JP6211826B2

JP6211826B2 - Heater and equipment

Info

Publication number: JP6211826B2
Application number: JP2013132792A
Authority: JP
Inventors: 康之有瀧
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2013-06-25
Filing date: 2013-06-25
Publication date: 2017-10-11
Anticipated expiration: 2033-06-25
Also published as: JP2015008079A

Description

本発明は、ヒータおよび装置に関する。 The present invention relates to a heater and an apparatus.

従来から、ＯＡ機器（たとえば、電子複写機、ファクシミリ、プリンタ）のトナー定着等に用いられるヒータが知られている（たとえば、特許文献１参照）。このようなヒータは、たとえば、板状の基板と抵抗発熱体とを備える。抵抗発熱体は基板に形成されている。ヒータには温度検出素子が取り付けられる。温度検出素子は基板に取り付けられて、ヒータの温度を検出する。 2. Description of the Related Art Conventionally, a heater used for toner fixing of OA equipment (for example, an electronic copying machine, a facsimile, a printer) is known (for example, see Patent Document 1). Such a heater includes, for example, a plate-like substrate and a resistance heating element. The resistance heating element is formed on the substrate. A temperature detection element is attached to the heater. The temperature detection element is attached to the substrate and detects the temperature of the heater.

特開平０５−１８１３７７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 05-181377

上記のようなヒータを入手した使用者は、温度検出素子を別途用意する必要がある。このことは、ヒータを入手した使用者にとって不便なものである。 The user who has obtained the heater as described above needs to prepare a temperature detecting element separately. This is inconvenient for the user who has obtained the heater.

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、入手した者にとって便利なヒータを提供することをその主たる課題とする。 The present invention has been conceived under the circumstances described above, and its main object is to provide a heater that is convenient for those who have obtained it.

本発明の第１の側面によると、長手状の基板と、前記基板に形成された発熱抵抗体と、前記基板に形成されたサーミスタ層と、前記基板に形成され、前記サーミスタ層に導通するサーミスタ用電極と、前記基板に形成され、前記サーミスタ層を覆う保護層と、を備える、ヒータが提供される。 According to the first aspect of the present invention, a longitudinal substrate, a heating resistor formed on the substrate, a thermistor layer formed on the substrate, and a thermistor formed on the substrate and conducting to the thermistor layer. There is provided a heater comprising a working electrode and a protective layer formed on the substrate and covering the thermistor layer.

好ましくは、前記サーミスタ層は、前記基板の長手方向において、前記発熱抵抗体に対して重なる部分を有している。 Preferably, the thermistor layer has a portion that overlaps the heating resistor in the longitudinal direction of the substrate.

好ましくは、前記サーミスタ層は、各々が前記基板の長手方向に沿って延びる第１帯状部および第２帯状部を含み、前記第１帯状部および前記第２帯状部は、前記基板の短手方向に離間している。 Preferably, the thermistor layer includes a first strip portion and a second strip portion, each extending along a longitudinal direction of the substrate, and the first strip portion and the second strip portion are in a short direction of the substrate. Are separated.

好ましくは、前記基板の長手方向における前記サーミスタ層の寸法は、前記基板の短手方向における前記基板の寸法の、１〜５倍である。 Preferably, the dimension of the thermistor layer in the longitudinal direction of the substrate is 1 to 5 times the dimension of the substrate in the lateral direction of the substrate.

好ましくは、前記基板は、互いに反対側を向く第１基板主面および第２基板主面を有する。 Preferably, the substrate has a first substrate main surface and a second substrate main surface facing to opposite sides.

好ましくは、前記サーミスタ層は、前記第１基板主面に形成されており、前記発熱抵抗体は、前記第２基板主面に形成されている。 Preferably, the thermistor layer is formed on the first substrate main surface, and the heating resistor is formed on the second substrate main surface.

好ましくは、前記保護層は、前記第１基板主面に形成され、前記サーミスタ層を覆う第１保護部と、前記第２基板主面に形成され、前記発熱抵抗体を覆う第２保護部と、を含む。 Preferably, the protective layer is formed on the main surface of the first substrate and covers the thermistor layer, and a second protective portion is formed on the main surface of the second substrate and covers the heating resistor. ,including.

好ましくは、前記第１保護部は、前記基板の位置する側とは反対側を向く第１面を有し、前記第２保護部は、前記基板の位置する側とは反対側を向く第２面を有し、前記第１面および前記第２面の表面粗さは、互いに異なっている。 Preferably, the first protection part has a first surface facing a side opposite to the side where the substrate is located, and the second protection part is a second side facing the side opposite to the side where the substrate is located. The first surface and the second surface have different surface roughness.

好ましくは、前記サーミスタ層および前記発熱抵抗体は、前記第１基板主面に形成されている。 Preferably, the thermistor layer and the heating resistor are formed on the main surface of the first substrate.

好ましくは、前記発熱抵抗体は、各々が前記基板の長手方向に沿って延びる第１長状部および第２長状部を含み、前記第１長状部および前記第２長状部は、前記基板の短手方向に離間している。 Preferably, the heating resistor includes a first elongated portion and a second elongated portion, each extending along a longitudinal direction of the substrate, wherein the first elongated portion and the second elongated portion are It is separated in the short direction of the substrate.

好ましくは、前記基板に形成され、前記発熱抵抗体に導通する抵抗体用電極を更に備える。 Preferably, a resistor electrode formed on the substrate and conducting to the heating resistor is further provided.

好ましくは、前記保護層は、前記第１長状部と、前記第２長状部と、前記抵抗体用電極と、を覆う。 Preferably, the protective layer covers the first elongated portion, the second elongated portion, and the resistor electrode.

好ましくは、前記抵抗体用電極は、第１抵抗体用電極パッドおよび第２抵抗体用電極パッドを有し、前記第１抵抗体用電極パッドおよび前記第２抵抗体用電極パッドは、前記保護層から露出している。 Preferably, the resistor electrode includes a first resistor electrode pad and a second resistor electrode pad, and the first resistor electrode pad and the second resistor electrode pad are protected. Exposed from the layer.

好ましくは、前記抵抗体用電極は、第１抵抗体用連絡部および第２抵抗体用連絡部を有し、前記第１抵抗体用連絡部は、前記第１抵抗体用電極パッドにつながり、且つ、前記第１長状部に接しており、前記第２抵抗体用連絡部は、前記第２抵抗体用電極パッドにつながり、且つ、前記第２長状部に接しており、前記第１抵抗体用連絡部および前記第２抵抗体用連絡部は、前記保護層に覆われている。 Preferably, the resistor electrode has a first resistor connecting portion and a second resistor connecting portion, and the first resistor connecting portion is connected to the first resistor electrode pad, And the second resistor connecting portion is connected to the second resistor electrode pad and is in contact with the second elongated portion, and the first resistor connecting portion is in contact with the second elongated portion. The resistor contact portion and the second resistor contact portion are covered with the protective layer.

好ましくは、前記抵抗体用電極は、前記第１長状部および前記第２長状部のいずれにも接する連絡部を含む。 Preferably, the resistor electrode includes a connecting portion in contact with both the first elongated portion and the second elongated portion.

好ましくは、前記連絡部は、前記発熱抵抗体に対して、前記第１抵抗体用電極パッドとは反対側に、形成されている。 Preferably, the connecting portion is formed on the opposite side of the heating resistor from the first resistor electrode pad.

好ましくは、前記基板は、長手状の第１基板側面と、長手状の第２基板側面と、を有し、前記第１基板側面は、前記第２基板主面につながる第１平坦面と、前記第１平坦面および前記第１基板主面につながる第１傾斜面と、を有し、前記第１傾斜面は、前記第１傾斜面および前記第１平坦面とが鈍角をなすように、前記基板の厚さ方向に対し傾斜している。 Preferably, the substrate has a longitudinal first substrate side surface and a longitudinal second substrate side surface, and the first substrate side surface is a first flat surface connected to the second substrate main surface; A first inclined surface connected to the first flat surface and the first substrate main surface, and the first inclined surface has an obtuse angle with the first inclined surface and the first flat surface, It is inclined with respect to the thickness direction of the substrate.

好ましくは、前記発熱抵抗体は、ＡｇＰｄよりなる。 Preferably, the heating resistor is made of AgPd.

好ましくは、前記サーミスタ層は、酸化ルテニウムよりなる。 Preferably, the thermistor layer is made of ruthenium oxide.

好ましくは、前記サーミスタ層の厚さは、０．５〜１５μｍである。 Preferably, the thermistor layer has a thickness of 0.5 to 15 μm.

好ましくは、前記サーミスタ層は、印刷またはスパッタによって形成される。 Preferably, the thermistor layer is formed by printing or sputtering.

好ましくは、前記基板は、セラミックよりなる。 Preferably, the substrate is made of ceramic.

好ましくは、前記セラミックは、アルミナ、ジルコニア、あるいは、窒化アルミニウムである。 Preferably, the ceramic is alumina, zirconia, or aluminum nitride.

好ましくは、前記保護層は、ガラスよりなる。 Preferably, the protective layer is made of glass.

本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるヒータと、前記発熱抵抗体に接続された抵抗体用接続部と、前記サーミスタ層に接続されたサーミスタ用接続部と、を備える、装置が提供される。 According to a second aspect of the present invention, a heater provided by the first aspect of the present invention, a resistor connecting portion connected to the heating resistor, and a thermistor connecting portion connected to the thermistor layer An apparatus is provided comprising:

好ましくは、前記発熱抵抗体へと電力を供給する発熱電源部と、前記サーミスタ層からの出力に基づき、温度を検出する温度検出部を更に備え、前記発熱電源部は、前記抵抗体用接続部を介して前記発熱抵抗体に接続しており、前記温度検出部は、前記サーミスタ用接続部を介して前記サーミスタ層に接続している。 Preferably, the heating resistor further includes a heating power source that supplies power to the heating resistor, and a temperature detector that detects a temperature based on an output from the thermistor layer, and the heating power source is connected to the resistor connecting portion. The temperature detection unit is connected to the thermistor layer via the thermistor connection unit.

好ましくは、制御部を更に備え、前記制御部は、前記温度検出部から、前記温度検出部にて検出された温度に対応する温度信号を受け、前記制御部は、前記発熱抵抗体に、前記発熱抵抗体にて発生させる発熱量に対応する発熱量信号を送る。 Preferably, the apparatus further includes a control unit, and the control unit receives a temperature signal corresponding to the temperature detected by the temperature detection unit from the temperature detection unit, and the control unit supplies the heating resistor to the heating resistor. A heating value signal corresponding to the heating value generated by the heating resistor is sent.

好ましくは、前記ヒータに対向するプラテンローラを更に備える。 Preferably, a platen roller facing the heater is further provided.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第１実施形態にかかる装置の断面図である。It is sectional drawing of the apparatus concerning 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態にかかる装置のブロック図である。1 is a block diagram of an apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態にかかるヒータの平面図（一部透視化）である。It is a top view (partially see-through | perspective) of the heater concerning 1st Embodiment of this invention. 図３から保護層を省略した図である。It is the figure which abbreviate | omitted the protective layer from FIG. 図３に示したヒータの部分拡大断面図である。FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of the heater shown in FIG. 3. 図３に示したヒータの底面図（一部透視化）である。FIG. 4 is a bottom view (partially see through) of the heater shown in FIG. 3. 図６から保護層を省略した図である。It is the figure which abbreviate | omitted the protective layer from FIG. 図６に示したヒータの部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the heater shown in FIG. 図３のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IX-IX line of FIG. 図３のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX line of FIG. 本発明の第１実施形態の第１変形例にかかるヒータの平面図（一部透視化）である。It is a top view (partially see through) of the heater concerning the 1st modification of a 1st embodiment of the present invention. 図１１から保護層を省略した図である。It is the figure which abbreviate | omitted the protective layer from FIG. 本発明の第２実施形態にかかる装置の断面図である。It is sectional drawing of the apparatus concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態にかかるヒータの平面図（一部透視化）である。It is a top view (partially see-through | perspective) of the heater concerning 2nd Embodiment of this invention. 図１４から保護層を省略した図である。It is the figure which abbreviate | omitted the protective layer from FIG. 図１４のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XVI-XVI line of FIG.

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

＜第１実施形態＞
図１〜図１２を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。 <First Embodiment>
1st Embodiment of this invention is described using FIGS.

図１は、本発明の第１実施形態にかかる装置の断面図である。図２は、本発明の第１実施形態にかかる装置のブロック図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of an apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of an apparatus according to the first embodiment of the present invention.

これらの図に示す装置８００は、たとえばＯＡ機器（たとえば電子複写機、ファクシミリ、プリンタ）のトナー定着等に用いられる。装置８００は、ヒータ１００と、発熱電源部８１１と、温度検出部８１２と、制御部８１５と、プラテンローラ８０１と、を備える。 The apparatus 800 shown in these figures is used for toner fixing of OA equipment (for example, an electronic copying machine, a facsimile, a printer), for example. The apparatus 800 includes a heater 100, a heat generating power supply unit 811, a temperature detection unit 812, a control unit 815, and a platen roller 801.

図３は、本発明の第１実施形態にかかるヒータの平面図（一部透視化）である。図４は、図３から保護層を省略した図である。図５は、図３に示したヒータの部分拡大断面図である。図６は、図３に示したヒータの底面図（一部透視化）である。図７は、図６から保護層を省略した図である。図８は、図６に示したヒータの部分拡大断面図である。図９は、図３のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図３のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 FIG. 3 is a plan view (partially see through) of the heater according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram in which the protective layer is omitted from FIG. FIG. 5 is a partial enlarged cross-sectional view of the heater shown in FIG. FIG. 6 is a bottom view (partially see through) of the heater shown in FIG. FIG. 7 is a diagram in which the protective layer is omitted from FIG. FIG. 8 is a partially enlarged sectional view of the heater shown in FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.

ヒータ１００は、プラテンローラ８０１に対向しており、被加熱媒体Ｄｃに転写されたトナーを、被加熱媒体Ｄｃに熱定着させるために用いられる。ヒータ１００は、基板１と、発熱抵抗体２と、サーミスタ層３と、抵抗体用電極５と、サーミスタ用電極６１と、保護層７と、を備える。 The heater 100 faces the platen roller 801 and is used to thermally fix the toner transferred to the heated medium Dc to the heated medium Dc. The heater 100 includes a substrate 1, a heating resistor 2, a thermistor layer 3, a resistor electrode 5, a thermistor electrode 61, and a protective layer 7.

図３〜図８に示す基板１は長板状である。基板１の長手方向を長手方向Ｘとしており、基板１の短手方向を短手方向Ｙとしており、基板１の厚さ方向を厚さ方向Ｚとしている。 The substrate 1 shown in FIGS. 3 to 8 has a long plate shape. The longitudinal direction of the substrate 1 is the longitudinal direction X, the lateral direction of the substrate 1 is the lateral direction Y, and the thickness direction of the substrate 1 is the thickness direction Z.

本実施形態では、基板１は絶縁性の材料よりなる。本実施形態では、基板１を構成する絶縁性の材料はセラミックである。このようなセラミックとしては、たとえば、アルミナ、ジルコニア、および、窒化アルミニウムが挙げられる。 In the present embodiment, the substrate 1 is made of an insulating material. In the present embodiment, the insulating material constituting the substrate 1 is ceramic. Examples of such ceramics include alumina, zirconia, and aluminum nitride.

基板１は、第１基板主面１１と、第２基板主面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、を有する。 The substrate 1 includes a first substrate main surface 11, a second substrate main surface 12, a first substrate side surface 13, a second substrate side surface 14, a first substrate end surface 15, and a second substrate end surface 16. .

図９に示すように、第１基板主面１１および第２基板主面１２は互いに反対側を向いている。第１基板主面１１は、厚さ方向Ｚの一方を向いている。第１基板主面１１は平坦である。一方、第２基板主面１２は、厚さ方向Ｚの他方を向いている。第２基板主面１２は平坦である。第１基板主面１１および第２基板主面１２はいずれも、長矩形状である。 As shown in FIG. 9, the first substrate main surface 11 and the second substrate main surface 12 face opposite sides. The first substrate main surface 11 faces one side in the thickness direction Z. The first substrate main surface 11 is flat. On the other hand, the second substrate main surface 12 faces the other side in the thickness direction Z. The second substrate main surface 12 is flat. Both the first substrate main surface 11 and the second substrate main surface 12 have a long rectangular shape.

図４に示す、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、はいずれも、基板１の厚さ方向Ｚに交差する方向を向いている。第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、はいずれも、第１基板主面１１および第２基板主面１２につながっている。第１基板側面１３および第２基板側面１４は、各々が長手状に延びており、基板１の短手方向Ｙにおいて互いに反対側に位置している。第１基板側面１３は、基板１の短手方向Ｙの一端に位置している。第２基板側面１４は、基板１の短手方向Ｙの他端に位置している。第１基板端面１５および第２基板端面１６は、基板１の長手方向Ｘにおいて互いに反対側に位置している。第１基板端面１５は、基板１の長手方向Ｘの一端に位置している。第２基板端面１６は、基板１の長手方向Ｘの他端に位置している。 All of the first substrate side surface 13, the second substrate side surface 14, the first substrate end surface 15, and the second substrate end surface 16 shown in FIG. 4 face the direction intersecting the thickness direction Z of the substrate 1. ing. The first substrate side surface 13, the second substrate side surface 14, the first substrate end surface 15, and the second substrate end surface 16 are all connected to the first substrate main surface 11 and the second substrate main surface 12. The first substrate side surface 13 and the second substrate side surface 14 each extend in a longitudinal shape, and are located on opposite sides in the short direction Y of the substrate 1. The first substrate side surface 13 is located at one end in the lateral direction Y of the substrate 1. The second substrate side surface 14 is located at the other end in the short direction Y of the substrate 1. The first substrate end surface 15 and the second substrate end surface 16 are located on opposite sides in the longitudinal direction X of the substrate 1. The first substrate end surface 15 is located at one end in the longitudinal direction X of the substrate 1. The second substrate end surface 16 is located at the other end in the longitudinal direction X of the substrate 1.

図９、図１０に示すように、本実施形態では、第１基板側面１３と第２基板側面１４と第１基板端面１５と第２基板端面１６とには、傾斜面が形成されている。具体的には次のとおりである。 As shown in FIGS. 9 and 10, in the present embodiment, inclined surfaces are formed on the first substrate side surface 13, the second substrate side surface 14, the first substrate end surface 15, and the second substrate end surface 16. Specifically, it is as follows.

図９に示すように、第１基板側面１３は、第１平坦面１３１および第１傾斜面１３２を有する。 As shown in FIG. 9, the first substrate side surface 13 has a first flat surface 131 and a first inclined surface 132.

第１平坦面１３１は、長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第１平坦面１３１は、第２基板主面１２と直角をなすように、第２基板主面１２に起立している。第１平坦面１３１は第２基板主面１２につながっている。第１傾斜面１３２は、長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第１傾斜面１３２と第１平坦面１３１とが鈍角をなすように、第１傾斜面１３２は基板１の厚さ方向Ｚに対して傾斜している。第１傾斜面１３２は第１基板主面１１につながっている。 The first flat surface 131 extends in the longitudinal direction along the longitudinal direction X. The first flat surface 131 stands on the second substrate main surface 12 so as to be perpendicular to the second substrate main surface 12. The first flat surface 131 is connected to the second substrate main surface 12. The first inclined surface 132 extends in the longitudinal direction along the longitudinal direction X. The first inclined surface 132 is inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1 so that the first inclined surface 132 and the first flat surface 131 form an obtuse angle. The first inclined surface 132 is connected to the first substrate main surface 11.

図９に示すように、第２基板側面１４は、第２平坦面１４１および第２傾斜面１４２を有する。 As shown in FIG. 9, the second substrate side surface 14 has a second flat surface 141 and a second inclined surface 142.

第２平坦面１４１は、長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第２平坦面１４１は、第２基板主面１２と直角をなすように、第２基板主面１２に起立している。第２平坦面１４１は第２基板主面１２につながっている。第２傾斜面１４２は、長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第２傾斜面１４２と第２平坦面１４１とが鈍角をなすように、第２傾斜面１４２は基板１の厚さ方向Ｚに対して傾斜している。第２傾斜面１４２は第１基板主面１１につながっている。 The second flat surface 141 extends in the longitudinal direction along the longitudinal direction X. The second flat surface 141 stands on the second substrate main surface 12 so as to be perpendicular to the second substrate main surface 12. The second flat surface 141 is connected to the second substrate main surface 12. The second inclined surface 142 extends in the longitudinal direction along the longitudinal direction X. The second inclined surface 142 is inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1 so that the second inclined surface 142 and the second flat surface 141 form an obtuse angle. The second inclined surface 142 is connected to the first substrate main surface 11.

図１０に示すように、第１基板端面１５は、平坦面１５１および傾斜面１５２を有する。 As shown in FIG. 10, the first substrate end surface 15 has a flat surface 151 and an inclined surface 152.

平坦面１５１は、短手方向Ｙに沿って延びている。平坦面１５１は、第２基板主面１２と直角をなすように、第２基板主面１２に起立している。平坦面１５１は第２基板主面１２につながっている。平坦面１５１は、第１平坦面１３１および第２平坦面１４１につながっている。傾斜面１５２は、短手方向Ｙに沿って延びている。傾斜面１５２と平坦面１５１とが鈍角をなすように、傾斜面１５２は基板１の厚さ方向Ｚに対して傾斜している。傾斜面１５２は第１基板主面１１につながっている。傾斜面１５２は、第１傾斜面１３２および第２傾斜面１４２につながっている。 The flat surface 151 extends along the short direction Y. The flat surface 151 stands on the second substrate main surface 12 so as to be perpendicular to the second substrate main surface 12. The flat surface 151 is connected to the second substrate main surface 12. The flat surface 151 is connected to the first flat surface 131 and the second flat surface 141. The inclined surface 152 extends along the short direction Y. The inclined surface 152 is inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1 so that the inclined surface 152 and the flat surface 151 form an obtuse angle. The inclined surface 152 is connected to the first substrate main surface 11. The inclined surface 152 is connected to the first inclined surface 132 and the second inclined surface 142.

第２基板端面１６は、平坦面１６１および傾斜面１６２を有する。 The second substrate end surface 16 has a flat surface 161 and an inclined surface 162.

平坦面１６１は、短手方向Ｙに沿って延びている。平坦面１６１は、第２基板主面１２と直角をなすように、第２基板主面１２に起立している。平坦面１６１は第２基板主面１２につながっている。平坦面１６１は、第１平坦面１３１および第２平坦面１４１につながっている。傾斜面１６２は、短手方向Ｙに沿って延びている。傾斜面１６２と平坦面１６１とが鈍角をなすように、傾斜面１６２は基板１の厚さ方向Ｚに対して傾斜している。傾斜面１６２は第１基板主面１１につながっている。傾斜面１６２は、第１傾斜面１３２および第２傾斜面１４２につながっている。 The flat surface 161 extends along the short direction Y. The flat surface 161 stands on the second substrate main surface 12 so as to be perpendicular to the second substrate main surface 12. The flat surface 161 is connected to the second substrate main surface 12. The flat surface 161 is connected to the first flat surface 131 and the second flat surface 141. The inclined surface 162 extends along the short direction Y. The inclined surface 162 is inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1 so that the inclined surface 162 and the flat surface 161 form an obtuse angle. The inclined surface 162 is connected to the first substrate main surface 11. The inclined surface 162 is connected to the first inclined surface 132 and the second inclined surface 142.

第１基板側面１３や第２基板側面１４や第１基板端面１５や第２基板端面１６に傾斜面が形成されるのは、基板１を切断する際にレーザを用いるためである。基板１を切断する際に、第１基板主面１１側からレーザ光を照射して、レーザスリットを形成する。このスリットが、基板１において傾斜面として残る。 The reason why the inclined surfaces are formed on the first substrate side surface 13, the second substrate side surface 14, the first substrate end surface 15, and the second substrate end surface 16 is to use a laser when cutting the substrate 1. When the substrate 1 is cut, laser light is irradiated from the first substrate main surface 11 side to form a laser slit. This slit remains as an inclined surface in the substrate 1.

なお、本実施形態とは異なり、基板１を切断する際にレーザを用いない場合等には、第１基板側面１３や第２基板側面１４や第１基板端面１５や第２基板端面１６に傾斜面が形成されていなくてもよい。 Unlike the present embodiment, when the laser is not used when cutting the substrate 1, the first substrate side surface 13, the second substrate side surface 14, the first substrate end surface 15, and the second substrate end surface 16 are inclined. The surface may not be formed.

図６〜図９に示す発熱抵抗体２は基板１に形成されている。発熱抵抗体２は基板１に直接接している。発熱抵抗体２は、電流が流れることにより熱を発する。発熱抵抗体２は抵抗体材料よりなる。発熱抵抗体２を構成する抵抗体材料としては、たとえば、ＡｇＰｄが挙げられる。他に発熱抵抗体２を構成する抵抗体材料としては、たとえば、ニクロムや酸化ルテニウムが挙げられる。発熱抵抗体２の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、５〜１５μｍである。発熱抵抗体２は、たとえば、印刷によって形成される。本実施形態においては、発熱抵抗体２は第２基板主面１２に形成されている。発熱抵抗体２は第２基板主面１２に直接接している。 The heating resistor 2 shown in FIGS. 6 to 9 is formed on the substrate 1. The heating resistor 2 is in direct contact with the substrate 1. The heating resistor 2 generates heat when a current flows. The heating resistor 2 is made of a resistor material. Examples of the resistor material constituting the heating resistor 2 include AgPd. Other examples of the resistor material constituting the heating resistor 2 include nichrome and ruthenium oxide. The thickness (the dimension in the thickness direction Z) of the heating resistor 2 is, for example, 5 to 15 μm. The heating resistor 2 is formed by printing, for example. In the present embodiment, the heating resistor 2 is formed on the second substrate main surface 12. The heating resistor 2 is in direct contact with the second substrate main surface 12.

図７、図９に示すように、発熱抵抗体２は、第１長状部２１および第２長状部２２を有する。 As shown in FIGS. 7 and 9, the heating resistor 2 has a first elongated portion 21 and a second elongated portion 22.

第１長状部２１は、基板１の長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第１長状部２１は、基板１のうち、短手方向Ｙの他端側（図７では下側）に形成されている。第１長状部２１は、基板１の長手方向Ｘの一端から他端にわたって形成されている。第１長状部２１の長さは、基板１の長手方向Ｘの寸法の５０％以上、好ましくは７０％以上、更に好ましくは８０％以上である。第１長状部２１は基板１に直接接しており、本実施形態では第２基板主面１２に直接接している。 The first elongated portion 21 extends in the longitudinal direction along the longitudinal direction X of the substrate 1. The first elongated portion 21 is formed on the other end side (the lower side in FIG. 7) in the short direction Y of the substrate 1. The first elongated portion 21 is formed from one end to the other end in the longitudinal direction X of the substrate 1. The length of the first elongated portion 21 is 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 80% or more of the dimension in the longitudinal direction X of the substrate 1. The first elongated portion 21 is in direct contact with the substrate 1 and is in direct contact with the second substrate main surface 12 in the present embodiment.

第２長状部２２は、基板１の長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第２長状部２２は、基板１のうち、短手方向Ｙの一端側（図７では上側）に形成されている。第２長状部２２は、基板１の長手方向Ｘの一端から他端にわたって形成されている。第２長状部２２の長さは、基板１の長手方向Ｘの寸法の５０％以上、好ましくは７０％以上、更に好ましくは８０％以上である。第２長状部２２は基板１に直接接しており、本実施形態では第２基板主面１２に直接接している。第２長状部２２および第１長状部２１は、基板１の短手方向Ｙに互いに離間している。第２長状部２２および第１長状部２１は互いに平行である。 The second elongated portion 22 extends in the longitudinal direction along the longitudinal direction X of the substrate 1. The second elongated portion 22 is formed on one end side (upper side in FIG. 7) of the substrate 1 in the lateral direction Y. The second elongated portion 22 is formed from one end to the other end in the longitudinal direction X of the substrate 1. The length of the second elongated portion 22 is 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 80% or more of the dimension in the longitudinal direction X of the substrate 1. The second elongated portion 22 is in direct contact with the substrate 1 and is in direct contact with the second substrate main surface 12 in the present embodiment. The second long portion 22 and the first long portion 21 are separated from each other in the short direction Y of the substrate 1. The second elongated portion 22 and the first elongated portion 21 are parallel to each other.

図６〜図８に示す抵抗体用電極５は基板１に形成されている。抵抗体用電極５は基板１に直接接している。抵抗体用電極５は、ヒータ１００外からの電力を発熱抵抗体２に供給するためのものである。抵抗体用電極５は導電材料よりなる。抵抗体用電極５を構成する導電材料としては、たとえば、Ａｇが挙げられる。抵抗体用電極５の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、５〜１５μｍである。抵抗体用電極５は、たとえば、印刷によって形成される。本実施形態においては、抵抗体用電極５は第２基板主面１２に形成されている。抵抗体用電極５は第２基板主面１２に直接接している。図８に示すように、抵抗体用電極５の一部は、発熱抵抗体２の一部と重なっており、且つ、直接接している。本実施形態では、発熱抵抗体２と基板１との間に抵抗体用電極５の一部が介在している。本実施形態とは異なり、抵抗体用電極５と基板１との間に発熱抵抗体２の一部が介在していてもよい。 The resistor electrode 5 shown in FIGS. 6 to 8 is formed on the substrate 1. The resistor electrode 5 is in direct contact with the substrate 1. The resistor electrode 5 is for supplying electric power from outside the heater 100 to the heating resistor 2. The resistor electrode 5 is made of a conductive material. Examples of the conductive material constituting the resistor electrode 5 include Ag. The thickness of the resistor electrode 5 (the dimension in the thickness direction Z) is, for example, 5 to 15 μm. The resistor electrode 5 is formed by printing, for example. In the present embodiment, the resistor electrode 5 is formed on the second substrate main surface 12. The resistor electrode 5 is in direct contact with the second substrate main surface 12. As shown in FIG. 8, a part of the resistor electrode 5 overlaps a part of the heating resistor 2 and is in direct contact therewith. In the present embodiment, a part of the resistor electrode 5 is interposed between the heating resistor 2 and the substrate 1. Unlike the present embodiment, a part of the heating resistor 2 may be interposed between the resistor electrode 5 and the substrate 1.

図６、図７に示すように、抵抗体用電極５は、第１抵抗体用電極パッド５１１と、第１抵抗体用連絡部５１２と、第２抵抗体用パッド５１６と、第２抵抗体用連絡部５１７と、連絡部５９と、を含む。 6 and 7, the resistor electrode 5 includes a first resistor electrode pad 511, a first resistor connecting portion 512, a second resistor pad 516, and a second resistor. The communication unit 517 for communication and the communication unit 59 are included.

第１抵抗体用電極パッド５１１は矩形状の部分である。第１抵抗体用電極パッド５１１には、抵抗体用接続部８２１（後述、図２参照）が接続される。第１抵抗体用連絡部５１２は第１抵抗体用電極パッド５１１につながっている。第１抵抗体用連絡部５１２は、発熱抵抗体２の一部と重なっており、且つ、発熱抵抗体２に直接接している。より具体的には、第１抵抗体用連絡部５１２は、発熱抵抗体２における第１長状部２１に重なっており、且つ、発熱抵抗体２における第１長状部２１に直接接している。第１長状部２１は、基板１の長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。 The first resistor electrode pad 511 is a rectangular portion. The first resistor electrode pad 511 is connected to a resistor connecting portion 821 (described later, see FIG. 2). The first resistor connecting portion 512 is connected to the first resistor electrode pad 511. The first resistor connecting portion 512 overlaps a part of the heating resistor 2 and is in direct contact with the heating resistor 2. More specifically, the first resistor connecting portion 512 overlaps the first elongated portion 21 of the heating resistor 2 and directly contacts the first elongated portion 21 of the heating resistor 2. . The first elongated portion 21 has a strip shape extending along the longitudinal direction X of the substrate 1.

第２抵抗体用パッド５１６は矩形状の部分である。第２抵抗体用パッド５１６には、抵抗体用接続部８２１（後述、図２参照）が接続される。第２抵抗体用連絡部５１７は第２抵抗体用パッド５１６につながっている。第２抵抗体用連絡部５１７は、発熱抵抗体２の一部と重なっており、且つ、発熱抵抗体２に直接接している。より具体的には、第２抵抗体用連絡部５１７は、発熱抵抗体２における第２長状部２２に重なっており、且つ、発熱抵抗体２における第２長状部２２に直接接している。第２長状部２２は、基板１の長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。第２長状部２２は、第１長状部２１に対して基板１の短手方向Ｙに離間して形成されている。 The second resistor pad 516 is a rectangular portion. A resistor connecting portion 821 (described later, see FIG. 2) is connected to the second resistor pad 516. The second resistor connecting portion 517 is connected to the second resistor pad 516. The second resistor connecting portion 517 overlaps a part of the heating resistor 2 and is in direct contact with the heating resistor 2. More specifically, the second resistor connecting portion 517 overlaps the second elongated portion 22 of the heating resistor 2 and is in direct contact with the second elongated portion 22 of the heating resistor 2. . The second elongated portion 22 has a strip shape extending along the longitudinal direction X of the substrate 1. The second long portion 22 is formed away from the first long portion 21 in the lateral direction Y of the substrate 1.

連結部５９は、基板１の短手方向Ｙに沿って延びている。連結部５９は、第１長状部２１および第２長状部２２を連結している。連結部５９は、第１長状部２１の端部と第２長状部２２の端部とを連結している。連結部５９は、第１長状部２１および第２長状部２２いずれにも接する。連結部５９は、発熱抵抗体２に対して、第１抵抗体用電極パッド５１１とは反対側に、形成されている。 The connecting portion 59 extends along the short direction Y of the substrate 1. The connecting portion 59 connects the first elongated portion 21 and the second elongated portion 22. The connecting portion 59 connects the end portion of the first long portion 21 and the end portion of the second long portion 22. The connecting portion 59 contacts both the first elongated portion 21 and the second elongated portion 22. The connecting portion 59 is formed on the opposite side of the heating resistor 2 from the first resistor electrode pad 511.

図３〜図５、図９に示すサーミスタ層３は基板１に形成されている。サーミスタ層３は基板１に直接接している。本実施形態においては、サーミスタ層３は第１基板主面１１に形成されている。サーミスタ層３は第１基板主面１１に直接接している。サーミスタ層３は、発熱抵抗体２の温度、あるいは、ヒータ１００の任意の箇所の温度を検出するために形成されている。本実施形態では、サーミスタ層３は、温度変化に起因して抵抗値が変化する材料よりなる。この抵抗値の変化に起因する電流値の変化、あるいは、この抵抗値の変化に起因する電圧値の変化を検出することにより、温度が検出される。サーミスタ層３は、たとえば、酸化ルテニウムよりなる。サーミスタ層３は、たとえば、印刷またはスパッタにより形成される。サーミスタ層３が印刷により形成される場合、サーミスタ層３の厚さは、たとえば、５〜１５μｍである。サーミスタ層３がスパッタにより形成される場合、サーミスタ層３の厚さは、たとえば、０．５〜１．５μｍである。サーミスタ層３は、基板１の長手方向Ｘにおいて、発熱抵抗体２に対して重なる部分を有している。 The thermistor layer 3 shown in FIGS. 3 to 5 and 9 is formed on the substrate 1. The thermistor layer 3 is in direct contact with the substrate 1. In the present embodiment, the thermistor layer 3 is formed on the first substrate main surface 11. The thermistor layer 3 is in direct contact with the first substrate main surface 11. The thermistor layer 3 is formed in order to detect the temperature of the heating resistor 2 or the temperature of an arbitrary portion of the heater 100. In the present embodiment, the thermistor layer 3 is made of a material whose resistance value changes due to a temperature change. The temperature is detected by detecting a change in current value caused by this change in resistance value or a change in voltage value caused by this change in resistance value. The thermistor layer 3 is made of, for example, ruthenium oxide. The thermistor layer 3 is formed by printing or sputtering, for example. When the thermistor layer 3 is formed by printing, the thermistor layer 3 has a thickness of, for example, 5 to 15 μm. When the thermistor layer 3 is formed by sputtering, the thermistor layer 3 has a thickness of 0.5 to 1.5 μm, for example. The thermistor layer 3 has a portion that overlaps the heating resistor 2 in the longitudinal direction X of the substrate 1.

図３、図４に示すサーミスタ層３は、第１帯状部３１と、第２帯状部３２と、連結部３３と、を含む。 The thermistor layer 3 shown in FIGS. 3 and 4 includes a first strip portion 31, a second strip portion 32, and a connecting portion 33.

第１帯状部３１は、基板１の長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第１帯状部３１は、基板１のうち、短手方向Ｙの一端側（図４では上側）に形成されている。 The first strip portion 31 extends in the longitudinal direction along the longitudinal direction X of the substrate 1. The first strip portion 31 is formed on one end side (upper side in FIG. 4) in the lateral direction Y of the substrate 1.

第２帯状部３２は、基板１の長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第２帯状部３２は、基板１のうち、短手方向Ｙの他端側（図４では下側）に形成されている。 The second strip portion 32 extends in the longitudinal direction along the longitudinal direction X of the substrate 1. The second strip portion 32 is formed on the other end side (lower side in FIG. 4) in the short-side direction Y of the substrate 1.

連結部３３は、基板１の短手方向Ｙに沿って延びている。連結部３３は、第１帯状部３１および第２帯状部３２を連結している。連結部３３は、第１帯状部３１の端部と第２帯状部３２の端部とを連結している。 The connecting portion 33 extends along the short direction Y of the substrate 1. The connecting portion 33 connects the first strip portion 31 and the second strip portion 32. The connecting portion 33 connects the end portion of the first strip portion 31 and the end portion of the second strip portion 32.

サーミスタ用電極６１は基板１に形成されている。サーミスタ用電極６１は基板１に直接接している。サーミスタ用電極６１は導電材料よりなる。サーミスタ用電極６１を構成する導電材料としては、たとえば、Ａｇが挙げられる。サーミスタ用電極６１の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、５〜１５μｍである。サーミスタ用電極６１は、たとえば、印刷によって形成される。本実施形態においては、サーミスタ用電極６１は第１基板主面１１に形成されている。サーミスタ用電極６１は第１基板主面１１に直接接している。サーミスタ用電極６１はサーミスタ層３に導通している。図５に示すように、サーミスタ用電極６１の一部は、サーミスタ層３の一部と重なっており、且つ、直接接している。本実施形態では、サーミスタ層３と基板１との間にサーミスタ用電極６１の一部が介在している。本実施形態とは異なり、サーミスタ用電極６１と基板１との間にサーミスタ層３の一部が介在していてもよい。 The thermistor electrode 61 is formed on the substrate 1. The thermistor electrode 61 is in direct contact with the substrate 1. The thermistor electrode 61 is made of a conductive material. Examples of the conductive material constituting the thermistor electrode 61 include Ag. The thickness (the dimension in the thickness direction Z) of the thermistor electrode 61 is, for example, 5 to 15 μm. The thermistor electrode 61 is formed by printing, for example. In the present embodiment, the thermistor electrode 61 is formed on the first substrate main surface 11. The thermistor electrode 61 is in direct contact with the first substrate main surface 11. The thermistor electrode 61 is electrically connected to the thermistor layer 3. As shown in FIG. 5, a part of the thermistor electrode 61 overlaps a part of the thermistor layer 3 and is in direct contact therewith. In the present embodiment, a portion of the thermistor electrode 61 is interposed between the thermistor layer 3 and the substrate 1. Unlike the present embodiment, a portion of the thermistor layer 3 may be interposed between the thermistor electrode 61 and the substrate 1.

図３、図４に示すように、サーミスタ用電極６１は、第１サーミスタ用パッド６１１と、第１サーミスタ用連絡部６１２と、第２サーミスタ用パッド６１６と、第２サーミスタ用連絡部６１７と、を含む。 As shown in FIGS. 3 and 4, the thermistor electrode 61 includes a first thermistor pad 611, a first thermistor contact portion 612, a second thermistor pad 616, and a second thermistor contact portion 617. including.

第１サーミスタ用パッド６１１は矩形状の部分である。第１サーミスタ用パッド６１１には、サーミスタ用接続部８２４（後述、図２参照）が接続される。第１サーミスタ用連絡部６１２は第１サーミスタ用パッド６１１につながっている。第１サーミスタ用連絡部６１２は、サーミスタ層３の一部と重なっており、且つ、サーミスタ層３に直接接している。より具体的には、第１サーミスタ用連絡部６１２は、サーミスタ層３における第１帯状部３１に重なっており、且つ、サーミスタ層３における第１帯状部３１に直接接している。 The first thermistor pad 611 is a rectangular portion. The first thermistor pad 611 is connected to a thermistor connection portion 824 (see FIG. 2 described later). The first thermistor connecting portion 612 is connected to the first thermistor pad 611. The first thermistor connecting portion 612 overlaps a part of the thermistor layer 3 and is in direct contact with the thermistor layer 3. More specifically, the first thermistor connecting portion 612 overlaps the first belt-like portion 31 in the thermistor layer 3 and is in direct contact with the first belt-like portion 31 in the thermistor layer 3.

第２サーミスタ用パッド６１６は矩形状の部分である。第２サーミスタ用パッド６１６には、サーミスタ用接続部８２４（後述、図２参照）が接続される。第２サーミスタ用連絡部６１７は第２サーミスタ用パッド６１６につながっている。第２サーミスタ用連絡部６１７は、サーミスタ層３の一部と重なっており、且つ、サーミスタ層３に直接接している。より具体的には、第２サーミスタ用連絡部６１７は、サーミスタ層３における第２帯状部３２に重なっており、且つ、サーミスタ層３における第２帯状部３２に直接接している。第２サーミスタ用連絡部６１７は、基板１の長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。第２サーミスタ用連絡部６１７は、第１サーミスタ用連絡部６１２に対して基板１の短手方向Ｙに離間して形成されている。 The second thermistor pad 616 is a rectangular portion. The second thermistor pad 616 is connected to a thermistor connection portion 824 (see FIG. 2 described later). The second thermistor connecting portion 617 is connected to the second thermistor pad 616. The second thermistor connecting portion 617 overlaps a part of the thermistor layer 3 and is in direct contact with the thermistor layer 3. More specifically, the second thermistor connecting portion 617 overlaps the second strip portion 32 in the thermistor layer 3 and is in direct contact with the second strip portion 32 in the thermistor layer 3. The second thermistor connecting portion 617 has a strip shape extending along the longitudinal direction X of the substrate 1. The second thermistor connecting portion 617 is formed away from the first thermistor connecting portion 612 in the short direction Y of the substrate 1.

図３、図６、図９、図１０等に示す保護層７は、発熱抵抗体２およびサーミスタ層３を覆っている。また、保護層７は発熱抵抗体２およびサーミスタ層３に直接接している。更に保護層７は、抵抗体用電極５の一部およびサーミスタ用電極６１の一部を覆っている。具体的には、保護層７は、第１抵抗体用連絡部５１２と第２抵抗体用連絡部５１７と第１サーミスタ用連絡部６１２と第２サーミスタ用連絡部６１７とを覆っている。保護層７からは、抵抗体用電極５の一部およびサーミスタ用電極６１の一部が露出している。具体的には、保護層７からは、第１抵抗体用電極パッド５１１と、第２抵抗体用パッド５１６と、第１サーミスタ用パッド６１１と、第２サーミスタ用パッド６１６と、が露出している。保護層７は、たとえばガラスあるいはポリイミドよりなる。 The protective layer 7 shown in FIGS. 3, 6, 9, 10, etc. covers the heating resistor 2 and the thermistor layer 3. The protective layer 7 is in direct contact with the heating resistor 2 and the thermistor layer 3. Further, the protective layer 7 covers a part of the resistor electrode 5 and a part of the thermistor electrode 61. Specifically, the protective layer 7 covers the first resistor connecting portion 512, the second resistor connecting portion 517, the first thermistor connecting portion 612, and the second thermistor connecting portion 617. A part of the resistor electrode 5 and a part of the thermistor electrode 61 are exposed from the protective layer 7. Specifically, the first resistor electrode pad 511, the second resistor pad 516, the first thermistor pad 611, and the second thermistor pad 616 are exposed from the protective layer 7. Yes. The protective layer 7 is made of, for example, glass or polyimide.

図３、図６、図９等に示すように、本実施形態では、保護層７は、第１保護部７１および第２保護部７２を含む。 As shown in FIGS. 3, 6, 9, and the like, in the present embodiment, the protective layer 7 includes a first protective part 71 and a second protective part 72.

図３、図９に示す第１保護部７１は第１基板主面１１に形成されている。第１保護部７１は第１基板主面１１に直接接している。第１保護部７１は、サーミスタ層３と第１サーミスタ用連絡部６１２と、第２サーミスタ用連絡部６１７と、を覆っている。また、第１保護部７１は、サーミスタ層３と、第１サーミスタ用連絡部６１２と、第２サーミスタ用連絡部６１７と、に直接接している。第１保護部７１からは、第１サーミスタ用パッド６１１および第２サーミスタ用パッド６１６が露出している。 The first protective part 71 shown in FIGS. 3 and 9 is formed on the first substrate main surface 11. The first protection part 71 is in direct contact with the first substrate main surface 11. The first protection part 71 covers the thermistor layer 3, the first thermistor communication part 612, and the second thermistor communication part 617. Further, the first protection unit 71 is in direct contact with the thermistor layer 3, the first thermistor communication unit 612, and the second thermistor communication unit 617. A first thermistor pad 611 and a second thermistor pad 616 are exposed from the first protection portion 71.

第１保護部７１は第１面７１１を有する。第１面７１１は第１基板主面１１の向く方向と同一方向を向いている。図１に示すように、第１面７１１はプラテンローラ８０１に対向している。 The first protection part 71 has a first surface 711. The first surface 711 faces in the same direction as the direction in which the first substrate main surface 11 faces. As shown in FIG. 1, the first surface 711 faces the platen roller 801.

図６、図９に示す第２保護部７２は第２基板主面１２に形成されている。第２保護部７２は第２基板主面１２に直接接している。第２保護部７２は、発熱抵抗体２と、第１抵抗体用連絡部５１２と、第２抵抗体用連絡部５１７と、を覆っている。また、第２保護部７２は、発熱抵抗体２と、第１抵抗体用連絡部５１２と、第２抵抗体用連絡部５１７と、に直接接している。第２保護部７２からは、第１抵抗体用電極パッド５１１および第２抵抗体用パッド５１６が露出している。 The second protection part 72 shown in FIGS. 6 and 9 is formed on the second substrate main surface 12. The second protection part 72 is in direct contact with the second substrate main surface 12. The second protection part 72 covers the heating resistor 2, the first resistor connecting part 512, and the second resistor connecting part 517. Further, the second protection part 72 is in direct contact with the heating resistor 2, the first resistor connecting part 512, and the second resistor connecting part 517. From the second protection part 72, the first resistor electrode pad 511 and the second resistor pad 516 are exposed.

第２保護部７２は第２面７２１を有する。第２面７２１は第２基板主面１２の向く方向と同一方向を向いている。本実施形態では、第２保護部７２の表面粗さと、第１保護部７１の表面粗さが異なる。本実施形態では、第２保護部７２の表面粗さよりも第１保護部７１の表面粗さの方が小さい。本実施形態とは異なり、本実施形態では、第２保護部７２の表面粗さよりも第１保護部７１の表面粗さの方が大きくてもよい。 The second protection part 72 has a second surface 721. The second surface 721 faces the same direction as the direction of the second substrate main surface 12. In the present embodiment, the surface roughness of the second protection part 72 and the surface roughness of the first protection part 71 are different. In the present embodiment, the surface roughness of the first protection part 71 is smaller than the surface roughness of the second protection part 72. Unlike the present embodiment, in this embodiment, the surface roughness of the first protective portion 71 may be larger than the surface roughness of the second protective portion 72.

図２に示す抵抗体用接続部８２１は発熱抵抗体２に電気的に接続されている。具体的には、抵抗体用接続部８２１は、第１抵抗体用電極パッド５１１および第１抵抗体用連絡部５１２を介して、発熱抵抗体２に接続される。抵抗体用接続部８２１は、たとえば基板１を挟み込むクリップのようなものである。 The resistor connecting portion 821 shown in FIG. 2 is electrically connected to the heating resistor 2. Specifically, the resistor connecting portion 821 is connected to the heating resistor 2 via the first resistor electrode pad 511 and the first resistor connecting portion 512. The resistor connecting portion 821 is, for example, a clip that sandwiches the substrate 1.

サーミスタ用接続部８２４はサーミスタ層３に電気的に接続されている。具体的には、サーミスタ用接続部８２４は、第１サーミスタ用パッド６１１および第１サーミスタ用連絡部６１２を介して、サーミスタ層３に接続される。サーミスタ用接続部８２４は、たとえば基板１を挟み込むクリップのようなものである。 The thermistor connection portion 824 is electrically connected to the thermistor layer 3. Specifically, the thermistor connection portion 824 is connected to the thermistor layer 3 via the first thermistor pad 611 and the first thermistor connecting portion 612. The thermistor connection portion 824 is, for example, a clip that sandwiches the substrate 1.

図２に示す制御部８１５は、サーミスタ層３によって検出された温度に基づき、発熱抵抗体２にて発生させる熱量を制御する。具体的には、制御部８１５は、温度検出部８１２から、検出された温度に対応する温度信号Ｔｄを受け、発熱電源部８１１に、発熱抵抗体２にて発生させる発熱量に対応する発熱量信号Ｖｄを送る。 A control unit 815 shown in FIG. 2 controls the amount of heat generated by the heating resistor 2 based on the temperature detected by the thermistor layer 3. Specifically, the control unit 815 receives a temperature signal Td corresponding to the detected temperature from the temperature detection unit 812, and generates a heat generation amount corresponding to the heat generation amount generated by the heat generation resistor 2 in the heat generation power source unit 811. Send signal Vd.

発熱電源部８１１は、抵抗体用接続部８２１を介して発熱抵抗体２に接続している。発熱電源部８１１は、発熱抵抗体２へと電力を供給する。発熱電源部８１１は、発熱量信号Ｖｄを受けて、所望の値の電流を発熱抵抗体２に流す。温度検出部８１２は、前記サーミスタ用接続部８２４を介してサーミスタ層３に接続している。温度検出部８１２は、サーミスタ層３からの出力に基づき、温度を検出する。温度検出部８１２は、サーミスタ層３に流れる電流値、あるいは、サーミスタ層３の両端の電圧値を検出することにより、発熱抵抗体２の温度、あるいは、ヒータ１００の任意の箇所の温度を検出する。そして、温度検出部８１２は、検出した温度に対応する温度信号Ｔｄを送る。 The heat generating power supply unit 811 is connected to the heat generating resistor 2 via the resistor connecting portion 821. The heat generating power supply unit 811 supplies power to the heat generating resistor 2. The heat generation power supply unit 811 receives a heat generation amount signal Vd and allows a current having a desired value to flow through the heat generation resistor 2. The temperature detector 812 is connected to the thermistor layer 3 via the thermistor connection 824. The temperature detection unit 812 detects the temperature based on the output from the thermistor layer 3. The temperature detector 812 detects the temperature of the heating resistor 2 or the temperature of an arbitrary portion of the heater 100 by detecting the value of the current flowing through the thermistor layer 3 or the voltage value across the thermistor layer 3. . Then, the temperature detection unit 812 sends a temperature signal Td corresponding to the detected temperature.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。 Next, the effect of this embodiment is demonstrated.

本実施形態においては、ヒータ１００は、基板１に形成されたサーミスタ層３を備える。このような構成によると、ヒータ１００のユーザがサーミスタを別途用意する必要がない。これは、ヒータ１００のユーザにとって便利である。 In the present embodiment, the heater 100 includes the thermistor layer 3 formed on the substrate 1. According to such a configuration, the user of the heater 100 does not need to prepare a thermistor separately. This is convenient for the user of the heater 100.

ヒータ１００の使用時には、基板１および発熱抵抗体２が熱膨張する。傾斜面と第１基板主面１１との境界（たとえば第１傾斜面１３２と第１基板主面１１との境界）近傍は、応力に弱い。そのため、第１基板主面１１に発熱抵抗体２が形成されたならば、熱膨張に起因する応力によって、傾斜面と第１基板主面１１との境界近傍を起点として、基板１にクラックが生じるおそれがある。一方、本実施形態においては、発熱抵抗体２は、第２基板主面１２に形成されている。このような構成によると、傾斜面と第１基板主面１１との境界から、発熱抵抗体２をより離間させることができるため、熱膨張によって基板１にクラックが生じることを防止できる。 When the heater 100 is used, the substrate 1 and the heating resistor 2 are thermally expanded. The vicinity of the boundary between the inclined surface and the first substrate main surface 11 (for example, the boundary between the first inclined surface 132 and the first substrate main surface 11) is weak against stress. Therefore, if the heating resistor 2 is formed on the first substrate main surface 11, the substrate 1 is cracked from the vicinity of the boundary between the inclined surface and the first substrate main surface 11 due to the stress caused by thermal expansion. May occur. On the other hand, in the present embodiment, the heating resistor 2 is formed on the second substrate main surface 12. According to such a configuration, since the heating resistor 2 can be further separated from the boundary between the inclined surface and the first substrate main surface 11, it is possible to prevent the substrate 1 from being cracked due to thermal expansion.

本実施形態においては、ヒータ１００におけるサーミスタ層３を、プラテンローラ８０１側に配置することができる。このような構成によると、ヒータ１００のうち、プラテンローラ８０１により近い部分の温度を検出することができる。このことは、発熱抵抗体２の発熱量をより適切に制御するのに適する。 In the present embodiment, the thermistor layer 3 in the heater 100 can be disposed on the platen roller 801 side. According to such a configuration, it is possible to detect the temperature of the heater 100 closer to the platen roller 801. This is suitable for more appropriately controlling the amount of heat generated by the heating resistor 2.

上述の説明では、装置８００においては、サーミスタをプラテンローラ８０１側に配置したが、発熱抵抗体２をプラテンローラ８０１側に配置してもよい。すなわち、ヒータ１００を図１に示した状態から裏返して、用いてもよい。 In the above description, in the apparatus 800, the thermistor is disposed on the platen roller 801 side, but the heating resistor 2 may be disposed on the platen roller 801 side. That is, the heater 100 may be turned over from the state shown in FIG.

なお、以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。 In the following description, the same or similar components as those described above will be denoted by the same reference numerals as those described above, and description thereof will be omitted as appropriate.

＜第１実施形態の第１変形例＞
図１１〜図１２を用いて、本発明の第１実施形態の第１変形例について説明する。 <First Modification of First Embodiment>
A first modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１１は、本発明の第１実施形態の第１変形例にかかるヒータの平面図（一部透視化）である。図１２は、図１１から保護層を省略した図である。 FIG. 11 is a plan view (partially see through) of the heater according to the first modification of the first embodiment of the present invention. FIG. 12 is a diagram in which the protective layer is omitted from FIG.

同図に示すヒータ１００Ａは、サーミスタ層３およびサーミスタ用電極６１の形状が、ヒータ１００におけるものとは異なり、その他の点はヒータ１００と同様である。 The heater 100A shown in the figure is the same as the heater 100 except that the thermistor layer 3 and the thermistor electrode 61 are different from those in the heater 100.

本変形例では、サーミスタ層３は、局所的に形成されている。具体的には、基板１の長手方向Ｘにおけるサーミスタ層３の寸法Ｌ１１は、基板１の短手方向Ｙにおける基板１の寸法の１〜５倍である。また、平面視においてサーミスタ層３はサーペンダイン状となっている。また、第１サーミスタ用連絡部６１２および第２サーミスタ用連絡部６１７は、ヒータ１００におけるものと比べて、長い。 In this modification, the thermistor layer 3 is formed locally. Specifically, the dimension L11 of the thermistor layer 3 in the longitudinal direction X of the substrate 1 is 1 to 5 times the dimension of the substrate 1 in the lateral direction Y of the substrate 1. Further, the thermistor layer 3 has a serpentine shape in plan view. Further, the first thermistor connecting portion 612 and the second thermistor connecting portion 617 are longer than those in the heater 100.

本変形例の構成によると、サーミスタ層３が局所的に形成されているため、ヒータ１００のうち長手方向Ｘのある箇所における温度を、より的確に知ることができる。 According to the configuration of this modification, since the thermistor layer 3 is locally formed, the temperature at a location in the longitudinal direction X of the heater 100 can be known more accurately.

本変形例では、ヒータ１００Ａのある一つの箇所の温度を検出する構成を示したが、サーミスタ層３と同様の構成である追加のサーミスタ層を１個または複数個、基板１に形成してもよい。 In the present modification, a configuration is shown in which the temperature of one location of the heater 100A is detected. However, one or more additional thermistor layers having the same configuration as the thermistor layer 3 may be formed on the substrate 1. Good.

＜第２実施形態＞
図１３〜図１６を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。 Second Embodiment
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１３は、本発明の第２実施形態にかかる装置の断面図である。 FIG. 13 is a sectional view of an apparatus according to the second embodiment of the present invention.

同図に示す装置８００Ａは、たとえばＯＡ機器（たとえば電子複写機、ファクシミリ、プリンタ）のトナー定着等に用いられる。装置８００Ａは、ヒータ１０１と、発熱電源部８１１（図示略、図２参照）と、温度検出部８１２（図示略、図２参照）と、制御部８１５（図示略、図２参照）と、プラテンローラ８０１と、を備える。ヒータ１０１を除く各構成は、第１実施形態におけるものと同様であるから説明を省略する。 An apparatus 800A shown in the figure is used, for example, for toner fixing of an OA device (for example, an electronic copying machine, a facsimile, a printer). The apparatus 800A includes a heater 101, a heat generation power supply unit 811 (not shown, see FIG. 2), a temperature detection unit 812 (not shown, see FIG. 2), a control unit 815 (not shown, see FIG. 2), a platen A roller 801. Each configuration excluding the heater 101 is the same as that in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

図１４は、本発明の第２実施形態にかかるヒータの平面図（一部透視化）である。図１５は、図１４から保護層を省略した図である。図１６は、図１４のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。 FIG. 14 is a plan view (partially see through) of the heater according to the second embodiment of the present invention. FIG. 15 is a diagram in which the protective layer is omitted from FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI-XVI in FIG.

これらの図に示すヒータ１０１は、発熱抵抗体２およびサーミスタ層３が同一面に形成されている点において、ヒータ１００と相違する。以下具体的に説明する。 The heater 101 shown in these drawings is different from the heater 100 in that the heating resistor 2 and the thermistor layer 3 are formed on the same surface. This will be specifically described below.

発熱抵抗体２および抵抗体用電極５については、第１実施形態における説明を適用できるため、本実施形態では説明を省略する。 Since the description in the first embodiment can be applied to the heating resistor 2 and the resistor electrode 5, the description is omitted in this embodiment.

サーミスタ層３は基板１に形成されている。サーミスタ層３は基板１に直接接している。本実施形態においては、サーミスタ層３は第２基板主面１２に形成されている。サーミスタ層３は第２基板主面１２に直接接している。サーミスタ層３は、発熱抵抗体２の温度、あるいは、ヒータ１０１の任意の箇所の温度を検出するために形成されている。本実施形態では、サーミスタ層３は、温度変化に起因して抵抗値が変化する材料よりなる。サーミスタ層３は、たとえば、酸化ルテニウムよりなる。サーミスタ層３は、たとえば、印刷またはスパッタにより形成される。サーミスタ層３が印刷により形成される場合、サーミスタ層３の厚さは、たとえば、５〜１５μｍである。サーミスタ層３がスパッタにより形成される場合、サーミスタ層３の厚さは、たとえば、０．５〜１．５μｍである。サーミスタ層３は、基板１の長手方向Ｘにおいて、発熱抵抗体２に対して重なる部分を有している。サーミスタ層３は、発熱抵抗体２の第１長状部２１および第２長状部２２の間に形成されている。 The thermistor layer 3 is formed on the substrate 1. The thermistor layer 3 is in direct contact with the substrate 1. In the present embodiment, the thermistor layer 3 is formed on the second substrate main surface 12. The thermistor layer 3 is in direct contact with the second substrate main surface 12. The thermistor layer 3 is formed in order to detect the temperature of the heating resistor 2 or the temperature of an arbitrary portion of the heater 101. In the present embodiment, the thermistor layer 3 is made of a material whose resistance value changes due to a temperature change. The thermistor layer 3 is made of, for example, ruthenium oxide. The thermistor layer 3 is formed by printing or sputtering, for example. When the thermistor layer 3 is formed by printing, the thermistor layer 3 has a thickness of, for example, 5 to 15 μm. When the thermistor layer 3 is formed by sputtering, the thermistor layer 3 has a thickness of 0.5 to 1.5 μm, for example. The thermistor layer 3 has a portion that overlaps the heating resistor 2 in the longitudinal direction X of the substrate 1. The thermistor layer 3 is formed between the first elongated portion 21 and the second elongated portion 22 of the heating resistor 2.

サーミスタ用電極６１は、第１基板主面１１ではなく、第２基板主面１２に形成されている点を除き、第１実施形態における説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。 Since the thermistor electrode 61 can be applied to the description of the first embodiment except that the thermistor electrode 61 is formed not on the first substrate main surface 11 but on the second substrate main surface 12, the description thereof is omitted in this embodiment.

保護層７は、発熱抵抗体２およびサーミスタ層３を覆っている。また、保護層７は発熱抵抗体２およびサーミスタ層３に直接接している。更に保護層７は、抵抗体用電極５の一部およびサーミスタ用電極６１の一部を覆っている。具体的には、保護層７は、第１抵抗体用連絡部５１２と第２抵抗体用連絡部５１７と第１サーミスタ用連絡部６１２と第２サーミスタ用連絡部６１７とを覆っている。保護層７からは、抵抗体用電極５の一部およびサーミスタ用電極６１の一部が露出している。具体的には、保護層７からは、第１抵抗体用電極パッド５１１と、第２抵抗体用パッド５１６と、第１サーミスタ用パッド６１１と、第２サーミスタ用パッド６１６と、が露出している。保護層７は、たとえばガラスあるいはポリイミドよりなる。 The protective layer 7 covers the heating resistor 2 and the thermistor layer 3. The protective layer 7 is in direct contact with the heating resistor 2 and the thermistor layer 3. Further, the protective layer 7 covers a part of the resistor electrode 5 and a part of the thermistor electrode 61. Specifically, the protective layer 7 covers the first resistor connecting portion 512, the second resistor connecting portion 517, the first thermistor connecting portion 612, and the second thermistor connecting portion 617. A part of the resistor electrode 5 and a part of the thermistor electrode 61 are exposed from the protective layer 7. Specifically, the first resistor electrode pad 511, the second resistor pad 516, the first thermistor pad 611, and the second thermistor pad 616 are exposed from the protective layer 7. Yes. The protective layer 7 is made of, for example, glass or polyimide.

本実施形態によると、ヒータ１００で述べた作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。 According to the present embodiment, in addition to the operational effects described for the heater 100, the following operational effects are achieved.

本実施形態においては、サーミスタ層３は、第１長状部２１と第２長状部２２との間に配置されている。このような構成によると、サーミスタ層３を、基板１の短手方向Ｙにおける中心側に配置できる。これにより、プラテンローラ８０１と平面視において、保護層７のうちプラテンローラ８０１と接触する箇所の温度を、より的確に検出できる。このことは、発熱抵抗体２の発熱量をより適切に制御するのに適する。 In the present embodiment, the thermistor layer 3 is disposed between the first elongated portion 21 and the second elongated portion 22. According to such a configuration, the thermistor layer 3 can be disposed on the center side in the lateral direction Y of the substrate 1. Thereby, the temperature of the part which contacts the platen roller 801 among the protective layers 7 in planar view with the platen roller 801 can be detected more accurately. This is suitable for more appropriately controlling the amount of heat generated by the heating resistor 2.

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The present invention is not limited to the embodiment described above. The specific configuration of each part of the present invention can be changed in various ways.

上述の説明では、サーミスタ層が第１基板主面１１あるいは第２基板主面１２のいずれかに形成されている例を示したが、第１基板主面１１および第２基板主面１２の両面に形成されていてもよい。 In the above description, an example in which the thermistor layer is formed on either the first substrate main surface 11 or the second substrate main surface 12 has been described, but both the first substrate main surface 11 and the second substrate main surface 12 are provided. It may be formed.

１基板
１００，１００Ａ，１０１ヒータ
１１第１基板主面
１２第２基板主面
１３第１基板側面
１３１第１平坦面
１３２第１傾斜面
１４第２基板側面
１４１第２平坦面
１４２第２傾斜面
１５第１基板端面
１５１平坦面
１５２傾斜面
１６第２基板端面
１６１平坦面
１６２傾斜面
２発熱抵抗体
２１第１長状部
２２第２長状部
３サーミスタ層
３１第１帯状部
３２第２帯状部
３３連結部
５抵抗体用電極
５１１第１抵抗体用電極パッド
５１２第１抵抗体用連絡部
５１６第２抵抗体用パッド
５１７第２抵抗体用連絡部
５９連結部
６１サーミスタ用電極
６１１第１サーミスタ用パッド
６１２第１サーミスタ用連絡部
６１６第２サーミスタ用パッド
６１７第２サーミスタ用連絡部
７保護層
７１第１保護部
７１１第１面
７２第２保護部
７２１第２面
８００，８００Ａ装置
８０１プラテンローラ
８１１発熱電源部
８１２温度検出部
８１５制御部
８２１抵抗体用接続部
８２４サーミスタ用接続部
Ｄｃ被加熱媒体
Ｌ１１寸法
Ｔｄ温度信号
Ｖｄ発熱量信号
Ｘ長手方向
Ｙ短手方向
Ｚ厚さ方向 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 100,100A, 101 Heater 11 1st board | substrate main surface 12 2nd board | substrate main surface 13 1st board | substrate side surface 131 1st flat surface 132 1st inclined surface 14 2nd substrate side surface 141 2nd flat surface 142 2nd inclined surface 15 First substrate end surface 151 Flat surface 152 Inclined surface 16 Second substrate end surface 161 Flat surface 162 Inclined surface 2 Heating resistor 21 First elongated portion 22 Second elongated portion 3 Thermistor layer 31 First strip portion 32 Second strip shape Part 33 Connecting part 5 Resistor electrode 511 First resistor electrode pad 512 First resistor connecting part 516 Second resistor pad 517 Second resistor connecting part 59 Connecting part 61 Thermistor electrode 611 First Thermistor pad 612 First thermistor connecting part 616 Second thermistor pad 617 Second thermistor connecting part 7 Protective layer 71 First protective part 711 First surface 72 Second protective part 21 Second surface 800, 800A Device 801 Platen roller 811 Heat generation power supply unit 812 Temperature detection unit 815 Control unit 821 Resistor connection unit 824 Thermistor connection unit Dc Heated medium L11 Dimension Td Temperature signal Vd Heat generation amount signal X Longitudinal direction Y Short direction Z Thickness direction

Claims

A longitudinal substrate;
A heating resistor formed on the substrate;
A temperature detection layer formed on the substrate;
A temperature detection electrode formed on the substrate and conducting to the temperature detection layer;
A protective layer formed on the substrate and covering the temperature detection layer,
The substrate has a first substrate main surface and a second substrate main surface facing opposite sides,
The temperature detection layer and the heating resistor are both formed on the second substrate main surface,
The temperature detection layer has a portion located between two portions of the heating resistor that are spaced apart from each other in the short direction of the substrate,
A resistor electrode formed on the second substrate main surface of the substrate and conducting to the heating resistor, and formed on the second substrate main surface of the substrate and conducting to the temperature detection layer. An electrode for temperature detection layer,
The resistor electrode has a first resistor electrode pad and a second resistor electrode pad,
A part of the temperature detection layer electrode is located between the first resistor electrode pad and the second resistor electrode pad,
The heating resistor includes a first elongated portion and a second elongated portion, each extending along the longitudinal direction of the substrate,
The first long part and the second long part are separated in the short direction of the substrate,
One of the two sites in the temperature detection layer has a first side surface,
The first side surface, between the first long-shaped portion and the second long-shaped section, with opposed to the previous SL side of the first long-shaped portion, from said temperature sensing layer electrode of the first long-shaped portion A heater extending along the side surface.

The heater according to claim 1, wherein the temperature detection layer has a portion overlapping the heating resistor in the longitudinal direction of the substrate.

The temperature detection layer includes a first belt-like portion and a second belt-like portion, each extending along a longitudinal direction of the substrate, and the first belt-like portion and the second belt-like portion are separated in a short direction of the substrate. The heater according to claim 1 or 2, wherein

The heater according to claim 1 or 2, wherein a dimension of the temperature detection layer in a longitudinal direction of the substrate is 1 to 5 times a dimension of the substrate in a lateral direction of the substrate.

The other of said two sites in the temperature detection layer has a second side, said second side surface, in between the first long-shaped portion and the second long-shaped section, before Symbol second long-shaped portion The heater according to any one of claims 1 to 4, wherein the heater extends from the temperature detection layer electrode along the side surface of the second elongated portion.

The heater according to claim 5, wherein the temperature detection layer has a rectangular portion .

The heater according to claim 6, wherein the protective layer covers the first elongated portion, the second elongated portion, and the resistor electrode.

Before Symbol first resistor electrode pad and the second resistor electrode pad is exposed from the protective layer, heater according to claim 6 or claim 7.

The resistor electrode has a first resistor connecting portion and a second resistor connecting portion,
The first resistor connecting portion is connected to the first resistor electrode pad and is in contact with the first elongated portion;
The second resistor connecting portion is connected to the second resistor electrode pad and is in contact with the second elongated portion,
The heater according to claim 8, wherein the first resistor connecting portion and the second resistor connecting portion are covered with the protective layer.

The heater according to claim 8, wherein the resistor electrode includes a connecting portion that contacts both the first elongated portion and the second elongated portion.

The heater according to claim 10, wherein the communication portion is formed on the opposite side of the heating resistor from the first resistor electrode pad.

The substrate has a longitudinal first substrate side surface and a longitudinal second substrate side surface,
The first substrate side surface has a first flat surface connected to the second substrate main surface, and a first inclined surface connected to the first flat surface and the first substrate main surface,
The heater according to claim 1, wherein the first inclined surface is inclined with respect to a thickness direction of the substrate such that the first inclined surface and the first flat surface form an obtuse angle.

The heater according to any one of claims 1 to 12, wherein the heating resistor is made of AgPd.

The heater according to claim 1, wherein the temperature detection layer is made of ruthenium oxide.

The heater according to any one of claims 1 to 14, wherein the temperature detection layer has a thickness of 0.5 to 15 µm.

The heater according to any one of claims 1 to 15, wherein the temperature detection layer is formed by printing or sputtering.

The heater according to any one of claims 1 to 16, wherein the substrate is made of ceramic.

The heater according to claim 17, wherein the ceramic is alumina, zirconia, or aluminum nitride.

The heater according to any one of claims 1 to 18, wherein the protective layer is made of glass.

A heater according to any one of claims 1 to 19,
A resistor connecting portion connected to the heating resistor;
And a temperature detection connecting portion connected to the temperature detection layer.

A heat generating power supply for supplying power to the heating resistor;
Based on the output from the temperature detection layer, further comprising a temperature detection unit for detecting the temperature,
The heating power supply unit is connected to the heating resistor via the resistor connecting portion,
21. The apparatus according to claim 20, wherein the temperature detection unit is connected to the temperature detection layer via the temperature detection connection unit.

A control unit;
The control unit receives a temperature signal corresponding to the temperature detected by the temperature detection unit from the temperature detection unit,
The apparatus according to claim 21, wherein the control unit sends a heat generation amount signal corresponding to a heat generation amount generated by the heat generation resistor to the heat generation resistor.

The apparatus according to any one of claims 20 to 22, further comprising a platen roller facing the heater.