CN103149630B - 一种低衰减单模光纤 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种低衰耗单模光纤，包括有纤芯层和包层，其特征在于在纤芯层外依次包覆第一内包层和第二内包层，所述的纤芯层半径R1为3.5μm~5μm，相对折射率差为0.2%~0.4%，所述的第一内包层半径R2为6.5μm~11μm，相对折射率差为-0.06%~0%，所述的第二内包层半径R3为15μm~30μm，相对折射率差范围为-0.02%~0.05%；最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。本发明采用了双内包层结构，使光纤的折射率剖面设计更趋合理。对芯层和包层的掺杂剂进行优化，使得纤芯层材料的粘度降低，可以匹配芯层和包层的粘度，有效降低拉丝张力所造成的应力集中在纤芯部分而造成光纤衰减增加。光纤在全面兼容G.652标准的基础上，衰减性能远远优于常规G.652光纤。

Description

一种低衰减单模光纤
技术领域
本发明涉及光纤传输领域，具体的涉及一种用于光通信传输系统的具有较低衰耗的单模光纤。
背景技术
单模光纤作为目前光纤通信网络的传输媒质，从长途干线网到城域网以及接入网都被广泛应用。EDFA光放大技术和波分复用技术(WDM)作为光通信发展的里程碑，使得光通信系统的传输容量距离积得到了巨大提升，高速大容量长距离传输成为目前光纤通信行业内的研究热点。40G的商业化系统已在不断向100G系统演进，并且超100G系统也已经在实验阶段取得了一定的研究成果，为了满足光纤通信系统的发展的需求，作为重要传输媒质的单模光纤的相关性能指标也有待进一步改进。光纤的衰减、有效面积、色散及偏振模色散是影响系统传输距离和传输容量的四个关键因素。对于100G和超100G系统，采用了高级调制方式PDM-QPSK以及接收端的相干检测技术和数字信号处理DSP技术，这些技术的引入可以补偿色散及PMD，且能够实现50000ps/nm以上的色散补偿范围以及20~30ps的PMD补偿范围。因此色散和偏振模色散不再是对系统传输限制的最主要因素。对于系统而言，需要克服和减少光纤的衰减和有效面积这两大因素对光纤通信系统的影响以改善系统传输距离和容量的限制。用于光纤传输系统的传输线路中的单模光纤，光纤衰减系数越小，光信号的可传输距离越长；在同样传输距离下，光信号的衰减幅度越小。光纤的有效面积越大，单位面积上的入纤功率越小，则自相位调制SPM、交叉相位调制XPM、四波混频FWM等非线性效应相对减弱，从而保证高功率下光信号的传输质量。衰减的降低都可以转换到接收端的光信噪比OSNR，以及提高系统的OSNR的冗余量；有效面积的增大可以允许高入纤功率，有效提高接收端的OSNR，进一步提高系统的传输质量和传输距离。
在长距离通信中是利用衰减降低的光纤构筑数千公里的长距离链路，光信号的传输是靠中继站完成的。如果将光纤链路中累积的信号衰减控制到最小，就可以增大相邻两个中继站之间的距离，从而可以减小中继站的数量，最终可以大大减小中继站的运营建设及维护的成本。因此，降低光纤的衰减系数不论从优化系统结构还是降低运营成本，都具有很重要的意义。
在光纤材料中，光纤的衰减来源主要分为光纤具有的固有损耗以及光纤制成后由使用条件造成的附加损耗。固有损耗包括散射损耗、吸收损耗和因光纤结构不完善引起的损耗。附加损耗则包括微弯损耗、弯曲损耗和接续损耗。其中，散射损耗和吸收损耗是由光纤材料本身的特性决定的，瑞利散射是一种线性散射（即与光信号的频率无关），其大小与波长的4次方成反比，同时由其引起的损耗与掺杂材料的种类与浓度有关。一般来说，掺杂材料的浓度越低，则瑞利散射所引起的损耗越小。
在美国专利US6917740中，描述了一种材料粘度失配得到改善的纯硅芯单模光纤及其制造方法。通过在芯层中掺氯和氟，使得芯层和包层的玻璃化转变温度Tg的差值缩小到200℃以内，优化光纤的衰减性能。该专利未涉及光纤的光学传输性能。
在中国专利CN102411168中，描述了一种低损耗光纤的设计及其制造方法。借助混合VAD/MCVD处理过程生产光纤，纤芯由VAD生产，内包层是凹陷结构由MCVD生产。绝大部分光功率限制在低OH的VAD纤芯中，以及借助无掺杂石英区的光功率最大化，使光损耗达到最小。
以下为本发明中涉及的一些术语的定义和说明：
折射率剖面：光纤中玻璃折射率与其半径之间的关系。
从光纤纤芯轴线开始算起，根据折射率的变化，定义为最靠近轴线为纤芯层，围绕在芯层外的依次为第一包层、第二包层，以此类推。光纤的最外层为纯二氧化硅层定义为光纤外包层。
相对折射率由以下方程式定义，
，其中为各对应部分的折射率，而为包层折射率，即纯二氧化硅的折射率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题旨在通过合理的折射率剖面设计，获得一种用于通信传输系统的低衰耗单模光纤。
本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为：包括有纤芯层和包层，其特征在于在纤芯层外依次包覆第一内包层和第二内包层，所述的纤芯层半径R1为3.5μm~5μm，相对折射率差为0.2%~0.4%，所述的第一内包层半径R2为6.5μm~11μm，相对折射率差为-0.06%~0%，所述的第二内包层半径R3为15μm~30μm，相对折射率差范围为-0.02%~0.05%；最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。
按上述方案，所述的纤芯层半径R1优选为4μm~5μm，相对折射率差优选为0.2%~0.35%。
按上述方案，所述的纤芯层由掺氟(F)和锗(Ge)的石英玻璃组成，或由掺氟(F)和其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF1为-0.1%~-0.03%。
按上述方案，所述的第一内包层半径R2优选为8μm~10μm，相对折射率差优选为-0.05%~-0.02%。
按上述方案，所述的第一内包层由掺氟(F)和/或其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF2为-0.3%~-0.1%。
按上述方案，所述的第一内包层氟(F)的贡献量ΔF2优选范围为-0.25%~-0.2%。
按上述方案，所述的第二内包层由掺氟(F)和/或其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF3为-0.02%~-0.03%。
按上述方案，所述的外包层为OVD、VAD或APVD制备的纯二氧化硅石英玻璃层。
按上述方案，所述光纤在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.325dB/km，优选条件下，小于或等于0.315dB/km；在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.190dB/km，优选条件下，小于或等于0.185dB/km。
按上述方案，所述光纤在1310nm波长的模场直径为8.6~9.5μm。
按上述方案，所述光纤的光缆截止波长小于或等于1260nm。
按上述方案，所述光纤的零色散波长为1300~1324nm，光纤在零色散波长处的色散斜率小于或等于0.092ps/nm2 *km。
本发明的有益效果在于：1.本发明采用了双内包层结构，并利用PCVD沉积工艺对纤芯层和包层的掺杂量进行优化，精确控制光纤的剖面结构，使光纤的折射率剖面设计更趋合理。2.对芯层和包层的掺杂剂进行优化，掺杂剂会改变石英玻璃的折射率。锗、氯、磷等掺杂剂可使掺杂后石英玻璃的折射率差为正值，称之为“正掺杂剂”，而氟、硼等掺杂剂可使折射率差为负值，称之为“负掺杂剂”。同时使用“正掺杂剂”和“负掺杂剂”对石英玻璃掺杂，则综合相对折射率差可为正值、负值或者0。本发明纤芯层中同时掺杂氟和锗，使得纤芯层材料的粘度降低，可以匹配芯层和包层的粘度，拉丝后的光纤内部的残余应力将会减小，有利于减小光纤的衰减系数，且第一包层在光纤剖面上形成“下陷包层”结构，以保证避免出现“LP01模泄露”现象，其粘度小于第二内包层，第二内包层将在拉丝时承载较大比例的拉丝张力，这样可以有效降低拉丝张力所造成的的应力集中在纤芯部分而造成光纤衰减增加。3.光纤在全面兼容G.652标准的基础上，衰减性能远远优于常规G.652光纤。可以获得更长的无中继距离与更大的系统冗余量，从而优化系统结构，减少中继站的建设和运营成本。4.本发明光纤的截止波长、弯曲损耗、色散等综合光学性能参数在应用波段良好，足够小的成缆截止波长，可保证该光纤在传输应用中光信号的单模状态。
附图说明
图1是本发明的实施例一中的一个光纤折射率剖面示意图。
图2是本发明的实施例一中的另一个光纤折射率剖面示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明进行详细描述。
实施例一：包括纤芯层和包层，纤芯层由掺有氟及其他掺杂剂的石英玻璃组成：纤芯层外有三个包层。第一内包层紧密围绕纤芯层，与纤芯层同为PCVD沉积法制得；第二内包层由掺氟的石英玻璃组成；第三包层为外包层，紧密围绕第二内包层的所有分层，为OVD工艺制备的纯二氧化硅层，直径为125μm。
按照上述单模光纤的技术方案，在其所规定的范围内对光纤的参数进行设计，通过PCVD沉积工艺等芯棒制造工艺来根据光纤的设计要求制造芯棒，通过套管工艺、OVD工艺等外包工艺来完成整个预制棒的制造。PCVD工艺在进行一定浓度的掺氟(F)时，能够精确地控制掺氟量，具备一定的优势。本发明中，为达到设计的折射率分布值，掺杂材料可以是掺氟，也可以是掺锗（其它掺杂剂），或者可以是锗氟共掺，或由掺氟(F)和其它掺杂剂的石英玻璃组成。
所制备光纤的折射率剖面以及掺杂材料的主要参数如表1所示，其折射率剖面示意图如图1和图2。
所制备光纤的主要性能参数如表2所示。
从实施例可以看出，纤芯层中氟(F)的掺杂量如果增加，则意味着纤芯层中“正掺杂剂”的浓度需要增加来维持△1不变，掺杂剂浓度的增加将进一步降低芯层材料的粘度，提高了芯层和包层材料的粘度匹配程度，有利于改善光纤的衰减性能，正如表1中实例3和4所反应的情况。
实验表明，按照本实施例的技术方案所制备的光纤，在波长为1310nm处的模场直径为8.6μm到9.5μm，光缆截止波长在1260nm以下，且在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.325dB/km，优选条件下，小于或等于0.315dB/km，1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.190dB/km，优选条件下，小于或等于0.185dB/km。
表1：光纤的结构和材料组成
表2：光纤的主要性能参数
实施例二：包括纤芯层和包层，纤芯层由掺有氟及其他掺杂剂的石英玻璃组成：芯层外有三个包层。第一内包层紧密围绕纤芯层，与纤芯层同为PCVD沉积法制得；第二内包层由掺氟的石英玻璃组成；第三包层为外包层，紧密围绕第二包层的所有分层，为APVD或VAD制备的纯二氧化硅层，直径为125μm。
按照上述单模光纤的技术方案，在其所规定的范围内对光纤的参数进行设计，通过PCVD沉积工艺等芯棒制造工艺来根据光纤的设计要求制造芯棒，通过套管工艺、APVD或VAD工艺等外包工艺来完成整个预制棒的制造。PCVD工艺在进行一定浓度的掺氟(F)时，能够精确地控制掺氟量，具备一定的优势。本发明中，为达到设计的折射率分布值，掺杂材料可以是掺氟，也可以是掺锗，或者可以是锗氟共掺,或由掺氟(F)和其它掺杂剂的石英玻璃组成。
所制备光纤的折射率剖面以及掺杂材料的主要参数如表3所示。
所制备光纤的主要性能参数如表4所示。
在实施例二的技术方案中，由于APVD工艺制备的外包层比OVD工艺制备的外包层的粘度大，加上采用光纤退火工艺，配合不同的玻璃材料粘度匹配，改善了拉丝过程中各包层的应力分布情况，其中外包层能承担更大的应力，减少了芯层和内包层在拉丝后产生的缺陷，改善了光纤衰减性能。同时纤芯层和内包层可以减少掺杂，衰减系数更小。
按照本实施例的技术方案所制备的光纤，在波长为1310nm处的模场直径为8.6μm到9.5μm，光缆截止波长在1260nm以下，采用合适的退火工艺，匹配不同玻璃材料的粘度后，在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.315dB/km，优选条件下，小于或等于0.310dB/km，1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.190dB/km，优选条件下，小于或等于0.185dB/km。
表3：光纤的结构和材料组成
表4：光纤的主要性能参数

Claims (11)

1.一种低衰减单模光纤，包括有纤芯层和包层，其特征在于在纤芯层外依次包覆第一内包层和第二内包层，所述的纤芯层半径R1为4.3μm~5μm，相对折射率差为0.2%~0.4%，所述的第一内包层半径R2为6.5μm~11μm，相对折射率差为-0.06%~0%，所述的第二内包层半径R3为15μm~30μm，相对折射率差范围为-0.02%~0.05%；最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层；所述的纤芯层由掺氟(F)和锗(Ge)的石英玻璃组成，或由掺氟(F)和其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF1为-0.1%~-0.03%。
2.按权利要求1所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的纤芯层相对折射率差为0.2%~0.35%。
3.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的第一内包层半径R2为8μm~10μm，相对折射率差为-0.05%~-0.02%。
4.按权利要求1所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的第一内包层由掺氟(F)和/或其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF2为-0.3%~-0.1%。
5.按权利要求4所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的第一内包层氟(F)的贡献量ΔF2为-0.25%~-0.2%。
6.按权利要求4所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的第二内包层由掺氟(F)和/或其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF3为-0.02%~-0.03%。
7.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的外包层为OVD、VAD或APVD制备的纯二氧化硅石英玻璃层。
8.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.325dB/km；在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.190dB/km。
9.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长的模场直径为8.6~9.5μm。
10.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤的光缆截止波长小于或等于1260nm。
11.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散波长为1300~1324nm，光纤在零色散波长处的色散斜率小于或等于0.092ps/nm2 *km。
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