JP6188695B2 - 表面高さ属性を用いて瑕疵を分類する方法および装置 - Google Patents
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- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 title claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 238000012549 training Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10004—Still image; Photographic image
- G06T2207/10012—Stereo images
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10028—Range image; Depth image; 3D point clouds
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- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
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Claims (20)
- 基板表面の瑕疵の分類方法であって、
前記基板表面の瑕疵を含む目標領域全体にわたって一次電子ビームを走査し、そこから二次電子を放出させるステップと、
前記目標領域の複数の画像フレームを生成するように複数の少なくとも2つの軸外センサを使用して前記目標領域から前記二次電子を検出するステップであって、前記目標領域の各画像フレームが異なる軸外センサからのデータを含むステップと、
前記複数の画像フレームを処理して前記目標領域の表面高さマップを生成するステップと、
前記目標領域の前記表面高さマップに基づき前記瑕疵の表面高さ属性を判定するステップと、
前記瑕疵の前記表面高さ属性を瑕疵分類器に供給するステップと、
を備え、
前記表面高さ属性が、瑕疵領域の平均高さと、前記瑕疵領域を囲む背景領域の平均高さと、の高さ差を含む、方法。 - 前記表面高さ属性が、前記瑕疵領域内の高さ変動の統計的大きさをさらに含む請求項1の方法。
- 前記表面高さ属性が前記瑕疵領域を囲む前記背景領域内の高さ変動の統計的大きさをさらに含む請求項2の方法。
- 前記基板表面が露出半導体表面を備える請求項3の方法。
- 前記基板表面がパターン化表面を備える請求項3の方法。
- 基準箇所の複数の画像フレームを生成するように前記複数の少なくとも2つの軸外センサを用いて前記基準箇所から前記二次電子を検出し、前記基準箇所の各画像フレームが異なる軸外センサからのデータを含むことと、
前記目標領域の前記画像フレームを前記基準箇所の前記画像フレームと並べることと、
をさらに備える請求項5の方法。 - 前記基準箇所の前記複数の画像フレームを処理して、前記基準箇所の表面高さマップを生成することをさらに備える請求項6の方法。
- 前記瑕疵の前記表面高さ属性を判定することが、基準箇所の前記表面高さマップも基にする請求項7の方法。
- 前記表面高さ属性が、前記瑕疵領域を囲む背景エリアに対する前記瑕疵領域の高さと、対応する非瑕疵領域を囲む背景エリアに対する前記基準箇所の前記対応する非瑕疵領域の高さと、の高さ差を含む請求項8の方法。
- 一次電子ビームを生成するソースと、
前記一次電子ビームを制御可能に偏向する走査デフレクタと、
前記一次電子ビームが目標領域全体にわたって走査され二次電子が放射されるように前記走査デフレクタを制御し、前記目標領域が瑕疵を含む制御システムと、
前記目標領域の複数の画像フレームを生成するように少なくとも2つの軸外センサを用いて前記二次電子を検出し、各画像フレームが異なる軸外センサからのデータを含む検出システムと、
前記複数の画像フレームを処理して前記目標領域の表面高さマップを生成し、前記目標領域の前記表面高さマップを用いて前記瑕疵の表面高さ属性を判定し、前記瑕疵の前記表面高さ属性を瑕疵分類器に入力する画像データ処理システムと、
を備え、
前記表面高さ属性が、瑕疵領域の平均高さと、前記瑕疵領域を囲む背景領域の平均高さと、の高さ差を含む、
装置。 - 前記表面高さ属性が前記瑕疵領域内の高さ変動の統計的大きさをさらに含む請求項10の装置。
- 前記表面高さ属性が前記瑕疵領域を囲む前記背景領域内の高さ変動の統計的大きさを含む請求項11の装置。
- 前記軸外センサが軸外検出器区分を備える請求項10の装置。
- 前記制御システムが、前記一次電子ビームが基準箇所全体にわたって走査され、前記基準箇所の複数の画像フレームが前記検出システムによって生成されるように前記走査デフレクタを制御するようにさらに構成される請求項10の装置。
- 前記画像データ処理システムが、前記目標領域の前記画像フレームと前記基準箇所の前記画像フレームとを並べるようにさらに構成される請求項14の装置。
- 前記画像データ処理システムが、前記基準箇所の表面高さマップを生成するように前記基準箇所の前記複数の画像フレームを処理するようにさらに構成される請求項15の装置。
- 前記画像データ処理システムが、瑕疵の前記表面高さ属性を判定する際に前記基準箇所の前記表面高さマップを使用するようにさらに構成される請求項16の装置。
- 前記表面高さ属性が、
前記瑕疵領域内の高さ変動の統計的大きさと、
前記瑕疵領域を囲む前記背景領域内の高さ変動の統計的大きさと、
前記瑕疵領域と前記基準箇所の対応する無瑕疵領域との高さ差と、
を備える請求項17の装置。 - 前記統計的大きさは、標準偏差を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記統計的大きさは、標準偏差を含む、請求項11に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/252,042 | 2011-10-03 | ||
US13/252,042 US8502146B2 (en) | 2011-10-03 | 2011-10-03 | Methods and apparatus for classification of defects using surface height attributes |
PCT/US2012/056317 WO2013052283A1 (en) | 2011-10-03 | 2012-09-20 | Methods and apparatus for classification of defects using surface height attributes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015500979A JP2015500979A (ja) | 2015-01-08 |
JP6188695B2 true JP6188695B2 (ja) | 2017-08-30 |
Family
ID=47991686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014534587A Active JP6188695B2 (ja) | 2011-10-03 | 2012-09-20 | 表面高さ属性を用いて瑕疵を分類する方法および装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8502146B2 (ja) |
EP (1) | EP2764349A4 (ja) |
JP (1) | JP6188695B2 (ja) |
KR (1) | KR101809315B1 (ja) |
SG (1) | SG11201401203RA (ja) |
TW (1) | TWI580952B (ja) |
WO (1) | WO2013052283A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9715723B2 (en) | 2012-04-19 | 2017-07-25 | Applied Materials Israel Ltd | Optimization of unknown defect rejection for automatic defect classification |
US10043264B2 (en) | 2012-04-19 | 2018-08-07 | Applied Materials Israel Ltd. | Integration of automatic and manual defect classification |
US9858658B2 (en) | 2012-04-19 | 2018-01-02 | Applied Materials Israel Ltd | Defect classification using CAD-based context attributes |
US9595091B2 (en) | 2012-04-19 | 2017-03-14 | Applied Materials Israel, Ltd. | Defect classification using topographical attributes |
US9607233B2 (en) | 2012-04-20 | 2017-03-28 | Applied Materials Israel Ltd. | Classifier readiness and maintenance in automatic defect classification |
US9466101B2 (en) * | 2013-05-01 | 2016-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Detection of defects on wafer during semiconductor fabrication |
US9430824B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-08-30 | Kla-Tencor Corporation | Machine learning method and apparatus for inspecting reticles |
TWI627546B (zh) * | 2013-06-29 | 2018-06-21 | 新納普系統股份有限公司 | 故障分析期間之晶片截面識別和呈現 |
US10114368B2 (en) | 2013-07-22 | 2018-10-30 | Applied Materials Israel Ltd. | Closed-loop automatic defect inspection and classification |
US9489599B2 (en) | 2013-11-03 | 2016-11-08 | Kla-Tencor Corp. | Decision tree construction for automatic classification of defects on semiconductor wafers |
KR102359050B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2022-02-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
JP6546826B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2019-07-17 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 欠陥検査方法、及びその装置 |
US10957608B2 (en) * | 2017-04-28 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Guided scanning electron microscopy metrology based on wafer topography |
US11048163B2 (en) * | 2017-11-07 | 2021-06-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Inspection method of a photomask and an inspection system |
CN111292303B (zh) * | 2020-01-21 | 2023-09-19 | 湖北文理学院 | 焊缝缺陷类别检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006113073A (ja) * | 1997-07-04 | 2006-04-27 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 |
US6987873B1 (en) * | 1998-07-08 | 2006-01-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic defect classification with invariant core classes |
US6353222B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Determining defect depth and contour information in wafer structures using multiple SEM images |
JP2002116161A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Jeol Ltd | 検出パターンの凹凸判別装置、凹凸判別方法、パターン欠陥判別装置、およびパターン欠陥判別方法 |
DE60144249D1 (de) * | 2000-12-15 | 2011-04-28 | Kla Tencor Corp | Verfahren und vorrichtung zum untersuchen eines substrats |
US7473911B2 (en) * | 2002-07-30 | 2009-01-06 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Specimen current mapper |
JP2004214060A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及びそれを用いた試料観察方法 |
CN100427883C (zh) * | 2003-07-11 | 2008-10-22 | 应用材料以色列公司 | 使用参考结构元件测定结构元件的横断面特征的系统和方法 |
JP4662053B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2011-03-30 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 複数の検出器を有する走査電子顕微鏡および複数の検出器ベースのイメージング方法 |
KR100543467B1 (ko) | 2003-12-11 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 미세 패턴 선폭 측정 방법 및 그 시스템 |
JP4936985B2 (ja) | 2007-05-14 | 2012-05-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡およびそれを用いた三次元形状測定装置 |
JP2009270976A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥レビュー方法および欠陥レビュー装置 |
DE102008062928A1 (de) | 2008-12-23 | 2010-07-01 | Nawotec Gmbh | Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform eines Defekts an oder in der Nähe einer Kante eines Substrats einer Photomaske |
US8294125B2 (en) * | 2009-11-18 | 2012-10-23 | Kla-Tencor Corporation | High-sensitivity and high-throughput electron beam inspection column enabled by adjustable beam-limiting aperture |
US20120223227A1 (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-06 | Chien-Huei Chen | Apparatus and methods for real-time three-dimensional sem imaging and viewing of semiconductor wafers |
-
2011
- 2011-10-03 US US13/252,042 patent/US8502146B2/en active Active
-
2012
- 2012-09-20 KR KR1020147011927A patent/KR101809315B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-20 JP JP2014534587A patent/JP6188695B2/ja active Active
- 2012-09-20 SG SG11201401203RA patent/SG11201401203RA/en unknown
- 2012-09-20 WO PCT/US2012/056317 patent/WO2013052283A1/en active Application Filing
- 2012-09-20 EP EP12838397.3A patent/EP2764349A4/en not_active Withdrawn
- 2012-10-02 TW TW101136384A patent/TWI580952B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013052283A1 (en) | 2013-04-11 |
JP2015500979A (ja) | 2015-01-08 |
TWI580952B (zh) | 2017-05-01 |
EP2764349A1 (en) | 2014-08-13 |
SG11201401203RA (en) | 2014-05-29 |
US8502146B2 (en) | 2013-08-06 |
US20130082174A1 (en) | 2013-04-04 |
EP2764349A4 (en) | 2015-04-22 |
KR20140072178A (ko) | 2014-06-12 |
TW201319556A (zh) | 2013-05-16 |
KR101809315B1 (ko) | 2017-12-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161031 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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