JP6178622B2 - Semiconductor device - Google Patents

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    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

本発明は、半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device.

特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、いわゆる三端子レギュレータと称される半導体装置である。この半導体装置は、ディスク部に搭載されたチップを備えている。このチップは、三端子レギュレータとしての電気的な機能を果たす電子部品である。このチップには、３つのリードが導通している。このうち２つのリードは、ワイヤを介して導通しており、他の１つのリードは、上記ディスク部を介して導通している。上記ディスク部および上記チップは、封止樹脂によって覆われている。上記３つのリードは、その一部ずつが上記封止樹脂から突出している。上記３つのリードの突出部分は、この半導体装置を実装するための端子部として用いられる。   Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device. The semiconductor device disclosed in this document is a semiconductor device called a so-called three-terminal regulator. This semiconductor device includes a chip mounted on a disk portion. This chip is an electronic component that performs an electrical function as a three-terminal regulator. Three leads are electrically connected to this chip. Of these, two leads are conducted through a wire, and the other one lead is conducted through the disk portion. The disk portion and the chip are covered with a sealing resin. A part of each of the three leads protrudes from the sealing resin. The protruding portions of the three leads are used as terminal portions for mounting the semiconductor device.

三端子レギュレータは、単に所定の電圧を出力する機能を果たす。これに対し、たとえばスイッチングレギュレータと称される半導体装置のように、より高効率な変換やより高精度な制御が期待されるものが種々提案されている。すなわち、従来の三端子レギュレータが果たす機能に加えて付加的な機能を備えることが半導体装置として求められている。この付加的な機能を実現するには、半導体装置にさらに多様な電子部品を内蔵する必要がある。そして、これらの電子部品の内蔵に対応して、上記リードを適切に配置することが求められる。しかしながら、多様な電子部品を半導体装置の内部において配置しつつ、上記リードを確実に固定することは両立が困難である。   The three-terminal regulator simply functions to output a predetermined voltage. On the other hand, various types of devices that are expected to perform more efficient conversion and more accurate control, such as a semiconductor device called a switching regulator, have been proposed. That is, a semiconductor device is required to have an additional function in addition to the function performed by the conventional three-terminal regulator. In order to realize this additional function, it is necessary to incorporate more various electronic components in the semiconductor device. Then, it is required to appropriately arrange the leads corresponding to the incorporation of these electronic components. However, it is difficult to simultaneously secure the leads while arranging various electronic components inside the semiconductor device.

特開２００５−２６８４１０号公報JP 2005-268410 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、複数の電子部品を適切に内蔵しつつ、より確実にリードを固定することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of more reliably fixing leads while appropriately incorporating a plurality of electronic components. Let it be an issue.

本発明によって提供される半導体装置は、厚さ方向に離間する表面および裏面を有する基材、およびこの基材の上記表面側に形成された配線パターン、を具備する基板と、上記基板の上記表面に搭載された複数の電子部品と、上記基板の少なくとも一部および上記複数の電子部品を覆う封止樹脂と、を備えた半導体装置であって、上記配線パターンは、１以上のリード用パッドを有しており、上記封止樹脂に覆われるとともに上記リード用パッドに接合された接合部、上記封止樹脂から突出した端子部、および上記接合部および上記端子部の間に介在し、かつ上記厚さ方向において上記基板の上記表面から離間するように延びる退避部、を有する１以上のリードを備えることを特徴としている。   The semiconductor device provided by the present invention includes a substrate comprising a base material having a surface and a back surface that are spaced apart in the thickness direction, and a wiring pattern formed on the surface side of the base material, and the surface of the substrate A semiconductor device comprising: a plurality of electronic components mounted on the substrate; and a sealing resin that covers at least a part of the substrate and the plurality of electronic components, wherein the wiring pattern includes one or more lead pads. And having a joint portion covered with the sealing resin and joined to the lead pad, a terminal portion protruding from the sealing resin, and interposed between the joint portion and the terminal portion, and One or more leads having a retracting portion extending so as to be separated from the surface of the substrate in the thickness direction are provided.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記リードは、上記退避部と上記端子部との間に介在し、上記基板から上記厚さ方向に離間するとともに、上記封止樹脂に覆われた離間部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the lead is interposed between the retracting portion and the terminal portion, and is separated from the substrate in the thickness direction and is covered with the sealing resin. Have

本発明の好ましい実施の形態においては、上記離間部が、上記厚さ方向視において上記複数の電子部品のいずれかと重なる。   In a preferred embodiment of the present invention, the spacing portion overlaps one of the plurality of electronic components as viewed in the thickness direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記リードは、上記接合部を挟んで上記退避部とは反対側に位置し、かつ上記厚さ方向において上記基板の上記表面から離間するように延びる追加の退避部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the lead is located on an opposite side to the retracting portion with the joint portion interposed therebetween, and an additional portion that extends away from the surface of the substrate in the thickness direction. It has a retracting part.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記端子部は、屈曲部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the terminal portion has a bent portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記リードは、上記接合部を挟んで上記端子部とは反対側に上記封止樹脂から突出した追加の端子部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the lead has an additional terminal portion protruding from the sealing resin on the side opposite to the terminal portion with the joint portion interposed therebetween.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記追加の端子部は、屈曲部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the additional terminal portion has a bent portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記リードは、上記追加の退避部と上記追加の端子部との間に介在し、上記基板から上記厚さ方向に離間するとともに、上記封止樹脂に覆われた追加の離間部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the lead is interposed between the additional retracting portion and the additional terminal portion, is separated from the substrate in the thickness direction, and is covered with the sealing resin. With additional spaced apart.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記追加の離間部が、上記厚さ方向視において上記複数の電子部品のいずれかと重なる。   In a preferred embodiment of the present invention, the additional spacing portion overlaps any one of the plurality of electronic components in the thickness direction view.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記離間部は、上記接合部と上記端子部とが離間する方向および上記厚さ方向のいずれとも直角である方向に延びる部位を有する迂回部が形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the separation portion is formed with a detour portion having a portion extending in a direction perpendicular to both the direction in which the joint portion and the terminal portion are separated from each other and the thickness direction. Yes.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記迂回部は、上記厚さ方向視においてコの字状である。   In a preferred embodiment of the present invention, the detour portion has a U-shape when viewed in the thickness direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記追加の離間部は、上記接合部と上記追加の端子部とが離間する方向および上記厚さ方向のいずれとも直角である方向に延びる部位を有する追加の迂回部が形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the additional spacing portion has an additional portion having a portion extending in a direction in which the joining portion and the additional terminal portion are separated from each other and in a direction perpendicular to both the thickness directions. A detour part is formed.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記追加の迂回部は、上記厚さ方向視においてコの字状である。   In a preferred embodiment of the present invention, the additional bypass portion has a U-shape when viewed in the thickness direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、３つの上記リードを備えており、上記配線パターンは、３つの上記リード用パッドを有している。   In a preferred embodiment of the present invention, three leads are provided, and the wiring pattern has three lead pads.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記３つのリードの上記接合部は、上記厚さ方向視において三角配置とされている。   In a preferred embodiment of the present invention, the joint portions of the three leads are arranged in a triangle when viewed in the thickness direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記３つのリードは、互いに平行である。   In a preferred embodiment of the present invention, the three leads are parallel to each other.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記リードは、上記接合部を挟んで上記端子部と反対側に位置し、かつ上記封止樹脂に覆われた被覆端部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the lead has a coated end portion that is located on the opposite side of the terminal portion with the joint portion interposed therebetween and is covered with the sealing resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、互いの上記端子部が反対側に突出し、かつ各々が上記被覆端部を２つの上記リードを備えており、上記２つのリードの上記被覆端部が向かい合っている。   In a preferred embodiment of the present invention, each of the terminal portions protrudes to the opposite side, and each of the covering ends includes the two leads, and the covering ends of the two leads face each other. Yes.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の電子部品は、ＩＣ素子を含んでおり、上記リードは、上記厚さ方向視において上記ＩＣ素子の少なくとも一部と重なる遮蔽部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the plurality of electronic components include an IC element, and the lead has a shielding portion that overlaps at least a part of the IC element when viewed in the thickness direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮蔽部は、上記厚さ方向視において上記ＩＣ素子のすべてと重なる。   In a preferred embodiment of the present invention, the shielding portion overlaps all of the IC elements when viewed in the thickness direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、金属からなり、上記基板は、上記基材と上記配線パターンとの間に介在する絶縁層を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the substrate is made of metal, and the substrate has an insulating layer interposed between the substrate and the wiring pattern.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、セラミックスからなる。   In preferable embodiment of this invention, the said base material consists of ceramics.

本発明によれば、上記複数の電子部品が上記基板に実装されている。これにより、上記半導体装置の機能をさらに高めるために必要な上記電子部品を比較的自由に搭載することができる。また、上記基板の上記リード用パッドには、上記リードの上記接合部が接合されている。この接合部と上記端子部との間には、上記退避部が介在している。上記退避部は、上記基板の上記表面から離間するように延びているため、上記端子部を引っ張るような力が上記リードに加わった場合、上記退避部が上記封止樹脂に強く接する状態となるものの、上記接合部に過大な力が作用することを回避することができる。したがって、上記半導体装置に上記複数の電子部品を適切に内蔵しつつ、より確実に上記リードを固定することができる。   According to the present invention, the plurality of electronic components are mounted on the substrate. As a result, the electronic components necessary for further enhancing the function of the semiconductor device can be mounted relatively freely. Further, the joint portion of the lead is joined to the lead pad of the substrate. The retracting portion is interposed between the joint portion and the terminal portion. Since the retracting portion extends away from the surface of the substrate, when the force that pulls the terminal portion is applied to the lead, the retracting portion is in strong contact with the sealing resin. However, it is possible to avoid an excessive force from acting on the joint. Therefore, the lead can be more reliably fixed while appropriately incorporating the plurality of electronic components in the semiconductor device.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第１実施形態に基づく半導体装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 図１の半導体装置を示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor device of FIG. 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the III-III line of FIG. 図１の半導体装置の製造に用いるリードフレームを示す要部斜視図である。FIG. 2 is a main part perspective view showing a lead frame used for manufacturing the semiconductor device of FIG. 図４のリードフレームに加工を施した後の状態を示す要部斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of main parts showing a state after processing the lead frame of FIG. 4. 図５のリードフレームに基板および複数の電子部品を接合する工程を示す要部斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of relevant parts showing a step of bonding a substrate and a plurality of electronic components to the lead frame of FIG. 5. 本発明の第２実施形態に基づく半導体装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor device based on 2nd Embodiment of this invention. 図７の半導体装置を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing the semiconductor device of FIG. 7. 図７の半導体装置を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing the semiconductor device of FIG. 7. 本発明の第３実施形態に基づく半導体装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor device based on 3rd Embodiment of this invention. 図１０の半導体装置を示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor device of FIG. 本発明の第４実施形態に基づく半導体装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor device based on 4th Embodiment of this invention. 図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XIII-XIII line | wire of FIG. 本発明の第５実施形態に基づく半導体装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor device based on 5th Embodiment of this invention. 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XV-XV line | wire of FIG. 本発明の第６実施形態に基づく半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device based on 6th Embodiment of this invention.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１〜図３は、本発明の第１実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、基板１、複数の電子部品２、３つのリード３、および封止樹脂４を備えている。半導体装置Ａ１は、たとえばスイッチングレギュレータとして構成されており、入力電力を所定の使用の出力電力に変換して出力する機能を果たす。   1 to 3 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. The semiconductor device A1 of this embodiment includes a substrate 1, a plurality of electronic components 2, three leads 3, and a sealing resin 4. The semiconductor device A1 is configured as a switching regulator, for example, and fulfills a function of converting input power into output power for predetermined use and outputting it.

図１は、半導体装置Ａ１の斜視図であり、図２は、半導体装置Ａ１の平面図である。なお、図１および図２においては、理解の便宜上、封止樹脂４を想像線で示している。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿うｚｘ平面における断面図である。   FIG. 1 is a perspective view of the semiconductor device A1, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device A1. In FIG. 1 and FIG. 2, the sealing resin 4 is indicated by an imaginary line for convenience of understanding. FIG. 3 is a cross-sectional view in the zx plane along the line III-III in FIG.

基板１は、基材１１、絶縁層１２および配線パターン１３を備えている。基板１は、たとえば矩形板状である。図１および図２においては、理解の便宜上、基材１１、絶縁層１２および配線パターン１３の区別を省略して示している。   The substrate 1 includes a base material 11, an insulating layer 12, and a wiring pattern 13. The substrate 1 has a rectangular plate shape, for example. In FIG. 1 and FIG. 2, the base material 11, the insulating layer 12, and the wiring pattern 13 are not shown for convenience of understanding.

基材１１は、本実施形態においては金属からなり、たとえばＡｌからなる。基材１１は、ｚ方向に離間する表面１１１および裏面１１２を有している。なお、基板１は、そのほとんどを基材１１が占めるため、本発明においては、表面１１１および裏面１１２は、基材１１の面を指すとともに、基板１の面を指すものとして用いる。   In the present embodiment, the substrate 11 is made of metal, for example, Al. The base material 11 has a front surface 111 and a back surface 112 that are separated in the z direction. In addition, since the base material 11 occupies most of the substrate 1, the front surface 111 and the back surface 112 are used to indicate the surface of the base material 11 and the surface of the substrate 1 in the present invention.

絶縁層１２は、基材１１の表面に形成されており、絶縁材料からなる。絶縁材料としては、絶縁性樹脂などが挙げられる。   The insulating layer 12 is formed on the surface of the base material 11 and is made of an insulating material. Examples of the insulating material include an insulating resin.

配線パターン１３は、絶縁層１２上に形成されており、便宜上表面１１１に形成されたものとして観念される。配線パターン１３は、たとえばＣｕ，Ｎｉ，Ａｕからなる複数のめっき層が積層されたものである。配線パターン１３は、３つのパッド１３１を有している。パッド１３１は、本発明で言うリード用パッドに相当する。これらの３つのパッド１３１は、ｚ方向視において三角形をなすように配置されている。２つのパッド１３１がｘ方向において同じ位置にあり、かつｙ方向に離間配置されている。残りの１つのパッド１３１は、ｘ方向において２つのパッド１３１と離間しており、かつｙ方向において２つのパッドの間に位置している。各パッド１３１は、たとえばｘ方向を長手方向とする長く形状とされている。   The wiring pattern 13 is formed on the insulating layer 12 and is considered to be formed on the surface 111 for convenience. The wiring pattern 13 is formed by laminating a plurality of plating layers made of, for example, Cu, Ni, and Au. The wiring pattern 13 has three pads 131. The pad 131 corresponds to the lead pad referred to in the present invention. These three pads 131 are arranged so as to form a triangle when viewed in the z direction. The two pads 131 are in the same position in the x direction and are spaced apart in the y direction. The remaining one pad 131 is separated from the two pads 131 in the x direction and is located between the two pads in the y direction. Each pad 131 has a long shape with the x direction as a longitudinal direction, for example.

また、配線パターン１３は、パッド１３１以外に、複数の電子部品２を実装するための複数のパッドやこれらを適宜導通させる導通経路を有する。   In addition to the pads 131, the wiring pattern 13 has a plurality of pads for mounting the plurality of electronic components 2 and a conduction path for appropriately connecting these pads.

複数の電子部品２は、半導体装置Ａ１にたとえばスイッチングレギュレータとしての機能を実現するためのものである。複数の電子部品２は、複数のディスクリート電子部品２１とＩＣ素子２２とを含んでいる。複数のディスクリート電子部品２１は、たとえばコイル、ダイオード、コンデンサ、抵抗器などであり、スイッチングレギュレータを構成する電気回路において、電気的に単機能を果たすものである。ＩＣ素子２２は、スイッチング機能を担うものである。ＩＣ素子２２は、一般的なディスクリート電子部品２１よりも大であり、特にｚ方向視（平面視）寸法が大である。   The plurality of electronic components 2 are for realizing a function as, for example, a switching regulator in the semiconductor device A1. The plurality of electronic components 2 include a plurality of discrete electronic components 21 and IC elements 22. The plurality of discrete electronic components 21 are, for example, a coil, a diode, a capacitor, a resistor, and the like, and perform an electrical single function in an electric circuit constituting the switching regulator. The IC element 22 has a switching function. The IC element 22 is larger than the general discrete electronic component 21 and has a particularly large size in the z direction (plan view).

３つのリード３は、複数の電子部品２への入力電力の供給および出力電力の出力を行うためのものであり、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕなどの金属からなり、必要に応じてその表面にめっき層が設けられている。本実施形態においては、３つのリード３は、ｙ方向に互いに離間しており、ｘ方向にほぼ沿った姿勢で互いに平行に配置されている。本実施形態においては、リード３は、ｘ方向に延びる部分について、ｚ方向を厚さ方向とし、ｙ方向を幅方向とする断面が扁平な矩形状の帯状とされているが、リード３の断面形状はこれに限定されない。リード３の断面形状は、正方形状、円形などであってもよい。   The three leads 3 are for supplying input power to a plurality of electronic components 2 and outputting output power, and are made of a metal such as Fe, Ni, Cu, and a plating layer on the surface as necessary. Is provided. In the present embodiment, the three leads 3 are separated from each other in the y direction and are arranged in parallel to each other in a posture substantially along the x direction. In the present embodiment, the lead 3 has a flat rectangular strip shape with the z-direction being the thickness direction and the y-direction being the width direction of the portion extending in the x-direction. The shape is not limited to this. The cross-sectional shape of the lead 3 may be square or circular.

各リード３は、接合部３１、端子部３２１、端子部３２２、退避部３３１、退避部３３２、離間部３４１および離間部３４２を有している。なお、端子部３２２は、本発明で言う追加の端子部に相当し、退避部３３２は、本発明で言う追加の退避部に相当し、離間部３４２は、追加の離間部に相当する。   Each lead 3 has a joint portion 31, a terminal portion 321, a terminal portion 322, a retracting portion 331, a retracting portion 332, a separating portion 341 and a separating portion 342. The terminal portion 322 corresponds to an additional terminal portion referred to in the present invention, the retracting portion 332 corresponds to an additional retracting portion referred to in the present invention, and the separating portion 342 corresponds to an additional separating portion.

接合部３１は、基板１の配線パターン１３のパッド１３１にたとえばはんだ５を介して接合された部分である。本実施形態においては、接合部３１は、ｘ方向に沿って延びている。   The joint portion 31 is a portion joined to the pad 131 of the wiring pattern 13 of the substrate 1 via, for example, the solder 5. In the present embodiment, the joint portion 31 extends along the x direction.

端子部３２１は、封止樹脂４からｘ方向一方側（図中左方側）に突出する部位であり、半導体装置Ａ１を回路基板などに実装するために用いられる。図３によく表れているように、本実施形態においては、端子部３２１は、屈曲部を有する形状とされている。これにより、端子部３２１は、ｚ方向において封止樹脂４よりも突出した部位を有する形状となっている。   The terminal portion 321 is a portion protruding from the sealing resin 4 to one side in the x direction (left side in the figure), and is used for mounting the semiconductor device A1 on a circuit board or the like. As clearly shown in FIG. 3, in the present embodiment, the terminal portion 321 has a bent portion. Thereby, the terminal part 321 becomes a shape which has the site | part which protruded rather than the sealing resin 4 in the z direction.

退避部３３１は、接合部３１および端子部３２１の間に介在しており、ｚ方向において基板１の表面１１１から離間するように延びている。本実施形態においては、退避部３３１の一端が接合部３１に直接繋がっている。また、退避部３３１は、ｚ方向に平行に延びている。退避部３３１は、封止樹脂４に覆われている。   The retracting portion 331 is interposed between the joint portion 31 and the terminal portion 321 and extends so as to be separated from the surface 111 of the substrate 1 in the z direction. In the present embodiment, one end of the retracting portion 331 is directly connected to the joint portion 31. The retracting portion 331 extends in parallel with the z direction. The retracting portion 331 is covered with the sealing resin 4.

離間部３４１は、退避部３３１と端子部３２１との間に介在しており、基板１からｚ方向に離間している。本実施形態においては、離間部３４１は、ｘ方向に沿って直状に延びる形状とされており、基板１の表面１１１に対してほぼ平行である。また、離間部３４１は、退避部３３１および端子部３２１と直接繋がっている。離間部３４１は、封止樹脂４に覆われている。また、ｙ方向において中央にあるリード３においては、離間部３４１は、複数の電子部品２のいずれかとｚ方向視において重なっている。   The separation portion 341 is interposed between the retracting portion 331 and the terminal portion 321 and is separated from the substrate 1 in the z direction. In the present embodiment, the separating portion 341 has a shape extending straight along the x direction and is substantially parallel to the surface 111 of the substrate 1. Further, the separation portion 341 is directly connected to the retracting portion 331 and the terminal portion 321. The separation portion 341 is covered with the sealing resin 4. Further, in the lead 3 at the center in the y direction, the separation portion 341 overlaps with any one of the plurality of electronic components 2 in the z direction view.

端子部３２２は、封止樹脂４から端子部３２１とは反対側であるｘ方向他方側（図中右方側）に突出する部位である。端子部３２２は、半導体装置Ａ１を回路基板などに実装するために用いられる。ただし、端子部３２２は、端子部３２１と導通しているため、端子部３２１が回路基板に導通接合された場合、端子部３２２を回路基板に導通接合することは、必須ではない。この意味において、端子部３２２を本発明で言う追加の端子部に該当すると言える。図３によく表れているように、本実施形態においては、端子部３２２は、屈曲部を有する形状とされている。これにより、端子部３２２は、ｚ方向において封止樹脂４よりも突出した部位を有する形状となっている。端子部３２２のｚ方向に突出した部位は、端子部３２１のｚ方向に突出した部位とｚ方向における位置がほぼ同じである。   The terminal portion 322 is a portion that protrudes from the sealing resin 4 to the other side in the x direction (right side in the drawing) opposite to the terminal portion 321. The terminal portion 322 is used for mounting the semiconductor device A1 on a circuit board or the like. However, since the terminal portion 322 is electrically connected to the terminal portion 321, when the terminal portion 321 is conductively bonded to the circuit board, it is not essential to conductively bond the terminal portion 322 to the circuit board. In this sense, it can be said that the terminal portion 322 corresponds to the additional terminal portion referred to in the present invention. As clearly shown in FIG. 3, in the present embodiment, the terminal portion 322 has a shape having a bent portion. Thereby, the terminal portion 322 has a shape having a portion protruding from the sealing resin 4 in the z direction. The portion of the terminal portion 322 protruding in the z direction has substantially the same position in the z direction as the portion of the terminal portion 321 protruding in the z direction.

退避部３３２は、接合部３１および端子部３２２の間に介在しており、ｚ方向において基板１の表面１１１から離間するように延びている。本実施形態においては、退避部３３２の一端が接合部３１に直接繋がっている。また、退避部３３２は、ｚ方向に平行に延びている。退避部３３２は、封止樹脂４に覆われている。   The retracting portion 332 is interposed between the joint portion 31 and the terminal portion 322, and extends so as to be separated from the surface 111 of the substrate 1 in the z direction. In the present embodiment, one end of the retracting portion 332 is directly connected to the joint portion 31. The retracting portion 332 extends in parallel with the z direction. The retracting portion 332 is covered with the sealing resin 4.

離間部３４２は、退避部３３２と端子部３２２との間に介在しており、基板１からｚ方向に離間している。本実施形態においては、離間部３４２は、ｘ方向に沿って直状に延びる形状とされており、基板１の表面１１１に対してほぼ平行である。また、離間部３４２は、退避部３３２および端子部３２２と直接繋がっている。離間部３４２は、封止樹脂４に覆われている。また、ｙ方向において両側にある２つのリード３においては、離間部３４２は、複数の電子部品２のいずれかとｚ方向視において重なっている。   The separation portion 342 is interposed between the retracting portion 332 and the terminal portion 322 and is separated from the substrate 1 in the z direction. In the present embodiment, the separating portion 342 has a shape extending straight along the x direction and is substantially parallel to the surface 111 of the substrate 1. Further, the separating portion 342 is directly connected to the retracting portion 332 and the terminal portion 322. The separation portion 342 is covered with the sealing resin 4. Further, in the two leads 3 on both sides in the y direction, the separation portion 342 overlaps with any one of the plurality of electronic components 2 in the z direction view.

封止樹脂４は、基板１および複数の電子部品２と、３つのリード３の一部ずつとを覆っている。封止樹脂４は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなり、本実施形態においては、偏平な直方体とされている。   The sealing resin 4 covers the substrate 1, the plurality of electronic components 2, and a part of each of the three leads 3. The sealing resin 4 is made of, for example, a black epoxy resin and is a flat rectangular parallelepiped in the present embodiment.

次に、半導体装置Ａ１の製造方法の一例について、図４〜図６を参照しつつ以下に説明する。   Next, an example of a manufacturing method of the semiconductor device A1 will be described below with reference to FIGS.

図４は、半導体装置Ａ１の製造に用いられるリードフレーム３０を示している。リードフレーム３０は、複数のリード３０１と２つのフレーム３０２とを備えている。同図においては、１つの半導体装置Ａ１を製造するために必要な本数のリード３０１を示しているが、図中ｙ方向においてさらに多数のリード３０１を配置することにより、複数の半導体装置Ａ１を順次製造する手法が、製造効率向上の観点から好ましい。   FIG. 4 shows a lead frame 30 used for manufacturing the semiconductor device A1. The lead frame 30 includes a plurality of leads 301 and two frames 302. In the figure, the number of leads 301 necessary for manufacturing one semiconductor device A1 is shown. However, by arranging a larger number of leads 301 in the y direction in the drawing, a plurality of semiconductor devices A1 are sequentially arranged. The manufacturing method is preferable from the viewpoint of improving manufacturing efficiency.

２つのフレーム３０２は、ｙ方向に延びる帯状であり、たとえば金属からなる。２つのフレーム３０２には、複数のリード３０１が繋がっている。各フレーム３０２には、複数の開孔３０３が形成されている。複数の開孔３０３は、リードフレーム３０をｙ方向にいわゆる順送りするために用いられる。   The two frames 302 have a strip shape extending in the y direction, and are made of metal, for example. A plurality of leads 301 are connected to the two frames 302. Each frame 302 is formed with a plurality of apertures 303. The plurality of openings 303 are used for so-called forward feeding of the lead frame 30 in the y direction.

次いで、図５に示すように、リード３に加工を施すことにより、リード３において接合部３１、端子部３２１、端子部３２２、退避部３３１、退避部３３２、離間部３４１および離間部３４２となる部位を形成する。この加工は、たとえば所定の金型を用いて各リード３を部分的に折り曲げ加工あるいは深絞り加工を施すことによってなされる。   Next, as shown in FIG. 5, by processing the lead 3, the lead 3 becomes a joint portion 31, a terminal portion 321, a terminal portion 322, a retracting portion 331, a retracting portion 332, a separating portion 341 and a separating portion 342. Form a site. This processing is performed by, for example, partially bending or deep drawing each lead 3 using a predetermined mold.

次いで、図６に示すように、基板１に複数の電子部品２を実装した中間品を用意する。そして、たとえば、基板１のパッド１３１にはんだペースト（図示略）を塗布した後に、各パッド１３１に各リード３０１の接合部３１を当接させるように、リードフレーム３０と上記中間品とを近接させる。この際、上記中間品の安定した保持を実現するために、図中のｚ方向下方を実際の鉛直方向上方に沿わせた姿勢で製造を行なってもよい。この後は、上記はんだペーストを硬化させ、封止樹脂４の製造およびリード３０１の切断などの工程を経ることにより、半導体装置Ａ１が得られる。   Next, as shown in FIG. 6, an intermediate product in which a plurality of electronic components 2 are mounted on a substrate 1 is prepared. For example, after applying a solder paste (not shown) to the pads 131 of the substrate 1, the lead frame 30 and the intermediate product are brought close to each other so that the joints 31 of the leads 301 are brought into contact with the pads 131. . At this time, in order to realize stable holding of the intermediate product, the manufacture may be performed in a posture in which the lower side in the z direction in the drawing is aligned with the upper side in the actual vertical direction. Thereafter, the solder paste is cured, and the semiconductor device A1 is obtained through steps such as manufacturing the sealing resin 4 and cutting the leads 301.

次に、半導体装置Ａ１の作用について説明する。   Next, the operation of the semiconductor device A1 will be described.

本実施形態によれば、複数の電子部品２が基板１に実装されている。これにより、半導体装置Ａ１の機能をさらに高めるために必要な電子部品２を比較的自由に搭載することができる。また、基板１のパッド１３１には、リード３の接合部３１が接合されている。この接合部３１と端子部３２１との間には、退避部３３１が介在している。退避部３３１は、基板１の表面１１１から離間するように延びているため、端子部３２１を引っ張るような力がリード３に加わった場合、退避部３３１が封止樹脂４に強く接する状態となるものの、接合部３１に過大な力が作用することを回避することができる。したがって、半導体装置Ａ１に複数の電子部品２を適切に内蔵しつつ、より確実にリード３を固定することができる。   According to the present embodiment, a plurality of electronic components 2 are mounted on the substrate 1. As a result, the electronic component 2 necessary for further enhancing the function of the semiconductor device A1 can be mounted relatively freely. Further, the bonding portion 31 of the lead 3 is bonded to the pad 131 of the substrate 1. A retracting portion 331 is interposed between the joint portion 31 and the terminal portion 321. Since the retracting portion 331 extends away from the surface 111 of the substrate 1, when a force that pulls the terminal portion 321 is applied to the lead 3, the retracting portion 331 comes into strong contact with the sealing resin 4. However, it is possible to avoid an excessive force from acting on the joint portion 31. Therefore, it is possible to more reliably fix the leads 3 while appropriately incorporating the plurality of electronic components 2 in the semiconductor device A1.

リード３が、離間部３４１を有することにより、基板１の表面１１１付近に電子部品２を搭載するスペースを確保することができる。離間部３４１と電子部品２とが、ｚ方向視において重なる配置は、半導体装置Ａ１の小型化に有利である。   Since the lead 3 has the separation portion 341, a space for mounting the electronic component 2 near the surface 111 of the substrate 1 can be secured. The arrangement in which the separating portion 341 and the electronic component 2 overlap in the z-direction view is advantageous for downsizing the semiconductor device A1.

リード３が、接合部３１を挟んで端子部３２１とは反対側に突出した端子部３２２を有することにより、端子部３２１および端子部３２２によって封止樹脂４を両側からバランスよく支えることが可能である。   Since the lead 3 has the terminal portion 322 that protrudes on the opposite side of the terminal portion 321 with the joint portion 31 interposed therebetween, the terminal portion 321 and the terminal portion 322 can support the sealing resin 4 from both sides in a balanced manner. is there.

また、接合部３１と端子部３２２との間には、退避部３３２が介在している。退避部３３２は、基板１の表面１１１から離間するように延びているため、端子部３２２を引っ張るような力がリード３に加わった場合、退避部３３２が封止樹脂４に強く接する状態となるものの、接合部３１に過大な力が作用することを回避することができる。   Further, a retracting portion 332 is interposed between the joint portion 31 and the terminal portion 322. Since the retracting portion 332 extends away from the surface 111 of the substrate 1, when a force that pulls the terminal portion 322 is applied to the lead 3, the retracting portion 332 comes into strong contact with the sealing resin 4. However, it is possible to avoid an excessive force from acting on the joint portion 31.

端子部３２１および端子部３２２が、屈曲部を有することにより、半導体装置Ａ１をいわゆる面実装タイプの半導体装置として構成することができる。   Since the terminal portion 321 and the terminal portion 322 have a bent portion, the semiconductor device A1 can be configured as a so-called surface mount type semiconductor device.

リード３が、離間部３４２を有することにより、基板１の表面１１１付近に電子部品２を搭載するスペースを確保することができる。離間部３４２と電子部品２とが、ｚ方向視において重なる配置は、半導体装置Ａ１の小型化に有利である。   Since the lead 3 has the separation portion 342, a space for mounting the electronic component 2 in the vicinity of the surface 111 of the substrate 1 can be secured. The arrangement in which the separating portion 342 and the electronic component 2 overlap in the z-direction view is advantageous for downsizing the semiconductor device A1.

３つのリードの接合部３１をｚ方向視において三角配置とすることにおり、たとえば図６に示す工程においてリードフレーム３０と基板１および複数の電子部品からなる中間品とをバランスよく仮固定することができる。   The joint portions 31 of the three leads are arranged in a triangle when viewed in the z direction. For example, in the process shown in FIG. Can do.

基材１１が、Ａｌなどの金属からなることにより、複数の電子部品２からの熱を速やかに伝達することができる。   When the base material 11 is made of a metal such as Al, heat from the plurality of electronic components 2 can be quickly transmitted.

図７〜図１６は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。   7 to 16 show other embodiments of the present invention. In these drawings, the same or similar elements as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment.

図７〜図９は、本発明の第２実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２においては、リード３の構成が上述した実施形態と異なっている。図７は、半導体装置Ａ２の斜視図であり、図８は、半導体装置Ａ２の平面図である。なお、図７および図８においては、理解の便宜上、封止樹脂４を想像線で示している。図９は、リード３の離間部３４１および離間部３４２を通るｘｙ平面における断面図である。   7 to 9 show a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. In the semiconductor device A2 of this embodiment, the configuration of the lead 3 is different from that of the above-described embodiment. FIG. 7 is a perspective view of the semiconductor device A2, and FIG. 8 is a plan view of the semiconductor device A2. 7 and 8, the sealing resin 4 is indicated by an imaginary line for convenience of understanding. FIG. 9 is a cross-sectional view in the xy plane that passes through the separation portion 341 and the separation portion 342 of the lead 3.

本実施形態においては、リード３の離間部３４１に、迂回部３５１が形成されている。迂回部３５１は、ｚ方向視においてコの字状とされている。迂回部３５１は、ｘ方向およびｙ方向に対して平行であり、すなわち基板１の表面１１１に対して平行である。迂回部３５１は、ｙ方向に沿って延びる２つの部位を有している。換言すると、この部位は、接合部３１と端子部３２１とが離間する方向であるｘ方向および基板１の厚さ方向であるｚ方向のいずれとも直角である方向に延びていると言える。迂回部３５１は、封止樹脂４によって覆われている。   In the present embodiment, a bypass portion 351 is formed in the separation portion 341 of the lead 3. The detour portion 351 has a U shape when viewed in the z direction. The detour portion 351 is parallel to the x direction and the y direction, that is, parallel to the surface 111 of the substrate 1. The detour portion 351 has two portions extending along the y direction. In other words, it can be said that this portion extends in a direction perpendicular to both the x direction, which is the direction in which the joint portion 31 and the terminal portion 321 are separated, and the z direction, which is the thickness direction of the substrate 1. The bypass portion 351 is covered with the sealing resin 4.

また、リード３の離間部３４２に、迂回部３５２が形成されている。迂回部３５２は、ｚ方向視においてコの字状とされている。迂回部３５２は、ｘ方向およびｙ方向に対して平行であり、すなわち基板１の表面１１１に対して平行である。迂回部３５２は、ｙ方向に沿って延びる２つの部位を有している。換言すると、この部位は、接合部３１と端子部３２２とが離間する方向であるｘ方向および基板１の厚さ方向であるｚ方向のいずれとも直角である方向に延びていると言える。迂回部３５２は、封止樹脂４によって覆われている。なお、迂回部３５２は、本発明で言う追加の迂回部に相当する。   Further, a bypass portion 352 is formed in the separation portion 342 of the lead 3. The bypass 352 has a U-shape when viewed in the z direction. The detour portion 352 is parallel to the x direction and the y direction, that is, parallel to the surface 111 of the substrate 1. The detour portion 352 has two portions extending along the y direction. In other words, it can be said that this portion extends in a direction perpendicular to both the x direction, which is the direction in which the joint portion 31 and the terminal portion 322 are separated, and the z direction, which is the thickness direction of the substrate 1. The bypass portion 352 is covered with the sealing resin 4. The bypass unit 352 corresponds to an additional bypass unit referred to in the present invention.

このような実施形態によっても、半導体装置Ａ２に複数の電子部品２を適切に内蔵しつつ、より確実にリード３を固定することができる。また、リード３が迂回部３５１を有することにより、端子部３２１を引っ張るような外力が作用した場合に、迂回部３５１のうちｙ方向に延びる部分が封止樹脂４に圧接されることとなり、接合部３１に外力が及ぶことを回避することができる。迂回部３５１がｚ方向視コの字状であり、ｚ方向には突出しない形状であることにより、迂回部３５１と基板１との間の空間を電子部品２の実装スペースとして利用することができる。また、リード３が迂回部３５２を有することにより、端子部３２２を引っ張るような外力が作用した場合に、迂回部３５２のうちｙ方向に延びる部分が封止樹脂４に圧接されることとなり、接合部３１に外力が及ぶことを回避することができる。迂回部３５２がｚ方向視コの字状であり、ｚ方向には突出しない形状であることにより、迂回部３５２と基板１との間の空間を電子部品２の実装スペースとして利用することができる。   Also according to such an embodiment, the leads 3 can be more reliably fixed while appropriately incorporating the plurality of electronic components 2 in the semiconductor device A2. In addition, since the lead 3 has the bypass portion 351, when an external force that pulls the terminal portion 321 is applied, a portion of the bypass portion 351 that extends in the y direction is pressed against the sealing resin 4. It is possible to avoid an external force reaching the part 31. Since the bypass portion 351 has a U-shape when viewed in the z direction and does not protrude in the z direction, the space between the bypass portion 351 and the substrate 1 can be used as a mounting space for the electronic component 2. . In addition, since the lead 3 has the bypass portion 352, when an external force that pulls the terminal portion 322 is applied, a portion extending in the y direction of the bypass portion 352 is pressed against the sealing resin 4 and bonded. It is possible to avoid an external force reaching the part 31. Since the bypass portion 352 has a U-shape when viewed in the z direction and does not protrude in the z direction, the space between the bypass portion 352 and the substrate 1 can be used as a mounting space for the electronic component 2. .

図１０および図１１は、本発明の第３実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ３においては、ｙ方向中央に位置するリード３の構成が上述した実施形態と異なっている。図１０は、半導体装置Ａ３の斜視図であり、図１１は、半導体装置Ａ３の平面図である。なお、図１０および図１１においては、理解の便宜上、封止樹脂４を想像線で示している。   10 and 11 show a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. In the semiconductor device A3 of the present embodiment, the configuration of the lead 3 located at the center in the y direction is different from the above-described embodiment. FIG. 10 is a perspective view of the semiconductor device A3, and FIG. 11 is a plan view of the semiconductor device A3. In FIGS. 10 and 11, the sealing resin 4 is indicated by an imaginary line for convenience of understanding.

本実施形態においては、３つのリード３のうちｙ方向中央に位置するリード３が、遮蔽部３７を有している。遮蔽部３７は、離間部３４１の一部が部分的に拡幅された部位である。本実施形態においては、遮蔽部３７は、基板１に平行な矩形状とされている。遮蔽部３７は、ｚ方向視においてＩＣ素子２２と重なっている。さらに本実施形態においては、遮蔽部３７は、ｚ方向視においてＩＣ素子２２のすべてと重なっている。   In the present embodiment, of the three leads 3, the lead 3 located at the center in the y direction has the shielding part 37. The shielding part 37 is a part where a part of the separation part 341 is partially widened. In the present embodiment, the shielding part 37 has a rectangular shape parallel to the substrate 1. The shielding part 37 overlaps with the IC element 22 when viewed in the z direction. Further, in the present embodiment, the shielding portion 37 overlaps all of the IC elements 22 when viewed in the z direction.

このような実施形態によっても、半導体装置Ａ３に複数の電子部品２を適切に内蔵しつつ、より確実にリード３を固定することができる。また、遮蔽部３７がＩＣ素子２２と重なる構成であることにより、ＩＣ素子２２は、遮蔽部３７と基板１とに挟まれている。これにより、ＩＣ素子２２から発せられる電磁波が、ノイズとなって半導体装置Ａ１外に放出されることを抑制することができる。遮蔽部３７がＩＣ素子２２のすべてと重なる構成は、ノイズ防止に好適である。   Also according to such an embodiment, the leads 3 can be more reliably fixed while appropriately incorporating the plurality of electronic components 2 in the semiconductor device A3. Further, since the shielding part 37 is configured to overlap the IC element 22, the IC element 22 is sandwiched between the shielding part 37 and the substrate 1. Thereby, it can suppress that the electromagnetic waves emitted from the IC element 22 become noise and are emitted outside the semiconductor device A1. The configuration in which the shielding part 37 overlaps all of the IC elements 22 is suitable for noise prevention.

図１２および図１３は、本発明の第４実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ４においては、リード３の構成が上述した実施形態と異なっている。図１２は、半導体装置Ａ４の斜視図であり、図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿うｚｘ平面における断面図である。   12 and 13 show a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention. In the semiconductor device A4 of this embodiment, the configuration of the lead 3 is different from that of the above-described embodiment. 12 is a perspective view of the semiconductor device A4, and FIG. 13 is a cross-sectional view in the zx plane along the line XIII-XIII in FIG.

本実施形態においては、各リード３は、接合部３１、端子部３２１、退避部３３１、退避部３３２、離間部３４１、離間部３４２、迂回部３５１および被覆端部３６を有する。すなわち、上述した実施形態における端子部３２２を有さない構成とされている。   In the present embodiment, each lead 3 includes a joint portion 31, a terminal portion 321, a retracting portion 331, a retracting portion 332, a separating portion 341, a separating portion 342, a detour portion 351, and a covering end portion 36. That is, it is set as the structure which does not have the terminal part 322 in embodiment mentioned above.

被覆端部３６は、離間部３４２のｘ方向端であり、封止樹脂４によって覆われている。このような構成により、リード３は、端子部３２１のみが封止樹脂４から突出するものとされている。   The covering end portion 36 is an end in the x direction of the separation portion 342 and is covered with the sealing resin 4. With such a configuration, only the terminal portion 321 of the lead 3 protrudes from the sealing resin 4.

本実施形態においては、端子部３２１は、屈曲部を有さない直状とされている。また、３つのリード３の端子部３２１は、互いに平行とされており、ｘ方向において同じ側に突出している。このような３つの端子部３２１を備える半導体装置Ａ４の外観は、従来の三端子レギュレータと同様の外観である。   In the present embodiment, the terminal portion 321 has a straight shape without a bent portion. Further, the terminal portions 321 of the three leads 3 are parallel to each other and protrude to the same side in the x direction. The appearance of the semiconductor device A4 including such three terminal portions 321 is the same as that of a conventional three-terminal regulator.

半導体装置Ａ４をたとえば回路基板に実装する際には、３つの端子部３２１を回路基板に設けられた貫通孔に挿通させることができる。また、図示された状態から端子部３２１を折り曲げることにより、封止樹脂４および基板１を回路基板に沿わせた姿勢としてもよい。   For example, when the semiconductor device A4 is mounted on a circuit board, the three terminal portions 321 can be inserted into through holes provided in the circuit board. In addition, the sealing resin 4 and the substrate 1 may be placed along the circuit board by bending the terminal portion 321 from the illustrated state.

このような実施形態によっても、半導体装置Ａ４に複数の電子部品２を適切に内蔵しつつ、より確実にリード３を固定することができる。また、半導体装置Ａ４は、従来の三端子レギュレータと同様に、３つの端子部３２１を用いて実装する挿通型となっている。リード３の構成を適宜選択することにより、面実装型と挿通型とを実現することができる。   Even in such an embodiment, the leads 3 can be more reliably fixed while appropriately incorporating the plurality of electronic components 2 in the semiconductor device A4. The semiconductor device A4 is an insertion type that is mounted using three terminal portions 321 as in the conventional three-terminal regulator. By appropriately selecting the configuration of the lead 3, a surface mounting type and an insertion type can be realized.

図１４および図１５は、本発明の第５実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ５においては、３つのリード３Ａおよび３つのリード３Ｂを備える点が上述した実施形態と異なっている。図１４は、半導体装置Ａ５の斜視図であり、図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿うｚｘ平面における断面図である。   14 and 15 show a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention. The semiconductor device A5 of this embodiment is different from the above-described embodiment in that it includes three leads 3A and three leads 3B. 14 is a perspective view of the semiconductor device A5, and FIG. 15 is a cross-sectional view in the zx plane along the line XV-XV in FIG.

３つのリード３Ａは、ｘ方向左側に配置されており、ｙ方向に離間して互いに平行に配置されている。各リード３Ａは、接合部３１、端子部３２１、退避部３３１、退避部３３２、離間部３４１、離間部３４２、迂回部３５１および被覆端部３６を有しており、上述した半導体装置Ａ４におけるリード３と同様の構成である。   The three leads 3A are arranged on the left side in the x direction, and are arranged in parallel with each other in the y direction. Each lead 3A has a joint portion 31, a terminal portion 321, a retracting portion 331, a retracting portion 332, a separating portion 341, a separating portion 342, a detour portion 351, and a covering end portion 36, and the lead in the semiconductor device A4 described above. 3 is the same configuration.

３つのリード３Ｂは、ｘ方向右側に配置されており、ｙ方向に離間して互いに平行に配置されている。各リード３Ｂは、接合部３１、端子部３２１、退避部３３１、退避部３３２、離間部３４１、離間部３４２、迂回部３５１および被覆端部３６を有しており、上述した半導体装置Ａ４におけるリード３と同様の構成である。   The three leads 3B are arranged on the right side in the x direction, and are arranged in parallel with each other in the y direction. Each lead 3B includes a joint portion 31, a terminal portion 321, a retracting portion 331, a retracting portion 332, a separating portion 341, a separating portion 342, a detour portion 351, and a covering end portion 36, and the lead in the semiconductor device A4 described above. 3 is the same configuration.

図１４に示すように、３つのリード３Ａと３つのリード３Ｂとは、あるリード３Ａとあるリード３Ｂとのｙ方向位置がほぼ同じであり、リード３Ａとリード３Ｂとが対をなす配置とされている。対をなすリード３Ａおよびリード３Ｂの被覆端部３６どうしは、ｘ方向に離間した位置において互いに向かい合っている。   As shown in FIG. 14, the three leads 3A and the three leads 3B have substantially the same y-direction position of a certain lead 3A and a certain lead 3B, and the lead 3A and the lead 3B are arranged in pairs. ing. The covered ends 36A of the lead 3A and the lead 3B forming a pair face each other at a position separated in the x direction.

基板１には、６つのパッド１３１が形成されている。３つのパッド１３１は、３つのリード３Ａの接合部３１に接合されており、残りの３つのパッド１３１は、３つのリード３Ｂの接合部３１に接合されている。   Six pads 131 are formed on the substrate 1. The three pads 131 are bonded to the bonding portions 31 of the three leads 3A, and the remaining three pads 131 are bonded to the bonding portions 31 of the three leads 3B.

半導体装置Ａ５においては、３つのリード３Ａの端子部３２１と３つのリード３Ｂの端子部３２１とを有するため、合計６つの端子部３２１を有する構成となっている。これらの６つの端子部３２１は、互いに異なる機能を果たすものである。   Since the semiconductor device A5 includes the terminal portions 321 of the three leads 3A and the terminal portions 321 of the three leads 3B, the semiconductor device A5 has a total of six terminal portions 321. These six terminal portions 321 perform different functions.

このような実施形態によっても、半導体装置Ａ５に複数の電子部品２を適切に内蔵しつつ、より確実にリード３を固定することができる。また、互いに導通しない独立した合計６つの端子部３２１を備えることにより、半導体装置Ａ５は、より多機能な制御を実現しうる。   Also according to such an embodiment, the leads 3 can be more reliably fixed while appropriately incorporating a plurality of electronic components 2 in the semiconductor device A5. Also, by providing a total of six terminal portions 321 that are not electrically connected to each other, the semiconductor device A5 can realize more multifunctional control.

図１６は、本発明の第６実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ６においては、基板１の構成が上述した実施形態と異なっている。図１６は、図３と同様のｚｘ平面における断面図である。   FIG. 16 shows a semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention. In the semiconductor device A6 of this embodiment, the configuration of the substrate 1 is different from that of the above-described embodiment. FIG. 16 is a cross-sectional view in the zx plane similar to FIG.

本実施形態においては、基板１の基材１１は、セラミックスによって形成されている。このため、基材１１は絶縁性であり、本実施形態においては、上述した実施形態における絶縁層１２は省略されている。複数の電子部品２およびリード３（３Ａ，３Ｂ）の構成は、上述した半導体装置Ａ１〜Ａ５の構成を適宜組み合わせて採用することができる。   In the present embodiment, the base material 11 of the substrate 1 is formed of ceramics. For this reason, the base material 11 is insulative, and in this embodiment, the insulating layer 12 in the above-described embodiment is omitted. The configurations of the plurality of electronic components 2 and the leads 3 (3A, 3B) can be adopted by appropriately combining the configurations of the semiconductor devices A1 to A5 described above.

また、本実施形態においては、基材１１の裏面１１２が封止樹脂４から露出している。この露出した裏面１１２は、たとえば回路基板に搭載された半導体装置Ａ６から発せられる熱を放熱するために、放熱部材を当接させる部位として利用される。   In the present embodiment, the back surface 112 of the base material 11 is exposed from the sealing resin 4. The exposed back surface 112 is used as a portion for contacting a heat dissipation member, for example, to dissipate heat generated from the semiconductor device A6 mounted on the circuit board.

このような実施形態によっても、半導体装置Ａ６に複数の電子部品２を適切に内蔵しつつ、より確実にリード３を固定することができる。また、封止樹脂４から露出した基材１１は、複数の電子部品２からの熱をより効率よく放熱することに寄与する。セラミックスからなる基材１１は、非常に絶縁耐圧が高い。このため、半導体装置Ａ６が比較的高い電圧の電力を扱うものであっても、不当な短絡などが生じることを好適に防止することができる。   Also in such an embodiment, the leads 3 can be more reliably fixed while appropriately incorporating the plurality of electronic components 2 in the semiconductor device A6. Moreover, the base material 11 exposed from the sealing resin 4 contributes to more efficiently dissipating heat from the plurality of electronic components 2. The base material 11 made of ceramics has a very high withstand voltage. For this reason, even if the semiconductor device A6 handles electric power of a relatively high voltage, it is possible to suitably prevent an inappropriate short circuit or the like from occurring.

本発明に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The semiconductor device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present invention can be modified in various ways.

Ａ１〜Ａ６ 半導体装置
１ 基板
１１ 基材
１１１ 表面
１１２ 裏面
１２ 絶縁層
１３ 配線パターン
１３１ （リード用）パッド
２ 電子部品
２１ ディスクリート電子部品
２２ ＩＣ素子
３ リード
３Ａ リード
３Ｂ リード
３１ 接合部
３２１ 端子部
３２２ （追加の）端子部
３３１ 退避部
３３２ （追加の）退避部
３４１ 離間部
３４２ （追加の）離間部
３５１ 迂回部
３５２ （追加の）迂回部
３６ 被覆端部
３７ 遮蔽部
３０ リードフレーム
３０１ リード
３０２ フレーム
３０３ 開孔
４ 封止樹脂
５ はんだ A1 to A6 Semiconductor device 1 Substrate 11 Base material 111 Front surface 112 Back surface 12 Insulating layer 13 Wiring pattern 131 (For lead) Pad 2 Electronic component 21 Discrete electronic component 22 IC element 3 Lead 3A Lead 3B Lead 31 Joint portion 321 Terminal portion 322 ( (Additional) terminal part 331 retreating part 332 (additional) retreating part 341 separation part 342 (additional) separation part 351 detouring part 352 (additional) detouring part 36 covering end part 37 shielding part 30 lead frame 301 lead 302 frame 303 Opening 4 Sealing resin 5 Solder

Claims (16)

厚さ方向に離間する表面および裏面を有する基材、およびこの基材の上記表面側に形成された配線パターン、を具備する基板と、
上記基板の上記表面に搭載された複数の電子部品と、
上記基板の少なくとも一部および上記複数の電子部品を覆う封止樹脂と、を備えた半導体装置であって、
上記配線パターンは、１以上のリード用パッドを有しており、
上記封止樹脂に覆われるとともに上記リード用パッドに接合された接合部、上記封止樹脂から突出した端子部、および上記接合部および上記端子部の間に介在し、かつ上記厚さ方向において上記基板の上記表面から離間するように延びる退避部、を有する１以上のリードを備えており、
上記複数の電子部品は、ＩＣ素子を含んでおり、
上記リードは、上記厚さ方向視において上記ＩＣ素子の少なくとも一部と重なる遮蔽部を有し、
上記遮蔽部は、上記厚さ方向視において上記ＩＣ素子のすべてと重なることを特徴とする、半導体装置。 A substrate comprising a base material having a front surface and a back surface spaced apart in the thickness direction, and a wiring pattern formed on the front surface side of the base material;
A plurality of electronic components mounted on the surface of the substrate;
A semiconductor device comprising: a sealing resin covering at least a part of the substrate and the plurality of electronic components,
The wiring pattern has one or more lead pads,
A joint part covered with the sealing resin and joined to the lead pad, a terminal part protruding from the sealing resin, and interposed between the joint part and the terminal part, and in the thickness direction One or more leads having a retracting portion extending away from the surface of the substrate,
The plurality of electronic components include an IC element,
The lead has a shielding portion that overlaps at least a part of the IC element in the thickness direction view,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the shielding portion overlaps all of the IC elements when viewed in the thickness direction. 上記リードは、上記接合部を挟んで上記端子部とは反対側に上記封止樹脂から突出した追加の端子部を有し、
上記追加の端子部は、屈曲部を有する、請求項１に記載の半導体装置。 The lead has an additional terminal portion protruding from the sealing resin on the side opposite to the terminal portion across the joint portion,
The semiconductor device according to claim 1 , wherein the additional terminal portion has a bent portion. 上記リードは、上記接合部を挟んで上記退避部とは反対側に位置し、かつ上記厚さ方向において上記基板の上記表面から離間するように延びる追加の退避部を有し、
上記リードは、上記追加の退避部と上記追加の端子部との間に介在し、上記基板から上記厚さ方向に離間するとともに、上記封止樹脂に覆われた追加の離間部を有する、請求項２に記載の半導体装置。 The lead is located opposite to the retracting section across the joint, and have a retraction of the additional extending so as to separate from said surface of said substrate in the thickness direction,
The lead is interposed between the additional retracting portion and the additional terminal portion, is spaced apart from the substrate in the thickness direction, and has an additional spaced portion covered with the sealing resin. Item 3. The semiconductor device according to Item 2 . 上記追加の離間部が、上記厚さ方向視において上記複数の電子部品のいずれかと重なる、請求項３に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 3 , wherein the additional separation portion overlaps any one of the plurality of electronic components when viewed in the thickness direction. 上記追加の離間部は、上記接合部と上記追加の端子部とが離間する方向および上記厚さ方向のいずれとも直角である方向に延びる部位を有する追加の迂回部が形成されている、請求項３または４に記載の半導体装置。 The additional separation portion is formed with an additional detour portion having a portion extending in a direction in which the joint portion and the additional terminal portion are separated from each other and a direction perpendicular to both the thickness directions. 5. The semiconductor device according to 3 or 4 . 上記追加の迂回部は、上記厚さ方向視においてコの字状である、請求項５に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 5 , wherein the additional bypass portion has a U-shape when viewed in the thickness direction. ３つの上記リードを備えており、
上記配線パターンは、３つの上記リード用パッドを有している、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。 With the above three leads,
The wiring pattern has three of the lead pad, the semiconductor device according to any one of claims 1 to 6. 上記３つのリードの上記接合部は、上記厚さ方向視において三角配置とされている、請求項７に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 7 , wherein the joint portions of the three leads are arranged in a triangle when viewed in the thickness direction. 上記３つのリードは、互いに平行である、請求項７または８に記載の半導体装置。 The three leads are parallel to each other, the semiconductor device according to claim 7 or 8. 上記基材は、金属からなり、
上記基板は、上記基材と上記配線パターンとの間に介在する絶縁層を有する、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。 The base material is made of metal,
The substrate has an insulating layer interposed between the substrate and the wiring pattern, a semiconductor device according to any one of claims 1 to 9. 上記基材は、セラミックスからなる、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。 The substrate is made of a ceramic, a semiconductor device according to any one of claims 1 to 9. 上記リードは、上記退避部と上記端子部との間に介在し、上記基板から上記厚さ方向に離間するとともに、上記封止樹脂に覆われた離間部を有する、請求項３ないし６のいずれかに記載の半導体装置。 The lead is interposed between the retracting section and the terminal section, any of the above substrate with spaced above the thickness direction, having spaced apart portions covered with the sealing resin, of claims 3 to 6 A semiconductor device according to claim 1. 上記離間部が、上記厚さ方向視において上記複数の電子部品のいずれかと重なる、請求項１２に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 12 , wherein the separation portion overlaps one of the plurality of electronic components in the thickness direction view. 上記離間部には、上記接合部と上記端子部とが離間する方向および上記厚さ方向のいずれとも直角である方向に延びる部位を有する迂回部が形成されている、請求項１２または１３に記載の半導体装置。 The aforementioned separation portion, bypass portion has a portion extending in a direction at right angles with any direction and the thickness direction the joint portion and the terminal portion and are separated are formed, according to claim 12 or 13 Semiconductor device. 上記迂回部は、上記厚さ方向視においてコの字状である、請求項１４に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 14 , wherein the bypass portion has a U-shape when viewed in the thickness direction. 上記端子部は、屈曲部を有する、請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。 The terminal portion has a bent portion, the semiconductor device according to any one of claims 1 to 15.
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