JP6188695B2 - 表面高さ属性を用いて瑕疵を分類する方法および装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子ビーム撮像を用いる基板の検査および審査に関する。

従来の電子ビーム検査機器では、製造された基板（シリコンウェハまたはレチクル）が、基板表面からの二次電子および／または後方散乱電子を含む電子の放出に至る電子の集束ビームで走査される。放出された電子は検出され、検出データは通常、標本の表面画像に変換される。普通、画像は「通常」の視点からの表示である（すなわち、表面に垂直な視点からの表示である）。次に、これらの画像は数値的に解析されて、製造された基板の異常（以下、瑕疵と称する）を検出する。

さらに、検出された瑕疵は、追加の撮像によって審査し、手動または自動的に様々なクラスやカテゴリに分類することができる。瑕疵の分類は、製造工程を適切に調節して生産量を向上させることができるように、その原因を判定するのに利用することができる。

電子ビーム検査の方法および装置を向上することが極めて望ましい。より具体的には、電子ビーム機器によって撮像される瑕疵の分類を向上することが極めて望ましい。

一実施形態は、基板表面の瑕疵の分類方法に関する。該方法は、基板表面の目標領域にわたって一次電子ビームを走査して二次電子をそこから放出させることを含み、目標領域は瑕疵を含む。二次電子は、目標領域の複数の画像フレームを取得するように複数の少なくとも２つの軸外センサを使用して目標領域から検出され、目標領域の各画像フレームは異なる軸外センサからのデータを含む。複数の画像データフレームを処理して、目標領域の表面高さマップを生成する。表面高さ属性が瑕疵に関して判定される。瑕疵の表面高さ属性が瑕疵分類器に入力される。

該方法は露出半導体ウェハなどの露出基板、あるいは製造される集積回路またはリソグラフィ用レチクルなどのパターン化基板に適用することができる。後者の場合、複数の対応する画像フレームが、目標領域に対応する基準箇所で取得されて基準箇所の表面高さマップが生成され、瑕疵に関する表面高さ属性の判定は基準箇所の表面高さマップも使用することができる。

もう１つの実施形態は、一次電子ビームを生成するソースと、一次電子ビームを制御可能に偏向する走査デフレクタと、一次電子ビームが基板表面の領域全体に走査されるように走査デフレクタを制御する制御システムと、各領域の複数の画像フレームを生成するように複数の少なくとも２つの軸外センサを用いて二次電子を検出する検出システムと、を含む装置に関する。走査領域は、分類対象の瑕疵を含む目標領域と、場合によっては、目標領域に対応する基準箇所を含むことができる。画像データ処理システムは複数の画像フレームを処理して、適宜目標領域および基準箇所の表面高さマップを生成するように構成することができる。画像データ処理システムは表面高さマップを用いて瑕疵の表面高さ属性を判定し、瑕疵の表面高さ属性を瑕疵分類器に入力することができる。

他の実施形態、側面、特徴も開示する。

本発明の第１の実施形態に係る、表面高さ属性を用いて瑕疵を分類する方法のフローチャートである。 本発明の第２の実施形態に係る、表面高さ属性を用いて瑕疵を分類する方法のフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る電子ビーム装置の概略図である。 本発明の一実施形態に係る検出器分割の概略図である。 本発明の一実施形態に係る、例示目標領域に関して異なる視野角で収集された３つの二次電子画像フレームを示す図である。 本発明の一実施形態に係る、例示目標領域に関して異なる視野角で収集された３つの二次電子画像フレームを示す図である。 本発明の一実施形態に係る、例示目標領域に関して異なる視野角で収集された３つの二次電子画像フレームを示す図である。 本発明の１実施形態に係る、例示目標領域に対応する基準箇所に関して異なる視野角で収集された３つの対応する二次電子画像フレームを示す図である。 本発明の１実施形態に係る、例示目標領域に対応する基準箇所に関して異なる視野角で収集された３つの対応する二次電子画像フレームを示す図である。 本発明の１実施形態に係る、例示目標領域に対応する基準箇所に関して異なる視野角で収集された３つの対応する二次電子画像フレームを示す図である。 本発明の一実施形態に係る、例示目標領域に関して生成される瑕疵マスクを示す図である。 本発明の一実施形態に係る、例示目標領域と対応する基準箇所との表面高さマップをそれぞれ示す図である。 本発明の一実施形態に係る、例示目標領域と対応する基準箇所との表面高さマップをそれぞれ示す図である。 本発明の一実施形態に係る、特定の種類の瑕疵を区別する際の表面高さ属性の有効性を示す図である。 落下粒子（すなわち隆起）と溝の例示二次電子画像フレームをそれぞれ示す図である。 落下粒子（すなわち隆起）と溝の例示二次電子画像フレームをそれぞれ示す図である。 粒子と溝の例示表面高さマップをそれぞれ示す図である。 粒子と溝の例示表面高さマップをそれぞれ示す図である。 粒子と溝に対応する例示瑕疵マスクをそれぞれ示す図である。 粒子と溝に対応する例示瑕疵マスクをそれぞれ示す図である。

表面高さ属性を生成する方法および装置と、これらの属性の使用について開示する。これらの方法および装置は、電子ビーム機器を用いる自動瑕疵分類の精度を大幅に向上させるために採用することができる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る、瑕疵を分類するように予め検出された瑕疵の表面高さ属性を自動的に生成する方法１００のフローチャートである。図１Ａの方法１００は、露出シリコンウェハなどの露出基板での使用に特に適する。

図示されるように、方法１００は、瑕疵審査システムのいくつかのソフトウェアモジュールの制御下で実行することができる。これらのモジュールは、瑕疵審査走査モジュール１０１、表面高さマップ生成モジュール１０５、審査画像生成モジュール１０７、瑕疵マスク生成モジュール１０９、表面高さ属性生成モジュール１１１、自動瑕疵分類モジュール１２１を含むことができる。各モジュールは、データ記憶装置（ハードディスクドライブまたはメモリなど）に記憶され、たとえば瑕疵審査システムの機器制御および画像処理に使用されるコンピュータシステムなどのコンピュータシステムの１つまたはそれ以上のマイクロプロセッサによって実行することができるコンピュータ可読プログラムコードを含むことができる。

図示されるように、瑕疵審査走査モジュール１０１は、基板表面の目標領域が撮像システムの視野（ＦＯＶ）に配置されるように基板を保持する台を平行移動させることができる（１０２）。その後、目標領域が入射ビームによって走査される間、画像データが２つまたはそれ以上の視野角から収集される（１０４）。２つまたはそれ以上の視野角からの画像データの収集１０４は同時に実行することができる。

目標領域の二次電子画像データを収集した後（１０４）、表面高さマップ生成モジュール１０５は画像データを受信して、目標領域の表面高さマップを生成することができる（１０６）。一実施形態によると、表面高さマップを生成する手順１０６は、目標領域の表面の３次元モデルまたは表示を含むことができる。このような３次元表示は均等拡散モデル、あるいは立体視に基づき構成することができる。表面高さマップは３次元モデルから生成することができる（１０６）。その他の実施形態では、その他の技術を採用して表面高さマップを生成することができる（１０６）。

審査画像生成モジュール１０７は、瑕疵審査走査モジュール１０１からの画像データも受信することができる。審査画像生成モジュール１０７は審査画像を生成し（１０８）、それらを瑕疵マスク生成モジュールに供給することができる（１０９）。瑕疵マスク生成モジュール１０９は審査画像の少なくとも１つに対応する瑕疵マスクを生成する（１１０）。瑕疵マスクは、予め検出された瑕疵の画素と画像フレーム中のその他の画素とを区別する。

目標領域の表面高さマップと瑕疵マスクに基づき、表面高さ属性生成モジュール１１１によって１セットの表面高さ属性を判定することができる（１１２）。本発明の一実施形態によると、表面高さ属性は、瑕疵領域と瑕疵領域を囲む背景領域との高さ差１１４、瑕疵領域内の高さ変動の大きさ１１６、瑕疵領域を囲む背景領域内の高さ変動の大きさ１１８を含むことができる。

瑕疵を囲む背景領域は自動的にまたは手動で選択することができる。たとえば、背景領域は、瑕疵領域からの特定範囲内だが瑕疵領域内にはない画素として選択することができる。瑕疵領域と瑕疵領域を囲む背景領域の高さ差１１４は、瑕疵領域の平均高さを算出し、背景領域の平均高さを算出し、２つの平均高さ間の差を算出することによって判定することができる。瑕疵領域内の高さ変動の大きさ１１６と背景領域内の高さ変動の大きさ１１８は統計的な大きさとすることができる。高さ変動の統計的大きさの一例は高さの標準偏差である。

他の実施形態では、別の表面高さ属性を使用することができる。たとえば、輪郭情報を反映する表面高さ属性は、同一の瑕疵を異なる視点から撮った二次電子画像の瑕疵斑点（瑕疵領域）間の距離または相／方位差を算出することによって生成することができる。

予め検出された瑕疵の表面高さ属性は、自動瑕疵分類モジュール（瑕疵分類器）１２１に供給（入力）することができる。自動瑕疵分類モジュール１２１は、予め検出された瑕疵を分類する（１２２）際に表面高さ属性を有効に利用することができる。自動瑕疵分類モジュール１２１は、分類器訓練モードまたは分類モードのいずれかで動作可能な統計分類器とすることができる。分類器訓練モードは、自動瑕疵分類モジュール１２１によって使用される瑕疵分類器を訓練するように表面高さ属性と既知の種類の瑕疵のその他の属性を受信し、分類モードは訓練された瑕疵分類器を使用して表面高さ属性とその他の属性とに基づき瑕疵を分類する。もしくは、自動瑕疵分類モジュール１２１は規則ベースの分類器を利用することができる。

図１Ｂは、本発明の第２の実施形態に係る、瑕疵を分類するように予め検出された瑕疵の表面高さ属性を自動的に生成する方法１５０のフローチャートである。図１Ｂの方法１５０は、シリコン基板またはフォトリソグラフィ用のレチクル上で使用される工程において集積回路などのパターン化基板での使用に特に適する。

図１Ａの方法１００に対して図１Ｂの方法１５０で追加されるステップは、目標領域に対応する基準箇所からの画像データを取得し使用するステップである。基準箇所は、目標領域の瑕疵領域に対応する無瑕疵領域を含む。また、図１Ｂの方法１５０は、表面高さ属性生成モジュール１１１によって生成される追加の表面高さ属性を含む。この追加の属性は、目標領域の瑕疵領域と基準箇所の対応領域との高さ差１５８である。

図１Ｂに示すように、瑕疵審査走査モジュール１０１は、基準箇所が撮像システムの視野内に位置するように基板を保持する台を平行移動させることによって基準位置からの画像データを取得することができる（１５２）。次に、基準箇所を入射ビームによって走査して、画像データを２つまたはそれ以上の視野角から収集することができる（１５４）。２つまたはそれ以上の視野角からの画像データの収集１５４は同時に行うことができる。基準箇所の二次電子画像データの収集後（１５４）、表面高さマップ生成モジュール１０５は画像データを受信し、基準箇所の画像データと目標領域の画像データを整合させ（１５５）、基準箇所の表面高さマップを生成する（１５６）。表面高さ生成モジュール１１１は目標領域と基準箇所の表面高さマップを受信し、瑕疵マスクも受信する。

本実施形態によると、表面高さ生成モジュール１１１によって生成される属性は、瑕疵領域と瑕疵領域を囲む背景領域との高さ差１１４、瑕疵領域内の高さ変動の大きさ１１６、瑕疵領域を囲む背景領域の高さ変動の大きさ１１８、瑕疵領域と基準箇所の対応領域との高さ差１５８を含むことができる。後者の高さ差１５８は、画像フレーム内の周囲背景領域の高さに対して２つの高さをそれぞれ測定することによって判定することができる。言い換えると、背景領域に対する瑕疵領域の高さが算出され、背景領域に対する基準箇所での対応する無瑕疵領域の高さが算出され、そしてこれら２つの高さの差１５８が求められる。

上述したように、図１Ｂの方法１５０は、目標領域（予め検出された瑕疵を含む）と対応する基準箇所（瑕疵がない）との両方に関して異なる視野角で２つまたはそれ以上の二次電子画像フレームを取得することができる。瑕疵を含む目標領域に関して異なる視野角で収集された（１０４）３つの二次電子画像フレームの例を図４Ａ，４Ｂ，４Ｃに示す。瑕疵を含まない基準箇所に関して異なる視野角で収集された（１０４）対応する３つの二次電子画像フレームの例を図５Ａ，５Ｂ，５Ｃに示す。目標領域に関して生成される瑕疵マスク１１０の例を図６に示す。図６に示す特定マスク６０１の場合、無瑕疵画素６０２は白い画素として示され、２つの瑕疵６０４および６０６に関連する画素は暗い画素として示される。図７Ａは目標領域に関して生成される表面高さマップ１０６を示し、図７Ｂは基準箇所に関して生成される表面高さマップ１５６を示す。図７Ａおよび７Ｂの表面高さマップでは、高い表面高さは明るいグレースケール画素で示され、低い表面高さは暗いグレースケール画素で示される。

本発明の一実施形態によると、表面高さ属性を用いる瑕疵分類は、特定の種類の瑕疵の分類に特に有益である。たとえば、図８は、従来の各種属性では、「溝」の瑕疵と「隆起」の瑕疵を区別するのが極めて困難であることを示す。

瑕疵分類の従来の属性は、瑕疵の最大寸法（ｅＤＲ最大寸法）８０２、瑕疵の面積（ｅＤＲ面積）８０４、瑕疵領域のエネルギー密度（ｅＤＲエネルギー密度）８０６、瑕疵領域の輝度（ｅＤＲ瑕疵輝度）８０８を含む。図示されるように、隆起である瑕疵と溝である瑕疵とは、これらの従来の属性では十分に分離されていない。対照的に、背景領域（対背景ＳＨ）８１０に対する瑕疵領域の高さ差１１４は、隆起である瑕疵と溝である瑕疵を分離するのに非常に有効であることが示されている。図８の例では、高さ差１１４は溝の大部分で５０単位以上マイナスであり、隆起の大部分で５０単位以上プラスである。

落下粒子と溝の例示二次電子画像フレームを図９Ａおよび９Ｂにそれぞれ示す。なお、これらの画像だけでは、粒子と溝は同様の外観を有する。粒子と溝の例示表面高さマップを図１０Ａおよび１０Ｂにそれぞれ示す。これらのマップでは、画素が明るいほど表面高さが高いことを示し、画素が暗いほど表面高さが低いことを示す。図示されるように、図１０Ａでは瑕疵は背景よりも明るく（高く）、図１０Ｂでは背景よりも暗い（低い）。粒子および溝に対応する例示瑕疵マスクを図１１Ａおよび１１Ｂにそれぞれ示す。マスクの暗い領域は瑕疵領域を示す。

概して、本発明の実施形態に係る表面高さ属性は、他の属性と組み合わせて使用し、より確実で詳細な瑕疵分類を支援することができる。背景領域に対して平坦な瑕疵でも、本文書に開示の表面高さ属性を用いてより容易に分類することができる。これは、表面高さ属性がこのような平坦な瑕疵と隆起または溝とを区別するのに使用できるからである。

複数の視野角からの画像データを同時に収集するように構成される装置の例示の実施形態を図２および３を参照して以下説明する。図２は、電子ビーム柱の断面図であり、図３は柱と共に使用可能な分割検出器の平面図である。

図２に示すように、ソース２０１は電子の一次ビーム（すなわち、入射ビーム）２０２を生成する。一次ビーム２０２はウィーンフィルタ２０４を通過する。ウィーンフィルタ２０４は、互いに交差する電界および磁界を生成するように構成される光学素子である。走査デフレクタ２０６と集束電子レンズ２０７が使用される。走査デフレクタ２０６はウェハまたはその他の基板サンプル２１０の表面全体を電子ビームで走査するために使用される。集束電子レンズ２０７は一次ビーム２０２をウェハまたはその他の基板サンプル２１０の表面上にビームスポット状に集束させるために使用される。一実施形態によると、集束レンズ２０７は電界および／または磁界を生成することによって動作することができる。

一次ビーム２０２の走査の結果、二次電子が基板２１０（たとえば半導体ウェハまたはレチクル）の表面から放射または散乱させられる。基板２１０は可動台２１１によって保持することができる。その後、二次電子は対物（最終）レンズ２０８の電磁界にさらされて基板２１０から抽出される。電磁界は放射される電子を一次ビーム光軸から比較的短い距離に限定し、これらの電子を柱内へと加速させる役割を果たし、このようにして二次電子ビーム２１２が二次電子から形成される。

ウィーンフィルタ２０４は、一次ビーム２０２の光軸から検出軸（装置の検出システム２１４の光軸）までの散乱電子ビーム２１２を偏向させる。これは、散乱電子ビーム２１２を一次ビーム２０２から分離する役割を果たす。本発明の一実施形態によると、検出システム２１４は、たとえば、図３により詳細に示す分割検出器３００を含むことができる。

機器制御および画像処理（制御／処理）システム２５０は、１つまたはそれ以上のプロセッサ（すなわちマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラ）２５２、データ記憶装置（たとえばハードディスクドライブ記憶装置およびメモリチップなど）２５４、ユーザインタフェース２５６、表示システム２５８を含むことができる。データ記憶装置２５４はコンピュータ可読プログラムコード（指示）２５５とデータを記憶し保持するように構成することができ、プロセッサ２５２はプログラムコード２５５を実行し、データを処理するように構成することができる。ユーザインタフェース２５６はユーザ入力を受信するように構成することができる。表示システム２５８は基板表面のビューをユーザに表示するように構成することができる。

制御／処理システム２５０は、本文書に開示する手順に従って、電子ビーム柱の各種構成要素を制御するために接続し使用することができる。たとえば、台２１１の移動、デフレクタ２０６の走査は制御／処理システム２５０によって実行されるコンピュータ可読プログラムコード２５５により制御することができる。

また、制御／処理システム２５０は、検出システム２１４から電子画像データを受信し処理するように構成することができる。具体的には、制御／処理システム２５０のコンピュータ可読プログラムコード２５５を使用して、本開示に記載される表面高さ属性を用いる瑕疵の自動分類に関連する手順を実行することができる。

図３に示すように、分割検出器３００は５つのセンサまたは検出器区分３０２、３０４−１、３０４−２、３０４−３、３０４−４を含むことができる。中央（軸上）区分３０２は、散乱電子ビーム２１２の中心から画像データを検出するように構成することができる。中央区分３０２は検出軸上にあるため軸上である。中央区分３０２からの画像データは通常視点（すなわち、０度の極角でサンプル表面から垂直な視野角）からの画像データに相当させることができる。４つの外側（軸外）区分（３０４−１，３０４−２，３０４−３，３０４−４）は、角度のある視点（すなわち、視野角が非ゼロの極角および異なる方位角でサンプル表面から非垂直である）からの画像データに相当させることができる。言い換えると、４つの外側区分（３０４−１，３０４−２，３０４−３，３０４−４）はそれぞれ異なる方位角（たとえば約９０度間隔をおいて）だが同一または略同一の極角で基板表面から放出される散乱電子を検出する。外側区分（３０４−１、３０４−２、３０４−３、３０４−４）は、検出軸外にあるため軸外である。別の実施例では、異なる分割を実施することができる。

上記説明では、本発明の実施形態を十分に理解してもらうため多数の具体的な詳細を提示した。しかしながら、本発明の例示される実施形態の説明は、包括的である、あるいは本発明を開示される正確な形に限定することを目的としていない。当業者であれば、本発明が１つまたはそれ以上の具体的詳細を用いずに、あるいはその他の方法や構成要素などを用いて実行できることを認識するであろう。他の例では、本発明の側面を曖昧にするのを避けるため、十分既知な構造または動作は詳細に図示も記載もされていない。本発明の特定の実施形態または実施例は例示のために本文書に記載しており、当業者が認識する様々な等価の変更が本発明の範囲内で可能である。

これらの変更は、上記詳細な説明に鑑み本発明に対して行うことができる。以下の請求項で使用される用語は本発明を明細書および請求項に開示される具体的な実施形態に限定するように解釈すべきではない。本発明の範囲は以下の請求項によって決定され、確立された請求項解釈の原理にしたがい解釈されるべきである。

Claims (20)

1. 基板表面の瑕疵の分類方法であって、
   前記基板表面の瑕疵を含む目標領域全体にわたって一次電子ビームを走査し、そこから二次電子を放出させるステップと、
   前記目標領域の複数の画像フレームを生成するように複数の少なくとも２つの軸外センサを使用して前記目標領域から前記二次電子を検出するステップであって、前記目標領域の各画像フレームが異なる軸外センサからのデータを含むステップと、
   前記複数の画像フレームを処理して前記目標領域の表面高さマップを生成するステップと、
   前記目標領域の前記表面高さマップに基づき前記瑕疵の表面高さ属性を判定するステップと、
   前記瑕疵の前記表面高さ属性を瑕疵分類器に供給するステップと、
   を備え、
   前記表面高さ属性が、瑕疵領域の平均高さと、前記瑕疵領域を囲む背景領域の平均高さと、の高さ差を含む、方法。
2. 前記表面高さ属性が、前記瑕疵領域内の高さ変動の統計的大きさをさらに含む請求項１の方法。
3. 前記表面高さ属性が前記瑕疵領域を囲む前記背景領域内の高さ変動の統計的大きさをさらに含む請求項２の方法。
4. 前記基板表面が露出半導体表面を備える請求項３の方法。
5. 前記基板表面がパターン化表面を備える請求項３の方法。
6. 基準箇所の複数の画像フレームを生成するように前記複数の少なくとも２つの軸外センサを用いて前記基準箇所から前記二次電子を検出し、前記基準箇所の各画像フレームが異なる軸外センサからのデータを含むことと、
   前記目標領域の前記画像フレームを前記基準箇所の前記画像フレームと並べることと、
   をさらに備える請求項５の方法。
7. 前記基準箇所の前記複数の画像フレームを処理して、前記基準箇所の表面高さマップを生成することをさらに備える請求項６の方法。
8. 前記瑕疵の前記表面高さ属性を判定することが、基準箇所の前記表面高さマップも基にする請求項７の方法。
9. 前記表面高さ属性が、前記瑕疵領域を囲む背景エリアに対する前記瑕疵領域の高さと、対応する非瑕疵領域を囲む背景エリアに対する前記基準箇所の前記対応する非瑕疵領域の高さと、の高さ差を含む請求項８の方法。
10. 一次電子ビームを生成するソースと、
    前記一次電子ビームを制御可能に偏向する走査デフレクタと、
    前記一次電子ビームが目標領域全体にわたって走査され二次電子が放射されるように前記走査デフレクタを制御し、前記目標領域が瑕疵を含む制御システムと、
    前記目標領域の複数の画像フレームを生成するように少なくとも２つの軸外センサを用いて前記二次電子を検出し、各画像フレームが異なる軸外センサからのデータを含む検出システムと、
    前記複数の画像フレームを処理して前記目標領域の表面高さマップを生成し、前記目標領域の前記表面高さマップを用いて前記瑕疵の表面高さ属性を判定し、前記瑕疵の前記表面高さ属性を瑕疵分類器に入力する画像データ処理システムと、
    を備え、
    前記表面高さ属性が、瑕疵領域の平均高さと、前記瑕疵領域を囲む背景領域の平均高さと、の高さ差を含む、
    装置。
11. 前記表面高さ属性が前記瑕疵領域内の高さ変動の統計的大きさをさらに含む請求項１０の装置。
12. 前記表面高さ属性が前記瑕疵領域を囲む前記背景領域内の高さ変動の統計的大きさを含む請求項１１の装置。
13. 前記軸外センサが軸外検出器区分を備える請求項１０の装置。
14. 前記制御システムが、前記一次電子ビームが基準箇所全体にわたって走査され、前記基準箇所の複数の画像フレームが前記検出システムによって生成されるように前記走査デフレクタを制御するようにさらに構成される請求項１０の装置。
15. 前記画像データ処理システムが、前記目標領域の前記画像フレームと前記基準箇所の前記画像フレームとを並べるようにさらに構成される請求項１４の装置。
16. 前記画像データ処理システムが、前記基準箇所の表面高さマップを生成するように前記基準箇所の前記複数の画像フレームを処理するようにさらに構成される請求項１５の装置。
17. 前記画像データ処理システムが、瑕疵の前記表面高さ属性を判定する際に前記基準箇所の前記表面高さマップを使用するようにさらに構成される請求項１６の装置。
18. 前記表面高さ属性が、
    前記瑕疵領域内の高さ変動の統計的大きさと、
    前記瑕疵領域を囲む前記背景領域内の高さ変動の統計的大きさと、
    前記瑕疵領域と前記基準箇所の対応する無瑕疵領域との高さ差と、
    を備える請求項１７の装置。
19. 前記統計的大きさは、標準偏差を含む、請求項２に記載の方法。
20. 前記統計的大きさは、標準偏差を含む、請求項１１に記載の装置。

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