JP6130064B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6130064B2
JP6130064B2 JP2016523374A JP2016523374A JP6130064B2 JP 6130064 B2 JP6130064 B2 JP 6130064B2 JP 2016523374 A JP2016523374 A JP 2016523374A JP 2016523374 A JP2016523374 A JP 2016523374A JP 6130064 B2 JP6130064 B2 JP 6130064B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
green led
green
emitting device
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2016523374A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015182272A1 (ja
Inventor
正樹 近藤
正樹 近藤
智一 名田
智一 名田
幡 俊雄
俊雄 幡
小泉 秀史
秀史 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JPWO2015182272A1 publication Critical patent/JPWO2015182272A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6130064B2 publication Critical patent/JP6130064B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires

Description

本発明は、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)チップを用いた発光装置に関する。
特許文献1には、R(赤)G(緑)B(青)の基本色を発光する画像表示装置用の発光単位ブロックであって、赤色系発光ダイオード素子と、青色系発光ダイオード素子と、少なくとも1つの黄緑色系発光ダイオード素子と、少なくとも1つの青緑色系発光ダイオード素子とを備え、前記各発光ダイオード素子は互いに近接して配置されている発光単位ブロックが開示されている。
これに対し、従来、特許文献1に係る発光ダイオード素子1つに相当する部材でありながら様々な色の発光を行う、LEDチップを用いたマルチカラー発光装置の開発が進められている。特に、色の再現範囲を大きく広げることができる装飾用あるいは照明器具用の発光装置の開発が進められている。
このような発光装置の一例として、特許文献2には、表示装置の色再現性を高めることが記載され、青色発光素子と緑色発光素子と赤色発光蛍光体とを組み合わせた発光モジュールが開示されている。
日本国公開特許公報「特開平10−161567号公報(1998年6月19日公開)」 日本国公開特許公報「特開2012−69572号公報(2012年4月5日公開)」
発光装置の緑色LEDチップは一般的に、単色発光時の緑色発色と、赤色および緑色発光による黄色発色とを両立させるため、ドミナント波長範囲が520nm〜530nmとされている。しかしながら、この緑色LEDチップが発する光の色純度はあまり良好でなく、これにより、青色および緑色発光(混色)による青緑色の光、および赤色および緑色発光(混色)による黄色または黄緑色の光の色純度があまり良好でないという問題が発生する。
本発明は、上記の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、青緑色の光と黄色または黄緑色の光との色純度を向上させることを可能とする発光装置を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、少なくとも青緑色の光と黄色または黄緑色の光とを発する発光装置であって、基板と、上記基板の主表面の側に配された、複数のLEDチップからなるLEDチップ群と、上記LEDチップ群を一括封止する封止部とを備えており、上記LEDチップ群は、第1緑色LEDチップおよび第2緑色LEDチップを含む少なくとも2個の緑色LEDチップと、少なくとも1個の青色LEDチップと、少なくとも1個の赤色LEDチップとを含み、上記第1緑色LEDチップのドミナント波長は、上記第2緑色LEDチップのドミナント波長より短く、上記第1緑色LEDチップが、上記少なくとも1個の青色LEDチップのうちの少なくとも1個に隣接して配されており、上記第2緑色LEDチップが、上記少なくとも1個の赤色LEDチップのうちの少なくとも1個に隣接して配されており、上記発光装置の上面視において互いに直交する垂直方向および水平方向を規定した場合、(A)上記垂直方向に見たとき、上記第2緑色LEDチップの指向特性と上記赤色LEDチップの指向特性とがほぼ一致していると共に、上記青色LEDチップの指向特性と上記第1緑色LEDチップの指向特性とがほぼ一致しており、かつ、(B)上記水平方向に見たとき、上記赤色LEDチップの指向特性と上記第1緑色LEDチップの指向特性とがほぼ一致していると共に、上記第2緑色LEDチップの指向特性と上記青色LEDチップの指向特性とがほぼ一致しているまたは、(C)上記垂直方向に見たとき、上記第2緑色LEDチップおよび上記第1緑色LEDチップの混色指向特性と上記赤色LEDチップの指向特性と上記青色LEDチップの指向特性とがほぼ一致しており、かつ、(D)上記水平方向に見たとき、上記第2緑色LEDチップの指向特性と上記第1緑色LEDチップの指向特性とがほぼ一致していることを特徴としている。
本発明の一態様によれば、青緑色の光と黄色または黄緑色の光との色純度を向上させることが可能となる。
本発明の実施の形態1に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。 本発明の実施の形態1に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部を図示した図である。 図2に示す発光装置の上面図と、その主要部のA−A´概略断面図とを対比した図である。 発光装置から得られる光の色の再現範囲を示す色度図である。 本発明の実施の形態2に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。 本発明の実施の形態3に係る通常例の発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。 本発明の実施の形態3に係る変形例の発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。 本発明の実施の形態4に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。 図1に示す発光装置の裏面の平面図である。 本発明の実施の形態5に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。 図10に示す発光装置の出射角度に対する光強度の関係を示すグラフであり、(a)は同発光装置を垂直方向に見たときの特性、(b)は同発光装置を水平方向に見たときの特性である。 本発明の実施の形態6に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。 図12に示す発光装置の出射角度に対する光強度の関係を示すグラフであり、(a)は同発光装置を垂直方向に見たときの特性、(b)は同発光装置を水平方向に見たときの特性である。
〔発明の概要〕
複数のLEDチップ単独で、混色および色純度を良好にし、色の再現範囲を大きく広げることを可能とするマルチカラー発光装置を提供する。
RGBのLEDチップを有するマルチカラー発光装置において、第1緑色LEDチップおよび第2緑色LEDチップを含む少なくとも2個の緑色LEDチップと青色LEDチップと赤色LEDチップとを1つのパッケージに搭載し、第1緑色LEDチップのドミナント波長を第2緑色LEDチップのドミナント波長より相対的に短波長とする。また、第1緑色LEDチップのドミナント波長を480nm以上520nm以下とし、第2緑色LEDチップのドミナント波長を530nm以上560nm以下とし、青色LEDチップのドミナント波長を460nm以上480nm以下とし、赤色LEDチップのドミナント波長を610nm以上630nm以下とするのが好ましい。ただし、黄色LEDチップを併用する場合、第2緑色LEDチップのドミナント波長が520nm以上560nm以下であるケースも考えられる。これにより、青緑色の光および黄色または黄緑色の光の色純度を向上させることができるため、色純度が良好なマルチカラー発光装置が実現可能となる。
さらに、青色LEDチップと第1緑色LEDチップとを隣接させて搭載することにより、混色された青緑色の色合いが良好となる。また、赤色LEDチップと第2緑色LEDチップとを隣接させて搭載することにより、混色された黄色または黄緑色の色合いが良好となる。
緑色領域の最長波長緑色LEDチップのドミナント波長と、それ以外の緑色LEDチップのドミナント波長との差が20nm以上あるのが好ましい。
CIE色度図におけるxy色度座標上において、緑色領域の最長波長緑色LEDチップのxの値と、それ以外の緑色LEDチップのxの値との差が0.06以上あるのが好ましい。
〔実施の形態1〕
図1は、本実施の形態に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。
図2は、本実施の形態に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部を図示した図である。
図3は、図2に示す発光装置の上面図と、その主要部のA−A´概略断面図とを対比した図である。
図1〜図3に示す発光装置100は、少なくとも青緑色の光と黄色または黄緑色の光とを発するマルチカラー発光装置である。
発光装置100は、樹脂製リフレクタ70を備えている。樹脂製リフレクタ70は、光を反射するものである。
また、発光装置100は、カソード用アウターリードおよびアノード用アウターリードを含む6個のアウターリード部90と、インナーリード部60と、共通インナーリード部62と、開口部80と、アノードマーク95とを備えている。
さらに、発光装置100は、緑色LEDチップ(第1緑色LEDチップ)GB、緑色LEDチップ(第2緑色LEDチップ)GY、青色LEDチップB、赤色LEDチップR、基板51、および封止樹脂部(封止部)50を備えている。
緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRは、樹脂製リフレクタ70に囲われているLEDチップ群である。また、基板51は、例えば図3に示すとおり樹脂製リフレクタ70の一部であり、その一方の面の側(基板51の主表面の側)に、緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRが配されている。緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRは、四角形状(ここでは矩形)をなすように配されており、発光装置100では、右回りに、緑色LEDチップGY、赤色LEDチップR、青色LEDチップB、緑色LEDチップGBの順で配されている。そして、緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRは、図2に示すとおり、1つの封止樹脂部50により一括封止されている。
具体的には、開口部80の内側に、緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRが配されている。また、開口部80の内側には、インナーリード部60および共通インナーリード部62が形成されている。
インナーリード部60は、LEDチップの総数以上(図1では5個、図8では4個)のチップ搭載領域を有している。また、緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRは、各々同一の共通インナーリード部62と、インナーリード部60の各々対応する(異なる)チップ搭載領域とに接続されている。これらの各接続は、ボンディングワイヤ40によって行われている。インナーリード部60の各チップ搭載領域および共通インナーリード部62は、対応する1個のアウターリード部90に接続されている。
発光装置100の上面視において、発光装置100の寸法は、3.2mm×3.5mmとなっている。
ここで、緑色LEDチップGBのドミナント波長は、緑色LEDチップGYのドミナント波長より短い。ドミナント波長とは、LEDをはじめとする発光素子の光を人間の目で見た色目を数値化した波長を意味する。
より具体的には、緑色LEDチップGBのドミナント波長が、480nm以上520nm以下であり、緑色LEDチップGYのドミナント波長が、530nm以上560nm以下であるのが好ましい。例えば、緑色LEDチップGBのドミナント波長は504nm、緑色LEDチップGYのドミナント波長は538nmまたは540nmとすることができる。これらの場合さらに、最もドミナント波長が長い緑色LEDチップGYのドミナント波長は、他の各緑色LEDチップ(ここでは、緑色LEDチップGBのみ)のドミナント波長より20nm以上長い。また、例えば、青色LEDチップBのドミナント波長は465nmとすることができる。また、例えば、赤色LEDチップRのドミナント波長は626nmとすることができる。
緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRは、基板51の主表面のできるだけ中央に集めるのが好ましい。特に、発光装置100では、緑色LEDチップGBが、青色LEDチップBに隣接して配されており、緑色LEDチップGYが、赤色LEDチップRに隣接して配されている。一方、緑色LEDチップGBおよび青色LEDチップBのいずれかと緑色LEDチップGYおよび赤色LEDチップRのいずれかとの離間距離は、緑色LEDチップGBと青色LEDチップBとの離間距離および緑色LEDチップGYと赤色LEDチップRとの離間距離の両方より大きくてもよい。
緑色LEDチップGBを青色LEDチップBに隣接して配することにより、発光装置100では、緑色の光と青色の光とがより良好に混色され、さらに色純度の高い青緑色の光を実現することができる。また、緑色LEDチップGYを赤色LEDチップRに隣接して配することにより、発光装置100では、緑色の光と赤色の光とがより良好に混色され、さらに色純度の高い黄色または黄緑色の光を実現することができる。
次に、発光装置100の製造工程の概略を説明する。
まず、緑色LEDチップGB(ドミナント波長504nm)、緑色LEDチップGY(ドミナント波長538nm)、青色LEDチップB(ドミナント波長465nm)、および赤色LEDチップR(ドミナント波長626nm)を1個ずつ用意し、これらを接着用シリコーン樹脂により、基板51の主表面の側に設けられた、インナーリード部60の各チップ搭載領域に固定した。接着用シリコーン樹脂は、150℃で5時間硬化させた。
次に、緑色LEDチップGBを、ボンディングワイヤ40によって、共通インナーリード部62およびインナーリード部60の対応するチップ搭載領域に接続する。緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRについても同様の接続を行う。このとき、共通インナーリード部62はカソードとして、インナーリード部60の各チップ搭載領域はアノードとして機能する。
次に、開口部80にシリコーン樹脂を注入し、封止樹脂部50を形成する。注入するシリコーン樹脂は、最初は100℃で1時間硬化させた後、150℃で5時間硬化させた。
図4は、発光装置から得られる光の色の再現範囲を示す色度図である。図4に示す色度図では、一般的なCIE色度図に発光装置の各LEDチップが発する光による色度をプロットしている。
緑色LEDチップGBが発する光による色度を示す点GBと、緑色LEDチップGYが発する光による色度を示す点GYと、青色LEDチップBが発する光による色度を示す点Bと、赤色LEDチップRが発する光による色度を示す点Rとを頂点とする四角形が、発光装置100が発光できる光の色度範囲となる。一方、通常の緑色LEDチップGが発する光による色度を示す点Gと、点Bと、点Rとを頂点とする三角形が、一般的な発光装置が発光できる光の色度範囲となる。発光装置100は、一般的な発光装置に比べて、青緑色領域(x:0.1、y:0.5あたり)および黄色または黄緑色領域(x:0.25、y:0.65あたり)の色度範囲が広げられていることが分かる。
CIE色度図におけるxy色度座標上において、最もドミナント波長が長い緑色LEDチップGYのxの値と、他の各緑色LEDチップ(ここでは、緑色LEDチップGBのみ)のxの値との差が0.06以上であるのが好ましい。
発光装置100の動作の一例として、青色LEDチップBおよび赤色LEDチップRの動作電流を20mA(ミリアンペア)とし、緑色LEDチップGBおよび緑色LEDチップGYの動作電流を10mAとすることが考えられる。
発光装置100は、少なくとも1つのLEDチップを保護する、少なくとも1つの保護素子を備えていてもよい。該保護素子の一例としては、印刷抵抗またはツェナーダイオードが挙げられる。
〔実施の形態2〕
図5は、本実施の形態に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。なお、説明の便宜上、以下の各実施の形態においては、上記いずれかの実施の形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材について、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図5に示す発光装置200は、下記の点が、図1に示す発光装置100と異なり、それ以外の点は、図1に示す発光装置100と実質同一である。
すなわち、発光装置200は、緑色LEDチップGBを備えておらず、かわりに緑色LEDチップ(第1緑色LEDチップ)BTを備えている。また、発光装置200は、緑色LEDチップGYの位置と、赤色LEDチップRの位置とが、発光装置100とは反対になっている。この結果、緑色LEDチップBTと緑色LEDチップGYとが対角に配されており、青色LEDチップBと赤色LEDチップRとが対角に配されている。
緑色LEDチップBTのドミナント波長は、緑色LEDチップGYのドミナント波長より短く、また、好ましくは480nm以上520nm以下である。例えば、緑色LEDチップBTのドミナント波長は498nmとすることができる。これらの場合さらに、最もドミナント波長が長い緑色LEDチップGYのドミナント波長は、他の各緑色LEDチップ(ここでは、緑色LEDチップBTのみ)のドミナント波長より20nm以上長い。
緑色LEDチップBT(ドミナント波長498nm)を接着用シリコーン樹脂により、基板51の主表面の側に設けられた、インナーリード部60の対応するチップ搭載領域に固定した。接着用シリコーン樹脂は、150℃で5時間硬化させた。
緑色LEDチップBTについても、緑色LEDチップGBと同様に、ボンディングワイヤ40によって、共通インナーリード部62およびインナーリード部60の対応するチップ搭載領域に接続する。
図4を参照すると、緑色LEDチップBTが発する光による色度を示す点BTと、点GYと、点Bと、点Rとを頂点とする四角形が、発光装置200が発光できる光の色度範囲となる。発光装置200は、一般的な発光装置に比べて、青緑色領域および黄色または黄緑色領域の色度範囲が広げられていることが分かる。
CIE色度図におけるxy色度座標上において、最もドミナント波長が長い緑色LEDチップGYのxの値と、他の各緑色LEDチップ(ここでは、緑色LEDチップBTのみ)のxの値との差が0.06以上であるのが好ましい。
緑色LEDチップBTと緑色LEDチップGYとが対角に配し、青色LEDチップBと赤色LEDチップRとが対角に配しても、青緑色および黄色または黄緑色の色合いが良好となる。
発光装置200は、少なくとも1つのLEDチップを保護する、少なくとも1つの保護素子を備えていてもよい。該保護素子の一例としては、印刷抵抗またはツェナーダイオードが挙げられる。
〔実施の形態3〕
図6は、本実施の形態に係る通常例の発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。
図6に示す発光装置300は、下記の点が、図1に示す発光装置100と異なり、それ以外の点は、図1に示す発光装置100と実質同一である。
すなわち、発光装置300は、緑色LEDチップGをさらに備えている。
緑色LEDチップGは、一般的な発光装置において使用されている緑色LEDチップであり、そのドミナント波長は、520nm以上530nm以下(例えば、525nm)である。
緑色LEDチップG(ドミナント波長525nm)を接着用シリコーン樹脂により、基板51の主表面の側に設けられた、インナーリード部60の対応するチップ搭載領域に固定した。接着用シリコーン樹脂は、150℃で5時間硬化させた。
緑色LEDチップGについても、緑色LEDチップGBと同様に、ボンディングワイヤ40によって、共通インナーリード部62およびインナーリード部60の対応するチップ搭載領域に接続する。
図7は、本実施の形態に係る変形例の発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。
図7に示す発光装置350は、下記の点が、図6に示す発光装置300と異なり、それ以外の点は、図6に示す発光装置300と実質同一である。
すなわち、発光装置350は、緑色LEDチップGBの位置と、青色LEDチップBの位置とが、また、緑色LEDチップGYの位置と、赤色LEDチップRの位置とが、発光装置300とは反対になっている。
図4を参照すると、点GBと、点GYと、点Bと、点Rと、緑色LEDチップGが発する光による色度を示す点Gとを頂点とする五角形が、発光装置300および発光装置350が発光できる光の色度範囲となる。発光装置300および発光装置350はいずれも、一般的な発光装置に比べて、青緑色領域および黄色または黄緑色領域の色度範囲が広げられていることが分かる。
緑色LEDチップGをさらに設けることにより、照明の際に、物の色の見え方をより自然にすることができる。但し、緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRを1つの発光のグループとして考えた場合、緑色LEDチップGが発する光の色純度は、該グループが発する光の色純度に比べて若干劣る。このため、緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRを四角形状をなすように配する場合、緑色LEDチップGは、図6および図7に示すとおり、該四角形状の外側に配するのが好ましい。
発光装置300および発光装置350はいずれも、少なくとも1つのLEDチップを保護する、少なくとも1つの保護素子を備えていてもよい。該保護素子の一例としては、印刷抵抗またはツェナーダイオードが挙げられる。
〔各LEDチップの特性例〕
表1として、緑色LEDチップGBおよび緑色LEDチップGYの特性を表に示した。なお、表1中、「λd」はドミナント波長、「CIE_x」はCIE色度図におけるxy色度座標上のxの値、「CIE_y」は同座標上のyの値である。
表2および表3として、各実施の形態で使用した各LEDチップの特性を表に示した。なお、表2中、チップサイズの「t」はLEDチップの高さ(単位:μm)である。また、表3中、緑色LEDチップBPおよび緑色LEDチップBRについては、上述した各実施の形態において言及こそされていないが、図4に、緑色LEDチップBPが発する光による色度を示す点BP、および緑色LEDチップBRが発する光による色度を示す点BRを示した。
なお、表1〜表3に示す特性は、あくまでも一例であることに注意されたい。
〔実施の形態4〕
図8は、本実施の形態に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。
図8に示す発光装置400は、下記の点が、図1に示す発光装置100と異なり、それ以外の点は、図1に示す発光装置100と実質同一である。
すなわち、発光装置400は、インナーリード部60および共通インナーリード部62を備えておらず、かわりにインナーリード部65および共通インナーリード部67を備えている。また、発光装置400のアウターリード部90の数は、発光装置100のアウターリード部90の数より2個少ない4個となっている。一方、発光装置400は、図8の紙面右上に、アウターリード部90よりサイズの大きいアウターリード部96を備えている。また、発光装置400では、右回りに、青色LEDチップB、緑色LEDチップGY、赤色LEDチップR、緑色LEDチップGBの順で配されている。
共通インナーリード部67は、T字の形状を有している。インナーリード部60のチップ搭載領域の数は5個であったが、インナーリード部65のチップ搭載領域の数は4個である。図8の紙面右上のチップ搭載領域が、アウターリード部96に接続されている。
発光装置400では、青色LEDチップBの放熱性を考慮して、青色LEDチップBがアウターリード部96に接続される構成となっている。緑色LEDチップGYと緑色LEDチップGBとは、対角に配されている。これにより、発光装置400では、高い放熱性を実現することができる。
発光装置400に示すように、インナーリード部、共通インナーリード部、およびアウターリードの構成は、発光装置100に示すものに限定されない。
発光装置400は、少なくとも1つのLEDチップを保護する、少なくとも1つの保護素子を備えていてもよい。該保護素子の一例としては、印刷抵抗またはツェナーダイオードが挙げられる。
なお、LEDチップ群を構成するLEDチップの数は、発光装置100等のように4個であってもよいし、発光装置300等のように5個であってもよいし、6個以上であってもよい。換言すれば、緑色LEDチップ、青色LEDチップ、および赤色LEDチップの少なくとも1つの数を増やしてもよい。但し、LEDチップ群を構成するLEDチップの数が多すぎると、高コスト化につながるため、注意が必要である。
〔発光装置の裏面について〕
図9は、図1に示す発光装置100の裏面100´の平面図である。なお、説明を分かりやすくするため、本来図9では目視できない、図1に示された基板51の主表面上の各部材を破線で示している。
隣接する各LEDチップから発光される光の混色による色純度を向上させるため、さらに、色の再現範囲を広げるため、発光装置100の裏面100´に貫通孔75を設けることでインナーリード部60の高さのずれを抑制する必要がある。
貫通孔75は、インナーリード部60のチップ搭載領域毎に対応して設けられており、樹脂性リフレクタ70を貫通し、対応するチップ搭載領域の裏面に到達している。貫通孔75は、インナーリード部60の上面の高さを揃え、インナーリード部60の高さのずれを防止するために設けられている。
発光装置100にはLEDチップが複数設けられるため、インナーリード部60の上面の高さが揃っていると、ダイボンド不良を低減することが容易となる。また、緑色LEDチップGB、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および赤色LEDチップRは、共通インナーリード部62へ共通にワイヤボンディングされているが、これによってもボンディング不良を低減することが容易となる。この構成は、インナーリード部60が複数のチップ搭載領域を有している(ワイヤボンディング箇所が多くなる)場合に都合がよい。この構成により、発光装置100では、隣接する各LEDチップから発光される光の混色による色純度が向上し、さらに、色の再現範囲を広げることが可能となる。
もちろん、発光装置200、300、350、400、500(後述)、600(後述)の裏面に貫通孔75を設けてもよい。
〔実施の形態5〕
図10は、本実施の形態に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。
図10に示す発光装置500は、下記の点が、図1に示す発光装置100と異なり、それ以外の点は、図1に示す発光装置100と実質同一である。
すなわち、発光装置500は、共通インナーリード部62を備えておらず、かわりにインナーリード部62aおよび62bを備えている。インナーリード部62aおよび62bはそれぞれ、共通インナーリード部62と同様に、カソードとして機能する。また、発光装置500では、右回りに、赤色LEDチップR、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、緑色LEDチップGBの順で配されている。そして、インナーリード部62aには赤色LEDチップRおよび緑色LEDチップGBが、インナーリード部62bには緑色LEDチップGYおよび青色LEDチップBが、それぞれボンディングワイヤ40によって接続されている。
赤色LEDチップR、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および緑色LEDチップGBは、基板51の主表面側の中央付近に、互いにできるだけ近接するように配されている。これにより、発光装置500では、図10にて定義されている垂直方向および水平方向に見たときの、赤色LEDチップRの指向特性、緑色LEDチップGYの指向特性、青色LEDチップBの指向特性、および緑色LEDチップGBの指向特性をできるだけ一致させている。指向特性とは、発光装置の出射角度に対する光強度の関係を意味している。
図11の(a)は、発光装置500の出射角度に対する光強度の関係を示すグラフであり、発光装置500を垂直方向に見たときの特性である。図11の(b)は、発光装置500の出射角度に対する光強度の関係を示すグラフであり、発光装置500を水平方向に見たときの特性である。
図11の(a)のグラフによれば、垂直方向に見たとき、緑色LEDチップGYの指向特性と赤色LEDチップRの指向特性とがほぼ一致していると共に、青色LEDチップBの指向特性と緑色LEDチップGBの指向特性とがほぼ一致している。
また、図11の(b)のグラフによれば、水平方向に見たとき、赤色LEDチップRの指向特性と緑色LEDチップGBの指向特性とがほぼ一致していると共に、緑色LEDチップGYの指向特性と青色LEDチップBの指向特性とがほぼ一致している。
また、発光装置500は、インナーリード部60の各チップ搭載領域に、保護素子としてツェナーダイオード30が設けられている。各ツェナーダイオード30は、導電性ペースト31により、インナーリード部60の対応するチップ搭載領域に搭載されている。また、各ツェナーダイオード30は、インナーリード部62aおよびインナーリード部62bのうち近い方に、ボンディングワイヤ40によって接続されている。
各ツェナーダイオード30は、赤色LEDチップR、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および緑色LEDチップGBの配置により規定される四角形状の外側に配するのが好ましい。なぜなら、各ツェナーダイオード30が光を吸収することに起因して、発光装置500が発光する光の輝度が低下することを抑制するためである。
〔実施の形態6〕
図12は、本実施の形態に係る発光装置の上面図であり、封止樹脂部の図示を省略した図である。
図12に示す発光装置600は、下記の点が、図1に示す発光装置100と異なり、それ以外の点は、図1に示す発光装置100と実質同一である。
すなわち、発光装置600は、共通インナーリード部62を備えておらず、かわりにインナーリード部62aおよび62bを備えている。インナーリード部62aおよび62bはそれぞれ、共通インナーリード部62と同様に、カソードとして機能する。また、発光装置600では、右回りに、赤色LEDチップR、緑色LEDチップGB、青色LEDチップB、緑色LEDチップGYの順で配されている。そして、インナーリード部62aには赤色LEDチップRおよび緑色LEDチップGYが、インナーリード部62bには緑色LEDチップGBおよび青色LEDチップBが、それぞれボンディングワイヤ40によって接続されている。
赤色LEDチップR、緑色LEDチップGY、青色LEDチップB、および緑色LEDチップGBは、基板51の主表面側の中央付近に、互いにできるだけ近接するように配されている。これにより、発光装置600では、図12にて定義されている垂直方向および水平方向に見たときの、赤色LEDチップRの指向特性、緑色LEDチップGYの指向特性、青色LEDチップBの指向特性、および緑色LEDチップGBの指向特性をできるだけ一致させている。
さらに、発光装置100では、赤色LEDチップR、緑色LEDチップGB、青色LEDチップB、および緑色LEDチップGYが矩形をなすように配されていたが、発光装置600では、これらがひし形をなすように配されている。
図13の(a)は、発光装置600の出射角度に対する光強度の関係を示すグラフであり、発光装置600を垂直方向に見たときの特性である。図13の(b)は、発光装置600の出射角度に対する光強度の関係を示すグラフであり、発光装置600を水平方向に見たときの特性である。
図13の(a)のグラフによれば、垂直方向に見たとき、緑色LEDチップGYおよび緑色LEDチップGBの混色指向特性と赤色LEDチップRの指向特性と青色LEDチップBの指向特性とがほぼ一致している。
また、図13の(b)のグラフによれば、水平方向に見たとき、緑色LEDチップGYの指向特性と緑色LEDチップGBの指向特性とがほぼ一致している。また、青色LEDチップBの指向特性および赤色LEDチップRの指向特性についても、緑色LEDチップGYの指向特性および緑色LEDチップGBの指向特性と大きな差が無い。
〔付記事項〕
第2緑色LEDチップを黄色LEDチップと組み合わせて使用する場合も考えられる。この場合、第2緑色LEDチップのドミナント波長が520nm以上560nm以下であるケースも考えられる。すなわち、黄色LEDチップを併用する場合、第2緑色LEDチップとして、従来用いられてきた一般的な緑色LEDチップを用いることもできる。
〔まとめ〕
本発明の一態様に係る発光装置は、少なくとも青緑色の光と黄色または黄緑色の光とを発する発光装置であって、基板と、上記基板の主表面の側に配された、複数のLEDチップからなるLEDチップ群と、上記LEDチップ群を一括封止する封止部(封止樹脂部50)とを備えており、上記LEDチップ群は、第1緑色LEDチップ(緑色LEDチップGB、緑色LEDチップBT)および第2緑色LEDチップ(緑色LEDチップGY)を含む少なくとも2個の緑色LEDチップと、少なくとも1個の青色LEDチップと、少なくとも1個の赤色LEDチップとを含み、上記第1緑色LEDチップのドミナント波長は、上記第2緑色LEDチップのドミナント波長より短い。
上記の構成によれば、青緑色領域および黄色または黄緑色領域の色度範囲を広げ、青緑色の光と黄色または黄緑色の光との色純度を向上させることができる。結果、発光装置が発する光の色の再現範囲を大きく広げることができる。
本発明の別の態様に係る発光装置は、上記第1緑色LEDチップが、上記少なくとも1個の青色LEDチップのうちの少なくとも1個に隣接して配されており、上記第2緑色LEDチップが、上記少なくとも1個の赤色LEDチップのうちの少なくとも1個に隣接して配されている。
上記の構成によれば、緑色の光と青色の光とがより良好に混色され、さらに色純度の高い青緑色の光を実現することができる。また、上記の構成によれば、緑色の光と赤色の光とがより良好に混色され、さらに色純度の高い黄色または黄緑色の光を実現することができる。
本発明のさらに別の態様に係る発光装置は、上記第1緑色LEDチップのドミナント波長が、480nm以上520nm以下であり、上記第2緑色LEDチップのドミナント波長が、520nm以上560nm以下である。
本発明のさらに別の態様に係る発光装置は、最もドミナント波長が長い緑色LEDチップのドミナント波長は、他の各緑色LEDチップのドミナント波長より20nm以上長い。
本発明のさらに別の態様に係る発光装置は、CIE色度図におけるxy色度座標上において、最もドミナント波長が長い緑色LEDチップのxの値と、他の各緑色LEDチップのxの値との差が0.06以上である。
本発明のさらに別の態様に係る発光装置は、少なくともRGBのLEDチップを有するマルチカラー発光装置において、第1緑色LEDチップと緑色LEDチップと黄色LEDチップと青色LEDチップと赤色LEDチップとを1つのパッケージに搭載する。また、黄色LEDチップのドミナント波長を580nm以上610nm以下とするのが好ましい。これにより、青緑色の光および黄色の光の色純度を向上させることができるため、色純度が良好なマルチカラー発光装置が実現可能となる。
さらに、青色LEDチップと第1緑色LEDチップとを隣接させて搭載することにより、混色された青緑色の色合いが良好となる。
本発明のさらに別の態様に係る発光装置は、少なくともRGBのLEDチップを有するマルチカラー発光装置において、第2緑色LEDチップと緑色LEDチップと黄色LEDチップと青色LEDチップと赤色LEDチップとを1つのパッケージに搭載する。また、黄色LEDチップのドミナント波長を580nm以上610nm以下とするのが好ましい。これにより、黄緑色の光および黄色の光の色純度を向上させることができるため、色純度が良好なマルチカラー発光装置が実現可能となる。
さらに、赤色LEDチップと第2緑色LEDチップとを隣接させて搭載することにより、混色された黄緑色の色合いが良好となる。
ここで、本発明の実施の形態において、封止樹脂に微粒子シリカ等の拡散剤を混入させることで複数のLEDチップからの発光の混色性をさらに高めることが可能となる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
本発明は、LEDチップを用いた発光装置に利用することができる。
50 封止樹脂部(封止部)
51 基板
100 発光装置
200 発光装置
300 発光装置
350 発光装置
400 発光装置
500 発光装置
600 発光装置
B 青色LEDチップ
BT 緑色LEDチップ(第1緑色LEDチップ)
GB 緑色LEDチップ(第1緑色LEDチップ)
GY 緑色LEDチップ(第2緑色LEDチップ)
R 赤色LEDチップ

Claims (4)

  1. 少なくとも青緑色の光と黄色または黄緑色の光とを発する発光装置であって、
    基板と、
    上記基板の主表面の側に配された、複数のLEDチップからなるLEDチップ群と、
    上記LEDチップ群を一括封止する封止部とを備えており、
    上記LEDチップ群は、
    第1緑色LEDチップおよび第2緑色LEDチップを含む少なくとも2個の緑色LEDチップと、
    少なくとも1個の青色LEDチップと、
    少なくとも1個の赤色LEDチップとを含み、
    上記第1緑色LEDチップのドミナント波長は、上記第2緑色LEDチップのドミナント波長より短く、
    上記第1緑色LEDチップが、上記少なくとも1個の青色LEDチップのうちの少なくとも1個に隣接して配されており、
    上記第2緑色LEDチップが、上記少なくとも1個の赤色LEDチップのうちの少なくとも1個に隣接して配されており、
    上記発光装置の上面視において互いに直交する垂直方向および水平方向を規定した場合、
    (A)上記垂直方向に見たとき、上記第2緑色LEDチップの指向特性と上記赤色LEDチップの指向特性とがほぼ一致していると共に、上記青色LEDチップの指向特性と上記第1緑色LEDチップの指向特性とがほぼ一致しており、かつ、(B)上記水平方向に見たとき、上記赤色LEDチップの指向特性と上記第1緑色LEDチップの指向特性とがほぼ一致していると共に、上記第2緑色LEDチップの指向特性と上記青色LEDチップの指向特性とがほぼ一致している
    または、
    (C)上記垂直方向に見たとき、上記第2緑色LEDチップおよび上記第1緑色LEDチップの混色指向特性と上記赤色LEDチップの指向特性と上記青色LEDチップの指向特性とがほぼ一致しており、かつ、(D)上記水平方向に見たとき、上記第2緑色LEDチップの指向特性と上記第1緑色LEDチップの指向特性とがほぼ一致していることを特徴とする発光装置。
  2. 上記第1緑色LEDチップのドミナント波長が、480nm以上520nm以下であり、
    上記第2緑色LEDチップのドミナント波長が、520nm以上560nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  3. 最もドミナント波長が長い緑色LEDチップのドミナント波長は、他の各緑色LEDチップのドミナント波長より20nm以上長いことを特徴とする請求項2または3に記載の発光装置。
  4. CIE色度図におけるxy色度座標上において、
    最もドミナント波長が長い緑色LEDチップのxの値と、他の各緑色LEDチップのxの値との差が0.06以上であることを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の発光装置。
JP2016523374A 2014-05-30 2015-04-14 発光装置 Expired - Fee Related JP6130064B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014113457 2014-05-30
JP2014113457 2014-05-30
PCT/JP2015/061454 WO2015182272A1 (ja) 2014-05-30 2015-04-14 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015182272A1 JPWO2015182272A1 (ja) 2017-04-20
JP6130064B2 true JP6130064B2 (ja) 2017-05-24

Family

ID=54698613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016523374A Expired - Fee Related JP6130064B2 (ja) 2014-05-30 2015-04-14 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9818731B2 (ja)
JP (1) JP6130064B2 (ja)
CN (1) CN106463583B (ja)
WO (1) WO2015182272A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6606946B2 (ja) * 2015-09-21 2019-11-20 豊田合成株式会社 発光素子
JP6447524B2 (ja) * 2016-01-18 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト
JP6648594B2 (ja) * 2016-03-25 2020-02-14 東芝ライテック株式会社 発光装置、および照明装置
JP7231450B2 (ja) 2019-03-18 2023-03-01 ローム株式会社 半導体発光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230357B2 (ja) 1993-10-29 2001-11-19 豊田合成株式会社 表示装置
JP3124208B2 (ja) 1995-03-30 2001-01-15 株式会社東芝 Led表示器及びled表示システム
JPH10136159A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Citizen Electron Co Ltd カラーイメージスキャナ用光源
JPH10161567A (ja) 1996-12-05 1998-06-19 Matsushita Electron Corp 発光単位ブロック及び発光ダイオード表示装置
JP2001177156A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Koha Co Ltd 側面発光型ledランプ
JP2002082635A (ja) 2000-09-07 2002-03-22 Sharp Corp カラーledディスプレイ装置
JP4263905B2 (ja) 2002-12-11 2009-05-13 パナソニック株式会社 Led光源、led照明装置、およびled表示装置
JP2005321727A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp バックライト装置及びカラー液晶表示装置
JP4542116B2 (ja) 2007-04-20 2010-09-08 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
DE102010012423A1 (de) * 2009-12-21 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Lumineszenzdiodenanordnung, Hinterleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung
JP5410342B2 (ja) * 2010-03-12 2014-02-05 星和電機株式会社 発光装置
JP5799212B2 (ja) 2010-09-21 2015-10-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光モジュール、バックライト装置および表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106463583B (zh) 2019-03-08
WO2015182272A1 (ja) 2015-12-03
US9818731B2 (en) 2017-11-14
US20170047311A1 (en) 2017-02-16
CN106463583A (zh) 2017-02-22
JPWO2015182272A1 (ja) 2017-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8598608B2 (en) Light emitting device
US10153408B2 (en) Light-emitting apparatus and illumination apparatus
JP2012532441A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP6130064B2 (ja) 発光装置
JP6486099B2 (ja) Led発光モジュール
JP7184852B2 (ja) Led照明用実装基板を有する照明装置
JP7179923B2 (ja) 発光装置および調色装置
JP6230392B2 (ja) 発光装置
JP6076796B2 (ja) 半導体発光装置
JP6583203B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
TW201418839A (zh) 背光模組
JP6807686B2 (ja) 発光装置
US20160131313A1 (en) Light emitting device
US9406858B2 (en) LED module
JP2019062058A (ja) 発光装置
KR20130074762A (ko) 발광 장치
JP6681581B2 (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2015233048A (ja) 発光装置
JP2018093151A (ja) 発光装置
JP2020088051A (ja) 発光装置
JP7450462B2 (ja) 発光装置
JP7198147B2 (ja) 発光装置
JP7353814B2 (ja) 発光装置
JP2021019078A (ja) 発光装置
JP3115042U (ja) 発光ダイオード構造

Legal Events

Date Code Title Description
A529 Written submission of copy of amendment under article 34 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211

Effective date: 20160714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170314

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160714

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170412

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6130064

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees