JP6199043B2 - Load drive control device - Google Patents
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Description
本発明は、過温度保護機能を備えた負荷駆動制御装置に係り、特に車両に用いられる負荷を駆動するのに好適な負荷駆動制御装置に関する。 The present invention relates to a load drive control device having an overtemperature protection function, and more particularly to a load drive control device suitable for driving a load used in a vehicle.
PWM(Pulse Width Modulation)パルス制御によりドライバ(MOSFET)をオンオフして負荷(例えば、ソレノイド)を駆動する装置が知られている。このような負荷駆動制御装置では、外部温度の上昇や、電源電圧の上昇、またドライバのオンオフ制御時の電力損失による自己発熱等により、温度が上昇して定格温度を越え、装置の破壊等が発生する場合がある。その為、多くの負荷駆動制御装置では、保護機能を備えて、発熱した場合にドライバを停止し、破壊を防止するような構成となっている(例えば、特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art There is known a device that drives a load (for example, a solenoid) by turning on and off a driver (MOSFET) by PWM (Pulse Width Modulation) pulse control. In such a load drive control device, the temperature rises and exceeds the rated temperature due to a rise in external temperature, a rise in power supply voltage, self-heating due to power loss during driver on / off control, etc. May occur. For this reason, many load drive control devices have a protection function and are configured to stop the driver when heat is generated to prevent destruction (for example, see Patent Document 1).
また、近年、車両の電子化に伴い、ドライバ用MOSFETの出力電圧の高周波成分によるEMI(Electro Magnetic Interference)ノイズが発生する場合が多く、自動車メーカーではEMIを対象にした規制の強化を行っている。そのため、負荷を駆動するドライバ用トランジスタのオンオフ制御端子(例えばドライバ用トランジスタがMOSのときはゲート端子)の容量に対して、電流源を用いて充電または放電を行ってON/OFF制御することによって、負荷駆動電圧波形の立上り時間及び立下り時間(以下ではスロープと呼ぶ)を緩やかにして、EMIノイズを低減させる技術が使われる。スロープを緩やかにしてEMIノイズを低減させる技術に関連し、電圧波形と周波数スペクトルの関係が知られている(例えば、非特許文献1参照)。 In recent years, with the digitization of vehicles, EMI (Electro Magnetic Interference) noise is often generated due to the high frequency component of the output voltage of the MOSFET for the driver, and automobile manufacturers are strengthening regulations for EMI. . Therefore, the on / off control terminal of the driver transistor for driving the load (for example, the gate terminal when the driver transistor is a MOS) is charged or discharged using a current source to perform ON / OFF control. A technique is used in which the rise time and fall time (hereinafter referred to as slope) of the load drive voltage waveform are moderated to reduce EMI noise. A relationship between a voltage waveform and a frequency spectrum is known (see, for example, Non-Patent Document 1) in relation to a technique for reducing the EMI noise by reducing the slope.
車両に用いられる負荷を駆動する場合、過温度により負荷駆動制御装置が破壊されることを防止するとともに、EMIノイズの発生を抑制する必要がある。 When driving a load used in a vehicle, it is necessary to prevent the load drive control device from being destroyed by an excessive temperature and to suppress the generation of EMI noise.
しかし、特許文献1の技術では、異常高温の原因であるFETを完全に停止するため、その後、このFETに接続された負荷を駆動することができない。
However, in the technique of
また、非特許文献1の技術では、スロープを緩やかにするために、ドライバ用のMOSFETのオン抵抗を大きくして、駆動する負荷電流値を制御する必要がある。そのため、スロープを緩やかにした場合は、電力損失P=I×R^2で計算される電力損失が大きくなり、発熱が増大するのが一般的である。
In the technique of
したがって、特許文献1の技術に特許文献2の技術を適用する場合、発熱によりドライバを完全に停止する可能性が高くなる。ドライバが完全に停止すると、負荷を駆動することができなくなり、車両が走行できなる可能性もある。そこで、負荷の駆動を可能な限り維持することが求められる。
Therefore, when the technique of
また最近は、製造コスト低減の観点により、上記のような負荷駆動ドライバに加えて、マイコン等の演算装置に電源を供給するための電源回路を備え、なおかつこれらを同一の半導体チップ上に電子回路として構成する事が求められている。 Recently, in addition to the load driving driver as described above, a power supply circuit for supplying power to an arithmetic unit such as a microcomputer is provided in addition to the load driving driver as described above, and these are provided on an electronic circuit on the same semiconductor chip. It is required to be configured as
本発明の目的は、負荷の駆動を可能な限り維持することができる負荷駆動制御装置を提供することにある。 The objective of this invention is providing the load drive control apparatus which can maintain the drive of load as much as possible.
上記目的を達成するために、本発明は、第1の負荷を駆動する第1のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素子のゲートに充放電する電流を示す第1のゲート駆動電流を前記第1のスイッチング素子のゲートに供給することにより、前記第1のスイッチング素子のゲートを駆動する第1のゲート駆動部と、前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H1以上となる度に、前記第1のゲート駆動電流を単位量だけ大きくし、前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値L1以下となる度に、前記第1のゲート駆動電流を前記単位量だけ小さくする第1のスロープ可変部と、を備え、前記しきい値H1は前記しきい値L1よりも大きいようにしたものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a first switching element for driving a first load and a first gate driving current indicating a current for charging / discharging the gate of the first switching element. By supplying the first switching element to the gate of the first switching element, the ambient temperature of the first switching element that drives the gate of the first switching element and the first switching element becomes equal to or higher than the threshold value H1. the first increasing the gate driving current unit quantity only, every time the ambient temperature of the first switching element becomes the threshold L1 less, you reduce the first gate driving current by the amount of the unit A first slope variable section, wherein the threshold value H1 is larger than the threshold value L1.
本発明によれば、負荷の駆動を可能な限り維持することができる。上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。 According to the present invention, driving of a load can be maintained as much as possible. Problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of embodiments.
〔第1の実施形態〕
以下、図1〜図8を用いて、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aの構成及び動作を説明する。以下では、車両に用いられる負荷(例えば、AT(Automatic Transmission)のL負荷)を駆動する負荷駆動制御装置100Aを一例として説明する。
[First Embodiment]
Hereinafter, the configuration and operation of the load
最初に、図1を用いて、負荷駆動制御装置100Aの全体構成を説明する。図1は、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aの構成を示すブロック図である。
Initially, the whole structure of 100 A of load drive control apparatuses is demonstrated using FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a load
負荷駆動制御装置100Aは、主として、電源生成ブロック4、ドライバ駆動ブロック30、所定温度保持部52を備える。
The load
電源生成ブロック4は、電源装置1から供給される電源電圧3からスイッチング電源出力13を生成する。なお、電源装置1の負極は、GND2に接続されている。
The power
電源生成ブロック4は、電源制御部5、スロープ可変部162、ゲート駆動部7、電源スイッチングMOS9、スイッチング電源用外部ダイオード11、スイッチング電源用外部コイル素子12、温度検知部14を備える。
The
電源制御部5は、フィードバックされたスイッチング電源出力13と所定の目標値との偏差が0になるように、ゲート駆動部7を制御する電源制御スイッチ信号6をゲート駆動部7に供給する。
The power
スロープ可変部162は、スロープを可変するスロープ可変信号172をゲート駆動部7に供給する。スロープ可変部162の詳細については、図3を用いて後述する。
Slope
ゲート駆動部7は、スロープ可変信号172と電源制御スイッチ信号6に基づいて、電源スイッチングMOS9のゲートを駆動する電源スイッチングMOSゲート駆動信号8を電源スイッチングMOS9に供給する。
The gate driver 7 based on the
電源スイッチングMOS9のソース端子とコイル素子12は導体10で直列に接続される。導体10には、ダイオード11のカソード端子が接続される。
The source terminal of the power switching MOS 9 and the
電源スイッチングMOS9、ダイオード11、コイル素子12を介して、電源電圧3からスイッチング電源出力13が生成される。
A switching
温度検知部14は、温度を検知するセンサであり、電力損失による発熱が大きい電源スイッチングMOS9の近傍に配置されている。温度検知部14は、検知した温度を示す温度検知部出力15をAD変換部50に供給する。
The
ドライバ駆動ブロック30は、PWM駆動部31、スロープ可変部161、ゲート駆動部33、ハイサイドMOSFET35、ロウサイドMOSFET37、温度検知部48、電流検知部39、ソレノイド等の負荷41、検出バッファ回路44、電流値補正部46を備える。
The
PWM駆動部31は、PWM制御信号32をゲート駆動部33に供給する。
The
スロープ可変部161は、スロープ可変信号171をゲート駆動部33に供給する。
Slope
ゲート駆動部33は、スロープ可変信号171とPWM制御信号32に基づいて、ハイサイドMOSゲート信号34とロウサイドMOSゲート信号36をハイサイドMOSFET35、ロウサイドMOSFET37にそれぞれ供給する。
The
ハイサイドMOSFET35、ロウサイドMOSFET37は、ハイサイドMOSゲート信号34とロウサイドMOSゲート信号36にそれぞれ応答して、交互(相補的)にオン/オフする。ゲート駆動部33の詳細については、図4を用いて後述する。
The high-
ハイサイドMOSFET35及びロウサイドMOSFET37のオン/オフにより、電源電圧3からドライバ出力信号38としての負荷駆動信号40が生成される。負荷駆動信号40は負荷41に供給され、ソレノイド等の負荷41が駆動する。このとき、負荷41に負荷駆動電流42が流れる。
By turning on / off the high-
なお、ハイサイドMOSFET35とロウサイドMOSFET37は、第1の負荷としての負荷41を駆動する第1のスイッチング素子に対応する。
The high-
温度検知部48は、温度を検知するセンサであり、電源生成ブロック4と同様に、電力損失による発熱が大きいハイサイドMOSFET35、ロウサイドMOSFET37の近傍に配置されている。温度検知部48は、検知した温度を示す温度検知部出力49をAD変換部50に供給する。
The
電流検知部39は、負荷41に流れる電流を検出するセンサである。電流検知部39は、検出した電流の電流値を示す電流検知信号43を検出バッファ回路44に供給する。
The
検出バッファ回路44は、電流検知信号43から電流値信号45を生成し、生成した電流値信号45を電流値補正部46に供給する。
The
電流値補正部46には、AD変換部出力51も入力される。電流値補正部46は、AD変換部出力51に基づいて、電流値信号45のばらつきを補正し、電流値フィードバック信号47をPWM制御部31に供給する。
The AD
温度検知部出力15は、AD変換部50に入力され、AD変換される。同様に、温度検知部出力49は、AD変換部50に入力され、AD変換される。AD変換部50は、AD変換部出力51を所定温度保持部52に供給する。なお、AD変換部50は、マルチプレクサタイプである。
The temperature
所定温度保持部52は、AD変換部出力51に応じてスロープを可変するためのスロープ制御信号53、54をスロープ可変部162、161にそれぞれ供給する。スロープ制御信号53、54は、スロープの急化又は緩化を指示する信号である。所定温度保持部52の詳細については、図2を用いて後述する。
Predetermined
なお、前述したスロープ可変部161は、スロープ制御信号54に基づいて、スロープ可変信号171を生成する。同様に、前述したスロープ可変部162は、スロープ制御信号53に基づいて、スロープ可変信号172を生成する。その詳細については、図3を用いて後述する。
Incidentally, the
本実施形態の場合、AD変換部50から出力されるAD変換部出力51を電流値補正部46に入力する事によって、電流値の補正精度を上げるような構成となっている。
In the case of the present embodiment, the AD
本実施形態では、負荷駆動制御装置100Aの電源生成ブロック4、ドライバ駆動ブロック30、AD変換部50、所定温度保持部52は1つのチップ(例えば、ワンチップIC)に配置されている。これにより、負荷駆動制御装置の製造コストを低減することができる。なお、負荷駆動制御装置100Aには、電源装置1は含まれない。
In the present embodiment, the
次に、図2を用いて、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aに用いられる所定温度保持部52の構成を説明する。図2は、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aに用いられる所定温度保持部52の構成を示すブロック図である。
Next, the configuration of the predetermined
所定温度保持部52は、比較部52a、52b、しきい値生成部52c、52e、を備える。しきい値生成部52c、52eは、それぞれ所定のしきい値信号52d、52fを比較部52a、52bに出力する。
The predetermined
比較部52a、52bは、入力されたAD変換部出力51と所定のしきい値信号52d、52fを比較し、比較結果に応じてスロープ制御信号53、54を出力する。なお、本実施形態では比較回路を2個のみ記載しているが、もちろん比較回路の数を多くする事によって、より多数のしきい値の設定、及び比較が可能である事は明白である。
The
ここで、図2の分岐点P1において、所定温度保持部52は、AD変換部出力51が温度検知部14に由来するものである場合、比較部52aに出力を切替える。一方、所定温度保持部52は、AD変換部出力51が温度検知部48に由来するものである場合、比較部52bに出力を切替える。
Here, at the branch point P1 in FIG. 2, when the AD
しきい値生成部52c、52eは、メモリを備え、メモリに記憶した所定のしきい値を読み出すことにより、所定のしきい値を生成している。
The
次に、図3を用いて、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aに用いられるスロープ可変部16(161、162)の構成を説明する。図3は、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aに用いられるスロープ可変部16(161、162)の構成を示すブロック図である。
Next, the configuration of the slope variable unit 16 (16 1 , 16 2 ) used in the load
スロープ可変部16は、所定時間計測部16a、電流値可変信号生成部16c、電流源回路16f、スイッチ回路16gを備える。
The
所定時間計測部16aは、入力されたスロープ制御信号53(54)に応じて、所定時間経過後に所定時間経過信号16bを出力する。
The predetermined
電流値可変信号生成部16cは、スロープ制御信号53(54)、もしくは所定時間経過信号16bに応じて、電流値可変信号16dを出力する。電流値可変信号16dは図3に示すように、スイッチ回路16gに供給される。
The current value
スイッチ回路16gは、電流値可変信号16dに基づいて、スイッチ回路16gを構成する各スイッチのON/OFF切替を行う。電流値可変信号16は、各スイッチのON/OFFを指示する信号である。
The
またスイッチ回路16gには電流源回路16fが接続されており、スイッチ回路16gのON/OFF切替に応じて異なる電流値の電流を供給出来るようになっている。
Further, a
この電流はスロープ可変信号17として、ゲート駆動部7、33に供給される。電流源回路16fには、電源16e(ゲート駆動電源)から所定の電圧が印加される。
This current is supplied to the
本実施形態では、例えば、スロープの急化を指示するスロープ制御信号53を受信するごとに、スロープ可変部16は、スイッチ回路16gを構成するスイッチを順次閉じる。逆に、緩化を指示するスロープ制御信号53を受信するごとに、スロープ可変部16は、スイッチ回路16gを構成するスイッチを順次開放する。これにより、電流源の電流値の整数倍の電流値を持つスロープ可変信号17が生成される。
In the present embodiment, for example, every time the
次に、図4を用いて、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aに用いられるゲート駆動部33の構成を説明する。図4は、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aに用いられるゲート駆動部33の構成を示すブロック図である。
Next, the configuration of the
ゲート駆動部33は、駆動電流生成部33a、ハイサイド電流源回路33g、ハイサイドMOSドライバ回路33k、ロウサイド電流源回路33i、を備える。また、ゲート駆動部33は、ハイサイド電流源回路33o、ロウサイドMOSドライバ回路33s、ロウサイド電流源回路33qを備える。
The
駆動電流生成部33aは、入力されたスロープ可変信号17に応じてハイサイドMOSFET35、ロウサイドMOSFET37のゲート駆動電流の基準電流値信号33c〜33fを生成する。例えば、スロープを急化する場合、スロープ可変信号17は、電流源の整数倍で大きくなる。このとき、基準電流値信号33c〜33fは、電流源の整数倍に比例して大きくなる。
The drive current generator 33a generates reference current value signals 33c to 33f for the gate drive currents of the high-
ハイサイド電流源回路33gは、ゲート駆動電流の基準電流値信号33cに応じたハイサイドチャージ電流33hをMOSドライバ回路33kに供給する。例えば、ハイサイドチャージ電流33hは、ゲート駆動電流の基準電流値信号33cに比例して大きくなる。
The high side
ロウサイド電流源回路33iは、ゲート駆動電流の基準電流値信号33dに応じたハイサイドディスチャージ電流33jをMOSドライバ回路33kに供給する。例えば、ロウサイド電流源回路33iは、ゲート駆動電流の基準電流値信号33dに比例して大きくなる。
The low side current source circuit 33i supplies a high side discharge current 33j corresponding to the reference
MOSドライバ回路33kは、ハイサイドMOSドライブ信号33lに基づいて、直列接続された2個のスイッチング素子を交互にオン/オフする。これにより、ハイサイドチャージ電流33hとハイサイドディスチャージ電流33jが交互に切り替わり、ハイサイドMOSゲート信号34が生成される。
The
同様に、ハイサイド電流源回路33oは、ゲート駆動電流の基準値信号33eに応じたロウサイドチャージ電流33pをロウサイドMOSドライバ回路33sに供給する。
Similarly, the high side current source circuit 33o supplies the low side MOS driver circuit 33s with a low side charge current 33p corresponding to the
ロウサイド電流源回路33qは、ゲート駆動電流の基準値信号33fに応じたロウサイドディスチャージ電流33rをロウサイドMOSドライバ回路33sに供給する。 The low-side current source circuit 33q supplies a low-side discharge current 33r corresponding to the gate drive current reference value signal 33f to the low-side MOS driver circuit 33s.
ロウサイドMOSドライバ回路33sは、ロウサイドMOSドライブ信号33tに基づいて、直列接続された2個のスイッチング素子を交互にオン/オフする。これにより、ハイサイドチャージ電流33pとハイサイドディスチャージ電流33rが交互に切り替わり、ハイサイドMOSゲート信号36が生成される。
The low side MOS driver circuit 33s alternately turns on / off two switching elements connected in series based on the low side MOS drive signal 33t. Thereby, the high side charge current 33p and the high side discharge current 33r are alternately switched, and the high side
なお、電源生成ブロック4側のゲート駆動部7では、本構成のうちロウサイドMOSドライバ回路33s側のみを備えた構成となっている。
The gate drive unit 7 on the
なお、ハイサイドMOSドライブ信号33l、ロウサイドMOSドライブ信号33tのうち、一方は、PWM制御信号32を入力信号としたものであるが、他方は、入力信号を反転したものである。
Note that one of the high-side MOS drive signal 33l and the low-side MOS drive signal 33t has the
次に、図5を用いて、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aにおけるゲート駆動電流と負荷駆動信号との関係を説明する。図5は、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aにおけるゲート駆動電流と負荷駆動信号との関係を示す図である。
Next, the relationship between the gate drive current and the load drive signal in the load
図5において、横軸はゲート駆動電流107(図4におけるチャージ電流(33h、33p)、ディスチャージ電流(33p、33r))であり、電流値が大きくなると、負荷駆動信号40のスロープが急峻になる事を示している。
In FIG. 5, the horizontal axis represents the gate drive current 107 (charge current (33h, 33p), discharge current (33p, 33r) in FIG. 4), and the slope of the
ゲート駆動電流107が小さい場合(107a)、負荷駆動信号40のスロープは波形100に示すように緩くなる。ゲート駆動電流107が大きくなると(107b)、スロープは波形101のように急峻となり、さらに大きくなると(107c)、さらにスロープは波形102のように急峻となる。
When the gate drive current 107 is small (107a), the slope of the
次に、図6を用いて、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aにおける負荷駆動信号とスイッチング損失の関係を説明する。図6は、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aにおける負荷駆動信号とスイッチング損失の関係を示す図である。
Next, the relationship between the load drive signal and the switching loss in the load
図6において、横軸は負荷駆動信号40のスロープ109を示し、縦軸はその時のスイッチング損失108を示す。スロープ109が緩い場合(109a)は、スイッチング損失108は大きく発熱も多くなる。図6は、スロープ109が急峻になった場合(109b)(109c)は、急峻になればなるほどスイッチング損失108も小さくなり、発熱も少なくなる事を示している。
In FIG. 6, the horizontal axis represents the
次に、図7を用いて、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aの動作を説明する。図7は、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aの動作を説明するためのタイミングチャートである。
Next, the operation of the load
図7では、負荷駆動制御装置の温度が可変する要素のうち、負荷駆動電流42が変動した場合の動作について説明する。またAD変換部出力51は、所定温度保持部52に入力された後、所定のしきい値(109a、109b)という所定の温度差を持ったしきい値に比較されるようになっている。
FIG. 7 illustrates an operation in the case where the load drive current 42 fluctuates among the elements that change the temperature of the load drive control device. The AD
負荷駆動電流42が42aに示すように低い値の場合、負荷に流れる負荷駆動電流値と負荷駆動を行うMOSFETのオン抵抗とで計算される損失も小さい為、発熱も少ない。 When the load drive current 42 is a low value as shown by 42a, the loss calculated by the load drive current value flowing through the load and the on-resistance of the MOSFET for driving the load is small, and therefore heat generation is small.
よってEMIの影響を小さくするために、負荷のPWM駆動を行う負荷駆動信号40のスロープが最も緩やかな波形100(スロープ1)で駆動されている。この時、ADC変換部出力51はしきい値109a、109bの所定の温度幅の中に入っている。またこの時、スロープ可変信号17は17aの値となっている。
Therefore, in order to reduce the influence of EMI, the slope of the
次にタイミング200において、負荷駆動電流42が42aから42bへと増加すると、MOSFETの損失が増大し、発熱が増える事となる、これによって、ADC変換部出力51は51aに示すように、出力波形が持ち上がるようになる。
Next, at the
そしてしきい値109aを越えると、比較部52aによって比較検出され、タイミング201において、スロープ制御信号(急化)54aが出力される事となる。これに応じて、スロープ可変信号17も17aから17bに変化し、MOSFETのゲートへのチャージ電流、ディスチャージ電流が変化してスロープは急峻となり、波形101のスロープ2の状態へと変化する。
When the
このスロープの急峻化によって、スイッチングの損失が低下し発熱が減少するため、AD変換部出力51は低下する。よって、外的な条件(この場合は負荷駆動電流42の増加)の変動が起こった場合でも、自動的にスロープを可変して所定の温度範囲に収まるように制御するため、発熱による影響を最低限に抑える事が可能となる。
Due to the steep slope, switching loss is reduced and heat generation is reduced, so that the
タイミング202において負荷駆動電流42が42bから42cへと変動した時も同様な動作を行い、スロープ可変信号が17bから17cに変化し、MOSFETのゲートへのチャージ電流、ディスチャージ電流が変化してスロープは急峻となり、波形102のスロープ3の状態へと変化する。これにより発熱が減少してAD変換部出力51は低下するので、負荷駆動制御装置の温度を所定の範囲内に収める事が可能となる。
The same operation is performed when the load drive current 42 fluctuates from 42b to 42c at the
タイミング204では逆に負荷駆動電流42が42cから42dへと減少した場合について説明している。この場合、負荷駆動電流42の減少に伴って損失が減り、発熱が低下して温度が下がる。よって図7の51cに示すように、AD変換部出力51は下側のしきい値109bを越えて低下し、スロープ制御信号(緩化)54cが出力される。
Conversely, the
これによってスロープ可変信号17は17cから17dに減少するので、タイミング205において上記とは逆にスロープは波形102(スロープ3)から波形101(スロープ2)へとより緩やかなスロープへと変化する。このスロープの緩化によって損失が増加し、MOSFETの発熱が増加するので、AD変換部出力51は上昇する。
As a result, the slope
つまり、本実施形態では、第1のスロープ可変部161が、所定温度保持部52、ゲート駆動部33と協働し、第1のスイッチング素子(図1のMOSFET35及び37)の周囲温度がしきい値H1(図7の符号109a)以上の場合に、第1のスイッチング素子(MOSFET35及び37)のゲートに充放電する電流を示す第1のゲート駆動電流を単位量(図3に示す電流源回路16fが供給する電流値の単位)だけ大きくし、前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値L1(図7の符号109b)以下の場合に、前記第1のゲート駆動電流を前記単位量だけ小さくする。ここで、しきい値H1はしきい値L1よりも大きい。これにより、負荷の駆動を可能な限り維持することができる。
In other words, in this embodiment, the first
さらにここでは、本実施形態におけるもう一つの特徴を説明する。51cにおいて、スロープの緩化によって発熱が増えてAD変換部出力51は上昇するが、上昇量が少なくしきい値109bを超えないため、54cに示すようにスロープ制御信号(緩化)が出力し続ける事となる。
Furthermore, another feature in the present embodiment will be described here. In 51c, heat generation increases due to the slack of the slope and the
この時、スロープ可変部16において所定時間計測部により所定時間が計測され、所定時間経過信号16bが出力されて電流値可変信号生成部16cに入力されるので、スロープ可変信号17は図7の110で示す所定時間T1経過後に、17dから17eに変化する。
At this time, since the predetermined time is measured by the predetermined time measurement unit in the
これによって、PWM駆動信号のスロープはタイミング206においてより緩やかな波形100(スロープ1)へと変化するので、損失が増加して発熱が増え、AD変換部出力51が上昇する。これによって、スロープを可変した後でも、AD変換部出力51が所定のしきい値範囲幅に到達しない場合は、所定時間後に自動的に再度スロープが可変され、スロープの可変を行う事が可能な構成となっている。
As a result, the slope of the PWM drive signal changes to a gentler waveform 100 (slope 1) at
つまり、本実施形態では、第1のスロープ可変部161は、所定温度保持部52、ゲート駆動部33と協働し、第1のスイッチング素子(図1のMOSFET35及び37)の周囲温度が前記しきい値L1(図7の符号109b)以下であり、且つ、所定時間T1が経過した場合、第1のゲート駆動電流を単位量だけ小さくする。これにより、スロープが緩化し、EMIノイズの発生を抑制することができる。
In other words, in this embodiment, the first
次に、図8を用いて、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aの別の動作を説明する。図8は、本発明の第1の実施形態である負荷駆動制御装置100Aの別の動作を説明するタイミングチャートである。
Next, another operation of the load
図8において、240は負荷駆動制御装置の周囲温度を示し、周囲温度240が変化した場合の動作について説明する。
In FIG. 8, 240 indicates the ambient temperature of the load drive control device, and the operation when the
最初、EMIの影響を小さくするために、負荷のPWM駆動を行う負荷駆動信号40のスロープが最も緩やかな波形100(スロープ1)で駆動されている。周囲温度240が240aに示すように低い場合、ADC変換部出力51はしきい値109a、109bの所定の温度幅の中に入っている。
Initially, in order to reduce the influence of EMI, the slope of the
またこの時、スロープ可変信号17は17aの値となっている。ここで、周囲温度240が上昇し、ADC変換部出力51がタイミング241でしきい値109aを越えると、比較部52aによって比較検出され、スロープ制御信号(急化)54aが出力される事となる。
At this time, the slope
これに応じて、スロープ可変信号17も17aから17bに変化し、MOSFETのゲートへのチャージ電流、ディスチャージ電流が変化してスロープは急峻となり、波形100(スロープ1)から波形101(スロープ2)の状態へと変化する。
Correspondingly, the slope
このスロープの急峻化によって、スイッチングの損失が低下し発熱が減少するため、AD変換部出力51は低下する。この後、周囲温度240が240bに示すように上昇を続けた場合でも、タイミング243で同様の動作となり、波形101(スロープ2)から波形102(スロープ3)の状態へと変化する。
Due to the steep slope, switching loss is reduced and heat generation is reduced, so that the
このスロープの急峻化によって、スイッチングの損失が低下し発熱が減少するため、AD変換部出力51は低下する。またタイミング246において周囲温度240が低下した場合でも、図7の場合と同様な動作となり、逆にスロープが緩化して波形102(スロープ3)から波形101(スロープ2)の状態へと変化し、所定時間110経過後にさらに波形100(スロープ1)へと変化する。
Due to the steep slope, switching loss is reduced and heat generation is reduced, so that the
よって、このような動作により、外的な条件(この例の場合は周囲温度の変化)の変動が起こった場合でも、自動的にスロープを可変して所定の温度範囲に収まるように制御するため、発熱による影響を最低限に抑える事が可能となる。 Therefore, even if external conditions (in this example, changes in ambient temperature) fluctuate due to such an operation, the slope is automatically varied and controlled so as to be within a predetermined temperature range. It is possible to minimize the influence of heat generation.
また通常はEMI対策のために緩やかなスロープに設定しておき、周囲温度240や負荷駆動電流42が増加して装置の保護が必要となった場合のみスロープを急峻にして発熱を低下させた状態で動作を継続させるといった保護機能の付いた負荷駆動制御装置を実現出来る。
Normally, a gentle slope is set for EMI countermeasures, and the slope is sharpened to reduce heat generation only when the
なお、本実施形態においては、主にドライバ駆動ブロック30の動作を中心に説明を行ったが、電源生成ブロック4の動作についても同様であり、温度検知部14の出力によってゲート駆動部7の電流値を制御してスロープを可変し、スイッチングMOSFET9の発熱を低減させる事により、動作を継続させるといった保護機能を持った負荷駆動制御装置を実現する事が出来る。
In the present embodiment, the description has been made mainly on the operation of the
また、本実施形態においては、AD変換部を設けて、AD変換された値を所定温度保持部52に入力して比較を行っているが、このAD変換は必須ではなく、アナログ信号のままで同様な処理を行い、スロープ制御を行って発熱を低減させる事により、過温度状態の保護を行い、動作を継続させる事も勿論可能である。
In this embodiment, an AD conversion unit is provided, and the AD converted value is input to the predetermined
〔第2の実施形態〕
次に、図9〜図11を用いて、本発明の第2の実施形態である負荷駆動制御装置100Bの構成及び動作を説明する。
[Second Embodiment]
Next, the configuration and operation of the load drive control device 100B according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
最初に、図9を用いて、本発明の第2の実施形態である負荷駆動制御装置100Bの全体構成を説明する。図9は、本発明の第2の実施形態である負荷駆動制御装置100Bの構成を示すブロック図である。なお、図9において、図1と同一部分には同一符号を付す。 Initially, the whole structure of the load drive control apparatus 100B which is the 2nd Embodiment of this invention is demonstrated using FIG. FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a load drive control device 100B according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 9, the same parts as those in FIG.
図1と比較して、図9に示す負荷駆動制御装置100Bは、特に、周波数可変部60(601、602)を備える点が異なる。
Compared with FIG. 1, the load
周波数可変部60(601、602)は、所定温度保持部52の出力に応じて、電源生成ブロックのゲート駆動スイッチング周波数を可変する、もしくはドライバ駆動ブロック30のPWM駆動周波数を可変する。
The frequency variable section 60 (60 1 , 60 2 ) varies the gate drive switching frequency of the power generation block or the PWM drive frequency of the
周波数可変部601から出力される周波数可変信号611は電源制御部5に入力される。一方、周波数可変部602から出力される周波数可変信号612はPWM制御部31に入力される。それ以外は、第1実施形態と同様である。
次に、図10を用いて、本発明の第2の実施形態である負荷駆動制御装置100Bに用いられる周波数可変部60(601、602)の構成を説明する。図10は、本発明の第2の実施形態である負荷駆動制御装置100Bに用いられる周波数可変部60の構成を示すブロック図である。
Next, the configuration of the frequency variable unit 60 (60 1 , 60 2 ) used in the load drive control device 100B according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of the
周波数可変部60(601、602)は、所定時間計測部60a、周波数可変信号生成部60b、所定周波数生成部60c、60e、切替スイッチ60hを備える。
The frequency variable unit 60 (60 1 , 60 2 ) includes a predetermined
所定時間計測部60aは、入力されたスロープ制御信号54から所定時間を計測し、所定時間経過信号を周波数可変信号生成部60bに供給する。
The predetermined
周波数可変信号生成部60bは、所定時間経過信号60iもしくは入力されたスロープ制御信号54に応じて所定の周波数の切替を行う周波数可変信号60gを生成し、生成した周波数可変信号60gを切替スイッチ60hに供給する。
The frequency variable
所定周波数生成部60c、60eは、それぞれ所定の周波数信号60d、60fを生成し、生成した周波数信号60d、60fを切替スイッチ60hに供給する。なお、所定周波数生成部60c、60eは、メモリを備え、メモリに記憶した所定周波数を読み出すことにより、所定の周波数信号60d、60fを生成する。
The predetermined
切替スイッチ60hは、周波数切替信号60gに応じて周波数信号の切替を行い、切替により選択した周波数信号を周波数可変信号61として出力する。
The
次に、図11を用いて、本発明の第2の実施形態である負荷駆動制御装置100Bの動作を説明する。図11は、本発明の第2の実施形態である負荷駆動制御装置100Bの動作を説明するためのタイミングチャートである。 Next, the operation of the load drive control device 100B according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a timing chart for explaining the operation of the load drive control device 100B according to the second embodiment of the present invention.
第2実施形態でも、第1実施形態と同様に、電源電圧3の上昇によってAD変換部出力51が所定のしきい値109a、109bを越えると、スロープ制御信号54が出力されてスロープを可変し、発熱を低減させながら、負荷駆動制御装置は動作を継続する(図11のタイミング261、タイミング264参照)。
In the second embodiment, as in the first embodiment, when the
またこの時、電源生成ブロック4の電源スイッチングMOS9を駆動するスイッチング周波数は、所定周波数1となっている。
At this time, the switching frequency for driving the power switching MOS 9 of the
次に、タイミング266において、周囲温度240が240bに示すように上昇を始めた場合(例えば、渋滞などにより車両が停止した場合)、51cに示している通り、AD変換部出力51も上昇する。
Next, at the
そしてタイミング267においてしきい値109aを越えると、スロープ制御信号54が出力され、第1実施形態と同様に、スロープは急化して、波形102(スロープ3)から波形103(スロープ4)に切り替わる。
When the
しかし周囲温度は上がっているので、51dに示すようにAD変換部出力51はさらに上昇を続けるため、スロープ制御信号54はハイを継続する。そして、所定時間計測部60aによって計測された所定時間269後のタイミング268において、所定時間経過信号60iが出力され、これによって図11に示すように周波数切替信号60gが出力されて、電源スイッチングMOS9のスイッチング周波数は所定周波数1から所定周波数2へと切り替えられる。
However, since the ambient temperature has risen, as shown by 51d, the
一般的には、周波数が高いと、スイッチングによる電力損失が増大して発熱が大きくなる事が知られている。よって、本実施形態の場合も、周波数条件は(所定周波数1>所定周波数2)となっており、より低い周波数へと切り替えられる事となる。
In general, it is known that when the frequency is high, power loss due to switching increases and heat generation increases. Therefore, also in this embodiment, the frequency condition is (predetermined
このような動作によって、スロープを切り替えても発熱が多くてAD変換部出力51が低下しない場合でも、スイッチング周波数を切替えて周波数を低下させる事によって、さらに発熱を低下させる事が可能となる。これにより、電源を生成したり、負荷を駆動したりといった動作を継続させるといった保護機能を持った負荷駆動制御装置を実現する事が出来る。
By such an operation, even when the slope is switched, heat generation is large and the
つまり、本実施形態では、周波数可変部602は、所定温度保持部52、電源制御部5、ゲート駆動部7等と協働し、第1のスイッチング素子(図9のMOSFET35及び37)の周囲温度がしきい値H1(図11の符号109a)以上であり、且つ、所定時間T2が経過した場合、電源用スイッチング素子(図9のMOSFET9)のスイッチング周波数を小さくする。
That is, in the present embodiment, the
なお、本実施形態では電源生成ブロック4についての動作を述べているが、同様な効果はドライバ駆動ブロック30についても言える事は明白である。
In the present embodiment, the operation of the power
〔第3の実施形態〕
次に、図12〜図13を用いて、本発明の第3の実施形態である負荷駆動制御装置100Cの構成及び動作を説明する。
[Third Embodiment]
Next, the configuration and operation of the load
最初に、図12を用いて、本発明の第3の実施形態である負荷駆動制御装置100Cの全体構成を説明する。図12は、本発明の第3の実施形態である負荷駆動制御装置100Cの構成を示すブロック図である。なお、図12において、図9と同一部分には同一符号を付す。
Initially, the whole structure of the load
図9と比較して、図12に示す負荷駆動制御装置100Cは、所定温度保持部にしきい値信号71が入力される点が異なる。
Compared to FIG. 9, the load
図12において、周波数可変部602は所定温度保持部52から出力される周波数制御信号70によって制御されている。また、所定温度保持部52には、外部からしきい値信号71が入力されている。それ以外は第2実施形態と同様である。
12, the
次に、図13を用いて、本発明の第3の実施形態である負荷駆動制御装置100Cの動作を説明する。図13は、本発明の第3の実施形態である負荷駆動制御装置100Cの動作を説明するためのタイミングチャートである。
Next, the operation of the load
第3実施形態では、所定温度保持部52にしきい値信号71が入力されており、図13に示している通りAD変換部出力51はこのしきい値信号71と比較されている。そしてタイミング268においてAD変換部出力51がこのしきい値71を越えると、周波数制御信号70が出力されて、電源スイッチングMOS9のスイッチング周波数は所定周波数1から所定周波数2へと切り替えられる。
In the third embodiment, a
つまり、本実施形態では、周波数可変部602は、第1のスイッチング素子の周囲温度(図12のMOSFET35及び37)がしきい値H2(図13の符号71)以上の場合、前記電源用スイッチング素子(図12のMOSFET9)のスイッチング周波数を小さくする。ここで、しきい値H2は前記しきい値H1よりも大きい。
That is, in the present embodiment, the
これによって、第2実施形態と同様に、スイッチング周波数を切替えて周波数を低下させる事によって、さらに発熱を低下させる事が可能となる。これにより、電源を生成したり、負荷を駆動したりといった動作を継続させるといった保護機能を持った負荷駆動制御装置を実現する事が出来る。 Thus, similarly to the second embodiment, it is possible to further reduce heat generation by switching the switching frequency to lower the frequency. As a result, it is possible to realize a load drive control device having a protection function of continuing operations such as generating a power supply and driving a load.
また、本実施形態によれば、マイコン等でしきい値71をフレキシブルに変更できる。
Further, according to the present embodiment, the
〔第4の実施形態〕
次に、図14〜図15を用いて、本発明の第4の実施形態である負荷駆動制御装置100Dの構成及び動作を説明する。
[Fourth Embodiment]
Next, the configuration and operation of the load
最初に、図14を用いて、本発明の第4の実施形態である負荷駆動制御装置100Dの全体構成を説明する。図14は、本発明の第4の実施形態である負荷駆動制御装置100Dの構成を示すブロック図である。なお、図14において、図12と同一部分には同一符号を付す。
Initially, the whole structure of load
図14において、ゲート駆動部7、及び33の前段に遮断用ゲート84、81が付加されている。また遮断用ゲート84、81にはそれぞれ、所定温度保持部52からスイッチング駆動停止信号83、及びドライバ駆動停止信号80が入力されるようになっている。それ以外は第3の実施形態と同様である。
In FIG. 14, blocking
次に、図15を用いて、本発明の第4の実施形態である負荷駆動制御装置100Dの動作を説明する。図15は、本発明の第4の実施形態である負荷駆動制御装置100Dの動作を説明するためのタイミングチャートである。
Next, the operation of the load
図15において、タイミング261、タイミング264での動作は、第1〜第3の実施形態と同様な動作となり、AD変換部出力51がしきい値を越えると、スロープ制御信号54が出力されて、スロープが可変する。波形100(スロープ1)から波形102(スロープ3)に切り替わる。
In FIG. 15, the operations at timing 261 and
またタイミング267、タイミング268における動作も、第2実施形態、第3実施形態と同様で、周囲温度240の上昇に伴ってAD変換部出力51も上昇し、スロープ制御信号54が出力されて、波形102(スロープ3)から波形103(スロープ4)に切り替わり(タイミング267)、その後AD変換部出力51がしきい値71aを越えると、周波数制御信号70が出力されて、電源スイッチングMOS9のスイッチング周波数は所定周波数1から所定周波数2へと切り替えられる(タイミング268)。
The operations at timing 267 and
本実施形態では、この状態でもまだ周囲温度240の上昇が継続し、AD変換部出力51も上昇を続けている。この場合、所定温度保持部52に外部から入力されているしきい値信号71によって設定されている所定しきい値71bを越えると、ドライバ駆動停止信号80が出力される。
In this embodiment, the
本ドライバ駆動停止信号80は、遮断用ゲート81に入力されて、PWM制御信号32をゲートし、PWM駆動信号82を出力する。これによって、ドライバ駆動ブロック30の動作は停止する事となり、発熱の防止を抑える事が出来る。
The driver
さらにAD変換部出力51が上昇してしきい値71cを超えると、スイッチング駆動停止信号83が出力される。本ドライバ駆動停止信号83は、遮断用ゲート84に入力されて、電源制御スイッチ信号6をゲートし、スイッチング駆動信号85を出力する。これによって、電源生成ブロック4の動作は停止する事となり、発熱の防止を抑える事が出来る。
When the
このように、AD変換部出力51に応じて、まずスロープの可変を行い、次に駆動周波数を可変し、最後に停止するといった手順を踏む事で、高温の環境下においても、即装置の停止が発生せず、自分自身で自動的に発熱を低減させながら動作を継続し、最後に自己保護のために回路を停止させるような動作を実現させる事が出来、信頼性の高い負荷駆動制御装置を提供する事が可能となる。
In this way, depending on the
また本実施形態のように、電源を生成する電源生成ブロックと、負荷を駆動するドライバ駆動ブロックの両方を同時に制御する場合、電源生成ブロック4を停止させる電源停止しきい値(図15の71cに示す)と、ドライバ駆動ブロック30を停止させるドライバ停止しきい値(図15の71bに示す)とでは、電源停止しきい値(71c)>ドライバ停止しきい値(71b)というふうに、電源停止しきい値(71c)の方がより高いしきい値に設定されるようにされる。
Further, as in this embodiment, when both the power generation block that generates power and the driver drive block that drives the load are controlled simultaneously, the power stop threshold value for stopping the power generation block 4 (in 71c of FIG. 15). And the driver stop threshold value (indicated by 71b in FIG. 15) for stopping the
これによって、電源生成ブロック4は最後まで動作を継続する事が出来るので、負荷駆動制御装置の信頼性をより高める事が可能となる。
As a result, the
つまり、本実施形態では、第1の遮断用ゲート(図14の遮断用ゲート81)は、所定温度保持部52、PWM制御部31、ゲート駆動部33等と協働し、第1のスイッチング素子(図14のMOSFET35及び37)の周囲温度がしきい値H3(図15の符号71b)以上の場合、第1のスイッチング素子の駆動を停止する。ここで、しきい値H3はしきい値H2よりも大きい。
That is, in the present embodiment, the first cutoff gate (the
また、本実施形態では、電源遮断用ゲート(図14の遮断用ゲート84)は、所定温度保持部52、電源制御部5、ゲート駆動部7等と協働し、第1のスイッチング素子(図14のMOSFET35及び37)の周囲温度がしきい値H4(図15の符号71c)以上の場合、前記電源用スイッチング素子(図14のMOSFET9)の駆動を停止する。ここで、しきい値H4はしきい値H3よりも大きい。
In the present embodiment, the power shut-off gate (the shut-off
〔第5の実施形態〕
次に、図16〜図18を用いて、本発明の第5の実施形態である負荷駆動制御装置100Eの構成及び動作を説明する。
[Fifth Embodiment]
Next, the configuration and operation of a load
最初に、図16を用いて、本発明の第5の実施形態である負荷駆動制御装置100Eの全体構成を説明する。図16は、本発明の第5の実施形態である負荷駆動制御装置100Eの構成を示すブロック図である。なお、図16において、図14と同一部分には同一符号を付す。
Initially, the whole structure of the load
図14と比較して、負荷駆動制御装置100Eは、2つのドライバ駆動ブロック30a、30bを備える点と優先度設定部90を備える点が異なる。
Compared to FIG. 14, the load
ドライバ駆動ブロック30a、30bは、それぞれ個別の負荷41a、41bを駆動する。 The driver drive blocks 30a and 30b drive individual loads 41a and 41b, respectively.
優先度設定部90で生成された優先設定しきい値a(91)と優先設定しきい値b(92)が出力され、ドライバ駆動ブロック30a、30bそれぞれの所定温度保持部52に入力されるような構成となっている。
The priority setting threshold value a (91) and the priority setting threshold value b (92) generated by the
優先度設定信号93は、外部制御媒体(例えばCPUなど)から優先度設定部90に入力される。
The
次に、図17を用いて、本発明の第5の実施形態である負荷駆動制御装置100Eに用いられる優先度設定部90の構成を説明する。図17は、本発明の第5の実施形態である負荷駆動制御装置100Eに用いられる優先度設定部90の構成を示すブロック図である。
Next, the configuration of the
優先度設定部90は、しきい値生成部90a〜90d、スイッチ回路90e、90fを備える。しきい値生成部90a〜90dには、90a〜90dはそれぞれ異なるしきい値が設定されている。スイッチ回路90e、90fは、優先度設定信号93に応じてしきい値を選択し、選択したしきい値を出力する。ここで、スイッチ回路90e、90fは、優先度設定信号93に応じて、優先度の低い負荷が先に停止するようにしきい値生成部90a〜90dを切替える。
The
次に、図18を用いて、本発明の第5の実施形態である負荷駆動制御装置100Eの動作を説明する。図18は、本発明の第5の実施形態である負荷駆動制御装置100Eの動作を説明するためのタイミングチャートである。
Next, the operation of the load
所定温度保持部52におけるしきい値は、優先度設定しきい値91、92によって設定され、本実施形態ではドライバ駆動ブロック30a側の優先設定しきい値(91)の方が、より低い値に設定されている。
The threshold value in the predetermined
よって、図18のタイミングチャートに示すように、周囲温度240が上昇した場合、ドライバ駆動ブロック30a側のAD変換部出力51aが上昇し、スロープ制御信号54aの方が先に出力され、PWM駆動信号82aに示すように、タイミング290、291、292において波形100(スロープ1)から波形103(スロープ4)への変化が先に発生する。そして最後にドライバ駆動停止信号80aが出力されて、まずドライバ駆動ブロック30a側の方が停止する。
Therefore, as shown in the timing chart of FIG. 18, when the
他方、周囲温度の上昇によって、AD変換部出力51bも上昇する。しかし、ドライバ駆動ブロック30b側の優先設定しきい値(92)はドライバ駆動ブロック30a側よりも高めに設定されているため、スロープ制御信号54bは出力されない。
On the other hand, as the ambient temperature increases, the
そして、上記のようにドライバ駆動ブロック30a側のスロープが可変され、さらにドライバの動作が停止したタイミング293において、優先設定しきい値(92)を越えて、スロープが波形100(スロープ1)から波形101(スロープ2)へと変化する。その後も同様な動作となって、AD変換部出力51bの上昇とともにスロープが変化し、最後はドライバ駆動停止信号80bが出力されて、ドライバ駆動ブロック30b側の方も停止する。
Then, at the
つまり、本実施形態では、第1の遮断用ゲート(図16の遮断用ゲート811)は、第1のスイッチング素子(図16のMOSFET351及び371)の周囲温度がしきい値H3以上の場合、前記第1のスイッチング素子の駆動を停止する。ここで、前記しきい値H3は前記しきい値H2よりも大きい。
In other words, in this embodiment, the first blocking gates (blocking
一方、第2のスロープ可変部(図16のスロープ可変部162)は、第2のスイッチング素子(図16のMOSFET352及び372)の周囲温度がしきい値H3以上の場合に、前記第2のスイッチング素子のゲートに充放電する電流を示す第2のゲート駆動電流を前記単位量だけ大きくする。
On the other hand, the second slope variable portion (slope
また、第2の遮断用ゲート(図16の遮断用ゲート812)は、第2のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H6以上の場合、前記第2のスイッチング素子の駆動を停止する。ここで、前記しきい値H6は前記しきい値H3よりも大きい。
Further, the second blocking gate (blocking
このように、優先度設定部90によって、異なった値のしきい値をそれぞれのドライバ駆動ブロックに設定する事により、例えば優先度の低い負荷(吸排気のバルブタイミングを変える装置に用いられるコイル)については、早めにスロープの可変や周波数の可変を行ったり、停止させたりして、優先度の高い負荷をより最後まで動作可能となるような制御を行う事が出来るので、負荷駆動制御装置の信頼性をより高める事が可能となる。
In this way, by setting threshold values of different values to the respective driver drive blocks by the
また本実施形態では、ドライバ駆動ブロックで動作を説明しているが、第1実施形態のように、ドライバ駆動ブロックと電源生成ブロックとを組み合わせた構成においても、本実施形態で説明した優先度設定部による保護が可能な事は明白である。 In the present embodiment, the operation is described using the driver drive block. However, the priority setting described in the present embodiment is also applied to the configuration in which the driver drive block and the power generation block are combined as in the first embodiment. It is clear that protection by the department is possible.
またこの場合、ドライバ駆動ブロックの優先度設定しきい値が、電源生成ブロックの優先度設定しきい値より低く設定する事によって、電源生成ブロックの動作を、ドライバ駆動ブロックよりもより長く動作継続させる事が可能となる。 In this case, by setting the priority setting threshold of the driver drive block to be lower than the priority setting threshold of the power generation block, the operation of the power generation block is continued longer than that of the driver drive block. Things will be possible.
これによって、電源生成ブロックによって生成される電源を最後まで確保出来るので、CPUなど制御装置等を最後まで正常に動作をさせ続ける事が可能となり、負荷駆動制御装置の信頼性をより高める事が可能となる。 As a result, since the power generated by the power generation block can be secured to the end, it is possible to keep the control device such as the CPU operating normally until the end, and the reliability of the load drive control device can be further improved. It becomes.
〔第6の実施形態〕
次に、図19〜図20を用いて、本発明の第6の実施形態である負荷駆動制御装置100Fの構成及び動作を説明する。
[Sixth Embodiment]
Next, the configuration and operation of the load
最初に、図19を用いて、本発明の第6の実施形態である負荷駆動制御装置100Fの全体構成を説明する。図19は、本発明の第6の実施形態である負荷駆動制御装置100Fの構成を示すブロック図である。なお、図19において、図16と同一部分には同一符号を付す。
First, the overall configuration of a load
図19において、温度検知部48から出力された温度検知部出力49がCPU部300に入力されるようになっている。またCPU部300から出力されたスロープ切替信号301が、電源生成ブロック4、及びドライバ駆動ブロック30の各スロープ可変部16に入力されるようになっている。
In FIG. 19, the temperature
本実施形態では、電源生成ブロック4及びドライバ駆動ブロック30が組み込まれるワンチップICが配置される基板上に、1つの温度検知部48が配置されている。つまり、ワンチップICと温度検知部48は別体である。
In the present embodiment, one
またドライバ駆動ブロック30においては、検出バッファ回路44の出力である電流値信号45がCPU部300に入力され、CPU部300で演算処理されて、PWM制御信号32をゲート駆動部33に出力するような構成となっている。
Further, in the
また同時に温度検知部出力49は過温度保護部303にも入力され、温度検知部出力49が所定のしきい値以上になると、過温度保護遮断信号304を出力する。それ以外は、他の第1の実施形態〜第5の実施形態と同様である。
At the same time, the temperature
次に、図20を用いて、本発明の第6の実施形態である負荷駆動制御装置100Fの動作を説明する。図20は、本発明の第6の実施形態である負荷駆動制御装置100Fの動作を説明するためのタイミングチャートである。
Next, the operation of the load
最初、温度検知部出力49は十分に低く、PWM駆動信号はスロープ1で動作しているが、周囲温度240や電源電圧3の条件によって発熱が増え温度検知部出力49が上昇する。この時、本実施形態では温度検知部出力49はCPU部300に入力されているので、CPU部300の内部に設定されているしきい値425aと比較されて、タイミング320においてCPU部300からスロープ切替信号301aが出力され、PWM駆動信号は波形100(スロープ1)から波形101(スロープ2)に変化する。
Initially, the temperature
この後も同様に、温度検知部49に応じて、スロープ切替信号301が出力されてスロープが変化し、最後に温度検知部49がしきい値425dを超えると、CPU部300はPWM制御信号32の出力を止めて、ドライバ駆動ブロック30の動作を停止する。
Similarly, the
さらに温度検知部出力49が上昇し、過温度保護部303内部に設定された遮断しきい値426を越えると、過温度保護遮断信号304が出力され、スイッチング駆動信号85がマスクされて、電源生成ブロック4が動作停止となる。
When the temperature
つまり、本実施形態では、制御部(図19のCPU部300)は、N個のしきい値Th(i)(i=1、2、・・・、N)と第1のスイッチング素子(図19のMOSFET35及び37)のゲートに充放電する電流を示す第1のゲート駆動電流の電流値とを対応付けて記憶し、第1のスイッチング素子の周囲温度が前記しきい値Th(i)(図20の符号425a〜425d)以上の場合に、前記第1のゲート駆動電流が前記しきい値Th(i)に対応する電流値になるように前記スロープ可変部(図19のスロープ可変部162)を制御する。ここで、しきい値Th(i+1)はしきい値Th(i)より大きい。
That is, in this embodiment, the control unit (
このように、本実施形態では、温度検知部48から出力される温度検知部出力49をCPU部300に取り込み、CPU部300の内部で設定したしきい値425a〜425dと比較を行って、スロープ切替信号301によって任意にスロープを調整する事が出来る。
Thus, in this embodiment, the temperature
また、本実施形態によれば、マイコン等でしきい値425a〜425d,426をフレキシブルに変更できる。
Further, according to the present embodiment, the
なお本実施形態では、CPU部内部で設定されるしきい値(425a〜425d)は、過温度遮断しきい値426よりも低いしきい値に設定されるようにされる。
In the present embodiment, the threshold values (425a to 425d) set in the CPU unit are set to a threshold value lower than the overtemperature
これによって、電源生成ブロック4はドライバ駆動ブロック30よりも長く動作を継続する事が出来るので、電源低下によるCPU部300のリセットなどが無く、負荷駆動制御装置の信頼性をより高める事が可能となる。
As a result, the
〔第7の実施形態〕
次に、図21〜図22を用いて、本発明の第7の実施形態である負荷駆動制御装置100Gの構成及び動作を説明する。
[Seventh Embodiment]
Next, the configuration and operation of the load
最初に、図21を用いて、本発明の第7の実施形態である負荷駆動制御装置100Gの全体構成を説明する。図21は、本発明の第7の実施形態である負荷駆動制御装置100Gの構成を示すブロック図である。なお、図21において、図19と同一部分には同一符号を付す。
Initially, the whole structure of the load
本実施形態では、CPU部300には温度検知部からの出力は入力されず、電源電圧3のみが入力されるような構成となっている。また所定のドライバ駆動条件に応じてCPU部300によってドライバの駆動スロープを切り替えるために、条件テーブル310を備え、条件テーブル310からの条件入力信号311に応じてスロープ切替信号301を出力するような構成となっている。
In the present embodiment, the
次に、図22を用いて、本発明の第7の実施形態である負荷駆動制御装置100Gの動作を説明する。図22は、本発明の第7の実施形態である負荷駆動制御装置100Gの動作を説明するためのタイミングチャートである。
Next, the operation of the load
最初、PWM駆動信号はスロープ1で動作しているが、電源電圧3が上昇してCPU部300内部に設定されたしきい値430を越えると、タイミング320においてCPU部300からスロープ切替信号301aが出力され、PWM駆動信号は波形100(スロープ1)から波形101(スロープ2)に変化する。
Initially, the PWM drive signal operates at the
また、負荷を駆動する条件(例えばDuty等)を可変させた場合、所定の条件での駆動を継続させた場合に、自動的にスロープ切替信号301を出力して、スロープを可変したり、ドライバ駆動ブロックを停止させたりする。
In addition, when the conditions for driving the load (for example, Duty etc.) are changed, when driving under the predetermined conditions is continued, the
またこれら負荷を駆動する条件と設定するスロープは条件テーブル310に記憶されており、条件テーブル310から入力される条件入力信号311に応じてスロープを設定する事により、様々な条件に最適なスロープ設定を行う事が可能となる。
The conditions for driving these loads and the slope to be set are stored in the condition table 310. By setting the slope according to the
ここで、条件テーブル310には、電流値、デューティー比、電圧、時間などのパラメータと発熱(温度)が対応付けて記憶されている。 Here, in the condition table 310, parameters such as current value, duty ratio, voltage, time, etc. and heat generation (temperature) are stored in association with each other.
即ち、条件テーブル310は、第1のスイッチング素子(MOSFET35及び37)を駆動する条件とこの条件における前記第1のスイッチング素子の周囲温度の予測値とを対応付けて記憶する。
In other words, the condition table 310 stores the conditions for driving the first switching elements (
本実施形態では、制御部(CPU部300)は、第1のスイッチング素子(図19のMOSFET35及び37)を駆動する条件に対応する第1のスイッチング素子の周囲温度の予測値を前記条件テーブルから取得し、取得した予測値が高くなるにつれて前記ゲート駆動電流が大きくなるようにスロープ可変部16を制御する。
In the present embodiment, the control unit (CPU unit 300) obtains the predicted value of the ambient temperature of the first switching element corresponding to the condition for driving the first switching element (
このような動作により、温度を検知する方法が無い安価な負荷駆動制御装置においても、負荷を駆動する条件に応じてスロープを可変し、発熱を抑えつつ動作を継続する事が可能となり、信頼性の高い負荷駆動制御装置を実現出来る。 With such an operation, even in an inexpensive load drive control device that does not have a method of detecting temperature, it is possible to change the slope according to the conditions for driving the load, and to continue the operation while suppressing heat generation. High load drive control device can be realized.
1…電源装置
2…GND
3…電源電圧
4…電源生成ブロック
5…電源制御部
6…電源制御スイッチ信号
7…ゲート駆動部
8…電源スイッチングMOSゲート駆動信号
9…電源スイッチングMOS
11…スイッチング電源用外部ダイオード
12…コイル素子
13…スイッチング電源出力
14…温度検知部
15…温度検知部出力
16…スロープ可変部
17…スロープ可変信号
30…ドライバ駆動ブロック
31…PWM駆動部
32…PWM制御信号
33…ゲート駆動部
34…ハイサイドMOSゲート信号
35…ハイサイドMOSFET
36…ロウサイドMOSゲート信号
37…ロウサイドMOSFET
38…ドライバ出力信号
39…電流検知部
40…負荷駆動信号
41…ソレノイド等の負荷
42…負荷に流れる負荷駆動電流
43…電流検知信号
44…検出バッファ回路
45…電流値信号
46…電流値補正部
47…電流値フィードバック信号
48…温度検知部
49…温度検知部出力
50…AD変換部
51…AD変換部出力
52…所定温度保持部
53…スロープ制御信号
54…スロープ制御信号
1 ... Power supply
2 ... GND
3 ... Power supply voltage
4… Power generation block
5… Power control unit
6… Power control switch signal
7… Gate drive
8 ... Power switching MOS gate drive signal
9 ... Power switching MOS
11 ... External diode for switching power supply
12 ... Coil element
13 ... Switching power supply output
14 ... Temperature detector
15… Temperature detector output
16 ... Slope variable part
17 ... Slope variable signal
30 ... Driver drive block
31 ... PWM drive
32 ... PWM control signal
33 ... Gate drive section
34 ... High-side MOS gate signal
35 ... High-side MOSFET
36 ... Low side MOS gate signal
37 ... Low-side MOSFET
38 ... Driver output signal
39… Current detector
40 ... Load drive signal
41… Loads such as solenoids
42… Load drive current flowing through the load
43 ... Current detection signal
44… Detection buffer circuit
45 ... Current value signal
46… Current value correction unit
47… Current value feedback signal
48 ... Temperature detector
49… Temperature detector output
50 ... AD converter
51… AD converter output
52 ... Predetermined temperature holding section
53… Slope control signal
54… Slope control signal
Claims (9)
前記第1のスイッチング素子のゲートに充放電する電流を示す第1のゲート駆動電流を前記第1のスイッチング素子のゲートに供給することにより、前記第1のスイッチング素子のゲートを駆動する第1のゲート駆動部と、
前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H1以上となる度に、前記第1のゲート駆動電流を単位量だけ大きくし、前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値L1以下となる度に、前記第1のゲート駆動電流を前記単位量だけ小さくする第1のスロープ可変部と、
を備え、
前記しきい値H1は前記しきい値L1よりも大きい
ことを特徴とする負荷駆動制御装置。 A first switching element for driving a first load;
A first gate driving current indicating a current for charging / discharging the gate of the first switching element is supplied to the gate of the first switching element, thereby driving a gate of the first switching element. A gate driver;
Each time the ambient temperature of the first switching element becomes equal to or higher than the threshold value H1, the first gate drive current is increased by a unit amount, and the ambient temperature of the first switching element is equal to or lower than the threshold value L1. A first slope variable section that reduces the first gate drive current by the unit amount;
With
The threshold value H1 is larger than the threshold value L1.
前記第1のスイッチング素子のゲートに充放電する電流を示す第1のゲート駆動電流を前記第1のスイッチング素子のゲートに供給することにより、前記第1のスイッチング素子のゲートを駆動する第1のゲート駆動部と、
前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H1以上の場合に、前記第1のゲート駆動電流を単位量だけ大きくし、前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値L1以下の場合に、前記第1のゲート駆動電流を前記単位量だけ小さくする第1のスロープ可変部と、を備え、前記しきい値H1は前記しきい値L1よりも大きい負荷駆動制御装置であって、
前記第1のスロープ可変部は、
前記第1のスイッチング素子の周囲温度が前記しきい値L1以下であり、且つ、所定時間T1が経過した場合、前記第1のゲート駆動電流を単位量だけ小さくする
ことを特徴とする負荷駆動制御装置。 A first switching element for driving a first load;
A first gate driving current indicating a current for charging / discharging the gate of the first switching element is supplied to the gate of the first switching element, thereby driving a gate of the first switching element. A gate driver;
When the ambient temperature of the first switching element is equal to or higher than the threshold value H1, the first gate drive current is increased by a unit amount, and the ambient temperature of the first switching element is equal to or lower than the threshold value L1. A first slope variable unit that reduces the first gate drive current by the unit amount, and the threshold value H1 is a load drive control device that is greater than the threshold value L1 ,
The first slope variable unit is:
Load driving control, wherein when the ambient temperature of the first switching element is equal to or lower than the threshold value L1 and the predetermined time T1 has elapsed, the first gate driving current is decreased by a unit amount. apparatus.
電源を生成する電源用スイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子の周囲温度が前記しきい値H1以上であり、且つ、所定時間T2が経過した場合、前記電源用スイッチング素子のスイッチング周波数を小さくする周波数可変部を備える
ことを特徴とする負荷駆動制御装置。 The load drive control device according to claim 2,
A power switching element for generating a power source;
A frequency variable unit that reduces the switching frequency of the power switching element when the ambient temperature of the first switching element is equal to or higher than the threshold value H1 and a predetermined time T2 elapses is provided. Load drive control device.
電源を生成する電源用スイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H2以上の場合、前記電源用スイッチング素子のスイッチング周波数を小さくする周波数可変部を備え、
前記しきい値H2は前記しきい値H1よりも大きい
ことを特徴とする負荷駆動制御装置。 The load drive control device according to claim 2,
A power switching element for generating a power source;
When the ambient temperature of the first switching element is equal to or higher than a threshold value H2, a frequency variable unit that reduces the switching frequency of the power supply switching element is provided.
The threshold value H2 is larger than the threshold value H1.
前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H3以上の場合、前記第1のスイッチング素子の駆動を停止する第1の遮断用ゲートを備え、
前記しきい値H3は前記しきい値H2よりも大きい
ことを特徴とする負荷駆動制御装置。 The load drive control device according to claim 4,
When the ambient temperature of the first switching element is equal to or higher than a threshold value H3, the first switching element includes a first shut-off gate that stops driving the first switching element,
The threshold value H3 is larger than the threshold value H2.
前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H4以上の場合、前記電源用スイッチング素子の駆動を停止する電源遮断用ゲートを備え、
前記しきい値H4は前記しきい値H3よりも大きい
ことを特徴とする負荷駆動制御装置。 The load drive control device according to claim 5,
When the ambient temperature of the first switching element is equal to or higher than a threshold value H4, a power shut-off gate is provided to stop driving the power switching element;
The threshold value H4 is larger than the threshold value H3.
前記第1のスイッチング素子のゲートに充放電する電流を示す第1のゲート駆動電流を前記第1のスイッチング素子のゲートに供給することにより、前記第1のスイッチング素子のゲートを駆動する第1のゲート駆動部と、
前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H1以上の場合に、前記第1のゲート駆動電流を単位量だけ大きくし、前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値L1以下の場合に、前記第1のゲート駆動電流を前記単位量だけ小さくする第1のスロープ可変部と、を備え、前記しきい値H1は前記しきい値L1よりも大きい負荷駆動制御装置であって、
前記第1のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H3以上の場合、前記第1のスイッチング素子の駆動を停止する第1の遮断用ゲートと、
第2の負荷を駆動する第2のスイッチング素子と、
前記第2のスイッチング素子のゲートに充放電する電流を示す第2のゲート駆動電流を前記第2のスイッチング素子のゲートに供給することにより、前記第2のスイッチング素子のゲートを駆動する第2のゲート駆動部と、
前記第2のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H3以上の場合に、前記第2のゲート駆動電流を前記単位量だけ大きくする第2のスロープ可変部と、
前記第2のスイッチング素子の周囲温度がしきい値H6以上の場合、前記第2のスイッチング素子の駆動を停止する第2の遮断用ゲートと、
を備え、
前記しきい値H6は前記しきい値H3よりも大きい
ことを特徴とする負荷駆動制御装置。 A first switching element for driving a first load;
A first gate driving current indicating a current for charging / discharging the gate of the first switching element is supplied to the gate of the first switching element, thereby driving a gate of the first switching element. A gate driver;
When the ambient temperature of the first switching element is equal to or higher than the threshold value H1, the first gate drive current is increased by a unit amount, and the ambient temperature of the first switching element is equal to or lower than the threshold value L1. A first slope variable unit that reduces the first gate drive current by the unit amount, and the threshold value H1 is a load drive control device that is greater than the threshold value L1 ,
A first shut-off gate that stops driving the first switching element when an ambient temperature of the first switching element is equal to or higher than a threshold value H3;
A second switching element for driving a second load;
A second gate driving current indicating a current to be charged / discharged to the gate of the second switching element is supplied to the gate of the second switching element to drive a second gate for driving the gate of the second switching element. A gate driver;
When the ambient temperature of the second switching element is greater than the threshold value H3, with the second slope variable portion it increases the second gate driving current by the amount of the unit,
A second blocking gate for stopping driving the second switching element when the ambient temperature of the second switching element is equal to or higher than a threshold value H6;
With
The threshold value H6 is larger than the threshold value H3.
前記第1のスロープ可変部は、
電流源及び前記電流源に直列接続されるスイッチから構成される回路を複数有し、複数の前記回路は並列に接続され、
それぞれの前記スイッチを制御することにより、前記第1のゲート駆動電流を切り替える
ことを特徴とする負荷駆動制御装置。 The load drive control device according to claim 1,
The first slope variable section is:
It has a plurality of circuits composed of a current source and a switch connected in series to the current source, the plurality of circuits are connected in parallel,
A load drive control device , wherein the first gate drive current is switched by controlling each of the switches .
前記第1のスイッチング素子のゲートに充放電する電流を示す第1のゲート駆動電流を前記第1のスイッチング素子のゲートに供給することにより、前記第1のスイッチング素子のゲートを駆動する第1のゲート駆動部と、
前記第1のゲート駆動電流を可変するスロープ可変部と、
前記第1のスイッチング素子を駆動する条件とこの条件における前記第1のスイッチング素子の周囲温度の予測値とを対応付けて記憶する条件テーブルと、
前記第1のスイッチング素子を駆動する条件に対応する前記第1のスイッチング素子の周囲温度の予測値を前記条件テーブルから取得し、取得した予測値が高くなるにつれて前記第1のゲート駆動電流が大きくなるように前記スロープ可変部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする負荷駆動制御装置。 A first switching element for driving a first load;
A first gate driving current indicating a current for charging / discharging the gate of the first switching element is supplied to the gate of the first switching element, thereby driving a gate of the first switching element. A gate driver;
A slope variable section that varies the first gate drive current;
A condition table for storing the condition for driving the first switching element and the predicted value of the ambient temperature of the first switching element in this condition in association with each other;
A predicted value of the ambient temperature of the first switching element corresponding to a condition for driving the first switching element is acquired from the condition table, and the first gate drive current increases as the acquired predicted value increases. A control unit for controlling the slope variable unit to be,
A load drive control device comprising:
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