JP6129270B2 - 曲げ耐性のマルチモード光ファイバ - Google Patents

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Description

本発明は、優れた曲げ耐性を有するマルチモード光ファイバに係り、光通信の技術分野に係るものである。
科学技術のますますの発展につれて、中国では、光ファイバブロードバンドとマルチサービスが融合される情報高速発展期に入っている。融合後の電気通信網、放送テレビ網及びインターネット網は、いずれも多種類のベアラサービスとして提供され、ユーザに対して、電話通信、ネット通信、テレビ鑑賞など、様々なサービスの提供ができる。高性能接続、ストレージエリアネットワーク(SAN)、ネットワークアタッチトストレージ(NAS)、高性能計算(例えばクラウド計算など)などに対応できるよう、プロバイダと企業のデータセンターのコンピュータルームのネットワーク基礎施設は、高帯域と柔軟性がより高く要求される。従って、数年で、40Gのみならず、100Gイーサネット(登録商標)までもが、徐々にデータセンターに採用されるようになる。特に、近年来、クラウド計算やモノのインターネットなどの概念の提起、及びマルチモード光ファイバ通信網におけるVCSELの応用により、データセンター及び中央コンピュータルームにおいて、マルチモード光ファイバに対してより厳しい要求が課せられ、光ファイバの帯域幅の要求及び光ファイバの曲げ耐性の2つのパラメータは最も重要なパラメータに含まれる。
2010年6月17日に、IEEE802.3 ba規格、即ち40/100Gイーサネット規格が許可された。当該標準は、40Gb/sと100Gb/s速度での150メートルのマルチモード光ファイバ伝送と40キロメートルのシングルモード光ファイバ伝送に対応する。当該標準の正式な発表により、40Gと100Gイーサネットによるネットワークの構築は加速化するようになる。
OM3、OM4光ファイバは、コア径が50μmであり、屈折率が漸変するマルチモード光ファイバであり、開口数が0.200±0.015である。OM3とOM4光ファイバの最小有効モード帯域幅EMB(Effective Mode Bandwidth)は、それぞれ2000MHz.km、4700MHz.kmである。OM3/OM4マルチモード光ファイバは、10Gb/s、40Gb/s、100Gb/sシステムにおける伝送距離が表1に示される。中短距離の高速網において、マルチモード光ファイバが任に堪えることが分かる。
通常のOM3/OM4マルチモード光ファイバに比較し、曲げに敏感ではないOM3/OM4光ファイバは、高帯域幅を有する特性に加え、より優れる曲げ耐性を有するため、データセンター及び中央コンピュータルームなど特殊な配置条件下で利点がより発揮でき、各光ファイバ・ケーブルメーカーの研究開発の重要点になり、通常のOM3、OM4光ファイバに取って代わる傾向がある。
光ファイバのベンド付加減衰を低下させる有効な方法のひとつは、埋め込みクラッド層を設計することである。光ファイバが小さく曲げられる場合に、コアから漏洩した光は、比較的高い割合でインナークラッド層に阻まれてコアに戻されることにより、光ファイバのマクロベンド付加損失を効果的に低下させる。
通常の埋め込みクラッド層構造を有する光ファイバは、一般的に、埋め込みクラッド層の構造、即ち、埋め込みクラッド層の深さ、幅、及び埋め込みクラッド層からコア層までの距離が改良される。より良好な曲げ耐性を得るために、理論上、埋め込みクラッド層の幅と深さが大きければ大きいほど、光ファイバの曲げ耐性を増加させるが、マルチモード光ファイバの高次モードの光が外部の純石英に漏洩されにくく、光ファイバのDMD特性及び帯域幅性能に影響を与える。
現在、各マルチモード光ファイバレーザのメーカーのVCSEL光源は、いずれも大きさの異なる波長分光が存在する。異なる波長のレーザ光が光ファイバのコア層においてモード同期状態で伝送できることを保証するために、コア層内部のドープによる異なる波長の伝送速度に起因する敏感性を考慮し、合理的なドープ濃度を設計することができる。このため、VCSEL光源のレーザ光の光ファイバの内部でのモード同期伝送が保証される。特にVCSEL光ファイバがコア層の中心位置から注入される場合に、コア層の中心位置で適切なGe/Fの共添加形式を取ることにより、DMD性能を効果的に最適化できる。
理論上、マルチモード光ファイバの良好なDMD特性及び帯域幅性能を保証するために、光ファイバのコア層屈折率断面の精確な制御は、非常に重要である。しかし、実際に光ファイバを生産する過程では、まずプレフォームを作製し、それから線引き工程により光ファイバを得る。ファイバ形成過程において、ガラス原料は、避けられずに外力から作用を受けるため、線引きした光ファイバは、残存する応力と組成の拡散により、最初のプレフォームと比較すると、光ファイバのコア層屈折率断面分布に歪みが生じる。研究によると、インナークラッド層の粘度を合理的に設計し、傾斜機能材料を使用することにより、コア層と埋め込みクラッド層の間に一部の線引き張力を負担するバッファ層が形成できる。このことが、コア層とクラッド層の界面効果による、光ファイバのコア層への影響を、減少させることが明らかになっている。曲げ耐性のマルチモード光ファイバのプレフォームの中間クラッド層にFがドープされない場合に、一定の線引き張力の作用により光ファイバを形成し、そのDMD特性は、一般的に、図5に示すようになる。即ち、コア層の外部寄りの部分に偏差と広がりが生じ、光ファイバのコア層屈折率断面の外部寄り領域に変形が生じたことを示す。中間クラッド層に一定量のFがドープされる場合に、同様の線引き張力の作用により、そのDMD特性は図6に示すようになり、光ファイバのコア層屈折率断面の外部寄り領域の歪み度合いが明らかに減少する。大規模な生産において、適切な中間クラッド層の粘度により、光ファイバの屈折率断面の精度を最大限に保証し、製品の歩留まり率を向上させる。しかし、コア層のエッジ位置におけるFドープの寄与量が同等である条件下で、クラッドコア層におけるFドープの寄与量を相違させると、波長が850mmの光の全モード励振帯域幅と波長が1300nmの光の全モード励振帯域幅との関係を示す分布も、図7に示すように相違を呈する。従って、傾斜機能材料の観点から合理的な光ファイバ断面構造と組成とを設計することは、曲げ耐性のマルチモード光ファイバのコア層と埋め込みクラッド層との構造や組成の相違によって光ファイバの性能パラメータが悪化する等の一連問題の解決に役立つ。
特許文献1には曲げ耐性のマルチモード光ファイバ構造が開示されている。コア層の不純物含有量の変化の角度から光ファイバの帯域幅特性を制御するが、その中間クラッド層はFがドープされておらず、Geがドープされているガラス材料である。従って、特許文献1の光ファイバは、コア層、インナークラッド層、埋め込みクラッド層の順に構成されており、粘度の変化度合いが大きく、傾斜機能材料が使用されていない。
米国特許第8644664号明細書
本発明の内容を説明しやすくするために、一部の用語を定義する。
コア棒:コア層と一部のクラッド層を含むプレフォーム。
半径:当該層の外境界から中心点までの距離。
屈折率断面:光ファイバ又は光ファイバプレフォーム(コア棒を含む)のガラス屈折率とその半径との間の関係。
比屈折率差:
とnは、各対応部分と純石英ガラスのガラス屈折率である。特に断りがなければ、nは、各対応部分の最大屈折率である。
フッ素(F)の寄与量:純石英ガラスに対するフッ素(F)がドープされる石英ガラスの比屈折率の差(ΔF)であり、フッ素(F)のドープ量を示す。
ゲルマニウム(Ge)の寄与量:純石英ガラスに対するゲルマニウム(Ge)がドープされる石英ガラスの比屈折率の差(ΔGe)であり、ゲルマニウム(Ge)のドープ量を示す。
チューブ:一定の幾何学的特徴とドープ要求を満たす石英ガラス管。
RIT工程:コア棒をチューブに入れて光ファイバプレフォームとする工程。
べき法則屈折率断面:以下のべき指数関数(power exponential function)を満足する屈折率断面。
n1は光ファイバの軸心の屈折率、rは光ファイバの軸心からの距離、aは光ファイバのコアの半径、αは分布指数、Δはコア/クラッド比屈折率差である。
本発明により解決しようとする技術問題は、従来技術に存在する不備に対して、材料の組成と構造の設計が合理的であり、曲げ耐性で高帯域幅の利点を有するマルチモード光ファイバを提供することである。
本発明のコア層とクラッド層とを含むマルチモード光ファイバにおいて、コア層屈折率断面は、放物線形状を呈し、分布指数αは、1.9〜2.2であり、コア層の半径R1は、23〜27μmであり、最大比屈折率差Δ1maxは、0.9%〜1.2%であり、上記クラッド層は、内から外へと順にインナークラッド層、埋め込みクラッド層、アウタークラッド層であり、上記インナークラッド層の幅(R2−R1)は、1〜3μmであり、比屈折率差Δ2は、−0.05%〜0.1%であり、上記埋め込みクラッド層の幅(R3−R2)は、2〜5μmであり、比屈折率差Δ3は、−1%〜−0.3%であり、上記コア層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層であり、コア層中心位置のFドープの寄与量ΔF1minは、0%以下であり、コア層のエッジ位置のFドープの寄与量ΔF1maxは、−0.45%以上であり、上記アウタークラッド層は、純石英ガラス層であることを特徴とする。
上記において、コア層の中心位置からコア層のエッジ位置に向かって、Fドープの寄与量(絶対値)は、逓増状であり、増加傾向として線形又は近似放物線を呈する。
上記において、インナークラッド層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層であり、Fドープの寄与量ΔF2は、−0.45%以上である。
上記において、埋め込みクラッド層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層又はFのみがドープされる石英ガラス層であり、Fドープの寄与量ΔF3は、−1%〜−0.3%である。
上記において、光ファイバのコア層、クラッド層のFドープの寄与量は、ΔF1min>ΔF2≧ΔF1max>ΔF3を満たす。
上記において、本発明の光ファイバのDMD Inner Mask(5〜18μm)とDMD Outer Mask(0〜23μm)とは、ともに0.33ps/m以下であり、DMD Interval Mask は、0.25ps/m以下である。好ましい条件では、光ファイバのDMD Inner Mask(5〜18μm)とDMD Outer Mask(0〜23μm)とは、ともに0.14ps/m以下であり、DMD Interval Mask は、0.11ps/m以下である。
上記において、光ファイバは、光の波長850nmにおいて1500MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有し、光の波長1300nmにおいて500MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有する。
さらに、光ファイバは、光の波長850nmにおいて3500MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有し、光の波長1300nmにおいて550MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有する。
さらに、光ファイバは、光の波長850nmにおいて5000MHz−km以上の帯域幅を有し、光の波長1300nmにおいて600MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有することが好ましい。
上記において、光ファイバの開口数は、0.185〜0.215である。
上記において、光ファイバは、光の波長850nmにおいて、7.5mmのベンド半径で2周巻き取ることによるベンド付加損失が0.2dB以下であり、光の波長1300nmにおいて、7.5mmのベンド半径で2周巻き取ることによるベンド付加損失が0.5dB以下である。
本発明に記載するマルチモード光ファイバの製造方法は、以下のとおりである。
純石英ガラス管をプラズマCVD(PCVD)装置に固定し、反応気体を導入してドープと堆積を行う。反応気体の四塩化ケイ素(SiCl)と酸素(O)に対して、フッ素(F)を含有する気体を入れ、フッ素(F)ドーピングを行い、四塩化ゲルマニウム(GeCl)を入れてゲルマニウム(Ge)ドーピングを行う。上記フッ素(F)を含有する気体は、C、CF、SiF、SF、Cのいずれか1つ又は複数である。マイクロ波によって管内の反応気体をプラズマ化してプラズマ体にし、最終的にガラスの形態で管の内壁に堆積させる。上記光ファイバ導波路構造のドープ要求に基づいて、混合気体におけるドープ気体の流量を変えることにより、埋め込みクラッド層、インナークラッド層及びコア層を順に堆積する。堆積終了後、電気加熱炉で堆積管を中実のコア棒につぶさせる。それから純石英ガラスをチューブとしてRIT工程でプレフォームを作製し、又は、OVD、VAD又はAPVDの被覆堆積工程でアウタークラッド層を作製してプレフォームを作製する。その後、プレフォームを光ファイバ線引き塔に置き光ファイバに延ばし、光ファイバの表面に内外2層の紫外線で硬化したポリアクリル酸樹脂を塗布することでマルチモード光ファイバが得られる。
本発明による有益な効果は以下のとおりである。1)傾斜機能材料組成とその構造を有するマルチモード光ファイバを設計することにより、曲げ耐性のマルチモード光ファイバでは、コア層及び埋め込みクラッド層の粘度の大きな相違による、光ファイバのコア層屈折率断面のファイバ形成後の歪みおよびDMD/帯域性能悪化などの問題が解決し、光ファイバのDMD特性が効果的に改善され、帯域性能が大幅に向上される。2)光ファイバのコア層にGe/Fを共添加することにより、コア層材料の材料分光特性の改良に役立ち、帯域幅性能が向上する。3)合理的な埋め込みクラッド層パラメータの設計により、光ファイバの曲げ性能が向上する。4)本発明は、製造方法が簡単であり、大規模の生産に好適である。5)本発明の光ファイバは、曲げ耐性で高帯域幅の利点を有し、アクセスネットワーク及び小型化光学デバイスに広く使用される。
本発明の光ファイバの一実施例の屈折率断面図である。 本発明の光ファイバの断面図である。 本発明の一実施例のGe/Fドープ寄与量を示す図面である。 本発明の別の実施例のGe/Fドープ寄与量を示す図面である。 本発明の中間クラッド層にFがドープされない曲げ耐性のマルチモード光ファイバのDMD特性である。 本発明の中間クラッド層におけるFドープ寄与量が−0.3%である曲げ耐性のマルチモード光ファイバのDMD特性である。 異なるFドープ寄与量を有する曲げ耐性のマルチモード光ファイバの光の波長が850nmにおける全モード励振帯域幅と光の波長が1300nmにおける全モード励振帯域幅との関係の分布関係図である。
以下、詳細な実施例を挙げて本発明をさらに説明する。
本発明に記載する方法により、プレフォームを一組製造して線引きする。マルチモード光ファイバは、2層塗布される。光ファイバの構造と主要性能パラメータは、表1を参照する。
光ファイバは、コア層とクラッド層とを含む。コア層屈折率断面は、放物線形状を呈し、分布指数αは、1.9〜2.2である。コア層の半径R1は、23〜27μmであり、最大比屈折率差Δ1maxは、0.9%〜1.2%である。上記クラッド層は、内から外へと順にインナークラッド層、埋め込みクラッド層、アウタークラッド層である。上記インナークラッド層の半径は、R2であり、比屈折率差Δ2は、−0.05%〜0.1%である。上記埋め込みクラッド層の半径は、Rであり、比屈折率差Δ3は、−1%〜−0.3%である。上記アウタークラッド層は、純石英ガラス層であり、アウタークラッド層の半径R4は、60〜65μmである。
マクロベンド付加損失は、FOTP−62(IEC−60793−1−47)方法に基づいて測定して得る。測定される光ファイバは、一定の径(例えば10mm、15mm、20mm、30mmなど)で1周巻き取り、それから繰り出し、巻き取る前後の光電力の変化を測定して、これを光ファイバのマクロベンド付加損失とする。測定時に、エンサークルドフラックス(encircled flux)光注入条件を採用する。エンサークルドフラックス(encircled flux)光注入条件は、以下の方法によって取得できる。測定される光ファイバの前端に長さ2メートルでコア径50マイクロ・メートルの普通のマルチモード光ファイバを溶接し、該光ファイバの中部に径25mmで1周巻き取り、満注入状態の光が該光ファイバに注入するときに、測定される光ファイバがエンサークルドフラックス(encircled flux)光注入となる。
満注入帯域幅は、FOTP‐204方法に基づいて測定して得る。測定には満注入条件を採用する。
(付記1)
コア層とクラッド層とを含む曲げ耐性のマルチモード光ファイバにおいて、
コア層屈折率断面は、放物線形状を呈し、αは、1.9〜2.2であり、
コア層の半径R1は、23〜27μmであり、最大比屈折率差Δ1maxは、0.9%〜1.2%であり、
上記クラッド層は、内から外へと順にインナークラッド層、埋め込みクラッド層、アウタークラッド層であり、
上記インナークラッド層の幅(R2−R1)は、1〜3μmであり、比屈折率差Δ2は、−0.05%〜0.1%であり、
上記埋め込みクラッド層の幅(R3−R2)は、2〜5μmであり、比屈折率差Δ3は、−1%〜−0.3%であり、
上記コア層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層であり、コア層中心位置のFドープの寄与量ΔF1minは、0%以下であり、コア層のエッジ位置のFドープの寄与量ΔF1maxは、−0.45%以上であり、
上記アウタークラッド層は、純石英ガラス層であることを特徴とする曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
(付記2)
コア層の中心位置からコア層のエッジ位置に向かって、Fドープの寄与量は、逓増状であり、増加傾向として線形又は近似放物線を呈することを特徴とする付記1に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
(付記3)
インナークラッド層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層であり、Fドープの寄与量ΔF2は、−0.45%以上であることを特徴とする付記1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
(付記4)
埋め込みクラッド層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層又はFのみがドープされる石英ガラス層であり、Fドープの寄与量ΔF3は、−1%〜−0.3%であることを特徴とする付記3に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
(付記5)
光ファイバのコア層、クラッド層のFドープの寄与量は、ΔF1min>ΔF2≧ΔF1max>ΔF3を満たすことを特徴とする付記4に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
(付記6)
光ファイバのDMD Inner Mask(5〜18μm)とDMD Outer Mask(0〜23μm)とは、ともに0.33ps/m以下であり、DMD Interval Mask は、0.25ps/m以下であることを特徴とする付記1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
(付記7)
光ファイバは、光の波長850nmにおいて3500MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有し、光の波長1300nmにおいて550MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有することを特徴とする付記1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
(付記8)
光ファイバの開口数は、0.185〜0.215であることを特徴とする付記1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
(付記9)
光ファイバは、光の波長850nmにおいて、7.5mmのベンド半径で2周巻き取ることによるベンド付加損失が0.2dB以下であり、光の波長1300nmにおいて、7.5mmのベンド半径で2周巻き取ることによるベンド付加損失が0.5dB以下であることを特徴とする付記1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。

Claims (8)

  1. コア層とクラッド層とを含む曲げ耐性のマルチモード光ファイバにおいて、
    コア層屈折率断面は、放物線形状を呈し、αは、1.9〜2.2であり、
    コア層の半径R1は、23〜27μmであり、最大比屈折率差Δ1maxは、0.9%〜1.2%であり、
    上記クラッド層は、内から外へと順にインナークラッド層、埋め込みクラッド層、アウタークラッド層であり、
    上記インナークラッド層の幅(R2−R1)は、1〜3μmであり、比屈折率差Δ2は、−0.05%〜0.1%であり、
    上記埋め込みクラッド層の幅(R3−R2)は、2〜5μmであり、比屈折率差Δ3は、−1%〜−0.3%であり、
    上記コア層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層であり、コア層中心位置のFドープの寄与量ΔF1minは、0%以下であり、コア層のエッジ位置のFドープの寄与量ΔF1maxは、−0.45%以上であり、
    上記アウタークラッド層は、純石英ガラス層であり、
    前記埋め込みクラッド層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層であり、Fドープの寄与量ΔF3は、−1%〜−0.3%である、
    ことを特徴とする曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
  2. コア層の中心位置からコア層のエッジ位置に向かって、Fドープの寄与量は、逓増状であり、増加傾向として線形又は近似放物線を呈することを特徴とする請求項1に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
  3. インナークラッド層は、GeとFの両方がドープされる石英ガラス層であり、Fドープの寄与量ΔF2は、−0.45%以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
  4. 光ファイバのコア層、クラッド層のFドープの寄与量は、ΔF1min>ΔF2≧ΔF1max>ΔF3を満たすことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
  5. 光ファイバのDMD Inner Mask(5〜18μm)とDMD Outer Mask(0〜23μm)とは、ともに0.33ps/m以下であり、DMD Interval Mask は、0.25ps/m以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
  6. 光ファイバは、光の波長850nmにおいて3500MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有し、光の波長1300nmにおいて550MHz−km以上の全モード励振帯域幅を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
  7. 光ファイバの開口数は、0.185〜0.215であることを特徴とする請求項1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
  8. 光ファイバは、光の波長850nmにおいて、7.5mmのベンド半径で2周巻き取ることによるベンド付加損失が0.2dB以下であり、光の波長1300nmにおいて、7.5mmのベンド半径で2周巻き取ることによるベンド付加損失が0.5dB以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の曲げ耐性のマルチモード光ファイバ。
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