JP6129938B1 - Organic device manufacturing method and organic device substrate - Google Patents

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Abstract

【課題】生産性の向上を図れる有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板を提供する。【解決手段】有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板3上に、一方向において所定の間隔をあけて複数の第1電極層5を形成する第1電極層形成工程S02と、第1電極層5の少なくとも一部上に有機機能層7を形成する有機機能層形成工程S04と、第1電極層5の少なくとも一部上で且つ複数の第1電極層5に跨って、一方向に沿ってマスキングテープMを貼付するマスキングテープ貼付工程S03と、マスキングテープ貼付工程S03の後に、少なくとも有機機能層7上に第2電極層9を形成する第2電極層形成工程S06と、第2電極層形成工程S06の後に、マスキングテープMを剥離する剥離工程S07と、を含む。【選択図】図2An organic device manufacturing method and an organic device substrate capable of improving productivity are provided. A method of manufacturing an organic device includes a first electrode layer forming step S02 in which a plurality of first electrode layers 5 are formed on a support substrate 3 extending in one direction at predetermined intervals in one direction; The organic functional layer forming step S04 for forming the organic functional layer 7 on at least a part of the first electrode layer 5, and on at least a part of the first electrode layer 5 and straddling the plurality of first electrode layers 5, A masking tape applying step S03 for applying the masking tape M along one direction, a second electrode layer forming step S06 for forming the second electrode layer 9 on at least the organic functional layer 7 after the masking tape applying step S03; A peeling step S07 for peeling the masking tape M is included after the second electrode layer forming step S06. [Selection] Figure 2

Description

本発明は、有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板に関する。   The present invention relates to an organic device manufacturing method and an organic device substrate.

従来の有機デバイスの製造方法として、例えば、特許文献1に記載された方法が知られている。特許文献1に記載の有機デバイスの製造方法は、搬送中のシート状基板に対して剥離可能な樹脂を選択的に塗布することによりマスクを形成するマスク形成工程と、マスクを含むシート状基板の全面に所望の薄膜を形成する薄膜形成工程と、マスクをシート状基板から選択的に剥離させることにより薄膜パターンを形成するマスク剥離工程と、を含む。この有機デバイスの製造方法では、マスク形成工程において、シート状基板上にアクリル樹脂等を選択的に塗布(印刷)することによりマスクを形成する。   As a conventional method for manufacturing an organic device, for example, a method described in Patent Document 1 is known. The manufacturing method of the organic device described in Patent Literature 1 includes a mask forming step of forming a mask by selectively applying a peelable resin to a sheet-like substrate being conveyed, and a sheet-like substrate including the mask. It includes a thin film forming process for forming a desired thin film on the entire surface, and a mask peeling process for forming a thin film pattern by selectively peeling the mask from the sheet-like substrate. In this method of manufacturing an organic device, a mask is formed by selectively applying (printing) an acrylic resin or the like on a sheet-like substrate in a mask forming step.

特開2002−367774号公報JP 2002-367774 A

しかしながら、従来の有機デバイスの製造方法では、マスクを塗布(印刷)により形成するため、塗布した樹脂を硬化させる必要がある。そのため、従来の有機デバイスの製造方法では、マスクの形成に時間を要するため、生産性について改善の余地がある。   However, in the conventional method for manufacturing an organic device, since the mask is formed by coating (printing), it is necessary to cure the applied resin. Therefore, in the conventional method for manufacturing an organic device, it takes time to form a mask, so there is room for improvement in productivity.

本発明は、生産性の向上を図れる有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the manufacturing method of the organic device which can aim at the improvement of productivity, and the board | substrate for organic devices.

本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板上に、一方向において所定の間隔をあけて複数の第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、第1電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、第1電極層の少なくとも一部上で且つ複数の第1電極層に跨って、一方向に沿ってマスキングテープを貼付するマスキングテープ貼付工程と、マスキングテープ貼付工程の後に、少なくとも有機機能層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、第2電極層形成工程の後に、マスキングテープを剥離する剥離工程と、を含む。   The organic device manufacturing method according to one aspect of the present invention includes a first electrode layer forming step of forming a plurality of first electrode layers on a support substrate extending in one direction at a predetermined interval in one direction; An organic functional layer forming step of forming an organic functional layer on at least a part of the first electrode layer, and along one direction on at least a part of the first electrode layer and across the plurality of first electrode layers After the masking tape applying step for applying the masking tape, the second electrode layer forming step for forming the second electrode layer on at least the organic functional layer after the masking tape applying step, and the masking tape after the second electrode layer forming step And a peeling step for peeling off.

この有機デバイスの製造方法では、第1電極層の少なくとも一部上で且つ複数の第1電極層に跨って、一方向に沿ってマスキングテープを貼付する。そのため、マスキングテープを一方向に沿って貼付する作業のみにより、複数の第1電極層の一部を覆う(マスクする)ことができる。したがって、有機デバイスの製造方法では、マスクの形成に時間を要しない。その結果、有機デバイスの製造方法では、生産性の向上を図れる。   In this method of manufacturing an organic device, a masking tape is applied along one direction on at least a part of the first electrode layer and across the plurality of first electrode layers. Therefore, a part of the plurality of first electrode layers can be covered (masked) only by an operation of applying the masking tape along one direction. Therefore, in the organic device manufacturing method, it does not take time to form the mask. As a result, the organic device manufacturing method can improve productivity.

一実施形態においては、支持基板は可撓性を有しており、第1電極層形成工程、有機機能層形成工程、マスキングテープ貼付工程、第2電極層形成工程及び剥離工程は、巻出しロールに巻き取られた支持基板から連続的に送り出された支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われてもよい。この場合、いわゆるロールツーロール方式で各工程が実施されることになる。したがって、各工程を効率良く行うことができ、生産性の向上が図れる。   In one embodiment, the support substrate has flexibility, and the first electrode layer forming step, the organic functional layer forming step, the masking tape applying step, the second electrode layer forming step, and the peeling step are performed as an unwinding roll. It may be performed during the process of winding the support substrate continuously fed out from the support substrate wound on the winding roll onto the winding roll. In this case, each process is implemented by what is called a roll-to-roll system. Therefore, each process can be performed efficiently and productivity can be improved.

一実施形態においては、有機機能層形成工程において有機機能層を形成した後に、マスキングテープ貼付工程を実施してもよい。これにより、第1電極層においてマスキングテープが貼付されるべき領域が明確になるため、マスキングテープを精度良く貼付できる。なお、有機機能層を形成するとは、有機機能層の全部、又は有機機能層の一部、或いは、有機機能層が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。   In one embodiment, after forming an organic functional layer in an organic functional layer formation process, you may implement a masking tape sticking process. Thereby, since the area | region where a masking tape should be affixed in a 1st electrode layer becomes clear, a masking tape can be affixed accurately. The formation of the organic functional layer means that the whole organic functional layer, a part of the organic functional layer, or, when the organic functional layer is a plurality of layers, at least one of the plurality of layers is formed. Means.

一実施形態においては、マスキングテープ貼付工程においてマスキングテープを貼付した後に、有機機能層形成工程を実施してもよい。これにより、例えば、有機機能層を印刷法等によって形成する場合において、塗布された材料がマスキングテープ上にまで広がったとしても、マスキングテープを剥離することにより、有機機能層のエッジが精度良く形成される。   In one embodiment, the organic functional layer forming step may be performed after the masking tape is applied in the masking tape applying step. Thus, for example, when the organic functional layer is formed by a printing method or the like, the edge of the organic functional layer is accurately formed by peeling the masking tape even if the applied material spreads over the masking tape. Is done.

一実施形態においては、マスキングテープ貼付工程においてマスキングテープを貼付した後で且つ第2電極層形成工程の前に、マスキングテープ及び支持基板の脱ガス処理を行う脱ガス処理工程を含んでいてもよい。第2電極層を真空蒸着法にて形成する場合、マスキングテープが形成された支持基板から処理室にガス(主に水分)が放出されると、処理室の真空度が低下する。低真空で第2電極層を形成すると、素子特性が低下する。そこで、マスキングテープ及び支持基板の脱ガス処理を行うことにより、処理室の真空度が低下することを抑制できる。したがって、素子特性の低下を抑制できる。   In one embodiment, a degassing process step of degassing the masking tape and the support substrate may be included after the masking tape is applied in the masking tape applying step and before the second electrode layer forming step. . In the case where the second electrode layer is formed by a vacuum deposition method, when gas (mainly moisture) is released from the support substrate on which the masking tape is formed into the processing chamber, the degree of vacuum in the processing chamber decreases. When the second electrode layer is formed in a low vacuum, the device characteristics deteriorate. Thus, by performing degassing processing of the masking tape and the support substrate, it is possible to suppress a decrease in the degree of vacuum in the processing chamber. Therefore, it is possible to suppress deterioration of element characteristics.

一実施形態においては、有機機能層を形成した後に支持基板を巻き取る工程を含んでいてもよい。これにより、例えば、マスキングテープの厚さを、マスキングテープの表面の位置が有機機能層の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板を巻き取ったときに、有機機能層と支持基板の裏面とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板との接触に起因する有機機能層のダメージを抑制できる。なお、有機機能層を形成するとは、有機機能層の全部、又は有機機能層の一部、或いは、有機機能層が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。   In one embodiment, a step of winding the support substrate after forming the organic functional layer may be included. Thereby, for example, by setting the thickness of the masking tape so that the position of the surface of the masking tape is higher than the position of the surface of the organic functional layer, when the support substrate is wound up, It can suppress that the back surface of a support substrate contacts. Therefore, damage to the organic functional layer due to contact with the support substrate can be suppressed. The formation of the organic functional layer means that the whole organic functional layer, a part of the organic functional layer, or, when the organic functional layer is a plurality of layers, at least one of the plurality of layers is formed. Means.

一実施形態においては、第2電極層形成工程の後に、支持基板を巻き取る工程を含んでいてもよい。これにより、例えば、マスキングテープの厚さを、マスキングテープの表面の位置が第2電極層の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板を巻き取ったときに、第2電極層と支持基板の裏面とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板との接触に起因する第2電極層のダメージを抑制できる。   In one embodiment, a step of winding the support substrate may be included after the second electrode layer forming step. Thereby, for example, when the thickness of the masking tape is set so that the position of the surface of the masking tape is higher than the position of the surface of the second electrode layer, the second electrode is It can suppress that a layer and the back surface of a support substrate contact. Therefore, damage to the second electrode layer due to contact with the support substrate can be suppressed.

本発明の一側面に係る有機デバイス用基板は、支持基板上に、第1電極層と、有機機能層と、第2電極層とがこの順番で積層されて形成される有機デバイスの製造に用いられる有機デバイス用基板であって、一方向に延在する可撓性の支持基板上に、一方向において所定の間隔をあけて配置された複数の第1電極層と、第1電極層の一部上で且つ複数の第1電極層に跨って、一方向に沿って貼付されたマスキングテープと、を備える。   The organic device substrate according to one aspect of the present invention is used for manufacturing an organic device in which a first electrode layer, an organic functional layer, and a second electrode layer are laminated in this order on a support substrate. A plurality of first electrode layers disposed on a flexible support substrate extending in one direction at a predetermined interval, and one of the first electrode layers. And a masking tape affixed along one direction over the plurality of first electrode layers.

この有機デバイス用基板では、マスキングテープが、第1電極層の一部上で且つ複数の第1電極層に跨って、一方向に沿って貼付されている。このように、マスキングテープを貼付する構成のため、樹脂の塗布及び硬化等によってマスクが形成された場合に比べて、第1電極層のマスクが簡易な構成となっている。そのため、有機デバイス用基板は、生産性の向上が図れている。   In this organic device substrate, the masking tape is attached along one direction on a part of the first electrode layer and across the plurality of first electrode layers. As described above, the mask for the first electrode layer has a simple configuration as compared with the case where the mask is formed by applying or curing the resin because the masking tape is applied. For this reason, productivity of the organic device substrate can be improved.

一実施形態においては、マスキングテープは、第1電極層において、第1電極層と電気的に絶縁されるべき第2電極層が形成されない領域に貼付されていてもよい。これにより、第2電極層を形成したときに、第1電極層と第2電極層との電気的な絶縁を確実に確保できる。   In one embodiment, the masking tape may be affixed to a region of the first electrode layer where the second electrode layer to be electrically insulated from the first electrode layer is not formed. Thereby, when the second electrode layer is formed, electrical insulation between the first electrode layer and the second electrode layer can be reliably ensured.

本発明によれば、生産性の向上を図れる。   According to the present invention, productivity can be improved.

一実施形態に係る有機デバイスの製造方法によって製造された有機EL素子の断面図である。It is sectional drawing of the organic EL element manufactured by the manufacturing method of the organic device which concerns on one Embodiment. ロールツーロール方式による有機デバイスの製造方法を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the manufacturing method of the organic device by a roll-to-roll system. 有機デバイスの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an organic device. 有機デバイスの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an organic device. 有機デバイスの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an organic device. 有機デバイスの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an organic device. 他の実施形態に係る有機デバイスの製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic device which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る有機デバイスの製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic device which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る有機デバイスの製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the organic device which concerns on other embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same or equivalent elements will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図1に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機EL素子1は、支持基板3と、陽極層(第1電極層)5と、有機機能層7と、陰極層(第2電極層)9と、封止層11と、を備えている。   As shown in FIG. 1, the organic EL element 1 manufactured by the organic device manufacturing method of the present embodiment includes a support substrate 3, an anode layer (first electrode layer) 5, an organic functional layer 7, and a cathode. A layer (second electrode layer) 9 and a sealing layer 11 are provided.

[支持基板]
支持基板3は、可視光(波長400nm〜800nmの光)に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板3は、フィルム状の基板(フレキシブル基板、可撓性を有する基板)である。支持基板3の厚さは、例えば、30μm以上500μm以下である。支持基板3が樹脂の場合は、ロールツーロールの連続時の基板ヨレ、シワ、伸びの観点からは45μm以上、可撓性の観点からは125μm以下が好ましい。
[Support substrate]
The support substrate 3 is made of a resin that is transparent to visible light (light having a wavelength of 400 nm to 800 nm). The support substrate 3 is a film-like substrate (flexible substrate, flexible substrate). The thickness of the support substrate 3 is, for example, not less than 30 μm and not more than 500 μm. When the support substrate 3 is a resin, it is preferably 45 μm or more from the viewpoint of substrate twist, wrinkle, and elongation when roll-to-roll is continuous, and 125 μm or less from the viewpoint of flexibility.

支持基板3は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板3の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン(PES);ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂;ポリアミド樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル樹脂;アセタール樹脂;ポリイミド樹脂;エポキシ樹脂を含む。   The support substrate 3 is, for example, a plastic film. The material of the support substrate 3 is, for example, polyethersulfone (PES); polyester resin such as polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN); polyolefin resin such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), or cyclic polyolefin; Polyamide resin; Polycarbonate resin; Polystyrene resin; Polyvinyl alcohol resin; Saponified ethylene-vinyl acetate copolymer; Polyacrylonitrile resin; Acetal resin; Polyimide resin;

支持基板3の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。また、これらの樹脂は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Among the above resins, the material of the support substrate 3 is preferably a polyester resin or a polyolefin resin because of its high heat resistance, low coefficient of linear expansion, and low production cost, and particularly preferably polyethylene retephthalate or polyethylene naphthalate. . Moreover, these resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

支持基板3の一方の主面3a上には、水分バリア層(バリア層)が配置されていてもよい。支持基板3の他方の主面3bは、発光面である。なお、支持基板3は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板3が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは30μm以上、可撓性の観点からは100μm以下が好ましい。   A moisture barrier layer (barrier layer) may be disposed on one main surface 3 a of the support substrate 3. The other main surface 3b of the support substrate 3 is a light emitting surface. The support substrate 3 may be a thin film glass. When the support substrate 3 is thin film glass, the thickness is preferably 30 μm or more from the viewpoint of strength and 100 μm or less from the viewpoint of flexibility.

[陽極層]
陽極層5は、支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。陽極層5には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、及び銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。
[Anode layer]
The anode layer 5 is disposed on one main surface 3 a of the support substrate 3. For the anode layer 5, an electrode layer showing optical transparency is used. As the electrode exhibiting light transmittance, a thin film of metal oxide, metal sulfide, metal or the like having high electrical conductivity can be used, and a thin film having high light transmittance is preferably used. For example, a thin film made of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), indium zinc oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, copper, or the like is used. Among these, a thin film made of ITO, IZO, or tin oxide is preferably used.

陽極層5として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層5として、金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。   As the anode layer 5, an organic transparent conductive film such as polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof may be used. Further, as the anode layer 5, an electrode obtained by patterning a metal or a metal alloy or the like into a mesh shape, or an electrode in which nanowires containing silver are formed in a network shape may be used.

陽極層5の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層5の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The thickness of the anode layer 5 can be determined in consideration of light transmittance, electrical conductivity, and the like. The thickness of the anode layer 5 is usually 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

陽極層5の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及び塗布法等を挙げることができる。   Examples of the method for forming the anode layer 5 include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and a coating method.

[有機機能層]
有機機能層7は、陽極層5及び支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。有機機能層7は、発光層を含んでいる。有機機能層7は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、或いは該有機物とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、有機物は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層7を構成する発光材料としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料、発光層用ドーパント材料を挙げることができる。
[Organic functional layer]
The organic functional layer 7 is disposed on one main surface 3 a of the anode layer 5 and the support substrate 3. The organic functional layer 7 includes a light emitting layer. The organic functional layer 7 usually contains an organic substance that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or a light emitting layer dopant material that assists the organic substance. The dopant material for the light emitting layer is added, for example, in order to improve the light emission efficiency or change the light emission wavelength. The organic substance may be a low molecular compound or a high molecular compound. Examples of the light emitting material constituting the organic functional layer 7 include the following dye materials, metal complex materials, polymer materials, and light emitting layer dopant materials.

(色素材料)
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。
(Dye material)
Examples of the dye material include cyclopentamine and derivatives thereof, tetraphenylbutadiene and derivatives thereof, triphenylamine and derivatives thereof, oxadiazole and derivatives thereof, pyrazoloquinoline and derivatives thereof, distyrylbenzene and derivatives thereof, and distyryl. Arylene and derivatives thereof, pyrrole and derivatives thereof, thiophene compounds, pyridine compounds, perinone and derivatives thereof, perylene and derivatives thereof, oligothiophene and derivatives thereof, oxadiazole dimer, pyrazoline dimer, quinacridone and derivatives thereof, coumarin and derivatives thereof Etc.

(金属錯体材料)
金属錯体材料としては、例えばTb、Eu、Dy等の希土類金属、又はAl、Zn、Be、Pt、Ir等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of metal complex materials include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Pt, Ir, and the like as a central metal, and an oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, and quinoline structure. And the like. Examples of metal complexes include metal complexes having light emission from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyl zinc complexes, A porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, etc. can be mentioned.

(高分子材料)
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。
(Polymer material)
Examples of the polymer material include polyparaphenylene vinylene and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polyparaphenylene and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polyacetylene and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, polyvinylcarbazole and derivatives thereof, Examples thereof include materials obtained by polymerizing dye materials and metal complex materials.

(発光層用ドーパント材料)
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。
(Dopant material for light emitting layer)
Examples of the dopant material for the light emitting layer include perylene and derivatives thereof, coumarin and derivatives thereof, rubrene and derivatives thereof, quinacridone and derivatives thereof, squalium and derivatives thereof, porphyrin and derivatives thereof, styryl dyes, tetracene and derivatives thereof, pyrazolone and derivatives thereof. Derivatives, decacyclene and its derivatives, phenoxazone and its derivatives, and the like.

有機機能層7の厚さは、通常約2nm〜200nmである。有機機能層7は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液(例えばインク)を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。また、上記のような発光材料は、真空蒸着によって形成されてもよい。   The thickness of the organic functional layer 7 is usually about 2 nm to 200 nm. The organic functional layer 7 is formed by, for example, a coating method using a coating liquid (for example, ink) containing the light emitting material as described above. The solvent of the coating solution containing the light emitting material is not limited as long as it dissolves the light emitting material. The light emitting material as described above may be formed by vacuum deposition.

[陰極層]
陰極層9は、有機機能層7及び支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。陰極層9は、引出電極9aに電気的に接続されている。引出電極9aは、支持基板3の一方の主面3aに配置されている。引出電極9aは、陽極層5と所定の間隔をあけて配置されている。引出電極9aの厚さは、陽極層5の厚さと同等である。引出電極9aの材料は、陽極層5の材料と同様である。なお、引出電極9aにリード線又はコネクタを電気的に接続し、外部電源から電流を供給する。また、引出電極9aが無くてもよく、その場合は、陰極層9が封止層11の端部よりも外側の外部に伸延される。
[Cathode layer]
The cathode layer 9 is disposed on one main surface 3 a of the organic functional layer 7 and the support substrate 3. The cathode layer 9 is electrically connected to the extraction electrode 9a. The extraction electrode 9 a is disposed on one main surface 3 a of the support substrate 3. The extraction electrode 9a is arranged at a predetermined interval from the anode layer 5. The thickness of the extraction electrode 9 a is equal to the thickness of the anode layer 5. The material of the extraction electrode 9 a is the same as that of the anode layer 5. In addition, a lead wire or a connector is electrically connected to the extraction electrode 9a, and current is supplied from an external power source. Further, the extraction electrode 9 a may be omitted, and in this case, the cathode layer 9 is extended outside outside the end portion of the sealing layer 11.

陰極層9の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第13族金属等を用いることができる。陰極層9の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。   As a material of the cathode layer 9, for example, alkali metal, alkaline earth metal, transition metal, periodic table group 13 metal, or the like can be used. Specific examples of the material for the cathode layer 9 include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, Metals such as europium, terbium, ytterbium, alloys of two or more of the metals, one or more of the metals, gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin An alloy with one or more of them, graphite, a graphite intercalation compound, or the like is used. Examples of alloys include magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, indium-silver alloys, lithium-aluminum alloys, lithium-magnesium alloys, lithium-indium alloys, calcium-aluminum alloys, and the like. it can.

また、陰極層9としては、例えば、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、及びIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層9は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極層9として用いられる場合もある。   Further, as the cathode layer 9, for example, a transparent conductive electrode made of a conductive metal oxide, a conductive organic substance, or the like can be used. Specific examples of the conductive metal oxide include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, and IZO. Examples of the conductive organic substance include polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, and the like. it can. In addition, the cathode layer 9 may be comprised by the laminated body which laminated | stacked two or more layers. An electron injection layer may be used as the cathode layer 9 in some cases.

陰極層9の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層9の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The thickness of the cathode layer 9 is set in consideration of electric conductivity and durability. The thickness of the cathode layer 9 is usually 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

陰極層9の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法及び塗布法等を挙げることができる。   Examples of the method for forming the cathode layer 9 include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method and a coating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.

[封止層]
封止層11は、有機EL素子1において最上部に配置されている。封止層11は、粘接着層(図示しない)により接合されている。封止層11は、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属積層させたフィルム等からなり、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、ステンレスが好ましい。金属箔の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると15μm〜50μmが好ましい。
[Sealing layer]
The sealing layer 11 is disposed at the top of the organic EL element 1. The sealing layer 11 is joined by an adhesive layer (not shown). The sealing layer 11 is a metal foil, a barrier film in which a barrier functional layer is formed on the front surface or back surface of a transparent plastic film, or both surfaces thereof, a thin film glass having flexibility, or a metal layer having barrier properties on a plastic film. It consists of a film etc. and has a gas barrier function, especially a moisture barrier function. As the metal foil, copper, aluminum, and stainless steel are preferable from the viewpoint of barrier properties. The thickness of the metal foil is preferably as thick as possible from the viewpoint of suppressing pinholes, but is preferably 15 μm to 50 μm in view of flexibility.

[有機EL素子の製造方法]
続いて、上記構成を有する有機EL素子1の製造方法について説明する。
[Method of manufacturing organic EL element]
Then, the manufacturing method of the organic EL element 1 which has the said structure is demonstrated.

支持基板3が可撓性基板である形態では、図2に概念的に示されるように、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール方式で有機EL素子1を製造する場合、巻出しロール30Aと巻取りロール30Bとの間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板3を連続的に搬送ローラ31で搬送しながら、各層を支持基板3側から順に形成する。   In the form in which the support substrate 3 is a flexible substrate, a roll-to-roll system can be adopted as conceptually shown in FIG. When the organic EL element 1 is manufactured by the roll-to-roll method, the long flexible support substrate 3 stretched between the unwinding roll 30A and the winding roll 30B is continuously transported by the transport roller 31. However, each layer is formed in order from the support substrate 3 side.

有機EL素子1を製造する場合、最初に、支持基板3を加熱し、乾燥させる(基板乾燥工程S01)。次に、乾燥された支持基板3(一方の主面3a)上に、陽極層5及び引出電極9aを形成する(陽極層形成工程(第1電極層形成工程)S02)。陽極層5(引出電極9a)は、陽極層5の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。図3に示されるように、陽極層5と引出電極9aとは、支持基板3の幅方向(X方向)において、所定の間隔をあけて形成する。支持基板3上には、陽極層5と引出電極9aとの組(パターン)が、支持基板3の長手方向(Y方向)において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板3の幅方向において所定の間隔をあけて複数(本実施形態では2つ)形成される。   When manufacturing the organic EL element 1, first, the support substrate 3 is heated and dried (substrate drying process S01). Next, the anode layer 5 and the extraction electrode 9a are formed on the dried support substrate 3 (one main surface 3a) (anode layer forming step (first electrode layer forming step) S02). The anode layer 5 (extraction electrode 9a) can be formed by the formation method exemplified in the description of the anode layer 5. As shown in FIG. 3, the anode layer 5 and the extraction electrode 9 a are formed at a predetermined interval in the width direction (X direction) of the support substrate 3. On the support substrate 3, a plurality of sets (patterns) of the anode layer 5 and the extraction electrode 9 a are formed at predetermined intervals in the longitudinal direction (Y direction) of the support substrate 3 and the width of the support substrate 3. A plurality (two in this embodiment) are formed at predetermined intervals in the direction.

続いて、図3に示されるように、マスキングテープMを貼り付ける(マスキングテープ貼付工程S03)。マスキングテープMは、所定の幅を有し、一方向に延在する。マスキングテープMの幅及び厚さは、適宜選択されればよい。マスキングテープMの厚さは、例えば、有機機能層7全体の厚さよりも大きいものが選択される。マスキングテープMは、粘接着性を有すると共に、剥離可能とされている。マスキングテープMの粘接着力は、マスキングテープMを剥離したときに、陽極層5が支持基板3から剥離しない程度に設定されている。マスキングテープMを構成する基材の材料としては、陰極層形成工程S06(後述)の際の温度により剥離又はシワ等が発生しないように、支持基板3の線膨張係数に対して±10ppm/℃を有する材料を選択することができる。ここで、線膨張係数は、例えば、JIS K7197で規定されている方法により測定することができる。具体的には、マスキングテープMの基材の材料としては、例えば、PEN、PET等が挙げられる。   Subsequently, as shown in FIG. 3, a masking tape M is pasted (masking tape pasting step S03). The masking tape M has a predetermined width and extends in one direction. The width and thickness of the masking tape M may be appropriately selected. As the thickness of the masking tape M, for example, a thickness larger than the total thickness of the organic functional layer 7 is selected. The masking tape M has adhesiveness and can be peeled off. The adhesive strength of the masking tape M is set such that the anode layer 5 does not peel from the support substrate 3 when the masking tape M is peeled off. The material of the base material constituting the masking tape M is ± 10 ppm / ° C. with respect to the linear expansion coefficient of the support substrate 3 so as not to cause peeling or wrinkles due to the temperature in the cathode layer forming step S06 (described later). Can be selected. Here, the linear expansion coefficient can be measured by, for example, a method defined in JIS K7197. Specifically, examples of the material for the base material of the masking tape M include PEN and PET.

マスキングテープMは、陽極層5の一部を覆うように(陽極層5の一部上に)貼り付けられる。具体的には、マスキングテープMは、陽極層5の一端部(引出電極9aに対向する他端部と反対側の端部)を覆うように貼り付けられる。マスキングテープMは、複数の陽極層5に跨って、支持基板3の長手方向に沿って貼り付けられる。また、マスキングテープMは、引出電極9aの一部を覆うように貼り付けられる。具体的には、マスキングテープMは、引出電極9aの一端部(陽極層5に対向する他端部と反対側の端部)を覆うように貼り付けられる。マスキングテープMは、複数の引出電極9aに跨って、支持基板3の長手方向に沿って貼り付けられる。これにより、有機デバイス用基板が作製される。   The masking tape M is attached so as to cover a part of the anode layer 5 (on a part of the anode layer 5). Specifically, the masking tape M is attached so as to cover one end of the anode layer 5 (the end opposite to the other end facing the extraction electrode 9a). The masking tape M is attached along the longitudinal direction of the support substrate 3 across the plurality of anode layers 5. Moreover, the masking tape M is affixed so that a part of extraction electrode 9a may be covered. Specifically, the masking tape M is attached so as to cover one end of the extraction electrode 9a (the end opposite to the other end facing the anode layer 5). The masking tape M is affixed along the longitudinal direction of the support substrate 3 across the plurality of extraction electrodes 9a. Thereby, the substrate for organic devices is produced.

続いて、図4に示されるように、陽極層5上に有機機能層7を形成する(有機機能層形成工程S04)。有機機能層7は、例えばインクジェットプリント法、スプレーコート法、真空蒸着法により、陽極層5上において、マスキングテープMが貼付された領域を除く部分に形成される。具体的には、有機機能層7は、マスキングテープMとの間に隙間が形成されないように形成される。また、有機機能層7は、陽極層5と引出電極9aとの間の一部にも形成される。有機機能層7の厚さは、例えば、マスキングテープMの厚さよりも薄い。有機機能層7は、有機機能層7の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。なお、有機機能層7は、マスキングテープM上、又は、マスキングテープMの一部上に形成されてもよい。   Subsequently, as shown in FIG. 4, an organic functional layer 7 is formed on the anode layer 5 (organic functional layer forming step S04). The organic functional layer 7 is formed on the anode layer 5 in a portion other than the region where the masking tape M is applied, for example, by an ink jet printing method, a spray coating method, or a vacuum deposition method. Specifically, the organic functional layer 7 is formed such that no gap is formed between the organic functional layer 7 and the masking tape M. The organic functional layer 7 is also formed in a part between the anode layer 5 and the extraction electrode 9a. The thickness of the organic functional layer 7 is thinner than the thickness of the masking tape M, for example. The organic functional layer 7 can be formed by the formation method exemplified in the description of the organic functional layer 7. The organic functional layer 7 may be formed on the masking tape M or a part of the masking tape M.

続いて、マスキングテープMが形成された支持基板3の脱ガス(水)処理を行う(脱ガス処理工程S05)。脱(水)ガス処理としては、真空中、不活性雰囲気中、又は、ドライエア中において、IRヒーター、IRランプ、セラミックヒーター等の熱源を用いて、輻射、伝熱、対流等で、マスキングテープMが形成された支持基板3を加熱する方法が用いられる。また、不活性雰囲気中、又は、ドライエア中においては、それらの気体を用いた熱風をマスキングテープMが形成された支持基板3に接触させることもできる。   Subsequently, the support substrate 3 on which the masking tape M is formed is degassed (water) (degas process step S05). As degassing (water) gas treatment, in a vacuum, an inert atmosphere, or in dry air, using a heat source such as an IR heater, an IR lamp, or a ceramic heater, radiation, heat transfer, convection, etc., masking tape M A method of heating the support substrate 3 on which is formed is used. Further, in an inert atmosphere or in dry air, hot air using these gases can be brought into contact with the support substrate 3 on which the masking tape M is formed.

続いて、図5に示されるように、有機機能層7上に陰極層9を形成する(陰極層形成工程(第2電極層形成工程)S06)。陰極層9は、有機機能層7を覆うように形成される。具体的には、陰極層9は、支持基板3の全面、又は、その一部に、例えば、真空蒸着法によって形成される。これにより、陰極層9は、引出電極9aの他端部(マスキングテープMが貼付されていない領域)を覆うと共に、マスキングテープMを覆うように形成される。陰極層9は、陰極層9の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。   Subsequently, as shown in FIG. 5, a cathode layer 9 is formed on the organic functional layer 7 (cathode layer forming step (second electrode layer forming step) S06). The cathode layer 9 is formed so as to cover the organic functional layer 7. Specifically, the cathode layer 9 is formed on the entire surface of the support substrate 3 or a part thereof by, for example, a vacuum deposition method. Thereby, the cathode layer 9 is formed so as to cover the masking tape M while covering the other end of the extraction electrode 9a (a region where the masking tape M is not attached). The cathode layer 9 can be formed by the formation method exemplified in the description of the cathode layer 9.

続いて、図6に示されるように、マスキングテープMを剥離する(マスキングテープ剥離工程S07)。剥離されたマスキングテープMは、例えば、ロールに巻き取られる。マスキングテープMを剥離する際には、陰極層9を支持基板3に対して下方に位置させ、マスキングテープMを剥離することが好ましい。これにより、マスキングテープMを剥離したときに発生するダストを下方に落下させることができる。マスキングテープMが剥離されることにより、陽極層5の一部(一端部)及び引出電極9aの一部(一端部)が露出する。そして、封止層11を貼り合わせて、有機機能層7及び陰極層9を封止する(封止工程S08)。以上により、有機EL素子1が形成される。   Subsequently, as shown in FIG. 6, the masking tape M is peeled off (masking tape peeling step S07). The peeled masking tape M is wound, for example, on a roll. When peeling off the masking tape M, it is preferable to place the cathode layer 9 below the support substrate 3 and peel off the masking tape M. Thereby, the dust generated when the masking tape M is peeled can be dropped downward. When the masking tape M is peeled off, a part (one end) of the anode layer 5 and a part (one end) of the extraction electrode 9a are exposed. And the sealing layer 11 is bonded together and the organic functional layer 7 and the cathode layer 9 are sealed (sealing process S08). Thus, the organic EL element 1 is formed.

以上説明したように、本実施形態に係る有機EL素子1の製造方法では、陽極層5の少なくとも一部上で且つ複数の陽極層5に跨って、支持基板3の長手方向に沿ってマスキングテープMを貼付する。そのため、マスキングテープMを長手方向に沿って貼付する作業のみにより、複数の陽極層5の一部を覆うことができる。したがって、有機EL素子1の製造方法では、マスクの形成に時間を要しない。その結果、有機EL素子1の製造方法では、生産性の向上を図れる。   As described above, in the method for manufacturing the organic EL element 1 according to this embodiment, the masking tape is formed along at least a part of the anode layer 5 and across the plurality of anode layers 5 along the longitudinal direction of the support substrate 3. Affix M. Therefore, a part of the plurality of anode layers 5 can be covered only by the operation of applying the masking tape M along the longitudinal direction. Therefore, in the method for manufacturing the organic EL element 1, it takes no time to form the mask. As a result, in the method for manufacturing the organic EL element 1, productivity can be improved.

本実施形態では、支持基板3は可撓性を有している。陽極層形成工程S02、マスキングテープ貼付工程S03、有機機能層形成工程S04、脱ガス処理工程S05、陰極層形成工程S06及びマスキングテープ剥離工程S07は、巻出しロール30Aに巻き取られた支持基板3から連続的に送り出された支持基板3を、巻取りロール30Bに巻き取る過程中に行われる。この場合、いわゆるロールツーロール方式で各工程が実施されることになる。したがって、各工程を効率良く行うことができ、生産性の向上が図れる。   In the present embodiment, the support substrate 3 has flexibility. The anode layer forming step S02, the masking tape attaching step S03, the organic functional layer forming step S04, the degassing step S05, the cathode layer forming step S06, and the masking tape peeling step S07 are carried out by the support substrate 3 wound around the unwinding roll 30A. It is performed during the process of winding the support substrate 3 continuously fed out from the winding roll 30B. In this case, each process is implemented by what is called a roll-to-roll system. Therefore, each process can be performed efficiently and productivity can be improved.

本実施形態では、マスキングテープ貼付工程S03の後に有機機能層形成工程S04を実施する。これにより、例えば、有機機能層7を印刷法等によって形成する場合において、塗布された材料、或いは蒸着された材料がマスキングテープM上にまで広がったとしても、マスキングテープMを剥離することにより、有機機能層7のエッジが精度良く形成される。また、有機機能層7の一部がマスキングテープM上に形成されるように形成することにより、有機機能層7とマスキングテープMとの間に隙間が形成されることを抑制できる。これにより、陽極層5と陰極層9との電気的な絶縁を確実に確保できる。   In this embodiment, organic functional layer formation process S04 is implemented after masking tape sticking process S03. Thereby, for example, when the organic functional layer 7 is formed by a printing method or the like, even if the applied material or the deposited material spreads over the masking tape M, by peeling the masking tape M, The edge of the organic functional layer 7 is formed with high accuracy. Further, by forming a part of the organic functional layer 7 so as to be formed on the masking tape M, the formation of a gap between the organic functional layer 7 and the masking tape M can be suppressed. Thereby, electrical insulation between the anode layer 5 and the cathode layer 9 can be reliably ensured.

本実施形態では、マスキングテープ貼付工程S03においてマスキングテープMを貼付した後で且つ陰極層形成工程S06の前に、脱ガス処理工程S05を行う。陰極層9を真空蒸着法にて形成する場合、マスキングテープMが形成された支持基板3から真空チャンバー(処理室)にガス(主に水分)が放出されると、真空チャンバーの真空度が低下する。低真空で陰極層9を形成すると、素子特性が低下する。そのため、本実施形態では、陰極層9を形成する真空チャンバーにマスキングテープMが形成された支持基板3を導入する前に、脱ガス(水)処理を行い、支持基板3とマスキングテープM中のガス(水分)を除去する。これにより、真空チャンバーが低真空となることを抑制できる。その結果、有機EL素子1の特性低下を抑制できる。   In this embodiment, the degassing process step S05 is performed after the masking tape M is applied in the masking tape applying step S03 and before the cathode layer forming step S06. When the cathode layer 9 is formed by a vacuum deposition method, if gas (mainly moisture) is released from the support substrate 3 on which the masking tape M is formed to the vacuum chamber (processing chamber), the vacuum degree of the vacuum chamber decreases. To do. When the cathode layer 9 is formed in a low vacuum, the device characteristics are deteriorated. Therefore, in this embodiment, before introducing the support substrate 3 on which the masking tape M is formed into the vacuum chamber in which the cathode layer 9 is formed, a degassing (water) treatment is performed, and the support substrate 3 and the masking tape M in the masking tape M are removed. Remove gas (moisture). Thereby, it can suppress that a vacuum chamber becomes a low vacuum. As a result, the characteristic deterioration of the organic EL element 1 can be suppressed.

なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、陽極層5と陰極層9との間に発光層を含む有機機能層7が配置された有機EL素子1を例示した。しかし、有機機能層7の構成はこれに限定されない。有機機能層7は、以下の構成を有していてもよい。
(a)(陽極層)/発光層/(陰極層)
(b)(陽極層)/正孔注入層/発光層/(陰極層)
(c)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(d)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(e)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/(陰極層)
(f)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(g)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(h)(陽極層)/発光層/電子注入層/(陰極層)
(i)(陽極層)/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記(a)に示す構成は、上記実施形態における有機EL素子1の構成を示している。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, in the said embodiment, the organic EL element 1 with which the organic functional layer 7 containing a light emitting layer was arrange | positioned between the anode layer 5 and the cathode layer 9 was illustrated. However, the structure of the organic functional layer 7 is not limited to this. The organic functional layer 7 may have the following configuration.
(A) (Anode layer) / Light emitting layer / (Cathode layer)
(B) (Anode layer) / Hole injection layer / Light emitting layer / (Cathode layer)
(C) (anode layer) / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / (cathode layer)
(D) (anode layer) / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / (cathode layer)
(E) (Anode layer) / Hole injection layer / Hole transport layer / Light emitting layer / (Cathode layer)
(F) (anode layer) / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / (cathode layer)
(G) (anode layer) / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / (cathode layer)
(H) (anode layer) / light emitting layer / electron injection layer / (cathode layer)
(I) (anode layer) / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / (cathode layer)
Here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are adjacently stacked. The configuration shown in (a) above shows the configuration of the organic EL element 1 in the above embodiment.

正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、有機機能層7と同様に塗布法により形成できる。   As materials for the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer, known materials can be used. Each of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer can be formed by, for example, a coating method in the same manner as the organic functional layer 7.

ここで、電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、又は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物を含有していてもよい。電子注入層の成膜法としては、塗布法、真空蒸着法等を挙げることができる。酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層の厚さは0.5nm〜20nmが好ましい。電子注入層は、特に絶縁性が強い場合は、有機EL素子1の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜、例えば、0.5nm〜10nmの厚さであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、2nm〜7nmの厚さであることが好ましい。また、電子注入層は、陰極層9を形成する工程において、陰極層9を形成する前に陰極層9と同様にマスキングテープM上に形成されてもよい。したがって、例えば、引出電極9aと陰極層9の間に電子注入層が形成されていてもよい。   Here, the electron injection layer may contain an alkali metal or alkaline earth metal, or an oxide or fluoride of an alkali metal or alkaline earth metal. Examples of the method for forming the electron injection layer include a coating method and a vacuum deposition method. In the case of oxides and fluorides, the thickness of the electron injection layer is preferably 0.5 nm to 20 nm. The electron injection layer is preferably a thin film, for example, a thickness of 0.5 nm to 10 nm from the viewpoint of suppressing an increase in driving voltage of the organic EL element 1, particularly when the insulating property is strong. From the viewpoint of properties, the thickness is preferably 2 nm to 7 nm. The electron injection layer may be formed on the masking tape M in the same manner as the cathode layer 9 before the cathode layer 9 is formed in the step of forming the cathode layer 9. Therefore, for example, an electron injection layer may be formed between the extraction electrode 9 a and the cathode layer 9.

有機EL素子1は、単層の有機機能層7を有していてもよいし、2層以上の有機機能層7を有していてもよい。上記(a)〜(i)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極層5と陰極層9との間に配置された積層構造を「構造単位A」とすると、2層の有機機能層7を有する有機EL素子の構成として、例えば、下記(j)に示す層構成を挙げることができる。2個ある(構造単位A)の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
(j)陽極層/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極層
The organic EL element 1 may have a single organic functional layer 7 or may have two or more organic functional layers 7. In any one of the layer configurations (a) to (i) above, when the laminated structure disposed between the anode layer 5 and the cathode layer 9 is “structural unit A”, the organic function of two layers As a structure of the organic EL element which has the layer 7, the layer structure shown to the following (j) can be mentioned, for example. The two (structural unit A) layer configurations may be the same or different.
(J) Anode layer / (structural unit A) / charge generation layer / (structural unit A) / cathode layer

ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。   Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, ITO, molybdenum oxide, or the like.

また、「(構造単位A)/電荷発生層」を「構造単位B」とすると、3層以上の有機機能層7を有する有機EL素子の構成として、例えば、以下の(k)に示す層構成を挙げることができる。
(k)陽極層/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極層
Further, assuming that “(structural unit A) / charge generation layer” is “structural unit B”, the configuration of an organic EL element having three or more organic functional layers 7 is, for example, the layer configuration shown in the following (k) Can be mentioned.
(K) Anode layer / (structural unit B) x / (structural unit A) / cathode layer

記号「x」は、2以上の整数を表し、「(構造単位B)x」は、(構造単位B)がx段積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位B)の層構成は同じでも、異なっていてもよい。   The symbol “x” represents an integer of 2 or more, and “(structural unit B) x” represents a stacked body in which (structural unit B) is stacked in x stages. A plurality of (structural units B) may have the same or different layer structure.

電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層7を直接的に積層させて有機EL素子を構成してもよい。   The organic EL element may be configured by directly laminating a plurality of organic functional layers 7 without providing the charge generation layer.

上記実施形態では、マスキングテープMを貼付した後に、有機機能層7を形成する形態を一例に説明した。しかし、有機機能層7を形成した後に、マスキングテープMを貼付し、その後に、陰極層9を形成してもよい。有機機能層7を形成するとは、有機機能層7の全部、又は有機機能層7の一部、或いは、有機機能層7が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。有機機能層7は、陽極層5上において、マスキングテープMが貼付される領域以外の部分に形成されてもよい。この場合、マスキングテープMは、有機機能層7との間に隙間が形成されないように貼付される。これにより、陽極層5においてマスキングテープMが貼付されるべき領域が明確になるため、マスキングテープMを精度良く貼付できる。また、陽極層5と陰極層9との電気的な絶縁を確実に確保できる。   In the said embodiment, after sticking the masking tape M, the form which forms the organic functional layer 7 was demonstrated to an example. However, after the organic functional layer 7 is formed, the masking tape M may be applied, and then the cathode layer 9 may be formed. The formation of the organic functional layer 7 means that the entire organic functional layer 7, a part of the organic functional layer 7, or at least one of the plurality of layers is formed when the organic functional layer 7 is a plurality of layers. Means that. The organic functional layer 7 may be formed on the anode layer 5 in a portion other than the region where the masking tape M is attached. In this case, the masking tape M is attached so that no gap is formed between the masking tape M and the organic functional layer 7. Thereby, since the area | region where the masking tape M should be affixed in the anode layer 5 becomes clear, the masking tape M can be affixed accurately. In addition, electrical insulation between the anode layer 5 and the cathode layer 9 can be reliably ensured.

また、図7に示されるように、有機機能層7にマスキングテープMがオーバーラップするように、マスキングテープMを貼付してもよい。この場合、確実に隙間がなくなるため、絶縁性がより確保できる。有機機能層7を形成した後にマスキングテープMを貼付する場合、陽極層5において端子として機能するエリアには、有機機能層7を形成しない、又は、陽極層5上に有機機能層7を形成した後に有機機能層7の一部を除去する。陽極層5上に形成した有機機能層7の除去方法としては、例えば、溶媒を用いての剥ぎ取り、刃等を用いた物理的な剥ぎ取り、又は、レーザー等でのアブレーションを用いることができる。   Further, as shown in FIG. 7, the masking tape M may be stuck so that the masking tape M overlaps the organic functional layer 7. In this case, since the gap is surely eliminated, insulation can be further ensured. When the masking tape M is applied after the organic functional layer 7 is formed, the organic functional layer 7 is not formed in the area functioning as a terminal in the anode layer 5 or the organic functional layer 7 is formed on the anode layer 5. Later, a part of the organic functional layer 7 is removed. As a method for removing the organic functional layer 7 formed on the anode layer 5, for example, peeling using a solvent, physical peeling using a blade or the like, or ablation with a laser or the like can be used. .

また、陽極層5上に形成した有機機能層7の除去方法としては、マスキングテープMを用いることができる。マスキングテープMは、粘着部(粘着層)を有しているため、粘着部の粘着力により有機機能層7を陽極層5から剥離させることができる。そのため、陽極層5の全体を覆うように有機機能層7を形成し、有機機能層7上にマスキングテープMを貼付してマスキングテープMを剥離することにより、マスキングテープMに密着している有機機能層7がマスキングテープMと一緒に除去される。これにより、陽極層5において端子として機能するエリアが形成される。この方法では、工程の簡略化が図れる。   As a method for removing the organic functional layer 7 formed on the anode layer 5, a masking tape M can be used. Since the masking tape M has an adhesive part (adhesive layer), the organic functional layer 7 can be peeled from the anode layer 5 by the adhesive force of the adhesive part. Therefore, the organic functional layer 7 is formed so as to cover the whole of the anode layer 5, the masking tape M is pasted on the organic functional layer 7, and the masking tape M is peeled off, so that the organic film closely contacting the masking tape M is adhered. The functional layer 7 is removed together with the masking tape M. Thereby, an area functioning as a terminal in the anode layer 5 is formed. In this method, the process can be simplified.

上記実施形態に加えて、図8に示されるように、絶縁層15を形成してもよい。この場合、例えば、陽極層5を形成した後に絶縁層15を形成し、陽極層5の一部及び絶縁層15の一部を含んでマスキングテープMを貼付した後に、有機機能層7及び陰極層9を形成してもよい。この場合、マスキングテープMと有機機能層7との間に隙間が形成される場合であっても、陽極層5と陰極層9との電気的な絶縁を確保できる。   In addition to the above embodiment, an insulating layer 15 may be formed as shown in FIG. In this case, for example, after the anode layer 5 is formed, the insulating layer 15 is formed, and after the masking tape M is applied including part of the anode layer 5 and part of the insulating layer 15, the organic functional layer 7 and the cathode layer 9 may be formed. In this case, even when a gap is formed between the masking tape M and the organic functional layer 7, electrical insulation between the anode layer 5 and the cathode layer 9 can be ensured.

また、絶縁層15は、隔壁の機能を有し、例えば、有機機能層7を塗布プロセスで形成する場合、塗布液が絶縁層15に堰き止められ、有機機能層7の形成エリアを制御することができる。   Moreover, the insulating layer 15 has a function of a partition wall. For example, when the organic functional layer 7 is formed by a coating process, the coating liquid is blocked by the insulating layer 15 to control the formation area of the organic functional layer 7. Can do.

また、図9に示されるように、絶縁層15を形成した後に絶縁層15上の一部を含んで有機機能層7を形成し、絶縁層15及び有機機能層7の一部に跨ってマスキングテープMが貼付されてもよい。また、マスキングテープMは、絶縁層15のみに貼付されてもよい。   Further, as shown in FIG. 9, after forming the insulating layer 15, the organic functional layer 7 is formed including a part on the insulating layer 15, and masking is performed across the insulating layer 15 and a part of the organic functional layer 7. Tape M may be affixed. The masking tape M may be attached only to the insulating layer 15.

上記実施形態では、基板乾燥工程S01から封止工程S08まで連続して実施する形態を一例に説明した。しかし、有機デバイスの製造方法では、有機機能層7を形成した後に支持基板3を巻き取ってもよい。この場合、例えば、マスキングテープMの厚さを、マスキングテープMの表面の位置が有機機能層7の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板3を巻き取ったときに、有機機能層7と支持基板3の裏面(他の主面3b)とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板3との接触に起因する有機機能層7のダメージを抑制できる。なお、支持基板3の巻き取りは、任意のタイミング(各処理の途中)で行うことができる。   In the said embodiment, the form implemented continuously from board | substrate drying process S01 to sealing process S08 was demonstrated to the example. However, in the organic device manufacturing method, the support substrate 3 may be wound up after the organic functional layer 7 is formed. In this case, for example, when the thickness of the masking tape M is set so that the position of the surface of the masking tape M is higher than the position of the surface of the organic functional layer 7, It can suppress that the organic functional layer 7 and the back surface (other main surface 3b) of the support substrate 3 contact. Therefore, damage to the organic functional layer 7 due to contact with the support substrate 3 can be suppressed. In addition, winding of the support substrate 3 can be performed at arbitrary timings (in the middle of each process).

また、陰極層9を形成した後に支持基板3を巻き取ってもよい。この場合、例えば、マスキングテープMの厚さを、マスキングテープMの表面の位置が陰極層9の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板3を巻き取ったときに、陰極層9と支持基板3の裏面(他の主面3b)とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板3との接触に起因する陰極層9のダメージを抑制できる。なお、ここで言う有機機能層7を形成するとは、有機機能層7の全部、又は有機機能層7の一部、或いは、有機機能層7が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。   Further, the support substrate 3 may be wound up after the cathode layer 9 is formed. In this case, for example, when the thickness of the masking tape M is set so that the position of the surface of the masking tape M is higher than the position of the surface of the cathode layer 9, It can suppress that the layer 9 and the back surface (other main surface 3b) of the support substrate 3 contact. Therefore, damage to the cathode layer 9 due to contact with the support substrate 3 can be suppressed. Note that the formation of the organic functional layer 7 mentioned here means that the entire organic functional layer 7, a part of the organic functional layer 7, or, when the organic functional layer 7 is a plurality of layers, at least of the plurality of layers. It means that one layer of is formed.

上記実施形態では、マスキングテープ貼付工程S03において、引出電極9aの一部を覆うようにマスキングテープMを貼り付ける形態を一例に説明した。しかし、マスキングテープ貼付工程S03では、マスキングテープMを引出電極9aに貼り付けなくてもよい。この場合、有機機能層7は、引出電極9aの一部が露出するように形成されればよい。この構成では、引出電極9aを覆うように陰極層9が形成される。   In the above-described embodiment, an example in which the masking tape M is pasted so as to cover a part of the extraction electrode 9a in the masking tape pasting step S03 has been described. However, in the masking tape attaching step S03, the masking tape M may not be attached to the extraction electrode 9a. In this case, the organic functional layer 7 may be formed so that a part of the extraction electrode 9a is exposed. In this configuration, the cathode layer 9 is formed so as to cover the extraction electrode 9a.

上記実施形態では、引出電極9aを備える形態を一例に説明したが、引出電極9aは備えられなくてもよい。この場合、陰極層9が引出電極として機能する。   In the above-described embodiment, the form including the extraction electrode 9a has been described as an example, but the extraction electrode 9a may not be provided. In this case, the cathode layer 9 functions as an extraction electrode.

上記実施形態では、基板乾燥工程S01を実施する形態を一例に説明したが、基板乾燥工程S01は実施されなくてもよい。また、上記実施形態では、陽極層形成工程S02において、陽極層5と引出電極9aとの組を、支持基板3の幅方向に所定の間隔をあけて複数形成する形態を一例に説明した。しかし、陽極層形成工程S02では、陽極層5と引出電極9aとの組は、支持基板3の幅方向において1組であってもよい。   In the above embodiment, the embodiment for performing the substrate drying step S01 has been described as an example, but the substrate drying step S01 may not be performed. Moreover, in the said embodiment, the anode layer formation process S02 demonstrated as an example the form which forms the group of the anode layer 5 and the extraction electrode 9a at predetermined intervals in the width direction of the support substrate 3 as an example. However, in the anode layer forming step S02, the set of the anode layer 5 and the extraction electrode 9a may be one set in the width direction of the support substrate 3.

上記実施形態では、ロールツーロール方式において脱ガス処理工程S05を他の工程と連続的に実施する形態を一例に説明した。しかし、脱ガス処理工程は、独立して実施されてもよい。また、脱ガス処理工程S05は、実施されなくてもよい。   In the said embodiment, the degassing process S05 was continuously demonstrated with the other process in the roll to roll system as an example. However, the degassing process may be performed independently. Further, the degassing process step S05 may not be performed.

上記実施形態では、有機デバイスとして、有機EL素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。   In the said embodiment, the organic EL element was demonstrated to an example as an organic device. The organic device may be an organic thin film transistor, an organic photodetector, an organic thin film solar cell, or the like.

1…有機EL素子、3…支持基板、5…陽極層(第1電極層)、7…有機機能層、9…陰極層(第2電極層)、S02…陽極層形成工程(第1電極層形成工程)、S03…マスキングテープ貼付工程、S04…有機機能層形成工程、S05…脱ガス処理工程、S06…陰極層形成工程(第2電極層形成工程)、S07…マスキングテープ剥離工程。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL element, 3 ... Support substrate, 5 ... Anode layer (1st electrode layer), 7 ... Organic functional layer, 9 ... Cathode layer (2nd electrode layer), S02 ... Anode layer formation process (1st electrode layer) Forming step), S03 ... masking tape attaching step, S04 ... organic functional layer forming step, S05 ... degassing treatment step, S06 ... cathode layer forming step (second electrode layer forming step), S07 ... masking tape peeling step.

Claims (7)

一方向に延在する支持基板上に、前記一方向において所定の間隔をあけて複数の第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記第1電極層の少なくとも一部上で且つ複数の前記第1電極層に跨って、前記一方向に沿ってマスキングテープを貼付するマスキングテープ貼付工程と、
前記マスキングテープ貼付工程の後に、少なくとも前記有機機能層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
前記第2電極層形成工程の後に、前記マスキングテープを剥離する剥離工程と、
前記マスキングテープ貼付工程において前記マスキングテープを貼付した後で且つ前記第2電極層形成工程の前に、前記マスキングテープ及び前記支持基板の脱ガス処理を行う脱ガス処理工程と、を含む、有機デバイスの製造方法。
A first electrode layer forming step of forming a plurality of first electrode layers on the support substrate extending in one direction at a predetermined interval in the one direction;
An organic functional layer forming step of forming an organic functional layer on at least a part of the first electrode layer;
A masking tape applying step of applying a masking tape along at least one part of the first electrode layer and across the plurality of first electrode layers along the one direction;
A second electrode layer forming step of forming a second electrode layer on at least the organic functional layer after the masking tape attaching step;
After the second electrode layer forming step, a peeling step for peeling the masking tape;
A degassing process step of degassing the masking tape and the support substrate after applying the masking tape in the masking tape applying step and before the second electrode layer forming step. Manufacturing method.
前記支持基板は可撓性を有しており、
前記第1電極層形成工程、前記有機機能層形成工程、前記マスキングテープ貼付工程、前記第2電極層形成工程及び前記剥離工程は、巻出しロールに巻き取られた前記支持基板から連続的に送り出された前記支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われる、請求項1に記載の有機デバイスの製造方法。
The support substrate has flexibility,
The first electrode layer forming step, the organic functional layer forming step, the masking tape sticking step, the second electrode layer forming step, and the peeling step are continuously sent out from the support substrate wound on a winding roll. The manufacturing method of the organic device of Claim 1 performed during the process which winds the said said support substrate wound on the winding roll.
前記有機機能層形成工程において前記有機機能層を形成した後に、前記マスキングテープ貼付工程を実施する、請求項1又は2に記載の有機デバイスの製造方法。   The manufacturing method of the organic device of Claim 1 or 2 which implements the said masking tape sticking process after forming the said organic functional layer in the said organic functional layer formation process. 前記マスキングテープ貼付工程において前記マスキングテープを貼付した後に、前記有機機能層形成工程を実施する、請求項1又は2に記載の有機デバイスの製造方法。   The manufacturing method of the organic device of Claim 1 or 2 which implements the said organic functional layer formation process after sticking the said masking tape in the said masking tape sticking process. 前記有機機能層形成工程の後に、前記支持基板を巻き取る巻取工程を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。 The manufacturing method of the organic device as described in any one of Claims 1-4 including the winding-up process which winds up the said support substrate after the said organic functional layer formation process. 前記第2電極層形成工程の後に、前記支持基板を巻き取る巻取工程を含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。 The manufacturing method of the organic device as described in any one of Claims 1-5 including the winding-up process which winds up the said support substrate after the said 2nd electrode layer formation process. 前記第2電極層形成工程では、前記第2電極層を真空蒸着法により形成する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。In the said 2nd electrode layer formation process, the said 2nd electrode layer is formed by the vacuum evaporation method, The manufacturing method of the organic device as described in any one of Claims 1-6.
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