JP6177245B2 - ハドロン放射線設備および検証方法 - Google Patents
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Description
対象支持物の上にファントムを配列する工程であって、好ましくは対象支持物の上でファントムを固定する工程と、
ビーム軸に沿ってハドロン放射線ビームを放出し、対象支持物によって支持されたファントムを照射するように、放射線装置を動作させる工程であって、上記放射線ビームはファントムへと貫入する、動作させる工程と、
ファントムへの上記放射線ビームの実際の貫入深度を放射線ビーム範囲センサデバイスによって決定する工程と
を備える。
検証放射線セッションは、セッション中に、変化するビーム貫入深度のパターンを表すデータを含む、記憶された放射線セッション制御データに基づいて実行され、
検証放射線セッションは、変化するビーム貫入深度のパターンと同期して実行されるコリメータのスリット幅の変化のパターンを表すデータを含む、記憶された放射線セッション制御データに基づいて実行される。
ガンマ放射線をブロックする壁とその壁におけるアパーチャ22とを有するコリメータ21と、
コリメータ21の上記アパーチャを通過し、1つ以上のシンチレーション素子に入射するガンマ放射線を、光学的な放射線へと変換する、1つ以上のシンチレーション素子24を有する検出器と、
上記光学的な放射線を検出するように適合した1つ以上の光検出器(図示せず)と、
上記検出器に関連づけられた電子読み出しメカニズムと
を備える。
対象支持物1上にファントム2を配列する工程であって、好ましくは対象支持物1上でファントムを固定する工程と、
ビーム軸に沿ってペンシルタイプの陽子放射線ビームを放出し、対象支持物によって支持されるファントム2を照射するように、陽子放射線装置10を動作させる工程であって、この陽子放射線ビームはファントムへと貫入する工程と、
放射線ビーム範囲センサデバイス17によってファントム対象2への上記陽子放射線ビームの実際の貫入深度を決定する工程と
を備え得る。
Claims (13)
- 対象をハドロン放射線ビームによる照射に曝すように適合したハドロン放射線設備であって、前記設備は、
対象(2)を支持するように構成された対象支持物(1)と、
ビーム軸に沿って、ハドロン放射線ビーム(11)を放出し、前記対象支持物によって支持された前記対象を照射するように適合したハドロン放射線装置(10)であって、前記放射線ビームが前記対象へと貫入し、前記放射線装置は、前記対象への前記放射線ビームの貫入深度を少なくとも制御し、変えることを可能にするビーム貫入深度制御を少なくとも備える、制御システム(15)を有する、ハドロン放射線装置(10)と、
前記制御システム(15)は、放射線ビーム装置によって実行される1つ以上の放射線セッションに対応する、実行される放射線セッションの変化するビーム貫入深度のパターンを表すデータを含む放射線セッション制御データの1つ以上のセットを入力し、メモリに記憶するように適合し、
前記対象への前記放射線ビームの前記貫入深度を決定するように適合した放射線ビーム範囲センサデバイス(17)であって、前記範囲センサデバイスは、前記放射線ビームが前記対象へと貫入する間に放出される即発ガンマ線に応答するガンマカメラ(20)を備える、放射線ビーム範囲センサデバイス(17)と
を備え、
前記ガンマカメラは、
ガンマ放射線をブロックする壁と前記壁におけるアパーチャ(22)とを有するコリメータ(21)と、
前記コリメータの前記アパーチャを通過するガンマ放射線が入射する1つ以上のシンチレーション素子(24)を備える検出器と、
前記検出器に関連づけられた電子読み出しメカニズムと
を備え、
前記コリメータ(21)は、可変幅の縦長のスリットアパーチャ(22)を有する可変幅のスリットコリメータであり、前記コリメータは、前記スリットアパーチャの対向する縦方向のエッジの1つを各々が定義する、第1のコリメータ部材(21a)と第2のコリメータ部材(21b)とを備え、
前記第1、第2のコリメータ部材それぞれはナイフエッジを有し、前記コリメータは、前記第1および第2のコリメータ部材を互いに対し転置および配置するためのスリット幅アクチュエータメカニズム(23)を有し、
前記コリメータの前記スリット幅アクチュエータメカニズムは、前記制御システムにリンクし、
前記スリット幅アクチュエータメカニズム(23)は放射線セッション中に前記コリメータのスリット幅を変化させるようになっており、前記放射線セッション制御データは、放射線セッション中に前記スリット幅アクチュエータメカニズム(23)により行われる前記コリメータのスリット幅の変化のパターンを表すデータを含む、
ことを特徴とするハドロン放射線設備。 - 前記コリメータ(21)は、前記スリットアパーチャが前記ビーム軸に略垂直に伸長するように支持され、前記検出器は、平行かつ隣り合わせの配列の複数の縦長のシンチレーション素子(24)のアレイを備え、各シンチレーション素子は、前記コリメータのスリットアパーチャに平行な縦方向の軸に沿った長さと、前記長さに垂直かつ前記シンチレーション素子の入射面に平行な幅と、前記長さに垂直かつ前記シンチレーション素子の入射面に垂直な高さと、を有し、前記長さは、前記幅および前記高さの各々よりも長い、請求項1に記載の設備。
- 前記シンチレーション素子(24)は各々、固体のシンチレーション材料の縦長のストリップとして具体化され、各ストリップは、入射面と、前記入射面の反対側の後面と、側面と、前記ストリップの縦方向の端における端面と、を有し、前記シンチレーション素子は、入射したガンマ線を光学的な放射線に変換し、光検出器が前記ストリップの端面に接続される、請求項2に記載の設備。
- 前記検出器の各シンチレーション素子(24)は、前記シンチレーション素子の前記高さの方向の幾何学的対称面に対応する仮想の主平面を有し、前記アレイの前記シンチレーション素子は、扇形配列で配列され、各シンチレーション素子が、そのそれぞれの仮想の主平面が前記コリメータの前記スリットアパーチャを通って伸長するような向きである、請求項2または3のいずれか一項に記載の設備。
- 前記アレイのシンチレーション素子の中心のグループにおける前記シンチレーション素子(24)は各々、シンチレーション素子の端のグループにおける個々のシンチレーション素子の前記幅よりも狭い幅を有し、その端のグループの間に前記中心のグループが位置する、請求項2〜4のいずれか一項に記載の設備。
- 前記アレイの前記シンチレーション素子(24)は各々、入射面を有し、前記入射面は、前記コリメータの前記スリットアパーチャを通る幾何学的対称面である前記コリメータの中心平面に垂直な共通の平面に位置する、請求項2〜5のいずれか一項に記載の設備。
- 前記アレイの前記シンチレーション素子(24)は各々、入射面を有し、前記入射面は、共通の凹平面に位置する、請求項2〜5のいずれか一項に記載の設備。
- 前記放射線装置(10)は、
前記対象支持物に対する前記ビーム軸の位置および向きを変え、
放出された前記放射線ビームのブラッグピークを少なくともX、Y、Z座標によって表される計画された場所に位置づけるように、前記対象への前記貫入深度を変え、前記Z座標は、前記ビーム軸に平行であり、前記XおよびY座標は、前記ビーム軸に垂直な平面における直交軸に平行である、
ように適合する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の設備。 - 前記ガンマカメラは、前記ビーム軸に略垂直な前記スリットアパーチャを有し、ビーム装置に対し前記対象支持物を移動させずに前記ビーム軸に略垂直なY軸方向に移動可能であるように、ガンマカメラ支持構造によって移動可能に支持され、Y軸ドライブが、前記Y軸方向に前記ガンマカメラを制御可能に移動させるために提供される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の設備。
- 前記コリメータを含む前記ガンマカメラ(20)は、前記ビーム軸に略垂直な前記スリットアパーチャを有し、ビーム装置に対し前記対象支持物を移動させずに前記ビーム軸に略平行なZ軸方向に、少なくとも20cmの長さにわたって、移動可能であるように、ガンマカメラ支持構造(35)によって移動可能に支持され、Z軸ドライブ(18)が、前記Z軸方向に、前記コリメータを含む前記ガンマカメラを制御可能に移動させるために提供される、請求項1〜9のいずれか一項に記載の設備。
- 前記Y軸ドライブおよび/またはZ軸ドライブ(18)の各々は、前記制御システム(15)にリンクし、前記放射線セッション制御データは、前記Y軸およびZ軸ドライブのためのそれぞれ1つ以上の計画されたY軸および/またはZ軸位置を表すデータを含む、請求項9または10のいずれか一項に記載の設備。
- 前記放射線セッション制御データは、実行される放射線セッションのための前記放射線ビームのX−Y運動のパターンを表すデータを含み、
前記放射線セッション制御データは、実行される放射線セッションのための前記放射線ビームのX−Y運動の計画されたパターンに同期する前記コリメータのスリット幅の変化のパターンを表すデータを含む、少なくとも請求項8に記載の設備。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載のハドロン放射線設備を使用した、ハドロン放射線療法検証のための方法であって、ファントムとして具体化された対象は、放射線セッションにおいてハドロン放射線ビームによる照射に曝され、前記方法は、
前記対象支持物(1)の上に前記ファントム(2)を配列する工程と、
ビーム軸に沿ってハドロン放射線ビームを放出し、前記対象支持物によって支持された前記ファントムを照射するように、前記ハドロン放射線装置(10)を動作させる工程であって、前記放射線ビームは前記ファントムへと貫入する、動作させる工程と、
前記ファントムへの前記放射線ビームの実際の貫入深度を前記放射線ビーム範囲センサデバイス(17)によって決定する工程と、
を備え、
前記ファントムの放射線セッション中に前記スリット幅アクチュエータメカニズム(23)は前記制御システムのメモリに記憶された前記放射線セッション制御データに基づいて前記コリメータのスリット幅の変化のパターンを現出させる、方法。
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