JP6191986B2 - 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 - Google Patents
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ここで、前記ドレイン電極層及び前記ソース電極層と前記絶縁体あるいは半導体材料との間にバッファー層を設けてよい。
また、前記ゲート電極層と前記ソース電極層または前記ドレイン電極層との間に電圧を印加することによって、前記イオン伝導体材料層内の酸化物イオンおよび酸素欠陥または水素イオンおよび少なくとも水酸化物イオンが移動して、前記絶縁体あるいは半導体材料と前記イオン伝導体材料層との界面に電気二重層が生成されるようにしてよい。
また、前記電気二重層の形成によって前記絶縁体あるいは半導体内であって前記絶縁体あるいは半導体材料と前記イオン伝導体材料層との界面に隣接した位置に伝導キャリアが生成され、それにともなって前記ドレイン電極とソース電極間の導電性に変化が与えられてよい。
また、前記ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は白金、パラジウム、ロジウムおよびルテニウムからなる群から選択された少なくとも一つからなってよい。
また、前記バッファー層はアルミニウム、チタニウム、タングステン及び銅からなる群から選択された少なくとも一つからなってよい。
また、前記絶縁体あるいは半導体の材料が、チタン酸ストロンチウム、シリコン、ガリウムヒ素、ダイヤモンド、あるいは酸化チタン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズなどの金属酸化物からなってよい。
本発明の他の側面によれば、上記何れかの電気伝導素子を、抵抗スイッチまたはメモリ素子の少なくとも一つとして使用した電子装置が与えられる。
本発明の一実施例によれば、その素子は、3端子の電極構造を有する。図1に概念図で示すように、酸化物イオンが移動できるイオン伝導体6をゲート電極1と絶縁体あるいは半導体5で挟んだ積層構造によって形成する。この時、絶縁体あるいは半導体5の表面上には、金属バッファー層4を介してドレイン電極2およびソース電極3も形成する。なお、イオン伝導体6としては、酸化物イオン伝導性を有するものに代えて水素イオン伝導性のものを使用することもできる。その場合には、イオン伝導体6中を酸化物イオン7及び酸素欠陥8が移動する代わりに水素イオン及び負の電荷の水酸化物イオン(OH−)等(その多くは水酸化物イオンであるが他の負の電荷イオンを含むことがある)が移動することになる。
図2を参照しながら、酸化物イオン伝導性のイオン伝導体を使用した場合の本発明の動的に設定可能な可変電気伝導素子の動作を説明する。図2には、図1に示す3端子素子において、ゲート電極1とソース電極3、およびドレイン電極2とソース電極3との間にそれぞれ電圧を印加することにより遷移可能な状態を示している。
図1に構造を概念的に示した3端子型素子を作成し、そのゲート電極1に電圧を印加した時のドレイン電極2とソース電極3の間の電気伝導性の変化を測定した。ここで、ソース電極3は接地しておいた。この素子は、ゲート電極1、ドレイン電極2およびソース電極3としてPtを用い、酸化物イオンのイオン伝導体6として酸素欠陥を含むガドリニウム添加セリア(Ce1−xGdxO2−x/2 )を用いた。また、ドレイン電極2およびソース電極3と絶縁体あるいは半導体5との間でオーミックな電気伝導性を得るために、バッファー層4としてAl層を挟んだ。公知のRFスパッタ法およびパルスレーザデポジション(PLD)法を用いて、図1に示した3端子素子構造を(001)方位のチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)単結晶基板上にAl/Pt/Ce1−xGdxO2−x/2 /Ptの順で積層することで、この素子を作製した。イオン伝導体6であるCe1−xGdxO2−x/2 膜の組成はx=0.2であり、厚さは400nmであった。作成した素子内のCe1−xGdxO2−x/2 とSrTiO3との界面付近の透過電子顕微鏡写真を図4に示す。Ce1−xGdxO2−x/2 膜およびSrTiO3との界面は、細孔などが無い緻密な構造であり、機械的にも強度なものであった。
図1と同様な構成において水素イオン伝導性のイオン伝導体6を使用した場合の本発明の素子を作成し、その特性を測定した。
2:ドレイン電極
3:ソース電極
4:バッファー層
5:絶縁体あるいは半導体
6:酸化物イオン伝導体
7:酸化物イオン
8:酸素欠陥
9:正の極性の伝導キャリア
10:負の極性の伝導キャリア
11:白金電極
12:1%Nd添加SrTiO3電極
Claims (7)
- 酸化物イオンまたは水素イオンが伝導できるイオン伝導体材料層と、
前記イオン伝導体材料層を挟むゲート電極層及び絶縁体あるいは半導体材料と、
前記絶縁体あるいは半導体材料の表面上または内部に設けられたドレイン電極層およびソース電極層と
を設けた電気伝導素子であって、
前記イオン伝導体材料層がガドリニウム添加セリア(Ce 1−x Gd x O 2−x/2 (0<x≦0.5))またはイットリウム添加安定化ジルコニア(Zr 1−x Y x O 2−x/2 (0<x≦0.2))からなる、電気伝導素子。 - 前記ドレイン電極層及び前記ソース電極層と前記絶縁体あるいは半導体材料との間にバッファー層を設けた、請求項1に記載の電気伝導素子。
- 前記ゲート電極層と前記ソース電極層または前記ドレイン電極層との間に電圧を印加することによって、前記イオン伝導体材料層内の酸化物イオンおよび酸素欠陥または水素イオンおよび少なくとも水酸化物イオンが移動して、前記絶縁体あるいは半導体材料と前記イオン伝導体材料層との界面に電気二重層が生成される、請求項1または2に記載の電気伝導素子。
- 前記電気二重層の形成によって前記絶縁体あるいは半導体内であって前記絶縁体あるいは半導体材料と前記イオン伝導体材料層との界面に隣接した位置に伝導キャリアが生成され、それにともなって前記ドレイン電極とソース電極間の導電性に変化が与えられる、請求項3に記載の電気伝導素子。
- 前記ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は白金、パラジウム、ロジウムおよびルテニウムからなる群から選択された少なくとも一つからなる、請求項1から4の何れかに記載の電気伝導素子。
- 前記バッファー層はアルミニウム、チタニウム、タングステン及び銅からなる群から選択された少なくとも一つからなる、請求項2から5の何れかに記載の電気伝導素子。
- 前記絶縁体あるいは半導体の材料が、チタン酸ストロンチウム、シリコン、ガリウムヒ素、ダイヤモンド、あるいは酸化チタン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズなどの金属酸化物からなる、請求項1から6の何れかに記載の電気伝導素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013134534A JP6191986B2 (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2015012049A JP2015012049A (ja) | 2015-01-19 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6191986B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6817600B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2021-01-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 3端子素子およびその製造方法 |
JP6706817B2 (ja) * | 2016-05-23 | 2020-06-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電界制御電極および電気二重層デバイス |
WO2020179097A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
CN111211164B (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-16 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于固态离子导体的场效应器件 |
CN111430538B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-04-08 | 清华大学 | 基于编织型的柔性忆阻器及其制备方法 |
CN115684654B (zh) * | 2022-10-31 | 2023-10-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种准确测量双电层电势分布的方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218352A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Fujitsu Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |
JP2007088349A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 |
JP2007157982A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | トランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法 |
FI20070063A0 (fi) * | 2007-01-24 | 2007-01-24 | Ronald Oesterbacka | Orgaaninen kenttävaikutustransistori |
KR100983175B1 (ko) * | 2008-07-03 | 2010-09-20 | 광주과학기술원 | 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리소자, 및 이의 동작방법 |
JP5598920B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2014-10-01 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 固体酸化物燃料電池用電解質緻密材料の製造方法 |
JP2013026389A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | National Institute For Materials Science | 電気化学素子および電気化学素子を用いた相補型回路 |
JP5617822B2 (ja) * | 2011-11-16 | 2014-11-05 | トヨタ自動車株式会社 | 電解質膜の製造方法 |
JP5825068B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2015-12-02 | いすゞ自動車株式会社 | 内燃機関の燃料噴射の異常判定方法と内燃機関 |
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JP2015012049A (ja) | 2015-01-19 |
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