JP5516155B2 - Load drive device - Google Patents

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Description

本発明は、複数の負荷について個別に設けられ、半導体スイッチング素子により前記負荷をスイッチング駆動する複数の負荷駆動手段を備える負荷駆動装置に関する。   The present invention relates to a load driving device provided with a plurality of load driving means which are individually provided for a plurality of loads and which drive the switching of the loads by a semiconductor switching element.

例えばIGBTやMOSFET等のスイッチング素子により負荷を駆動するICについては、集積化が進んだ結果、パッケージの熱容量に対する制約も大きくなっている。そのため、スイッチング動作について、スイッチング素子のオン抵抗と動作パターンに応じて発生する熱を計算することで、使用するパッケージを選択したり、各機能の実装可否を決定している。また一方で、スイッチング動作に伴う電流変化が高調波ノイズを発生し、例えば車両に搭載される電子機器についてはAMラジオにノイズを干渉させたり、FMラジオの受信感度を低下させる等の影響を及ぼす。
上記のノイズ発生を抑制するには、スイッチング動作に伴う出力電流波形を正弦波に近付けることが有効ではあるが、やはりそれに伴い出力能力が低下したり、スイッチング素子の駆動回路の発熱量が多くなるため、ICを1つのパッケージに実装することが困難になる。
For example, with respect to an IC that drives a load by a switching element such as an IGBT or a MOSFET, as a result of the progress of integration, restrictions on the heat capacity of the package are also increasing. For this reason, for the switching operation, by calculating the heat generated according to the on-resistance of the switching element and the operation pattern, the package to be used is selected and whether or not each function can be mounted is determined. On the other hand, the current change caused by the switching operation generates harmonic noise. For example, for an electronic device mounted on a vehicle, the AM radio interferes with noise or the FM radio reception sensitivity is lowered. .
In order to suppress the above-mentioned noise generation, it is effective to make the output current waveform accompanying the switching operation close to a sine wave. However, the output capability is also reduced accordingly, and the heat generation amount of the switching element drive circuit is increased. Therefore, it becomes difficult to mount the IC in one package.

特許文献1には、車両のスマートエントリシステムについて上記のような問題を解決するため、電源の投入状態やドアのロック/アンロック状態に応じて電波信号を送信するアンテナを正弦波駆動,矩形波駆動に切り替えたり、駆動対象とするアンテナが車外用か車内用かに応じて同様に切替えを行う技術が開示されている。   In Patent Document 1, in order to solve the above-described problems with respect to the smart entry system of a vehicle, an antenna that transmits a radio wave signal according to a power-on state or a door lock / unlock state is driven by a sine wave and a rectangular wave. There is disclosed a technique of switching to driving or switching in the same manner depending on whether the antenna to be driven is for vehicle exterior or vehicle interior.

特開2007−216869号公報JP 2007-216869 A

スマートエントリシステムでは、駐車中に複数の出力チャネル(アンテナ)より電波信号を送信してスマートキー(電子キー)を所持している人を探索し、当該人を検出した後は、1つの出力チャネルのみで通信を行うものがある。しかしながら、特許文献1では、スマートエントリシステムが出力チャネル数を切替えることに対応して、ノイズの抑制とスイッチング損失の低減とを図ることについては着目していない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の負荷の駆動状態に応じて、スイッチング損失の低減とノイズの抑制とを図ることができる負荷駆動装置を提供することにある。
In the smart entry system, a person who has a smart key (electronic key) is searched by transmitting radio signals from a plurality of output channels (antennas) during parking, and after detecting the person, one output channel There are those that only communicate. However, Patent Document 1 does not pay attention to noise suppression and switching loss reduction in response to the smart entry system switching the number of output channels.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a load driving device capable of reducing switching loss and suppressing noise in accordance with driving states of a plurality of loads. is there.

請求項1記載の負荷駆動装置によれば、負荷駆動手段と、パルス信号出力手段と、傾き制御手段とを1つのモールドパッケージに収容して、パルス信号出力手段を、複数の半導体スイッチング素子の制御端子にそれぞれ台形波状のパルス信号を出力する場合、台形波の立上り及び立下りの傾きを変更可能に構成する。そして、傾き制御手段は、外部より与えられる切替制御信号に応じて、複数の負荷のうち所定数以上を同時に駆動する場合は、その駆動対象に対応する台形波の傾きを第1制御状態に設定し、所定数未満を駆動する場合には、その駆動対象に対応する台形波の傾きを第1制御状態よりも小さくする第2制御状態に設定する。 According to the load driving device of the first aspect, the load driving means, the pulse signal output means, and the inclination control means are accommodated in one mold package, and the pulse signal output means is used to control a plurality of semiconductor switching elements. When a trapezoidal pulse signal is output to each terminal, the rising and falling slopes of the trapezoidal wave can be changed. Then, the inclination control means sets the inclination of the trapezoidal wave corresponding to the drive target to the first control state when simultaneously driving a predetermined number or more of the plurality of loads according to the switching control signal given from the outside. And when driving less than a predetermined number, it sets to the 2nd control state which makes the inclination of the trapezoidal wave corresponding to the drive object smaller than the 1st control state.

斯様に構成すれば、同時に駆動する負荷の数が多い場合は、パルス信号である台形波の傾きを大きくしてスイッチング損失の低減を優先し、同時に駆動する負荷の数が少ない場合は台形波の傾きを小さくしてノイズの低減を優先する。したがって、負荷駆動手段,パルス信号出力手段,傾き制御手段を1つのモールドパッケージに収容した場合でも、複数の負荷の駆動状態に応じて、スイッチング損失を低減して発熱を抑制しながらノイズの抑制も適切に図ることができる。   With this configuration, when the number of loads to be driven simultaneously is large, priority is given to reducing the switching loss by increasing the slope of the trapezoidal wave, which is a pulse signal, and when the number of loads to be driven simultaneously is small, the trapezoidal wave Priority is given to noise reduction by reducing the slope of. Therefore, even when load driving means, pulse signal output means, and inclination control means are housed in one mold package, noise can be suppressed while switching heat is reduced and heat generation is suppressed according to the driving state of a plurality of loads. We can plan appropriately.

そして、電圧調整手段は、第1制御状態では負荷に供給する電源の電圧を低く設定し、第2制御状態では電源の電圧を高く設定する。すなわち、パルス信号である台形波の傾きを小さくすると負荷の駆動効率が低下するため、電源電圧を上昇させて効率の低下を補償することができる。 The voltage adjustment means sets the power supply voltage supplied to the load low in the first control state, and sets the power supply voltage high in the second control state. That is, if the slope of the trapezoidal wave that is a pulse signal is reduced, the drive efficiency of the load is reduced, so that the power supply voltage can be raised to compensate for the reduction in efficiency.

請求項記載の負荷駆動装置によれば、傾き制御手段は、温度検出手段により検出される半導体スイッチング素子の発熱温度が高い場合は第2制御状態での台形波の傾きを大きくし、上記発熱温度が低い場合は傾きを小さくするように変更する。したがって、第2制御状態において、半導体スイッチング素子の発熱状態とノイズの抑制とをバランスさせることができる。 According to the load driving device of the second aspect , the inclination control means increases the inclination of the trapezoidal wave in the second control state when the heat generation temperature of the semiconductor switching element detected by the temperature detection means is high, and the heat generation. If the temperature is low, change the slope to be smaller. Therefore, in the second control state, the heat generation state of the semiconductor switching element and the noise suppression can be balanced.

請求項記載の負荷駆動装置によれば、電圧調整手段は、傾き制御手段が第2制御状態での台形波の傾きをより小さく変更した場合は、それに応じて負荷に供給する電源の電圧をより高く設定する。したがって、請求項と同様に、負荷の駆動効率の低下を補償することができる。 According to the load driving device of the third aspect , when the slope control means changes the slope of the trapezoidal wave in the second control state to be smaller, the voltage adjusting means can change the voltage of the power source supplied to the load accordingly. Set higher. Therefore, similarly to the first aspect , it is possible to compensate for a decrease in the drive efficiency of the load.

請求項記載の負荷駆動装置によれば、パルス信号出力手段と傾き制御手段とを一体に構成して、複数の負荷を同時に駆動する数の変更と、第1制御状態,第2制御状態間における台形波の傾きの変更とを連動して行うようにする。したがって、これらの制御を一括して行うことができる。 According to the load driving device of the fourth aspect , the pulse signal output means and the inclination control means are integrally configured to change the number of simultaneously driving a plurality of loads, and between the first control state and the second control state. The change in the slope of the trapezoidal wave is performed in conjunction with. Therefore, these controls can be performed collectively.

請求項記載の負荷駆動装置によれば、パルス信号出力手段を、半導体スイッチング素子の制御端子に対し、第1制御状態と第2制御状態とにそれぞれ対応して設けられるプッシュプル型の出力段を介してパルス信号を選択的に出力可能とする。そして、傾き制御手段を、第1制御状態,第2制御状態に対応する出力段を介してパルス信号を出力する場合に、それぞれの駆動電流の供給量に差を設けるように構成する。したがって、第1制御側の出力段よりパルス信号を出力する場合は駆動電流量を多くし、第2制御側の出力段よりパルス信号を出力する場合は駆動電流量を少なくすることで、台形波の傾きを各制御状態に対応して変化させることができる。 According to the load driving device of claim 5 , the push-pull type output stage provided with the pulse signal output means corresponding to each of the first control state and the second control state with respect to the control terminal of the semiconductor switching element. The pulse signal can be selectively output via the. Then, the tilt control means is configured to provide a difference in the supply amount of each drive current when outputting the pulse signal via the output stage corresponding to the first control state and the second control state. Therefore, when outputting a pulse signal from the output stage on the first control side, the amount of drive current is increased, and when outputting a pulse signal from the output stage on the second control side, the amount of drive current is reduced, thereby generating a trapezoidal wave. Can be changed corresponding to each control state.

請求項又は記載の負荷駆動装置によれば、パルス信号出力手段は、半導体スイッチング素子の制御端子に直列に挿入する抵抗素子の抵抗値を変更するように(請求項)、又は前記制御端子とグランドとの間に接続されるコンデンサの容量を変更するように(請求項)構成する。すなわち、制御端子の入力抵抗値(請求項)又は入力容量(請求項)を変更することで、台形波の傾きを制御できる。 According to the load driving device of claim 6 or 7 , the pulse signal output means changes the resistance value of the resistance element inserted in series with the control terminal of the semiconductor switching element (claim 6 ), or the control The capacitance of the capacitor connected between the terminal and the ground is changed (claim 7 ). That is, the slope of the trapezoidal wave can be controlled by changing the input resistance value (Claim 6 ) or the input capacitance (Claim 7 ) of the control terminal.

請求項記載の負荷駆動装置によれば、複数の負荷を、車両の乗員が携帯する通信機と通信する車室外アンテナとする。この場合、傾き制御手段は、車両に搭載される受信機が前記通信機からの応答を最初に受信するまでは、複数の車室外アンテナを第1制御状態で同時に駆動して電波信号を送信させる。そして、受信機が通信機からの応答を受信した後は、通信機に最も近い車室外アンテナを特定するため、複数の車室外アンテナを第2制御状態で順次個別に駆動して電波信号を送信させるように切り替える。 According to the load driving device of the eighth aspect , the plurality of loads are antennas outside the vehicle compartment that communicate with a communication device carried by a vehicle occupant. In this case, until the receiver mounted on the vehicle receives a response from the communication device for the first time, the tilt control means drives the plurality of outdoor antennas simultaneously in the first control state to transmit radio signals. . Then, after the receiver receives the response from the communication device, in order to identify the outdoor antenna closest to the communication device, a plurality of outdoor antennas are sequentially driven individually in the second control state to transmit radio signals. Switch to let

すなわち、このように通信機を携帯した乗員が車両に接近したことを検知するまでは、複数の車室外アンテナを同時に駆動して電波信号を送信して通信機からの応答を待つ必要がある。そして、一旦通信機から応答があれば、次は複数の車室外アンテナを順次個別に駆動して電波信号を送信し、再度通信機から応答があった場合に最も近い車室外アンテナを特定する。したがって、最初の制御段階では第1制御状態によって半導体スイッチング素子の発熱を制限し、次の制御段階では第2制御状態によってノイズの発生を抑制することができる。   That is, until it is detected that the passenger carrying the communication device approaches the vehicle, it is necessary to simultaneously drive a plurality of outside antennas to transmit radio signals and wait for a response from the communication device. Once there is a response from the communication device, the plurality of antennas outside the vehicle compartment are sequentially driven individually to transmit radio signals, and when the response from the communication device is received again, the closest outside vehicle compartment antenna is specified. Therefore, heat generation of the semiconductor switching element can be limited by the first control state in the first control stage, and noise generation can be suppressed by the second control state in the next control stage.

請求項記載の負荷駆動装置によれば、負荷駆動手段をHブリッジ回路で構成する。すなわち、アンテナを負荷とする場合にHブリッジ回路で駆動すれば、より高い送信電力で出力を行うことが可能となる。
According to the load driving device of the ninth aspect , the load driving means is constituted by an H bridge circuit. In other words, when the antenna is used as a load, driving with an H-bridge circuit enables output with higher transmission power.

第1実施例であり、負荷駆動装置の構成を示す図The figure which is a 1st Example and shows the structure of a load drive device (a)は4チャネル駆動時、(b)は1チャネル駆動時のパルス信号波形を示す図(A) is a pulse signal waveform at the time of 4 channel drive, (b) is a figure which shows the pulse signal waveform at the time of 1 channel drive. 第2実施例であり、負荷をハイサイド駆動する場合の構成を示す図The figure which is a 2nd Example and shows the structure in the case of carrying out high side drive of load 第3実施例であり、負荷をローサイド駆動する場合の構成を示す図The figure which is a 3rd Example and shows the structure in the case of carrying out low side drive of load 第4実施例を示す図1相当図FIG. 1 equivalent view showing the fourth embodiment 第5実施例を示す図5相当図FIG. 5 equivalent diagram showing the fifth embodiment 第6実施例を示す図5の一部相当図Partial equivalent diagram of FIG. 5 showing the sixth embodiment 第7実施例であり、車両の各部に取り付けられたアンテナの位置を示す図The figure which is a 7th Example and shows the position of the antenna attached to each part of the vehicle スマートエントリシステムの構成を示す機能ブロック図Functional block diagram showing the configuration of the smart entry system 図1の一部相当図Partial equivalent diagram of FIG. 処理シーケンスを示す図Diagram showing processing sequence 電源電圧の調整を説明する図Diagram explaining adjustment of power supply voltage 第8実施例を示す図3相当図FIG. 3 equivalent view showing the eighth embodiment

(第1実施例)
以下、第1実施例について図1及び図2を参照して説明する。本実施例では、パルス信号により複数の負荷を同時に駆動する場合と、各負荷を個別に駆動する場合とでパルス信号としての台形波の傾きを変化させるように駆動装置を構成する。図1は、負荷駆動装置1の構成を示す。負荷駆動装置1は、複数,例えば4つの負荷2A〜2Dに対して個別にハーフブリッジ回路(負荷駆動手段)3A〜3Dを設けている(以下、特に区別が必要な場合を除いて符号のA〜Dを省略する)。
(First embodiment)
The first embodiment will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, the drive device is configured to change the slope of the trapezoidal wave as the pulse signal when driving a plurality of loads simultaneously with a pulse signal and when driving each load individually. FIG. 1 shows the configuration of the load driving device 1. The load driving device 1 is provided with half-bridge circuits (load driving means) 3A to 3D individually for a plurality of, for example, four loads 2A to 2D (hereinafter referred to as “A” unless otherwise specifically required). ~ D omitted).

ハーフブリッジ回路3は、電源線4とグランドとの間に接続されるNチャネルMOSFET(半導体スイッチング素子)5,6の直列回路で構成されており、両者の共通接続点とグランドとの間に負荷2が接続されている。NチャネルMOSFET5,6のゲート(制御端子)には、上側,下側それぞれのパルス信号が、台形波傾き制御プリドライバ(パルス信号出力手段,傾き制御手段)7及びチャネル切り替えスイッチ8H,8Lを介して与えられる。台形波傾き制御プリドライバ7は、内部で生成した矩形波状のパルス信号の立上がり,立下りに所定の傾きを付与することで台形波状にして、上側,下側それぞれの信号をチャネル切り替えスイッチ8H,8Lに出力する。   The half-bridge circuit 3 is composed of a series circuit of N-channel MOSFETs (semiconductor switching elements) 5 and 6 connected between the power supply line 4 and the ground, and a load is connected between the common connection point between the two and the ground. 2 is connected. The gate signals (control terminals) of the N-channel MOSFETs 5 and 6 receive upper and lower pulse signals via a trapezoidal wave slope control pre-driver (pulse signal output means and slope control means) 7 and channel changeover switches 8H and 8L. Given. The trapezoidal wave slope control pre-driver 7 makes the trapezoidal wave shape by giving a predetermined slope to the rising and falling of the internally generated rectangular wave pulse signal, and converts the upper and lower signals to the channel changeover switch 8H, Output to 8L.

負荷駆動装置1には、図示しない外部の上位制御装置から切替制御信号と、負荷2A〜2Dの何れを駆動対象とするかを選択するための選択信号とが与えられている。切替制御信号は、負荷2A〜2Dの全てを同時に駆動するか、何れか1つだけを選択して駆動するかをハイ,ローの二値レベルで示すもので、台形波傾き制御プリドライバ7,チャネル切り替えスイッチ8,出力補正部9に与えられている。例えば切替制御信号がハイレベルの場合は4つの負荷2A〜2Dを同時に駆動する4チャネル駆動(第1制御状態)を示し、切替え制御信号がローレベルの場合は、それらのうち何れか1つだけ駆動する1チャネル駆動(第2制御状態)を示す。台形波傾き制御プリドライバ7は、4チャネル駆動の場合は台形波の立ち上がり,立下りの傾きを大きく設定し、1チャネル駆動の場合は前記傾きを小さく設定する。   The load driving device 1 is provided with a switching control signal from an external host control device (not shown) and a selection signal for selecting which of the loads 2A to 2D is to be driven. The switching control signal indicates whether to drive all of the loads 2A to 2D at the same time or to select and drive only one of them by a high or low binary level. The trapezoidal wave slope control pre-driver 7, It is given to the channel changeover switch 8 and the output correction unit 9. For example, when the switching control signal is at a high level, four-channel driving (first control state) that simultaneously drives four loads 2A to 2D is shown. When the switching control signal is at a low level, only one of them is displayed. 1-channel driving (second control state) to be driven is shown. The trapezoidal wave inclination control pre-driver 7 sets the rising and falling inclinations of the trapezoidal wave large in the case of 4-channel driving, and sets the inclination small in the case of 1-channel driving.

選択信号は、切替え制御信号がローレベルの場合に負荷2A〜2Dの何れを駆動対象とするかを示す2ビットのデータであり、エンコーダ10に与えられている。エンコーダ10は、切替え制御信号と共に2ビットの選択信号をエンコードして、チャネル切り替えスイッチ8H,8Lに、各NチャネルMOSFET5A〜5D,6A〜6Dのゲートに挿入されているスイッチの何れか1つをオンするか、若しくは全てをオンするための制御信号を出力する。   The selection signal is 2-bit data indicating which of the loads 2 </ b> A to 2 </ b> D is to be driven when the switching control signal is at a low level, and is supplied to the encoder 10. The encoder 10 encodes a 2-bit selection signal together with the switching control signal, and switches any one of the switches inserted in the gates of the N-channel MOSFETs 5A to 5D and 6A to 6D to the channel switching switches 8H and 8L. A control signal for turning on or turning on all is output.

また、負荷駆動装置1に対しては、電源+BがPNPトランジスタ(電圧調整手段)11を介して供給されており、PNPトランジスタ11のエミッタが電源+Bに接続され、コレクタが電源線4に接続されている。PNPトランジスタ11のベースはオペアンプ(電圧調整手段)12の出力端子に接続されており、オペアンプ12の反転入力端子は出力補正部9の出力端子に接続されている。電源線4とグランドとの間には、抵抗素子13及び14の直列回路が接続されており、それらの共通接続点はオペアンプ12の非反転入力端子に接続されている。   The load driving device 1 is supplied with power + B through a PNP transistor (voltage adjusting means) 11, the emitter of the PNP transistor 11 is connected to the power + B, and the collector is connected to the power line 4. ing. The base of the PNP transistor 11 is connected to the output terminal of the operational amplifier (voltage adjusting means) 12, and the inverting input terminal of the operational amplifier 12 is connected to the output terminal of the output correction unit 9. A series circuit of resistance elements 13 and 14 is connected between the power supply line 4 and the ground, and a common connection point thereof is connected to a non-inverting input terminal of the operational amplifier 12.

出力補正部9は、オペアンプ12に比較用の基準電圧を出力するが、4チャネル駆動の場合は基準電圧を低く設定し、1チャネル駆動の場合は基準電圧を高く設定する。また、図1において破線で囲んだ部分は、負荷駆動装置1がワンチップで構成されている部分を示す。すなわち、負荷2とPNPトランジスタ11は負荷駆動装置1に外付けされている。また、ワンチップで構成されている部分は樹脂によりモールドされて1つのパッケージにされている。   The output correction unit 9 outputs a reference voltage for comparison to the operational amplifier 12, but sets the reference voltage low in the case of 4-channel driving and sets the reference voltage high in the case of 1-channel driving. Moreover, the part enclosed with the broken line in FIG. 1 shows the part by which the load drive device 1 is comprised by one chip. That is, the load 2 and the PNP transistor 11 are externally attached to the load driving device 1. Further, a portion constituted by one chip is molded with resin to form one package.

次に、本実施例の作用について図2を参照して説明する。負荷駆動装置1に与えられる切替え制御信号がハイレベルで4チャネル駆動の場合、台形波傾き制御プリドライバ7は台形波の立ち上がり,立下りの傾きが大きくなるように設定し、出力補正部9は、オペアンプ12に出力する基準電圧を低めに設定する。また、エンコーダ10は、チャネル切り替えスイッチ8の全てのスイッチがオンするように制御信号を出力する。その結果、ハーフブリッジ回路3A〜3Dを構成するNチャネルMOSFET5,6に出力されるパルス信号は、図2(a)に示すような波形(片側のみ示す)となる。   Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG. When the switching control signal given to the load driving device 1 is high level and 4-channel driving, the trapezoidal wave slope control pre-driver 7 is set so that the slope of the trapezoidal wave rises and falls, and the output correction unit 9 The reference voltage output to the operational amplifier 12 is set low. In addition, the encoder 10 outputs a control signal so that all the switches of the channel changeover switch 8 are turned on. As a result, the pulse signals output to the N-channel MOSFETs 5 and 6 constituting the half-bridge circuits 3A to 3D have a waveform (shown only on one side) as shown in FIG.

一方、切替え制御信号がローレベルで1チャネル駆動の場合、台形波傾き制御プリドライバ7は台形波の立ち上がり,立下りの傾きが小さくなるように設定し、出力補正部9は、オペアンプ12に出力する基準電圧を高めに設定する。また、エンコーダ10は、チャネル切り替えスイッチ8において、選択信号により指定された何れか1つ(例えば負荷2Aとする)のスイッチだけがオンするように制御信号を出力する。その結果、ハーフブリッジ回路3Aを構成するNチャネルMOSFET5,6に出力されるパルス信号は、図2(b)に示すような波形となる。
したがって、4チャネル駆動の場合には、NチャネルMOSFET5,6の発熱を抑制することを優先し、1チャネル駆動の場合には、スイッチング制御によるノイズの発生を抑制が優先されることになる。
On the other hand, when the switching control signal is low level and 1 channel drive is performed, the trapezoidal wave slope control pre-driver 7 is set so that the slope of the trapezoidal wave rises and falls, and the output correction unit 9 outputs to the operational amplifier 12. Set a higher reference voltage. Further, the encoder 10 outputs a control signal so that only one switch (for example, the load 2A) designated by the selection signal is turned on in the channel changeover switch 8. As a result, the pulse signal output to the N-channel MOSFETs 5 and 6 constituting the half bridge circuit 3A has a waveform as shown in FIG.
Therefore, in the case of 4-channel driving, priority is given to suppressing the heat generation of the N-channel MOSFETs 5 and 6, and in the case of 1-channel driving, priority is given to suppression of noise generation due to switching control.

以上のように本実施例によれば、台形波傾き制御プリドライバ7が、NチャネルMOSFET5,6のゲートに対してそれぞれ台形波状のパルス信号を出力する場合に、台形波の立上り及び立下りの傾きを変更可能に構成し、4チャネル駆動の場合は傾きを大きく、1チャネル駆動の場合は台形波の傾きを小さくする構成とした。したがって、ハーフブリッジ回路3A〜3Dが1つのチップ上に搭載され、且つ1つのパッケージに収容されることで発熱量を抑制する必要がある場合に、同時に駆動する負荷2の数が多い場合はスイッチング損失の低減を優先し、同時に駆動する負荷2の数が少ない場合はノイズの低減を優先し、スイッチング損失の低減とノイズの抑制とを適切に図ることができる。また、オペアンプ12は、4チャネル駆動の場合は電源電圧を低く設定し、1チャネル駆動の場合は電源電圧を高く設定するので、負荷2の駆動効率の低下を補償することができる。   As described above, according to the present embodiment, when the trapezoidal wave slope control pre-driver 7 outputs a trapezoidal pulse signal to the gates of the N-channel MOSFETs 5 and 6, respectively, the rising and falling of the trapezoidal wave The inclination can be changed, and the inclination is increased in the case of 4-channel driving, and the inclination of the trapezoidal wave is decreased in the case of 1-channel driving. Therefore, when half bridge circuits 3A to 3D are mounted on one chip and housed in one package, it is necessary to suppress the amount of heat generation, and switching is performed when the number of loads 2 to be driven simultaneously is large. When priority is given to loss reduction and the number of loads 2 to be driven simultaneously is small, priority is given to noise reduction, and switching loss and noise suppression can be appropriately achieved. Further, since the operational amplifier 12 sets the power supply voltage low in the case of 4-channel driving and sets the power supply voltage high in the case of 1-channel driving, it is possible to compensate for a decrease in the driving efficiency of the load 2.

(第2実施例)
図3は本発明の第2実施例であり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第2実施例は、第1実施例の台形波傾き制御プリドライバ7に相当する構成部分をより具体的に示すもので、負荷及びその駆動回路については1つのみ示すが、実際にはこれらが複数存在する。図3は、負荷2をNチャネルMOSFET5(負荷駆動手段)によりハイサイド駆動する場合であり、NチャネルMOSFET5のゲートには抵抗素子15を介してパルス信号が与えられる。また、上記ゲートは、コンデンサ16と、スイッチ17及びコンデンサ18(パルス信号出力手段)の直列回路との並列回路を介してグランドに接続されている。そして、スイッチ17のオンオフは、切替え制御信号により制御される。
(Second embodiment)
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted. Hereinafter, different parts will be described. The second embodiment shows more specifically the components corresponding to the trapezoidal wave slope control pre-driver 7 of the first embodiment. Only one load and its drive circuit are shown, but in actuality these are There are multiple. FIG. 3 shows a case where the load 2 is driven on the high side by the N-channel MOSFET 5 (load driving means), and a pulse signal is given to the gate of the N-channel MOSFET 5 through the resistance element 15. The gate is connected to the ground through a parallel circuit of a capacitor 16 and a series circuit of a switch 17 and a capacitor 18 (pulse signal output means). The on / off state of the switch 17 is controlled by a switching control signal.

次に第2実施例の作用について説明する。例えば第1実施例と同様に4チャネル駆動の場合にはスイッチ17がオフされて、NチャネルMOSFET5のゲートには、コンデンサ16のみが接続される。また、1チャネル駆動の場合には、スイッチ17がオンされて、NチャネルMOSFET5のゲートには、コンデンサ18も並列に接続される。斯様に制御する結果、4チャネル駆動の場合はNチャネルMOSFET5のゲートに接続されるRCフィルタの時定数が小さくなって、パルス信号;台形波の立ち上がり,立下りの傾きは小さくなる。一方、1チャネル駆動の場合はNチャネルMOSFET5のゲートに接続されるRCフィルタの時定数が大きくなって、台形波の立ち上がり,立下りの傾きは大きくなる。
以上のように第2実施例によれば、NチャネルMOSFET5のゲートとグランドとの間に接続されるコンデンサ16,18により容量を変更し、RCフィルタの時定数を変更することで台形波の傾きを制御できる。
Next, the operation of the second embodiment will be described. For example, as in the first embodiment, in the case of 4-channel driving, the switch 17 is turned off, and only the capacitor 16 is connected to the gate of the N-channel MOSFET 5. In the case of 1-channel driving, the switch 17 is turned on, and the capacitor 18 is connected in parallel to the gate of the N-channel MOSFET 5. As a result of such control, in the case of 4-channel driving, the time constant of the RC filter connected to the gate of the N-channel MOSFET 5 becomes small, and the rising and falling slopes of the pulse signal; trapezoidal wave become small. On the other hand, in the case of 1-channel driving, the time constant of the RC filter connected to the gate of the N-channel MOSFET 5 is increased, and the rising and falling slopes of the trapezoidal wave are increased.
As described above, according to the second embodiment, the slope of the trapezoidal wave is obtained by changing the capacitance by the capacitors 16 and 18 connected between the gate of the N-channel MOSFET 5 and the ground and changing the time constant of the RC filter. Can be controlled.

(第3実施例)
図4は第3実施例であり、第2実施例と異なる部分のみ説明する。第3実施例は、負荷2をNチャネルMOSFET6(負荷駆動手段)によりローサイド駆動する場合であり、NチャネルMOSFET6のゲートには抵抗素子15を介してパルス信号が与えられる。また、上記抵抗素子15に、スイッチ19及び抵抗素子20(パルス信号出力手段)の直列回路が並列に接続されており、スイッチ19のオンオフは、切替え制御信号により制御される。
(Third embodiment)
FIG. 4 shows a third embodiment, and only differences from the second embodiment will be described. The third embodiment is a case where the load 2 is low-side driven by an N-channel MOSFET 6 (load driving means), and a pulse signal is given to the gate of the N-channel MOSFET 6 via a resistance element 15. In addition, a series circuit of a switch 19 and a resistor element 20 (pulse signal output means) is connected in parallel to the resistor element 15, and on / off of the switch 19 is controlled by a switching control signal.

次に第3実施例の作用について説明する。第1実施例と同様に4チャネル駆動の場合にはスイッチ19がオンされて、NチャネルMOSFET6のゲートには、抵抗素子15と抵抗素子20とが並列に接続される。また、1チャネル駆動の場合にはスイッチ19がオフされて、NチャネルMOSFET6のゲートには抵抗素子15のみが接続される。斯様に制御する結果、4チャネル駆動の場合はNチャネルMOSFET6のゲートに接続される抵抗素子の抵抗値が小さくなるので、ゲート容量とで構成されるRCフィルタの時定数が小さくなって、パルス信号;台形波の立ち上がり,立下りの傾きは小さくなる。一方、1チャネル駆動の場合はNチャネルMOSFET6のゲートに接続されるRCフィルタの時定数が大きくなって、台形波の立ち上がり,立下りの傾きは大きくなる。
以上のように第3実施例によれば、NチャネルMOSFET6のゲートに接続される抵抗素子15,20により抵抗値を変更し、RCフィルタの時定数を変更することで台形波の傾きを制御できる。
Next, the operation of the third embodiment will be described. As in the first embodiment, in the case of 4-channel driving, the switch 19 is turned on, and the resistance element 15 and the resistance element 20 are connected in parallel to the gate of the N-channel MOSFET 6. In the case of 1-channel driving, the switch 19 is turned off, and only the resistance element 15 is connected to the gate of the N-channel MOSFET 6. As a result of such control, in the case of 4-channel driving, the resistance value of the resistance element connected to the gate of the N-channel MOSFET 6 becomes small, so the time constant of the RC filter composed of the gate capacitance becomes small, and the pulse Signal: The rising and falling slopes of the trapezoidal wave become smaller. On the other hand, in the case of 1-channel driving, the time constant of the RC filter connected to the gate of the N-channel MOSFET 6 is increased, and the rising and falling slopes of the trapezoidal wave are increased.
As described above, according to the third embodiment, the slope of the trapezoidal wave can be controlled by changing the resistance value by the resistance elements 15 and 20 connected to the gate of the N-channel MOSFET 6 and changing the time constant of the RC filter. .

(第4実施例)
図5は第4実施例であり、第3実施例と異なる部分のみ説明する。第4実施例は、第3実施例と同様にローサイド駆動の場合を示すが、各NチャネルMOSFET6A〜6Dに対して(図5では6A,6Dのみ示す)、それぞれ2つの駆動回路;第1駆動回路21,第2駆動回路22(何れもパルス信号出力手段,傾き制御手段)を並列に接続した構成となっている。第1駆動回路21は、電源+Bとグランドとの間に接続される、PNPトランジスタ23,抵抗素子24及び25,NPNトランジスタ26の直列回路を備えており、抵抗素子24及び25の共通接続点は、NチャネルMOSFET6のゲートに接続されている。
(Fourth embodiment)
FIG. 5 shows the fourth embodiment, and only the parts different from the third embodiment will be described. The fourth embodiment shows the case of low-side drive as in the third embodiment, but each of the N-channel MOSFETs 6A to 6D (only 6A and 6D are shown in FIG. 5) has two drive circuits; The circuit 21 and the second drive circuit 22 (both pulse signal output means and tilt control means) are connected in parallel. The first drive circuit 21 includes a series circuit of a PNP transistor 23, resistance elements 24 and 25, and an NPN transistor 26 that are connected between the power source + B and the ground. The common connection point of the resistance elements 24 and 25 is Are connected to the gate of the N-channel MOSFET 6.

また、PNPトランジスタ23のベースは抵抗素子27を介して共通に接続され、NPNトランジスタ26のベースは抵抗素子28を介して共通に接続されている。そして、これらのベースには、4チャネル駆動用の共通のパルス信号が与えられる。すなわち、第1駆動回路21は、PNPトランジスタ23,NPNトランジスタ26からなるプッシュプル型の出力段を備えている。   Further, the bases of the PNP transistors 23 are commonly connected via a resistance element 27, and the bases of the NPN transistors 26 are commonly connected via a resistance element 28. These bases are given a common pulse signal for driving four channels. That is, the first drive circuit 21 includes a push-pull type output stage including a PNP transistor 23 and an NPN transistor 26.

一方、第2駆動回路22は、電源+Bとグランドとの間に接続される、電流源29,PNPトランジスタ30,NPNトランジスタ31,電流源32の直列回路を備えており、PNPトランジスタ30,NPNトランジスタ31の共通接続点(コレクタ)は、NチャネルMOSFET6のゲートに接続されている。また、PNPトランジスタ30,NPNトランジスタ31のベースには、1チャネル駆動用の個別のパルス信号がそれぞれ与えられる。
すなわち、第2駆動回路22も、PNPトランジスタ30,NPNトランジスタ31からなるプッシュプル型の出力段を備えている。そして、第1駆動回路21により抵抗素子24,25を介してNチャネルMOSFET6のゲートに供給される駆動電流は、第2駆動回路22により電流源29,32を介して上記ゲートに供給される駆動電流よりも大きくなるように設定されている。以上が負荷駆動装置33を構成している。
On the other hand, the second drive circuit 22 includes a series circuit of a current source 29, a PNP transistor 30, an NPN transistor 31, and a current source 32 that are connected between the power source + B and the ground, and the PNP transistor 30 and the NPN transistor. The common connection point (collector) 31 is connected to the gate of the N-channel MOSFET 6. Further, individual pulse signals for driving one channel are supplied to the bases of the PNP transistor 30 and the NPN transistor 31, respectively.
That is, the second drive circuit 22 also includes a push-pull type output stage composed of a PNP transistor 30 and an NPN transistor 31. The drive current supplied from the first drive circuit 21 to the gate of the N-channel MOSFET 6 via the resistance elements 24 and 25 is supplied to the gate via the current sources 29 and 32 by the second drive circuit 22. It is set to be larger than the current. The above constitutes the load driving device 33.

次に、第4実施例の作用について説明する。4チャネル駆動の場合は、第2駆動回路22のPNPトランジスタ30,NPNトランジスタ31のベースにそれぞれハイ,ローレベルの信号が与えられ、第2駆動回路22は、NチャネルMOSFET6のゲートに対してハイインピーダンス状態となる。そして、第1駆動回路21のPNPトランジスタ23,NPNトランジスタ26のベースには共通のパルス信号が与えられる。これにより、NチャネルMOSFET6のゲートには、抵抗素子24,25を介すことで立ち上がり、立下りの傾きが大きい台形波のパルス信号が出力される。   Next, the operation of the fourth embodiment will be described. In the case of 4-channel drive, high and low level signals are respectively applied to the bases of the PNP transistor 30 and the NPN transistor 31 of the second drive circuit 22, and the second drive circuit 22 is high with respect to the gate of the N-channel MOSFET 6. It becomes an impedance state. A common pulse signal is applied to the bases of the PNP transistor 23 and the NPN transistor 26 of the first drive circuit 21. As a result, a trapezoidal pulse signal having a large rising and falling slope is output to the gate of the N-channel MOSFET 6 via the resistance elements 24 and 25.

一方、1チャネル駆動の場合は、第1駆動回路21のPNPトランジスタ23,NPNトランジスタ26のベースにそれぞれハイ,ローレベルの信号が与えられ、第1駆動回路21は、NチャネルMOSFET6のゲートに対してハイインピーダンス状態となる。そして、駆動対象となる負荷2に対応する第2駆動回路22のPNPトランジスタ30,NPNトランジスタ31のベースにはパルス信号が与えられる。これにより、NチャネルMOSFET6のゲートには、電流源29,30を介すことで立ち上がり、立下りの傾きが小さい台形波のパルス信号が出力される。   On the other hand, in the case of 1 channel drive, high and low level signals are respectively applied to the bases of the PNP transistor 23 and the NPN transistor 26 of the first drive circuit 21, and the first drive circuit 21 is connected to the gate of the N channel MOSFET 6. In a high impedance state. A pulse signal is given to the bases of the PNP transistor 30 and the NPN transistor 31 of the second drive circuit 22 corresponding to the load 2 to be driven. As a result, a trapezoidal pulse signal with a small rising and falling slope is output to the gate of the N-channel MOSFET 6 via the current sources 29 and 30.

以上のように第4実施例によれば、NチャネルMOSFET6のゲートに対し、4チャネル駆動時と1チャネル駆動時とにそれぞれ対応して設けられる第1駆動回路21,第2駆動回路22を介してパルス信号を選択的に出力可能とする。そして、第1駆動回路21,第2駆動回路22がそれぞれパルス信号を出力する場合に、それぞれの駆動電流の供給量に差を設けるように構成した。
したがって、第1駆動回路21よりパルス信号を出力する場合は駆動電流量を多くし、第2駆動回路22よりパルス信号を出力する場合は駆動電流量を少なくすることで、台形波の傾きを各制御状態に対応するように変化させることができ、複数の負荷2を同時に駆動する数の変更と、4チャネル/1チャネル駆動時における台形波の傾きの変更とを連動して行うことができる。
As described above, according to the fourth embodiment, the gate of the N-channel MOSFET 6 is connected to the gate of the N-channel MOSFET 6 via the first drive circuit 21 and the second drive circuit 22 provided corresponding to the four-channel drive and the one-channel drive, respectively. The pulse signal can be selectively output. And when the 1st drive circuit 21 and the 2nd drive circuit 22 output a pulse signal, respectively, it comprised so that the supply amount of each drive current might be provided.
Therefore, when the pulse signal is output from the first drive circuit 21, the amount of drive current is increased, and when the pulse signal is output from the second drive circuit 22, the amount of drive current is decreased, thereby reducing the slope of the trapezoidal wave. The change can be made to correspond to the control state, and the change in the number of simultaneously driving the plurality of loads 2 and the change in the slope of the trapezoidal wave during the 4-channel / 1-channel drive can be performed in conjunction with each other.

(第5実施例)
図6は第5実施例であり、第4実施例と異なる部分のみ説明する。第5実施例は、第4実施例の第2駆動回路22を、第2駆動回路34に置き換えて構成されている。電源には、カレントミラー回路(傾き制御手段)35を構成するPNPトランジスタ35a,35bのエミッタが接続されており、これらのベースは、PNPトランジスタ35aのコレクタに接続されている。PNPトランジスタ35bのコレクタは、PNPトランジスタ30のエミッタに接続されている。
(5th Example)
FIG. 6 shows a fifth embodiment, and only different portions from the fourth embodiment will be described. The fifth embodiment is configured by replacing the second drive circuit 22 of the fourth embodiment with a second drive circuit 34. The power source is connected to the emitters of PNP transistors 35a and 35b constituting a current mirror circuit (tilt control means) 35, and their bases are connected to the collector of the PNP transistor 35a. The collector of the PNP transistor 35 b is connected to the emitter of the PNP transistor 30.

グランドには、カレントミラー回路(傾き制御手段)36を構成するNPNトランジスタ36a,36b,36cのエミッタが接続されており、これらのベースは、NPNトランジスタ36aのコレクタに接続されている。NPNトランジスタ36bのコレクタはPNPトランジスタ35aのコレクタに接続され、NPNトランジスタ36cのコレクタは、NPNトランジスタ31のエミッタに接続されている。NPNトランジスタ36aのコレクタは、抵抗素子37及び電流源38の直列回路を介して電源に接続されている。   The ground is connected to the emitters of NPN transistors 36a, 36b and 36c constituting a current mirror circuit (tilt control means) 36, and the bases thereof are connected to the collector of the NPN transistor 36a. The collector of the NPN transistor 36b is connected to the collector of the PNP transistor 35a, and the collector of the NPN transistor 36c is connected to the emitter of the NPN transistor 31. The collector of the NPN transistor 36 a is connected to a power source through a series circuit of a resistance element 37 and a current source 38.

また、電源とグランドとの間には、電流源39及び複数のダイオードの直列回路からなるダイオード群(温度検出手段)40が接続されており、両者の共通接続点は、抵抗素子41を介してオペアンプ42の反転入力端子に接続されている。尚、図示の都合上対応していないが、ダイオード群40は、NチャネルMOSFET6の温度を検出するためその近傍に配置されている。オペアンプ42の非反転入力端子には、抵抗素子43を介して基準電圧が与えられており、出力端子は抵抗素子37と電流源38との共通接続点に接続されている。また、オペアンプ42の反転入力端子と出力端子との間には、抵抗素子44が接続されている。すなわち、オペアンプ42は差動増幅回路(傾き制御手段)45を構成しており、ダイオード群40のアノード電圧と、基準電圧との差分を増幅して出力する。以上が負荷駆動装置46を構成している。   Further, a diode group (temperature detection means) 40 including a current source 39 and a series circuit of a plurality of diodes is connected between the power source and the ground, and a common connection point between the two is connected via a resistance element 41. It is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 42. Although not supported for the sake of illustration, the diode group 40 is disposed in the vicinity thereof in order to detect the temperature of the N-channel MOSFET 6. A reference voltage is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 42 via the resistance element 43, and the output terminal is connected to a common connection point between the resistance element 37 and the current source 38. In addition, a resistor element 44 is connected between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 42. That is, the operational amplifier 42 constitutes a differential amplifier circuit (tilt control means) 45, which amplifies and outputs the difference between the anode voltage of the diode group 40 and the reference voltage. The above constitutes the load driving device 46.

次に、第5実施例の作用について説明する。4チャネル駆動時については、第1駆動回路21により第4実施例と同様の動作となる。1チャネル駆動時については、第2駆動回路34のPNPトランジスタ30,NPNトランジスタ31を介し、カレントミラー回路35,37により駆動電流が供給される。この場合、ダイオード群40のアノード電位VTは、NチャネルMOSFET6の温度が上昇するのに伴い低下するので、オペアンプ42の出力電圧は大きくなり、カレントミラー回路36,35に流れるミラー電流は増加する。したがって、台形波の傾きはより大きくなるように変化する。   Next, the operation of the fifth embodiment will be described. During 4-channel driving, the first driving circuit 21 performs the same operation as in the fourth embodiment. During one-channel driving, a driving current is supplied by current mirror circuits 35 and 37 via the PNP transistor 30 and the NPN transistor 31 of the second driving circuit 34. In this case, since the anode potential VT of the diode group 40 decreases as the temperature of the N-channel MOSFET 6 increases, the output voltage of the operational amplifier 42 increases and the mirror current flowing through the current mirror circuits 36 and 35 increases. Therefore, the slope of the trapezoidal wave changes so as to be larger.

逆に、NチャネルMOSFET6の発熱温度が低下すれば、ダイオード群40のアノード電位VTは上昇するのでオペアンプ42の出力電圧は小さくなり、カレントミラー回路36,35に流れるミラー電流は減少する。したがって、台形波の傾きはより小さくなるように変化する。すなわち、動作環境温度の変化も含んだNチャネルMOSFET6の発熱温度が上昇すれば台形波の傾きを大きくし、発熱温度が低下すれば台形波の傾きを小さくするように変更する。   Conversely, if the heat generation temperature of the N-channel MOSFET 6 decreases, the anode potential VT of the diode group 40 increases, so the output voltage of the operational amplifier 42 decreases and the mirror current flowing through the current mirror circuits 36 and 35 decreases. Therefore, the slope of the trapezoidal wave changes so as to be smaller. That is, the slope of the trapezoidal wave is increased when the heat generation temperature of the N-channel MOSFET 6 including the change in the operating environment temperature increases, and the slope of the trapezoidal wave is decreased when the heat generation temperature decreases.

以上のように第5実施例によれば、差動増幅回路45及びカレントミラー回路35,36は、ダイオード群40により検出されるNチャネルMOSFET6の発熱温度が高い場合は1チャネル駆動時の台形波の傾きを大きくし、上記発熱温度が低い場合は傾きを小さくするように変更するので、1チャネル駆動時において、NチャネルMOSFET6の発熱状態とノイズの抑制とをバランスさせることができる。   As described above, according to the fifth embodiment, the differential amplifier circuit 45 and the current mirror circuits 35 and 36 have a trapezoidal wave at the time of 1-channel driving when the heat generation temperature of the N-channel MOSFET 6 detected by the diode group 40 is high. When the heat generation temperature is low, the inclination is changed so as to decrease the inclination. Therefore, the heat generation state of the N-channel MOSFET 6 and the suppression of noise can be balanced during one-channel driving.

(第6実施例)
図7は第6実施例である。第5実施例では、NチャネルMOSFET6の発熱状態に応じて1チャネル駆動時の台形波の傾きを変更するようにしたが、第6実施例では、その傾きの変更に伴い電源電圧についても変更する場合を示す。すなわち、第1実施例においてPNPトランジスタ11及びオペアンプ12により電源電圧を調整した構成を利用し、抵抗素子13及び14の共通接続点はオペアンプ12の反転入力端子に接続し、抵抗素子14とグランドとの間にはダイオード群40を接続する。そして、オペアンプ12の非反転入力端子には、別途比較用の基準電圧を与え、オペアンプ12の出力信号によってトランジスタ11を制御する。尚、オペアンプ12を中心とする増幅回路は、第5実施例の差動増幅回路45と同様に構成しても良い。
(Sixth embodiment)
FIG. 7 shows a sixth embodiment. In the fifth embodiment, the slope of the trapezoidal wave at the time of one-channel driving is changed according to the heat generation state of the N-channel MOSFET 6, but in the sixth embodiment, the power supply voltage is also changed along with the change of the slope. Show the case. That is, in the first embodiment, the configuration in which the power supply voltage is adjusted by the PNP transistor 11 and the operational amplifier 12 is used, and the common connection point of the resistance elements 13 and 14 is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 12. A diode group 40 is connected between them. A non-inverting input terminal of the operational amplifier 12 is separately supplied with a reference voltage for comparison, and the transistor 11 is controlled by the output signal of the operational amplifier 12. The amplifier circuit centered on the operational amplifier 12 may be configured similarly to the differential amplifier circuit 45 of the fifth embodiment.

斯様に構成すれば、NチャネルMOSFET6の発熱温度が低下するとアノード電位VTが上昇し、基準電圧との差電圧が小さくなるので、トランジスタ11のベース電位が低下して電源線4の電圧は上昇する。すなわち、1チャネル駆動時に台形波の傾きを小さくすると、それに伴い出力が低下して負荷2の駆動効率が低下するので、第6実施例のように電源電圧を上昇させることで効率の低下を補償することができる。   With this configuration, when the heat generation temperature of the N-channel MOSFET 6 decreases, the anode potential VT increases and the difference voltage from the reference voltage decreases, so the base potential of the transistor 11 decreases and the voltage of the power supply line 4 increases. To do. In other words, if the slope of the trapezoidal wave is reduced when driving one channel, the output decreases accordingly, and the drive efficiency of the load 2 decreases. Therefore, the decrease in efficiency is compensated for by increasing the power supply voltage as in the sixth embodiment. can do.

(第7実施例)
図8ないし図12は、車両のスマートエントリシステムに適用した場合の第7実施例を示す。スマートエントリシステムでは、図8又は図9に示すように、車室外に複数設置された例えば4つの車室外アンテナ51(1)〜51(4)と、車室内に複数設置された例えば3つの車室外アンテナ52(1)〜52(3)とにより、車両の乗員(ドライバ)が携帯するスマートキー(電子キー,通信機)53と電波信号により通信を行うことで、車両のドアのロック/アンロックを行うものである。
(Seventh embodiment)
8 to 12 show a seventh embodiment when applied to a smart entry system for a vehicle. In the smart entry system, as shown in FIG. 8 or FIG. 9, a plurality of, for example, four vehicle interior antennas 51 (1) to 51 (4) installed outside the vehicle compartment and a plurality of, for example, three vehicles installed in the vehicle interior. The outdoor antennas 52 (1) to 52 (3) communicate with a smart key (electronic key, communication device) 53 carried by a vehicle occupant (driver) by radio signals, thereby locking / unlocking the vehicle door. It is to lock.

図9は、スマートエントリシステムの構成を示す機能ブロック図である。車両には、電子キーECU(傾き制御手段)54,エンジンECU55,ステアリングロックECU56等の各ECU(Electronic Control Unit)があり、これらは例えば車載LANなどによって相互に通信を行う。電子キーECU54には、各ドアのロックアクチュエータ(図示せず)を制御するドアロック制御部57(1)〜57(4)が接続されており、電子キーECU54は、スマートキー53との通信状況に応じて各ドアロック制御部57に制御信号を出力する。   FIG. 9 is a functional block diagram showing the configuration of the smart entry system. The vehicle has electronic control units (ECUs) such as an electronic key ECU (tilt control means) 54, an engine ECU 55, and a steering lock ECU 56, which communicate with each other by, for example, an in-vehicle LAN. The electronic key ECU 54 is connected to door lock control units 57 (1) to 57 (4) that control a lock actuator (not shown) of each door, and the electronic key ECU 54 communicates with the smart key 53. In response to this, a control signal is output to each door lock control unit 57.

また、電子キーECU54は、車室外アンテナ駆動部(傾き制御手段)58を介して各車室外アンテナ51を駆動制御し、車室内アンテナ駆動部59を介して各車室外アンテナ52を駆動制御する。車室外アンテナ駆動部58は、4つの車室外アンテナ51(1)〜51(4)をそれぞれ駆動する駆動回路がワンチップに搭載され、樹脂モールドでパッケージ化されて構成されている。車室内アンテナ駆動部59も同様に、3つの車室内アンテナ52(1)〜52(3)をそれぞれ駆動する駆動回路がワンチップに搭載されて、樹脂モールドでパッケージ化されて構成されている。   Further, the electronic key ECU 54 controls the driving of the outdoor antennas 51 via the vehicle exterior antenna driving unit (tilt control means) 58 and controls the driving of the vehicle outdoor antennas 52 via the vehicle interior antenna driving unit 59. The vehicle exterior antenna drive unit 58 is configured by mounting a drive circuit for driving each of the 4 vehicle exterior antennas 51 (1) to 51 (4) on one chip and packaging it with a resin mold. Similarly, the vehicle interior antenna drive unit 59 includes a drive circuit for driving each of the three vehicle interior antennas 52 (1) to 52 (3) mounted on a single chip and packaged with a resin mold.

また、電子キーECU54には、車室内においてスマートキー53が送信した電波信号を受信アンテナ60で受信する受信機61が接続されている。一方、スマートキー53は、携帯機ECU62と、これに接続される受信アンテナ63及び受信機64と、送信アンテナ65及び送信機66とを備えている。   The electronic key ECU 54 is connected to a receiver 61 that receives a radio signal transmitted from the smart key 53 in the vehicle interior by the receiving antenna 60. On the other hand, the smart key 53 includes a portable device ECU 62, a reception antenna 63 and a receiver 64 connected to the portable device ECU 62, and a transmission antenna 65 and a transmitter 66.

図10は、車室外アンテナ駆動部58に搭載される駆動回路を1チャネル分だけ示すものである。駆動回路(負荷駆動手段)67(1)は、4つのNチャネルMOSFET(半導体スイッチング素子)68〜71によりHブリッジ回路を構成しており、NチャネルMOSFET68及び69の共通接続点と、NチャネルMOSFET70及び71の共通接続点との間には、LC直列回路で示す車室外アンテナ51(1)が接続されている。   FIG. 10 shows a drive circuit mounted on the vehicle exterior antenna drive unit 58 for only one channel. The drive circuit (load drive means) 67 (1) forms an H-bridge circuit by four N-channel MOSFETs (semiconductor switching elements) 68 to 71, a common connection point of the N-channel MOSFETs 68 and 69, and an N-channel MOSFET 70. And a common connection point of 71 are connected to an antenna 51 (1) outside the vehicle compartment indicated by an LC series circuit.

台形波傾き制御プリドライバ7と、4つのNチャネルMOSFET68〜71との間には、チャネル切り替えスイッチ8H,8Lに替わるチャネル切り替えスイッチ72H,72Lが挿入されており、選択信号によって車室外アンテナ51(1)が選択されると、チャネル切り替えスイッチ72HはNチャネルMOSFET68及び70のゲートに接続されているスイッチをオンし、チャネル切り替えスイッチ72LはNチャネルMOSFET71及び72のゲートに接続されているスイッチをオンする。以上が負荷駆動装置73を構成している。   Channel changeover switches 72H and 72L instead of channel changeover switches 8H and 8L are inserted between the trapezoidal wave tilt control pre-driver 7 and the four N-channel MOSFETs 68 to 71, and the vehicle exterior antenna 51 ( When 1) is selected, the channel selector switch 72H turns on the switch connected to the gates of the N-channel MOSFETs 68 and 70, and the channel selector switch 72L turns on the switch connected to the gates of the N-channel MOSFETs 71 and 72. To do. The above constitutes the load driving device 73.

次に、第7実施例の作用について図11及び図12を参照して説明する。図11は、電子キーECU54を中心に行われる処理のシーケンスを示す。スマートキー53との通信が開始される前である「乗車待ち」の状態では、電子キーECU54は、(A)車室外アンテナ51(1)〜51(4)を同時に駆動して起動要求信号を送信する。この状態から、スマートキー53を携帯したドライバが車両に近付くことで、スマートキー53が上記起動要求信号を受信すると、アクノリッジ信号を車両側に送信する。   Next, the operation of the seventh embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 11 shows a sequence of processing performed mainly by the electronic key ECU 54. In the state of “waiting for boarding” before communication with the smart key 53 is started, the electronic key ECU 54 simultaneously drives (A) the outdoor antennas 51 (1) to 51 (4) and outputs an activation request signal. Send. From this state, when the driver carrying the smart key 53 approaches the vehicle, when the smart key 53 receives the activation request signal, it transmits an acknowledge signal to the vehicle side.

上記アクノリッジ信号を受信機64が受信して電子キーECU54が認識すると、次は、(B)車室外アンテナ51(1)〜51(4)を順次シリアルに駆動して起動要求信号を送信し、返信されるアクノリッジ信号を受信する。この時、電子キーECU54は、RSSI(Received Signal Strength Indicator)によりそれぞれの受信信号強度を計測し、受信信号強度が最も強かった返信に対応する、すなわちスマートキー53に最も近い位置にある車室外アンテナ51を特定する。   When the receiver 64 receives the acknowledge signal and the electronic key ECU 54 recognizes it, next, (B) the vehicle interior antennas 51 (1) to 51 (4) are sequentially driven serially to transmit an activation request signal, Receives a return acknowledge signal. At this time, the electronic key ECU 54 measures the received signal strength by means of RSSI (Received Signal Strength Indicator) and corresponds to the reply with the strongest received signal strength, that is, the antenna outside the vehicle in the position closest to the smart key 53. 51 is specified.

上記特定したものが例えば車室外アンテナ51(1)であれば、(C)次にその車室外アンテナ51(1)からID要求信号を送信し、そのID要求信号を受信したスマートキー53がIDコードを送信すると電子キーECU54はIDコードの照合を行う。そして、IDコードが予め記憶されているものと一致し照合結果がOKであれば、ドアロック制御部57(1)に制御信号を送信してドアをアンロックさせる。以降は、(D)車室内アンテナ52(1)〜52(3)を順次シリアルに駆動して、車室内のスマートキー53と通信を行う。   For example, if the specified one is the outside antenna 51 (1), (C) the ID request signal is transmitted from the outside antenna 51 (1), and the smart key 53 that received the ID request signal receives the ID. When the code is transmitted, the electronic key ECU 54 collates the ID code. If the ID code matches that stored in advance and the collation result is OK, a control signal is transmitted to the door lock control unit 57 (1) to unlock the door. Thereafter, (D) the vehicle interior antennas 52 (1) to 52 (3) are serially driven to communicate with the smart key 53 in the vehicle interior.

以上の制御シーケンスにおいて、(A)から(B)に移行する際に、車室外アンテナ駆動部58は、4つの車室外アンテナ51(1)〜51(4)を同時に駆動する状態(4チャネル駆動)から、それらを1つずつシリアルに駆動する状態(1チャネル駆動)に切り替わる。その際に、第1実施例で示したように、台形波傾き制御プリドライバ7は、4チャネル駆動時には台形波の立ち上がり,立下りの傾きが大きくなるように設定し、1チャネル駆動の場合は台形波の立ち上がり,立下りの傾きが小さくなるように設定する。   In the control sequence described above, when shifting from (A) to (B), the vehicle exterior antenna drive unit 58 drives the 4 vehicle exterior antennas 51 (1) to 51 (4) simultaneously (4-channel drive). ) To a state in which they are serially driven one by one (1-channel drive). At that time, as shown in the first embodiment, the trapezoidal wave slope control pre-driver 7 is set so that the rising and falling slopes of the trapezoidal wave are large when driving four channels, and in the case of one channel driving. Set so that the slope of the trapezoidal wave rises and falls.

また、出力補正部9は、4チャネル駆動時は電源線4の電圧を低めに設定し、41チャネル駆動時は電源線4の電圧を高めに設定する。この制御に関して、第7実施例のアプリケーションに対応した説明を図12に示す。パルス信号である台形波の立ち上がり/立下りの傾きが(a)の上段に示す程度の場合に、車室外アンテナ51の電波到達エリアは同下段に示す程度であるとする。
この状態から、台形波の立ち上がり/立下りの傾きを(b)の上段に示すように小さくすると、実質的に出力電力が低下するため電波到達エリアは同下段に示すように狭くなる。そこで、(c)の上段に示すように電電電圧を上昇させることで、電波到達エリアが(a)と同等になるように補償する。
Further, the output correction unit 9 sets the voltage of the power supply line 4 to be low when driving 4 channels, and sets the voltage of the power supply line 4 to high when driving 41 channels. Regarding this control, an explanation corresponding to the application of the seventh embodiment is shown in FIG. In the case where the rising / falling slope of the trapezoidal wave, which is a pulse signal, is as shown in the upper part of FIG.
From this state, if the rising / falling slope of the trapezoidal wave is reduced as shown in the upper part of (b), the output power is substantially reduced, so that the radio wave arrival area becomes narrower as shown in the lower part. Therefore, by increasing the electric voltage as shown in the upper part of (c), the radio wave arrival area is compensated so as to be equivalent to (a).

以上のように第7実施例によれば、複数の負荷を、車両の乗員が携帯するスマートキー53と通信する車室外アンテナ51とする。この場合、電子キーECU54及び車室外アンテナ駆動部58は、受信機61がスマートキー53からの応答を最初に受信するまでは、複数の車室外アンテナ51(1)〜54(4)を同時に駆動して電波信号を送信させ、受信機61がスマートキー53からの応答を受信した後は、スマートキー53に最も近い車室外アンテナ51を特定するため、それらを順次シリアルに駆動して電波信号を送信させるように切り替えるようにした。したがって、最初の制御段階では第1制御状態によってNチャネルMOSFET68〜71の発熱を制限し、次の制御段階では第2制御状態によってノイズの発生を抑制することができる。また、駆動回路67をHブリッジ回路で構成したので、車室外アンテナ51を負荷とする場合により高い送信電力で出力を行うことが可能となる。   As described above, according to the seventh embodiment, the plurality of loads are the outdoor antenna 51 that communicates with the smart key 53 carried by the vehicle occupant. In this case, the electronic key ECU 54 and the vehicle exterior antenna drive unit 58 simultaneously drive the plurality of vehicle exterior antennas 51 (1) to 54 (4) until the receiver 61 first receives a response from the smart key 53. Then, after the receiver 61 receives the response from the smart key 53, the receiver 61 receives the response from the smart key 53. In order to identify the outdoor antenna 51 closest to the smart key 53, the receiver 61 sequentially drives them to transmit the radio signal. Changed to send. Therefore, heat generation of the N-channel MOSFETs 68 to 71 can be limited by the first control state in the first control stage, and noise generation can be suppressed by the second control state in the next control stage. Further, since the drive circuit 67 is composed of an H-bridge circuit, it is possible to output with higher transmission power when the vehicle exterior antenna 51 is used as a load.

(第8実施例)
図13は第8実施例であり、第2実施例と異なる部分について説明する。第8実施例は、入力信号としてPWM(Pulse Width Modulation)信号(パルス信号)が与えられる場合である。この時、図3相当図である図13では、コンデンサ16,18と、スイッチ17とを削除して、NチャネルMOSFET5のゲートに抵抗素子15のみを接続した構成とする。これにより、入力されるPWM信号のデューティが変化するのに応じて、出力される台形波の傾きを変化させることができる。すなわち、デューティが小であれば傾きは小さくなり、デューティが大であれば傾きは大きくなる。
(Eighth embodiment)
FIG. 13 shows an eighth embodiment, and different parts from the second embodiment will be described. In the eighth embodiment, a PWM (Pulse Width Modulation) signal (pulse signal) is given as an input signal. At this time, in FIG. 13 corresponding to FIG. 3, the capacitors 16 and 18 and the switch 17 are omitted, and only the resistance element 15 is connected to the gate of the N-channel MOSFET 5. Thereby, the inclination of the output trapezoidal wave can be changed according to the duty of the input PWM signal changing. That is, the slope is small when the duty is small, and the slope is large when the duty is large.

本発明は上記し又は図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形又は拡張が可能である。
複数の負荷について、所定数以上を同時に駆動する第1制御状態と、所定数未満の負荷を駆動する第2駆動状態については、4個全てと1個のみに限ることはない。第1制御状態で駆動対象とする負荷の数は5個以上又は3個以下でも良く、第2制御状態で駆動対象とする負荷の数は第1制御状態よりも少なければ良い。これは、個別の設計に応じて許容する発熱レベルとノイズレベルとの関係に基づいて適宜決定すれば良い。
第2,第3実施例において、ハイサイド駆動,ローサイド駆動を入れ替えても良い。また、コンデンサ,抵抗素子の接続の並列,直列の関係を逆にして、第1,第2制御状態におけるスイッチのオン,オフの関係を逆にしても良い。
The present invention is not limited to the embodiments described above or shown in the drawings, and the following modifications or expansions are possible.
For a plurality of loads, the first control state for simultaneously driving a predetermined number or more and the second drive state for driving a load less than the predetermined number are not limited to all four and only one. The number of loads to be driven in the first control state may be 5 or more and 3 or less, and the number of loads to be driven in the second control state should be smaller than that in the first control state. This may be determined as appropriate based on the relationship between the heat generation level and the noise level allowed according to the individual design.
In the second and third embodiments, the high side drive and the low side drive may be interchanged. Further, the parallel / series relationship of the connection of the capacitor and the resistance element may be reversed, and the on / off relationship of the switch in the first and second control states may be reversed.

第4実施例において、電流の大小関係はそのままとして、抵抗素子と電流源とを入れ替えても良いし、双方共に抵抗素子を用いたり、双方共に電流源を用いても良い。
第7実施例において、駆動回路を第1実施例と同様にハーフブリッジ回路で構成しても良い。
第8実施例を、第4実施例のローサイド駆動の場合に適用しても良い。
複数の負荷駆動手段,パルス信号出力手段,傾き制御手段とは、必ずしも同一の半導体チップ上に構成されている必要はなく、少なくとも1つのモールドパッケージに収容されていれば良い。
In the fourth embodiment, the magnitude relationship between the currents is kept as it is, and the resistance element and the current source may be interchanged, both may use a resistance element, or both may use a current source.
In the seventh embodiment, the drive circuit may be constituted by a half bridge circuit as in the first embodiment.
The eighth embodiment may be applied to the case of the low side drive of the fourth embodiment.
The plurality of load driving means, pulse signal output means, and inclination control means do not necessarily have to be configured on the same semiconductor chip, and may be accommodated in at least one mold package.

負荷はアンテナに限ることなく、モータやランプなどでも良い。
半導体スイッチング素子はNチャネルMOSFETに限ることなく、PチャネルMOSFETやIGBT,パワートランジスタ等でも良い。
温度検出手段は、サーミスタなどを用いても良い。
車両のスマートエントリシステムに適用するものに限らず、複数の負荷を同時に駆動する数を変更するものであれば適用が可能である。
The load is not limited to the antenna but may be a motor or a lamp.
The semiconductor switching element is not limited to an N-channel MOSFET, but may be a P-channel MOSFET, IGBT, power transistor, or the like.
A thermistor or the like may be used as the temperature detection means.
The present invention is not limited to the one applied to the smart entry system of the vehicle, but can be applied as long as the number of simultaneously driving a plurality of loads is changed.

図面中、1は負荷駆動装置、2は負荷、3はハーフブリッジ回路(負荷駆動手段)、5,6はNチャネルMOSFET(半導体スイッチング素子)、7は台形波傾き制御プリドライバ(パルス信号出力手段,傾き制御手段)、11はPNPトランジスタ(電圧調整手段)、15は抵抗素子(パルス信号出力手段)、16はコンデンサ、17はスイッチ、18コンデンサ(何れもパルス信号出力手段)、19はスイッチ、20は抵抗素子(何れもパルス信号出力手段)、21は第1駆動回路、22は第2駆動回路(何れもパルス信号出力手段,傾き制御手段)、33は負荷駆動装置、35,36はカレントミラー回路(傾き制御手段)、40はダイオード群(温度検出手段)、45は差動増幅回路(傾き制御手段)、46は負荷駆動装置、51は車室外アンテナ、53はスマートキー(通信機)、54は電子キーECU(傾き制御手段)、58は車室外アンテナ駆動部(傾き制御手段)、67は駆動回路(負荷駆動手段,Hブリッジ回路)、NチャネルMOSFET68〜71(半導体スイッチング素子)、73は負荷駆動装置を示す。   In the drawings, 1 is a load driving device, 2 is a load, 3 is a half-bridge circuit (load driving means), 5 and 6 are N-channel MOSFETs (semiconductor switching elements), 7 is a trapezoidal wave slope control pre-driver (pulse signal output means) , Inclination control means), 11 is a PNP transistor (voltage adjustment means), 15 is a resistance element (pulse signal output means), 16 is a capacitor, 17 is a switch, 18 capacitors (all are pulse signal output means), 19 is a switch, 20 is a resistance element (both pulse signal output means), 21 is a first drive circuit, 22 is a second drive circuit (both pulse signal output means and tilt control means), 33 is a load drive device, and 35 and 36 are currents. Mirror circuit (tilt control means), 40 a diode group (temperature detection means), 45 a differential amplifier circuit (tilt control means), 46 a load driving device, 51 An antenna outside the vehicle compartment, 53 is a smart key (communication device), 54 is an electronic key ECU (tilt control means), 58 is an antenna drive unit outside the vehicle compartment (tilt control means), and 67 is a drive circuit (load drive means, H bridge circuit). N-channel MOSFETs 68 to 71 (semiconductor switching elements) and 73 are load driving devices.

Claims (9)

複数の負荷について個別に設けられ、半導体スイッチング素子により前記負荷をスイッチング駆動する複数の負荷駆動手段と、
前記複数の半導体スイッチング素子の制御端子に対してそれぞれ台形波状のパルス信号を出力し、前記台形波の立上り及び立下りの傾きを変更可能に構成されるパルス信号出力手段と、
外部より与えられる切替制御信号に応じて、前記複数の負荷のうち所定数以上を同時に駆動する場合には、駆動対象に対応する前記パルス信号出力手段の台形波の傾きを大きくする第1制御状態に設定し、前記複数の負荷のうち前記所定数未満を駆動する場合には、駆動対象に対応する前記パルス信号出力手段の台形波の傾きを、前記第1制御状態よりも小さくする第2制御状態に設定する傾き制御手段とを備え、
前記負荷駆動手段と、前記パルス信号出力手段と、前記傾き制御手段とを1つのモールドパッケージに収容して構成され
前記負荷に供給する電源の電圧を調整する電圧調整手段を備え、
前記電圧調整手段は、前記第1制御状態では前記電源の電圧を低く設定し、前記第2制御状態では前記電源の電圧を高く設定することを特徴とする負荷駆動装置。
A plurality of load driving means individually provided for a plurality of loads, and driving the switching of the loads by a semiconductor switching element;
Pulse signal output means configured to output a trapezoidal pulse signal to the control terminals of the plurality of semiconductor switching elements, and to change the rising and falling slopes of the trapezoidal wave;
A first control state in which the slope of the trapezoidal wave of the pulse signal output means corresponding to the drive target is increased when simultaneously driving a predetermined number or more of the plurality of loads according to a switching control signal given from the outside And when driving less than the predetermined number among the plurality of loads, the second control for making the slope of the trapezoidal wave of the pulse signal output means corresponding to the object to be driven smaller than in the first control state An inclination control means for setting the state,
The load driving means, the pulse signal output means, and the tilt control means are housed in a single mold package ,
Voltage adjusting means for adjusting the voltage of the power source supplied to the load;
The voltage adjusting means sets the voltage of the power supply low in the first control state, and sets the voltage of the power supply high in the second control state .
前記半導体スイッチング素子の発熱温度を検出する温度検出手段を備え、
前記傾き制御手段は、前記発熱温度が高い場合は前記第2制御状態における前記台形波の傾きを大きくし、前記発熱温度が低い場合は前記台形波の傾きを小さくするように変更することを特徴とする請求項1記載の負荷駆動装置。
Temperature detecting means for detecting the heat generation temperature of the semiconductor switching element;
The inclination control means is modified to increase the inclination of the trapezoidal wave in the second control state when the heat generation temperature is high and to decrease the inclination of the trapezoidal wave when the heat generation temperature is low. The load driving device according to claim 1.
前記負荷に供給する電源の電圧を調整する電圧調整手段を備え、
前記電圧調整手段は、前記傾き制御手段が前記第2制御状態における前記台形波の傾きをより小さく変更した場合は、それに応じて前記電源の電圧をより高く設定することを特徴とする請求項2記載の負荷駆動装置。
Voltage adjusting means for adjusting the voltage of the power source supplied to the load;
3. The voltage adjusting means, when the slope control means changes the slope of the trapezoidal wave in the second control state to be smaller, the voltage of the power supply is set higher accordingly. The load driving device described.
前記パルス信号出力手段と前記傾き制御手段とは一体に構成され、
前記複数の負荷を同時に駆動する数の変更と、前記第1制御状態,前記第2制御状態間における前記台形波の傾きの変更とが連動して行われることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の負荷駆動装置。
The pulse signal output means and the tilt control means are configured integrally,
The change in the number of simultaneously driving the plurality of loads and the change in the slope of the trapezoidal wave between the first control state and the second control state are performed in conjunction with each other. The load driving device according to any one of the above.
前記パルス信号出力手段は、前記半導体スイッチング素子の制御端子に対して、前記第1制御状態と前記第2制御状態とにそれぞれ対応して設けられる2つのプッシュプル型の出力段を介して前記パルス信号を選択的に出力可能に構成され、
前記傾き制御手段は、前記第1制御状態,前記第2制御状態に対応する出力段を介して前記パルス信号を出力する場合に、それぞれの駆動電流の供給量に差を設けるように構成されていることを特徴とする請求項4記載の負荷駆動装置。
The pulse signal output means outputs the pulse via two push-pull type output stages provided corresponding to the first control state and the second control state, respectively, with respect to the control terminal of the semiconductor switching element. Configured to selectively output signals ,
The inclination control means is configured to provide a difference in the supply amount of each drive current when outputting the pulse signal via the output stage corresponding to the first control state and the second control state. The load driving device according to claim 4, wherein
前記パルス信号出力手段は、前記半導体スイッチング素子の制御端子に直列に挿入する抵抗素子の抵抗値を変更するように構成されていることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の負荷駆動装置。 The said pulse signal output means is comprised so that the resistance value of the resistance element inserted in series with the control terminal of the said semiconductor switching element may be changed, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Load drive device. 前記パルス信号出力手段は、前記半導体スイッチング素子の制御端子とグランドとの間に接続されるコンデンサの容量を変更するように構成されていることを特徴とする請求項1から4又は6の何れか一項に記載の負荷駆動装置。 7. The pulse signal output means is configured to change a capacitance of a capacitor connected between a control terminal of the semiconductor switching element and a ground . The load driving device according to one item . 前記複数の負荷は、車両の乗員が携帯する通信機と通信する車室外アンテナであり、
前記傾き制御手段は、前記車両に搭載される受信機が前記通信機からの応答を最初に受信するまでは、前記複数の車室外アンテナを前記第1制御状態で同時に駆動して電波信号を送信させ、前記受信機が前記通信機からの応答を受信した後、前記通信機に最も近い車室外アンテナを特定するため、前記複数の車室外アンテナを前記第2制御状態で順次個別に駆動して電波信号を送信させるように切り替えることを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載の負荷駆動装置。
The plurality of loads are outdoor antennas that communicate with a communication device carried by a vehicle occupant,
The tilt control means transmits the radio signal by simultaneously driving the plurality of outdoor antennas in the first control state until a receiver mounted on the vehicle first receives a response from the communication device. After the receiver receives a response from the communication device, the plurality of outdoor antennas are sequentially driven individually in the second control state in order to identify the outdoor antenna closest to the communication device. The load driving device according to claim 1 , wherein the load driving device is switched so as to transmit a radio wave signal .
前記負荷駆動手段は、Hブリッジ回路で構成されていることを特徴とする請求項8記載の負荷駆動装置。 9. The load driving device according to claim 8, wherein the load driving means is constituted by an H bridge circuit .
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