JP6229355B2 - 電子写真感光体、画像形成装置、プロセスカートリッジ及び画像形成方法 - Google Patents
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Description
本発明は、電子写真感光体、並びに前記電子写真感光体を用いた画像形成装置、プロセスカートリッジ及び画像形成方法に関する。
画像形成装置を用いた画像形成方法において、画像は、感光体（電子写真感光体、静電潜像担持体、像担持体とも称する）に帯電工程、露光工程、現像工程、転写工程などの工程を施すことにより形成される。近年では、可とう性、熱安定性、成膜性などにおける利点から、感光体として有機材料を用いた有機感光体が広く使用されている。
近年、画像形成装置における、フルカラー化や高速化、高精細化の急速な進行に伴い、有機感光体に対して、更なる耐久化及び高安定化が求められている。
しかしながら、電子写真感光体が、帯電と除電を繰り返すような現在の電子写真プロセスにおいては、電子写真感光体を構成する有機材料が静電負荷によって徐々に変質し、層中での電荷トラップの発生や、帯電性の変化等に電子写真特性の低下がみられる。
特に、帯電性の低下は、出力画像の画質への影響が大きく、画像濃度の低下、地汚れ（地肌汚れ、かぶり、黒ポチとも称する）、連続出力時の画像の均質性など重大な問題を引き起こすことが知られている。
しかしながら、電子写真感光体が、帯電と除電を繰り返すような現在の電子写真プロセスにおいては、電子写真感光体を構成する有機材料が静電負荷によって徐々に変質し、層中での電荷トラップの発生や、帯電性の変化等に電子写真特性の低下がみられる。
特に、帯電性の低下は、出力画像の画質への影響が大きく、画像濃度の低下、地汚れ（地肌汚れ、かぶり、黒ポチとも称する）、連続出力時の画像の均質性など重大な問題を引き起こすことが知られている。
有機感光体の帯電性低下の一因として、下引き層の劣化が考えられる。一般的に下引き層は、導電性支持体から感光層への「電荷注入阻止機能」と、感光層で発生した電荷の導電性支持体への「電荷輸送機能」との２つの機能の両立及び維持が求められる。しかしながら、これら２つの機能は相反則の関係を取りやすく、繰り返しの静電負荷によって下引き層を構成する有機材料が劣化するため、長期にわたって前述した２つの機能を両立、維持することは非常に難しい。
下引き層に前述の機能を持たせる方法として、アミノ基を含有するシランカップリング剤を用いて電荷注入阻止機能を向上させる手段（例えば、特許文献１、２参照）や、下引き層に電子輸送性物質やアクセプター性化合物等の添加剤を含有させる手法（例えば、特許文献３、４）などが提案されている。
特に特許文献４では、導電性支持体上にアクセプター性化合物（ヒドロキシアントラキノン系化合物やアミノヒドロキシアントラキノン系化合物）が付着した金属酸化物微粒子を含有する下引き層を設けたものを用いることを提案している。これにより、長期使用時にも安定した電気特性を得ることができ、また電子写真感光体周りの部材から発生した異物や電子写真装置外部から進入したゴミなどが突き刺さっても、リークの発生を十分に防ぐことができる。
しかし、ヒドロキシアントラキノン系化合物やアミノヒドロキシアントラキノン系化合物は結晶性が高いため、これらを金属酸化物微粒子に付着させた場合、金属酸化物微粒子同士が凝集しやすい。そのため、下引き層中での分散状態が不均一なため、長期的な使用における電気特性の安定性は十分とはいえない。
しかし、ヒドロキシアントラキノン系化合物やアミノヒドロキシアントラキノン系化合物は結晶性が高いため、これらを金属酸化物微粒子に付着させた場合、金属酸化物微粒子同士が凝集しやすい。そのため、下引き層中での分散状態が不均一なため、長期的な使用における電気特性の安定性は十分とはいえない。
したがって、長期の使用による酸化劣化がきわめて少なく、画像形成装置の出力画質に関わる欠陥の少ない、長期に亘って優れた画像品質を維持する電子写真感光体、並びに該電子写真感光体を用いた画像形成装置、プロセスカートリッジ、及び画像形成方法の開発が強く求められているのが現状である。
本発明は、従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、長期間使用した場合であっても安定した電気特性を得ることができ、画像形成時の残像や地汚れを抑制することが可能な電子写真感光体を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としての本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と、前記導電性支持体上に、下引き層と感光層とをこの順に少なくとも有する電子写真感光体であって、前記下引き層が、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種と、金属酸化物微粒子とを含有する。
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決でき、長期間使用した場合であっても安定した電気特性を得ることができ、画像形成時の残像や地汚れを抑制することが可能な電子写真感光体を提供することができる。
（電子写真感光体）
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と、前記導電性支持体上に、下引き層と感光層とをこの順に少なくとも有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
本発明の電子写真感光体は、前記下引き層に本発明で規定する材料を有するものであり、前記導電性支持体、前記感光層、及び前記その他の層については、従来と同様のものを適用することができる。
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と、前記導電性支持体上に、下引き層と感光層とをこの順に少なくとも有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
本発明の電子写真感光体は、前記下引き層に本発明で規定する材料を有するものであり、前記導電性支持体、前記感光層、及び前記その他の層については、従来と同様のものを適用することができる。
＜下引き層＞
前記下引き層は、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種と、金属酸化物微粒子とを含有してなり、バインダー樹脂を含有することが好ましく、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記下引き層は、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種と、金属酸化物微粒子とを含有してなり、バインダー樹脂を含有することが好ましく、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記電子写真感光体の下引き層としては、導電性支持体から感光層への不要な電荷（感光体の帯電極性と逆極性の電荷）の注入を抑制する機能と、感光層で形成された電荷のうち、感光体の帯電極性と同極性の電荷を輸送する機能とを兼ね備えていることが好ましい。例えば、画像形成プロセスとして感光体を負帯電させる必要がある場合には、下引き層としては導電性支持体から感光層への正孔注入阻止機能（ホールブロッキング性）と、感光層から導電性支持体への電子輸送機能（エレクトロン輸送性）とを兼ね備える必要がある。また、長期にわたって安定な感光体を得るためにはこれらの特性が繰り返しの静電負荷によっても変化しないことが重要となる。
これに対し、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、原因は明らかではないが、これらの特性は、下引き層に、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種と、金属酸化物微粒子とを含有し、更に、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種が金属酸化物微粒子に配位することで形成されたキレート錯体を用いることによって満足できることを知見した。
これに対し、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、原因は明らかではないが、これらの特性は、下引き層に、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種と、金属酸化物微粒子とを含有し、更に、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種が金属酸化物微粒子に配位することで形成されたキレート錯体を用いることによって満足できることを知見した。
＜＜サリチル酸誘導体＞＞
前記サリチル酸誘導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アセチルサリチル酸、５−アセチルサリチル酸、３−アミノサリチル酸、５−アセチルサリチルアミド、５−アミノサリチル酸、４−アジドサリチル酸、サリチル酸ベンジル、サリチル酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、サリチル酸ブチル、サリチル酸２−カルボキシフェニル、３，５−ジニトロサリチル酸、ジチオサリチル酸、アセチルサリチル酸エチル、サリチル酸２−エチルヘキシル、６−メチルサリチル酸エチル、サリチル酸エチル、５−ホルミルサリチル酸、４−（２−ヒドロキシエトキシ）サリチル酸、サリチル酸２−ヒドロキシエチル、サリチル酸イソアミル、サリチル酸イソブチル、サリチル酸イソプロピル、３−メトキシサリチル酸、４−メトキシサリチル酸、６−メトキシサリチル酸、アセチルサリチル酸メチル、５−アセチルサリチル酸メチル、５−アリル−３−メトキシサリチル酸メチル、５−ホルミルサリチル酸メチル、４−（２−ヒドロキシエトキシ）サリチル酸メチル、３−メトキシサリチル酸メチル、４−メトキシサリチル酸メチル、５−メトキシサリチル酸メチル、４−メチルサリチル酸メチル、５−メチルサリチル酸メチル、サリチル酸メチル、３−メチルサリチル酸、４−メチルサリチル酸、５−メチルサリチル酸、チオサリチル酸メチル、サリチル酸４−ニトロフェニル、５−ニトロサリチル酸、４−ニトロサリチル酸、３−ニトロサリチル酸、サリチル酸４−オクチルフェニル、サリチル酸フェニルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記サリチル酸誘導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アセチルサリチル酸、５−アセチルサリチル酸、３−アミノサリチル酸、５−アセチルサリチルアミド、５−アミノサリチル酸、４−アジドサリチル酸、サリチル酸ベンジル、サリチル酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、サリチル酸ブチル、サリチル酸２−カルボキシフェニル、３，５−ジニトロサリチル酸、ジチオサリチル酸、アセチルサリチル酸エチル、サリチル酸２−エチルヘキシル、６−メチルサリチル酸エチル、サリチル酸エチル、５−ホルミルサリチル酸、４−（２−ヒドロキシエトキシ）サリチル酸、サリチル酸２−ヒドロキシエチル、サリチル酸イソアミル、サリチル酸イソブチル、サリチル酸イソプロピル、３−メトキシサリチル酸、４−メトキシサリチル酸、６−メトキシサリチル酸、アセチルサリチル酸メチル、５−アセチルサリチル酸メチル、５−アリル−３−メトキシサリチル酸メチル、５−ホルミルサリチル酸メチル、４−（２−ヒドロキシエトキシ）サリチル酸メチル、３−メトキシサリチル酸メチル、４−メトキシサリチル酸メチル、５−メトキシサリチル酸メチル、４−メチルサリチル酸メチル、５−メチルサリチル酸メチル、サリチル酸メチル、３−メチルサリチル酸、４−メチルサリチル酸、５−メチルサリチル酸、チオサリチル酸メチル、サリチル酸４−ニトロフェニル、５−ニトロサリチル酸、４−ニトロサリチル酸、３−ニトロサリチル酸、サリチル酸４−オクチルフェニル、サリチル酸フェニルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
＜＜ナフトエ酸誘導体＞＞
前記ナフトエ酸誘導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、３−アセトキシ−２−ナフトアニリド、６−アセトキシ−２−ナフトエ酸、３−アミノ−２−ナフトエ酸、６−アミノ−２−ナフトエ酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−エトキシ−１−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−（２−ヒドロキシ−４−スルホ−１−ナフチルアゾ）−３−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−７−メトキシ−２−ナフトエ酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸ヒドラジド、２−メトキシ−１−ナフトエ酸、３−メトキシ−２−ナフトエ酸、６−メトキシ−２−ナフトエ酸、６−アミノ−２−ナフトエ酸メチル、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸メチル、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸メチル、３−メトキシ−２−ナフトエ酸メチル、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸フェニル、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸フェニルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記ナフトエ酸誘導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、３−アセトキシ−２−ナフトアニリド、６−アセトキシ−２−ナフトエ酸、３−アミノ−２−ナフトエ酸、６−アミノ−２−ナフトエ酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−エトキシ−１−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−（２−ヒドロキシ−４−スルホ−１−ナフチルアゾ）−３−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−７−メトキシ−２−ナフトエ酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸ヒドラジド、２−メトキシ−１−ナフトエ酸、３−メトキシ−２−ナフトエ酸、６−メトキシ−２−ナフトエ酸、６−アミノ−２−ナフトエ酸メチル、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸メチル、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸メチル、３−メトキシ−２−ナフトエ酸メチル、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸フェニル、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸フェニルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
＜＜アゾ化合物＞＞
前記アゾ化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、２，２’−ジヒドロキシアゾベンゼン、ルモガリオン、マグネソン、スチルバゾ、４−（２−チアゾリルアゾ）レソルシノール、アルセナゾＩ水和物、アルセナゾＩＩＩ、カルマガイト、２−ヒドロキシ−１−１−（２−ヒドロキシ−４−スルホ−１−ナフチルアゾ）−３−ナフトエ酸、ジメチルスルホナゾＩＩＩ、エリオクロムブラックＴ、エリオクロムブラックＴ、Ｈ−レソルシノール、モーダントブラック１７、１−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール、スルホナゾＩＩＩ、トリン水和物、２−（４−スルホフェニルアゾ）−１，８−ジヒドロキシナフタレン−３，６−ジスルホン酸三ナトリウム水和物、キシリルアゾバイオレットＩ、キシリルアゾバイオレットＩＩ、４−（２−ピリジルアゾ）レソルシノール、エリオクロムブラックＡ、４−（３，５−ジブロモ−２−ピリジルアゾ）−１，３−フェニレンジアミンなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記アゾ化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、２，２’−ジヒドロキシアゾベンゼン、ルモガリオン、マグネソン、スチルバゾ、４−（２−チアゾリルアゾ）レソルシノール、アルセナゾＩ水和物、アルセナゾＩＩＩ、カルマガイト、２−ヒドロキシ−１−１−（２−ヒドロキシ−４−スルホ−１−ナフチルアゾ）−３−ナフトエ酸、ジメチルスルホナゾＩＩＩ、エリオクロムブラックＴ、エリオクロムブラックＴ、Ｈ−レソルシノール、モーダントブラック１７、１−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール、スルホナゾＩＩＩ、トリン水和物、２−（４−スルホフェニルアゾ）−１，８−ジヒドロキシナフタレン−３，６−ジスルホン酸三ナトリウム水和物、キシリルアゾバイオレットＩ、キシリルアゾバイオレットＩＩ、４−（２−ピリジルアゾ）レソルシノール、エリオクロムブラックＡ、４−（３，５−ジブロモ−２−ピリジルアゾ）−１，３−フェニレンジアミンなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
＜＜フラボノイド誘導体＞＞
前記フラボノイド誘導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フラバン誘導体、イソフラバン誘導体、フラバノン誘導体、フラボン誘導体、イソフラボン誘導体が含まれる。前記フラボノイド誘導体としては、金属酸化物微粒子とのキレート錯体形成や分散性の観点から１つ以上４つ以下のヒドロキシル基を有するフラボノイド誘導体が好ましい。前記１つ以上４つ以下のヒドロキシル基を有するフラボノイド誘導体としては、例えば、２’−ヒドロキシフラバノン、３，３’，４’，５，５’，７−ヘキサヒドロキシフラボン、３’，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン、３，７，３’，４’−テトラヒドロキシフラボン、３’−ヒドロキシフラバノン、３−ヒドロキシフラボン、４’，５，７−トリヒドロキシフラバノン、４’，５，７−トリヒドロキシフラボン、４’，７−イソフラバンジオール、４’，７−ジヒドロキシイソフラボン、４’，７−ジヒドロキシイソフラボン、４’−ヒドロキシフラバノン、５，６，７−トリヒドロキシフラボン、５，７−ジヒドロキシフラボン、５−ヒドロキシフラボン、６−ヒドロキシフラバノン、６−ヒドロキシフラボン、７，８−ジヒドロキシフラボン、７−ヒドロキシ−４’−メトキシイソフラボン、７−ヒドロキシ−４’−メトキシイソフラボン、７−ヒドロキシフラバノン、７−ヒドロキシフラボン、ヘスペレチン（フラバノン誘導体、ヒドロキシル基を３つ有する）、クリシン（フラボン誘導体、ＴＣＩ−Ｃ１６５２、東京化成株式会社製、ヒドロキシル基を２つ有する）、ナリンゲニン（フラバノン誘導体、ＴＣＩ−Ｎ００７２、東京化成株式会社製、ヒドロキシル基を３つ有する）、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記フラボノイド誘導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フラバン誘導体、イソフラバン誘導体、フラバノン誘導体、フラボン誘導体、イソフラボン誘導体が含まれる。前記フラボノイド誘導体としては、金属酸化物微粒子とのキレート錯体形成や分散性の観点から１つ以上４つ以下のヒドロキシル基を有するフラボノイド誘導体が好ましい。前記１つ以上４つ以下のヒドロキシル基を有するフラボノイド誘導体としては、例えば、２’−ヒドロキシフラバノン、３，３’，４’，５，５’，７−ヘキサヒドロキシフラボン、３’，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン、３，７，３’，４’−テトラヒドロキシフラボン、３’−ヒドロキシフラバノン、３−ヒドロキシフラボン、４’，５，７−トリヒドロキシフラバノン、４’，５，７−トリヒドロキシフラボン、４’，７−イソフラバンジオール、４’，７−ジヒドロキシイソフラボン、４’，７−ジヒドロキシイソフラボン、４’−ヒドロキシフラバノン、５，６，７−トリヒドロキシフラボン、５，７−ジヒドロキシフラボン、５−ヒドロキシフラボン、６−ヒドロキシフラバノン、６−ヒドロキシフラボン、７，８−ジヒドロキシフラボン、７−ヒドロキシ−４’−メトキシイソフラボン、７−ヒドロキシ−４’−メトキシイソフラボン、７−ヒドロキシフラバノン、７−ヒドロキシフラボン、ヘスペレチン（フラバノン誘導体、ヒドロキシル基を３つ有する）、クリシン（フラボン誘導体、ＴＣＩ−Ｃ１６５２、東京化成株式会社製、ヒドロキシル基を２つ有する）、ナリンゲニン（フラバノン誘導体、ＴＣＩ−Ｎ００７２、東京化成株式会社製、ヒドロキシル基を３つ有する）、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記金属酸化物微粒子１００質量部に対して、０．０１質量部〜１０質量部が好ましく、０．１質量部〜５質量部がより好ましい。
前記含有量が、０．０１質量部未満であると、十分な電荷注入抑制機能と電荷輸送機能を発現することができないことがあり、１０質量部を超えると、次に積層する感光層など上層へのマイグレートや塗工液への溶出といった悪影響を生じてしまうことがある。
前記含有量が、０．０１質量部未満であると、十分な電荷注入抑制機能と電荷輸送機能を発現することができないことがあり、１０質量部を超えると、次に積層する感光層など上層へのマイグレートや塗工液への溶出といった悪影響を生じてしまうことがある。
＜＜金属酸化物微粒子＞＞
前記金属酸化物微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アンチモン、ＩＴＯなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、粉体抵抗率（体積抵抗率）及び分散性の点から、酸化亜鉛が好ましい。
前記金属酸化物微粒子は、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種とキレート錯体を形成する前に表面処理剤で表面処理を施すことができる。
前記金属酸化物微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アンチモン、ＩＴＯなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、粉体抵抗率（体積抵抗率）及び分散性の点から、酸化亜鉛が好ましい。
前記金属酸化物微粒子は、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種とキレート錯体を形成する前に表面処理剤で表面処理を施すことができる。
−表面処理剤−
前記表面処理剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、良好な電子写真特性を与える点から、シランカップリング剤が好ましく、前記下引き層に良好なブロッキング性を与える点で、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
前記表面処理剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、良好な電子写真特性を与える点から、シランカップリング剤が好ましく、前記下引き層に良好なブロッキング性を与える点で、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
前記アミノ基を有するシランカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
その他のシランカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、前記その他のシランカップリング剤は、前記アミノ基を有するシランカップリング剤と併用してもよい。
前記金属酸化物微粒子を前記表面処理剤で処理する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、乾式法、湿式法などが挙げられる。
−乾式法−
前記乾式法としては、例えば、前記金属酸化物微粒子をせん断力の大きなミキサー等で攪拌しながら、前記表面処理剤を直接的に滴下、又は有機溶媒に溶解させた前記表面処理剤を滴下し、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に処理する方法が挙げられる。前記表面処理剤を滴下、噴霧する際には前記有機溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましい。前記有機溶剤の沸点より高い温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に前記有機溶剤が蒸発し、前記表面処理剤が局所的に固まってしまい、均一な処理ができにくいことがある。前記表面処理剤を滴下、噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行うことができる。前記焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記乾式法としては、例えば、前記金属酸化物微粒子をせん断力の大きなミキサー等で攪拌しながら、前記表面処理剤を直接的に滴下、又は有機溶媒に溶解させた前記表面処理剤を滴下し、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に処理する方法が挙げられる。前記表面処理剤を滴下、噴霧する際には前記有機溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましい。前記有機溶剤の沸点より高い温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に前記有機溶剤が蒸発し、前記表面処理剤が局所的に固まってしまい、均一な処理ができにくいことがある。前記表面処理剤を滴下、噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行うことができる。前記焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
−湿式法−
前記湿式法としては、例えば、前記金属酸化物微粒子を、攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミル等を用いて溶剤中に分散し、前記表面処理剤を添加し、攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に処理される。前記溶剤除去の方法としては、例えば、ろ過あるいは蒸留が挙げられる。溶剤除去後、更に１００℃以上で焼き付けを行うことができる。前記焼き付けは、所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記湿式法においては、前記表面処理剤を添加する前に前記金属酸化物微粒子の含有水分を除去することもできる。前記含有水分を除去する方法としては、例えば、表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法などが挙げられる。
前記湿式法としては、例えば、前記金属酸化物微粒子を、攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミル等を用いて溶剤中に分散し、前記表面処理剤を添加し、攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に処理される。前記溶剤除去の方法としては、例えば、ろ過あるいは蒸留が挙げられる。溶剤除去後、更に１００℃以上で焼き付けを行うことができる。前記焼き付けは、所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記湿式法においては、前記表面処理剤を添加する前に前記金属酸化物微粒子の含有水分を除去することもできる。前記含有水分を除去する方法としては、例えば、表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法などが挙げられる。
前記金属酸化物微粒子の粒子径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、平均一次粒子径が５００ｎｍ以下であることが好ましい。
前記金属酸化物微粒子の平均一次粒子径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用い５０，０００倍以上で観察した金属酸化物粒子の長軸と短軸の平均値を算出し、前記平均値の粒子１０個の平均値を導出することで求めることができる。
前記金属酸化物微粒子の平均一次粒子径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用い５０，０００倍以上で観察した金属酸化物粒子の長軸と短軸の平均値を算出し、前記平均値の粒子１０個の平均値を導出することで求めることができる。
前記金属酸化物微粒子の体積抵抗率（粉体抵抗率）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０２Ω・ｃｍ〜１０１１Ω・ｃｍが好ましい。
前記体積抵抗率が、１０２Ω・ｃｍ未満であると、前記下引き層の十分な耐リーク性が得られず、地汚れなどの異常画像を引き起こしてしまうことがある。一方、前記体積抵抗率が１０１１Ω・ｃｍを超えると、前記感光層から前記導電性支持体への電荷輸送が十分に行われず、残留電位上昇を引き起こしてしまうことがある。
前記体積抵抗率が、１０２Ω・ｃｍ未満であると、前記下引き層の十分な耐リーク性が得られず、地汚れなどの異常画像を引き起こしてしまうことがある。一方、前記体積抵抗率が１０１１Ω・ｃｍを超えると、前記感光層から前記導電性支持体への電荷輸送が十分に行われず、残留電位上昇を引き起こしてしまうことがある。
前記下引き層において、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種は、前記金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成することが好ましい。
−サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種を金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成する方法−
前記サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種を前記金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記金属酸化物微粒子と、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種を混合し、溶剤を加えて攪拌する方法、前記金属酸化物微粒子の分散液に前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種（又はその溶液）を添加し攪拌する方法、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種の溶液に前記金属酸化物微粒子（又はその分散液）を添加し攪拌する方法などが挙げられる。
前記サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種を前記金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記金属酸化物微粒子と、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種を混合し、溶剤を加えて攪拌する方法、前記金属酸化物微粒子の分散液に前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種（又はその溶液）を添加し攪拌する方法、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種の溶液に前記金属酸化物微粒子（又はその分散液）を添加し攪拌する方法などが挙げられる。
前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種が前記金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成したことは、例えば、分光光度計（例えば、ＵＶ−３６００、株式会社島津製作所）を用いて、以下の方法などによって確認することができる。
前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種の透過率スペクトルを測定する。
金属酸化物微粒子及びバインダー樹脂の分散液を調製し、前記分散液をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１３０℃で３０分間の乾燥を行う。前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定する。
金属酸化物微粒子の分散液に、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種の溶液を添加し、２時間攪拌した後、ろ過することで金属酸化物微粒子を得る。得られた金属酸化物微粒子を有機溶媒に分散させ、攪拌とろ過をする工程を数回繰り返し、金属酸化物微粒子の洗浄を行う。洗浄後の金属酸化物微粒子、及びバインダー樹脂の分散液を調製し、前記分散液をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１３０℃で３０分間の乾燥を行う。前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定する。
得られた３つの反射率スペクトルを比較することで、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種が金属酸化物微粒子に配位し、キレート錯体を形成していることを確認することができる。
前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種の透過率スペクトルを測定する。
金属酸化物微粒子及びバインダー樹脂の分散液を調製し、前記分散液をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１３０℃で３０分間の乾燥を行う。前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定する。
金属酸化物微粒子の分散液に、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種の溶液を添加し、２時間攪拌した後、ろ過することで金属酸化物微粒子を得る。得られた金属酸化物微粒子を有機溶媒に分散させ、攪拌とろ過をする工程を数回繰り返し、金属酸化物微粒子の洗浄を行う。洗浄後の金属酸化物微粒子、及びバインダー樹脂の分散液を調製し、前記分散液をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１３０℃で３０分間の乾燥を行う。前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定する。
得られた３つの反射率スペクトルを比較することで、前記サリチル酸誘導体、前記ナフトエ酸誘導体、前記アゾ化合物、及び前記フラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種が金属酸化物微粒子に配位し、キレート錯体を形成していることを確認することができる。
＜＜バインダー樹脂＞＞
前記バインダー樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、前記バインダー樹脂としては、後述する感光層を下引き層上に塗布することを考慮して、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高いバインダー樹脂が好ましい。前記耐溶剤性の高いバインダー樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂；共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂；ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等の三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。
前記バインダー樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、前記バインダー樹脂としては、後述する感光層を下引き層上に塗布することを考慮して、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高いバインダー樹脂が好ましい。前記耐溶剤性の高いバインダー樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂；共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂；ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等の三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。
前記バインダー樹脂の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、金属酸化物微粒子１００質量部に対して、１０質量部〜２００質量部が好ましく、２０質量部〜１００質量部がより好ましい。
＜＜その他の成分＞＞
前記下引き層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために前記その他の成分を含有させてもよい。
前記下引き層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために前記その他の成分を含有させてもよい。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子輸送性物質；多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料；シランカップリング剤；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；フルオレノン化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物、並びに後述の酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、及びレベリング剤などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
−電子輸送性物質−
前記電子輸送性物質としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記電子輸送性物質としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
−シランカップリング剤−
前記シランカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記シランカップリング剤は、金属酸化物微粒子の表面処理に用いられるものとは別に、下引き層用の塗布液に添加して用いることができる。
前記シランカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記シランカップリング剤は、金属酸化物微粒子の表面処理に用いられるものとは別に、下引き層用の塗布液に添加して用いることができる。
−ジルコニウムキレート化合物−
前記ジルコニウムキレート化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記ジルコニウムキレート化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
−チタニウムキレート化合物−
前記チタニウムキレート化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記チタニウムキレート化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
−アルミニウムキレート化合物−
前記アルミニウムキレート化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記アルミニウムキレート化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
＜＜下引き層の形成方法＞＞
前記下引き層の形成方法としては、特に制限はなく、適当な溶剤及び塗工法を用いて形成することができる。前記塗工法に用いる下引き層用塗工液に前記バインダー樹脂を添加する時期としては、前記金属酸化物微粒子の分散前後のどちらでも構わない。
前記下引き層の形成方法としては、特に制限はなく、適当な溶剤及び塗工法を用いて形成することができる。前記塗工法に用いる下引き層用塗工液に前記バインダー樹脂を添加する時期としては、前記金属酸化物微粒子の分散前後のどちらでも構わない。
前記溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール系溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピルエーテル等のエーテル系溶剤；ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、セロソルブアセテート等のセロソルブ系溶剤などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記金属酸化物微粒子の下引き層塗工液中における分散方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ボールミル、サンドミル、振動ミル、ＫＤミル、３本ロールミル、アトライター、圧力式ホモジナイザー、超音波分散等を用いる分散方法などが挙げられる。
前記塗工法としては、特に制限はなく、塗工液の粘性、所望とする下引き層の膜厚などによって適宜選択することができ、例えば、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法、リングコート法などが挙げられる。
前記下引き層用塗工液を用いて塗工した後に、必要に応じてオーブン等で加熱乾燥させてもよい。下引き層の乾燥温度としては、特に制限はなく、下引き層用塗工液に含有される溶剤の種類等に応じて適宜選択することができるが、８０℃〜２００℃が好ましく、１００℃〜１５０℃がより好ましい。
＜＜下引き層の厚み＞＞
前記下引き層の厚みとしては、特に制限はなく、製造したい電子写真感光体の電気特性や寿命によって適宜選択することができるが、０．５μｍ〜２５μｍが好ましく、１μｍ〜２０μｍがより好ましい。
前記厚みが、０．５μｍ未満であると、電子写真感光体表面の帯電極性と逆極性の電荷が導電性支持体から感光層中に流れ込むことによって、帯電性不良に起因する地汚れ状の画像欠陥が生じることがある。一方、前記厚みが、２５μｍを超えると、残留電位の上昇などの光減衰機能が低下したり、繰り返し安定性が低下したりするなどの欠陥が生じ易くなることがある。
前記下引き層の厚みとしては、特に制限はなく、製造したい電子写真感光体の電気特性や寿命によって適宜選択することができるが、０．５μｍ〜２５μｍが好ましく、１μｍ〜２０μｍがより好ましい。
前記厚みが、０．５μｍ未満であると、電子写真感光体表面の帯電極性と逆極性の電荷が導電性支持体から感光層中に流れ込むことによって、帯電性不良に起因する地汚れ状の画像欠陥が生じることがある。一方、前記厚みが、２５μｍを超えると、残留電位の上昇などの光減衰機能が低下したり、繰り返し安定性が低下したりするなどの欠陥が生じ易くなることがある。
＜感光層＞
前記感光層としては、積層型感光層であってもよく、単層型感光層であってもよい。
前記感光層としては、積層型感光層であってもよく、単層型感光層であってもよい。
＜＜単層型感光層＞＞
前記単層型感光層は、電荷発生機能と電荷輸送機能とを同時に有する層である。
前記単層型感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、及び結着樹脂を含有してなり、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記単層型感光層は、電荷発生機能と電荷輸送機能とを同時に有する層である。
前記単層型感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、及び結着樹脂を含有してなり、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
−電荷発生物質−
前記電荷発生物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、後述する積層型感光層で用いられるものと同様の物質などが挙げられる。前記電荷発生物質の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記結着樹脂１００質量部に対して、５質量部〜４０質量部が好ましい。
前記電荷発生物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、後述する積層型感光層で用いられるものと同様の物質などが挙げられる。前記電荷発生物質の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記結着樹脂１００質量部に対して、５質量部〜４０質量部が好ましい。
−電荷輸送物質−
前記電荷輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、後述する積層型感光層で用いられるものと同様の物質などが挙げられる。前記電荷輸送物質の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記結着樹脂１００質量部に対して、１９０質量部以下が好ましく、５０質量部〜１５０質量部がより好ましい。
前記電荷輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、後述する積層型感光層で用いられるものと同様の物質などが挙げられる。前記電荷輸送物質の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記結着樹脂１００質量部に対して、１９０質量部以下が好ましく、５０質量部〜１５０質量部がより好ましい。
−結着樹脂−
前記結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、後述する積層型感光層で用いられるものと同様の結着樹脂などが挙げられる。
前記結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、後述する積層型感光層で用いられるものと同様の結着樹脂などが挙げられる。
−その他の成分−
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、後述する積層型感光層で用いられるものと同様の低分子電荷輸送物質、同様の溶媒、並びに後述の酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、及びレベリング剤などが挙げられる。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、後述する積層型感光層で用いられるものと同様の低分子電荷輸送物質、同様の溶媒、並びに後述の酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、及びレベリング剤などが挙げられる。
−単層型感光層の形成方法−
前記単層型感光層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電荷発生物質、電荷輸送物質、結着樹脂、その他の成分等を分散機を用いて適当な溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサン等）に溶解乃至分散して得られた塗工液を、塗布乃至乾燥することにより形成する方法などが挙げられる。
前記単層型感光層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電荷発生物質、電荷輸送物質、結着樹脂、その他の成分等を分散機を用いて適当な溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサン等）に溶解乃至分散して得られた塗工液を、塗布乃至乾燥することにより形成する方法などが挙げられる。
前記塗工液を塗工する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、浸漬塗工法、スプレーコート、ビードコート、リングコートなどが挙げられる。また、必要に応じて、可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加してもよい。
前記単層型感光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５μｍ〜２５μｍが好ましい。
＜＜積層型感光層＞＞
前記積層型感光層は、電荷発生機能及び電荷輸送機能をそれぞれ独立した層が担うため、少なくとも電荷発生層と、電荷輸送層とをこの順に有する。なお、前記電荷発生層、及び前記電荷輸送層は、従来公知のものを使用することができる。
前記積層型感光層は、電荷発生機能及び電荷輸送機能をそれぞれ独立した層が担うため、少なくとも電荷発生層と、電荷輸送層とをこの順に有する。なお、前記電荷発生層、及び前記電荷輸送層は、従来公知のものを使用することができる。
前記積層型感光層において、前記電荷発生層と前記電荷輸送層との積層順としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、多くの電荷発生材料は化学的安定性に乏しく、電子写真作像プロセスにおける帯電器周辺での放電生成物のような酸性ガスにさらされると電荷発生効率の低下などを引き起こす。このため、前記電荷発生層の上に前記電荷輸送層を積層することが好ましい。
−電荷発生層−
前記電荷発生層は、電荷発生物質を含み、結着樹脂を含むことが好ましく、更に必要に応じて後述の酸化防止剤等のその他の成分を含む。
前記電荷発生層は、電荷発生物質を含み、結着樹脂を含むことが好ましく、更に必要に応じて後述の酸化防止剤等のその他の成分を含む。
−−電荷発生物質−−
前記電荷発生物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機系材料、有機系材料などが挙げられる。
前記電荷発生物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機系材料、有機系材料などが挙げられる。
−−−無機系材料−−−
前記無機系材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、結晶セレン、アモルファス−セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物、アモルファス−シリコン（例えば、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子等でターミネートしたもの；ホウ素原子、リン原子等をドープしたものなどが好適）などが挙げられる。
前記無機系材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、結晶セレン、アモルファス−セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物、アモルファス−シリコン（例えば、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子等でターミネートしたもの；ホウ素原子、リン原子等をドープしたものなどが好適）などが挙げられる。
−−−有機系材料−−−
前記有機系材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン等のフタロシアニン系顔料；アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記有機系材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン等のフタロシアニン系顔料；アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
−−結着樹脂−−
前記結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリアクリルアミド樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリアクリルアミド樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記結着樹脂としては、上述の結着樹脂の他に、電荷輸送機能を有する電荷輸送性高分子材料を含んでもよく、例えば、アリールアミン骨格、ベンジジン骨格、ヒドラゾン骨格、カルバゾール骨格、スチルベン骨格、ピラゾリン骨格等を有する、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリシロキサン、アクリル樹脂等の高分子材料、ポリシラン骨格を有する高分子材料などを用いることができる。
−−その他の成分−−
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、低分子電荷輸送物質、溶媒、並びに後述の酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、及びレベリング剤などが挙げられる。
前記その他の成分の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、添加する層の総質量に対して、０．０１質量％〜１０質量％が好ましい。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、低分子電荷輸送物質、溶媒、並びに後述の酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、及びレベリング剤などが挙げられる。
前記その他の成分の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、添加する層の総質量に対して、０．０１質量％〜１０質量％が好ましい。
−−−低分子電荷輸送物質−−−
前記低分子電荷輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子輸送物質、正孔輸送物質などが挙げられる。
前記低分子電荷輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子輸送物質、正孔輸送物質などが挙げられる。
前記電子輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、ジフェノキノン誘導体などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記正孔輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、９−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジェン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体等などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
−−−溶媒−−−
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、アニソール、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、酢酸ブチルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、アニソール、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、酢酸ブチルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
−−電荷発生層の形成方法−−
前記電荷発生層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記電荷発生物質及び前記結着樹脂を前記溶媒等の前記その他の成分に溶解乃至分散して得られた塗工液を、前記導電性支持体上に塗布して乾燥することにより形成する方法などが挙げられる。なお、前記塗工液は、キャスティング法などにより塗布することができる。
前記電荷発生層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記電荷発生物質及び前記結着樹脂を前記溶媒等の前記その他の成分に溶解乃至分散して得られた塗工液を、前記導電性支持体上に塗布して乾燥することにより形成する方法などが挙げられる。なお、前記塗工液は、キャスティング法などにより塗布することができる。
前記電荷発生層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０１μｍ〜５μｍが好ましく、０．０５μｍ〜２μｍがより好ましい。
−電荷輸送層−
前記電荷輸送層は、帯電電荷を保持させ、かつ、露光により電荷発生層で発生分離した電荷を移動させて保持していた帯電電荷と結合させることを目的とする層である。帯電電荷を保持させる目的を達成するためには、電気抵抗が高いことが要求される。また、保持していた帯電電荷で高い表面電位を得る目的を達成するためには、誘電率が小さく、かつ、電荷移動性がよいことが要求される。
前記電荷輸送層は、帯電電荷を保持させ、かつ、露光により電荷発生層で発生分離した電荷を移動させて保持していた帯電電荷と結合させることを目的とする層である。帯電電荷を保持させる目的を達成するためには、電気抵抗が高いことが要求される。また、保持していた帯電電荷で高い表面電位を得る目的を達成するためには、誘電率が小さく、かつ、電荷移動性がよいことが要求される。
前記電荷輸送層は、電荷輸送物質を含み、結着樹脂を含むことが好ましく、更に必要に応じてその他の成分を含む。
−−電荷輸送物質−−
前記電荷輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子輸送物質、正孔輸送物質、高分子電荷輸送物質などが挙げられる。
前記電荷輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子輸送物質、正孔輸送物質、高分子電荷輸送物質などが挙げられる。
前記電荷輸送物質の電荷輸送層全量における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０質量％〜８０質量％が好ましく、３０質量％〜７０質量％がより好ましい。前記含有量が、２０質量％未満であると、電荷輸送層の電荷輸送性が小さくなることにより所望の光減衰特性が得られないことがあり、８０質量％を超えると、画像形成工程から感光体が受ける各種ハザードによって必要以上に摩耗することがある。一方、前記電荷輸送物質の電荷輸送層における含有量が、前記より好ましい範囲内であると、所望の光減衰性が得られるとともに、使用によっても摩耗量が少ない電子写真感光体を得ることができる点で有利である。
−−−電子輸送物質−−−
前記電子輸送物質（電子受容性物質）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記電子輸送物質（電子受容性物質）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
−−−正孔輸送物質−−−
前記正孔輸送物質（電子供与性物質）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記正孔輸送物質（電子供与性物質）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
−−−高分子電荷輸送物質−−−
前記高分子電荷輸送物質は、後述する結着樹脂の機能と電荷輸送物質の機能を併せ持つ材料である。
前記高分子電荷輸送物質は、後述する結着樹脂の機能と電荷輸送物質の機能を併せ持つ材料である。
前記高分子電荷輸送物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カルバゾール環を有する重合体、ヒドラゾン構造を有する重合体、ポリシリレン重合体、トリアリールアミン構造を有する重合体（例えば、特許第３８５２８１２号公報、特許第３９９０４９９号公報等に記載のトリアリールアミン構造を有する重合体等）、電子供与性基を有する重合体、その他の重合体などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよく、摩耗耐久性や製膜性の点で、後述する結着樹脂と併用してもよい。
前記高分子電荷輸送物質の電荷輸送層全質量における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記高分子電荷輸送物質と前記結着樹脂とを併用する場合、４０質量％〜９０質量％が好ましく、５０質量％〜８０質量％がより好ましい。
−−結着樹脂−−
前記結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
なお、前記電荷輸送層は、架橋性のバインダー樹脂と架橋性の電荷輸送物質との共重合体を含むこともできる。
前記結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
なお、前記電荷輸送層は、架橋性のバインダー樹脂と架橋性の電荷輸送物質との共重合体を含むこともできる。
−−その他の成分−−
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、溶媒、並びに後述の酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、及びレベリング剤などが挙げられる。
前記その他の成分の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、添加する層の総質量に対して、０．０１質量％〜１０質量％が好ましい。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、溶媒、並びに後述の酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、及びレベリング剤などが挙げられる。
前記その他の成分の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、添加する層の総質量に対して、０．０１質量％〜１０質量％が好ましい。
−−−溶媒−−−
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記電荷発生層と同様なものが使用できるが、前記電荷輸送物質及び前記結着樹脂を良好に溶解する溶媒が好ましい。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記電荷発生層と同様なものが使用できるが、前記電荷輸送物質及び前記結着樹脂を良好に溶解する溶媒が好ましい。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
−−−可塑剤−−−
前記可塑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般樹脂の可塑剤などが挙げられる。
前記可塑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般樹脂の可塑剤などが挙げられる。
−−電荷輸送層の形成方法−−
前記電荷輸送層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記電荷輸送物質及び前記結着樹脂を前記溶媒等の前記その他の成分に溶解乃至分散して得られた塗工液を、前記電荷発生層上に塗布して加熱乃至乾燥することにより形成する方法などが挙げられる。
前記電荷輸送層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記電荷輸送物質及び前記結着樹脂を前記溶媒等の前記その他の成分に溶解乃至分散して得られた塗工液を、前記電荷発生層上に塗布して加熱乃至乾燥することにより形成する方法などが挙げられる。
前記電荷輸送層形成の際に用いる前記塗工液の塗工方法としては、特に制限はなく、塗工液の粘性、所望とする電荷輸送層の厚み等の目的に応じて適宜選択することができ、例えば、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法、リングコート法などが挙げられる。
前記電荷輸送層は、電子写真特性や膜粘性の観点から、何らかの手段を用いて加熱を行い、前記溶媒を前記電荷輸送層中から取り除く必要がある。
前記加熱する方法としては、例えば、空気、窒素等の気体、蒸気、各種熱媒体、赤外線、電磁波等の熱エネルギーを塗工面側又は支持体側から加熱する方法などが挙げられる。
前記加熱する際の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１００℃〜１７０℃が好ましい。前記温度が１００℃未満であると、膜中の有機溶媒を十分取り除くことができず、電子写真特性の低下や摩耗耐久性低下が生じることがある。一方、前記温度が１７０℃を超えると、表面にゆず肌状の欠陥や亀裂の発生、隣接層との界面で剥離の発生などが生じるだけでなく、感光層中の揮発性成分が外部に霧散した場合、所望の電気特性が得られなくなることがある。
前記加熱する方法としては、例えば、空気、窒素等の気体、蒸気、各種熱媒体、赤外線、電磁波等の熱エネルギーを塗工面側又は支持体側から加熱する方法などが挙げられる。
前記加熱する際の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１００℃〜１７０℃が好ましい。前記温度が１００℃未満であると、膜中の有機溶媒を十分取り除くことができず、電子写真特性の低下や摩耗耐久性低下が生じることがある。一方、前記温度が１７０℃を超えると、表面にゆず肌状の欠陥や亀裂の発生、隣接層との界面で剥離の発生などが生じるだけでなく、感光層中の揮発性成分が外部に霧散した場合、所望の電気特性が得られなくなることがある。
前記電荷輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、解像度乃至応答性の点から、５０μｍ以下が好ましく、４５μｍ以下がより好ましい。下限値に関しては、使用するシステム（特に帯電電位等）により異なるが、５μｍ以上が好ましい。
＜その他の層＞
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、中間層、第２の下引き層などが挙げられる。
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、中間層、第２の下引き層などが挙げられる。
＜＜保護層＞＞
前記保護層（以下、表面層と称することもある）は、前記電子写真感光体の耐久性向上や他の機能の向上を目的として、前記感光層の上に設けることができる。前記保護層は、少なくとも結着樹脂、及びフィラーを含有してなり、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記保護層（以下、表面層と称することもある）は、前記電子写真感光体の耐久性向上や他の機能の向上を目的として、前記感光層の上に設けることができる。前記保護層は、少なくとも結着樹脂、及びフィラーを含有してなり、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
−結着樹脂−
前記結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル樹脂、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、ポリブチレン樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。これらの中でも、前記フィラーの分散性、残留電位、塗膜欠陥の点から、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリレート樹脂が好ましい。
前記結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル樹脂、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、ポリブチレン樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。これらの中でも、前記フィラーの分散性、残留電位、塗膜欠陥の点から、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリレート樹脂が好ましい。
−フィラー−
前記フィラーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属酸化物微粒子などが挙げられる。
前記金属酸化物微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンやタンタルをドープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジルコニウムなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
前記フィラーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属酸化物微粒子などが挙げられる。
前記金属酸化物微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンやタンタルをドープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジルコニウムなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
前記保護層の形成方法としては、特に制限はなく、前述の感光層の如く適当な溶剤及び塗工法を用いて形成することができ、例えば、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビートコート法、ノズルコート法、スピナーコート法、リングコート法などが挙げられる。
前記保護層の形成方法に用いる溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが挙げられる。
前記溶剤としては、結着樹脂やフィラーの分散時には粘度が高く、塗工時には揮発性が高い溶剤が好ましい。これらの条件を満たす溶剤がない場合には、各々の物性を有する溶剤を２種以上混合させて使用することが可能であり、前記フィラーの分散性や残留電位に対して大きな効果を有する場合がある。
前記溶剤としては、結着樹脂やフィラーの分散時には粘度が高く、塗工時には揮発性が高い溶剤が好ましい。これらの条件を満たす溶剤がない場合には、各々の物性を有する溶剤を２種以上混合させて使用することが可能であり、前記フィラーの分散性や残留電位に対して大きな効果を有する場合がある。
前記保護層に前記電荷輸送層について挙げた電荷輸送物質を添加することは、残留電位の低減及び画質向上に対して有効かつ有用である。
前記保護層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、耐摩耗性の点で、１μｍ〜５μｍが好ましい。
−中間層−
前記中間層は、前記電荷輸送層と前記表面層との間に、前記表面層への電荷輸送層成分の混入を抑える又は両層間の接着性を改善することを目的として設けることができる。
前記中間層は、前記電荷輸送層と前記表面層との間に、前記表面層への電荷輸送層成分の混入を抑える又は両層間の接着性を改善することを目的として設けることができる。
前記中間層は、結着樹脂を含み、更に必要に応じて後述の酸化防止剤等のその他の成分を含む。前記中間層としては、表面層用塗工液に対し不溶性又は難溶性であるものが好ましい。
前記中間層に含まれる結着樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。
前記中間層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記感光層と同様の適当な溶媒及び塗工法を用いて形成する方法などが挙げられる。
前記中間層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０５μｍ〜２μｍが好ましい。
＜＜第２の下引き層＞＞
前記電子写真感光体においては、前記感光層と前記保護層との間に前記第２の下引き層を設けることも可能である。前記第２の下引き層はバインダー樹脂を含有してなり、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記バインダー樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。
前記第２の下引き層の形成法としては、特に制限はなく、適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することができる。
前記第２の下引き層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０５μｍ〜２μｍが好ましい。
前記電子写真感光体においては、前記感光層と前記保護層との間に前記第２の下引き層を設けることも可能である。前記第２の下引き層はバインダー樹脂を含有してなり、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記バインダー樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。
前記第２の下引き層の形成法としては、特に制限はなく、適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することができる。
前記第２の下引き層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０５μｍ〜２μｍが好ましい。
本発明の電子写真感光体においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、前記電荷発生層、前記電荷輸送層、前記下引き層、前記保護層、前記第２の下引き層等の各層にその他の成分として、酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤及びレベリング剤を添加することが出来る。
前記酸化防止剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フェノ−ル系化合物、パラフェニレンジアミン類、ハイドロキノン類、有機硫黄化合物、有機燐化合物などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
前記フェノール系化合物としては、例えば、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノ−ル、ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコ−ルエステル、トコフェロ−ル類などが挙げられる。
前記パラフェニレンジアミン類としては、例えば、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなどが挙げられる。
前記ハイドロキノン類としては、例えば、２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなどが挙げられる。
前記有機硫黄化合物としては、例えば、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネ−トなどが挙げられる。
前記有機燐化合物類としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなどが挙げられる。
前記可塑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、芳香族カルボン酸エステル系可塑剤、脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤、脂肪酸エステル系可塑剤、オキシ酸エステル系可塑剤、エポキシ可塑剤、二価アルコールエステル系可塑剤、含塩素可塑剤、ポリエステル系可塑剤、スルホン酸誘導体、クエン酸誘導体、その他の可塑剤などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
前記リン酸エステル系可塑剤としては、例えば、リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなどが挙げられる。
前記フタル酸エステル系可塑剤としては、例えば、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチルなどが挙げられる。
前記芳香族カルボン酸エステル系可塑剤としては、例えば、トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなどが挙げられる。
前記脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤としては、例えば、アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチルなどが挙げられる。
前記脂肪酸エステル系可塑剤としては、例えば、オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなどが挙げられる。
前記オキシ酸エステル系可塑剤としては、例えば、アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなどが挙げられる。
前記エポキシ可塑剤としては、例えば、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなどが挙げられる。
前記二価アルコールエステル系可塑剤としては、例えば、ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラートなどが挙げられる。
前記含塩素可塑剤としては、例えば、塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなどが挙げられる。
前記ポリエステル系可塑剤としては、例えば、ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなどが挙げられる。
前記スルホン酸誘導体としては、例えば、ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミドなどが挙げられる。
前記クエン酸誘導体としては、例えば、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシルなどが挙げられる。
前記その他の可塑剤としては、例えば、ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなどが挙げられる。
前記滑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、炭化水素系化合物、脂肪酸系化合物、脂肪酸アミド系化合物、エステル系化合物、アルコール系化合物、金属石けん、天然ワックス、その他の滑剤などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
前記炭化水素系化合物としては、例えば、流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなどが挙げられる。
前記脂肪酸系化合物としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸などが挙げられる。
前記脂肪酸アミド系化合物としては、例えば、ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなどが挙げられる。
前記エステル系化合物としては、例えば、脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなどが挙げられる。
前記アルコール系化合物としては、例えば、セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなどが挙げられる。
金属石けんとしては、例えば、ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどが挙げられる。
前記天然ワックスとしては、例えば、カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなどが挙げられる。
前記その他の滑剤としては、例えば、シリコーン化合物、フッ素化合物などが挙げられる。
前記紫外線吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サルシレート系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、クエンチャー（金属錯塩系紫外線吸収剤）、ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン系光安定剤）などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
前記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、例えば、２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。
前記サルシレート系紫外線吸収剤としては、例えば、フェニルサルシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなどが挙げられる。
前記ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、例えば、（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ３’−ターシャリブチル５’−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
前記シアノアクリレート系紫外線吸収剤としては、例えば、エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ−３−（パラメトキシ）アクリレートなどが挙げられる。
前記クエンチャー（金属錯塩系紫外線吸収剤）としては、例えば、ニッケル（２，２’チオビス（４−ｔ−オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなどが挙げられる。
前記ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン系光安定剤）としては、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなどが挙げられる。
前記レベリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類；側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー乃至オリゴマーなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
＜導電性支持体＞
前記導電性支持体としては、体積抵抗値が１×１０１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスベルト（エンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルト等）を用いてもよい。
前記導電性支持体としては、体積抵抗値が１×１０１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスベルト（エンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルト等）を用いてもよい。
前記導電性支持体の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属（アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金等）又は金属酸化物（酸化スズ、酸化インジウム等）を蒸着又はスパッタリングして、支持体（フィルム状、円筒状等のプラスチック、紙等）を被覆することにより形成する方法；金属（アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等）の板を押出し、引抜き等を行い、表面処理（素管化後、切削、超仕上げ、研摩等）を施して形成する方法などが挙げられる。
前記導電性支持体は、前記導電性支持体上に導電性層を設けてもよい。
前記導電性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性粉体及び結着樹脂を、必要に応じて溶媒に分散乃至溶解して得られた塗工液を前記導電性支持体上に塗布することにより形成する方法、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（登録商標）等の素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブを用いて形成する方法などが挙げられる。
前記導電性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性粉体及び結着樹脂を、必要に応じて溶媒に分散乃至溶解して得られた塗工液を前記導電性支持体上に塗布することにより形成する方法、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（登録商標）等の素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブを用いて形成する方法などが挙げられる。
前記導電性粉体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラック等の炭素微粒子；アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀等の金属粉；導電性酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物粉体などが挙げられる。
前記導電性層に用いる結着樹脂として、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などが挙げられ、具体的には、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルトルエン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
前記導電性層に用いる溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどが挙げられる。
［電子写真感光体の実施形態］
以下では、本発明の電子写真感光体の実施形態について説明する。
以下では、本発明の電子写真感光体の実施形態について説明する。
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態に係る電子写真感光体の層構成について、図１を用いて説明する。
図１は、単層型感光層を有する構成であり、導電性支持体３１上に、下引き層３２及び単層型感光層３３を順次積層した電子写真感光体の層構成を示した図である。
第１の実施形態に係る電子写真感光体の層構成について、図１を用いて説明する。
図１は、単層型感光層を有する構成であり、導電性支持体３１上に、下引き層３２及び単層型感光層３３を順次積層した電子写真感光体の層構成を示した図である。
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態に係る電子写真感光体の層構成について、図２を用いて説明する。
図２は、積層型感光層を有する構成であり、導電性支持体３１上に、下引き層３２、電荷発生層３５、及び電荷輸送層３７を順次積層した電子写真感光体の層構成を示した図である。なお、電荷発生層３５及び電荷輸送層３７が感光層に該当する。
第２の実施形態に係る電子写真感光体の層構成について、図２を用いて説明する。
図２は、積層型感光層を有する構成であり、導電性支持体３１上に、下引き層３２、電荷発生層３５、及び電荷輸送層３７を順次積層した電子写真感光体の層構成を示した図である。なお、電荷発生層３５及び電荷輸送層３７が感光層に該当する。
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態に係る電子写真感光体の層構成について、図３を用いて説明する。
図３は、単層型感光層を有する構成であり、導電性支持体３１上に、下引き層３２、感光層３３、及び保護層３９を順次積層した電子写真感光体の層構成を示した図である。
第３の実施形態に係る電子写真感光体の層構成について、図３を用いて説明する。
図３は、単層型感光層を有する構成であり、導電性支持体３１上に、下引き層３２、感光層３３、及び保護層３９を順次積層した電子写真感光体の層構成を示した図である。
＜第４の実施形態＞
第４の実施形態に係る電子写真感光体の層構成について、図４を用いて説明する。
図４は、積層型感光層を有する構成であり、導電性支持体３１上に、下引き層３２、電荷発生層３５、電荷輸送層３７、及び保護層３９を順次積層した電子写真感光体の層構成を示した図である。なお、電荷発生層３５及び電荷輸送層３７が感光層に該当する。
第４の実施形態に係る電子写真感光体の層構成について、図４を用いて説明する。
図４は、積層型感光層を有する構成であり、導電性支持体３１上に、下引き層３２、電荷発生層３５、電荷輸送層３７、及び保護層３９を順次積層した電子写真感光体の層構成を示した図である。なお、電荷発生層３５及び電荷輸送層３７が感光層に該当する。
（画像形成装置及び画像形成方法）
本発明の画像形成装置は、電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段を少なくとも有してなり、更に必要に応じて、その他の手段を有してなる。前記画像形成装置において使用する電子写真感光体が、上述の本発明の電子写真感光体である。なお、前記帯電手段と、前記露光手段とを合わせて静電潜像形成手段と称することもある。
本発明の画像形成装置は、電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段を少なくとも有してなり、更に必要に応じて、その他の手段を有してなる。前記画像形成装置において使用する電子写真感光体が、上述の本発明の電子写真感光体である。なお、前記帯電手段と、前記露光手段とを合わせて静電潜像形成手段と称することもある。
本発明の画像形成方法は、電子写真感光体の表面を帯電手段で帯電する帯電工程、帯電された前記電子写真感光体を画像露光手段で露光して電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光工程、前記静電潜像が形成された前記電子写真感光体の表面に現像手段でトナー像を形成する現像工程、及び形成された前記トナー像を転写手段で記録媒体へ転写する転写工程を少なくとも含んでなり、更に必要に応じて、その他の工程を含んでなる。
なお、前記帯電工程と、前記露光工程とを合わせて静電潜像形成工程と称することもある。
前記画像形成方法は、前記画像形成装置の各手段により実施される方法である。
なお、前記帯電工程と、前記露光工程とを合わせて静電潜像形成工程と称することもある。
前記画像形成方法は、前記画像形成装置の各手段により実施される方法である。
＜帯電手段及び帯電工程＞
前記帯電手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性又は半導電性のロール、ブラシ、フィルム、ゴムブレード等を備えたそれ自体公知の接触帯電器、コロトロン、スコロトロン等のコロナ放電を利用した非接触帯電器（電子写真感光体表面と帯電器との間に１００μｍ以下の空隙を有する近接方式の非接触帯電器を含む）などが挙げられる。
前記帯電手段は、電子写真感光体表面と接触又は近接して設けられた帯電部材を有し、直流成分に交流成分を重畳した電圧を前記帯電部材へ印加して、前記帯電部材と前記電子写真感光体表面にコロナ放電を形成し、前記電子写真感光体表面を帯電する帯電手段であることが好ましい。
前記帯電工程は、前記帯電手段により実施することができ、前記電子写真感光体表面を帯電させる工程である。
前記帯電手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性又は半導電性のロール、ブラシ、フィルム、ゴムブレード等を備えたそれ自体公知の接触帯電器、コロトロン、スコロトロン等のコロナ放電を利用した非接触帯電器（電子写真感光体表面と帯電器との間に１００μｍ以下の空隙を有する近接方式の非接触帯電器を含む）などが挙げられる。
前記帯電手段は、電子写真感光体表面と接触又は近接して設けられた帯電部材を有し、直流成分に交流成分を重畳した電圧を前記帯電部材へ印加して、前記帯電部材と前記電子写真感光体表面にコロナ放電を形成し、前記電子写真感光体表面を帯電する帯電手段であることが好ましい。
前記帯電工程は、前記帯電手段により実施することができ、前記電子写真感光体表面を帯電させる工程である。
＜露光手段及び露光工程＞
前記露光手段としては、前記帯電手段により帯電された前記電子写真感光体の表面に、形成すべき像様に露光を行うことができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、複写光学系、ロッドレンズアレイ系、レーザー光学系、液晶シャッタ光学系、ＬＥＤ光学系などの各種露光器が挙げられ、前記露光器における光源としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの高輝度が確保できる光源などが挙げられる。なお、本発明においては、前記電子写真感光体の裏面側から像様に露光を行う光背面方式を採用してもよい。
前記露光工程は、前記露光手段により実施することができ、前記帯電された電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する工程である。
前記露光手段としては、前記帯電手段により帯電された前記電子写真感光体の表面に、形成すべき像様に露光を行うことができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、複写光学系、ロッドレンズアレイ系、レーザー光学系、液晶シャッタ光学系、ＬＥＤ光学系などの各種露光器が挙げられ、前記露光器における光源としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの高輝度が確保できる光源などが挙げられる。なお、本発明においては、前記電子写真感光体の裏面側から像様に露光を行う光背面方式を採用してもよい。
前記露光工程は、前記露光手段により実施することができ、前記帯電された電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する工程である。
＜現像手段及び現像工程＞
前記現像手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記トナー乃至現像剤を用いて現像することができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記現像剤を収容し、前記静電潜像に該現像剤を接触又は非接触的に付与可能な現像器を少なくとも有するものが好ましい。前記現像器としては、乾式現像方式のものであってもよいし、湿式現像方式のものであってもよく、また、単色用現像器であってもよいし、多色用現像器であってもよく、例えば、前記現像剤を摩擦攪拌させて帯電させる攪拌器と、回転可能なマグネットローラとを有するものなどが好適に挙げられる。前記現像器内では、例えば、前記トナーとキャリアとが混合攪拌され、その際の摩擦により該トナーが帯電し、回転するマグネットローラの表面に穂立ち状態で保持され、磁気ブラシが形成される。該マグネットローラは、前記電子写真感光体近傍に配置されているため、該マグネットローラの表面に形成された前記磁気ブラシを構成する前記トナーの一部は、電気的な吸引力によって該電子写真感光体の表面に移動する。その結果、前記静電潜像が該トナーにより現像されて該電子写真感光体の表面に該トナーによる可視像が形成される。
前記現像工程は、前記現像手段により実施することができ、前記静電潜像を、トナーを用いて現像して可視像を形成する工程である。
前記現像手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記トナー乃至現像剤を用いて現像することができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記現像剤を収容し、前記静電潜像に該現像剤を接触又は非接触的に付与可能な現像器を少なくとも有するものが好ましい。前記現像器としては、乾式現像方式のものであってもよいし、湿式現像方式のものであってもよく、また、単色用現像器であってもよいし、多色用現像器であってもよく、例えば、前記現像剤を摩擦攪拌させて帯電させる攪拌器と、回転可能なマグネットローラとを有するものなどが好適に挙げられる。前記現像器内では、例えば、前記トナーとキャリアとが混合攪拌され、その際の摩擦により該トナーが帯電し、回転するマグネットローラの表面に穂立ち状態で保持され、磁気ブラシが形成される。該マグネットローラは、前記電子写真感光体近傍に配置されているため、該マグネットローラの表面に形成された前記磁気ブラシを構成する前記トナーの一部は、電気的な吸引力によって該電子写真感光体の表面に移動する。その結果、前記静電潜像が該トナーにより現像されて該電子写真感光体の表面に該トナーによる可視像が形成される。
前記現像工程は、前記現像手段により実施することができ、前記静電潜像を、トナーを用いて現像して可視像を形成する工程である。
＜転写手段及び転写工程＞
前記転写手段は、前記可視像を記録媒体に転写する手段であるが、前記電子写真感光体表面から記録媒体に可視像を直接転写する方法と、中間転写体を用い、該中間転写体上に可視像を一次転写した後、該可視像を前記記録媒体上に二次転写する方法がある。いずれの態様も良好に使用することができるが、高画質化に際して転写による悪影響が大きいような場合には、転写回数が少ない前者（直接転写）の方法が好ましい。前記転写は、例えば、前記可視像を、転写帯電器を用いて前記電子写真感光体を帯電することにより行うことができ、前記転写手段により行うことができる。
前記転写工程は、前記転写手段により実施することができ、前記可視像を記録媒体に転写する工程である。
前記転写手段は、前記可視像を記録媒体に転写する手段であるが、前記電子写真感光体表面から記録媒体に可視像を直接転写する方法と、中間転写体を用い、該中間転写体上に可視像を一次転写した後、該可視像を前記記録媒体上に二次転写する方法がある。いずれの態様も良好に使用することができるが、高画質化に際して転写による悪影響が大きいような場合には、転写回数が少ない前者（直接転写）の方法が好ましい。前記転写は、例えば、前記可視像を、転写帯電器を用いて前記電子写真感光体を帯電することにより行うことができ、前記転写手段により行うことができる。
前記転写工程は、前記転写手段により実施することができ、前記可視像を記録媒体に転写する工程である。
＜その他の手段及びその他の工程＞
前記その他の工程及びその他の手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、定着工程及び定着手段、除電工程及び除電手段、クリーニング工程及びクリーニング手段、リサイクル工程及びリサイクル手段、制御工程及び制御手段などが挙げられる。
前記その他の工程及びその他の手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、定着工程及び定着手段、除電工程及び除電手段、クリーニング工程及びクリーニング手段、リサイクル工程及びリサイクル手段、制御工程及び制御手段などが挙げられる。
−定着手段及び定着工程−
前記定着手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、公知の加熱加圧手段が好ましく、前記加熱加圧手段としては、加熱ローラと加圧ローラとの組み合わせ、加熱ローラと加圧ローラと無端ベルトとの組み合わせなどが挙げられ、前記加熱加圧手段における加熱としては、通常８０℃〜２００℃が好ましい。前記定着としては、例えば、各色のトナーに対し前記記録媒体に転写する毎に行ってもよいし、各色のトナーに対しこれを積層した状態で一度に同時に行ってもよい。
前記定着工程は、前記定着手段により実施することができ、前記記録媒体に転写された転写像を定着させる工程である。
前記定着手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、公知の加熱加圧手段が好ましく、前記加熱加圧手段としては、加熱ローラと加圧ローラとの組み合わせ、加熱ローラと加圧ローラと無端ベルトとの組み合わせなどが挙げられ、前記加熱加圧手段における加熱としては、通常８０℃〜２００℃が好ましい。前記定着としては、例えば、各色のトナーに対し前記記録媒体に転写する毎に行ってもよいし、各色のトナーに対しこれを積層した状態で一度に同時に行ってもよい。
前記定着工程は、前記定着手段により実施することができ、前記記録媒体に転写された転写像を定着させる工程である。
−除電手段及び除電工程−
前記除電手段としては、特に制限はなく、前記電子写真感光体に対し除電バイアスを印加することができればよく、公知の除電器の中から適宜選択することができ、例えば、除電ランプ等が好適に挙げられる。
前記除電工程は、前記除電手段により実施することができ、前記電子写真感光体に対し除電バイアスを印加して除電を行う工程である。
前記除電手段としては、特に制限はなく、前記電子写真感光体に対し除電バイアスを印加することができればよく、公知の除電器の中から適宜選択することができ、例えば、除電ランプ等が好適に挙げられる。
前記除電工程は、前記除電手段により実施することができ、前記電子写真感光体に対し除電バイアスを印加して除電を行う工程である。
−クリーニング手段及びクリーニング工程−
前記クリーニング手段としては、特に制限はなく、前記電子写真感光体上に残留する前記電子写真トナーを除去することができればよく、公知のクリーナの中から適宜選択することができ、例えば、磁気ブラシクリーナ、静電ブラシクリーナ、磁気ローラクリーナ、ブレードクリーナ、ブラシクリーナ、ウエブクリーナ等が好適に挙げられる。
前記クリーニング工程は、前記クリーニング手段により実施することができ、前記電子写真感光体上に残留する前記トナーを除去する工程である。
前記クリーニング手段としては、特に制限はなく、前記電子写真感光体上に残留する前記電子写真トナーを除去することができればよく、公知のクリーナの中から適宜選択することができ、例えば、磁気ブラシクリーナ、静電ブラシクリーナ、磁気ローラクリーナ、ブレードクリーナ、ブラシクリーナ、ウエブクリーナ等が好適に挙げられる。
前記クリーニング工程は、前記クリーニング手段により実施することができ、前記電子写真感光体上に残留する前記トナーを除去する工程である。
−リサイクル手段及びリサイクル工程−
前記リサイクル手段としては、特に制限はなく、公知の搬送手段等が挙げられる。
前記リサイクル工程は、前記リサイクル手段により実施することができ、前記クリーニング工程により除去した前記トナーを前記現像手段にリサイクルさせる工程である。
前記リサイクル手段としては、特に制限はなく、公知の搬送手段等が挙げられる。
前記リサイクル工程は、前記リサイクル手段により実施することができ、前記クリーニング工程により除去した前記トナーを前記現像手段にリサイクルさせる工程である。
−制御手段及び制御工程−
前記制御手段としては、前記各手段の動きを制御できれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シークエンサー、コンピュータ等の機器が挙げられる。
前記制御工程は、前記制御手段により実施することができ、前記各工程を制御する工程である。
前記制御手段としては、前記各手段の動きを制御できれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シークエンサー、コンピュータ等の機器が挙げられる。
前記制御工程は、前記制御手段により実施することができ、前記各工程を制御する工程である。
（画像形成装置の実施形態）
以下では、本発明の画像形成装置の実施形態について説明する。
図５は、本発明の画像形成装置を説明するための概略図であり、電子写真感光体１の周りに、帯電手段３、露光手段５、現像手段６、転写手段１０などが配置される。
以下では、本発明の画像形成装置の実施形態について説明する。
図５は、本発明の画像形成装置を説明するための概略図であり、電子写真感光体１の周りに、帯電手段３、露光手段５、現像手段６、転写手段１０などが配置される。
まず、図５に示す帯電手段３により、電子写真感光体１が平均的に帯電される。帯電手段３としては、コロトロンデバイス、スコロトロンデバイス、固体放電素子、針電極デバイス、ローラ帯電デバイス、導電性ブラシデバイス等が用いられ、公知の方式が使用可能である。
次に、図５に示す露光手段５により、均一に帯電された電子写真感光体１上に静電潜像が形成される。この光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
次に、図５に示す現像手段６により、電子写真感光体１上に形成された静電潜像が可視化される。この現像方式としては、乾式トナーを用いた一成分現像法、二成分現像法、湿式トナーを用いた湿式現像法などが挙げられる。電子写真感光体１に正（負）帯電を施し、画像露光を行うと、感光体表面上には正（負）の静電潜像が形成される。これを負（正）極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正（負）極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。
次に、図５に示す転写手段１０により、電子写真感光体１上で可視化されたトナー像が記録媒体９上に転写される。また、転写をより良好に行うために転写前チャージャ７を用いてもよい。転写手段１０としては、転写チャージャ、バイアスローラー等を用いる静電転写方式；粘着転写法、圧力転写法等の機械転写方式；磁気転写方式などが利用可能である。
更に必要に応じて、図５に示す記録媒体９を電子写真感光体１より分離する手段として分離チャージャ１１、分離爪１２を用いてもよい。その他分離手段としては、静電吸着誘導分離、側端ベルト分離、先端グリップ搬送、曲率分離等が用いられる。分離チャージャ１１としては、前記帯電手段が利用可能である。また、転写後感光体上に残されたトナーをクリーニングするために、ファーブラシ１４、クリーニングブレード１５等のクリーニング手段が用いられ、クリーニングをより効率的に行うためにクリーニング前チャージャ１３を用いてもよい。その他のクリーニング手段としては、ウェブ方式、マグネットブラシ方式等があるが、それぞれ単独又は複数の方式を一緒に用いてもよい。また、電子写真感光体１上の潜像が取り除くために除電手段２を用いてもよい。除電手段２としては、除電ランプ、除電チャージャなどが用いられ、それぞれ前記露光光源、帯電手段が利用できる。その他、感光体に近接していない原稿読み取り、給紙、定着、排紙等のプロセスは公知のものが使用できる。
（プロセスカートリッジ）
本発明のプロセスカートリッジは、電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段の少なくともいずれかの手段を有してなり、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。
本発明のプロセスカートリッジにおいて使用する電子写真感光体は、上述した本発明の電子写真感光体である。
本発明のプロセスカートリッジは、電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段の少なくともいずれかの手段を有してなり、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。
本発明のプロセスカートリッジにおいて使用する電子写真感光体は、上述した本発明の電子写真感光体である。
前記プロセスカートリッジは、例えば、図６に示すように、電子写真感光体１０１を内蔵し、他に帯電手段１０２、現像手段１０４、転写手段１０６、クリーニング手段１０７、除電手段（不図示）の少なくとも一つを具備し、画像形成装置本体に着脱可能とした装置（部品）である。図６のプロセスカートリッジによる画像形成工程について示すと、感光体１０１は、矢印方向に回転しながら、帯電手段１０２による帯電、露光手段１０３による露光により、その表面に露光像に対応する静電潜像が形成され、この静電潜像は、現像手段１０４でトナー現像され、該トナー現像は転写手段１０６により、記録媒体１０５に転写され、プリントアウトされる。次いで、像転写後の感光体表面は、クリーニング手段１０７によりクリーニングされ、更に除電手段（不図示）により除電されて、再び以上の操作を繰り返すものである。
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。なお、実施例中において使用する「部」は、全て質量部を表す。ただし、実施例４、Ａ１〜Ａ１３、及びＢ４を参考例に読み替える。
（実施例１）
−表面処理金属酸化物微粒子の作製−
下記材料を混合して２時間攪拌した。その後、テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、表面処理金属酸化物微粒子を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化亜鉛微粒子（ＦＩＮＥＸ−３０、堺化学工業株式会社製）・・・１００部
・シランカップリング剤：Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメトキシシラン（ＫＢＭ−６０３、信越化学工業株式会社製）・・・２部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・５００部
−表面処理金属酸化物微粒子の作製−
下記材料を混合して２時間攪拌した。その後、テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、表面処理金属酸化物微粒子を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化亜鉛微粒子（ＦＩＮＥＸ−３０、堺化学工業株式会社製）・・・１００部
・シランカップリング剤：Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメトキシシラン（ＫＢＭ−６０３、信越化学工業株式会社製）・・・２部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・５００部
〔下引き層用塗布液Ａの調製〕
下記材料を混合し、直径０．５ｍｍのジルコニアビーズと振動ミルを用いて２時間攪拌し、下引き層用塗布液Ａを調製した。
・前記表面処理金属酸化物微粒子・・・３００部
・サリチル酸誘導体：３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸（ＴＣＩ−Ｄ１９４７、東京化成工業株式会社製）・・・１．５部
・バインダー樹脂：アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０、ＤＩＣ株式会社製）・・・６０部
・バインダー樹脂：メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ８２１−６０、ＤＩＣ株式会社製）・・・４０部
・バインダー樹脂：シリコーン樹脂（トスパール１３０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）・・・１０部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
下記材料を混合し、直径０．５ｍｍのジルコニアビーズと振動ミルを用いて２時間攪拌し、下引き層用塗布液Ａを調製した。
・前記表面処理金属酸化物微粒子・・・３００部
・サリチル酸誘導体：３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸（ＴＣＩ−Ｄ１９４７、東京化成工業株式会社製）・・・１．５部
・バインダー樹脂：アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０、ＤＩＣ株式会社製）・・・６０部
・バインダー樹脂：メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ８２１−６０、ＤＩＣ株式会社製）・・・４０部
・バインダー樹脂：シリコーン樹脂（トスパール１３０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）・・・１０部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
調製した下引き層用塗布液Ａにおいて、３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸が金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成していることは、分光光度計（ＵＶ−３６００、株式会社島津製作所）を用いて、下記の方法によって確認した。
３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸の希釈液（溶媒はテトラヒドロフラン）の透過率スペクトルを測定した。
下引き層用塗布液Ａをガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸を添加しなかった以外は、下引き層用塗布液Ａと同様にして調製した下引き層用塗布液Ａ’をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
得られた３つのスペクトルを比較することで、サリチル酸誘導体が金属酸化物微粒子に配位し、キレート錯体を形成していることを確認することができた。
下引き層用塗布液Ａをガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸を添加しなかった以外は、下引き層用塗布液Ａと同様にして調製した下引き層用塗布液Ａ’をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
得られた３つのスペクトルを比較することで、サリチル酸誘導体が金属酸化物微粒子に配位し、キレート錯体を形成していることを確認することができた。
〔電荷発生層用塗布液Ｂの調製〕
下記材料を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズとビーズミルを用いて８時間攪拌し、電荷発生層用塗布液Ｂを調製した。
・電荷発生物質：チタニルフタロシアニン・・・８部
・バインダー樹脂：ポリビニルブチラール（エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）・・・５部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
図７に、用いたチタニルフタロシアニンの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す。Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ１１００、株式会社リガク製）を用いた。Ｘ線回折スペクトルの測定条件は以下のとおりである。
下記材料を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズとビーズミルを用いて８時間攪拌し、電荷発生層用塗布液Ｂを調製した。
・電荷発生物質：チタニルフタロシアニン・・・８部
・バインダー樹脂：ポリビニルブチラール（エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）・・・５部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
図７に、用いたチタニルフタロシアニンの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す。Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ１１００、株式会社リガク製）を用いた。Ｘ線回折スペクトルの測定条件は以下のとおりである。
−Ｘ線回折スペクトル測定条件−
・Ｘ線管球：Ｃｕ
・電圧 ：５０ｋＶ
・電流 ：３０ｍＡ
・走査速度：２°／分
・走査範囲：３°〜４０°
・時定数 ：２秒
・Ｘ線管球：Ｃｕ
・電圧 ：５０ｋＶ
・電流 ：３０ｍＡ
・走査速度：２°／分
・走査範囲：３°〜４０°
・時定数 ：２秒
〔電荷輸送層用塗布液Ｃの調製〕
下記材料を混合し、材料が全て溶解するまでスターラーを用いて３時間攪拌することで電荷輸送層用塗布液Ｃを調製した。
・電荷輸送物質：下記構造式（１）の電荷輸送物質・・・９部
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・１０部
・レベリング剤：シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学工業株式会社製）・・・０．０００５部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１００部
下記材料を混合し、材料が全て溶解するまでスターラーを用いて３時間攪拌することで電荷輸送層用塗布液Ｃを調製した。
・電荷輸送物質：下記構造式（１）の電荷輸送物質・・・９部
・レベリング剤：シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学工業株式会社製）・・・０．０００５部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１００部
＜電子写真感光体の作製＞
直径１００ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、前記下引き層用塗工液Ａを浸漬塗工法により塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが１５μｍの下引き層を積層した。次に、電荷発生層用塗布液Ｂを浸漬塗工法により塗布した後、９０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが０．２μｍの電荷発生層を積層した。更に、電荷輸送層用塗布液Ｃを浸漬塗工法により塗布した後、１５０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが３５μｍの電荷輸送層を積層した。以上により、電子写真感光体１を得た。
直径１００ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、前記下引き層用塗工液Ａを浸漬塗工法により塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが１５μｍの下引き層を積層した。次に、電荷発生層用塗布液Ｂを浸漬塗工法により塗布した後、９０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが０．２μｍの電荷発生層を積層した。更に、電荷輸送層用塗布液Ｃを浸漬塗工法により塗布した後、１５０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが３５μｍの電荷輸送層を積層した。以上により、電子写真感光体１を得た。
（実施例２）
実施例１において、電荷輸送層の厚みを２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。次に、前記電荷輸送層上に、下記組成の表面層用塗工液Ｄをスプレー塗工し、１５０℃で２０分間乾燥を加え、厚み５μｍの表面層を設け、電子写真感光体２を得た。
実施例１において、電荷輸送層の厚みを２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。次に、前記電荷輸送層上に、下記組成の表面層用塗工液Ｄをスプレー塗工し、１５０℃で２０分間乾燥を加え、厚み５μｍの表面層を設け、電子写真感光体２を得た。
〔表面層用塗工液Ｄの調製〕
表面層用塗布液Ｄは、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・電荷輸送物質：上記構造式（１）の電荷輸送物質・・・３部
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・４部
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・３部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１７０部
・溶媒：シクロヘキサノン・・・５０部
表面層用塗布液Ｄは、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・電荷輸送物質：上記構造式（１）の電荷輸送物質・・・３部
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・４部
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・３部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１７０部
・溶媒：シクロヘキサノン・・・５０部
（実施例３）
実施例１において、電荷輸送層塗工液Ｃに用いる電荷輸送物質として、前記構造式（１）の電荷輸送物質の代わりに、下記構造式（２）に示す電荷輸送物質を用い、電荷輸送層の厚みを２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。
実施例１において、電荷輸送層塗工液Ｃに用いる電荷輸送物質として、前記構造式（１）の電荷輸送物質の代わりに、下記構造式（２）に示す電荷輸送物質を用い、電荷輸送層の厚みを２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。
次に、前記電荷輸送層の上に、下記組成の架橋表面層用塗工液Ｅをスプレー塗工し、２０分間自然乾燥した後、メタルハライドランプ：１６０Ｗ／ｃｍを用い、照射距離：１２０ｍｍ、照射強度：５００ｍＷ／ｃｍ２、照射時間：６０秒間の条件で光照射を行い、塗布膜を硬化させた。更に、１３０℃で２０分間乾燥を加えることで、厚み５μｍの架橋表面層を設け、電子写真感光体３を得た。
〔架橋表面層用塗工液Ｅの調製〕
架橋表面層用塗布液Ｅは、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・ラジカル重合性モノマー：トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬株式会社製、分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９）・・・１０部
・ラジカル重合性化合物：下記構造式（３）の電荷輸送物質・・・１０部
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・２部
・光重合開始剤：１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（イルガキュア（登録商標）１８４、ＢＡＳＦジャパン株式会社製）・・・１部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１００部
架橋表面層用塗布液Ｅは、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・ラジカル重合性モノマー：トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬株式会社製、分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９）・・・１０部
・ラジカル重合性化合物：下記構造式（３）の電荷輸送物質・・・１０部
・光重合開始剤：１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（イルガキュア（登録商標）１８４、ＢＡＳＦジャパン株式会社製）・・・１部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１００部
（実施例４）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いる表面処理金属酸化物微粒子の代わりに、下記の金属酸化物微粒子を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体４を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化チタン微粒子（ＰＴ−４０１Ｍ、石原産業株式会社製）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いる表面処理金属酸化物微粒子の代わりに、下記の金属酸化物微粒子を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体４を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化チタン微粒子（ＰＴ−４０１Ｍ、石原産業株式会社製）
（実施例５）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いる表面処理金属酸化物微粒子の代わりに、下記の金属酸化物微粒子を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体５を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化スズ微粒子（ＮａｎｏＴｅｋ（登録商標）ＳｎＯ２、シーアイ化成株式会社製）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いる表面処理金属酸化物微粒子の代わりに、下記の金属酸化物微粒子を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体５を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化スズ微粒子（ＮａｎｏＴｅｋ（登録商標）ＳｎＯ２、シーアイ化成株式会社製）
（実施例６）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いるシランカップリング剤（表面処理剤）を、下記のシランカップリング剤に変更した以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体６を得た。
・シランカップリング剤：３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−５０３、信越化学工業株式会社製）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いるシランカップリング剤（表面処理剤）を、下記のシランカップリング剤に変更した以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体６を得た。
・シランカップリング剤：３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−５０３、信越化学工業株式会社製）
（実施例７）
実施例６において、下引き層用塗布液Ａに用いるサリチル酸誘導体を、下記のサリチル酸誘導体に変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体７を得た。
・サリチル酸誘導体：３−アミノサリチル酸（ＴＣＩ−Ａ０４２１、東京化成工業株式会社製）
実施例６において、下引き層用塗布液Ａに用いるサリチル酸誘導体を、下記のサリチル酸誘導体に変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体７を得た。
・サリチル酸誘導体：３−アミノサリチル酸（ＴＣＩ−Ａ０４２１、東京化成工業株式会社製）
（実施例８）
実施例６において、下引き層用塗布液Ａに用いるサリチル酸誘導体を、下記のサリチル酸誘導体に変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体８を得た。
・サリチル酸誘導体：３，５−ジニトロサリチル酸（ＴＣＩ−Ｄ０８５０、東京化成工業株式会社製）
実施例６において、下引き層用塗布液Ａに用いるサリチル酸誘導体を、下記のサリチル酸誘導体に変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体８を得た。
・サリチル酸誘導体：３，５−ジニトロサリチル酸（ＴＣＩ−Ｄ０８５０、東京化成工業株式会社製）
（実施例９）
実施例６において、下引き層用塗布液Ａに用いるサリチル酸誘導体を、下記のナフトエ酸誘導体に変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体９を得た。
・ナフトエ酸誘導体：３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸（ＴＣＩ−Ｂ３２２９、東京化成工業株式会社製）
実施例６において、下引き層用塗布液Ａに用いるサリチル酸誘導体を、下記のナフトエ酸誘導体に変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体９を得た。
・ナフトエ酸誘導体：３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸（ＴＣＩ−Ｂ３２２９、東京化成工業株式会社製）
（実施例１０）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いる金属酸化物微粒子のシランカップリング剤による表面処理を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体１０を得た。
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いる金属酸化物微粒子のシランカップリング剤による表面処理を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体１０を得た。
（実施例１１）
実施例１０において、下引き層用塗布液Ａに用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例１０と同様にして、電子写真感光体１１を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化ジルコニウム微粒子（ＵＥＰ、第一希元素化学工業株式会社製）
実施例１０において、下引き層用塗布液Ａに用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例１０と同様にして、電子写真感光体１１を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化ジルコニウム微粒子（ＵＥＰ、第一希元素化学工業株式会社製）
（比較例１）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いるサリチル酸誘導体を、下記構造式（４）の化合物（アリザリン）に変更した以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体１２を得た。
実施例１において、下引き層用塗布液Ａに用いるサリチル酸誘導体を、下記構造式（４）の化合物（アリザリン）に変更した以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体１２を得た。
（比較例２）
実施例１において、下引き層用塗布液Ａにサリチル酸誘導体を用いなかった以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体１３を得た。
実施例１において、下引き層用塗布液Ａにサリチル酸誘導体を用いなかった以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体１３を得た。
＜電子写真感光体の特性＞
実施例及び比較例で作製した電子写真感光体の下引き層材料（必須成分）を表１に示す。
実施例及び比較例で作製した電子写真感光体の下引き層材料（必須成分）を表１に示す。
（評価）
実施例及び比較例で作製した電子写真感光体について、下記評価を実施した。
実施例及び比較例で作製した電子写真感光体について、下記評価を実施した。
＜評価装置＞
電子写真感光体として、実施例及び比較例で作製した電子写真感光体をセットした、デジタル複写機ＲＩＣＯＨ ＰＲＯ Ｃ９００（株式会社リコー製）の改造機を評価に使用した。前記改造機の帯電部材としてスコロトロン方式の帯電部材（放電ワイヤーは直径５０μｍの金メッキを施したタングステン−モリブデン合金）を、画像露光光源として７８０ｎｍのＬＤ光（ポリゴンミラーによる画像書き込み、解像度１，２００ｄｐｉ）を、転写部材として転写ベルトを、除電部材として除電ランプを用いた。現像は黒色トナーを用いた二成分現像を行った。
電子写真感光体として、実施例及び比較例で作製した電子写真感光体をセットした、デジタル複写機ＲＩＣＯＨ ＰＲＯ Ｃ９００（株式会社リコー製）の改造機を評価に使用した。前記改造機の帯電部材としてスコロトロン方式の帯電部材（放電ワイヤーは直径５０μｍの金メッキを施したタングステン−モリブデン合金）を、画像露光光源として７８０ｎｍのＬＤ光（ポリゴンミラーによる画像書き込み、解像度１，２００ｄｐｉ）を、転写部材として転写ベルトを、除電部材として除電ランプを用いた。現像は黒色トナーを用いた二成分現像を行った。
＜電気特性（帯電性及び残留電位）の評価＞
帯電性及び残留電位の測定のために、現像ユニットを改造して、電位センサー（ＭＯＤＥＬ ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン株式会社製）を取り付けた。２３℃、５５％ＲＨの環境下で、ブラック単色のテストチャート（画像面積率５％）を２５万枚連続出力した。
帯電性及び残留電位の測定のために、現像ユニットを改造して、電位センサー（ＭＯＤＥＬ ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン株式会社製）を取り付けた。２３℃、５５％ＲＨの環境下で、ブラック単色のテストチャート（画像面積率５％）を２５万枚連続出力した。
実機通紙試験の前後の感光体の表面電位測定を行った。
ワイヤーへの印加電圧を−１，８００μＡ、グリッド電圧を−８００Ｖとし、Ａ３サイズの紙を縦方向で全ベタ画像を１０枚印刷した時の１０枚目の帯電電位（ＶＤ）及び露光後電位（ＶＬ）を測定した。測定には市販の表面電位計（ＭＯＤＥＬ ３４４、トレック・ジャパン株式会社製）を用い、表面電位計の数値はオシロスコープ（ハンディ・オシログラフィックレコーダー ＯＲ１２２−１、横川電機株式会社製）で毎秒１００シグナル以上の条件で記録した。
ワイヤーへの印加電圧を−１，８００μＡ、グリッド電圧を−８００Ｖとし、Ａ３サイズの紙を縦方向で全ベタ画像を１０枚印刷した時の１０枚目の帯電電位（ＶＤ）及び露光後電位（ＶＬ）を測定した。測定には市販の表面電位計（ＭＯＤＥＬ ３４４、トレック・ジャパン株式会社製）を用い、表面電位計の数値はオシロスコープ（ハンディ・オシログラフィックレコーダー ＯＲ１２２−１、横川電機株式会社製）で毎秒１００シグナル以上の条件で記録した。
−帯電性評価−
帯電性評価については、以下の評価基準とした。
◎：実機通紙試験前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ未満
○：実機通紙試験前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満
×：実機通紙試験前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が３０Ｖ以上
帯電性評価については、以下の評価基準とした。
◎：実機通紙試験前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ未満
○：実機通紙試験前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満
×：実機通紙試験前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が３０Ｖ以上
−残留電位評価−
残留電位評価については、以下の評価基準とした。
◎：実機通紙試験前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ未満
○：実機通紙試験前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満
×：実機通紙試験前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が３０Ｖ以上
残留電位評価については、以下の評価基準とした。
◎：実機通紙試験前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ未満
○：実機通紙試験前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満
×：実機通紙試験前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が３０Ｖ以上
＜画像品質の評価＞
前記電気特性（帯電性及び残留電位）の評価における実機通紙試験の前後で、画像を出力し、残像評価及び地汚れ評価を行った。
残像評価に関しては、３ｃｍ×３ｃｍの×印形状パターンを有する画像を３枚連続で出力した後に、ハーフトーン出力を３枚連続で行い、残像発生有無を目視で確認した。
地汚れ評価に関しては、グロスコート紙を用いて全面白地画像を５枚連続出力し、評価を行った。
画像評価において、残像、地汚れともに未発生の場合を極めて良好とした。一方、わずかに残像又は地汚れが発生したが、実用上許容できるレベルの場合を良好とした。
前記電気特性（帯電性及び残留電位）の評価における実機通紙試験の前後で、画像を出力し、残像評価及び地汚れ評価を行った。
残像評価に関しては、３ｃｍ×３ｃｍの×印形状パターンを有する画像を３枚連続で出力した後に、ハーフトーン出力を３枚連続で行い、残像発生有無を目視で確認した。
地汚れ評価に関しては、グロスコート紙を用いて全面白地画像を５枚連続出力し、評価を行った。
画像評価において、残像、地汚れともに未発生の場合を極めて良好とした。一方、わずかに残像又は地汚れが発生したが、実用上許容できるレベルの場合を良好とした。
実施例１〜１１の電子写真感光体は、下引き層が、サリチル酸誘導体又はナフトエ酸誘導体と、金属酸化物微粒子とを含有していることにより、電子写真感光体を長期間使用した場合であっても安定した電気特性を得ることができ、画像形成時の残像や地汚れが抑制されることがわかった。
特に実施例１〜５の電子写真感光体は、下引き層中の金属酸化物微粒子が表面にアミノ基による修飾を有することで、より優れた電気特性と、画像形成時の残像や地汚れの抑制性を示した。
特に実施例１〜５の電子写真感光体は、下引き層中の金属酸化物微粒子が表面にアミノ基による修飾を有することで、より優れた電気特性と、画像形成時の残像や地汚れの抑制性を示した。
これに対して、比較例１の電子写真感光体は、下引き層中の金属酸化物微粒子の表面にサリチル酸誘導体又はナフトエ酸誘導体の代わりに、アリザリンが結合している、特開２００６−０３０７００号公報（特許文献４）に記載の従来技術に対応する。比較例１の電子写真感光体を長期間使用した場合、実機通紙試験前後で感光体の露光後電位差が大きく、通紙試験後に残像が発生した。
また、比較例２の電子写真感光体は、実紙通紙試験前後の帯電電位差及び露光後電位差が大きく、通紙試験後に残像、及び地汚れが発生した。
（実施例Ａ１）
−表面処理金属酸化物微粒子の作製−
下記材料を混合して２時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間）焼き付けを行い、表面処理金属酸化物微粒子を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径３５ｎｍの酸化亜鉛（ＦＩＮＥＸ−３０、堺化学株式会社製）・・・１００部
・表面処理剤：シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越化学株式会社製）・・・２部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・５００部
−表面処理金属酸化物微粒子の作製−
下記材料を混合して２時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間）焼き付けを行い、表面処理金属酸化物微粒子を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径３５ｎｍの酸化亜鉛（ＦＩＮＥＸ−３０、堺化学株式会社製）・・・１００部
・表面処理剤：シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越化学株式会社製）・・・２部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・５００部
〔下引き層用塗布液Ａ１の調製〕
下記材料を混合し、直径０．５ｍｍのジルコニアビーズと振動ミルを用いて２時間攪拌し、下引き層用塗布液Ａ１を調製した。
・前記表面処理金属酸化物微粒子：３００部
・アゾ化合物：モーダントブラック１７（製品コードＡ０５８１、東京化成株式会社製）・・・１．５部
・バインダー樹脂：アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０、ＤＩＣ社製）・・・６０部
・メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ８２１−６０ ＤＩＣ社製）・・・４０部
・シリコーン樹脂粒子（トスパール１３０ モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製）・・・１００部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
下記材料を混合し、直径０．５ｍｍのジルコニアビーズと振動ミルを用いて２時間攪拌し、下引き層用塗布液Ａ１を調製した。
・前記表面処理金属酸化物微粒子：３００部
・アゾ化合物：モーダントブラック１７（製品コードＡ０５８１、東京化成株式会社製）・・・１．５部
・バインダー樹脂：アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０、ＤＩＣ社製）・・・６０部
・メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ８２１−６０ ＤＩＣ社製）・・・４０部
・シリコーン樹脂粒子（トスパール１３０ モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製）・・・１００部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
調製した下引き層用塗布液Ａ１において、アゾ化合物（モーダントブラック１７）が金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成していることは、分光光度計（ＵＶ−３６００、株式会社島津製作所）を用いて、下記の方法によって確認した。
アゾ化合物（モーダントブラック１７）の希釈液（溶媒はテトラヒドロフラン）の透過率スペクトルを測定した。
下引き層用塗布液Ａ１をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
アゾ化合物（モーダントブラック１７）を添加しなかった以外は、下引き層用塗布液Ａ１と同様にして調製した下引き層用塗布液Ａ１’をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
得られた３つのスペクトルを比較することで、アゾ化合物が金属酸化物微粒子に配位し、キレート錯体を形成していることを確認することができた。
下引き層用塗布液Ａ１をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
アゾ化合物（モーダントブラック１７）を添加しなかった以外は、下引き層用塗布液Ａ１と同様にして調製した下引き層用塗布液Ａ１’をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
得られた３つのスペクトルを比較することで、アゾ化合物が金属酸化物微粒子に配位し、キレート錯体を形成していることを確認することができた。
〔電荷発生層用塗布液Ｂ１の調製〕
下記材料を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズとビーズミルを用いて８時間攪拌し、電荷発生層用塗布液Ｂ１を調製した。
・電荷発生物質：チタニルフタロシアニン・・・８部
・バインダー樹脂：ポリビニルブチラール（エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）・・・５部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
図７に、用いたチタニルフタロシアニンの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す。
下記材料を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズとビーズミルを用いて８時間攪拌し、電荷発生層用塗布液Ｂ１を調製した。
・電荷発生物質：チタニルフタロシアニン・・・８部
・バインダー樹脂：ポリビニルブチラール（エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）・・・５部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
図７に、用いたチタニルフタロシアニンの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す。
〔電荷輸送層用塗布液Ｃ１の調製〕
下記材料を混合し、材料が全て溶解するまで攪拌することで電荷輸送層用塗布液Ｃ１を調製した。
・電荷輸送物質：下記構造式（１）に示す電荷輸送物質・・・９部
＜構造式（１）＞
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・１０部
・レベリング剤：シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学工業株式会社製）・・・０．０００５部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１００部
下記材料を混合し、材料が全て溶解するまで攪拌することで電荷輸送層用塗布液Ｃ１を調製した。
・電荷輸送物質：下記構造式（１）に示す電荷輸送物質・・・９部
＜構造式（１）＞
・レベリング剤：シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学工業株式会社製）・・・０．０００５部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１００部
アルミニウムシリンダー上に、下引き層用塗布液Ａ１を浸漬塗工法により塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが１５μｍの下引き層を形成した。次に、電荷発生層用塗布液Ｂ１を浸漬塗工法により塗布した後、９０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが０．２μｍの電荷発生層を積層した。更に、電荷輸送層用塗布液Ｃ１を浸漬塗工法により塗布した後、１５０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが３５μｍの電荷輸送層を積層し、電子写真感光体を得た。
（実施例２Ａ）
実施例１Ａにおいて、電荷輸送層の厚みを２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。次に、前記電荷輸送層上に、下記組成の表面層用塗工液Ｄ１をスプレー塗工し、１５０℃、２０分間乾燥を加え、厚み５μｍの表面層を設け、電子写真感光体を得た。
実施例１Ａにおいて、電荷輸送層の厚みを２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。次に、前記電荷輸送層上に、下記組成の表面層用塗工液Ｄ１をスプレー塗工し、１５０℃、２０分間乾燥を加え、厚み５μｍの表面層を設け、電子写真感光体を得た。
〔表面層用塗布液Ｄ１の調製〕
表面層用塗布液Ｄ１は、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・電荷輸送物質：上記構造式（１）に示す電荷輸送物質・・・３部
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・４部
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・３部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１７０部
・溶媒：シクロヘキサノン・・・５０部
表面層用塗布液Ｄ１は、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・電荷輸送物質：上記構造式（１）に示す電荷輸送物質・・・３部
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・４部
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・３部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１７０部
・溶媒：シクロヘキサノン・・・５０部
（実施例Ａ３）
実施例Ａ１において、電荷輸送層に用いる電荷輸送物質を、下記構造式（２）に示す電荷輸送物質に変更し、厚みを２５μｍとした以外は、実施例Ａ１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。
実施例Ａ１において、電荷輸送層に用いる電荷輸送物質を、下記構造式（２）に示す電荷輸送物質に変更し、厚みを２５μｍとした以外は、実施例Ａ１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。
＜構造式（２）＞
次に、前記電荷輸送層の上に下記組成の架橋表面層用塗工液Ｅ１をスプレー塗工し、２０分間自然乾燥した後、メタルハライドランプ：１６０Ｗ／ｃｍを用い、照射距離：１２０ｍｍ、照射強度：５００ｍＷ／ｃｍ2、照射時間：６０秒間の条件で光照射を行い、塗布膜を硬化させた。更に１３０℃で２０分間乾燥を加え、厚み５μｍの架橋表面層を設け、電子写真感光体を得た。
〔架橋表面層用塗布液Ｅ１の調製〕
架橋表面層用塗布液Ｅ１は、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・ラジカル重合性モノマー：トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬株式会社製、分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９）・・・１０部、
・ラジカル重合性化合物：下記構造式（３）に示す電荷輸送物質・・・１０部
＜構造式（３）＞
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・・２部
・光重合開始剤：１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）・・・１部
・テトラヒドロフラン・・・１００部
架橋表面層用塗布液Ｅ１は、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・ラジカル重合性モノマー：トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬株式会社製、分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９）・・・１０部、
・ラジカル重合性化合物：下記構造式（３）に示す電荷輸送物質・・・１０部
＜構造式（３）＞
・光重合開始剤：１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）・・・１部
・テトラヒドロフラン・・・１００部
（実施例Ａ４）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径７０ｎｍの酸化チタン（ＰＴ−４０１Ｍ、石原産業株式会社製）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径７０ｎｍの酸化チタン（ＰＴ−４０１Ｍ、石原産業株式会社製）
（実施例Ａ５）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径２１ｎｍの酸化スズ（Ｎａｎｏ Ｔｅｋ ＳｎＯ２、シーアイ化成株式会社製）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径２１ｎｍの酸化スズ（Ｎａｎｏ Ｔｅｋ ＳｎＯ２、シーアイ化成株式会社製）
（実施例Ａ６）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる表面処理剤を、下記の表面処理剤に変更した以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・表面処理剤：シランカップリング剤（ＫＢＭ−５０３、信越化学工業株式会社製）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる表面処理剤を、下記の表面処理剤に変更した以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・表面処理剤：シランカップリング剤（ＫＢＭ−５０３、信越化学工業株式会社製）
（実施例Ａ７）
実施例Ａ６において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径１００ｎｍの酸化亜鉛（Ｚｉｎｃｏｘ Ｓｕｐｅｒ Ｆ−１、ＨＡＫＵＳＵＩ社製）
実施例Ａ６において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径１００ｎｍの酸化亜鉛（Ｚｉｎｃｏｘ Ｓｕｐｅｒ Ｆ−１、ＨＡＫＵＳＵＩ社製）
（実施例Ａ８）
実施例Ａ６において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径２５０ｎｍの酸化チタン（ＣＲ−ＥＬ、石原産業株式会社製）
実施例Ａ６において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径２５０ｎｍの酸化チタン（ＣＲ−ＥＬ、石原産業株式会社製）
（実施例Ａ９）
実施例Ａ７において、下引き層用塗布液Ａ１に用いるアゾ化合物を、下記のアゾ化合物に変更した以外は、実施例Ａ７と同様にして、電子写真感光体を得た。
・アゾ化合物：エリオクロムブラックＡ（製品コードＥ０２２６、東京化成株式会社製）
実施例Ａ７において、下引き層用塗布液Ａ１に用いるアゾ化合物を、下記のアゾ化合物に変更した以外は、実施例Ａ７と同様にして、電子写真感光体を得た。
・アゾ化合物：エリオクロムブラックＡ（製品コードＥ０２２６、東京化成株式会社製）
（実施例Ａ１０）
実施例Ａ７において、下引き層用塗布液Ａ１に用いるアゾ化合物を、下記のアゾ化合物に変更した以外は、実施例Ａ７と同様にして、電子写真感光体を得た。
・アゾ化合物：キシリルアゾバイオレットＩ（製品コードＡ５００７、東京化成株式会社製）
実施例Ａ７において、下引き層用塗布液Ａ１に用いるアゾ化合物を、下記のアゾ化合物に変更した以外は、実施例Ａ７と同様にして、電子写真感光体を得た。
・アゾ化合物：キシリルアゾバイオレットＩ（製品コードＡ５００７、東京化成株式会社製）
（実施例Ａ１１）
実施例Ａ７において、下引き層用塗布液Ａ１に用いるアゾ化合物を、下記のアゾ化合物に変更した以外は、実施例Ａ７と同様にして、電子写真感光体を得た。
・アゾ化合物：４−（３，５−ジブロモ−２−ピリジルアゾ）−１，３−フェニレンジアミン（製品コードＤ１５５２、東京化成株式会社製）
実施例Ａ７において、下引き層用塗布液Ａ１に用いるアゾ化合物を、下記のアゾ化合物に変更した以外は、実施例Ａ７と同様にして、電子写真感光体を得た。
・アゾ化合物：４−（３，５−ジブロモ−２−ピリジルアゾ）−１，３−フェニレンジアミン（製品コードＤ１５５２、東京化成株式会社製）
（実施例Ａ１２）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子のシランカップリング剤による表面処理を行わなかった以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子のシランカップリング剤による表面処理を行わなかった以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
（実施例Ａ１３）
実施例Ａ１２において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ１２と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径１００ｎｍ未満の酸化ジルコニウム（５４４７６０、ＡＬＤＲＩＣＨ社製）
実施例Ａ１２において、下引き層用塗布液Ａ１に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ａ１２と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：平均粒径１００ｎｍ未満の酸化ジルコニウム（５４４７６０、ＡＬＤＲＩＣＨ社製）
（比較例Ａ１）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いるアゾ化合物を、下記構造式（４）で表される化合物（アリザリン）に変更した以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
＜構造式（４）＞
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１に用いるアゾ化合物を、下記構造式（４）で表される化合物（アリザリン）に変更した以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
＜構造式（４）＞
（比較例Ａ２）
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１にアゾ化合物を用いなかった以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
実施例Ａ１において、下引き層用塗布液Ａ１にアゾ化合物を用いなかった以外は、実施例Ａ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
（評価）
実施例及び比較例で作製した電子写真感光体について、下記評価を実施した。
実施例及び比較例で作製した電子写真感光体について、下記評価を実施した。
＜評価装置＞
株式会社リコー製デジタル複写機（ＲＩＣＯＨ Ｐｒｏ Ｃ９００）の改造機を用い、帯電部材としてスコロトロン方式の帯電部材（放電ワイヤーは直径５０μｍの金メッキを施したタングステン−モリブデン合金）を用い、画像露光光源として７８０ｎｍのＬＤ光（ポリゴンミラーによる画像書き込み、解像度１，２００ｄｐｉ）を用い、現像は黒色トナーを用いた２成分現像を行い、転写部材として転写ベルトを用い、除電は除電ランプを用いた。
株式会社リコー製デジタル複写機（ＲＩＣＯＨ Ｐｒｏ Ｃ９００）の改造機を用い、帯電部材としてスコロトロン方式の帯電部材（放電ワイヤーは直径５０μｍの金メッキを施したタングステン−モリブデン合金）を用い、画像露光光源として７８０ｎｍのＬＤ光（ポリゴンミラーによる画像書き込み、解像度１，２００ｄｐｉ）を用い、現像は黒色トナーを用いた２成分現像を行い、転写部材として転写ベルトを用い、除電は除電ランプを用いた。
＜感光体劣化方法＞
２３℃で５５％ＲＨの常温常湿環境下でブラック単色のテストチャート（画像面積率５％）を２５万枚連続出力した。
２３℃で５５％ＲＨの常温常湿環境下でブラック単色のテストチャート（画像面積率５％）を２５万枚連続出力した。
＜電気特性評価（帯電性及び残留電位）＞
感光体劣化前後で、感光体の表面電位測定を行った。電位測定は、評価装置の現像ユニットを改造した電位センサーを取り付け、このユニットを評価装置にセットして以下の方法で行った。
ワイヤーへの印加電流を−１，８００μＡ、グリッド電圧を−８００Ｖとし、Ａ３サイズの紙を縦方向で全ベタ画像を１０枚印刷した時の１０枚目の帯電電位（ＶＤ）及び露光後電位（ＶＬ）を測定した。測定には市販の表面電位計を用い、表面電位計の数値はオシロスコープで毎秒１００シグナル以上の条件で記録した。
〔評価基準〕
−帯電性について−
◎：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ未満。
○：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満。
×：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が３０Ｖ以上。
−残留電位について−
◎：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ未満。
○：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満。
×：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が３０Ｖ以上。
感光体劣化前後で、感光体の表面電位測定を行った。電位測定は、評価装置の現像ユニットを改造した電位センサーを取り付け、このユニットを評価装置にセットして以下の方法で行った。
ワイヤーへの印加電流を−１，８００μＡ、グリッド電圧を−８００Ｖとし、Ａ３サイズの紙を縦方向で全ベタ画像を１０枚印刷した時の１０枚目の帯電電位（ＶＤ）及び露光後電位（ＶＬ）を測定した。測定には市販の表面電位計を用い、表面電位計の数値はオシロスコープで毎秒１００シグナル以上の条件で記録した。
〔評価基準〕
−帯電性について−
◎：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ未満。
○：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満。
×：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が３０Ｖ以上。
−残留電位について−
◎：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ未満。
○：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満。
×：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が３０Ｖ以上。
＜画像評価＞
感光体劣化前後で画像を出力し、残像評価及び地汚れ評価を行った。
残像評価に関しては、３ｃｍ×３ｃｍの×形状パターンを有する画像を３枚連続で出力した後に、ハーフトーン出力を３枚連続で行い、残像発生有無を目視で確認した。
地汚れ評価に関しては、グロスコート紙を用いて全面白地画像を５枚連続出力し、地汚れの評価を行った。
感光体劣化前後で画像を出力し、残像評価及び地汚れ評価を行った。
残像評価に関しては、３ｃｍ×３ｃｍの×形状パターンを有する画像を３枚連続で出力した後に、ハーフトーン出力を３枚連続で行い、残像発生有無を目視で確認した。
地汚れ評価に関しては、グロスコート紙を用いて全面白地画像を５枚連続出力し、地汚れの評価を行った。
各評価の評価結果を表Ａ１に示す。
（実施例Ｂ１）
−表面処理金属酸化物微粒子の作製−
下記材料を混合して２時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間）焼き付けを行い、表面処理金属酸化物微粒子を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化亜鉛（ＦＩＮＥＸ−３０、堺化学株式会社製）・・・１００部
・表面処理剤：シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越化学工業株式会社製）・・・２部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・５００部
−表面処理金属酸化物微粒子の作製−
下記材料を混合して２時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間）焼き付けを行い、表面処理金属酸化物微粒子を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化亜鉛（ＦＩＮＥＸ−３０、堺化学株式会社製）・・・１００部
・表面処理剤：シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越化学工業株式会社製）・・・２部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・５００部
〔下引き層用塗布液Ａ２の調製〕
次に、下記材料を混合し、直径０．５ｍｍのジルコニアビーズと振動ミルを用いて２時間攪拌し、下引き層用塗布液Ａ２を調製した。
・前記表面処理金属酸化物微粒子・・・３００部
・フラボノイド誘導体としてのフラボン誘導体：３’，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン（ＴＣＩ−Ｔ２６８２、東京化成株式会社製）・・・１．５部
・バインダー樹脂：アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０、ＤＩＣ社製）・・・６０部
・バインダー樹脂：メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ８２１−６０、ＤＩＣ社製）・・・４０部
・シリコーン樹脂粒子（トスパール１３０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製）・・・１０部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
次に、下記材料を混合し、直径０．５ｍｍのジルコニアビーズと振動ミルを用いて２時間攪拌し、下引き層用塗布液Ａ２を調製した。
・前記表面処理金属酸化物微粒子・・・３００部
・フラボノイド誘導体としてのフラボン誘導体：３’，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン（ＴＣＩ−Ｔ２６８２、東京化成株式会社製）・・・１．５部
・バインダー樹脂：アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０、ＤＩＣ社製）・・・６０部
・バインダー樹脂：メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ８２１−６０、ＤＩＣ社製）・・・４０部
・シリコーン樹脂粒子（トスパール１３０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製）・・・１０部
・溶媒：２−ブタノン・・・４００部
調製した下引き層用塗布液Ａ２において、フラボノイド誘導体：３’，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン（ＴＣＩ−Ｔ２６８２、東京化成株式会社製）が金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成していることは、分光光度計（ＵＶ−３６００、株式会社島津製作所）を用いて、下記の方法によって確認した。
フラボノイド誘導体：３’，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン（ＴＣＩ−Ｔ２６８２、東京化成株式会社製）の希釈液（溶媒はテトラヒドロフラン）の透過率スペクトルを測定した。
下引き層用塗布液Ａ２をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
フラボノイド誘導体：３’，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン（ＴＣＩ−Ｔ２６８２、東京化成株式会社製）を添加しなかった以外は、下引き層用塗布液Ａ２と同様にして調製した下引き層用塗布液Ａ２’をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
得られた３つのスペクトルを比較することで、フラボノイド誘導体が金属酸化物微粒子に配位し、キレート錯体を形成していることを確認することができた。
下引き層用塗布液Ａ２をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
フラボノイド誘導体：３’，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン（ＴＣＩ−Ｔ２６８２、東京化成株式会社製）を添加しなかった以外は、下引き層用塗布液Ａ２と同様にして調製した下引き層用塗布液Ａ２’をガラス基板上にブレード塗工法によって塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行った。その後、前記ガラス基板上に生じた膜の反射率スペクトルを測定した。
得られた３つのスペクトルを比較することで、フラボノイド誘導体が金属酸化物微粒子に配位し、キレート錯体を形成していることを確認することができた。
〔電荷発生層用塗布液Ｂ２の調製〕
下記材料を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズとビーズミルを用いて８時間攪拌し、電荷発生層用塗布液Ｂ２を調製した。
・電荷発生物質：チタニルフタロシアニン・・・８部
・バインダー樹脂：ポリビニルブチラール（エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）・・・５部
溶媒：２−ブタノン・・・４００部
図７に、用いたチタニルフタロシアニンの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す。
下記材料を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズとビーズミルを用いて８時間攪拌し、電荷発生層用塗布液Ｂ２を調製した。
・電荷発生物質：チタニルフタロシアニン・・・８部
・バインダー樹脂：ポリビニルブチラール（エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）・・・５部
溶媒：２−ブタノン・・・４００部
図７に、用いたチタニルフタロシアニンの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す。
〔電荷輸送層用塗布液Ｃ２の調製〕
下記材料を混合し、材料が全て溶解するまで攪拌することで電荷輸送層用塗布液Ｃ２を調製した。
・電荷輸送物質：下記構造式（１）に示す電荷輸送物質・・・９部
＜構造式（１）＞
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・１０部
・レベリング剤：シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学工業株式会社製）・・・０．０００５部
溶媒：テトラヒドロフラン・・・１００部
下記材料を混合し、材料が全て溶解するまで攪拌することで電荷輸送層用塗布液Ｃ２を調製した。
・電荷輸送物質：下記構造式（１）に示す電荷輸送物質・・・９部
＜構造式（１）＞
・レベリング剤：シリコーンオイル（ＫＦ−５０、信越化学工業株式会社製）・・・０．０００５部
溶媒：テトラヒドロフラン・・・１００部
次に、アルミニウムシリンダー上に、下引き層用塗布液Ａ２を浸漬塗工法により塗布した後、１７０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが１５μｍの下引き層を製膜した。次に、電荷発生層用塗布液Ｂ２を浸漬塗工法により塗布した後、９０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが０．２μｍの電荷発生層を積層した。更に、電荷輸送層用塗布液Ｃ２を浸漬塗工法により塗布した後、１５０℃で３０分間の乾燥を行い、厚みが３５μｍの電荷輸送層を積層し、電子写真感光体を得た。
（実施例Ｂ２）
実施例Ｂ１において、電荷輸送層の厚みを２５μｍとした以外は、実施例Ｂ１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。前記電荷輸送層上に、下記組成の表面層用塗工液Ｄ２をスプレー塗工し、１５０℃、２０分間乾燥を加え、厚み５μｍの表面層を設け、電子写真感光体を得た。
実施例Ｂ１において、電荷輸送層の厚みを２５μｍとした以外は、実施例Ｂ１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。前記電荷輸送層上に、下記組成の表面層用塗工液Ｄ２をスプレー塗工し、１５０℃、２０分間乾燥を加え、厚み５μｍの表面層を設け、電子写真感光体を得た。
〔表面層用塗工液Ｄ２の調製〕
表面層用塗布液Ｄ２は、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・電荷輸送物質：上記構造式（１）に示す電荷輸送物質・・・３部
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・４部
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・３部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１７０部
・溶媒：シクロヘキサノン・・・５０部
表面層用塗布液Ｄ２は、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・電荷輸送物質：上記構造式（１）に示す電荷輸送物質・・・３部
・バインダー樹脂：ポリカーボネート（ＴＳ−２０５０、帝人化成株式会社製）・・・４部
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・３部
・溶媒：テトラヒドロフラン・・・１７０部
・溶媒：シクロヘキサノン・・・５０部
（実施例Ｂ３）
実施例Ｂ１において、電荷輸送層に用いる電荷輸送物質を、下記構造式（２）に示す電荷輸送物質に変更し、厚みを２５μｍとした以外は、実施例Ｂ１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。
実施例Ｂ１において、電荷輸送層に用いる電荷輸送物質を、下記構造式（２）に示す電荷輸送物質に変更し、厚みを２５μｍとした以外は、実施例Ｂ１と同様にして、下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層を積層した。
＜構造式（２）＞
前記電荷輸送層上に下記組成の架橋表面層用塗工液Ｅ２をスプレー塗工し、２０分間自然乾燥した後、メタルハライドランプ：１６０Ｗ／ｃｍを用い、照射距離：１２０ｍｍ、照射強度：５００ｍＷ／ｃｍ２、照射時間：６０秒間の条件で光照射を行い、塗布膜を硬化させた。更に１３０℃で２０分間乾燥を加え、厚み５μｍの架橋表面層を設け、電子写真感光体を得た。
〔架橋表面層用塗布液Ｅ２の調製〕
架橋表面層用塗布液Ｅ２は、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・ラジカル重合性モノマー：トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬株式会社製、分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９）・・・１０部
・ラジカル重合性化合物：下記構造式（３）に示す電荷輸送物質・・・１０部
＜構造式（３）＞
・フィラー：アルミナ微粒子（ＡＡ０３、住友化学株式会社製）・・・２部
・光重合開始剤：１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）・・・１部
・テトラヒドロフラン・・・１００部
架橋表面層用塗布液Ｅ２は、以下の材料を混合分散させ、調製した。
・ラジカル重合性モノマー：トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬株式会社製、分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９）・・・１０部
・ラジカル重合性化合物：下記構造式（３）に示す電荷輸送物質・・・１０部
＜構造式（３）＞
・光重合開始剤：１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）・・・１部
・テトラヒドロフラン・・・１００部
（実施例Ｂ４）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化チタン（ＰＴ−４０１Ｍ、石原産業株式会社製）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化チタン（ＰＴ−４０１Ｍ、石原産業株式会社製）
（実施例Ｂ５）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化スズ（Ｎａｎｏ Ｔｅｋ ＳｎＯ２、シーアイ化成株式会社製）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化スズ（Ｎａｎｏ Ｔｅｋ ＳｎＯ２、シーアイ化成株式会社製）
（実施例Ｂ６）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２に用いる表面処理剤を、下記の表面処理剤に変更した以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・表面処理剤：シランカップリグ剤（ＫＢＭ−５０３、信越化学工業株式会社製）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２に用いる表面処理剤を、下記の表面処理剤に変更した以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
・表面処理剤：シランカップリグ剤（ＫＢＭ−５０３、信越化学工業株式会社製）
（実施例Ｂ７）
実施例Ｂ６において、下引き層用塗布液Ａ２に用いるフラボノイド誘導体を、下記のフラボノイド誘導体に変更した以外は、実施例Ｂ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・フラボノイド誘導体としてのフラボン誘導体：クリシン（ＴＣＩ−Ｃ１６５２、東京化成株式会社製、ヒドロキシル基を２つ有する）
実施例Ｂ６において、下引き層用塗布液Ａ２に用いるフラボノイド誘導体を、下記のフラボノイド誘導体に変更した以外は、実施例Ｂ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・フラボノイド誘導体としてのフラボン誘導体：クリシン（ＴＣＩ−Ｃ１６５２、東京化成株式会社製、ヒドロキシル基を２つ有する）
（実施例Ｂ８）
実施例Ｂ６において、下引き層用塗布液Ａ２に用いるフラボノイド誘導体を、下記のフラボノイド誘導体に変更した以外は、実施例Ｂ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・フラボノイド誘導体としてのフラバノン誘導体：ナリンゲニン（ＴＣＩ−Ｎ００７２、東京化成株式会社製、ヒドロキシル基を３つ有する）
実施例Ｂ６において、下引き層用塗布液Ａ２に用いるフラボノイド誘導体を、下記のフラボノイド誘導体に変更した以外は、実施例Ｂ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・フラボノイド誘導体としてのフラバノン誘導体：ナリンゲニン（ＴＣＩ−Ｎ００７２、東京化成株式会社製、ヒドロキシル基を３つ有する）
（実施例Ｂ９）
実施例Ｂ６において、下引き層用塗布液Ａ２に用いるフラボノイド誘導体を、下記のフラボノイド誘導体に変更した以外は、実施例Ｂ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・フラボノイド誘導体としてのフラバン誘導体：３’−ヒドロキシフラバノン（ＴＣＩ−Ｈ１０２５、東京化成株式会社製）
実施例Ｂ６において、下引き層用塗布液Ａ２に用いるフラボノイド誘導体を、下記のフラボノイド誘導体に変更した以外は、実施例Ｂ６と同様にして、電子写真感光体を得た。
・フラボノイド誘導体としてのフラバン誘導体：３’−ヒドロキシフラバノン（ＴＣＩ−Ｈ１０２５、東京化成株式会社製）
（実施例Ｂ１０）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２において、金属酸化物微粒子のシランカップリング剤による表面処理を行わなかった以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２において、金属酸化物微粒子のシランカップリング剤による表面処理を行わなかった以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
（実施例Ｂ１１）
実施例Ｂ１０において、下引き層用塗布液Ａ２に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ｂ１０と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化ジルコニウム（ＵＥＰ、株式会社第一希元素化学製）
実施例Ｂ１０において、下引き層用塗布液Ａ２に用いる金属酸化物微粒子を、下記の金属酸化物微粒子に変更した以外は、実施例Ｂ１０と同様にして、電子写真感光体を得た。
・金属酸化物微粒子：酸化ジルコニウム（ＵＥＰ、株式会社第一希元素化学製）
（比較例１）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２に用いるフラボノイド誘導体を、下記構造式（４）で表される化合物（アリザリン）に変更した以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
＜構造式（４）＞
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２に用いるフラボノイド誘導体を、下記構造式（４）で表される化合物（アリザリン）に変更した以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
＜構造式（４）＞
（比較例Ｂ２）
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２にフラボノイド誘導体を用いなかった以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
実施例Ｂ１において、下引き層用塗布液Ａ２にフラボノイド誘導体を用いなかった以外は、実施例Ｂ１と同様にして、電子写真感光体を得た。
（評価）
実施例及び比較例で作製した電子写真感光体について、下記評価を実施した。
実施例及び比較例で作製した電子写真感光体について、下記評価を実施した。
＜評価装置＞
株式会社リコー製デジタル複写機（ＲＩＣＯＨ Ｐｒｏ Ｃ９００）の改造機を用い、帯電部材としてスコロトロン方式の帯電部材（放電ワイヤーは直径５０μｍの金メッキを施したタングステン−モリブデン合金）を用い、画像露光光源として７８０ｎｍのＬＤ光（ポリゴンミラーによる画像書き込み、解像度１，２００ｄｐｉ）を用い、現像は黒色トナーを用いた２成分現像を行い、転写部材として転写ベルトを用い、除電は除電ランプを用いた。
株式会社リコー製デジタル複写機（ＲＩＣＯＨ Ｐｒｏ Ｃ９００）の改造機を用い、帯電部材としてスコロトロン方式の帯電部材（放電ワイヤーは直径５０μｍの金メッキを施したタングステン−モリブデン合金）を用い、画像露光光源として７８０ｎｍのＬＤ光（ポリゴンミラーによる画像書き込み、解像度１，２００ｄｐｉ）を用い、現像は黒色トナーを用いた２成分現像を行い、転写部材として転写ベルトを用い、除電は除電ランプを用いた。
＜感光体劣化方法＞
２３℃で５５％ＲＨの常温常湿環境下でブラック単色のテストチャート（画像面積率５％）を２５万枚連続出力した。
２３℃で５５％ＲＨの常温常湿環境下でブラック単色のテストチャート（画像面積率５％）を２５万枚連続出力した。
＜電気特性評価（帯電性及び残留電位）＞
感光体劣化前後で、感光体の表面電位測定を行った。電位測定は、評価装置の現像ユニットを改造した電位センサーを取り付け、このユニットを評価装置にセットして以下の方法で行った。
ワイヤーへの印加電圧を−１，８００μＡ、グリッド電圧を−８００Ｖとし、Ａ３サイズの紙を縦方向で全ベタ画像を１０枚印刷した時の１０枚目の帯電電位（ＶＤ）及び露光後電位（ＶＬ）を測定した。測定には市販の表面電位計を用い、表面電位計の数値はオシロスコープで毎秒１００シグナル以上の条件で記録した。
〔評価基準〕
−帯電性について−
◎：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ未満。
○：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満。
×：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が３０Ｖ以上。
−残留電位について−
◎：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ未満。
○：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満。
×：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が３０Ｖ以上。
感光体劣化前後で、感光体の表面電位測定を行った。電位測定は、評価装置の現像ユニットを改造した電位センサーを取り付け、このユニットを評価装置にセットして以下の方法で行った。
ワイヤーへの印加電圧を−１，８００μＡ、グリッド電圧を−８００Ｖとし、Ａ３サイズの紙を縦方向で全ベタ画像を１０枚印刷した時の１０枚目の帯電電位（ＶＤ）及び露光後電位（ＶＬ）を測定した。測定には市販の表面電位計を用い、表面電位計の数値はオシロスコープで毎秒１００シグナル以上の条件で記録した。
〔評価基準〕
−帯電性について−
◎：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ未満。
○：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満。
×：感光体劣化前後の帯電電位差（ΔＶＤ）が３０Ｖ以上。
−残留電位について−
◎：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ未満。
○：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が１０Ｖ以上、３０Ｖ未満。
×：感光体劣化前後の露光後電位差（ΔＶＬ）が３０Ｖ以上。
＜画像評価＞
感光体劣化前後で画像を出力し、残像評価及び地汚れ評価を行った。
残像評価に関しては、３ｃｍ×３ｃｍの×形状パターンを有する画像を３枚連続で出力した後に、ハーフトーン出力を３枚連続で行い、残像発生有無を目視で確認した。
地汚れ評価に関しては、グロスコート紙を用いて全面白地画像を５枚連続出力し、地汚れの評価を行った。各評価の評価結果を表Ｂ１に示す。
感光体劣化前後で画像を出力し、残像評価及び地汚れ評価を行った。
残像評価に関しては、３ｃｍ×３ｃｍの×形状パターンを有する画像を３枚連続で出力した後に、ハーフトーン出力を３枚連続で行い、残像発生有無を目視で確認した。
地汚れ評価に関しては、グロスコート紙を用いて全面白地画像を５枚連続出力し、地汚れの評価を行った。各評価の評価結果を表Ｂ１に示す。
本発明の態様としては、例えば、以下のとおりである。
＜１＞ 導電性支持体と、前記導電性支持体上に、下引き層と感光層とをこの順に少なくとも有する電子写真感光体であって、
前記下引き層が、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種と、金属酸化物微粒子とを含有することを特徴とする電子写真感光体である。
＜２＞ サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種が、金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成している前記＜１＞に記載の電子写真感光体である。
＜３＞ 金属酸化物微粒子がシランカップリング剤で表面処理されてなる前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電子写真感光体である。
＜４＞ シランカップリング剤がアミノ基を有する前記＜３＞に記載の電子写真感光体である。
＜５＞ 金属酸化物微粒子が、酸化亜鉛、酸化チタン、及び酸化スズから選ばれる少なくともいずれかの微粒子である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の電子写真感光体である。
＜６＞ 電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段を少なくとも有する画像形成装置であって、
前記電子写真感光体が、前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とする画像形成装置である。
＜７＞ 電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段から選択される少なくともいずれかの手段とを有するプロセスカートリッジであって、
前記電子写真感光体が、前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
＜８＞ 電子写真感光体の表面を帯電手段で帯電する帯電工程と、帯電された前記電子写真感光体を露光手段で露光して電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光工程と、前記静電潜像が形成された前記電子写真感光体の表面に現像手段でトナー像を形成する現像工程と、形成された前記トナー像を転写手段で記録媒体へ転写する転写工程とを含む画像形成方法であって、
前記電子写真感光体として、前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法である。
＜１＞ 導電性支持体と、前記導電性支持体上に、下引き層と感光層とをこの順に少なくとも有する電子写真感光体であって、
前記下引き層が、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種と、金属酸化物微粒子とを含有することを特徴とする電子写真感光体である。
＜２＞ サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、アゾ化合物、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種が、金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成している前記＜１＞に記載の電子写真感光体である。
＜３＞ 金属酸化物微粒子がシランカップリング剤で表面処理されてなる前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電子写真感光体である。
＜４＞ シランカップリング剤がアミノ基を有する前記＜３＞に記載の電子写真感光体である。
＜５＞ 金属酸化物微粒子が、酸化亜鉛、酸化チタン、及び酸化スズから選ばれる少なくともいずれかの微粒子である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の電子写真感光体である。
＜６＞ 電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段を少なくとも有する画像形成装置であって、
前記電子写真感光体が、前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とする画像形成装置である。
＜７＞ 電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段から選択される少なくともいずれかの手段とを有するプロセスカートリッジであって、
前記電子写真感光体が、前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
＜８＞ 電子写真感光体の表面を帯電手段で帯電する帯電工程と、帯電された前記電子写真感光体を露光手段で露光して電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光工程と、前記静電潜像が形成された前記電子写真感光体の表面に現像手段でトナー像を形成する現像工程と、形成された前記トナー像を転写手段で記録媒体へ転写する転写工程とを含む画像形成方法であって、
前記電子写真感光体として、前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法である。
１ 電子写真感光体
３ 帯電手段
５ 露光手段
６ 現像手段
１０ 転写手段
３１ 導電性支持体
３２ 下引き層
３３ 単層型感光層
３５ 電荷発生層
３７ 電荷輸送層
３９ 保護層
１０１ 電子写真感光体
１０２ 帯電手段
１０４ 現像手段
１０６ 転写手段
３ 帯電手段
５ 露光手段
６ 現像手段
１０ 転写手段
３１ 導電性支持体
３２ 下引き層
３３ 単層型感光層
３５ 電荷発生層
３７ 電荷輸送層
３９ 保護層
１０１ 電子写真感光体
１０２ 帯電手段
１０４ 現像手段
１０６ 転写手段
Claims (8)
- 導電性支持体と、前記導電性支持体上に、下引き層と感光層とをこの順に少なくとも有する電子写真感光体であって、
前記下引き層が、サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種と、
酸化亜鉛、酸化スズ、及び酸化ジルコニウムから選ばれる少なくともいずれかの微粒子である金属酸化物微粒子とを含有することを特徴とする電子写真感光体。 - サリチル酸誘導体、ナフトエ酸誘導体、及びフラボノイド誘導体から選択される少なくとも１種が、金属酸化物微粒子表面に配位し、キレート錯体を形成している請求項１に記載の電子写真感光体。
- 金属酸化物微粒子がシランカップリング剤で表面処理されてなる請求項１から２のいずれかに記載の電子写真感光体。
- シランカップリング剤がアミノ基を有する請求項３に記載の電子写真感光体。
- 金属酸化物微粒子が、酸化亜鉛、及び酸化スズから選ばれる少なくともいずれかの微粒子である請求項１から４のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段を少なくとも有する画像形成装置であって、
前記電子写真感光体が、請求項１から５のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とする画像形成装置。 - 電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された前記電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成する露光手段、前記静電潜像をトナーを用いて現像して可視像を形成する現像手段、及び前記可視像を記録媒体に転写する転写手段から選択される少なくともいずれかの手段とを有するプロセスカートリッジであって、
前記電子写真感光体が、請求項１から５のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とするプロセスカートリッジ。 - 電子写真感光体の表面を帯電手段で帯電する帯電工程と、帯電された前記電子写真感光体を露光手段で露光して電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光工程と、前記静電潜像が形成された前記電子写真感光体の表面に現像手段でトナー像を形成する現像工程と、形成された前記トナー像を転写手段で記録媒体へ転写する転写工程とを含む画像形成方法であって、
前記電子写真感光体として、請求項１から５のいずれかに記載の電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法。
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