JP6159220B2 - Stripping composition and stripping method - Google Patents

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Description

本発明は、剥離用組成物及び剥離方法に関する。   The present invention relates to a peeling composition and a peeling method.

近年、携帯電話、デジタルAV機器及びICカード等の高機能化に伴い、半導体シリコンチップの小型化、薄型化及び高集積化への要求が高まっている。例えば、一つの半導体パッケージの中に複数の半導体チップを搭載するシステム・イン・パッケージ(SiP)は、搭載されるチップを小型化、薄型化及び高集積化し、電子機器を高性能化、小型化かつ軽量化を実現する上で非常に重要な技術になっている。このような薄型化及び高集積化への要求に応えるためには、従来のワイヤ・ボンディング技術のみではなく、貫通電極を形成したチップを積層し、チップの裏面にバンプを形成する貫通電極技術も必要になる。   In recent years, with the enhancement of functions of mobile phones, digital AV devices, IC cards, and the like, there is an increasing demand for miniaturization, thinning and high integration of semiconductor silicon chips. For example, a system-in-package (SiP) in which multiple semiconductor chips are mounted in a single semiconductor package makes the mounted chips smaller, thinner and more integrated, and electronic devices have higher performance and smaller size. In addition, it has become a very important technology for realizing weight reduction. In order to meet such demands for thinning and high integration, not only conventional wire bonding technology, but also through electrode technology that stacks chips with through electrodes and forms bumps on the back of the chip I need it.

ところで、半導体チップの製造では、半導体ウエハ自体が肉薄で脆く、また回路パターンには凹凸があるため、研削工程またはダイシング工程への搬送時に外力が加わると破損しやすい。そのため、研削するウエハにサポートプレートと呼ばれる、ガラス、硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生及びウエハの反りを防止するウエハハンドリングシステムが開発されている。ウエハハンドリングシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる。   By the way, in the manufacture of semiconductor chips, the semiconductor wafer itself is thin and fragile, and the circuit pattern has irregularities, so that it is easily damaged when an external force is applied during conveyance to the grinding process or dicing process. Therefore, a wafer handling system has been developed that maintains the strength of the wafer and prevents the occurrence of cracks and warpage of the wafer by bonding a plate made of glass, hard plastic or the like called a support plate to the wafer to be ground. . Since the wafer strength can be maintained by the wafer handling system, the transport of the thinned semiconductor wafer can be automated.

ウエハとサポートプレートとは、粘着テープ、熱可塑性樹脂、接着剤等を用いて貼り合わせられている。サポートプレートが貼り付けられたウエハを薄板化した後、ウエハをダイシングする前にサポートプレートを基板から剥離する。例えば、特許文献1に記載の溶解型の接着剤を用いてウエハとサポートプレートとを貼り合わせた場合には、接着剤から形成した接着層を剥離用組成物によって溶解させた後、ウエハをサポートプレートから剥離している。   The wafer and the support plate are bonded together using an adhesive tape, a thermoplastic resin, an adhesive, or the like. After thinning the wafer to which the support plate is attached, the support plate is peeled from the substrate before dicing the wafer. For example, when the wafer and the support plate are bonded together using the dissolution type adhesive described in Patent Document 1, the wafer is supported after the adhesive layer formed from the adhesive is dissolved by the peeling composition. Peeling from the plate.

特開2012−092283号公報(2012年5月17日公開)JP 2012-092283 A (released May 17, 2012) 特表2004−524431号公報(2004年8月12日公表)Special Publication 2004-524431 (Announced August 12, 2004)

しかしながら、従来の剥離用組成物では、特許文献1に記載のような接着剤により形成した接着層に対する溶解性が十分ではないことがある。例えば、ウエハハンドリングシステムにおいてウエハとサポートプレートとを仮止めするために形成した接着層に対して溶解性が十分でない剥離用組成物を用いた場合には、剥離不良によりウエハが破損したり、ウエハ上に接着剤の残渣が残ったりする。   However, the conventional peeling composition may not have sufficient solubility in an adhesive layer formed with an adhesive as described in Patent Document 1. For example, when a peeling composition that is not sufficiently soluble in the adhesive layer formed to temporarily fix the wafer and the support plate in the wafer handling system is used, the wafer may be damaged due to poor peeling or the wafer may be damaged. Adhesive residue may remain on top.

また、特許文献2は、接着剤を迅速に溶解することが可能な剥離用組成物について開示するものではない。   Moreover, patent document 2 does not disclose about the peeling composition which can melt | dissolve an adhesive rapidly.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、接着剤を迅速に溶解することが可能な接着剤を剥離するための剥離用組成物を提供することを主たる課題としている。   This invention is made | formed in view of such a situation, and makes it the main subject to provide the peeling composition for peeling the adhesive agent which can melt | dissolve an adhesive agent rapidly.

上記の課題を解決するために、本発明に係る剥離用組成物は、接着剤を剥離するための剥離用組成物であって、
下記化学式(I)
In order to solve the above problems, a peeling composition according to the present invention is a peeling composition for peeling an adhesive,
The following chemical formula (I)

Figure 0006159220
Figure 0006159220

で示される骨格を有する化合物のトランス体を含むことを特徴としている。 It includes a trans form of a compound having a skeleton represented by

また、本発明に係る剥離方法は、支持体と、上記支持体によって支持されている基板と、上記支持体及び上記基板を貼り合わせている接着層とを備えている積層体における上記基板から、上記支持体を剥離する方法であって、上記接着層に、本発明に係る剥離用組成物を接触させる接触工程を包含していることを特徴としている。   Further, the peeling method according to the present invention includes a support, a substrate supported by the support, and the substrate in a laminate including the support and the adhesive layer to which the substrate is bonded. A method of peeling the support, characterized in that it includes a contact step of bringing the peeling composition according to the present invention into contact with the adhesive layer.

本発明によれば、接着剤を迅速に溶解することが可能な、接着剤を剥離するための剥離用組成物を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the composition for peeling for peeling an adhesive agent which can melt | dissolve an adhesive agent rapidly can be provided.

剥離用組成物による接着剤の溶解速度比を示すグラフである。It is a graph which shows the dissolution rate ratio of the adhesive agent by a peeling composition.

〔剥離用組成物〕
本発明に係る剥離用組成物は、接着剤を剥離するための剥離用組成物であって、下記化学式(I)
[Peeling composition]
The stripping composition according to the present invention is a stripping composition for stripping an adhesive and has the following chemical formula (I)

Figure 0006159220
Figure 0006159220

で示される骨格を有する化合物のトランス体を含む。 A trans isomer of a compound having a skeleton represented by

このように、本発明に係る剥離用組成物は、上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物のトランス体を含むため、剥離対象である接着剤を迅速に溶解することが可能である。また、上記化学式(I)の化合物の純度及び異性体比率を制御すれば、接着剤の溶解性を安定的に保持することができる。   Thus, since the peeling composition according to the present invention includes a trans isomer of a compound having a skeleton represented by the chemical formula (I), it is possible to quickly dissolve the adhesive to be peeled. Moreover, if the purity and isomer ratio of the compound of the above chemical formula (I) are controlled, the solubility of the adhesive can be stably maintained.

また、本発明に係る剥離用組成物において、上記化合物は、上記化学式(I)で示される骨格を基本骨格として、他の置換基が導入された誘導体であり得る。当該誘導体としては、例えば、1−メチルデカリン、1−エチルデカリン、デカリン−1−オン、デカリン−2−オン、デカリン−1−オール、デカリン−4−オール等が挙げられる。なお、本発明に係る剥離用組成物は、ここに例示した化合物を単独で含んでいてもよく、2種以上を併せて含んでいてもよい。   In the stripping composition according to the present invention, the compound may be a derivative into which another substituent is introduced with the skeleton represented by the chemical formula (I) as a basic skeleton. Examples of the derivative include 1-methyldecalin, 1-ethyldecalin, decalin-1-one, decalin-2-one, decalin-1-ol, decalin-4-ol, and the like. In addition, the peeling composition which concerns on this invention may contain the compound illustrated here independently, and may contain 2 or more types together.

本発明に係る剥離用組成物は、上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物としては、デカヒドロナフタレンであることがより好ましい。デカヒドロナフタレンであれば、接着剤に対する溶解速度、特に、炭化水素系接着剤に対する溶解速度がより速くなる。   The stripping composition according to the present invention is more preferably decahydronaphthalene as the compound having a skeleton represented by the chemical formula (I). With decahydronaphthalene, the dissolution rate with respect to the adhesive, in particular, the dissolution rate with respect to the hydrocarbon-based adhesive becomes higher.

本発明に係る剥離用組成物では、上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物の純度は95%以上であることが好ましく、98%以上であることがより好ましく、99%以上であることがさらに好ましい。純度が95%以上であれば、より安定した溶解性を保持することができ、接着剤の剥離不良を生じることなく溶解することができる。   In the stripping composition according to the present invention, the purity of the compound having a skeleton represented by the chemical formula (I) is preferably 95% or more, more preferably 98% or more, and 99% or more. Is more preferable. When the purity is 95% or more, more stable solubility can be maintained, and the adhesive can be dissolved without causing poor peeling of the adhesive.

なお、「純度」とは、特に断らない限りガスクロマトグラフィー(GC)を用いて検出した化合物のトランス体及びシス体の総量の質量換算によって求められる値を意味する。   “Purity” means a value determined by mass conversion of the total amount of trans and cis forms of a compound detected using gas chromatography (GC) unless otherwise specified.

本発明に係る剥離用組成物は、上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物のトランス体を含んでいればよい。ここで、当該化合物のトランス/シス比は、1.0以上であることがより好ましく、1.5以上であることがさらに好ましく、3.0以上であることが特に好ましい。また、上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物を2種以上含んでいる場合、純度及びトランス/シス比については、含まれる2種以上の化合物のトランス体及びシス体のそれぞれの合計の比として求めればよい。   The stripping composition according to the present invention only needs to contain a trans isomer of a compound having a skeleton represented by the above chemical formula (I). Here, the trans / cis ratio of the compound is more preferably 1.0 or more, further preferably 1.5 or more, and particularly preferably 3.0 or more. In addition, when two or more compounds having a skeleton represented by the above chemical formula (I) are included, the purity and trans / cis ratio of the total of the trans isomer and cis isomer of the two or more compounds included are included. What is necessary is just to obtain | require as ratio.

なお、上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物の「トランス/シス比」は、特に断らない限りH−NMRのトランス体及びシス体のそれぞれのケミカルシフトにおけるピーク、又はGCのトランス体及びシス体のそれぞれのリテンションタイムにおけるピークに基づいて求められる比を意味する。 The “trans / cis ratio” of the compound having the skeleton represented by the above chemical formula (I) is the peak in each chemical shift of the 1 H-NMR trans isomer and the cis isomer, or the trans isomer of GC unless otherwise specified. And the ratio determined based on the peaks at the respective retention times of the cis isomers.

また、本発明に係る剥離用組成物では、上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物のトランス体の割合が、トランス体及びシス体の合計を100重量%とした場合に、50重量%以上であることが好ましく、60重量%以上であることがより好ましく、75重量%以上であることが特に好ましい。トランス体が50重量%以上含まれていれば、安定的な溶解性を得ることができ、さらにより迅速に接着剤を剥離することができる。   In the stripping composition according to the present invention, the ratio of the trans isomer of the compound having the skeleton represented by the chemical formula (I) is 50% by weight when the total of the trans isomer and the cis isomer is 100% by weight. Preferably, it is 60% by weight or more, more preferably 75% by weight or more. If the trans body is contained in an amount of 50% by weight or more, stable solubility can be obtained, and the adhesive can be peeled off more rapidly.

本発明に係る剥離用組成物では、剥離対象である接着剤は特に限定されないが、炭化水素系接着剤がより好ましい。   In the peeling composition according to the present invention, the adhesive to be peeled is not particularly limited, but a hydrocarbon adhesive is more preferable.

本発明に係る剥離用組成物は炭化水素系接着剤をより迅速に溶解することができ、且つ、残渣をより少なくすることができる。   The stripping composition according to the present invention can dissolve the hydrocarbon-based adhesive more rapidly and can reduce the residue.

炭化水素系接着剤としては、例えば、シクロオレフィンコポリマー及びスチレンエラストマーなどを含んだ接着剤を挙げることができる。   Examples of the hydrocarbon adhesive include an adhesive containing a cycloolefin copolymer and a styrene elastomer.

本発明に係る剥離用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の成分を含んでいてもよい。   The stripping composition according to the present invention may contain other components as long as the effects of the present invention are not impaired.

本発明に係る剥離用組成物の用途としては、様々な製品の製造時に使用される仮止めした積層体を分離するために利用することが可能である。例えば、ウエハハンドリングシステムにおいて、半導体ウエハをサポートプレートに仮止めして種々の加工処理を施した後に、サポートプレートを半導体ウエハから剥離するために好適に利用することにより、剥離不良によりウエハが破損したり、ウエハ上に接着剤の残渣が残ったりすることを防ぐことができる。   As a use of the peeling composition according to the present invention, it can be used for separating a temporarily bonded laminate used in the production of various products. For example, in a wafer handling system, after a semiconductor wafer is temporarily fixed to a support plate and subjected to various processing treatments, the support plate is suitably used for peeling from the semiconductor wafer. It is possible to prevent the adhesive residue from remaining on the wafer.

〔剥離用組成物の製造方法〕
本発明に係る剥離用組成物は、特に限定されるものではないが、例えば市販のまたは天然の上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物から任意に調製してもよい。また、例えば、ナフタレン又はナフタレン誘導体を水素添加することによって製造し、目的の純度及びトランス/シス比を有する化合物を含む剥離用組成物を調製してもよい。なお、ナフタレンの水添加物であるデカヒドロナフタレンを含む剥離用組成物は、例えば、テトラヒドロナフタレン等の部分水添加物を含み得る。
[Method for producing stripping composition]
The peeling composition according to the present invention is not particularly limited, but may be arbitrarily prepared from, for example, a commercially available or natural compound having a skeleton represented by the above chemical formula (I). Further, for example, a peeling composition produced by hydrogenating naphthalene or a naphthalene derivative and containing a compound having a target purity and trans / cis ratio may be prepared. The stripping composition containing decahydronaphthalene, which is a water additive of naphthalene, may contain a partial water additive such as tetrahydronaphthalene.

上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物のトランス/シス比及び純度を調整する方法としては、例えば、蒸留等が挙げられる。また、純度を調整するために蒸留処理を行なってもよい。また、トランス体のみからなる上記化学式(I)の化合物及びシス体のみからなる上記化学式(I)の化合物を任意の割合で混合することによって、剥離用組成物を調製してもよい。   Examples of the method for adjusting the trans / cis ratio and purity of the compound having a skeleton represented by the chemical formula (I) include distillation. Further, a distillation treatment may be performed to adjust the purity. Moreover, you may prepare the peeling composition by mixing the compound of the said Chemical formula (I) which consists only of a trans body, and the compound of the said Chemical formula (I) which consists only of a cis body in arbitrary ratios.

〔剥離方法〕
本発明に係る剥離方法は、支持体と、上記支持体によって支持されている基板と、上記支持体及び上記基板を貼り合わせている接着層とを備えている積層体における上記基板から、上記支持体を剥離する方法であって、上記接着層に、本発明に係る剥離用組成物を接触させる接触工程を包含している。
[Peeling method]
The peeling method according to the present invention includes a support, a substrate supported by the support, and the support in the laminate including the support and the adhesive layer bonding the substrate. A method for peeling a body, which includes a contact step of bringing the peeling composition according to the present invention into contact with the adhesive layer.

本発明に係る剥離方法は、上記化学式(I)で示される骨格を有する化合物のトランス体を含む剥離用組成物を用いるため、剥離対象である接着剤を迅速に溶解することが可能である。このため、接着剤の剥離不良を防止することができる。従って、接着剤の剥離不良による基板の破損を防止することができる。   Since the peeling method according to the present invention uses a peeling composition containing a trans isomer of a compound having a skeleton represented by the chemical formula (I), it is possible to quickly dissolve an adhesive to be peeled. For this reason, the peeling defect of an adhesive agent can be prevented. Accordingly, it is possible to prevent the substrate from being damaged due to poor peeling of the adhesive.

ここで、本発明に係る剥離方法では、上記化学式(I)の化合物の純度及びトランス体の割合が高くなるように剥離用組成物を調製してもよい。これよって、接着剤に対する剥離用組成物の溶解性をより向上させ、接着剤の剥離不良を防止することができる。   Here, in the peeling method according to the present invention, the peeling composition may be prepared so that the purity of the compound of the chemical formula (I) and the ratio of the trans isomer are increased. Thereby, the solubility of the composition for peeling with respect to an adhesive agent can be improved more, and the peeling defect of an adhesive agent can be prevented.

また、剥離用組成物に使用する上記化学式(I)の化合物におけるトランス体の割合に基づいて、接触工程における処理時間などの条件を調整してもよい。これによって、剥離用組成物に基づき、接着剤を剥離するための適切な条件を求めることができる。従って、接着剤の溶解性を安定的に保持することができ、接着剤の剥離不良を防止することができる。   Moreover, you may adjust conditions, such as the processing time in a contact process, based on the ratio of the trans body in the compound of the said chemical formula (I) used for a peeling composition. Thereby, based on the composition for peeling, the suitable conditions for peeling an adhesive agent can be calculated | required. Accordingly, it is possible to stably maintain the solubility of the adhesive and prevent the adhesive from being peeled off.

積層体は、ウエハハンドリングシステムにおいて基板の強度を維持するために形成されるものであり、支持体と、上記支持体によって支持されている基板と、上記支持体及び上記基板を貼り合わせている接着層とを備えている。   The laminate is formed in order to maintain the strength of the substrate in the wafer handling system, and is a support, a substrate supported by the support, and an adhesive bonding the support and the substrate together. With layers.

支持体は、例えば、基板を薄化する工程で基板を支持する役割を果たす部材であり、接着剤により基板に接着される。支持体は、例えば、その膜厚が500〜1000μmであるガラス又はシリコンで形成されている。支持体には、支持体を厚さ方向に貫通する孔が設けられていてもよい。   The support is, for example, a member that plays a role of supporting the substrate in the process of thinning the substrate, and is bonded to the substrate with an adhesive. The support is made of glass or silicon having a thickness of 500 to 1000 μm, for example. The support may be provided with a hole penetrating the support in the thickness direction.

基板は、例えば、従来公知の材質である半導体ウエハ等を挙げることができる。   Examples of the substrate include a semiconductor wafer that is a conventionally known material.

接着層は、支持体及び基板を貼り合わせるための部材であり、本発明に係る剥離用組成部が剥離対象とする接着剤によって形成されている。剥離対象とする接着剤は、炭化水素系接着剤であることがより好ましい。   An adhesion layer is a member for bonding a support body and a board | substrate, and is formed with the adhesive agent which the composition part for peeling which concerns on this invention makes peeling object. The adhesive to be peeled is more preferably a hydrocarbon adhesive.

(接触工程)
本発明に係る剥離方法が包含している接触工程では、接着層に、本発明に係る剥離用組成物を接触させる。剥離用組成物を接着層に接触させる方法としては、例えば、スプレー又はディスペンスノズルなどにより、基板と支持体との間の接着剤に、本発明に係る剥離用組成物を供給することで接触させる方法を挙げることができる。これによって、接着剤を溶解させて支持体から基板を剥離し、支持体から剥離された基板表面を洗浄してから乾燥させる。このようにして得られた基板にその後の処理を施せば、基板表面には液跡残渣が生じていないので、基板の電気特性の低下や歩留まりの低下を防ぐことができる。
(Contact process)
In the contact step included in the peeling method according to the present invention, the peeling composition according to the present invention is brought into contact with the adhesive layer. As a method for bringing the peeling composition into contact with the adhesive layer, for example, the peeling composition according to the present invention is brought into contact with the adhesive between the substrate and the support by means of a spray or a dispensing nozzle. A method can be mentioned. As a result, the adhesive is dissolved to peel the substrate from the support, and the substrate surface peeled from the support is washed and dried. If the substrate thus obtained is subjected to subsequent processing, no liquid trace residue is produced on the substrate surface, so that it is possible to prevent a decrease in electrical characteristics and a decrease in yield of the substrate.

なお、支持体の厚さ方向に貫通する孔が設けられていていれば、支持体から基板を剥離するとき、この孔を介して本発明に係る剥離用組成物を支持板と基板との間に流し込むことができる。このため、剥離用組成物を接着剤に効率よく接触させることができ、接着層をより好適に溶解させることができる。このため、支持板から基板をより容易に剥離することができる。   If a hole penetrating in the thickness direction of the support is provided, when the substrate is peeled from the support, the peeling composition according to the present invention is interposed between the support plate and the substrate through the hole. Can be poured into. For this reason, the composition for peeling can be made to contact an adhesive agent efficiently, and an adhesive layer can be dissolved more suitably. For this reason, a board | substrate can be more easily peeled from a support plate.

また、例えば、接着層がレーザ照射によって変質する分離層と接着剤とにより形成されている場合、まずレーザ照射によってサポートプレートをウエハから剥離した後、ウエハ上に残存している接着剤の残渣を本発明の剥離用組成物によって溶解して除去してもよい。   In addition, for example, when the adhesive layer is formed of a separation layer and an adhesive that are altered by laser irradiation, the support plate is first peeled from the wafer by laser irradiation, and then the adhesive residue remaining on the wafer is removed. You may melt | dissolve and remove with the peeling composition of this invention.

本発明に係る剥離用組成物を用いて基板と支持体とを剥離する方法のみならず、支持体から剥離した基板に電極を形成する等の基板処理方法も本発明の範疇である。   The present invention includes not only a method of peeling the substrate and the support using the peeling composition according to the present invention, but also a substrate processing method such as forming an electrode on the substrate peeled from the support.

以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。   Examples will be shown below, and the embodiments of the present invention will be described in more detail. Of course, the present invention is not limited to the following examples, and it goes without saying that various aspects are possible in detail. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims, and the present invention is also applied to the embodiments obtained by appropriately combining the disclosed technical means. It is included in the technical scope of the invention. Moreover, all the literatures described in this specification are used as reference.

〔剥離試験〕
(材料の準備)
剥離試験において用いる剥離対象物として、下記化学式(II)
[Peel test]
(Preparation of materials)
As an object to be peeled used in the peeling test, the following chemical formula (II)

Figure 0006159220
Figure 0006159220

(式中、m:n=80:20(モル比))で示されるシクロオレフィンポリマーAPL8008T(三井化学株式会社製)を、溶解後の濃度が25%濃度になるようにデカヒドロナフタレンに溶解させて、接着剤組成物を作製した。この接着剤組成物に対する剥離性を、純度99%のデカヒドロナフタレンにおいて、それぞれトランス体の割合が異なる実施例1〜7及び比較例1の剥離用組成物の剥離性を評価した。実施例1〜7及び比較例1の剥離用組成物の純度及びトランス比を以下の表1に示す。   (In the formula, m: n = 80: 20 (molar ratio)) is dissolved in decahydronaphthalene so that the concentration after dissolution is 25%. Thus, an adhesive composition was prepared. With respect to the peelability of this adhesive composition, the peelability of the stripping compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Example 1 in which the proportion of the trans isomer was different in decahydronaphthalene having a purity of 99% was evaluated. The purity and the trans ratio of the stripping compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.

表1中の「純度」はガスクロマトグラフィー(Agilent社製、製品名「Technologies」)を用いて測定した。   “Purity” in Table 1 was measured using gas chromatography (manufactured by Agilent, product name “Technologies”).

表1中の「トランス:シス」とは、デカヒドロナフタレン中のトランス体及びシス体の比率(質量比)をH−NMR(BRUKER社製、製品名「AVANCE-600」)により算出した結果である。当該比率より、「トランス/シス比」を算出する。なお、参考までに実施例2の「トランス/シス比」を計算すると、4.0である(4.0/1=4.0)。 “Trans: cis” in Table 1 is the result of calculating the ratio (mass ratio) of the trans isomer and cis isomer in decahydronaphthalene by 1 H-NMR (manufactured by BRUKER, product name “AVANCE-600”). It is. From the ratio, the “trans / cis ratio” is calculated. For reference, the “trans / cis ratio” of Example 2 is 4.0, which is 4.0 (4.0 / 1 = 4.0).

表1中の「トランス体の割合」とは、デカヒドロナフタレン中に含まれるトランス体の割合を示すものであり、上述した「トランス:シス」より算出したものである。   The “trans isomer ratio” in Table 1 indicates the ratio of the trans isomer contained in decahydronaphthalene, and is calculated from the above-mentioned “trans: cis”.

Figure 0006159220
Figure 0006159220

(溶解性の評価)
剥離用組成物の剥離性を、接着剤に対する溶解速度に基づき評価した。具体的には、12インチシリコン基板上に上述の接着剤組成物をスピン塗布し、100℃、160℃及び220℃のそれぞれにおいて3分間ずつベークして接着層を形成した(膜厚15μm)。この接着層のみ(塗布膜)を室温下(23℃)で剥離用組成物に浸漬し、シリコン基板上の接着層が完全に溶解した時点を終点とする方法により行なった。溶解速度は剥離膜厚(nm)/剥離時間(秒(s))で算出した。結果を表2及び図1に示す。図1は、剥離用組成物による接着剤の溶解速度比を示すグラフであり、縦軸が溶解速度比(%)を示し、横軸がデカヒドロナフタレンのトランス体の割合(%)を示す。図1及び表2中の「溶解速度比」とは、シス体の割合が100%であるデカヒドロナフタレンからなる剥離用組成物(比較例1)の溶解速度を基準として算出したものである。
(Evaluation of solubility)
The peelability of the stripping composition was evaluated based on the dissolution rate with respect to the adhesive. Specifically, the above adhesive composition was spin-coated on a 12-inch silicon substrate, and baked at 100 ° C., 160 ° C., and 220 ° C. for 3 minutes to form an adhesive layer (film thickness: 15 μm). Only this adhesive layer (coating film) was immersed in the stripping composition at room temperature (23 ° C.), and the end point was when the adhesive layer on the silicon substrate was completely dissolved. The dissolution rate was calculated by peeling film thickness (nm) / peeling time (second (s)). The results are shown in Table 2 and FIG. FIG. 1 is a graph showing the dissolution rate ratio of the adhesive by the peeling composition, where the vertical axis indicates the dissolution rate ratio (%), and the horizontal axis indicates the proportion (%) of the trans form of decahydronaphthalene. The “dissolution rate ratio” in FIG. 1 and Table 2 is calculated on the basis of the dissolution rate of the peeling composition (Comparative Example 1) made of decahydronaphthalene having a cis isomer ratio of 100%.

Figure 0006159220
Figure 0006159220

表2に示すように、実施例1〜7の剥離用組成物では、シス体のみのデカヒドロナフタレンからなる剥離用組成物(比較例1)と比較して良好な溶解速度を得ることができた。このことから、デカヒドロナフタレンのトランス体を含む実施例1〜7の剥離用組成物の方が、トランス体を含まない比較例1の剥離用組成物よりも、より迅速に接着剤を溶解できることを確認することができた。また、図1及び表2に示す通り、実施例1〜7において、トランス体の割合が多い程、溶解速度が速くなり、溶解速度比が高くなる傾向を示した。特に、デカヒドロナフタレンのトランス体の割合が50%である実施例4では、比較例1に対して120%以上の溶解速度比を得ることができた。   As shown in Table 2, in the stripping compositions of Examples 1 to 7, a good dissolution rate can be obtained as compared with the stripping composition (Comparative Example 1) composed of decahydronaphthalene having only a cis form. It was. From this, the peeling composition of Examples 1-7 containing the trans form of decahydronaphthalene can dissolve the adhesive more rapidly than the peeling composition of Comparative Example 1 containing no trans form. I was able to confirm. Moreover, as shown in FIG. 1 and Table 2, in Examples 1-7, the dissolution rate became faster and the dissolution rate ratio tended to increase as the proportion of the trans isomer increased. In particular, in Example 4 where the proportion of the trans form of decahydronaphthalene was 50%, a dissolution rate ratio of 120% or more was obtained with respect to Comparative Example 1.

(剥離性の評価)
続いて、上述の接着剤組成物を用いて積層体を作製し、当該積層体の基板から支持体を剥離するときの剥離性を評価した。なお、剥離性の評価には、実施例4の剥離用組成物及び比較例1の剥離用組成物を用いた。
(Evaluation of peelability)
Then, the laminated body was produced using the above-mentioned adhesive composition, and the peelability when peeling a support body from the board | substrate of the said laminated body was evaluated. For the evaluation of peelability, the stripping composition of Example 4 and the stripping composition of Comparative Example 1 were used.

12インチシリコン基板上に、上記接着剤組成物の溶液をスピン塗布し、100℃、160℃及び220℃のそれぞれにおいて3分間ずつベークして接着層を形成した(膜厚15μm)。次いで、このシリコン基板を、接着層を介して孔あきガラス支持体(12インチ)に215℃で加熱しながら貼り合わせることによって積層体を作製した。   The adhesive composition solution was spin-coated on a 12-inch silicon substrate, and baked at 100 ° C., 160 ° C., and 220 ° C. for 3 minutes to form an adhesive layer (film thickness: 15 μm). Next, this silicon substrate was bonded to a perforated glass support (12 inches) through an adhesive layer while heating at 215 ° C. to prepare a laminate.

積層体における基板からの支持体の剥離は、半導体ウエハ基板の薄化工程及びフォトリソグラフィー工程などの処理を行なった後、実施例4及び比較例1の剥離用組成物をガラス支持体の孔から注入し、接着剤組成物を溶解させ、ガラス支持体を取り除くことにより行なった。   Peeling of the support from the substrate in the laminate is performed after the semiconductor wafer substrate thinning process, the photolithography process, and the like, and then the peeling compositions of Example 4 and Comparative Example 1 are removed from the holes of the glass support. This was done by pouring, dissolving the adhesive composition and removing the glass support.

実施例4の剥離用組成物は、比較例1の剥離用組成物と比較して、接着剤の溶解速度が速く、半導体ウエハ基板からガラス支持体をより容易に剥離することができた。   Compared with the peeling composition of Comparative Example 1, the peeling composition of Example 4 had a faster dissolution rate of the adhesive, and was able to peel the glass support more easily from the semiconductor wafer substrate.

〔洗浄性の評価〕
次に、ガラス支持体が剥離されたシリコン基板を実施例4及び比較例1の剥離用組成物を用いてスプレー洗浄し、接着層の残渣の有無を判定することにより洗浄性を評価した。その結果、実施例4の剥離用組成物を用いてガラス支持体が剥離された半導体ウエハ基板には、接着剤の残渣が認められず良好な洗浄性を得ることができた。
[Evaluation of cleanability]
Next, the silicon substrate from which the glass support was peeled was spray-washed using the peeling composition of Example 4 and Comparative Example 1, and the detergency was evaluated by determining the presence or absence of the adhesive layer residue. As a result, no adhesive residue was observed on the semiconductor wafer substrate from which the glass support was peeled off using the peeling composition of Example 4, and good cleanability could be obtained.

本発明の剥離用組成物は、様々な製品の製造時に使用される仮止めした積層体を分離するために利用することができる。特に、半導体ウエハまたはチップを種々の支持体に仮止めして加工する製造工程において好適に利用することができる。   The stripping composition of the present invention can be used to separate a temporarily bonded laminate used in the production of various products. In particular, it can be suitably used in a manufacturing process in which a semiconductor wafer or chip is temporarily fixed to various supports and processed.

Claims (5)

接着剤を剥離するための剥離用組成物であって、
下記化学式(I)
Figure 0006159220
で示される骨格を有する化合物のトランス体を含み、
上記化合物の純度は95%以上であることを特徴とする剥離用組成物。
A stripping composition for stripping an adhesive,
The following chemical formula (I)
Figure 0006159220
In looking containing the trans isomer of a compound having a skeleton represented,
A stripping composition, wherein the purity of the compound is 95% or more .
上記化合物のトランス体の割合が、上記化合物のトランス体及びシス体の合計を100%とした場合に、50%以上であることを特徴とする請求項に記載の剥離用組成物。 The stripping composition according to claim 1 , wherein the ratio of the trans isomer of the compound is 50% or more when the total of the trans isomer and the cis isomer of the compound is 100%. 上記化合物が、デカヒドロナフタレンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の剥離用組成物。 The stripping composition according to claim 1 or 2 , wherein the compound is decahydronaphthalene. 剥離対象である接着剤が、炭化水素系接着剤であることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の剥離用組成物。 The peeling composition according to any one of claims 1 to 3 , wherein the adhesive to be peeled is a hydrocarbon-based adhesive. 支持体と、上記支持体によって支持されている基板と、上記支持体及び上記基板を貼り合わせている接着層とを備えている積層体における上記基板から、上記支持体を剥離する方法であって、
上記接着層に、請求項1〜のいずれか1項に記載の剥離用組成物を接触させる接触工程を包含していることを特徴とする剥離方法。
A method of peeling the support from the substrate in a laminate comprising a support, a substrate supported by the support, and an adhesive layer bonding the support and the substrate. ,
The peeling method characterized by including the contact process which makes the said adhesive layer contact the peeling composition of any one of Claims 1-4 .
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