JP6174511B2 - ハニカム構造体 - Google Patents
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Description
図1〜図6に示されているように、本発明の一実施形態のハニカム構造体50は、ハニカム構造部10と、ハニカム構造部10の外周を取り囲む外周部31とを備えている。ハニカム構造部10は、複数個のハニカムセグメント1と、複数のハニカムセグメント1の側面21同士を接合する接合層23とを有する。ハニカムセグメント1は、一方の端面である第1端面3から他方の端面である第2端面5まで通じる流体の流路となる複数のセル7を区画形成する隔壁9を有する。さらに、ハニカム構造体50は、窪み部41を有する。窪み部41は、外周部31の外側表面35から外周部31の内側に窪ませてなる、または外周部31の外側表面35から外周部31および接合層23の内側に窪ませてなるとともに、ハニカムセグメント1には達しない。窪み部41の少なくとも1つは、接合層23の外側縁25に近接する接合層近接窪み部43である。接合層近接窪み部43は、セル7の延びる方向(以下、「Z方向」)に垂直な任意の断面において、接合層23から延長した領域αを含み且つ接合層23の幅Tの2倍以内の最大幅Wを有する。図1は、本発明の一実施形態のハニカム構造体50の模式的な斜視図である。図2は、図1中のハニカム構造体50を構成するハニカムセグメント1の模式的な斜視図である。図3は、図2中のB−B’断面の模式図である。図4は、図1中のA−A’断面の一部を拡大した模式図である。図5および図6は、図4中の接合層近接窪み部43およびその周辺部分を拡大した模式図である。
次に、本実施形態のハニカム構造体を製造する方法について説明する。まず、ハニカムセグメントを作製するための坏土を調製し、この坏土を成形して、複数個のハニカムセグメントの成形体を作製する(成形工程)。得られたハニカムセグメントの成形体を、乾燥して、ハニカムセグメントの乾燥体を得ることが好ましい。
まず、成形工程においては、セラミックス原料を含有するセラミックス成形原料を成形して、流体の流路となる複数のセルを区画形成するハニカム成形体を形成する。例えば、ハニカム成形体は、隔壁と側壁とを押出成形によって一体的に成形してもよい。
次に、得られたハニカム成形体を焼成してハニカムセグメントを得る。なお、目封止を設けたハニカムセグメントを作製する場合には、ハニカム成形体の焼成は、ハニカム成形体に目封止部を配設した後に行ってもよい。
次に、得られた各ハニカムセグメントを接合材で接合して、複数個のハニカムセグメントが、互いの側面同士が対向するように隣接して配置されるとともに、対向する側面同士が接合層により接合されたハニカムセグメントの接合体を作製する。
次に、ハニカムセグメントの接合体の外周部分に外周コート材を配設して、外周部を形成する。この外周コート材が、ハニカム構造体の外周部となる。
窪み部を形成する際には、カッターなどを用いて、外周部のみ、または外周部および更にその内側の接合層に溝を切り込むようにするとよい。
セラミックス原料として、炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末とを80:20の質量割合で混合したものを用いた。そして、これに、バインダとしてヒドロキシプロピルメチルセルロース、造孔材として吸水性樹脂を添加するとともに、水を添加して成形原料を作製した。得られた成形原料を、ニーダーを用いて混練して、坏土を得た。
実施例2〜36のハニカム構造体については、表1〜表3に示す条件に変更した以外は、実施例1と同様に作製した。なお、実施例2〜36における全ての窪み部については、第1端面から第2端面までハニカム構造体の全長にわたって形成した。そのため、実施例2〜36における「外側縁A」の全ては、ハニカム構造体の全長にわたって接合層近接窪み部が近接している外側縁であった。
比較例1のハニカム構造体については、窪み部を形成しない(換言すると、窪み部形成工程を実施しない)以外は、実施例1と同様に作製した。
比較例2〜25のハニカム構造体については、窪み部に代わりスリットを形成し、表1〜表3に示す条件に変更した以外は、実施例1と同様に作製した。なお、ここでいう「スリット」とは、Z方向に沿って延び、かつ、外周部の外側表面からハニカムセグメントまで達する切り込みである。また、ここでいう「スリット」は溝の全長にわたりセルと連通させた。各比較例については、「幅比」はスリットの最大幅と接合層の幅Tとの比(スリットの最大幅/接合層の幅T)であり、「深さ比」はスリットの深さと外周部の厚さとの比(スリットの深さ/外周部の厚さ)である。なお、「スリットの深さ」は、ハニカムセグメントの隔壁に入れられた切り込みのうちで、外周部の外側表面から最も遠い位置にある隔壁の切り込みから外周部の外側表面までの距離である。
プロパンガスバーナー試験機を用いてハニカム構造体の加熱冷却試験を実施した。プロパンガスバーナー試験機は、ハニカム構造体を収納する金属ケースと、当該金属ケース内に加熱ガスを供給することができるプロパンガスバーナーとを備えたものである。上記加熱ガスについては、燃焼ガスを適用した。燃焼ガスは、ガスバーナー(プロパンガスバーナー)でプロパンガスを燃焼させることにより発生させた。上記加熱冷却試験によって、ハニカム構造体にクラックが発生するか否かを目視または打音で確認することにより、耐熱衝撃性を評価した。具体的には、まず、プロパンガスバーナー試験機の金属ケースに、ハニカム構造体を収納(キャニング)した。そして、金属ケース内に加熱ガス(燃焼ガス)を1.0Nm3/minにて供給し、加熱ガスがハニカム構造体内を通過するようにした。金属ケースに流入する加熱ガスの温度条件(入口ガス温度条件)を以下のようにした。まず、5分で指定温度まで昇温し、指定温度で10分間保持し、その後、冷却ガス(空気)を流して5分で100℃まで冷却し、100℃で10分間保持した。このような昇温、冷却、保持の一連の操作を「昇温、冷却操作」と称する。その後、ハニカム構造体のクラックを確認した。第1回目の「昇温、冷却操作」は、指定温度を825℃に設定した。当該第1回目の「昇温、冷却操作」後、ハニカム構造体にクラックを確認しない場合には、さらに、第2回目の「昇温、冷却操作」を行った。第2回目の「昇温、冷却操作」は、指定温度を前回の温度よりも25℃高く設定(825℃+25℃=850℃)して実施した。同様の要領で、第n回目の「昇温、冷却操作」後にハニカム構造体にクラックを確認しない場合には、第n+1回目の「昇温、冷却操作」を第n回目の指定温度よりも25℃高い指定温度で実施した。そして、ハニカム構造体にクラックを発生させた「昇温、冷却操作」における指定温度を「破壊温度」とした。「耐熱衝撃性」の評価は、比較例1のハニカム構造体における破壊温度を基準とした。破壊温度が、比較例1の破壊温度と比べて、+100℃以上高い場合には「A」、+25℃以上+100℃未満の場合には「B」、同じ(±0℃)の場合には「C」、−100℃以上かつ−25℃以下の場合には「D」、−100℃未満の場合には「E」とした。結果を表1〜3に示す。
表1〜3に示されている結果から、各実施例は、対比する各比較例と比べて耐熱衝撃性が高くなることが判明した。さらに、外側縁Aを有する場合の方が、外側縁Aを有しない場合よりも耐熱衝撃性が高くなることが判明した。また、「深さ比」が0.2〜1.5の場合、「深さ比」が2.0の場合と比較して耐熱衝撃性が高くなることが判明した。
Claims (7)
- 一方の端面である第1端面から他方の端面である第2端面まで通じる流体の流路となる複数のセルを区画形成する隔壁を有するハニカムセグメントを複数個と、前記複数個のハニカムセグメントの側面同士を接合する接合層とを有するハニカム構造部と、
前記ハニカム構造部の外周を取り囲む外周部と、を備え、
前記外周部の外側表面から前記外周部の内側に窪ませてなる、または前記外周部の外側表面から前記外周部および前記接合層の内側に窪ませてなるとともに、前記ハニカムセグメントには達しない窪み部を有し、
前記窪み部の少なくも1つは、前記接合層の外側縁に近接する接合層近接窪み部であり、
前記接合層近接窪み部は、前記セルの延びる方向に垂直な任意の断面において、前記接合層から延長した領域を含み且つ前記接合層の幅Tの2倍以内の最大幅を有するハニカム構造体。 - 前記窪み部は、前記セルの延びる方向に垂直な任意の断面において、前記窪み部の深さdが、前記外周部の厚さSの0.2倍以上1.5倍以下である請求項1に記載のハニカム構造体。
- 前記窪み部を複数有する請求項1または2に記載のハニカム構造体。
- 複数の接合層近接窪み部が同一の前記接合層の前記外側縁に沿って断続的に設けられている請求項1〜3に記載のハニカム構造体。
- 前記外側縁の総数の50%以上の個数の前記外側縁は、前記外側縁の全長の50%以上の部分において前記接合層近接窪み部が近接している請求項1〜4のいずれか1項に記載のハニカム構造体。
- 前記セルの延びる方向に垂直な任意の断面において該断面が直径200mmの円を包含するような大きさを有するものである請求項1〜5のいずれか1項に記載のハニカム構造体。
- 前記窪み部の全てが、前記接合層近接窪み部である請求項1〜6のいずれか1項に記載のハニカム構造体。
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