熱伝達による放熱を行いながら、上部断熱材１７により上部密接体５から上板１５への熱伝導による伝熱を抑制するとともに、下部断熱材１８により下部密接体６から下板１６への熱伝導による伝熱を抑制するので、センサーケースＳＣ内の温度上昇を抑制できる。
よって、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３にリード線１１で繋がる、センサーケースＳＣ内のセンサー基板１２の温度上昇を抑制できるので、センサー基板１２上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３の温度上昇及びそれに基づく検出コイル３の抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下を抑制できる。
その上さらに、センサー基板１２を検出コイル３とともに閉空間であるセンサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に備えているので、耐ノイズ性を向上できる。
よって、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３にリード線１１で繋がる、センサーケースＳＣ内のセンサー基板１２の温度上昇を抑制できるので、センサー基板１２上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３の温度上昇及びそれに基づく検出コイル３の抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下を抑制できる。
その上さらに、センサー基板１２を検出コイル３とともに閉空間であるセンサーケースＳＣの内部空間Ｓ２に備えているので、耐ノイズ性を向上できる。
以上の説明においては、円筒体２の外周面の上部に上部密接体５及び上部ヒートシンク７を備え、円筒体２の外周面の下部に下部密接体６及び下部ヒートシンク８を備えた構成を示したが、円筒体２の上部及び下部の一方のみに密接体及びヒートシンクを備えるようにしてもよい。
例えば、円筒体２の上部のみに密接体及びヒートシンクを備える構成では、上部ヒートシンク７、側壁体９、及び下板によりセンサーケースＳＣが形成される。
また、円筒体２の下部のみに密接体及びヒートシンクを備える構成では、上板、側壁体９、及び下部ヒートシンクによりセンサーケースが形成される。
以上の説明における第６変形例以外の構成いては、センサー基板１２をセンサーケースＳＣの外方に備えた構成を示したが、第６変形例以外の構成においてもセンサー基板１２はセンサーケースＳＣ内に備えてもよい。
例えば、円筒体２の上部のみに密接体及びヒートシンクを備える構成では、上部ヒートシンク７、側壁体９、及び下板によりセンサーケースＳＣが形成される。
また、円筒体２の下部のみに密接体及びヒートシンクを備える構成では、上板、側壁体９、及び下部ヒートシンクによりセンサーケースが形成される。
以上の説明における第６変形例以外の構成いては、センサー基板１２をセンサーケースＳＣの外方に備えた構成を示したが、第６変形例以外の構成においてもセンサー基板１２はセンサーケースＳＣ内に備えてもよい。
以上のような金属検出装置１の構成によれば、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体２に伝わった熱は、熱伝導により上部密接体５及び上部ヒートシンク７及び／又は下部密接体６及び下部ヒートシンク８に伝えられ、放熱フィン７Ａを有する上部ヒートシンク７及び／又は放熱フィン８Ａを有する下部ヒートシンク８から、空冷ファンＦによる強制対流熱伝達により放熱される。
よって、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３にリード線で繋がるセンサー基板１２の温度上昇を抑制できるのでセンサー基板１２上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３の温度上昇及びそれに基づく検出コイル３の抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下を抑制できる。
また、センサー基板１２をセンサーケースＳＣの外方に備えた構成によれば、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体２に伝わった熱がセンサー基板１２にさらに伝わりにくいことから、センサー基板１２の温度上昇をさらに抑制できるので、センサー基板１２上の電子部品の寿命低下を抑制する効果が大きくなる。
さらに、センサー基板１２をセンサーケースＳＣ内に備えた構成によれば、センサー基板１２を検出コイル３とともに閉空間であるセンサーケースＳＣ内に備えているので、耐ノイズ性を向上できる。
よって、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３にリード線で繋がるセンサー基板１２の温度上昇を抑制できるのでセンサー基板１２上の電子部品の寿命低下を抑制できる。
その上、円筒体２の径方向外方に配設された検出コイル３の温度上昇及びそれに基づく検出コイル３の抵抗の増加を抑制できるので、検出感度の低下を抑制できる。
また、センサー基板１２をセンサーケースＳＣの外方に備えた構成によれば、被選別物が高温である場合に被選別物から円筒体２に伝わった熱がセンサー基板１２にさらに伝わりにくいことから、センサー基板１２の温度上昇をさらに抑制できるので、センサー基板１２上の電子部品の寿命低下を抑制する効果が大きくなる。
さらに、センサー基板１２をセンサーケースＳＣ内に備えた構成によれば、センサー基板１２を検出コイル３とともに閉空間であるセンサーケースＳＣ内に備えているので、耐ノイズ性を向上できる。
１ 金属検出装置 １Ａ 筐体
２ 円筒体 ３ 検出コイル
４ ホッパー ５ 上部密接体
５Ａ 第１半割体 ５Ｂ 第２半割体
５Ｃ，５Ｄ ざぐり孔 ５Ｅ 螺孔
５Ｆ，５Ｇ 六角穴付きボルト ５Ｈ 延出部
５Ｉ 内周面 ５Ｊ 外周面
５Ｋ 下面 ６ 下部密接体
６Ａ 第１半割体 ６Ｂ 第２半割体
６Ｃ，６Ｄ ざぐり孔 ６Ｅ 螺孔
６Ｆ，６Ｇ 六角穴付きボルト ６Ｈ 延出部
６Ｉ 内周面 ６Ｊ 外周面
６Ｋ 上面 ７ 上部ヒートシンク
７Ａ 放熱フィン ７Ｂ 下面
７Ｃ 係合溝 ７Ｄ 螺孔
７Ｅ 通孔 ８ 下部ヒートシンク
８Ａ 放熱フィン ８Ｂ 上面
８Ｃ 係合溝 ８Ｄ 螺孔
８Ｅ 通孔 ９ 側壁体
９Ａ 通孔 １０，１０Ａ センサー室
１１，１１Ａ リード線 １２，１２Ａ センサー基板
１３ 基板ケース １４ 側部ヒートシンク
１４Ａ 放熱フィン １５ 上板
１５Ａ 内周面 １５Ｂ 上面
１６ 下板 １６Ａ 内周面
１６Ｂ 下面 １７ 上部断熱材
１７Ａ 円筒部 １７Ｂ 円環部
１８ 下部断熱材 １８Ａ 円筒部
１８Ｂ 円環部
Ａ 連結管 Ｂ 接続体
Ｃ 制御装置 Ｄ１ 上口径
Ｄ２ 下口径 Ｅ 吸気口
Ｆ 空冷ファン Ｇ 排出シュート
Ｈ 連結管の上端から検出コイルまでの高さ方向距離
Ｉ 上板 Ｊ 下板
Ｋ 側板 Ｌ 連結管の長さ
Ｐ パッキン Ｓ１ 円筒体の内部空間
Ｓ２ センサーケースの内部空間 Ｓ３ 基板ケースの内部空間
ＳＣ，ＳＣＡ センサーケース Ｔ チューブ
２ 円筒体 ３ 検出コイル
４ ホッパー ５ 上部密接体
５Ａ 第１半割体 ５Ｂ 第２半割体
５Ｃ，５Ｄ ざぐり孔 ５Ｅ 螺孔
５Ｆ，５Ｇ 六角穴付きボルト ５Ｈ 延出部
５Ｉ 内周面 ５Ｊ 外周面
５Ｋ 下面 ６ 下部密接体
６Ａ 第１半割体 ６Ｂ 第２半割体
６Ｃ，６Ｄ ざぐり孔 ６Ｅ 螺孔
６Ｆ，６Ｇ 六角穴付きボルト ６Ｈ 延出部
６Ｉ 内周面 ６Ｊ 外周面
６Ｋ 上面 ７ 上部ヒートシンク
７Ａ 放熱フィン ７Ｂ 下面
７Ｃ 係合溝 ７Ｄ 螺孔
７Ｅ 通孔 ８ 下部ヒートシンク
８Ａ 放熱フィン ８Ｂ 上面
８Ｃ 係合溝 ８Ｄ 螺孔
８Ｅ 通孔 ９ 側壁体
９Ａ 通孔 １０，１０Ａ センサー室
１１，１１Ａ リード線 １２，１２Ａ センサー基板
１３ 基板ケース １４ 側部ヒートシンク
１４Ａ 放熱フィン １５ 上板
１５Ａ 内周面 １５Ｂ 上面
１６ 下板 １６Ａ 内周面
１６Ｂ 下面 １７ 上部断熱材
１７Ａ 円筒部 １７Ｂ 円環部
１８ 下部断熱材 １８Ａ 円筒部
１８Ｂ 円環部
Ａ 連結管 Ｂ 接続体
Ｃ 制御装置 Ｄ１ 上口径
Ｄ２ 下口径 Ｅ 吸気口
Ｆ 空冷ファン Ｇ 排出シュート
Ｈ 連結管の上端から検出コイルまでの高さ方向距離
Ｉ 上板 Ｊ 下板
Ｋ 側板 Ｌ 連結管の長さ
Ｐ パッキン Ｓ１ 円筒体の内部空間
Ｓ２ センサーケースの内部空間 Ｓ３ 基板ケースの内部空間
ＳＣ，ＳＣＡ センサーケース Ｔ チューブ
Claims (7)
- 非磁性体製の円筒体の径方向外方に検出コイルを配設し、前記検出コイルに高周波電流を与えて発振させた状態で、ホッパーに投入された被選別物が重力により落下して前記円筒体の内部空間を通過し、前記被選別物内の金属異物が前記内部空間を通過する際における前記検出コイルのインピーダンス変化を検出することにより前記金属異物を検出する金属検出装置であって、
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクとを備え、
前記上部ヒートシンク及び前記下部ヒートシンクと、前記検出コイルまわりに設けた側壁体とにより、前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、並びに前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱することを特徴とする金属検出装置。 - 非磁性体製の円筒体の径方向外方に検出コイルを配設し、前記検出コイルに高周波電流を与えて発振させた状態で、ホッパーに投入された被選別物が重力により落下して前記円筒体の内部空間を通過し、前記被選別物内の金属異物が前記内部空間を通過する際における前記検出コイルのインピーダンス変化を検出することにより前記金属異物を検出する金属検出装置であって、
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクと、
のどちらか一方を備え
前記上部ヒートシンクと、前記検出コイルまわりに設けた側壁体と、下板とにより、又は、
上板と、前記検出コイルまわりに設けた側壁体と、前記下部ヒートシンクとにより、
前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、又は前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱することを特徴とする金属検出装置。 - 前記検出コイルにリード線で繋がるセンサー基板を、前記センサーケースの外方に備えてなる、
請求項１又は２記載の金属検出装置。 - 前記円筒体と、前記センサー基板を収容する基板ケースとの間の前記リード線をチューブに通し、前記チューブ内に、シリコーンゲル、又はシリコーンを主原料とするゲル状素材を充填してなる、
請求項３記載の金属検出装置。 - 非磁性体製の円筒体の径方向外方に検出コイルを配設し、前記検出コイルに高周波電流を与えて発振させた状態で、ホッパーに投入された被選別物が重力により落下して前記円筒体の内部空間を通過し、前記被選別物内の金属異物が前記内部空間を通過する際における前記検出コイルのインピーダンス変化を検出することにより前記金属異物を検出する金属検出装置であって、
前記円筒体の上部外周面に密接する上部密接体、及び前記上部密接体に密接する、放熱フィンを有する上部ヒートシンクと、
前記円筒体の下部外周面に密接する下部密接体、及び前記下部密接体に密接する、放熱フィンを有する下部ヒートシンクとを備え、
前記上部密接体に上部断熱材を介して連結した上板、及び前記下部密接体に下部断熱材を介して連結した下板、並びに、前記上板及び前記下板に連結する、前記検出コイルまわりに設けた側壁体により、前記検出コイルまわりを密閉するセンサーケースを形成し、
前記検出コイルにリード線で繋がるセンサー基板を、前記センサーケース内に備え、
前記被選別物から前記円筒体に伝わった熱を、熱伝導により、前記上部密接体及び前記上部ヒートシンク、並びに前記下部密接体及び前記下部ヒートシンクに伝え、空冷ファンによる強制対流熱伝達により放熱し、
前記上部断熱材により前記上部密接体から前記上板への熱伝導による伝熱を抑制するとともに、前記下部断熱材により前記下部密接体から前記下板への熱伝導による伝熱を抑制することを特徴とする金属検出装置。 - 前記上部断熱材は、
前記上部密接体の外周面及び前記上板の内周面の間に介在する円筒部と、
前記上部密接体の下面及び前記上板の上面の間に介在する円環部とからなり、
前記下部断熱材は、
前記下部密接体の外周面及び前記下板の内周面の間に介在する円筒部と、
前記下部密接体の上面及び前記下板の下面の間に介在する円環部とからなる、
請求項５記載の金属検出装置。 - 前記円筒体の上端部と前記ホッパーの下端部との間に、下方に縮径するテーパー管である連結管を設け、重力により前記ホッパーから前記連結管内に入った前記被選別物が前記連結管内で密に詰まらずに粗い状態で落下するように前記連結管の長さ及び口径を定めるとともに、前記連結管の上端から前記検出コイルまでの高さ方向距離を１００ｍｍ以上としてなる、
請求項１〜６の何れか１項に記載の金属検出装置。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120792A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Densoku Kogyo Kk | Device for detecting metals mixed in fluids |
| JPS58199085A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-19 | 日新工機株式会社 | 金属選別装置 |
| JPS6363986A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Fudo Kagaku Kogyo Kk | 金属検出除去方法 |
| JPS6443381A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-15 | Satake Eng Co Ltd | Metal separator for cereal |
| JPH02126180A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Nikka Densoku Kk | 金属検出装置 |
| JP2002156462A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Ishida Co Ltd | 金属検出装置 |
| JP2011237278A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Eminet Co Ltd | 金属検出装置 |
| JP2011237287A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Eminet Co Ltd | 金属検出装置 |
| JP2012214877A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Jfe Steel Corp | 高炉炉内計測用コイル及び装入原料の混合度計測方法並びに装置 |
| JP2016145804A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-12 | 一般財団法人雑賀技術研究所 | 金属検出装置 |
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2017
- 2017-07-19 JP JP2017140268A patent/JP6233542B1/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120792A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Densoku Kogyo Kk | Device for detecting metals mixed in fluids |
| JPS58199085A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-19 | 日新工機株式会社 | 金属選別装置 |
| JPS6363986A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Fudo Kagaku Kogyo Kk | 金属検出除去方法 |
| JPS6443381A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-15 | Satake Eng Co Ltd | Metal separator for cereal |
| JPH02126180A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Nikka Densoku Kk | 金属検出装置 |
| JP2002156462A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Ishida Co Ltd | 金属検出装置 |
| JP2011237278A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Eminet Co Ltd | 金属検出装置 |
| JP2011237287A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Eminet Co Ltd | 金属検出装置 |
| JP2012214877A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Jfe Steel Corp | 高炉炉内計測用コイル及び装入原料の混合度計測方法並びに装置 |
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