JP6141861B2 - イオン化装置 - Google Patents

イオン化装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6141861B2
JP6141861B2 JP2014544737A JP2014544737A JP6141861B2 JP 6141861 B2 JP6141861 B2 JP 6141861B2 JP 2014544737 A JP2014544737 A JP 2014544737A JP 2014544737 A JP2014544737 A JP 2014544737A JP 6141861 B2 JP6141861 B2 JP 6141861B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
ionization
ionization region
electric field
time interval
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014544737A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015501068A (ja
Inventor
クーレイ,ジェイムス,エドワード
コザリ,サメエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Agilent Technologies Inc
Original Assignee
Agilent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agilent Technologies Inc filed Critical Agilent Technologies Inc
Publication of JP2015501068A publication Critical patent/JP2015501068A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6141861B2 publication Critical patent/JP6141861B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/107Arrangements for using several ion sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/14Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
    • H01J49/147Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers with electrons, e.g. electron impact ionisation, electron attachment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/16Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission
    • H01J49/161Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission using photoionisation, e.g. by laser
    • H01J49/162Direct photo-ionisation, e.g. single photon or multi-photon ionisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/105Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation, Inductively Coupled Plasma [ICP]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Description

背景
本出願は、2011年11月30日に出願され、「Ionization Device」と題する米国特許出願第13/307,641号の優先権を主張しており、その開示は、参照により本出願に完全に組み込まれる。
光イオン化(Photoionization:PI)は、所望の波長の光を未知のガス試料に送ってイオン化を引き起こすことを含む。ソフトイオン化および光フラグメンテーションのような光化学の応用形態を介して未知のガス試料の組成を調査(検査)することを容易にするために、PIが使用され得る。例えば、電磁スペクトルの真空紫外(VUV)域からの光は特に、PIの応用形態に有用であり、その理由はVUV光子のエネルギー(一般に6eV〜124eV)が大部分の化学種の電子励起およびイオン化エネルギーに対応するからである。
電子衝撃イオン化(EI)は、所望の運動エネルギーを有する電子を未知のガス試料に向かわせて、試料ガスの分子のイオン化およびフラグメンテーション(解離反応)を引き起こすことを含む。
EIによるフラグメンテーションは、「ハード」なイオン化と呼ばれることが多い。一方、PI源は、EI源が使用される場合に比べて試料分子がフラグメント化されるのが少ないので、「ソフト」なイオン化源として機能する。PI源により提供される分子のより少ないフラグメンテーションは、既知のEI源よりも大きい範囲まで分子イオン信号を生成することができる。
PI源により提供されるフラグメンテーションの比較的より少ない範囲は、未知の化合物の識別のような特定の応用形態に有用であるが、EI源によりもたらされるフラグメンテーションのパターンは、有用であることが多いけれどもPI源を用いた光フラグメンテーションにより実現されることができない情報を提供する。
従って、必要とされていることは、EI及びPIによる選択的なイオン化を可能にするイオン化装置および使用方法である。
代表的な実施形態は、添付図面と共に読まれる場合に、以下の詳細な説明から最も良く理解される。様々な特徴要素が必ずしも一律の縮尺に従わずに描かれていることが強調される。実際には、寸法は、考察の明瞭化のために任意に増減され得る。適用可能であり且つ実用的であるときはいつでも、同様の参照符号は同様の要素を指す。
代表的な実施形態による質量分析計の簡易略図である。 代表的な実施形態によるイオン化装置の簡易略図である。 代表的な実施形態によるイオン化装置の断面図である。 代表的な実施形態に従って、試料ガスを励起光に曝露する方法の流れ図である。
定義された用語
理解されるべきは、本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明するためだけであり、制限することは意図されていない。定義された用語は、本教示の技術分野で一般に理解され且つ許容されるものとして、定義された用語の技術的および科学的意味に加える。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される限り、用語「1つの(a)」、「1つの(an)」及び「前記(the)」は、文脈で特に明示しない限り、単一の対象、及び複数の対象の双方を含む。このため、例えば、「1つのデバイス(a device)」は、1つのデバイス及び複数のデバイスを含む。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される限り、及びそれらの通常の意味に加えて、用語「実質的な」又は「実質的に」は、許容可能な限界または又は程度を有すること意味する。例えば、「実質的にキャンセルされた」ということは、当業者が本教示の文脈においてキャンセルを許容できると考えられることを意味する。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される限り、及びその通常の意味に加えて、用語「約(ほぼ)」は、当業者にとって許容可能な限界内または量内を意味する。例えば、「ほぼ同じ」は、当業者が比較されている要素を同じであると考えることを意味する。
詳細な説明
以下の詳細な説明において、説明および制限しないために、特定の細部を開示する代表的な実施形態が、本教示の完全な理解を提供するために記載される。既知の装置(デバイス)、既知の材料、及び既知の製造方法の説明は、例示的な実施形態の説明を不明瞭にすることを避けるように省略され得る。それにも関わらず、当業者の理解範囲内にあるそのような装置、材料および方法が、後述される代表的な実施形態に従って使用され得る。更に、理解されるように、図面に示された電気コンポーネント及び電気接続の様々な構成は例示であり、従って、本教示の範囲から逸脱せずに変更できる。
理解されるように、「〜より上に」、「〜より下に」、「上部」、「底部」、「上側」、「下側」、「左」、「右」、「垂直」、及び「水平」のような、本明細書で使用され得る相対的な用語は、添付図面に示されたような様々な要素の相互の関係を説明するために使用される。理解されるように、これらの相対的な用語は、図面に示された向きに加えて、デバイス及び/又は要素の異なる向きを包含することが意図されている。例えば、デバイスが図面の表示に対して反転された場合、例えば、別の要素の「上に」と説明された要素は、その要素の「下に」あることになる。同様に、デバイスが図面の表示に対して90度回転した場合、例えば、「垂直」として説明された要素は、「水平」であることになる。
一般に、及び代表的な実施形態に関連してより詳細に説明されるように、本教示は、イオン化の少なくとも2つのモードを有するイオン化装置に関し、比較的短い持続時間(例えば、1ミリ秒から9ミリ秒以下)でこれら2つのモードを切り替えることができる。例えば、本発明は、光イオン化(PI)モードと、電子イオン化(EI)とPIの組合せモード(EI/PIモード)との間で迅速に切り替えることができるイオン化装置を提供する。例示的に、本教示のイオン化装置は、本開示の利益を有する当業者に明らかである応用形態の中で特に質量分析計に使用するために企図されている。
代表的な実施形態において、イオン化装置は、プラズマを生成するように構成されたプラズマ源を含む。プラズマは、光、プラズマイオン及びプラズマ電子を含む。イオン化装置は更に、プラズマ源とイオン化領域との間に配置されたプラズマ偏向装置と、プラズマ源とイオン化領域との間に配置された電子加速装置とを含む。プラズマ偏向装置及び電子加速装置は、第1の時間間隔中に第1の電界を確立し、第2の時間間隔中に第2の電界を確立するように構成される。第1の電界は実質的に、光がイオン化領域に到達することを可能にすると同時に、プラズマ電子およびプラズマイオンがイオン化領域に入ることを阻止する。第2の電界は実質的に、光がイオン化領域に到達することを可能にすると同時に、プラズマイオンがイオン化領域に入ることを阻止する。
別の代表的な実施形態において、試料ガスをイオン化領域のイオン源に曝露する方法が開示される。方法は、試料ガスを選択的にEIイオン化またはEI/PIイオン化に曝露することを可能にする。方法は、光、プラズマイオン、及びプラズマ電子を含むプラズマを生成し、プラズマ電子およびプラズマイオンがイオン化領域に入ることを実質的に阻止するための第1の電界を第1の時間間隔中に確立し、プラズマ電子をイオン化領域の方へ加速し、且つプラズマイオンがイオン化領域に入ることを実質的に阻止するための第2の電界を第2の時間間隔中に確立することを含む。
図1は、代表的な実施形態による質量分析計100の簡易略図を示す。ブロック図は、本教示が様々な異なるタイプの質量分析計に適用され得るので、より一般的な形式で描かれている。理解されるべきは、本説明を続ける際、代表的な実施形態の装置(デバイス)及び方法は質量分析計100に関連して使用され得る。そういうものだから、質量分析計100は、代表的な実施形態の装置および方法の機能および応用形態の包括的ないっそうの理解を得ることに有用であるが、これらの機能および応用形態を制限することは意図されていない。
質量分析計100は、イオン源101、質量分析器102及び検出器103を含む。イオン源101はイオン化装置104を含み、イオン化装置104は、ガス試料(図1には示されない)をイオン化してイオンを質量分析器102に供給するように構成される。イオン化装置104の詳細は、代表的な実施形態に従って後述される。質量分析計100の他の構成要素は、当業者に知られた装置を含み、代表的な実施形態の説明を不明瞭にすることを避けるために詳細に説明されない。例えば、質量分析器102は、質量分析器のタイプの中でも特に、四重極質量分析器、イオントラップ質量分析器、又は飛行時間型(TOF)質量分析器とすることができ、検出器103は、質量分析計で使用される多数の知られた検出器の1つとすることができる。
コントローラ105は、検出器103と電源106との間に接続され、電源106はイオン化装置104に接続される。より詳細に後述されるように、機能の中でも特に、コントローラ105は、イオン化装置104の電極(図1には示されない)に電源106により印加される電圧の大きさ(振幅)及び持続時間を制御し、且つイオン源101が所望のスペクトルデータに依存してPI源となるか又はEI/PI源となるかの選択を可能にするように構成される。
代表的な実施形態に従って、コントローラ105からの制御信号に基づいて、電源106は、イオン化装置104の電極(図1には示されない)に直流(DC)電圧または時間依存性(AC)電圧を選択的に又は双方を印加するように構成される。1つの代表的な実施形態において、コントローラ105からの信号に基づいて、電源106は、イオン化装置104の電極にDC電圧、又はDCオフセット値を有する時間依存性方形波電圧を選択的に印加するように構成される。
より詳細に後述されるように、イオン化装置104の電極に電圧を選択的に印加することは、プラズマ電子およびプラズマイオンがイオン化装置104のイオン化領域に入ることを実質的に阻止する第1の時間間隔中に第1の電界を確立し、及びプラズマ電子をイオン化領域の方へ加速し且つプラズマイオンがイオン化領域に入ることを実質的に阻止する第2の時間間隔中に第2の電界を確立するという結果になる。従って、第1の時間間隔中、プラズマ光子だけがイオン化装置104のイオン化領域に到達する一方で、第2の時間間隔中、電子が第2の電界により加速されている状態で、プラズマ光子およびプラズマ電子の双方がイオン化領域に到達することを可能にする。従って、第1の時間間隔において、イオン化装置104は、PI装置として機能し、第2の時間間隔において、イオン化装置104は、PI装置として且つEI装置として機能する。
より具体的には、及び有利には、ユーザは、イオン化装置104が特定の時間間隔の間に試料のPIのみを可能にするPI装置(場合によっては、本明細書においてPIモードと呼ばれる)として機能するように、電源106に信号を提供するためにコントローラ105をプログラムすることができる。別の時間間隔において、ユーザは、イオン化装置104が特定の時間間隔の間に試料のPI及びEIの双方を可能にするPI装置及びEI装置(場合によっては、本明細書においてEI/PIモードと呼ばれる)として機能するように、電源106に信号を提供するためにコントローラ105をプログラムすることができる。そういうものだから、ユーザは、第1の時間間隔中にPIデータを収集し、第2の時間間隔中にPIデータ及びEIイオン化データの双方を収集することを連係することができる。更に、本教示に従って、ユーザは、イオン化装置104が比較的短い持続時間(例えば、1ミリ秒から9ミリ秒以下)でEIモードとEI/PIモードを切り替えることができるように、電源106に信号を提供するためにコントローラ105をプログラムすることができる。
コントローラ105は、ソフトウェア、ファームウェア、配線論理回路またはそれらの組合せを用いて、プロセッサ又は中央処理装置(CPU)のような処理デバイス、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)又はそれらの組合せにより、全体的に又は部分的に実現され得る。コントローラ105の機能に関する特定の態様の詳細が、代表的な実施形態に関連して以下に提供される。幾つかの実施形態において、コントローラ105は、質量分析計100において使用される又は独立型装置として使用されるリアルタイム(実時間)オペレーティングシステム(OS)で実現される。プロセッサ又はCPUを用いる場合、コントローラ105からイオン化装置104への信号を制御する実行可能なソフトウェア/ファームウェア及び/又は実行可能なコードを格納するためのメモリ(図示せず)が含められる。メモリは、不揮発性読み出し専用メモリ(ROM)及び揮発性ランダムアクセスメモリ(RAM)の任意の数、タイプ及び組合せとすることができ、プロセッサ又はCPUにより実行可能なコンピュータプログラム及びソフトウェアアルゴリズムのような様々なタイプの情報を格納することができる。メモリは、ディスクドライブ、電気的プログラム可能ROM(EPROM)、電気的消去可能ROM(EEPROM)、CD、DVD、ユニバーサルシリアルバス(USB)ドライブなどのような、有形のコンピュータ可読記憶媒体の任意の数、タイプ及び組合せを含むことができる。
図2は、代表的な実施形態によるイオン化装置200の簡易略図を示す。イオン化装置200は、イオン化装置104としてイオン源101に実装され得る。イオン化装置200は、プラズマ源201及びイオン化領域202を含む。代表的な実施形態に従って、プラズマ源201はVUV源であり、この場合、VUV光は一般に、10nm〜200nmの範囲の波長を有する光として定義される。例示的に、プラズマ源201は、James E. Cooley他による、「Microplasma Device with Cavity for Vacuum Ultraviolet Irradiation of Gases and Methods of Making and Using the Same」と題する共同所有された米国特許出願第12/613,643号に記載されたようなプラズマ源とすることができる。米国特許出願公開第2011/0109226号として発行されたこの特許出願の開示は特に、参照により本明細書に組み込まれる。
プラズマ偏向装置203及び電子加速装置204が、プラズマ源201とイオン化領域202との間に直列に(縦に並んで)設けられる。図2に示された実施形態において、プラズマ偏向装置203はプラズマ源201のすぐ隣に配置され、電子加速装置204はイオン化領域202のすぐ隣に配置される。留意すべきは、プラズマ偏向装置203及び電子加速装置204の順序は、「入れ換え」られ得る。この代替の構成において、プラズマ偏向装置203は、イオン化領域202のすぐ隣に配置され、電子加速装置204はプラズマ源201のすぐ隣に配置される。この代替の構成が選択される場合、時間依存性電圧源(後述される)及び静的電圧源(後述される)に対する接続が、図2に示された構成とは異なるであろう。
より詳細に後述されるように、動作の1つのモードにおいて、プラズマ偏向装置203及び電子加速装置204は、プラズマ電子205及びプラズマイオン206がイオン化領域202に到達することを実質的に防止し、且つプラズマ光子207のみがイオン化領域202に到達することを可能にするために、プラズマ電子205及びプラズマイオン206を選択的に偏向させるように協力して動作するように構成される。動作の別のモードにおいて、プラズマ偏向装置203及び電子加速装置204は、プラズマ光子207がイオン化領域202に到達することを可能にすると同時に、プラズマイオン206を選択的に偏向させ且つプラズマ電子205をイオン化領域202の方へ加速するために協力して動作するように構成される。当該動作の前者のモードにおいて、プラズマ光子207のみがイオン化領域202に到達し、イオン化装置200はPI装置として機能する。当該動作の後者のモードにおいて、プラズマ電子205及びプラズマ光子207の双方がイオン化領域202に到達し、イオン化装置200はPI装置として及びEI装置として機能する(EI/PI装置)。
プラズマ偏向装置203は、第1の偏向電極208及び第2の偏向電極209を含む。同様に、電子加速装置204は、第1の加速電極210及び第2の加速電極211を含む。プラズマ偏向装置203は、時間依存性電圧源212に接続され、その時間依存性電圧源212は、最大電圧+V及び最小電圧0Vを有する時間依存性電圧を印加するように構成されている。電子加速装置204は、電圧(負)−Vを供給する静的(DC)電圧源213に接続される。コントローラ105からの制御信号に基づいて、電源106は、時間依存性電圧源212として及び静的電圧源213として交互に機能するように構成され得る。そういうものだから、上述した様々な電位差、及びそれらの結果として生じる電界は、コントローラ105により時間依存性であるように及び静的であるように選択的に印加され得る。
時間依存性電圧源212から出力された電圧の時間変動は、時間依存性であるようにEI装置として、及びEI/PI装置として機能するイオン化装置200という結果になる。
特に、図2に示されたように互いに接続され及び接地に接続された、プラズマ偏向装置203及び電子加速装置204の個々の電極の図示された電気接続により、第1の偏向電極208及び第2の偏向電極209が、第1の加速電極210及び第2の加速電極211に対して負にバイアスされる。
第1の偏向電極208及び第2の偏向電極209との間の電位差が大きい(即ち、+V)場合、第1の電界214は、プラズマ源201とイオン化領域202との間の軸216に直交する方向(図示された座標系においてy方向)に確立される。この第1の電界214の結果として、プラズマ電子205が第1の偏向電極208へ偏向され、プラズマイオン206が第2の偏向電極209へ偏向される。そういうものだから、この構成において、プラズマ光子207のみがイオン化領域202に到達し、イオン化装置200はPI装置としてのみ機能する。
一方、第1の偏向電極208及び第2の偏向電極209が同じ電位(即ち、0V)である場合、プラズマ偏向装置203と電子加速装置204との間の相対バイアス(−V)は、軸216に平行である(図示された座標系においてx方向)第2の電界215を確立する。この第2の電界215の結果として、プラズマ電子205が、図示された座標系のx方向に加速され、プラズマイオン206が−x方向に反発される。そういうものだから、この構成において、プラズマ電子205及びプラズマ光子207の双方がイオン化領域202に到達し、イオン化装置200はEI/PI装置として機能する。
特に、イオン化装置200がEI/PI装置として機能するように構成されている場合、プラズマ電子205は、第2の電界215により加速され、電子加速装置204から出射する際に|V|eVのエネルギーを獲得する。特定の応用形態において、試料に70eVの電子を供給することが有用であり、そのため|V|=70Vである。|V|=70Vの選択、及びプラズマ電子205のエネルギーがプラズマ偏向装置203と電子加速装置204との間の相対バイアス(即ち、−V)の選択により単に選択され得ることが強調される。
図2の精査およびその付随する上記の説明から認識され得るように、バイアスされた第1及び第2の加速電極210、211は、第1及び第2の偏向電極208、209の電位、プラズマの電位、及びプラズマ偏向装置203の任意の空間電荷からイオン化領域202を分離(絶縁)するように構成される。有益には、第1及び第2の偏向電極208、209により確立された電位からのイオン化領域202のこの分離は、試料ビームを抽出して当該試料ビームを質量分析器102へ送るための最適化された電位プロファイルを可能にする。特に、イオン化領域202の分離は、比較的低いエネルギーのイオンビームの形成を可能にする。
特定の実施形態において、時間依存性電圧源212により提供される時間依存性電圧は、最小電圧(0V)と最大電圧(+V)を備える方形波(矩形波)を近似する。当業者によって理解されるべきであるように、最小電圧(0V)と最大電圧(+V)との間の時間依存性電圧の遷移中に収集されたデータは、ほとんど価値がない。そういうものだから、時間依存性電圧源212により提供される時間依存性電圧の立ち上がり時間および立ち下がり時間が、時間依存性電圧源212により提供される時間依存性電圧の周期(期間)に比べて小さいことは有益である。
時間依存性電圧源212により印加される例示的な方形波電圧は、周期的または非周期的となるように選択され得る。周期的な方形波電圧の信号がプラズマ偏向装置203に供給される場合、イオン化装置200は、等しい時間間隔にわたってEI源として及びEI/PI源として交互に機能する。同様に、非周期的な方形波電圧の信号がプラズマ偏向装置203に供給される場合、イオン化装置200は、等しくない時間間隔にわたってEI源として及びEI/PI源として交互に機能する。
イオン化装置200がPI装置としてのみ、又はEI/PI装置として機能する時間間隔の選択は、コントローラ105のプログラミングにより設定されることができ、次いでコントローラ105は電源106の出力電圧を制御する。より具体的には、コントローラ105は、第1及び第2の偏向電極208、209、並びに第1及び第2の加速電極210、211に印加される電圧の大きさ(振幅)と持続時間を選択するようにプログラミングされ得る。
第1及び第2の偏向電極208、209、並びに第1及び第2の加速電極210、211に印加される電圧の大きさと持続時間の双方を選択する能力は、イオン化装置200によるユーザの多くのオプションを可能にする。時間依存性電圧源212により印加される電圧の時間依存性を選択する能力は、既知のイオン化装置より優れた更なる利点を提供する。例えば、EI/PIモードがEIモード単独よりも効率的なイオン化モードであるので、特定の実施形態に従って、時間間隔は、2つのイオン化モード間でのイオン化の効率の差を実質的に均衡させるために、等しくないように選択され得る。
EI源を含む質量分析計へ試料を直接的に導入することは知られている。しかしながら、一般に溶媒蒸気の導入中である高圧環境において、既知のEI源で使用されるフィラメントが本質的に壊れやすいので、固体試料または乾燥試料のみが一般に、このように分析される。更に、EIを生成する極めて複雑なフラグメンテーションのスペクトルは、化学的混合物における個々の成分の識別を困難にする可能性があり、そのため試料は通常、イオン化の前に、最初に(例えば、ガスクロマトグラフィーにより)分離される必要がある。
イオン化装置200は、プラズマ源201のガスがその周囲環境よりも高い圧力で動作する制限された流れの方式を使用する。プラズマガス及び他のエネルギープラズマ生成物(紫外線光を含む)は、イオン化反応が起こるイオン化領域202の真空環境へ放出される。このように、プラズマ自体は、イオン化領域202から分離され、そこでの圧力または組成の変化に実質的に影響を受けない。そういうものだから、及びイオン化装置200のいくつかある利点の中で特に、試料はイオン化領域202へ直接的に導入されることができ、直接的に試料を導入する間の気化した共通溶媒に起因した圧力の増加により、プラズマは影響を受けない。
更に、プラズマ又は他のエネルギー生成物のUV光により生じたソフトなイオン化反応は、多くの化合物に対して、分子イオンのピーク及び/又は大きく低減されたフラグメンテーションを生じる。これは、特に高分解能質量分析計と結合された場合に、既知のEI源単独で実現されるものに比べて、分離されない化学的混合物での重なるスペクトルの分析をはるかに容易にする。
図3は、代表的な実施形態によるイオン化装置300の断面図を示す。イオン化装置300は、イオン化装置104としてイオン源101の中に実装され得る。イオン化装置300は、対称軸301の周りに配置される。入口302が設けられ、被分析物の分子を含む試料ガス(図示せず)を受け取るように構成される。試料ガスは、入口302において対称軸301に平行な方向に向けられる。イオン化装置300の多くの細部がイオン化装置200に共通であり、現時点で説明された実施形態の教示を不明瞭にすることを避けるために繰り返されない。
有用に導電性であるイオン化装置300の様々な構成要素は、ステンレス鋼のような適切な導電性材料から作成される。電気絶縁される必要があるイオン化装置300の様々な構成要素は、高温プラスチック(例えば、Vespel(登録商標))又は適切な機械加工可能なセラミック材料(例えば、Macor(登録商標)、アルミナ又は窒化ホウ素)のような適切な電気絶縁体から作成される。
イオン化装置300は、第1のプラズマ源303、及びオプションとして第2のプラズマ源304を含む。第1及び第2のプラズマ源303、304は、米国特許出願第2011/0109226号に説明されたように例示的であり、参照により上記に組み込まれる。特に、第2のプラズマ源304は第1のプラズマ源303に冗長な機能を提供し、その機能は更に詳細に説明されない。
イオン化装置300は、プラズマからの光が伝えられるアパーチャに隣接して配置された第1のプラズマ偏向装置305を含む。第1のプラズマ偏向装置305は、第1の偏向電極306及び第2の偏向電極307を含む。また、イオン化装置300は、第1の加速電極309及び第2の加速電極310を含む第1の電子加速装置308も含む。オプションの第2のプラズマ源304が実装される場合、図示されたように偏向電極および加速電極の個々のセットを有する第2のプラズマ偏向装置311及び第2の電子加速装置312が設けられる。
第1のプラズマ偏向装置305の第1及び第2の偏向電極306、307は、電源(例えば、電源106)のような時間依存性電圧源に選択的に接続される。同様に、第1の電子加速装置308の第1及び第2の加速電極309、310は、電源(例えば、電源106)のような静的(DC)電圧源に選択的に接続される。図2に関連して上述されたものと類似した態様で、コントローラ(例えば、コントローラ105)が、時間依存性電圧および静的電圧の選択的な印加を行う。そういうものだから、第1のプラズマ偏向装置305は、最大電圧(例えば、+V)及び最小電圧(例えば、0V)を有する時間依存性電圧を印加するように構成された時間依存性電圧源に接続される。同様に、第1の電子加速装置308は、電圧(例えば、−V)を提供する静的(DC)電圧源に接続される。
代表的な実施形態において、供給される時間依存性電圧は、最小電圧(例えば、0V)と最大電圧(例えば、+V)を備える方形波を近似する。より詳細に上述されたように、電圧は、第1の電界(図3に示された座標系のx方向)及び第2の電界(図3に示された座標系の−y方向)を選択的に確立するために、第1及び第2の偏向電極306、307に及び第1及び第2の加速電極309、310に選択的に印加される。
第1及び第2の偏向電極306、307に及び第1及び第2の加速電極309、310に時間依存性電圧を選択的に印加することは、イオン化領域313から離れる電子の選択的な偏向、又はイオン化領域313の方への電子の加速という結果になる。そういうものだから、イオン化装置300は、PI装置(偏向される電子)又はEI/PI装置(加速される電子)として機能するように構成される。
図3に示されていないけれども、本教示は、イオン化領域313に電子を閉じ込めることに役立つ磁界を組み込むことを企図する。例えば、このオプションの磁界は、イオン化領域313に隣接して配置された稀土類永久磁石のような永久磁石の選択的な配置により確立され得る。
イオン化後、被分析物のイオンが、イオン光学系314により出口315の方へ向けられて質量分析器(図3に示されない)に送られる。
図4は、イオン化領域の試料ガスをイオン化源に曝露する方法400の流れ図を示す。方法400は、図1〜図3に関連して説明された代表的な実施形態に従ってイオン化装置を用いて実施され得る。401において、方法は、光、プラズマイオン及びプラズマ電子を含むプラズマを生成することを含む。402において、方法は、偏向装置と加速装置との間に第1の電界を確立することを含む。第1の電界は実質的に、プラズマ電子およびプラズマイオンがイオン化領域に入ることを阻止する。403において、方法は、プラズマ電子をイオン化領域の方へ加速し且つプラズマイオンがイオン化領域に入ることを実質的に阻止するための第2の時間間隔中に、偏向装置と加速装置との間に第2の電界を確立することを含む。404において、方法は、試料ガスをイオン化領域へ送ることを含む。
本明細書において、代表的な実施形態が開示されたが、当業者には理解されるように、本教示に従っている多くの変形形態は可能であり、添付された特許請求の範囲の範囲内にある。従って、本発明は、添付された特許請求の範囲の範囲内を除いて制限されるべきでない。

Claims (20)

  1. イオン化装置であって、
    光、プラズマイオン、及びプラズマ電子を含むプラズマを生成するように構成されたプラズマ源と、
    前記プラズマ源とイオン化領域との間に配置されたプラズマ偏向装置と、
    前記プラズマ源と前記イオン化領域との間に配置された電子加速装置とを含み、前記プラズマ偏向装置および前記電子加速装置が、第1の時間間隔中に第1の電界を確立し、第2の時間間隔中に第2の電界を確立するように構成されており、前記第1の電界は実質的に、前記光が前記イオン化領域に到達することを可能にすると同時に、プラズマ電子およびプラズマイオンが前記イオン化領域に入ることを阻止し、前記第2の電界は実質的に、前記光が前記イオン化領域に到達することを可能にすると同時に、プラズマイオンが前記イオン化領域に入ることを阻止する、イオン化装置。
  2. 前記第1の電界が、前記プラズマ源と前記イオン化領域との間の軸に実質的に直交している、請求項1に記載のイオン化装置。
  3. 前記第2の電界が、前記プラズマ源と前記イオン化領域との間の軸に実質的に平行である、請求項1に記載のイオン化装置。
  4. 前記プラズマ偏向装置に時間依存性電圧を印加するための手段と、前記電子加速装置に直流(DC)電圧を印加するための手段とを更に含む、請求項1に記載のイオン化装置。
  5. 前記時間依存性電圧がほぼ、前記第1の時間間隔と前記第2の時間間隔の合計に実質的に等しい周期を有する方形波電圧である、請求項4に記載のイオン化装置。
  6. 前記第1の時間間隔の持続時間が、前記第2の時間間隔の持続時間とほぼ同じである、請求項5に記載のイオン化装置。
  7. 前記イオン化装置が前記第1の時間間隔中にPIモードで動作し、前記第2の時間間隔中にEI/PIモードで動作する、請求項5に記載のイオン化装置。
  8. 前記プラズマ偏向装置が、前記プラズマ源と前記イオン化領域との間に配置され、前記電子加速装置が、前記プラズマ偏向装置と前記イオン化領域との間に配置される、請求項1に記載のイオン化装置。
  9. 前記電子加速装置が、前記プラズマ源と前記イオン化領域との間に配置され、前記プラズマ偏向装置が、前記電子加速装置と前記イオン化領域との間に配置される、請求項1に記載のイオン化装置。
  10. 質量分析器、検出器およびイオン源を含む質量分析計であって、前記イオン源が請求項1に記載のイオン化装置を含む、質量分析計。
  11. 前記第1の時間間隔中の光イオン化データの収集、並びに前記第2の時間間隔中の光イオン化データ及び電子衝撃イオン化データの収集を調整するように構成されたコントローラを更に含む、請求項10に記載の質量分析計。
  12. 前記コントローラと、前記プラズマ偏向装置および前記電子加速装置との間に選択的に接続される電源を更に含み、前記電源が、前記第1の電界および前記第2の電界を生成するために前記プラズマ偏向装置および前記電子加速装置に電圧を印加するように構成されている、請求項11に記載の質量分析計。
  13. 前記電源が、前記プラズマ偏向装置に時間依存性電圧を印加し、前記電子加速装置に直流(DC)電圧を印加するように構成されている、請求項12に記載の質量分析計。
  14. イオン化領域の試料ガスをイオン化源に曝露する方法であって、
    光、プラズマイオン、及びプラズマ電子を含むプラズマを生成し、
    前記光が前記イオン化領域に到達することを可能にすると同時に、プラズマ電子およびプラズマイオンが前記イオン化領域に入ることを実質的に阻止するための第1の電界を第1の時間間隔中に確立し、
    前記プラズマ電子を前記イオン化領域の方へ加速し、且つ前記光が前記イオン化領域に到達することを可能にすると同時に、プラズマイオンが前記イオン化領域に入ることを実質的に阻止するための第2の電界を第2の時間間隔中に確立し、
    前記試料ガスを前記イオン化領域に送ることを含む、方法。
  15. 前記第1の電界が、対称軸に実質的に直交している、請求項14に記載の方法。
  16. 前記第2の電界が、対称軸に実質的に平行である、請求項14に記載の方法。
  17. 前記第1の電界を確立することが、時間依存性電圧を印加することを含む、請求項14に記載の方法。
  18. 前記第2の電界を確立することが、直流(DC)電圧を印加することを含む、請求項17に記載の方法。
  19. 前記方法が、
    前記第1の時間間隔中での光イオン化データの収集を調整することを更に含む、請求項14に記載の方法。
  20. 前記方法が、
    前記第2の時間間隔中での光イオン化データ及び電子衝撃イオン化データの収集を調整することを更に含む、請求項19に記載の方法。
JP2014544737A 2011-11-30 2012-10-19 イオン化装置 Active JP6141861B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/307,641 2011-11-30
US13/307,641 US8410704B1 (en) 2011-11-30 2011-11-30 Ionization device
PCT/US2012/060996 WO2013081738A1 (en) 2011-11-30 2012-10-19 Ionization device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015501068A JP2015501068A (ja) 2015-01-08
JP6141861B2 true JP6141861B2 (ja) 2017-06-07

Family

ID=47989788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014544737A Active JP6141861B2 (ja) 2011-11-30 2012-10-19 イオン化装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8410704B1 (ja)
JP (1) JP6141861B2 (ja)
CN (1) CN103959427B (ja)
DE (1) DE112012004981B4 (ja)
WO (1) WO2013081738A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2428796B1 (de) * 2010-09-09 2015-03-18 Airsense Analytics GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Ionisierung und Identifizierung von Gasen mittels UV-Strahlung und Elektronen
JP6076838B2 (ja) * 2013-05-31 2017-02-08 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 絶縁構造及び絶縁方法
US9214318B1 (en) 2014-07-25 2015-12-15 International Business Machines Corporation Electromagnetic electron reflector
CN104241077B (zh) * 2014-08-06 2016-09-07 四川大学 磁场约束的常压微辉光放电解吸质谱离子源及质谱分析器
JP7353048B2 (ja) * 2019-03-20 2023-09-29 住友重機械工業株式会社 射出成形機

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8917570D0 (en) * 1989-08-01 1989-09-13 Vg Instr Group Plasma source mass spectrometry
JP2822249B2 (ja) * 1990-01-11 1998-11-11 東京エレクトロン株式会社 イオン源
JP3066783B2 (ja) * 1992-11-16 2000-07-17 東京エレクトロン株式会社 電極材料及びそれを用いたプラズマ処理装置
JP3188794B2 (ja) * 1993-09-10 2001-07-16 セイコーインスツルメンツ株式会社 プラズマイオン源質量分析装置
JP2817625B2 (ja) * 1994-06-16 1998-10-30 株式会社島津製作所 プラズマ質量分析装置
JPH09115476A (ja) * 1995-10-19 1997-05-02 Seiko Instr Inc プラズマイオン質量分析装置
JP2000067805A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Hitachi Ltd 質量分析装置
JP2000311650A (ja) * 1999-02-26 2000-11-07 Hitachi Ltd プラズマイオン源質量分析装置
JP4186889B2 (ja) * 1999-04-15 2008-11-26 株式会社日立製作所 質量分析装置
US7274015B2 (en) * 2001-08-08 2007-09-25 Sionex Corporation Capacitive discharge plasma ion source
US6806651B1 (en) * 2003-04-22 2004-10-19 Zond, Inc. High-density plasma source
EP1656688A2 (en) * 2003-07-17 2006-05-17 Sionex Corporation Method and apparatus for plasma generation
US7750575B2 (en) * 2004-04-07 2010-07-06 Zond, Inc. High density plasma source
KR20070070468A (ko) * 2005-12-29 2007-07-04 매그나칩 반도체 유한회사 이온 주입 장치 및 그를 이용한 이온 주입 방법
JP4825028B2 (ja) * 2006-03-17 2011-11-30 浜松ホトニクス株式会社 イオン化装置
JP4958258B2 (ja) * 2006-03-17 2012-06-20 株式会社リガク ガス分析装置
US20110109226A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Agilent Technologies, Inc. Microplasma device with cavity for vacuum ultraviolet irradiation of gases and methods of making and using the same
CN102103972B (zh) * 2009-12-18 2012-07-04 中国科学院大连化学物理研究所 一种真空紫外灯电离装置
US8563924B2 (en) * 2011-06-28 2013-10-22 Agilent Technologies, Inc. Windowless ionization device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013081738A1 (en) 2013-06-06
CN103959427B (zh) 2017-03-08
JP2015501068A (ja) 2015-01-08
US8410704B1 (en) 2013-04-02
DE112012004981T5 (de) 2014-08-28
DE112012004981B4 (de) 2016-08-25
CN103959427A (zh) 2014-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5107263B2 (ja) 質量分析計におけるイオンの断片化
JP6141861B2 (ja) イオン化装置
US7170051B2 (en) Method and apparatus for ion fragmentation in mass spectrometry
EP3234978B1 (en) Ionization device and mass spectrometer therewith
US20080283742A1 (en) Mass Spectrometer
JP6301907B2 (ja) 質量分析/質量分析データを並列取得するための方法および装置
US8637814B2 (en) Molecular ion accelerator
CN1910727A (zh) 用快速振荡电势来限制正负离子
WO2005086742A2 (en) Plasma ion mobility spectrometer
US7397029B2 (en) Method and apparatus for ion fragmentation in mass spectrometry
US8217343B2 (en) Device and method using microplasma array for ionizing samples for mass spectrometry
CN109643632B (zh) 四极装置
WO2008025135A1 (en) Method and apparatus for detecting positively charged and negatively charged ionized particles
JP2007207689A5 (ja)
US7550716B2 (en) Mass spectrometer
WO2014164198A1 (en) Automatic gain control with defocusing lens
JP2002025498A (ja) 四重極質量分析装置
KR20220089616A (ko) 비행시간 기반 잔류가스 분석장치
CN109964121B (zh) 离子化方法和离子化装置、以及成像分析方法和成像分析装置
JP2017045571A (ja) 大気圧イオン化方法
WO2011115015A1 (ja) イオン分子反応イオン化質量分析装置及び分析方法
Große-Kreul Mass spectrometry of ions from atmospheric pressure plasmas
Reitsma Structural dynamics of PAH molecules upon energetic photon or ion interactions

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151005

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160816

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161104

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170508

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6141861

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250