JP6166617B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
中空構造の光半導体装置において、光半導体装置の上面に接着するリン酸塩系ガラス窓材の表面に二酸化珪素(SiO2)もしくは三酸化二アルミニウム(Al2O3)などの酸化膜薄膜を成膜した。また、リードフレーム基板に接着剤を使って窓材を接着するリン酸塩系ガラスの窓材額縁部分の表面を粗化し、接着剤と窓材が接する表面積を増やした。
以下では本発明の中空構造の半導体装置の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
2 リードフレーム基板
3 光半導体素子
4 金線
5 粗化部
6 リン酸塩ガラスブロック
7 ワイヤソー
8 ガラスの薄板
9 二酸化珪素もしくは三酸化二アルミニウムの薄膜
10 表面保護膜付きリン酸塩系ガラス
11 エッチングレジスト
13 切断線
15 接着剤
16 メタル版
17 空隙
18 粗化後のリン酸塩系ガラス
19 ガラス
Claims (2)
- リン酸塩系のガラス基板の表面に二酸化ケイ素もしくは三酸化二アルミニウムの薄膜を形成する工程と、
マスクで前記ガラス基板をマスキングした後に前記ガラス基板をサンドブラストして前記ガラス基板の表面の一部に粗化部を形成する粗化処理工程と、
樹脂モールドしたリードフレーム基板に光半導体素子を実装する工程と、
前記ガラス基板を前記粗化部において前記樹脂モールドしたリードフレーム基板に接着する工程と、
を有し、
前記粗化処理工程は、マスクの空隙形状が異なる2個以上のマスクを交換して、サンドブラスト処理を2回以上繰り返す工程であることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記粗化部で切断して個片のガラス基板に分割する工程を有することを特徴とする請求項1記載の光半導体装置の製造方法。
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