JP6207928B2 - Method for manufacturing light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

発光装置の光源の一つとして、有機EL(Electroluminescence)素子が用いられるようになっている。有機EL素子は、基板上に、第1電極、有機層、及び第2電極をこの順に積層させた構造を有している。そして、隣り合う有機EL素子の間で第2電極を分離するために、これら有機EL素子の間に隔壁を設ける場合がある。   As one of the light sources of the light emitting device, an organic EL (Electroluminescence) element is used. The organic EL element has a structure in which a first electrode, an organic layer, and a second electrode are stacked in this order on a substrate. And in order to isolate | separate a 2nd electrode between adjacent organic EL elements, a partition may be provided between these organic EL elements.

一方、有機EL素子などの発光素子の基板に可撓性を持たせた場合、発光装置に可撓性を持たせることができる。例えば特許文献1には、発光素子に接続する複数の端子を、基板のうち寸法変化率が小さい方向に並べて形成することが記載されている。   On the other hand, when a substrate of a light emitting element such as an organic EL element is made flexible, the light emitting device can be made flexible. For example, Patent Document 1 describes that a plurality of terminals connected to a light emitting element are formed side by side in a direction in which a dimensional change rate is small in a substrate.

特開2008−249969号公報JP 2008-249969 A

可撓性を有する基板を用いて発光装置を形成する場合、発光装置の基板は、支持部材の上に載置された状態で処理され、その後、支持部材から取り外される。その際、基板は曲げられる。特に、基板のうち最後に支持部材から剥がされる部分の曲率半径は小さくなりやすい。このため、その部分で有機EL素子の破損が生じやすくなる。   In the case of forming a light-emitting device using a flexible substrate, the substrate of the light-emitting device is processed in a state of being placed on a support member, and then removed from the support member. At that time, the substrate is bent. In particular, the radius of curvature of the portion of the substrate that is finally peeled off from the support member tends to be small. For this reason, the organic EL element is easily damaged at that portion.

本発明が解決しようとする課題としては、支持部材を用いて、可撓性の基板に有機EL素子を形成する場合において、支持部材から基板を取り外す際に有機EL素子に破損が生じることを抑制することが一例として挙げられる。   As a problem to be solved by the present invention, when an organic EL element is formed on a flexible substrate using a support member, the organic EL element is prevented from being damaged when the substrate is removed from the support member. This is an example.

請求項1に記載の発明は、第1の方向に湾曲している基板と、
前記基板の第1面側に形成されている有機EL素子と、
前記基板の前記第1面側に形成され、前記基板の前記第1の方向側の端部に位置していて有機EL素子に電気的に接続している端子と、
を備える発光装置である。
The invention according to claim 1 is a substrate curved in the first direction;
An organic EL element formed on the first surface side of the substrate;
A terminal that is formed on the first surface side of the substrate, is located at an end of the substrate on the first direction side, and is electrically connected to the organic EL element;
It is a light-emitting device provided with.

請求項6に記載の発明は、支持部材と、前記支持部材上に保持されていて可撓性を有している基板とを準備する工程と、
前記基板の第1面側に、有機EL素子、及び、前記基板の前記第1の方向側の端部に位置していて前記有機EL素子に電気的に接続している端子を形成する工程と、
外部配線を、接続部材を介して前記端子に接続する工程と、
を備える発光装置の製造方法である。
The invention according to claim 6 is a step of preparing a support member and a flexible substrate held on the support member;
Forming, on the first surface side of the substrate, an organic EL element and a terminal located at an end of the substrate on the first direction side and electrically connected to the organic EL element; ,
Connecting external wiring to the terminal via a connecting member;
A method for manufacturing a light emitting device comprising:

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図2の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 発光装置の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. 実施例1に係る発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 図5のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図5のC−C断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 図5のD−D断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. 実施例2に係る発光装置の構成を示す断面図である。6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 2. FIG. 実施例3に係る発光装置の構成を示す平面図である。6 is a plan view showing a configuration of a light emitting device according to Example 3. FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す平面図である。図2は、図1のA−A断面図である。実施形態に係る発光装置10は、基板100、複数の隔壁170、有機EL素子101、及び端子220を備えている。図2に示すように、基板100は可撓性を有しており、第1の方向(図1におけるX方向)に湾曲している。複数の隔壁170は、基板100の第1面側に形成されており、いずれも第1の方向に対して45°以上の角度で交わる方向に延在している。本図に示す例では、複数の隔壁170は、第1の方向に対して直交する方向(図1におけるY方向)に延在している。有機EL素子101は、基板100の第1面側に形成されており、複数の隔壁170の間に設けられている。端子220は、基板100の第1面側に形成されており、基板100の第1の方向側の端部104に位置している。端子220は、有機EL素子101に電気的に接続している。   FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. The light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a plurality of partition walls 170, an organic EL element 101, and a terminal 220. As shown in FIG. 2, the substrate 100 has flexibility and is bent in a first direction (X direction in FIG. 1). The plurality of partition walls 170 are formed on the first surface side of the substrate 100, and all extend in a direction intersecting at an angle of 45 ° or more with respect to the first direction. In the example shown in this drawing, the plurality of partition walls 170 extend in a direction orthogonal to the first direction (Y direction in FIG. 1). The organic EL element 101 is formed on the first surface side of the substrate 100 and is provided between the plurality of partition walls 170. The terminal 220 is formed on the first surface side of the substrate 100 and is located at the end 104 on the first direction side of the substrate 100. The terminal 220 is electrically connected to the organic EL element 101.

端子220には、接続部材30を介して外部配線300が接続されている。接続部材30は、例えば異方性導電樹脂であり、外部配線300は、例えばフレキシブル基板(FPC:Flexible Printed Circuits)である。以下、詳細に説明する。   The external wiring 300 is connected to the terminal 220 through the connection member 30. The connection member 30 is, for example, an anisotropic conductive resin, and the external wiring 300 is, for example, a flexible substrate (FPC: Flexible Printed Circuits). Details will be described below.

基板100は、例えば薄いガラス基板であるが、樹脂基板であっても良い。そして隔壁170は、例えば、レジスト材料やポリイミドなどの感光性の絶縁材料によって形成されていても良いし、SiOなどの絶縁材料によって形成されていても良い。 The substrate 100 is, for example, a thin glass substrate, but may be a resin substrate. The partition 170 may be formed of, for example, a photosensitive insulating material such as a resist material or polyimide, or may be formed of an insulating material such as SiO 2 .

基板100は、第1の方向に湾曲している。このため、図2に示すように、第1の方向における基板100の両端を含む平面Sに対して、隔壁170は、その隔壁170よりも基板100の中心側に位置する隔壁170よりも高さ方向(図中Z方向)において傾いている。その結果、平面Sに対して、第1の方向における基板100の端部に最も近い隔壁170(例えば図中両端の隔壁170)は、第1の方向における基板100の中心に最も近い隔壁170よりも傾いている。   The substrate 100 is curved in the first direction. Therefore, as shown in FIG. 2, the partition wall 170 is higher than the partition wall 170 located on the center side of the substrate 100 with respect to the plane S including both ends of the substrate 100 in the first direction. It is inclined in the direction (Z direction in the figure). As a result, the partition 170 closest to the end of the substrate 100 in the first direction with respect to the plane S (for example, the partition 170 at both ends in the figure) is more than the partition 170 closest to the center of the substrate 100 in the first direction. Is also tilted.

また、本図に示す例において、基板100は矩形である。そして基板100は、第1辺、例えば長辺に沿う方向に湾曲している。そして、隔壁170は、基板100の第1辺に直交する方向、例えば短辺に平行な方向に延在している。そして端子220は、基板100の第1辺に交わる辺(第2辺)、例えば短辺の近傍に配置されている。   In the example shown in the figure, the substrate 100 is rectangular. The substrate 100 is curved in a direction along the first side, for example, the long side. The partition wall 170 extends in a direction orthogonal to the first side of the substrate 100, for example, a direction parallel to the short side. The terminal 220 is disposed in the vicinity of the side (second side) intersecting the first side of the substrate 100, for example, the short side.

なお、図2に示す例において、発光装置10は、基板100の第1面側が凸になる方向に湾曲している。ただし、図3に示すように、発光装置10は、基板100の第1面側が凹になる方向に湾曲していても良い。   In the example illustrated in FIG. 2, the light emitting device 10 is curved in a direction in which the first surface side of the substrate 100 is convex. However, as illustrated in FIG. 3, the light emitting device 10 may be curved in a direction in which the first surface side of the substrate 100 is concave.

図4は、発光装置10の製造方法を説明するための図である。図4(a)及び図4(b)は平面図であり、図4(c)は断面図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining a method for manufacturing the light emitting device 10. 4 (a) and 4 (b) are plan views, and FIG. 4 (c) is a cross-sectional view.

まず、図4(a)に示すように、基板100を支持部材400の上に載置した物を準備する。支持部材400は、例えば支持用のガラス基板である。次いで、基板100上に、隔壁170、有機EL素子101、及び端子220を形成する。   First, as shown in FIG. 4A, an object in which the substrate 100 is placed on the support member 400 is prepared. The support member 400 is a glass substrate for support, for example. Next, the partition wall 170, the organic EL element 101, and the terminal 220 are formed on the substrate 100.

次いで、図4(b)に示すように、接続部材30を用いて、外部配線300を端子220に接続する。   Next, as shown in FIG. 4B, the external wiring 300 is connected to the terminal 220 using the connection member 30.

次いで、図4(c)に示すように、基板100を支持部材400から取り外す。この際、基板100は、端子220が設けられている端部104とは逆側の端部102から引き剥がされる。この際、基板100が湾曲する方向は、隔壁170が延在する方向に対して45°以上となる方向(本図に示す例では直交する方向)である。また、基板100のうち最後に支持部材400から取り外される部分は、端部104、すなわち接続部材30及び外部配線300が取り付けられている部分である。従って、基板100のうち最後に支持部材400から取り外される部分は、接続部材30及び外部配線300によって補強されていることになる。   Next, as shown in FIG. 4C, the substrate 100 is removed from the support member 400. At this time, the substrate 100 is peeled off from the end portion 102 opposite to the end portion 104 where the terminals 220 are provided. At this time, the direction in which the substrate 100 bends is a direction that is 45 ° or more with respect to the direction in which the partition wall 170 extends (the direction orthogonal to the example shown in the figure). Further, the part of the substrate 100 that is finally removed from the support member 400 is the end 104, that is, the part to which the connection member 30 and the external wiring 300 are attached. Therefore, the part of the substrate 100 that is finally removed from the support member 400 is reinforced by the connection member 30 and the external wiring 300.

その後、基板100を、隔壁170が延在する方向に対して45°以上となる方向(例えば直交する方向)に湾曲させ、その状態を維持させる。   Thereafter, the substrate 100 is bent in a direction (for example, a direction orthogonal) with respect to the direction in which the partition wall 170 extends at 45 ° or more, and the state is maintained.

本実施形態によれば、基板100を支持部材400から取り外す際に、基板100が湾曲する方向は、隔壁170が延在する方向に対して45°以上となる方向である。従って、隔壁170に応力は加わりにくくなり、その結果、隔壁170が破損することを抑制できる。   According to the present embodiment, when the substrate 100 is removed from the support member 400, the direction in which the substrate 100 curves is a direction that is 45 ° or more with respect to the direction in which the partition wall 170 extends. Therefore, stress is hardly applied to the partition wall 170, and as a result, the partition wall 170 can be prevented from being damaged.

さらに、基板100のうち最後に支持部材400から取り外される部分は、接続部材30及び外部配線300によって補強されている。このため、基板100が支持部材400から取り外される際に、基板100のうち最後に支持部材400から取り外される部分の曲率半径が小さくなることを抑制できる。従って、隔壁170が破損することをさらに抑制できる。   Further, the part of the substrate 100 that is finally removed from the support member 400 is reinforced by the connection member 30 and the external wiring 300. For this reason, when the board | substrate 100 is removed from the supporting member 400, it can suppress that the curvature radius of the part removed from the supporting member 400 last among the board | substrates 100 becomes small. Therefore, it can further suppress that the partition 170 is damaged.

また、隔壁170は、基板100が湾曲している方向に対して45°以上90°以下の角度で交わる方向に延在している。このため、隔壁170と基板100の間において、隔壁170に加わる曲げ応力は小さくなる。特に隔壁170の延在方向が基板100の湾曲方向に直交している場合、隔壁170に加わる曲げ応力は特に小さくなる。従って、基板100を湾曲させた状態に維持しても、隔壁170が破損することを抑制できる。   Further, the partition wall 170 extends in a direction that intersects at an angle of 45 ° or more and 90 ° or less with respect to the direction in which the substrate 100 is curved. For this reason, the bending stress applied to the partition 170 between the partition 170 and the substrate 100 is reduced. In particular, when the extending direction of the partition wall 170 is orthogonal to the bending direction of the substrate 100, the bending stress applied to the partition wall 170 is particularly small. Therefore, even if the substrate 100 is maintained in a curved state, the partition wall 170 can be prevented from being damaged.

(実施例1)
図5は、実施例1に係る発光装置10の平面図である。図6は、図5のB−B断面図であり、図7は図5のC−C断面図であり、図8は図5のD−D断面図である。なお、図5において、引出配線は、分かりやすくするために大きく示されている。
Example 1
FIG. 5 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment. 6 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 5, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. 5, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line DD in FIG. In FIG. 5, the lead-out wiring is shown large for easy understanding.

発光装置10は、例えばディスプレイである。発光装置10は、基板100、第1電極110、絶縁層120、複数の第1開口122、複数の第2開口124、複数の引出配線130、有機層140、第2電極150、複数の引出配線160、及び複数の隔壁170を有している。有機EL素子101は、有機層140を第1電極110及び第2電極150で挟んだ構成を有している。基板100は、例えば膜厚が0.03mm以上0.3mm以下のガラス基板である。このため、発光装置10は可撓性を有している。   The light emitting device 10 is, for example, a display. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a first electrode 110, an insulating layer 120, a plurality of first openings 122, a plurality of second openings 124, a plurality of lead wires 130, an organic layer 140, a second electrode 150, and a plurality of lead wires. 160 and a plurality of partition walls 170. The organic EL element 101 has a configuration in which the organic layer 140 is sandwiched between the first electrode 110 and the second electrode 150. The substrate 100 is a glass substrate having a thickness of 0.03 mm to 0.3 mm, for example. For this reason, the light-emitting device 10 has flexibility.

第1電極110は、基板100の第1面側に形成され、第1方向(図5におけるX方向)にライン状に延在している。第1電極110は、例えばITO(Indium Thin Oxide)やIZO(インジウム亜鉛酸化物)などの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子によって形成された透明電極である。第1電極110は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第1電極110の端部は、引出配線130に接続している。   The first electrode 110 is formed on the first surface side of the substrate 100 and extends in a line shape in the first direction (X direction in FIG. 5). The first electrode 110 is a transparent electrode formed of an inorganic material such as ITO (Indium Thin Oxide) or IZO (indium zinc oxide) or a conductive polymer such as a polythiophene derivative. The first electrode 110 may be a metal thin film that is thin enough to transmit light. The end of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 130.

引出配線130は、第1電極110と駆動ICなどの電気部品を含む外部とを接続する配線である。引出配線130は、例えば、酸化導電材料であるITO、IZO、Al、Cr、又はAgなどの金属材料又は合金で構成される金属配線であるが、金属以外の導電性材料によって形成された配線であっても良い。また、引出配線130は複数の層が積まれた積層構造を備えていても良い。例えば引出配線130は、NiとMoの合金層、MoとNbの合金層、Al層、及びNiとMoの合金層をこの順に積層した構成を有していても良い。また引出配線130は、NiとNbの合金層、AlとNdの合金層、及びMoとNbの合金層をこの順に積層した構成を有していても良い。   The lead wiring 130 is a wiring that connects the first electrode 110 and the outside including electric components such as a driving IC. The lead wire 130 is a metal wire made of a metal material or an alloy such as ITO, IZO, Al, Cr, or Ag, which is an oxidized conductive material, but is a wire formed of a conductive material other than metal. There may be. Further, the lead wiring 130 may have a laminated structure in which a plurality of layers are stacked. For example, the lead-out wiring 130 may have a configuration in which an alloy layer of Ni and Mo, an alloy layer of Mo and Nb, an Al layer, and an alloy layer of Ni and Mo are stacked in this order. The lead-out wiring 130 may have a configuration in which an alloy layer of Ni and Nb, an alloy layer of Al and Nd, and an alloy layer of Mo and Nb are stacked in this order.

図5に示す例では、引出配線130は引出配線132の上に形成されている。引出配線132は、第1電極110と同種の材料によって形成されており、かつ第1電極110と一体になっている。言い換えると、第1電極110の端部が有機EL素子101の外部に引き出されて引出配線132となっている。   In the example shown in FIG. 5, the lead wiring 130 is formed on the lead wiring 132. The lead-out wiring 132 is made of the same material as that of the first electrode 110 and is integrated with the first electrode 110. In other words, the end portion of the first electrode 110 is drawn out to the outside of the organic EL element 101 to form the lead wiring 132.

絶縁層120は、図5〜図7に示すように、複数の第1電極110上及びその間の領域に形成されている。絶縁層120は、ポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層120としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層120はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。   As shown in FIGS. 5 to 7, the insulating layer 120 is formed on and between the plurality of first electrodes 110. The insulating layer 120 is a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. As the insulating layer 120, for example, a positive photosensitive resin is used. The insulating layer 120 may be a resin other than a polyimide resin, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.

絶縁層120には、複数の第1開口122及び複数の第2開口124が形成されている。第1開口122は、平面視で第1電極110と第2電極150の交点に位置している。複数の第1開口122は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の第1開口122は、第1電極110が延在する方向に並んでいる。また、複数の第1開口122は、第2電極150の延在方向にも並んでいる。このため、複数の第1開口122はマトリクスを構成するように配置されていることになる。   A plurality of first openings 122 and a plurality of second openings 124 are formed in the insulating layer 120. The first opening 122 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 150 in plan view. The plurality of first openings 122 are provided at predetermined intervals. The plurality of first openings 122 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends. The plurality of first openings 122 are also arranged in the extending direction of the second electrode 150. For this reason, the plurality of first openings 122 are arranged to form a matrix.

第2開口124は、平面視で複数の第2電極150のそれぞれの一端に位置している。また第2開口124は、第1開口122が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向(例えば図5におけるX方向)で見た場合、第2開口124は、第1電極110に沿う方向において、所定の間隔で配置されている。第2開口124からは、引出配線160又は引出配線160の一部分が露出している。   The second opening 124 is located at one end of each of the plurality of second electrodes 150 in plan view. The second openings 124 are arranged along one side of the matrix formed by the first openings 122. When viewed in a direction along one side (for example, the X direction in FIG. 5), the second openings 124 are arranged at a predetermined interval in the direction along the first electrode 110. The lead wiring 160 or a part of the lead wiring 160 is exposed from the second opening 124.

なお、第1開口122を有する絶縁層120と、第2開口124を有する絶縁層120は同一の材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。また、第1開口122を有する絶縁層120に対して基板100の外周部側に、第2開口124を有する絶縁層120を形成してもよい。また、第1開口122を有する絶縁層120と第2開口124を有する絶縁層120は連続する層であってもよく、分離した層(分断している)であってよい。   Note that the insulating layer 120 having the first opening 122 and the insulating layer 120 having the second opening 124 may be formed of the same material or different materials. Alternatively, the insulating layer 120 having the second opening 124 may be formed on the outer peripheral side of the substrate 100 with respect to the insulating layer 120 having the first opening 122. The insulating layer 120 having the first opening 122 and the insulating layer 120 having the second opening 124 may be continuous layers or separated layers (separated).

第1開口122と重なる領域には、有機層140が形成されている。有機層140は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を積層したものである。正孔輸送層は第1電極110に接しており、電子輸送層は第2電極150に接している。このようにして、有機層140は第1電極110と第2電極150の間で挟持されている。   An organic layer 140 is formed in a region overlapping with the first opening 122. The organic layer 140 is formed by stacking, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. The hole transport layer is in contact with the first electrode 110, and the electron transport layer is in contact with the second electrode 150. In this way, the organic layer 140 is sandwiched between the first electrode 110 and the second electrode 150.

なお、第1電極110と正孔輸送層との間には正孔注入層が形成されても良いし、第2電極150と電子輸送層との間には電子注入層が形成されてもよい。また、上記した各層の全てが必要ということではない。例えば電子輸送層内でホールと電子の再結合が生じている場合、電子輸送層が発光層の機能を兼ねているため、発光層は不要となる。また、これら第1電極110、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び第2電極150のうち、少なくとも1つは、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されていても良い。また、有機層140と第2電極150との間には、LiFなどの無機材料で構成される電子注入層を設けても構わない。   A hole injection layer may be formed between the first electrode 110 and the hole transport layer, or an electron injection layer may be formed between the second electrode 150 and the electron transport layer. . Also, not all of the above layers are necessary. For example, when recombination of holes and electrons occurs in the electron transport layer, the light-emitting layer is unnecessary because the electron transport layer also functions as the light-emitting layer. In addition, at least one of the first electrode 110, the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the second electrode 150 is formed using a coating method such as an inkjet method. May be. Further, an electron injection layer made of an inorganic material such as LiF may be provided between the organic layer 140 and the second electrode 150.

なお、図6及び図8に示す例では、有機層140を構成する各層は、いずれも第1開口122の外側まではみ出している場合を示している。そして図8に示すように、有機層140を構成する各層は、隔壁170が延在する方向において、隣り合う第1開口122の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図7に示すように、有機層140は、第2開口124には形成されていない。   In the example shown in FIGS. 6 and 8, each layer constituting the organic layer 140 is shown to protrude to the outside of the first opening 122. And as shown in FIG. 8, each layer which comprises the organic layer 140 may be continuously formed between the adjacent 1st opening 122 in the direction where the partition 170 is extended, or continuously. It may not be formed. However, as shown in FIG. 7, the organic layer 140 is not formed in the second opening 124.

第2電極150は、図5〜図7に示すように、有機層140より上に形成され、第1方向と交わる第2方向(図5におけるY方向)に延在している。第2電極150は、有機層140に電気的に接続している。例えば第2電極150は、有機層140上に形成されていても良いし、有機層140の上に形成された導電層の上に形成されていても良い。第2電極150は、例えばAgやAlなどの金属材料で形成された金属層、又はIZOなどの酸化導電材料で形成された層である。発光装置10は、互いに平行な複数の第2電極150を有している。一つの第2電極150は、複数の第1開口122上を通過する方向に形成されている。また、第2電極150は引出配線160に接続している。図示の例では、第2電極150の端部が第2開口124上に位置することにより、第2開口124において第2電極150と引出配線160は接続している。   As shown in FIGS. 5 to 7, the second electrode 150 is formed above the organic layer 140 and extends in a second direction (Y direction in FIG. 5) intersecting the first direction. The second electrode 150 is electrically connected to the organic layer 140. For example, the second electrode 150 may be formed on the organic layer 140 or may be formed on a conductive layer formed on the organic layer 140. The second electrode 150 is, for example, a metal layer formed of a metal material such as Ag or Al, or a layer formed of an oxidized conductive material such as IZO. The light emitting device 10 includes a plurality of second electrodes 150 that are parallel to each other. One second electrode 150 is formed in a direction passing through the plurality of first openings 122. The second electrode 150 is connected to the lead wiring 160. In the illustrated example, the end of the second electrode 150 is positioned on the second opening 124, whereby the second electrode 150 and the extraction wiring 160 are connected in the second opening 124.

図5の例では、引出配線160の下には引出配線162が形成されている。図5に示す例では、引出配線162の幅は、引出配線160の幅に対して大きいが、小さくてもよい。引出配線160,162は、基板100の第1面側のうち第1電極110及び引出配線130、132が形成されていない領域に形成されている。引出配線160は、例えば引出配線130と同時に形成されてもよいし、引出配線130とは別工程で形成されてもよい。同様に、引出配線162は、例えば引出配線132と同時に形成してもよいし、引出配線132とは別工程で形成されてもよい。   In the example of FIG. 5, a lead wiring 162 is formed under the lead wiring 160. In the example shown in FIG. 5, the width of the lead wiring 162 is larger than the width of the lead wiring 160, but may be small. The lead wires 160 and 162 are formed in a region where the first electrode 110 and the lead wires 130 and 132 are not formed on the first surface side of the substrate 100. The lead wiring 160 may be formed simultaneously with the lead wiring 130, for example, or may be formed in a separate process from the lead wiring 130. Similarly, the lead wiring 162 may be formed simultaneously with the lead wiring 132, for example, or may be formed in a separate process from the lead wiring 132.

引出配線162は、第1電極110を構成する材料と同種の又は異なる材料で形成されている。ここで同種の材料の例としては、第1電極110が酸化導電材料であるITOで形成されている場合、第1電極110を構成するITOと同一又は異なる組成のITO、又はIZOなどの酸化導電材が挙げられる。また異なる材料の例として、Al等の金属材料などが挙げられる。   The lead-out wiring 162 is formed of the same kind or different material as the material constituting the first electrode 110. Here, as an example of the same type of material, when the first electrode 110 is formed of ITO, which is an oxidized conductive material, an oxide conductive material such as ITO having the same or different composition as the ITO constituting the first electrode 110, or IZO. Materials. Examples of different materials include metal materials such as Al.

引出配線160の一端側(発光部側)の一部分は、第2開口124にて露出している。そして第2開口124において、第2電極150は引出配線160に接続している。また、引出配線160の他端側(基板の外周部側)の一部分は、絶縁層120の外側に引き出されている。すなわち、引出配線160の他端側は、絶縁層120から露出している。   A part of one end side (light emitting part side) of the lead wiring 160 is exposed through the second opening 124. In the second opening 124, the second electrode 150 is connected to the lead wiring 160. A part of the other end side (outer peripheral side of the substrate) of the lead wiring 160 is drawn to the outside of the insulating layer 120. That is, the other end side of the lead wiring 160 is exposed from the insulating layer 120.

隣り合う第2電極150の間には、隔壁170が形成されている。隔壁170は、第2電極150と平行すなわち第2の方向に延在している。隔壁170の下地は、例えば絶縁層120である。隔壁170は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁170は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁170はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。   A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 150. The partition wall 170 extends in parallel with the second electrode 150, that is, in the second direction. The base of the partition wall 170 is, for example, the insulating layer 120. The partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition wall 170 is formed using, for example, a negative photosensitive resin. The partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁170は、断面が台形の上下を逆にした形状(逆台形)になっている。すなわち隔壁170の上面の幅は、隔壁170の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁170を第2電極150より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、基板の第1面側に第2電極150を一面に形成することで、複数の第2電極150を一括で形成することができる。一面に形成した第2電極150は、隔壁170により分断されるため、複数の第2電極150が有機層140の上に設けられることになる。第2電極150が分断される位置は、例えば、隔壁170の下地である絶縁層120上、又は隔壁170の側面などが挙げられる。そして隔壁170の延在方向を変えることにより、第2電極150をストライプ形状、ドット形状、アイコン状、曲線などの自由な形状にパターニングできる。なお、隔壁170の上には、第2電極150と同様の材料からなる導電層152が形成されている。   The partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. For this reason, if the partition 170 is formed before the second electrode 150, a plurality of second electrodes 150 are formed on the first surface side of the substrate by vapor deposition or sputtering. The two electrodes 150 can be formed at a time. Since the second electrode 150 formed on one surface is divided by the partition wall 170, the plurality of second electrodes 150 are provided on the organic layer 140. The position where the second electrode 150 is divided includes, for example, the insulating layer 120 which is the base of the partition 170, the side surface of the partition 170, or the like. Then, by changing the extending direction of the partition wall 170, the second electrode 150 can be patterned into a free shape such as a stripe shape, a dot shape, an icon shape, or a curve. Note that a conductive layer 152 made of the same material as the second electrode 150 is formed on the partition wall 170.

また、有機層140を塗布材料で構成する場合、複数の第1開口122に塗布材料を塗布することで有機層140は形成される。塗布材料を複数の第1開口122に塗布した際、隔壁170は、隔壁170の両側にある第1開口122に塗布された塗布材料が互いに繋がって、隔壁170の一方の側にある第1開口122から他方の側にある第1開口122にかけて、有機層140が連続することを防止する機能を有していても構わない。この場合、隔壁170は、有機層140より前に形成されている。   In the case where the organic layer 140 is made of a coating material, the organic layer 140 is formed by applying the coating material to the plurality of first openings 122. When the coating material is applied to the plurality of first openings 122, the partition 170 is connected to the first openings 122 on both sides of the partition 170, and the first opening on one side of the partition 170 is connected to each other. It may have a function of preventing the organic layer 140 from continuing from 122 to the first opening 122 on the other side. In this case, the partition wall 170 is formed before the organic layer 140.

第2電極150より上には、封止膜210が形成されている。発光装置10は、有機EL素子101及び隔壁170を封止している。封止膜210は、酸化物から構成された層、例えば酸化アルミニウム膜を少なくとも有している。封止膜210は単層構造であっても良いし、複数の金属酸化膜を積層させた構造であっても良い。封止膜210は、例えば酸化アルミニウム膜であり、例えばALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて形成されている。本図に示す例では、第2電極150の上に封止膜210が形成されているが、第2電極150と封止膜210の間に他の膜が存在していても良い。封止膜210の膜厚は、例えば10nm以上1000nm以下である。ALD法により成膜された膜は段差被覆性が高い。ここで、段差被覆性とは、段差がある部分における膜厚の均一性のことをいう。段差被覆性が高いとは、段差がある部分においても膜厚の均一性が高いことであり、段差被覆性が低いとは、段差がある部分において膜厚の均一性が低いことである。なお、封止膜210は、ALD法以外の成膜法、例えばCVD法を用いて形成されても良い。   A sealing film 210 is formed above the second electrode 150. The light emitting device 10 seals the organic EL element 101 and the partition 170. The sealing film 210 includes at least a layer made of an oxide, for example, an aluminum oxide film. The sealing film 210 may have a single layer structure or a structure in which a plurality of metal oxide films are stacked. The sealing film 210 is an aluminum oxide film, for example, and is formed using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method. In the example shown in this figure, the sealing film 210 is formed on the second electrode 150, but another film may exist between the second electrode 150 and the sealing film 210. The film thickness of the sealing film 210 is, for example, 10 nm or more and 1000 nm or less. A film formed by the ALD method has high step coverage. Here, the step coverage means the uniformity of the film thickness in a portion where there is a step. High step coverage means that the film thickness uniformity is high even in a stepped portion, and low step coverage means that the film thickness uniformity is low in a stepped portion. Note that the sealing film 210 may be formed using a film formation method other than the ALD method, for example, a CVD method.

封止膜210は、図5に示すように、絶縁層120、引出配線160、及び引出配線130を覆っている。そして封止膜210のうち引出配線130の上に位置する部分、及び引出配線160の上に位置する部分には、開口212が形成されている。開口212は、引出配線130及び引出配線160が外部に電気的に接続するために設けられている。そして複数の開口212及びその下に位置する引出配線130,160によって、端子220が形成されている。   As shown in FIG. 5, the sealing film 210 covers the insulating layer 120, the extraction wiring 160, and the extraction wiring 130. An opening 212 is formed in a portion of the sealing film 210 located on the lead wiring 130 and a portion located on the lead wiring 160. The opening 212 is provided to electrically connect the lead wiring 130 and the lead wiring 160 to the outside. A terminal 220 is formed by the plurality of openings 212 and the lead wires 130 and 160 located therebelow.

次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100を支持部材400上に配置した物を準備する。   Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the thing which has arrange | positioned the board | substrate 100 on the support member 400 is prepared.

次いで、基板100上に第1電極110となる導電層を形成し、この導電層をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板100上には、第1電極110、引出配線132,162が形成される。   Next, a conductive layer to be the first electrode 110 is formed on the substrate 100, and this conductive layer is selectively removed using etching (for example, dry etching or wet etching). As a result, the first electrode 110 and the lead wires 132 and 162 are formed on the substrate 100.

次いで、基板100上、第1電極110上、及び引出配線132,162上に、引出配線130,160となる導電層を形成し、この導電層をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)などを利用し、選択的に除去する。これにより、引出配線130,160が形成される。   Next, a conductive layer to be the lead wirings 130 and 160 is formed on the substrate 100, the first electrode 110, and the lead wirings 132 and 162, and the conductive layer is etched (for example, dry etching or wet etching). And selectively remove. Thereby, the lead wires 130 and 160 are formed.

次いで、基板100上、第1電極110上、及び引出配線130,160上に絶縁層を形成し、この絶縁層をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)などを利用し、選択的に除去する。これにより、絶縁層120、第1開口122、及び第2開口124が形成される。例えば絶縁層120がポリイミドで形成されている場合、絶縁層120には加熱処理が行われる。これにより、絶縁層120のイミド化が進む。   Next, an insulating layer is formed on the substrate 100, the first electrode 110, and the lead wirings 130 and 160, and this insulating layer is selectively removed using etching (for example, dry etching or wet etching). Thereby, the insulating layer 120, the first opening 122, and the second opening 124 are formed. For example, when the insulating layer 120 is formed of polyimide, the insulating layer 120 is subjected to heat treatment. Thereby, imidation of the insulating layer 120 proceeds.

次いで、絶縁層120上に隔壁170となる絶縁膜を形成し、この絶縁膜をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)など利用し、選択的に除去する。これにより、隔壁170が形成される。隔壁170が感光性の絶縁膜で形成される場合、露光及び現像時の条件を調節することにより、隔壁170の断面形状を逆台形にすることができる。   Next, an insulating film to be the partition wall 170 is formed over the insulating layer 120, and this insulating film is selectively removed by using etching (for example, dry etching or wet etching). Thereby, the partition 170 is formed. In the case where the partition 170 is formed using a photosensitive insulating film, the cross-sectional shape of the partition 170 can be changed to an inverted trapezoid by adjusting the conditions during exposure and development.

隔壁170がネガ型レジストである場合、このネガ型レジストは、露光光源から照射光が照射された部分が硬化する。そして、このネガ型レジストのうち未硬化部分を現像液で溶解除去することにより、隔壁170が形成される。   When the partition 170 is a negative resist, the negative resist is cured at a portion irradiated with irradiation light from the exposure light source. The partition 170 is formed by dissolving and removing the uncured portion of the negative resist with a developer.

次いで、第1開口122内に有機層140となる各層を順に形成する。これらの層のうち少なくとも正孔注入層は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成される。この場合、第1開口122内に塗布材料が入り込み、この塗布材料が乾燥することにより、上記した各層が形成される。塗布法で用いられる塗布材料としては、高分子材料、高分子材料中に低分子材料を含んだものなどが適している。塗布材料としては、例えば、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン、無機化合物のゾルゲル膜、ルイス酸を含む有機化合物膜、導電性高分子などを利用することができる。なお、有機層140のうち残りの層(例えば電子輸送層)は、蒸着法により形成される。ただしこれらの層も、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。   Next, each layer to be the organic layer 140 is sequentially formed in the first opening 122. Among these layers, at least the hole injection layer is formed using a coating method such as spray coating, dispenser coating, inkjet, or printing. In this case, the coating material enters the first opening 122, and the coating material is dried, whereby the above-described layers are formed. As a coating material used in the coating method, a polymer material, a polymer material containing a low-molecular material, or the like is suitable. As the coating material, for example, a polyalkylthiophene derivative, a polyaniline derivative, triphenylamine, a sol-gel film of an inorganic compound, an organic compound film containing a Lewis acid, a conductive polymer, or the like can be used. The remaining layers (for example, electron transport layers) of the organic layer 140 are formed by a vapor deposition method. However, these layers may also be formed using any of the above-described coating methods.

次いで、有機層140上に第2電極150を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。このとき、隔壁170の上面には導電層152が形成される。   Next, the second electrode 150 is formed on the organic layer 140 by using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. At this time, the conductive layer 152 is formed on the upper surface of the partition wall 170.

なお、有機層140以外の層、例えば第1電極110、絶縁層120、引出配線130、引出配線160、第2電極150、及び隔壁170の少なくとも一つも、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。   Note that at least one of the layers other than the organic layer 140, for example, the first electrode 110, the insulating layer 120, the lead-out wiring 130, the lead-out wiring 160, the second electrode 150, and the partition wall 170 is formed using any of the above-described coating methods. It may be formed.

次いで、封止膜210を、ALD法を用いて形成し、さらに封止膜210に開口212を形成する。   Next, the sealing film 210 is formed using an ALD method, and an opening 212 is formed in the sealing film 210.

次いで、複数の開口212の上に接続部材30(例えば異方性導電性樹脂)を配置し、さらに接続部材30を用いて開口212内の引出配線130,160を外部配線300に接続する。   Next, the connection member 30 (for example, anisotropic conductive resin) is disposed on the plurality of openings 212, and the lead-out wirings 130 and 160 in the opening 212 are connected to the external wiring 300 using the connection member 30.

その後、基板100を支持部材400から取り外す。この取り外し方法は、実施形態に示した通りである。その後、基板100を、隔壁170が延在する方向と45°以上の角度で交わる方向(例えば直交する方向)に湾曲させる。このようにして、発光装置10が形成される。   Thereafter, the substrate 100 is removed from the support member 400. This removal method is as described in the embodiment. Thereafter, the substrate 100 is bent in a direction that intersects with the direction in which the partition wall 170 extends at an angle of 45 ° or more (for example, an orthogonal direction). In this way, the light emitting device 10 is formed.

以上、本実施例によっても、基板100を支持部材400から取り外す際に、隔壁170が破損することを抑制できる。また、基板100を湾曲させる際に、隔壁170が破損することも抑制できる。   As described above, according to this embodiment, the partition wall 170 can be prevented from being damaged when the substrate 100 is detached from the support member 400. Further, when the substrate 100 is bent, the partition wall 170 can be prevented from being damaged.

また、封止部材ではなく封止膜210を用いて有機EL素子101を封止しているため、発光装置10の可撓性を維持することができる。   Moreover, since the organic EL element 101 is sealed using the sealing film 210 instead of the sealing member, the flexibility of the light emitting device 10 can be maintained.

特に本実施例では、封止膜210としてALD法によって製造された膜(例えば酸化アルミニウム膜)を使用しており、基板100としてガラス基板を使用している。封止膜210は隔壁170も覆っているため、基板100を曲げたときに封止膜210と基材100の間で発生する応力は隔壁170に加わりやすい。このため、基板100が湾曲する方向に沿う方向に隔壁170を延在させると、隔壁170は特に破損しやすい。更に、封止膜210のうち隔壁170の上部に位置する部分を損傷してしまう恐れがある。これに対して本実施例では、隔壁170は、基板100が湾曲する方向に対して45°以上90°以下の角度で交わる方向に延在しているため、上記した条件においても、隔壁170が破損することを抑制できる。   In particular, in this embodiment, a film (for example, an aluminum oxide film) manufactured by the ALD method is used as the sealing film 210, and a glass substrate is used as the substrate 100. Since the sealing film 210 also covers the partition wall 170, stress generated between the sealing film 210 and the base material 100 when the substrate 100 is bent is likely to be applied to the partition wall 170. For this reason, when the partition 170 is extended in a direction along the direction in which the substrate 100 is curved, the partition 170 is particularly easily damaged. Furthermore, there is a possibility that a portion of the sealing film 210 located above the partition wall 170 is damaged. In contrast, in this embodiment, the partition 170 extends in a direction intersecting at an angle of 45 ° or more and 90 ° or less with respect to the direction in which the substrate 100 is bent. It can control that it breaks.

すなわち、発光装置10が一定の方向に曲げられた状態を維持したまま使用される場合において、隔壁170のような構造物により、基板100及び封止膜210の少なくとも一方が破損する可能性があったため、長寿命の発光装置10の実現が困難であった。本実施例による工夫により、長寿命の発光装置10を提供できる。   That is, when the light emitting device 10 is used while being kept bent in a certain direction, there is a possibility that at least one of the substrate 100 and the sealing film 210 may be damaged by a structure such as the partition wall 170. For this reason, it has been difficult to realize the long-life light emitting device 10. The light emitting device 10 having a long life can be provided by the device according to the present embodiment.

(実施例2)
図9は、実施例2に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本実施例に係る発光装置10は、第1の方向における隔壁170の配置間隔を除いて、実施形態又は実施例1に係る発光装置10と同様の構成である。
(Example 2)
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the second embodiment. The light emitting device 10 according to this example has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment or example 1 except for the arrangement interval of the partition walls 170 in the first direction.

詳細には、基板100が湾曲している方向(第1の方向)において、隔壁170の間隔は、基板100の中心側に近づくにつれて狭くなっている。その結果、第1の方向における基板100の端部に最も近い隔壁170と、この隔壁170の隣に位置する隔壁170との間隔は、第1の方向における基板100の中心に最も近い隔壁170と、この隔壁170の隣に位置する隔壁170の間隔よりも広い。   Specifically, in the direction in which the substrate 100 is curved (first direction), the interval between the partition walls 170 becomes narrower as it approaches the center side of the substrate 100. As a result, the distance between the partition 170 closest to the end of the substrate 100 in the first direction and the partition 170 located next to the partition 170 is the same as the partition 170 closest to the center of the substrate 100 in the first direction. The distance between the partition walls 170 adjacent to the partition walls 170 is wider.

なお、ある隔壁170の間隔と、その隣の隔壁170の間隔の差は、常に同一であっても良いし、異なっていても良い。また、いずれかの隔壁170の間隔と、その隣の隔壁170の間隔は同一であっても良い。   Note that the difference between the interval between a certain partition wall 170 and the interval between adjacent partition walls 170 may always be the same or different. Further, the interval between any partition walls 170 and the interval between adjacent partition walls 170 may be the same.

本実施例によっても、隔壁170と基板100の間において、隔壁170に加わる曲げ応力は小さくなる。また、隔壁170の間隔は、基板100の中心側に近づくにつれて狭くなっている。言い換えると、有機EL素子101の幅は、基板100の中心側に近づくにつれて狭くなっている。このため、発光装置10が湾曲していても、ユーザUから見た場合における、基板100の中心側に位置する有機EL素子101の幅と、基板100の端側に位置する有機EL素子101の幅との差は、小さくなる。   Also in this embodiment, the bending stress applied to the partition 170 between the partition 170 and the substrate 100 is reduced. Further, the interval between the partition walls 170 becomes narrower as it approaches the center side of the substrate 100. In other words, the width of the organic EL element 101 becomes narrower as it approaches the center side of the substrate 100. Therefore, even when the light emitting device 10 is curved, the width of the organic EL element 101 located on the center side of the substrate 100 and the organic EL element 101 located on the end side of the substrate 100 when viewed from the user U. The difference with the width becomes smaller.

(実施例3)
図10は、実施例3に係る発光装置10の構成を示す平面図である。本実施例において、発光装置10は照明装置である。そして、一つの隔壁170の間には、一つの有機EL素子101が延在している。言い換えると、発光装置10はストライプ状の有機EL素子101を複数有している。そして、隣り合う有機EL素子101の間には、隔壁170が延在している。なお、本図においては、封止膜210の図示を省略している。また、引出配線は、分かりやすくするために大きく示されている。
(Example 3)
FIG. 10 is a plan view illustrating the configuration of the light emitting device 10 according to the third embodiment. In this embodiment, the light emitting device 10 is a lighting device. One organic EL element 101 extends between one partition 170. In other words, the light emitting device 10 has a plurality of stripe-shaped organic EL elements 101. A partition wall 170 extends between adjacent organic EL elements 101. In the drawing, the illustration of the sealing film 210 is omitted. In addition, the lead-out wiring is greatly illustrated for easy understanding.

本図に示す例では、絶縁層120は設けられていない。ただし絶縁層120は、隔壁170の下にのみ設けられていても良い。   In the example shown in this figure, the insulating layer 120 is not provided. However, the insulating layer 120 may be provided only under the partition wall 170.

また、互いに異なる色(例えば赤、緑、及び青)を発光する有機EL素子101を繰り返し基板100の上に形成すると、これらの有機EL素子101の発光強度比を制御することにより、発光装置10に演色性を持たせることができる。   Further, when the organic EL elements 101 that emit different colors (for example, red, green, and blue) are repeatedly formed on the substrate 100, the light emitting device 10 is controlled by controlling the emission intensity ratio of these organic EL elements 101. Can have color rendering properties.

本実施例における発光装置10の製造方法は、実施例1と同様である。このため、基板100を支持部材400から取り外す際に、隔壁170が破損することを抑制できる。また、基板100を湾曲させる際に、隔壁170が破損することも抑制できる。   The method for manufacturing the light emitting device 10 in this example is the same as that in Example 1. For this reason, when removing the board | substrate 100 from the supporting member 400, it can suppress that the partition 170 is damaged. Further, when the substrate 100 is bent, the partition wall 170 can be prevented from being damaged.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

100 基板
101 有機EL素子
104 端部
110 第1電極
140 有機層
150 第2電極
170 隔壁
210 封止膜
212 開口
220 端子
30 接続部材
300 外部配線
400 支持部材
100 Substrate 101 Organic EL Element 104 End 110 First Electrode 140 Organic Layer 150 Second Electrode 170 Partition 210 Sealing Film 212 Opening 220 Terminal 30 Connection Member 300 External Wiring 400 Support Member

Claims (4)

支持部材と、前記支持部材上に保持されていて可撓性を有している基板とを準備する工程と、
前記基板の第1面側に、第1電極、有機層及び第2電極を有する有機EL素子、並びに、前記基板の第1の方向側の端部に位置していて前記有機EL素子に電気的に接続している端子を形成する工程と、
前記基板の前記第1面側に、前記第2電極を分断し、前記第1の方向に対して45°以上の角度で交わる方向に延在する複数の隔壁を形成する工程と、
外部配線を、接続部材を介して前記端子に接続する工程と、
前記外部配線を前記端子に接続した後、前記基板を前記支持部材から取り外す工程と、
を備える発光装置の製造方法。
Preparing a support member and a flexible substrate held on the support member;
An organic EL element having a first electrode, an organic layer, and a second electrode on the first surface side of the substrate, and an end of the substrate on the first direction side and electrically connected to the organic EL element Forming a terminal connected to,
Dividing the second electrode on the first surface side of the substrate and forming a plurality of partition walls extending in a direction intersecting at an angle of 45 ° or more with respect to the first direction;
Connecting external wiring to the terminal via a connecting member;
Removing the substrate from the support member after connecting the external wiring to the terminal;
A method for manufacturing a light emitting device.
請求項に記載の発光装置の製造方法において、
前記有機EL素子は、前記複数の隔壁の間に形成される発光装置の製造方法。
In the manufacturing method of the light-emitting device according to claim 1 ,
The organic EL element is a method for manufacturing a light emitting device formed between the plurality of partition walls.
請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法において、
前記基板を前記支持部材から取り外す工程において、前記基板のうち前記端子が設けられている端部とは逆側の端部から、前記基板を前記支持部材から取り外す発光装置の製造方法。
In the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 1 or 2 ,
In the step of removing the substrate from the support member, a method for manufacturing a light emitting device, wherein the substrate is removed from the support member from an end portion of the substrate opposite to an end portion where the terminal is provided.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記有機EL素子及び前記端子を形成した後、前記外部配線を前記端子に接続する前に、前記有機EL素子を封止する封止膜を形成する工程を備える発光装置の製造方法。
In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claims 1-3 ,
A method of manufacturing a light emitting device, comprising: forming a sealing film for sealing the organic EL element after forming the organic EL element and the terminal and before connecting the external wiring to the terminal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016219214A (en) * 2015-05-19 2016-12-22 株式会社Joled Functional element, display device, and imaging apparatus
CN106920826B (en) * 2017-02-27 2019-08-02 上海天马微电子有限公司 Flexible display panel, manufacturing method thereof and display device
CN107527554B (en) * 2017-08-23 2020-12-11 京东方科技集团股份有限公司 Flexible display panel, preparation method thereof and flexible display device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4218338B2 (en) * 2002-12-24 2009-02-04 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2008218213A (en) * 2007-03-05 2008-09-18 Pioneer Electronic Corp Optical device and its manufacturing method
JP2008218306A (en) * 2007-03-07 2008-09-18 Pioneer Electronic Corp Optical device
JP2009170173A (en) * 2008-01-11 2009-07-30 Denso Corp El element, and manufacturing method thereof
JP2010027502A (en) * 2008-07-23 2010-02-04 Tdk Corp Organic el display
JP5258436B2 (en) * 2008-07-30 2013-08-07 株式会社東芝 Display device and manufacturing method thereof

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