JP6229601B2 - Electrode substrate film and manufacturing method thereof - Google Patents

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本発明は、樹脂フィルムから成る透明基板と電極等の回路パターンを有し、タッチパネル等に用いられる電極基板フィルムに係り、特に、高輝度照明下においても上記電極等の回路パターンが視認され難く、更に、入射光の入射角度が大きくなっても電極等の回路パターンが視認され難い電極基板フィルムとその製造方法に関するものである。   The present invention relates to an electrode substrate film used for a touch panel or the like, having a transparent substrate made of a resin film and a circuit pattern such as an electrode, and in particular, the circuit pattern such as the electrode is hardly visible even under high-intensity illumination. Furthermore, the present invention relates to an electrode substrate film in which a circuit pattern such as an electrode is difficult to be visually recognized even when an incident angle of incident light is increased, and a manufacturing method thereof.

従来、入力装置として「キーボード」が利用され、「キーボード」のキーを人間が操作することで数値や文字を機器に入力していた。   Conventionally, a “keyboard” has been used as an input device, and numerical values and characters have been input to a device by operating a “keyboard” key.

しかし、近年、スマートフォン等の携帯電話や携帯電子文書機器、自動販売機、カーナビゲーション、コンビニエンスストアのレジスター等において、人間−マシンインターフェースとしての「タッチパネル」が普及し始めている。   However, in recent years, “touch panels” as human-machine interfaces have begun to spread in mobile phones such as smartphones, portable electronic document devices, vending machines, car navigation, convenience store registers, and the like.

上記「タッチパネル」には、大きく分けて抵抗型と静電容量型が存在する。「抵抗型のタッチパネル」は、樹脂フィルムから成る透明基板と、基板上に設けられたX座標(またはY座標)検知電極シート並びにY座標(またはX座標)検知電極シートと、これ等シートの間に設けられた絶縁体スペーサーとで主要部が構成されている。そして、上記X座標検知電極シートとY座標検知電極シートは空間的に隔たっているが、ペン等で押さえられたときに両座標検知電極シートは電気的に接触してペンの触った位置(X座標、Y座標)が判るようになっており、ペンを移動させればその都度座標を認識して、最終的に文字の入力が行なえる仕組みとなっている。他方、「静電容量型のタッチパネル」は、絶縁シートを介してX座標(またはY座標)検知電極シートとY座標(またはX座標)検知電極シートが積層され、これ等の上にガラス等の絶縁体が配置された構造を有している。そして、ガラス等の上記絶縁体に指を近づけたとき、その近傍のX座標検知電極、Y座標検知電極の電気容量が変化するため、位置検知を行なえる仕組みとなっている。   The “touch panel” is roughly classified into a resistance type and a capacitance type. A “resistive touch panel” is a transparent substrate made of a resin film, an X coordinate (or Y coordinate) detection electrode sheet and a Y coordinate (or X coordinate) detection electrode sheet provided on the substrate, and a space between these sheets The main part is comprised with the insulator spacer provided in this. The X-coordinate detection electrode sheet and the Y-coordinate detection electrode sheet are spatially separated from each other. However, when the X-coordinate detection electrode sheet is pressed with a pen or the like, the two coordinate detection electrode sheets are in electrical contact with each other and touched by the pen (X (Coordinates, Y-coordinates) are known, and when the pen is moved, the coordinates are recognized each time, and finally a character can be input. On the other hand, the “capacitance-type touch panel” has an X-coordinate (or Y-coordinate) detection electrode sheet and a Y-coordinate (or X-coordinate) detection electrode sheet laminated via an insulating sheet. It has a structure in which an insulator is disposed. When a finger is brought close to the insulator such as glass, the electric capacity of the X-coordinate detection electrode and the Y-coordinate detection electrode in the vicinity thereof changes so that the position can be detected.

そして、電極等の回路パターンを構成する導電性材料として、従来、ITO(酸化インジウム−酸化錫)等の透明導電膜が広く用いられていた(特許文献1参照)。また、近年のタッチパネルの大型化に伴い、特許文献2や特許文献3等に開示されたメッシュ構造の金属製細線も使用され始めている。   Conventionally, a transparent conductive film such as ITO (indium oxide-tin oxide) has been widely used as a conductive material constituting a circuit pattern such as an electrode (see Patent Document 1). In addition, with the recent increase in the size of touch panels, mesh-structured metal fine wires disclosed in Patent Document 2, Patent Document 3, and the like have begun to be used.

ところで、上記透明導電膜と金属製細線を較べた場合、透明導電膜は、可視波長領域における透過性に優れるため電極等の回路パターンが殆ど視認されない利点を有するが、金属製細線より電気抵抗値が高いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化には不向きな欠点を有する。他方、金属製細線は、電気抵抗値が低いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化に向いているが、可視波長領域における反射率が高いため、例え微細なメッシュ構造に加工されたとしても高輝度照明下において回路パターンが視認されることがあり、製品価値を低下させてしまう欠点を有する。   By the way, when the transparent conductive film is compared with a metal fine wire, the transparent conductive film has an advantage that the circuit pattern such as an electrode is hardly visually recognized because of its excellent transparency in the visible wavelength region. Therefore, there is a disadvantage that is unsuitable for increasing the size of the touch panel and increasing the response speed. On the other hand, thin metal wires are suitable for increasing the size of touch panels and increasing the response speed because of their low electrical resistance, but they have high reflectivity in the visible wavelength region, so even if they are processed into a fine mesh structure. A circuit pattern may be visually recognized under high-intensity illumination, which has a drawback of reducing the product value.

尚、上記金属製細線の可視波長領域における反射率を低減させるため、透明基板と金属製細線との間に反射防止機能を有する吸収型多層膜(例えば、酸化物誘電体膜層と金属吸収膜層から成る吸収型多層膜)を設ける方法が検討されている。しかし、吸収型多層膜においては、吸収型多層膜に入射される光の入射角度が大きくなると反射防止機能が小さくなるため、視認性の問題を回避する方法として未だ十分ではなかった。   In order to reduce the reflectance in the visible wavelength region of the metal fine wire, an absorption multilayer film (for example, an oxide dielectric film layer and a metal absorption film) having an antireflection function between the transparent substrate and the metal fine wire. A method of providing an absorptive multilayer film composed of layers is under study. However, in the absorption multilayer film, the antireflection function is reduced when the incident angle of light incident on the absorption multilayer film is increased, so that it has not been sufficient as a method for avoiding the visibility problem.

特開2003−151358号公報(請求項2参照)JP 2003-151358 A (refer to claim 2) 特開2011−018194号公報(請求項1参照)JP 2011-018194 A (refer to claim 1) 特開2013−069261号公報(段落0004参照)JP 2013-0669261 A (see paragraph 0004) 特開2006−130841号公報(請求項1、段落0004参照)JP 2006-130841 A (refer to claim 1, paragraph 0004)

本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、高輝度照明下においても電極等の回路パターンが視認され難く、更に、入射光の入射角度が大きくなっても電極等の回路パターンが視認され難い電極基板フィルムとその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made paying attention to such problems, and the problem is that circuit patterns such as electrodes are hardly visible even under high-intensity illumination, and the incident angle of incident light is increased. However, it is to provide an electrode substrate film in which a circuit pattern such as an electrode is hardly visually recognized and a manufacturing method thereof.

上記課題を解決するため、本発明者は、反射防止に関する従来技術について鋭意調査した結果、特許文献4に記載された方法を発見するに至った。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has intensively investigated the prior art related to antireflection, and as a result, has found the method described in Patent Document 4.

すなわち、この方法は、マトリックス状に配置して成る錐状突起群(図1A参照)で構成された反射防止構造体部を光学部品の表面に設けるという方法であった。   In other words, this method is a method in which an antireflection structure part composed of conical protrusions (see FIG. 1A) arranged in a matrix is provided on the surface of the optical component.

そして、可視波長域用の反射防止構造体部であれば、錐状突起群がサブミクロンのピッチでマトリックス状に配置されており、入射光の波長よりピッチの小さい反射防止構造体部においては、図1(B)に示すように屈折率が媒質(空気)から基板まで連続的に変化している物質として考えることができ、反射防止の機能を有している。   And if it is an antireflection structure part for visible wavelength region, the cone-shaped projection groups are arranged in a matrix at a submicron pitch, and in the antireflection structure part having a pitch smaller than the wavelength of incident light, As shown in FIG. 1B, it can be considered as a substance whose refractive index continuously changes from the medium (air) to the substrate, and has a function of preventing reflection.

そこで、本発明者は、レンズ素子、プリズム素子、ミラー素子、レンズ鏡筒等に用いられている特許文献4の反射防止構造体部について、特許文献4に記載されていない電極基板フィルムへの適用を試みたところ、電極等回路パターンからの反射に関する問題が回避できることを見出すに至り、更に、反射に関する問題が回避できることから電極等の回路パターンを構成する金属製細線の線幅を従来幅より大きく設定できることを発見するに至った。本発明はこのような技術的検討と発見に基づき完成されている。   Therefore, the present inventor applied the antireflection structure part of Patent Document 4 used for a lens element, a prism element, a mirror element, a lens barrel, etc. to an electrode substrate film not described in Patent Document 4. As a result, it was found that problems related to reflection from the circuit pattern such as electrodes can be avoided, and further, problems related to reflection can be avoided, so that the line width of the fine metal wires constituting the circuit pattern such as electrodes is made larger than the conventional width. It came to discover that it can be set. The present invention has been completed based on such technical examination and discovery.

すなわち、本発明に係る第1の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と、該透明基板の少なくとも片面に設けられかつ金属製細線から成るメッシュ構造の回路パターンを具備する電極基板フィルムにおいて、
複数の錐状突起をサブミクロンピッチでマトリックス状に配置した錐状突起群により構成される反射防止構造体部が上記透明基板の少なくとも片面に設けられ、かつ、上記反射防止構造体部上に線幅20μm以下の金属製細線で構成される回路パターンが設けられていると共に、上記反射防止構造体部と回路パターンを構成する金属製細線との間に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜が設けられていることを特徴とし、
第2の発明は、
第1の発明に記載された電極基板フィルムにおいて、
上記錐状突起群の反転形状を有する電鋳型を製造し、この電鋳型を用い透明基板用樹脂フィルム素材をナノインプリント法若しくはキャスティング法により成型加工して、上記錐状突起群により構成される反射防止構造体部が形成されていることを特徴とする。
That is, the first invention according to the present invention is:
In an electrode substrate film comprising a transparent substrate made of a resin film, and a circuit pattern having a mesh structure provided on at least one surface of the transparent substrate and made of a fine metal wire,
An antireflection structure part composed of a group of conical protrusions in which a plurality of conical protrusions are arranged in a matrix at a submicron pitch is provided on at least one surface of the transparent substrate, and a line is formed on the antireflection structure part. A circuit pattern composed of a thin metal wire having a width of 20 μm or less is provided , and between the antireflection structure and the thin metal wire constituting the circuit pattern, Cr alone, Ti, Al, V , W, Ta, Si, Ni, Cu Cr-based alloy added with one or more elements selected, or Ni alone, or selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Cu A visible light absorbing film made of a Ni-based alloy to which one or more elements are added ,
The second invention is
In the electrode substrate film described in the first invention,
An anti-reflection composed of the above-mentioned cone-shaped projection group is manufactured by manufacturing an electroforming mold having the inverted shape of the above-mentioned cone-shaped projection group, and molding the resin film material for the transparent substrate by the nanoimprint method or casting method using this electromold. A structure portion is formed.

また、第3の発明は、
第1の発明または第2の発明に記載された電極基板フィルムにおいて、
上記金属製細線が、Cu単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Agより選ばれる1種以上の元素が添加されたCu系合金、または、Ag単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたAg系合金で構成されていることを特徴とし、
の発明は、
の発明または第の発明に記載された電極基板フィルムにおいて、
上記金属製細線で構成される回路パターンの表面に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜が設けられていることを特徴とし、
の発明は、
第1の発明〜第の発明のいずれかに記載された電極基板フィルムにおいて、
法線と入射光線とのなす角度と定義される入射角が0°〜40°の範囲において、反射防止膜構造体部が形成されない場合と比較して、可視波長領域の分光反射率が1/2以下に低減していることを特徴とするものである。
In addition, the third invention,
In the electrode substrate film described in the first invention or the second invention,
The metal fine wire is Cu alone, Cu-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag are added, or Ag alone, or Ti It is composed of an Ag-based alloy to which one or more elements selected from Al, V, W, Ta, Si, Cr, and Cu are added,
The fourth invention is:
In the electrode substrate film described in the first invention or the third invention,
Cr-based alloy in which one or more elements selected from Cr, or Ti, Al, V, W, Ta, Si, Ni, Cu are added to the surface of the circuit pattern composed of the above-described thin metal wires, Alternatively, a visible light absorption film made of Ni alone or a Ni-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, and Cu are added is provided. As a feature,
The fifth invention is:
In the electrode substrate film described in any one of the first to fourth inventions,
Compared with the case where the antireflection film structure is not formed, the spectral reflectance in the visible wavelength region is 1 / in the range of the incident angle defined as the angle formed between the normal line and the incident light in the range of 0 ° to 40 °. It is characterized by being reduced to 2 or less.

次に、第の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と、該透明基板の少なくとも片面に設けられかつ金属製細線から成るメッシュ構造の回路パターンを具備する電極基板フィルムの製造方法において、
上記樹脂フィルムの少なくとも片面に、複数の錐状突起がサブミクロンピッチでマトリックス状に配置された錐状突起群により構成される反射防止構造体部を形成し、かつ、上記反射防止構造体部上に線幅20μm以下の金属製細線で構成される回路パターンを形成すると共に、上記反射防止構造体部と回路パターンを構成する金属製細線との間に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜を設けることを特徴とし、
の発明は、
の発明に記載された電極基板フィルムの製造方法において、
上記錐状突起群の反転形状を有する電鋳型を製造し、この電鋳型を用い透明基板用樹脂フィルム素材をナノインプリント法若しくはキャスティング法により成型加工して、上記錐状突起群により構成される反射防止構造体部を形成することを特徴とする。
Next, the sixth invention is:
In a method for producing an electrode substrate film comprising a transparent substrate made of a resin film, and a circuit pattern having a mesh structure provided on at least one surface of the transparent substrate and made of a fine metal wire,
Forming an antireflection structure part composed of a group of conical protrusions in which a plurality of conical protrusions are arranged in a matrix at a submicron pitch on at least one surface of the resin film, and on the antireflection structure part In addition, a circuit pattern composed of a thin metal wire having a line width of 20 μm or less is formed , and between the antireflection structure and the thin metal wire constituting the circuit pattern, Cr alone, or Ti, Al, V , W, Ta, Si, Ni, Cu Cr-based alloy added with one or more elements selected, or Ni alone, or selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Cu Providing a visible light absorbing film made of a Ni-based alloy to which one or more elements are added ,
The seventh invention
In the method for producing an electrode substrate film described in the sixth invention,
An anti-reflection composed of the above-mentioned cone-shaped projection group is manufactured by manufacturing an electroforming mold having the inverted shape of the above-mentioned cone-shaped projection group, and molding the resin film material for the transparent substrate by the nanoimprint method or casting method using this electromold. A structure portion is formed.

また、第の発明は、
の発明または第の発明に記載された電極基板フィルムの製造方法において、
上記金属製細線が、Cu単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Agより選ばれる1種以上の元素が添加されたCu系合金、または、Ag単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたAg系合金で構成されていることを特徴とし、
の発明は、
の発明または第の発明に記載された電極基板フィルムの製造方法において、
上記金属製細線で構成される回路パターンの表面に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜を設けることを特徴とし、
10の発明は、
の発明〜第の発明のいずれかに記載された電極基板フィルムの製造方法において、
法線と入射光線とのなす角度と定義される入射角が0°〜40°の範囲において、反射防止膜構造体部が形成されない場合と比較して、可視波長領域の分光反射率を1/2以下に低減させることを特徴とするものである。
Further, the eighth invention is
In the method for producing an electrode substrate film described in the sixth invention or the seventh invention,
The metal fine wire is Cu alone, Cu-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag are added, or Ag alone, or Ti It is composed of an Ag-based alloy to which one or more elements selected from Al, V, W, Ta, Si, Cr, and Cu are added,
The ninth invention
In the method for producing an electrode substrate film described in the sixth invention or the eighth invention,
Cr-based alloy in which one or more elements selected from Cr, or Ti, Al, V, W, Ta, Si, Ni, Cu are added to the surface of the circuit pattern composed of the above-described thin metal wires, Or, it is characterized by providing a visible light absorbing film made of Ni alone or a Ni-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Cu are added,
The tenth invention is
In the method for producing an electrode substrate film according to any one of the sixth to ninth inventions,
When the incident angle defined as the angle formed between the normal and the incident light is in the range of 0 ° to 40 °, the spectral reflectance in the visible wavelength region is 1 / It is characterized by being reduced to 2 or less.

本発明に係る電極基板フィルムは、複数の錐状突起をサブミクロンピッチでマトリックス状に配置した錐状突起群により構成される反射防止構造体部が上記透明基板の少なくとも片面に設けられ、かつ、上記反射防止構造体部上に線幅20μm以下の金属製細線で構成される回路パターンが設けられていることを特徴としている。   In the electrode substrate film according to the present invention, an antireflection structure part composed of a group of conical protrusions in which a plurality of conical protrusions are arranged in a matrix at a submicron pitch is provided on at least one side of the transparent substrate, and A circuit pattern composed of fine metal wires having a line width of 20 μm or less is provided on the antireflection structure.

そして、複数の錐状突起をサブミクロンピッチでマトリックス状に配置した錐状突起群により構成される反射防止構造体部が樹脂フィルムから成る透明基板の少なくとも片面に設けられているため、反射防止構造体部上に設けられた電極等の回路パターンが高輝度照明下においても視認され難い電極基板フィルムを提供でき、また、反射防止構造体部は入射光の入射角度が大きくなってもその反射防止効果が小さくならないため、分光反射特性の入射角依存性が小さい電極基板フィルムを提供でき、更に、電極等の回路パターンが反射防止構造体部上に設けられることから、従来と比較して線幅が大きい金属製細線を適用できるため電気抵抗値の低い電極基板フィルムを提供することが可能となる。   Further, since the antireflection structure part composed of a group of conical protrusions in which a plurality of conical protrusions are arranged in a matrix at a submicron pitch is provided on at least one surface of the transparent substrate made of a resin film, the antireflection structure It is possible to provide an electrode substrate film in which circuit patterns such as electrodes provided on the body part are difficult to be seen even under high-intensity illumination, and the anti-reflection structure part prevents reflection even when the incident angle of incident light increases. Since the effect does not become small, it is possible to provide an electrode substrate film having a small incident angle dependency of the spectral reflection characteristics, and further, since the circuit pattern such as an electrode is provided on the antireflection structure part, the line width is reduced as compared with the conventional case. Therefore, it is possible to provide an electrode substrate film having a low electric resistance value.

図1(A)はマトリックス状に配置された錐状突起群の概略斜視図、また、図1(B)は樹脂フィルムから成る透明基板の片面に設けられた錐状突起群から成る反射防止構造体部の断面図および反射防止構造体部の断面構造と屈折率との関係を示すグラフ図。FIG. 1A is a schematic perspective view of a group of conical projections arranged in a matrix, and FIG. 1B is an antireflection structure comprising a group of conical projections provided on one side of a transparent substrate made of a resin film. The graph which shows the cross-sectional view of a body part, and the relationship between the cross-sectional structure of a reflection preventing structure part, and a refractive index. 樹脂フィルムから成る透明基板の片面に設けられた錐状突起群から成る反射防止構造体部と該反射防止構造体部上に設けられかつ金属製細線で構成される回路パターンを有する電極基板フィルムの断面図および電極基板フィルムの断面構造と屈折率との関係を示すグラフ図。An electrode substrate film having an antireflection structure part composed of a conical projection group provided on one side of a transparent substrate made of a resin film and a circuit pattern provided on the antireflection structure part and composed of a thin metal wire Sectional drawing and the graph which shows the relationship between the cross-section of an electrode substrate film, and a refractive index. 樹脂フィルムから成る透明基板の両面に錐状突起群から成る反射防止構造体部がそれぞれ設けられ、かつ、各反射防止構造体部上にそれぞれ順に設けられた「可視光吸収膜」「金属製細線で構成される回路パターン」「可視光吸収膜」を有する電極基板フィルムの断面図。"Visible light absorbing film" "Metallic thin wire" provided with antireflection structure parts composed of conical projections on both sides of a transparent substrate made of resin film, and provided on each antireflection structure part in turn Sectional drawing of the electrode substrate film which has a circuit pattern comprised by "a visible light absorption film." 透明基板の両面に反射防止構造体部が形成された参考例1に係る透明基板(PETフィルム)の入射角10°、20°、30°および40°における分光反射(正反射)特性を示すグラフ図。The graph which shows the spectral reflection (regular reflection) characteristic in the incident angles 10 degrees, 20 degrees, 30 degrees, and 40 degrees of the transparent substrate (PET film) which concerns on the reference example 1 in which the reflection preventing structure part was formed in both surfaces of the transparent substrate. Figure. 両面に反射防止構造体部が形成された透明基板(PETフィルム)と各反射防止構造体部上にそれぞれ設けられた金属(Cu)製細線で構成される回路パターンを有する参考例1に係る電極基板フィルムの入射角10°、20°、30°および40°における分光反射(正反射)特性を示すグラフ図。Electrode according to Reference Example 1 having a circuit pattern composed of a transparent substrate (PET film) having antireflection structure portions formed on both surfaces and metal (Cu) thin wires provided on each antireflection structure portion. The graph which shows the spectral reflection (regular reflection) characteristic in the incident angles of 10 degrees, 20 degrees, 30 degrees, and 40 degrees of a board | substrate film. 反射防止構造体部が形成されていない比較例1に係る透明基板(PETフィルム)の入射角10°、20°、30°および40°における分光反射(正反射)特性を示すグラフ図。The graph which shows the spectral reflection (regular reflection) characteristic in the incident angles 10 degrees, 20 degrees, 30 degrees, and 40 degrees of the transparent substrate (PET film) which concerns on the comparative example 1 in which the reflection preventing structure part is not formed. 反射防止構造体部が形成されていない透明基板(PETフィルム)の両面にそれぞれ設けられた金属(Cu)製細線で構成される回路パターンを有する比較例1に係る電極基板フィルムの入射角10°、20°、30°および40°における分光反射(正反射)特性を示すグラフ図。Incident angle of the electrode substrate film according to Comparative Example 1 having a circuit pattern composed of fine wires made of metal (Cu) provided on both surfaces of a transparent substrate (PET film) on which no antireflection structure is formed is 10 °. The graph which shows the spectral reflection (regular reflection) characteristic in 20 degrees, 30 degrees, and 40 degrees.

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

従来、携帯電話、携帯電子文書機器、カーナビゲーション等のフラットパネルディスプレイ(FPD)表面に設置される「タッチパネル」において、金属製細線により構成された電極等の回路パターンは肉眼で視認され難い細さに設定されているが、金属製細線は反射率が高いため、上述したように高輝度照明下において僅かに視認されてしまうことがある。これは、媒質(空気)と金属製細線との界面、樹脂フィルムから成る透明基板と金属製細線との界面における屈折率差による「フレネル反射」に起因している。   Conventionally, in a “touch panel” installed on the surface of a flat panel display (FPD) such as a mobile phone, a portable electronic document device, and a car navigation, a circuit pattern such as an electrode constituted by a thin metal wire is a thinness that is difficult to see with the naked eye. However, since the metal thin wire has high reflectivity, it may be slightly recognized under high-intensity illumination as described above. This is caused by “Fresnel reflection” due to a difference in refractive index at the interface between the medium (air) and the metal fine wire, and at the interface between the transparent substrate made of a resin film and the metal fine wire.

上記金属製細線からの反射を低減するには、上述したように、酸化物誘電体膜層と組み合わせて反射防止膜を構成すれば可能であるが、金属製細線から成る電極等の回路パターンはエッチングよって加工するため、酸化物誘電体膜層との組み合わせは好ましくなく、更に、上記酸化物誘電体膜層との組み合わせから成る反射防止膜においては、上述したように、反射防止膜に入射される光の入射角度が大きくなると反射防止機能が低下する欠点も有している。   In order to reduce the reflection from the metal fine wire, as described above, it is possible to construct an antireflection film in combination with the oxide dielectric film layer, but the circuit pattern of the electrode made of the metal fine wire is as follows. Since it is processed by etching, the combination with the oxide dielectric film layer is not preferable. Further, in the antireflection film composed of the combination with the oxide dielectric film layer, as described above, it is incident on the antireflection film. When the incident angle of the light increases, the antireflection function is lowered.

そこで、本発明者は、上述したように反射防止に関する従来技術について鋭意調査した結果、マトリックス状に配置して成る錐状突起群で構成された反射防止構造体部を光学部品の表面に設ける特許文献4に記載の方法に着目し、かつ、特許文献4に記載されていない電極基板フィルムへの適用を試みて本発明を完成するに至っている。   Therefore, as a result of intensive investigations on the prior art related to antireflection as described above, the present inventor has a patent in which an antireflection structure body composed of conical projections arranged in a matrix is provided on the surface of an optical component. Attention has been paid to the method described in Document 4, and application to an electrode substrate film not described in Patent Document 4 has been attempted, and the present invention has been completed.

錐状突起群で構成された上記反射防止構造体部は、酸化物誘電体膜層との組み合わせによる干渉効果を応用した上記反射防止膜(光学薄膜)とは異なり、構成材料だけで(すなわち、樹脂フィルムから成る透明基板だけで)反射防止構造体部を形成することができ、物質界面の屈折率差を徐々に変化させることで反射を低減するという特徴を有している。   Unlike the antireflection film (optical thin film) that applies the interference effect by the combination with the oxide dielectric film layer, the antireflection structure part composed of the conical projection group is composed of only the constituent material (that is, It is possible to form an antireflection structure portion (only with a transparent substrate made of a resin film), and to reduce reflection by gradually changing the refractive index difference at the substance interface.

すなわち、本発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と、該透明基板の少なくとも片面に設けられかつ金属製細線から成るメッシュ構造の回路パターンを具備する電極基板フィルムにおいて、
複数の錐状突起をサブミクロンピッチでマトリックス状に配置した錐状突起群により構成される反射防止構造体部が上記透明基板の少なくとも片面に設けられ、かつ、上記反射防止構造体部上に線幅20μm以下の金属製細線で構成される回路パターンが設けられていると共に、上記反射防止構造体部と回路パターンを構成する金属製細線との間に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜が設けられていることを特徴とするものである。
That is, the present invention
In an electrode substrate film comprising a transparent substrate made of a resin film, and a circuit pattern having a mesh structure provided on at least one surface of the transparent substrate and made of a fine metal wire,
An antireflection structure part composed of a group of conical protrusions in which a plurality of conical protrusions are arranged in a matrix at a submicron pitch is provided on at least one surface of the transparent substrate, and a line is formed on the antireflection structure part. A circuit pattern composed of a thin metal wire having a width of 20 μm or less is provided , and between the antireflection structure and the thin metal wire constituting the circuit pattern, Cr alone, Ti, Al, V , W, Ta, Si, Ni, Cu Cr-based alloy added with one or more elements selected, or Ni alone, or selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Cu A visible light absorbing film made of a Ni-based alloy to which one or more elements are added is provided .

(1)錐状突起群により構成される反射防止構造体部
錐状突起群により構成される本発明に係る反射防止構造体部は、上述したように特許文献4に記載された方法により形成することができる。
(1) Antireflection structure part constituted by conical protrusion groups The antireflection structure part according to the present invention constituted by conical protrusion groups is formed by the method described in Patent Document 4 as described above. be able to.

すなわち、原盤材料表面に触媒機能を持った核形成を行う工程と、形成された核の上に結晶を成長させて針状結晶を形成する工程と、針状結晶が形成された原盤材料を用いて電鋳型を形成する工程と、得られた電鋳型を用いて成形用素材に錐状突起群を形成する工程の各工程を有する方法により本発明に係る反射防止構造体部を形成することができる。   That is, a step of performing nucleation with a catalytic function on the surface of the master material, a step of growing crystals on the formed nuclei to form needle crystals, and a master material on which needle crystals are formed are used. The antireflection structure part according to the present invention can be formed by a method including the steps of forming an electroforming mold and forming the conical protrusions on the molding material using the obtained electroforming mold. it can.

触媒機能を持った核形成を行う上記工程としては、原盤材料である単結晶シリコンウェハ基板の表面に触媒機能を持った核としてCrの島状結晶を形成する工程、あるいは、原盤材料である石英ガラス基板の表面に触媒機能を持った核としてPdの島状結晶を形成する工程等が例示される。   As the above-mentioned process for forming a nucleus having a catalytic function, a process for forming an island crystal of Cr as a nucleus having a catalytic function on the surface of a single crystal silicon wafer substrate which is a master disk material, or a quartz which is a master disk material Examples include a step of forming island-like crystals of Pd as nuclei having a catalytic function on the surface of a glass substrate.

また、形成された核の上に結晶を成長させて針状結晶を形成する上記工程としては、化学蒸着法、気相エピタキシー法、分子線エピタキシー法、無電解メッキ法の内から選択されるいずれかの方法により、上記核の上に、炭素、珪素、窒化珪素、二酸化珪素、窒化硼素、金属の中から選択される少なくとも一種類を含む結晶を成長させて針状結晶を形成する工程が例示される。   In addition, as the above-mentioned step of growing a crystal on the formed nucleus to form a needle-like crystal, any one selected from chemical vapor deposition, vapor phase epitaxy, molecular beam epitaxy, and electroless plating can be used. Exemplified is a step of growing a crystal containing at least one selected from the group consisting of carbon, silicon, silicon nitride, silicon dioxide, boron nitride, and metal on the nucleus to form a needle crystal. Is done.

次に、針状結晶が形成された原盤材料を用いて電鋳型を形成する上記工程としては、珪素の針状結晶が形成された単結晶シリコンウェハ基板の表面をPdにより活性化処理し、無電解Ni−Pメッキ溶液に浸漬して針状結晶表面にNi−Pメッキ層を形成した後、スルファミン酸Niメッキ液中で電気メッキを行うことにより電鋳型を得、得られた電鋳型と単結晶シリコンウェハ基板とを離型することにより上記針状結晶の反転形状を有する電鋳型を得る工程が例示される。   Next, as the above-described step of forming the electroforming mold using the master material on which the needle crystal is formed, the surface of the single crystal silicon wafer substrate on which the silicon needle crystal is formed is activated with Pd, and no process is performed. After immersing in an electrolytic Ni—P plating solution to form a Ni—P plating layer on the surface of the needle-like crystal, electroplating is performed in a sulfamic acid Ni plating solution to obtain an electroforming mold. A step of obtaining an electroforming mold having an inverted shape of the needle-like crystal by releasing the crystalline silicon wafer substrate is exemplified.

そして、得られた電鋳型を用いて成形用素材(透明基板用樹脂フィルム素材)に錐状突起群を形成する上記工程としては、射出成形法、プレス成形法、および、熱ナノインプリント法により透明基板用樹脂フィルム素材の少なくとも一方の面に錐状突起群を形成する工程が例示される。   And as said process which forms a cone-shaped projection group in the raw material for shaping | molding (resin film material for transparent substrates) using the obtained electroforming mold, it is a transparent substrate by the injection molding method, the press molding method, and the thermal nanoimprint method. The process of forming the cone-shaped projection group on at least one surface of the resin film material for use is exemplified.

尚、熱ナノインプリント法以外にも、UVナノインプリント法あるいはキャスティング法により形成することも可能であり、また、熱ナノインプリント法の一部として考えられるロールトゥロールプロセスで処理するロールエンボス加工も可能である。   In addition to the thermal nanoimprint method, it can also be formed by a UV nanoimprint method or a casting method, and roll embossing that is processed by a roll-to-roll process that can be considered as a part of the thermal nanoimprint method is also possible.

(2)樹脂フィルム
本発明に係る電極基板フィルムに用いられる透明基板用樹脂フィルム素材の材質としては、特に限定されることはなく、その具体例として、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリアリレート(PAR)、ポリカーボネート(PC)、ポリオレフィン(PO)、トリアセチルセルロース(TAC)およびノルボルネンの樹脂材料から選択された樹脂フィルムの単体、あるいは、上記樹脂材料から選択された樹脂フィルム単体とこの単体の片面または両面を覆うアクリル系有機膜との複合体が挙げられる。特に、ノルボルネン樹脂材料については、代表的なものとして、日本ゼオン社のゼオノア(商品名)やJSR社のアートン(商品名)等が挙げられる。
(2) Resin Film The material of the resin film material for transparent substrate used in the electrode substrate film according to the present invention is not particularly limited, and specific examples thereof include polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (PES). ), Polyarylate (PAR), polycarbonate (PC), polyolefin (PO), triacetylcellulose (TAC), and a resin film selected from the resin materials of norbornene, or a resin film selected from the above resin materials And an acrylic organic film covering one side or both sides of the single body. In particular, as for norbornene resin materials, representative examples include ZEONOR (trade name) manufactured by ZEON Corporation, Arton (trade name) manufactured by JSR Corporation, and the like.

但し、上述した熱ナノインプリントを行う場合、樹脂フィルムの粘度、ガラス転移温度等の諸特性から、最適なモールド圧力、モールド温度等を決定する必要がある。   However, when performing the thermal nanoimprint described above, it is necessary to determine the optimum mold pressure, mold temperature, and the like from various properties such as the viscosity of the resin film and the glass transition temperature.

本発明に係る電極基板フィルムは「タッチパネル」として使用するため、上記透明基板用樹脂フィルム素材の中でも可視波長領域での透明性に優れるものが望ましい。   Since the electrode substrate film according to the present invention is used as a “touch panel”, among the resin film materials for transparent substrates, those having excellent transparency in the visible wavelength region are desirable.

(3)金属製細線
電極等の回路パターンを構成する金属製細線としては、Cu単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Agより選ばれる1種以上の元素が添加されたCu系合金、または、Ag単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたAg系合金から成る細線が好ましい。特に、Cu単体が、回路パターンの加工性や抵抗値の観点から望ましい。また、上記反射防止構造体部上に設けられる金属製細線の線幅は20μm以下であり、望ましくは10μm以下、更に望ましくは5μm以下である。金属製細線の線幅が細くなると目視での視認が困難になり、特に、線幅10μm以下ならば視認し難くなる。また、金属製細線の線幅はエッチング等により現実に加工可能な線幅であればよく、1μm以上ならばエッチング等による加工が可能である。また、金属製細線の厚さについては、金属製細線の加工性と導電性(抵抗値)を考慮して適宜設定すればよく、加工性からすれば厚さ2000nm以下である。
(3) Metal fine wire As the metal fine wire constituting the circuit pattern such as an electrode, one or more elements selected from Cu alone or Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag are added. A thin wire made of a Cu-based alloy or an Ag-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, and Cu are added is preferable. In particular, Cu alone is desirable from the viewpoints of circuit pattern processability and resistance. Moreover, the line width of the thin metal wire provided on the antireflection structure is 20 μm or less, desirably 10 μm or less, and more desirably 5 μm or less. When the line width of the fine metal wire is reduced, visual recognition becomes difficult. In particular, when the line width is 10 μm or less, the visual recognition becomes difficult. The line width of the metal thin wire may be a line width that can be actually processed by etching or the like, and if it is 1 μm or more, processing by etching or the like is possible. In addition, the thickness of the metal fine wire may be appropriately set in consideration of the workability and conductivity (resistance value) of the metal fine wire, and the thickness is 2000 nm or less from the viewpoint of workability.

尚、反射防止構造体部上に設けられる金属製細線の内、「タッチパネル」操作者側の面には後述する可視光吸収膜(黒色層)を備えることが望ましい。   In addition, it is desirable to provide the visible light absorption film (black layer) mentioned later in the surface by the side of a "touch panel" operator among the metal thin wires provided on an antireflection structure part.

次に、樹脂フィルムから成る透明基板の少なくとも片面に形成された反射防止構造体部上に電極等の回路パターンを構成する金属製細線を設けるには、真空蒸着法、イオンビームスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法等の成膜法により反射防止構造体部の表面に金属膜を成膜し、成膜された金属膜を化学エッチングにより細線状に加工すればよい。後述する可視光吸収膜(黒色層)も化学エッチングにより細線状に加工される。金属膜の化学エッチングには、金属膜がCuの場合、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を用い、過マンガン酸塩水溶液を併用してもよい。   Next, in order to provide a thin metal wire constituting a circuit pattern such as an electrode on an antireflection structure formed on at least one side of a transparent substrate made of a resin film, a vacuum deposition method, an ion beam sputtering method, a magnetron sputtering method is used. A metal film may be formed on the surface of the antireflection structure portion by a film forming method such as an ion plating method or the like, and the formed metal film may be processed into a thin line by chemical etching. A visible light absorbing film (black layer) described later is also processed into a thin line by chemical etching. For chemical etching of the metal film, when the metal film is Cu, a ferric chloride aqueous solution or a cupric chloride aqueous solution may be used, and a permanganate aqueous solution may be used in combination.

(4)可視光吸収膜(黒色層)
電極基板フィルムに入射された可視波長域の光を吸収する膜が本発明に係る可視光吸収膜(黒色層)である。
(4) Visible light absorbing film (black layer)
The film that absorbs light in the visible wavelength range incident on the electrode substrate film is the visible light absorbing film (black layer) according to the present invention.

そして、この可視光吸収膜(黒色層)は、樹脂フィルムから成る透明基板の少なくとも片面に形成された反射防止構造体部と該反射防止構造体部上に設けられた回路パターンを構成する金属製細線との間に設けられることを要し、反射防止構造体部上に設けられる金属製細線で構成される回路パターンの表面に設けられることが更に好ましい。 The visible light absorbing film (black layer) is made of a metal that forms an antireflection structure portion formed on at least one surface of a transparent substrate made of a resin film and a circuit pattern provided on the antireflection structure portion. required to be provided between the thin line, it is further preferably provided on the surface of the circuit pattern composed of metal thin wires provided on the anti-reflection structure portion on.

また、上記透明基板の両面に反射防止構造体部が形成されかつ各反射防止構造体部上にそれぞれ回路パターンを構成する金属製細線が設けられている場合、各反射防止構造体部と金属製細線との間に上記可視光吸収膜(黒色層)が設けられることを要し、各反射防止構造体部上に設けられる金属製細線で構成される回路パターンの表面に可視光吸収膜(黒色層)を設けることが更に好ましい。 Further, in the case where the antireflection structure portions are formed on both surfaces of the transparent substrate and the thin metal wires constituting the circuit pattern are provided on each antireflection structure portion, each antireflection structure portion and the metal The visible light absorbing film (black layer) is required to be provided between the thin wires, and the visible light absorbing film (black color) is formed on the surface of the circuit pattern composed of metal thin wires provided on each antireflection structure. More preferably, a layer) is provided.

尚、上記透明基板の片面に反射防止構造体部が形成されかつ反射防止構造体部上に回路パターンを構成する金属製細線が設けられている場合、反射防止構造体部が形成されていない透明基板のもう一方の片面側にも可視光吸収膜(黒色層)を設けることが好ましい。   In the case where an antireflection structure portion is formed on one surface of the transparent substrate and a metal fine wire constituting a circuit pattern is provided on the antireflection structure portion, the transparent portion in which the antireflection structure portion is not formed. It is preferable to provide a visible light absorption film (black layer) also on the other side of the substrate.

次に、可視光吸収膜(黒色層)を構成する材料としては、可視波長域の光を吸収する材料であれば任意であり、Cr単体、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、Ni単体、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金等が例示される。   Next, the material constituting the visible light absorbing film (black layer) is arbitrary as long as it is a material that absorbs light in the visible wavelength range, and Cr alone, Ti, Al, V, W, Ta, Si, Ni Cr-based alloy added with one or more elements selected from Cu, Ni simple substance, Ni-based added with one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Cu Examples include alloys.

また、可視光吸収膜(黒色層)を形成するには、真空蒸着法、イオンビームスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法等の成膜法を用いて可視光吸収膜(黒色層)用皮膜を形成し、回路パターンを構成する金属製細線上に設ける場合には上述したように化学エッチングにより細線状に加工すればよい。尚、上記錐状突起群により構成される反射防止構造体部上に可視光吸収膜(黒色層)を設ける場合、化学蒸着法の一つで単原子層ずつ積層する原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD)が特に優れている。   In addition, a visible light absorbing film (black layer) can be formed by using a film forming method such as vacuum deposition, ion beam sputtering, magnetron sputtering, or ion plating, for the visible light absorbing film (black layer). When a film is formed and provided on a metal fine wire constituting the circuit pattern, it may be processed into a fine wire by chemical etching as described above. In addition, when providing a visible light absorption film (black layer) on the antireflection structure part composed of the above-mentioned conical projections, an atomic layer deposition method (Atomic Layer) in which a single atomic layer is laminated by one of chemical vapor deposition methods. Deposition: ALD) is particularly excellent.

また、細線状に加工される可視光吸収膜(黒色層)は、膜材料の添加物や不純物、成膜時の残留ガス、透明基板を構成する樹脂フィルムからの放出ガス、成膜速度等によって、屈折率や吸収係数等の特性が大きく異なることがある。このため、これ等条件を適宜選択して、電極基板フィルムが所望の特性となるように設定することを要する。   In addition, the visible light absorption film (black layer) processed into a thin line shape depends on the additive and impurities of the film material, the residual gas at the time of film formation, the gas released from the resin film constituting the transparent substrate, the film formation speed, etc. The characteristics such as refractive index and absorption coefficient may differ greatly. For this reason, it is necessary to appropriately select these conditions and set the electrode substrate film to have desired characteristics.

次に、透明基板の片面に反射防止構造体部が形成されかつ反射防止構造体部上に回路パターンを構成する金属製細線が設けられている場合で、反射防止構造体部が形成されていない透明基板のもう一方の片面側に可視光吸収膜(黒色層)を設ける場合には、可視光吸収膜(黒色層)が設けられる前の樹脂フィルム(透明基板)に対し、プラズマ処理あるいはイオンビーム処理を施して、樹脂フィルムの波長400nmにおける透過率が処理前と較べ1.0%以上減衰するように事前調整することが好ましい。このような事前調整が施されることにより分光透過特性の平坦性を改善できることがあり、更に、プラズマ処理あるいはイオンビーム処理によって可視光吸収膜(黒色層)と樹脂フィルム(透明基板)との密着性が向上するため、電極基板フィルムが高温高湿環境下に晒された場合に可視光吸収膜(黒色層)のヒビ割れ等も防止できる利点を有する。   Next, in the case where the antireflection structure portion is formed on one surface of the transparent substrate and the fine metal wire constituting the circuit pattern is provided on the antireflection structure portion, the antireflection structure portion is not formed. When a visible light absorption film (black layer) is provided on the other side of the transparent substrate, plasma treatment or ion beam is applied to the resin film (transparent substrate) before the visible light absorption film (black layer) is provided. It is preferable to pre-adjust the resin film so that the transmittance of the resin film at a wavelength of 400 nm is attenuated by 1.0% or more as compared with that before the treatment. Such pre-adjustment may improve the flatness of the spectral transmission characteristics. Furthermore, adhesion between the visible light absorbing film (black layer) and the resin film (transparent substrate) may be achieved by plasma treatment or ion beam treatment. Therefore, when the electrode substrate film is exposed to a high temperature and high humidity environment, the visible light absorbing film (black layer) can be prevented from cracking.

(5)電極基板フィルム
本発明に係る電極基板フィルムは、複数の錐状突起をサブミクロンピッチでマトリックス状に配置した錐状突起群により構成される反射防止構造体部が樹脂フィルムから成る透明基板の少なくとも片面に設けられ、かつ、上記反射防止構造体部上に線幅20μm以下の金属製細線で構成される回路パターンが設けられていると共に、上記反射防止構造体部と回路パターンを構成する金属製細線との間に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜が設けられていることを特徴とするものである。
(5) Electrode substrate film The electrode substrate film according to the present invention is a transparent substrate in which an antireflection structure part composed of a group of conical protrusions in which a plurality of conical protrusions are arranged in a matrix at a submicron pitch is made of a resin film. Are provided on at least one side of the antireflection structure portion and a circuit pattern made of a fine metal wire having a line width of 20 μm or less is formed on the antireflection structure portion and constitutes the circuit pattern with the antireflection structure portion. Between a thin metal wire, Cr alone, Cr-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Ni, Cu are added, or Ni alone, or characterized Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, that visible light absorbing film made of a Ni-based alloy in which one or more elements have been added that are selected from Cu are provided Than is.

そして、複数の錐状突起をサブミクロンピッチでマトリックス状に配置した図1(A)に示す錐状突起群により反射防止構造体部が構成される場合、図1(B)に示すように屈折率が媒質(空気)から透明基板まで連続的に変化している物質として考えることができるため反射防止の機能を有する。   When the antireflection structure portion is constituted by the conical projection group shown in FIG. 1A in which a plurality of conical projections are arranged in a matrix at a submicron pitch, the refraction is refracted as shown in FIG. Since it can be considered as a substance whose rate changes continuously from the medium (air) to the transparent substrate, it has an antireflection function.

このため、図2に示すように錐状突起群により構成された反射防止構造体部上に電極等の回路パターンを構成する金属製細線(可視波長領域の光を反射する金属製細線)が設けられた場合、反射防止の機能を有する。   For this reason, as shown in FIG. 2, a metal fine wire (a metal fine wire that reflects light in the visible wavelength region) is provided on the antireflection structure portion constituted by the conical protrusion group. If it is, it has an antireflection function.

尚、上記金属製細線を樹脂フィルムから成る透明基板の片面側に設ける場合、反射防止構造体部は金属製細線が設けられる透明基板の片面側のみでなく、金属製細線が形成されない透明基板のもう一方の片面側にも反射防止構造体部を有していた方が、樹脂フィルム(透明基板)のフレネル反射を低減できるので望ましい。もし、金属製細線が形成されない透明基板のもう一方の片面側に反射防止構造体部を有しない場合には、上述した誘電体多層膜による反射防止膜を形成すればよい。更に、本発明に係る電極基板フィルムが空気中以外の媒質中(たとえば接着剤)で使用される場合、上記誘電体多層膜は媒質の屈折率を考慮した膜構造設計を行うことを要する。また、上述したように、樹脂フィルムから成る透明基板に設けられた反射防止構造体部と該反射防止構造体部上に設けられる回路パターンを構成する金属製細線との間に可視光吸収膜(黒色層)が設けられている場合、電極基板フィルムに入射された可視波長域の光が吸収される利点に加えて、透明基板を構成する樹脂フィルムへの金属製細線の密着性が高められる利点も有する。   In addition, when providing the said metal fine wire on the single side | surface side of the transparent substrate which consists of a resin film, an antireflection structure part is not only the single side | surface side of the transparent substrate in which a metal fine wire is provided, but the transparent substrate in which a metal fine wire is not formed. It is desirable to have an antireflection structure on the other side, because it can reduce Fresnel reflection of the resin film (transparent substrate). If there is no antireflection structure on the other side of the transparent substrate on which the metal thin wire is not formed, the antireflection film made of the dielectric multilayer film may be formed. Furthermore, when the electrode substrate film according to the present invention is used in a medium other than air (for example, an adhesive), the dielectric multilayer film needs to be designed in a film structure in consideration of the refractive index of the medium. Further, as described above, a visible light absorption film (between the antireflection structure portion provided on the transparent substrate made of a resin film and the metal fine wire constituting the circuit pattern provided on the antireflection structure portion ( In the case where a black layer) is provided, in addition to the advantage that light in the visible wavelength range incident on the electrode substrate film is absorbed, the advantage that the adhesion of the metal fine wire to the resin film constituting the transparent substrate is enhanced Also have.

そして、樹脂フィルムから成る透明基板の片面側にのみ金属製細線で構成される回路パターンが設けられた電極基板フィルム(但し、錐状突起群で構成される反射防止構造体部が透明基板の片面側若しくは両面に設けられている)は、二組の電極基板フィルムを適用して上記「抵抗型のタッチパネル」に利用することができる。   An electrode substrate film provided with a circuit pattern composed of thin metal wires only on one side of a transparent substrate made of a resin film (provided that the antireflection structure composed of conical projections is on one side of the transparent substrate) Can be used for the “resistive touch panel” by applying two sets of electrode substrate films.

また、樹脂フィルムから成る透明基板の両面側に金属製細線で構成される回路パターンが設けられた電極基板フィルム(但し、錐状突起群で構成される反射防止構造体部が図3に示すように透明基板の両面に設けられている)は、一組の電極基板フィルムを適用して上記「静電容量型のタッチパネル」に利用することができる。   Further, an electrode substrate film in which circuit patterns composed of fine metal wires are provided on both sides of a transparent substrate made of a resin film (however, the antireflection structure portion composed of conical projections is shown in FIG. Are provided on both sides of the transparent substrate), and can be used for the “capacitance type touch panel” by applying a set of electrode substrate films.

尚、図3に示した電極基板フィルムは、透明基板の両面に設けられた金属製細線(回路パターン)が可視光吸収膜(黒色層)で挟まれた構造となっているが、金属製細線(回路パターン)上の可視光吸収膜(黒色層)についてはその形成を省略してもよい。 The electrode substrate film shown in FIG. 3 is a metal thin wires provided on both surfaces of the transparent substrate (circuit pattern) is interposed at structures visible light absorbing film (black layer), a metal thin wire The formation of the visible light absorbing film (black layer ) on the (circuit pattern) may be omitted.

以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明する。   Examples of the present invention will be specifically described below with reference to comparative examples.

尚、分光反射率の測定は、日本分光社製の自記分光光度計を用いて行っている。   The spectral reflectance is measured using a self-recording spectrophotometer manufactured by JASCO Corporation.

参考例1
参考例1に係る電極基板フィルムは、錐状突起群で構成される反射防止構造体部が両面に形成された透明基板と、該透明基板の各反射防止構造体部上にそれぞれ設けられた金属製細線から成るストライプ状パターンとで構成されている。
[ Reference Example 1 ]
The electrode substrate film according to Reference Example 1 includes a transparent substrate in which antireflection structure parts composed of conical projections are formed on both surfaces, and a metal provided on each antireflection structure part of the transparent substrate. It consists of a striped pattern made of fine wires.

まず、可視波長域で透明な厚さ100μmのPETフィルム(透明基板)の両面に、熱ナノインプリント法(ダイレクトナノインプロント法とも称する)により、高さ600nm、ピッチ200nmの錐状突起群により構成された反射防止構造体部を形成した。また、モールドの圧力は10MPa、モールドの温度は130℃で行った。   First, on both sides of a PET film (transparent substrate) having a thickness of 100 μm that is transparent in the visible wavelength range, a conical projection group having a height of 600 nm and a pitch of 200 nm is formed by a thermal nanoimprint method (also referred to as a direct nanoimprint method). An antireflection structure was formed. The mold pressure was 10 MPa and the mold temperature was 130 ° C.

尚、反射防止構造体部が両面に形成された参考例1に係る透明基板(PETフィルム)面の入射角10°、20°、30°および40°における分光反射率(正反射)を図4にそれぞれ示す。 The spectral reflectance (regular reflection) at the incident angles of 10 °, 20 °, 30 °, and 40 ° of the transparent substrate (PET film) surface according to Reference Example 1 in which the antireflection structure portions are formed on both surfaces is shown in FIG. Respectively.

次に、透明基板(PETフィルム)の各反射防止構造体部上にスパッタリング法により厚さ約500nmのCu膜を一様に成膜し、かつ、Cu膜上にフォトレジストをパター状に形成した後、フォトレジストから露出したCu膜を塩化第二鉄水溶液により化学エッチング処理して、線幅5μmでかつスペース300μmの金属(Cu)製細線で構成されるストライプ状パターン(回路パターン)を形成し、参考例1に係る電極基板フィルムを製造した。 Next, a Cu film having a thickness of about 500 nm was uniformly formed on each antireflection structure portion of the transparent substrate (PET film) by a sputtering method, and a photoresist was formed in a pattern on the Cu film. Thereafter, the Cu film exposed from the photoresist is chemically etched with an aqueous ferric chloride solution to form a stripe pattern (circuit pattern) composed of fine metal (Cu) wires having a line width of 5 μm and a space of 300 μm. The electrode substrate film according to Reference Example 1 was produced.

尚、得られた参考例1に係る電極基板フィルムの入射角10°、20°、30°および40°における分光反射率(正反射)を図5にそれぞれ示す。 In addition, the spectral reflectance (regular reflection) in the incident angles of 10 °, 20 °, 30 °, and 40 ° of the obtained electrode substrate film according to Reference Example 1 is shown in FIG.

そして、ストライプ状パターン(回路パターン)が形成される前における参考例1に係る透明基板(PETフィルム)の分光反射率(図4のグラフ図参照)から理解されるように、入射角10°、入射角20°、入射角30°および入射角40°のいずれの入射角条件においても各反射率は0.5%以下と低く、更に、ストライプ状パターン(回路パターン)が形成され後における参考例1に係る電極基板フィルムの分光反射率(図5のグラフ図参照)から理解されるように、入射角10°、入射角20°、入射角30°および入射角40°のいずれの入射角条件において各反射率は1%〜4%と低い数値になっており、入射角度の依存性が極めて小さいことが確認された。 And, as understood from the spectral reflectance (see the graph of FIG. 4) of the transparent substrate (PET film) according to Reference Example 1 before the stripe pattern (circuit pattern) is formed, the incident angle is 10 °, The reflectance is as low as 0.5% or less under any of the incident angle conditions of an incident angle of 20 °, an incident angle of 30 °, and an incident angle of 40 °, and a reference after a stripe pattern (circuit pattern) is formed. As can be understood from the spectral reflectance of the electrode substrate film according to Example 1 (see the graph in FIG. 5), any of the incident angles of 10 °, 20 °, 30 °, and 40 °. Under the conditions, each reflectance was a low value of 1% to 4%, and it was confirmed that the dependency on the incident angle was extremely small.

このため、参考例1に係る電極基板フィルムは、高輝度照明下において、および、入射光の入射角度が大きくなっても上記ストライプ状パターン(回路パターン)が視認され難い利点を有している。 For this reason, the electrode substrate film according to Reference Example 1 has an advantage that the stripe pattern (circuit pattern) is difficult to be visually recognized under high luminance illumination and even when the incident angle of incident light is increased.

[実施例2]
実施例2に係る電極基板フィルムは、錐状突起群で構成される反射防止構造体部が両面に形成された透明基板と、該透明基板の各反射防止構造体部上にそれぞれ設けられた金属製細線から成るストライプ状パターンとで構成され、かつ、透明基板の各反射防止構造体部と金属製細線との間に可視光吸収膜(黒色層)が設けられている。
[Example 2]
The electrode substrate film according to Example 2 includes a transparent substrate in which an antireflection structure composed of conical protrusions is formed on both surfaces, and a metal provided on each antireflection structure of the transparent substrate. A visible light absorption film (black layer) is provided between the antireflection structure portion of the transparent substrate and the metal thin wire.

まず、可視波長域で透明な厚さ100μmのPETフィルム(透明基板)の両面に、熱ナノインプリント法により、高さ600nm、ピッチ200nmの錐状突起群により構成された反射防止構造体部を形成した。また、参考例1と同様、モールドの圧力は10MPa、モールドの温度は130℃で行った。 First, on both surfaces of a PET film (transparent substrate) having a thickness of 100 μm that is transparent in the visible wavelength region, an antireflection structure part composed of conical protrusions having a height of 600 nm and a pitch of 200 nm was formed by thermal nanoimprinting. . Further, as in Reference Example 1 , the mold pressure was 10 MPa and the mold temperature was 130 ° C.

次に、透明基板(PETフィルム)の各反射防止構造体部上にスパッタリング法により厚さ約30nmでかつ7.5重量%のTiを含むNi系合金膜を一様に成膜し、更に、スパッタリング法により上記Ni系合金膜上に厚さ約470nmのCu膜を一様に成膜し、かつ、Cu膜上に参考例1と同様のフォトレジストをパター状に形成した後、Ni系合金膜とCu膜を同時に化学エッチング処理して、線幅5μmでかつスペース300μmの金属(Cu)製細線で構成されるストライプ状パターン(回路パターンと可視光吸収膜パターン)を形成し、実施例2に係る電極基板フィルムを製造した。 Next, a Ni-based alloy film having a thickness of about 30 nm and containing 7.5% by weight of Ti is uniformly formed on each antireflection structure portion of the transparent substrate (PET film) by sputtering, A Cu film having a thickness of about 470 nm is uniformly formed on the Ni-based alloy film by sputtering, and a photoresist similar to that of Reference Example 1 is formed on the Cu film in a pattern, and then the Ni-based alloy is formed. The film and the Cu film were simultaneously chemically etched to form a stripe pattern (circuit pattern and visible light absorption film pattern) composed of fine metal (Cu) wires having a line width of 5 μm and a space of 300 μm, Example 2 The electrode substrate film which concerns on this was manufactured.

そして、得られた実施例2に係る電極基板フィルムの入射角10°、20°、30°および40°における分光反射(正反射)特性を、上記自記分光光度計を用いて測定したところ、参考例1との差異は無かった。 Then, the incident angle 10 ° of the electrode substrate film according to Example 2 obtained, 20 °, where the spectral reflection (specular reflection) properties in 30 ° and 40 °, was measured using the self-recording spectrophotometer, reference There was no difference from Example 1 .

このため、実施例2に係る電極基板フィルムも、高輝度照明下において、および、入射光の入射角度が大きくなっても上記ストライプ状パターン(回路パターン)が視認され難い利点を有している。   For this reason, the electrode substrate film according to Example 2 also has an advantage that the stripe pattern (circuit pattern) is difficult to be visually recognized under high luminance illumination and even when the incident angle of incident light is increased.

[比較例1]
比較例1に係る電極基板フィルムは、錐状突起群で構成される反射防止構造体部が両面に形成されていない透明基板(PETフィルム)と、該透明基板の両面に設けられた金属製細線から成るストライプ状パターンとで構成されている。
[Comparative Example 1]
The electrode substrate film according to Comparative Example 1 includes a transparent substrate (PET film) in which the antireflection structure portion composed of the conical projection group is not formed on both surfaces, and a metal thin wire provided on both surfaces of the transparent substrate. And a stripe pattern consisting of

尚、反射防止構造体部が両面に形成されていない比較例1に係る透明基板(PETフィルム)面の入射角10°、20°、30°および40°における分光反射率(正反射)を図6にそれぞれ示す。   The spectral reflectance (regular reflection) at the incident angles of 10 °, 20 °, 30 °, and 40 ° of the transparent substrate (PET film) surface according to Comparative Example 1 in which the antireflection structure is not formed on both surfaces is shown. 6 respectively.

まず、反射防止構造体部が両面に形成されていない透明基板(PETフィルム)の両面にスパッタリング法により厚さ約500nmのCu膜を一様に成膜し、かつ、Cu膜上に参考例1と同様のフォトレジストをパター状に形成した後、化学エッチング処理して線幅5μmでかつスペース300μmの金属(Cu)製細線で構成されるストライプ状パターン(回路パターン)を形成し、比較例1に係る電極基板フィルムを製造した。 First, a Cu film having a thickness of about 500 nm is uniformly formed on both surfaces of a transparent substrate (PET film) on which both surfaces of the antireflection structure are not formed, and Reference Example 1 is formed on the Cu film. After forming the same photoresist in a pattern, a chemical etching process was performed to form a stripe pattern (circuit pattern) composed of metal (Cu) thin wires having a line width of 5 μm and a space of 300 μm. Comparative Example 1 The electrode substrate film which concerns on this was manufactured.

尚、得られた比較例1に係る電極基板フィルムの入射角10°、20°、30°および40°における分光反射率(正反射)を図7にそれぞれ示す。   In addition, the spectral reflectance (regular reflection) in the incident angles 10 degrees, 20 degrees, 30 degrees, and 40 degrees of the obtained electrode substrate film according to Comparative Example 1 is shown in FIG.

そして、ストライプ状パターン(回路パターン)が形成される前における比較例1に係る透明基板(PETフィルム)の分光反射率(図6のグラフ図参照)から理解されるように、入射角10°、入射角20°、入射角30°および入射角40°の入射角条件において反射率は6%〜7%と参考例1より高くなっており、更に、ストライプ状パターン(回路パターン)が形成され後における比較例1に係る電極基板フィルムの分光反射率(図7のグラフ図参照)から理解されるように、入射角10°、入射角20°、入射角30°および入射角40°のいずれの入射角条件においても各反射率は40%〜50%と高い数値になっており、入射角度の依存性が極めて大きいことが確認された。 And, as understood from the spectral reflectance (see the graph in FIG. 6) of the transparent substrate (PET film) according to Comparative Example 1 before the stripe pattern (circuit pattern) is formed, the incident angle is 10 °, Under the incident angle conditions of an incident angle of 20 °, an incident angle of 30 °, and an incident angle of 40 °, the reflectance is 6% to 7%, which is higher than that of Reference Example 1 , and a stripe pattern (circuit pattern) is formed . As will be understood from the spectral reflectance (see the graph of FIG. 7) of the electrode substrate film according to Comparative Example 1 later, any of an incident angle of 10 °, an incident angle of 20 °, an incident angle of 30 °, and an incident angle of 40 ° Even under the incident angle condition, each reflectance is as high as 40% to 50%, and it was confirmed that the dependency on the incident angle is extremely large.

このため、比較例1に係る電極基板フィルムは、高輝度照明下において、および、入射光の入射角度が小さくても上記ストライプ状パターン(回路パターン)が視認され易い欠点を有している。   For this reason, the electrode substrate film according to Comparative Example 1 has a defect that the stripe pattern (circuit pattern) is easily visually recognized under high-luminance illumination and even when the incident angle of incident light is small.

[比較例2]
比較例2に係る電極基板フィルムは、錐状突起群で構成される反射防止構造体部が両面に形成されていない透明基板(PETフィルム)と、該透明基板の両面に設けられた金属製細線から成るストライプ状パターンとで構成され、かつ、透明基板と金属製細線との間に可視光吸収膜(黒色層)が設けられている。
[Comparative Example 2]
The electrode substrate film according to Comparative Example 2 includes a transparent substrate (PET film) in which the antireflection structure portion composed of the conical projection group is not formed on both surfaces, and a metal thin wire provided on both surfaces of the transparent substrate. And a visible light absorbing film (black layer) is provided between the transparent substrate and the thin metal wire.

まず、反射防止構造体部が両面に形成されていない透明基板(PETフィルム)の両面にスパッタリング法により厚さ約30nmでかつ7.5重量%のTiを含むNi系合金膜を一様に成膜し、更に、スパッタリング法により上記Ni系合金膜上に厚さ約470nmのCu膜を一様に成膜し、かつ、Cu膜上に参考例1と同様のフォトレジストをパター状に形成した後、Ni系合金膜とCu膜を同時に化学エッチング処理して、線幅5μmでかつスペース300μmの金属(Cu)製細線で構成されるストライプ状パターン(回路パターンと可視光吸収膜パターン)を形成し、比較例2に係る電極基板フィルムを製造した。 First, a Ni-based alloy film having a thickness of about 30 nm and containing 7.5% by weight of Ti is uniformly formed on both surfaces of a transparent substrate (PET film) having no antireflection structure on both surfaces by sputtering. Further, a Cu film having a thickness of about 470 nm was uniformly formed on the Ni-based alloy film by sputtering, and a photoresist similar to that in Reference Example 1 was formed on the Cu film in a pattern. After that, the Ni-based alloy film and the Cu film are simultaneously chemically etched to form a stripe pattern (circuit pattern and visible light absorption film pattern) composed of fine metal (Cu) wires having a line width of 5 μm and a space of 300 μm. And the electrode substrate film which concerns on the comparative example 2 was manufactured.

そして、得られた比較例2に係る電極基板フィルムの入射角10°、20°、30°および40°における分光反射(正反射)特性を、上記自記分光光度計を用いて測定したところ比較例1との差異はなく、可視光吸収膜(黒色層)と金属(Cu)製細線の表面反射に起因した40〜50%もの高い反射率が確認された。   And when the spectral reflection (regular reflection) characteristic in the incident angles 10 degrees, 20 degrees, 30 degrees, and 40 degrees of the electrode substrate film which concerns on the obtained comparative example 2 was measured using the said self-recording spectrophotometer, it is a comparative example There was no difference from 1, and a reflectance as high as 40 to 50% due to the surface reflection of the visible light absorbing film (black layer) and the thin wire made of metal (Cu) was confirmed.

このため、比較例2に係る電極基板フィルムも、高輝度照明下において、および、入射光の入射角度が小さくても上記ストライプ状パターン(回路パターン)が視認され易い欠点を有している。   For this reason, the electrode substrate film according to Comparative Example 2 also has a defect that the stripe pattern (circuit pattern) is easily visible under high-luminance illumination and even when the incident angle of incident light is small.

「評 価」
比較例1〜2と較べて、参考例1〜実施例2に係る電極基板フィルムは反射率が低いだけでなく、入射角度依存性が極めて小さいことが確認される。
"Evaluation"
Compared with Comparative Examples 1 and 2, it is confirmed that the electrode substrate films according to Reference Examples 1 to 2 not only have a low reflectance, but also have an extremely small incident angle dependency.

このため、参考例1〜実施例2に係る電極基板フィルムにおいては、高輝度照明下において、および、入射光の入射角度が大きくなってもストライプ状パターン(回路パターン)が視認され難い利点を有している。 For this reason, the electrode substrate films according to Reference Example 1 to Example 2 have the advantage that the stripe pattern (circuit pattern) is difficult to be seen under high luminance illumination and even when the incident angle of incident light is increased. doing.

本発明に係る電極基板フィルムは、反射率が低いだけでなく入射角度依存性も極めて小さいため、FPD(フラットパネルディスプレイ)表面に設置する「タッチパネル」に利用される産業上の可能性を有している。   Since the electrode substrate film according to the present invention has not only low reflectance but also extremely small incident angle dependency, it has industrial potential to be used for a “touch panel” installed on the surface of an FPD (flat panel display). ing.

Claims (10)

樹脂フィルムから成る透明基板と、該透明基板の少なくとも片面に設けられかつ金属製細線から成るメッシュ構造の回路パターンを具備する電極基板フィルムにおいて、
複数の錐状突起をサブミクロンピッチでマトリックス状に配置した錐状突起群により構成される反射防止構造体部が上記透明基板の少なくとも片面に設けられ、かつ、上記反射防止構造体部上に線幅20μm以下の金属製細線で構成される回路パターンが設けられていると共に、上記反射防止構造体部と回路パターンを構成する金属製細線との間に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜が設けられていることを特徴とする電極基板フィルム。
In an electrode substrate film comprising a transparent substrate made of a resin film, and a circuit pattern having a mesh structure provided on at least one surface of the transparent substrate and made of a fine metal wire,
An antireflection structure part composed of a group of conical protrusions in which a plurality of conical protrusions are arranged in a matrix at a submicron pitch is provided on at least one surface of the transparent substrate, and a line is formed on the antireflection structure part. A circuit pattern composed of a thin metal wire having a width of 20 μm or less is provided , and between the antireflection structure and the thin metal wire constituting the circuit pattern, Cr alone, Ti, Al, V , W, Ta, Si, Ni, Cu Cr-based alloy added with one or more elements selected, or Ni alone, or selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Cu An electrode substrate film comprising a visible light absorbing film made of a Ni-based alloy to which at least one element added is added .
上記錐状突起群の反転形状を有する電鋳型を製造し、この電鋳型を用い透明基板用樹脂フィルム素材をナノインプリント法若しくはキャスティング法により成型加工して、上記錐状突起群により構成される反射防止構造体部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電極基板フィルム。   An anti-reflection composed of the above-mentioned cone-shaped projection group is manufactured by manufacturing an electroforming mold having the inverted shape of the above-mentioned cone-shaped projection group, and molding the resin film material for the transparent substrate by the nanoimprint method or casting method using this electromold. The electrode substrate film according to claim 1, wherein a structure portion is formed. 上記金属製細線が、Cu単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Agより選ばれる1種以上の元素が添加されたCu系合金、または、Ag単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたAg系合金で構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電極基板フィルム。   The metal fine wire is Cu alone, Cu-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag are added, or Ag alone, or Ti The electrode substrate film according to claim 1, wherein the electrode substrate film is made of an Ag-based alloy to which one or more elements selected from Al, V, W, Ta, Si, Cr, and Cu are added. . 上記金属製細線で構成される回路パターンの表面に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜が設けられていることを特徴とする請求項またはに記載の電極基板フィルム。 Cr-based alloy in which one or more elements selected from Cr, or Ti, Al, V, W, Ta, Si, Ni, Cu are added to the surface of the circuit pattern composed of the above-described thin metal wires, Alternatively, a visible light absorption film made of Ni alone or a Ni-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, and Cu are added is provided. electrode substrate film according to claim 1 or 3, characterized. 法線と入射光線とのなす角度と定義される入射角が0°〜40°の範囲において、反射防止膜構造体部が形成されない場合と比較して、可視波長領域の分光反射率が1/2以下に低減していることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の電極基板フィルム。 Compared with the case where the antireflection film structure is not formed, the spectral reflectance in the visible wavelength region is 1 / in the range of the incident angle defined as the angle formed between the normal line and the incident light in the range of 0 ° to 40 °. electrode substrate film according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is reduced to 2 or less. 樹脂フィルムから成る透明基板と、該透明基板の少なくとも片面に設けられかつ金属製細線から成るメッシュ構造の回路パターンを具備する電極基板フィルムの製造方法において、
上記樹脂フィルムの少なくとも片面に、複数の錐状突起がサブミクロンピッチでマトリックス状に配置された錐状突起群により構成される反射防止構造体部を形成し、かつ、上記反射防止構造体部上に線幅20μm以下の金属製細線で構成される回路パターンを形成すると共に、上記反射防止構造体部と回路パターンを構成する金属製細線との間に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜を設けることを特徴とする電極基板フィルムの製造方法。
In a method for producing an electrode substrate film comprising a transparent substrate made of a resin film, and a circuit pattern having a mesh structure provided on at least one surface of the transparent substrate and made of a fine metal wire,
Forming an antireflection structure part composed of a group of conical protrusions in which a plurality of conical protrusions are arranged in a matrix at a submicron pitch on at least one surface of the resin film, and on the antireflection structure part In addition, a circuit pattern composed of a thin metal wire having a line width of 20 μm or less is formed , and between the antireflection structure and the thin metal wire constituting the circuit pattern, Cr alone, or Ti, Al, V , W, Ta, Si, Ni, Cu Cr-based alloy added with one or more elements selected, or Ni alone, or selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Cu A method for producing an electrode substrate film, comprising providing a visible light absorbing film made of a Ni-based alloy to which one or more elements are added .
上記錐状突起群の反転形状を有する電鋳型を製造し、この電鋳型を用い透明基板用樹脂フィルム素材をナノインプリント法若しくはキャスティング法により成型加工して、上記錐状突起群により構成される反射防止構造体部を形成することを特徴とする請求項に記載の電極基板フィルムの製造方法。 An anti-reflection composed of the above-mentioned cone-shaped projection group is manufactured by manufacturing an electroforming mold having the inverted shape of the above-mentioned cone-shaped projection group, and molding the resin film material for the transparent substrate by the nanoimprint method or casting method using this electromold. A structure part is formed, The manufacturing method of the electrode substrate film of Claim 6 characterized by the above-mentioned. 上記金属製細線が、Cu単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Agより選ばれる1種以上の元素が添加されたCu系合金、または、Ag単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたAg系合金で構成されていることを特徴とする請求項またはに記載の電極基板フィルムの製造方法。 The metal fine wire is Cu alone, Cu-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag are added, or Ag alone, or Ti , the electrode substrate film according to claim 6 or 7, wherein Al, V, W, Ta, Si, Cr, that is composed of Ag-based alloy in which one or more elements have been added that are selected from Cu Manufacturing method. 上記金属製細線で構成される回路パターンの表面に、Cr単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Ni、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたCr系合金、または、Ni単体、若しくは、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cuより選ばれる1種以上の元素が添加されたNi系合金から成る可視光吸収膜を設けることを特徴とする請求項またはに記載の電極基板フィルムの製造方法。 Cr-based alloy in which one or more elements selected from Cr, or Ti, Al, V, W, Ta, Si, Ni, Cu are added to the surface of the circuit pattern composed of the above-described thin metal wires, Alternatively, a visible light absorbing film made of Ni alone or a Ni-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, and Cu are added is provided. The manufacturing method of the electrode substrate film of Claim 6 or 8 . 法線と入射光線とのなす角度と定義される入射角が0°〜40°の範囲において、反射防止膜構造体部が形成されない場合と比較して、可視波長領域の分光反射率を1/2以下に低減させることを特徴とする請求項のいずれかに記載の電極基板フィルムの製造方法。 When the incident angle defined as the angle formed between the normal and the incident light is in the range of 0 ° to 40 °, the spectral reflectance in the visible wavelength region is 1 / method of producing an electrode substrate film according to any one of claims 6-9, characterized in that to reduce the 2 below.
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