JP6160995B2 - 発光素子及びこれを用いる量子デバイス - Google Patents
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Description
従来の光源では単一の光子の出射が原理的に保証されていない。そのため、単一の光子を発生させるためには、従来の光源では出力を減衰させるしかなかった。従来の光源で出力を減衰させると、光子数の統計分布がポアソン分布に従うポアソン光が出射される。ポアソン光であっても、平均光子数が小さいときは2個以上の光子が放出される確率が小さいので近似的に単一の光子とみなせる。
同様に、量子コンピュータの実現に有用な量子もつれあい光子対の光源について、ポアソン光より安定して単一の量子もつれあい光子対を出射する光源が望まれている。
図1は、本発明の一態様を示す発光素子を説明する図である。図1は、シリコン基板上に形成された発光素子100を、基板平面に対して垂直な上方向からみた図である。発光素子100は、基部10と、入射路20(第1光導波路)と、透過路30(第2光導波路)と、量子ドット40と、出射路50(第3光導波路)とを備えている。
発光素子100の壁面は、光を反射する物質(例えば、金素材)によりコーティングされている。発光素子100の壁面は、金属以外に誘電体や半導体で覆われていてもよい。誘電体や半導体で覆われた場合にも、屈折率差によって光が反射され、キャビティが構成される。
入射路20及び透過路30は基部10に接続された光導波路である。入射路20から基部10の内部に励起光が入射される。入射された励起光は基部10の内部に導かれ、干渉状態を形成する。図1では、干渉状態として略「8」の字状の光路が示されている。
透過路30は、上記の干渉状態における励起光の光路(略「8」の字状の光路)が基部10の壁部に接触する位置にて基部10に接続されている。入射路20から入射された励起光は、透過路30から基部10の外部に出射される。
出射路50は、基部10に接続された光導波路である。出射路50は、上記の干渉状態における励起光の光路が基部10の壁部に接触する位置とは異なる位置にて基部10に接続される。出射路50は、量子ドット40が出射する出射光を基部10の外部に導く。図1の例では、出射路50は、入射路20及び透過路30が光を導く方向と略直角な方向に量子ドット40が出射する出射光を導く。上記の励起光によって量子ドット40が励起され、励起された量子ドット40の出射光は、等方的に出射され、その一部が出射路50から出射される。
化学合成量子ドットは、結晶成長する半導体基板への面方位依存性を持つエピタキシャル量子ドットと異なり、球状で対称性が高い。そのため、円偏光によって特定のスピンの電子だけを効果的に励起することができる。
本実施形態において、量子ドット40として用いる化学合成量子ドットの材質は、特に限定されない。出射光として1.55μm を中心とする光通信波長帯の発光波長を得るには、量子ドット40として、PbS、InAs、PbSe等が用いられる。
[2−1.単一光子の発光]
発光素子100から単一光子を発生させる場合(図1参照)には、励起光(pump光)として時計回りの円偏光(σ−偏光)を入射路20に入射する。励起光は、量子ドット40を励起した後、同じ時計回りの円偏光(σ−偏光)として透過路30から出射される。
時計回りの円偏光(σ−偏光)を持つ励起光によって、量子ドット40の内部では、特定の方向のスピンを持つ励起子が選択的に励起される。選択則により、励起光の光子の偏光の向きと励起される電子のスピンの向きは一対一に対応するからである。
励起された量子ドット40は、単一の時計回りの円偏光(σ−偏光)を等方的に出射する。量子ドット40から等方的に出射された単一光の一部は、出射路50から取り出される。
時計回りの円偏光(σ−偏光)を入射することにより、一方のスピンの電子を励起した場合には、量子ドット40が放出する光子は原理的に単一光子になる。そのため、上記の励起光を用いれば、発光素子100において、原理的にポアソン光の発生が禁じられた状態で単一光子を発生させることができる。
上記の説明において、入射される励起光の円偏光の向きを逆にすれば、透過路30から出射する励起光と出射路50から出射する出射光との円偏光の向きは、上記と逆になる。
発光素子100から量子もつれあい光子対を発生させる場合(図1参照)には、励起光(probe光)として直線偏光(例えばH偏光)を入射路20に入射する。励起光は、量子ドット40を励起した後、同じ直線偏光(例えばH偏光)として透過路30から出射される。
直線偏光(例えばH偏光)を持つ励起光によって、量子ドット40の内部では、上向きスピンを持つ電子と下向きスピンを持つ電子が励起される。直線偏光(例えばH偏光)を入射することは、時計回りの円偏光(σ−偏光)と反時計回りの円偏光(σ+偏光)とを入射することと等価であるからである。
励起された量子ドット40は、一対の反時計回りの円偏光(σ+偏光)及び時計回りの円偏光(σ−偏光)を有する量子もつれあい光子対を等方的に出射する。量子ドット40から等方的に出射された一対の量子もつれあい光子対の一部は、出射路50から取り出される。
次に、発光素子100の製造方法の具体例を説明する。図2及び図3は、発光素子100の製造方法の具体例を示す工程図である。
そのため、第2シリコン層220の上の量子ドット40の配置位置に、量子ドット40(例えば直径5nm)を捉えるための窪みが設けられる。窪みは、SPM(scaning probe microscope) 酸化を用いて設けられる。設けられた窪みの上に溶媒に浮いた量子ドット40が通過させられると、窪みの位置で量子ドット40が捉えられ、目的となる配置位置に保持される。すなわち、量子ドット40は、量子ドット40が保持される凹部(窪み)を有する第2シリコン層220によって支持される。凹部(窪み)の形状は限定されない。
なお、周囲を半導体やガラスで覆ったコアシェル型の量子ドット40を用いる場合には、周囲を覆われた量子ドット40の直径は大きなサイズ(例えば1μm)になるが、この場合は、コアシェル型の量子ドット40のサイズに見合った大きさの窪みが設けられればよい。
例えば、上記のシリコン層の全て及び基板を光学ポリマーに置き換える態様の他、量子ドット40の上を覆う第3シリコン層230のみを光学ポリマーに置き換える態様(ハイブリッド型)もある。
図4は、発光素子100の外観を示す図である。図4(a)は、基板平面に垂直な上方向からみた外観を示している。図4(a)では、第2金層240a〜240dが、発光素子100の上面の全体を覆っている。
図4(b)は、基板平面に平行な横方向からみた外観を示している。図4(b)では、基板200の上に第1金層210が形成され、第1金層210の上に、第2シリコン層220・第3シリコン層230が形成されている。第2シリコン層220・第3シリコン層230の周囲を取り囲むように、第2金層240b及び240cが形成されている。
図4(c)は、図4(a)のA−A矢視断面図である。図4(c)では、第2シリコン層220・第3シリコン層230がパターニングされ、パターニングされた第2シリコン層220・第3シリコン層230の上が第2金層240bによって覆われている。
図5は、凹部(窪み)を設けたシリコン基板の上に量子ドット(QD)を配置する実験の様子を示す写真である。
図5(a)は、SPM酸化を用いてシリコン基板上に約1nmの深さの凹部(窪み)を設けた様子を示す図である。図5(a)の下部断面図は、上部写真の点線部におけるSPM測定結果を示している。図5(b)は、図5(a)で設けた凹部(窪み)の上に、溶媒に浮いた直径約6nmの量子ドットQD(Quantum Dot)が配置され、凹部(窪み)の位置で量子ドットQDが捉えられた様子を示している。
図5(a)(b)の実験結果より、本実施形態における量子ドット40の位置制御は、高精度で実現可能であることが理解される。
また、発光素子における基部10の形状も、図1に示した四角形の他、三角形や五角形を含む任意の多角形の他、円形や楕円形であってもよい。
発光素子100は、量子コンピュータや量子通信機器などの量子デバイスに好適に用いられる。例えば、発光素子100と制御ノット(cNot)ゲート素子とを組み合わせることにより、ドイチェ−ジェサの量子計算光回路を実現することが可能となる。
Claims (9)
- 多モード干渉光導波路を含む基部と、
前記基部に接続され、励起光を前記基部の内部に導く第1光導波路と、
前記多モード干渉光導波路の干渉状態における前記励起光の光路が前記基部の壁部に接触する位置にて当該基部に接続され、前記干渉状態における励起光を前記基部の外部に導く第2光導波路と、
前記基部の内部であって、前記多モード干渉光導波路の干渉状態における前記励起光の光路上の位置に配置される量子ドットと、
前記多モード干渉光導波路の干渉状態における前記励起光の光路が前記基部の壁部に接触する位置とは異なる位置にて当該基部に接続され、前記量子ドットが出射する出射光を前記基部の外部に導く第3光導波路とを備える発光素子。 - 前記量子ドットは、当該量子ドットが保持される凹部を有する支持層によって支持されている請求項1に記載の発光素子。
- 前記量子ドットは、化学合成量子ドットである請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記基部、前記第1光導波路、前記第2光導波路、及び前記第3光導波路の壁面が金素材で覆われている請求項1から3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記励起光の波長と前記出射光の波長とが同一である請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子を、単一の光子を出射する光源として用いる量子デバイス。
- 前記励起光は円偏光である請求項6に記載の量子デバイス。
- 請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子を、量子もつれあい光子対を出射する光源として用いる量子デバイス。
- 前記励起光は直線偏光である請求項8に記載の量子デバイス。
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