JP2002246150A - Heating element, heating device, and imaging device - Google Patents

Heating element, heating device, and imaging device

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JP2002246150A
JP2002246150A JP2001040328A JP2001040328A JP2002246150A JP 2002246150 A JP2002246150 A JP 2002246150A JP 2001040328 A JP2001040328 A JP 2001040328A JP 2001040328 A JP2001040328 A JP 2001040328A JP 2002246150 A JP2002246150 A JP 2002246150A
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JP
Japan
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heating
insulating layer
heating element
temperature
heat
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JP2001040328A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahide Hirai
政秀 平井
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Original Assignee
Canon Inc
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  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Fixing For Electrophotography (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating element (a metal heater) 3, including a conductor base material 30, a first insulation layer 31 formed on a one surface side of the conductor base material, at least a heat generating resistance pattern 32 formed on the first insulation layer, a second insulating layer 35 formed, so as to cover the heat generating resistance pattern, and a third insulation layer 36 formed on an other surface side as an opposite surface side to the one surface side of the conductor base material, capable of having superior heat insulating property and good responsiveness of a temperature-detecting element. SOLUTION: The heating element includes a temperature-detecting element abutting area 39, which the temperature detecting element 37 for detecting a temperature of the heating element is abutted or arranged adjacent on the one surface side of the heating element 3. The insulating layer is not formed, only in the temperature detecting element abutting area. Or the insulating layer is formed to be thin, a surface roughness is reduced, or the thermal conductivity increases only in the temperature-detecting element abutting area.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、加熱体、加熱装
置、及び画像形成装置に関する。
The present invention relates to a heating element, a heating device, and an image forming apparatus.

【0002】より具体的は、加熱体基材(ヒータ基板)
として導体を用いた加熱体、該加熱体を用いた加熱装
置、及び該加熱装置を未定着画像の加熱定着手段として
備えた画像形成装置に関する。
More specifically, a heating base material (heater substrate)
The present invention relates to a heating element using a conductor, a heating device using the heating element, and an image forming apparatus including the heating apparatus as a heating and fixing unit for an unfixed image.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来、例えば、電子写真、静電記録、磁
気記録等の適宜の作像プロセスを用いた複写機、プリン
タ、ファクシミリ等の画像出力装置において、記録材に
転写方式あるいは直接方式で形成担持させたトナー像を
記録材面に定着させる定着装置(像加熱装置)としては
熱ローラ方式の加熱装置が用いられてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an image output apparatus such as a copying machine, a printer, a facsimile or the like using an appropriate image forming process such as electrophotography, electrostatic recording, or magnetic recording, a transfer method or a direct method is applied to a recording material. As a fixing device (image heating device) for fixing the formed and carried toner image on the recording material surface, a heating device of a heat roller type has been used.

【0004】この熱ローラ方式の加熱装置は、内部にヒ
ータを備えた金属製のローラと、それに圧接する弾性を
持つ加圧ローラを基本構成として、この一対のローラに
よりできる定着ニップ部(圧接ニップ部)に被加熱部材
としての記録材を導入して挟持搬送、通過させることに
より、トナー像を加熱、加圧して定着させるものであ
る。
This heating device of the heat roller type basically has a metal roller provided with a heater inside and a pressure roller having elasticity which presses against the metal roller, and a fixing nip portion (pressing nip) formed by the pair of rollers. The toner image is heated, pressed, and fixed by introducing a recording material as a member to be heated into the unit, and nipping, conveying, and passing the recording material.

【0005】しかし、このような熱ローラ方式の加熱装
置では、ローラの熱容量が大きいためにローラ表面を定
着温度まで上げるのには非常に多くの時間を要してい
た。また、このため、画像出力動作を速やかに実行する
ためには、装置を使用していないときにもローラ表面を
ある程度の温度に温調していなければならないという問
題点があった。
However, in such a heating device of the heat roller type, it takes a very long time to raise the surface of the roller to the fixing temperature because the heat capacity of the roller is large. In addition, in order to quickly execute the image output operation, there is a problem that the roller surface must be adjusted to a certain temperature even when the apparatus is not used.

【0006】そこで、これらの問題点を解決するために
考案された加熱装置として、本出願人の先の出願に係る
例えば特開昭63―313182号公報、特開平2―1
57878号公報等に開示のフィルム加熱方式の加熱装
置がある。
Therefore, as a heating device designed to solve these problems, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-313182 and Japanese Patent Application Laid-Open No.
There is a heating device of a film heating type disclosed in Japanese Patent No. 57878 and the like.

【0007】このフィルム加熱方式の加熱装置は通常、
薄肉の耐熱性フィルムと、このフィルムの一方面側に固
定支持して配置された加熱体(以下、ヒータと記す)
と、他方面側にヒータに対向して配置された、ヒータに
対してフィルムを介して被加熱部材を密着させる加圧部
材とからなっている。
This film heating type heating apparatus is usually
A thin heat-resistant film and a heating element fixedly supported and arranged on one side of the film (hereinafter referred to as a heater)
And a pressurizing member disposed on the other side of the heater so as to face the heater, and to bring the member to be heated into close contact with the heater via the film.

【0008】フィルムを挟んでヒータと加圧部材との圧
接で形成される圧接ニップ部のフィルムと加圧部材との
間に、被加熱部材、像加熱装置にあってはトナー像を形
成担持させた記録材を導入して通過させることにより、
記録材の顕画像担持面がフィルムを介してヒータで加熱
され、未定着画像に熱エネルギーを付与し、トナーが軟
化、溶融して画像の加熱定着がなされる。
A member to be heated and, in the case of an image heating apparatus, a toner image are formed and held between a film and a pressing member in a pressure contact nip formed by pressing the heater and the pressing member with the film interposed therebetween. By introducing and passing the recording material
The visible image carrying surface of the recording material is heated by a heater via the film, and thermal energy is applied to the unfixed image, so that the toner is softened and melted to heat and fix the image.

【0009】このフィルム加熱方式はクイックスタート
性に優れ、またスタンバイ時の消費電力も大幅に削減で
き、オンデマンドタイプの加熱装置を構成することがで
きる。
This film heating system is excellent in quick start performance, can greatly reduce the power consumption during standby, and can constitute an on-demand type heating device.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来、このようなフィ
ルム加熱方式を採用した定着装置には、例えばヒータと
してはセラミックヒータのように基板としてアルミナ等
のセラミック基材が用いられることが多いが、セラミッ
クが脆いこと、あるいはコストが高いこと、曲げ加工等
に適さない等の問題があった。
Conventionally, in a fixing apparatus employing such a film heating method, for example, a ceramic base material such as alumina is often used as a substrate, for example, a ceramic heater as a heater. There are problems that the ceramic is brittle, the cost is high, and the ceramic is not suitable for bending and the like.

【0011】そこで、特開平9−244442号公報、
特開平10−275671号公報では、金属材上に絶縁
層を形成することで、従来のセラミックス基材と同等の
絶縁性を持たせた基材を作り、その上に発熱抵抗パター
ンや導電パターン、最上層の絶縁摺動層を形成した加熱
体(導体基板ヒータ、以下、金属ヒータと記す)が提案
されている。
Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-244442,
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-275671, a base material having insulating properties equivalent to that of a conventional ceramic base material is formed by forming an insulating layer on a metal material, and a heating resistance pattern, a conductive pattern, A heating element (conductor substrate heater, hereinafter referred to as metal heater) having an uppermost insulating sliding layer has been proposed.

【0012】このようにヒータの基板材質に熱伝導率の
高い金属性基板等の導体基板を用いることで、ヒータ温
度を全域にわたり均一にでき、特に両端部での温度低下
を容易に防止できることによって長手にわたって生じや
すい定着ムラや光沢ムラ、オフセット等の画像ムラのな
い良好な画像を形成できる。また、ヒータの昇温スピー
ドも向上させることができ、よりクイックスタート性を
高めることが可能となる。さらにはセラミック等に比べ
金属性基板の破断強度自体が非常に高いので、ヒータの
急激な昇温時に生じる熱ストレス等に対して基板の破断
等がなく、また、製造工程での基板割れ等の問題の発生
も抑えることができ、生産性も高めることが可能とな
る。
By using a conductor substrate such as a metal substrate having a high thermal conductivity as the substrate material of the heater in this manner, the heater temperature can be made uniform over the entire area, and the temperature drop at both ends can be easily prevented. A good image can be formed without image unevenness such as fixing unevenness, gloss unevenness, and offset which are likely to occur over the length. In addition, the temperature rising speed of the heater can be improved, and the quick start property can be further improved. Furthermore, since the rupture strength of the metallic substrate itself is very high compared to ceramics, etc., there is no rupture of the substrate due to thermal stress or the like generated when the temperature of the heater rises rapidly. Problems can be suppressed, and productivity can be increased.

【0013】また、ヒータとしては、より迅速に温度を
立ち上げるためにはヒータの熱を効率よく被加熱部材に
与えることが必要であり、ヒータに必要な特性として
は、ヒータ表面側(被加熱部材に対向する面側、通紙面
側、以下同じ)の熱伝導を向上させ、効率よく、フィル
ム、記録材へ熱を付与させると同時に、ヒータ裏面側
(被加熱部材に対向する面側とは反対面側、非通紙面
側、以下同じ)にはヒータ支持体等への熱の逃げを極力
抑えるような断熱の効果があることが望ましい。
Further, in order to raise the temperature more quickly, it is necessary for the heater to efficiently supply the heat of the heater to the member to be heated. Improves the heat conduction on the surface side facing the member, the paper passing side side, the same applies hereinafter) to efficiently apply heat to the film and the recording material, and at the same time, the back side of the heater (the surface side facing the member to be heated) It is desirable that the opposite surface side, the non-sheet passing surface side, and the same hereinafter) have a heat insulating effect to minimize the escape of heat to the heater support and the like.

【0014】一方、ヒータ裏面側にはヒータの温度を検
知し、所望の温度に制御するための温度検知素子である
サーミスタ等を当接または近接させ、ヒータ温度所望の
温度に制御する必要があるが、このサーミスタ当接域に
おいても同様に断熱効果がある場合、サーミスタ検知温
度の検知精度が悪化し、ヒータ温度のオーバーシュート
やアンダーシュート等のいわゆる温度リップルが大きく
なってしまうため、正確な温調温度制御が困難になる場
合が生じてしまう。
On the other hand, it is necessary to control the heater temperature to a desired temperature by contacting or approaching a thermistor or the like as a temperature detecting element for detecting the temperature of the heater and controlling the temperature to a desired temperature on the back surface side of the heater. However, if the thermistor contact area also has a heat insulating effect, the accuracy of detection of the thermistor detection temperature deteriorates, and so-called temperature ripple such as overshoot and undershoot of the heater temperature increases. In some cases, the temperature control becomes difficult.

【0015】本発明は、上述の点に鑑み成されたもの
で、金属ヒータについて、加工性がよく、高強度でかつ
熱効率が優れ、同時に正確な温度制御を可能にする金属
ヒータ、該ヒータを用いた加熱装置、及び該加熱装置を
未定着画像の加熱定着手段として備えた画像形成装置を
提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and provides a metal heater having good workability, high strength and excellent thermal efficiency, and at the same time enabling accurate temperature control. An object of the present invention is to provide a heating device used and an image forming apparatus provided with the heating device as a heating and fixing unit for an unfixed image.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明は下記の構成を特
徴とする、加熱体、加熱装置、及び画像形成装置であ
る。
According to the present invention, there is provided a heating element, a heating apparatus, and an image forming apparatus having the following constitutions.

【0017】(1)導体基材と、この導体基材の一方面
側に形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に
形成された、少なくとも発熱抵抗パターンと、この発熱
抵抗パターンを覆うように形成された第二の絶縁層と、
導体基材の前記一方面側とは反対面側である他方面側に
形成された第三の絶縁層とを有する加熱体であって、そ
の加熱体の一方面側に、加熱体の温度を検知する温度検
知素子を当接または近接配置させる温度検知素子当接域
を持ち、且つその温度検知素子当接域においてのみ前記
絶縁層を形成しないことを特徴とする加熱体。
(1) A conductive base material, a first insulating layer formed on one surface side of the conductive base material, at least a heating resistance pattern formed on the first insulating layer, A second insulating layer formed to cover the resistance pattern,
A heating element having a third insulating layer formed on the other surface side opposite to the one surface side of the conductive base material, and the temperature of the heating element on one surface side of the heating element. A heating element having a temperature detection element contact area in which a temperature detection element to be detected is in contact with or close to the temperature detection element, and wherein the insulating layer is not formed only in the temperature detection element contact area.

【0018】(2)導体基材と、この導体基材の一方面
側に形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に
形成された、少なくとも発熱抵抗パターンと、この発熱
抵抗パターンを覆うように形成された第二の絶縁層と、
導体基材の前記一方面側とは反対面側である他方面側に
形成された第三の絶縁層とを有する加熱体であって、そ
の加熱体の一方面側に、加熱体の温度を検知する温度検
知素子を当接または近接配置させる温度検知素子当接域
を持ち、且つその温度検知素子当接域においてのみ前記
絶縁層を温度検知素子当接域以外の領域に形成した絶縁
層膜厚に対して薄く形成することを特徴とする加熱体。
(2) A conductor substrate, a first insulating layer formed on one side of the conductor substrate, at least a heating resistor pattern formed on the first insulating layer, A second insulating layer formed to cover the resistance pattern,
A heating element having a third insulating layer formed on the other surface side opposite to the one surface side of the conductive base material, and the temperature of the heating element on one surface side of the heating element. An insulating layer film having a temperature sensing element contact area in which a temperature sensing element to be sensed is abutted or disposed in close proximity, and the insulating layer is formed only in the temperature sensing element abutting area in a region other than the temperature sensing element abutting area A heating element characterized by being formed thin with respect to its thickness.

【0019】(3)導体基材と、この導体基材の一方面
側に形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に
形成された、少なくとも発熱抵抗パターンと、この発熱
抵抗パターンを覆うように形成された第二の絶縁層と、
導体基材の前記一方面側とは反対面側である他方面側に
形成された第三の絶縁層とを有する加熱体であって、そ
の加熱体の一方面側に、加熱体の温度を検知する温度検
知素子を当接または近接配置させる温度検知素子当接域
を持ち、且つその温度検知素子当接域においてのみ前記
絶縁層の表面粗さを、温度検知素子当接域以外の領域に
形成した絶縁層の表面粗さに対して小さくすることを特
徴とする加熱体。
(3) a conductor substrate, a first insulating layer formed on one surface side of the conductor substrate, at least a heat generating resistance pattern formed on the first insulating layer, A second insulating layer formed to cover the resistance pattern,
A heating element having a third insulating layer formed on the other surface side opposite to the one surface side of the conductive base material, and the temperature of the heating element on one surface side of the heating element. It has a temperature sensing element contact area where the temperature sensing element to be sensed is abutted or arranged close to it, and the surface roughness of the insulating layer only in the temperature sensing element abutting area, in an area other than the temperature sensing element abutting area. A heating element characterized in that the surface roughness of the formed insulating layer is reduced.

【0020】(4)導体基材と、この導体基材の一方面
側に形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に
形成された、少なくとも発熱抵抗パターンと、この発熱
抵抗パターンを覆うように形成された第二の絶縁層と、
導体基材の前記一方面側とは反対面側である他方面側に
形成された第三の絶縁層とを有する加熱体であって、そ
の加熱体の一方面側に、加熱体の温度を検知する温度検
知素子を当接または近接配置させる温度検知素子当接域
を持ち、且つその温度検知素子当接域においてのみ前記
絶縁層の熱伝導率を、温度検知素子当接域以外の領域に
形成した絶縁層の熱伝導率に対して高くすることを特徴
とする加熱体。
(4) A conductor substrate, a first insulating layer formed on one side of the conductor substrate, at least a heating resistor pattern formed on the first insulating layer, A second insulating layer formed to cover the resistance pattern,
A heating element having a third insulating layer formed on the other surface side opposite to the one surface side of the conductive base material, and the temperature of the heating element on one surface side of the heating element. It has a temperature sensing element contact area where the temperature sensing element to be sensed is abutted or arranged close to it, and the thermal conductivity of the insulating layer only in the temperature sensing element abutting area, in an area other than the temperature sensing element abutting area. A heating element characterized by increasing the thermal conductivity of the formed insulating layer.

【0021】(5)前記温度検知素子は加熱体の温度を
検知し所望の温度に制御させるためのものであることを
特徴とする(1)から(4)のいずれか1つに記載の加
熱体。
(5) The heating device according to any one of (1) to (4), wherein the temperature detecting element is for detecting the temperature of the heating body and controlling the temperature to a desired temperature. body.

【0022】(6)第一の絶縁層上に発熱抵抗パターン
及びこの発熱抵抗パターンに給電するための導電パター
ンが形成されていることを特徴とする(1)から(5)
のいずれか1つに記載の加熱体。
(6) On the first insulating layer, a heating resistor pattern and a conductive pattern for supplying power to the heating resistor pattern are formed (1) to (5).
The heating element according to any one of the above.

【0023】(7)第二の絶縁層側または第三の絶縁層
側が被加熱部材側であることを特徴とする(1)から
(6)のいずれか1つに記載の加熱体。
(7) The heating element according to any one of (1) to (6), wherein the second insulating layer side or the third insulating layer side is a heated member side.

【0024】(8)前記(1)から(7)のいずれか1
つに記載の加熱体を有し、この加熱体の熱エネルギーを
被加熱部材に直接あるいは他物を介して付与して被加熱
部材を加熱することを特徴とする加熱装置。
(8) Any one of the above (1) to (7)
A heating device, comprising: a heating member according to any one of (1) to (3), wherein the heating member is heated by applying heat energy of the heating member directly or via another object.

【0025】(9)加熱体と、それに圧接する加圧部材
との間のニップ部に被加熱部材を通過させることにより
加熱体の熱エネルギーを被加熱部材に付与して被加熱部
材を加熱する加熱装置であり、加熱体が(1)から
(7)のいずれか1つに記載の加熱体であることを特徴
とする加熱装置。
(9) By passing the member to be heated through the nip portion between the heating member and the pressing member pressed against the member, heat energy of the heating member is applied to the member to be heated to heat the member to be heated. A heating device, wherein the heating member is the heating member according to any one of (1) to (7).

【0026】(10)加熱体と、それに摺動するフィル
ムを有し、このフィルムを介した加熱体の熱エネルギー
により被加熱部材を加熱する加熱装置であり、加熱体が
(1)から(7)のいずれか1つに記載の加熱体である
ことを特徴とする加熱装置。
(10) A heating device that has a heating element and a film that slides on the heating element, and heats the member to be heated by the heat energy of the heating element via the film. A heating device according to any one of the above.

【0027】(11)加熱体と、それに摺動するフィル
ムと、このフィルムを介して加熱体と圧接する加圧部材
を有し、フィルムと加圧部材との間のニップ部に被加熱
部材を通過させることによりフィルムを介した加熱体の
熱エネルギーを被加熱部材に付与して被加熱部材を加熱
する加熱装置であり、加熱体が(1)から(7)のいず
れか1つに記載の加熱体であることを特徴とする加熱装
置。
(11) A heating element, a film that slides on the heating element, and a pressure member that presses against the heating element via the film, and the member to be heated is placed in a nip between the film and the pressure member. A heating device for heating a member to be heated by passing heat energy of the heating member through a film to the member to be heated by passing the film, wherein the heating member is described in any one of (1) to (7). A heating device, which is a heating element.

【0028】(12)被加熱部材が画像を担持した記録
材であり、加熱体の熱エネルギーを記録材に付与して画
像を加熱する像加熱装置であることを特徴とする(7)
から(11)のいずれか1つに記載の加熱装置。
(12) The object to be heated is a recording material carrying an image, and the image heating apparatus is an image heating device for heating the image by applying thermal energy of a heating body to the recording material.
The heating device according to any one of (1) to (11).

【0029】(13)被加熱部材が未定着画像を担持し
た記録材であり、加熱体の熱エネルギーを記録材に付与
して画像を熱定着させる加熱定着装置であることを特徴
とする(7)から(11)のいずれか1つに記載の加熱
装置。
(13) The heating member is a recording material that carries an unfixed image, and is a heat fixing device that applies heat energy of a heating body to the recording material to thermally fix the image (7). The heating device according to any one of (1) to (11).

【0030】(14)記録材上に未定着画像を形成担持
させる作像手段と、記録材上に形成担持させた未定着画
像を熱定着させる加熱定着手段を有する画像形成装置に
おいて、加熱定着手段が(7)から(11)のいずれか
1つに記載の加熱装置であることを特徴とする画像形成
装置。
(14) In an image forming apparatus having an image forming means for forming and carrying an unfixed image on a recording material and a heating and fixing means for thermally fixing the unfixed image formed and carried on the recording material, the heat fixing means Is the heating device according to any one of (7) to (11).

【0031】[作 用] 1)加熱体は導体基材を用いたものであるから前述した
金属ヒータの特長を十分に具備している。
[Operation] 1) Since the heating element uses a conductive base material, it has the above-mentioned features of the metal heater sufficiently.

【0032】第一の絶縁層は導体基材と発熱抵抗パター
ンとの電気的絶縁を確保する役目をする。
The first insulating layer serves to ensure electrical insulation between the conductor substrate and the heating resistor pattern.

【0033】加熱体を第二の絶縁層面側を被加熱部材に
対向する加熱体表面側にした「表面加熱型」とした場合
には、第二の絶縁層は加熱体の表面保護層として機能さ
せ、加熱体裏面側になる第三の絶縁層は加熱体支持体等
への熱の逃げを極力抑える断熱層として機能させる。そ
のために、第三の絶縁層は断熱層として第二の絶縁層に
対して例えば熱伝導率の小さいもの、厚さの厚いもの等
にする。
When the heating element is of a "surface heating type" in which the surface side of the second insulating layer faces the surface of the heating element facing the member to be heated, the second insulating layer functions as a surface protection layer of the heating element. Then, the third insulating layer on the back side of the heating element functions as a heat insulating layer for minimizing the escape of heat to the heating element support or the like. For this purpose, the third insulating layer is formed as a heat insulating layer having, for example, a small thermal conductivity or a large thickness with respect to the second insulating layer.

【0034】また逆に、加熱体をその第三の絶縁層面側
を被加熱部材に対向する加熱体表面側にした「裏面加熱
型」とした場合には、第三の絶縁層は加熱体の表面保護
層として機能させ、加熱体裏面側となる第二の絶縁層は
加熱体支持体等への熱の逃げを極力抑える断熱層として
機能させる。そのために、第二の絶縁層は断熱層として
第三の絶縁層に対して例えば熱伝導率熱伝導率の小さい
もの、厚さの厚いもの等にする。
Conversely, in the case where the heating element is of a “backside heating type” in which the third insulating layer surface side is the heating element surface side facing the member to be heated, the third insulating layer is formed of the heating element. The second insulating layer on the back side of the heating element functions as a surface protection layer, and functions as a heat insulating layer that minimizes the escape of heat to the heating element support and the like. For this purpose, the second insulating layer is made to have a low thermal conductivity, a large thermal conductivity, and the like, for example, as a heat insulating layer with respect to the third insulating layer.

【0035】2)上記の表面加熱型あるいは裏面加熱型
の加熱体において、加熱体の裏面側断熱層となる第三ま
たは第二の絶縁層の温度検知素子当接域においては、そ
の絶縁層を排除し、温度検知素子当接域以外の領域には
絶縁層を形成することで、加熱体の加熱体支持体への断
熱効果を達成すると同時に温度検知素子への伝熱を妨げ
ることなく良好な応答性を得られ、熱効率を上げること
が可能となり、立上げ時間の短縮や消費電力の削減に効
果があると同時に精度良く温調制御が可能になる。
2) In the above-mentioned heating element of the surface heating type or the backside heating type, in the region where the temperature sensing element of the third or second insulating layer to be the heat insulating layer on the back side of the heating element abuts, the insulating layer is Eliminating and forming an insulating layer in the area other than the temperature sensing element contact area achieves a heat insulating effect on the heating element support of the heating element and at the same time does not hinder the heat transfer to the temperature detection element. Responsiveness can be obtained and thermal efficiency can be increased, which is effective in shortening the start-up time and reducing power consumption, and at the same time enables accurate temperature control.

【0036】2)または、加熱体の裏面断熱層となる第
三または第二の絶縁層を温度検知素子当接域以外の領域
に対して温度検知素子当接域のみ厚さを薄く形成するこ
とで、加熱体の加熱体支持体への断熱効果を達成すると
同時に、温度検知素子部において最低限の絶縁耐圧性を
確保できることで温度検知素子への熱伝導を向上できか
つ温度検知素子自体の構成を比較的自由に設計すること
ができる。
2) Alternatively, the thickness of the third or second insulating layer serving as the heat insulating layer on the back surface of the heating element is reduced only in the area other than the area where the temperature sensing element is in contact. In addition to achieving the heat insulating effect of the heating element on the heating element support, the heat conduction to the temperature detection element can be improved by securing the minimum withstand voltage in the temperature detection element section, and the configuration of the temperature detection element itself Can be designed relatively freely.

【0037】3)または、加熱体の裏面断熱層となる第
三または第二の絶縁層の温度検知素子当接域の表面粗さ
を調整するだけで温度検知素子当接域における絶縁耐圧
を確保したまま、同時に温度検知素子への熱伝導性を向
上させ、より精度良く温調制御を可能にする。
3) Alternatively, the withstand voltage in the temperature sensing element contact area can be ensured only by adjusting the surface roughness of the temperature sensing element contact area of the third or second insulating layer serving as the backside heat insulating layer of the heating element. At the same time, the thermal conductivity to the temperature detecting element is improved, and the temperature control can be performed more accurately.

【0038】4)または、加熱体の裏面断熱層となる第
三または第二の絶縁層の温度検知素子当接域の熱伝導率
を調整するだけで温度検知素子当接域における絶縁耐圧
を確保したまま、同時に温度検知素子への熱伝導性を向
上させ、より精度良く温調制御を可能にする。
4) Alternatively, the withstand voltage in the temperature sensing element contact area can be ensured only by adjusting the thermal conductivity of the temperature sensing element contact area of the third or second insulating layer serving as the back surface heat insulating layer of the heating element. At the same time, the thermal conductivity to the temperature detecting element is improved, and the temperature control can be performed more accurately.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】以下、図面に沿って、本発明の実
施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0040】[第1の実施例] (1)画像形成装置例 図1は画像形成装置の一例の概略構成模型図である。本
例の画像形成装置は転写式電子写真プロセス利用の、例
えば複写機、プリンタ、ファクシミリ等である。
[First Embodiment] (1) Example of Image Forming Apparatus FIG. 1 is a schematic structural model diagram of an example of an image forming apparatus. The image forming apparatus of this embodiment is, for example, a copying machine, a printer, a facsimile, or the like that uses a transfer type electrophotographic process.

【0041】101は像担持体としてドラム型の電子写
真感光体(以下、感光ドラムと記す)である。感光ドラ
ム101は画像形成装置本体M内に回転自在に支持され
ており、駆動手段(不図示)によって矢印R1の時計方
向に所定のプロセススピードで回転駆動される。
Reference numeral 101 denotes a drum type electrophotographic photosensitive member (hereinafter, referred to as a photosensitive drum) as an image carrier. The photosensitive drum 101 is rotatably supported in the image forming apparatus main body M, and is rotationally driven at a predetermined process speed in a clockwise direction of an arrow R1 by a driving unit (not shown).

【0042】感光ドラム101の周囲には、その回転方
向に沿って順に、帯電ローラ(帯電装置)102、露光
手段103、現像装置104、転写ローラ(転写装置)
105、クリーニング装置106が配置されている。
Around the photosensitive drum 101, a charging roller (charging device) 102, an exposing unit 103, a developing device 104, and a transfer roller (transfer device) are arranged in this order along the rotation direction.
105 and a cleaning device 106 are arranged.

【0043】また、画像形成装置本体M内の下部には、
紙等のシート状の記録材(転写材)Pを収納した給紙カ
セット107が配置されている。そして、記録材Pの搬
送経路に沿って上流側から順に、給紙ローラ115、搬
送ローラ108、トップセンサ109、転写ローラ10
5、搬送ガイド110、加熱定着装置111、定着排紙
ローラ112、排出ローラ113、排紙トレイ114が
配置されている。
In the lower part of the image forming apparatus main body M,
A paper feed cassette 107 containing a sheet-like recording material (transfer material) P such as paper is arranged. Then, in order from the upstream side along the transport path of the recording material P, the paper feed roller 115, the transport roller 108, the top sensor 109, the transfer roller 10
5, a conveyance guide 110, a heat fixing device 111, a fixing paper discharge roller 112, a discharge roller 113, and a paper discharge tray 114 are arranged.

【0044】駆動手段によって矢印R1方向に回転駆動
された感光ドラム101は、帯電ローラ102によって
所定の極性、所定の電圧に一様に帯電される。
The photosensitive drum 101 rotated and driven in the direction of arrow R1 by the driving means is uniformly charged to a predetermined polarity and a predetermined voltage by the charging roller 102.

【0045】帯電後の感光ドラム101は、その表面に
対しレーザー光学系等の露光手段103によって画像情
報に基づいた画像露光Lがなされ、露光部分の電荷が除
去されて静電潜像が形成される。
The surface of the charged photosensitive drum 101 is subjected to image exposure L based on image information by exposure means 103 such as a laser optical system, and the charge of the exposed portion is removed to form an electrostatic latent image. You.

【0046】静電潜像は、現像装置104によって現像
される。現像装置104は、現像ローラ104aを有し
ており、この現像ローラ104aに現像バイアスを印加
して感光ドラム101上の静電潜像にトナーを付着させ
トナー像として現像(顕像化)する。
The electrostatic latent image is developed by the developing device 104. The developing device 104 has a developing roller 104a, and applies a developing bias to the developing roller 104a to attach toner to the electrostatic latent image on the photosensitive drum 101 to develop (visualize) as a toner image.

【0047】トナー像は、転写ローラ105によって紙
等の記録材Pに転写される。記録材Pは、給紙カセット
107に収納されており、給紙ローラ115によって給
紙され、搬送ローラ108によって搬送され、トップセ
ンサ109を介して、感光ドラム101と転写ローラ1
05との間の転写ニップ部に搬送される。このとき記録
材Pは、トップセンサ109によって先端が検知され、
感光ドラム101のトナー像と同期がとられる。転写ロ
ーラ105には、転写バイアスが印加され、これによ
り、感光ドラム101上のトナー像が記録材P上の所定
の位置に転写される。
The toner image is transferred to a recording material P such as paper by a transfer roller 105. The recording material P is stored in a paper feed cassette 107, fed by a feed roller 115, transported by a transport roller 108, and transferred to the photosensitive drum 101 and a transfer roller 1 via a top sensor 109.
05 is transferred to the transfer nip portion. At this time, the leading end of the recording material P is detected by the top sensor 109,
Synchronization with the toner image on the photosensitive drum 101 is achieved. A transfer bias is applied to the transfer roller 105, whereby the toner image on the photosensitive drum 101 is transferred to a predetermined position on the recording material P.

【0048】転写によって表面に未定着画像を担持した
記録材Pは、搬送ガイド110に沿って加熱定着装置1
11に搬送され、ここで未定着トナー像が加熱、加圧さ
れて記録材P表面に定着される。
The recording material P carrying an unfixed image on the surface by transfer is transferred to the heat fixing device 1 along a conveyance guide 110.
Then, the unfixed toner image is heated and pressed to be fixed on the surface of the recording material P.

【0049】トナー像定着後の記録材Pは、定着排紙ロ
ーラ112によって搬送され、排出ローラ113によっ
て画像形成装置本体Mの上面の排紙トレイ114上に排
出される。
The recording material P having the toner image fixed thereon is conveyed by a fixing discharge roller 112 and discharged by a discharge roller 113 onto a discharge tray 114 on the upper surface of the image forming apparatus main body M.

【0050】一方、トナー像転写後の感光ドラム101
は、記録材Pに転写されないで表面に残ったトナー(転
写残トナー)がクリーニング装置106のクリーニング
ブレード106aによって除去され、次の画像形成に供
される。
On the other hand, the photosensitive drum 101 after the transfer of the toner image
The toner remaining on the surface without being transferred to the recording material P (transfer residual toner) is removed by the cleaning blade 106a of the cleaning device 106, and is used for the next image formation.

【0051】以上の動作を繰り返すことで、次々と画像
形成を行うことができる。
By repeating the above operations, images can be formed one after another.

【0052】(2)加熱定着装置111 本例における加熱定着装置111は加圧ローラ駆動型・
テンションレスタイプのフィルム加熱方式の加熱装置で
ある。図2は該装置111の概略構成図である。図3は
定着ニップ部部分の部分拡大模型図である。
(2) Heat Fixing Device 111 The heat fixing device 111 in this embodiment is a pressure roller driving type.
It is a tensionless type film heating type heating device. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the device 111. FIG. 3 is a partially enlarged model view of the fixing nip portion.

【0053】1は円筒状(エンドレス)の薄肉の耐熱性
フィルム(定着フィルム)、2は横断面略半円形樋型の
加熱体支持体(ヒータ支持体)、3はこの加熱体支持体
2に支持させた加熱体である金属ヒータ、4はフィルム
1を挟んでヒータ3に圧接して定着ニップ部Nを形成す
る加圧部材としての加圧ローラである。
Reference numeral 1 denotes a cylindrical (endless) thin heat-resistant film (fixing film), 2 denotes a heater support (heater support) having a substantially semicircular cross section in cross section, and 3 denotes a heater support 2. The metal heater 4 as a supported heating element is a pressure roller as a pressure member that forms a fixing nip N by pressing against the heater 3 with the film 1 interposed therebetween.

【0054】円筒状フィルム1は、ヒータ3を含む加熱
体支持体2に外嵌させてあり、該円筒状フィルム1の内
周長とヒータ3を含む加熱体支持体2の外周長はフィル
ム1の方を例えば3mm程度大きくしてあり、したがっ
てフィルム1は加熱体支持体2に対し周長が余裕をもっ
てルーズに外嵌している。
The cylindrical film 1 is externally fitted to a heater support 2 including a heater 3. The inner peripheral length of the cylindrical film 1 and the outer peripheral length of the heater support 2 including the heater 3 are equal to the film 1. Is made larger, for example, by about 3 mm, so that the film 1 is loosely fitted to the heater supporting member 2 with a sufficient peripheral length.

【0055】フィルム1は熱容量を小さくしてクイック
スタート性を向上させるために、フィルム膜厚は100
μm以下、好ましくは50μm以下20μm以上の耐熱
性のあるPTFE、PFA、FEPの単層、あるいはポ
リイミド、ポリアミドイミド、PEEK、PES、PP
S等の外周表面にPTFE、PFA、FEP等をコーテ
ィングした複合層フィルムを使用できる。本実施例では
ポリイミドフィルムの外周表面にPTFEをコーティン
グしたものを用いた。
The film 1 has a film thickness of 100 in order to reduce the heat capacity and improve the quick start property.
μm or less, preferably 50 μm or less 20 μm or more heat-resistant single layer of PTFE, PFA, FEP, or polyimide, polyamideimide, PEEK, PES, PP
A composite layer film in which the outer peripheral surface of S or the like is coated with PTFE, PFA, FEP, or the like can be used. In this example, a polyimide film having an outer peripheral surface coated with PTFE was used.

【0056】加熱体支持体2は横断面略半円形樋型の部
材であり、断熱性・剛性を有する部材である。この加熱
体支持体2の下面側に長手に沿って、ヒータ3を嵌め入
れることができる細長・底浅溝状の座ぐり部21を具備
させてあり、この座ぐり部21内に金属ヒータ3を嵌め
入れて加熱体支持体2に支持させてある。加熱体支持体
2は、PPSや液晶ポリマー、フェノール樹脂といった
耐熱樹脂に、ガラスを入れて強度を増したものを用い
る。これらの樹脂は成型用の型に注入されて用いられ
る。
The heater support 2 is a member having a substantially semicircular trough-shaped cross section, and is a member having heat insulation and rigidity. An elongated and shallow groove-shaped counterbore 21 into which the heater 3 can be fitted is provided along the length of the lower surface of the heater support 2 along the length thereof. Are fitted and supported by the heater support 2. The heating body support 2 is made of a heat-resistant resin such as PPS, a liquid crystal polymer, or a phenol resin into which glass is added to increase the strength. These resins are used by being injected into a mold for molding.

【0057】ヒータ3は、本発明に従う加熱体としての
金属ヒータ(導体基板ヒータ)であり、図面に対して垂
直方向を長手とする細長・薄板状で、全体に低熱容量の
部材である。このヒータ3の構造については次の(3)
項で詳述するけれども、該ヒータ3の発熱抵抗パターン
への電力供給により迅速に発熱・昇温し、温調系で所定
の定着温度に温度管理される。より詳しくは、加熱体3
上に設けられたサーミスタ37の出力をA/D変換して
制御回路(CPU)10に取り込み、その情報をもとに
トライアック11によりヒータ3の発熱抵抗パターンに
通電するAC電圧を位相、波数制御等によりヒータ通電
電力を制御することで行う。
The heater 3 is a metal heater (conductor substrate heater) as a heating element according to the present invention, and is a member having a long and thin plate shape having a longitudinal direction perpendicular to the drawing and having a low heat capacity as a whole. The structure of the heater 3 is described in the following (3).
As will be described in detail, the power is supplied to the heating resistance pattern of the heater 3 to quickly generate heat and raise the temperature, and the temperature is controlled to a predetermined fixing temperature by a temperature control system. More specifically, heating element 3
The output of the thermistor 37 provided above is A / D-converted and taken into a control circuit (CPU) 10, and based on the information, the AC voltage applied to the heating resistance pattern of the heater 3 by the triac 11 is controlled in phase and wave number. This is performed by controlling the heater energization power by using the above method.

【0058】加圧ローラ4は、芯金41と、該芯金に同
心一体に設けたシリコンゴム等の離型性のよい耐熱ゴム
弾性層42からなり、芯金41の両端部をそれぞれ装置
の不図示のシャーシ側板間に軸受を介して回転自由に支
持させてある。
The pressure roller 4 is composed of a core 41 and a heat-resistant rubber elastic layer 42 having good releasability such as silicon rubber provided concentrically and integrally with the core. It is rotatably supported between chassis side plates (not shown) via bearings.

【0059】この加圧ローラ4の上側に、上記のフィル
ム1・加熱体支持体2・ヒータ3のアセンブリを、ヒー
タ3側を下向きして対向位置させ、加熱体支持体2に不
図示の付勢手段により押し下げ力を作用させてヒータ3
の下向き面をフィルム1を挟ませて加圧ローラ4の上面
に対してゴム弾性層4bの弾性に抗して所定の押圧力で
圧接させてある。これによりヒータ3と弾性加圧ローラ
4との間にフィルム1を挟んで所定幅の定着ニップ部N
が形成される。
On the upper side of the pressure roller 4, the above-described assembly of the film 1, the heater support 2, and the heater 3 is opposed to each other with the heater 3 side facing downward. The heater 3
Is pressed against the upper surface of the pressure roller 4 with a predetermined pressing force against the elasticity of the rubber elastic layer 4b with the film 1 interposed therebetween. Thus, the fixing nip portion N having a predetermined width with the film 1 interposed between the heater 3 and the elastic pressure roller 4 is formed.
Is formed.

【0060】加圧ローラ4は不図示の駆動手段により反
時計方向に所定の周速度で回転駆動される。この加圧ロ
ーラ4の回転による該ローラ4の外面とフィルム1の外
面との、定着ニップ部Nにおける圧接摩擦力で円筒状の
フィルム1に回転力が作用して、該フィルム1がその内
面が定着ニップ部Nにおいてヒータ3の下向き面に密着
して摺動しながら矢印の時計方向に加圧ローラ4の回転
周速度に略対応した周速度をもって加熱体支持体2の外
回りを回転状態になる(加圧ローラ駆動方式)。
The pressure roller 4 is driven to rotate counterclockwise at a predetermined peripheral speed by a driving means (not shown). The rotation of the pressure roller 4 causes a rotational force to act on the cylindrical film 1 due to the frictional contact between the outer surface of the roller 4 and the outer surface of the film 1 at the fixing nip portion N. At the fixing nip portion N, the heater 3 is rotated around the outer periphery of the heating body support 2 at a peripheral speed substantially corresponding to the rotational peripheral speed of the pressure roller 4 while sliding in close contact with the downward surface of the heater 3 in the clockwise direction of the arrow. (Pressurized roller drive system).

【0061】加熱体支持体2はこの回転するフィルム1
のガイド部材としても機能している。またヒータ3の下
向き面とフィルム1の内面との間に耐熱性グリス等の潤
滑剤を介在させることで、上記のフィルム1の回転をよ
り滑らかなものにすることができる。
The heating body support 2 is provided with the rotating film 1
It also functions as a guide member. Further, by interposing a lubricant such as heat-resistant grease between the downward surface of the heater 3 and the inner surface of the film 1, the rotation of the film 1 can be made smoother.

【0062】加圧ローラ4が回転駆動され、それに伴っ
て円筒状フィルム1が回転状態になり、後述するように
ヒータ3に通電がなされて該ヒータ3の発熱で定着ニッ
プ部Nが所定の温度に立ち上がって温調された状態にお
いて、定着ニップ部Nのフィルム1と加圧ローラ4との
間に未定着トナー像tを担持した記録材Pが導入され、
定着ニップ部Nにおいて記録材Pのトナー画像担持面側
がフィルム1の外面に密着してフィルムと一緒に定着ニ
ップ部Nを挟持搬送されていく。この挟持搬送過程にお
いて、ヒータ3の熱がフィルム1を介して記録材Pに付
与され、記録材P上の未定着トナー像tが加熱溶融定着
される。記録材Pは定着ニップ部Nを通過すると、回転
するフィルム1の外面から曲率分離して搬送される。
The pressure roller 4 is driven to rotate, and the cylindrical film 1 is rotated accordingly. When the heater 3 is energized as described later, the heat generated by the heater 3 causes the fixing nip N to reach a predetermined temperature. In the state where the temperature is adjusted by rising, the recording material P carrying the unfixed toner image t is introduced between the film 1 in the fixing nip portion N and the pressure roller 4,
In the fixing nip portion N, the toner image carrying surface side of the recording material P is in close contact with the outer surface of the film 1, and the fixing nip portion N is conveyed together with the film. In this nipping and conveying process, the heat of the heater 3 is applied to the recording material P via the film 1, and the unfixed toner image t on the recording material P is heated and fused. When the recording material P passes through the fixing nip portion N, the recording material P is conveyed with a curvature separated from the outer surface of the rotating film 1.

【0063】(3)ヒータ3 ヒータ3は、本発明に従う加熱体としての金属ヒータで
あり、図4の(a)は該ヒータ3の表面側の平面図、
(b)は(a)において第二の絶縁層を除いて発熱抵抗
パターンを露出させて見せた平面図、(c)はヒータ3
の裏面側の平面図である。
(3) Heater 3 The heater 3 is a metal heater as a heating element according to the present invention, and FIG.
(B) is a plan view showing the heating resistor pattern exposed in (a) except for the second insulating layer, and (c) is a heater 3
3 is a plan view of the back side of FIG.

【0064】このヒータ3は、導体基材(導電性基材)
30と、この導体基材30の一方面側(第一面側)に形
成された第一の絶縁層としての絶縁ガラス層31と、こ
の第一の絶縁層上に形成された、並行2条の発熱抵抗パ
ターン32・32と、この発熱抵抗パターンに給電する
ための給電電極としての2つの導電体パターン33・3
3と、折り返し電極としての導電パターン34と、発熱
抵抗パターン32を覆うように形成された第二の絶縁層
としての絶縁ガラス層35と、導体基材30の前記一方
面側とは反対面側である他方面側(第二面側)に形成さ
れた第三の絶縁層としての絶縁ガラス層36を有してい
る。
The heater 3 is made of a conductive base material (conductive base material).
30, an insulating glass layer 31 as a first insulating layer formed on one surface side (first surface side) of the conductor base material 30, and two parallel lines formed on the first insulating layer. And the two conductor patterns 33.3 as power supply electrodes for supplying power to the heat generating resistive patterns.
3, a conductive pattern 34 as a folded electrode, an insulating glass layer 35 as a second insulating layer formed so as to cover the heating resistor pattern 32, and a side opposite to the one side of the conductive base 30. And an insulating glass layer 36 as a third insulating layer formed on the other surface side (second surface side).

【0065】本実施例の上記ヒータ3は「表面加熱型」
であり、第二の絶縁層35側がフィルム1の裏面に当接
するヒータ表面側であり、第三の絶縁層36側がヒータ
裏面側である。そして図3のようにこのヒータ3をその
表面側である第二の絶縁層35側を下向きに露出させて
加熱体支持体2の座ぐり部21内に嵌め入れて支持させ
てある。
The heater 3 of this embodiment is a “surface heating type”.
The side of the second insulating layer 35 is the front side of the heater in contact with the back surface of the film 1, and the side of the third insulating layer 36 is the back side of the heater. As shown in FIG. 3, the heater 3 is supported by being fitted into the counterbore portion 21 of the heater support 2 with its second insulating layer 35 side, which is the surface side, exposed downward.

【0066】導体基材30には絶縁層としてのガラス層
31・35・36との膨張係数を合わせやすいSUS4
30といった金属を用いた。該基材30の厚みは本実施
例においては0.4〜0.6mm程度のものを用いた。
この該基材30の厚みが薄すぎると印刷・焼成後の基材
と絶縁ガラス層の熱膨張率差によって反りが発生しやす
くなり、また折れ曲がりやすくなるため、製造工程時等
の取り扱いも難しくなる。一方、厚すぎると基材自体の
熱容量が大きくなるため、ヒータの立上げ時間の遅延
や、また、温調の制御自体が困難になる。これにより定
着不良や、光沢ムラ、オフセットといった画像問題の発
生にもつながる。
The conductive base material 30 is made of SUS4 which easily matches the expansion coefficient with the glass layers 31, 35 and 36 as insulating layers.
A metal such as 30 was used. The thickness of the substrate 30 was about 0.4 to 0.6 mm in this embodiment.
If the thickness of the substrate 30 is too thin, warpage is likely to occur due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the insulating glass layer after printing and firing, and the substrate 30 is easily bent, so that handling during the manufacturing process becomes difficult. . On the other hand, if the thickness is too large, the heat capacity of the base material itself becomes large, so that it is difficult to delay the start-up time of the heater and to control the temperature control itself. This leads to image problems such as fixing failure, uneven gloss, and offset.

【0067】第一の絶縁層としての絶縁ガラス層31は
導体基材30の一方面側のほぼ全域に形成している。こ
の絶縁ガラス層31は例えばガラスペースト材をスクリ
ーン印刷により導体基材30の面に印刷塗布し、焼成す
ることで形成される。
The insulating glass layer 31 as the first insulating layer is formed over substantially the entire area on one side of the conductor substrate 30. The insulating glass layer 31 is formed by, for example, printing and applying a glass paste material on the surface of the conductive base material 30 by screen printing and baking.

【0068】この絶縁ガラス層31上に、発熱抵抗パタ
ーン32・32、給電電極としての2つの導電体パター
ン33・33、折り返し電極としての導電パターン34
を形成することで、導体基材30との電気的絶縁が確保
される。
On the insulating glass layer 31, heat generating resistance patterns 32 and 32, two conductor patterns 33 and 33 as power supply electrodes, and a conductive pattern 34 as a folded electrode are provided.
Is formed, electrical insulation from the conductive base material 30 is ensured.

【0069】第一の絶縁層としての絶縁ガラス層31
は、1.5kV以上の耐圧を持たせるために、30μm
〜100μmの厚みで形成され、ピンホールを防止する
ためは、複数回印刷する方法をとることが好ましい。ま
た、導体基材30とこの絶縁ガラス層31との接着性を
増すために、導体基材30をサンドブラストやエッチン
グ等で粗し処理をし、脱脂した後に、絶縁ガラス層31
を印刷すると良い。
Insulating glass layer 31 as first insulating layer
Is 30 μm in order to have a breakdown voltage of 1.5 kV or more.
In order to prevent pinholes, it is preferable to employ a method of printing a plurality of times to prevent pinholes. Further, in order to increase the adhesiveness between the conductive base material 30 and the insulating glass layer 31, the conductive base material 30 is roughened by sand blasting, etching or the like, and degreased.
It is good to print

【0070】通電発熱抵抗パターン32は、例えば、A
g/Pd(銀パラジウム)等の電気抵抗材料(発熱抵抗
体、通電発熱抵抗体)のペーストを用いて所定のパター
ンにスクリーン印刷等で印刷し、焼成することで形成さ
れる。
The energized heating resistance pattern 32 is, for example, A
It is formed by printing a predetermined pattern by screen printing or the like using a paste of an electric resistance material (heating resistor, energization heating resistor) such as g / Pd (silver palladium) and baking.

【0071】また導電パターン33・34は、例えば、
Ag(銀)等の導電体のペーストを用いて所定のパター
ンにスクリーン印刷等で印刷し、焼成することで形成さ
れる。
The conductive patterns 33 and 34 are, for example,
It is formed by printing a predetermined pattern using a paste of a conductor such as Ag (silver) by screen printing or the like, and baking it.

【0072】第二の絶縁層としての絶縁ガラス層35
は、発熱抵抗パターン32・32と、折り返し電極とし
ての導電パターン34と、給電電極としての2つの導電
パターン33・33の一部を覆ってそれ等を保護するヒ
ータ表面保護層の役目をしている。この絶縁ガラス層3
5は例えばガラスペースト材をスクリーン印刷により導
体基材30の面に印刷塗布し、焼成することで形成され
る。
Insulating glass layer 35 as second insulating layer
Serves as a heater surface protection layer that covers a part of the heat generating resistance patterns 32, 32, a conductive pattern 34 as a folded electrode, and two conductive patterns 33 as a power supply electrode and protects them. I have. This insulating glass layer 3
5 is formed by, for example, printing and applying a glass paste material on the surface of the conductive base material 30 by screen printing and firing.

【0073】第三の絶縁層としての絶縁ガラス層36は
ヒータ3の裏面側断熱層として機能させており、導体基
材30の他方面側に、ヒータへの通電を制御するための
温度検知素子であるサーミスタ37の当接域39を除い
てほぼ全域に形成している。この絶縁ガラス層36は例
えばガラスペースト材をスクリーン印刷により導体基材
30の面に印刷塗布し、焼成することで形成される。
The insulating glass layer 36 serving as a third insulating layer functions as a heat insulating layer on the back surface of the heater 3, and is provided on the other surface of the conductive base material 30 for controlling the power supply to the heater. , Except for the contact area 39 of the thermistor 37. The insulating glass layer 36 is formed by, for example, printing and applying a glass paste material on the surface of the conductive base material 30 by screen printing, and baking.

【0074】サーミスタ37はヒータ裏面側において絶
縁ガラス層36の無い当接域39の導体基材30の面に
直接に当接させて配設してある。そしてこのサーミスタ
37には、リード線37aを介して制御回路10に接続
されている(2次回路系DC)。
The thermistor 37 is disposed in direct contact with the surface of the conductive substrate 30 in the contact area 39 where the insulating glass layer 36 is not provided on the back side of the heater. The thermistor 37 is connected to the control circuit 10 via a lead wire 37a (secondary circuit DC).

【0075】また、安全装置としてのサーモスイッチ3
8を第三の絶縁層としての絶縁ガラス層36に接触させ
てあるいは近接させて配設してある。38aはサーモス
イッチ38のリード線である。サーモスイッチ38はヒ
ータ3の発熱抵抗パターンに32に対する給電回路(1
次回路系AC)11に直列に接続させている。
The thermoswitch 3 as a safety device
8 is disposed in contact with or close to an insulating glass layer 36 as a third insulating layer. 38a is a lead wire of the thermo switch 38. The thermo switch 38 is connected to a power supply circuit (1
The next circuit system AC) 11 is connected in series.

【0076】ヒータ3の給電電極としての2つの導電パ
ターン33・33間に給電回路11から給電がなされる
ことにより発熱抵抗パターン32・32が全長にわたっ
て発熱してヒータ3の全体が迅速に昇温する。
When power is supplied from the power supply circuit 11 between the two conductive patterns 33 serving as power supply electrodes of the heater 3, the heat generating resistor patterns 32 generate heat over the entire length, and the entire heater 3 rapidly rises in temperature. I do.

【0077】サーミスタ37は、本実施例においては、
ヒータ3の導体基板30との絶縁耐圧の確保のため、ガ
ラスで保護されたサーミスタビーズで構成されるサーミ
スタであり、このサーミスタビーズの抵抗値を測定する
ことによってヒータ3の温度を検出し、ヒータ3の発熱
抵抗パターン32・32に加える電力を制御してヒータ
3の温度を所定の値に制御している。
In this embodiment, the thermistor 37 is
This is a thermistor composed of thermistor beads protected by glass in order to ensure the withstand voltage of the heater 3 with respect to the conductor substrate 30. The temperature of the heater 3 is detected by measuring the resistance value of the thermistor beads. The temperature of the heater 3 is controlled to a predetermined value by controlling the electric power applied to the heating resistor patterns 32 of the third heater.

【0078】また、本実施例の構成以外にも、たとえ
ば、サーミスタや熱電対に絶縁保護シートを被せたタイ
プのものを用いても良い。
In addition to the configuration of the present embodiment, for example, a thermistor or a thermocouple covered with an insulating protection sheet may be used.

【0079】通常、導体基材として用いたSUS430
と絶縁層に用いるガラス層との熱伝導率は約1桁程度、
SUS430の方が良いため、各ガラス層の熱伝導率の
大小関係は特に制約は無く、導体基材の裏面に絶縁ガラ
ス層を介するだけで十分な断熱効果を得られるが、より
効率よく基材表面側に熱を伝え、裏面側の断熱効果を高
めるために、本実施例のヒータ3においては、第一の絶
縁ガラス層31の熱伝導率をK1、第二の絶縁ガラス層
35の熱伝導率をK2、第三の絶縁ガラス層36の熱伝
導率をK3としたときに、それぞれの関係が、K2>K
3(=K1)となるように構成した。
Usually, SUS430 used as a conductive base material
And the thermal conductivity of the glass layer used for the insulating layer is about one digit,
Since SUS430 is better, there is no particular restriction on the magnitude relation of the thermal conductivity of each glass layer, and a sufficient heat insulating effect can be obtained only by interposing the insulating glass layer on the back surface of the conductive base material. In order to transfer heat to the front side and enhance the heat insulating effect on the back side, in the heater 3 of the present embodiment, the thermal conductivity of the first insulating glass layer 31 is set to K1, and the thermal conductivity of the second insulating glass layer 35 is set to K1. When the rate is K2 and the thermal conductivity of the third insulating glass layer 36 is K3, the respective relations are K2> K.
3 (= K1).

【0080】各絶縁ガラス層の熱伝導率は具体的にはガ
ラスの組成物、添加物等を調整して所望に調製するが、
本実施例においては、第二の絶縁ガラス層35としてそ
の熱伝導率K2が約1.1〜1.5[W/m・K]程度の
ものを用い、第三と第一の絶縁ガラス層36と31とし
てその熱伝導率K3とK1が約0.8〜1.0[W/m
・K]程度のものを用いている。また導体基材30は熱
伝導率が約20〜30[W/m・K]程度のものを用い
ている。
The thermal conductivity of each insulating glass layer is specifically adjusted as desired by adjusting the glass composition, additives and the like.
In the present embodiment, the second insulating glass layer 35 having a thermal conductivity K2 of about 1.1 to 1.5 [W / m · K] is used. 36 and 31, the thermal conductivity K3 and K1 are about 0.8 to 1.0 [W / m
[K] or so. The conductor base 30 has a thermal conductivity of about 20 to 30 [W / m · K].

【0081】図5の(a)はヒータ3の裏面側断熱層で
ある第三の絶縁ガラス層36が有る部分におけるヒータ
横断面模型図、(b)は第三の絶縁ガラス層36が無い
部分であるサーミスタ37の当接域39におけるヒータ
横断面模型図であり、それぞれのヒータ部分における表
面側への熱伝達Q1と裏面側の熱伝達Q2・Q3の状態
を模式的に表わしている。
FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of a heater at a portion where a third insulating glass layer 36 which is a heat insulating layer on the back surface side of the heater 3 is provided, and FIG. 5B is a portion where the third insulating glass layer 36 is not provided. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a heater in a contact area 39 of the thermistor 37, and schematically shows the state of heat transfer Q1 to the front side and heat transfer Q2 and Q3 to the back side in each heater portion.

【0082】即ち、ヒータ3は導体基材30の熱伝導率
に対して、絶縁ガラス層の熱伝導率が約1桁程度異なる
ことにより、本実施例の表面加熱タイプのヒータ3は裏
面側の断熱層として機能させる第三の絶縁ガラス層36
を介し加熱体支持体2に当接させることで加熱体支持体
2への熱伝達を断熱効果により抑えることが可能にな
り、効率よくヒータ3を加熱させることが可能になると
同時に、温度検知素子であるサーミスタ37はヒータ裏
面側において絶縁ガラス層36の無い当接域39の導体
基材30の面に直接に当接させて配設してあることで、
サーミスタ37への熱伝達Q3をQ2に対して大きくす
ることができ、温度制御をより精度良く行えることがわ
かる。
That is, since the thermal conductivity of the insulating glass layer of the heater 3 is different from the thermal conductivity of the conductive substrate 30 by about one digit, the heater 3 of the front surface heating type of the present embodiment has the rear surface side. Third insulating glass layer 36 functioning as a heat insulating layer
By contacting the heating member support 2 with the heating member support 2, the heat transfer to the heating member support 2 can be suppressed by the heat insulation effect, and the heater 3 can be efficiently heated, and at the same time, the temperature detecting element can be used. The thermistor 37 is disposed in direct contact with the surface of the conductive substrate 30 in the contact area 39 where the insulating glass layer 36 is not provided on the back surface of the heater.
It can be seen that the heat transfer Q3 to the thermistor 37 can be made larger than Q2, and the temperature control can be performed more accurately.

【0083】図6は、本実施例のように、温度検知素子
であるサーミスタ37をヒータ裏面側において絶縁ガラ
ス層36の無い当接域39の導体基材30の面に直接に
当接させて配設した場合Aと、比較例として、ヒータ裏
面側の全域に絶縁ガラス層36を形成させ、この絶縁ガ
ラス層36上に温度検知素子であるサーミスタ37を当
接させて配設した場合Bとにおける、サーミスタ検知温
度の出力を比較したものであり、これにより検知温度の
立上げ時間、応答性が明らかに異なることがわかる。
FIG. 6 shows that the thermistor 37 as a temperature detecting element is brought into direct contact with the surface of the conductor substrate 30 in the contact area 39 where the insulating glass layer 36 is not provided on the back side of the heater as in this embodiment. The case A is disposed, and the case where the insulating glass layer 36 is formed over the entire area on the rear surface side of the heater and the thermistor 37 serving as a temperature detecting element is brought into contact with the insulating glass layer 36 is disposed as a comparative example. The comparison of the output of the thermistor detection temperature in the above shows that the rise time and the response of the detection temperature are clearly different from each other.

【0084】本実験においては、立上げ時間、応答性を
比較するために、同一条件(入力電力:1000W、目
標温調温度200℃、プロセススピード:150mm/
sec)において比較している。
In this experiment, the same conditions (input power: 1000 W, target temperature control temperature: 200 ° C., process speed: 150 mm /
sec).

【0085】本実験の場合においては、立上げ時間で
は、比較例の場合Bにおいては約3.7秒であったのに
対し、本実施例の場合Aでは2.4秒となり明らかにサ
ーミスタ検知スピードが良化することがわかる。
In the case of this experiment, the start-up time was about 3.7 seconds in the case of the comparative example B, but was 2.4 seconds in the case of the present example A, which was clearly thermistor detection. It can be seen that the speed is improved.

【0086】このように、サーミスタ当接域39以外の
加熱体支持体当接領域には絶縁ガラス層36を形成さ
せ、サーミスタ当接域39のみ絶縁ガラス層を形成しな
いことによって、ヒータ3から加熱体支持体2への熱伝
達を極力抑えると同時に、サーミスタ当接域39におい
てのみ熱伝達を妨げる絶縁ガラス層36を形成しないこ
とにより、より精度良くヒータ3の温度を検知し制御で
きるため、消費電力を抑えると同時に精度の良い温度制
御によって、温度リップルの少ない制御が可能になり、
オフセット等の画像不良を抑えることが可能になる。
As described above, the insulating glass layer 36 is formed in the contact area of the heater support other than the thermistor contact area 39, and the insulating glass layer is not formed only in the thermistor contact area 39. Since the heat transfer to the body support 2 is suppressed as much as possible and the insulating glass layer 36 that prevents heat transfer only in the thermistor contact area 39 is not formed, the temperature of the heater 3 can be more accurately detected and controlled, so that the consumption is reduced. With low power consumption and accurate temperature control, it is possible to control with less temperature ripple.
Image defects such as offset can be suppressed.

【0087】[第2の実施例]図7は本実施例の要部模
型図である。本実施例は第1の実施例における表面加熱
型ヒータ3において、ヒータ裏面側の全域に第三の絶縁
ガラス層36を形成するが、サーミスタ当接域39部分
に対応する該絶縁ガラス層部分の厚みは他の部分の該絶
縁ガラス層の厚みよりも薄く形成している。
[Second Embodiment] FIG. 7 is a schematic diagram of a main part of this embodiment. In the present embodiment, the third insulating glass layer 36 is formed on the entire area on the back surface side of the heater in the surface heating type heater 3 in the first embodiment, but the third insulating glass layer 36 corresponding to the thermistor contact area 39 is formed. The thickness is formed smaller than the thickness of the insulating glass layer in other portions.

【0088】例えば、本実施例においてはヒータ3の裏
面断熱層である絶縁ガラス層36の厚みは十分断熱効果
を持たせるために約80〜100μm程度形成している
が、均一に絶縁ガラス層を形成するために、本実施例に
おいては、3層塗りによって形成している。そこでサー
ミスタ当接域39においては1層もしくは2層分絶縁ガ
ラス層を形成した後、例えばこのサーミスタ当接域39
にマスキングをし、さらにヒータ全域に絶縁ガラス層を
形成している。
For example, in this embodiment, the thickness of the insulating glass layer 36, which is the backside heat insulating layer of the heater 3, is formed to be about 80 to 100 μm in order to have a sufficient heat insulating effect. In the present embodiment, it is formed by three-layer coating. Therefore, after forming one or two insulating glass layers in the thermistor contact area 39, for example, the thermistor contact area 39 is formed.
And an insulating glass layer is formed over the entire area of the heater.

【0089】このように形成することで、サーミスタ当
接域39のガラスコートのみを簡単に薄く形成すること
ができる。
By forming in this manner, only the glass coat in the thermistor contact area 39 can be easily formed thin.

【0090】このようにサーミスタ当接域39のみ薄く
絶縁ガラス層36を形成することで断熱を図ると同時に
サーミスタ自体の構成に絶縁性を持たせる必要がなくな
るため、サーミスタ37の構成をより自由に設計でき同
時にサーミスタ自体の熱容量、熱伝導性を向上させるこ
とによって、十分な応答性も得られるようになる。
By forming the insulating glass layer 36 thin only in the thermistor contact area 39 in this way, it is not necessary to impart heat to the structure of the thermistor itself, and the structure of the thermistor 37 can be configured more freely. Sufficient responsiveness can be obtained by improving the heat capacity and thermal conductivity of the thermistor itself while designing it.

【0091】本実施例の構成の場合、温度検知素子とし
ては、導電パターンを印刷形成し、チップ型サーミスタ
をマウントしたものでも良いし、印刷抵抗体を直接印刷
形成しても何ら問題はない。
In the case of the structure of this embodiment, as the temperature detecting element, a conductive pattern may be formed by printing and a chip type thermistor may be mounted, or a printed resistor may be formed directly by printing.

【0092】[第3の実施例]図8は本実施例の要部模
型図である。本実施例は第1の実施例における表面加熱
型ヒータ3において、ヒータ裏面側の全域に断熱層とし
ての第三の絶縁ガラス層36を形成するが、サーミスタ
当接域39部分に対応する該絶縁ガラス層部分のガラス
の表面粗さを他の部分の該絶縁ガラス層のガラスの表面
粗さよりも小さくしている。
[Third Embodiment] FIG. 8 is a schematic diagram of a main part of this embodiment. In the present embodiment, the third insulating glass layer 36 as a heat insulating layer is formed on the entire surface on the back side of the heater in the surface heating type heater 3 in the first embodiment. The surface roughness of the glass in the glass layer portion is smaller than the surface roughness of the glass in the other portion of the insulating glass layer.

【0093】具体的には、絶縁ガラス層36を印刷形成
する際に、スクリーンのメッシュを調整して該絶縁ガラ
ス層36のサーミスタ当接域39と該当接域9以外の領
域の表面粗さを調整しており、サーミスタ当接域39を
表面粗さを小さく、それ以外の領域においては表面粗さ
を大きく形成している。
Specifically, when the insulating glass layer 36 is formed by printing, the mesh of the screen is adjusted to reduce the surface roughness of the insulating glass layer 36 except for the thermistor contact area 39 and the area other than the contact area 9. The adjustment is made so that the thermistor contact area 39 has a small surface roughness, and the other areas have a large surface roughness.

【0094】本実施例の場合、サーミスタ当接域39に
おいては、表面粗さRaが約0.07〜0.1μm程度
となるように形成し、これに対し、サーミスタ当接域3
9以外の全域においては、表面粗さRaを約0.5〜
2.0μm程度となるように形成している。
In the present embodiment, the thermistor contact area 39 is formed to have a surface roughness Ra of about 0.07 to 0.1 μm.
9, the surface roughness Ra is about 0.5 to
It is formed to have a thickness of about 2.0 μm.

【0095】これにより、サーミスタ当接域39でのサ
ーミスタ37の接触熱抵抗を小さくし密着性を高めるこ
とでより正確な温度を検知でき、同時にサーミスタ当接
域39以外のガラス表面粗さを大きくすることで、ヒー
タ3と加熱体支持体2との接触面積を小さくすることで
断熱効果を高めることが可能になる。
As a result, a more accurate temperature can be detected by reducing the contact thermal resistance of the thermistor 37 in the thermistor contact area 39 and increasing the adhesion, and at the same time, the glass surface roughness other than the thermistor contact area 39 increases. By doing so, it is possible to enhance the heat insulating effect by reducing the contact area between the heater 3 and the heater support 2.

【0096】このように本構成を採用することで、断熱
性に優れ、ヒータ3から加熱体支持体2への熱伝達を極
力抑えると同時に、優れたヒータ構成をサーミスタ当接
域39においてのみ熱伝達を良化させることができるた
め、サーミスタ応答性を向上させ、より精度良くヒータ
3の温度を検知し制御できるため、消費電力を抑えると
同時に精度の良い温度制御によって、温度リップルの少
ない制御が可能になり、オフセット等の画像不良を抑え
ることが可能になる。
By adopting this structure as described above, the heat insulation is excellent, the heat transfer from the heater 3 to the heater support 2 is minimized, and the excellent heater structure is formed only in the thermistor contact area 39. Since the transmission can be improved, the thermistor responsiveness can be improved, and the temperature of the heater 3 can be detected and controlled more accurately. Therefore, power consumption can be suppressed, and at the same time, control with less temperature ripple can be performed by accurate temperature control. This makes it possible to suppress image defects such as offset.

【0097】[第4の実施例]図9は本実施例の要部模
型図である。本実施例は第1の実施例における表面加熱
型ヒータ3において、ヒータ裏面側の全域に断熱層とし
ての第三の絶縁ガラス層36を形成するが、サーミスタ
当接域39部分に対応する該絶縁ガラス層部分の熱伝導
率を他の部分の該絶縁ガラス層の熱伝導率よりも高くし
ている。
[Fourth Embodiment] FIG. 9 is a schematic diagram of a main part of this embodiment. In the present embodiment, the third insulating glass layer 36 as a heat insulating layer is formed on the entire surface on the back side of the heater in the surface heating type heater 3 in the first embodiment. The thermal conductivity of the glass layer portion is higher than the thermal conductivity of the insulating glass layer in other portions.

【0098】本実施例においてはサーミスタ当接域39
に高熱伝導性ガラスを印刷形成し、次に、サーミスタ当
接域39以外にはサーミスタ当接域で使用した高熱伝導
率ガラスよりも熱伝導率が低いタイプのガラスを印刷形
成している。
In this embodiment, the thermistor contact area 39
Then, a high thermal conductivity glass is formed by printing, and then, other than the thermistor contact area 39, a glass having a lower thermal conductivity than the high thermal conductivity glass used in the thermistor contact area is printed.

【0099】具体的には、サーミスタ当接域39におい
ては熱伝導率が約0.8[W/m・K]程度のものを使
用し、サーミスタ当接域外には約1.3〜1.5[W/
m・K]程度のものを使用した。
Specifically, a material having a thermal conductivity of about 0.8 [W / m · K] is used in the thermistor contact area 39, and about 1.3 to 1.. 5 [W /
m · K].

【0100】このようにサーミスタ当接域39のみに高
熱伝導性絶縁ガラス層を形成し、サーミスタ当接域以外
には熱伝導性の低い絶縁ガラス層を形成することで、サ
ーミスタ部の熱伝導性を高め、より正確な温度を検知で
き、同時にサーミスタ部以外の絶縁ガラス層の熱伝導率
を低くすることで、ヒータ3から加熱体支持体2への熱
の逃げを抑えることが可能になり、熱効率を向上させ、
消費電力を抑えると同時に精度の良い温度制御によっ
て、温度リップルの少ない制御が可能になり、オフセッ
ト等の画像不良を抑えることが可能になる。
As described above, by forming the high thermal conductive insulating glass layer only in the thermistor contact area 39 and forming the low thermal conductive insulating glass layer in the area other than the thermistor contact area, the thermal conductivity of the thermistor portion is reduced. , The temperature can be detected more accurately, and at the same time, the thermal conductivity of the insulating glass layer other than the thermistor portion is reduced, so that the escape of heat from the heater 3 to the heater support 2 can be suppressed. Improve thermal efficiency,
By controlling the power consumption at the same time as the temperature control with high accuracy, it is possible to perform control with less temperature ripple, and it is possible to suppress image defects such as offset.

【0101】[第5の実施例]本実施例は「裏面加熱
型」ヒータの例であり、図10の(a)は横断面模型
図、(b)は表面側の平面平面図、(c)は裏面側の平
面図である。このヒータ3は第1の実施例の表面加熱型
ヒータ3の第三の絶縁ガラス層36面側を被加熱部材に
対向する加熱体表面側にしたものである。
[Fifth Embodiment] This embodiment is an example of a "backside heating type" heater. FIG. 10A is a cross-sectional model view, FIG. 10B is a plan view of the front side, and FIG. () Is a plan view of the back side. This heater 3 is such that the surface of the third insulating glass layer 36 of the surface heating type heater 3 of the first embodiment is on the side of the surface of the heater facing the member to be heated.

【0102】この裏面加熱型ヒータ3の場合には、第三
の絶縁ガラス層36はヒータ3の表面保護層として機能
させ、ヒータ裏面側となる第二の絶縁ガラス層35は加
熱体支持体2等への熱の逃げを極力抑える断熱層として
機能させる。また、第一の絶縁ガラス層31は基材側へ
発熱体の熱を効率よく伝達させるために高熱伝導タイプ
を用いる方が良く、本実施例においては、熱伝導率の大
小関係を、K3=K1>K2となるように形成すること
が好ましい。 この裏面加熱型ヒータ3の場合は、ヒー
タ裏面断熱層としての第二の絶縁ガラス層35を形成す
る際に、前述した第2の実施例における第三の絶縁ガラ
ス層36のサーミスタ当接域39と同様の形成要領にて
サーミスタ当接域39においてのみ第二の絶縁ガラス層
35を薄く形成している。
In the case of this backside heating type heater 3, the third insulating glass layer 36 functions as a surface protection layer of the heater 3, and the second insulating glass layer 35 on the backside of the heater 3 Function as a heat insulating layer that minimizes the escape of heat to the like. Further, it is better to use a high thermal conductivity type for the first insulating glass layer 31 in order to efficiently transmit the heat of the heating element to the base material side. In this embodiment, the magnitude of the thermal conductivity is represented by K3 = It is preferable to form them so that K1> K2. In the case of this backside heating type heater 3, when forming the second insulating glass layer 35 as the heater backside heat insulating layer, the thermistor contact area 39 of the third insulating glass layer 36 in the second embodiment described above. The second insulating glass layer 35 is formed thin only in the thermistor contact area 39 in the same manner as described above.

【0103】本構成を採用した場合、発熱抵抗体32・
32とサーミスタ37の位置が近くなるため、ヒータの
温度をより正確に検知し制御でき適正な温度制御が可能
になる。
When this configuration is adopted, the heating resistor 32
Since the positions of the thermistor 32 and the thermistor 37 are close to each other, the temperature of the heater can be more accurately detected and controlled, and appropriate temperature control can be performed.

【0104】[第6の実施例]図11は本実施例の要部
模型図である。本実施例は第5の実施例における裏面加
熱型ヒータ3において、ヒータ裏面断熱層としての第二
の絶縁ガラス層35を形成する際に、前述した第2の実
施例における第三の絶縁ガラス層36のサーミスタ当接
域39と同様の形成要領にてサーミスタ当接域39にお
いてのみ表面粗さを他の部分の該絶縁ガラス層35の表
面粗さよりも小さくしている。
[Sixth Embodiment] FIG. 11 is a schematic diagram of a main part of this embodiment. In the present embodiment, when forming the second insulating glass layer 35 as a heater back insulating layer in the backside heating type heater 3 in the fifth embodiment, the third insulating glass layer in the second embodiment described above. In the same manner as the thermistor contact area 39 of 36, the surface roughness is made smaller only in the thermistor contact area 39 than in other portions of the insulating glass layer 35.

【0105】本構成を採用した場合、発熱抵抗体32・
32とサーミスタ37の位置が近くなるため、ヒータ3
の温度をより正確に検知し制御でき適正な温度制御が可
能になり、これによりさらにより温度リップルの少ない
制御が可能になり、オフセット等の画像不良を抑えるこ
とが可能になる。
When this configuration is adopted, the heating resistor 32
32 and the thermistor 37 are close to each other.
Temperature can be detected and controlled more accurately, and appropriate temperature control can be performed. As a result, control with even smaller temperature ripples can be performed, and image defects such as offset can be suppressed.

【0106】[第7の実施例]図12は本実施例の要部
模型図である。本実施例は第5の実施例における裏面加
熱型ヒータ3において、ヒータ裏面断熱層としての第二
の絶縁ガラス層35を形成する際に、前述した第3の実
施例における第三の絶縁ガラス層36のサーミスタ当接
域39と同様の形成要領にてサーミスタ当接域39にお
いてのみ熱伝導率を他の部分の該絶縁ガラス層36の熱
伝導率よりも高くしている。
[Seventh Embodiment] FIG. 12 is a schematic diagram of a main part of this embodiment. In this embodiment, when forming the second insulating glass layer 35 as the heater back surface heat insulating layer in the backside heating type heater 3 in the fifth embodiment, the third insulating glass layer in the third embodiment described above. In the same manner as the thermistor contact area 39 of 36, the thermal conductivity is made higher only in the thermistor contact area 39 than in other portions of the insulating glass layer 36.

【0107】本構成を採用した場合、発熱抵抗体32・
32とサーミスタ37の位置が近くなるため、ヒータ3
の温度をより正確に検知し制御でき適正な温度制御が可
能になり、これによりさらにより温度リップルの少ない
制御が可能になり、オフセット等の画像不良を抑えるこ
とが可能になる。
When this configuration is adopted, the heating resistor 32
32 and the thermistor 37 are close to each other.
Temperature can be detected and controlled more accurately, and appropriate temperature control can be performed. As a result, control with even smaller temperature ripples can be performed, and image defects such as offset can be suppressed.

【0108】[その他] 1)ヒータ3に当接或いは近接させて配設する安全装置
としてのサーモスイッチ38の当接域についても、前記
のサーミスタ当接域39と同様の処置構成を採ることが
できる。
[Others] 1) With respect to the contact area of the thermoswitch 38 as a safety device disposed in contact with or close to the heater 3, the same treatment configuration as that of the thermistor contact area 39 described above may be adopted. it can.

【0109】2)フィルム加熱方式の加熱装置におい
て、エンドレスベルト状のフィルムをテンションを与え
て懸回張設し、これを回転駆動させる装置構成にするこ
ともできる。また、ロール巻きにした長尺の有端フィル
ムを用い、これを繰り出し軸側からヒータを経由させて
巻き取り軸側へ所定の速度で走行させるように装置構成
することもできる。
2) In a heating device of a film heating system, an endless belt-shaped film may be stretched by applying tension to the film and driven to rotate. Further, an apparatus may be used in which a long end film wound in a roll is used, and the film is run at a predetermined speed from a pay-out shaft side to a take-up shaft side via a heater.

【0110】3)本発明の加熱体はフィルム加熱方式の
加熱装置ばかりではなく、加熱体支持体に支持させた加
熱体を被加熱部材に直接接触させて加熱する等の加熱装
置等にも適用できることは勿論である。
3) The heating element of the present invention can be applied not only to a heating apparatus of a film heating system, but also to a heating apparatus in which a heating element supported by a heating element support is brought into direct contact with a member to be heated and heated. Of course, you can.

【0111】4)本発明の加熱装置は画像加熱定着装置
としてばかりではなく、その他、例えば、画像を担持し
た記録材を加熱してつや等の表面性を改質する像加熱装
置、仮定着処理する像加熱装置、シート状物を給送して
乾燥処理・ラミネート処理・しわ取り熱プレス処理する
等の加熱装置、インクジェットプリンタ等に用いられる
乾燥用の加熱装置に用いられるヒータ、ないしこのヒー
タを用いた加熱装置等として広く使用出来ることは勿論
である。
4) The heating apparatus of the present invention is not only an image heating and fixing apparatus, but also, for example, an image heating apparatus for heating a recording material carrying an image to improve the surface properties such as gloss, and performing a provisional deposition process. An image heating device, a heating device for feeding and drying a sheet, a laminating process, a hot press process for removing wrinkles, a heater used for a heating device for drying used in an ink jet printer, or the like. Of course, it can be widely used as a heating device.

【0112】[0112]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加熱体基板材質に導体基材を用いた金属ヒータについ
て、断熱性に優れかつ、良好な温度検知素子応答性(サ
ーミスタ応答性)を得ることができる。加熱体裏面側へ
の熱の逃げを抑え、効率よく加熱体表面側に伝達できる
ことにより、強度が高く、断熱性にすぐれ、加熱装置を
より容易にかつ低コストで実現できた。加熱体の温度を
より正確に検知し制御でき適正な温度制御が可能にな
り、これによりさらにより温度リップルの少ない制御が
可能になり、加熱定着装置においてオフセット等の画像
不良を抑えることが可能になり、定着性の良好な、クイ
ックスタート性に優れた加熱定着装置を、より容易にか
つ低コストで実現できた。
As described above, according to the present invention,
With respect to a metal heater using a conductor substrate as the material of the heating body substrate, excellent heat insulation properties and good temperature sensing element responsiveness (thermistor responsiveness) can be obtained. By suppressing the escape of heat to the back side of the heating body and efficiently transmitting it to the front side of the heating body, the strength was high, the heat insulation was excellent, and the heating device could be realized more easily and at lower cost. The temperature of the heating element can be more accurately detected and controlled, and appropriate temperature control becomes possible.This makes it possible to control the temperature with less temperature ripple and suppress image defects such as offset in the heat fixing device. As a result, a heat fixing device having a good fixing property and an excellent quick start property can be realized more easily and at a lower cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 第1の実施例の画像形成装置の概略構成模型
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating the configuration of an image forming apparatus according to a first embodiment.

【図2】 フィルム加熱方式の加熱定着装置の概略構成
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a film fixing type heat fixing device.

【図3】 定着ニップ部部分の部分拡大模型図FIG. 3 is a partially enlarged model view of a fixing nip portion.

【図4】 ヒータ(表面加熱型)の構造説明図FIG. 4 is a structural explanatory view of a heater (surface heating type).

【図5】 ヒータ熱伝達模式図FIG. 5 is a schematic diagram of a heater heat transfer.

【図6】 実施例と比較例のサーミスタ応答特性図FIG. 6 is a diagram showing the thermistor response characteristics of the example and the comparative example.

【図7】 第2の実施例のヒータの構造説明図FIG. 7 is a structural explanatory view of a heater according to a second embodiment.

【図8】 第3の実施例のヒータの構造説明図FIG. 8 is a structural explanatory view of a heater according to a third embodiment.

【図9】 第4の実施例のヒータの構造説明図FIG. 9 is a structural explanatory view of a heater according to a fourth embodiment.

【図10】 第5の実施例のヒータ(裏面加熱型)の構
造説明図
FIG. 10 is a structural explanatory view of a heater (backside heating type) according to a fifth embodiment.

【図11】 第6の実施例のヒータの構造説明図FIG. 11 is a structural explanatory view of a heater according to a sixth embodiment.

【図12】 第7の実施例のヒータの構造説明図FIG. 12 is a structural explanatory view of a heater according to a seventh embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1‥‥フィルム 2‥‥加熱体支持 3‥‥加熱体 4‥‥加圧ローラ 30‥‥導体基材 31‥‥第一の絶縁層 32‥‥発熱抵抗パターン(発熱抵抗体) 33‥‥導電パターン(給電電極パターン) 34‥‥導電パターン(折り返し導電パターン) 35‥‥第二の絶縁層 36‥‥第三の絶縁層 37‥‥サーミスタ 38‥‥サーモスイッチ 39‥‥サーミスタ当接域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 {Film} 2 Heating body support 3} Heating body 4} Pressure roller 30} Conductor base material 31} First insulating layer 32} Heating resistance pattern (heating resistor) 33} Conduction Pattern (feeding electrode pattern) 34 conductive pattern (return conductive pattern) 35 second insulating layer 36 third insulating layer 37 thermistor 38 thermoswitch 39 thermistor contact area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03G 15/20 109 G03G 15/20 109 H05B 3/18 H05B 3/18 3/20 330 3/20 330 Fターム(参考) 2F056 QF02 QF08 2H033 AA18 BA25 BA32 BE03 3K034 AA02 AA04 AA10 AA16 AA20 AA34 AA37 BA05 BA13 BA17 BB02 BB05 BB14 BC04 BC12 BC16 CA02 CA17 CA32 DA02 DA05 HA01 HA10 JA01 JA10 3K058 AA02 AA34 AA42 AA73 AA87 BA18 CA23 CA61 CE13 CE19 DA05 GA06 3K092 PP18 QA05 QB31 QB43 QB64 RF03 RF09 RF17 RF22 UA01 UA17 VV16 VV35 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03G 15/20 109 G03G 15/20 109 H05B 3/18 H05B 3/18 3/20 330 3/20 330 F Term (reference) 2F056 QF02 QF08 2H033 AA18 BA25 BA32 BE03 3K034 AA02 AA04 AA10 AA16 AA20 AA34 AA37 BA05 BA13 BA17 BB02 BB05 BB14 BC04 BC12 BC16 CA02 CA17 CA32 DA02 DA05 HA01 HA10 JA01 A02 ACA AA ACA A81A GA06 3K092 PP18 QA05 QB31 QB43 QB64 RF03 RF09 RF17 RF22 UA01 UA17 VV16 VV35

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体基材と、この導体基材の一方面側に
形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に形成
された、少なくとも発熱抵抗パターンと、この発熱抵抗
パターンを覆うように形成された第二の絶縁層と、導体
基材の前記一方面側とは反対面側である他方面側に形成
された第三の絶縁層とを有する加熱体であって、その加
熱体の一方面側に、加熱体の温度を検知する温度検知素
子を当接または近接配置させる温度検知素子当接域を持
ち、且つその温度検知素子当接域においてのみ前記絶縁
層を形成しないことを特徴とする加熱体。
1. A conductive base material, a first insulating layer formed on one side of the conductive base material, at least a heat generating resistance pattern formed on the first insulating layer, and a heat generating resistance A heating element having a second insulating layer formed so as to cover a pattern, and a third insulating layer formed on the other surface side opposite to the one surface side of the conductor substrate. Having a temperature sensing element contact area in which a temperature sensing element for sensing the temperature of the heating element is abutted or disposed on one side of the heating element, and the insulating layer is provided only in the temperature sensing element abutting area. A heating element characterized by not being formed.
【請求項2】 導体基材と、この導体基材の一方面側に
形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に形成
された、少なくとも発熱抵抗パターンと、この発熱抵抗
パターンを覆うように形成された第二の絶縁層と、導体
基材の前記一方面側とは反対面側である他方面側に形成
された第三の絶縁層とを有する加熱体であって、その加
熱体の一方面側に、加熱体の温度を検知する温度検知素
子を当接または近接配置させる温度検知素子当接域を持
ち、且つその温度検知素子当接域においてのみ前記絶縁
層を温度検知素子当接域以外の領域に形成した絶縁層膜
厚に対して薄く形成することを特徴とする加熱体。
2. A conductive base material, a first insulating layer formed on one side of the conductive base material, at least a heat generating resistance pattern formed on the first insulating layer, and a heat generating resistance A heating element having a second insulating layer formed so as to cover a pattern, and a third insulating layer formed on the other surface side opposite to the one surface side of the conductor substrate. Having a temperature sensing element contact area in which a temperature sensing element for sensing the temperature of the heating element is abutted or disposed on one side of the heating element, and the insulating layer is provided only in the temperature sensing element abutting area. A heating element characterized in that it is formed thinner than the thickness of an insulating layer formed in a region other than the contact region of the temperature detecting element.
【請求項3】 導体基材と、この導体基材の一方面側に
形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に形成
された、少なくとも発熱抵抗パターンと、この発熱抵抗
パターンを覆うように形成された第二の絶縁層と、導体
基材の前記一方面側とは反対面側である他方面側に形成
された第三の絶縁層とを有する加熱体であって、その加
熱体の一方面側に、加熱体の温度を検知する温度検知素
子を当接または近接配置させる温度検知素子当接域を持
ち、且つその温度検知素子当接域においてのみ前記絶縁
層の表面粗さを、温度検知素子当接域以外の領域に形成
した絶縁層の表面粗さに対して小さくすることを特徴と
する加熱体。
3. A conductive base material, a first insulating layer formed on one side of the conductive base material, at least a heat generating resistance pattern formed on the first insulating layer, and a heat generating resistance A heating element having a second insulating layer formed so as to cover a pattern, and a third insulating layer formed on the other surface side opposite to the one surface side of the conductor substrate. Having a temperature sensing element contact area in which a temperature sensing element for sensing the temperature of the heating element is abutted or arranged on one surface side of the heating element, and the insulating layer only in the temperature sensing element abutting area. A heating element characterized in that the surface roughness is made smaller than the surface roughness of an insulating layer formed in a region other than the temperature sensing element contact region.
【請求項4】 導体基材と、この導体基材の一方面側に
形成された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層上に形成
された、少なくとも発熱抵抗パターンと、この発熱抵抗
パターンを覆うように形成された第二の絶縁層と、導体
基材の前記一方面側とは反対面側である他方面側に形成
された第三の絶縁層とを有する加熱体であって、その加
熱体の一方面側に、加熱体の温度を検知する温度検知素
子を当接または近接配置させる温度検知素子当接域を持
ち、且つその温度検知素子当接域においてのみ前記絶縁
層の熱伝導率を、温度検知素子当接域以外の領域に形成
した絶縁層の熱伝導率に対して高くすることを特徴とす
る加熱体。
4. A conductive base material, a first insulating layer formed on one side of the conductive base material, at least a heat generating resistance pattern formed on the first insulating layer, and a heat generating resistance A heating element having a second insulating layer formed so as to cover a pattern, and a third insulating layer formed on the other surface side opposite to the one surface side of the conductor substrate. Having a temperature sensing element contact area in which a temperature sensing element for sensing the temperature of the heating element is abutted or arranged on one side of the heating element, and the insulating layer is provided only in the temperature sensing element abutting area. A heating element characterized in that the thermal conductivity is higher than the thermal conductivity of an insulating layer formed in a region other than the temperature sensing element contact region.
【請求項5】 前記温度検知素子は加熱体の温度を検知
し所望の温度に制御させるためのものであることを特徴
とする請求項1から4のいずれか1つに記載の加熱体。
5. The heating element according to claim 1, wherein the temperature detection element is for detecting a temperature of the heating element and controlling the temperature to a desired temperature.
【請求項6】 第一の絶縁層上に発熱抵抗パターン及び
この発熱抵抗パターンに給電するための導電パターンが
形成されていることを特徴とする請求項1から5のいず
れか1つに記載の加熱体。
6. The heat-generating resistor pattern and a conductive pattern for supplying power to the heat-generating resistor pattern are formed on the first insulating layer. Heating body.
【請求項7】 第二の絶縁層側または第三の絶縁層側が
被加熱部材側であることを特徴とする請求項1から6の
いずれか1つに記載の加熱体。
7. The heating element according to claim 1, wherein the second insulating layer side or the third insulating layer side is a member to be heated.
【請求項8】 請求項1から7のいずれか1つに記載の
加熱体を有し、この加熱体の熱エネルギーを被加熱部材
に直接あるいは他物を介して付与して被加熱部材を加熱
することを特徴とする加熱装置。
8. A heating member according to claim 1, wherein the heating member is heated by applying heat energy of the heating member directly or through another object to the heating member. A heating device.
【請求項9】 加熱体と、それに圧接する加圧部材との
間のニップ部に被加熱部材を通過させることにより加熱
体の熱エネルギーを被加熱部材に付与して被加熱部材を
加熱する加熱装置であり、加熱体が請求項1から7のい
ずれか1つに記載の加熱体であることを特徴とする加熱
装置。
9. Heating for heating a member to be heated by applying heat energy of the heating member to the member to be heated by passing the member to be heated through a nip portion between the heating member and a pressing member pressed against the member. A heating apparatus, wherein the heating element is the heating element according to any one of claims 1 to 7.
【請求項10】 加熱体と、それに摺動するフィルムを
有し、このフィルムを介した加熱体の熱エネルギーによ
り被加熱部材を加熱する加熱装置であり、加熱体が請求
項1から7のいずれか1つに記載の加熱体であることを
特徴とする加熱装置。
10. A heating device comprising a heating element and a film sliding on the heating element, wherein the heating element heats a member to be heated by thermal energy of the heating element via the film. A heating device comprising the heating element according to any one of the above.
【請求項11】 加熱体と、それに摺動するフィルム
と、このフィルムを介して加熱体と圧接する加圧部材を
有し、フィルムと加圧部材との間のニップ部に被加熱部
材を通過させることによりフィルムを介した加熱体の熱
エネルギーを被加熱部材に付与して被加熱部材を加熱す
る加熱装置であり、加熱体が請求項1から7のいずれか
1つに記載の加熱体であることを特徴とする加熱装置。
11. A heating element, a film that slides on the heating element, and a pressing member that presses against the heating element via the film, wherein the member to be heated passes through a nip portion between the film and the pressing member. A heating device that applies heat energy of the heating element to the member to be heated through the film to thereby heat the member to be heated, wherein the heating element is the heating element according to any one of claims 1 to 7. A heating device, comprising:
【請求項12】 被加熱部材が画像を担持した記録材で
あり、加熱体の熱エネルギーを記録材に付与して画像を
加熱する像加熱装置であることを特徴とする請求項7か
ら11のいずれか1つに記載の加熱装置。
12. The image heating apparatus according to claim 7, wherein the member to be heated is a recording material carrying an image, and an image heating apparatus for applying a thermal energy of a heating body to the recording material to heat the image. A heating device according to any one of the preceding claims.
【請求項13】 被加熱部材が未定着画像を担持した記
録材であり、加熱体の熱エネルギーを記録材に付与して
画像を熱定着させる加熱定着装置であることを特徴とす
る請求項7から11のいずれか1つに記載の加熱装置。
13. The heat fixing device according to claim 7, wherein the member to be heated is a recording material carrying an unfixed image, and the heat fixing device applies heat energy of a heating body to the recording material to thermally fix the image. The heating device according to any one of items 1 to 11.
【請求項14】 記録材上に未定着画像を形成担持させ
る作像手段と、記録材上に形成担持させた未定着画像を
熱定着させる加熱定着手段を有する画像形成装置におい
て、加熱定着手段が請求項7から11のいずれか1つに
記載の加熱装置であることを特徴とする画像形成装置。
14. An image forming apparatus comprising: an image forming means for forming and supporting an unfixed image on a recording material; and a heat fixing means for thermally fixing the unfixed image formed and supported on the recording material. An image forming apparatus, comprising: the heating apparatus according to claim 7.
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