JP6129938B1 - Organic device manufacturing method and organic device substrate - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 283
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 121
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 13
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 11
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical class [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical class C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical compound C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical compound CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003263 cyclopentamine Drugs 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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Abstract
【課題】生産性の向上を図れる有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板を提供する。【解決手段】有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板3上に、一方向において所定の間隔をあけて複数の第1電極層5を形成する第1電極層形成工程S02と、第1電極層5の少なくとも一部上に有機機能層7を形成する有機機能層形成工程S04と、第1電極層5の少なくとも一部上で且つ複数の第1電極層5に跨って、一方向に沿ってマスキングテープMを貼付するマスキングテープ貼付工程S03と、マスキングテープ貼付工程S03の後に、少なくとも有機機能層7上に第2電極層9を形成する第2電極層形成工程S06と、第2電極層形成工程S06の後に、マスキングテープMを剥離する剥離工程S07と、を含む。【選択図】図2An organic device manufacturing method and an organic device substrate capable of improving productivity are provided. A method of manufacturing an organic device includes a first electrode layer forming step S02 in which a plurality of first electrode layers 5 are formed on a support substrate 3 extending in one direction at predetermined intervals in one direction; The organic functional layer forming step S04 for forming the organic functional layer 7 on at least a part of the first electrode layer 5, and on at least a part of the first electrode layer 5 and straddling the plurality of first electrode layers 5, A masking tape applying step S03 for applying the masking tape M along one direction, a second electrode layer forming step S06 for forming the second electrode layer 9 on at least the organic functional layer 7 after the masking tape applying step S03; A peeling step S07 for peeling the masking tape M is included after the second electrode layer forming step S06. [Selection] Figure 2
Description
本発明は、有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板に関する。 The present invention relates to an organic device manufacturing method and an organic device substrate.
従来の有機デバイスの製造方法として、例えば、特許文献1に記載された方法が知られている。特許文献1に記載の有機デバイスの製造方法は、搬送中のシート状基板に対して剥離可能な樹脂を選択的に塗布することによりマスクを形成するマスク形成工程と、マスクを含むシート状基板の全面に所望の薄膜を形成する薄膜形成工程と、マスクをシート状基板から選択的に剥離させることにより薄膜パターンを形成するマスク剥離工程と、を含む。この有機デバイスの製造方法では、マスク形成工程において、シート状基板上にアクリル樹脂等を選択的に塗布(印刷)することによりマスクを形成する。 As a conventional method for manufacturing an organic device, for example, a method described in Patent Document 1 is known. The manufacturing method of the organic device described in Patent Literature 1 includes a mask forming step of forming a mask by selectively applying a peelable resin to a sheet-like substrate being conveyed, and a sheet-like substrate including the mask. It includes a thin film forming process for forming a desired thin film on the entire surface, and a mask peeling process for forming a thin film pattern by selectively peeling the mask from the sheet-like substrate. In this method of manufacturing an organic device, a mask is formed by selectively applying (printing) an acrylic resin or the like on a sheet-like substrate in a mask forming step.
しかしながら、従来の有機デバイスの製造方法では、マスクを塗布(印刷)により形成するため、塗布した樹脂を硬化させる必要がある。そのため、従来の有機デバイスの製造方法では、マスクの形成に時間を要するため、生産性について改善の余地がある。 However, in the conventional method for manufacturing an organic device, since the mask is formed by coating (printing), it is necessary to cure the applied resin. Therefore, in the conventional method for manufacturing an organic device, it takes time to form a mask, so there is room for improvement in productivity.
本発明は、生産性の向上を図れる有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the manufacturing method of the organic device which can aim at the improvement of productivity, and the board | substrate for organic devices.
本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板上に、一方向において所定の間隔をあけて複数の第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、第1電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、第1電極層の少なくとも一部上で且つ複数の第1電極層に跨って、一方向に沿ってマスキングテープを貼付するマスキングテープ貼付工程と、マスキングテープ貼付工程の後に、少なくとも有機機能層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、第2電極層形成工程の後に、マスキングテープを剥離する剥離工程と、を含む。 The organic device manufacturing method according to one aspect of the present invention includes a first electrode layer forming step of forming a plurality of first electrode layers on a support substrate extending in one direction at a predetermined interval in one direction; An organic functional layer forming step of forming an organic functional layer on at least a part of the first electrode layer, and along one direction on at least a part of the first electrode layer and across the plurality of first electrode layers After the masking tape applying step for applying the masking tape, the second electrode layer forming step for forming the second electrode layer on at least the organic functional layer after the masking tape applying step, and the masking tape after the second electrode layer forming step And a peeling step for peeling off.
この有機デバイスの製造方法では、第1電極層の少なくとも一部上で且つ複数の第1電極層に跨って、一方向に沿ってマスキングテープを貼付する。そのため、マスキングテープを一方向に沿って貼付する作業のみにより、複数の第1電極層の一部を覆う(マスクする)ことができる。したがって、有機デバイスの製造方法では、マスクの形成に時間を要しない。その結果、有機デバイスの製造方法では、生産性の向上を図れる。 In this method of manufacturing an organic device, a masking tape is applied along one direction on at least a part of the first electrode layer and across the plurality of first electrode layers. Therefore, a part of the plurality of first electrode layers can be covered (masked) only by an operation of applying the masking tape along one direction. Therefore, in the organic device manufacturing method, it does not take time to form the mask. As a result, the organic device manufacturing method can improve productivity.
一実施形態においては、支持基板は可撓性を有しており、第1電極層形成工程、有機機能層形成工程、マスキングテープ貼付工程、第2電極層形成工程及び剥離工程は、巻出しロールに巻き取られた支持基板から連続的に送り出された支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われてもよい。この場合、いわゆるロールツーロール方式で各工程が実施されることになる。したがって、各工程を効率良く行うことができ、生産性の向上が図れる。 In one embodiment, the support substrate has flexibility, and the first electrode layer forming step, the organic functional layer forming step, the masking tape applying step, the second electrode layer forming step, and the peeling step are performed as an unwinding roll. It may be performed during the process of winding the support substrate continuously fed out from the support substrate wound on the winding roll onto the winding roll. In this case, each process is implemented by what is called a roll-to-roll system. Therefore, each process can be performed efficiently and productivity can be improved.
一実施形態においては、有機機能層形成工程において有機機能層を形成した後に、マスキングテープ貼付工程を実施してもよい。これにより、第1電極層においてマスキングテープが貼付されるべき領域が明確になるため、マスキングテープを精度良く貼付できる。なお、有機機能層を形成するとは、有機機能層の全部、又は有機機能層の一部、或いは、有機機能層が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。 In one embodiment, after forming an organic functional layer in an organic functional layer formation process, you may implement a masking tape sticking process. Thereby, since the area | region where a masking tape should be affixed in a 1st electrode layer becomes clear, a masking tape can be affixed accurately. The formation of the organic functional layer means that the whole organic functional layer, a part of the organic functional layer, or, when the organic functional layer is a plurality of layers, at least one of the plurality of layers is formed. Means.
一実施形態においては、マスキングテープ貼付工程においてマスキングテープを貼付した後に、有機機能層形成工程を実施してもよい。これにより、例えば、有機機能層を印刷法等によって形成する場合において、塗布された材料がマスキングテープ上にまで広がったとしても、マスキングテープを剥離することにより、有機機能層のエッジが精度良く形成される。 In one embodiment, the organic functional layer forming step may be performed after the masking tape is applied in the masking tape applying step. Thus, for example, when the organic functional layer is formed by a printing method or the like, the edge of the organic functional layer is accurately formed by peeling the masking tape even if the applied material spreads over the masking tape. Is done.
一実施形態においては、マスキングテープ貼付工程においてマスキングテープを貼付した後で且つ第2電極層形成工程の前に、マスキングテープ及び支持基板の脱ガス処理を行う脱ガス処理工程を含んでいてもよい。第2電極層を真空蒸着法にて形成する場合、マスキングテープが形成された支持基板から処理室にガス(主に水分)が放出されると、処理室の真空度が低下する。低真空で第2電極層を形成すると、素子特性が低下する。そこで、マスキングテープ及び支持基板の脱ガス処理を行うことにより、処理室の真空度が低下することを抑制できる。したがって、素子特性の低下を抑制できる。 In one embodiment, a degassing process step of degassing the masking tape and the support substrate may be included after the masking tape is applied in the masking tape applying step and before the second electrode layer forming step. . In the case where the second electrode layer is formed by a vacuum deposition method, when gas (mainly moisture) is released from the support substrate on which the masking tape is formed into the processing chamber, the degree of vacuum in the processing chamber decreases. When the second electrode layer is formed in a low vacuum, the device characteristics deteriorate. Thus, by performing degassing processing of the masking tape and the support substrate, it is possible to suppress a decrease in the degree of vacuum in the processing chamber. Therefore, it is possible to suppress deterioration of element characteristics.
一実施形態においては、有機機能層を形成した後に支持基板を巻き取る工程を含んでいてもよい。これにより、例えば、マスキングテープの厚さを、マスキングテープの表面の位置が有機機能層の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板を巻き取ったときに、有機機能層と支持基板の裏面とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板との接触に起因する有機機能層のダメージを抑制できる。なお、有機機能層を形成するとは、有機機能層の全部、又は有機機能層の一部、或いは、有機機能層が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。 In one embodiment, a step of winding the support substrate after forming the organic functional layer may be included. Thereby, for example, by setting the thickness of the masking tape so that the position of the surface of the masking tape is higher than the position of the surface of the organic functional layer, when the support substrate is wound up, It can suppress that the back surface of a support substrate contacts. Therefore, damage to the organic functional layer due to contact with the support substrate can be suppressed. The formation of the organic functional layer means that the whole organic functional layer, a part of the organic functional layer, or, when the organic functional layer is a plurality of layers, at least one of the plurality of layers is formed. Means.
一実施形態においては、第2電極層形成工程の後に、支持基板を巻き取る工程を含んでいてもよい。これにより、例えば、マスキングテープの厚さを、マスキングテープの表面の位置が第2電極層の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板を巻き取ったときに、第2電極層と支持基板の裏面とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板との接触に起因する第2電極層のダメージを抑制できる。 In one embodiment, a step of winding the support substrate may be included after the second electrode layer forming step. Thereby, for example, when the thickness of the masking tape is set so that the position of the surface of the masking tape is higher than the position of the surface of the second electrode layer, the second electrode is It can suppress that a layer and the back surface of a support substrate contact. Therefore, damage to the second electrode layer due to contact with the support substrate can be suppressed.
本発明の一側面に係る有機デバイス用基板は、支持基板上に、第1電極層と、有機機能層と、第2電極層とがこの順番で積層されて形成される有機デバイスの製造に用いられる有機デバイス用基板であって、一方向に延在する可撓性の支持基板上に、一方向において所定の間隔をあけて配置された複数の第1電極層と、第1電極層の一部上で且つ複数の第1電極層に跨って、一方向に沿って貼付されたマスキングテープと、を備える。 The organic device substrate according to one aspect of the present invention is used for manufacturing an organic device in which a first electrode layer, an organic functional layer, and a second electrode layer are laminated in this order on a support substrate. A plurality of first electrode layers disposed on a flexible support substrate extending in one direction at a predetermined interval, and one of the first electrode layers. And a masking tape affixed along one direction over the plurality of first electrode layers.
この有機デバイス用基板では、マスキングテープが、第1電極層の一部上で且つ複数の第1電極層に跨って、一方向に沿って貼付されている。このように、マスキングテープを貼付する構成のため、樹脂の塗布及び硬化等によってマスクが形成された場合に比べて、第1電極層のマスクが簡易な構成となっている。そのため、有機デバイス用基板は、生産性の向上が図れている。 In this organic device substrate, the masking tape is attached along one direction on a part of the first electrode layer and across the plurality of first electrode layers. As described above, the mask for the first electrode layer has a simple configuration as compared with the case where the mask is formed by applying or curing the resin because the masking tape is applied. For this reason, productivity of the organic device substrate can be improved.
一実施形態においては、マスキングテープは、第1電極層において、第1電極層と電気的に絶縁されるべき第2電極層が形成されない領域に貼付されていてもよい。これにより、第2電極層を形成したときに、第1電極層と第2電極層との電気的な絶縁を確実に確保できる。 In one embodiment, the masking tape may be affixed to a region of the first electrode layer where the second electrode layer to be electrically insulated from the first electrode layer is not formed. Thereby, when the second electrode layer is formed, electrical insulation between the first electrode layer and the second electrode layer can be reliably ensured.
本発明によれば、生産性の向上を図れる。 According to the present invention, productivity can be improved.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same or equivalent elements will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
図1に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機EL素子1は、支持基板3と、陽極層(第1電極層)5と、有機機能層7と、陰極層(第2電極層)9と、封止層11と、を備えている。
As shown in FIG. 1, the organic EL element 1 manufactured by the organic device manufacturing method of the present embodiment includes a
[支持基板]
支持基板3は、可視光(波長400nm〜800nmの光)に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板3は、フィルム状の基板(フレキシブル基板、可撓性を有する基板)である。支持基板3の厚さは、例えば、30μm以上500μm以下である。支持基板3が樹脂の場合は、ロールツーロールの連続時の基板ヨレ、シワ、伸びの観点からは45μm以上、可撓性の観点からは125μm以下が好ましい。
[Support substrate]
The
支持基板3は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板3の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン(PES);ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂;ポリアミド樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル樹脂;アセタール樹脂;ポリイミド樹脂;エポキシ樹脂を含む。
The
支持基板3の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。また、これらの樹脂は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Among the above resins, the material of the
支持基板3の一方の主面3a上には、水分バリア層(バリア層)が配置されていてもよい。支持基板3の他方の主面3bは、発光面である。なお、支持基板3は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板3が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは30μm以上、可撓性の観点からは100μm以下が好ましい。
A moisture barrier layer (barrier layer) may be disposed on one
[陽極層]
陽極層5は、支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。陽極層5には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、及び銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。
[Anode layer]
The
陽極層5として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層5として、金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。
As the
陽極層5の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層5の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
The thickness of the
陽極層5の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及び塗布法等を挙げることができる。
Examples of the method for forming the
[有機機能層]
有機機能層7は、陽極層5及び支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。有機機能層7は、発光層を含んでいる。有機機能層7は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、或いは該有機物とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、有機物は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層7を構成する発光材料としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料、発光層用ドーパント材料を挙げることができる。
[Organic functional layer]
The organic
(色素材料)
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。
(Dye material)
Examples of the dye material include cyclopentamine and derivatives thereof, tetraphenylbutadiene and derivatives thereof, triphenylamine and derivatives thereof, oxadiazole and derivatives thereof, pyrazoloquinoline and derivatives thereof, distyrylbenzene and derivatives thereof, and distyryl. Arylene and derivatives thereof, pyrrole and derivatives thereof, thiophene compounds, pyridine compounds, perinone and derivatives thereof, perylene and derivatives thereof, oligothiophene and derivatives thereof, oxadiazole dimer, pyrazoline dimer, quinacridone and derivatives thereof, coumarin and derivatives thereof Etc.
(金属錯体材料)
金属錯体材料としては、例えばTb、Eu、Dy等の希土類金属、又はAl、Zn、Be、Pt、Ir等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of metal complex materials include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Pt, Ir, and the like as a central metal, and an oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, and quinoline structure. And the like. Examples of metal complexes include metal complexes having light emission from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyl zinc complexes, A porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, etc. can be mentioned.
(高分子材料)
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。
(Polymer material)
Examples of the polymer material include polyparaphenylene vinylene and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polyparaphenylene and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polyacetylene and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, polyvinylcarbazole and derivatives thereof, Examples thereof include materials obtained by polymerizing dye materials and metal complex materials.
(発光層用ドーパント材料)
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。
(Dopant material for light emitting layer)
Examples of the dopant material for the light emitting layer include perylene and derivatives thereof, coumarin and derivatives thereof, rubrene and derivatives thereof, quinacridone and derivatives thereof, squalium and derivatives thereof, porphyrin and derivatives thereof, styryl dyes, tetracene and derivatives thereof, pyrazolone and derivatives thereof. Derivatives, decacyclene and its derivatives, phenoxazone and its derivatives, and the like.
有機機能層7の厚さは、通常約2nm〜200nmである。有機機能層7は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液(例えばインク)を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。また、上記のような発光材料は、真空蒸着によって形成されてもよい。
The thickness of the organic
[陰極層]
陰極層9は、有機機能層7及び支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。陰極層9は、引出電極9aに電気的に接続されている。引出電極9aは、支持基板3の一方の主面3aに配置されている。引出電極9aは、陽極層5と所定の間隔をあけて配置されている。引出電極9aの厚さは、陽極層5の厚さと同等である。引出電極9aの材料は、陽極層5の材料と同様である。なお、引出電極9aにリード線又はコネクタを電気的に接続し、外部電源から電流を供給する。また、引出電極9aが無くてもよく、その場合は、陰極層9が封止層11の端部よりも外側の外部に伸延される。
[Cathode layer]
The
陰極層9の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第13族金属等を用いることができる。陰極層9の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
As a material of the
また、陰極層9としては、例えば、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、及びIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層9は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極層9として用いられる場合もある。
Further, as the
陰極層9の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層9の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
The thickness of the
陰極層9の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法及び塗布法等を挙げることができる。
Examples of the method for forming the
[封止層]
封止層11は、有機EL素子1において最上部に配置されている。封止層11は、粘接着層(図示しない)により接合されている。封止層11は、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属積層させたフィルム等からなり、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、ステンレスが好ましい。金属箔の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると15μm〜50μmが好ましい。
[Sealing layer]
The
[有機EL素子の製造方法]
続いて、上記構成を有する有機EL素子1の製造方法について説明する。
[Method of manufacturing organic EL element]
Then, the manufacturing method of the organic EL element 1 which has the said structure is demonstrated.
支持基板3が可撓性基板である形態では、図2に概念的に示されるように、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール方式で有機EL素子1を製造する場合、巻出しロール30Aと巻取りロール30Bとの間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板3を連続的に搬送ローラ31で搬送しながら、各層を支持基板3側から順に形成する。
In the form in which the
有機EL素子1を製造する場合、最初に、支持基板3を加熱し、乾燥させる(基板乾燥工程S01)。次に、乾燥された支持基板3(一方の主面3a)上に、陽極層5及び引出電極9aを形成する(陽極層形成工程(第1電極層形成工程)S02)。陽極層5(引出電極9a)は、陽極層5の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。図3に示されるように、陽極層5と引出電極9aとは、支持基板3の幅方向(X方向)において、所定の間隔をあけて形成する。支持基板3上には、陽極層5と引出電極9aとの組(パターン)が、支持基板3の長手方向(Y方向)において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板3の幅方向において所定の間隔をあけて複数(本実施形態では2つ)形成される。
When manufacturing the organic EL element 1, first, the
続いて、図3に示されるように、マスキングテープMを貼り付ける(マスキングテープ貼付工程S03)。マスキングテープMは、所定の幅を有し、一方向に延在する。マスキングテープMの幅及び厚さは、適宜選択されればよい。マスキングテープMの厚さは、例えば、有機機能層7全体の厚さよりも大きいものが選択される。マスキングテープMは、粘接着性を有すると共に、剥離可能とされている。マスキングテープMの粘接着力は、マスキングテープMを剥離したときに、陽極層5が支持基板3から剥離しない程度に設定されている。マスキングテープMを構成する基材の材料としては、陰極層形成工程S06(後述)の際の温度により剥離又はシワ等が発生しないように、支持基板3の線膨張係数に対して±10ppm/℃を有する材料を選択することができる。ここで、線膨張係数は、例えば、JIS K7197で規定されている方法により測定することができる。具体的には、マスキングテープMの基材の材料としては、例えば、PEN、PET等が挙げられる。
Subsequently, as shown in FIG. 3, a masking tape M is pasted (masking tape pasting step S03). The masking tape M has a predetermined width and extends in one direction. The width and thickness of the masking tape M may be appropriately selected. As the thickness of the masking tape M, for example, a thickness larger than the total thickness of the organic
マスキングテープMは、陽極層5の一部を覆うように(陽極層5の一部上に)貼り付けられる。具体的には、マスキングテープMは、陽極層5の一端部(引出電極9aに対向する他端部と反対側の端部)を覆うように貼り付けられる。マスキングテープMは、複数の陽極層5に跨って、支持基板3の長手方向に沿って貼り付けられる。また、マスキングテープMは、引出電極9aの一部を覆うように貼り付けられる。具体的には、マスキングテープMは、引出電極9aの一端部(陽極層5に対向する他端部と反対側の端部)を覆うように貼り付けられる。マスキングテープMは、複数の引出電極9aに跨って、支持基板3の長手方向に沿って貼り付けられる。これにより、有機デバイス用基板が作製される。
The masking tape M is attached so as to cover a part of the anode layer 5 (on a part of the anode layer 5). Specifically, the masking tape M is attached so as to cover one end of the anode layer 5 (the end opposite to the other end facing the
続いて、図4に示されるように、陽極層5上に有機機能層7を形成する(有機機能層形成工程S04)。有機機能層7は、例えばインクジェットプリント法、スプレーコート法、真空蒸着法により、陽極層5上において、マスキングテープMが貼付された領域を除く部分に形成される。具体的には、有機機能層7は、マスキングテープMとの間に隙間が形成されないように形成される。また、有機機能層7は、陽極層5と引出電極9aとの間の一部にも形成される。有機機能層7の厚さは、例えば、マスキングテープMの厚さよりも薄い。有機機能層7は、有機機能層7の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。なお、有機機能層7は、マスキングテープM上、又は、マスキングテープMの一部上に形成されてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 4, an organic
続いて、マスキングテープMが形成された支持基板3の脱ガス(水)処理を行う(脱ガス処理工程S05)。脱(水)ガス処理としては、真空中、不活性雰囲気中、又は、ドライエア中において、IRヒーター、IRランプ、セラミックヒーター等の熱源を用いて、輻射、伝熱、対流等で、マスキングテープMが形成された支持基板3を加熱する方法が用いられる。また、不活性雰囲気中、又は、ドライエア中においては、それらの気体を用いた熱風をマスキングテープMが形成された支持基板3に接触させることもできる。
Subsequently, the
続いて、図5に示されるように、有機機能層7上に陰極層9を形成する(陰極層形成工程(第2電極層形成工程)S06)。陰極層9は、有機機能層7を覆うように形成される。具体的には、陰極層9は、支持基板3の全面、又は、その一部に、例えば、真空蒸着法によって形成される。これにより、陰極層9は、引出電極9aの他端部(マスキングテープMが貼付されていない領域)を覆うと共に、マスキングテープMを覆うように形成される。陰極層9は、陰極層9の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。
Subsequently, as shown in FIG. 5, a
続いて、図6に示されるように、マスキングテープMを剥離する(マスキングテープ剥離工程S07)。剥離されたマスキングテープMは、例えば、ロールに巻き取られる。マスキングテープMを剥離する際には、陰極層9を支持基板3に対して下方に位置させ、マスキングテープMを剥離することが好ましい。これにより、マスキングテープMを剥離したときに発生するダストを下方に落下させることができる。マスキングテープMが剥離されることにより、陽極層5の一部(一端部)及び引出電極9aの一部(一端部)が露出する。そして、封止層11を貼り合わせて、有機機能層7及び陰極層9を封止する(封止工程S08)。以上により、有機EL素子1が形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 6, the masking tape M is peeled off (masking tape peeling step S07). The peeled masking tape M is wound, for example, on a roll. When peeling off the masking tape M, it is preferable to place the
以上説明したように、本実施形態に係る有機EL素子1の製造方法では、陽極層5の少なくとも一部上で且つ複数の陽極層5に跨って、支持基板3の長手方向に沿ってマスキングテープMを貼付する。そのため、マスキングテープMを長手方向に沿って貼付する作業のみにより、複数の陽極層5の一部を覆うことができる。したがって、有機EL素子1の製造方法では、マスクの形成に時間を要しない。その結果、有機EL素子1の製造方法では、生産性の向上を図れる。
As described above, in the method for manufacturing the organic EL element 1 according to this embodiment, the masking tape is formed along at least a part of the
本実施形態では、支持基板3は可撓性を有している。陽極層形成工程S02、マスキングテープ貼付工程S03、有機機能層形成工程S04、脱ガス処理工程S05、陰極層形成工程S06及びマスキングテープ剥離工程S07は、巻出しロール30Aに巻き取られた支持基板3から連続的に送り出された支持基板3を、巻取りロール30Bに巻き取る過程中に行われる。この場合、いわゆるロールツーロール方式で各工程が実施されることになる。したがって、各工程を効率良く行うことができ、生産性の向上が図れる。
In the present embodiment, the
本実施形態では、マスキングテープ貼付工程S03の後に有機機能層形成工程S04を実施する。これにより、例えば、有機機能層7を印刷法等によって形成する場合において、塗布された材料、或いは蒸着された材料がマスキングテープM上にまで広がったとしても、マスキングテープMを剥離することにより、有機機能層7のエッジが精度良く形成される。また、有機機能層7の一部がマスキングテープM上に形成されるように形成することにより、有機機能層7とマスキングテープMとの間に隙間が形成されることを抑制できる。これにより、陽極層5と陰極層9との電気的な絶縁を確実に確保できる。
In this embodiment, organic functional layer formation process S04 is implemented after masking tape sticking process S03. Thereby, for example, when the organic
本実施形態では、マスキングテープ貼付工程S03においてマスキングテープMを貼付した後で且つ陰極層形成工程S06の前に、脱ガス処理工程S05を行う。陰極層9を真空蒸着法にて形成する場合、マスキングテープMが形成された支持基板3から真空チャンバー(処理室)にガス(主に水分)が放出されると、真空チャンバーの真空度が低下する。低真空で陰極層9を形成すると、素子特性が低下する。そのため、本実施形態では、陰極層9を形成する真空チャンバーにマスキングテープMが形成された支持基板3を導入する前に、脱ガス(水)処理を行い、支持基板3とマスキングテープM中のガス(水分)を除去する。これにより、真空チャンバーが低真空となることを抑制できる。その結果、有機EL素子1の特性低下を抑制できる。
In this embodiment, the degassing process step S05 is performed after the masking tape M is applied in the masking tape applying step S03 and before the cathode layer forming step S06. When the
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、陽極層5と陰極層9との間に発光層を含む有機機能層7が配置された有機EL素子1を例示した。しかし、有機機能層7の構成はこれに限定されない。有機機能層7は、以下の構成を有していてもよい。
(a)(陽極層)/発光層/(陰極層)
(b)(陽極層)/正孔注入層/発光層/(陰極層)
(c)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(d)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(e)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/(陰極層)
(f)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(g)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(h)(陽極層)/発光層/電子注入層/(陰極層)
(i)(陽極層)/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記(a)に示す構成は、上記実施形態における有機EL素子1の構成を示している。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, in the said embodiment, the organic EL element 1 with which the organic
(A) (Anode layer) / Light emitting layer / (Cathode layer)
(B) (Anode layer) / Hole injection layer / Light emitting layer / (Cathode layer)
(C) (anode layer) / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / (cathode layer)
(D) (anode layer) / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / (cathode layer)
(E) (Anode layer) / Hole injection layer / Hole transport layer / Light emitting layer / (Cathode layer)
(F) (anode layer) / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / (cathode layer)
(G) (anode layer) / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / (cathode layer)
(H) (anode layer) / light emitting layer / electron injection layer / (cathode layer)
(I) (anode layer) / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / (cathode layer)
Here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are adjacently stacked. The configuration shown in (a) above shows the configuration of the organic EL element 1 in the above embodiment.
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、有機機能層7と同様に塗布法により形成できる。
As materials for the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer, known materials can be used. Each of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer can be formed by, for example, a coating method in the same manner as the organic
ここで、電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、又は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物を含有していてもよい。電子注入層の成膜法としては、塗布法、真空蒸着法等を挙げることができる。酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層の厚さは0.5nm〜20nmが好ましい。電子注入層は、特に絶縁性が強い場合は、有機EL素子1の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜、例えば、0.5nm〜10nmの厚さであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、2nm〜7nmの厚さであることが好ましい。また、電子注入層は、陰極層9を形成する工程において、陰極層9を形成する前に陰極層9と同様にマスキングテープM上に形成されてもよい。したがって、例えば、引出電極9aと陰極層9の間に電子注入層が形成されていてもよい。
Here, the electron injection layer may contain an alkali metal or alkaline earth metal, or an oxide or fluoride of an alkali metal or alkaline earth metal. Examples of the method for forming the electron injection layer include a coating method and a vacuum deposition method. In the case of oxides and fluorides, the thickness of the electron injection layer is preferably 0.5 nm to 20 nm. The electron injection layer is preferably a thin film, for example, a thickness of 0.5 nm to 10 nm from the viewpoint of suppressing an increase in driving voltage of the organic EL element 1, particularly when the insulating property is strong. From the viewpoint of properties, the thickness is preferably 2 nm to 7 nm. The electron injection layer may be formed on the masking tape M in the same manner as the
有機EL素子1は、単層の有機機能層7を有していてもよいし、2層以上の有機機能層7を有していてもよい。上記(a)〜(i)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極層5と陰極層9との間に配置された積層構造を「構造単位A」とすると、2層の有機機能層7を有する有機EL素子の構成として、例えば、下記(j)に示す層構成を挙げることができる。2個ある(構造単位A)の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
(j)陽極層/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極層
The organic EL element 1 may have a single organic
(J) Anode layer / (structural unit A) / charge generation layer / (structural unit A) / cathode layer
ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。 Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, ITO, molybdenum oxide, or the like.
また、「(構造単位A)/電荷発生層」を「構造単位B」とすると、3層以上の有機機能層7を有する有機EL素子の構成として、例えば、以下の(k)に示す層構成を挙げることができる。
(k)陽極層/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極層
Further, assuming that “(structural unit A) / charge generation layer” is “structural unit B”, the configuration of an organic EL element having three or more organic
(K) Anode layer / (structural unit B) x / (structural unit A) / cathode layer
記号「x」は、2以上の整数を表し、「(構造単位B)x」は、(構造単位B)がx段積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位B)の層構成は同じでも、異なっていてもよい。 The symbol “x” represents an integer of 2 or more, and “(structural unit B) x” represents a stacked body in which (structural unit B) is stacked in x stages. A plurality of (structural units B) may have the same or different layer structure.
電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層7を直接的に積層させて有機EL素子を構成してもよい。
The organic EL element may be configured by directly laminating a plurality of organic
上記実施形態では、マスキングテープMを貼付した後に、有機機能層7を形成する形態を一例に説明した。しかし、有機機能層7を形成した後に、マスキングテープMを貼付し、その後に、陰極層9を形成してもよい。有機機能層7を形成するとは、有機機能層7の全部、又は有機機能層7の一部、或いは、有機機能層7が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。有機機能層7は、陽極層5上において、マスキングテープMが貼付される領域以外の部分に形成されてもよい。この場合、マスキングテープMは、有機機能層7との間に隙間が形成されないように貼付される。これにより、陽極層5においてマスキングテープMが貼付されるべき領域が明確になるため、マスキングテープMを精度良く貼付できる。また、陽極層5と陰極層9との電気的な絶縁を確実に確保できる。
In the said embodiment, after sticking the masking tape M, the form which forms the organic
また、図7に示されるように、有機機能層7にマスキングテープMがオーバーラップするように、マスキングテープMを貼付してもよい。この場合、確実に隙間がなくなるため、絶縁性がより確保できる。有機機能層7を形成した後にマスキングテープMを貼付する場合、陽極層5において端子として機能するエリアには、有機機能層7を形成しない、又は、陽極層5上に有機機能層7を形成した後に有機機能層7の一部を除去する。陽極層5上に形成した有機機能層7の除去方法としては、例えば、溶媒を用いての剥ぎ取り、刃等を用いた物理的な剥ぎ取り、又は、レーザー等でのアブレーションを用いることができる。
Further, as shown in FIG. 7, the masking tape M may be stuck so that the masking tape M overlaps the organic
また、陽極層5上に形成した有機機能層7の除去方法としては、マスキングテープMを用いることができる。マスキングテープMは、粘着部(粘着層)を有しているため、粘着部の粘着力により有機機能層7を陽極層5から剥離させることができる。そのため、陽極層5の全体を覆うように有機機能層7を形成し、有機機能層7上にマスキングテープMを貼付してマスキングテープMを剥離することにより、マスキングテープMに密着している有機機能層7がマスキングテープMと一緒に除去される。これにより、陽極層5において端子として機能するエリアが形成される。この方法では、工程の簡略化が図れる。
As a method for removing the organic
上記実施形態に加えて、図8に示されるように、絶縁層15を形成してもよい。この場合、例えば、陽極層5を形成した後に絶縁層15を形成し、陽極層5の一部及び絶縁層15の一部を含んでマスキングテープMを貼付した後に、有機機能層7及び陰極層9を形成してもよい。この場合、マスキングテープMと有機機能層7との間に隙間が形成される場合であっても、陽極層5と陰極層9との電気的な絶縁を確保できる。
In addition to the above embodiment, an insulating
また、絶縁層15は、隔壁の機能を有し、例えば、有機機能層7を塗布プロセスで形成する場合、塗布液が絶縁層15に堰き止められ、有機機能層7の形成エリアを制御することができる。
Moreover, the insulating
また、図9に示されるように、絶縁層15を形成した後に絶縁層15上の一部を含んで有機機能層7を形成し、絶縁層15及び有機機能層7の一部に跨ってマスキングテープMが貼付されてもよい。また、マスキングテープMは、絶縁層15のみに貼付されてもよい。
Further, as shown in FIG. 9, after forming the insulating
上記実施形態では、基板乾燥工程S01から封止工程S08まで連続して実施する形態を一例に説明した。しかし、有機デバイスの製造方法では、有機機能層7を形成した後に支持基板3を巻き取ってもよい。この場合、例えば、マスキングテープMの厚さを、マスキングテープMの表面の位置が有機機能層7の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板3を巻き取ったときに、有機機能層7と支持基板3の裏面(他の主面3b)とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板3との接触に起因する有機機能層7のダメージを抑制できる。なお、支持基板3の巻き取りは、任意のタイミング(各処理の途中)で行うことができる。
In the said embodiment, the form implemented continuously from board | substrate drying process S01 to sealing process S08 was demonstrated to the example. However, in the organic device manufacturing method, the
また、陰極層9を形成した後に支持基板3を巻き取ってもよい。この場合、例えば、マスキングテープMの厚さを、マスキングテープMの表面の位置が陰極層9の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板3を巻き取ったときに、陰極層9と支持基板3の裏面(他の主面3b)とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板3との接触に起因する陰極層9のダメージを抑制できる。なお、ここで言う有機機能層7を形成するとは、有機機能層7の全部、又は有機機能層7の一部、或いは、有機機能層7が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。
Further, the
上記実施形態では、マスキングテープ貼付工程S03において、引出電極9aの一部を覆うようにマスキングテープMを貼り付ける形態を一例に説明した。しかし、マスキングテープ貼付工程S03では、マスキングテープMを引出電極9aに貼り付けなくてもよい。この場合、有機機能層7は、引出電極9aの一部が露出するように形成されればよい。この構成では、引出電極9aを覆うように陰極層9が形成される。
In the above-described embodiment, an example in which the masking tape M is pasted so as to cover a part of the
上記実施形態では、引出電極9aを備える形態を一例に説明したが、引出電極9aは備えられなくてもよい。この場合、陰極層9が引出電極として機能する。
In the above-described embodiment, the form including the
上記実施形態では、基板乾燥工程S01を実施する形態を一例に説明したが、基板乾燥工程S01は実施されなくてもよい。また、上記実施形態では、陽極層形成工程S02において、陽極層5と引出電極9aとの組を、支持基板3の幅方向に所定の間隔をあけて複数形成する形態を一例に説明した。しかし、陽極層形成工程S02では、陽極層5と引出電極9aとの組は、支持基板3の幅方向において1組であってもよい。
In the above embodiment, the embodiment for performing the substrate drying step S01 has been described as an example, but the substrate drying step S01 may not be performed. Moreover, in the said embodiment, the anode layer formation process S02 demonstrated as an example the form which forms the group of the
上記実施形態では、ロールツーロール方式において脱ガス処理工程S05を他の工程と連続的に実施する形態を一例に説明した。しかし、脱ガス処理工程は、独立して実施されてもよい。また、脱ガス処理工程S05は、実施されなくてもよい。 In the said embodiment, the degassing process S05 was continuously demonstrated with the other process in the roll to roll system as an example. However, the degassing process may be performed independently. Further, the degassing process step S05 may not be performed.
上記実施形態では、有機デバイスとして、有機EL素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。 In the said embodiment, the organic EL element was demonstrated to an example as an organic device. The organic device may be an organic thin film transistor, an organic photodetector, an organic thin film solar cell, or the like.
1…有機EL素子、3…支持基板、5…陽極層(第1電極層)、7…有機機能層、9…陰極層(第2電極層)、S02…陽極層形成工程(第1電極層形成工程)、S03…マスキングテープ貼付工程、S04…有機機能層形成工程、S05…脱ガス処理工程、S06…陰極層形成工程(第2電極層形成工程)、S07…マスキングテープ剥離工程。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL element, 3 ... Support substrate, 5 ... Anode layer (1st electrode layer), 7 ... Organic functional layer, 9 ... Cathode layer (2nd electrode layer), S02 ... Anode layer formation process (1st electrode layer) Forming step), S03 ... masking tape attaching step, S04 ... organic functional layer forming step, S05 ... degassing treatment step, S06 ... cathode layer forming step (second electrode layer forming step), S07 ... masking tape peeling step.
Claims (7)
前記第1電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記第1電極層の少なくとも一部上で且つ複数の前記第1電極層に跨って、前記一方向に沿ってマスキングテープを貼付するマスキングテープ貼付工程と、
前記マスキングテープ貼付工程の後に、少なくとも前記有機機能層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
前記第2電極層形成工程の後に、前記マスキングテープを剥離する剥離工程と、
前記マスキングテープ貼付工程において前記マスキングテープを貼付した後で且つ前記第2電極層形成工程の前に、前記マスキングテープ及び前記支持基板の脱ガス処理を行う脱ガス処理工程と、を含む、有機デバイスの製造方法。 A first electrode layer forming step of forming a plurality of first electrode layers on the support substrate extending in one direction at a predetermined interval in the one direction;
An organic functional layer forming step of forming an organic functional layer on at least a part of the first electrode layer;
A masking tape applying step of applying a masking tape along at least one part of the first electrode layer and across the plurality of first electrode layers along the one direction;
A second electrode layer forming step of forming a second electrode layer on at least the organic functional layer after the masking tape attaching step;
After the second electrode layer forming step, a peeling step for peeling the masking tape;
A degassing process step of degassing the masking tape and the support substrate after applying the masking tape in the masking tape applying step and before the second electrode layer forming step. Manufacturing method.
前記第1電極層形成工程、前記有機機能層形成工程、前記マスキングテープ貼付工程、前記第2電極層形成工程及び前記剥離工程は、巻出しロールに巻き取られた前記支持基板から連続的に送り出された前記支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われる、請求項1に記載の有機デバイスの製造方法。 The support substrate has flexibility,
The first electrode layer forming step, the organic functional layer forming step, the masking tape sticking step, the second electrode layer forming step, and the peeling step are continuously sent out from the support substrate wound on a winding roll. The manufacturing method of the organic device of Claim 1 performed during the process which winds the said said support substrate wound on the winding roll.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015229718A JP6129938B1 (en) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | Organic device manufacturing method and organic device substrate |
PCT/JP2016/066390 WO2017090266A1 (en) | 2015-11-25 | 2016-06-02 | Method for manufacturing organic device and substrate for organic devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015229718A JP6129938B1 (en) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | Organic device manufacturing method and organic device substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6129938B1 true JP6129938B1 (en) | 2017-05-17 |
JP2017098105A JP2017098105A (en) | 2017-06-01 |
Family
ID=58714681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015229718A Expired - Fee Related JP6129938B1 (en) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | Organic device manufacturing method and organic device substrate |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6129938B1 (en) |
WO (1) | WO2017090266A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2747171C1 (en) * | 2020-08-21 | 2021-04-28 | Валерий Иванович Паутов | Device for monitoring occurrence of emergency leaks of oil and oil products from pipelines made in protective cases |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2015
- 2015-11-25 JP JP2015229718A patent/JP6129938B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-06-02 WO PCT/JP2016/066390 patent/WO2017090266A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017098105A (en) | 2017-06-01 |
WO2017090266A1 (en) | 2017-06-01 |
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